JP2002505502A - 温度差に適応するスペーサシステムを備えたフラットパネルディスプレイの設計及び製造 - Google Patents
温度差に適応するスペーサシステムを備えたフラットパネルディスプレイの設計及び製造Info
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
フラットパネルＣＲＴディスプレイ内のスペーサーシステム（１６）を通るエネルギーの流れによって起こる電子の偏向によるＣＲＴディスプレイの画質の低下は、スペーサーシステムの熱パラメータ及び電気パラメータ、寸法パラメーターを好適に制御することによって緩和できる。詳しくは、スペーサーパラメーターＣを小さくするように選択する。パラメーターＣはαAVｈ2／ｆＫAVと表すことができ、αAVはスペーサーシステムの電気抵抗の平均熱係数であり、ｈはスペーサーシステムの高さであり、ＫAVはスペーサーシステムの平均熱伝導率であり、ｆはディスプレイの活性領域に対するスペーサーの断面積の部分である。パラメーターＣは通常、６×１０-5ｍ3／Ｗ以下である。高さｈは、０．３ｍｍ以上が普通である。
Description
【０００１】技術分野 本発明は、ＣＲＴタイプのフラットパネルディスプレイに関連する。詳しくは
、ディスプレイに作用する空気圧などの外圧に耐えるためのスペーサシステムを
有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの設計及び製造に関する。
、ディスプレイに作用する空気圧などの外圧に耐えるためのスペーサシステムを
有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの設計及び製造に関する。
【０００２】発明の背景 フラットパネルＣＲＴディスプレイは、基本的に、電子放出装置と発光装置と
からなる。一般にカソードと呼ばれるこの電子放出装置は、広い範囲に電子を放
出する電子放出素子を備える。放出された電子は、発光装置の対応する領域に配
置された発光素子に向かって誘導される。発光素子に電子が衝当すると、その発
光素子が発光してディスプレイの画面に画像を形成する。
からなる。一般にカソードと呼ばれるこの電子放出装置は、広い範囲に電子を放
出する電子放出素子を備える。放出された電子は、発光装置の対応する領域に配
置された発光素子に向かって誘導される。発光素子に電子が衝当すると、その発
光素子が発光してディスプレイの画面に画像を形成する。
【０００３】 フラットパネルＣＲＴディスプレイの電子放出装置及び発光装置は、通常は概
ね環状（annular）の外周壁を介して互いに連結され、電子が電子放出装置から 発光装置に移動する活性領域を有する密閉されたエンクロージャを形成する。デ
ィスプレイが効率的に作動するために、密閉された空間の圧力を極めて低くする
必要がある。通常この圧力は１．３３×１０-4Ｐａ或いはそれ以下の高真空であ
る。従って、ディスプレイの内圧と外圧との差は１気圧に近いのが普通である。
ね環状（annular）の外周壁を介して互いに連結され、電子が電子放出装置から 発光装置に移動する活性領域を有する密閉されたエンクロージャを形成する。デ
ィスプレイが効率的に作動するために、密閉された空間の圧力を極めて低くする
必要がある。通常この圧力は１．３３×１０-4Ｐａ或いはそれ以下の高真空であ
る。従って、ディスプレイの内圧と外圧との差は１気圧に近いのが普通である。
【０００４】 フラットパネルＣＲＴディスプレイの電子放出装置及び発光装置は通常かなり
薄い。例えば少なくとも１０ｃｍ2の有意な画像面積のフラットパネルＣＲＴデ ィスプレイでは、電子放出装置及び発光装置は通常それらにかかる内圧と外圧と
の差に耐えることができない。従って、通常はスペーサ（または支持）システム
を密閉されたエンクロージャに配設して、ディスプレイが空気圧及びその他の外
圧で損壊しないようにする。また、この内部のスペーサシステムによって、電子
放出装置と発光装置との間に比較的一定な空間が保たれる。
薄い。例えば少なくとも１０ｃｍ2の有意な画像面積のフラットパネルＣＲＴデ ィスプレイでは、電子放出装置及び発光装置は通常それらにかかる内圧と外圧と
の差に耐えることができない。従って、通常はスペーサ（または支持）システム
を密閉されたエンクロージャに配設して、ディスプレイが空気圧及びその他の外
圧で損壊しないようにする。また、この内部のスペーサシステムによって、電子
放出装置と発光装置との間に比較的一定な空間が保たれる。
【０００５】 通常このスペーサシステムは、ディスプレイの外側表面から見えないように横
方向に間隔をおいて配置された一群のスペーサからなる。この各スペーサは、壁
型或いは支柱型など様々な形状にすることができる。スペーサの形状に拘らず、
スペーサが占有していない活性領域部分でディスプレイ内の電子の流れがを起こ
る。
方向に間隔をおいて配置された一群のスペーサからなる。この各スペーサは、壁
型或いは支柱型など様々な形状にすることができる。スペーサの形状に拘らず、
スペーサが占有していない活性領域部分でディスプレイ内の電子の流れがを起こ
る。
【０００６】 スペーサシステムの存在が電子の流れに影響を及ぼす。例えば、電子がスペー
サシステムに衝当し、スペーサシステムが帯電する場合がある。スペーサシステ
ム近傍の電位場（potential field）が変化する。従って、電子の軌道に影響を 与えて画像面に形成される画質の低下につながる場合が多い。Ｓｐｉｎｄｔ他に
よる米国特許第５，５３２，５４８号及びＳｃｈｍｉｄ他による米国特許第５，
６７５，２１２号に記載されているように、通常は電極をスペーサシステムの壁
面に沿って配設して、スペーサ壁の存在によって発生する様々な不都合な影響に
対処する。
サシステムに衝当し、スペーサシステムが帯電する場合がある。スペーサシステ
ム近傍の電位場（potential field）が変化する。従って、電子の軌道に影響を 与えて画像面に形成される画質の低下につながる場合が多い。Ｓｐｉｎｄｔ他に
よる米国特許第５，５３２，５４８号及びＳｃｈｍｉｄ他による米国特許第５，
６７５，２１２号に記載されているように、通常は電極をスペーサシステムの壁
面に沿って配設して、スペーサ壁の存在によって発生する様々な不都合な影響に
対処する。
【０００７】 要するに、フラットパネルＣＲＴディスプレイ全体の設計において、スペーサ
システムの設計が重要である。このスペーサシステムは様々な環境の影響を受け
やすい。従って、画質の低下を起こすことなく、様々な環境条件に適応できるス
ペーサシステムを提供することが重要となる。
システムの設計が重要である。このスペーサシステムは様々な環境の影響を受け
やすい。従って、画質の低下を起こすことなく、様々な環境条件に適応できるス
ペーサシステムを提供することが重要となる。
【０００８】本発明の概略の開示 フラットパネルＣＲＴディスプレイの電子放出装置と発光装置との間に配置さ
れたスペーサシステム内部を流れる熱エネルギーが画質の低下につながるという
結論に達した。このエネルギーの流れは、スペーサシステムの高さ間（底部と頂
部）の温度差という形態で表される。この温度差により、スペーサシステムにお
ける電気抵抗はその高さによって変化する。ディスプレイが作動中にスペーサシ
ステム内に電流が流れることで、スペーサシステムの高さによって電気抵抗が異
なるため、スペーサシステムに沿った電位場は、電流の流れがない場合または同
等の温度差がない場合にスペーサシステムに沿って存在し得る電位場とは異なる
。
れたスペーサシステム内部を流れる熱エネルギーが画質の低下につながるという
結論に達した。このエネルギーの流れは、スペーサシステムの高さ間（底部と頂
部）の温度差という形態で表される。この温度差により、スペーサシステムにお
ける電気抵抗はその高さによって変化する。ディスプレイが作動中にスペーサシ
ステム内に電流が流れることで、スペーサシステムの高さによって電気抵抗が異
なるため、スペーサシステムに沿った電位場は、電流の流れがない場合または同
等の温度差がない場合にスペーサシステムに沿って存在し得る電位場とは異なる
。
【０００９】 電子は電子放出装置から発光装置に流れるため、温度差による電位場の変化に
より電子が偏向される。このように偏向された電子の中には、かなり離れた脇道
にそれて、ディスプレイの画面上に線などの好ましくない特徴を出現させ、画像
面の画質を低下させるものもある。この温度差は、電子放出装置或いは発光装置
における熱の放散、或いはディスプレイの外側の環境における高輝度等による極
端な状態により発生する。
より電子が偏向される。このように偏向された電子の中には、かなり離れた脇道
にそれて、ディスプレイの画面上に線などの好ましくない特徴を出現させ、画像
面の画質を低下させるものもある。この温度差は、電子放出装置或いは発光装置
における熱の放散、或いはディスプレイの外側の環境における高輝度等による極
端な状態により発生する。
【００１０】 このような画質の低下は、スペーサシステムの熱特性及び電気特性、寸法特性
を好適に制御することによって緩和することができるという結論に達した。
を好適に制御することによって緩和することができるという結論に達した。
【００１１】 詳細には、本発明のフラットパネルディスプレイの設計は、電子放出装置及び
発光装置、スペーサ（または支持）システムを含む。発光装置は通常、概ね環状
の外周壁を介して電子放出装置と連結され、電子がディスプレイの活性領域であ
る電子放出装置から発光装置まで移動して発光装置の外側表面に画像を形成する
密閉されたエンクロージャを形成する。電子放出装置と発光装置との間に配置さ
れたこのスペーサシステムが、ディスプレイに作用する外圧に耐える。電子放出
装置から発光装置までのスペーサシステムの高さは通常、少なくとも０．３ｍｍ
以上、好ましくは０．５ｍｍ或いはそれ以上である。
発光装置、スペーサ（または支持）システムを含む。発光装置は通常、概ね環状
の外周壁を介して電子放出装置と連結され、電子がディスプレイの活性領域であ
る電子放出装置から発光装置まで移動して発光装置の外側表面に画像を形成する
密閉されたエンクロージャを形成する。電子放出装置と発光装置との間に配置さ
れたこのスペーサシステムが、ディスプレイに作用する外圧に耐える。電子放出
装置から発光装置までのスペーサシステムの高さは通常、少なくとも０．３ｍｍ
以上、好ましくは０．５ｍｍ或いはそれ以上である。
【００１２】 スペーサシステムは通常、スペーサパラメータＣが６×１０-5ｍ3／Ｗ以下と なるように設計される。このスペーサパラメータＣは、αAVｈ2／ｆＫAVと定義 される。αAVは、概ね室温におけるスペーサシステムの電気抵抗の平均熱係数（
average thermal coefficient）であり、ｈはスペーサシステムの高さであり、 ＫAVは概ね室温におけるスペーサシステムの平均熱伝導率であり、ｆは発光装置
の外面に対して概ね垂直に見た活性領域面に対する活性領域内のスペーサによっ
て占められた平均断面積の部分である。スペーサパラメータＣは、好ましくは１
０-6ｍ3／Ｗ以下であり、更に好ましくは１０-7ｍ3／Ｗ以下である。
average thermal coefficient）であり、ｈはスペーサシステムの高さであり、 ＫAVは概ね室温におけるスペーサシステムの平均熱伝導率であり、ｆは発光装置
の外面に対して概ね垂直に見た活性領域面に対する活性領域内のスペーサによっ
て占められた平均断面積の部分である。スペーサパラメータＣは、好ましくは１
０-6ｍ3／Ｗ以下であり、更に好ましくは１０-7ｍ3／Ｗ以下である。
【００１３】 スペーサパラメータＣを小さくすると、通常はスペーサシステムの高さ間の温
度差から起こる電子の偏向が減少する。６×１０-5ｍ3／Ｗ以下となるようにパ ラメータＣを選択すれば、通常はディスプレイ画面に好ましくない特徴の形で現
れる電子の偏向による画質の低下を大幅に削減することができる。パラメータＣ
が１０-6ｍ3／Ｗ以下の場合、特にパラメータＣが１０-7ｍ3／Ｗ以下の場合は、
スペーサシステム内を流れる熱エネルギーが典型的な比率となり、この種の画質
の低下が実質的に排除されるのが普通である。
度差から起こる電子の偏向が減少する。６×１０-5ｍ3／Ｗ以下となるようにパ ラメータＣを選択すれば、通常はディスプレイ画面に好ましくない特徴の形で現
れる電子の偏向による画質の低下を大幅に削減することができる。パラメータＣ
が１０-6ｍ3／Ｗ以下の場合、特にパラメータＣが１０-7ｍ3／Ｗ以下の場合は、
スペーサシステム内を流れる熱エネルギーが典型的な比率となり、この種の画質
の低下が実質的に排除されるのが普通である。
【００１４】 本発明に従ったフラットパネルＣＲＴディスプレイの製造において、電子の偏
向による好ましくない画質の低下が発生しないように、最初にスペーサシステム
の熱パラメータ及び電気パラメータ、寸法パラメータを選択する。これには、ス
ペーサパラメータＣを小さくすることが含まれる。詳しくは、パラメータＣを前
述した基準に従って選択する。次ぎに、電子放出装置及び発光装置、スペーサシ
ステムを、それぞれの寸法パラメータ、特に部分ｆに従って組み立ててディスプ
レイを形成する。
向による好ましくない画質の低下が発生しないように、最初にスペーサシステム
の熱パラメータ及び電気パラメータ、寸法パラメータを選択する。これには、ス
ペーサパラメータＣを小さくすることが含まれる。詳しくは、パラメータＣを前
述した基準に従って選択する。次ぎに、電子放出装置及び発光装置、スペーサシ
ステムを、それぞれの寸法パラメータ、特に部分ｆに従って組み立ててディスプ
レイを形成する。
【００１５】 本発明の原理に従ってスペーサシステムを設計すれば、フラットパネルＣＲＴ
ディスプレイはスペーサシステム内部を流れる熱エネルギーの典型的な比率を容
易に確保できる。従って、本発明はフラットパネルＣＲＴディスプレイの設計及
び製造において大きな利点となる。
ディスプレイはスペーサシステム内部を流れる熱エネルギーの典型的な比率を容
易に確保できる。従って、本発明はフラットパネルＣＲＴディスプレイの設計及
び製造において大きな利点となる。
【００１６】好適な実施例の説明 好適な実施例の図面及び説明に用いられる同様の参照記号は、同じ要素或いは
非常に類似した要素を表す。
非常に類似した要素を表す。
【００１７】 本発明は、フラットパネルＣＲＴディスプレイにおける電子放出装置と発光装
置との間に配置された内部のスペーサシステムの高さ間の温度差から起こる画質
の低下をなくす或いは削減するためのフラットパネルＣＲＴディスプレイの設計
における技術を提供する。本発明のフラットパネルＣＲＴディスプレイにおける
電子放出は、通常は電界放出の理論に基づいて起こる。本発明に従って設計され
た電界放出フラットパネルＣＲＴディスプレイ（電界放出ディスプレイと呼ばれ
ることが多い）は、フラットパネルのテレビ、或いはパーソナルコンピュータや
ラップトップコンピュータ、ワークステーションなどのフラットパネルビデオモ
ニタとして用いられる。
置との間に配置された内部のスペーサシステムの高さ間の温度差から起こる画質
の低下をなくす或いは削減するためのフラットパネルＣＲＴディスプレイの設計
における技術を提供する。本発明のフラットパネルＣＲＴディスプレイにおける
電子放出は、通常は電界放出の理論に基づいて起こる。本発明に従って設計され
た電界放出フラットパネルＣＲＴディスプレイ（電界放出ディスプレイと呼ばれ
ることが多い）は、フラットパネルのテレビ、或いはパーソナルコンピュータや
ラップトップコンピュータ、ワークステーションなどのフラットパネルビデオモ
ニタとして用いられる。
【００１８】 以下の説明において、用語「電気的に絶縁」（または「誘電体」）は、概ね１
０12Ω-ｃｍを越える抵抗を有する物質に用いられる。用語「電気的に非絶縁」 は１０12Ω-ｃｍより小さい抵抗を有する物質に用いられる。電気的に非絶縁の 物質は、（ａ）抵抗が１Ω-ｃｍ未満の導電性の物質と、（ｂ）抵抗が１Ω-ｃｍ
から１０12Ω-ｃｍの範囲の電気的に抵抗性の物質とに分類される。同様に、用 語「非導電性」は１Ω-ｃｍ以上の抵抗を有する物質であり、電気的に抵抗性の 物質及び電気的に絶縁の物質を含む。このカテゴリは、１０Ｖ／μｍ未満の電界
で適用される。
０12Ω-ｃｍを越える抵抗を有する物質に用いられる。用語「電気的に非絶縁」 は１０12Ω-ｃｍより小さい抵抗を有する物質に用いられる。電気的に非絶縁の 物質は、（ａ）抵抗が１Ω-ｃｍ未満の導電性の物質と、（ｂ）抵抗が１Ω-ｃｍ
から１０12Ω-ｃｍの範囲の電気的に抵抗性の物質とに分類される。同様に、用 語「非導電性」は１Ω-ｃｍ以上の抵抗を有する物質であり、電気的に抵抗性の 物質及び電気的に絶縁の物質を含む。このカテゴリは、１０Ｖ／μｍ未満の電界
で適用される。
【００１９】 以下に記載する電気的に非絶縁の各電極は、１０5Ω-ｃｍの抵抗を有する。従
って、電気的に非絶縁の電極は、導電性の材料または／及び抵抗が１から１０5 Ω-ｃｍの電気的に抵抗性の材料で形成することができる。電気的に非絶縁の各 電極の抵抗は通常は１０3Ω-ｃｍ未満である。
って、電気的に非絶縁の電極は、導電性の材料または／及び抵抗が１から１０5 Ω-ｃｍの電気的に抵抗性の材料で形成することができる。電気的に非絶縁の各 電極の抵抗は通常は１０3Ω-ｃｍ未満である。
【００２０】 図１及び図２は、本発明に従って設計された電界放出ディスプレイ即ちＦＥＤ
（field-emission display）の側面図及び平面図である。図１及び図２のＦＥＤ
の主な部品は、電界放射電子放出（field-emission electron-emitting）装置１
０（または電界エミッタ）と、発光装置１２、外周壁１４と、概ね並行な一群の
スペーサ壁１６からなるスペーサシステムとである。電界エミッタ１０及び発光
装置１２は外周壁１４を介して互いに連結され、通常は１．３３×９の-4Ｐａ或
いはそれ以下の高真空に保たれる密閉されたエンクロージャ１８を形成する。ス
ペーサ壁１６は、装置１０と１２との間のエンクロージャ１８の内側に配置され
ている。従って外周壁１４は、それぞれのスペーサ壁１６を横方向に覆っている
。
（field-emission display）の側面図及び平面図である。図１及び図２のＦＥＤ
の主な部品は、電界放射電子放出（field-emission electron-emitting）装置１
０（または電界エミッタ）と、発光装置１２、外周壁１４と、概ね並行な一群の
スペーサ壁１６からなるスペーサシステムとである。電界エミッタ１０及び発光
装置１２は外周壁１４を介して互いに連結され、通常は１．３３×９の-4Ｐａ或
いはそれ以下の高真空に保たれる密閉されたエンクロージャ１８を形成する。ス
ペーサ壁１６は、装置１０と１２との間のエンクロージャ１８の内側に配置され
ている。従って外周壁１４は、それぞれのスペーサ壁１６を横方向に覆っている
。
【００２１】 電界エミッタ１０は、概ね平坦で電気的に絶縁のベースプレート２０とそのベ
ースプレート２０の内側の表面に積層された一群のパターン形成された層２２と
からなる。発光装置１２は、概ね平坦で透明なフェースプレート２４とそのフェ
ースプレート２４の内側の表面に積層された一群のパターン形成された層２６と
からなる。ベースプレート２０及びフェースプレート２４は、互いに概ね並行に
延在する。パターン形成された層２２及びパターン形成された層２６は、様々な
方法で形成することができる。層２２及び層２６の形成の一例が、以下に説明す
る図３に示されている。
ースプレート２０の内側の表面に積層された一群のパターン形成された層２２と
からなる。発光装置１２は、概ね平坦で透明なフェースプレート２４とそのフェ
ースプレート２４の内側の表面に積層された一群のパターン形成された層２６と
からなる。ベースプレート２０及びフェースプレート２４は、互いに概ね並行に
延在する。パターン形成された層２２及びパターン形成された層２６は、様々な
方法で形成することができる。層２２及び層２６の形成の一例が、以下に説明す
る図３に示されている。
【００２２】 電界エミッタ１０のパターン形成された層２２は、密閉されたエンクロージャ
１８における活性領域２８のスペーサ壁１６の間を通過する電子を選択的に放出
する電界放射電子放出素子（図１及び図２には図示せず）の複数のセットからな
る二次元アレイを含む。活性領域２８の境界は、図１及び図２の破線によって概
ね示されている。それぞれ異なる電子放出素子のセットによって放出された電子
は、発光装置１２のパターン形成された層２６に配設された発光素子の二次元ア
レイ（図１或いは図２には示されていない）の対応する発光素子で終結する軌道
を概ね沿うように制御（集束）されている。図１の矢印３０は典型的な電子の軌
道を示している。発光素子に電子が衝当すると、その発光素子が発光して活性領
域２８に対応する領域内のフェースプレート２４の外側（視聴側）表面に画像を
形成する。
１８における活性領域２８のスペーサ壁１６の間を通過する電子を選択的に放出
する電界放射電子放出素子（図１及び図２には図示せず）の複数のセットからな
る二次元アレイを含む。活性領域２８の境界は、図１及び図２の破線によって概
ね示されている。それぞれ異なる電子放出素子のセットによって放出された電子
は、発光装置１２のパターン形成された層２６に配設された発光素子の二次元ア
レイ（図１或いは図２には示されていない）の対応する発光素子で終結する軌道
を概ね沿うように制御（集束）されている。図１の矢印３０は典型的な電子の軌
道を示している。発光素子に電子が衝当すると、その発光素子が発光して活性領
域２８に対応する領域内のフェースプレート２４の外側（視聴側）表面に画像を
形成する。
【００２３】 図１及び図２のフラットパネルＣＲＴディスプレイは、白黒或いはカラーのデ
ィスプレイである。複数の電子放出素子と対向側に位置する対応する発光素子と
のセットが、白黒の場合は１つのピクセルを、カラーの場合は１つのサブピクセ
ルを形成する。フラットパネルディスプレイがカラーディスプレイの場合は、赤
と青と緑の三つのサブピクセルで１つのピクセルを形成する。
ィスプレイである。複数の電子放出素子と対向側に位置する対応する発光素子と
のセットが、白黒の場合は１つのピクセルを、カラーの場合は１つのサブピクセ
ルを形成する。フラットパネルディスプレイがカラーディスプレイの場合は、赤
と青と緑の三つのサブピクセルで１つのピクセルを形成する。
【００２４】 ディスプレイが動作中は、発光装置１２は電界エミッタ１０とは平均温度が相
当異なりうる。上述したように、この温度差は、電界エミッタ１０或いは発光装
置１２の熱の放散及び／または外側の強い日光による高輝度などの因子によって
起こりうる。発光装置１２は、通常、電界エミッタ１０より平均温度が高い。装
置１０と装置１２の平均温度が著しく異なる場合、この著しい温度差は通常、ス
ペーサ壁１６の高さｈの高さ間に現れる。スペーサ壁の高さは、電界エミッタ１
０から発光装置１２まで（或いはその逆）である。スペーサ壁１６を流れる熱エ
ネルギー（熱）は、発光装置１２から電界エミッタ１０に向かって或いはその逆
に流れるが、その流れる方向は装置１２或いは装置１０のどちらの平均温度が高
いかによって決まる。
当異なりうる。上述したように、この温度差は、電界エミッタ１０或いは発光装
置１２の熱の放散及び／または外側の強い日光による高輝度などの因子によって
起こりうる。発光装置１２は、通常、電界エミッタ１０より平均温度が高い。装
置１０と装置１２の平均温度が著しく異なる場合、この著しい温度差は通常、ス
ペーサ壁１６の高さｈの高さ間に現れる。スペーサ壁の高さは、電界エミッタ１
０から発光装置１２まで（或いはその逆）である。スペーサ壁１６を流れる熱エ
ネルギー（熱）は、発光装置１２から電界エミッタ１０に向かって或いはその逆
に流れるが、その流れる方向は装置１２或いは装置１０のどちらの平均温度が高
いかによって決まる。
【００２５】 例えば、約１度の温度差がスペーサ壁１６の高さ方向の高さ間で発生し得る。
このような温度差は、ベースプレート２０の表面に近い空気とフェースプレート
２４の表面に近い空気との極端な温度差から発生し得り、この著しい温度差の殆
どは、ベースプレート２０及びフェースプレート２４の外面に沿った空気の境界
層との間で低下する。極端な場合、このスペーサ壁１６の高さ間の温度差は５℃
に達し得る。
このような温度差は、ベースプレート２０の表面に近い空気とフェースプレート
２４の表面に近い空気との極端な温度差から発生し得り、この著しい温度差の殆
どは、ベースプレート２０及びフェースプレート２４の外面に沿った空気の境界
層との間で低下する。極端な場合、このスペーサ壁１６の高さ間の温度差は５℃
に達し得る。
【００２６】 それぞれのスペーサ壁１６は、電気的に非絶縁の材料、即ち電気的に導電及び
／または電気的に抵抗性の材料を含み、この材料は、スペーサ壁１６の高さ全体
に亘って連続して延在する。発光装置１２のパターン形成された層２６は、電界
エミッタ１０の電気的に非絶縁の層２２に現れる電圧より通常５,０００〜１０,
０００ボルト高い電圧に維持されるアノードを含む。従って、スペーサ壁１６を
電流が流れる。スペーサ壁を流れる正の電流は、発光装置１２から電界エミッタ
１０に向かって流れる。このスペーサ壁を流れる電流が、スペーサ壁１６に沿っ
た電位場に影響を及ぼす。
／または電気的に抵抗性の材料を含み、この材料は、スペーサ壁１６の高さ全体
に亘って連続して延在する。発光装置１２のパターン形成された層２６は、電界
エミッタ１０の電気的に非絶縁の層２２に現れる電圧より通常５,０００〜１０,
０００ボルト高い電圧に維持されるアノードを含む。従って、スペーサ壁１６を
電流が流れる。スペーサ壁を流れる正の電流は、発光装置１２から電界エミッタ
１０に向かって流れる。このスペーサ壁を流れる電流が、スペーサ壁１６に沿っ
た電位場に影響を及ぼす。
【００２７】 通常、物質の電気抵抗は温度によって変化する。従って、スペーサ壁１６の高
さ間の温度差により通常は、特に電気的に非絶縁のスペーサ壁の材料が電気抵抗
性の場合、スペーサ壁の高さに沿って異なる電気抵抗が発生する。スペーサ壁１
６を電流が流れると、スペーサ壁１６の高さに沿って電気抵抗が異なるため、ス
ペーサ壁１６に沿った電位場とスペーサ壁１６の高さ間の温度差がない場合のス
ペーサ壁１６に沿った電位場とは異なる。スペーサ壁１６が本発明に従って設計
されない場合は、スペーサ壁１６に沿ってこのように変更された電界によって、
電界エミッタ１０によって放出された電子、特にスペーサ壁１６の近傍の電子放
出素子から放出された電子が、スペーサ壁１６の温度がスペーサ壁１６と接する
電界エミッタ１０より高いか或いはスペーサ壁１６と接する発光装置１２より高
いかによって、スペーサ壁１６から離れる方向或いはスペーサ壁１６に向かう方
向に偏向される。
さ間の温度差により通常は、特に電気的に非絶縁のスペーサ壁の材料が電気抵抗
性の場合、スペーサ壁の高さに沿って異なる電気抵抗が発生する。スペーサ壁１
６を電流が流れると、スペーサ壁１６の高さに沿って電気抵抗が異なるため、ス
ペーサ壁１６に沿った電位場とスペーサ壁１６の高さ間の温度差がない場合のス
ペーサ壁１６に沿った電位場とは異なる。スペーサ壁１６が本発明に従って設計
されない場合は、スペーサ壁１６に沿ってこのように変更された電界によって、
電界エミッタ１０によって放出された電子、特にスペーサ壁１６の近傍の電子放
出素子から放出された電子が、スペーサ壁１６の温度がスペーサ壁１６と接する
電界エミッタ１０より高いか或いはスペーサ壁１６と接する発光装置１２より高
いかによって、スペーサ壁１６から離れる方向或いはスペーサ壁１６に向かう方
向に偏向される。
【００２８】 本発明に従って設計されていない通常の高電圧ＦＥＤスペーサシステムにおい
ては、スペーサシステムの高さ間で１℃もの温度差が容易に発生し得る。従来の
方法で設計された高電圧ＦＥＤのスペーサシステムの高さ間の１℃の温度差は、
電子の偏向を引き起こしうり、ディスプレイの画面に好ましくない特徴（形状）
、典型的には好ましくない線が現れ得る。
ては、スペーサシステムの高さ間で１℃もの温度差が容易に発生し得る。従来の
方法で設計された高電圧ＦＥＤのスペーサシステムの高さ間の１℃の温度差は、
電子の偏向を引き起こしうり、ディスプレイの画面に好ましくない特徴（形状）
、典型的には好ましくない線が現れ得る。
【００２９】 本発明に従って、スペーサ壁１６の熱特性及び電気特性、寸法特性を選択して
、選択しない場合にスペーサ壁１６の温度差により発生してその温度差を解消し
ない限りフェースプレート２４の外面の画像に好ましくない特性を引き起こす電
子の偏向を防止する。詳細には、スペーサ壁１６の熱特性及び電気特性、寸法特
性は、スペーサの熱／寸法パラメータＣが６×１０-5／ｍ3／Ｗ以下となるよう に選択する。スペーサパラメータＣは、好ましくは１０-6／ｍ3／Ｗ以下であり 、更に好ましいのは１０-7／ｍ3／Ｗ以下である。
、選択しない場合にスペーサ壁１６の温度差により発生してその温度差を解消し
ない限りフェースプレート２４の外面の画像に好ましくない特性を引き起こす電
子の偏向を防止する。詳細には、スペーサ壁１６の熱特性及び電気特性、寸法特
性は、スペーサの熱／寸法パラメータＣが６×１０-5／ｍ3／Ｗ以下となるよう に選択する。スペーサパラメータＣは、好ましくは１０-6／ｍ3／Ｗ以下であり 、更に好ましいのは１０-7／ｍ3／Ｗ以下である。
【００３０】 スペーサパラメータＣは以下の式で表される。
【数１】
【００３１】 上式のαAVは概ね室温におけるスペーサ壁１６の電気抵抗の平均熱係数であり、
ｈはスペーサ壁１６の平均高さであり、ＫAVは概ね室温におけるスペーサ壁１６
の平均熱伝導率であり、ｆはフェースプレート２４の外面に対して概ね垂直に見
た活性領域２８の平均（断面）面積ＡAに対する活性領域２８内のスペーサ壁１ ６によって占有される平均断面面積ＡSの部分である。図１に示されているよう に、スペーサ壁の高さｈは、スペーサ壁１６が層２２と接触する電子放出装置１
０の内側表面からスペーサ壁１６が層２６と接触する発光装置１２の内側表面ま
での高さである（逆から計ってもよい）。スペーサ面積部分ｆは以下のように表
すことができる。
ｈはスペーサ壁１６の平均高さであり、ＫAVは概ね室温におけるスペーサ壁１６
の平均熱伝導率であり、ｆはフェースプレート２４の外面に対して概ね垂直に見
た活性領域２８の平均（断面）面積ＡAに対する活性領域２８内のスペーサ壁１ ６によって占有される平均断面面積ＡSの部分である。図１に示されているよう に、スペーサ壁の高さｈは、スペーサ壁１６が層２２と接触する電子放出装置１
０の内側表面からスペーサ壁１６が層２６と接触する発光装置１２の内側表面ま
での高さである（逆から計ってもよい）。スペーサ面積部分ｆは以下のように表
すことができる。
【数２】
【００３２】 基本的に２つの方法でスペーサパラメータＣを小さくして電子の偏向を減少さ
せる。第１に、スペーサ壁１６の高さ間に熱エネルギーの流れを発生させる所定
の環境条件（例えば、発光装置１２或いは電界エミッタ１０への日光）の組合せ
に対処するべく、パラメータＣのｈ／ｆＫAVの部分を小さくしてスペーサ壁１６
の高さ間の温度差を減少させる。次に、通常は結果的に減少するがその結果に拘
わらず、スペーサ壁１６の高さ間に発生する温度差に対処するべく、パラメータ
ＣのαAVｈ部分を小さくして電子の偏向を減少させる。上述したようにパラメー
タＣの値を選択することによって、スペーサ壁１６の高さ間の温度差による電子
の偏向によって起こる画質の低下を大幅に削減できる。パラメータＣが相当小さ
い場合は、熱エネルギーがスペーサ壁１６を流れる典型的な高い値を実質的に排
除できる。
せる。第１に、スペーサ壁１６の高さ間に熱エネルギーの流れを発生させる所定
の環境条件（例えば、発光装置１２或いは電界エミッタ１０への日光）の組合せ
に対処するべく、パラメータＣのｈ／ｆＫAVの部分を小さくしてスペーサ壁１６
の高さ間の温度差を減少させる。次に、通常は結果的に減少するがその結果に拘
わらず、スペーサ壁１６の高さ間に発生する温度差に対処するべく、パラメータ
ＣのαAVｈ部分を小さくして電子の偏向を減少させる。上述したようにパラメー
タＣの値を選択することによって、スペーサ壁１６の高さ間の温度差による電子
の偏向によって起こる画質の低下を大幅に削減できる。パラメータＣが相当小さ
い場合は、熱エネルギーがスペーサ壁１６を流れる典型的な高い値を実質的に排
除できる。
【００３３】 図１のフラットパネルディスプレイにおいて、スペーサ壁１６の平均高さｈは
、通常は少なくとも０．３ｍｍであり、好ましくは０．５ｍｍ以上であり、更に
好ましくは１．０ｍｍ以上である。
、通常は少なくとも０．３ｍｍであり、好ましくは０．５ｍｍ以上であり、更に
好ましくは１．０ｍｍ以上である。
【００３４】 スペーサ壁１６は、電気的に絶縁の材料及び電気的に抵抗性の材料、導電性の
材料から様々に形成することができる。例えば、それぞれのスペーサ壁１６は、
導電性の主要壁（または主要部分）と、主要壁の外面の片側或いは両側にパター
ン形成した電気的に非絶縁のコーティングとから形成することもできる。詳しく
は、非導電性の主要壁は、電気的に抵抗性の材料及び電気的に絶縁の材料からな
り得る。パターン形成された非導電性のコーティングは、導電性の材料または／
及び電気的に抵抗性の材料とからなる。それぞれのスペーサ壁１６のパターン形
成された非絶縁コーティングを、スペーサ壁１６がパターン形成された層２２及
びパターン形成された層２６でそれぞれ電界エミッタ１０及び発光装置１２に接
触する主要壁の両端部或いは片側の端部に延在させることもできる。
材料から様々に形成することができる。例えば、それぞれのスペーサ壁１６は、
導電性の主要壁（または主要部分）と、主要壁の外面の片側或いは両側にパター
ン形成した電気的に非絶縁のコーティングとから形成することもできる。詳しく
は、非導電性の主要壁は、電気的に抵抗性の材料及び電気的に絶縁の材料からな
り得る。パターン形成された非導電性のコーティングは、導電性の材料または／
及び電気的に抵抗性の材料とからなる。それぞれのスペーサ壁１６のパターン形
成された非絶縁コーティングを、スペーサ壁１６がパターン形成された層２２及
びパターン形成された層２６でそれぞれ電界エミッタ１０及び発光装置１２に接
触する主要壁の両端部或いは片側の端部に延在させることもできる。
【００３５】 スペーサ壁１６の非導電性の主要壁は、さまざまな方法で内側に形成すること
ができる。それぞれの主要壁は、１つの層或いは一群の薄い層として形成するこ
とができる。典型的な実施例において、それぞれの主要壁は、所定の温度例えば
室温（２０〜２５℃）或いは標準温度（０℃）において比較的均一な電気抵抗を
もつ電気的に抵抗性の材料で形成された壁型のベース部から主としてなる。別法
では、それぞれの主要壁は、所定の温度で比較的均一な電気抵抗をもつ電気的に
抵抗性のコーティングがベース部表面の両側に施された電気的に絶縁の壁型のベ
ース部として形成することができる。抵抗性コーティングの厚さは、通常は概ね
０．０１〜０．１μｍである。どちらの場合も、それぞれの主要壁の抵抗性の材
料が、主用壁の高さ全体に亘って連続して延在する。
ができる。それぞれの主要壁は、１つの層或いは一群の薄い層として形成するこ
とができる。典型的な実施例において、それぞれの主要壁は、所定の温度例えば
室温（２０〜２５℃）或いは標準温度（０℃）において比較的均一な電気抵抗を
もつ電気的に抵抗性の材料で形成された壁型のベース部から主としてなる。別法
では、それぞれの主要壁は、所定の温度で比較的均一な電気抵抗をもつ電気的に
抵抗性のコーティングがベース部表面の両側に施された電気的に絶縁の壁型のベ
ース部として形成することができる。抵抗性コーティングの厚さは、通常は概ね
０．０１〜０．１μｍである。どちらの場合も、それぞれの主要壁の抵抗性の材
料が、主用壁の高さ全体に亘って連続して延在する。
【００３６】 また、それぞれの主要壁の抵抗性の材料は、電子の二次的放出を抑制する薄い
非導電性のコーティングで両面が覆われるのが普通である。二次的な放出を抑制
するコーティングは通常、電気的に抵抗性の材料からなる。
非導電性のコーティングで両面が覆われるのが普通である。二次的な放出を抑制
するコーティングは通常、電気的に抵抗性の材料からなる。
【００３７】 スペーサ壁１６の成分の特定の例が、Ｓｐｉｎｄｔ他による米国特許第５，６
１４，７８１号及びＳｐｉｎｄｔ他による米国特許第５，５３２，５４８号、Ｓ
ｃｈｍｉｄ他による米国特許第５，６７５，２１２号に記載されている。これら
３つの特許の内容を引用することをもって本明細書の一部とする。電界エミッタ
１０と発光装置１２との間のスペーサ壁１６の抵抗は、通常は５×１０9〜５× １０11Ω-ｃｍ2を、典型的には約１０11Ω-ｃｍ2を活性領域の面積ＡAで割った ものである。
１４，７８１号及びＳｐｉｎｄｔ他による米国特許第５，５３２，５４８号、Ｓ
ｃｈｍｉｄ他による米国特許第５，６７５，２１２号に記載されている。これら
３つの特許の内容を引用することをもって本明細書の一部とする。電界エミッタ
１０と発光装置１２との間のスペーサ壁１６の抵抗は、通常は５×１０9〜５× １０11Ω-ｃｍ2を、典型的には約１０11Ω-ｃｍ2を活性領域の面積ＡAで割った ものである。
【００３８】 スペーサ壁１６が実質的に単一材料からなる場合、電気抵抗の平均熱係数αAV と平均熱伝導率ＫAVはそれぞれ、単にその材料の電気抵抗の熱係数及び材料の熱
伝導率である。それぞれのスペーサ壁１６が複数の材料からなる場合、電気抵抗
の熱係数αAVは、複数の材料からなる点を除けば、均一即ち単一の材料からなり
、任意の温度において同じ電気抵抗を有し、温度によって同じように電気抵抗が
変化するスペーサ壁１６と同一のスペーサ壁の電気抵抗の熱係数と考えられる。
同様に熱導電性ＫAVは、複数の材料からなる点を除けば、同じ熱伝導性即ち任意
の温度で同じ熱量を伝えるスペーサ壁１６と同一の均一なスペーサ壁の熱導電性
と考えられる。
伝導率である。それぞれのスペーサ壁１６が複数の材料からなる場合、電気抵抗
の熱係数αAVは、複数の材料からなる点を除けば、均一即ち単一の材料からなり
、任意の温度において同じ電気抵抗を有し、温度によって同じように電気抵抗が
変化するスペーサ壁１６と同一のスペーサ壁の電気抵抗の熱係数と考えられる。
同様に熱導電性ＫAVは、複数の材料からなる点を除けば、同じ熱伝導性即ち任意
の温度で同じ熱量を伝えるスペーサ壁１６と同一の均一なスペーサ壁の熱導電性
と考えられる。
【００３９】 平均スペーサ断面積ＡSは、以下の式によって求められる逆数重みつけ（inver
se-weighted）スペーサ断面積である。
se-weighted）スペーサ断面積である。
【数３】
【００４０】 上式において、ｙはフェースプレート２４の外側の表面と直交する垂直方向に変
化する距離であり、Ａｙはフェースプレートの外側の表面に対して垂直方向から
みて垂直距離ｙの関数であるスペーサ壁１６の局部断面積である。層２２から層
２４においてスペーサ壁１６が比較的一定した断面積ＡSOの場合、式３よりＡSO がスペーサ断面積ＡSの値となる。
化する距離であり、Ａｙはフェースプレートの外側の表面に対して垂直方向から
みて垂直距離ｙの関数であるスペーサ壁１６の局部断面積である。層２２から層
２４においてスペーサ壁１６が比較的一定した断面積ＡSOの場合、式３よりＡSO がスペーサ断面積ＡSの値となる。
【００４１】 それぞれのスペーサ壁１６は活性領域２８の一部を占有する。詳しくは、それ
ぞれのスペーサ壁１６は図１及び図２の典型的な実施例において、スペーサ壁の
長手方向の両端が活性領域２８の全長をやや越えて延在する。また、図１及び図
２の実施例において、活性領域２８の境界は、第１のスペーサ壁１６と最後のス
ペーサ壁１６の概ね中心線を通る。典型的にはスペーサ壁である追加のスペーサ
（図示せず）を、活性領域２８の外側の密閉されたエンクロージャ１８に配置す
ることもできる。追加のスペーサを配置しても、このような追加のスペーサは、
熱に関して式１のパラメータＣに著しく影響を与えるほどではないためここでは
考慮しない。
ぞれのスペーサ壁１６は図１及び図２の典型的な実施例において、スペーサ壁の
長手方向の両端が活性領域２８の全長をやや越えて延在する。また、図１及び図
２の実施例において、活性領域２８の境界は、第１のスペーサ壁１６と最後のス
ペーサ壁１６の概ね中心線を通る。典型的にはスペーサ壁である追加のスペーサ
（図示せず）を、活性領域２８の外側の密閉されたエンクロージャ１８に配置す
ることもできる。追加のスペーサを配置しても、このような追加のスペーサは、
熱に関して式１のパラメータＣに著しく影響を与えるほどではないためここでは
考慮しない。
【００４２】 スペーサ面積部分ｆは、スペーサ壁１６の寸法及び数量における特徴から詳述
することができる。スペーサ壁１６の厚みが垂直方向の距離ｙの関数として概ね
一定である図１及び図２に例示された状態を考える。Ｎをスペーサ壁１６の数と
し、活性領域２８の部分に延在する初めのスペーサ壁及び最後のスペーサ壁１６
を含む。スペーサ１６は通常、平均厚さｔに概ね等しい。スペーサ壁１６の厚み
は概ね同じ平均厚さｔである。式３を用いると、スペーサの平均断面積ＡSは概 ね式（Ｎ−１）ｔｌに等しく、ｌはスペーサ壁１６に並行な方向における活性領
域２８の長さである。活性領域ＡAはｗｌであり、ｗはスペーサ壁１６に垂直な 方向における活性領域２８の幅である。従って、図１及び図２の実施例の面積部
分ｆは、概ね以下の式から求めることができる。
することができる。スペーサ壁１６の厚みが垂直方向の距離ｙの関数として概ね
一定である図１及び図２に例示された状態を考える。Ｎをスペーサ壁１６の数と
し、活性領域２８の部分に延在する初めのスペーサ壁及び最後のスペーサ壁１６
を含む。スペーサ１６は通常、平均厚さｔに概ね等しい。スペーサ壁１６の厚み
は概ね同じ平均厚さｔである。式３を用いると、スペーサの平均断面積ＡSは概 ね式（Ｎ−１）ｔｌに等しく、ｌはスペーサ壁１６に並行な方向における活性領
域２８の長さである。活性領域ＡAはｗｌであり、ｗはスペーサ壁１６に垂直な 方向における活性領域２８の幅である。従って、図１及び図２の実施例の面積部
分ｆは、概ね以下の式から求めることができる。
【数４】
【００４３】 連続するスペーサ壁１６は、通常は概ね等しい間隔をおいて位置する。活性領
域２８の幅ｗは（Ｎ−ｌ）（ｓ＋ｔ）である。スペーサの間隔が概ね一定の場合
、図１及び図２の実施例のおおよその値は以下の式で表すことができる。
域２８の幅ｗは（Ｎ−ｌ）（ｓ＋ｔ）である。スペーサの間隔が概ね一定の場合
、図１及び図２の実施例のおおよその値は以下の式で表すことができる。
【数５】
【００４４】 スペーサ壁１６の全数Ｎが活性領域２８内に横方向に完全に位置する場合は、式
５によりスペーサ領域部分ｆが得られる。この場合、スペーサの平均断面積ＡS はＮｔｌとなる。活性領域２８の幅ｗは概ねＮ（ｓ＋ｔ）となるため、活性領域
ＡAは概ねＮ（ｓ＋ｔ）ｌとなる。このように変更した面積ＡA及びＡSの係数か らも式５が得られる。
５によりスペーサ領域部分ｆが得られる。この場合、スペーサの平均断面積ＡS はＮｔｌとなる。活性領域２８の幅ｗは概ねＮ（ｓ＋ｔ）となるため、活性領域
ＡAは概ねＮ（ｓ＋ｔ）ｌとなる。このように変更した面積ＡA及びＡSの係数か らも式５が得られる。
【００４５】 図１及び図２のＦＥＤの設計及び製造は、概ね以下の方法で行われる。まず、
スペーサ壁１６の熱パラメータ及び寸法パラメータを、通常はスペーサパラメー
タＣが６×１０-5ｍ3／Ｗ以下と小さくなるように選択する。パラメータＣは、 好ましくは１０-6ｍ3／Ｗ以下、更に好ましくは１０-7ｍ3／Ｗ以下となるように
選択する。選択した設計に基づいて電界エミッタ１０及び発光装置１２、外周壁
１４、スペーサ壁１６をそれぞれ別々に製造した後、スペーサの面積部分ｆが選
択された値となるように間隔をあけてそれぞれの部品１０及び１２、１４、１６
を組み立ててＦＥＤを製造する。密閉されたディスプレイのエンクロージャ１８
の圧力が所望の高真空となるようにこの組立工程を行う。
スペーサ壁１６の熱パラメータ及び寸法パラメータを、通常はスペーサパラメー
タＣが６×１０-5ｍ3／Ｗ以下と小さくなるように選択する。パラメータＣは、 好ましくは１０-6ｍ3／Ｗ以下、更に好ましくは１０-7ｍ3／Ｗ以下となるように
選択する。選択した設計に基づいて電界エミッタ１０及び発光装置１２、外周壁
１４、スペーサ壁１６をそれぞれ別々に製造した後、スペーサの面積部分ｆが選
択された値となるように間隔をあけてそれぞれの部品１０及び１２、１４、１６
を組み立ててＦＥＤを製造する。密閉されたディスプレイのエンクロージャ１８
の圧力が所望の高真空となるようにこの組立工程を行う。
【００４６】 式１を参照して以下に記載することを考慮すると、スペーサシステムの設計に
おいてスペーサパラメータＣが重要なことが分かるであろう。オームの法則及び
クーロンの法則、（熱及び電界に対する）ラプラス方程式、ニュートンの（力−
質量）法則（Newton's (force-mass）law）を適用すると、（ａ）スペーサ壁１ ６の高さｈ間の温度差ΔＴ、及び（ｂ）電子の電子放出装置１０から発光装置１
２への軌道がスペーサ壁１６を流れる熱エネルギーによって偏向された量Δｘの
それぞれは、概ね以下の関係となる。
おいてスペーサパラメータＣが重要なことが分かるであろう。オームの法則及び
クーロンの法則、（熱及び電界に対する）ラプラス方程式、ニュートンの（力−
質量）法則（Newton's (force-mass）law）を適用すると、（ａ）スペーサ壁１ ６の高さｈ間の温度差ΔＴ、及び（ｂ）電子の電子放出装置１０から発光装置１
２への軌道がスペーサ壁１６を流れる熱エネルギーによって偏向された量Δｘの
それぞれは、概ね以下の関係となる。
【数６】
【数７】
【００４７】 出力密度（power density）パラメータＰは、スペーサ壁１６の（流れる）出力 （power）を活性領域ＡAで割ったものである。スペーサ壁１６の出力は、スペー
サ壁１６を流れる熱エネルギーの比率である。別法では、出力密度パラメータＰ
は、スペーサ部分Ｆとスペーサ壁１６の出力密度（エネルギーの流れの方向に対
して垂直方向にみた断面積当たりの出力）との積である。
サ壁１６を流れる熱エネルギーの比率である。別法では、出力密度パラメータＰ
は、スペーサ部分Ｆとスペーサ壁１６の出力密度（エネルギーの流れの方向に対
して垂直方向にみた断面積当たりの出力）との積である。
【００４８】 熱エネルギー（または出力）がスペーサ壁１６を介して発光装置１２から電界
エミッタ１０に流れる場合、スペーサ壁１６が装置１２に接触する部分の温度は
、スペーサ壁１６がエミッタ１０に接触する部分の温度より高い。各電子は、最
も近いスペーサ壁１６の１つに向けて偏向される。例えば、このことは、出力パ
ラメータＰ及び温度差ΔＴ、電子偏向量Δｘが正の値の場合に起こる。熱エネル
ギーがスペーサ壁１６を介してエミッタ１０から装置１２に流れる場合は、逆の
ことが起こる。
エミッタ１０に流れる場合、スペーサ壁１６が装置１２に接触する部分の温度は
、スペーサ壁１６がエミッタ１０に接触する部分の温度より高い。各電子は、最
も近いスペーサ壁１６の１つに向けて偏向される。例えば、このことは、出力パ
ラメータＰ及び温度差ΔＴ、電子偏向量Δｘが正の値の場合に起こる。熱エネル
ギーがスペーサ壁１６を介してエミッタ１０から装置１２に流れる場合は、逆の
ことが起こる。
【００４９】 式６と式７を合わせると、以下の通りとなる。
【数８】 上式において、式１のスペーサパラメータＣの定義を用いて式８の右側部分を得
ることができる。
ることができる。
【００５０】 （日光などの）ある環境条件のもとで、出力密度パラメータＰは概ね一定であ
る。式８の右側部分に示されているように、式８の中央の二つのカッコ部分がス
ペーサパラメータＣとなる。式６より、出力密度パラメータＰが所定の値である
ためスペーサパラメータＣのｈ／ｆＫAV部分が小さくなると、それに（概ね）比
例してスペーサ壁１６の高さ間の温度差ΔＴが小さくなる。式７より、得られる
温度差ΔＴの値においてパラメータＣのαAVｈ部分を小さくすると、それに（概
ね）比例して偏向量Δｘが小さくなる。環境条件の変化により出力密度パラメー
タＰが増大して温度差ΔＴが大きくなる場合、偏向量Δｘを所定の許容値に保つ
ために、パラメータＣを小さくしなければならない。
る。式８の右側部分に示されているように、式８の中央の二つのカッコ部分がス
ペーサパラメータＣとなる。式６より、出力密度パラメータＰが所定の値である
ためスペーサパラメータＣのｈ／ｆＫAV部分が小さくなると、それに（概ね）比
例してスペーサ壁１６の高さ間の温度差ΔＴが小さくなる。式７より、得られる
温度差ΔＴの値においてパラメータＣのαAVｈ部分を小さくすると、それに（概
ね）比例して偏向量Δｘが小さくなる。環境条件の変化により出力密度パラメー
タＰが増大して温度差ΔＴが大きくなる場合、偏向量Δｘを所定の許容値に保つ
ために、パラメータＣを小さくしなければならない。
【００５１】 式８は以下のようになる。
【数９】 上式において、βはベースプレート２０及びフェースプレート２４の接触に部分
的に依存する無次元パラメータである。パラメータβは通常０．０５〜０．１５
であり、典型的には０．１１である。
的に依存する無次元パラメータである。パラメータβは通常０．０５〜０．１５
であり、典型的には０．１１である。
【００５２】 温度差ΔＴによってフェースプレートの外面に好ましくない特徴、例えば線が
発生しない偏向量Δｘの最大値は通常４μｍである。フェースプレート２４の外
側の表面に目に見える好ましくない特徴を引き起こす電子の偏向を発生させるこ
となく、図１及び図２のＦＥＤに適合する出力密度パラメータＰの最大値は、好
ましくは３０Ｗ／ｍ2以上であり、より好ましくは１００Ｗ／ｍ2以上であり、更
に好ましくは３００Ｗ／ｍ2以上である。上記したパラメータβの典型的な値０ ．１１において、出力密度パラメータＰが概ね３０Ｗ／ｍ2、スペーサパラメー タＣが上記した好適な最大値である１０-6ｍ3／Ｗかそれより幾分小さい場合、 式９より、偏向量Δｘはその最大許容値４μｍよりやや小さくなる。パラメータ
Ｐが概ね１００Ｗ／ｍ2であると、パラメータＣが３×１０-7ｍ3／Ｗかそれより
やや小さい場合、偏向量Δｘは典型的なその最大許容値よりやや小さくなる。パ
ラメータＰが３００Ｗ／ｍ2であり、パラメータＣがより好適な上記した最大値 である１０-7ｍ3／Ｗかややそれより小さい場合、偏向量Δｘは典型的なその最 大許容値よりやや小さくなる。
発生しない偏向量Δｘの最大値は通常４μｍである。フェースプレート２４の外
側の表面に目に見える好ましくない特徴を引き起こす電子の偏向を発生させるこ
となく、図１及び図２のＦＥＤに適合する出力密度パラメータＰの最大値は、好
ましくは３０Ｗ／ｍ2以上であり、より好ましくは１００Ｗ／ｍ2以上であり、更
に好ましくは３００Ｗ／ｍ2以上である。上記したパラメータβの典型的な値０ ．１１において、出力密度パラメータＰが概ね３０Ｗ／ｍ2、スペーサパラメー タＣが上記した好適な最大値である１０-6ｍ3／Ｗかそれより幾分小さい場合、 式９より、偏向量Δｘはその最大許容値４μｍよりやや小さくなる。パラメータ
Ｐが概ね１００Ｗ／ｍ2であると、パラメータＣが３×１０-7ｍ3／Ｗかそれより
やや小さい場合、偏向量Δｘは典型的なその最大許容値よりやや小さくなる。パ
ラメータＰが３００Ｗ／ｍ2であり、パラメータＣがより好適な上記した最大値 である１０-7ｍ3／Ｗかややそれより小さい場合、偏向量Δｘは典型的なその最 大許容値よりやや小さくなる。
【００５３】 場合によっては、出力密度パラメータは１０００Ｗ／ｍ2まで高くなることも あり得る。このような場合は、スペーサパラメータＣを３×１０-8ｍ3／W以下に
設定する。パラメータβの典型的な値において、偏向量Δｘは典型的なその最大
許容値である４μｍよりやや小さくなる。別法では、パラメータＣを３×１０-8 ｍ3／Ｗ以下とし、パラメータＰが１００Ｗ／ｍ2と高い場合でも、ΔＸの最大値
が０．４μｍより高くならないようにする。従って、ある因子によってパラメー
タＰが小さくなると、概ね同じ因子によって偏向量ΔＸも小さくなる。
設定する。パラメータβの典型的な値において、偏向量Δｘは典型的なその最大
許容値である４μｍよりやや小さくなる。別法では、パラメータＣを３×１０-8 ｍ3／Ｗ以下とし、パラメータＰが１００Ｗ／ｍ2と高い場合でも、ΔＸの最大値
が０．４μｍより高くならないようにする。従って、ある因子によってパラメー
タＰが小さくなると、概ね同じ因子によって偏向量ΔＸも小さくなる。
【００５４】 図１のＦＥＤの重要な部分の実施例が図３に示されている。図３の実施例にお
いて、電界エミッタ１０のパターン形成された層２２は、下側の電気的に非絶縁
のエミッタ領域５０と、誘電体層５２と、概ね並行な一群の制御電極５４と、電
界放射電子放出要素５６のセットからなる二次元のアレイと、集束システム５８
とからなる。ベースプレート１０の内側の表面に延在する下側の非絶縁領域５０
は、行方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの行に沿った方向に延在する概ね並
行な一群のエミッタ電極を含む。また、非絶縁領域５０は、エミッタ電極の上に
延在する電気的に抵抗性の層を含むのが普通である。誘電体層５２は非絶縁領域
５０の上に延在する。
いて、電界エミッタ１０のパターン形成された層２２は、下側の電気的に非絶縁
のエミッタ領域５０と、誘電体層５２と、概ね並行な一群の制御電極５４と、電
界放射電子放出要素５６のセットからなる二次元のアレイと、集束システム５８
とからなる。ベースプレート１０の内側の表面に延在する下側の非絶縁領域５０
は、行方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの行に沿った方向に延在する概ね並
行な一群のエミッタ電極を含む。また、非絶縁領域５０は、エミッタ電極の上に
延在する電気的に抵抗性の層を含むのが普通である。誘電体層５２は非絶縁領域
５０の上に延在する。
【００５５】 制御電極５４は誘電体層５２の上に延在する。それぞれの制御電極５４は、（
ａ）列方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの列に沿った方向に延在する主要制
御部分６０と、（ｂ）その主要制御部分６０に隣接する一群の薄いゲート部分６
２とからなる。一群の制御開口６４のそれぞれは、対応するそれぞれの主要制御
部分６０を貫通している。それぞれのゲート部分６２は、１つの制御開口６４に
広がっている。図３の実施例において、それぞれのゲート部分６２は、部分的に
その主要制御部分６０の上に延在している。別法では、それぞれのゲート部分６
２は、その制御部分６０の下側に延在させることもできる。図面の面に対して並
行な水平方向に延在する列方向の制御電極５４の１つが図３に示されている。
ａ）列方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの列に沿った方向に延在する主要制
御部分６０と、（ｂ）その主要制御部分６０に隣接する一群の薄いゲート部分６
２とからなる。一群の制御開口６４のそれぞれは、対応するそれぞれの主要制御
部分６０を貫通している。それぞれのゲート部分６２は、１つの制御開口６４に
広がっている。図３の実施例において、それぞれのゲート部分６２は、部分的に
その主要制御部分６０の上に延在している。別法では、それぞれのゲート部分６
２は、その制御部分６０の下側に延在させることもできる。図面の面に対して並
行な水平方向に延在する列方向の制御電極５４の１つが図３に示されている。
【００５６】 それぞれの電子放出素子５６は、誘電体層５２を貫通してエミッタ電極の１つ
がある非絶縁領域５０に至る開口に位置し、対応するゲート部６２の開口部を介
して露出している。誘電体層５２を貫通するこの開口と、ゲート部６２は図３に
示されていない。電子放出素子５６のセットからなる二次元アレイは、制御開口
６４の側壁によって横方向に画定されている。電子放出素子５６は図３に細かく
示されている。一般的な実施例において、素子５６は直立したコーン型或いはフ
ィラメント型である。
がある非絶縁領域５０に至る開口に位置し、対応するゲート部６２の開口部を介
して露出している。誘電体層５２を貫通するこの開口と、ゲート部６２は図３に
示されていない。電子放出素子５６のセットからなる二次元アレイは、制御開口
６４の側壁によって横方向に画定されている。電子放出素子５６は図３に細かく
示されている。一般的な実施例において、素子５６は直立したコーン型或いはフ
ィラメント型である。
【００５７】 集束システム５８は、制御電極５４、特に主要制御部分６０の上に位置し、各
開口６４間の領域（図３には図示せず）の誘電体層５２に向かって下方に延在す
る。ベースプレート２０の内側表面に対して概ね垂直方向からみると、集束シス
テム５８は概ねワッフル型の形状である。集束システム５８は、ベース部集束構
造６６と、そのベース部集束構造６６の上に延在し、かつその側壁の途中まで下
方に向かって延在する導電性の集束コーティング６８とからなる。集束構造６６
は、電気的に絶縁の材料及び／または電気的に抵抗性の材料からなる。構成部５
０及び５２、５４、５６、５８の典型的な実施例が、１９９８年５月２７日に出
願されたＳｐｉｎｄｔ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ９８／０９９０７及び１９
９８年１０月２７日に出願されたＣｌｅｅｖｅｓ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ
９８／２２７１７に記載されている。
開口６４間の領域（図３には図示せず）の誘電体層５２に向かって下方に延在す
る。ベースプレート２０の内側表面に対して概ね垂直方向からみると、集束シス
テム５８は概ねワッフル型の形状である。集束システム５８は、ベース部集束構
造６６と、そのベース部集束構造６６の上に延在し、かつその側壁の途中まで下
方に向かって延在する導電性の集束コーティング６８とからなる。集束構造６６
は、電気的に絶縁の材料及び／または電気的に抵抗性の材料からなる。構成部５
０及び５２、５４、５６、５８の典型的な実施例が、１９９８年５月２７日に出
願されたＳｐｉｎｄｔ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ９８／０９９０７及び１９
９８年１０月２７日に出願されたＣｌｅｅｖｅｓ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ
９８／２２７１７に記載されている。
【００５８】 図３の実施例における発光装置１２のパターン形成された層２６は、燐光体発
光素子７０からなる二次元アレイと、ブラックマトリクス７２と、ＦＥＤのアノ
ード（またはコレクタ）となる導電性の光反射層７４とからなる。発光素子７０
は、それぞれが電子放出素子５６の一群と向かい合ってフェースプレート２４の
内側表面に位置する。ブラックマトリクス７２は、各発光素子７０の間のワッフ
ル状になったフェースプレート２４の内側表面に延在する。組立アライメントを
許容する金属小片（図示せず）が、ブラックマトリクス７２の端部部分の下側に
延在する。光反射アノード層７４は、発光素子７０及びブラックマトリクス７２
の上に延在し得る。構成部７０及び７２、７４の典型的な実施例は、１９９８年
４月２７日に出願されたＨａｖｅｎ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ９８／０７６
３３に示されている。
光素子７０からなる二次元アレイと、ブラックマトリクス７２と、ＦＥＤのアノ
ード（またはコレクタ）となる導電性の光反射層７４とからなる。発光素子７０
は、それぞれが電子放出素子５６の一群と向かい合ってフェースプレート２４の
内側表面に位置する。ブラックマトリクス７２は、各発光素子７０の間のワッフ
ル状になったフェースプレート２４の内側表面に延在する。組立アライメントを
許容する金属小片（図示せず）が、ブラックマトリクス７２の端部部分の下側に
延在する。光反射アノード層７４は、発光素子７０及びブラックマトリクス７２
の上に延在し得る。構成部７０及び７２、７４の典型的な実施例は、１９９８年
４月２７日に出願されたＨａｖｅｎ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ９８／０７６
３３に示されている。
【００５９】 図３の実施例のそれぞれのスペーサ壁１６は、概ね平坦な主要スペーサ壁（ま
たは主要スペーサ部分）８０と、多数の電気的に非絶縁のフェース電極８２と、
一対の電気的に非絶縁の端部（或いは縁部）電極８４とからなる。好ましくは導
電性の材料からなるフェース電極８２は、それぞれの主要壁８０の外面の片側ま
たは両側に配置させることができる。図３の実施例においては、フェース電極８
２が、電界エミッタ１０より発光装置１２に近い各主要壁８０の片側の外面に配
置されている。
たは主要スペーサ部分）８０と、多数の電気的に非絶縁のフェース電極８２と、
一対の電気的に非絶縁の端部（或いは縁部）電極８４とからなる。好ましくは導
電性の材料からなるフェース電極８２は、それぞれの主要壁８０の外面の片側ま
たは両側に配置させることができる。図３の実施例においては、フェース電極８
２が、電界エミッタ１０より発光装置１２に近い各主要壁８０の片側の外面に配
置されている。
【００６０】 それぞれのスペーサ壁１６の端部電極８４は、スペーサ壁１６が電界エミッタ
１０及び発光装置１２に接触する主要壁８０の両端部（または縁部）にそれぞれ
位置する。詳しくは、それぞれのスペーサ壁１６の端部電極８４の一方が（ａ）
電界エミッタ１０の集束システム５８の集束コーティング６８と接触し、他方が
（ｂ）発光装置１２の光反射アノード層７４と接触する。集束コーティング６８
及びアノード層７４に電位が加えられると、端部電極８４によってそれぞれのス
ペーサ壁１６の両端に電位が加えられることになる。スペーサ壁１６が集束コー
ティング６８に接触するスペーサ壁１６の端部の電位場（または電圧分布）は、
１９９９年１月１５日に出願されたＳｐｉｎｄｔ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ
９９／０１０２６に記載されているように制御することができる。またこの内容
を引用することをもって本明細書の一部とする。
１０及び発光装置１２に接触する主要壁８０の両端部（または縁部）にそれぞれ
位置する。詳しくは、それぞれのスペーサ壁１６の端部電極８４の一方が（ａ）
電界エミッタ１０の集束システム５８の集束コーティング６８と接触し、他方が
（ｂ）発光装置１２の光反射アノード層７４と接触する。集束コーティング６８
及びアノード層７４に電位が加えられると、端部電極８４によってそれぞれのス
ペーサ壁１６の両端に電位が加えられることになる。スペーサ壁１６が集束コー
ティング６８に接触するスペーサ壁１６の端部の電位場（または電圧分布）は、
１９９９年１月１５日に出願されたＳｐｉｎｄｔ他による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ
９９／０１０２６に記載されているように制御することができる。またこの内容
を引用することをもって本明細書の一部とする。
【００６１】 集束構造５８の窪んだ空間に収容されているスペーサ壁１６が図３に示されて
いる。これは、ディスプレイの組立中にスペーサ壁１６によって集束構造５８に
力を加えることによって、または／及びディスプレイの組立の前に集束構造５８
に溝を形成することによって達成することができる。実施例によるが、これらの
窪んだ空間が存在しない場合が多い。
いる。これは、ディスプレイの組立中にスペーサ壁１６によって集束構造５８に
力を加えることによって、または／及びディスプレイの組立の前に集束構造５８
に溝を形成することによって達成することができる。実施例によるが、これらの
窪んだ空間が存在しない場合が多い。
【００６２】 連続するスペーサ壁１６のそれぞれの組は、多数の行のピクセルによって通常
は互いに分割されている。単純化するために、図３は、2行のピクセルがそれぞ れの連続するスペーサ壁１６の組を分割している例を示している。通常はそれぞ
れの連続するスペーサ壁の組の間には、２行以上例えば３０行のピクセルがある
。
は互いに分割されている。単純化するために、図３は、2行のピクセルがそれぞ れの連続するスペーサ壁１６の組を分割している例を示している。通常はそれぞ
れの連続するスペーサ壁の組の間には、２行以上例えば３０行のピクセルがある
。
【００６３】 図３の実施例において、電気抵抗αAVの平均熱係数は、通常は０．００１〜０
．０２Ω／Ω-℃であり、典型的には０．００５Ω／Ω-℃である。平均熱伝導率
ＫAVは、通常は１０〜３００Ｗ／ｍ-℃であり、典型的には５０Ｗ／ｍ-℃である
。フェース電極８２の平均厚さを含む平均スペーサ厚さｔは、通常は４０〜１０
０μｍであり、典型的には５０〜６０μｍである。スペーサの高さｈは通常０．
３〜２ｍｍであり、典型的には１．２５ｍｍである。最後に、スペーサの間隔ｓ
は、通常は０．３〜２ｃｍであり典型的には１ｃｍである。スペーサの厚さｔ及
びスペーサの間隔ｓの記載した典型的な値を式５に代入すると、スペーサの面積
部分ｆは、概ね０．００５〜０．００６である。
．０２Ω／Ω-℃であり、典型的には０．００５Ω／Ω-℃である。平均熱伝導率
ＫAVは、通常は１０〜３００Ｗ／ｍ-℃であり、典型的には５０Ｗ／ｍ-℃である
。フェース電極８２の平均厚さを含む平均スペーサ厚さｔは、通常は４０〜１０
０μｍであり、典型的には５０〜６０μｍである。スペーサの高さｈは通常０．
３〜２ｍｍであり、典型的には１．２５ｍｍである。最後に、スペーサの間隔ｓ
は、通常は０．３〜２ｃｍであり典型的には１ｃｍである。スペーサの厚さｔ及
びスペーサの間隔ｓの記載した典型的な値を式５に代入すると、スペーサの面積
部分ｆは、概ね０．００５〜０．００６である。
【００６４】 記載した典型的な値である電気抵抗の熱係数αAV及び熱伝導率ＫAV、スペーサ
の高さｈ、スペーサの面積部分ｆを式１に代入すると、スペーサパラメータＣは
概ね３×１０-8ｍ3／Ｗとなる。従って、パラメータＣの値が１０-7ｍ3／Ｗ以下
であるため、典型的な値である約３００Ｗ／ｍ2の出力密度パラメータＰ及び対 応する約１〜２℃の温度差ΔＴの場合、この種の設計のスペーサ壁１６ではスペ
ーサ壁１６の高さｈの高さ間の温度差による画質の低下を実質的に排除できる。
実際、パラメータＰが約１０００Ｗ／ｍ2及び対応する温度差ΔＴが約５℃の場 合、この種の設計のスペーサ壁１６では画質の低下を概ね排除できる。
の高さｈ、スペーサの面積部分ｆを式１に代入すると、スペーサパラメータＣは
概ね３×１０-8ｍ3／Ｗとなる。従って、パラメータＣの値が１０-7ｍ3／Ｗ以下
であるため、典型的な値である約３００Ｗ／ｍ2の出力密度パラメータＰ及び対 応する約１〜２℃の温度差ΔＴの場合、この種の設計のスペーサ壁１６ではスペ
ーサ壁１６の高さｈの高さ間の温度差による画質の低下を実質的に排除できる。
実際、パラメータＰが約１０００Ｗ／ｍ2及び対応する温度差ΔＴが約５℃の場 合、この種の設計のスペーサ壁１６では画質の低下を概ね排除できる。
【００６５】 図３のフラットパネルディスプレイは以下のように動作する。アノード層７４
を、制御電極５４及び下側の非絶縁領域５０のエミッタ電極と較べて高い正の電
位に維持する。好適な電位が、（ａ）選択された１つの制御電極５４と（ｂ）選
択された１つのエミッタ電極との間に加えられると、同様に選択されたゲート部
６２が選択された電子放出素子５６のセットから電子を引き出すと共に得られる
電子の流れの大きさを制御する。発光素子７０が高電圧燐光体であって、その発
光素子７０での電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2で、加えられたゲートとカソード 間の並行なプレート（gate-to-cathode parallel plate）の電界が２０Ｖ／μｍ
に到達する場合、通常は所望の電子放出レベルが得られる。
を、制御電極５４及び下側の非絶縁領域５０のエミッタ電極と較べて高い正の電
位に維持する。好適な電位が、（ａ）選択された１つの制御電極５４と（ｂ）選
択された１つのエミッタ電極との間に加えられると、同様に選択されたゲート部
６２が選択された電子放出素子５６のセットから電子を引き出すと共に得られる
電子の流れの大きさを制御する。発光素子７０が高電圧燐光体であって、その発
光素子７０での電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2で、加えられたゲートとカソード 間の並行なプレート（gate-to-cathode parallel plate）の電界が２０Ｖ／μｍ
に到達する場合、通常は所望の電子放出レベルが得られる。
【００６６】 アノード層７４は、引き出された電子が対応する発光素子７０の１つに向かう
ように引き寄せる。集束システム５８、特に集束コーティング６８が、引き出さ
れた電子を対応する発光素子７０の方向に集束させる。フェース電極８２が、ス
ペーサ壁１６の外面に沿った電位場を制御して電子の軌道を制御する。更に、フ
ェース電極８２がなければスペーサ壁１６に衝当する電子によってスペーサ壁１
６に電荷が蓄積されるのを、フェース電極８２が緩和する。最後に、上述したよ
うにスペーサパラメータＣを選択すれば、選択しない場合にスペーサ壁１６の高
さ間の著しい温度差によってフェースプレート画像面に現れる好ましくない線を
引き起こす電子の偏向を減少できる。電子が発光装置１２に到達すると、アノー
ド層７４を通過して対応する発光領域７０に衝当し、フェースプレート２４の外
面に可視光を放出する。別の発光素子７０も、同様に選択的に活性化される。発
光素子７０によって放出された光の中には、初め活性領域２８に向かって進むも
のもある。アノード層７４が、このような光を画像面に向かって反射させ、画像
の輝度を高める。
ように引き寄せる。集束システム５８、特に集束コーティング６８が、引き出さ
れた電子を対応する発光素子７０の方向に集束させる。フェース電極８２が、ス
ペーサ壁１６の外面に沿った電位場を制御して電子の軌道を制御する。更に、フ
ェース電極８２がなければスペーサ壁１６に衝当する電子によってスペーサ壁１
６に電荷が蓄積されるのを、フェース電極８２が緩和する。最後に、上述したよ
うにスペーサパラメータＣを選択すれば、選択しない場合にスペーサ壁１６の高
さ間の著しい温度差によってフェースプレート画像面に現れる好ましくない線を
引き起こす電子の偏向を減少できる。電子が発光装置１２に到達すると、アノー
ド層７４を通過して対応する発光領域７０に衝当し、フェースプレート２４の外
面に可視光を放出する。別の発光素子７０も、同様に選択的に活性化される。発
光素子７０によって放出された光の中には、初め活性領域２８に向かって進むも
のもある。アノード層７４が、このような光を画像面に向かって反射させ、画像
の輝度を高める。
【００６７】 「上側の」及び「下側の」などの方向を示す用語は、様々な部分がどのように
組合わさるのかを読者が容易に理解できるように、本発明の説明において用いた
。実際には、フラットパネルＣＲＴディスプレイの部品は、ここで用いた方向を
示す用語によって示した方向とは異なることもある。従って、方向を示す用語は
説明を容易にするために用いたのであって、本発明は、ここで用いた方向を示す
用語で示した実施例とは異なる方向の実施例も含む。
組合わさるのかを読者が容易に理解できるように、本発明の説明において用いた
。実際には、フラットパネルＣＲＴディスプレイの部品は、ここで用いた方向を
示す用語によって示した方向とは異なることもある。従って、方向を示す用語は
説明を容易にするために用いたのであって、本発明は、ここで用いた方向を示す
用語で示した実施例とは異なる方向の実施例も含む。
【００６８】 本発明は特定の実施例を用いて説明したきたが、この説明は例示目的のためだ
けであり、上記した本発明の請求項の範囲を制限するものではない。例えば、ス
ペーサシステムにおけるスペーサは、支柱或いは壁の組み合わせによっても形成
することができる。ポストの長手方向に沿ったスペーサポストの断面は、例えば
円及び楕円、四角形などの様々な形にすることができる。壁の組み合わせからな
るスペーサを長手方向に沿って見ると、スペーサは、Ｔ型或いはＨ型、十字型等
の形にすることができ、式１−式３及び式６−式９はスペーサ壁１６だけでなく
これらのタイプのスペーサにも適用することができる。これらのスペーサをスペ
ーサ壁として用いた場合、これらのスペーサがディスプレイの活性領域の一部に
のみ延在させることができる。
けであり、上記した本発明の請求項の範囲を制限するものではない。例えば、ス
ペーサシステムにおけるスペーサは、支柱或いは壁の組み合わせによっても形成
することができる。ポストの長手方向に沿ったスペーサポストの断面は、例えば
円及び楕円、四角形などの様々な形にすることができる。壁の組み合わせからな
るスペーサを長手方向に沿って見ると、スペーサは、Ｔ型或いはＨ型、十字型等
の形にすることができ、式１−式３及び式６−式９はスペーサ壁１６だけでなく
これらのタイプのスペーサにも適用することができる。これらのスペーサをスペ
ーサ壁として用いた場合、これらのスペーサがディスプレイの活性領域の一部に
のみ延在させることができる。
【００６９】 電界放出は、一般に表面放出と呼ばれる現象を含む。本発明のフラットパネル
ＣＲＴディスプレイの電界エミッタは、熱電子放出或いは光電子放出によって動
作する電子エミッタを用いることもできる。電子放出素子から電子を選択的に引
き出すために制御電極を用いるのではなく、ディスプレイが動作中に連続的に電
子を放出する電子放出素子から電子を選択的に集める電極を電子エミッタに設け
ることもできる。記載した請求項に既定された本発明の範囲を逸脱することなく
、当業者は様々に適用したり変更したりすることができるであろう。
ＣＲＴディスプレイの電界エミッタは、熱電子放出或いは光電子放出によって動
作する電子エミッタを用いることもできる。電子放出素子から電子を選択的に引
き出すために制御電極を用いるのではなく、ディスプレイが動作中に連続的に電
子を放出する電子放出素子から電子を選択的に集める電極を電子エミッタに設け
ることもできる。記載した請求項に既定された本発明の範囲を逸脱することなく
、当業者は様々に適用したり変更したりすることができるであろう。
【図１】 本発明に従って設計されたスペーサシステムを有するフラットパネルＣＲＴデ
ィスプレイの側断面図である。
ィスプレイの側断面図である。
【図２】 図１のフラットパネルＣＲＴディスプレイの平面の断面図である。図１の断面
は図２の面１−１に沿って切り取られたものである。図２の断面は、図１の面２
−２に沿って切り取られたものである。
は図２の面１−１に沿って切り取られたものである。図２の断面は、図１の面２
−２に沿って切り取られたものである。
【図３】 図１のフラットパネルＣＲＴディスプレイの実施例における重要な部分の側断
面図である。
面図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１１年９月２７日（１９９９．９．２７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】 以下の説明において、用語「電気的に絶縁」（または「誘電体」）は、概ね１
０12Ω-ｃｍを越える抵抗を有する物質に用いられる。用語「電気的に非絶縁」 は１０12Ω-ｃｍ以下の抵抗を有する物質に用いられる。電気的に非絶縁の物質 は、（ａ）抵抗が１Ω-ｃｍ未満の導電性の物質と、（ｂ）抵抗が１Ω-ｃｍから
１０12Ω-ｃｍの範囲の電気的に抵抗性の物質とに分類される。同様に、用語「 非導電性」は１Ω-ｃｍ以上の抵抗を有する物質であり、電気的に抵抗性の物質 及び電気的に絶縁の物質を含む。このカテゴリは、１０Ｖ／μｍ未満の電界で適
用される。
０12Ω-ｃｍを越える抵抗を有する物質に用いられる。用語「電気的に非絶縁」 は１０12Ω-ｃｍ以下の抵抗を有する物質に用いられる。電気的に非絶縁の物質 は、（ａ）抵抗が１Ω-ｃｍ未満の導電性の物質と、（ｂ）抵抗が１Ω-ｃｍから
１０12Ω-ｃｍの範囲の電気的に抵抗性の物質とに分類される。同様に、用語「 非導電性」は１Ω-ｃｍ以上の抵抗を有する物質であり、電気的に抵抗性の物質 及び電気的に絶縁の物質を含む。このカテゴリは、１０Ｖ／μｍ未満の電界で適
用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】 スペーサ壁１６は、電気的に絶縁の材料及び電気的に抵抗性の材料、導電性の
材料から様々に形成することができる。例えば、それぞれのスペーサ壁１６は、
導電性の主要壁（または主要部分）と、主要壁の外面の片側或いは両側にパター
ン形成した電気的に非絶縁のコーティングとから形成することもできる。詳しく
は、非導電性の主要壁は、電気的に抵抗性の材料及び電気的に絶縁の材料からな
り得る。パターン形成された非絶縁のコーティングは、導電性の材料または／及
び電気的に抵抗性の材料とからなる。それぞれのスペーサ壁１６のパターン形成
された非絶縁コーティングを、スペーサ壁１６がパターン形成された層２２及び
パターン形成された層２６でそれぞれ電界エミッタ１０及び発光装置１２に接触
する主要壁の両端部或いは片側の端部に延在させることもできる。
材料から様々に形成することができる。例えば、それぞれのスペーサ壁１６は、
導電性の主要壁（または主要部分）と、主要壁の外面の片側或いは両側にパター
ン形成した電気的に非絶縁のコーティングとから形成することもできる。詳しく
は、非導電性の主要壁は、電気的に抵抗性の材料及び電気的に絶縁の材料からな
り得る。パターン形成された非絶縁のコーティングは、導電性の材料または／及
び電気的に抵抗性の材料とからなる。それぞれのスペーサ壁１６のパターン形成
された非絶縁コーティングを、スペーサ壁１６がパターン形成された層２２及び
パターン形成された層２６でそれぞれ電界エミッタ１０及び発光装置１２に接触
する主要壁の両端部或いは片側の端部に延在させることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５４】 図１のＦＥＤの重要な部分の実施例が図３に示されている。図３の実施例にお
いて、電界エミッタ１０のパターン形成された層２２は、下側の電気的に非絶縁
のエミッタ領域５０と、誘電体層５２と、概ね並行な一群の制御電極５４と、電
界放射電子放出要素５６のセットからなる二次元のアレイと、集束システム５８
とからなる。ベースプレート２０の内側の表面に延在する下側の非絶縁領域５０
は、行方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの行に沿った方向に延在する概ね並
行な一群のエミッタ電極を含む。また、非絶縁領域５０は、エミッタ電極の上に
延在する電気的に抵抗性の層を含むのが普通である。誘電体層５２は非絶縁領域
５０の上に延在する。
いて、電界エミッタ１０のパターン形成された層２２は、下側の電気的に非絶縁
のエミッタ領域５０と、誘電体層５２と、概ね並行な一群の制御電極５４と、電
界放射電子放出要素５６のセットからなる二次元のアレイと、集束システム５８
とからなる。ベースプレート２０の内側の表面に延在する下側の非絶縁領域５０
は、行方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの行に沿った方向に延在する概ね並
行な一群のエミッタ電極を含む。また、非絶縁領域５０は、エミッタ電極の上に
延在する電気的に抵抗性の層を含むのが普通である。誘電体層５２は非絶縁領域
５０の上に延在する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５５】 制御電極５４は誘電体層５２の上に延在する。それぞれの制御電極５４は、（
ａ）列方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの列に沿った方向に延在する主要制
御部分６０と、（ｂ）その主要制御部分６０に隣接する一群の薄いゲート部分６
２とからなる。一群の制御開口６４のそれぞれは、対応するそれぞれの主要制御
部分６０を貫通している。それぞれのゲート部分６２は、１つの制御開口６４に
広がっている。図３の実施例において、それぞれのゲート部分６２はまた、部分
的にその主要制御部分６０の上に延在している。別法では、それぞれのゲート部
分６２は、その制御部分６０の下側に延在させることもできる。図面の面に対し
て並行な水平方向に延在する列方向の制御電極５４の１つが図３に示されている
。
ａ）列方向即ちＦＥＤのピクセルのそれぞれの列に沿った方向に延在する主要制
御部分６０と、（ｂ）その主要制御部分６０に隣接する一群の薄いゲート部分６
２とからなる。一群の制御開口６４のそれぞれは、対応するそれぞれの主要制御
部分６０を貫通している。それぞれのゲート部分６２は、１つの制御開口６４に
広がっている。図３の実施例において、それぞれのゲート部分６２はまた、部分
的にその主要制御部分６０の上に延在している。別法では、それぞれのゲート部
分６２は、その制御部分６０の下側に延在させることもできる。図面の面に対し
て並行な水平方向に延在する列方向の制御電極５４の１つが図３に示されている
。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年９月８日（２０００．９．８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C012 AA05 BB07 5C032 CC10 5C036 EE04 EF01 EF06 EF09 EG01 EH21 EH23 EH24
Claims (40)
- 【請求項１】 フラットパネルディスプレイであって、 電子放出装置と、 エンクロージャを形成するべく前記電子放出装置に連結された発光装置であっ
て、前記発光装置の外側表面に画像を形成するべく電子が前記エンクロージャに
おける前記ディスプレイの活性領域の前記電子放出装置から前記発光装置に移動
する、該発光装置と、 前記ディスプレイに作用する外部の力に耐えるために前記電子放出装置と前記
発光装置との間に位置するスペーサシステムであって、有しなければ前記スペー
サシステムを流れるエネルギーによる電子の偏向により画像に好ましくない特徴
が現れることが明らかな画質の低下を阻止する熱パラメータ及び電気パラメータ
、寸法パラメータを有する、該スペーサシステムとを含むことを特徴とするフラ
ットパネルディスプレイ。 - 【請求項２】 前記電子放出装置から前記発光装置までの前記スペーサシ
ステムの高さが少なくとも０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の
ディスプレイ。 - 【請求項３】 前記スペーサシステムの高さが少なくとも０．５ｍｍであ
ることを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ。 - 【請求項４】 前記熱パラメータ及び前記電気パラメータ、前記寸法パラ
メータが、（ａ）概ね室温における前記スペーサシステムの電気抵抗の平均熱係
数と、（ｂ）前記電子放出装置から前記発光装置までの前記スペーサシステムの
高さと、（ｃ）概ね室温における前記スペーサシステムの平均熱伝導率と、（ｄ
）前記発光装置の外側表面に対して概ね垂直方向からみた、前記活性領域の面に
対する前記活性領域内の前記スペーサシステムによって占有された平均断面積部
分とを含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。 - 【請求項５】 前記スペーサシステムを流れるエネルギーが、前記電子放
出装置と前記発光装置との間を流れる熱エネルギーを含むことを特徴とする請求
項１に記載のディスプレイ。 - 【請求項６】 前記スペーサシステムが、複数の独立したスペーサを含む
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のディスプレイ。 - 【請求項７】 前記スペーサの少なくとも１つが、主要スペーサ部分と、
前記主要スペーサ部分上に延在するパターン形成された電気的に非絶縁のコーテ
ィングとを含むことを特徴とする請求項６に記載のディスプレイ。 - 【請求項８】 前記スペーサがスペーサ壁を含むことを特徴とする請求項
６に記載のディスプレイ。 - 【請求項９】 それぞれのスペーサ壁が、一対の反対向きの外面を有する
主要壁と、少なくとも一方の前記外面に位置する少なくとも１つの電極とを含む
ことを特徴とする請求項８に記載のディスプレイ。 - 【請求項１０】 前記好ましくない特徴が線を含むことを特徴とする請求
項６に記載の方法。 - 【請求項１１】 フラットパネルディスプレイであって、 電子放出装置と、 エンクロージャを形成するべく前記電子放出装置に連結された発光装置であっ
て、前記発光装置の外側表面に画像を形成するべく電子が前記エンクロージャに
おける前記ディスプレイの活性領域の前記電子放出装置から前記発光装置に移動
する、該発光装置と、 前記ディスプレイに作用する外圧に耐えるために前記電子放出装置と前記発光
装置との間に位置するスペーサシステムであって、αAVｈ2／ｆＫAVと定義され るスペーサパラメータＣが６×１０-5ｍ3／Ｗ以下であり、αAVが概ね室温にお ける前記スペーサシステムの電気抵抗の平均熱係数であり、ｈが前記電子放出装
置から前記発光装置までの前記スペーサシステムの高さであり、ＫAVが概ね室温
における前記スペーサシステムの平均熱伝導率であり、ｆが前記発光装置の外側
表面に対して概ね垂直方向から見た前記活性領域の面積に対する前記活性領域内
の前記スペーサシステムによって占有された平均断面積部分である、該スペーサ
システムとを含むことを特徴とするフラットパネルディスプレイ。 - 【請求項１２】 パラメータＣが１０-6ｍ3／Ｗ以下であることを特徴と する請求項１１に記載のディスプレイ。
- 【請求項１３】 パラメータＣが１０-7ｍ3／Ｗ以下であることを特徴と する請求項１１に記載のディスプレイ。
- 【請求項１４】 前記高さｈが少なくとも０．３ｍｍであることを特徴と
する請求項１１に記載のディスプレイ。 - 【請求項１５】 前記電子放出装置と前記発光装置とを連結し、前記スペ
ーサシステムを概ね横方向に覆う、概ね環状（annular）の外周壁を更に含むこ とを特徴とする請求項１１に記載のディスプレイ。 - 【請求項１６】 前記スペーサシステムが複数の独立したスペーサを含む
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１５の何れかに記載のディスプレイ。 - 【請求項１７】 前記スペーサが前記活性領域において互いに横方向に間
隔をおいて位置することを特徴とする請求項１６に記載のディスプレイ。 - 【請求項１８】 前記少なくとも１つのスペーサが、主要スペーサ部分と
、前記主要スペーサ部分上に延在するパターン形成された電気的に非絶縁のコー
ティングとを含むことを特徴とする請求項１６に記載のディスプレイ。 - 【請求項１９】 前記主要スペーサ部分が非導電性であることを特徴とす
る請求項１８に記載のディスプレイ。 - 【請求項２０】 前記主要スペーサ部分が、ベース部と、電子の二次的放
出を抑制する前記ベース部に延在するコーティングとを含むことを特徴とする請
求項１９に記載のディスプレイ。 - 【請求項２１】 前記ベース部が、所定の温度において電気抵抗が比較的
均一な電気的に抵抗性の材料を含むことを特徴とする請求項２０に記載のディス
プレイ。 - 【請求項２２】 前記ベース部が、電気的に絶縁のコアと、前記コアに延
在する電気的に抵抗性のコーティングとを含むことを特徴とする請求項２０に記
載のディスプレイ。 - 【請求項２３】 前記非絶縁のコーティングが導電性の材料を含むことを
特徴とする請求項１８に記載のディスプレイ。 - 【請求項２４】 前記スペーサがスペーサ壁を含むことを特徴とする請求
項１６に記載のディスプレイ。 - 【請求項２５】 連続する各スペーサ壁が、前記活性領域内で互いに概ね
等間隔で離れていることを特徴とする請求項２４に記載のディスプレイ。 - 【請求項２６】 前記各スペーサ壁が、一対の反対向きの外面を有する主
要壁と、前記外面の少なくとも一方に位置する少なくとも１つの電極とを有する
ことを特徴とする請求項２４に記載のディスプレイ。 - 【請求項２７】 前記各スペーサ壁が、前記主要壁の少なくとも一方の端
部に端部電極を備えることを更に含むことを特徴とする請求項２６に記載のディ
スプレイ。 - 【請求項２８】 前記スペーサ壁の少なくとも１つが一群の薄膜の層を含
むことを特徴とする請求項２６に記載のディスプレイ。 - 【請求項２９】 前記スペーサが支柱を含むことを特徴とする請求項１６
に記載のディスプレイ。 - 【請求項３０】 フラットパネルディスプレイを製造する方法であって、
前記フラットパネルディスプレイが、 電子放出装置と、 エンクロージャを形成するべく前記電子放出装置に連結された発光装置であっ
て、前記発光装置の外側表面に画像を形成するべく電子が前記エンクロージャに
おいて前記電子放出装置から前記発光装置に移動する、該発光装置と、 前記ディスプレイに作用する外部の力に耐えるために前記電子放出装置と前記
発光装置との間に位置するスペーサシステムとを含み、 前記製造する方法が、 選択しなければ前記スペーサシステムを流れるエネルギーによって電子の偏向
が起こり前記画像に好ましくない特徴が現れるのが明らかな画質の低下を阻止す
るべく前記スペーサシステムの熱パラメータ及び電気パラメータ、寸法パラメー
タを選択する過程と、 前記各寸法パラメータに従って、前記電子放出装置と、前記発光装置と、前記
スペーサシステムとを組み立てて前記ディスプレイを形成する過程とを含むこと
を特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。 - 【請求項３１】 前記スペーサシステムが複数の独立したスペーサを含む
ことを特徴とする請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３２】 フラットパネルディスプレイを製造する方法であって、
前記フラットパネルディスプレイが、 電子放出装置と、 エンクロージャを形成するべく前記電子放出装置に連結された発光装置であっ
て、前記発光装置の外側表面に画像を形成するべく電子が前記エンクロージャに
おける前記ディスプレイの活性領域の前記電子放出装置から前記発光装置に移動
する、該発光装置と、 前記ディスプレイに作用する外部の力に耐えるために前記電子放出装置と前記
発光装置との間に位置するスペーサシステムとを含み、 前記製造する方法が、 スペーサパラメータＣが小さくなるように前記スペーサシステムの熱パラメー
タ及び電気パラメータ、寸法パラメータを選択する過程であって、前記スペーサ
パラメータＣがαAVｈ2／ｆＫAVと定義され、αAVが概ね室温における前記スペ ーサシステムの電気抵抗の平均熱係数であり、ｈが前記電子放出装置から前記発
光装置までの前記スペーサシステムの高さであり、ＫAVが概ね室温における前記
スペーサシステムの平均熱伝導率であり、ｆが前記発光装置の外側表面に対して
概ね垂直方向から見た前記活性領域の面積に対する前記活性領域内の前記スペー
サシステムによって占有された平均断面積の部分である、該過程と、 部分ｆに従って、前記電子放出装置と、前記発光装置と、前記スペーサシステ
ムとを組み立てて前記ディスプレイを形成する過程とを含むことを特徴とするフ
ラットパネルディスプレイの製造方法。 - 【請求項３３】 パラメータＣを小さくすることによって、前記スペーサ
システムを流れるエネルギーによって電子の偏向が起こり前記画像に好ましくな
い特徴が生成されるのを阻止することを特徴とする請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３４】 徐々にパラメータＣが低くなるように前記スペーサシス
テムの熱特性及び電気特性、寸法特性を選択することによって、前記スペーサシ
ステムを流れるエネルギーによって電子の偏向が起こり前記画像に好ましくない
特徴が形成されるのを徐々に妨げることを特徴とする請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３５】 前記ディスプレイが、前記発光装置と前記電子放出装置
とを接続する概ね環状の外周壁を更に含み、前記組立の過程が、前記スペーサシ
ステムを概ね横方向に覆うように前記外周壁を配設することを含むことを特徴と
する請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３６】 フラットパネルディスプレイを製造する方法であって、
前記フラットパネルディスプレイが、 電子放出装置と、 エンクロージャを形成するべく前記電子放出装置に連結された発光装置であっ
て、前記発光装置の外側表面に画像を形成するべく電子が前記エンクロージャに
おける前記ディスプレイの活性領域の前記電子放出装置から前記発光装置に移動
する、該発光装置と、 前記ディスプレイに作用する外部の力に耐えるために前記電子放出装置と前記
発光装置との間に位置するスペーサシステムとを含み、 前記製造する方法が、 αAVｈ2／ｆＫAVと定義されるスペーサパラメータＣが６×１０-5ｍ3／Ｗ以下
となるように選択する過程であって、αAVが概ね室温における前記スペーサシス
テムの電気抵抗の平均熱係数であり、ｈが前記電子放出装置から前記発光装置ま
での前記スペーサシステムの高さであり、ＫAVが概ね室温における前記スペーサ
システムの平均熱伝導率であり、ｆが前記発光装置の外側表面に対して概ね垂直
方向から見た前記活性領域の面積に対する前記活性領域内の前記スペーサシステ
ムによって占有された平均断面積部分である、該過程と、 部分ｆに従って、前記電子放出装置と、前記発光装置と、前記スペーサシステ
ムとを組み立てて前記ディスプレイを形成する過程とを含むことを特徴とするフ
ラットパネルディスプレイの製造方法。 - 【請求項３７】 前記選択する過程が、パラメータＣが１０-6ｍ3／Ｗ以 下となるように選択することを含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
- 【請求項３８】 前記選択する過程が、パラメータＣが１０-7ｍ3／Ｗ以 下となるように選択することを含むことを特徴とする請求項３６に記載の方法。
- 【請求項３９】 前記ディスプレイが、前記発光装置と前記電子放出装置
とを接続する概ね環状の外周壁を更に含み、前記組立の過程が、前記スペーサシ
ステムを概ね横方向に覆うように前記外周壁を配設することを含むことを特徴と
する請求項３８に記載の方法。 - 【請求項４０】 前記スペーサシステムが複数の独立したスペーサを含む
ことを特徴とする請求項３２乃至請求項３９の何れかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/032,308 US5990614A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Flat-panel display having temperature-difference accommodating spacer system |
| US09/032,308 | 1998-02-27 | ||
| PCT/US1999/003792 WO1999044216A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-22 | Design and fabrication of flat-panel display having temperature-difference accommodating spacer system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002505502A true JP2002505502A (ja) | 2002-02-19 |
| JP2002505502A5 JP2002505502A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=21864237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000533885A Pending JP2002505502A (ja) | 1998-02-27 | 1999-02-22 | 温度差に適応するスペーサシステムを備えたフラットパネルディスプレイの設計及び製造 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5990614A (ja) |
| EP (1) | EP1084503B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002505502A (ja) |
| KR (1) | KR100625024B1 (ja) |
| DE (1) | DE69941506D1 (ja) |
| WO (1) | WO1999044216A1 (ja) |
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