JP2002348172A

JP2002348172A - 高周波用配線基板

Info

Publication number: JP2002348172A
Application number: JP2001161161A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Iwachi; 裕美岩地; Yoshitake Terashi; 吉健寺師
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-05-29
Filing date: 2001-05-29
Publication date: 2002-12-04

Abstract

(57)【要約】【課題】高い熱伝導性を有するとともに、高周波領域で
低誘電率および低誘電損失を有し、また銀、銅、金等の
低抵抗金属によって配線回路層を形成することができる
高周波用配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】誘電体基板１の表面または内部に高周波信
号を伝送する配線回路層２が被着形成されてなる高周波
用配線基板において、ガラス成分３０〜９５重量％と、
少なくとも窒化アルミニウム結晶粒子を含有するフィラ
ー成分５〜７０重量％とからなり、窒化アルミニウム結
晶粒子内における酸素量が０．８重量％以下であり、且
つ開気孔率が１％以下とし、さらに窒化アルミニウム結
晶粒子の平均粒径が２μｍ以上、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・
Ｋ以上、測定周波数１５ＧＨｚにおける比誘電率が８以
下、誘電損失が１００×１０^-4以下のガラスセラミック
スを誘電体基板１として用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子収納用
パッケージ、多層配線基板等に適用され、特に高い熱伝
導率と低誘電損失を有する高周波用配線基板に関する。

【０００２】

【従来技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報通信技
術が急速に発達している。それに伴い、半導体素子の高
速化、大型化が進行している。そのため、半導体素子の
高速化に伴い、パッケージや基板等における信号遅延の
問題が大きくなっている。同時に、半導体素子の大型化
に伴う発熱量の増加による、パッケージや基板等におけ
る熱抵抗の問題も大きくなっている。

【０００３】従来より、セラミック多層配線基板として
は、アルミナ質焼結体からなる絶縁層の表面または内部
にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる
配線回路層が形成されたアルミナ配線基板が最も普及し
ている。

【０００４】ところが、従来のアルミナ配線基板では、
その導体であるタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍ
ｏ）などの高融点金属は導体抵抗が大きく、さらにアル
ミナの誘電率も９程度と高いことから、信号遅延が大き
いことが問題となっていた。そこで、Ｗ、Ｍｏなどの金
属に代えて、銅、銀、金などの低抵抗金属を導体として
使用し、さらに絶縁層の誘電率を低くすることが要求さ
れている。

【０００５】そのため、最近では、ガラス、または、ガ
ラスとセラミックフィラーとの複合材料であるガラスセ
ラミックスを絶縁層として用いることにより、１０００
℃以下の低温焼成を可能とし、融点の低い銅、銀、金な
どの低抵抗金属を導体として使用できるようにし、かつ
誘電率をアルミナよりも低くすることが可能な、ガラス
セラミック配線基板が開発されつつある。

【０００６】例えば、特公平４−１２６３９号のよう
に、ガラスにＳｉＯ₂系フィラーを添加した絶縁相と、
銅、銀、金などの低抵抗金属からなる配線層とを９００
〜１０５０℃の温度で同時焼成した多層配線基板や、特
開昭６０−２４０１３５号のように、ホウケイ酸亜鉛系
ガラスに、アルミナ、ジルコニア、ムライトなどのフィ
ラーを添加したものを低抵抗金属と同時焼成したものな
どが提案されている。その他、特開平５−２９８９１９
号には、ムライトやコージェライトを結晶相として析出
させたガラスセラミック材料も提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記に挙げた
ような従来のガラスセラミックにおいては、熱伝導率が
２Ｗ／ｍ・Ｋ以下と低く、熱放散性において従来のアル
ミナ等に比べて劣るものであった。

【０００８】そこで、特開昭６３−３０７１８２号に記
載されるように、フィラーとしてそれ自体が熱伝導性に
優れたＡｌＮを用いたガラスセラミックスを絶縁基板と
する配線基板が提案されている。

【０００９】しかし、ＡｌＮをフィラーとして用いたガ
ラスセラミックスは、従来のガラスセラミックスに比較
して熱伝導性の向上が見られる反面、比誘電率が１２と
高く、低誘電率化が求められる配線基板に対しては不向
きであった。また、周波数が５００ＭＨｚ以上の高周波
信号を伝送するような高周波用配線基板においては、誘
電損失が小さいことが望まれるが、ＡｌＮを含む従来の
ガラスセラミックスは誘電損失が２０×１０^-3以上と大
きく、高周波用の配線基板としても適用しにくいもので
あった。

【００１０】従って、本発明は、高い熱伝導性を有する
とともに、高周波領域において比誘電率および誘電損失
が低く、また銀、銅、金等の低抵抗金属と同時焼成が可
能な高周波用配線基板を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を鋭意検討した結果、ガラスセラミックス中のフィラー
成分として少なくとも窒化アルミニウム結晶粒子と含有
し、該窒化アルミニウム結晶粒子内における酸素量を
０．８重量％以下に制御することにより、銀、銅、金等
の低抵抗、低融点金属、なかでも銀と同時焼成を可能と
しつつ、高熱伝導率、とともに高周波領域においても低
い誘電損失を有するガラスセラミックを歩留まりよく提
供することができることを知見し、本発明に至った。

【００１２】即ち、本発明の高周波用配線基板は、誘電
体基板の表面または内部に高周波信号を伝送する配線回
路層が被着形成されてなるものであって、前記誘電体基
板が、ガラス成分と、フィラー成分とからなる開気孔率
が１％以下のガラスセラミックスからなり、前記フィラ
ー成分として少なくとも窒化アルミニウム結晶粒子と含
有し、該窒化アルミニウム結晶粒子内における酸素量が
０．８重量％以下であることを特徴とするものである。

【００１３】また、より具体的には、ガラス成分を３０
〜９５重量％と、フィラー成分を５〜７０重量％の割合
で含有することが低温での焼結性および電気特性を制御
する上で望ましく、また窒化アルミニウム結晶粒子の平
均粒径が２μｍ以上であることを特徴とする。これによ
って、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、測定周波数１５Ｇ
Ｈｚ付近における比誘電率が８以下、誘電損失が１００
×１０^-4以下の特性を有することを特徴とするものであ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の高周波用配線基板の一例
について図１をもとに説明する。図１の高周波用配線基
板によれば、誘電体基板１の表面や内部には、高周波信
号を伝送可能な配線回路層２が被着形成されている。配
線回路層２は、例えば、マイクロストリップ線路、コプ
レーナ線路、ストリップ線路、グランド付きコプレーナ
線路などが挙げられ、例えば、マイクロストリップ線路
の場合には、グランド層２ａや、中心導体２ｂによって
構成される。また、必要に応じて誘電体基板１内部に
は、ビアホール導体３などが配設される。また、この配
線基板の表面には高周波素子４などが実装される。

【００１５】本発明によれば、誘電体基板として、表面
に実装された高周波素子４などから発生する熱を効果的
に放散させつつ、信号の伝送損失を低減するために高周
波領域で低誘電損失の誘電体基板によって形成すること
が必要である。

【００１６】本発明によれば、この誘電体基板１をガラ
ス成分と、フィラー成分との混合体からなるガラスセラ
ミックスによって形成し、またフィラー成分として少な
くとも窒化アルミニウム（以下、ＡｌＮと記する）結晶
粒子を含有する。

【００１７】本発明によれば、このセラミックス中に分
散されているＡｌＮ結晶粒子内における酸素量が０．８
重量％以下であることが重要である。これによって、Ａ
ｌＮ結晶粒子自体の熱伝導性を高めることができること
によってガラスセラミックスの熱伝導率を向上させるこ
とができる。また、本発明によれば、このような低酸素
含有のＡｌＮ結晶粒子を含有させることをによって、ガ
ラスセラミックスの高周波領域での低誘電率化とともに
誘電損失を低減することができる。この窒化アルミニウ
ム粒子の酸素量は０．５重量％以下であることが望まし
い。

【００１８】即ち、ガラスセラミックス中のＡｌＮ結晶
粒子中の酸素量が０．８重量％を越えると、熱伝導率が
低下するとともに誘電率が大きくなる傾向にあり、また
高周波領域での誘電損失も増大してしまう。このＡｌＮ
結晶粒子内の酸素量は、オージェ電子顕微鏡により後述
する実施例に基づき容易に測定することができる。

【００１９】また、本発明によれば、ＡｌＮ結晶粒子
は、平均粒径が２μｍ以上、特に４μｍ以上の粒子とし
て存在することが望ましい。これは、平均粒径が大きく
なるほどに熱伝導性および誘電損失が低下する、強度が
向上する傾向にあるためである。しかし、粒子が大きく
なりすぎると、セラミックス表面の平滑性が低下した
り、粗大粒子を起点とする破壊が生じやすくなり強度が
低下することから、平均粒径は３０μｍ以下、特に１５
μｍ以下、さらには１０μｍ以下がよい。

【００２０】本発明によれば、高熱伝導化を図る上で、
フィラーとしてＡｌＮ結晶粒子を５重量％以上、特に１
０重量％以上、さらには２０重量％以上の割合で含有す
ることが望ましい。

【００２１】さらに、ガラスセラミックス中には、フィ
ラーとしてＡｌＮ結晶粒子以外に、他のセラミックフィ
ラーを含んでいてもよい。他のフィラーとしては、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂（クォーツ、クリストバライト、トリジ
マイト）、３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂、ＭｇＳｉＯ₃、Ｍｇ
₂ＳｉＯ₄、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆、Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈、
ＺｎＡｌ₂Ｏ４、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＣａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、Ｓ
ｒＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、Ｃａ₂ＭｇＳｉ
Ｏ₇、Ｓｒ₂ＭｇＳｉＯ₇、Ｂａ₂ＭｇＳｉＯ₇、ＺｎＯ、
ＣａＳｉＯ₃、ＳｒＳｉＯ₃、ＢａＳｉＯ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄、
ＳｉＣの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、Ａ
ｌＮ結晶粒子の分散による効果を阻害しない範囲で含有
され、特に３０重量％以下の割合で含まれるのが適当で
ある。

【００２２】また、本発明のガラスセラミックスにおけ
るガラス成分としては、シリカガラス、ホウケイ酸ガラ
ス、アルミノケイ酸ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラ
ス、アルカリ系ガラス、アルカリ土類系ガラス、アルミ
ノホウケイ酸ガラス等が挙げられるが、特に、１０００
℃以下での焼結性を実現し、ＣｕやＡｇ等の低抵抗金属
との同時焼結を行うためには、アルミノケイ酸ガラス、
アルミノホウケイ酸ガラス、アルカリ系ガラス、アルカ
リ土類系ガラスの群から選ばれる少なくとも１種が望ま
しい。

【００２３】また、上記ガラス成分は、非晶質ガラス、
結晶化ガラスのいずれでもよいが、強度向上のために
は、結晶化ガラスであることが望ましい。ガラスから析
出可能な結晶相としては、ＳｉＯ₂（石英）、ＭｇＡｌ₂
Ｏ₄（スピネル）、ＺｎＡｌ₂Ｏ ₄（ガーナイト）、Ｃａ
（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）₂Ｏ₆（ディオプサイ
ド）、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₇（アケルマナイト）、Ｓｒ₂Ｍ
ｇＳｉ₂Ｏ₇（Ｓｒ−アケルマナイト）、ＣａＭｇＳｉＯ
₄（モンティセライト）、Ｃａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈（メリライ
ト）、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄（エンスタタイト）、ＭｇＳｉＯ₃
（エンスタタイト）、３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂（ムライ
ト）、Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈（コージェライト）、（Ｓ
ｒ，Ｃａ）Ａｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈（スラウソナイト）、ＣａＡ
ｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈（アノーサイト）、ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈（セ
ルジアン）、（Ｃａ，Ｓｒ）ＳｉＯ₃、ＳｒＳｉＯ₃の群
から選ばれる少なくとも１種が好適に挙げられる。

【００２４】また、本発明におけるガラスセラミックス
は、開気孔率が１％以下であることも必要である。これ
は、誘電損失を低減する上で必要であり、開気孔率が１
％よりも大きいと、開気孔内に水分が吸着され、高周波
領域での誘電損失が大きくなってしまうためである。特
に、開気孔率は０．５％以下、特に０．２％以下である
ことが望ましい。

【００２５】本発明におけり上記ガラスセラミックス
は、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、特に８Ｗ／ｍ・Ｋ以
上と高く、電気特性として測定周波数１ＧＨｚにおい
て、比誘電率が８以下、特に７．５以下、さらには７以
下であり、また誘電損失が６０×１０^-4以下、特に５０
×１０^-4以下、さらには３０×１０^-4以下の優れた特性
を有するものである。

【００２６】本発明のガラスセラミックスにおいて全量
中、ガラス成分は３０〜９５重量％、好ましくは３２．
５〜８５重量％、より好ましくは、３５〜８０重量％、
ＡｌＮを含むセラミックフィラー成分は、５〜７０重量
％、好ましくは、１５〜６７．５重量％、より好ましく
は２０〜６５重量％の比率で存在させることが焼結性お
よび熱的特性、および電気特性の改善を行うのに最適で
ある。（製造方法）次に、本発明におけるガラスセラミックス
を製造する方法について説明する。まず、出発原料とし
て、ガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを所定の比
率で混合する。ガラス粉末を３０〜９５重量％、特に３
２．５〜８５重量％、最適には３５〜７５重量％と、Ａ
ｌＮを５重量％以上含有含むセラミックフィラーを５〜
７０重量％、特に１５〜６７．５重量％、最適には２５
〜６５重量％の割合で混合する。

【００２７】ガラスおよびフィラーの組成を上記範囲に
限定したのは、ガラス粉末が３０重量％より少ない、あ
るいはセラミックフィラーが７０重量％よりも多いと１
０００℃以下の低温焼成において該組成物を相対密度９
５％以上に緻密化することが困難となり、前記ガラスが
９５重量％を超える、あるいはＡｌＮ量が５重量％より
も少ないと磁器の熱伝導率の向上効果が不十分となる為
である。

【００２８】また、ガラスとしては、ガラス転移点が８
００℃以下、特に７５０℃以下、最適には７００℃以下
であることによって、１０００℃以下の焼成における緻
密化を促進することができる。

【００２９】また、本発明において、用いられるガラス
としては、ＳｉＯ₂と、Ｂ₂Ｏ₃を必須成分として含有
し、具体的には、ＳｉＯ₂を１５〜７０重量％、Ｂ₂Ｏ₃
を０．５〜３０重量％の割合で含有するもので、さらに
他の成分として、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚ
ｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃の群から選ばれる少なくとも１種を含有
することもできる。しかしながら、ガラスと非酸化物系
セラミックフィラーとの反応性を抑制することが必要あ
る。この反応性を抑制する上では、ガラスの組成、焼成
温度、焼成雰囲気等を適宜制御することが必要である。
特に、ガラス組成においては、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕおよび
アルカリ金属元素の含有量が総量で０．５重量％以下、
特に０．３重量％以下、さらには０．１重量％以下であ
ることが望ましい。これは、上記の特定成分は、ＡｌＮ
との反応を促進する成分であって、これらが上記の比率
を超えて存在すると、反応が生じてしまうためである。

【００３０】さらに、用いるガラスとしては、それ単
体、あるいはフィラーを含む組成物を焼成した際に、結
晶化することによって熱伝導率と強度の向上を図ること
ができる。ガラスの結晶化によって析出する結晶相は、
前述の通りである。また、焼結性を高める上では、ガラ
ス粉末の平均粒径が２μｍ以下、特に１．８μｍ以下と
することが望ましい。

【００３１】一方、フィラーとして添加するＡｌＮ粉末
の酸素含有量が０．８重量％以下、特に０．５重量％以
下、さらに０．３重量％以下であることが重要である。
即ち、ＡｌＮ粉末の酸素含有量が０．８重量％よりも多
いと１０００℃以下の焼成でガラスセラミックスの熱伝
導率５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、低誘電率化、低誘電損失化が達
成できなくなるためである。また、ＡｌＮ粉末の平均粒
径を２μｍ以上とすることによって、セラミックスの熱
伝導性を向上させることができる。

【００３２】なお、かかる平均粒径が大きなＡｌＮ粉末
を均一に、かつ低コストで作製するには、窒化アルミニ
ウム粉末が直接窒化法によって作製されたものであるこ
とが望ましい。また、ＡｌＮ粉末中の酸素含有量の減少
させるには、ＡｌＮ原料を製造する際の窒化処理を２０
００℃以上の高温で処理したり、市販のＡｌＮ原料にＹ
₂Ｏ₃などの焼結助剤を添加し、非酸化性雰囲気で仮焼処
理することによってＡｌＮ原料中の酸素量を低減でき
る。

【００３３】さらに、窒化アルミニウム粉末中のＦｅ、
Ｓｉ、Ｃ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ
等のＡｌ以外の不純物は総量で０．１重量％以下、特に
０．０２重量％以下であることが高熱伝導化を図る上で
望ましい。

【００３４】本発明のガラスセラミックスは、上記の組
成で秤量混合された混合粉末を用いて所定の成形体を作
製し、その成形体を８００〜１０００℃の酸化性雰囲気
または不活性雰囲気中で焼成し、開気孔率が１％以下と
なるまで緻密化させることによって作製できる。

【００３５】また、本発明によれば、図１に示すよう
に、上記のガラスセラミックスを誘電体基板１とし、そ
の表面や内部に高周波用の配線回路層２を具備する配線
基板を得るには、前記の混合粉末に適当な有機バイン
ダ、溶媒を混合してスラリーを調製し、これをプレス成
形、押出成形、ドクターブレード法等のテープ成形法に
よってシート状に成形してグリーンシートを作製する。

【００３６】そして、このグリーンシートに所望により
スルーホールを形成した後、スルーホール内にＣｕまた
はＡｇを主成分とする金属ペーストを充填し、グリーン
シートの表面には所定の回路パターンに導電性ペースト
を用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法等によって
印刷、塗布したり、金属箔を貼りつけてエッチングによ
ってパターン化したり、パターン化された金属箔を貼り
つける等によって高周波用の配線回路層を形成する。

【００３７】上記配線回路層を形成したグリーンシート
を、所望により、複数枚積層して、例えば、４０〜１２
０℃、５〜４０ＭＰａにて加熱圧着し、酸化性雰囲気ま
たは弱酸化性雰囲気中、１０００℃以下、特に８００〜
１０００℃、さらに８００〜９７０℃にて０．２〜１０
時間、特に０．５〜２時間焼成することによって配線基
板を作製することができる。

【００３８】そして、この配線基板の表面には、適宜、
高周波素子等が搭載され高周波用の配線回路層と高周波
信号の伝達が可能なように接続される。接続の方法とし
ては、配線回路層に直接搭載させて半田などによって接
続させたり、あるいは樹脂、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−ガ
ラス、Ａｕ−Ｓｉ等の樹脂、金属、セラミックスの少な
くとも１種からなる厚み５０μｍ程度の接着剤により高
周波素子を絶縁基板表面に固着し、ワイヤボンディン
グ、ＴＡＢテープ等により配線回路層と高周波素子とを
接続させる方法が適応可能である。

【００３９】

【実施例】ガラス粉末として、表１に示す組成および特
性を示すものを準備した。また、セラミックフィラーと
して、表２に示す特性を有する還元窒化法、または直接
窒化法によって作製されたＡｌＮ粉末を準備し、適宜、
仮焼処理を施した。なお、仮焼処理を行う場合には、Ａ
ｌＮ粉末に適宜Ｙ₂Ｏ₃を０．５重量％添加した後に処理
を施した。なお、平均粒径についてはマイクロトラック
法によりｄ₅₀値を測定した。また、粉末中の酸素量につ
いては、酸素、窒素同時分析装置（ＥＭＧＡ−６５０Ｆ
Ａ）を用いて酸素含有量を測定した。

【００４０】そして、上記ガラス粉末とＡｌＮ粉末を表
３に示す組み合わせで表３の比率で混合し、この混合物
にアクリル系有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加
し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドク
ターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシート
を作製した。

【００４１】そして、このグリーンシートを１０〜１５
枚積層し、５０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱
圧着し、該積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中、７００
℃で脱バインダ処理を行った後、乾燥窒素中で９５０℃
で１時間焼成した。なお、焼成に際しては、昇温速度、
降温速度を３００℃／ｈとした。

【００４２】得られたガラスセラミックスについて、ア
ルキメデス法により開気孔率を測定するとともに、ガラ
スセラミックスの任意の断面において窒化アルミニウム
結晶粒子の酸素含有量をオージェ電子顕微鏡により測定
した。測定にあたっては、セラミックス表面をスパッタ
しつつ同時に深さ方向により酸素量を測定した。また、
Ｘ線回折測定を行い、セラミックス中に検出される結晶
相を同定した。

【００４３】また、ガラスセラミックスを直径５０ｍ
ｍ、厚み１ｍｍの形状に切り出し、ネットワークアナラ
イザー、シンセサイズドスイーパーを用いて空洞共振器
法によりＴＥ₀₁₁モードの１ＧＨｚ付近および１３〜１
８ＧＨｚ（１５ＧＨｚ付近）の共振周波数にて共振特性
を測定し、誘電率、誘電損失を算出した。また、ガラス
セラミックスをφ１０ｍｍ、厚さ１ｍｍに加工しレーザ
ーフラッシュ法にて熱伝導率を測定した。結果は表１に
示した。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】

【００４７】表１〜３の結果によれば、ＡｌＮの原料粉
末およびセラミックス中のＡｌＮ結晶粒子中の酸素量
は、熱伝導性のみならず、比誘電率、誘電損失に対して
影響があり、酸素量が多くなるほど、熱伝導率が低下
し、誘電率が増大し、また誘電損失も大きくなる傾向が
見られたが、本発明に基づき、ＡｌＮの原料粉末および
セラミックス中のＡｌＮ結晶粒子中の酸素量を０．８重
量％以下とすることによって、熱伝導率５Ｗ／ｍ・Ｋ以
上、比誘電率８以下、誘電損失（１５ＧＨｚ）を１００
×１０^-4以下に低下させることができる。特に、酸素量
を０．５重量％以下とすることによって誘電損失（１５
ＧＨｚ）を６０×１０^-4以下が達成できた。

【００４８】但し、ＡｌＮ粉末の平均粒径が２μｍより
小さく、ガラスセラミックス中のＡｌＮ結晶粒子の平均
粒径が２μｍより小さい試料Ｎｏ．１や、ＡｌＮ量が９
０重量％の試料Ｎｏ．１１では、焼結できず、ガラスセ
ラミックスの開気孔率１％以下に緻密化することが難し
く、吸水して絶縁性が劣化し、かつ誘電損失が増大し
た。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のガラスセラ
ミックスによれば、ガラスセラミックス中にフィラーと
して分散されたＡｌＮ結晶粒子中の酸素含有量を０．８
重量％以下とすることによって、高い熱伝導率を有しつ
つ、低誘電率、低誘電損失なガラスセラミックスを作製
でき、ＣｕやＡｇを主成分とする配線回路層を具備す
る、特に高周波用の配線基板の絶縁基板として好適に使
用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波用配線基板の一例を説明するた
めの概略断面図である。

【符号の説明】

１誘電体基板２配線回路層２ａグランド層２ｂ中心導体３ビアホール導体４高周波素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G001 BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA36 BA71 BA73 BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB36 BB71 BB73 BC13 BC17 BC22 BC53 BD23 BE22 BE26 BE32 BE33 4G030 AA07 AA08 AA09 AA10 AA32 AA35 AA36 AA37 AA51 BA12 CA04 CA08 GA14 GA15 GA17 GA20 GA25 5E346 AA12 AA15 AA38 AA43 BB02 BB03 BB04 CC18 CC32 CC39 DD02 DD34 EE24 FF18 GG03 HH06 HH17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板の表面または内部に高周波信号
を伝送する配線回路層が被着形成されてなる高周波用配
線基板において、前記誘電体基板が、ガラス成分と、フ
ィラー成分とからなる開気孔率が１％以下のガラスセラ
ミックスからなり、前記フィラー成分として少なくとも
窒化アルミニウム結晶粒子と含有し、該窒化アルミニウ
ム結晶粒子内における酸素量が０．８重量％以下である
ことを特徴とする高周波用配線基板。
【請求項２】ガラス成分を３０〜９５重量％と、フィラ
ー成分を５〜７０重量％の割合で含有することを特徴と
する請求項１記載の高周波用配線基板。
【請求項３】前記窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径
が２μｍ以上であることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の高周波用配線基板。
【請求項４】熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、測定周波数
１５ＧＨｚ付近における比誘電率が８以下、誘電損失が
１００×１０^-4以下であることを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれか記載の高周波用配線基板。