JP2002367944A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002367944A JP2002367944A JP2001168392A JP2001168392A JP2002367944A JP 2002367944 A JP2002367944 A JP 2002367944A JP 2001168392 A JP2001168392 A JP 2001168392A JP 2001168392 A JP2001168392 A JP 2001168392A JP 2002367944 A JP2002367944 A JP 2002367944A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積極的に処理溶液を冷却することにより、冷
却に要する温度調整時間を短縮化してスループットを向
上できる。 【解決手段】 処理溶液を生成するための処理槽１と、
処理槽１に処理液を供給する配管２７と、処理槽１の処
理溶液を冷却し、再び配管２７に戻る熱交換チューブ４
７とを備え、処理槽１内の処理溶液の温度が目標温度を
超えた場合には、熱交換チューブ４７に処理液を供給す
る。熱交換チューブ４７に処理液を供給して積極的に処
理槽１の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮する
ことができ、スループットを向上することができる。
却に要する温度調整時間を短縮化してスループットを向
上できる。 【解決手段】 処理溶液を生成するための処理槽１と、
処理槽１に処理液を供給する配管２７と、処理槽１の処
理溶液を冷却し、再び配管２７に戻る熱交換チューブ４
７とを備え、処理槽１内の処理溶液の温度が目標温度を
超えた場合には、熱交換チューブ４７に処理液を供給す
る。熱交換チューブ４７に処理液を供給して積極的に処
理槽１の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮する
ことができ、スループットを向上することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液
晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）に処
理溶液を供給して洗浄処理を施したり、基板に処理溶液
を供給してエッチング処理を施したりする表面処理用の
基板処理装置に係り、特に、少なくとも二種類の処理液
を混合した処理溶液を用いて処理する技術に関する。
晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）に処
理溶液を供給して洗浄処理を施したり、基板に処理溶液
を供給してエッチング処理を施したりする表面処理用の
基板処理装置に係り、特に、少なくとも二種類の処理液
を混合した処理溶液を用いて処理する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、硫
酸と過酸化水素水とを混合してなる処理溶液により、基
板に被着したフォトレジスト被膜を剥離するものが挙げ
られる。この装置では、処理槽に処理溶液を貯留し、こ
の中に基板を浸漬することにより洗浄処理を施すように
なっている。
酸と過酸化水素水とを混合してなる処理溶液により、基
板に被着したフォトレジスト被膜を剥離するものが挙げ
られる。この装置では、処理槽に処理溶液を貯留し、こ
の中に基板を浸漬することにより洗浄処理を施すように
なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、硫酸と過酸化水素水とを混合すると発
熱するので、生成された処理溶液の温度が処理温度（例
えば１２０℃）よりも高い温度（例えば１３５℃）にま
で上昇してしまう。処理を施す目標温度よりも処理溶液
の温度が低い場合には加熱器を使用して昇温すればよい
が、目標温度よりも処理溶液の温度が高くなった場合に
は、処理槽周囲の空気との温度差による空冷となるの
で、処理溶液の温度が下がるのに非常に時間を要する。
したがって、処理溶液を生成してから実際に基板の処理
を開始するまでの時間が無駄になり、スループットが低
下するという問題がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、硫酸と過酸化水素水とを混合すると発
熱するので、生成された処理溶液の温度が処理温度（例
えば１２０℃）よりも高い温度（例えば１３５℃）にま
で上昇してしまう。処理を施す目標温度よりも処理溶液
の温度が低い場合には加熱器を使用して昇温すればよい
が、目標温度よりも処理溶液の温度が高くなった場合に
は、処理槽周囲の空気との温度差による空冷となるの
で、処理溶液の温度が下がるのに非常に時間を要する。
したがって、処理溶液を生成してから実際に基板の処理
を開始するまでの時間が無駄になり、スループットが低
下するという問題がある。
【０００４】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、積極的に処理溶液を冷却することに
より、冷却に要する温度調整時間を短縮化してスループ
ットを向上できる基板処理装置を提供することを目的と
する。
れたものであって、積極的に処理溶液を冷却することに
より、冷却に要する温度調整時間を短縮化してスループ
ットを向上できる基板処理装置を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、少なくとも二種類の処理
液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基
板処理装置において、少なくとも二種類の処理液を混合
して処理溶液を生成するための混合槽と、前記混合槽に
処理液を供給する供給手段と、前記供給手段から分岐し
て前記混合槽の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に
戻る冷却配管とを備え、前記混合槽内の処理溶液の温度
が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を
供給させることを特徴とするものである。
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、少なくとも二種類の処理
液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基
板処理装置において、少なくとも二種類の処理液を混合
して処理溶液を生成するための混合槽と、前記混合槽に
処理液を供給する供給手段と、前記供給手段から分岐し
て前記混合槽の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に
戻る冷却配管とを備え、前記混合槽内の処理溶液の温度
が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を
供給させることを特徴とするものである。
【０００６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記混合槽は、処理溶液を貯
留して基板を浸漬する処理槽であることを特徴とするも
のである。
の基板処理装置において、前記混合槽は、処理溶液を貯
留して基板を浸漬する処理槽であることを特徴とするも
のである。
【０００７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記混合槽は、処理溶液を貯
留して基板を浸漬する処理槽とは別体であり、処理溶液
を生成するためだけの槽であることを特徴とするもので
ある。
の基板処理装置において、前記混合槽は、処理溶液を貯
留して基板を浸漬する処理槽とは別体であり、処理溶液
を生成するためだけの槽であることを特徴とするもので
ある。
【０００８】請求項４に記載の発明は、請求項２または
３に記載の基板処理装置において、前記処理槽は、基板
を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する
外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す
循環路とを備え、前記冷却配管が前記外槽に配設されて
いることを特徴とするものである。
３に記載の基板処理装置において、前記処理槽は、基板
を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する
外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す
循環路とを備え、前記冷却配管が前記外槽に配設されて
いることを特徴とするものである。
【０００９】請求項５に記載の発明は、請求項２または
３に記載の基板処理装置において、前記処理槽は、基板
を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する
外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す
循環路とを備え、前記冷却配管が前記循環路に配設され
ていることを特徴とするものである。
３に記載の基板処理装置において、前記処理槽は、基板
を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する
外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す
循環路とを備え、前記冷却配管が前記循環路に配設され
ていることを特徴とするものである。
【００１０】請求項６に記載の発明は、請求項１ないし
５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理
液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであり、硫酸を
前記冷却配管に流通させることを特徴とするものであ
る。
５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理
液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであり、硫酸を
前記冷却配管に流通させることを特徴とするものであ
る。
【００１１】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、混合槽の処理溶液が目標温度よりも高い
場合には、冷却配管に処理液を供給し、混合槽の処理溶
液を冷却する。冷却配管に供給された処理液は、再び供
給手段に戻されて混合槽へ供給される。
る。すなわち、混合槽の処理溶液が目標温度よりも高い
場合には、冷却配管に処理液を供給し、混合槽の処理溶
液を冷却する。冷却配管に供給された処理液は、再び供
給手段に戻されて混合槽へ供給される。
【００１２】なお、本発明における処理液とは、硫酸や
過酸化水素水などの薬液の他に純水も含む。
過酸化水素水などの薬液の他に純水も含む。
【００１３】請求項２に記載の発明によれば、処理溶液
を生成する混合槽が、処理溶液を貯留して基板を浸漬す
る処理槽である構成の基板処理装置でも請求項１と同様
の作用を生じる。
を生成する混合槽が、処理溶液を貯留して基板を浸漬す
る処理槽である構成の基板処理装置でも請求項１と同様
の作用を生じる。
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、処理溶液
を生成する混合槽が、処理溶液を貯留して基板を浸漬す
る処理槽とは別体となっている構成の基板処理装置でも
請求項１と同様の作用を生じる。
を生成する混合槽が、処理溶液を貯留して基板を浸漬す
る処理槽とは別体となっている構成の基板処理装置でも
請求項１と同様の作用を生じる。
【００１５】請求項４に記載の発明によれば、外槽に冷
却配管を設けて処理溶液を冷却する。
却配管を設けて処理溶液を冷却する。
【００１６】請求項５に記載の発明によれば、内槽と外
槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液
を冷却する。
槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液
を冷却する。
【００１７】請求項６に記載の発明によれば、冷媒とし
て硫酸を用いる。硫酸の沸点は、およそ３２７℃である
ので、水蒸気爆発の危険があって冷却水が使えない温度
の処理溶液の冷却にも使用できる。
て硫酸を用いる。硫酸の沸点は、およそ３２７℃である
ので、水蒸気爆発の危険があって冷却水が使えない温度
の処理溶液の冷却にも使用できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。なお、以下の各実施例では、基板
Ｗの表面に被着されたフォトレジスト被膜を、硫酸・過
酸化水素水からなる処理溶液により剥離処理を施す装置
を例に採って説明する。しかし、本発明は、この処理溶
液に限定されるものではなく、これ以外の各種の処理溶
液を用いた基板処理装置であっても適用可能である。
一実施例を説明する。なお、以下の各実施例では、基板
Ｗの表面に被着されたフォトレジスト被膜を、硫酸・過
酸化水素水からなる処理溶液により剥離処理を施す装置
を例に採って説明する。しかし、本発明は、この処理溶
液に限定されるものではなく、これ以外の各種の処理溶
液を用いた基板処理装置であっても適用可能である。
【００１９】＜第１実施例＞図１は、この実施例に係る
基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装
置は、複数枚の基板ＷをカセットＣに収納した状態で一
括して処理する、いわゆるバッチ式の処理装置である。
基板Ｗは、処理溶液を貯留する処理槽１にカセットＣご
と浸漬される。
基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装
置は、複数枚の基板ＷをカセットＣに収納した状態で一
括して処理する、いわゆるバッチ式の処理装置である。
基板Ｗは、処理溶液を貯留する処理槽１にカセットＣご
と浸漬される。
【００２０】処理槽１は、処理液が供給される内槽３
と、内槽３から溢れた処理溶液を回収する外槽５とを備
えている。外槽５の底部には循環路７が配設されてお
り、この循環路７は内槽３に連通接続されている。循環
路７には、外槽５の処理溶液を内槽３に圧送するための
ポンプ９と、処理溶液を加熱して目標温度に調節するた
めの加熱器１１と、処理溶液中のパーティクルを除去す
るためのフィルタ１３とが配備されている。
と、内槽３から溢れた処理溶液を回収する外槽５とを備
えている。外槽５の底部には循環路７が配設されてお
り、この循環路７は内槽３に連通接続されている。循環
路７には、外槽５の処理溶液を内槽３に圧送するための
ポンプ９と、処理溶液を加熱して目標温度に調節するた
めの加熱器１１と、処理溶液中のパーティクルを除去す
るためのフィルタ１３とが配備されている。
【００２１】本発明における混合槽に相当する内槽３に
は、一例として、過酸化水素水及び硫酸が処理液として
供給されるようになっている。これらは、それぞれの供
給源２１，２３から供給されるが、まずはそれらが供給
源２１，２３に連通された配管２５，２７を通して第１
秤量槽２９，第２秤量槽３１に供給される。それぞれの
供給は、配管２５，２７に取り付けられた開閉弁３３，
３５によって制御される。
は、一例として、過酸化水素水及び硫酸が処理液として
供給されるようになっている。これらは、それぞれの供
給源２１，２３から供給されるが、まずはそれらが供給
源２１，２３に連通された配管２５，２７を通して第１
秤量槽２９，第２秤量槽３１に供給される。それぞれの
供給は、配管２５，２７に取り付けられた開閉弁３３，
３５によって制御される。
【００２２】なお、硫酸供給源２３と、配管２７と、第
２秤量槽３１とが本発明における供給手段に相当する。
２秤量槽３１とが本発明における供給手段に相当する。
【００２３】硫酸供給源２３に連通した配管２７には、
二カ所に分岐管３７，３９が取り付けられている。これ
らの端部には、管継手４１が取り付けられている。配管
２７の、分岐管３７の分岐点Ｊ１と分岐管３９の分岐点
Ｊ２との間には、開閉弁４３が取り付けられているとと
もに、分岐管３７には開閉弁４５が取り付けられてい
る。
二カ所に分岐管３７，３９が取り付けられている。これ
らの端部には、管継手４１が取り付けられている。配管
２７の、分岐管３７の分岐点Ｊ１と分岐管３９の分岐点
Ｊ２との間には、開閉弁４３が取り付けられているとと
もに、分岐管３７には開閉弁４５が取り付けられてい
る。
【００２４】分岐管３７，３９に取り付けられている管
継手４１には、熱交換チューブ４７が接続されている。
この熱交換チューブ４７は、例えば、ＰＦＡ等のフッ素
樹脂チューブで構成され、一部が螺旋状に整形されてい
るとともに、螺旋状の部分が外槽５内に位置するように
取り付けられている。この実施例では、図に示すよう
に、外槽５に回収された処理溶液に熱交換チューブ４の
螺旋状の部分が浸漬するように取り付けられている。
継手４１には、熱交換チューブ４７が接続されている。
この熱交換チューブ４７は、例えば、ＰＦＡ等のフッ素
樹脂チューブで構成され、一部が螺旋状に整形されてい
るとともに、螺旋状の部分が外槽５内に位置するように
取り付けられている。この実施例では、図に示すよう
に、外槽５に回収された処理溶液に熱交換チューブ４の
螺旋状の部分が浸漬するように取り付けられている。
【００２５】なお、上記の構成に代えて、外槽５の壁面
に熱交換チューブ４７を埋め込むようにしてもよい。こ
れらの分岐管３７，３９と熱交換チューブ４７とが本発
明における冷却配管に相当する。また、熱交換チューブ
４７を処理槽１の内槽３に設けるようにしてもよい。
に熱交換チューブ４７を埋め込むようにしてもよい。こ
れらの分岐管３７，３９と熱交換チューブ４７とが本発
明における冷却配管に相当する。また、熱交換チューブ
４７を処理槽１の内槽３に設けるようにしてもよい。
【００２６】第１秤量槽２９と第２秤量槽３１には、内
槽３内に達する供給管４９，５１が配備されており、各
々に開閉弁５３，５５が取り付けられている。第１秤量
槽２９は、処理溶液に応じて秤量した過酸化水素水が供
給管４９を通して内槽３に供給され、第２秤量槽３１
は、同様にして秤量された硫酸が供給管５１を通して内
槽３に供給される。
槽３内に達する供給管４９，５１が配備されており、各
々に開閉弁５３，５５が取り付けられている。第１秤量
槽２９は、処理溶液に応じて秤量した過酸化水素水が供
給管４９を通して内槽３に供給され、第２秤量槽３１
は、同様にして秤量された硫酸が供給管５１を通して内
槽３に供給される。
【００２７】次に、上記のように構成された基板処理装
置の動作について図１ないし３を参照して説明する。な
お、図２は、通常動作時における硫酸の流れを示す模式
図であり、図３は、冷却動作時における硫酸の流れを示
す模式図である。
置の動作について図１ないし３を参照して説明する。な
お、図２は、通常動作時における硫酸の流れを示す模式
図であり、図３は、冷却動作時における硫酸の流れを示
す模式図である。
【００２８】まず、開閉弁４５、５３，５５を閉止した
まま、開閉弁３３，３５，４３を開放する。これにより
過酸化水素水供給源２１及び硫酸供給源２３から過酸化
水素水と硫酸が第１秤量槽２９及び第２秤量槽３１に供
給される。第１秤量槽２９及び第２秤量槽３１では、処
理溶液の生成に必要な過酸化水素水と硫酸の秤量が行な
われるともに、処理溶液をオーバーフローさせながら処
理槽１で処理するのに必要なそれぞれの量を貯留する。
まま、開閉弁３３，３５，４３を開放する。これにより
過酸化水素水供給源２１及び硫酸供給源２３から過酸化
水素水と硫酸が第１秤量槽２９及び第２秤量槽３１に供
給される。第１秤量槽２９及び第２秤量槽３１では、処
理溶液の生成に必要な過酸化水素水と硫酸の秤量が行な
われるともに、処理溶液をオーバーフローさせながら処
理槽１で処理するのに必要なそれぞれの量を貯留する。
【００２９】そして、所要量が貯留できたら、開閉弁５
３，５５を開放して、内槽３に過酸化水素水と硫酸の内
槽５への供給を開始する。処理溶液が外槽５に溢れて一
定高さまで貯留した時点でポンプ９を作動させ始め、処
理溶液を循環させる。そして、過酸化水素水と硫酸につ
いて所要量の供給が終わったら、開閉弁５３，５５を閉
止して、それらの供給を停止する。なお、このときの硫
酸の供給経路における開閉弁の状態を示したのが図２で
ある。
３，５５を開放して、内槽３に過酸化水素水と硫酸の内
槽５への供給を開始する。処理溶液が外槽５に溢れて一
定高さまで貯留した時点でポンプ９を作動させ始め、処
理溶液を循環させる。そして、過酸化水素水と硫酸につ
いて所要量の供給が終わったら、開閉弁５３，５５を閉
止して、それらの供給を停止する。なお、このときの硫
酸の供給経路における開閉弁の状態を示したのが図２で
ある。
【００３０】これにより一定量の処理溶液が処理槽１に
供給され、ポンプ９によって循環されるが、処理槽１内
の処理溶液は過酸化水素水と硫酸の反応によって発熱
し、例えば１３５℃くらいまで昇温する。基板Ｗを処理
する際の目標温度が例えば１２０℃であるとすると、発
熱により昇温している処理溶液の温度を１５℃程度は下
げてやる必要がある。
供給され、ポンプ９によって循環されるが、処理槽１内
の処理溶液は過酸化水素水と硫酸の反応によって発熱
し、例えば１３５℃くらいまで昇温する。基板Ｗを処理
する際の目標温度が例えば１２０℃であるとすると、発
熱により昇温している処理溶液の温度を１５℃程度は下
げてやる必要がある。
【００３１】そこで、開閉弁４５を開放するとともに、
開閉弁４３を閉止する。これにより図３に示すように、
硫酸供給源２３からの硫酸が分岐管３７を通って熱交換
チューブ４７に流入し、硫酸が外槽５に貯留している処
理溶液から吸熱した後、分岐管３９を通って配管２７に
戻り、第２秤量槽３１に戻る。
開閉弁４３を閉止する。これにより図３に示すように、
硫酸供給源２３からの硫酸が分岐管３７を通って熱交換
チューブ４７に流入し、硫酸が外槽５に貯留している処
理溶液から吸熱した後、分岐管３９を通って配管２７に
戻り、第２秤量槽３１に戻る。
【００３２】このように硫酸によって吸熱を行ない、処
理溶液の温度を低下させてゆく。目標温度に達したか否
かは、図示しない温度計測部によってモニタしておき、
その温度が目標温度に達したら開閉弁４３を開放すると
共に、開閉弁４５を閉止することで、図２に示すような
通常時の硫酸の流れに戻す。そして、図示しない搬送機
構によってカセットＣを内槽３に基板Ｗごと浸漬するこ
とで、基板Ｗに対してフォトレジスト被膜の剥離処理を
施す。
理溶液の温度を低下させてゆく。目標温度に達したか否
かは、図示しない温度計測部によってモニタしておき、
その温度が目標温度に達したら開閉弁４３を開放すると
共に、開閉弁４５を閉止することで、図２に示すような
通常時の硫酸の流れに戻す。そして、図示しない搬送機
構によってカセットＣを内槽３に基板Ｗごと浸漬するこ
とで、基板Ｗに対してフォトレジスト被膜の剥離処理を
施す。
【００３３】このように、処理槽１の処理溶液が目標温
度よりも高い場合には、熱交換チューブ４７に硫酸を供
給して積極的に処理槽の処理溶液を冷却するので、冷却
時間を短縮することができ、装置のスループットを向上
することができる。
度よりも高い場合には、熱交換チューブ４７に硫酸を供
給して積極的に処理槽の処理溶液を冷却するので、冷却
時間を短縮することができ、装置のスループットを向上
することができる。
【００３４】また、熱交換チューブ４７に供給された硫
酸は再び第２秤量槽３１に戻されて処理槽１へ供給され
るので、余分な排出物がでないだけでなく、万が一、硫
酸が処理溶液に混入した場合であっても、処理対象であ
る基板Ｗの汚染が防止できるという効果をも有する。
酸は再び第２秤量槽３１に戻されて処理槽１へ供給され
るので、余分な排出物がでないだけでなく、万が一、硫
酸が処理溶液に混入した場合であっても、処理対象であ
る基板Ｗの汚染が防止できるという効果をも有する。
【００３５】また、冷却水が使えないほどの温度にまで
昇温する処理溶液であっても、冷媒として硫酸を採用す
ることにより、十分に冷却することができる。その上、
外槽５に熱交換チューブ７を配備して処理溶液を冷却す
るという構成であり、比較的簡単に処理溶液を冷却する
ことができる。
昇温する処理溶液であっても、冷媒として硫酸を採用す
ることにより、十分に冷却することができる。その上、
外槽５に熱交換チューブ７を配備して処理溶液を冷却す
るという構成であり、比較的簡単に処理溶液を冷却する
ことができる。
【００３６】＜第２実施例＞図４は、この実施例に係る
基板処理装置を示す概略構成図である。なお、図中、上
記第１実施例と同じ構成については同符号を付すことで
詳細な説明については省略する。
基板処理装置を示す概略構成図である。なお、図中、上
記第１実施例と同じ構成については同符号を付すことで
詳細な説明については省略する。
【００３７】この基板処理装置は、本発明における冷却
配管に相当する熱交換器６１を循環路７に備えている点
において上記実施例装置と相違している。具体的には、
熱交換器６１を、循環路７中の加熱器１１とフィルタ１
３との間に設けてある。これにより循環路７に流通して
いる処理溶液を冷却する。このような構成により、上述
した第１実施例よりも効率的に処理溶液の冷却が行える
ようになっている。
配管に相当する熱交換器６１を循環路７に備えている点
において上記実施例装置と相違している。具体的には、
熱交換器６１を、循環路７中の加熱器１１とフィルタ１
３との間に設けてある。これにより循環路７に流通して
いる処理溶液を冷却する。このような構成により、上述
した第１実施例よりも効率的に処理溶液の冷却が行える
ようになっている。
【００３８】＜変形例＞上記の第１実施例装置及び第２
実施例装置は、処理槽１の内槽３で処理溶液を生成する
ように構成されているが、図５に示すように、混合槽６
５で処理溶液を生成するような装置であっても本発明を
適用可能である。
実施例装置は、処理槽１の内槽３で処理溶液を生成する
ように構成されているが、図５に示すように、混合槽６
５で処理溶液を生成するような装置であっても本発明を
適用可能である。
【００３９】すなわち、第１秤量槽２９と第２秤量槽３
１から所定量の過酸化水素水と硫酸を混合槽６５に供給
して処理溶液を生成する。このようにして生成した処理
溶液を、開閉弁６９を開放することにより供給管６７を
通して、処理槽１の内槽３に供給する。この場合には、
混合槽６５で処理溶液が昇温するので、この混合槽６５
に配備してある熱交換チューブ４７に硫酸を流通させる
ことにより、処理溶液を冷却する。
１から所定量の過酸化水素水と硫酸を混合槽６５に供給
して処理溶液を生成する。このようにして生成した処理
溶液を、開閉弁６９を開放することにより供給管６７を
通して、処理槽１の内槽３に供給する。この場合には、
混合槽６５で処理溶液が昇温するので、この混合槽６５
に配備してある熱交換チューブ４７に硫酸を流通させる
ことにより、処理溶液を冷却する。
【００４０】なお、本発明は、以下のように変形実施が
可能である。
可能である。
【００４１】（１）熱交換チューブ４７や熱交換器６１
を二カ所に備えて両処理液を冷媒として用いるようにし
てもよい。
を二カ所に備えて両処理液を冷媒として用いるようにし
てもよい。
【００４２】（２）バッチ式の基板処理装置だけに限定
されるものではなく、枚葉式の基板処理装置であっても
適用可能である。
されるものではなく、枚葉式の基板処理装置であっても
適用可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、混合槽の処理溶液が目標温度
よりも高い場合には、冷却配管に処理液を供給して積極
的に混合槽の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮
することができ、スループットを向上することができ
る。また、冷却配管に供給された処理液は再び供給手段
に戻されて混合槽へ供給されるので、余分な排出物がで
ないだけでなく、万が一、冷媒が処理溶液に混入した場
合であっても、基板の汚染が防止できる。
１に記載の発明によれば、混合槽の処理溶液が目標温度
よりも高い場合には、冷却配管に処理液を供給して積極
的に混合槽の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮
することができ、スループットを向上することができ
る。また、冷却配管に供給された処理液は再び供給手段
に戻されて混合槽へ供給されるので、余分な排出物がで
ないだけでなく、万が一、冷媒が処理溶液に混入した場
合であっても、基板の汚染が防止できる。
【００４４】請求項２に記載の発明によれば、混合槽が
処理槽である構成の基板処理装置でも請求項１と同様の
効果を得られる。
処理槽である構成の基板処理装置でも請求項１と同様の
効果を得られる。
【００４５】請求項３に記載の発明によれば、混合槽が
処理槽とは別体となっている構成の基板処理装置でも請
求項１と同様の効果を得られる。
処理槽とは別体となっている構成の基板処理装置でも請
求項１と同様の効果を得られる。
【００４６】請求項４に記載の発明によれば、外槽に冷
却配管を設けて処理溶液を冷却することにより、比較的
簡単な構成で処理溶液を冷却できる。
却配管を設けて処理溶液を冷却することにより、比較的
簡単な構成で処理溶液を冷却できる。
【００４７】請求項５に記載の発明によれば、内槽と外
槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液
を冷却することにより、効率的に処理溶液を冷却するこ
とができる。
槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液
を冷却することにより、効率的に処理溶液を冷却するこ
とができる。
【００４８】請求項６に記載の発明によれば、冷却水が
使えないほどの温度にまで昇温する処理溶液であって
も、冷媒として硫酸を使用いて冷却することができる。
使えないほどの温度にまで昇温する処理溶液であって
も、冷媒として硫酸を使用いて冷却することができる。
【図１】第１実施例に係る基板処理装置を示す概略構成
図である。
図である。
【図２】通常動作時における処理液の流れを示す模式図
である。
である。
【図３】冷却動作時における処理液の流れを示す模式図
である。
である。
【図４】第２実施例に係る基板処理装置を示す概略構成
図である。
図である。
【図５】変形例に係る基板処理装置の要部を示す図であ
る。
る。
Ｗ … 基板 Ｃ … カセット １ … 処理槽 ３ … 内槽 ５ … 外槽 ７ … 循環路 １１ … 加熱器 ２５，２７ … 配管（供給手段） ３１ … 第２秤量槽（供給手段） ３７，３９ … 分岐管（冷却配管） ４７ … 熱交換チューブ（冷却配管） ４９，５１… 供給管 ５３，５５… 開閉弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/10 Ｂ０８Ｂ 3/10 Ｚ Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ 21/306 21/306 Ｊ Ｆターム(参考） 2H096 AA24 AA25 AA27 AA28 GA02 GA17 LA03 3B201 AA02 AA03 AB01 AB44 BB04 BB05 BB82 BB92 BB96 CD42 CD43 5F043 CC16 EE10 EE22 EE25 EE29 5F046 MA02 MA03 MA10
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも二種類の処理液を混合した処
理溶液によって基板に表面処理を施す基板処理装置にお
いて、 少なくとも二種類の処理液を混合して処理溶液を生成す
るための混合槽と、 前記混合槽に処理液を供給する供給手段と、 前記供給手段から分岐して前記混合槽の処理溶液を冷却
し、再び前記供給手段に戻る冷却配管とを備え、 前記混合槽内の処理溶液の温度が目標温度を超えた場合
には、前記冷却配管に処理液を供給させることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記混合槽は、処理溶液を貯留して基板を浸漬する処理
槽であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記混合槽は、処理溶液を貯留して基板を浸漬する処理
槽とは別体であり、処理溶液を生成するためだけの槽で
あることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載の基板処理装置
において、 前記処理槽は、基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた
処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶
液を前記内槽に戻す循環路とを備え、 前記冷却配管が前記外槽に配設されていることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項２または３に記載の基板処理装置
において、 前記処理槽は、基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた
処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶
液を前記内槽に戻す循環路とを備え、 前記冷却配管が前記循環路に配設されていることを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の基
板処理装置において、 前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであ
り、硫酸を前記冷却配管に流通させることを特徴とする
基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168392A JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168392A JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367944A true JP2002367944A (ja) | 2002-12-20 |
| JP3948912B2 JP3948912B2 (ja) | 2007-07-25 |
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ID=19010626
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001168392A Expired - Fee Related JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3948912B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103429A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
| JP2008118034A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体 |
| JP2009054826A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2009189905A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Kurita Water Ind Ltd | 熱回収型洗浄装置 |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001168392A patent/JP3948912B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3948912B2 (ja) | 2007-07-25 |
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