JP2002371945A - Igbtを用いた車載イグナイタ - Google Patents
Igbtを用いた車載イグナイタInfo
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Abstract
を提供すること。 【解決手段】本発明のイグナイタは、コレクタ端子とエ
ミッタ端子とゲート端子を有する絶縁ゲート半導体素子
と、絶縁ゲート半導体素子に流れる電流が一定の値を超
えたときにゲート端子の電圧を制御して電流を制限する
電流制御回路と、コレクタの電位を検出する電圧監視回
路と、電圧監視回路の出力をうけてゲート端子に流れる
電流を制御する制御電流調整回路を備える。
Description
あるイグナイタと、それに使用する絶縁ゲート型半導体
装置とに係り、特に定電流制御機能を有する絶縁ゲート
型半導体装置に関する。
タのスイッチには絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
(IGBT)が広く使用されており、中でも近年は、保
護機能を内蔵したイグナイタ用IGBTが増えてきてい
る。保護機能を内蔵したIGBTが、特開平9−280
147号公報に開示されている。
電流制限機能を内蔵したIGBTの電流振動の抑制方法
が開示されている。図2に特開平9−280147号公
報に開示のIGBT及びその電流制限回路を示す。図2
において、符号201はバッテリー、202はイグニッ
ションコイル、203はIGBT、204はスパークプ
ラグ、205は抵抗、206は高耐圧定電流素子、20
7はツェナーダイオード、208はダイオード、20
9,210は抵抗、211はコンデンサ、212はトラ
ンジスタ、213は抵抗、214は駆動回路である。
BT203がオフの状態を考える。この状態では駆動回
路214からは信号が出ておらず、IGBT203のゲ
ートは0Vになっている。一方、IGBT203がオフ
であるのでバッテリー201からイグニッションコイル
202を介してIGBT204に至るいわゆる主回路に
は電流が流れておらず、IGBT204のコレクタとエ
ミッタの間にはバッテリー電圧が印加されている。
回路214からオンの信号がIGBT204のゲートに
入力されると、IGBT203がオンし、主回路に電流
が流れはじめる。次にIGBTを再びオフにすると、主
回路の電流が急激に遮断されるために、イグニッション
コイル202の1次端子の両端には数百Vの高電圧が発
生する。この電圧がイグニッションコイルの2次時側に
数万Vに昇圧されて伝わり、スパークプラグを放電させ
る。
ている。一つは過電圧保護回路である。前述のIGBT
がオン状態からオフ状態に移る時、スパークプラグに何
らかのトラブルがあって放電できなかった場合には、イ
グニッションコイル202の1次端子の電圧は増大し続
ける。このため、予め定められた所定の電圧以上になる
と電圧を制限するツェナーダイオード207がIGBT
のコレクタとゲートの間に設けられている。
流れる電流の最大値は駆動回路によりIGBTがオンし
ている時間に比例して大きくなるが、何らかのトラブル
でこの時間が長くなった場合にIGBTに大電流が流れ
る場合がある。そこで、IGBTの電流が予め定められた電
流値を超えると、205の両端に発生する電圧がトラン
ジスタ212をオンさせてIGBTのゲート電圧を引き
下げ、IGBTに流れる電流を制限する機能を有してい
る。
電流振動が起こりやすいと言う問題があったが、特開平
9−280147号公報では、電流制限動作時にコレク
タからゲートに低電流を供給する回路、すなわち高耐圧
低電流素子206,抵抗209を付加する事でこの問題
を解決している。
公報では、振動抑制のためにコレクタからゲートへ電流
を供給する構成となっているため、コレクタからゲート
への漏れ電流が大きい問題がある。この漏れ電流とは、
IGBTがオフしている状態でバッテリーから流れ続け
る電流や、スパークプラグの放電時の高い電圧印加時な
どにコレクタからゲートに流れる電流を指す。
ートへの電流供給量を低減すればよいが、一方で電流振
動を抑制するためには、コレクタからゲートにある程度
の電流を供給する必要がある。ある程度の電流とは、電
流振動の原因となるゲート電圧の振動が発生しそうにな
った時にこれを押さえ込めるだけの電流であり、これは
駆動回路のインピーダンスやIGBTのゲートエミッタ
間の容量などにより決まる。特に大きいIGBTチップ
になるとゲートエミッタ間の容量も大きくなるために、
これに応じた大きな電流をコレクタから供給する必要が
生じ、漏れ電流も増大する。この漏れ電流が増大する
と、オフ状態での損失が増大し、バッテリーに蓄えられ
た電気を消費する問題がある。また、スパークプラグへ
の点火の際に漏れ電流による損失の分だけ点火エネルギ
ーが減少し、自動車の燃焼効率の悪化などの原因とな
る。さらに、IGBTの初期不良の選別の際に実施する
コレクタとエミッタ間の漏れ電流チェックができなくな
り、信頼性が低下する問題も有している。
が少なく信頼性の高い内燃機関用点火回路を提供するこ
とである。
コレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子を有する絶縁
ゲート半導体素子と、絶縁ゲート半導体素子に流れる電
流が一定の値を超えたときにゲート端子の電圧を制御し
て電流を制限する電流制御回路と、コレクタの電位を検
出する電圧監視回路と、電圧監視回路の出力をうけてゲ
ート端子に流れる電流を制御する制御電流調整回路を備
える。
子からは電圧監視回路による信号だけにし、この信号に
応じて振動抑制電流をゲートから供給するため、コレク
タの漏れ電流を低減でき、漏れ電流による損失を削減で
きる。また、漏れ電流を低減できると、IGBTの漏れ
電流検査を実施できるので、IGBTの信頼性が向上す
る。
例を詳しく説明する。
の等価回路を示す。図1において図2と同一の構成要素
には同じ符号が付してある。図1の構成を説明すると、
バッテリー201とイグニッションコイル202の1次
側コイルと電流検出端子を有するIGBT100とが直列接続
されている。イグニッションコイル202の2次側はス
パークプラグ204に接続されている。IGBT100
の電流検出端子には、電流検出用の抵抗205が接続さ
れており、IGBT100と抵抗205との接続点がコ
ンパレータ110に入力されている。コンパレータ11
0には基準電圧を生成する定電圧電源111からの信号
も入力されている。一方、コンパレータ110の出力は
IGBTのゲートとエミッタの間に接続されたMOSF
ET104のゲートに接続されている。IGBT100
のゲートは抵抗107と108とを介してゲート端子に
接続されている。抵抗107にはダイオード106が並
列に接続されている。抵抗101と抵抗102の直列接
続回路はIGBT100と並列に接続され、この直列接
続された抵抗の中点がMOSFET104のゲートに接
続されている。MOSFET104のソースはIGBT
100のゲートに接続され、ドレインは、抵抗105を
介して駆動回路214に接続されている。
圧に同期して駆動回路から供給した。この動作を図1の
等価回路図および図3の動作波形図で説明する。
駆動回路の出力は0Vになっており、IGBTはオフし
ている。この時、IGBT100の両端にはバッテリー
電圧が印加しており、MOSFET104のゲートには
抵抗101と102で分圧された電圧が印加され、MO
SFET104はオンしている。しかし、入力電力が0
Vであるため、MOSFET104には電流は流れな
い。
を説明する。図3において時刻t1で駆動回路からゲー
トに駆動電圧が出力されると、IGBTがオンし、バッ
テリーからイグニッションコイルの1次側を通ってIG
BTに電流が流れる。IGBT100に電流が流れる
と、コレクタ電圧は急激に減少し、数V程度まで低下す
る。このとき、抵抗101,102の接続点の電圧は、
非常に小さな値になり、MOSFET104のしきい値
電圧以下になるよう設定してあるため、MOSFET1
04は動作しない。
け、予め定められた所定の電流値を超えると、抵抗20
5の両端に発生する検出電圧が定電圧電源111により
生成される基準電圧より高くなり、コンパレータ110
が信号を出力し、MOSFET109がオンする。MOSFET
109がオンするとIGBTのゲート電圧が低減し、I
GBTの電流の増加が制限される。コレクタ電流が一定
値に制限されるとコレクタ電圧が急激に増大し振動が発
生する。しかしながら、本実施例によれば、コレクタ電
圧が増大すると抵抗101と102の中点の電位も増加
し、MOSFET104をオンさせる。MOSFET104がオ
ンすると、抵抗107,108とダイオードを通して、
ゲート端子からIGBTのゲートに電流が流れ込み、ゲ
ート電圧を増大させ、コレクタ電圧の増大を抑制して振
動を防止する。
ほど振動抑制の効果が高い。しかし、供給電流が大きす
ぎるとIGBTのゲート電圧が過剰に増大するため一定
電流に制御できなくなる。発明者の実験によればゲート
電流制御回路であるMOSFET109の出力電流の最
小値及び最大値は図4のような範囲である。図4はゲー
ト端子からMOSFET104を通して供給される振動
抑制電流と、イグニッションコイルの2次側に発生する
電圧の関係を示す。振動抑制電流を増大するとイグニッ
ションコイルの2次側に発生する電圧を抑制できる。こ
の2次側の電圧が1000Vを越えると、点火プラグが
放電し、エンジンの誤動作を引き起こす。このため、振
動抑制電流を1μA以上にすることが好ましい。一方、
この供給電流を増加させてゆくとIGBTのゲート電圧
そのものが増大し、精度が高い定電流制御が困難にな
る。
る、所謂ターンオフ時の説明をする。IGBTをオフす
るために入力電圧を0Vもしくは負の電圧にすると、IG
BTがオフしコレクタ電流が減少する。コレクタ電流が減
少し始めるとイグニッションコイルのインダクタンス成
分により、IGBTのコレクタ端子側に高い電圧が発生
し、IGBTに印加される。印加された電圧は抵抗10
1と102の中点の電位を増大させMOSFET104
をオンさせる。しかしこの時、入力電圧が0Vもしくは
負の電圧になっているためMOSFET104がオンし
てもゲート端子からIGBTのゲートには電流が流れ
ず、IGBTが誤動作することはない。
動の発生する電流制限開始時だけに、コレクタ電圧の増
加に呼応した電流が駆動回路からIGBTのゲートに供
給されることで振動を抑制できる。この構成によれば、
振動抑制のためにIGBTに供給する電流をコレクタか
ら供給するのではなくゲートから供給することで、コレ
クタの漏れ電流を極めて小さくできる。コレクタの漏れ
電流を小さくできるためにIGBT本体のコレクタ漏れ
電流による選別が可能になり、IGBTの信頼性が向上
する。
の回路図を示す。図5において図1乃至図4と同一の構
成要素には同じ符号が付してある。本実施例では振動抑
制電流を外部の電源から供給するための端子501を設
けた。振動抑制電流を駆動回路から供給する方法では、
駆動電圧が何らかの原因で低下した場合に、十分な振動
抑制電流を供給できなくなる場合がある。特に、IGB
Tの制御の応答性を向上させるためにマイクロコントロ
ーラなどにより直接IGBTを駆動する場合には、駆動
電圧が5V程度と低く、振動抑制電流を供給しにくい。
本実施例によれば、外部の別電源より振動抑制電流を供
給することで常に十分な振動抑制電流を供給できるため
に、安定した振動抑制動作を実現できる。
を示す。図6において図1乃至図5と同一の構成要素に
は同じ符号が付してある。本実施例では抵抗101と1
02とをIGBTのゲートに接続し、コレクタからの電
流をゲートに供給できるようにした。このような構成
で、駆動回路からの振動抑制電流の供給に加えて、コレ
クタからも直接振動抑制電流が供給されるので、実施例
2で説明したように駆動電圧が低下して振動抑制電流の
供給が減少したときでも、コレクタからの直接電流の供
給があるために、安定した振動抑制動作を維持できる。
また、従来技術と異なり、振動抑制電流は駆動回路から
大部分は供給される構成となっているために、コレクタ
からゲートへの供給電流は十分に小さくてもよく、従っ
て、コレクタの漏れ電流は最小限に抑制できる。また、
本実施例はMOSFET104に生じる若干の遅れ時間
の間に、抵抗101と102とから、直接振動抑制電流
を供給することで、時間応答の早い動作を実現できる。
の等価回路を示す。図7において図1乃至図6と同一の
構成要素には同じ符号を付してある。本実施例ではMO
SFET701のゲートを定電圧電源111の出力端子
に接続し、MOSFET104に流れる電流を一定に保
つ。
加されるとIGBTが動作しコレクタ電流が流れはじめ
る。コレクタ電流が所定の電流値を超えると定電流制御
回路が動作しコレクタ電流を一定に制限すると、抵抗1
01と、102との接続点に電圧が発生しMOSFET
104がオンし振動抑制電流を流す。この振動抑制電流
はMOSFET701のゲート電圧が、定電圧電源11
1の出力より決まるため一定の電流を供給できる。この
ような構成により、安定した振動抑制電流を供給でき制
限電流値のばらつきを抑えることができるためIGBT
の電流容量を小さくでき、チップサイズを小型化でき
る。
用IGBTの断面図を示す。本実施例では、チップ表面
の酸化膜上に回路を構成したことにより、通常の製造工
程によってワンチップ化ができ、回路素子が酸化膜によ
って分離されているため寄生動作がない。
極、1202はゲート電極、1203は層間絶縁膜、120
4はゲート酸化膜、1205はMOSFETのソース電
極、1206はMOSFETのゲート電極、1207は
MOSFETのドレイン電極、1208は抵抗のエミッ
タ側電極、1209は抵抗の中間電極、1210はガー
ドリング、1211はIGBTのn型ソース層、121
2はp型ベース層、1213はp型FLR層、1214
はMOSFETのn型ソース層、1215はMOSFE
Tのチャネル層、1216はn型ドレイン層、1218
はPoly−Si抵抗、1219はn型チャネルストッ
パー層、1220はn型ドリフト層、1221はn型バ
ッファ層、1222はp型コレクタ層、1223はコレ
クタ電極、1224はIGBT領域、1225は耐圧保
持領域、1226は振動抑制電流供給回路、1227は
コレクタ電圧監視回路である。n型ドリフト層1220
にp型ベース層1212を形成し、このp型ベース層1
212内にn型ソース層1211を形成する。n型ドリ
フト層1220上にゲート酸化膜1204を介して、ゲ
ート電極1202を形成する。さらにゲート電極120
2上に層間絶縁膜1203を形成し、その上にエミッタ
電極1201をp型ベース層1212とn型ソース層1
211を短絡するように形成する。以上がIGBT領域
1224である。
タ電極1201に対して、コレクタ電極1223、及び
ゲート電極1202に正の電圧を印加すると、ゲート酸
化膜1204を介してゲート電極1202下に形成され
ているp型ベース層1212表面部分にチャネル領域が
形成され、n型ソース層1211からチャネル領域を通
りn型ドリフト層1220に電子電流が流れる。この電
子電流はp型ベース層1212,n型ドリフト層122
0,p型コレクタ層1222で形成されるpnpバイポ
ーラトランジスタのベース電流となり、このpnpバイ
ポーラトランジスタがオンして正孔がコレクタ電極12
23からエミッタ電極1201に流れる。この正孔電流
と電子電流がIGBTの導通電流となる。
1202の電位を0もしくは負にする。これによりゲー
ト電極1202下のチャネル領域が消滅し、電子電流が
遮断される。電子電流の供給が止まると正孔電流も遮断
されIGBTはオフする。このようにIGBTがオンの
時にはp型コレクタ層1222からn型ドリフト層12
20に正孔が注入され、高抵抗のn型ドリフト層122
0内に正孔が蓄積される。この蓄積した正孔により高抵
抗のn型ドリフト層1220の抵抗が大幅に低減され
る、いわゆる電導度変調現象が起こり、オン電圧を低減
できる。
フト層1220の上に酸化膜1217を形成する。さらにそ
の酸化膜1217上にPoly−Si抵抗1218を形
成し、Poly−Si抵抗1218の一方をガードリン
グ1210に接するように形成し、他方をIGBTのゲ
ート電極1202と同電位になるように電極を形成す
る。また、Poly−Si抵抗1218の中点に電極を
形成し、MOSFETのゲート電極1206と接続する
ように形成する。
明する。コレクタ電圧が増大するとp型コレクタ層12
22,n型バッファ層1221,n型ドリフト層,n型
チャネルストッパ層を通りガードリングにコレクタ電圧
が発生しPoly−Si抵抗1218に加わるとPol
y−Si抵抗1218の中点に電圧信号が発生する。
フト層1220上に酸化膜1217を形成し、その酸化
膜1217上にPoly−Siを形成する。そのPol
y−Siに選択的に形成されたMOSFETのn型ソー
ス層1214,MOSFETのn型ドレイン層1216
を形成する。MOSFETのn型ソース層1214とM
OSFETのn型ドレイン層1216に挟まれる領域に
p型チャネル層1215を形成する。
明する。コレクタ電圧監視回路1227より信号が加わると
振動抑制電流供給MOSFETがオンし電流が供給され
る。電流が供給される期間は入力電圧が印加されてい
て、コレクタ電圧が高くなっている期間のみである。
路素子が酸化膜上に形成できるため回路の寄生動作がな
くなるため回路の構成要素の自由度が増し、回路を小さ
くすることができチップサイズを小さくできる。
の回路図を示す。図9において図1乃至図8と同一の構
成要素には同じ符号が付してある。図9の構成を説明す
ると、IGBTのコレクタとエミッタの間にコンデンサ
901と902を直列接続し、この接続点をMOSFE
T104のゲートに接続する。本実施例ではコレクタ,
エミッタ間の電圧をコンデンサで分圧した。コンデンサ
分圧することによりコレクタからの漏れ電流が問題とな
るIGBTオフ状態での漏れ電流を除去できる。
タの等価回路を示す。図10において図1乃至図9と同
一の構成要素には同じ符号が付してある。図10の構成
を説明する。ツェナーダイオード207は1段あたり数
V程度のダイオードを逆直列に数十段接続した構成とな
っている。数段分の所に端子を設けゲート電流制御MOSF
ET104 のゲート端子に接続する構成となっている。本実
施例ではクランプダイオードの一部に端子を設けコレク
タ電圧監視回路として使うことにより、回路面積が小さ
くなりチップサイズが小さくできる。また、コレクタリ
ーク電流も低減できることからIGBTのスクリーニン
グが可能となり初期不良の検出ができる。
さくなり、チップサイズが低減でき低コスト化できる。
また、コレクタリーク電流が低減できるため、IGBT
本体の特性が評価できるため不良の検出が可能となり信
頼性が向上する。さらにコレクタリーク電流が低減され
ることにより、点火エネルギーが増大し燃焼効率が良く
なる。このため燃料の消費量が減少する。
によれば、コレクタリーク電流が低減でき、IGBTの
スクリーニングが可能になり信頼性が向上する。また、
コレクタリーク電流が低減できることにより放電エネル
ギーが増大し、燃焼効率が向上するため省エネルギーの
効果がある。また、定電流制御値のばらつきを低減でき
るためにイグニッションコイルの小型化によりイグナイ
タシステムに小型化,低コスト化に効果がある。
すグラフである。
107,108,205,209,210,213…抵
抗、103,207…ツェナーダイオード、104,1
09,701…MOSFET、106,208…ダイオ
ード、110…コンパレータ、111…定電圧電源、1
12…ゲート端子、113…コレクタ端子、114…エ
ミッタ端子、201…バッテリー、202…イグニッシ
ョンコイル、204…スパークプラグ、206…高耐圧
定電流素子、211,901,902…コンデンサ、2
12…トランジスタ、214…駆動回路、501…端
子、1201…エミッタ電極、1202…ゲート電極、12
03…層間絶縁膜、1204…ゲート酸化膜、1205
…MOSFETのソース電極、1206…MOSFET
のゲート電極、1207…MOSFETのドレイン電
極、1208…抵抗のエミッタ側電極、1209…抵抗
の中間電極、1210…ガードリング、1211…IG
BTのn型ソース層、1212…p型ベース層、121
3…p型FLR層、1214…MOSFETのn型ソー
ス層、1215…MOSFETのチャネル層、1216
…n型ドレイン層、1218…Poly−Si抵抗、1
219…n型チャネルストッパー層、1220…n型ド
リフト層、1221…n型バッファ層、1222…p型
コレクタ層、1223…コレクタ電極、1224…IG
BT領域、1225…耐圧保持領域、1226…振動抑
制電流供給回路、1227…コレクタ電圧監視回路。
Claims (13)
- 【請求項1】主電流を通電する一対の主端子と、前記主
電流を制御する制御端子を有する絶縁ゲート半導体素子
と、前記主電流が一定の値を超えたときに、前記制御電
極の電圧を制御して前記主電流を制限する電流制御回路
と、前記一対の主端子の電圧を検出する電圧監視回路
と、前記電圧監視回路の出力をうけて前期制御端子に流
れる電流を制御する制御電流調整回路とを備えることを
特徴とする車載イグナイタ。 - 【請求項2】前記電圧監視回路が、前記一対の主端子間
に接続された少なくとも2個以上の抵抗の直列回路と、
この直列回路の接続点の電位を出力することを特徴とす
る請求項1に記載の車載イグナイタ。 - 【請求項3】前記制御電流調整回路が、前記制御端子に
接続された制御電極抵抗と、前記制御電極抵抗と並列に
接続され、前記電圧監視回路から信号が出力されている
ときに電流を流すバイパス回路とからなることを特徴と
する請求項1乃至2のいずれかに記載の車載イグナイタ
用。 - 【請求項4】前記バイパス回路が、ドレインが前記制御
電極抵抗の一方の端子に、ソースが前記制御電極抵抗の
他方の端子に、ゲートが前記電圧監視回路の出力に接続
されたMOSFET備えていることを特徴とする請求項
1乃至3のいずれかに記載の車載イグナイタ。 - 【請求項5】前記バイパス回路のMOSFETのドレイ
ンと前記制御電極抵抗の一方の端子との間に、抵抗とダ
イオードの直列回路が接続されたことを特徴とする請求
項1乃至4のいずれかに記載の車載イグナイタ。 - 【請求項6】前記MOSFETのゲートと、前記一対の
主端子の電位の低い方の端子との間に、前記ゲートの電
位を一定に制限するダイオードを接続したことを特徴と
する請求項1乃至5のいずれかに記載の車載イグナイ
タ。 - 【請求項7】前記制御電極調整回路が、ドレインが電源
回路に、ソースが前記制御電極に、ゲートが前記電圧監
視回路の出力に接続されたMOSFETを備えているこ
とを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載の車載
イグナイタ。 - 【請求項8】前記電圧監視回路が、前記一対の主端子の
電位の高い方の端子と前記制御端子の間に接続された少
なくとも2個以上の抵抗の直列回路であり、この直列回
路の接続点の電位を出力する請求項1に記載の車載イグ
ナイタ。 - 【請求項9】前記バイパス回路のMOSFETのドレイ
ンと前記制御電極抵抗の一方の端子の間に、抵抗とダイ
オードと電流制限用MOSFETの直列回路が接続さ
れ、前記電流制限用MOSFETのゲートが定電圧電源
の出力に接続されていることを特徴とする請求項1乃至
4のいずれかに記載の車載イグナイタ。 - 【請求項10】前記絶縁ゲート半導体装置が、絶縁ゲー
トバイポーラトランジスタ(IGBT)であることを特徴
とする請求項1乃至9のいずれかに記載の車載イグナイ
タ。 - 【請求項11】一対の主表面を有する半導体基体と前記
半導体基体の一方の主表面に隣接する一方導電型の第1
の層と前記半導体基体の、他方の主表面と前記第1の層
に隣接して形成された第2導電型の第2の層を備え、 この半導体基体は互いに隣接する第1の領域と第2の領
域とを有し、 第1の領域および第2の領域の他方の主表面には第1の
電極を設け、 第1の領域には、その第1の層内に一方の主表面に隣接
して選択的に形成される他方導電型の第3の層と、第3
の層内に一方の主表面に隣接して選択的に形成される一
方導電型の第4の層と、第1の層内に一方の主表面に隣
接して、他方導電型の第3の層内に一方導電型の第4の
層と離れて選択的に形成される一方導電型の第5の層
と、 一方の主表面において第3の層と第4の層に接触する第
2の電極と、一方の主表面の第2電極と反対側の第3の
層の露出部分に絶縁膜を介して形成される第1の制御電
極とを設け、 第2の領域には、第1の層内に一方の主表面に隣接して
選択的に形成される他方導電型の第6の層と、第6の層
の一方の主表面に絶縁膜を介して第1の半導体層が形成
され、前記第1の半導体層に選択的に形成される他方導
電型の第7の層及び第8の層と、他方導電型の第7の層
と第8の層に挟まれる一方導電型の第9の層が形成さ
れ、前記第1の半導体層と離れて第2の半導体層を形成
され、前記第2の半導体層に選択的に形成される一方導
電型の第10の層と、第1の主表面に隣接して選択的に
形成される一方導電型の第11の層を設け、 一方の主表面の第1の半導体層において第7の層に接触
する第1の領域の第1の制御電極と接続する第3の電極
と、一方の主表面の第1の半導体層において第8の層に
接触する第4の電極と、第9の層の露出部分に絶縁膜を
介して形成される第2の制御電極と、一方の主表面の第
2の半導体層において一方に第10の層に接触する第5
の電極と、他方に第10の層に接触し第11の層と接続
する第6の電極と、第5の電極と第6の電極に挟まれる
第10の層に接触する第7の電極を設け、 第1の領域の第2の電極と第2の領域の第3の電極が接
続され、第1の領域の第1の制御電極と第2の領域の第
8の電極が接続され、第2の領域の第7の電極が第2の
制御電極に接続される構成であることを特徴とした車載
イグナイタ用IGBT。 - 【請求項12】前記電圧監視回路が、前記一対の主端子
間に接続された少なくとも2個以上のコンデンサの直列
回路であり、この直列回路の接続点の電位を出力する請
求項1に記載の車載用イグナイタ。 - 【請求項13】前期電圧監視回路がツェナーダイオード
の一部から電位を検出する構成となっていることを特徴
とする、請求項1に記載の車載用イグナイタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001180987A JP4052815B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 車載イグナイタおよび車載イグナイタ用igbt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001180987A JP4052815B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 車載イグナイタおよび車載イグナイタ用igbt |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002371945A true JP2002371945A (ja) | 2002-12-26 |
JP4052815B2 JP4052815B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=19021320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001180987A Expired - Fee Related JP4052815B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 車載イグナイタおよび車載イグナイタ用igbt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4052815B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005209943A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Denso Corp | スイッチ回路およびそれを用いた点火装置 |
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JP2014084721A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Denso Corp | 点火装置 |
US8928373B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-01-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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US9382893B2 (en) | 2014-08-01 | 2016-07-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN109667694A (zh) * | 2017-10-17 | 2019-04-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
CN111819358A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-10-23 | 罗姆股份有限公司 | 开关控制电路、点火器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5181834B2 (ja) | 2008-05-26 | 2013-04-10 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001180987A patent/JP4052815B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP4631282B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2011-02-16 | 株式会社デンソー | スイッチ回路およびそれを用いた点火装置 |
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CN109667694A (zh) * | 2017-10-17 | 2019-04-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
CN109667694B (zh) * | 2017-10-17 | 2022-04-15 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
CN111819358A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-10-23 | 罗姆股份有限公司 | 开关控制电路、点火器 |
CN111819358B (zh) * | 2018-03-13 | 2022-06-10 | 罗姆股份有限公司 | 开关控制电路、点火器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4052815B2 (ja) | 2008-02-27 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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