JP2002508586A - クラスタツール - Google Patents

クラスタツール

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JP2002508586A
JP2002508586A JP2000538374A JP2000538374A JP2002508586A JP 2002508586 A JP2002508586 A JP 2002508586A JP 2000538374 A JP2000538374 A JP 2000538374A JP 2000538374 A JP2000538374 A JP 2000538374A JP 2002508586 A JP2002508586 A JP 2002508586A
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Abstract

(57)【要約】 自動化プラットフォームを介して結合される複数のツールを利用して、基板をテストして基板上の欠陥を探知するためのクラスタツールである。クラスタツール（１）は、一以上の基板を収納する収納デバイスを受け取るインターフェースを含む。基板を検査して、各基板上の疑わしい位置を表示する欠陥マップを与えることができる検査ツールである。クラスタツール（１）は、各々複数のウェハを保持できる四つのポッド（図示せず）を収納するエンクロージャ（２Ａ）を有する自動化プラットフォーム（２）を含む。自動化プラットフォーム（２）は、インターフェースと検査ツールと評価ツールとに結合されていて、ツール間に基板を移送することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置（ＦＡＢ）におけるウェハの検査及び評価について
の全般的な分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ業界における急速な技術発達により、ＩＣの構造及び設計は、かつてない
ほど益々複雑になって、製造コストを明らかに押し上げている。同時に、新しい
、更に進んだ設計が市場にもたらされる結果、ＩＣ市場の競争が激しいことと製
造したチップが短命であることとのため、製造業者たちは、これらの製造したチ
ップの卸値を絶えず値下げせざるを得ない。
【０００３】 いわゆる高い歩留まり成績を維持するために、この状況に刺激されて、多くの
テスト手順が開発されてきた。この点について、「歩留まり」とは、製造完了ま
でに故障を全く検出しないという点で不良がない、一つのバッチで生産されたダ
イの割合に関する。従って、製造という観点から、歩留まり基準は、各種の設計
規則、処理装置、粒子数、処理誘引の欠陥、ＩＣサイズ及びＩＣ密度に関係する
。（ウェハ材料が、製造処理を開始する以前に局所的な欠陥を含んでいること、
もしくは、製造中にこのような欠陥を獲得することのいずれかが考えられる。）
歩留まり成績がほんの二、三パーセント減少することで、減少がなければ利益の
でるＩＣ生産ラインを損失のでる生産ラインにしてしまう場合がある。
【０００４】 従って、生産中にウェハを検査・評価することは習慣的なことである。概して
、検査は、製造工程の中でも重要な工程、即ち、欠陥が生じると判っている工程
、又は欠陥が生じがちな工程の後で行われる。ウェハ検査の段階においては、進
んだ検査ツール（例えば、イスラエル、オーボット・インスツルメント・インコ
ーポレーテッド社（Ｏｒｂｏｔ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．）で市販の
ＷＦ−７ｘｘシリーズ）が検査の際にウェハをスキャンして、非常に複雑なコン
ピュータ技術を用いてウェハ上の疑わしい欠陥の位置をマッピングする。
【０００５】 ウェハ検査ツールから得られた欠陥マップを、一般的には光学又は走査型顕微
鏡（ＳＥＭ）を備える評価ツールに送る。光学又は走査型顕微鏡は、マッピング
された欠陥が本当の欠陥なのか間違った欠陥（例えば、過度に高い検査解像度の
ため疑わしいとマークされた位置）なのかのいずれかに分類するために、高解像
度の結像を用いている。
【０００６】 現在使用されている検査ツール及び評価ツールは、いわゆる「独立」型である
。この「独立」アプローチには、重大な欠陥があり、最も重大な欠陥は、「結果
を得るまでの時間」である。つまり、検査段階では通常、一つのカセットごとに
ウェハを扱い、ウェハを一枚一枚扱うのではない。従って、例えば２５枚といっ
た、複数のウェハを含む一つのカセットを、検査ツールにロードして検査を行う
。検査ツールがこのカセット内のウェハすべての検査を終了した（又は指定の数
のウェハをサンプリングした）後でのみ、このカセットを、欠陥マップを含むコ
ンピュータファイルとともに評価ツール内にロードする。この結果、動作の速度
が遅くなるのは、一つのカセット全体（又は一つのカセット内のサンプリングさ
れたウェハ）を検査しなければ、最初のウェハを評価段階にかけることができな
いからである。一般的に、係る工程には、原則として五時間以上係ることが知ら
れている。
【０００７】 さらに、検査ステーションと評価ステーションとの間でもカセットを取り扱う
ことが、欠陥が生じるもう一つの原因になる。この動作方式について、ここでは
「カセット検査−評価サイクル」と呼ぶことにする。
【０００８】 検査段階と評価段階との間の長くなった遅延（カセットを検査ツールにロード
・アンロードして、物理的にカセットを評価ツールに搬送してロードするための
専門の熟練したオペレータがしばしば必要である）と共に、カセット検査−評価
サイクルにおける動作により、カセット検査−評価サイクルの速度が著しく遅く
なり、避けられない結果として、ウェハ内の欠陥検出が遅くなる。さらに、カセ
ットの移送中に生じる追加の欠陥のいずれについても記録がとられることがない
のは、評価ステーションでは、検査ツールによって疑わしいと特定された位置の
みを評価するからである。従来のカセットに取って代わるポッドが最近になって
導入されているが、上述のローディング／アンローディング手順を実行すること
がより複雑になるという問題がある。
【０００９】 本出願の譲渡人であるアルモット（Ａｌｕｍｏｔ）に譲渡されている、米国特
許第５，６９９，４４７号に、もう一つのアプローチが記載されている。引用の
特許では、「ウェハ一枚ごと」の検査及び評価が可能なあるシステムについて記
載されている。特に詳しくは、単一のツールに検査能力と評価能力の双方が備え
られている、一体型システムが記載されている。従って、一つのカセットをロー
ドして、最初のウェハをこのシステム内に入れる。このシステムはまず、検査ル
ーチンを実行して、欠陥マップを生成する。次に、このシステムは、ウェハを取
り出すことなく、生成した欠陥マップを用いて、増大した倍率及び／又は感度で
、評価ルーチンを開始する。
【００１０】 独立型の動作方式においては、検査段階及び評価段階を、パイプラインアプロ
ーチで同時に起動することができることについて理解されたい。従って、評価段
階を一つのカセットからの最初のウェハについて行う場合、別のカセットからの
別のウェハを同時に検査段階にかけることができる。対照的に、「一体型」ツー
ルは、連続した動作方式により、特徴づけられている。言い換えれば、すでに検
査されているウェハを評価モジュールで処理する際に、対応する検査モジュール
を待機状態にする。費用の点から見ると、単一のウェハを高性能の二百万ドルの
価値のある検査モジュール内で検査するのに八分かかり、次に、四十万ドルの価
値のある評価モジュール(例えば、光学顕微鏡)で評価するのにＴ秒（Ｔ＝Ｉ＊Ｎ
、Ｎは検査段階で発見された欠陥の数；Ｉは秒で欠陥を評価する時間）かかると
する場合、２００の欠陥（つまり、Ｎ＝２００）があって、Ｉ＝３とすると、非
常に高価な検査モジュールが十分間待機状態におかれて、この間に、一枚以上の
ウェハを検査できたことになるという問題がすでに生じている。このことは、多
くのＦＡＢにおいて、容認できない非常に重大な制約である。
【００１１】 その上、周知の「一体型」システムは、柔軟性のない構成に特徴があり、その
意味で、この一体型システムは、概ね光学顕微鏡といった、同じ型の検査ツール
と評価ツールとを備えている。従って、単に、システムの倍率及び／又は感度を
上げることにより、評価を行う。このことは、実験用の顕微鏡を用いる周知の方
法と基本的に同じである。この方法は、まず、低い倍率を用いて対象物を得て、
次に、各種の倍率を有する対物レンズタレットを単に回転させることにより、更
に高い倍率を用いて検査する方法である。
【００１２】 しかしながら、単に何回も倍率を上げることでは不十分で、実際には、走査型
電子顕微鏡等の、異なる特性の追加のツールを用いることにより、「一体型」シ
ステムで検査を追跡することが習慣になっていることを理解されたい。従って、
柔軟性のない構成が、重大な欠点を構成しているのである。
【００１３】 それゆえ、この分野で、独立型検査・評価シーケンスと従来周知の「一体型」
システムとに伴う欠点を実質的に低減する、もしくは克服する、ウェハを検査し
て評価するためのツールを提供する必要がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
簡単明快にするために、以下の説明は、検査ツールと評価ツールとを含むクラ
スタツールについて、主として焦点を当てている。当業者なら容易に理解される
であろうが、本発明は決して、この特定の構成に拘束されるものではない。従っ
て、制限されない例示により、本発明は同様に、二以上の検査ツール又は検査ツ
ールと測定ツールとを具体化するクラスタツールに適用できる。
【００１５】 本発明は、「一体型」ツールアプローチと独立型の方法との両方の利点から恩
恵を得ることを目指している。従って、一方では、一体型アプローチに基づいて
、検査・評価サイクルの全体的な持続時間を短縮するように、検査段階と評価段
階との間のインターフェースを簡素化し、もう一方では、独立型の方法のパイプ
ライン動作から恩恵を得て、高いレベルでの構成の柔軟性を与える。この点、柔
軟性が各構成要素を独立して扱うことを可能にする。例えば、必要で且つ適切な
らば、互換性を向上するため、又は検査ツール及び評価ツールの各スループット
を本質的に一致させるために、一以上の評価ツール又は検査ツールを追加するこ
とにより、検査構成要素及び評価構成要素のいずれか、もしくは両方を取り換え
る。
【００１６】 その結果、特定の応用で明記されているように、検査−評価サイクルの全体の
持続時間を短縮し、同時に、検査段階と評価段階との間の高いレベルの互換性を
提供する。
【００１７】 概して、本発明によれば、特定のＷＦ−７ｘｘシリーズ等の検査測定ツールを
用いて、欠陥マップを与える。自動化プラットフォームを、選択された評価ツー
ルとともに、検査ツールに結合する。自動化プラットフォームにより、ウェハを
、カセット又はポッドから検査ツールに自動的にロードして、検査段階が完了す
ると同時にウェハを検査ツールからアンロードして、評価ツールに搬送して評価
段階に移行することが可能である。特定の方法においては、自動手順により、「
結果を得るまでの時間」が大幅に短縮されて、上述の、長い、誤りを招きがちな
同じ手作業による手順に伴う、望まれない間接費を節約する。
【００１８】 従来周知の、カセットによる検査−評価サイクルとは対照的に、本発明のシス
テムは、結果を得るまでの時間を大幅に短縮する、「ウェハ一枚ごと」又は「単
一ウェハ検査−評価サイクル」を提供する。特に詳しくは、従来技術によれば、
カセット内のウェハすべて（あるいは、カセット内のサンプルすべて）が検査さ
れて、欠陥及び機能不全のレポートを得るために評価ツール内へロードされるま
で、待たざるをえない。対照的に、本発明によれば、一枚のウェハを検査した後
、そのウェハを（所望の場合には単一マップ表示に統一した、関連する欠陥マッ
プと共に）評価ツールに搬送してロードして、同じカセットからの次のウェハを
同時に検査ツールにロードする。従って、一旦そのウェハの評価段階が完了した
なら、一つのウェハ内の疑わしい欠陥及び機能不全のレポートはすでに利用可能
で、残りのウェハが検査されるまでそのレポートを待つ必要がなくなる。
【００１９】 応用への特定の必要条件に適したアーキテクチャ設計の単一ウェハ検査−評価
サイクル及び柔軟性が、一つのウェハ内の欠陥及び機能不全に関する情報を得る
ための時間を短縮する。特定の方法でこの情報を入手する時間を早めることは、
早期対応（生産ラインを停止して製造ツールを再構成する、レチクルを変更する
等）の応用を、相応に前進させて、結局は、向上した歩留まりを達成する。生産
ラインを収益が上がるようにするために、現在のＩＣ技術が課している非常に高
い歩留まりについての必要条件を考慮すると、費用の観点から、本発明のシステ
ムを利用することは、特に、「ランプアップ」段階において大きな利点となる。
【００２０】 従って、一態様によれば、本発明は、自動化プラットフォームを介して結合さ
れる複数のツールを利用して、基板をテストして基板上の欠陥を探知するための
クラスタツールを提供する。このクラスタツールは、複数の基板が収納されてい
る収納媒体を受け取るインターフェースと、 基板を検査して、前記基板の各々にある疑わしい位置を表示する欠陥マップを
与える検査ツールと、 検査ツール、測定ツール及び評価ツールのグループから選択される第二のツー
ルのうちの少なくとも一つと、 前記インターフェースと前記検査ツールと第二のツールのうちの少なくとも一
つとに結合されて、基板をツール間に移送する自動化プラットフォームとを備え
、前記検査ツール及び第二のツールの各々が、前記基板を支持するためのステー
ジを含む。
【００２１】 本発明のもう一つの態様によれば、本発明は、自動化プラットフォームを介し
て結合される複数のツールを利用して、基板をテストして基板上の欠陥を探知す
るためのクラスタツールを提供する。
【００２２】 このクラスタツールは、複数の基板が収納されている収納媒体を受け取るイン
ターフェースと、 基板を検査して、前記基板の各々にある疑わしい位置を表示する欠陥マップを
与える検査ツールと、 検査ツール、測定ツール及び評価ツールのグループから選択される第二のツー
ルのうちの少なくとも二つと、 前記インターフェースと前記検査ツールと第二のツールのうちの少なくとも二
つとに結合されて、少なくとも一つのエスカレーション基準に基づいて基板をツ
ール間に移送する自動化プラットフォームとを備える。
【００２３】 本発明のアーキテクチャの柔軟性は、「エスカレーション」動作方式の利用を
容易にする。典型的ではあるが限定されていない後者の態様の例では、一つの検
査ツールと二つの評価ツールとを用いる。例えば、光学顕微鏡等の、低い評価解
像度を有する第一の評価ツールが、検査ツールから得たマッピングされた欠陥に
ついて、第一の概略の評価と分類を行う。例えばＳＥＭ等で、引き続いて、より
正確な評価ツールを構成して、より高い解像度が必要な、光学的評価ツールでは
分類されなかった欠陥だけを評価し分類する。
【００２４】 以下でより詳細に説明されるように、例えば、達成された「信頼水準」及び「
欠陥の大きさに基づくエスカレーション」理論が関する範囲では、特定の方法で
のエスカレーションを利用することにより、利点となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明をよりよく理解するために、例示のみであるが、添付の図面を参照にし
て、これから本発明について説明する。
【００２６】 本発明においては、「収納媒体」は、カセット、ポッド等の、基板（例えば、
ウェハ）を収納するための手段ならいずれのものも含む。
【００２７】 まず、本発明の一実施形態に基づく、クラスタツールの二つの斜視図を示す図
１Ａ及び図１Ｂを参照する。クラスタツール（１）は、各々複数のウェハを保持
できる四つのポッド（図示せず）を収納するエンクロージャ（２Ａ）を有する自
動化プラットフォーム（２）を含む。図１Ａでは、各ポッド（各々３Ａ乃至３Ｄ
と示されている）を収納するエンクロージャの開口部のみが示されいている。直
接の空気流及びスクラバ等を用いて、エンクロージャ（２Ａ）が、清浄さを適切
なレベル（例えば、クラス１０のクリーンルーム及びクラス０．０１のミニ環境
）に制御するための「ミニ環境」を形成することもできる。エンクロージャ（２
Ａ）としては、アシスト・テクノロジーズ社（Ａｓｙｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｉｅｓ）で市販の、ＳＭＩＦ−３００ ＷＭＳを用いることもできる。ｗｗｗ．
ｆａｂｔｅｃｈ．ｏｒｇで閲覧可能な、アルフレッド・ホノルド及びワーナー・
シェーラー共著、「３００ｍｍウェハ製造用ミニ環境システム」（Ｍｉｎｉｅｎ
ｖｉｒｏｎｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ ３００ｍｍ Ｗａｆｅｒ、 Ａｌ
ｆｒｅｄ Ｈｏｎｏｌｄ ａｎｄ Ｗｅｒｎｅｒ Ｓｃｈｅｌｅｒ）についても
参照されたい。
【００２８】 図１Ａでは、水平角運動をするように、ヒンジ５ａ及び５ｂの周囲に二つの自
由度を有する部材を駆動する二つのステップモータ（図示せず）の付いたアーム
（５）を有するロボット（４）についても図示されている。必要且つ適切ならば
、アームを上げ下げできるモータ制御アーム（７）により、アーム（５）は、垂
直方向に移動できる。
【００２９】 ロボット（４）は、エンクロージャ（２Ａ）内側に設置されているトラック（
１０）（図１Ｂ）に載置している。適したロボットとトラックとは、カリフォル
ニア州サニーヴェール市、エクィプ・テクノロジーズ社（Ｅｑｕｉｐｅ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）から入手できる。図１Ａではまた、検査ツールの一部を形
成する構成要素（８）と評価又は測定ツールの一部を形成する構成要素（９）と
が図示されている。検査ツール及び評価／測定ツールについては、自動化プラッ
トフォームとアームロボットとの構造を明らかにするために、象徴的な方法で図
１Ａ及び図１Ｂに示されているだけである。図１Ｂは、図１Ａと同じであるが、
異なるのは検査ツール及び評価ツールの構成要素が取り除かれていて、検査ツー
ル及び／又は評価ツールに対して所望の位置に届くように、ロボット台（１１）
をトラック上で摺動させる、トラック（１０）が図示されている。これについて
は、以下で相当詳細に説明する。更に、自動化プラットフォームは、ウェハが検
査ツールにロードされる前にウェハを並べる働きをする、プリアラインステーシ
ョン（１２）を収納している。
【００３０】 図１Ａ及び図１Ｂで図示のように、アーム（５）は開口部３Ａ乃至３Ｄを介し
て伸びて、各ポッドからウェハを取り出す。次に、アーム（５）はウェハを検査
ツールにロードする。図１Ａ及び図１Ｂに図示されていないが、静電チャック又
は真空チャック等のチャック上にウェハを載置することにより、本発明において
はローディングを実行する。自動化プラットフォームの動作について、図４を参
照にして以下で説明するが、すでにこの段階で、クラスタツールの構成が、図１
Ａ及び図１Ｂの特定の実施形態に制限されるものではないことに留意されたい。
図１Ａ及び図１Ｂの実施形態は、本発明のクラスタツールを実現するための数あ
る可能な構成の中のほんの一つを説明するにすぎない。同様に、ロボット（４）
とプリアラインステーション（１２）とを含むトラック自動化プラットフォーム
は、本発明の自動化プラットフォームの多くの可能な変形うちの一つに過ぎない
ものである。
【００３１】 ここで図２に移ると、本発明の一実施形態に基づくクラスタツールに用いられ
る、例示のハードウェアアーキテクチャが図示されている。ファクトリーインタ
ーフェース制御装置（２１）は、ツールとＦＡＢ間のインターフェースの働きを
する。ユーザインターフェース（２２）に対して、オペレータと通信するための
接続が設けられている。ファクトリーインターフェース制御装置（２１）を、ツ
ール１制御装置（例えば、検査ツール）（２３）に接続する。ツール（２）制御
装置（例えば、第一の評価ツール）（２４）及びツールｎ制御装置（例えば、測
定ツール）（２５）への接続は、例えば、イーサネット等のローカルエリアネッ
トワーク、ＬＡＮにより接続する。ファクトリーインターフェース制御装置（２
１）は更に、例えばイーサネットＬＡＮを介して、検査−評価サイクルの全体を
とりわけて管理する、ＦＡＢ自動化ホスト（２６）と通信する。当業者ならばす
でに理解していることであろうが、図２は、本発明に基づくクラスタツールに用
いられるハードウェアアーキテクチャを実現するための数ある変形のうちの一つ
に過ぎないものである。
【００３２】 図３Ａ及び図３Ｂに移ると、本発明の好適な実施形態の一つに基づく、検査−
評価サイクルを制御する、例示の手順についてのフローチャートが示されている
。まず始めに、ポッド＃１のウェハ＃１を自動化プラットフォームのロボットア
ームで取り出して、プリアラインステーションに載置して（４１）、準備段階に
なるようウェハ＃１を検査ツールにロードする（４２）。検査ツールがウェハ＃
１を検査する間、ウェハ＃２をアームにより（ポッド＃１から）取り出して、プ
リアラインステーションに載置する（４３）。ウェハ＃１の検査段階が終了する
と、適切な検査完了信号を生成する（４４）。特定の信号に応答して、ウェハ＃
１を検査ツールからアンロードして、評価ツールにロードする（４５）。次に、
評価ツールがウェハ＃１の検査を実行する間に、ウェハ＃２を検査ツールにロー
ドして検査を行う（４６）。
【００３３】 ここで、ウェハ＃２が検査ツールで検査されているが、ウェハ＃１を評価ツー
ルにより同時に評価する。これからウェハ＃３をポッド＃１から取り出して、プ
リアラインステーション（図示せず）に載置する。検査段階と評価段階の持続時
間が本質的に同じである（本質的に一致したスループットを構成する）ならば、
ウェハ＃２を評価ツールにロードする時間に合わせて、ウェハ＃１の評価が完了
することになる。従って、ウェハ＃１の評価が完了すると同時に、ウェハ＃１を
ポッド＃１に戻すことができる、もしくは、第二の評価ツール又は測定ツールに
移動することができ、ウェハ＃２を第一の評価ツールにロードすることもできる
（４８）。次に、ウェハ＃３を検査ツールにロードするが、これは示されていな
い。
【００３４】 ポッド＃１からのサンプルウェハがすべて処理されるまで（５０及び５１）、
特定の手順（ステップ４１乃至４８）をくり返す。ポッド＃１内のウェハすべて
が処理された場合には、検査−評価サイクルにかけられるウェハを収納している
ポッドすべてについて、この手順をくり返す（５３及び５４）。そうでなければ
（即ち、ポッドすべてが処理されたなら）、処理を終了する（５６）。
【００３５】 当業者ならばすでに理解しているであろうが、図３Ａ及び図３Ｂが、多くの可
能な変形のうちの一つを説明しているに過ぎないものである。可能な変更態様の
例示のリスト（もちろん、図３Ａ及び図３Ｂの手順に必要な変更を加えて変更す
ることが必要であるが）に含まれるものは、 ｉ） 二つのロボット又は二重アームロボットを用いる自動化プラットフォーム ｉｉ） プリアラインステーションの削除 ｉｉｉ） 一致するスループット仮定が普及していない ｉｖ） 一以上のツール及び／又は一以上の評価ツールの利用、である。
【００３６】 特定の応用により、必要且つ適切ならば、他の変更態様を適用することもでき
る。
【００３７】 特に、スループットを一致させるために、一以上の評価ツールを配置して、単
一の評価ツールの働きをさせる、もしくは、この逆も考えられる。あるいは、評
価ツールで、検査ツールの欠陥マップに表示された疑わしい位置の見本を取るだ
けでもよい。又は、システムを用いて、一以上の検査ツールを平行して作業させ
ることにより、検査スループットを増加させることができる。更に、上述で述べ
たように、評価ツールに追加する、もしくは、評価ツールの代わりとして、自動
力顕微鏡、近接場光学顕微鏡、走査トンネル顕微鏡等の、測定ツールを用いるこ
ともできる。
【００３８】 図４に移ると、本発明の一実施形態に基づく、エスカレーション構成の概略図
が示されている。図示のように、クラスタツール（６０）は、検査ツール（６１
）と二つの評価ツール（６２）及び（６３）を含む。例えば、検査ツール（６１
）は、光学顕微鏡を備える。評価ツール（６２）は、検査ツール（６１）よりも
高い倍率を有するより高感度の光学顕微鏡とすることができる。評価ツール（６
３）は、評価ツール（６２）で評価された欠陥中の、対象となる欠陥を完全に調
べるためのＳＥＭとすることもできるし、所望の場合には、評価ツール（６２）
の動作仕様を越える高い解像度が必要な欠陥を調べるためのＳＥＭとすることも
できる。
【００３９】 かかる配列に特に利点があるのは、検査−評価サイクル中に分類することを望
む場合である。従って、検査ツールが、「第一のパス」の欠陥を概略で分類する
。この分類を用いて、システムが評価戦略を決定してもよい。例えば、ある特定
の段階では傷を対象としない場合には、評価工程の間、傷があると分類された疑
われる位置すべてについて省かれる。他方、コンタクトやバイアのきれいさ等の
、特定の欠陥が大きな対象となる場合には、第一の評価ツール（６２）ではこれ
らの欠陥を省いて、高感度の評価ツール（６３）のみにより評価することができ
る。
【００４０】 図４の構成は、例えば、検査ツール（６１）のスループットが評価ツール（６
２）及び（６３）のいずれかを別々に越えるが、それにも関わらず、評価ツール
（６２）及び（６３）を両方用いる場合と同じスループットである場合に、スル
ープットを一致させることにも役立たせることができる。
【００４１】 特定の方法でのエスカレーションの実施形態を利用することを、信頼水準を向
上させるために用いることもできる。例えば、特定のエスカレーション基準（信
頼水準のエスカレーションを構成する）により、ウェハすべてがまず検査ツール
により検査されることを命令してもよい。この特定のエスカレーション基準に基
づいて、検査ツールにより探知された欠陥を第一の（概略の）評価ツールにかけ
る。このエスカレーション基準によれば、所望の信頼水準を下回る欠陥が、例え
ばＳＥＭベースのツールを用いる別の（更に詳しい）評価にかけられる。別の戦
略に基づいて、大きさベースのエスカレーション基準を用いる。例えば、検査に
より大きいと判定された欠陥を、比較的大きな欠陥を分析できる光学的評価ツー
ルに送る。小さいと判定された欠陥を、比較的小さな欠陥を分析できるＳＥＭベ
ースの評価ツールに送る。大きさベースのエスカレーション基準では、多数の可
能なエスカレーション基準の中からほんの二つを示したに過ぎないが、それにも
関わらず、検査と評価との組み合わせを設計する柔軟性について明らかにしてい
る。当業者ならば、図４の構成が例示のみであって、例えば、新規の検査及び／
又は評価及び／又は測定構成要素を追加する、もしくは、現在あるものと取り換
えることにより調整できることが、容易に理解されるであろう。後者の場合につ
いては、評価ツールが光学顕微鏡又はＳＥＭ等の特定の形式に限られるものでは
なく、従って、既知のイオンビーム検査・評価ツール及び／又は自動力顕微鏡、
近接場光学顕微鏡、走査トンネル顕微鏡等の、他の構成要素も用いることができ
ることが、容易に理解されるであろう。特定の応用により、必要且つ適切であれ
ば、選択されたエスカレーションの実施形態について、適したエスカレーション
基準を使用する。
【００４２】 「検査−評価サイクル」について、自動化プラットフォームを利用を説明した
が、同様に、ＩＣ製造の他の段階においても利用することができることが、当業
者ならば容易に理解されるであろう。従って、例えば、別の、周知の製造段階で
は、ウェハの処理に検査モジュール、オーバーレイモジュール、マクロモジュー
ル及びＣＤ−ＳＥＭモジュール（図５Ａ中で、各々７０、７１、７２及び７３で
示されている）が関係する。上述の検査−評価工程と同様に、図５Ａに記載の製
造段階では、ウェハをあるステーションから別のステーションに移動させること
が必要になる。従って、ウェハをあるステーションから別のステーションに搬送
することに伴う間接費を削減するために、自動化プラットフォーム（７４で概略
を示す）を利用することもできる。明白に、自動化プラットフォームは、図５Ａ
の実施形態で求められる特定の要件に見合うように設計されていて、特定のモジ
ュールそれぞれに対するウェハローディング／レシービングステーションを含ん
でいる。しかしながら、好適な実施形態においては、ツールの目的、動作及び製
造業者に関わらず、いずれのツールも自動化プラットフォームに接続することが
できるので、自動化プラットフォーム及び各種のツールは、「オープン・アーキ
テクチャ」が可能なように設計されている。
【００４３】 図５Ａではさらに、周知のトラック及びステッパ段階（７５及び７６）につい
ても用いられていることが示されており、これにより、処理段階、測定段階及び
検査段階の間で、ウェハをウェハポッドに戻す必要が無くなる。図示のように、
ウェハをウェハローディングステーションにロードして、そこからウェハをステ
ッパ／トラックモジュールかけて、自動化プラットフォームを利用して、ウェハ
をモジュール（７０）、（７１）、（７２）及び（７３）で処理する。
【００４４】 図５Ｂには、図５Ａのステッパトラック−クラスタツール配列を実行するため
の一実施形態が図示されている。この業界での現在の傾向は、ステッパトラック
を水平ではなくむしろ垂直に設置している。従って、技術の現状では、ステッパ
トラックはもはや水平に延長することはないが、各種のステーションが垂直に積
み重なった、実質的に四角いフットプリントの形状になっている。現在の傾向は
、ステッパとローディングステーションとの中間にステッパトラックが配置され
ることになる（ステッパトラックは、水平運動とともに垂直運動が可能な専用の
ロボットを有している）。
【００４５】 従って、この実施形態に基づいて、図５Ｂに図示のように、クラスタツールの
自動化プラットフォーム（７４）は、ステッパトラック（７５）のローディング
ステーション（７８）と接する。かかる配列の利点は、フットプリントを節減す
ることである。他方では、ステッパトラックとステッパへのアクセスが更に煩わ
しくなる。動作を簡素化するために、あるいはステッパトラックへのアクセスに
ゆとりを持たせるために、任意のバッファステーション（７９）をステッパロー
ディングステーションと自動化プラットフォームとの間に設置することもできる
。共通のミニ環境を提供するように、バッファステーション（７９）を、ステッ
パローディングステーション（７８）のエンクロージャ又は自動化プラットフォ
ーム（７４）のエンクロージャ内側に設置することもできる。自動化プラットフ
ォームに対して直接ウェハを扱うよりもむしろ、ステッパトラックローディング
ステーションがウェハをバッファステーション（７９）に載置して、自動化プラ
ットフォーム（７４）のロボットがバッファステーションからウェハを取り上げ
るようにする。かかる配列により、自動化プラットフォーム（７４）とステッパ
トラック（７５）との間に通路ができて、点検及び補修のためのアクセスを提供
することができる。
【００４６】 図５Ｂの配列においては、ポッドを受け入れて点検する機構を有する必要がな
くなるという点で、自動化プラットフォーム（７４）を簡素化することができる
ことに留意されたい。むしろ、かかる機構は、ポッドの点検をすべて行うことに
なるステッパローディングプラットフォーム（７８）だけに設けることもできる
。その結果、自動化プラットフォーム（７４）は、トラックロボットと、必要の
場合には、ミニ環境設備を備えるだけで良い。
【００４７】 図６に移ると、本発明のクラスタツールで用いられる自動化プラットフォーム
についての、もう一つの制限されない配列が示されている。図６に図示のように
、評価ツール及び検査ツールを、共に単一のチャンバ（８０）内に収納して、独
立したツールを構成しない。検査ツールは、ステージ（８１）として簡単に表示
されていて、検査デバイス（８２）、同様にステージ（８３）と表示されている
評価ツール及び評価デバイス（８４）が表示されている。ステージ（８１）をウ
ェハを受け取って検査をするように適合して、ステージ（８３）をウェハを受け
取って評価するように適合する。（もちろん、本発明は、ステージの特定の構造
や、基板を支持する方法のいずれにも限定されるものではない。）しかしながら
、評価及び検査が共に同じチャンバ内にあるので、特定のトラックロボットの場
合に必要な、トラックに沿ってロボットを摺動させる必要が無くなる。従って、
図６の特定の実施形態に基づいて、自動化プラットフォーム（８５で概略を示す
）を、ステージ（８１）及びステージ（８３）にウェハをロードしてアンロード
する要件に見合うように設計する。
【００４８】 当業者ならば、本発明に基づくクラスタツールの構成が、図６のツール（８０
）が図１の部材（８）と置き換えられて（即ち、検査及び低い感度の評価のため
）、ツール（９）が高感度の評価を行うといった、特定の構成についても含むこ
とが容易に理解されるであろう。
【００４９】 本発明の可能な応用の一つが、各種のウェハ検査段階に用いられる、時間のか
かる調整手順を緩和する。周知のように、別々の製造段階では、別々のレベルの
検査感度が必要になる。例えば、化学機械平坦化（ＣＭＰ）後検査段階では、例
えばエッチング後の段階とは異なる検査感度が必要になる。所望の感度レベルに
するために行う調整段階は煩わしいばかりでなく、時間がかかり、三時間を越え
ることもある。従って、検査ツールが任意の検査感度レベルにすでに設定されて
いると仮定すると、過剰な感度設定が行われていないか確認することが無条件に
必要である。検査が、誤った欠陥を多く報告する（欠陥のないウェハの位置が、
欠陥があると報告される）ことになり、これは明らかに望ましいことではない。
他方、過度に反応しないレベルに設定することは、検査されるウェハ内の欠陥の
ある位置を見逃すことになり、欠陥のあるウェハを排棄せずに、次の処理ステー
ションに移動させたり、（カプセル化されたダイの形状で）市場を妨害したりす
るといった、望ましくない結果が生じる。
【００５０】 従来技術によれば、過剰に敏感な構成をうまく処理するために、調整段階を行
う。検査されるウェハ（検査された欠陥の対応するレポートリストと共に）を、
検査ツールの欠陥表示を照合したり、誤りであると証明したりする評価ツールに
ロードする。誤った欠陥の割合が高すぎると判った場合には、ウェハを検査ツー
ルに戻して、所望のレベルの精度が得られるまで手順をくり返す。
【００５１】 上述のように、従来技術に基づくウェハを検査ツールから評価ツールへ移動す
る、又はこの逆の移動は、長く、エラーを起こしがちな手順である。しかしなが
ら、本発明のクラスタツールを用いれば、原則として、数回の検査−評価サイク
ルが必要な調整段階を早めて、より正確にする。
【００５２】 一般的に、自動化プラットフォームは、検査／評価／測定ツール各々のスル
ープットよりもより高速で動作することに留意されたい。従って、自動化プラッ
トフォームをプログラムして、検査／評価／測定ツールの各々に別々に供給する
ことができる。即ち、ファクトリーインターフェース制御装置（図２）をプログ
ラムして、制御装置に接続している各ツールの中央ローディングステーションと
することができ、同時に、各ツールを独立型ツールとして動作させる。この動作
により、ＦＡＢオペレータに一層の柔軟性を供与する。
【００５３】 特に詳しくは、ある操作に対して、ＦＡＢオペレータは、クラスタツールをパ
イプライン方式で行うのではなく、クラスタのツールのうちの特定のツール、又
はツールのすべてを他のツールとは独立して用いようと決定することもできる。
例えば、クラスタツールが光学式検査ツール及びＳＥＭツールを備えている場合
には、ファクトリーインターフェースをプログラムして、ロボットを制御して、
検査ツール及びＳＥＭツールにそれぞれ独立して供給することができたり、他の
ツールの動作を独立して制御することができたりする。
【００５４】 係る特徴のもう一つの利点は、機械の中断時間の場合である。例えば、クラス
タを構成するツールの一つが、保守又は修理のためにラインから外される必要が
ある場合でも、ファクトリーインターフェース制御装置をプログラムして、別の
スケジュールに基づいて各種のツールに供給することにより、クラスタツールを
稼働させておくことができる。この業界の現在の考え方は、概ね、一つの評価ツ
ールに対して四つまでの検査ステーションの割合で、評価ツールに一以上の検査
ツールの役目をさせることである。設置目的として、クラスタが三つの検査ステ
ーションと一つの評価ステーションとを備えると仮定すると、いくつのステーシ
ョンが稼働できるかということと所望のスループットとにより、ファクトリーイ
ンターフェース制御装置をプログラムして、一、二又は三の検査ステーションか
ら評価ステーションに供給することができる。
【００５５】 本発明は、このように長く必要とされていたことを実現するものである。
【００５６】 本発明について、相当詳細に説明してきたが、請求の範囲により限定される本
発明の範囲又は精神から逸脱することなく、各種の変更態様及び変形が可能であ
ることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 本発明の一実施形態に基づく、クラスタツールの二つの斜視図を示す図である
。
【図１Ｂ】 本発明の一実施形態に基づく、クラスタツールの二つの斜視図を示す図である
。
【図２】 本発明の一実施形態に基づく、クラスタツールに用いられるハードウェアアー
キテクチャを示す図である。
【図３Ａ】 本発明の一実施形態に基づく、検査−評価サイクルを制御する連続したコンピ
ュータ手順を表す連続フローチャートである。
【図３Ｂ】 本発明の一実施形態に基づく、検査−評価サイクルを制御する連続したコンピ
ュータ手順を表す連続フローチャートである。
【図４】 本発明の一実施形態に基づく、「エスカレーション」構成を示す概略図である
。
【図５Ａ】 本発明の一実施形態に基づく、オーバーレイ構成を示す二つの概略図である。
【図５Ｂ】 本発明の一実施形態に基づく、オーバーレイ構成を示す二つの概略図である。
【図６】 本発明のもう一つの実施形態に基づく、クラスタツールの構成を示す概略図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M106 CA38 DA15 DB05 DB21 DG02 DG05 DJ01 5F031 GA02 GA45 GA47 MA01 MA33 PA02

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 自動化プラットフォームを介して結合される複数のツールを
    利用して、基板をテストして基板上の欠陥を探知するためのクラスタツールであ
    って、 複数の基板が収納されている収納媒体を受け取るインターフェースと、 基板を検査して、前記基板の各々にある疑わしい位置を表示する欠陥マップを
    与える検査ツールと、 検査ツール、測定ツール及び評価ツールのグループから選択された第二のツー
    ルのうちの少なくとも一つと、 前記インターフェースと前記検査ツールと第二のツールのうちの少なくとも一
    つとに結合されて、基板をツール間に移送する自動化プラットフォームと を備え、 前記検査ツール及び第二のツールの各々が、前記基板を支持するためのステー
    ジを含む、クラスタツール。
  2. 【請求項２】 前記ツール内で行う基板の前記テストが、パイプライン方式
    で行われて、単一ウェハサイクルが得られる、請求項１に記載のクラスタツール
    。
  3. 【請求項３】 前記自動化プラットフォームが、トラックロボットを含む、
    請求項１に記載のクラスタツール。
  4. 【請求項４】 前記収納媒体が、カセット形式である、請求項１に記載のク
    ラスタツール。
  5. 【請求項５】 前記収納媒体が、ポッド形式である、請求項１に記載のクラ
    スタツール。
  6. 【請求項６】 前記検査ツールと前記第二のツールのうちの少なくとも一つ
    とが、共通のチャンバ内に収納される、請求項１に記載のクラスタツール。
  7. 【請求項７】 前記自動化プラットフォームが更に、オーバーレイツール、
    マクロツール及びステッパトラックを含むグループから選択される第三のツール
    の少なくとも一つに結合されている、請求項１に記載のクラスタツール。
  8. 【請求項８】 自動化プラットフォームを介して結合される複数のツールを
    利用して、基板をテストして基板上の欠陥を探知するためのクラスタツールであ
    って、 複数の基板が収納されている収納媒体を受け取るインターフェースと、 基板を検査して、前記基板の各々にある疑わしい位置を表示する欠陥マップを
    与える検査ツールと、 検査ツール、測定ツール及び評価ツールのグループから選択される第二のツー
    ルのうちの少なくとも二つと、 前記インターフェースと前記検査ツールと第二のツールのうちの少なくとも二
    つとに結合されて、少なくとも一つのエスカレーション基準に基づいて基板をツ
    ール間に移送する自動化プラットフォームと を備える、クラスタツール。
  9. 【請求項９】 検査ツールと第一の感度の評価ツールと第二の感度の評価ツ
    ールとを備え、自動化プラットフォームが前記インターフェースと前記検査ツー
    ルと第一の感度の評価ツールと第二の感度の評価ツールとに結合されて、少なく
    とも一つのエスカレーション基準に基づいてツール間に基板を移送する、請求項
    ８に記載のクラスタツール。
  10. 【請求項１０】 前記エスカレーション基準が、信頼水準のエスカレーショ
    ン基準を含む、請求項９に記載のクラスタツール。
  11. 【請求項１１】 前記エスカレーション基準が、大きさベースのエスカレー
    ション基準を含む、請求項１０に記載のクラスタツール。
  12. 【請求項１２】 前記ツール内で行う基板の前記テストが、パイプライン方
    式で行われて、単一ウェハサイクルが得られる、請求項８に記載のクラスタツー
    ル。
  13. 【請求項１３】 前記自動化プラットフォームが、トラックロボットを含む
    、請求項８に記載のクラスタツール。
  14. 【請求項１４】 前記収納媒体が、カセット形式である、請求項８に記載の
    クラスタツール。
  15. 【請求項１５】 前記収納媒体が、ポッド形式である、請求項８に記載のク
    ラスタツール。
  16. 【請求項１６】 前記検査ツールと前記第二のツールのうちの少なくとも一
    つとが、共通のチャンバ内に収納される、請求項８に記載のクラスタツール。
  17. 【請求項１７】 前記自動化プラットフォームが更に、オーバーレイツール
    、マクロツール及びステッパトラックを含むグループから選択される第三のツー
    ルの少なくとも一つに結合されている請求項８に記載のクラスタツール。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US20030038035A1 (en) * 2001-05-30 2003-02-27 Wilson Gregory J. Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7189318B2 (en) * 1999-04-13 2007-03-13 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6377898B1 (en) * 1999-04-19 2002-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Automatic defect classification comparator die selection system
US6693708B1 (en) 1999-09-07 2004-02-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate surface inspection using spectral profiling techniques
US6630995B1 (en) 1999-09-07 2003-10-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for embedded substrate and system status monitoring
US6721045B1 (en) * 1999-09-07 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to provide embedded substrate process monitoring through consolidation of multiple process inspection techniques
US7012684B1 (en) 1999-09-07 2006-03-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to provide for automated process verification and hierarchical substrate examination
US6707544B1 (en) 1999-09-07 2004-03-16 Applied Materials, Inc. Particle detection and embedded vision system to enhance substrate yield and throughput
US6707545B1 (en) 1999-09-07 2004-03-16 Applied Materials, Inc. Optical signal routing method and apparatus providing multiple inspection collection points on semiconductor manufacturing systems
US6813032B1 (en) 1999-09-07 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced embedded substrate inspection through process data collection and substrate imaging techniques
TW543080B (en) * 1999-10-26 2003-07-21 Fab Solutions Inc Semiconductor device
DE19952194A1 (de) 1999-10-29 2001-05-17 Infineon Technologies Ag Anlage zur Bearbeitung von Wafern
EP1273031B1 (en) * 2000-04-13 2005-08-10 NanoPhotonics AG Modular substrate measurement system
US6420864B1 (en) 2000-04-13 2002-07-16 Nanophotonics Ag Modular substrate measurement system
US6747734B1 (en) 2000-07-08 2004-06-08 Semitool, Inc. Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology
US6428673B1 (en) * 2000-07-08 2002-08-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrochemical processing of a microelectronic workpiece, capable of modifying processing based on metrology
AU2001282879A1 (en) * 2000-07-08 2002-01-21 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
JP4004248B2 (ja) * 2000-09-01 2007-11-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板検査方法
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6806951B2 (en) * 2000-09-20 2004-10-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
TW533526B (en) * 2000-10-06 2003-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus to provide for automated process verification and hierarchical substrate examination
US6346426B1 (en) * 2000-11-17 2002-02-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for characterizing semiconductor device performance variations based on independent critical dimension measurements
FR2821206B1 (fr) * 2001-02-16 2003-09-19 Jobin Yvon S A Procede de fonctionnement d'une machine d'analyse optique de galettes a microstructures, machine adaptee
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
US6842659B2 (en) * 2001-08-24 2005-01-11 Applied Materials Inc. Method and apparatus for providing intra-tool monitoring and control
WO2003018874A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
WO2003026001A2 (en) * 2001-09-18 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated equipment set for forming an interconnect on a substrate
US20030220708A1 (en) * 2001-11-28 2003-11-27 Applied Materials, Inc. Integrated equipment set for forming shallow trench isolation regions
US20040206621A1 (en) * 2002-06-11 2004-10-21 Hongwen Li Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate
US20040007325A1 (en) * 2002-06-11 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
AU2003301074A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-22 Brooks Automation, Inc. System and method for on-the-fly eccentricity recognition
DE10308258A1 (de) * 2003-02-25 2004-09-02 Leica Microsystems Jena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Dünnschichtmetrologie
US6952653B2 (en) * 2003-04-29 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Single tool defect classification solution
US7106434B1 (en) 2003-07-28 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies, Inc. Inspection tool
JP5134188B2 (ja) * 2004-10-15 2013-01-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 試料上の欠陥を分析する装置
US7811705B2 (en) 2004-10-29 2010-10-12 Medtronic, Inc. Lithium-ion battery
US8135207B2 (en) * 2008-06-25 2012-03-13 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Optical inspection tools featuring parallel post-inspection analysis
US8275478B2 (en) * 2009-03-13 2012-09-25 Globalfoundries Inc. Method and apparatus for routing wafer pods to allow parallel processing
DE102010040242B4 (de) 2010-09-03 2014-02-13 Cascade Microtech Dresden Gmbh Modularer Prober und Verfahren zu dessen Betrieb
US9202733B2 (en) 2011-11-07 2015-12-01 Persimmon Technologies Corporation Robot system with independent arms
US9401296B2 (en) 2011-11-29 2016-07-26 Persimmon Technologies Corporation Vacuum robot adapted to grip and transport a substrate and method thereof with passive bias
US10177048B2 (en) 2015-03-04 2019-01-08 Applied Materials Israel Ltd. System for inspecting and reviewing a sample
CN105702597B (zh) * 2016-02-05 2019-03-19 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 多工作台或多腔体检测***
US10360669B2 (en) * 2017-08-24 2019-07-23 Applied Materials Israel Ltd. System, method and computer program product for generating a training set for a classifier
CN112106186A (zh) 2018-07-05 2020-12-18 应用材料公司 硅化物膜成核

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4618938A (en) * 1984-02-22 1986-10-21 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for automatic wafer inspection
JPS62173731A (ja) 1986-01-28 1987-07-30 Toshiba Corp 被検査物の表面検査装置
IL99823A0 (en) 1990-11-16 1992-08-18 Orbot Instr Ltd Optical inspection method and apparatus
US5510724A (en) * 1993-05-31 1996-04-23 Tokyo Electron Limited Probe apparatus and burn-in apparatus
JPH0936198A (ja) 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
DE19549045C1 (de) 1995-12-28 1997-06-05 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung zur Handhabung von scheibenförmigen Objekten
JPH09252035A (ja) 1996-01-11 1997-09-22 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハの外観検査方法および装置

Also Published As

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