JP2002507057A - 反射防止被覆の選択的エッチング法 - Google Patents
反射防止被覆の選択的エッチング法Info
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、集積回路デバイスの製作に、より詳しくは、無機反射防止層を、その下にある酸化物を過度にエッチングせずに、エッチングする方法に関する。本発明の一態様では、水溶液中に約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０重量％のＨ３ＰＯ４を含んでなるエッチング剤を使用し、反射防止層を選択的にエッチングする。
Description
【０００１】
本発明は、集積回路デバイスの製作に、より詳しくは、無機反射防止被覆（誘
電体反射防止被覆またはＤＡＲＣとも呼ぶ）を、その下にある酸化物層を過度に
エッチングせずに、エッチングする方法に関する。
電体反射防止被覆またはＤＡＲＣとも呼ぶ）を、その下にある酸化物層を過度に
エッチングせずに、エッチングする方法に関する。
【０００２】
無機反射防止被覆は、露出光を反射する構造で起こり得る過剰露光に対処する
ために使用する。説明のために、図１に関して、部分的に完成した集積回路を示
す。半導体基材１０の中および上に電界酸化物区域(field oxide region)１１が
形成されている。ポリシリコンまたはポリサイド(polycide)ゲート電極１４が形
成されている。誘電体層１６がゲート電極を被覆している。酸化物層２０、典型
的にはホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、を誘電体層１６の上に成長させる。
フォトレジストの層を酸化物層２０の上に塗布し、パターン化し、マスクを形成
する。酸化物層２０の反射表面および使用する深紫外光２２の強度のために、光
線２２がフォトレジスト層（ＰＲ）の上に反射され、過剰露光を引き起こす。得
られるフォトレジストマスクはその中に切込を有する。従って、その後に続く層
がフォトレジストマスクによりパターン化され、エッチングされると、図２の上
面図に示す様に、切込２４が生じる。
ために使用する。説明のために、図１に関して、部分的に完成した集積回路を示
す。半導体基材１０の中および上に電界酸化物区域(field oxide region)１１が
形成されている。ポリシリコンまたはポリサイド(polycide)ゲート電極１４が形
成されている。誘電体層１６がゲート電極を被覆している。酸化物層２０、典型
的にはホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、を誘電体層１６の上に成長させる。
フォトレジストの層を酸化物層２０の上に塗布し、パターン化し、マスクを形成
する。酸化物層２０の反射表面および使用する深紫外光２２の強度のために、光
線２２がフォトレジスト層（ＰＲ）の上に反射され、過剰露光を引き起こす。得
られるフォトレジストマスクはその中に切込を有する。従って、その後に続く層
がフォトレジストマスクによりパターン化され、エッチングされると、図２の上
面図に示す様に、切込２４が生じる。
【０００３】 この問題に対処するために、図３に示す様に、反射防止被覆（ＤＡＲＣ）２４
を一般的に使用する。ＤＡＲＣ２４は、一般的に大部分がＳｉで構成され、次に
多い元素がＯであり、残りがＮである。露光の後、ＤＡＲＣは湿式エッチングを
使用して除去される。 湿式エッチング溶液は、ＢＰＳＧの様な酸化ケイ素を大きく、時として優先的
に、攻撃する。従って、湿式エッチングを行なう時、特にＢＰＳＧを使用する場
合、下側にある酸化物層２０が過剰に除去されることがある。これが起こると、
図４に示す様に、ＤＡＲＣ２４の張出しが形成される。この張出しは、その後に
続く堆積作業（例えばＤＡＲＣ２４が上に伸びている空洞の中に層を堆積させる
場合）、を妨害するか、またはそれと反作用することがある。
を一般的に使用する。ＤＡＲＣ２４は、一般的に大部分がＳｉで構成され、次に
多い元素がＯであり、残りがＮである。露光の後、ＤＡＲＣは湿式エッチングを
使用して除去される。 湿式エッチング溶液は、ＢＰＳＧの様な酸化ケイ素を大きく、時として優先的
に、攻撃する。従って、湿式エッチングを行なう時、特にＢＰＳＧを使用する場
合、下側にある酸化物層２０が過剰に除去されることがある。これが起こると、
図４に示す様に、ＤＡＲＣ２４の張出しが形成される。この張出しは、その後に
続く堆積作業（例えばＤＡＲＣ２４が上に伸びている空洞の中に層を堆積させる
場合）、を妨害するか、またはそれと反作用することがある。
【０００４】 先行技術のエッチング技術は、特定の状況下で、エッチング用に特殊な溶剤を
使用する。Wei et al.の米国特許第５，４４９，６３９号は、過酸化水素、アン
モニア、および水の溶液を使用して金属をエッチングする方法を記載している。
Izumi et al.の米国特許第５，０２２，９６１号は、フッ化水素酸（ＨＦ）また
は他のハロゲン化物含有物質をアルコールと組み合わせて使用する、ケイ素の熱
酸化物被膜のエッチングに関する。Maeda et al.の米国特許第４，７４６，３９
７号は、フッ素含有物質およびアルコール、ケトンまたはカルボン酸を使用して
ＳｉＯ２ 被膜をエッチングする方法を開示している。 しかし、隣接する酸化物の腐食を防止し、または最少に抑えながら、ＤＡＲＣ
を選択的にエッチングする様に設計された方法が依然として必要とされている。
使用する。Wei et al.の米国特許第５，４４９，６３９号は、過酸化水素、アン
モニア、および水の溶液を使用して金属をエッチングする方法を記載している。
Izumi et al.の米国特許第５，０２２，９６１号は、フッ化水素酸（ＨＦ）また
は他のハロゲン化物含有物質をアルコールと組み合わせて使用する、ケイ素の熱
酸化物被膜のエッチングに関する。Maeda et al.の米国特許第４，７４６，３９
７号は、フッ素含有物質およびアルコール、ケトンまたはカルボン酸を使用して
ＳｉＯ２ 被膜をエッチングする方法を開示している。 しかし、隣接する酸化物の腐食を防止し、または最少に抑えながら、ＤＡＲＣ
を選択的にエッチングする様に設計された方法が依然として必要とされている。
【０００５】
ＤＡＲＣを「選択的に」エッチングするとは、隣接する酸化物に対してＤＡＲ
Ｃを優先的にエッチングし、ＤＡＲＣが酸化物よりも高い速度でエッチングされ
ることを意味する。本発明は、ＤＡＲＣの様な反射防止被覆を選択的にエッチン
グする方法を提供する。 本発明の一態様では、イオン化し得るフッ素含有化合物と酸または塩基の溶液
を使用してＤＡＲＣを選択的にエッチングする。好ましい実施態様では、エッチ
ング剤は、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０重量％のＨ３ ＰＯ４の水溶液からなる。
Ｃを優先的にエッチングし、ＤＡＲＣが酸化物よりも高い速度でエッチングされ
ることを意味する。本発明は、ＤＡＲＣの様な反射防止被覆を選択的にエッチン
グする方法を提供する。 本発明の一態様では、イオン化し得るフッ素含有化合物と酸または塩基の溶液
を使用してＤＡＲＣを選択的にエッチングする。好ましい実施態様では、エッチ
ング剤は、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０重量％のＨ３ ＰＯ４の水溶液からなる。
【０００６】 本発明の別の態様では、酸化剤をエッチング剤に加え、ＤＡＲＣ／ＢＰＳＧエ
ッチング率を＞１にする。この方法の好ましい実施態様では、約１部の過酸化水
素（Ｈ２Ｏ２）を、３０〜３００部の、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化ア
ンモニウム、および約０．９重量％のリン酸を水溶液中に含んでなるエッチング
剤に加える。本方法の別の好ましい実施態様は、約１部のＴＭＡＨ（２５重量％
の水酸化テトラメチルアンモニウムおよび７５重量％の水溶液、好ましくは水）
および約６〜７部の水溶液、好ましくは水、を含んでなるエッチング剤を使用す
る。 本発明のさらに別の態様では、エッチング剤のｐＨレベルを１１〜１４に引き
上げる。 本発明のこれらの、および他の目的、特徴および利点は、下記の、本発明の好
ましい実施態様の詳細な説明から明らかである。
ッチング率を＞１にする。この方法の好ましい実施態様では、約１部の過酸化水
素（Ｈ２Ｏ２）を、３０〜３００部の、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化ア
ンモニウム、および約０．９重量％のリン酸を水溶液中に含んでなるエッチング
剤に加える。本方法の別の好ましい実施態様は、約１部のＴＭＡＨ（２５重量％
の水酸化テトラメチルアンモニウムおよび７５重量％の水溶液、好ましくは水）
および約６〜７部の水溶液、好ましくは水、を含んでなるエッチング剤を使用す
る。 本発明のさらに別の態様では、エッチング剤のｐＨレベルを１１〜１４に引き
上げる。 本発明のこれらの、および他の目的、特徴および利点は、下記の、本発明の好
ましい実施態様の詳細な説明から明らかである。
【０００７】
本発明は、一般的に周囲の酸化物層および構造よりも優先的にＤＡＲＣをエッ
チングする方法に関する。従って、本発明は、ＤＡＲＣを除去し、酸化物を保存
することが望ましいすべての分野に広く適用できる。 さらに、本発明には湿式エッチングが関与する。湿式エッチングでは、エッチ
ングすべき表面上に、液体形態の化学エッチング剤を、スプレーまたは浸漬によ
り、塗布する。次いで、エッチング剤の濃度および所望のエッチング深度に応じ
て所望の時間、エッチング剤を表面と接触させておく。所望の時間が経過した後
、典型的にはエッチングした表面を脱イオン水で濯ぐことにより、化学エッチン
グ剤を除去する。 用語「エッチング剤」は、標的とする材料の層を溶解させるのに使用する化学
薬品を意味する。用語「基材」は、半導体ウェハーにおける半導体材料の最も下
側の層を意味する。用語「半導体デバイス構造」は、基材上に製作される、すべ
てのゲート、ダイオード、接合部、抵抗、コンデンサー、絶縁体、および接点を
含むすべての構造を意味する。
チングする方法に関する。従って、本発明は、ＤＡＲＣを除去し、酸化物を保存
することが望ましいすべての分野に広く適用できる。 さらに、本発明には湿式エッチングが関与する。湿式エッチングでは、エッチ
ングすべき表面上に、液体形態の化学エッチング剤を、スプレーまたは浸漬によ
り、塗布する。次いで、エッチング剤の濃度および所望のエッチング深度に応じ
て所望の時間、エッチング剤を表面と接触させておく。所望の時間が経過した後
、典型的にはエッチングした表面を脱イオン水で濯ぐことにより、化学エッチン
グ剤を除去する。 用語「エッチング剤」は、標的とする材料の層を溶解させるのに使用する化学
薬品を意味する。用語「基材」は、半導体ウェハーにおける半導体材料の最も下
側の層を意味する。用語「半導体デバイス構造」は、基材上に製作される、すべ
てのゲート、ダイオード、接合部、抵抗、コンデンサー、絶縁体、および接点を
含むすべての構造を意味する。
【０００８】 第一の好ましい実施態様を図３で説明する。この図で、好ましくは単結晶シリ
コンで構成される基材１０からなる、部分的に完成した集積回路の一部を示す。 基材１０の中および上に、電界酸化物区域１１およびポリシリコンまたはポリ
サイドゲート電極１４の様な半導体デバイス構造が形成されている。半導体デバ
イス構造の上に、厚い絶縁誘電体層１６が堆積している。次いで、誘電体層１６
の上に酸化物層２０を成長させる。好ましい実施態様では、酸化物層はホウリン
ケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）で構成されるが、他の酸化物、例えばリンケイ酸ガラ
ス（ＰＳＧ）、等も使用できる。次に、典型的には化学的気相堆積法により、Ｄ
ＡＲＣ層２４を酸化物層２０の上に堆積させる。 ＤＡＲＣ層２４は、一般的に大部分がＳｉで構成され、次に多い元素がＯであ
り、残りがＮである。その様な、Ｓｉ／Ｎ／Ｏから製造される反射防止被覆また
はＤＡＲＣは無機反射防止被覆と呼ばれ、深紫外光を吸収する。ＤＡＲＣの代表
的な組成物は下記の通りである。 ＤＡＲＣ３２０：Ｓｉ／Ｏ／Ｎ原子濃度に関して６５％／２５％／１０％。 Ｉ−線ＤＡＲＣ：Ｓｉ／Ｏ／Ｎ原子濃度に関して５４％／３６％／１０％。 高ＫＤＡＲＣ：Ｓｉ＞６５％、残り＝Ｏ、Ｎ原子濃度、例えばＳｉ／Ｏ／Ｎ原子
濃度に関して７０％／２０％／１０％。 ＤＡＲＣ２４を塗布した後、フォトレジストＰＲの層を基材の上に塗布し、パ
ターン化し、フォトレジストマスクを形成する。ＤＡＲＣ２４は、フォトレジス
トＰＲの過剰露光を阻止し、フォトレジストを剥離する際の酸化物層２０の点食
も防止する。露光完了後、ＤＡＲＣ２４を除去するのが望ましい。ＤＡＲＣの除
去には湿式エッチングを使用する。
コンで構成される基材１０からなる、部分的に完成した集積回路の一部を示す。 基材１０の中および上に、電界酸化物区域１１およびポリシリコンまたはポリ
サイドゲート電極１４の様な半導体デバイス構造が形成されている。半導体デバ
イス構造の上に、厚い絶縁誘電体層１６が堆積している。次いで、誘電体層１６
の上に酸化物層２０を成長させる。好ましい実施態様では、酸化物層はホウリン
ケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）で構成されるが、他の酸化物、例えばリンケイ酸ガラ
ス（ＰＳＧ）、等も使用できる。次に、典型的には化学的気相堆積法により、Ｄ
ＡＲＣ層２４を酸化物層２０の上に堆積させる。 ＤＡＲＣ層２４は、一般的に大部分がＳｉで構成され、次に多い元素がＯであ
り、残りがＮである。その様な、Ｓｉ／Ｎ／Ｏから製造される反射防止被覆また
はＤＡＲＣは無機反射防止被覆と呼ばれ、深紫外光を吸収する。ＤＡＲＣの代表
的な組成物は下記の通りである。 ＤＡＲＣ３２０：Ｓｉ／Ｏ／Ｎ原子濃度に関して６５％／２５％／１０％。 Ｉ−線ＤＡＲＣ：Ｓｉ／Ｏ／Ｎ原子濃度に関して５４％／３６％／１０％。 高ＫＤＡＲＣ：Ｓｉ＞６５％、残り＝Ｏ、Ｎ原子濃度、例えばＳｉ／Ｏ／Ｎ原子
濃度に関して７０％／２０％／１０％。 ＤＡＲＣ２４を塗布した後、フォトレジストＰＲの層を基材の上に塗布し、パ
ターン化し、フォトレジストマスクを形成する。ＤＡＲＣ２４は、フォトレジス
トＰＲの過剰露光を阻止し、フォトレジストを剥離する際の酸化物層２０の点食
も防止する。露光完了後、ＤＡＲＣ２４を除去するのが望ましい。ＤＡＲＣの除
去には湿式エッチングを使用する。
【０００９】 上記の様に、湿式エッチングの際、エッチング溶液は、ＤＡＲＣ２４のアンダ
ーカットを引き起こさない様に、酸化物層２０よりも、ＤＡＲＣに対して高い選
択性を有するのが好ましい。ＤＡＲＣ２４のアンダーカットは図４に示す。本発
明の一態様では、イオン化し得るフッ素含有化合物の水溶液を使用し、ＤＡＲＣ
を選択的にエッチングする。好ましい実施態様では、エッチング剤は、水溶液中
に１０〜４０重量％のフッ素化合物を含んでなる。第二の好ましい実施態様では
、エッチング剤は、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０重量
％のＨ３ＰＯ４の水溶液からなる。 これらのフッ素およびフッ化アンモニウム混合物を塗布することにより、ＤＡ
ＲＣ／ＢＰＳＧエッチング率＞１が達成され、ＢＰＳＧ層を保存しながら、ＤＡ
ＲＣ２４をエッチングすることができる。
ーカットを引き起こさない様に、酸化物層２０よりも、ＤＡＲＣに対して高い選
択性を有するのが好ましい。ＤＡＲＣ２４のアンダーカットは図４に示す。本発
明の一態様では、イオン化し得るフッ素含有化合物の水溶液を使用し、ＤＡＲＣ
を選択的にエッチングする。好ましい実施態様では、エッチング剤は、水溶液中
に１０〜４０重量％のフッ素化合物を含んでなる。第二の好ましい実施態様では
、エッチング剤は、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０重量
％のＨ３ＰＯ４の水溶液からなる。 これらのフッ素およびフッ化アンモニウム混合物を塗布することにより、ＤＡ
ＲＣ／ＢＰＳＧエッチング率＞１が達成され、ＢＰＳＧ層を保存しながら、ＤＡ
ＲＣ２４をエッチングすることができる。
【００１０】 本発明の第二の態様では、酸化剤を公知のエッチング剤に加えることにより、
さらにＤＡＲＣ／ＢＰＳＧエッチング率＞１が達成される。公知のエッチング剤
には、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、ＨＦ、またはＨ２ＳＯ４を含む化合物があるが、これ
らに限定するものではない。好ましい酸化剤には、Ｏ３およびＨ２Ｏ２があるが
、これらに限定するものではない。本方法の好ましい実施態様では、約１重量部
の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を、３０〜３００重量部の、約３９．２〜３９．９重
量％のフッ化アンモニウム、および約０．９重量％のリン酸を水溶液中に含んで
なるエッチング剤に加える。
さらにＤＡＲＣ／ＢＰＳＧエッチング率＞１が達成される。公知のエッチング剤
には、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、ＨＦ、またはＨ２ＳＯ４を含む化合物があるが、これ
らに限定するものではない。好ましい酸化剤には、Ｏ３およびＨ２Ｏ２があるが
、これらに限定するものではない。本方法の好ましい実施態様では、約１重量部
の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を、３０〜３００重量部の、約３９．２〜３９．９重
量％のフッ化アンモニウム、および約０．９重量％のリン酸を水溶液中に含んで
なるエッチング剤に加える。
【００１１】 本方法のさらに好ましい実施態様では、約１重量部の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）
を、３０〜３００重量部の、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化アンモニウム
、約０．９重量％のリン酸、および５９．２〜５９．９重量％の水を含んでなる
エッチング剤に加える。
を、３０〜３００重量部の、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化アンモニウム
、約０．９重量％のリン酸、および５９．２〜５９．９重量％の水を含んでなる
エッチング剤に加える。
【００１２】 本方法の別の好ましい実施態様は、約１部のＴＭＡＨ（２５重量％の水酸化テ
トラメチルアンモニウムおよび７５重量％の水溶液、好ましくは水）および６〜
７部の水溶液、好ましくは水、を含んでなるエッチング剤を使用する。 この溶液は、５分間で、高ＫＤＡＲＣを２１７〜５３７オングストロームエッ
チングするが、ＢＰＳＧは２〜３オングストロームしかエッチングしない。 本発明により、元のエッチング剤に酸化剤を加えることにより、４３〜１００
オングストローム／分の高ＫＤＡＲＣエッチング率が達成される。ＢＰＳＧと比
較したＩ−線ＤＡＲＣエッチングに関して、酸化剤で強化されたエッチング剤お
よび元のエッチング剤の相対的なエッチング率を測定すると、元のエッチング剤
はエッチング率または選択性が約１である。従って、元のエッチング剤は、ＤＡ
ＲＣおよびＢＰＳＧをほぼ同じ速度でエッチングする。本発明により酸化剤で強
化されたエッチング剤は、エッチング率または選択性が＞２である。従って、酸
化剤で強化されたエッチング剤は、Ｉ−線ＤＡＲＣを、ＢＰＳＧをエッチングす
る速度の２倍を超える速度でエッチングする。
トラメチルアンモニウムおよび７５重量％の水溶液、好ましくは水）および６〜
７部の水溶液、好ましくは水、を含んでなるエッチング剤を使用する。 この溶液は、５分間で、高ＫＤＡＲＣを２１７〜５３７オングストロームエッ
チングするが、ＢＰＳＧは２〜３オングストロームしかエッチングしない。 本発明により、元のエッチング剤に酸化剤を加えることにより、４３〜１００
オングストローム／分の高ＫＤＡＲＣエッチング率が達成される。ＢＰＳＧと比
較したＩ−線ＤＡＲＣエッチングに関して、酸化剤で強化されたエッチング剤お
よび元のエッチング剤の相対的なエッチング率を測定すると、元のエッチング剤
はエッチング率または選択性が約１である。従って、元のエッチング剤は、ＤＡ
ＲＣおよびＢＰＳＧをほぼ同じ速度でエッチングする。本発明により酸化剤で強
化されたエッチング剤は、エッチング率または選択性が＞２である。従って、酸
化剤で強化されたエッチング剤は、Ｉ−線ＤＡＲＣを、ＢＰＳＧをエッチングす
る速度の２倍を超える速度でエッチングする。
【００１３】 本発明の別の態様により、エッチング剤のｐＨが１１を超え、好ましくは１１
〜１４になる様にｐＨレベルを増加することにより、ＤＡＲＣ／ＢＰＳＧエッチ
ング率＞１をさらに達成することができる。本発明では、エッチング剤の製造に
使用する塩基の濃度を変えることにより、ｐＨレベルを操作することができる。
本方法の好ましい実施態様は、ＮＨ４ＯＨを含む水溶液を含んでなる。 上記の実施態様のいずれかを混合または使用する際、温度は重要な変数ではな
い。ほとんどの用途には、１９．５〜２３．５℃の温度範囲が典型的である。 上記の説明および図面は、本発明の目的、特徴および利点を達成する好ましい
実施態様を説明するだけであって、本発明を制限するものではない。請求項の精
神および範囲に入る本発明の修正はすべて本発明の一部である。
〜１４になる様にｐＨレベルを増加することにより、ＤＡＲＣ／ＢＰＳＧエッチ
ング率＞１をさらに達成することができる。本発明では、エッチング剤の製造に
使用する塩基の濃度を変えることにより、ｐＨレベルを操作することができる。
本方法の好ましい実施態様は、ＮＨ４ＯＨを含む水溶液を含んでなる。 上記の実施態様のいずれかを混合または使用する際、温度は重要な変数ではな
い。ほとんどの用途には、１９．５〜２３．５℃の温度範囲が典型的である。 上記の説明および図面は、本発明の目的、特徴および利点を達成する好ましい
実施態様を説明するだけであって、本発明を制限するものではない。請求項の精
神および範囲に入る本発明の修正はすべて本発明の一部である。
【図１】 露光を行なっている、部分的に完成した集積回路の断面図である。
【図２】 切込形成の問題を示す、図１の構造の上面図である。
【図３】 ＤＡＲＣ層を塗布してフォトレジストＰＲを保護した、露光を行なっている、
部分的に完成した集積回路の断面図である。
部分的に完成した集積回路の断面図である。
【図４】 ＤＡＲＣ層のアンダーカットの問題を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｚ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ベッジ、サティシュ アメリカ合衆国アイダホ州、ボーイズ、イ ー．レッド、セダー、レイン、2712、アパ ートメント、304 Ｆターム(参考） 5F043 AA38 BB25 5F046 PA01
Claims (30)
- 【請求項１】 酸化物と接触している無機反射防止被覆をエッチングする方法であって、 前記無機反射防止被覆にエッチング剤を塗布することを含んでなり、前記エッ
チング剤が、前記無機反射防止被覆を前記酸化物よりも大きな速度でエッチング
することを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチング剤が、フッ素含有化合物を水溶液中に含んでなるものである、
請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記エッチング剤が、約１０〜４０重量％のフッ素含有化合物を水溶液中に含
んでなるものである、請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 前記エッチング剤が、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０
重量％のＨ３ＰＯ４を水溶液中に含んでなるものである、請求項１に記載のエッ
チング方法。 - 【請求項５】 前記エッチング剤が酸化剤をさらに含んでなる、請求項１に記載のエッチング
方法。 - 【請求項６】 前記酸化剤が、Ｏ３ およびＨ２Ｏ２からなる群から選択される、請求項５に 記載のエッチング方法。
- 【請求項７】 前記エッチング剤が、約１重量部の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、および３０〜３
００重量部の、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化アンモニウムおよび約０．
９重量％のリン酸の混合物を水溶液中に含んでなるものである、請求項５に記載
のエッチング方法。 - 【請求項８】 前記エッチング剤がＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を含んでな
る、請求項５に記載のエッチング方法。 - 【請求項９】 前記エッチング剤が、約１部のＴＭＡＨ（２５重量％水酸化テトラメチルアン
モニウムおよび７５重量％の水溶液）および約６〜７部の水溶液を含んでなる、
請求項８に記載のエッチング方法。 - 【請求項１０】 前記エッチング剤のｐＨが１１を超える、請求項１に記載のエッチング方法。
- 【請求項１１】 前記エッチング剤のｐＨが１４未満である、請求項１０に記載のエッチング方
法。 - 【請求項１２】 前記エッチング剤がＮＨ４ＯＨを含んでなる、請求項９に記載のエッチング方
法。 - 【請求項１３】 酸化物と接触している無機反射防止被覆をエッチングする方法であって、 前記無機反射防止被覆にエッチング剤を塗布して、前記無機反射防止被覆を、
前記酸化物の速度を超える速度でエッチングすることを含んでなり、前記エッチ
ング剤が、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０重量％のＨ３ ＰＯ４を含んでなることを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 酸化物と接触している無機反射防止被覆をエッチングする方法であって、 前記無機反射防止被覆にエッチング剤を塗布して、前記無機反射防止被覆を、
前記酸化物の速度を超える速度でエッチングすることを含んでなり、前記エッチ
ング剤が、約１重量部の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、および３０〜３００重量部の
、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化アンモニウムおよび約０．９重量％のリ
ン酸の混合物を水溶液中に含んでなることを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 酸化物と接触している無機反射防止被覆をエッチングする方法であって、 前記無機反射防止被覆にエッチング剤を塗布して、前記無機反射防止被覆を、
前記酸化物の速度を超える速度でエッチングすることを含んでなり、前記エッチ
ング剤が、約１部のＴＭＡＨ（２５重量％水酸化テトラメチルアンモニウムおよ
び７５重量％の水溶液）および約６〜７部の水溶液を含んでなることを特徴とす
る方法。 - 【請求項１６】 半導体基材上の半導体デバイス構造の上に絶縁層を施す工程、 前記絶縁層を通して前記半導体基材および前記半導体デバイス構造への開口部
を設ける工程、 前記絶縁層上および前記開口部中に酸化物層を施す工程、 反射防止層を施す工程、 前記反射防止層上にフォトレジストの層を施す工程、 前記フォトレジスト層をパターン化する工程、 前記反射防止層にエッチング剤を塗布する工程 を含んでなる集積回路の製造方法であって、前記無機反射防止層が前記酸化物層
の速度を超える速度でエッチングされることを特徴とする方法。 - 【請求項１７】 前記エッチング剤が、フッ素含有化合物を含んでなる、請求項１６に記載の集
積回路の製造方法。 - 【請求項１８】 前記エッチング剤が、約１０〜４０重量％のフッ素含有化合物を水溶液中に含
んでなるものである、請求項１７に記載の集積回路の製造方法。 - 【請求項１９】 前記エッチング剤が、約３５〜４０重量％のＮＨ４Ｆおよび約０．９〜５．０
重量％のＨ３ＰＯ４を水溶液中に含んでなるものである、請求項１８に記載の集
積回路の製造方法。 - 【請求項２０】 前記酸化物層が、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、リンケイ酸ガラス（Ｐ
ＳＧ）、および二酸化ケイ素からなる群から選択される、請求項１９に記載の集
積回路の製造方法。 - 【請求項２１】 前記エッチング剤が酸化剤を含んでなる、請求項１６に記載の集積回路の製造
方法。 - 【請求項２２】 前記酸化剤が、Ｏ３ およびＨ２Ｏ２からなる群から選択される、請求項２１ に記載の集積回路の製造方法。
- 【請求項２３】 前記エッチング剤が、約１重量部の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、および３０〜３
００重量部の、約３９．２〜３９．９重量％のフッ化アンモニウムおよび約０．
９重量％のリン酸の混合物を水溶液中に含んでなる、請求項２２に記載の集積回
路の製造方法。 - 【請求項２４】 前記酸化物層が、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、リンケイ酸ガラス（Ｐ
ＳＧ）、および二酸化ケイ素からなる群から選択される、請求項２３に記載の集
積回路の製造方法。 - 【請求項２５】 前記エッチング剤が、約１部のＴＭＡＨ（２５重量％水酸化テトラメチルアン
モニウムおよび７５重量％の水溶液）および約６〜７部の水溶液を含んでなる、
請求項２２に記載の集積回路の製造方法。 - 【請求項２６】 前記酸化物層が、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、リンケイ酸ガラス（Ｐ
ＳＧ）、および二酸化ケイ素からなる群から選択される、請求項２５に記載の集
積回路の製造方法。 - 【請求項２７】 前記エッチング剤のｐＨが１１を超える、請求項１６に記載の集積回路の製造
方法。 - 【請求項２８】 前記エッチング剤のｐＨが１４未満である、請求項２７に記載の集積回路の製
造方法。 - 【請求項２９】 前記エッチング剤がＮＨ４ＯＨを含んでなる、請求項２８に記載の集積回路の
製造方法。 - 【請求項３０】 前記酸化物層が、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、リンケイ酸ガラス（Ｐ
ＳＧ）、および二酸化ケイ素からなる群から選択される、請求項２９に記載の集
積回路の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/042,086 US5981401A (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Method for selective etching of anitreflective coatings |
| US09/042,086 | 1998-03-13 | ||
| PCT/US1999/001696 WO1999046808A1 (en) | 1998-03-13 | 1999-01-28 | Selective wet etching of inorganic antireflective coatings |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002507057A true JP2002507057A (ja) | 2002-03-05 |
| JP2002507057A5 JP2002507057A5 (ja) | 2008-05-29 |
| JP4152589B2 JP4152589B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=21919957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000536100A Expired - Lifetime JP4152589B2 (ja) | 1998-03-13 | 1999-01-28 | 反射防止被覆の選択的エッチング法 |
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| Country | Link |
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