JP2002367944A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002367944A JP2002367944A JP2001168392A JP2001168392A JP2002367944A JP 2002367944 A JP2002367944 A JP 2002367944A JP 2001168392 A JP2001168392 A JP 2001168392A JP 2001168392 A JP2001168392 A JP 2001168392A JP 2002367944 A JP2002367944 A JP 2002367944A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
却に要する温度調整時間を短縮化してスループットを向
上できる。 【解決手段】 処理溶液を生成するための処理槽1と、
処理槽1に処理液を供給する配管27と、処理槽1の処
理溶液を冷却し、再び配管27に戻る熱交換チューブ4
7とを備え、処理槽1内の処理溶液の温度が目標温度を
超えた場合には、熱交換チューブ47に処理液を供給す
る。熱交換チューブ47に処理液を供給して積極的に処
理槽1の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮する
ことができ、スループットを向上することができる。
Description
晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板等(以下、単に基板と称する)に処
理溶液を供給して洗浄処理を施したり、基板に処理溶液
を供給してエッチング処理を施したりする表面処理用の
基板処理装置に係り、特に、少なくとも二種類の処理液
を混合した処理溶液を用いて処理する技術に関する。
酸と過酸化水素水とを混合してなる処理溶液により、基
板に被着したフォトレジスト被膜を剥離するものが挙げ
られる。この装置では、処理槽に処理溶液を貯留し、こ
の中に基板を浸漬することにより洗浄処理を施すように
なっている。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、硫酸と過酸化水素水とを混合すると発
熱するので、生成された処理溶液の温度が処理温度(例
えば120℃)よりも高い温度(例えば135℃)にま
で上昇してしまう。処理を施す目標温度よりも処理溶液
の温度が低い場合には加熱器を使用して昇温すればよい
が、目標温度よりも処理溶液の温度が高くなった場合に
は、処理槽周囲の空気との温度差による空冷となるの
で、処理溶液の温度が下がるのに非常に時間を要する。
したがって、処理溶液を生成してから実際に基板の処理
を開始するまでの時間が無駄になり、スループットが低
下するという問題がある。
れたものであって、積極的に処理溶液を冷却することに
より、冷却に要する温度調整時間を短縮化してスループ
ットを向上できる基板処理装置を提供することを目的と
する。
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、少なくとも二種類の処理
液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基
板処理装置において、少なくとも二種類の処理液を混合
して処理溶液を生成するための混合槽と、前記混合槽に
処理液を供給する供給手段と、前記供給手段から分岐し
て前記混合槽の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に
戻る冷却配管とを備え、前記混合槽内の処理溶液の温度
が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を
供給させることを特徴とするものである。
の基板処理装置において、前記混合槽は、処理溶液を貯
留して基板を浸漬する処理槽であることを特徴とするも
のである。
の基板処理装置において、前記混合槽は、処理溶液を貯
留して基板を浸漬する処理槽とは別体であり、処理溶液
を生成するためだけの槽であることを特徴とするもので
ある。
3に記載の基板処理装置において、前記処理槽は、基板
を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する
外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す
循環路とを備え、前記冷却配管が前記外槽に配設されて
いることを特徴とするものである。
3に記載の基板処理装置において、前記処理槽は、基板
を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する
外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す
循環路とを備え、前記冷却配管が前記循環路に配設され
ていることを特徴とするものである。
5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理
液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであり、硫酸を
前記冷却配管に流通させることを特徴とするものであ
る。
る。すなわち、混合槽の処理溶液が目標温度よりも高い
場合には、冷却配管に処理液を供給し、混合槽の処理溶
液を冷却する。冷却配管に供給された処理液は、再び供
給手段に戻されて混合槽へ供給される。
過酸化水素水などの薬液の他に純水も含む。
を生成する混合槽が、処理溶液を貯留して基板を浸漬す
る処理槽である構成の基板処理装置でも請求項1と同様
の作用を生じる。
を生成する混合槽が、処理溶液を貯留して基板を浸漬す
る処理槽とは別体となっている構成の基板処理装置でも
請求項1と同様の作用を生じる。
却配管を設けて処理溶液を冷却する。
槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液
を冷却する。
て硫酸を用いる。硫酸の沸点は、およそ327℃である
ので、水蒸気爆発の危険があって冷却水が使えない温度
の処理溶液の冷却にも使用できる。
一実施例を説明する。なお、以下の各実施例では、基板
Wの表面に被着されたフォトレジスト被膜を、硫酸・過
酸化水素水からなる処理溶液により剥離処理を施す装置
を例に採って説明する。しかし、本発明は、この処理溶
液に限定されるものではなく、これ以外の各種の処理溶
液を用いた基板処理装置であっても適用可能である。
基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装
置は、複数枚の基板WをカセットCに収納した状態で一
括して処理する、いわゆるバッチ式の処理装置である。
基板Wは、処理溶液を貯留する処理槽1にカセットCご
と浸漬される。
と、内槽3から溢れた処理溶液を回収する外槽5とを備
えている。外槽5の底部には循環路7が配設されてお
り、この循環路7は内槽3に連通接続されている。循環
路7には、外槽5の処理溶液を内槽3に圧送するための
ポンプ9と、処理溶液を加熱して目標温度に調節するた
めの加熱器11と、処理溶液中のパーティクルを除去す
るためのフィルタ13とが配備されている。
は、一例として、過酸化水素水及び硫酸が処理液として
供給されるようになっている。これらは、それぞれの供
給源21,23から供給されるが、まずはそれらが供給
源21,23に連通された配管25,27を通して第1
秤量槽29,第2秤量槽31に供給される。それぞれの
供給は、配管25,27に取り付けられた開閉弁33,
35によって制御される。
2秤量槽31とが本発明における供給手段に相当する。
二カ所に分岐管37,39が取り付けられている。これ
らの端部には、管継手41が取り付けられている。配管
27の、分岐管37の分岐点J1と分岐管39の分岐点
J2との間には、開閉弁43が取り付けられているとと
もに、分岐管37には開閉弁45が取り付けられてい
る。
継手41には、熱交換チューブ47が接続されている。
この熱交換チューブ47は、例えば、PFA等のフッ素
樹脂チューブで構成され、一部が螺旋状に整形されてい
るとともに、螺旋状の部分が外槽5内に位置するように
取り付けられている。この実施例では、図に示すよう
に、外槽5に回収された処理溶液に熱交換チューブ4の
螺旋状の部分が浸漬するように取り付けられている。
に熱交換チューブ47を埋め込むようにしてもよい。こ
れらの分岐管37,39と熱交換チューブ47とが本発
明における冷却配管に相当する。また、熱交換チューブ
47を処理槽1の内槽3に設けるようにしてもよい。
槽3内に達する供給管49,51が配備されており、各
々に開閉弁53,55が取り付けられている。第1秤量
槽29は、処理溶液に応じて秤量した過酸化水素水が供
給管49を通して内槽3に供給され、第2秤量槽31
は、同様にして秤量された硫酸が供給管51を通して内
槽3に供給される。
置の動作について図1ないし3を参照して説明する。な
お、図2は、通常動作時における硫酸の流れを示す模式
図であり、図3は、冷却動作時における硫酸の流れを示
す模式図である。
まま、開閉弁33,35,43を開放する。これにより
過酸化水素水供給源21及び硫酸供給源23から過酸化
水素水と硫酸が第1秤量槽29及び第2秤量槽31に供
給される。第1秤量槽29及び第2秤量槽31では、処
理溶液の生成に必要な過酸化水素水と硫酸の秤量が行な
われるともに、処理溶液をオーバーフローさせながら処
理槽1で処理するのに必要なそれぞれの量を貯留する。
3,55を開放して、内槽3に過酸化水素水と硫酸の内
槽5への供給を開始する。処理溶液が外槽5に溢れて一
定高さまで貯留した時点でポンプ9を作動させ始め、処
理溶液を循環させる。そして、過酸化水素水と硫酸につ
いて所要量の供給が終わったら、開閉弁53,55を閉
止して、それらの供給を停止する。なお、このときの硫
酸の供給経路における開閉弁の状態を示したのが図2で
ある。
供給され、ポンプ9によって循環されるが、処理槽1内
の処理溶液は過酸化水素水と硫酸の反応によって発熱
し、例えば135℃くらいまで昇温する。基板Wを処理
する際の目標温度が例えば120℃であるとすると、発
熱により昇温している処理溶液の温度を15℃程度は下
げてやる必要がある。
開閉弁43を閉止する。これにより図3に示すように、
硫酸供給源23からの硫酸が分岐管37を通って熱交換
チューブ47に流入し、硫酸が外槽5に貯留している処
理溶液から吸熱した後、分岐管39を通って配管27に
戻り、第2秤量槽31に戻る。
理溶液の温度を低下させてゆく。目標温度に達したか否
かは、図示しない温度計測部によってモニタしておき、
その温度が目標温度に達したら開閉弁43を開放すると
共に、開閉弁45を閉止することで、図2に示すような
通常時の硫酸の流れに戻す。そして、図示しない搬送機
構によってカセットCを内槽3に基板Wごと浸漬するこ
とで、基板Wに対してフォトレジスト被膜の剥離処理を
施す。
度よりも高い場合には、熱交換チューブ47に硫酸を供
給して積極的に処理槽の処理溶液を冷却するので、冷却
時間を短縮することができ、装置のスループットを向上
することができる。
酸は再び第2秤量槽31に戻されて処理槽1へ供給され
るので、余分な排出物がでないだけでなく、万が一、硫
酸が処理溶液に混入した場合であっても、処理対象であ
る基板Wの汚染が防止できるという効果をも有する。
昇温する処理溶液であっても、冷媒として硫酸を採用す
ることにより、十分に冷却することができる。その上、
外槽5に熱交換チューブ7を配備して処理溶液を冷却す
るという構成であり、比較的簡単に処理溶液を冷却する
ことができる。
基板処理装置を示す概略構成図である。なお、図中、上
記第1実施例と同じ構成については同符号を付すことで
詳細な説明については省略する。
配管に相当する熱交換器61を循環路7に備えている点
において上記実施例装置と相違している。具体的には、
熱交換器61を、循環路7中の加熱器11とフィルタ1
3との間に設けてある。これにより循環路7に流通して
いる処理溶液を冷却する。このような構成により、上述
した第1実施例よりも効率的に処理溶液の冷却が行える
ようになっている。
実施例装置は、処理槽1の内槽3で処理溶液を生成する
ように構成されているが、図5に示すように、混合槽6
5で処理溶液を生成するような装置であっても本発明を
適用可能である。
1から所定量の過酸化水素水と硫酸を混合槽65に供給
して処理溶液を生成する。このようにして生成した処理
溶液を、開閉弁69を開放することにより供給管67を
通して、処理槽1の内槽3に供給する。この場合には、
混合槽65で処理溶液が昇温するので、この混合槽65
に配備してある熱交換チューブ47に硫酸を流通させる
ことにより、処理溶液を冷却する。
可能である。
を二カ所に備えて両処理液を冷媒として用いるようにし
てもよい。
されるものではなく、枚葉式の基板処理装置であっても
適用可能である。
1に記載の発明によれば、混合槽の処理溶液が目標温度
よりも高い場合には、冷却配管に処理液を供給して積極
的に混合槽の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮
することができ、スループットを向上することができ
る。また、冷却配管に供給された処理液は再び供給手段
に戻されて混合槽へ供給されるので、余分な排出物がで
ないだけでなく、万が一、冷媒が処理溶液に混入した場
合であっても、基板の汚染が防止できる。
処理槽である構成の基板処理装置でも請求項1と同様の
効果を得られる。
処理槽とは別体となっている構成の基板処理装置でも請
求項1と同様の効果を得られる。
却配管を設けて処理溶液を冷却することにより、比較的
簡単な構成で処理溶液を冷却できる。
槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液
を冷却することにより、効率的に処理溶液を冷却するこ
とができる。
使えないほどの温度にまで昇温する処理溶液であって
も、冷媒として硫酸を使用いて冷却することができる。
図である。
である。
である。
図である。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 少なくとも二種類の処理液を混合した処
理溶液によって基板に表面処理を施す基板処理装置にお
いて、 少なくとも二種類の処理液を混合して処理溶液を生成す
るための混合槽と、 前記混合槽に処理液を供給する供給手段と、 前記供給手段から分岐して前記混合槽の処理溶液を冷却
し、再び前記供給手段に戻る冷却配管とを備え、 前記混合槽内の処理溶液の温度が目標温度を超えた場合
には、前記冷却配管に処理液を供給させることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記混合槽は、処理溶液を貯留して基板を浸漬する処理
槽であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記混合槽は、処理溶液を貯留して基板を浸漬する処理
槽とは別体であり、処理溶液を生成するためだけの槽で
あることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項4】 請求項2または3に記載の基板処理装置
において、 前記処理槽は、基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた
処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶
液を前記内槽に戻す循環路とを備え、 前記冷却配管が前記外槽に配設されていることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項5】 請求項2または3に記載の基板処理装置
において、 前記処理槽は、基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた
処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶
液を前記内槽に戻す循環路とを備え、 前記冷却配管が前記循環路に配設されていることを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の基
板処理装置において、 前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであ
り、硫酸を前記冷却配管に流通させることを特徴とする
基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001168392A JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002367944A true JP2002367944A (ja) | 2002-12-20 |
JP3948912B2 JP3948912B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001168392A Expired - Fee Related JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3948912B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103429A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP2008118034A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP2009054826A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009189905A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Kurita Water Ind Ltd | 熱回収型洗浄装置 |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001168392A patent/JP3948912B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2008118034A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP2009054826A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009189905A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Kurita Water Ind Ltd | 熱回収型洗浄装置 |
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