JP2002368389A - Method and device for treating printed wiring board - Google Patents
Method and device for treating printed wiring boardInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に銅回路等の
導体回路を設けたプリント配線板にレジスト膜を形成す
ると共にレジスト膜に開口部を形成することによって、
電子部品を実装する部分に相当する導体回路を露出させ
た後、導体回路の露出部分に残存したレジストや汚染物
質を除去するためにプラズマ処理を行い、この後、導体
回路の露出部分にめっき処理を施すようにするプリント
配線板の処理方法及びこの方法に適用されるプリント配
線板の処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a resist film on a printed wiring board provided with a conductor circuit such as a copper circuit on the surface and forming an opening in the resist film.
After exposing the conductor circuit corresponding to the part where electronic components are mounted, plasma treatment is performed to remove the resist and contaminants remaining on the exposed part of the conductor circuit, and then plating treatment is performed on the exposed part of the conductor circuit The present invention relates to a method for processing a printed wiring board and a processing apparatus for a printed wiring board applied to the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子部品を実装するプリント配線板に
は、電子部品を接続するための導体回路の露出部分以外
の表面に液状フォトレジストなどのレジストで保護膜
（レジスト膜）を形成することによって、半田付け時の
半田ブリッジによるショート防止や絶縁劣化の防止など
を行うようにしている。上記の導体回路の露出部分はパ
ッド部と呼ばれ、レジスト膜に穴形状の開口部（レジス
ト抜け部）を形成することによって、パッド部はその周
辺がレジストで保護された状態で開口部の底部に形成さ
れている。そして、このパッド部を構成するプリント配
線板の導体回路の表面に金属めっきを施して実装パッド
とし、このめっき膜を形成した実装パッドの表面に半田
実装、ワイヤーボンディング実装、バンプ実装などの実
装が行われるのである。2. Description of the Related Art A printed wiring board on which electronic components are mounted is formed by forming a protective film (resist film) with a resist such as a liquid photoresist on a surface other than an exposed portion of a conductor circuit for connecting the electronic components. In addition, a short circuit due to a solder bridge at the time of soldering and insulation deterioration are prevented. The exposed portion of the conductor circuit is called a pad portion, and a hole-shaped opening (resist missing portion) is formed in the resist film so that the pad portion is protected at the bottom of the opening with its periphery protected by the resist. Is formed. Then, the surface of the conductor circuit of the printed wiring board constituting the pad portion is subjected to metal plating to form a mounting pad, and mounting such as solder mounting, wire bonding mounting, and bump mounting is performed on the surface of the mounting pad on which the plating film is formed. It is done.
【０００３】このように実装パッドを形成するための金
属めっき前に、開口部から露出する導体回路の表面が汚
染されていると、めっきの濡れ性や密着性が低下してめ
っき膜の品質が低下し、実装不良につながるものであ
る。特に、近年の高密度実装化に伴って、回路パターン
がファインパターンになるほど実装パッドも５０〜５０
０μｍφと微細になり、パッド部周辺のレジスト膜の形
成工程で発生する汚染物質の残存による実装パッドの実
装不良が顕著になり、レジスト膜の形成工程にも微細加
工技術が必要となってきている。If the surface of the conductor circuit exposed from the opening is contaminated before the metal plating for forming the mounting pad as described above, the wettability and adhesion of the plating are reduced and the quality of the plating film is reduced. This leads to lower mounting, which leads to defective mounting. In particular, with the recent high-density mounting, as the circuit pattern becomes finer, the mounting pad becomes 50 to 50 as well.
It becomes as fine as 0 μmφ, mounting defects of mounting pads due to residual contaminants generated in the resist film forming process around the pad portion become remarkable, and fine processing technology is also required in the resist film forming process. .
【０００４】レジスト膜を形成する方法の一例として、
エポキシ、フェノール、ポリイミド、ＢＴ（ビスマレイ
ミドとトリアジン樹脂からなるポリイミド樹脂）などの
樹脂基板に銅箔を張り付けた銅張り積層板の表面にドラ
イフィルムを張り付け、その上にマスクフィルムを設置
した後、露光し、この後、現像処理にて露光部分以外の
ドライフィルムを除去した後、銅エッチングにて銅回路
パターンである導体回路を形成する。その後、スクリー
ン印刷等によって液状フォトレジストやインキを用いて
開口部を有するレジスト膜を形成するのである。As an example of a method for forming a resist film,
After attaching a dry film to the surface of a copper-clad laminate in which copper foil is attached to a resin substrate such as epoxy, phenol, polyimide, or BT (a polyimide resin composed of bismaleimide and triazine resin), and then installing a mask film thereon, After the exposure, the dry film other than the exposed portion is removed by a developing process, and a conductor circuit as a copper circuit pattern is formed by copper etching. Thereafter, a resist film having an opening is formed by liquid printing or ink by screen printing or the like.
【０００５】このようにレジスト膜を形成するにあたっ
て、現像や銅エッチング時の溶解物の付着、またはスク
リーン印刷時のマスクの接触による汚染やレジストのは
み出しによる汚染によって、開口部から露出する導体回
路の表面が汚染してしまうことがある。この汚染物質を
除去するためには、アルカリ脱脂、酸洗浄を実施してい
るが、ファインパターンになるほど完全には除去するこ
とができなくなってきている。[0005] In forming a resist film in this manner, the adhesion of a dissolved substance during development or copper etching, or contamination due to contact with a mask during screen printing or contamination due to the protrusion of a resist causes the formation of a conductive circuit exposed from an opening. The surface may be contaminated. To remove this contaminant, alkali degreasing and acid cleaning are performed, but the finer the pattern, the more it becomes impossible to completely remove it.
【０００６】また、レジストを形成する方法の他例とし
て、３００μｍφ以下の微細パッドを形成する場合に用
いられる方法であるが、樹脂基板に銅箔を張り付けた銅
張り積層板や銅箔にエポキシ樹脂などの樹脂を塗工した
樹脂付き金属箔に導体回路として銅回路パターンを形成
した後、その表面全体に液状フォトレジストを塗工し、
マスクフィルムを設置して露光した後、現像処理にて露
光部分以外の液状フォトレジストを除去することによっ
て開口部を形成して導体回路を露出させ、露出させた導
体回路の周辺のレジストをレジスト膜とする方法であ
る。As another example of a method for forming a resist, a method used when forming a fine pad of 300 μmφ or less is used. After forming a copper circuit pattern as a conductor circuit on a resin-coated metal foil coated with a resin, etc., apply a liquid photoresist on the entire surface,
After the mask film is installed and exposed, the developing process removes the liquid photoresist other than the exposed portion to form an opening to expose the conductor circuit, and the resist around the exposed conductor circuit is exposed to a resist film. Is a method.
【０００７】このようにレジスト膜を形成するにあたっ
て、現像時のレジストの除去不足による残存物やレジス
ト除去時の溶解物の付着によって、開口部から露出する
導体回路の表面が汚染してしまうことがあった。この汚
染物質を除去するためには、上記と同様にアルカリ脱
脂、酸洗浄を実施しているが、ファインパターンになる
ほど完全には除去することが難しいものであった。In forming a resist film as described above, the surface of the conductor circuit exposed from the opening may be contaminated by a residue due to insufficient removal of the resist during development or adhesion of a dissolved material during removal of the resist. there were. To remove these contaminants, alkali degreasing and acid cleaning are performed in the same manner as described above, but it was difficult to completely remove the contaminants as the pattern became finer.
【０００８】このために、レジスト膜形成後のプリント
配線板を真空中に配置し、真空中でプラズマを発生さ
せ、このプラズマ中に含まれるイオンやラジカルのエネ
ルギーにより、レジスト膜の開口部から露出する導体回
路の表面を洗浄する提案がなされている。For this purpose, the printed wiring board after the formation of the resist film is placed in a vacuum, a plasma is generated in the vacuum, and the energy of ions and radicals contained in the plasma causes the exposed portion to be exposed from the opening of the resist film. Proposals have been made to clean the surface of a conductive circuit to be cleaned.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
真空中でのプラズマ処理にあっては、微小で高アスペク
ト比の開口部から露出する導体回路の表面にまでプラズ
マが導入されにくく、汚染物質の除去が不十分になると
いう問題があった。また、真空にするための手段が必要
となって装置が大掛かりになるという問題があった。さ
らに、処理するプリント配線板を一枚ずつ真空中に挿入
して処理する、所謂、バッチ式の処理であるために、処
理効率が低いという問題があった。However, in the above-described plasma processing in a vacuum, it is difficult for plasma to be introduced into the surface of the conductor circuit exposed from the minute and high-aspect-ratio opening, and contaminants are contaminated. There was a problem that the removal of the substance became insufficient. In addition, there has been a problem that a device for evacuating is required and the apparatus becomes large-scale. In addition, there is a problem that the processing efficiency is low because a so-called batch type process in which the printed wiring boards to be processed are inserted one by one into a vacuum and processed.
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、レジスト膜の開口部から露出する導体回路の表面
を均一に処理して汚染物質を十分に除去することがで
き、また、装置が大掛かりになることがなく、さらに、
効率よく処理を行うことができるプリント配線板の処理
方法及びプリント配線板の処理装置を提供することを目
的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and can uniformly treat a surface of a conductor circuit exposed from an opening of a resist film to sufficiently remove contaminants. Is not large,
An object of the present invention is to provide a printed wiring board processing method and a printed wiring board processing apparatus capable of performing processing efficiently.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
プリント配線板の処理方法は、表面に導体回路２５を設
けたプリント配線板１４にレジスト膜２６を形成すると
共にレジスト膜２６に開口部２を設けて導体回路２５を
露出させ、導体回路２５の露出部分２５ａにプラズマ処
理した後にめっき処理を施すプリント配線板の処理方法
において、片側が吹き出し口４として開放された反応容
器５内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧
力下で反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプラズ
マ６をプラズマジェットとして吹き出し口４から吹き出
して導体回路２５の露出部分２５ａに吹き付けることを
特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of processing a printed wiring board, wherein a resist film is formed on a printed wiring board having a conductive circuit provided on a surface thereof, and an opening is formed in the resist film. In the method for processing a printed wiring board, in which the conductor circuit 25 is exposed by providing the portion 2 and the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 is subjected to plasma treatment and then subjected to plating, the reaction vessel 5 having one side opened as the outlet 4 is provided. A plasma generating gas is introduced, a plasma 6 is generated in the reaction vessel 5 under a pressure near the atmospheric pressure, and this plasma 6 is blown out from the blowout port 4 as a plasma jet to be blown onto the exposed portion 25 a of the conductor circuit 25. It is a feature.
【００１２】本発明の請求項２に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項１の構成に加えて、プラズマ生成用
ガスとして、希ガス又は反応性ガスを含む希ガスを用い
ることを特徴とするものである。A method of processing a printed wiring board according to a second aspect of the present invention is characterized in that, in addition to the configuration of the first aspect, a rare gas or a rare gas containing a reactive gas is used as a plasma generating gas. Is what you do.
【００１３】本発明の請求項３に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項２の構成に加えて、希ガスとして、
ヘリウムとアルゴンの少なくとも一方を用いることを特
徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of processing a printed wiring board according to the second aspect, wherein
It is characterized by using at least one of helium and argon.
【００１４】本発明の請求項４に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項２又は３の構成に加えて、反応性ガ
スとして、酸素を用いることを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for processing a printed wiring board, wherein oxygen is used as a reactive gas in addition to the configuration of the second or third aspect.
【００１５】本発明の請求項５に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項２乃至４のいずれかに記載の構成に
加えて、反応性ガスとして酸素を用いたプラズマ処理を
行った直後に連続して、反応性ガスとして水素を用いた
プラズマ処理を行うことを特徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of processing a printed wiring board according to any one of the second to fourth aspects, wherein immediately after performing the plasma processing using oxygen as a reactive gas. Continuously, a plasma treatment using hydrogen as a reactive gas is performed.
【００１６】本発明の請求項６に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項１乃至５のいずれかに記載の構成に
加えて、レジスト膜２６に開口部２を設けて導体回路２
５を露出させた後、プラズマ処理を施す前に、エッチン
グ処理を施すことを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of processing a printed wiring board according to any one of the first to fifth aspects, wherein an opening 2 is provided in the resist film 26 to form the conductive circuit 2.
After exposing 5 and before performing the plasma processing, an etching process is performed.
【００１７】本発明の請求項７に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項１乃至６のいずれかに記載の構成に
加えて、エポキシ樹脂又はエポキシアクリレート樹脂を
用いてレジスト膜２６を形成することを特徴とするもの
である。According to a method of processing a printed wiring board according to a seventh aspect of the present invention, in addition to the configuration according to any one of the first to sixth aspects, the resist film 26 is formed using an epoxy resin or an epoxy acrylate resin. It is characterized by the following.
【００１８】本発明の請求項８に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項１乃至７のいずれかに記載の構成に
加えて、導体回路２５に施すめっきとして、ニッケルめ
っきまたはニッケルめっきに続けて金めっきを施すこと
を特徴とするものである。According to a method of processing a printed wiring board according to claim 8 of the present invention, in addition to the configuration according to any one of claims 1 to 7, the plating applied to the conductive circuit 25 is performed by nickel plating or nickel plating. And gold plating.
【００１９】本発明の請求項９に係るプリント配線板の
処理方法は、請求項１乃至８のいずれかに記載の構成に
加えて、反応容器５を絶縁材料で形成すると共に反応容
器５の外側に複数の電極１１、１２を設け、電極１１、
１２間に電圧を印加することによって反応容器５内にプ
ラズマ６を生成することを特徴とするものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of processing a printed wiring board according to any one of the first to eighth aspects, wherein the reaction vessel 5 is formed of an insulating material and the outside of the reaction vessel 5 is formed. Are provided with a plurality of electrodes 11, 12;
It is characterized in that plasma 6 is generated in the reaction vessel 5 by applying a voltage between 12.
【００２０】本発明の請求項１０に係るプリント配線板
の処理方法は、請求項９に記載の構成に加えて、反応容
器５の内面に沿った電気力線ａが形成されるように電極
１１、１２を配置し、幅を持ったプラズマジェットが吹
き出されるように吹き出し口４をスリット状に形成する
ことを特徴とするものである。According to a tenth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the ninth aspect, in addition to the configuration of the ninth aspect, the electrode 11 is formed so that the lines of electric force a are formed along the inner surface of the reaction vessel 5. , 12 are arranged, and the outlet 4 is formed in a slit shape so that a plasma jet having a width is blown out.
【００２１】本発明の請求項１１に係るプリント配線板
の処理装置は、片側が吹き出し口４として開放された反
応容器５と、反応容器５内に導入されるプラズマ生成用
ガスと、大気圧近傍の圧力下で反応容器５内にプラズマ
６を生成するための電極１１、１２と、プリント配線板
１４を吹き出し口の近傍に搬送するための搬送手段１５
とを備えて成ることを特徴とするものである。According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided an apparatus for processing a printed wiring board, comprising: a reaction vessel 5 having one side opened as a blowout port 4; Electrodes 11 and 12 for generating the plasma 6 in the reaction vessel 5 under the pressure described above, and transport means 15 for transporting the printed wiring board 14 to the vicinity of the outlet.
And characterized in that:
【００２２】本発明の請求項１２に係るプリント配線板
の処理装置は、絶縁材料で形成されてガス導入口１６と
吹き出し口４を有して筒状に形成される反応容器５と、
反応容器５に配設された対をなす電極１１、１２とを具
備して構成され、ガス導入口１６から反応容器５内にプ
ラズマ生成用ガスを供給すると共に電極１１、１２間に
交番する電圧あるいはパルス状の電圧を印加することに
より、大気圧近傍の圧力下で反応容器５内に放電を生じ
させると共に吹き出し口４からプラズマ６を吹き出させ
ることによって、プリント配線板１４にプラズマ６を供
給し、このプラズマ６によりプリント配線板１４の導体
回路２５の露出部分２５ａに残存する汚染物質３を除去
することを特徴とするものである。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for a printed wiring board, comprising: a reaction vessel 5 formed of an insulating material and having a gas inlet 16 and a blow-out port 4 and formed in a cylindrical shape;
It comprises a pair of electrodes 11 and 12 provided in the reaction vessel 5, supplies a plasma generating gas into the reaction vessel 5 from the gas inlet 16, and alternately supplies a voltage between the electrodes 11 and 12. Alternatively, the plasma 6 is supplied to the printed wiring board 14 by applying a pulse voltage to generate a discharge in the reaction vessel 5 at a pressure close to the atmospheric pressure and to blow the plasma 6 from the outlet 4. In addition, the contaminants 3 remaining in the exposed portions 25a of the conductor circuits 25 of the printed wiring board 14 are removed by the plasma 6.
【００２３】本発明の請求項１３に係るプリント配線板
の処理装置は、絶縁材料で形成されてガス導入口１６と
吹き出し口４を有して幅広状の筒状に形成される反応容
器５と、電気力線ａがほぼ反応容器５の筒軸方向Ｇに沿
って形成されるように配設された対をなす電極１１、１
２とを具備して構成され、ガス導入口１６から反応容器
５内にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極１１、
１２間に交番する電圧あるいはパルス状の電圧を印加す
ることにより、大気圧近傍の圧力下で反応容器５内に放
電を生じさせると共に吹き出し口４からプラズマ６を吹
き出させることによって、プリント配線板１４にプラズ
マ６を供給し、このプラズマ６によりプリント配線板１
４の導体回路２５の露出部分２５ａに残存する汚染物質
３を除去するプリント配線板１４の処理装置において、
反応容器５内に多数のストリーマを生じさせるためのス
トリーマ生成手段と、この多数のストリーマを反応容器
５の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一に発生させるため
のストリーマ均一化手段とを備え、反応容器５の狭い方
の内寸を１〜５ｍｍに形成し、ガス導入口１６の開口面
積を吹き出し口４の開口面積よりも小さく形成して成る
ことを特徴とするものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for processing a printed wiring board, comprising: a reaction vessel 5 formed of an insulating material and having a gas introduction port 16 and a blowout port 4 and formed in a wide cylindrical shape; , The pair of electrodes 11, 1 arranged so that the lines of electric force a are formed substantially along the cylinder axis direction G of the reaction vessel 5.
2 to supply the plasma generating gas into the reaction vessel 5 from the gas inlet 16 and the electrode 11,
By applying an alternating voltage or a pulse-like voltage between the two, a discharge is generated in the reaction vessel 5 at a pressure close to the atmospheric pressure, and the plasma 6 is blown out from the blowout port 4, whereby the printed wiring board 14 is formed. To the printed wiring board 1
In the processing device for the printed wiring board 14 for removing the contaminant 3 remaining on the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 of No. 4,
A streamer generating means for generating a large number of streamers in the reaction vessel 5; and a streamer uniformizing means for generating the large number of streamers substantially uniformly over the entire area of the reaction vessel 5 in the wide direction. The narrow inner dimension of the container 5 is formed to be 1 to 5 mm, and the opening area of the gas inlet 16 is formed smaller than the opening area of the outlet 4.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００２５】図１に本発明のプリント配線板１４の処理
装置の一例を示す。この処理装置は反応容器５と電圧印
加手段１３と搬送手段１５を備えて形成されている。反
応容器５は真っ直ぐな円筒状で内径を０．１〜１０ｍｍ
に形成したものである。また、反応容器５の上面はガス
導入口１６として全面に亘って開放されていると共に反
応容器５の下面は吹き出し口４として全面に亘って開放
されている。このような反応容器５は石英、アルミナ、
イットリア部分安定化ジルコニウムなどのガラス質材料
やセラミック材料などの絶縁材料で形成することができ
る。FIG. 1 shows an example of an apparatus for processing a printed wiring board 14 according to the present invention. This processing apparatus is provided with a reaction vessel 5, a voltage applying means 13, and a transport means 15. The reaction vessel 5 has a straight cylindrical shape and an inner diameter of 0.1 to 10 mm.
It is formed in. The upper surface of the reaction vessel 5 is open as a gas inlet 16 over the entire surface, and the lower surface of the reaction vessel 5 is open as a blowout port 4 over the entire surface. Such a reaction vessel 5 is made of quartz, alumina,
It can be formed of a glassy material such as yttria partially stabilized zirconium or an insulating material such as a ceramic material.
【００２６】電圧印加手段１３は複数の対をなす（一対
の）電極１１、１２と電源１７とで構成されている。電
極１１、１２は円環状（リング状）に形成されており、
冷却効率を高くするために熱伝導性の高い金属材料、例
えば、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレ
ス鋼（ＳＵＳ３０４など）などで形成されている。各電
極１１、１２はその内周面を反応容器５の外周面に全周
に亘って接触させるようにして反応容器５の外側に配設
されている。また、吹き出し口４の上方において電極１
１、１２は上下に対向させて配置されており、電極１
１、１２の間に対応する位置において反応容器５内には
放電空間１８が形成されている。電源１７は電極１１、
１２に電気的に接続されており、パルス状の電圧又は交
番する電圧（交流電圧または高周波電圧）を発生するも
のである。そして、電源１７により電極１１、１２の間
にはパルス状の電圧又は交番する電圧が印加されること
になるが、この時に放電空間１８に形成される電気力線
ａは反応容器５の内周面に沿って上下方向（電極１１、
１２が並ぶ方向）に形成されることになる。尚、電極１
１、１２の間隔Ｌ（電極１１の下端と電極１２の上端の
間隔Ｌ）は３〜２０ｍｍに設定するのが好ましい。ま
た、電極１１、１２は冷媒により冷却されるのが好まし
い。The voltage applying means 13 comprises a plurality of pairs (a pair) of electrodes 11, 12 and a power supply 17. The electrodes 11 and 12 are formed in an annular shape (ring shape).
In order to increase the cooling efficiency, it is made of a metal material having high thermal conductivity, for example, copper, aluminum, brass, stainless steel having high corrosion resistance (such as SUS304), or the like. Each of the electrodes 11 and 12 is disposed outside the reaction vessel 5 such that its inner peripheral surface is in contact with the outer peripheral surface of the reaction vessel 5 over the entire circumference. The electrode 1 is located above the outlet 4.
The electrodes 1 and 12 are disposed so as to face each other up and down.
A discharge space 18 is formed in the reaction vessel 5 at a position corresponding to between 1 and 12. Power supply 17 is electrode 11,
12 for generating a pulse-like voltage or an alternating voltage (an AC voltage or a high-frequency voltage). Then, a pulsed voltage or an alternating voltage is applied between the electrodes 11 and 12 by the power supply 17. At this time, the electric lines of force a formed in the discharge space 18 Up and down along the surface (electrode 11,
12 are arranged in the same direction). In addition, electrode 1
It is preferable that the distance L between the first and second electrodes 12 (the distance L between the lower end of the electrode 11 and the upper end of the electrode 12) is set to 3 to 20 mm. Preferably, the electrodes 11, 12 are cooled by a coolant.
【００２７】搬送手段１５はレジスト膜２６及び開口部
２が形成されたプリント配線板１４を被処理物として自
動的に搬送するものであって、反応容器５の吹き出し口
４の下側において、モータ等の駆動機（図示省略）によ
って一定方向に略平行に進行するベルトや搬送台等で形
成されている。The conveying means 15 automatically conveys the printed wiring board 14 on which the resist film 26 and the opening 2 are formed as an object to be processed. It is formed of a belt, a transfer table, or the like that travels substantially parallel to a certain direction by a driving device (not shown) such as.
【００２８】本発明ではプラズマ生成用ガスとして希ガ
スまたは反応性ガスを含んだ希ガスを用いる。汚染物質
３が少ない場合は、希ガスのみを用いてプラズマ６を生
成させて導体回路２５の表面の濡れ性を向上させるだけ
でめっき品質は向上するが、汚染物質３が多く残存して
いる場合には、反応性ガスを希ガスと混合して併用する
のが好ましい。In the present invention, a rare gas or a rare gas containing a reactive gas is used as a plasma generating gas. When the amount of the contaminant 3 is small, the plating quality is improved only by generating the plasma 6 using only the rare gas to improve the wettability of the surface of the conductor circuit 25, but when the amount of the contaminant 3 remains large. It is preferable that a reactive gas is used in combination with a rare gas.
【００２９】希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネ
オン、クリプトンなどを単独で用いたりあるいは複数種
併用したりすることができるが、放電の安定性や経済性
を考慮すると、アルゴンとヘリウムの少なくとも一つを
用いるのが好ましい。また、反応性ガスとしては酸素、
窒素、空気などが挙げられるが、樹脂成分などの有機物
である汚染物質３を効率的に除去するには酸素を用いる
ことが好ましい。反応性ガス（特に、酸素の場合）は希
ガスの全量に対して０．５〜５ｖｏｌ％添加するのが好
ましい。反応性ガスの添加量が希ガスの全量に対して
０．５ｖｏｌ％未満であれば汚染物質３の除去処理の効
果が低くなる恐れがあり、反応性ガスの添加量が５ｖｏ
ｌ％を超えると放電が不安定になる恐れがある。As the rare gas, helium, argon, neon, krypton, or the like can be used alone or in combination of two or more kinds. Preferably, one is used. Also, as the reactive gas, oxygen,
Examples include nitrogen and air, but it is preferable to use oxygen to efficiently remove the contaminant 3 which is an organic substance such as a resin component. The reactive gas (particularly, in the case of oxygen) is preferably added in an amount of 0.5 to 5 vol% based on the total amount of the rare gas. If the added amount of the reactive gas is less than 0.5 vol% with respect to the total amount of the rare gas, the effect of the treatment for removing the pollutant 3 may be reduced, and the added amount of the reactive gas is 5 vol.
If it exceeds 1%, the discharge may be unstable.
【００３０】このように形成されるプリント配線板１４
の処理装置は、プリント配線板１４に形成されたレジス
ト膜２６の開口部（レジスト抜け部）２から露出する銅
回路等の導体回路２５の露出部分２５ａ及びその周辺に
付着している汚染物質３をプラズマ処理によって除去す
るものである。プリント配線板１４には図２に示すよう
に、レジストによる保護膜（レジスト膜２６）の形成時
に開口部２が形成されるが、レジストの溶解物が残存し
たり、塗布したレジストがはみ出したり、スクリーン印
刷などの印刷時のマスクの接触により汚染物質３が転写
したりして、パッド部に相当する導体回路２５の露出部
分２５ａの表面及びその周辺に汚染物質３が残存してい
るものであり、上記の処理装置ではこの汚染物質３をプ
ラズマ６で除去するのである。The printed wiring board 14 thus formed
The processing apparatus described in (1) uses a contaminant 3 adhering to an exposed portion 25a of a conductor circuit 25 such as a copper circuit exposed from an opening (resist missing portion) 2 of a resist film 26 formed on a printed wiring board 14 and its periphery. Is removed by plasma processing. As shown in FIG. 2, the opening 2 is formed in the printed wiring board 14 when the protective film (resist film 26) is formed by the resist. The contaminant 3 is transferred to the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 corresponding to the pad portion and the periphery thereof by the transfer of the contaminant 3 due to contact of the mask at the time of printing such as screen printing. In the processing apparatus described above, the contaminant 3 is removed by the plasma 6.
【００３１】そして、レジスト膜２６が形成されたプリ
ント配線板１４にプラズマ処理（汚染物質３の除去処
理）を施すにあたっては次のようにして行う。まず、搬
送手段１５の上にプリント配線板１４を設置する。次
に、ガス導入口１６から反応容器５内にプラズマ生成用
ガスを導入すると共に反応容器５内でプラズマ生成用ガ
スを上から下に流して放電空間１８に導入し、次に、電
源１７により電極１１、１２間にパルス状の電圧又は交
番する電圧を印加し、この電圧の印加により大気圧近傍
の圧力下（９３．３〜１０６．７ｋＰａ（７００〜８０
０Ｔｏｒｒ））で放電空間１８にグロー状の放電を発生
させると共にグロー状の放電でプラズマ生成用ガスをプ
ラズマ化してプラズマ活性種を含むプラズマ６を生成
し、この後、プラズマ６を吹き出し口４から下方にプラ
ズマジェットとして流出させ、吹き出し口４の下側に配
置されたプリント配線板１４の表面にプラズマ６を吹き
付けることによって、プリント配線板１４に形成された
レジスト膜２６の開口部２内に残存する汚染物質３をプ
ラズマ６の活性種で分解したり酸化（灰化）したりする
と共にさらに吹き飛ばしたりして除去することによっ
て、汚染物質３の除去処理を行うようにする。また、こ
の時に搬送手段１５の流路６１に水等の冷媒を流通させ
ることによって、プリント配線板１４を冷却することが
でき、プラズマ６によるプリント配線板１４の熱的損傷
を少なくすることができる。The plasma processing (removal of the contaminant 3) is performed on the printed wiring board 14 on which the resist film 26 is formed as follows. First, the printed wiring board 14 is set on the transport means 15. Next, a plasma generating gas is introduced into the reaction vessel 5 from the gas inlet 16, and the plasma generating gas is flowed from top to bottom in the reaction vessel 5 to be introduced into the discharge space 18. A pulse-like voltage or an alternating voltage is applied between the electrodes 11 and 12, and the application of this voltage causes a pressure near the atmospheric pressure (93.3 to 106.7 kPa (700 to 80 kPa).
0 Torr)), a glow-like discharge is generated in the discharge space 18 and the plasma generating gas is turned into plasma by the glow-like discharge to generate a plasma 6 containing plasma active species. It is discharged downward as a plasma jet, and the plasma 6 is sprayed on the surface of the printed wiring board 14 disposed below the outlet 4, so that the plasma 6 is left in the opening 2 of the resist film 26 formed on the printed wiring board 14. The contaminant 3 is decomposed or oxidized (ashed) by the active species of the plasma 6 and is further blown off to remove the contaminant 3. At this time, by flowing a coolant such as water through the flow path 61 of the transporting means 15, the printed wiring board 14 can be cooled, and thermal damage to the printed wiring board 14 due to the plasma 6 can be reduced. .
【００３２】そして、このようにして反応容器５の吹き
出し口４からプラズマ６を吹き出しながら、プリント配
線板１４を搬送手段１５で搬送することによって、プリ
ント配線板１４の表面にプラズマ６を吹き付けてプラズ
マ処理を連続的に施すことができるものである。Then, the printed wiring board 14 is transported by the transport means 15 while the plasma 6 is blown out from the outlet 4 of the reaction vessel 5 in this manner, so that the plasma 6 is sprayed on the surface of the printed wiring board 14 and Processing can be performed continuously.
【００３３】尚、プリント配線板１４の搬送速度やプリ
ント配線板１４と吹き出し口４の間隔は、プリント配線
板１４の種類やプラズマの生成条件等によって異なる
が、プリント配線板１４の搬送速度は０．１ｍｍ／秒〜
２００ｍｍ／秒に、プリント配線板１４と吹き出し口４
の間隔は２〜１０ｍｍにそれぞれ設定するのが好まし
い。また、電極１１、１２間に印加される電圧が交番す
る電圧（交流電圧）の場合、その周波数は１ｋＨｚ〜２
００ＭＨｚに設定することができる。さらに、放電空間
１８に印加される印加電力の密度は２０〜３５００Ｗ／
ｃｍ3に設定することができる。印加電力の密度（Ｗ／
ｃｍ3）は（放電空間１８に印加される印加電力／放電
空間１８の体積）で定義される。さらに、反応容器５の
吹き出し口４でのガス流速（プラズマ６の吹き出し速
度）は２ｍ／秒以上にすることが好ましく、これによ
り、汚染物質３の除去処理を効率良く行うことができ
る。このガス流速は、例えば、反応容器５へのプラズマ
生成用ガスの導入速度を変えたり吹き出し口４の開口面
積を変えたりしてすることにより、所定の速度に調整す
ることができるものである。また、ガス流速は大きいほ
ど好ましいので、上限は特に設定されない。The transport speed of the printed wiring board 14 and the distance between the printed wiring board 14 and the outlet 4 vary depending on the type of the printed wiring board 14, the conditions for generating plasma, and the like. .1mm / sec ~
Printed wiring board 14 and outlet 4 at 200 mm / sec.
Is preferably set to 2 to 10 mm. When the voltage applied between the electrodes 11 and 12 is an alternating voltage (AC voltage), the frequency is 1 kHz to 2 kHz.
00 MHz can be set. Further, the density of the applied power applied to the discharge space 18 is 20 to 3500 W /
cm 3 can be set. Density of applied power (W /
cm 3 ) is defined as (applied power applied to discharge space 18 / volume of discharge space 18). Further, it is preferable that the gas flow rate at the blowout port 4 of the reaction vessel 5 (the blowout rate of the plasma 6) be 2 m / sec or more, whereby the contaminant 3 can be removed efficiently. The gas flow speed can be adjusted to a predetermined speed by changing the introduction speed of the plasma generating gas into the reaction vessel 5 or changing the opening area of the outlet 4, for example. Also, the higher the gas flow rate, the better, so no upper limit is set.
【００３４】上記のようにこの実施の形態では、開口部
２を有するレジスト膜２６を形成したプリント配線板１
４の表面にプラズマ６を吹き付けることによって、開口
部２から露出する導体回路２５の露出部分２５ａ及びそ
の周辺に残存する汚染物質３をプラズマ６の活性種で分
解（灰化）して吹き飛ばして除去することができ、汚染
物質３の除去処理を行うことができるものである。しか
も、プラズマ６をプラズマジェットとしてプリント配線
板１４に吹き付けるので、真空中でのプラズマ処理に比
べて、プリント配線板１４に高い圧力（流速）でプラズ
マ６を供給することができ、高アスペクト比の開口部２
であってもプラズマ６が開口部２内に導入されやすくな
って、開口部２の開口よりも遠い部分（開口部２の底部
など）にも確実にプラスマ６を到達させることができて
汚染物質３の除去処理を施すことができ、開口部２の内
面を簡単に均一にクリーニング（洗浄）することができ
るものである。As described above, in this embodiment, the printed wiring board 1 on which the resist film 26 having the opening 2 is formed.
By spraying the plasma 6 on the surface of the substrate 4, the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 exposed from the opening 2 and the contaminant 3 remaining around the exposed portion are decomposed (ashed) by the active species of the plasma 6 and blown off to remove. And a removal process of the contaminants 3 can be performed. In addition, since the plasma 6 is sprayed on the printed wiring board 14 as a plasma jet, the plasma 6 can be supplied to the printed wiring board 14 at a higher pressure (flow rate) than the plasma processing in a vacuum, and a high aspect ratio can be obtained. Opening 2
However, the plasma 6 can be easily introduced into the opening 2, and the plasma 6 can reliably reach the portion farther than the opening of the opening 2 (such as the bottom of the opening 2), and contaminants 3, the inner surface of the opening 2 can be easily and uniformly cleaned (washed).
【００３５】また、この実施の形態では大気圧近傍の圧
力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器内
を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、処理装置が大掛かりにならないようにすることがで
きるものであり、しかも、プリント配線板１４を一つず
つ真空容器内に入れて処理する必要が無く、搬送手段１
５により多数個のプリント配線板１４を連続的に搬送し
ながら各プリント配線板１４の全長に亘って汚染物質３
の除去処理を施すことができ、汚染物質３の除去処理を
効率よく行うことができるものである。Further, in this embodiment, since the plasma processing is performed under a pressure close to the atmospheric pressure, no means such as a vacuum vessel or a vacuum pump for evacuating the inside of the vacuum vessel is required, and the processing apparatus is large. In addition, there is no need to process the printed wiring boards 14 one by one in a vacuum vessel.
5, while continuously transporting a large number of printed wiring boards 14, the contaminants 3
And the contaminant 3 can be efficiently removed.
【００３６】また、この実施の形態では反応容器５の内
面に沿った電気力線が形成されるように、反応容器５を
挟んで対向しないように電極１１、１２を配置するの
で、反応容器５の内面に対して垂直方向に電気力線が生
じにくくなって電気力線による反応容器５の劣化を少な
くすることができ、反応容器５の内面からその構成物質
が飛び出しにくくなってプリント配線板１４が不純物に
より汚染されるのを少なくすることができるものであ
る。すなわち、反応容器５を挟んで対向するように電極
１１、１２を対向させて配置すると、図８（ｂ）に示す
ように反応容器５の内面に対して直交方向に電気力線ａ
が形成されることになって、電気力線ａによる反応容器
５の劣化が大きくなるが、上記実施の形態では反応容器
５の内面に沿った電気力線ａが形成されるように、電極
１１、１２を互いに上下に対向するように配置するの
で、図８（ａ）に示すように放電空間１８内において電
極１１、１２の間に反応容器５の内面に沿った上下方向
の電気力線ａが形成されることになって、電気力線によ
る反応容器５の劣化を少なくすることができるものであ
る。In this embodiment, the electrodes 11 and 12 are arranged so as not to face each other across the reaction vessel 5 so that electric lines of electric force are formed along the inner surface of the reaction vessel 5. The lines of electric force are less likely to be generated in the direction perpendicular to the inner surface of the reaction vessel 5, and the deterioration of the reaction vessel 5 due to the lines of electric force can be reduced. Can be reduced from being contaminated by impurities. That is, when the electrodes 11 and 12 are disposed so as to face each other with the reaction vessel 5 interposed therebetween, as shown in FIG.
Is formed, the deterioration of the reaction vessel 5 due to the lines of electric force a increases, but in the above embodiment, the electrodes 11 are formed so that the lines of electric force a along the inner surface of the reaction vessel 5 are formed. , 12 are arranged so as to face each other up and down, and therefore, as shown in FIG. Is formed, so that deterioration of the reaction vessel 5 due to lines of electric force can be reduced.
【００３７】図３（ａ）（ｂ）に他の実施の形態を示
す。この実施の形態において反応容器５はその厚み方向
（厚み方向を矢印Ｂで示す）に並んで対向する一対の側
壁５ａと、反応容器５の幅方向（幅方向を矢印Ａで示
す）に並んで対向する一対の側壁５ｂと、反応容器５の
下面を構成する矩形状（底面視で長方形）の底部５ｃと
で有底の角形筒状に形成されている。また、反応容器５
の上面はガス導入口１６として略全面に亘って開放され
ていると共に底部５ｃの外面である反応容器５の下面は
ほぼ平坦な面で形成されている。そして、図３（ｂ）に
示すように、反応容器５の下面の厚み方向の略中央部に
は反応容器５の長手方向（幅方向）と平行な方向に長く
て幅広の吹き出し口４が形成されている。吹き出し口４
はスリット状であって、反応容器５の底部５ｃを貫通し
て反応容器５内の放電空間１８と連通している。FIGS. 3A and 3B show another embodiment. In this embodiment, the reaction vessel 5 is arranged side by side with a pair of side walls 5a facing each other in the thickness direction (the thickness direction is indicated by an arrow B) and in the width direction of the reaction vessel 5 (the width direction is indicated by an arrow A). A pair of opposed side walls 5b and a rectangular (rectangular when viewed from the bottom) bottom 5c constituting the lower surface of the reaction vessel 5 are formed in a bottomed rectangular cylindrical shape. In addition, the reaction vessel 5
Is open as a gas inlet 16 over substantially the entire surface, and the lower surface of the reaction vessel 5, which is the outer surface of the bottom 5c, is formed as a substantially flat surface. As shown in FIG. 3 (b), a long and wide outlet 4 is formed substantially in the center of the lower surface of the reaction vessel 5 in the thickness direction in a direction parallel to the longitudinal direction (width direction) of the reaction vessel 5. Have been. Outlet 4
Has a slit shape, penetrates the bottom 5 c of the reaction vessel 5, and communicates with the discharge space 18 in the reaction vessel 5.
【００３８】反応容器５は厚み寸法よりも幅寸法が非常
に大きく形成された扁平形状であって、反応容器５の厚
み方向（幅狭方向）における内寸Ｗ、すなわち、反応容
器５の厚み方向（幅狭方向）に並んで対向する一対の側
壁５ａの内面の対向間隔Ｗは、０．１〜５ｍｍに形成す
るのが好ましい。このように反応容器５の厚み方向の内
寸Ｗを０．１〜５ｍｍにすることによって、放電空間１
８の体積が比較的小さくなって、放電空間１８における
単位空間あたりの電力を高くすることができ、つまり、
放電空間１８における放電空間密度を上げることがで
き、低電力化及び小ガス流量化を図ることができるもの
であり、しかも、プラズマの生成効率が高まって、プラ
ズマ処理（汚染物質３の除去処理）の能力を向上させる
ことができるものである。The reaction vessel 5 has a flat shape whose width is much larger than its thickness. The facing distance W between the inner surfaces of the pair of side walls 5a facing each other in the (narrow direction) is preferably set to 0.1 to 5 mm. By setting the inner dimension W in the thickness direction of the reaction vessel 5 to 0.1 to 5 mm in this manner, the discharge space 1
8, the power per unit space in the discharge space 18 can be increased, that is,
The discharge space density in the discharge space 18 can be increased, the power consumption can be reduced, and the gas flow rate can be reduced. In addition, the plasma generation efficiency is increased, and the plasma processing (removal of the contaminant 3) is performed. Ability can be improved.
【００３９】電圧印加手段１３は電極１１、１２が角形
環状に形成されていること以外は上記の実施の形態と同
様に構成されており、また、電極１１、１２は上記と同
様にして反応容器５の外側に配設されている。そして、
電極１１、１２の間に対応する位置において反応容器５
内には放電空間１８が形成されている。搬送手段１５は
図４に示すように、反応容器５の吹き出し口４の下側に
おいて、モーター等の駆動機（図示省略）によって一方
向に略水平に進行するベルトで形成されている。The voltage applying means 13 has the same configuration as that of the above-mentioned embodiment except that the electrodes 11 and 12 are formed in a rectangular ring shape. 5 is arranged outside. And
At a position corresponding to between the electrodes 11 and 12, the reaction vessel 5
A discharge space 18 is formed therein. As shown in FIG. 4, the transporting means 15 is formed by a belt that travels substantially horizontally in one direction by a driving device (not shown) such as a motor below the outlet 4 of the reaction vessel 5.
【００４０】このように形成されるプリント配線板１４
のクリーニング処理に用いる処理装置は、レジストを塗
布するなどして開口部２を形成したプリント配線板１４
に適用することができるものである。以下に、上記のプ
リント配線板１４の処理装置を用いて汚染物質３の除去
処理を行うようにしたプリント配線板１４の製造方法及
びレジスト膜２６の形成方法の例を説明する。The printed wiring board 14 thus formed
The processing apparatus used for the cleaning process of the printed wiring board 14 in which the opening 2 is formed by applying a resist or the like is used.
It can be applied to Hereinafter, an example of a method of manufacturing the printed wiring board 14 and a method of forming the resist film 26 in which the contaminant 3 is removed using the above-described processing apparatus for the printed wiring board 14 will be described.
【００４１】まず、図５（ａ）に示すように、銅箔など
の金属箔２０を表面に有する樹脂基板２１を用意する。
この樹脂基板２１としては、エポキシ、フェノール、ポ
リイミド、ＢＴなどの樹脂層２２に金属箔２０を張り付
けた金属箔張り積層板（金属箔２０が銅箔の場合は銅張
り積層板）、または金属箔２０にエポキシ樹脂などの樹
脂を塗工して樹脂層２２を形成した樹脂付き金属箔（金
属箔２０が銅箔の場合は樹脂付き銅箔）を用いることが
できる。以下は、樹脂基板２１として銅張り積層板を例
にして導体回路２５である銅回路パターンを形成する方
法を説明するが、銅箔以外の他の金属箔であっても同様
に行うことができる。First, as shown in FIG. 5A, a resin substrate 21 having a metal foil 20 such as a copper foil on the surface is prepared.
As the resin substrate 21, a metal foil-clad laminate in which a metal foil 20 is adhered to a resin layer 22 of epoxy, phenol, polyimide, BT, or the like (a copper-clad laminate when the metal foil 20 is a copper foil) A resin-coated metal foil (a copper foil with a resin when the metal foil 20 is a copper foil) in which a resin layer 22 is formed by applying a resin such as an epoxy resin to the resin 20 can be used. In the following, a method of forming a copper circuit pattern, which is a conductor circuit 25, using a copper-clad laminate as an example of the resin substrate 21 will be described. .
【００４２】まず、図５（ｂ）に示すように、樹脂基板
２１の表面全面にドライフィルム２３を張り付けた後、
図５（ｃ）に示すように、必要な回路パターンを形取っ
たマスクフィルム２４をドライフィルム２３の表面に密
着させる。この状態で、図５（ｄ）に示すように、紫外
線（矢印で示す）を照射して露光処理を行うと、紫外線
が通過した部分のドライフィルム２３が硬化する。この
後、図５（ｅ）に示すように、マスクフィルム２４を取
り除いてから、図５（ｆ）に示すように、現像処理にて
ドライフィルム２３の未硬化部分２３ｂを除去する。続
いて、銅エッチング液にてエッチングすると、図５
（ｇ）に示すように、硬化したドライフィルム２３ａで
覆われていない部分の銅箔が除去される。最後に、硬化
したドライフィルム２３ａを除去すると、図５（ｈ）で
示すように、導体回路２５である銅回路（パターン）を
形成することができるものである。First, as shown in FIG. 5B, after a dry film 23 is attached to the entire surface of the resin substrate 21,
As shown in FIG. 5C, a mask film 24 having a required circuit pattern is brought into close contact with the surface of the dry film 23. In this state, as shown in FIG. 5D, when an exposure process is performed by irradiating ultraviolet rays (indicated by arrows), the dry film 23 in the portion where the ultraviolet rays have passed is hardened. Thereafter, as shown in FIG. 5E, the mask film 24 is removed, and then, as shown in FIG. 5F, the uncured portion 23b of the dry film 23 is removed by a developing process. Subsequently, when etching is performed using a copper etching solution, FIG.
As shown in (g), the portion of the copper foil not covered with the cured dry film 23a is removed. Finally, when the cured dry film 23a is removed, a copper circuit (pattern) as the conductor circuit 25 can be formed as shown in FIG.
【００４３】尚、導体回路２５は上記のように銅箔から
形成するだけでなく、ビルドアップ基板などの多層基板
の樹脂表面に施されるような銅めっきを用いて形成した
り、銅箔表面に銅めっきを施したりして形成したもので
あっても構わない。The conductor circuit 25 is formed not only from copper foil as described above, but also by using copper plating applied to the resin surface of a multilayer board such as a build-up board, or by using a copper foil surface. It may be formed by applying copper plating to the surface.
【００４４】このようにして導体回路２５を形成したプ
リント配線板１４に、スクリーン印刷等の印刷によって
液状フォトレジストやインキを塗布し、加熱や光照射な
どによりレジストを硬化させてレジスト膜２６を形成す
ることによって、図５（ｉ）に示すように、導体回路２
５のパット部以外の部分をレジスト膜２６で保護し、且
つ導体回路２５のパット部をレジスト膜２６の開口部２
から露出させる。そして、このようにして製造したプリ
ント配線板１４をプラズマ処理することによって、導体
回路２５の露出部分２５ａ及び開口部２に残存する汚染
物質３、すなわち、現像処理や銅エッチング処理時の溶
解物、スクリーン印刷等の印刷時のマスクの接触による
汚染、印刷時の液状フォトレジストやインキのはみ出し
によるレジストやインキの付着物を除去するのが本発明
のプリント配線板１４の処理方法である。A liquid photoresist or ink is applied to the printed wiring board 14 on which the conductor circuit 25 is formed by printing such as screen printing, and the resist is cured by heating or light irradiation to form a resist film 26. By doing so, as shown in FIG.
5 is protected by a resist film 26 except for the pad portion, and the pad portion of the conductive circuit 25 is protected by the opening 2 of the resist film 26.
Expose from. Then, the printed wiring board 14 manufactured in this manner is subjected to the plasma processing, so that the contaminants 3 remaining in the exposed portions 25a and the openings 2 of the conductor circuits 25, that is, the dissolved substances during the development processing and the copper etching processing, The treatment method of the printed wiring board 14 of the present invention is to remove contamination due to contact of a mask at the time of printing such as screen printing, and removal of deposits of resist and ink due to protrusion of liquid photoresist and ink at the time of printing.
【００４５】上記のようなプリント配線板１４の処理装
置を用いて汚染物質３の除去処理を行うようにしたプリ
ント配線板１４の製造方法として、特に、３００μｍφ
以下と微小な開口部２を形成する場合の一例は以下に示
す方法である。As a method for manufacturing the printed wiring board 14 in which the contaminant 3 is removed by using the processing apparatus for the printed wiring board 14 described above, in particular, 300 μmφ
The following is an example of forming a minute opening 2 by the following method.
【００４６】上記の図５（ａ）〜図５（ｈ）と同様の工
程を行って、図６（ａ）に示すように導体回路２５を形
成した後、図６（ｂ）に示すように、プリント配線板１
４の表面全体に液状フォトレジスト２７を塗工し、この
後、図６（ｃ）に示すように、必要な回路パターンを形
取ったマスクフィルム２４を密着させる。この状態で、
図６（ｄ）に示すように、紫外線（矢印で示す）を照射
して露光処理を行うと、紫外線が通過した部分の液状フ
ォトレジスト２７が硬化する。この後、マスクフィルム
２４を取り除いてから、現像処理にて液状フォトレジス
ト２７の未硬化部分２７ｂを除去すると、図６（ｅ）で
示すように、導体回路２５のパット部以外の部分を液状
レジスト２７の硬化物であるレジスト膜２６で保護し、
且つ導体回路２５のパット部をレジスト膜２６の開口部
２から露出させることができる。5A to 5H, the conductor circuit 25 is formed as shown in FIG. 6A, and then, as shown in FIG. , Printed wiring board 1
4 is coated with a liquid photoresist 27, and thereafter, as shown in FIG. 6 (c), a mask film 24 having a required circuit pattern is adhered thereto. In this state,
As shown in FIG. 6D, when exposure processing is performed by irradiating ultraviolet rays (indicated by arrows), the liquid photoresist 27 in the portion where the ultraviolet rays have passed is hardened. After that, after the mask film 24 is removed, the uncured portion 27b of the liquid photoresist 27 is removed by a developing process. As shown in FIG. 27 protected by a resist film 26 which is a cured product,
In addition, the pad portion of the conductor circuit 25 can be exposed from the opening 2 of the resist film 26.
【００４７】尚、この場合に用いる導体回路２５も銅箔
から形成するだけでなく、銅めっきを用いて形成した
り、銅箔表面に銅めっきを施したりして形成したもので
あっても構わない。そして、このようにして製造したプ
リント配線板１４をプラズマ処理することによって、導
体回路２５の露出部分２５ａ及び開口部２に残存する汚
染物質３、すなわち、現像処理時のレジスト除去不足に
よる残存物やレジスト除去時の溶解物等を除去するのが
本発明のプリント配線板１４の処理方法である。The conductor circuit 25 used in this case may be formed not only from copper foil but also by copper plating or copper plating on the copper foil surface. Absent. By subjecting the printed wiring board 14 thus manufactured to plasma treatment, the contaminants 3 remaining in the exposed portions 25a and the openings 2 of the conductor circuits 25, that is, residuals due to insufficient removal of the resist during the development processing, The method for treating the printed wiring board 14 of the present invention is to remove dissolved substances and the like at the time of removing the resist.
【００４８】上記の方法で用いられる液状フォトレジス
ト２７としては、エポキシ樹脂やエポキシアクリレート
樹脂が好ましい。これらの樹脂は汚染物質３として付着
した場合であっても、反応性ガスとして酸素を用いた酸
素プラズマ処理により容易に除去することができるもの
であり、従って、導体回路２５の露出部分２５ａ及び開
口部２の周辺に残存してもプラズマ処理で容易に効果的
に除去することができるものである。The liquid photoresist 27 used in the above method is preferably an epoxy resin or an epoxy acrylate resin. Even if these resins adhere as contaminants 3, they can be easily removed by oxygen plasma treatment using oxygen as a reactive gas. Even if it remains around the portion 2, it can be easily and effectively removed by plasma processing.
【００４９】この時使用する図１のようなプリント配線
板１４の処理装置では、プラズマ６が生成されて吹き出
し口４から吹き出されている。つまり、上述のように、
ガス導入口１６から反応容器５内にプラズマ生成用ガス
を導入すると共に反応容器５内でプラズマ生成用ガスを
上から下に流して放電空間１８に導入し、次に、電源１
７により電極１１、１２間にパルス状の電圧又は交番す
る電圧を印加し、この電圧の印加により大気圧近傍の圧
力下で放電空間１８にグロー状の放電を発生させると共
にグロー状の放電でプラズマ生成用ガスをプラズマ化し
てプラズマ活性種を含むプラズマ６を生成し、この後、
プラズマ６を吹き出し口４から下方にプラズマジェット
として流出させている。このような処理装置ではスポッ
ト状のプラズマジェットが吹き出ているので、搬送台等
の搬送手段１５でプリント配線板１４を搬送することに
よって、プリント配線板１４を直線状にプラズマ処理す
ることができるものであり、従って、処理したい導体回
路２５の露出部分２５ａ及び開口部２が直線状に並んで
いるようなプリント配線板１４であれば、汚染物質３の
除去処理を効率的に行うことができるものである。In the processing apparatus for the printed wiring board 14 shown in FIG. 1 used at this time, the plasma 6 is generated and blown out from the blowout port 4. That is, as described above,
The gas for plasma generation is introduced into the reaction vessel 5 from the gas inlet 16 and the gas for plasma generation flows from top to bottom in the reaction vessel 5 and is introduced into the discharge space 18.
7, a pulse-like voltage or an alternating voltage is applied between the electrodes 11 and 12, and by applying this voltage, a glow-like discharge is generated in the discharge space 18 under a pressure near the atmospheric pressure, and plasma is generated by the glow-like discharge. The generation gas is turned into plasma to generate a plasma 6 containing plasma active species.
The plasma 6 flows out from the outlet 4 downward as a plasma jet. In such a processing apparatus, since the spot-shaped plasma jet is blown out, the printed wiring board 14 can be linearly plasma-processed by transporting the printed wiring board 14 by the transport means 15 such as a transport table. Therefore, if the printed wiring board 14 is such that the exposed portion 25a and the opening 2 of the conductor circuit 25 to be processed are arranged in a straight line, the removal of the contaminants 3 can be performed efficiently. It is.
【００５０】また、図３、４に示す処理装置では、幅を
持ったプラズマジェットが吹き出されるように吹き出し
口４をスリット状に形成するので、カーテンのような幅
を持ったプラズマ６を吹き出し口４から吹き出しながら
プリント配線板１４あるいは処理装置あるいは反応容器
５を吹き出し口４の長手方向と直交する方向に移動させ
てプリント配線板１４の表面全面にプラズマを走査して
吹き付けることによって、スポット的なプラズマ６を吹
き出すものに比べてプリント配線板１４の広い面積を一
度にプラズマ処理することができ、広い表面積を有する
プリント配線板１４の処理時間を短くすることができる
ものである。従って、搬送台等の搬送手段１５でプリン
ト配線板１４を搬送することによって、プリント配線板
１４の広い面積をプラズマ処理することができるもので
あり、処理したい導体回路２５の露出部分２５ａ及び開
口部２が広域に分布しているようなプリント配線板１４
であれば、汚染物質３の除去処理を効率的に行うことが
できるものである。Also, in the processing apparatus shown in FIGS. 3 and 4, the outlet 4 is formed in a slit shape so that a wide plasma jet is blown out. By moving the printed wiring board 14, the processing device or the reaction vessel 5 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the blowing port 4 while blowing out from the port 4, and scanning and blowing the plasma over the entire surface of the printed wiring board 14, a spot-like state is obtained. Compared to a device that blows out the simple plasma 6, a large area of the printed wiring board 14 can be plasma-processed at a time, and the processing time of the printed wiring board 14 having a large surface area can be shortened. Therefore, a large area of the printed wiring board 14 can be subjected to the plasma processing by transporting the printed wiring board 14 by the transporting means 15 such as a transport table. Printed wiring board 14 in which 2 is distributed over a wide area
If it is, the removal processing of the contaminant 3 can be performed efficiently.
【００５１】ところで、プリント配線板１４の導体回路
２５の露出部分２５ａ及び開口部２に付着しているレジ
ストの残存物などの汚染物質３が大きかったり汚染が激
しかったりすると、上記のようなプラズマ処理による汚
染物質３の除去処理を施しても完全に汚染物質３を除去
できない恐れがある。そこで、このような場合には薬品
を用いたエッチング処理をプラズマ処理の前に予め行う
ことによって、大きな汚染物質３を除去した後に、依然
として残存している汚染物質３をプラズマ処理によって
除去することが効率的な汚染物質３の除去を行うために
は好ましい。By the way, the conductor circuit of the printed wiring board 14
25 are exposed at the exposed portion 25a and the opening 2
Pollutant 3 such as residue of strike is large or very polluting
If it does, the contamination by the plasma treatment as described above may occur.
Completely removes contaminants 3 even after removal of dye 3
It may not be possible. Therefore, in such a case,
Pre-etching process using plasma before plasma processing
By removing large pollutants 3
Contaminants 3 remaining as
For efficient removal of pollutants 3
Is preferred.
【００５２】エッチング処理としては、銅回路の表面の
酸化膜を除去する目的で用いられているソフトエッチン
グ処理などを例示することができ、このソフトエッチン
グ処理に使用される薬品としては、塩化第二銅エッチン
グ液、塩化第二鉄エッチング液、過硫酸アンモニウムエ
ッチング液、過酸化水素と硫酸の混合エッチング液、ア
ルカリエッチング液などがあり、これをそのまま本発明
のエッチング処理に適用することができる。Examples of the etching treatment include a soft etching treatment used for removing an oxide film on the surface of a copper circuit, and a chemical used for the soft etching treatment is a secondary chloride. There are a copper etching solution, a ferric chloride etching solution, an ammonium persulfate etching solution, a mixed etching solution of hydrogen peroxide and sulfuric acid, an alkali etching solution, and the like, which can be directly applied to the etching treatment of the present invention.
【００５３】そして、このようなエッチング処理によっ
て酸化膜を除去する際に、導体回路２５の露出部分２５
ａや開口部２に付着している汚染物質３を溶解したりエ
ッチング液により洗い流したりして、大きな汚染物質３
を除去した後に、依然として残存している汚染物質３を
上記のプラズマ処理で除去して導体回路２５の露出部分
２５ａを効率的に洗浄しておくことによって、導体回路
２５の露出部分２５ａにめっき処理を施した際にめっき
の密着性や濡れ性が向上し、めっきの品質を効果的に安
定にすることができるものである。When the oxide film is removed by such an etching process, the exposed portion 25 of the conductor circuit 25 is removed.
a and the contaminants 3 attached to the openings 2 are dissolved or washed away with an etching solution to remove the large contaminants 3.
Is removed, the remaining contaminants 3 are removed by the above-described plasma treatment, and the exposed portions 25a of the conductor circuits 25 are efficiently cleaned, so that the exposed portions 25a of the conductor circuits 25 are plated. When applied, the adhesion and wettability of the plating are improved, and the quality of the plating can be effectively stabilized.
【００５４】また、プリント配線板１４の導体回路２５
の露出部分２５ａ及び開口部２に付着しているレジスト
の残存物などの汚染物質３を除去するために、反応性ガ
スとして酸素を用いたプラズマ処理を行うことを提案し
たが、導体回路２５の露出部分２５ａの汚染物質３を効
率的に完全に除去するために酸素を用いたプラズマ処理
を過剰に行うと、汚染物質３を除去した後の導体回路２
５の露出部分２５ａの表面が酸化してしまい、めっきの
密着性や濡れ性の向上が不十分になる恐れがある。The conductor circuit 25 of the printed wiring board 14
In order to remove the contaminant 3 such as the residue of the resist adhering to the exposed part 25a and the opening 2 of the conductor circuit 25, a plasma treatment using oxygen as a reactive gas has been proposed. If the plasma treatment using oxygen is excessively performed in order to efficiently and completely remove the contaminant 3 from the exposed portion 25a, the conductor circuit 2 after removing the contaminant 3
The surface of the exposed portion 25a of No. 5 may be oxidized, and the adhesion and wettability of the plating may be insufficiently improved.
【００５５】そこで、酸素を用いたプラズマ処理の直後
に連続して、反応性ガスとして水素を用いたプラズマ処
理を行うことによって、水素による還元効果を用いて導
体回路２５の露出部分２５ａの表面を純粋な金属膜にす
ることができ、めっきの密着性や濡れ性を高めることが
できる。この場合、酸素を用いたプラズマ処理を行う処
理装置に連続して、同一の搬送手段１５にプリント配線
板１４を載せたまま、水素を用いたプラズマ処理を行う
ことができるように、図９に示すように、酸素を用いた
プラズマ６ａを吹き出す反応容器５と、水素を用いたプ
ラズマ６ｂを吹き出す反応容器５とをプリント配線板１
４の搬送方向に対してほぼ平行に並べて配置すればよ
い。Therefore, the plasma treatment using hydrogen as a reactive gas is performed immediately after the plasma treatment using oxygen, so that the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 is reduced by the reduction effect of hydrogen. A pure metal film can be formed, and adhesion and wettability of plating can be improved. In this case, FIG. 9 shows that the plasma processing using hydrogen can be performed while the printed wiring board 14 is placed on the same transporting means 15 continuously to the processing apparatus that performs the plasma processing using oxygen. As shown, the reaction vessel 5 that blows out the plasma 6a using oxygen and the reaction vessel 5 that blows out the plasma 6b using hydrogen are connected to the printed wiring board 1.
4 may be arranged substantially parallel to the transport direction.
【００５６】以上のようなプラズマ処理を行って、プリ
ント配線板１４の導体回路２５の露出部分２５ａや開口
部２内に付着した汚染物質３を除去した後、清浄になっ
た導体回路２５の露出部分２５ａの表面にめっきを施し
て図７に示すような実装パッドを形成することができ
る。この場合のめっきとしては、無電解めっきと電解め
っきのどちらでもよく、また、あらゆる金属めっきを施
すことが可能である。特に、ワイヤーボンディング実装
やバンプ実装を行う実装パッドを形成する場合には、導
体回路２５の露出部分２５ａの表面にニッケルめっきを
施してニッケル膜２８を形成する場合が一般的に多く、
さらに、このニッケル膜２８の表面には、酸化防止や実
装性向上のために、厚みが薄い金めっき膜２９を金めっ
きにより形成する場合が多い。そして、導体回路２５の
露出部分２５ａを清浄しておけば、ニッケルめっきを容
易におこなうことができるので、実装パッドの形成は、
本発明のように、導体回路２５の露出部分２５ａの表面
にプラズマ処理による汚染物質３の除去処理を行った
後、ニッケルめっきを施すのが効果的である。After the above-described plasma processing is performed to remove the contaminant 3 attached to the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 of the printed wiring board 14 and the opening 2, the exposed portion of the cleaned conductor circuit 25 is exposed. The surface of the portion 25a can be plated to form a mounting pad as shown in FIG. In this case, the plating may be either electroless plating or electrolytic plating, and any metal plating may be applied. In particular, when a mounting pad for performing wire bonding mounting or bump mounting is formed, a nickel film is generally formed on the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 by nickel plating.
Further, on the surface of the nickel film 28, a thin gold plating film 29 is often formed by gold plating in order to prevent oxidation and improve mountability. If the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 is cleaned, nickel plating can be easily performed.
As in the present invention, it is effective to subject the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 to the removal of the contaminant 3 by plasma treatment and then to apply nickel plating.
【００５７】図１０に他の実施の形態を示す。このプリ
ント配線板１４の処理装置はプラズマ放電中に多数のス
トリーマを発生させ、このストリーマをプリント配線板
１４に作用させて汚染物質３の除去処理としてのプラズ
マ処理の処理速度を速めるものである。尚、ストリーマ
とは比較的電流密度が高く、フィラメント状（線状）
で、比較的（グロー状の放電に比べて）発光輝度の高い
放電を指す。ちなみに、グロー状の放電とは、ミクロ的
には非常に微細なマイクロディスチャージの集合体であ
り、マクロ的には非常に均質で比較的電流密度が低く、
発光輝度が低い放電を指す。FIG. 10 shows another embodiment. The processing apparatus for the printed wiring board 14 generates a large number of streamers during the plasma discharge, and acts on the printed wiring board 14 to increase the processing speed of the plasma processing as the processing for removing the contaminants 3. The streamer has a relatively high current density and a filament (linear) shape.
Means a discharge having a relatively high emission luminance (compared to a glow-like discharge). By the way, a glow-like discharge is an aggregate of very fine micro-discharges on a micro scale, very homogeneous on a macro scale, and has a relatively low current density.
Discharge with low light emission luminance.
【００５８】反応容器５は上記と同様の高融点の絶縁材
料（誘電体材料）で形成されるものである。また、反応
容器５は厚み方向（矢印Ｂで示す）に並んで対向する一
対の側壁５ａと、幅方向（矢印Ａで示す）に並んで対向
する一対の側壁５ｂとで四周面が囲まれて角形筒状に形
成されている。また、反応容器５は厚み寸法よりも幅寸
法が非常に大きくなるように扁平形状に形成されてお
り、反応容器５の幅方向が幅広方向として形成されてい
る。The reaction vessel 5 is formed of the same high-melting-point insulating material (dielectric material) as described above. Further, the reaction vessel 5 is surrounded on its four circumferential surfaces by a pair of side walls 5a facing each other side by side in the thickness direction (indicated by arrow B) and a pair of side walls 5b side by side in the width direction (indicated by arrow A). It is formed in a rectangular cylindrical shape. Further, the reaction vessel 5 is formed in a flat shape so that the width dimension is much larger than the thickness dimension, and the width direction of the reaction vessel 5 is formed as the wide direction.
【００５９】反応容器５の上面にはガス導入口１６が、
反応容器５の下面には吹き出し口４がそれぞれ形成され
ている。ガス導入口１６は反応容器５の内側の空間に連
通する開口部であって、ガス導入口１６の開口面積を吹
き出し口４の開口面積よりも小さく形成し、且つガス導
入口１６の中心が反応容器５の筒軸Ｇ上に位置するよう
にしてガス導入口１６を反応容器５の上面に開口して形
成したものである。吹き出し口４は反応容器５の内側の
空間に連通する開口部であって、反応容器５の下面を略
全面に亘って開放することにより形成されている。そし
て、ガス導入口１６と吹き出し口４は後述の放電空間１
８を挟んで反応容器５の筒軸方向（反応容器５の高さ方
向（上下方向）であって、矢印Ｃで示す）で対向するよ
うに形成されている。A gas inlet 16 is provided on the upper surface of the reaction vessel 5.
The outlet 4 is formed on the lower surface of the reaction vessel 5. The gas inlet 16 is an opening communicating with the space inside the reaction vessel 5, the opening area of the gas inlet 16 is formed smaller than the opening area of the outlet 4, and the center of the gas inlet 16 is The gas introduction port 16 is formed so as to be located on the cylinder axis G of the vessel 5 and open to the upper surface of the reaction vessel 5. The outlet 4 is an opening communicating with the space inside the reaction vessel 5 and is formed by opening the lower surface of the reaction vessel 5 over substantially the entire surface. The gas inlet 16 and the outlet 4 are connected to a discharge space 1 described later.
8 are formed so as to face each other in the cylinder axis direction of the reaction vessel 5 (in the height direction (up and down direction) of the reaction vessel 5 and indicated by an arrow C).
【００６０】このようにガス導入口１６の開口面積を吹
き出し口４の開口面積よりも小さく形成し、且つガス導
入口１６の中心が反応容器５の筒軸Ｇ上に位置するよう
にしてガス導入口１６を反応容器５の上面に開口して形
成することによって、非放電時での反応容器５の吹き出
し口４の直下におけるガス流速は、反応容器５の幅広方
向の略中央部において最も速くなり、反応容器５の幅広
方向の端部になるほど徐々に遅くなるような分布とな
る。すなわち、この処理装置では放電空間１８に供給さ
れるプラズマ生成用ガスのガス流速が筒軸Ｇ上において
最高速となるようにプラズマ生成用ガスを供給すること
によって、ストリーマを放電空間１８の全域に亘って均
一化することができるものであり、放電中での反応容器
５の吹き出し口４の直下におけるプラズマの流速分布は
ほぼ均一になり、従って、ほぼ均一なプラズマ処理が可
能となるものである。As described above, the gas inlet 16 is formed so that the opening area of the gas inlet 16 is smaller than the opening area of the outlet 4, and the center of the gas inlet 16 is located on the cylinder axis G of the reaction vessel 5. By forming the opening 16 on the upper surface of the reaction vessel 5, the gas flow rate immediately below the outlet 4 of the reaction vessel 5 at the time of non-discharge is highest at a substantially central portion in the wide direction of the reaction vessel 5. The distribution becomes gradually slower toward the end of the reaction vessel 5 in the wide direction. That is, in this processing apparatus, the streamer is supplied to the entire discharge space 18 by supplying the plasma generation gas such that the gas flow rate of the plasma generation gas supplied to the discharge space 18 is the highest on the cylinder axis G. Thus, the flow velocity distribution of the plasma immediately below the outlet 4 of the reaction vessel 5 during discharge becomes substantially uniform, and therefore, a substantially uniform plasma processing can be performed. .
【００６１】放電中の放電空間１８に図１１に示すよう
な流速分布を有するプラズマ生成用ガスを供給しても、
図１２に示すように、吹き出し口４の直下におけるプラ
ズマの流速がフラットで均一な分布になるのは、プラズ
マ生成用ガスの急激な温度上昇に伴う体積膨張により、
放電空間１８の中央部から端部へとプラズマ生成用ガス
が流れ込むためであると考えられる。そして、この実施
の形態では、ガス導入口１６の開口面積を吹き出し口４
の開口面積よりも小さく形成することによって、供給す
るガス量を増やさずに放電空間１８に高速でプラズマ生
成用ガスを供給することができ、ストリーマの生成を放
電空間１８の全域に亘って均一にしながら、プラズマ処
理に必要なプラズマ生成用ガスの消費量を低減すること
ができ、ランニングコストを低減することができるもの
である。Even if a plasma generating gas having a flow velocity distribution as shown in FIG. 11 is supplied to the discharge space 18 during discharge,
As shown in FIG. 12, the flow velocity of the plasma immediately below the outlet 4 becomes a flat and uniform distribution because of the volume expansion accompanying the rapid temperature rise of the plasma generating gas.
It is considered that this is because the plasma generation gas flows from the center to the end of the discharge space 18. In this embodiment, the opening area of the gas inlet 16 is determined by the outlet 4.
By making the opening area smaller than the opening area, the gas for plasma generation can be supplied to the discharge space 18 at high speed without increasing the amount of gas to be supplied. However, it is possible to reduce the consumption of the plasma generating gas necessary for the plasma processing, and to reduce the running cost.
【００６２】尚、ガス導入口１６の開口面積は狭いほど
放電空間１８の中央部（筒軸Ｇ上）により高速でプラズ
マ生成用ガスを供給することができるが、あまりにも速
すぎると放電空間１８の中央部のプラズマが吹き消され
て均一な処理が行えなくなる。また、反応容器５の長さ
がガス導入口１６側に長くなるほど、すなわちガス導入
口１６と放電空間１８の距離が長くなるほど、放電空間
１８の中央部でのガス流速は徐々に減少していくので、
ガス導入口１６の開口を小さくした効果が減少する恐れ
がある。そこで、放電空間１８にプラズマ生成用ガスが
達する前に高速のガス流速が減衰して飽和状態とならな
いようにするために、ガス導入口１６の開口面積、吹き
出し口４の開口面積、反応容器５の長さ、電極１１、１
２の位置（放電空間１８の位置）、ガス供給量などを設
定するようにする。It should be noted that the smaller the opening area of the gas inlet 16 is, the more quickly the plasma generating gas can be supplied to the central portion (on the cylinder axis G) of the discharge space 18. The plasma in the central part of the gas is blown out and uniform processing cannot be performed. Further, as the length of the reaction vessel 5 increases toward the gas inlet 16, that is, as the distance between the gas inlet 16 and the discharge space 18 increases, the gas flow rate in the central portion of the discharge space 18 gradually decreases. So
There is a possibility that the effect of reducing the opening of the gas inlet 16 may be reduced. Therefore, in order to prevent the high-speed gas flow rate from attenuating before reaching the discharge space 18 and reaching the saturated state, the opening area of the gas inlet 16, the opening area of the outlet 4, the reaction vessel 5 Length, electrodes 11, 1
The position 2 (the position of the discharge space 18), the gas supply amount, and the like are set.
【００６３】また、反応容器５の上側にはヘッダー部４
０が設けられている。ヘッダー部４０は反応容器５と同
様の材料で反応容器５と一体的に形成されている。ま
た、ヘッダー部４０の上部は円筒状に形成されていると
共にヘッダー部４０の下部は下側ほど厚み方向の寸法が
小さくなるように絞り込まれた絞り部４２として形成さ
れている。また、ヘッダー部４０の閉塞された上面には
ガス導入管４３が突設されている。さらに、ヘッダー部
４０（絞り部４２）の下端はガス導入口１６の下側にお
いて反応容器５の外周面の全周に亘って隙間なく接合さ
れている。従って、反応容器５のガス導入口１６はヘッ
ダー部４０の絞り部４２の内側において開口しているも
のである。The header 4 is located above the reaction vessel 5.
0 is provided. The header part 40 is formed integrally with the reaction vessel 5 using the same material as the reaction vessel 5. The upper part of the header part 40 is formed in a cylindrical shape, and the lower part of the header part 40 is formed as a throttle part 42 that is narrowed down such that the dimension in the thickness direction becomes smaller toward the lower side. A gas introduction pipe 43 is protruded from the closed upper surface of the header section 40. Further, the lower end of the header portion 40 (throttle portion 42) is joined without a gap over the entire outer peripheral surface of the reaction vessel 5 below the gas inlet 16. Therefore, the gas inlet 16 of the reaction vessel 5 is open inside the throttle section 42 of the header section 40.
【００６４】このように形成される反応容器５には電極
１１、１２と電源１７から構成される上記と同様の電圧
印加手段１３が設けられており、上側の電極１１の上端
と下側の電極１２の下端の間に対応する位置において、
反応容器５の内側の空間が放電空間１８として形成され
ている。また、反応容器５の吹き出し口４の下側には図
１あるいは図４に示す搬送手段１５を設けることができ
る。The reaction vessel 5 thus formed is provided with the same voltage applying means 13 composed of the electrodes 11 and 12 and the power source 17 as described above. The upper end of the upper electrode 11 and the lower electrode At a position corresponding to between the lower ends of
The space inside the reaction vessel 5 is formed as a discharge space 18. Further, below the outlet 4 of the reaction vessel 5, a transfer means 15 shown in FIG. 1 or 4 can be provided.
【００６５】この処理装置でプラズマ処理（汚染物質３
の除去処理）を行うにあたっては、上記の他の実施の形
態と同様にして行うことができる。つまり、矢印で示
すように、ガス導入管４３を通じてヘッダー部４０内に
プラズマ生成用ガスを供給し、この後、ヘッダー部４０
からガス導入口１６を通じて反応容器５内にプラズマ生
成用ガスを導入し、ガス導入口１６から反応容器５の内
側の空間にプラズマ生成用ガスを上から下に向かって流
して導入すると共に電源１７により電極１１、１２間に
交番する電圧又はパルス状の電圧を印加することによ
り、交番又はパルス状の電界を放電空間１８に印加す
る。そして、この電界の印加により大気圧下あるいはそ
の近傍の圧力下で放電空間１８にプラズマ放電を発生さ
せると共にこのプラズマ放電によりプラズマ生成用ガス
をプラズマ化してプラズマ活性種を含むプラズマを放電
空間１８で生成し、このプラズマを矢印で示すよう
に、吹き出し口４から下方に向かってカーテンのような
幅を持ったプラズマジェットとして連続的に流出させ
て、図１、４に示すように、吹き出し口４の下側に配置
されたプリント配線板１４に吹き付けるようにする。こ
のようにしてプリント配線板１４に上記と同様の汚染物
質３の除去処理を行うことができる。この時、プリント
配線板１４の表面に多数個の開口部２が形成されている
場合には、プラズマ６を吹き出しながらプリント配線板
１４あるいは処理装置あるいは反応容器５を吹き出し口
４の長手方向と直交する方向に移動させ、プリント配線
板１４の表面全面にプラズマ６を走査して吹き付けるよ
うにして汚染物質３の除去処理を行う。さらに、反応容
器５あるいは処理装置又はプリント配線板１４をその移
動方向と直交する方向に振動させることにより、繰り返
しプラズマ６がプリント配線板１４に吹き付けられるこ
とになって汚染物質３の除去処理の度合いを高めること
も可能である。The plasma processing (contaminant 3
(Removal process) can be performed in the same manner as in the other embodiments described above. That is, as shown by the arrow, the plasma generating gas is supplied into the header section 40 through the gas introduction pipe 43, and thereafter, the header section 40 is supplied.
The gas for plasma generation is introduced into the reaction vessel 5 from the gas inlet 16 through the gas inlet 16, and the gas for plasma generation is introduced from the gas inlet 16 into the space inside the reaction vessel 5 by flowing from the top to the bottom, and the power supply 17. By applying an alternating voltage or a pulsed voltage between the electrodes 11 and 12, an alternating or pulsed electric field is applied to the discharge space 18. The application of the electric field generates a plasma discharge in the discharge space 18 under the atmospheric pressure or a pressure in the vicinity of the atmospheric pressure. This plasma is generated and continuously discharged as a plasma jet having a width like a curtain downward from the outlet 4 as shown by an arrow, as shown by arrows, and as shown in FIGS. Is sprayed on the printed wiring board 14 arranged below the printed wiring board 14. Thus, the same contaminant 3 removal processing as described above can be performed on the printed wiring board 14. At this time, if a large number of openings 2 are formed on the surface of the printed wiring board 14, the printed wiring board 14, the processing apparatus or the reaction vessel 5 is blown while the plasma 6 is blown out, and is orthogonal to the longitudinal direction of the blowout port 4. Then, the contaminants 3 are removed by scanning and spraying the plasma 6 over the entire surface of the printed wiring board 14. Further, by vibrating the reaction vessel 5 or the processing apparatus or the printed wiring board 14 in a direction perpendicular to the moving direction, the plasma 6 is repeatedly sprayed on the printed wiring board 14, and the degree of the removal processing of the contaminants 3 is increased. Can also be increased.
【００６６】このプリント配線板１４の処理装置では、
ガス流速の抵抗が限りなく小さくなるように、ヘッダー
部４０を反応容器５のガス導入口１６の上側に設け、プ
ラズマ生成用ガスをヘッダー部４０内に導入した後、ガ
ス導入口１６から反応容器５内に導入するので、反応容
器５のガス導入口１６の全体から反応容器５内にプラズ
マ生成用ガスを偏りなく均一に供給することができ、反
応容器５内に供給されるプラズマ生成用ガスの流速はガ
ス導入口１６の縁部が抵抗となって律せられることにな
る。その結果、反応容器５内には筒軸対称で設計通りの
流速分布と流速を有するプラズマ生成用ガスが供給され
やすくなり、反応容器５の吹き出し口４ではプラズマジ
ェットが均一で一様な流速分布で吹き出されることにな
り、プリント配線板１４に形成された多数個の導体回路
２５の露出部分２５ａ及び開口部２に均一に汚染物質３
の除去処理を施すことができるものである。In the processing apparatus for the printed wiring board 14,
The header 40 is provided above the gas inlet 16 of the reaction vessel 5 so that the resistance of the gas flow rate is as small as possible. After the plasma generating gas is introduced into the header 40, the reaction vessel is introduced through the gas inlet 16. Since the gas is introduced into the reaction vessel 5, the plasma generating gas can be uniformly supplied from the entire gas inlet 16 of the reaction vessel 5 into the reaction vessel 5, and the plasma generating gas supplied into the reaction vessel 5 can be uniformly supplied. Is regulated by the resistance of the edge of the gas inlet 16. As a result, a plasma generating gas having a flow velocity distribution and a flow velocity as designed, which is symmetrical with respect to the cylinder axis, is easily supplied into the reaction vessel 5. In the exposed portions 25a and the openings 2 of the multiple conductor circuits 25 formed on the printed wiring board 14, the contaminants 3 are uniformly blown.
Can be removed.
【００６７】尚、ヘッダー部４０の形状は図１０に示し
たものに限定されず、ガス導入口１６に導入される以前
にプラズマ生成用ガスに流速分布が発生せず、且つガス
導入口１６でプラズマ生成用ガスの流速が律せられるよ
うな構造であればよい。The shape of the header portion 40 is not limited to that shown in FIG. 10, and the flow rate distribution does not occur in the plasma generating gas before being introduced into the gas inlet 16. Any structure may be used as long as the flow rate of the plasma generation gas is restricted.
【００６８】この実施の形態では上記のように反応容器
５の外側に電極１１、１２を上下に対向させて配置する
ことによって、プラズマ放電中に放電空間１８で多数の
ストリーマを発生させやすくしたものである。電極１
１、１２を介して放電空間１８に交番する電界あるいは
パルス状の電界を印加すると放電空間１８で電気力線ａ
が生成されるが、一般的に、この電気力線ａの長さで表
される放電パスが短いほど放電空間１８でグロー状の放
電になりやすく、逆に、放電パスが長くなるほどストリ
ーマを多く含んだ放電形態になりやすいとされている。
従って、この実施の形態のような形状の反応容器５を用
いた場合、図８（ｂ）に示すように、反応容器５の側壁
５ａの外面のみに接触させて電極１１、１２を設けて筒
軸方向に対して垂直な方向に電極１１、１２を対向させ
て配置すると、放電パスが非常に短くなってストリーマ
が発生しにくくなるものである。そこで、この実施の形
態では図８（ａ）に示すように、電極１１、１２を上下
に対向させて配置したもの、すなわち、電極１１、１２
を反応容器５の筒軸方向に並べて配置したものであり、
このことで、プラズマ放電中に放電空間１８で生じる電
気力線ａがほぼ反応容器５の筒軸方向に沿って長く形成
されることになって放電パスが長くなるものであり、多
数のストリーマを含んだプラズマ放電が発生しやすくな
るものである。In this embodiment, as described above, the electrodes 11 and 12 are arranged vertically opposite to each other on the outside of the reaction vessel 5 so that a large number of streamers are easily generated in the discharge space 18 during the plasma discharge. It is. Electrode 1
When an alternating electric field or a pulsed electric field is applied to the discharge space 18 via the first and second electrodes 12, the electric force lines a
In general, glow-like discharge is more likely to occur in the discharge space 18 as the discharge path represented by the length of the line of electric force a becomes shorter, and conversely, the streamer increases as the discharge path becomes longer. It is said that the discharge form easily includes the discharge.
Therefore, when the reaction vessel 5 having the shape as in this embodiment is used, as shown in FIG. 8B, the electrodes 11 and 12 are provided by contacting only the outer surface of the side wall 5a of the reaction vessel 5 to form a cylinder. When the electrodes 11 and 12 are arranged so as to face each other in a direction perpendicular to the axial direction, the discharge path becomes very short, and the streamer hardly occurs. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 8A, the electrodes 11 and 12 are arranged so as to be vertically opposed, that is, the electrodes 11 and 12 are arranged.
Are arranged side by side in the cylinder axis direction of the reaction vessel 5,
As a result, the lines of electric force a generated in the discharge space 18 during the plasma discharge are formed to be substantially long along the cylinder axis direction of the reaction vessel 5, so that the discharge path becomes long. In this case, a contained plasma discharge is easily generated.
【００６９】上記のようにプラズマ放電中に放電空間１
８で生じる電気力線ａがほぼ反応容器５の筒軸方向に沿
って長く形成されるように電極１１、１２を上下に配置
すると、多数のストリーマが発生しやすくなる。しかし
ながら、この構成だけでは多数のストリーマがほぼ同時
に且つ継続的（連続的）に発生する放電形態を得ること
ができず、グロー状の放電が生じる場合がある。そこで
この実施の形態は多数のストリーマをほぼ同時に且つ継
続的に発生させるためにストリーマ生成手段を備えてい
る。すなわち、ストリーマ生成手段はプラズマ放電中の
放電空間１８において、電流密度の疎の部分と密の部分
（この密の部分がストリーマである）を多数の箇所で発
生させるものである。このようなストリーマ生成手段と
しては、例えば、電極１１、１２の隣接間距離Ｌを２ｍ
ｍ以上にし、且つアルゴンを含有するプラズマ生成用ガ
スを用いることによって実現することができる。As described above, during the plasma discharge, the discharge space 1
When the electrodes 11 and 12 are arranged up and down so that the lines of electric force a generated in 8 are substantially elongated along the cylinder axis direction of the reaction vessel 5, a large number of streamers are easily generated. However, with this configuration alone, a discharge mode in which a large number of streamers are generated almost simultaneously and continuously (continuously) cannot be obtained, and a glow-like discharge may occur. Therefore, this embodiment is provided with streamer generating means for generating a large number of streamers almost simultaneously and continuously. In other words, the streamer generating means generates a sparse part and a dense part (the dense part is a streamer) at a large number of places in the discharge space 18 during the plasma discharge. As such a streamer generating means, for example, the distance L between the adjacent electrodes 11 and 12 is set to 2 m
m or more and can be realized by using a plasma generating gas containing argon.
【００７０】ストリーマ生成手段である電極１１、１２
の隣接間距離Ｌは上側の電極１１の下面と下側の電極１
２の上面との間の距離であり、この距離が２ｍｍ未満に
なると、放電パスが短くなってストリーマの数が減少す
る恐れがあり、しかも反応容器５の外側において電極１
１、１２の間で火花放電が起こり、放電空間１８にプラ
ズマ放電が起こらなくなる恐れがある。電極１１、１２
の隣接間距離Ｌはより多数のストリーマを発生させるた
めに５ｍｍ以上であることが好ましい。電極１１、１２
の隣接間距離Ｌの上限は特に設定されないが、隣接間距
離Ｌが２０ｍｍ以上となると、放電開始電圧が大きくな
って放電の始動が困難になるために、電極１１、１２の
隣接間距離Ｌは２０ｍｍ未満にするのが好ましい。The electrodes 11, 12 serving as streamer generating means
Is between the lower surface of the upper electrode 11 and the lower electrode 1.
If the distance is less than 2 mm, the discharge path may be shortened and the number of streamers may be reduced.
There is a possibility that a spark discharge occurs between 1 and 12, and no plasma discharge occurs in the discharge space 18. Electrodes 11, 12
Is preferably 5 mm or more in order to generate a larger number of streamers. Electrodes 11, 12
The upper limit of the distance L between adjacent electrodes is not particularly set. However, if the distance L between adjacent electrodes is 20 mm or more, the discharge starting voltage becomes large and it becomes difficult to start discharge. Preferably, it is less than 20 mm.
【００７１】また、この実施の形態では、多数のストリ
ーマを発生させるためのストリーマ生成手段として、ア
ルゴンを含有するプラズマ生成用ガスを用いるようにす
る。一般的に大気圧あるいはその近傍の圧力下でのプラ
ズマの生成には希ガスを用いることが有効とされてお
り、安定したグロー状のプラズマ放電を発生させるため
には特にヘリウムを用いることが有効であるとされてお
り、従来ではこのヘリウムをプラズマ生成用ガスとして
用いてきた。しかしながらこの実施の形態では多数のス
トリーマを含むプラズマ放電を発生させる必要があるの
で、ヘリウムよりもアルゴンを利用する方が有効であ
る。すなわち、ヘリウムの準安定状態はライフタイムが
長いために均質で安定なグロー状のプラズマ放電を発生
させやすい反面、ストリーマを発生させにくい。従っ
て、ヘリウムを主体としたプラズマ生成ガスを用いたプ
ラズマ放電ではプリント配線板の処理速度が遅くなる。
一方、ヘリウムよりも電離しやすいアルゴンを主体とす
るプラズマ生成ガスを用いたプラズマ放電ではストリー
マを数多く発生させることができるので、プリント配線
板１４に対する汚染物質３の除去処理の速度を極めて速
くすることができるものである。In this embodiment, a plasma generating gas containing argon is used as a streamer generating means for generating a large number of streamers. In general, it is considered effective to use a rare gas to generate plasma at or near atmospheric pressure, and it is particularly effective to use helium to generate a stable glow-like plasma discharge. Conventionally, this helium has been used as a plasma generating gas. However, in this embodiment, it is necessary to generate a plasma discharge including a large number of streamers. Therefore, it is more effective to use argon than helium. That is, since the metastable state of helium has a long lifetime, it is easy to generate a uniform and stable glow-like plasma discharge, but it is hard to generate a streamer. Therefore, the processing speed of the printed wiring board is reduced by the plasma discharge using the plasma generating gas mainly composed of helium.
On the other hand, since a large number of streamers can be generated by plasma discharge using a plasma generating gas mainly composed of argon which is more easily ionized than helium, the speed of the process of removing the contaminants 3 from the printed wiring board 14 should be extremely high. Can be done.
【００７２】そして、この実施の形態ではアルゴンをプ
ラズマ生成用ガスの全量に対して３０体積％以上含有さ
せることが好ましく、より好ましくは５０体積％以上を
含有させるようにする。アルゴンの含有量が３０体積％
未満であれば、多数のストリーマをほぼ同時に確実に発
生させることができなくなる恐れがある。尚、より多く
のストリーマを発生させるためにプラズマ生成用ガスの
全体をアルゴンとしてもよいが、アークが発生しやすく
なるためにアルゴンの含有率は１００体積％に若干満た
ない（１００体積％未満）とし、残りをヘリウムなどの
他のガスにするのが好ましい。また、ヘリウムよりも電
離しやすいガスであればアルゴンの代わりに用いること
ができるが、コスト等を考慮するとアルゴンを用いるの
がよい。In this embodiment, it is preferable that argon be contained in an amount of at least 30% by volume, more preferably at least 50% by volume, based on the total amount of the plasma generating gas. Argon content is 30% by volume
If it is less than this, it may not be possible to reliably generate a large number of streamers almost simultaneously. Note that the entire plasma generating gas may be argon in order to generate more streamers, but the argon content is slightly less than 100% by volume (less than 100% by volume) because an arc is easily generated. It is preferable that the remaining gas be another gas such as helium. Further, any gas which is more easily ionized than helium can be used instead of argon, but it is preferable to use argon in consideration of cost and the like.
【００７３】但し、プリント配線板１４が導電性を有す
る場合は、プリント配線板１４へアークが発生するのを
抑制するアーク抑制手段として、ヘリウムを３体積％以
上含有するプラズマ生成用ガスを用いるのが好ましい。
ヘリウムの含有率がプラズマ生成用ガスの全量に対して
３体積％未満であれば、反応容器５とプリント配線板１
４との間にアークが発生してプリント配線板１４が損傷
する恐れがある。アーク抑制手段としては他に、反応容
器５の吹き出し口４からプリント配線板１４を遠ざけ
る、電極１１、１２を反応容器５の吹き出し口４から大
きく離して配置することによって放電空間１８からプリ
ント配線板１４を遠ざける、あるいは放電空間１８に印
加する電力を小さくするなどの手段が挙げられるが、い
ずれも処理速度を極端に低下させる原因となるので好ま
しくなく、この実施の形態のように、プラズマ生成用ガ
スにヘリウムを３体積％以上含有させることによって、
処理速度の低下を招くことなくプリント配線板１４との
間でアークの発生を抑制することができる。尚、ヘリウ
ムの含有率を高くしすぎると上記のアルゴンの含有率が
少なくなってしまい多くのストリーマを発生させること
ができなくなる恐れがあるので、ヘリウムの含有率の上
限は５０体積％とするのが好ましい。However, when the printed wiring board 14 has conductivity, a plasma generating gas containing helium at 3% by volume or more is used as an arc suppressing means for suppressing generation of an arc in the printed wiring board 14. Is preferred.
If the helium content is less than 3% by volume with respect to the total amount of the plasma generating gas, the reaction vessel 5 and the printed wiring board 1
4 and the printed wiring board 14 may be damaged. Alternatively, the printed circuit board may be separated from the discharge space 18 by disposing the printed wiring board 14 away from the outlet 4 of the reaction vessel 5 and arranging the electrodes 11 and 12 far apart from the outlet 4 of the reaction vessel 5. 14 or a means for reducing the electric power applied to the discharge space 18. However, any of these methods is not preferable because it causes the processing speed to be extremely reduced. By allowing the gas to contain more than 3% by volume of helium,
The occurrence of an arc with the printed wiring board 14 can be suppressed without lowering the processing speed. If the content of helium is too high, the content of argon may be reduced, and it may not be possible to generate many streamers. Therefore, the upper limit of the content of helium is set to 50% by volume. Is preferred.
【００７４】また、プラズマ生成用ガスとしては、上記
のアルゴンやヘリウム以外にネオンやクリプトンなどの
希ガスを用いることができる。あるいは希ガスと反応性
ガスの混合気体を用いることもできる。しかしながら上
述のように、ストリーマの発生のしやすさの観点から希
ガスとしては主にアルゴンを用いるのが好ましい。ま
た、反応性ガスは上記と同様に酸素を用いることができ
る。As the plasma generating gas, a rare gas such as neon or krypton can be used in addition to the above-mentioned argon and helium. Alternatively, a mixed gas of a rare gas and a reactive gas can be used. However, as described above, it is preferable to mainly use argon as the rare gas from the viewpoint of the easiness of streamer generation. As the reactive gas, oxygen can be used in the same manner as described above.
【００７５】上記のようにこの実施の形態の処理装置は
ストリーマ生成手段を備えるので、プラズマ放電中に放
電空間１８に多数のストリーマをほぼ同時且つ継続的に
生成することができる。しかしながら、生成したストリ
ーマが放電空間１８の一定の個所で発生し続けると、ス
トリーマの生成箇所に対応する部分のみの処理速度が速
くなってプリント配線板１４に処理ムラが発生する。そ
こでこの実施の形態では放電空間１８の至る所でストリ
ーマの生成と消滅を繰り返し発生させることにより、反
応容器５の幅広方向における放電空間１８の全域に亘っ
て多数のストリーマが略均一に生成されるようにするた
めのストリーマ均一化手段を備えている。すなわち、ス
トリーマ均一化手段はプラズマ放電中の放電空間１８に
おいて電流密度の疎密の分布を経時的に変化させること
により、多数のストリーマを放電空間１８の全域に亘っ
てほぼ均一に発生させるようにしたものである。As described above, since the processing apparatus of this embodiment is provided with the streamer generating means, a large number of streamers can be generated in the discharge space 18 almost simultaneously and continuously during the plasma discharge. However, if the generated streamer continues to be generated at a certain location in the discharge space 18, the processing speed of only the portion corresponding to the location where the streamer is generated increases, and processing unevenness occurs on the printed wiring board 14. Therefore, in this embodiment, by repeatedly generating and extinguishing the streamer throughout the discharge space 18, a large number of streamers are generated substantially uniformly over the entire discharge space 18 in the width direction of the reaction vessel 5. And a streamer uniformizing means. That is, the streamer uniformizing means changes the distribution of the current density in the discharge space 18 during the plasma discharge with time so that a large number of streamers are generated almost uniformly over the entire area of the discharge space 18. Things.
【００７６】このようなストリーマ均一化手段は、放電
時に放電空間１８のガス導入口１６側の端部におけるプ
ラズマ生成用ガスのガス流速（平均ガス流速であって、
筒軸Ｇ上のガス流速と等しい）を５ｍ／秒以上の高速に
することによって実現することができる。すなわち、放
電空間１８の上側から導入されるプラズマ生成用ガスの
流速を放電空間１８の直上において５ｍ／秒以上にする
ことによりストリーマ均一化手段を構成するものであ
り、これにより放電空間１８内での温度ムラを解消して
多数のストリーマを放電空間１８の全域に亘ってほぼ均
一化して発生させるようにするものである。Such a streamer homogenizing means is capable of providing the gas flow rate (average gas flow rate,
(Equal to the gas flow velocity on the cylinder axis G) at a high speed of 5 m / sec or more. That is, the flow rate of the plasma generating gas introduced from the upper side of the discharge space 18 is set to 5 m / sec or more immediately above the discharge space 18 to constitute a streamer uniforming means. The temperature unevenness described above is eliminated so that a large number of streamers are generated substantially uniformly over the entire discharge space 18.
【００７７】ストリーマを含んだプラズマ放電の場合、
ストリーマが発生している箇所の温度はストリーマが発
生していない箇所よりも温度が高く、よって、ストリー
マが発生している箇所では気体分子の電離や反応容器５
の内面からの二次電子の放出が起こりやすいが、この二
次電子の放出が頻繁に起こっている箇所ではストリーマ
が発生しやすくなる。つまり、一旦、ストリーマが発生
した箇所ではストリーマの生成が持続される傾向が高
く、このためにストリーマは同一の箇所でのみ発生し続
けることになり、放電空間１８の全域に亘って均一にス
トリーマを発生させることができない。そこで、この実
施の形態では放電空間１８に供給されるガス流速を５ｍ
／秒以上と高速にすることによって、放電空間１８内の
温度ムラ（温度のバラツキ）を解消してストリーマが同
一の箇所でのみ発生し続けることを防止したものであ
り、このことで、至る所でストリーマの生成と消滅を繰
り返し発生させて反応容器５の幅広方向における放電空
間１８の全域に亘って多数のストリーマが略均一に生成
されるようにするものである。すなわち、プラズマ生成
用ガスの供給による冷却効果によって、ストリーマの空
間的均一化が達成されるのである。従って、放電空間１
８に供給されるガス流速が５ｍ／秒未満であれば、プラ
ズマ生成用ガスによる冷却効果が小さくなって上記のよ
うな効果を得ることができなくなる恐れがある。また、
あまりに高速にするとプラズマが吹き消されてしまう恐
れがあるので、放電空間１８に供給されるガス流速は４
０ｍ／秒以下にするのが好ましい。In the case of a plasma discharge containing a streamer,
The temperature at the location where the streamer is generated is higher than the temperature at the location where the streamer is not generated.
Although secondary electrons are likely to be emitted from the inner surface of the substrate, a streamer is likely to be generated at a place where the secondary electrons are frequently emitted. In other words, once the streamer has been generated, the streamer is likely to be continuously generated. Therefore, the streamer continues to be generated only at the same location, and the streamer is uniformly distributed over the entire discharge space 18. Cannot be generated. Therefore, in this embodiment, the flow velocity of the gas supplied to the discharge space 18 is 5 m
By increasing the speed to at least 1 / sec, it is possible to eliminate temperature unevenness (temperature variation) in the discharge space 18 and prevent the streamer from continuing to be generated only at the same location. Thus, the streamer is repeatedly generated and extinguished, so that a large number of streamers are generated substantially uniformly over the entire discharge space 18 in the width direction of the reaction vessel 5. That is, the spatial uniformity of the streamer is achieved by the cooling effect by the supply of the plasma generating gas. Therefore, the discharge space 1
If the flow rate of the gas supplied to 8 is less than 5 m / sec, the cooling effect by the plasma generating gas may be reduced, and the above-described effect may not be obtained. Also,
If the speed is set too high, the plasma may be blown out.
It is preferred to be 0 m / sec or less.
【００７８】放電空間１８に供給されるプラズマ生成用
ガスの反応容器５内における平均ガス流速ｖは、簡易的
には反応容器５の放電空間１８の断面積Ｓ、放電空間１
８へ供給するガス流量Ｑにより、ｖ＝Ｑ／Ｓの式で与え
られる。従って、放電空間１８へのプラズマ生成用ガス
の供給量が多いほど又は反応容器５の放電空間１８の断
面積が小さいほど平均ガス流速が大きくなり、ストリー
マを空間的に均一に発生させやすいが、プラズマ生成用
ガスの供給量を多くすると、プリント配線板１４のプラ
ズマ処理にかかるコストが高くなるために、工業的利用
には不利となる恐れがある。そこで、反応容器５の放電
空間１８の断面積を小さくして放電空間１８に供給され
るガス流速を上記のように高速にするのが好ましい。The average gas flow velocity v of the plasma-generating gas supplied to the discharge space 18 in the reaction vessel 5 is simply represented by the sectional area S of the discharge space 18 of the reaction vessel 5 and the discharge space 1.
8 is given by the equation v = Q / S. Therefore, the larger the supply amount of the plasma generating gas to the discharge space 18 or the smaller the cross-sectional area of the discharge space 18 of the reaction vessel 5, the larger the average gas flow rate becomes, and the more easily the streamer is generated spatially uniformly. If the supply amount of the plasma generating gas is increased, the cost for the plasma processing of the printed wiring board 14 increases, which may be disadvantageous for industrial use. Therefore, it is preferable to reduce the cross-sectional area of the discharge space 18 of the reaction vessel 5 to increase the flow velocity of the gas supplied to the discharge space 18 as described above.
【００７９】そこで、この実施の形態では反応容器５の
狭い方（厚み方向）の内寸（特に、放電空間１８におけ
る反応容器５の内寸）を１〜５ｍｍに形成するのが好ま
しく、このことで、プラズマ生成用ガスの供給量を増や
さずに反応容器５内の放電空間１８に供給されるガス流
速を速くすることができるものである。また、反応容器
５の放電空間１８の断面積を小さくすることによって、
放電空間１８の体積を小さくすることができ、低電力化
を容易に図ることができるものであり、この低電力化に
より高周波放射ノイズの減少をも図ることができるもの
である。Therefore, in this embodiment, it is preferable that the inner dimension (particularly, the inner dimension of the reaction vessel 5 in the discharge space 18) of the reaction vessel 5 be 1 to 5 mm. Thus, the flow rate of the gas supplied to the discharge space 18 in the reaction vessel 5 can be increased without increasing the supply amount of the plasma generating gas. Also, by reducing the cross-sectional area of the discharge space 18 of the reaction vessel 5,
The volume of the discharge space 18 can be reduced, and power consumption can be easily reduced, and the reduction in power consumption can also reduce high-frequency radiation noise.
【００８０】反応容器５の狭い方の内寸（以下、「スリ
ット幅」と記載することがある）が１ｍｍより小さい
と、反応容器５の吹き出し口４の断面形状の寸法精度
が、プリント配線板１４の処理領域内でのプラズマ処理
の均一性に大きく影響を与えるようになる。すなわち、
反応容器５の幅広方向でのスリット幅の寸法が、反りや
うねり等により位置によってばらついてくると、反応容
器５の吹き出し口４の直下におけるプラズマガス（プラ
ズマジェット）の流速が幅広方向の位置によってばらつ
くことになり、この結果、プラズマ処理速度もプリント
配線板１４の処理領域内で不均一になる恐れがある。そ
して、反りやうねりによる寸法誤差のスリット幅に対す
る割合は、スリット幅が狭くなるほど大きくなるため
に、反応容器５のスリット幅は１ｍｍ以上にするのが好
ましい。さらに、反応容器５のスリット幅を１ｍｍ未満
にすると、プリント配線板１４を移動させて面状に処理
する場合に、同一ポイントでのプラズマジェットの照射
時間が短くなるので、十分なプラズマ処理ができなくな
る恐れがある。一方、スリット幅が５ｍｍより大きくな
ると、反応容器５内でのガス流速を上記のように高速に
するためには、多量のプラズマ生成用ガスを供給しなけ
ればならず、コストパフォーマンスが低下する恐れがあ
り、好ましくない。また、スリット幅が広くなるほど、
放電空間１８への印加電力が一定の場合、放電空間１８
の単位体積当たりの電力量（パワー密度）が低下するの
で、十分な処理速度が得られない恐れがあり、好ましく
ない。The smaller inner dimension of the reaction vessel 5 (hereinafter referred to as
Is sometimes less than 1 mm)
And the dimensional accuracy of the cross-sectional shape of the outlet 4 of the reaction vessel 5
Is a plasma process in the processing area of the printed wiring board 14.
Greatly affects the uniformity of the film. That is,
The dimension of the slit width in the wide direction of the reaction vessel 5 is
If it fluctuates depending on the position due to swell, etc., the reaction volume
Gas just below the outlet 4 of the heater 5
Zumajet) flow rate varies depending on the position in the wide direction
As a result, the plasma processing speed is also printed
There is a risk of non-uniformity in the processing area of the wiring board 14. So
The slit width of the dimensional error due to warpage or undulation
Ratio increases as the slit width decreases.
Preferably, the slit width of the reaction vessel 5 is 1 mm or more.
Good. Further, the slit width of the reaction vessel 5 is less than 1 mm.
, The printed wiring board 14 is moved and processed into a planar shape.
To irradiate the plasma jet at the same point
As the time is shortened, sufficient plasma processing cannot be performed.
There is a risk that. On the other hand, the slit width is larger than 5 mm
Then, the gas flow rate in the reaction vessel 5 is increased at a high speed as described above.
Supply a large amount of gas for plasma generation.
Cost performance may be reduced.
Is not preferred. Also, as the slit width becomes wider,
When the power applied to the discharge space 18 is constant, the discharge space 18
Of power per unit volume (power density)
In, there is a possibility that sufficient processing speed may not be obtained, preferably
Absent.
【００８１】そしてこの実施の形態では上記のように、
反応容器５内に積極的に多数のストリーマを生じさせる
ためのストリーマ生成手段と、多数のストリーマを反応
容器５の幅広方向における放電空間１８の全域に亘って
ほぼ均一に発生させるためのストリーマ均一化手段を備
えるので、ストリーマが均一に発生している放電形態と
なり、ストリーマの疎密の分布が経時的に異なるように
なるものであり、この結果、高速でしかも処理域内で均
一なプラズマ処理が可能となるものである。In this embodiment, as described above,
Streamer generating means for positively generating a large number of streamers in the reaction vessel 5, and streamer homogenization for generating a large number of streamers almost uniformly over the entire discharge space 18 in the wide direction of the reaction vessel 5. Means, the streamer is in a discharge mode in which the streamer is uniformly generated, and the distribution of the density of the streamer differs over time.As a result, it is possible to perform high-speed and uniform plasma processing in the processing area It becomes.
【００８２】一般的にストリーマが形成される放電では
電流密度が相対的に高く、活性種の密度も高くなるため
に処理速度を速くすることができるが、ライン状にプラ
ズマ処理を行う場合には、プリント配線板１４の部位に
よって処理速度が大きく異なり、処理ムラが発生する恐
れがある。すなわち、放電空間１８におけるストリーマ
の発生箇所の下流域では処理速度が速くなり、ストリー
マの存在しない箇所の下流域では処理速度が遅くなり、
その結果、プリント配線板１４のプラズマによる処理領
域内でプラズマ処理（汚染物質３の除去処理）の度合い
にバラツキが生じることになる。そして、従来より、こ
のような処理ムラが発生しないように、プラズマ処理領
域内での処理速度の均一化が望まれていた。Generally, in a discharge in which a streamer is formed, the current density is relatively high and the density of active species is also high, so that the processing speed can be increased. The processing speed varies greatly depending on the position of the printed wiring board 14, and there is a possibility that processing unevenness may occur. That is, the processing speed increases in the downstream region of the streamer in the discharge space 18, and the processing speed decreases in the downstream region of the portion where the streamer does not exist.
As a result, the degree of the plasma processing (the processing of removing the contaminant 3) varies within the processing area of the printed wiring board 14 due to the plasma. Conventionally, it has been desired to make the processing speed uniform in the plasma processing region so that such processing unevenness does not occur.
【００８３】そこで、この実施の形態では反応容器５内
に積極的に多数のストリーマを生じさせるためのストリ
ーマ生成手段と、多数のストリーマを反応容器５の幅広
方向における放電空間１８の全域に亘ってほぼ均一に発
生させるためのストリーマ均一化手段を備えることによ
って、高速でしかも処理域内で均一な汚染物質３の除去
処理を可能にしたのである。Therefore, in this embodiment, a streamer generating means for positively generating a large number of streamers in the reaction vessel 5 and a large number of streamers are formed over the entire discharge space 18 in the width direction of the reaction vessel 5. The provision of the streamer uniformizing means for generating substantially uniformly enables the high-speed and uniform removal treatment of the contaminants 3 in the processing area.
【００８４】尚、電極１１、１２は吹き出し口４のより
近傍に配設するのが好ましく、このことで、放電空間１
８とプリント配線板１４の距離が縮まって処理速度を向
上させることができる。但し、電極１１、１２をあまり
にも吹き出し口４に近づけすぎると、放電空間１８とプ
リント配線板１４の距離が近くなりすぎてプリント配線
板１４との間でアークが発生する恐れがあるので、アー
クが発生しない程度に電極１１、１２を吹き出し口４に
近接させるのがよい。また、プリント配線板１４への熱
的なダメージを抑えるために、電極１１、１２の内部に
冷却水を流すなどして放電空間１８の温度を低下させる
のが好ましい。It is preferable that the electrodes 11 and 12 are disposed closer to the discharge port 4.
The distance between the printed wiring board 8 and the printed wiring board 14 is reduced, and the processing speed can be improved. However, if the electrodes 11 and 12 are too close to the outlet 4, the distance between the discharge space 18 and the printed wiring board 14 becomes too short and an arc may be generated between the printed wiring board 14 and the arc. It is preferable to bring the electrodes 11 and 12 close to the outlet 4 to such an extent that no air bubbles occur. In order to suppress thermal damage to the printed wiring board 14, it is preferable to lower the temperature of the discharge space 18 by flowing cooling water inside the electrodes 11, 12.
【００８５】[0085]
【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。The present invention will be described below in detail with reference to examples.
【００８６】（実施例１）導体回路２５として銅回路パ
ターンを形成したプリント配線板１４に、エポキシアク
リレート樹脂の紫外線硬化型レジストを用いて約２００
μｍφの開口部２を有するレジスト膜２６を形成した。
これを図９に示すプリント配線板１４の処理装置を用い
て汚染物質３の除去処理を行った。反応容器５は石英製
で外径が５ｍｍ、内径が３ｍｍの円筒管で形成し、同一
の搬送台（搬送手段１５）の上方に二つの反応容器５を
プリント配線板１４の搬送方向と略平行に並べて配置し
た。一つ目の反応容器５においては、プラズマ生成用ガ
スとしてヘリウムを０．５リットル／分、アルゴンを１
リットル／分、酸素を０．０５リットル／分の流量で導
入した。また、電極１１、１２の間には周波数が１３．
５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、放電空間１８に投入
された印加電力を１００Ｗとした。また、吹き出し口４
から吹き出されるプラズマ６（酸素プラズマ６ａ）の速
度（ガス速度）は３．６ｍ／秒とし、搬送台に設置した
プリント配線板１４の搬送速度は２０ｍｍ／秒とした。(Example 1) A printed circuit board 14 having a copper circuit pattern formed thereon as a conductor circuit 25 was coated with a UV-curable resist of epoxy acrylate resin for about 200 hours.
A resist film 26 having an opening 2 of μmφ was formed.
This was subjected to a contaminant 3 removal process using a processing apparatus for a printed wiring board 14 shown in FIG. The reaction vessel 5 is made of quartz and is formed of a cylindrical tube having an outer diameter of 5 mm and an inner diameter of 3 mm. Arranged side by side. In the first reaction vessel 5, helium was used as a plasma generating gas at a rate of 0.5 L / min, and argon was supplied at a rate of 1 liter.
Liter / minute and oxygen were introduced at a flow rate of 0.05 liter / minute. The frequency between the electrodes 11 and 12 is 13.
A high frequency voltage of 56 MHz was applied, and the applied power applied to the discharge space 18 was 100 W. In addition, outlet 4
The velocity (gas velocity) of the plasma 6 (oxygen plasma 6a) blown out of the substrate was 3.6 m / sec, and the transport speed of the printed wiring board 14 set on the transport table was 20 mm / sec.
【００８７】二つ目の反応容器５においては、プラズマ
生成用ガスとしてヘリウムを０．５リットル／分、アル
ゴンを１リットル／分、水素を０．０３リットル／分の
流量で導入した。また、電極１１、１２の間には周波数
が１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、放電空間１
８に投入された印加電力を１００Ｗとした。また、吹き
出し口４から吹き出されるプラズマ６（水素プラズマ６
ｂ）の速度（ガス速度）は２．３ｍ／秒とし、搬送台に
設置したプリント配線板１４の搬送速度は上記と同一の
搬送台でプリント配線板１４を連続的に搬送しているた
めに２０ｍｍ／秒とした。以上のようなプリント配線板
１４の処理装置を用いて、酸素プラズマ６ａによるプラ
ズマ処理を行った後、水素プラズマ６ｂによるプラズマ
処理を行うように、大気圧下で二段階のプラズマ処理を
連続してプリント配線板１４に施して汚染物質３の除去
処理を実施した。In the second reaction vessel 5, helium was introduced at a flow rate of 0.5 L / min, argon was introduced at a flow rate of 1 L / min, and hydrogen was introduced at a flow rate of 0.03 L / min as a plasma generating gas. A high-frequency voltage having a frequency of 13.56 MHz is applied between the electrodes 11 and 12, and a discharge space 1 is applied.
The applied power applied to 8 was 100 W. The plasma 6 (hydrogen plasma 6) blown out from the blowout port 4
The speed (gas speed) of b) is 2.3 m / sec, and the speed of the printed wiring board 14 installed on the carrier is the same as that described above because the printed circuit board 14 is continuously carried on the same carrier. 20 mm / sec. After performing the plasma processing using the oxygen plasma 6a using the processing apparatus for the printed wiring board 14 as described above, the plasma processing using the hydrogen plasma 6b is continuously performed at two pressures under the atmospheric pressure. The printed wiring board 14 was subjected to a contaminant 3 removal treatment.
【００８８】そして、汚染物質３の除去処理の前後で開
口部２の周辺を電子顕微鏡で観察した結果、処理前では
多量の汚染物質３が導体回路２５の露出部分２５ａや開
口部２の周辺に観察されたが、処理後では完全に汚染物
質３が除去されていることが確認された。そして、プラ
ズマ処理前に導体回路２５の露出部分２５ａの表面に、
ニッケルめっきを厚み５μｍ、次いで金めっきを厚み
０．０５μｍで施すと、２０μｍφの大きさの実装パッ
ド（めっきパッド）しか形成されなかったが、プラズマ
処理後にめっきを施すと、実装パッド（めっきパッド）
は正常に１８０μｍφの大きさで形成された。As a result of observing the periphery of the opening 2 with an electron microscope before and after the removal of the contaminant 3, a large amount of the contaminant 3 was exposed to the exposed portion 25 a of the conductor circuit 25 and the periphery of the opening 2 before the treatment. As a result, it was confirmed that the contaminant 3 was completely removed after the treatment. Then, before the plasma processing, the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 is
When nickel plating was applied at a thickness of 5 μm and then gold plating was applied at a thickness of 0.05 μm, only a mounting pad (plating pad) having a size of 20 μmφ was formed.
Was normally formed with a size of 180 μmφ.
【００８９】（実施例２）導体回路２５として銅回路パ
ターンを形成したプリント配線板１４に、エポキシアク
リレート樹脂の紫外線硬化型レジストを用いて約１００
μｍφの開口部２を有するレジスト膜２６を形成した。
これを約３５℃の塩化第二銅エッチング液で１分間ソフ
トエッチング処理した後、図３、４に示すプリント配線
板１４の処理装置を用いて汚染物質３の除去処理を行っ
た。反応容器５は石英製で扁平形状の角筒管であって、
吹き出し口４の大きさを２．５ｍｍ×３５ｍｍに形成し
た。プラズマ生成用ガスとしてヘリウムを２リットル／
分、アルゴンを８リットル／分、酸素を０．３リットル
／分の流量で導入した。また、電極１１、１２の間には
周波数が６０ＭＨｚの高周波電圧を印加し、放電空間１
８に投入された印加電力を６００Ｗとした。また、吹き
出し口４から吹き出されるプラズマ６の速度（ガス速
度）は２．５ｍ／秒とし、搬送手段１５である搬送台に
設置したプリント配線板１４の搬送速度は１０ｍｍ／秒
とした。以上のようなプリント配線板１４の処理装置を
用いて大気圧下でプラズマ処理をプリント配線板１４に
施して汚染物質３の除去処理を実施した。(Example 2) A printed circuit board 14 on which a copper circuit pattern was formed as a conductive circuit 25 was coated with an ultraviolet-curable resist of epoxy acrylate resin for about 100 hours.
A resist film 26 having an opening 2 of μmφ was formed.
This was soft-etched with a cupric chloride etchant at about 35 ° C. for 1 minute, and then a contaminant 3 was removed using the printed wiring board 14 processing apparatus shown in FIGS. The reaction vessel 5 is a flat rectangular tube made of quartz,
The size of the outlet 4 was formed to be 2.5 mm × 35 mm. Helium as plasma generation gas 2 liters /
Min, argon was introduced at a flow rate of 8 l / min, and oxygen was introduced at a flow rate of 0.3 l / min. A high-frequency voltage having a frequency of 60 MHz is applied between the electrodes 11 and 12, and a discharge space 1 is applied.
The applied power applied to 8 was 600 W. The speed (gas speed) of the plasma 6 blown out from the outlet 4 was set to 2.5 m / sec, and the transfer speed of the printed wiring board 14 installed on the transfer table as the transfer means 15 was set to 10 mm / second. Using the processing apparatus for the printed wiring board 14 as described above, the plasma processing was performed on the printed wiring board 14 under the atmospheric pressure to remove the contaminants 3.
【００９０】そして、汚染物質３の除去処理の前後で開
口部２の周辺を電子顕微鏡で観察した結果、処理前では
多量の汚染物質３が導体回路２５の露出部分２５ａや開
口部２の周辺に観察されたが、処理後では完全に汚染物
質３が除去されていることが確認された。そして、プラ
ズマ処理前に導体回路２５の露出部分２５ａの表面に、
ニッケルめっきを厚み１０μｍ、次いで金めっきを厚み
０．５μｍで施すと、全く実装パッド（めっきパッド）
が形成されなかったが、プラズマ処理後にめっきを施す
と、実装パッド（めっきパッド）は正常に８５μｍφの
大きさで形成された。 （実施例３）導体回路２５として銅回路パターンを形成
したプリント配線板１４に、エポキシ樹脂の紫外線硬化
型レジストを用いて約５００μｍφの開口部２を有する
レジスト膜２６を形成した。これを図１０に示すプリン
ト配線板１４の処理装置を用いて汚染物質３の除去処理
を行った。反応容器５は板厚１ｍｍの石英ガラスを用
い、内寸においてスリット幅（反応容器５の狭い方の内
寸）１．５ｍｍ、幅寸法５６ｍｍ、高さ８０ｍｍの幅広
状の角筒状に形成した。また、ガス導入口１６の大きさ
を１．５ｍｍ×１６ｍｍ、吹き出し口４の大きさを１．
２ｍｍ×５０ｍｍに形成した。対をなす一対の電極１
１、１２は銅で作製し、その表面に金メッキ処理を施し
た。また、電極１１、１２の内部には冷却水の流路を設
け、この流路に冷却水を循環させて電極１１、１２及び
放電空間１８を冷却できるように形成した。また、電極
１１、１２の隣接間距離Ｌは５ｍｍに設定して電源１７
と接続した。As a result of observing the periphery of the opening 2 with an electron microscope before and after the removal of the contaminant 3, a large amount of the contaminant 3 was found in the exposed portion 25 a of the conductor circuit 25 and around the opening 2 before the treatment. As a result, it was confirmed that the contaminant 3 was completely removed after the treatment. Then, before the plasma processing, the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 is
When nickel plating is applied to a thickness of 10 μm and then gold plating is applied to a thickness of 0.5 μm, mounting pads (plating pads)
Was not formed, but when plating was performed after the plasma treatment, the mounting pad (plating pad) was normally formed with a size of 85 μmφ. Example 3 A resist film 26 having an opening 2 of about 500 μmφ was formed on a printed wiring board 14 on which a copper circuit pattern was formed as a conductor circuit 25 by using an ultraviolet curing type resist of epoxy resin. This was subjected to a contaminant 3 removal process using a processing apparatus for a printed wiring board 14 shown in FIG. The reaction vessel 5 was made of quartz glass having a thickness of 1 mm, and was formed into a wide rectangular tube having a slit width of 1.5 mm, a width of 56 mm, and a height of 80 mm (inner dimensions). . The size of the gas inlet 16 is 1.5 mm × 16 mm, and the size of the outlet 4 is 1.
It was formed in a size of 2 mm × 50 mm. A pair of electrodes 1 forming a pair
Nos. 1 and 12 were made of copper, and their surfaces were subjected to gold plating. In addition, a cooling water flow path is provided inside the electrodes 11 and 12, and the cooling water is circulated through the flow path so that the electrodes 11, 12 and the discharge space 18 can be cooled. The distance L between the electrodes 11 and 12 is set to 5 mm,
Connected with.
【００９１】このような構成のプリント配線板１４の処
理装置に大気圧下において、プラズマ生成用ガスとし
て、ヘリウムを４リットル／分、アルゴンを１４リット
ル／分、酸素を０．６リットル／分の流量で供給した。
この処理装置において、非放電時における吹き出し口４
からのガスの吹き出し速度は５．２ｍ／秒であって、こ
の値は放電時において放電空間１８のガス導入口１６側
の端部におけるプラズマ生成用ガスの流速を示す。ま
た、放電時に吹き出し口４から吹き出されるプラズマ６
の速度（ガス速度）は２．３ｍ／秒とした。Under the atmospheric pressure, the processing apparatus for the printed wiring board 14 having the above-described configuration is used as a plasma generating gas at a rate of 4 liters / minute for helium, 14 liters / minute for argon, and 0.6 liters / minute for oxygen. It was supplied at a flow rate.
In this processing apparatus, the outlet 4 at the time of non-discharge
The blowing speed of the gas from the nozzle is 5.2 m / sec, and this value indicates the flow rate of the plasma generating gas at the end of the discharge space 18 on the gas inlet 16 side during discharge. Further, the plasma 6 blown out from the blowout port 4 at the time of discharge
(Gas speed) was 2.3 m / sec.
【００９２】そして、１３．５６ＭＨｚの周波数で６０
０Ｗの印加電力で高周波電界を放電空間１８に印加して
プラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口４からプラ
ズマ６を吹き出させてプリント配線板１４の表面に供給
し、プラズマ処理を行った。プラズマ処理は、反応容器
５の吹き出し口４の下側（下流）において、プリント配
線板１４を反応容器５（吹き出し口４）の幅方向と直交
する方向に１０ｍｍ／秒で移動させるようにして行っ
た。At a frequency of 13.56 MHz, 60
A high-frequency electric field was applied to the discharge space 18 with an applied power of 0 W to generate plasma discharge, and at the same time, plasma 6 was blown out from the outlet 4 and supplied to the surface of the printed wiring board 14 to perform plasma processing. The plasma processing is performed such that the printed wiring board 14 is moved at a rate of 10 mm / sec in a direction orthogonal to the width direction of the reaction container 5 (the outlet 4) below (downstream) the outlet 4 of the reaction container 5. Was.
【００９３】そして、汚染物質３の除去処理の前後で開
口部２の周辺を電子顕微鏡で観察した結果、処理前では
多量の汚染物質３が導体回路２５の露出部分２５ａや開
口部２の周辺に観察されたが、処理後では完全に汚染物
質３が除去されていることが確認された。そして、プラ
ズマ処理前に導体回路２５の露出部分２５ａの表面に、
ニッケルめっきを厚み５μｍ、次いで金めっきを厚み
０．０５μｍで施すと、５０μｍφの大きさの実装パッ
ド（めっきパッド）しか形成されなかったが、プラズマ
処理後にめっきを施すと、実装パッド（めっきパッド）
は正常に４５０μｍφの大きさで形成された。As a result of observing the periphery of the opening 2 with an electron microscope before and after the removal of the contaminant 3, a large amount of the contaminant 3 was found in the exposed portion 25 a of the conductor circuit 25 and around the opening 2 before the treatment. As a result, it was confirmed that the contaminant 3 was completely removed after the treatment. Then, before the plasma processing, the surface of the exposed portion 25a of the conductor circuit 25 is
When nickel plating was applied at a thickness of 5 μm and then gold plating was applied at a thickness of 0.05 μm, only a mounting pad (plating pad) having a size of 50 μmφ was formed.
Was normally formed with a size of 450 μmφ.
【００９４】[0094]
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１の発明
は、表面に導体回路を設けたプリント配線板にレジスト
膜を形成すると共にレジスト膜に開口部を設けて導体回
路を露出させ、導体回路の露出部分にプラズマ処理した
後にめっき処理を施すプリント配線板の処理方法におい
て、片側が吹き出し口として開放された反応容器内にプ
ラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で反応
容器内にプラズマを生成し、このプラズマをプラズマジ
ェットとして吹き出し口から吹き出して導体回路の露出
部分に吹き付けるので、真空中でのプラズマ処理に比べ
てプリント配線板に高い圧力でプラズマを供給すること
ができ、高アスペクト比の開口部であってもプラズマが
開口部内に導入されやすくなって、レジスト膜の開口部
から露出する導体回路の露出部分の表面を均一に処理し
て汚染物質を十分に除去することができるものである。
また、大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うので、
真空容器や真空容器内を真空にするための真空ポンプな
どの手段が必要でなく、装置が大掛かりにならないよう
にすることができるものであり、しかも、プリント配線
板を一つずつ真空容器内に入れて処理する必要が無く、
複数個のプリント配線板を連続的に搬送しながらプリン
ト配線板の全ての導体回路の露出部分及び開口部の周辺
に汚染物質の除去処理を施すことができ、汚染物質の除
去処理を効率よく行うことができるものである。As described above, according to the first aspect of the present invention, a resist film is formed on a printed wiring board provided with a conductive circuit on the surface, and an opening is provided in the resist film to expose the conductive circuit. In a method of processing a printed wiring board in which an exposed portion of a conductive circuit is subjected to a plasma treatment and then subjected to a plating treatment, a plasma generating gas is introduced into a reaction vessel that is opened on one side as an outlet, and reacts under a pressure near the atmospheric pressure. Plasma is generated in the container, and this plasma is blown out from the outlet as a plasma jet and blown to the exposed part of the conductor circuit. Even if the opening has a high aspect ratio, the plasma can be easily introduced into the opening, and the conductor circuit exposed from the opening of the resist film can be easily formed. In which it can be removed sufficiently uniformly treated to contaminants surface of the exposed portion of the.
In addition, since plasma processing is performed under pressure near atmospheric pressure,
There is no need for a vacuum container or means such as a vacuum pump for evacuating the inside of the vacuum container, so that the apparatus can be prevented from becoming large-scale. No need to put in and process
While continuously transporting a plurality of printed wiring boards, a process of removing contaminants can be performed around exposed portions and openings of all the conductor circuits of the printed wiring boards, thereby efficiently performing the process of removing contaminants. Is what you can do.
【００９５】また、本発明の請求項３の発明は、希ガス
として、ヘリウムとアルゴンの少なくとも一方を用いる
ので、安価なヘリウムやアルゴンを用いることによっ
て、ランニングコストを低く抑えることができるもので
ある。According to the third aspect of the present invention, since at least one of helium and argon is used as the rare gas, the running cost can be reduced by using inexpensive helium or argon. .
【００９６】また、本発明の請求項４の発明は、反応性
ガスとして、酸素を用いるので、プラズマ中に酸素のラ
ジカルを生成することができ、汚染物質の除去処理の効
果を高くすることができると共に反応容器内に安定した
放電を発生させてプラズマを効率よく生成することがで
きるものである。According to the invention of claim 4 of the present invention, since oxygen is used as the reactive gas, oxygen radicals can be generated in the plasma, and the effect of the contaminant removal treatment can be enhanced. In addition, plasma can be efficiently generated by generating stable discharge in the reaction vessel.
【００９７】また、本発明の請求項５の発明は、反応性
ガスとして酸素を用いたプラズマ処理を行った直後に連
続して、反応性ガスとして水素を用いたプラズマ処理を
行うので、導体回路の露出部分の汚染物質を完全に除去
できるように過剰に酸素プラズマによるプラズマ処理を
行った際に露出部分の表面が酸化しても、水素プラズマ
による還元作用で露出部分の表面を純粋な金属膜にする
ことができ、めっきの密着性や濡れ性を高めることがで
きるものである。According to the invention of claim 5 of the present invention, the plasma processing using hydrogen as the reactive gas is performed immediately after the plasma processing using oxygen as the reactive gas is performed. Even if the surface of the exposed part is oxidized when the plasma treatment with oxygen plasma is performed excessively so that the contaminants on the exposed part can be completely removed, the surface of the exposed part is reduced to pure metal film by hydrogen plasma. To improve the adhesion and wettability of the plating.
【００９８】また、本発明の請求項６の発明は、レジス
ト膜に開口部を設けて導体回路を露出させた後、プラズ
マ処理を施す前に、エッチング処理を施すので、エッチ
ング処理によって大きな汚染物質を除去した後に依然と
して残存している汚染物質をプラズマ処理によって除去
することができ、汚染物質の除去を効率よく行うことが
できるものである。Further, according to the invention of claim 6 of the present invention, after the opening is formed in the resist film to expose the conductive circuit and before the plasma treatment is performed, the etching treatment is performed. The contaminants remaining after the removal of the contaminants can be removed by plasma treatment, and the contaminants can be efficiently removed.
【００９９】また、本発明の請求項９の発明は、反応容
器を絶縁材料で形成すると共に反応容器の外側に複数の
電極を設け、電極間に電圧を印加することによって反応
容器内にプラズマを生成するので、電極がプラズマに直
接曝されることが無くなってプラズマによりスパッタリ
ングを受けないようにすることができると共に電極がプ
ラズマ生成用ガスにより腐食されないようにすることが
でき、電極へのダメージが少なくなって寿命を長くする
ことができるものである。しかも、スパッタリングや腐
食により不純物が生じないので、長期間の使用であって
もプリント配線板が不純物より汚染されないようにする
ことができるものである。Further, according to the ninth aspect of the present invention, the reaction vessel is formed of an insulating material, a plurality of electrodes are provided outside the reaction vessel, and a voltage is applied between the electrodes to generate plasma in the reaction vessel. Since the electrode is not directly exposed to the plasma, the electrode can be prevented from being sputtered by the plasma, and the electrode can be prevented from being corroded by the plasma generating gas. It is possible to reduce the life and extend the life. In addition, since no impurities are generated by sputtering or corrosion, the printed wiring board can be prevented from being contaminated by the impurities even when used for a long time.
【０１００】また、本発明の請求項１０の発明は、反応
容器の内面に沿った電気力線が形成されるように電極を
配置し、幅を持ったプラズマジェットが吹き出されるよ
うに吹き出し口をスリット状に形成するので、電気力線
による反応容器の劣化を少なくすることができ、反応容
器の内面からその構成物質が飛び出しにくくなってプリ
ント配線板が不純物により汚染されるのを少なくするこ
とができるものであり、しかも、幅を持ったプラズマジ
ェットを吹き出すことによって、スポット的なプラズマ
を吹き出すものに比べてプリント配線板の広い面積を一
度にプラズマを供給することができ、プリント配線板に
設けた多数個の開口部や導体回路の露出部分を一度にプ
ラズマ処理することができて処理時間を短くすることが
できるものである。Further, according to the invention of claim 10 of the present invention, the electrodes are arranged so that the lines of electric force are formed along the inner surface of the reaction vessel, and the discharge port is formed so that a wide plasma jet is blown out. Is formed in a slit shape, so that the deterioration of the reaction container due to the lines of electric force can be reduced, and the constituent substances are less likely to jump out from the inner surface of the reaction container, thereby reducing contamination of the printed wiring board by impurities. By blowing out a plasma jet with a width, it is possible to supply a large area of the printed wiring board at a time compared to the one that blows out spot-like plasma. A large number of openings and exposed portions of the conductor circuit can be plasma-processed at a time, thereby shortening the processing time.
【０１０１】また、本発明の請求項１１の発明は、片側
が吹き出し口として開放された反応容器と、反応容器内
に導入されるプラズマ生成用ガスと、大気圧近傍の圧力
下で反応容器内にプラズマを生成するための電極と、プ
リント配線板を吹き出し口の近傍に搬送するための搬送
手段とを備えるので、反応容器内にプラズマ生成用ガス
を導入すると共に電極間に電圧を印加することによっ
て、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生成
し、このプラズマをプラズマジェットとして吹き出し口
から吹き出してプリント配線板に吹き付けることによっ
て、真空中でのプラズマ処理に比べてプリント配線板に
高い圧力でプラズマを供給することができ、高アスペク
ト比の開口部であってもプラズマが開口部内に導入され
やすくなって、レジスト膜の開口部から露出する導体回
路の露出部分の表面を均一に処理して汚染物質を十分に
除去することができるものである。また、大気圧近傍の
圧力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器
内を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、装置が大掛かりにならないようにすることができる
ものであり、しかも、プリント配線板を一つずつ真空容
器内に入れて処理する必要が無く、複数個のプリント配
線板を連続的に搬送しながらプリント配線板の全ての導
体回路の露出部分及び開口部の周辺に汚染物質の除去処
理を施すことができ、汚染物質の除去処理を効率よく行
うことができるものである。Further, the invention of claim 11 of the present invention relates to a reaction vessel having one side opened as a blow-out port, a plasma generating gas introduced into the reaction vessel, and a gas inside the reaction vessel under a pressure near atmospheric pressure. Since it is equipped with an electrode for generating plasma and a transporting means for transporting the printed wiring board to the vicinity of the outlet, it is necessary to introduce a plasma generating gas into the reaction vessel and apply a voltage between the electrodes. Generates plasma in the reaction vessel under a pressure near the atmospheric pressure, and blows out this plasma from the outlet as a plasma jet to the printed wiring board. Plasma can be supplied at a high pressure, and plasma can be easily introduced into the opening even in an opening with a high aspect ratio. The surface of the exposed portion of the conductor circuit exposed from the opening of the preparative film uniformly treated to contaminants are those that can be sufficiently removed. Further, since the plasma treatment is performed under a pressure near the atmospheric pressure, there is no need for a vacuum vessel or a means such as a vacuum pump for evacuating the vacuum vessel, and the apparatus can be prevented from becoming large-scale. Yes, there is no need to process each printed wiring board in a vacuum vessel one by one, and the exposed portions and openings of all the conductor circuits of the printed wiring board while continuously transporting a plurality of printed wiring boards Can be subjected to a contaminant removal process in the vicinity thereof, and the contaminant removal process can be performed efficiently.
【０１０２】また、本発明の請求項１２の発明は、絶縁
材料で形成されてガス導入口と吹き出し口を有して筒状
に形成される反応容器と、反応容器に配設された対をな
す電極とを具備して構成され、ガス導入口から反応容器
内にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に交番
する電圧あるいはパルス状の電圧を印加することによ
り、大気圧近傍の圧力下で反応容器内に放電を生じさせ
ると共に吹き出し口からプラズマを吹き出させることに
よって、プリント配線板にプラズマを供給し、このプラ
ズマによりプリント配線板の導体回路の露出部分に残存
する汚染物質を除去するので、真空中でのプラズマ処理
に比べてプリント配線板に高い圧力でプラズマを供給す
ることができ、高アスペクト比の開口部であってもプラ
ズマが開口部内に導入されやすくなって、レジスト膜の
開口部から露出する導体回路の露出部分の表面を均一に
処理して汚染物質を十分に除去することができるもので
ある。また、大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行う
ので、真空容器や真空容器内を真空にするための真空ポ
ンプなどの手段が必要でなく、装置が大掛かりにならな
いようにすることができるものであり、しかも、プリン
ト配線板を一つずつ真空容器内に入れて処理する必要が
無く、複数個のプリント配線板を連続的に搬送しながら
プリント配線板の全ての導体回路の露出部分及び開口部
の周辺に汚染物質の除去処理を施すことができ、汚染物
質の除去処理を効率よく行うことができるものである。Further, the invention of claim 12 of the present invention relates to a reaction vessel formed of an insulating material and having a gas inlet and an outlet and formed in a cylindrical shape, and a pair disposed in the reaction vessel. And a plasma generating gas supplied into the reaction vessel from the gas inlet and applying an alternating voltage or a pulse-like voltage between the electrodes under a pressure near the atmospheric pressure. Plasma is supplied to the printed wiring board by generating a discharge in the reaction vessel and blowing out the plasma from the outlet, and the plasma removes contaminants remaining in the exposed portions of the conductor circuit of the printed wiring board. Plasma can be supplied to the printed wiring board at a higher pressure than plasma processing in a vacuum, and plasma can be introduced into the openings even in openings with a high aspect ratio. It is likely to be one in which the process uniformly the surface of the exposed portion of the conductor circuit exposed from the opening of the resist film to the contaminants can be sufficiently removed. Further, since the plasma treatment is performed under a pressure near the atmospheric pressure, there is no need for a vacuum vessel or a means such as a vacuum pump for evacuating the vacuum vessel, and the apparatus can be prevented from becoming large-scale. Yes, there is no need to process each printed wiring board in a vacuum vessel one by one, and the exposed portions and openings of all the conductor circuits of the printed wiring board while continuously transporting a plurality of printed wiring boards Can be subjected to a contaminant removal process in the vicinity thereof, and the contaminant removal process can be performed efficiently.
【０１０３】また、本発明の請求項１３の発明は、絶縁
材料で形成されてガス導入口と吹き出し口を有して幅広
状の筒状に形成される反応容器と、電気力線がほぼ反応
容器の筒軸方向に沿って形成されるように配設された対
をなす電極とを具備して構成され、ガス導入口から反応
容器内にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に
交番する電圧あるいはパルス状の電圧を印加することに
より、大気圧近傍の圧力下で反応容器内に放電を生じさ
せると共に吹き出し口からプラズマを吹き出させること
によって、プリント配線板にプラズマを供給し、このプ
ラズマによりプリント配線板の導体回路の露出部分に残
存する汚染物質を除去するプリント配線板の処理装置に
おいて、反応容器内に多数のストリーマを生じさせるた
めのストリーマ生成手段と、この多数のストリーマを反
応容器の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一に発生させる
ためのストリーマ均一化手段とを備え、反応容器の狭い
方の内寸を１〜５ｍｍに形成し、ガス導入口の開口面積
を吹き出し口の開口面積よりも小さく形成するので、ス
トリーマ生成手段により発生させた多数のストリーマ
を、ストリーマ均一化手段により反応容器の幅広方向の
全域に亘ってほぼ均一化することができ、ストリーマを
積極的に発生させると共にストリーマを放電空間内に一
様にムラなく発生させることによって、処理速度を速く
することができると共に均一な汚染物質の除去処理を行
うことができるものである。また、反応容器の狭い方の
内寸を１〜５ｍｍに形成することによって、吹き出し口
から吹き出されるプラズマの流速を反応容器の幅広方向
の位置によってばらつかないようにすることができ、ま
た、プラズマ生成用ガスの供給量や電力量を少なくして
も汚染物質の除去処理を行うことができ、コストをかけ
ずに均一な汚染物質の除去処理を行うことができるもの
である。さらに、ガス導入口の開口面積を吹き出し口の
開口面積よりも小さく形成することによって、ストリー
マの生成を反応容器の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一
化することができ、均一な汚染物質の除去処理を行うこ
とができるものである。The invention according to claim 13 of the present invention is characterized in that the reaction vessel, which is formed of an insulating material and has a gas introduction port and a discharge port and is formed in a wide cylindrical shape, substantially reacts with the lines of electric force. A pair of electrodes arranged to be formed along the cylinder axis direction of the container, and supplies a plasma generating gas into the reaction container from a gas inlet and alternates between the electrodes. By applying a voltage or a pulsed voltage, a discharge is generated in the reaction vessel under a pressure close to the atmospheric pressure, and plasma is blown out from a blowout port, thereby supplying a plasma to the printed wiring board. In a printed wiring board processing apparatus that removes contaminants remaining in exposed portions of conductive circuits on the printed wiring board, a streamer for generating a large number of streamers in a reaction vessel. Means, and a streamer homogenizing means for generating the plurality of streamers almost uniformly over the entire area in the width direction of the reaction vessel, and forming the narrow inner dimension of the reaction vessel to 1 to 5 mm, Since the opening area of the inlet is formed smaller than the opening area of the outlet, a large number of streamers generated by the streamer generating means are made substantially uniform over the entire area in the width direction of the reaction vessel by the streamer uniformizing means. By actively generating the streamer and generating the streamer uniformly in the discharge space, it is possible to increase the processing speed and perform a uniform contaminant removal process. is there. Further, by forming the narrow inner dimension of the reaction vessel to 1 to 5 mm, it is possible to prevent the flow rate of the plasma blown out from the outlet from fluctuating depending on the position in the wide direction of the reaction vessel, The contaminant removal processing can be performed even if the supply amount and the electric power amount of the plasma generation gas are reduced, and the uniform contaminant removal processing can be performed without increasing the cost. Furthermore, by forming the opening area of the gas inlet smaller than the opening area of the outlet, it is possible to make the generation of the streamer almost uniform over the entire area in the width direction of the reaction vessel, and to uniformly remove contaminants. Processing can be performed.
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of the present invention.
【図２】同上のレジスト膜の開口部及びその周辺におけ
る汚染物質の残存状態を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a contaminant remains in an opening of the resist film and its periphery.
【図３】同上の他の実施の形態の一例を示し、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は底面図である。3A and 3B show an example of another embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a perspective view and FIG. 3B is a bottom view.
【図４】同上の図３の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of FIG.
【図５】同上のプリント配線板の製造工程の一例を示
し、（ａ）〜（ｉ）は断面図である。FIGS. 5A to 5I are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process of the above printed wiring board. FIGS.
【図６】同上の他のプリント配線板の製造工程の一例を
示し、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。6A to 6E show an example of a manufacturing process of another printed wiring board according to the embodiment, and FIGS.
【図７】同上のプラズマ処理後に形成するめっき膜の形
成状態を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state of formation of a plating film formed after the plasma processing.
【図８】同上の電気力線を示し、（ａ）（ｂ）は断面図
である。FIGS. 8A and 8B show electric force lines of the above, and FIGS. 8A and 8B are cross-sectional views.
【図９】同上の他の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view showing an example of another embodiment of the above.
【図１０】同上の他の実施の形態の一例を示す斜視図で
ある。FIG. 10 is a perspective view showing an example of another embodiment of the above.
【図１１】同上の非放電時における吹き出し口直下での
ガス流速分布を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing a gas flow rate distribution immediately below a blowout port during non-discharge according to the first embodiment.
【図１２】同上の放電時における吹き出し口直下でのガ
ス流速分布を示すグラフである。FIG. 12 is a graph showing a gas flow rate distribution immediately below an outlet at the time of discharge in the above.
２ 開口部 ３ 汚染物質 ４ 吹き出し口 ５ 反応容器 ６ プラズマ １１ 電極 １２ 電極 １４ プリント配線板 １５ 搬送手段 １６ ガス導入口 ２５ 導体回路 ２５ａ 露出部分 ２６ レジスト膜 ａ 電気力線 Ｇ 筒軸方向 2 Opening 3 Contaminant 4 Blow-out port 5 Reaction vessel 6 Plasma 11 Electrode 12 Electrode 14 Printed wiring board 15 Carrier 16 Gas inlet 25 Conductor circuit 25a Exposed portion 26 Resist film a Electric force line G Tube axis direction
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｂ 3/42 ６１０ 3/42 ６１０Ａ (72)発明者 中川 義廣 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA26 BA05 BA06 EA02 HA27 HA30 JA04 4G075 AA30 BC06 CA47 CA62 CA63 EB41 5E314 AA32 AA33 BB06 BB11 BB12 FF01 GG11 5E317 AA01 BB01 BB12 BB13 BB15 CC31 CC52 CD01 CD25 CD27 CD34 GG03 GG09 5E343 AA02 AA07 AA11 BB08 BB17 BB23 BB24 BB44 BB71 DD43 EE08 EE13 EE36 EE46 FF23 GG01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/28 H05K 3/28 B 3/42 610 3/42 610A (72) Inventor Yoshihiro Nakagawa Kadoma, Osaka 1048 Ichidomo Kadoma Matsushita Electric Works Co., Ltd.F-term (reference) 2H096 AA26 BA05 BA06 EA02 HA27 HA30 JA04 4G075 AA30 BC06 CA47 CA62 CA63 EB41 5E314 AA32 AA33 BB06 BB11 BB12 FF01 GG11 5E317 AA01 BB01 BB01 BB01 BB01 CD34 GG03 GG09 5E343 AA02 AA07 AA11 BB08 BB17 BB23 BB24 BB44 BB71 DD43 EE08 EE13 EE36 EE46 FF23 GG01
Claims (13)
にレジスト膜を形成すると共にレジスト膜に開口部を設
けて導体回路を露出させ、導体回路の露出部分にプラズ
マ処理した後にめっき処理を施すプリント配線板の処理
方法において、片側が吹き出し口として開放された反応
容器内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧
力下で反応容器内にプラズマを生成し、このプラズマを
プラズマジェットとして吹き出し口から吹き出して導体
回路の露出部分に吹き付けることを特徴とするプリント
配線板の処理方法。1. A resist film is formed on a printed wiring board provided with a conductive circuit on the surface, an opening is provided in the resist film to expose the conductive circuit, and the exposed portion of the conductive circuit is subjected to plasma treatment and then plated. In a method of processing a printed wiring board, a gas for plasma generation is introduced into a reaction vessel that is opened on one side as an outlet, and plasma is generated in the reaction vessel under a pressure near atmospheric pressure, and this plasma is used as a plasma jet. A method for processing a printed wiring board, comprising blowing out from an outlet and spraying the exposed portion of a conductive circuit.
反応性ガスを含む希ガスを用いることを特徴とする請求
項１に記載のプリント配線板の処理方法。2. The method for processing a printed wiring board according to claim 1, wherein a rare gas or a rare gas containing a reactive gas is used as the plasma generating gas.
なくとも一方を用いることを特徴とする請求項２に記載
のプリント配線板の処理方法。3. The method for treating a printed wiring board according to claim 2, wherein at least one of helium and argon is used as the rare gas.
特徴とする請求項２又は３に記載のプリント配線板の処
理方法。4. The method for processing a printed wiring board according to claim 2, wherein oxygen is used as the reactive gas.
処理を行った直後に連続して、反応性ガスとして水素を
用いたプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項２乃
至４のいずれかに記載のプリント配線板の処理方法。5. A plasma processing using hydrogen as a reactive gas immediately after performing a plasma processing using oxygen as a reactive gas. The method for processing the printed wiring board described in the above.
露出させた後、プラズマ処理を施す前に、エッチング処
理を施すことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載のプリント配線板の処理方法。6. The printed wiring according to claim 1, wherein an etching process is performed after an opening is provided in the resist film to expose the conductive circuit and before a plasma process is performed. Plate processing method.
樹脂を用いてレジスト膜を形成することを特徴とする請
求項１乃至６のいずれかに記載のプリント配線板の処理
方法。7. The method for processing a printed wiring board according to claim 1, wherein the resist film is formed using an epoxy resin or an epoxy acrylate resin.
めっきまたはニッケルめっきに続けて金めっきを施すこ
とを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のプリ
ント配線板の処理方法。8. The method for processing a printed wiring board according to claim 1, wherein gold plating is performed subsequent to nickel plating or nickel plating as plating applied to the conductor circuit.
応容器の外側に複数の電極を設け、電極間に電圧を印加
することによって反応容器内にプラズマを生成すること
を特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のプリン
ト配線板の処理方法。9. The reaction container according to claim 1, wherein the reaction container is formed of an insulating material, a plurality of electrodes are provided outside the reaction container, and plasma is generated in the reaction container by applying a voltage between the electrodes. 9. The method for treating a printed wiring board according to any one of claims 8 to 8.
成されるように電極を配置し、幅を持ったプラズマジェ
ットが吹き出されるように吹き出し口をスリット状に形
成することを特徴とする請求項９に記載のプリント配線
板の処理方法。10. An electrode is arranged so that lines of electric force are formed along an inner surface of a reaction vessel, and an outlet is formed in a slit shape so as to blow a plasma jet having a width. The method for processing a printed wiring board according to claim 9.
応容器と、反応容器内に導入されるプラズマ生成用ガス
と、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生成
するための電極と、プリント配線板を吹き出し口の近傍
に搬送するための搬送手段とを備えて成ることを特徴と
するプリント配線板の処理装置。11. A reaction vessel having one side opened as a blow-out port, a plasma generating gas introduced into the reaction vessel, and an electrode for generating plasma in the reaction vessel under a pressure near atmospheric pressure. A processing device for a printed wiring board, comprising: transport means for transporting the printed wiring board to the vicinity of the outlet.
き出し口を有して筒状に形成される反応容器と、反応容
器に配設された対をなす電極とを具備して構成され、ガ
ス導入口から反応容器内にプラズマ生成用ガスを供給す
ると共に電極間に交番する電圧あるいはパルス状の電圧
を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で反応容器
内に放電を生じさせると共に吹き出し口からプラズマを
吹き出させることによって、プリント配線板にプラズマ
を供給し、このプラズマによりプリント配線板の導体回
路の露出部分に残存する汚染物質を除去することを特徴
とするプリント配線板の処理装置。12. A reaction container formed of an insulating material and formed in a cylindrical shape having a gas inlet and a gas outlet, and a pair of electrodes provided in the reaction container. By supplying a plasma generating gas into the reaction vessel from the gas inlet and applying an alternating voltage or a pulsed voltage between the electrodes, a discharge is generated in the reaction vessel at a pressure close to the atmospheric pressure and blown out. A processing apparatus for a printed wiring board, characterized in that plasma is supplied to a printed wiring board by blowing out plasma from an opening, and contaminants remaining in an exposed portion of a conductor circuit of the printed wiring board are removed by the plasma.
き出し口を有して幅広状の筒状に形成される反応容器
と、電気力線がほぼ反応容器の筒軸方向に沿って形成さ
れるように配設された対をなす電極とを具備して構成さ
れ、ガス導入口から反応容器内にプラズマ生成用ガスを
供給すると共に電極間に交番する電圧あるいはパルス状
の電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で反
応容器内に放電を生じさせると共に吹き出し口からプラ
ズマを吹き出させることによって、プリント配線板にプ
ラズマを供給し、このプラズマによりプリント配線板の
導体回路の露出部分に残存する汚染物質を除去するプリ
ント配線板の処理装置において、反応容器内に多数のス
トリーマを生じさせるためのストリーマ生成手段と、こ
の多数のストリーマを反応容器の幅広方向の全域に亘っ
てほぼ均一に発生させるためのストリーマ均一化手段と
を備え、反応容器の狭い方の内寸を１〜５ｍｍに形成
し、ガス導入口の開口面積を吹き出し口の開口面積より
も小さく形成して成ることを特徴とするプリント配線板
の処理装置。13. A reaction vessel formed of an insulating material and having a wide cylindrical shape having a gas inlet and a gas outlet, and a line of electric force formed substantially along a cylinder axis of the reaction vessel. And a pair of electrodes arranged so as to supply a plasma generating gas into the reaction vessel from the gas inlet and applying an alternating voltage or a pulsed voltage between the electrodes. By generating a discharge in the reaction vessel under a pressure near the atmospheric pressure and blowing out plasma from the outlet, the plasma is supplied to the printed wiring board, and the plasma causes the exposed portion of the conductor circuit of the printed wiring board to be exposed. In a printed wiring board processing apparatus for removing remaining contaminants, a streamer generating means for generating a large number of streamers in a reaction vessel, A streamer homogenizing means for generating almost uniformly over the whole area in the width direction of the reaction vessel, forming the narrow inner dimension of the reaction vessel to 1 to 5 mm, and increasing the opening area of the gas inlet to the outlet. A printed wiring board processing apparatus characterized by being formed smaller than the opening area of the printed wiring board.
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|---|---|---|---|
| JP2001171105A JP2002368389A (en) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | Method and device for treating printed wiring board |
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