JP2002343927A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型かつ薄形にして高周波に対応できる低コ
ストの半導体モジュールを提供すること、並びに、この
種の半導体モジュールを高能率かつ安価に製造する方法
を提供すること。 【解決手段】 半導体モジュール１Ａを、第１配線層
１、第１絶縁層２、第２配線層３、第１配線層１と第２
配線層３とを接続する接続部３ａ、第２絶縁層４、半導
体チップ５、他の搭載部品６、第２配線層３と半導体チ
ップ５とを接続する導体７、第２配線層３と他の搭載部
品６とを接続する導体８、半導体チップ５と他の搭載部
品６と導体７，８を一体に封止するモールド樹脂９、第
１配線層１の外面に局部的に形成されたニッケル層１
０、第１配線層１の外面を覆う保護樹脂層１１、ニッケ
ル層１０に形成された外部端子１２をもって構成する。
製造方法については、仮基体を利用して各配線層及び絶
縁層の形成、配線層と搭載部品５，６との接続、並びに
モールド樹脂９の形成を行い、モールド樹脂形成後は、
仮基体を剥離するという構成にする。
ストの半導体モジュールを提供すること、並びに、この
種の半導体モジュールを高能率かつ安価に製造する方法
を提供すること。 【解決手段】 半導体モジュール１Ａを、第１配線層
１、第１絶縁層２、第２配線層３、第１配線層１と第２
配線層３とを接続する接続部３ａ、第２絶縁層４、半導
体チップ５、他の搭載部品６、第２配線層３と半導体チ
ップ５とを接続する導体７、第２配線層３と他の搭載部
品６とを接続する導体８、半導体チップ５と他の搭載部
品６と導体７，８を一体に封止するモールド樹脂９、第
１配線層１の外面に局部的に形成されたニッケル層１
０、第１配線層１の外面を覆う保護樹脂層１１、ニッケ
ル層１０に形成された外部端子１２をもって構成する。
製造方法については、仮基体を利用して各配線層及び絶
縁層の形成、配線層と搭載部品５，６との接続、並びに
モールド樹脂９の形成を行い、モールド樹脂形成後は、
仮基体を剥離するという構成にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも１つの
半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品が搭載された
半導体モジュールとその製造方法とに係り、特に、搭載
部品とを電気的に接続される配線層の構造及びその製造
プロセスに関する。
半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品が搭載された
半導体モジュールとその製造方法とに係り、特に、搭載
部品とを電気的に接続される配線層の構造及びその製造
プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の半導体モジュールと
しては、図２０に示すように、リードフレーム１０１に
半導体チップ１０２がフェースアップ実装され、リード
フレーム１０１の端子部と半導体チップ１０２の端子部
とがボンディングワイヤ１０３にて接続され、リードフ
レーム１０１と半導体チップ１０２とがモールド樹脂１
０４にて一体に封止され、当該モールド樹脂１０４から
外部端子１０５が突出されたものが知られている。
しては、図２０に示すように、リードフレーム１０１に
半導体チップ１０２がフェースアップ実装され、リード
フレーム１０１の端子部と半導体チップ１０２の端子部
とがボンディングワイヤ１０３にて接続され、リードフ
レーム１０１と半導体チップ１０２とがモールド樹脂１
０４にて一体に封止され、当該モールド樹脂１０４から
外部端子１０５が突出されたものが知られている。
【０００３】また、他の例としては、図２１に示すよう
に、ＦＲ−４やＢＴレジンなどからなるコア材１１１上
に配線層１１２と絶縁層１１３とが多層に形成された多
層基板１１４に半導体チップ１０２がフェースダウン実
装され、配線層１１２の端子部と半導体チップ１０２の
端子部とがバンプ１０２ａにて接続され、多層基板１１
４と半導体チップ１０２とがモールド樹脂１０４にて一
体に封止され、当該モールド樹脂１０４の一部に外部端
子１０５が形成されたものが知られている。
に、ＦＲ−４やＢＴレジンなどからなるコア材１１１上
に配線層１１２と絶縁層１１３とが多層に形成された多
層基板１１４に半導体チップ１０２がフェースダウン実
装され、配線層１１２の端子部と半導体チップ１０２の
端子部とがバンプ１０２ａにて接続され、多層基板１１
４と半導体チップ１０２とがモールド樹脂１０４にて一
体に封止され、当該モールド樹脂１０４の一部に外部端
子１０５が形成されたものが知られている。
【０００４】なお、多層基板１１４を備えた半導体モジ
ュールとしては、図２２に示すように、多層基板１１４
に半導体チップ１０２とチップ抵抗１１５などの電子部
品が搭載されたマルチチップ構造を有するものもある。
その他については、図２１に示した半導体モジュールと
同じであるので、図２２の対応する部分に図２１と同一
の符号を付して説明を省略する。
ュールとしては、図２２に示すように、多層基板１１４
に半導体チップ１０２とチップ抵抗１１５などの電子部
品が搭載されたマルチチップ構造を有するものもある。
その他については、図２１に示した半導体モジュールと
同じであるので、図２２の対応する部分に図２１と同一
の符号を付して説明を省略する。
【０００５】また、多層基板１１４を備えた半導体モジ
ュールとしては、図２３に示すように、多層基板１１４
に半導体チップ１０２をフェースダウン実装し、多層基
板１１４に形成された配線層１１２と半導体チップ１０
２端子部に施されたバンプとを、はんだ、導電ペースト
或いは異方性導電接着剤などを介して電気的に接続した
ものもある。その他については、図２２に示した半導体
モジュールと同じであるので、図２３の対応する部分に
図２２と同一の符号を付して説明を省略する。
ュールとしては、図２３に示すように、多層基板１１４
に半導体チップ１０２をフェースダウン実装し、多層基
板１１４に形成された配線層１１２と半導体チップ１０
２端子部に施されたバンプとを、はんだ、導電ペースト
或いは異方性導電接着剤などを介して電気的に接続した
ものもある。その他については、図２２に示した半導体
モジュールと同じであるので、図２３の対応する部分に
図２２と同一の符号を付して説明を省略する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の半
導体モジュールは、携帯電話などの各種電子機器に適用
されるが、携帯電話の例からも明らかなように、近年に
おいては各種電子機器の小型化、薄形化、高密度化、高
周波化の要請が強く、これに伴って、各種電子機器に搭
載又は接続される半導体モジュールの小型化、薄形化、
高密度化、高周波化並びに低コスト化が強く求められて
いる。
導体モジュールは、携帯電話などの各種電子機器に適用
されるが、携帯電話の例からも明らかなように、近年に
おいては各種電子機器の小型化、薄形化、高密度化、高
周波化の要請が強く、これに伴って、各種電子機器に搭
載又は接続される半導体モジュールの小型化、薄形化、
高密度化、高周波化並びに低コスト化が強く求められて
いる。
【０００７】しかるに、従来の半導体モジュールのう
ち、図２０に例示するものは、リードフレーム１０１
と、リードフレーム１０１及び半導体チップ１０２を一
体に封止するモールド樹脂１０４とを備えているので、
小型化及び薄形化を図ることが難しいという問題があ
る。また、図２１乃至図２３に例示するものは、厚いコ
ア材１１１を有する多層基板１１４を備えているので小
型化及び薄形化を図ることが難しいばかりでなく、スル
ーホールを有するなどの理由から製造工程が複雑で高価
な多層基板１１４を備えているので、低コスト化が難し
いという問題がある。さらに、これらの各従来例に係る
半導体モジュールは、配線層がリードフレームや金属箔
エッチング又は導電ペースト印刷された導電パターンを
もって形成されているので、配線の高密度化と高精度化
を図ることが難しく、高周波対応の半導体モジュールを
製造することが難しいという問題もある。
ち、図２０に例示するものは、リードフレーム１０１
と、リードフレーム１０１及び半導体チップ１０２を一
体に封止するモールド樹脂１０４とを備えているので、
小型化及び薄形化を図ることが難しいという問題があ
る。また、図２１乃至図２３に例示するものは、厚いコ
ア材１１１を有する多層基板１１４を備えているので小
型化及び薄形化を図ることが難しいばかりでなく、スル
ーホールを有するなどの理由から製造工程が複雑で高価
な多層基板１１４を備えているので、低コスト化が難し
いという問題がある。さらに、これらの各従来例に係る
半導体モジュールは、配線層がリードフレームや金属箔
エッチング又は導電ペースト印刷された導電パターンを
もって形成されているので、配線の高密度化と高精度化
を図ることが難しく、高周波対応の半導体モジュールを
製造することが難しいという問題もある。
【０００８】即ち、半導体モジュールの小型化、薄形
化、高密度化及び高周波対応を図るためには、配線の高
密度化と配線長の短縮による遅延やノイズの低減が重要
な課題となり、特に、８００ＭＨｚ以上の周波数の無線
を利用する高周波用の半導体モジュールにおいては、配
線又は接合部に生じる電気磁気的な結合が特性に影響を
及ぼすため、配線長の短縮化と接合部の微小化及び均質
化がきわめて重要な課題となる。
化、高密度化及び高周波対応を図るためには、配線の高
密度化と配線長の短縮による遅延やノイズの低減が重要
な課題となり、特に、８００ＭＨｚ以上の周波数の無線
を利用する高周波用の半導体モジュールにおいては、配
線又は接合部に生じる電気磁気的な結合が特性に影響を
及ぼすため、配線長の短縮化と接合部の微小化及び均質
化がきわめて重要な課題となる。
【０００９】また、半導体モジュールの小型化、薄形化
及び低コスト化を図るためには、薄形にして配線層の多
層化が可能な配線手段の開発や、搭載部品及び配線手段
のパッケージ方法の改善が重要な課題となる。
及び低コスト化を図るためには、薄形にして配線層の多
層化が可能な配線手段の開発や、搭載部品及び配線手段
のパッケージ方法の改善が重要な課題となる。
【００１０】本発明は、かかる技術的課題を解決するた
めになされたものであって、小型かつ薄形にして高周波
に対応できる低コストの半導体モジュールを提供するこ
と、並びに、この種の半導体モジュールを高能率かつ安
価に製造する方法を提供することを目的とする。
めになされたものであって、小型かつ薄形にして高周波
に対応できる低コストの半導体モジュールを提供するこ
と、並びに、この種の半導体モジュールを高能率かつ安
価に製造する方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成するため、半導体モジュールの構成に関して、第１
に、半導体モジュールを、少なくとも１つの半導体チッ
プを含む１乃至複数の搭載部品と、当該搭載部品と電気
的に接続された配線層と、前記搭載部品並びに当該搭載
部品と前記配線層との接続部を封止するモールド樹脂
と、前記配線層の外面を覆う保護樹脂層とを備えるとい
う構成にした。
達成するため、半導体モジュールの構成に関して、第１
に、半導体モジュールを、少なくとも１つの半導体チッ
プを含む１乃至複数の搭載部品と、当該搭載部品と電気
的に接続された配線層と、前記搭載部品並びに当該搭載
部品と前記配線層との接続部を封止するモールド樹脂
と、前記配線層の外面を覆う保護樹脂層とを備えるとい
う構成にした。
【００１２】かように、搭載部品の配線手段を配線層と
保護樹脂層とから構成すると、従来の多層基板のコア材
に相当する部分を省略できるので、薄形にして安価な半
導体モジュールを得ることができる。また、配線層、即
ち、めっきにより形成された配線層を用いると、リード
フレームや金属箔エッチング又は導電ペースト印刷によ
り形成された配線層を備えた基板を用いた場合に比べて
配線パターンを著しく高密度化、高精度化、微小化及び
均質化することができるので、配線長が短かく小型の半
導体モジュールが得られると共に、浮遊容量の悪影響を
受けにくい高周波対応性の高い半導体モジュールを得る
ことができる。
保護樹脂層とから構成すると、従来の多層基板のコア材
に相当する部分を省略できるので、薄形にして安価な半
導体モジュールを得ることができる。また、配線層、即
ち、めっきにより形成された配線層を用いると、リード
フレームや金属箔エッチング又は導電ペースト印刷によ
り形成された配線層を備えた基板を用いた場合に比べて
配線パターンを著しく高密度化、高精度化、微小化及び
均質化することができるので、配線長が短かく小型の半
導体モジュールが得られると共に、浮遊容量の悪影響を
受けにくい高周波対応性の高い半導体モジュールを得る
ことができる。
【００１３】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第２に、第１の課題解決手段における半導体チップ
を除く搭載部品として、トランジスタ、ダイオード、抵
抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィルタ、
バラン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタのいず
れか、若しくはこれらの組み合わせを搭載するという構
成にした。なお、前記機能モジュールには、ＶＣＯ、Ｐ
ＬＬ又は電源レギュレータなどが含まれる。
て、第２に、第１の課題解決手段における半導体チップ
を除く搭載部品として、トランジスタ、ダイオード、抵
抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィルタ、
バラン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタのいず
れか、若しくはこれらの組み合わせを搭載するという構
成にした。なお、前記機能モジュールには、ＶＣＯ、Ｐ
ＬＬ又は電源レギュレータなどが含まれる。
【００１４】配線層は、高精度かつ均質に形成できるの
で、電気的及び熱的な安定性及び信頼性が高く、前記の
ような各種の電子部品又は電気部品を必要に応じて適宜
接続することができる。したがって、多種多様な電子部
品又は電気部品を搭載することができるので、各種の用
途に適用可能な多機能な半導体モジュールを得ることが
できる。
で、電気的及び熱的な安定性及び信頼性が高く、前記の
ような各種の電子部品又は電気部品を必要に応じて適宜
接続することができる。したがって、多種多様な電子部
品又は電気部品を搭載することができるので、各種の用
途に適用可能な多機能な半導体モジュールを得ることが
できる。
【００１５】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第３に、第１の課題解決手段における配線層が絶縁
層を介して多層に形成され、各層の配線層の一部が接続
部を介して電気的に接続されているという構成にした。
て、第３に、第１の課題解決手段における配線層が絶縁
層を介して多層に形成され、各層の配線層の一部が接続
部を介して電気的に接続されているという構成にした。
【００１６】かように、配線層を多層に形成すると、配
線層の形成面積を減少できるので、小型の半導体モジュ
ールを得ることができる。
線層の形成面積を減少できるので、小型の半導体モジュ
ールを得ることができる。
【００１７】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第４に、第１の課題解決手段における配線層が前記
保護樹脂層の片面に１層だけ形成されているという構成
にした。
て、第４に、第１の課題解決手段における配線層が前記
保護樹脂層の片面に１層だけ形成されているという構成
にした。
【００１８】かように、配線層を保護樹脂層の片面に１
層だけ形成すると、配線層の形成工程を簡略化すること
ができるので、安価な半導体モジュールを得ることがで
きる。
層だけ形成すると、配線層の形成工程を簡略化すること
ができるので、安価な半導体モジュールを得ることがで
きる。
【００１９】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第５に、第１の課題解決手段における保護樹脂層の
表面に複数の外部端子が設けられ、これら各外部端子と
前記配線層とが前記保護樹脂層を貫通する導体で電気的
に接続されているという構成にした。
て、第５に、第１の課題解決手段における保護樹脂層の
表面に複数の外部端子が設けられ、これら各外部端子と
前記配線層とが前記保護樹脂層を貫通する導体で電気的
に接続されているという構成にした。
【００２０】かように、保護樹脂層の表面に前記配線層
と電気的に接続された複数の外部端子を設けると、半導
体モジュールと他の電気装置、例えばプリント配線基板
との接続を容易化できるので、他装置への適用が容易な
半導体モジュールを得ることができる。
と電気的に接続された複数の外部端子を設けると、半導
体モジュールと他の電気装置、例えばプリント配線基板
との接続を容易化できるので、他装置への適用が容易な
半導体モジュールを得ることができる。
【００２１】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第６に、第３の課題解決手段における多層に形成さ
れた配線層の全部又は一部が銅で形成されているという
構成にした。
て、第６に、第３の課題解決手段における多層に形成さ
れた配線層の全部又は一部が銅で形成されているという
構成にした。
【００２２】かように、配線層の全部又は一部を銅で形
成すると、銅は抵抗値が低い導電材料であるので、高周
波に対応可能な電気特性の良好な半導体モジュールを得
ることができる。
成すると、銅は抵抗値が低い導電材料であるので、高周
波に対応可能な電気特性の良好な半導体モジュールを得
ることができる。
【００２３】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第７に、第３の課題解決手段における多層に形成さ
れた配線層の全部又は一部が銅で形成され、かつ、これ
ら各配線層を接続する接続部の全部又は一部が銅で形成
されているという構成にした。
て、第７に、第３の課題解決手段における多層に形成さ
れた配線層の全部又は一部が銅で形成され、かつ、これ
ら各配線層を接続する接続部の全部又は一部が銅で形成
されているという構成にした。
【００２４】かように、配線層の全部又は一部を銅で形
成し、かつ、これら各配線層を接続する接続部も銅で形
成すると、配線層とこれに接続される接続部とを同一工
程で形成できるので、配線部分の製造を簡略化すること
ができ、安価な半導体モジュールを得ることができる。
また、銅は抵抗値が低い導電材料であるので、高周波に
対応可能な電気特性の良好な半導体モジュールを得るこ
とができる。
成し、かつ、これら各配線層を接続する接続部も銅で形
成すると、配線層とこれに接続される接続部とを同一工
程で形成できるので、配線部分の製造を簡略化すること
ができ、安価な半導体モジュールを得ることができる。
また、銅は抵抗値が低い導電材料であるので、高周波に
対応可能な電気特性の良好な半導体モジュールを得るこ
とができる。
【００２５】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第８に、第１の課題解決手段における配線層と前記
搭載部品の端子とがはんだで接続されているという構成
にした。
て、第８に、第１の課題解決手段における配線層と前記
搭載部品の端子とがはんだで接続されているという構成
にした。
【００２６】かように、配線層と搭載部品の端子とをは
んだで接続すると、はんだは安価にして接続作業が容易
な電気接続材料であることから、低コストで信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
んだで接続すると、はんだは安価にして接続作業が容易
な電気接続材料であることから、低コストで信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
【００２７】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第９に、第１の課題解決手段における配線層と前記
搭載部品の端子とが金で接続されているという構成にし
た。
て、第９に、第１の課題解決手段における配線層と前記
搭載部品の端子とが金で接続されているという構成にし
た。
【００２８】かように、配線層と搭載部品の端子とを金
で接続すると、金は耐食性に優れ、かつ接続作業が容易
な電気接続材料であることから、耐久性及び信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
で接続すると、金は耐食性に優れ、かつ接続作業が容易
な電気接続材料であることから、耐久性及び信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
【００２９】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１０に、第５の課題解決手段における端子がはん
だで形成されているという構成にした。
て、第１０に、第５の課題解決手段における端子がはん
だで形成されているという構成にした。
【００３０】かように、保護樹脂層の表面にはんだで形
成された端子を設けると、はんだは安価にして接続作業
が容易な電気接続材料であることから、半導体モジュー
ルと他の電気装置、例えばプリント配線基板との接続を
容易化することができ、他装置への適用が容易な半導体
モジュールを得ることができる。
成された端子を設けると、はんだは安価にして接続作業
が容易な電気接続材料であることから、半導体モジュー
ルと他の電気装置、例えばプリント配線基板との接続を
容易化することができ、他装置への適用が容易な半導体
モジュールを得ることができる。
【００３１】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１１に、第１の課題解決手段におけるモールド樹
脂に外部接続コネクタが埋設され、当該外部接続コネク
タの一部が前記モールド樹脂から露出されているという
構成にした。
て、第１１に、第１の課題解決手段におけるモールド樹
脂に外部接続コネクタが埋設され、当該外部接続コネク
タの一部が前記モールド樹脂から露出されているという
構成にした。
【００３２】かように、モールド樹脂に外部接続コネク
タを埋設し、当該外部接続コネクタの一部を前記モール
ド樹脂から露出させると、半導体モジュールと外部装置
とを接続コネクタを介して接続できるので、外部装置に
対して着脱可能な外付けタイプの半導体モジュールを得
ることができる。
タを埋設し、当該外部接続コネクタの一部を前記モール
ド樹脂から露出させると、半導体モジュールと外部装置
とを接続コネクタを介して接続できるので、外部装置に
対して着脱可能な外付けタイプの半導体モジュールを得
ることができる。
【００３３】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１２に、第１の課題解決手段におけるモールド樹
脂にアンテナが埋設され、当該アンテナの一部が前記モ
ールド樹脂から露出されているという構成にした。
て、第１２に、第１の課題解決手段におけるモールド樹
脂にアンテナが埋設され、当該アンテナの一部が前記モ
ールド樹脂から露出されているという構成にした。
【００３４】かように、モールド樹脂にアンテナを埋設
し、当該アンテナの一部を前記モールド樹脂から露出さ
せると、半導体モジュールと外部装置とをアンテナを介
して無線による通信ができるので、外部装置と非接触で
通信可能な無線タイプの半導体モジュールを得ることが
できる。
し、当該アンテナの一部を前記モールド樹脂から露出さ
せると、半導体モジュールと外部装置とをアンテナを介
して無線による通信ができるので、外部装置と非接触で
通信可能な無線タイプの半導体モジュールを得ることが
できる。
【００３５】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１３に、第１２の課題解決手段における配線層を
構成する導体の一部をもってアンテナが形成されている
という構成にした。
て、第１３に、第１２の課題解決手段における配線層を
構成する導体の一部をもってアンテナが形成されている
という構成にした。
【００３６】かように、配線層を構成する導体の一部を
もってアンテナを形成すると、配線層とアンテナとを同
一工程で形成できるので、配線層とアンテナの製造を簡
略化することができ、安価な半導体モジュールを得るこ
とができると共に、アンテナを平面状に形成することが
できるので、薄形の半導体モジュールを得ることができ
る。
もってアンテナを形成すると、配線層とアンテナとを同
一工程で形成できるので、配線層とアンテナの製造を簡
略化することができ、安価な半導体モジュールを得るこ
とができると共に、アンテナを平面状に形成することが
できるので、薄形の半導体モジュールを得ることができ
る。
【００３７】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１４に、第１の課題解決手段における配線層を構
成する導体の一部をもって誘導性の表面線路が形成され
ているという構成にした。
て、第１４に、第１の課題解決手段における配線層を構
成する導体の一部をもって誘導性の表面線路が形成され
ているという構成にした。
【００３８】かように、配線層を構成する導体の一部を
もって誘導性の表面線路を形成すると、誘導性の電子部
品の搭載を省略することができ、半導体モジュールに搭
載する電子部品数を減らすことができるので、小型かつ
薄形にして安価な半導体モジュールを得ることができ
る。
もって誘導性の表面線路を形成すると、誘導性の電子部
品の搭載を省略することができ、半導体モジュールに搭
載する電子部品数を減らすことができるので、小型かつ
薄形にして安価な半導体モジュールを得ることができ
る。
【００３９】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１５に、第１の課題解決手段における配線層を構
成する導体の一部をもって容量性の表面線路が形成され
ているという構成にした。
て、第１５に、第１の課題解決手段における配線層を構
成する導体の一部をもって容量性の表面線路が形成され
ているという構成にした。
【００４０】かように、配線層を構成する導体の一部を
もって容量性の表面線路を形成すると、容量性の電子部
品の搭載を省略することができ、半導体モジュールに搭
載する電子部品数を減らすことができるので、小型かつ
薄形にして安価な半導体モジュールを得ることができ
る。また、配線層を構成する導体の一部をもって誘導性
の表面線路と容量性の表面線路の双方を形成した場合に
は、フィルタ、バラン又は方向性結合器等の機能を持つ
表面線路を形成することができるので、小型、薄形、安
価にして信頼性の高い半導体モジュールを得ることがで
きる。
もって容量性の表面線路を形成すると、容量性の電子部
品の搭載を省略することができ、半導体モジュールに搭
載する電子部品数を減らすことができるので、小型かつ
薄形にして安価な半導体モジュールを得ることができ
る。また、配線層を構成する導体の一部をもって誘導性
の表面線路と容量性の表面線路の双方を形成した場合に
は、フィルタ、バラン又は方向性結合器等の機能を持つ
表面線路を形成することができるので、小型、薄形、安
価にして信頼性の高い半導体モジュールを得ることがで
きる。
【００４１】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１６に、第１の課題解決手段におけるモールド樹
脂の表面の全部又は一部が金属膜で覆われているという
構成にした。
て、第１６に、第１の課題解決手段におけるモールド樹
脂の表面の全部又は一部が金属膜で覆われているという
構成にした。
【００４２】かように、モールド樹脂の表面の全部又は
一部を金属膜で覆うと、当該金属膜によって半導体チッ
プや他の搭載部品に作用する高周波雑音を低減すること
ができるので、信頼性の高い半導体モジュールを得るこ
とができる。
一部を金属膜で覆うと、当該金属膜によって半導体チッ
プや他の搭載部品に作用する高周波雑音を低減すること
ができるので、信頼性の高い半導体モジュールを得るこ
とができる。
【００４３】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１７に、第１の課題解決手段における保護樹脂層
表面の全部又は一部が金属膜で覆われているという構成
にした。
て、第１７に、第１の課題解決手段における保護樹脂層
表面の全部又は一部が金属膜で覆われているという構成
にした。
【００４４】かように、保護樹脂層表面の全部又は一部
を金属膜で覆うと、当該金属膜によって配線層の保護効
果をより一層高めることができると共に高周波雑音を低
減することができるので、信頼性の高い半導体モジュー
ルを得ることができる。
を金属膜で覆うと、当該金属膜によって配線層の保護効
果をより一層高めることができると共に高周波雑音を低
減することができるので、信頼性の高い半導体モジュー
ルを得ることができる。
【００４５】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１８に、第１の課題解決手段における保護樹脂層
の表面の一部が金属膜で覆われ、当該金属膜の全部又は
一部が前記配線層と電気的に接続され、当該配線層と電
気的に接続された前記金属膜に外部端子が設けられてい
るという構成にした。
て、第１８に、第１の課題解決手段における保護樹脂層
の表面の一部が金属膜で覆われ、当該金属膜の全部又は
一部が前記配線層と電気的に接続され、当該配線層と電
気的に接続された前記金属膜に外部端子が設けられてい
るという構成にした。
【００４６】かように、保護樹脂層の表面の一部を金属
膜で覆い、当該金属膜の全部又は一部を配線層と電気的
に接続し、当該配線層と電気的に接続された金属膜に外
部端子を設けると、高周波雑音を低減することができる
と共に、前記金属膜と外部端子との接続面での金属接合
を安定して形成できるため、安価にして信頼性の高い半
導体モジュールを得ることができる。
膜で覆い、当該金属膜の全部又は一部を配線層と電気的
に接続し、当該配線層と電気的に接続された金属膜に外
部端子を設けると、高周波雑音を低減することができる
と共に、前記金属膜と外部端子との接続面での金属接合
を安定して形成できるため、安価にして信頼性の高い半
導体モジュールを得ることができる。
【００４７】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第１９に、第１の課題解決手段における保護樹脂層
の外周部に金属膜の非形成部を設けるという構成にし
た。
て、第１９に、第１の課題解決手段における保護樹脂層
の外周部に金属膜の非形成部を設けるという構成にし
た。
【００４８】半導体モジュールは、生産性を上げるため
に、通常、配線層と搭載部品との接続工程で仮基体上に
半導体モジュール複数個分の搭載部品を搭載し、モール
ド樹脂及び保護樹脂層並びに金属層の形成後に半導体モ
ジュールの個片を切り出すという製造方法がとられる。
個片の切り出しは、ダイシングによって行われるので、
切断部、即ち、切断によって形成される保護樹脂層の外
周部に金属膜が形成されていると、切断時に金属膜の剥
離やバリが生じやすく、良品の歩留まりが低下する。ま
た、製造方法の如何に関わらず、保護樹脂層の外周部に
金属膜が形成されていると、隣接に配置された他の電気
回路とショートするおそれもある。保護樹脂層の外周部
に金属膜の非形成部を設けておけば、かかる種々の不都
合を回避することができる。
に、通常、配線層と搭載部品との接続工程で仮基体上に
半導体モジュール複数個分の搭載部品を搭載し、モール
ド樹脂及び保護樹脂層並びに金属層の形成後に半導体モ
ジュールの個片を切り出すという製造方法がとられる。
個片の切り出しは、ダイシングによって行われるので、
切断部、即ち、切断によって形成される保護樹脂層の外
周部に金属膜が形成されていると、切断時に金属膜の剥
離やバリが生じやすく、良品の歩留まりが低下する。ま
た、製造方法の如何に関わらず、保護樹脂層の外周部に
金属膜が形成されていると、隣接に配置された他の電気
回路とショートするおそれもある。保護樹脂層の外周部
に金属膜の非形成部を設けておけば、かかる種々の不都
合を回避することができる。
【００４９】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第２０に、第１６乃至第１９の課題解決手段におけ
る金属膜が軟磁性体で形成されているという構成にし
た。
て、第２０に、第１６乃至第１９の課題解決手段におけ
る金属膜が軟磁性体で形成されているという構成にし
た。
【００５０】かように、金属膜を軟磁性体で形成する
と、軟磁性体は高周波雑音を低減する効果が特に高いの
で、高周波雑音を有効に低減することができ、信頼性の
高い半導体モジュールを得ることができる。
と、軟磁性体は高周波雑音を低減する効果が特に高いの
で、高周波雑音を有効に低減することができ、信頼性の
高い半導体モジュールを得ることができる。
【００５１】本発明は、半導体モジュールの構成に関し
て、第２１に、第１７乃至第１９の課題解決手段におけ
る金属膜がニッケル又はニッケル合金で形成されている
という構成にした。
て、第２１に、第１７乃至第１９の課題解決手段におけ
る金属膜がニッケル又はニッケル合金で形成されている
という構成にした。
【００５２】かように、金属膜をニッケル又はニッケル
合金で形成すると、ニッケルは高周波雑音の低減効果に
優れ、かつ、配線層を構成する銅や外部端子を構成する
はんだとの接合性が高いので、信頼性の高い外部端子付
きの半導体モジュールを得ることができる。
合金で形成すると、ニッケルは高周波雑音の低減効果に
優れ、かつ、配線層を構成する銅や外部端子を構成する
はんだとの接合性が高いので、信頼性の高い外部端子付
きの半導体モジュールを得ることができる。
【００５３】一方、本発明は、前記の目的を達成するた
め、半導体モジュールの製造方法に関しては、第１に、
仮基体上に第１配線層を形成する工程と、前記第１配線
層上に第１開口部を有する第１絶縁層を形成する工程
と、前記第１絶縁層上に第２配線層を形成すると共に、
前記第１開口部を通して当該第２配線層と前記第１配線
層とを接続する接続部を形成する工程と、前記第２配線
層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形成する工程
と、前記第２開口部を通して前記第２配線層に少なくと
も１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接
続する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記
第２配線層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基
体を剥離する工程と、前記仮基体を剥離することによっ
て露出された前記第１配線層の外面に保護樹脂層を形成
する工程とを含んで半導体モジュールを製造するという
構成にした。
め、半導体モジュールの製造方法に関しては、第１に、
仮基体上に第１配線層を形成する工程と、前記第１配線
層上に第１開口部を有する第１絶縁層を形成する工程
と、前記第１絶縁層上に第２配線層を形成すると共に、
前記第１開口部を通して当該第２配線層と前記第１配線
層とを接続する接続部を形成する工程と、前記第２配線
層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形成する工程
と、前記第２開口部を通して前記第２配線層に少なくと
も１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接
続する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記
第２配線層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基
体を剥離する工程と、前記仮基体を剥離することによっ
て露出された前記第１配線層の外面に保護樹脂層を形成
する工程とを含んで半導体モジュールを製造するという
構成にした。
【００５４】かように、仮基体を用いて、第１配線層の
形成から搭載部品等の樹脂封止までの各作業工程を実施
すると、仮基体の剛性を利用して各工程の作業を安定に
行うことができるので、複数の配線層と絶縁層とを有す
る半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うこと
ができる。また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離するの
で、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛か
りな装置や後処理を必要とせず、多層の配線層を有する
基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに
行うことができる。また、第１配線層上に第１開口部を
有する第１絶縁層を形成した後、当該第１絶縁層上に第
２配線層を形成すると共に、第１開口部を通して当該第
２配線層と第１配線層とを接続する接続部を形成するの
で、第２配線層と接続部とを同一工程で形成することが
でき、多層の配線層を有する基板なし半導体モジュール
の製造を容易かつ低コストに行うことができる。さら
に、第２配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成し、当該第２絶縁層に形成された第２開口部を通して
第２配線層と搭載部品との接続を行うので、第２絶縁層
形成後に第２開口部を形成する必要がなく、第２配線層
と搭載部品との接続を容易に行うことができることか
ら、１乃至複数の搭載部品が搭載された半導体モジュー
ルの製造を容易かつ低コストに行うことができる。
形成から搭載部品等の樹脂封止までの各作業工程を実施
すると、仮基体の剛性を利用して各工程の作業を安定に
行うことができるので、複数の配線層と絶縁層とを有す
る半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うこと
ができる。また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離するの
で、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛か
りな装置や後処理を必要とせず、多層の配線層を有する
基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに
行うことができる。また、第１配線層上に第１開口部を
有する第１絶縁層を形成した後、当該第１絶縁層上に第
２配線層を形成すると共に、第１開口部を通して当該第
２配線層と第１配線層とを接続する接続部を形成するの
で、第２配線層と接続部とを同一工程で形成することが
でき、多層の配線層を有する基板なし半導体モジュール
の製造を容易かつ低コストに行うことができる。さら
に、第２配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成し、当該第２絶縁層に形成された第２開口部を通して
第２配線層と搭載部品との接続を行うので、第２絶縁層
形成後に第２開口部を形成する必要がなく、第２配線層
と搭載部品との接続を容易に行うことができることか
ら、１乃至複数の搭載部品が搭載された半導体モジュー
ルの製造を容易かつ低コストに行うことができる。
【００５５】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第２に、仮基体上に第１開口部を有する第１絶
縁層を形成する工程と、前記仮基体上の前記第１開口部
内に第１配線層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び
前記第１配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成する工程と、前記第２絶縁層上に第２配線層を形成す
ると共に、前記第２開口部を通して当該第２配線層と前
記第１配線層とを接続する接続部を形成する工程と、前
記第２配線層上に第３開口部を有する第３絶縁層を形成
する工程と、前記第３開口部を通して前記第２配線層に
少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載
部品を接続する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部
品と前記第２配線層との接続部を樹脂封止する工程と、
前記仮基体を剥離する工程と、前記仮基体を剥離するこ
とによって露出された前記第１配線層の外面に保護樹脂
層を形成する工程とを含んで半導体モジュールを製造す
るという構成にした。
関して、第２に、仮基体上に第１開口部を有する第１絶
縁層を形成する工程と、前記仮基体上の前記第１開口部
内に第１配線層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び
前記第１配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成する工程と、前記第２絶縁層上に第２配線層を形成す
ると共に、前記第２開口部を通して当該第２配線層と前
記第１配線層とを接続する接続部を形成する工程と、前
記第２配線層上に第３開口部を有する第３絶縁層を形成
する工程と、前記第３開口部を通して前記第２配線層に
少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載
部品を接続する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部
品と前記第２配線層との接続部を樹脂封止する工程と、
前記仮基体を剥離する工程と、前記仮基体を剥離するこ
とによって露出された前記第１配線層の外面に保護樹脂
層を形成する工程とを含んで半導体モジュールを製造す
るという構成にした。
【００５６】かように、仮基体上に第１開口部を有する
第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体上の第１開口部
内に第１配線層を形成すると、第１絶縁層が第１配線層
を形成する際のフォトレジストとして機能するので、半
導体モジュールの製造方法に関する第１の課題解決手段
の場合とは異なり、第１配線層を形成する際のフォトレ
ジストの形成や除去を省略することができて、多層の配
線層を有する基板なし半導体モジュールの製造を容易か
つ低コストに行うことができる。その他の作業工程につ
いては、第１の課題解決手段と同じであるので、前記と
同様の作用効果が発揮される。
第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体上の第１開口部
内に第１配線層を形成すると、第１絶縁層が第１配線層
を形成する際のフォトレジストとして機能するので、半
導体モジュールの製造方法に関する第１の課題解決手段
の場合とは異なり、第１配線層を形成する際のフォトレ
ジストの形成や除去を省略することができて、多層の配
線層を有する基板なし半導体モジュールの製造を容易か
つ低コストに行うことができる。その他の作業工程につ
いては、第１の課題解決手段と同じであるので、前記と
同様の作用効果が発揮される。
【００５７】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第３に、仮基体上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に所要の開口部を有する絶縁層を形成する
工程と、前記開口部を通して前記配線層に少なくとも１
つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続す
る工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記配線
層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥離
する工程と、前記仮基体を剥離することによって露出さ
れた前記配線層の外面に保護樹脂層を形成する工程とを
含んで半導体モジュールを製造するという構成にした。
関して、第３に、仮基体上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に所要の開口部を有する絶縁層を形成する
工程と、前記開口部を通して前記配線層に少なくとも１
つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続す
る工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記配線
層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥離
する工程と、前記仮基体を剥離することによって露出さ
れた前記配線層の外面に保護樹脂層を形成する工程とを
含んで半導体モジュールを製造するという構成にした。
【００５８】かように、仮基体を用いて、配線層の形成
から搭載部品等の樹脂封止までの各作業工程を実施する
と、仮基体の剛性を利用して各工程の作業を安定に行う
ことができるので、配線層と絶縁層とを有する半導体モ
ジュールの製造を容易かつ高精度に行うことができる。
また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離するので、薬品を
用いて仮基体を除去する場合のように大掛かりな装置や
後処理を必要とせず、１層の配線層を有する基板なし半
導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うことが
できる。さらに、配線層上に開口部を有する絶縁層を形
成し、当該絶縁層に形成された開口部を通して配線層と
搭載部品との接続を行うので、絶縁層形成後に開口部を
形成する必要がなく、配線層と搭載部品との接続を容易
に行うことができることから、１乃至複数の搭載部品が
搭載された半導体モジュールの製造を容易かつ低コスト
に行うことができる。
から搭載部品等の樹脂封止までの各作業工程を実施する
と、仮基体の剛性を利用して各工程の作業を安定に行う
ことができるので、配線層と絶縁層とを有する半導体モ
ジュールの製造を容易かつ高精度に行うことができる。
また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離するので、薬品を
用いて仮基体を除去する場合のように大掛かりな装置や
後処理を必要とせず、１層の配線層を有する基板なし半
導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うことが
できる。さらに、配線層上に開口部を有する絶縁層を形
成し、当該絶縁層に形成された開口部を通して配線層と
搭載部品との接続を行うので、絶縁層形成後に開口部を
形成する必要がなく、配線層と搭載部品との接続を容易
に行うことができることから、１乃至複数の搭載部品が
搭載された半導体モジュールの製造を容易かつ低コスト
に行うことができる。
【００５９】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第４に、仮基体上に第１開口部を有する第１絶
縁層を形成する工程と、前記仮基体上の前記第１開口部
内に配線層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び前記
配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形成する工
程と、前記第２開口部を通して前記配線層に少なくとも
１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続
する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記配
線層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥
離する工程と、前記仮基体を剥離することによって露出
された前記配線層の外面に保護樹脂層を形成する工程と
を含んで半導体モジュールを製造するという構成にし
た。
関して、第４に、仮基体上に第１開口部を有する第１絶
縁層を形成する工程と、前記仮基体上の前記第１開口部
内に配線層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び前記
配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形成する工
程と、前記第２開口部を通して前記配線層に少なくとも
１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続
する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記配
線層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥
離する工程と、前記仮基体を剥離することによって露出
された前記配線層の外面に保護樹脂層を形成する工程と
を含んで半導体モジュールを製造するという構成にし
た。
【００６０】かように、仮基体上に第１開口部を有する
第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体上の第１開口部
内に配線層を形成すると、第１絶縁層が配線層を形成す
る際のレジストパターンとして機能するので、半導体モ
ジュールの製造方法に関する第３の課題解決手段の場合
とは異なり、第１配線層を形成する際のレジストパター
ンの形成や除去を省略することができて、配線層を有す
る基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コスト
に行うことができる。その他の作業工程については、第
３の課題解決手段と同じであるので、前記と同様の作用
効果が発揮される。
第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体上の第１開口部
内に配線層を形成すると、第１絶縁層が配線層を形成す
る際のレジストパターンとして機能するので、半導体モ
ジュールの製造方法に関する第３の課題解決手段の場合
とは異なり、第１配線層を形成する際のレジストパター
ンの形成や除去を省略することができて、配線層を有す
る基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コスト
に行うことができる。その他の作業工程については、第
３の課題解決手段と同じであるので、前記と同様の作用
効果が発揮される。
【００６１】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第５に、仮基体上にニッケルめっき層を形成す
る工程と、前記ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成する工程と、前記ニッケルめっき層
上の前記第１開口部及び保護樹脂層上に第１配線層を形
成する工程と、前記保護樹脂層及び前記第１配線層上に
第２開口部を有する第１絶縁層を形成する工程と、当該
第１絶縁層上に第２配線層を形成すると共に、前記第２
開口部を通して当該第２配線層と前記第１配線層とを接
続する接続部を形成する工程と、前記第２配線層上に第
３開口部を有する第２絶縁層を形成する工程と、前記第
３開口部を通して前記第２配線層に少なくとも１つの半
導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続する工程
と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記第２配線層
との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥離し
て前記ニッケルめっき層を露出させる工程と、前記ニッ
ケルめっき層の一部を除去する工程とを含んで半導体モ
ジュールを製造するという構成にした。
関して、第５に、仮基体上にニッケルめっき層を形成す
る工程と、前記ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成する工程と、前記ニッケルめっき層
上の前記第１開口部及び保護樹脂層上に第１配線層を形
成する工程と、前記保護樹脂層及び前記第１配線層上に
第２開口部を有する第１絶縁層を形成する工程と、当該
第１絶縁層上に第２配線層を形成すると共に、前記第２
開口部を通して当該第２配線層と前記第１配線層とを接
続する接続部を形成する工程と、前記第２配線層上に第
３開口部を有する第２絶縁層を形成する工程と、前記第
３開口部を通して前記第２配線層に少なくとも１つの半
導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続する工程
と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記第２配線層
との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥離し
て前記ニッケルめっき層を露出させる工程と、前記ニッ
ケルめっき層の一部を除去する工程とを含んで半導体モ
ジュールを製造するという構成にした。
【００６２】かように、ニッケルめっき層が形成された
仮基体を用い、ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成し、所要部分の樹脂封止後に、仮基
体を剥離してニッケルめっき層を露出させると、その後
の工程でニッケルめっき層の一部を除去することによっ
て、第１配線層と電気的に接続された金属膜（ニッケル
膜）及び／又は第１配線層と電気的に接続されていない
金属膜（ニッケル膜）とを形成することができるので、
保護樹脂層の一部が金属膜で覆われ、かつ、多層の配線
層と外部端子とを有する半導体モジュールを容易に製造
することができる。その他の作業工程については、第１
の課題解決手段と同じであるので、前記と同様の作用効
果が発揮される。
仮基体を用い、ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成し、所要部分の樹脂封止後に、仮基
体を剥離してニッケルめっき層を露出させると、その後
の工程でニッケルめっき層の一部を除去することによっ
て、第１配線層と電気的に接続された金属膜（ニッケル
膜）及び／又は第１配線層と電気的に接続されていない
金属膜（ニッケル膜）とを形成することができるので、
保護樹脂層の一部が金属膜で覆われ、かつ、多層の配線
層と外部端子とを有する半導体モジュールを容易に製造
することができる。その他の作業工程については、第１
の課題解決手段と同じであるので、前記と同様の作用効
果が発揮される。
【００６３】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第６に、仮基体上にニッケルめっき層を形成す
る工程と、前記ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成する工程と、前記ニッケルめっき層
上の前記第１開口部及び保護樹脂層上に配線層を形成す
る工程と、前記保護樹脂層及び前記配線層上に第２開口
部を有する絶縁層を形成する工程と、前記第２開口部を
通して前記配線層に少なくとも１つの半導体チップを含
む１乃至複数の搭載部品を接続する工程と、前記搭載部
品並びに当該搭載部品と前記配線層との接続部を樹脂封
止する工程と、前記仮基体を剥離して前記ニッケルめっ
き層を露出させる工程と、前記ニッケルめっき層の一部
を除去する工程とを含んで半導体モジュールを製造する
という構成にした。
関して、第６に、仮基体上にニッケルめっき層を形成す
る工程と、前記ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成する工程と、前記ニッケルめっき層
上の前記第１開口部及び保護樹脂層上に配線層を形成す
る工程と、前記保護樹脂層及び前記配線層上に第２開口
部を有する絶縁層を形成する工程と、前記第２開口部を
通して前記配線層に少なくとも１つの半導体チップを含
む１乃至複数の搭載部品を接続する工程と、前記搭載部
品並びに当該搭載部品と前記配線層との接続部を樹脂封
止する工程と、前記仮基体を剥離して前記ニッケルめっ
き層を露出させる工程と、前記ニッケルめっき層の一部
を除去する工程とを含んで半導体モジュールを製造する
という構成にした。
【００６４】かように、ニッケルめっき層が形成された
仮基体を用い、ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成し、所要部分の樹脂封止後に、仮基
体を剥離してニッケルめっき層を露出させると、その後
の工程でニッケルめっき層の一部を除去することによっ
て、配線層と電気的に接続された金属膜（ニッケル膜）
及び／又は第１配線層と電気的に接続されていない金属
膜（ニッケル膜）とを形成することができるので、保護
樹脂層の一部が金属膜で覆われ、かつ、単層の配線層と
外部端子とを有する半導体モジュールを容易に製造する
ことができる。その他の作業工程については、第１の課
題解決手段と同じであるので、前記と同様の作用効果が
発揮される。
仮基体を用い、ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成し、所要部分の樹脂封止後に、仮基
体を剥離してニッケルめっき層を露出させると、その後
の工程でニッケルめっき層の一部を除去することによっ
て、配線層と電気的に接続された金属膜（ニッケル膜）
及び／又は第１配線層と電気的に接続されていない金属
膜（ニッケル膜）とを形成することができるので、保護
樹脂層の一部が金属膜で覆われ、かつ、単層の配線層と
外部端子とを有する半導体モジュールを容易に製造する
ことができる。その他の作業工程については、第１の課
題解決手段と同じであるので、前記と同様の作用効果が
発揮される。
【００６５】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第７に、半導体モジュールの製造方法に関する
第１乃至第６の課題解決手段における配線層と搭載部品
との接続工程で、仮基体上に半導体モジュール複数個分
の搭載部品を搭載し、保護樹脂層の形成後、半導体モジ
ュールの個片を切り出すという構成にした。
関して、第７に、半導体モジュールの製造方法に関する
第１乃至第６の課題解決手段における配線層と搭載部品
との接続工程で、仮基体上に半導体モジュール複数個分
の搭載部品を搭載し、保護樹脂層の形成後、半導体モジ
ュールの個片を切り出すという構成にした。
【００６６】かように、配線層と搭載部品との接続工程
で、仮基体上に半導体モジュール複数個分の搭載部品を
搭載し、保護樹脂層の形成後、半導体モジュールの個片
を切り出すいう方法をとると、１サイクルの製造工程で
所要の半導体モジュールを多数個取りすることができる
ので、所要の半導体モジュールの製造を効率化、低コス
ト化することができる。
で、仮基体上に半導体モジュール複数個分の搭載部品を
搭載し、保護樹脂層の形成後、半導体モジュールの個片
を切り出すいう方法をとると、１サイクルの製造工程で
所要の半導体モジュールを多数個取りすることができる
ので、所要の半導体モジュールの製造を効率化、低コス
ト化することができる。
【００６７】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第８に、半導体モジュールの製造方法に関する
第１乃至第６の課題解決手段における仮基体として、ス
テンレス鋼板を用いるという構成にした。
関して、第８に、半導体モジュールの製造方法に関する
第１乃至第６の課題解決手段における仮基体として、ス
テンレス鋼板を用いるという構成にした。
【００６８】かように、仮基体としてステンレス鋼板を
用いると、ステンレス鋼板は高剛性であるので、配線層
や第１絶縁層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの各
作業工程を安定に行うことができ、配線層と絶縁層とを
有する半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行う
ことができる。また、ステンレス鋼板は高弾性の金属材
料で、配線層や第１絶縁層からの剥離を容易に行うこと
ができ、半導体モジュールの製造を高能率に行うことが
できる。
用いると、ステンレス鋼板は高剛性であるので、配線層
や第１絶縁層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの各
作業工程を安定に行うことができ、配線層と絶縁層とを
有する半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行う
ことができる。また、ステンレス鋼板は高弾性の金属材
料で、配線層や第１絶縁層からの剥離を容易に行うこと
ができ、半導体モジュールの製造を高能率に行うことが
できる。
【００６９】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第９に、半導体モジュールの製造方法に関する
第１乃至第６の課題解決手段における仮基体として、ニ
ッケルめっきが施されたステンレス鋼板を用いるという
構成にした。
関して、第９に、半導体モジュールの製造方法に関する
第１乃至第６の課題解決手段における仮基体として、ニ
ッケルめっきが施されたステンレス鋼板を用いるという
構成にした。
【００７０】かように、仮基体としてニッケルめっきが
施されたステンレス鋼板を用いると、ニッケルは導電性
が高いので、仮基体上に配線層を形成する際の給電膜と
して利用することができる。また、ニッケルはステンレ
ス製の仮基体との剥離性が良好であるので、樹脂モール
ド後の仮基体の剥離を容易に行うことができる。
施されたステンレス鋼板を用いると、ニッケルは導電性
が高いので、仮基体上に配線層を形成する際の給電膜と
して利用することができる。また、ニッケルはステンレ
ス製の仮基体との剥離性が良好であるので、樹脂モール
ド後の仮基体の剥離を容易に行うことができる。
【００７１】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第１０に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第５又は第６の課題解決手段におけるニッケルめっき
層の一部を除去する工程で、前記保護樹脂層の外周部に
相当する部分のニッケルめっき層を除去するという構成
にした。
関して、第１０に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第５又は第６の課題解決手段におけるニッケルめっき
層の一部を除去する工程で、前記保護樹脂層の外周部に
相当する部分のニッケルめっき層を除去するという構成
にした。
【００７２】かように、ニッケルめっき層の一部を除去
する工程で、前記保護樹脂層の外周部に相当する部分の
ニッケルめっき層を除去しておけば、半導体モジュール
を多数個取りする場合においてもニッケルめっき層に剥
離やバリが発生しないので、良品を歩留まり良く製造す
ることができる。また、隣接に配置された他の電気回路
とショートしにくい半導体モジュールを製造することが
できる。
する工程で、前記保護樹脂層の外周部に相当する部分の
ニッケルめっき層を除去しておけば、半導体モジュール
を多数個取りする場合においてもニッケルめっき層に剥
離やバリが発生しないので、良品を歩留まり良く製造す
ることができる。また、隣接に配置された他の電気回路
とショートしにくい半導体モジュールを製造することが
できる。
【００７３】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第１１に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第１乃至第６の課題解決手段における配線層を形成す
る際の給電体として、前記仮基体を用いるという構成に
した。
関して、第１１に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第１乃至第６の課題解決手段における配線層を形成す
る際の給電体として、前記仮基体を用いるという構成に
した。
【００７４】かように、配線層を形成する際の給電体と
して仮基体を用いると、配線層の形成に際して特別な給
電体を形成する必要がないので、配線層の形成を容易化
することができ、半導体モジュールの製造を低コストに
行うことができる。
して仮基体を用いると、配線層の形成に際して特別な給
電体を形成する必要がないので、配線層の形成を容易化
することができ、半導体モジュールの製造を低コストに
行うことができる。
【００７５】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第１２に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第１乃至第６の課題解決手段における配線層を形成す
る際の給電体として、スパッタリングにより形成された
導電膜を用いるという構成にした。
関して、第１２に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第１乃至第６の課題解決手段における配線層を形成す
る際の給電体として、スパッタリングにより形成された
導電膜を用いるという構成にした。
【００７６】かように、配線層を形成する際の給電体と
してスパッタリングにより形成された導電膜を用いる
と、仮基体と接触しない部分にも配線層を形成すること
ができるので、配線層を多層に配置することができる。
してスパッタリングにより形成された導電膜を用いる
と、仮基体と接触しない部分にも配線層を形成すること
ができるので、配線層を多層に配置することができる。
【００７７】本発明は、半導体モジュールの製造方法に
関して、第１３に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第５、第６、第９、第１０の課題解決手段における仮
基体として厚さが１ｍｍ以下のステンレス鋼板を用い、
当該ステンレス鋼板の片面に厚さが５μｍ以上２０μｍ
以下のニッケルめっき層を形成するという構成にした。
関して、第１３に、半導体モジュールの製造方法に関す
る第５、第６、第９、第１０の課題解決手段における仮
基体として厚さが１ｍｍ以下のステンレス鋼板を用い、
当該ステンレス鋼板の片面に厚さが５μｍ以上２０μｍ
以下のニッケルめっき層を形成するという構成にした。
【００７８】厚さが１ｍｍ以下のステンレス鋼板の片面
にニッケルめっき層を形成した場合、ニッケルめっき層
の厚さが薄すぎる場合には半導体モジュールの製造過程
で剥離が生じ、厚すぎる場合にはステンレス鋼板に反り
を生じて良好な半導体モジュールの製造が困難になる。
実験によると、ニッケルめっき層の厚さを５μｍ以上２
０μｍ以下に規制した場合には、ニッケルめっき層に不
正な剥離が発生せず、しかもステンレス鋼板の反りを良
好な半導体モジュールの製造に支障がない程度にするこ
とができた。よって、片面に厚さが５μｍ以上２０μｍ
以下のニッケルめっき層が形成された厚さが１ｍｍ以下
のステンレス鋼板を仮基体として用いることによって、
半導体モジュールの良品を歩留まり良く製造することが
できる。なお、ステンレス鋼板の厚さが１ｍｍ以上にな
ると、相対的に反りは発生しにくくなるが、ワークの重
量が大きくなるため、使用しがたい。
にニッケルめっき層を形成した場合、ニッケルめっき層
の厚さが薄すぎる場合には半導体モジュールの製造過程
で剥離が生じ、厚すぎる場合にはステンレス鋼板に反り
を生じて良好な半導体モジュールの製造が困難になる。
実験によると、ニッケルめっき層の厚さを５μｍ以上２
０μｍ以下に規制した場合には、ニッケルめっき層に不
正な剥離が発生せず、しかもステンレス鋼板の反りを良
好な半導体モジュールの製造に支障がない程度にするこ
とができた。よって、片面に厚さが５μｍ以上２０μｍ
以下のニッケルめっき層が形成された厚さが１ｍｍ以下
のステンレス鋼板を仮基体として用いることによって、
半導体モジュールの良品を歩留まり良く製造することが
できる。なお、ステンレス鋼板の厚さが１ｍｍ以上にな
ると、相対的に反りは発生しにくくなるが、ワークの重
量が大きくなるため、使用しがたい。
【００７９】
【発明の実施の形態】〈半導体モジュールの第１例〉本
発明に係る半導体モジュールの第１例を、図１に基づい
て説明する。図１は第１実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ａの要部断面図である。
発明に係る半導体モジュールの第１例を、図１に基づい
て説明する。図１は第１実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ａの要部断面図である。
【００８０】図１から明らかなように、本例の半導体モ
ジュール１Ａは、第１配線層１、第１絶縁層２、第２配
線層３、第１配線層１と第２配線層３とを接続する接続
部３ａ、第２絶縁層４、半導体チップ５、他の搭載部品
６、第２配線層３と半導体チップ５とを接続する導体
７、第２配線層３と他の搭載部品６とを接続する導体
８、半導体チップ５と他の搭載部品６と導体７，８を一
体に封止するモールド樹脂９、第１配線層１の外面に局
部的に形成されたニッケル層（金属膜）１０、第１配線
層１の外面を覆う保護樹脂層１１、ニッケル層１０に形
成された外部端子１２から構成されている。
ジュール１Ａは、第１配線層１、第１絶縁層２、第２配
線層３、第１配線層１と第２配線層３とを接続する接続
部３ａ、第２絶縁層４、半導体チップ５、他の搭載部品
６、第２配線層３と半導体チップ５とを接続する導体
７、第２配線層３と他の搭載部品６とを接続する導体
８、半導体チップ５と他の搭載部品６と導体７，８を一
体に封止するモールド樹脂９、第１配線層１の外面に局
部的に形成されたニッケル層（金属膜）１０、第１配線
層１の外面を覆う保護樹脂層１１、ニッケル層１０に形
成された外部端子１２から構成されている。
【００８１】第１配線層１、第２配線層３及び接続部３
ａは、銅又は銅合金を電気めっき（電解鋳造）すること
によって形成される。銅合金としては、耐腐食性や密着
性に優れることなどから、銅−ニッケル合金又は銅−ニ
ッケル−銀合金が特に適する。接続部３ａは、第１絶縁
層２に開設された第１開口部２ａ内に形成され、第１配
線層１と第２配線層３とを電気的に接続する。
ａは、銅又は銅合金を電気めっき（電解鋳造）すること
によって形成される。銅合金としては、耐腐食性や密着
性に優れることなどから、銅−ニッケル合金又は銅−ニ
ッケル−銀合金が特に適する。接続部３ａは、第１絶縁
層２に開設された第１開口部２ａ内に形成され、第１配
線層１と第２配線層３とを電気的に接続する。
【００８２】第１絶縁層２、第２絶縁層４及び保護樹脂
層１１は、絶縁性樹脂によって形成される。なお、絶縁
性樹脂としては、これら第１絶縁層２、第２絶縁層４及
び保護樹脂層１１の形成を容易にするため、感光性樹脂
を用いることもできる。第１絶縁層２には、接続部３ａ
を形成するための第１開口部２ａが所要の配列で形成さ
れ、第２絶縁層４には、導体７，８を貫通するための第
２開口部４ａが所要の配列で形成される。
層１１は、絶縁性樹脂によって形成される。なお、絶縁
性樹脂としては、これら第１絶縁層２、第２絶縁層４及
び保護樹脂層１１の形成を容易にするため、感光性樹脂
を用いることもできる。第１絶縁層２には、接続部３ａ
を形成するための第１開口部２ａが所要の配列で形成さ
れ、第２絶縁層４には、導体７，８を貫通するための第
２開口部４ａが所要の配列で形成される。
【００８３】半導体チップ５としては、公知に属する任
意の半導体チップを用いることができるが、半導体モジ
ュール１Ａの総厚を薄形化する場合には、シリコンウエ
ハに機械的又は化学的手段若しくはこれらの組み合わせ
による研磨加工が施され、所望の厚さまで薄形化された
ベアチップが用いられる。この半導体チップ５のパッド
部（入出力端子）には、導体７として金バンプが形成さ
れており、当該金バンプ７を介して半導体チップ５と第
２配線層３とが接続される。
意の半導体チップを用いることができるが、半導体モジ
ュール１Ａの総厚を薄形化する場合には、シリコンウエ
ハに機械的又は化学的手段若しくはこれらの組み合わせ
による研磨加工が施され、所望の厚さまで薄形化された
ベアチップが用いられる。この半導体チップ５のパッド
部（入出力端子）には、導体７として金バンプが形成さ
れており、当該金バンプ７を介して半導体チップ５と第
２配線層３とが接続される。
【００８４】他の搭載部品６としては、トランジスタ、
ダイオード、抵抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振
子、フィルタ、バラン、アンテナ、機能モジュールなど
のチップ部品や外部接続コネクタなどを搭載することが
できる。なお、前記機能モジュールには、ＶＣＯ、ＰＬ
Ｌ又は電源レギュレータなどが含まれる。
ダイオード、抵抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振
子、フィルタ、バラン、アンテナ、機能モジュールなど
のチップ部品や外部接続コネクタなどを搭載することが
できる。なお、前記機能モジュールには、ＶＣＯ、ＰＬ
Ｌ又は電源レギュレータなどが含まれる。
【００８５】他の搭載部品６と第２配線層３とを接続す
る導体８としては、導電ペーストや異方性導電接着剤な
どを用いることもできるが、安価にして信頼性の高い接
続が可能であることから、はんだが特に適する。
る導体８としては、導電ペーストや異方性導電接着剤な
どを用いることもできるが、安価にして信頼性の高い接
続が可能であることから、はんだが特に適する。
【００８６】モールド樹脂９は、前記半導体チップ５
と、他の搭載部品６と、これら各搭載部品５，６と第２
配線層３との接続部とを一体に樹脂封止するものであっ
て、従来より半導体チップの樹脂封止に適用されている
各種の樹脂材料を用いて形成することができる。
と、他の搭載部品６と、これら各搭載部品５，６と第２
配線層３との接続部とを一体に樹脂封止するものであっ
て、従来より半導体チップの樹脂封止に適用されている
各種の樹脂材料を用いて形成することができる。
【００８７】ニッケル層１０は、外部端子１２の形成を
容易にするものであって、外部端子１２を形成しようと
する第１配線層１の端子部に形成される。
容易にするものであって、外部端子１２を形成しようと
する第１配線層１の端子部に形成される。
【００８８】外部端子１２は、半導体モジュール１Ａを
外部装置、例えばプリント配線基板に接続するために使
用されるものであって、安価にして信頼性の高い接続が
容易に行えることから、はんだで形成することが特に好
ましい。
外部装置、例えばプリント配線基板に接続するために使
用されるものであって、安価にして信頼性の高い接続が
容易に行えることから、はんだで形成することが特に好
ましい。
【００８９】本例の半導体モジュール１Ａは、搭載部品
５，６の配線手段を配線層１，３と保護樹脂層２，４と
から構成したので、従来の多層基板のコア材に相当する
部分を省略することができ、薄形にして安価な半導体モ
ジュール１Ａを得ることができる。また、電気めっきに
よって形成される配線層１，３を備えたので、リードフ
レームや金属箔エッチング又は導電ペースト印刷により
形成された配線層を備えた基板を用いる場合に比べて配
線パターンの高密度化、高精度化、微小化及び均質化を
図ることができ、小型にして高周波対応性の高い半導体
モジュールを得ることができる。さらに、第１配線層１
及びこれと電気的に接続された第２配線層３とを２層に
形成したので、配線層１，３の形成面積を減少すること
ができ、半導体モジュール１Ａの小型化を図ることがで
きる。
５，６の配線手段を配線層１，３と保護樹脂層２，４と
から構成したので、従来の多層基板のコア材に相当する
部分を省略することができ、薄形にして安価な半導体モ
ジュール１Ａを得ることができる。また、電気めっきに
よって形成される配線層１，３を備えたので、リードフ
レームや金属箔エッチング又は導電ペースト印刷により
形成された配線層を備えた基板を用いる場合に比べて配
線パターンの高密度化、高精度化、微小化及び均質化を
図ることができ、小型にして高周波対応性の高い半導体
モジュールを得ることができる。さらに、第１配線層１
及びこれと電気的に接続された第２配線層３とを２層に
形成したので、配線層１，３の形成面積を減少すること
ができ、半導体モジュール１Ａの小型化を図ることがで
きる。
【００９０】なお、前記実施形態例では、配線層を２層
に形成したが３層以上に形成することももちろん可能で
ある。
に形成したが３層以上に形成することももちろん可能で
ある。
【００９１】〈半導体モジュールの第２例〉本発明に係
る半導体モジュールの第２例を、図２に基づいて説明す
る。図２は第２実施形態例に係る半導体モジュール１Ｂ
の要部断面図である。
る半導体モジュールの第２例を、図２に基づいて説明す
る。図２は第２実施形態例に係る半導体モジュール１Ｂ
の要部断面図である。
【００９２】図２から明らかなように、本例の半導体モ
ジュール１Ｂは、第１絶縁層１３、第１配線層１、第２
絶縁層１４、第２配線層３、第１配線層１と第２配線層
３とを接続する接続部３ａ、第３絶縁層１５、半導体チ
ップ５、他の搭載部品６、第２配線層３と半導体チップ
５とを接続する導体７、第２配線層３と他の搭載部品６
とを接続する導体８、半導体チップ５と他の搭載部品６
と導体７，８を一体に封止するモールド樹脂９、第１配
線層１の外面に局部的に形成されたニッケル層１０、第
１配線層１及び第１絶縁層１３の外面を覆う保護樹脂層
１１、ニッケル層１０に形成された外部端子１２から構
成されている。
ジュール１Ｂは、第１絶縁層１３、第１配線層１、第２
絶縁層１４、第２配線層３、第１配線層１と第２配線層
３とを接続する接続部３ａ、第３絶縁層１５、半導体チ
ップ５、他の搭載部品６、第２配線層３と半導体チップ
５とを接続する導体７、第２配線層３と他の搭載部品６
とを接続する導体８、半導体チップ５と他の搭載部品６
と導体７，８を一体に封止するモールド樹脂９、第１配
線層１の外面に局部的に形成されたニッケル層１０、第
１配線層１及び第１絶縁層１３の外面を覆う保護樹脂層
１１、ニッケル層１０に形成された外部端子１２から構
成されている。
【００９３】第２絶縁層１４は、第１実施形態例に係る
半導体モジュール１Ａの第１絶縁層２に相当するもので
あって、第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａの
第１開口部２ａに相当する第２開口部１４ａが開設され
ており、当該第２開口部１４ａ内に第１配線層１と第２
配線層３とを接続する接続部３ａが形成されている。一
方、第３絶縁層１５は、第１実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ａの第２絶縁層４に相当するものであって、
第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａの第２開口
部４ａに相当する第３開口部１５ａが開設されており、
当該第３開口部１５ａ内に配置された導体７，８を介し
て、第２配線層３と半導体チップ５及び第２配線層３と
他の搭載部品６とが接続されている。
半導体モジュール１Ａの第１絶縁層２に相当するもので
あって、第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａの
第１開口部２ａに相当する第２開口部１４ａが開設され
ており、当該第２開口部１４ａ内に第１配線層１と第２
配線層３とを接続する接続部３ａが形成されている。一
方、第３絶縁層１５は、第１実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ａの第２絶縁層４に相当するものであって、
第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａの第２開口
部４ａに相当する第３開口部１５ａが開設されており、
当該第３開口部１５ａ内に配置された導体７，８を介し
て、第２配線層３と半導体チップ５及び第２配線層３と
他の搭載部品６とが接続されている。
【００９４】第１絶縁層１３は、第２絶縁層１４及び第
３絶縁層１５と同種又は異種の絶縁樹脂をもって形成さ
れており、図２から明らかなように、第１配線層１と同
一平面上に配置されている。その他の部分については、
第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａと同様に構
成される。
３絶縁層１５と同種又は異種の絶縁樹脂をもって形成さ
れており、図２から明らかなように、第１配線層１と同
一平面上に配置されている。その他の部分については、
第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａと同様に構
成される。
【００９５】本例の半導体モジュール１Ｂも、第１実施
形態例に係る半導体モジュール１Ａと同様の効果を有す
る。
形態例に係る半導体モジュール１Ａと同様の効果を有す
る。
【００９６】〈半導体モジュールの第３例〉本発明に係
る半導体モジュールの第３例を、図３に基づいて説明す
る。図３は第３実施形態例に係る半導体モジュール１Ｃ
の要部断面図である。
る半導体モジュールの第３例を、図３に基づいて説明す
る。図３は第３実施形態例に係る半導体モジュール１Ｃ
の要部断面図である。
【００９７】図３から明らかなように、本例の半導体モ
ジュール１Ｃは、配線層１６、絶縁層１７、半導体チッ
プ５、他の搭載部品６、第２配線層３と半導体チップ５
とを接続する導体７、第２配線層３と他の搭載部品６と
を接続する導体８、半導体チップ５と他の搭載部品６と
導体７，８を一体に封止するモールド樹脂９、第１配線
層１の外面に局部的に形成されたニッケル層１０、第１
配線層１及び第１絶縁層１３の外面を覆う保護樹脂層１
１、ニッケル層１０に形成された外部端子１２から構成
されている。
ジュール１Ｃは、配線層１６、絶縁層１７、半導体チッ
プ５、他の搭載部品６、第２配線層３と半導体チップ５
とを接続する導体７、第２配線層３と他の搭載部品６と
を接続する導体８、半導体チップ５と他の搭載部品６と
導体７，８を一体に封止するモールド樹脂９、第１配線
層１の外面に局部的に形成されたニッケル層１０、第１
配線層１及び第１絶縁層１３の外面を覆う保護樹脂層１
１、ニッケル層１０に形成された外部端子１２から構成
されている。
【００９８】配線層１６は、第１実施形態例に係る半導
体モジュール１Ａの第１配線層１に相当するものであっ
て、当該第１配線層１と同様に形成される。一方、絶縁
層１７は、第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ
の第２絶縁層４に相当するものであって、第１実施形態
例に係る半導体モジュール１Ａの第２開口部４ａに相当
する開口部１７ａが開設されており、当該開口部１７ａ
内に配置された導体７，８を介して、配線層１６と半導
体チップ５及び配線層１６と他の搭載部品６とが接続さ
れている。その他の部分については、第１実施形態例に
係る半導体モジュール１Ａと同様に構成される。
体モジュール１Ａの第１配線層１に相当するものであっ
て、当該第１配線層１と同様に形成される。一方、絶縁
層１７は、第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ
の第２絶縁層４に相当するものであって、第１実施形態
例に係る半導体モジュール１Ａの第２開口部４ａに相当
する開口部１７ａが開設されており、当該開口部１７ａ
内に配置された導体７，８を介して、配線層１６と半導
体チップ５及び配線層１６と他の搭載部品６とが接続さ
れている。その他の部分については、第１実施形態例に
係る半導体モジュール１Ａと同様に構成される。
【００９９】本例の半導体モジュール１Ｃも、配線層が
１層であることを除いて、第１実施形態例に係る半導体
モジュール１Ａと同様の効果を有する。
１層であることを除いて、第１実施形態例に係る半導体
モジュール１Ａと同様の効果を有する。
【０１００】〈半導体モジュールの第４例〉本発明に係
る半導体モジュールの第４例を、図４に基づいて説明す
る。図４は第４実施形態例に係る半導体モジュール１Ｄ
の要部断面図である。
る半導体モジュールの第４例を、図４に基づいて説明す
る。図４は第４実施形態例に係る半導体モジュール１Ｄ
の要部断面図である。
【０１０１】図４から明らかなように、本例の半導体モ
ジュール１Ｄは、第１絶縁層１３、配線層１６、絶縁層
１７、半導体チップ５、他の搭載部品６、第２配線層３
と半導体チップ５とを接続する導体７、第２配線層３と
他の搭載部品６とを接続する導体８、半導体チップ５と
他の搭載部品６と導体７，８を一体に封止するモールド
樹脂９、第１配線層１の外面に局部的に形成されたニッ
ケル層１０、配線層１６及び第１絶縁層１３の外面を覆
う保護樹脂層１１、ニッケル層１０に形成された外部端
子１２から構成されている。
ジュール１Ｄは、第１絶縁層１３、配線層１６、絶縁層
１７、半導体チップ５、他の搭載部品６、第２配線層３
と半導体チップ５とを接続する導体７、第２配線層３と
他の搭載部品６とを接続する導体８、半導体チップ５と
他の搭載部品６と導体７，８を一体に封止するモールド
樹脂９、第１配線層１の外面に局部的に形成されたニッ
ケル層１０、配線層１６及び第１絶縁層１３の外面を覆
う保護樹脂層１１、ニッケル層１０に形成された外部端
子１２から構成されている。
【０１０２】第１絶縁層１３は、絶縁層１７と同種又は
異種の絶縁樹脂をもって形成されており、図４から明ら
かなように、配線層１６と同一平面上に配置されてい
る。配線層１６は、第１実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ａの第１配線層１に相当するものであって、当該
第１配線層１と同様に形成される。一方、絶縁層１７
は、第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａの第２
絶縁層４に相当するものであって、第１実施形態例に係
る半導体モジュール１Ａの第２開口部４ａに相当する開
口部１７ａが開設されており、当該開口部１７ａ内に配
置された導体７，８を介して、配線層１６と半導体チッ
プ５及び配線層１６と他の搭載部品６とが接続されてい
る。その他の部分については、第１実施形態例に係る半
導体モジュール１Ａと同様に構成される。
異種の絶縁樹脂をもって形成されており、図４から明ら
かなように、配線層１６と同一平面上に配置されてい
る。配線層１６は、第１実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ａの第１配線層１に相当するものであって、当該
第１配線層１と同様に形成される。一方、絶縁層１７
は、第１実施形態例に係る半導体モジュール１Ａの第２
絶縁層４に相当するものであって、第１実施形態例に係
る半導体モジュール１Ａの第２開口部４ａに相当する開
口部１７ａが開設されており、当該開口部１７ａ内に配
置された導体７，８を介して、配線層１６と半導体チッ
プ５及び配線層１６と他の搭載部品６とが接続されてい
る。その他の部分については、第１実施形態例に係る半
導体モジュール１Ａと同様に構成される。
【０１０３】本例の半導体モジュール１Ｄも、配線層が
１層であることを除いて、第１実施形態例に係る半導体
モジュール１Ａと同様の効果を有する。
１層であることを除いて、第１実施形態例に係る半導体
モジュール１Ａと同様の効果を有する。
【０１０４】〈半導体モジュールの第５例〉本発明に係
る半導体モジュールの第５例を、図５に基づいて説明す
る。図５は第５実施形態例に係る半導体モジュール１Ｅ
の平面方向から見た透視図及び裏面図並びに側面方向か
ら見た透視図である。
る半導体モジュールの第５例を、図５に基づいて説明す
る。図５は第５実施形態例に係る半導体モジュール１Ｅ
の平面方向から見た透視図及び裏面図並びに側面方向か
ら見た透視図である。
【０１０５】図５（ａ），（ｂ），（ｃ）から明らかな
ように、本例の半導体モジュール１Ｅは、１個の半導体
チップ５と８個のチップ部品６を搭載したことを特徴と
する。その他の部分については、前記各実施形態例に係
る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいずれか
と同様に構成される。
ように、本例の半導体モジュール１Ｅは、１個の半導体
チップ５と８個のチップ部品６を搭載したことを特徴と
する。その他の部分については、前記各実施形態例に係
る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいずれか
と同様に構成される。
【０１０６】本例の半導体モジュール１Ｅは、半導体チ
ップ５のほかに８個のチップ部品６を搭載したので、前
記各実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１
Ｃ，１Ｄと同様の効果を有するほか、より多機能にして
高性能という効果を有する。
ップ５のほかに８個のチップ部品６を搭載したので、前
記各実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１
Ｃ，１Ｄと同様の効果を有するほか、より多機能にして
高性能という効果を有する。
【０１０７】〈半導体モジュールの第６例〉本発明に係
る半導体モジュールの第６例を、図６に基づいて説明す
る。図６は第６実施形態例に係る半導体モジュール１Ｆ
の平面方向から見た透視図及び側面方向から見た透視図
である。
る半導体モジュールの第６例を、図６に基づいて説明す
る。図６は第６実施形態例に係る半導体モジュール１Ｆ
の平面方向から見た透視図及び側面方向から見た透視図
である。
【０１０８】図６（ａ），（ｂ）から明らかなように、
本例の半導体モジュール１Ｆは、半導体チップ５と、８
個のチップ部品６と、１個の１端子外部接続コネクタ２
１と、１個の３２端子外部接続コネクタ２２とを搭載し
たことを特徴とする。その他の部分については、前記各
実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，
１Ｄのいずれかと同様に構成される。
本例の半導体モジュール１Ｆは、半導体チップ５と、８
個のチップ部品６と、１個の１端子外部接続コネクタ２
１と、１個の３２端子外部接続コネクタ２２とを搭載し
たことを特徴とする。その他の部分については、前記各
実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，
１Ｄのいずれかと同様に構成される。
【０１０９】本例の半導体モジュール１Ｆは、半導体チ
ップ５及び８個のチップ部品６のほかに、それぞれ１個
の１端子外部接続コネクタ２１と３２端子外部接続コネ
クタ２２とを搭載したので、前記第５実施形態例に係る
半導体モジュール１Ｅと同様の効果を有するほか、外部
装置と外部接続コネクタ２１，２２を介して接続可能な
外付けタイプの半導体モジュールを得ることができる。
ップ５及び８個のチップ部品６のほかに、それぞれ１個
の１端子外部接続コネクタ２１と３２端子外部接続コネ
クタ２２とを搭載したので、前記第５実施形態例に係る
半導体モジュール１Ｅと同様の効果を有するほか、外部
装置と外部接続コネクタ２１，２２を介して接続可能な
外付けタイプの半導体モジュールを得ることができる。
【０１１０】〈半導体モジュールの第７例〉本発明に係
る半導体モジュールの第７例を、図７に基づいて説明す
る。図７は第７実施形態例に係る半導体モジュール１Ｇ
の平面方向から見た透視図及び側面方向から見た透視図
である。
る半導体モジュールの第７例を、図７に基づいて説明す
る。図７は第７実施形態例に係る半導体モジュール１Ｇ
の平面方向から見た透視図及び側面方向から見た透視図
である。
【０１１１】図７（ａ），（ｂ）から明らかなように、
本例の半導体モジュール１Ｇは、半導体チップ５と、８
個のチップ部品６と、１個の３２端子外部接続コネクタ
２２と、１個のチップアンテナ２３を搭載したことを特
徴とする。その他の部分については、前記各実施形態例
に係る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいず
れかと同様に構成される。
本例の半導体モジュール１Ｇは、半導体チップ５と、８
個のチップ部品６と、１個の３２端子外部接続コネクタ
２２と、１個のチップアンテナ２３を搭載したことを特
徴とする。その他の部分については、前記各実施形態例
に係る半導体モジュール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいず
れかと同様に構成される。
【０１１２】本例の半導体モジュール１Ｇは、半導体チ
ップ５及び８個のチップ部品６のほかに、それぞれ１個
の３２端子外部接続コネクタ２２とチップアンテナ２３
を搭載したので、前記第５実施形態例に係る半導体モジ
ュール１Ｅと同様の効果を有するほか、外部装置と外部
接続コネクタ２２及びチップアンテナ２３を介して接続
可能な接触式及び非接触式兼用の半導体モジュールを得
ることができる。
ップ５及び８個のチップ部品６のほかに、それぞれ１個
の３２端子外部接続コネクタ２２とチップアンテナ２３
を搭載したので、前記第５実施形態例に係る半導体モジ
ュール１Ｅと同様の効果を有するほか、外部装置と外部
接続コネクタ２２及びチップアンテナ２３を介して接続
可能な接触式及び非接触式兼用の半導体モジュールを得
ることができる。
【０１１３】〈半導体モジュールの第８例〉本発明に係
る半導体モジュールの第８例を、図８に基づいて説明す
る。図８は第８実施形態例に係る半導体モジュール１Ｈ
の平面方向から見た透視図及び側面方向から見た透視図
である。
る半導体モジュールの第８例を、図８に基づいて説明す
る。図８は第８実施形態例に係る半導体モジュール１Ｈ
の平面方向から見た透視図及び側面方向から見た透視図
である。
【０１１４】図８（ａ），（ｂ）から明らかなように、
本例の半導体モジュール１Ｈは、半導体チップ５と、８
個のチップ部品６と、１個の３２端子外部接続コネクタ
２２とを搭載すると共に、第１配線層１及び第２配線層
３の形成工程で、Ｆ字形の導電パターンからなる平面ア
ンテナ（誘導性及び容量性の表面線路）２４を形成した
ことを特徴とする。その他の部分については、前記第１
実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ又は第２実施形
態例に係る半導体モジュール１Ｂのいずれかと同様に構
成される。
本例の半導体モジュール１Ｈは、半導体チップ５と、８
個のチップ部品６と、１個の３２端子外部接続コネクタ
２２とを搭載すると共に、第１配線層１及び第２配線層
３の形成工程で、Ｆ字形の導電パターンからなる平面ア
ンテナ（誘導性及び容量性の表面線路）２４を形成した
ことを特徴とする。その他の部分については、前記第１
実施形態例に係る半導体モジュール１Ａ又は第２実施形
態例に係る半導体モジュール１Ｂのいずれかと同様に構
成される。
【０１１５】本例の半導体モジュール１Ｈは、外部接続
用のアンテナを平面アンテナ２４をもって形成したの
で、第７実施形態例に係る半導体モジュール１Ｇと同様
の効果を有するほか、チップ部品の搭載数を減少するこ
とができ、製造コストの低減を図ることができる。ま
た、平面アンテナ２４を第１配線層１及び第２配線層３
の形成工程で形成したので、平面アンテナ２４に共振用
の静電容量を付加することができ、この点からもチップ
部品の減少による製造コストの低減を図ることができ
る。
用のアンテナを平面アンテナ２４をもって形成したの
で、第７実施形態例に係る半導体モジュール１Ｇと同様
の効果を有するほか、チップ部品の搭載数を減少するこ
とができ、製造コストの低減を図ることができる。ま
た、平面アンテナ２４を第１配線層１及び第２配線層３
の形成工程で形成したので、平面アンテナ２４に共振用
の静電容量を付加することができ、この点からもチップ
部品の減少による製造コストの低減を図ることができ
る。
【０１１６】〈半導体モジュールの第９例〉本発明に係
る半導体モジュールの第９例を、図９に基づいて説明す
る。図９は第９実施形態例に係る半導体モジュール１Ｉ
の側面方向から見た透視図である。
る半導体モジュールの第９例を、図９に基づいて説明す
る。図９は第９実施形態例に係る半導体モジュール１Ｉ
の側面方向から見た透視図である。
【０１１７】図９から明らかなように、本例の半導体モ
ジュール１Ｉは、モールド樹脂９の表面にシールド用の
金属膜２５を形成したことを特徴とする。その他の部分
については、前記各実施形態例に係る半導体モジュール
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいずれかと同様に構成され
る。
ジュール１Ｉは、モールド樹脂９の表面にシールド用の
金属膜２５を形成したことを特徴とする。その他の部分
については、前記各実施形態例に係る半導体モジュール
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいずれかと同様に構成され
る。
【０１１８】本例の半導体モジュール１Ｉは、モールド
樹脂９の表面にシールド用の金属膜２５を形成したの
で、前記第１乃至第８実施形態例に係る半導体モジュー
ル１Ａ〜１Ｈと同様の効果を有するほか、当該金属膜２
５によって半導体チップ５及び他の搭載部品６に作用す
る高周波雑音を低減することができ、信頼性の高い半導
体モジュールを得ることができる。
樹脂９の表面にシールド用の金属膜２５を形成したの
で、前記第１乃至第８実施形態例に係る半導体モジュー
ル１Ａ〜１Ｈと同様の効果を有するほか、当該金属膜２
５によって半導体チップ５及び他の搭載部品６に作用す
る高周波雑音を低減することができ、信頼性の高い半導
体モジュールを得ることができる。
【０１１９】〈半導体モジュールの第１０例〉本発明に
係る半導体モジュールの第１０例を、図１０に基づいて
説明する。図１０は第１０実施形態例に係る半導体モジ
ュール１Ｊの平面方向から見た透視図及び側面方向から
見た透視図である。
係る半導体モジュールの第１０例を、図１０に基づいて
説明する。図１０は第１０実施形態例に係る半導体モジ
ュール１Ｊの平面方向から見た透視図及び側面方向から
見た透視図である。
【０１２０】図１０（ａ），（ｂ）から明らかなよう
に、本例の半導体モジュール１Ｊは、モールド樹脂９の
表面及び側面、それに保護樹脂層１１の表面にシールド
用の金属膜２５を形成したことを特徴とする。その他の
部分については、前記各実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいずれかと同様に構成さ
れる。
に、本例の半導体モジュール１Ｊは、モールド樹脂９の
表面及び側面、それに保護樹脂層１１の表面にシールド
用の金属膜２５を形成したことを特徴とする。その他の
部分については、前記各実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄのいずれかと同様に構成さ
れる。
【０１２１】本例の半導体モジュール１Ｊは、モールド
樹脂９の表面及び側面、それに保護樹脂層１１の表面に
シールド用の金属膜２５を形成したので、前記第９実施
形態例に係る半導体モジュール１Ｉよりもさらに半導体
チップ５及び他の搭載部品６に作用する高周波雑音を有
効に低減することができ、信頼性の高い半導体モジュー
ルを得ることができる。
樹脂９の表面及び側面、それに保護樹脂層１１の表面に
シールド用の金属膜２５を形成したので、前記第９実施
形態例に係る半導体モジュール１Ｉよりもさらに半導体
チップ５及び他の搭載部品６に作用する高周波雑音を有
効に低減することができ、信頼性の高い半導体モジュー
ルを得ることができる。
【０１２２】なお、第７実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ｇ及び第８実施形態例に係る半導体モジュール１
Ｈのように回路中に非接触通信用のアンテナ２３又は２
４を有する半導体モジュールについては、アンテナ２３
又は２４の設定部分を除く部分に金属膜２５が形成され
る。
ール１Ｇ及び第８実施形態例に係る半導体モジュール１
Ｈのように回路中に非接触通信用のアンテナ２３又は２
４を有する半導体モジュールについては、アンテナ２３
又は２４の設定部分を除く部分に金属膜２５が形成され
る。
【０１２３】〈半導体モジュールの第１１例〉本発明に
係る半導体モジュールの第１１例を、図１１及び図１２
に基づいて説明する。図１１は第１１実施形態例に係る
半導体モジュール１Ｋの要部断面図、図１２は第１１実
施形態例に係る半導体モジュール１Ｋの裏面図である。
係る半導体モジュールの第１１例を、図１１及び図１２
に基づいて説明する。図１１は第１１実施形態例に係る
半導体モジュール１Ｋの要部断面図、図１２は第１１実
施形態例に係る半導体モジュール１Ｋの裏面図である。
【０１２４】これらの図より明らかなように、本例の半
導体モジュール１Ｋは、第１絶縁層１３の表面の一部に
ニッケル層１０（又は、ニッケル層１０及び１０ａ）を
形成し、ニッケル層１０の一部に外部端子１２を設けた
ことを特徴とする。
導体モジュール１Ｋは、第１絶縁層１３の表面の一部に
ニッケル層１０（又は、ニッケル層１０及び１０ａ）を
形成し、ニッケル層１０の一部に外部端子１２を設けた
ことを特徴とする。
【０１２５】図１１及び図１２（ａ）は、第１絶縁層１
３の表面の外部端子１２の設定部にのみニッケル層１０
を設けた場合の例を示す図であり、ニッケル層１０は、
図１１に示すように、第１絶縁層１３に開設された第１
開口部１３ａを貫通する接続部１ａを介して第１配線層
１と電気的に接続されている。また、図１２（ｂ）〜
（ｅ）は、第１絶縁層１３の表面の外部端子１２の設定
部に第１のニッケル層１０を設けると共に、外部端子１
２の設定部外に第２のニッケル層１０ａを設けた場合の
例を示す図であり、ニッケル層１０のみが第１絶縁層１
３に開設された第１開口部１３ａを貫通する接続部１ａ
を介して第１配線層１と電気的に接続されている（図１
１参照）。
３の表面の外部端子１２の設定部にのみニッケル層１０
を設けた場合の例を示す図であり、ニッケル層１０は、
図１１に示すように、第１絶縁層１３に開設された第１
開口部１３ａを貫通する接続部１ａを介して第１配線層
１と電気的に接続されている。また、図１２（ｂ）〜
（ｅ）は、第１絶縁層１３の表面の外部端子１２の設定
部に第１のニッケル層１０を設けると共に、外部端子１
２の設定部外に第２のニッケル層１０ａを設けた場合の
例を示す図であり、ニッケル層１０のみが第１絶縁層１
３に開設された第１開口部１３ａを貫通する接続部１ａ
を介して第１配線層１と電気的に接続されている（図１
１参照）。
【０１２６】このうち、図１２（ｃ），（ｄ）は、外部
端子１２の設定部外に設けられた第２のニッケル層１０
ａの外周辺を第１絶縁層１３の外周辺内に止め、第２の
ニッケル層１０ａの外周辺と第１絶縁層１３の外周辺と
の間にニッケル層１０ａの非形成部１０ｂを設けたこと
を特徴とする。図１２（ｃ），（ｄ）に例示したよう
に、第２のニッケル層１０ａの外周辺と第１絶縁層１３
の外周辺との間にニッケル層１０ａの非形成部１０ｂを
形成すると、複数個の半導体モジュールを近接して配置
する場合などにおいて、隣接に配置された他の半導体モ
ジュールや電気回路との間のショートを防止することが
できるので、半導体モジュールの信頼性を高めることが
できる。
端子１２の設定部外に設けられた第２のニッケル層１０
ａの外周辺を第１絶縁層１３の外周辺内に止め、第２の
ニッケル層１０ａの外周辺と第１絶縁層１３の外周辺と
の間にニッケル層１０ａの非形成部１０ｂを設けたこと
を特徴とする。図１２（ｃ），（ｄ）に例示したよう
に、第２のニッケル層１０ａの外周辺と第１絶縁層１３
の外周辺との間にニッケル層１０ａの非形成部１０ｂを
形成すると、複数個の半導体モジュールを近接して配置
する場合などにおいて、隣接に配置された他の半導体モ
ジュールや電気回路との間のショートを防止することが
できるので、半導体モジュールの信頼性を高めることが
できる。
【０１２７】なお、第７実施形態例に係る半導体モジュ
ール１Ｇ及び第８実施形態例に係る半導体モジュール１
Ｈのように回路中に非接触通信用のアンテナ２３又は２
４を有する半導体モジュールについては、アンテナ２３
又は２４の設定部分を除く部分にニッケル層１０，１０
ａが形成される。
ール１Ｇ及び第８実施形態例に係る半導体モジュール１
Ｈのように回路中に非接触通信用のアンテナ２３又は２
４を有する半導体モジュールについては、アンテナ２３
又は２４の設定部分を除く部分にニッケル層１０，１０
ａが形成される。
【０１２８】図１１は、２層の配線層を有し、かつ外部
端子１２の設定部にのみニッケル層１０を設けた場合の
例を示す図であって、１は第１配線層、３は第２配線
層、３ａは第１配線層１と第２配線層３とを接続する接
続部、５は半導体チップ、６は他の搭載部品、７は第２
配線層３と半導体チップ５とを接続する導体、８は第２
配線層３と他の搭載部品６とを接続する導体、９は半導
体チップ５と他の搭載部品６と導体７，８とを一体に封
止するモールド樹脂、１３は第１絶縁層、１４は第２絶
縁層、１５は第３絶縁層を示している。もちろん、本実
施例は、図１１の構成の半導体モジュールだけでなく、
配線層を１層のみ備えるものなど、他の構成の半導体モ
ジュールにも応用することができる。また、ニッケル層
１０，１０ａに代えて、他の金属材料からなる金属膜を
形成することもできる。
端子１２の設定部にのみニッケル層１０を設けた場合の
例を示す図であって、１は第１配線層、３は第２配線
層、３ａは第１配線層１と第２配線層３とを接続する接
続部、５は半導体チップ、６は他の搭載部品、７は第２
配線層３と半導体チップ５とを接続する導体、８は第２
配線層３と他の搭載部品６とを接続する導体、９は半導
体チップ５と他の搭載部品６と導体７，８とを一体に封
止するモールド樹脂、１３は第１絶縁層、１４は第２絶
縁層、１５は第３絶縁層を示している。もちろん、本実
施例は、図１１の構成の半導体モジュールだけでなく、
配線層を１層のみ備えるものなど、他の構成の半導体モ
ジュールにも応用することができる。また、ニッケル層
１０，１０ａに代えて、他の金属材料からなる金属膜を
形成することもできる。
【０１２９】本例の半導体モジュール１Ｋは、第１絶縁
層１３の表面の一部をニッケル層１０，１０ａで覆った
ので、第１配線層１の保護効果をより一層高めることが
できると共に、半導体チップ５及び他の搭載部品６に作
用する高周波雑音をシールドすることができ、半導体モ
ジュールの信頼性を高めることができる。また、ニッケ
ル層１０を第１配線層１と電気的に接続し、当該第１配
線層１と電気的に接続されたニッケル層１０に外部端子
１２を設けたので、ニッケル層１０の表面を保護樹脂層
１１の表面より突出させることができ、かつ、ニッケル
層１０の表面積を任意に設定できることから、外部端子
１２の形成を容易なものにすることができる。
層１３の表面の一部をニッケル層１０，１０ａで覆った
ので、第１配線層１の保護効果をより一層高めることが
できると共に、半導体チップ５及び他の搭載部品６に作
用する高周波雑音をシールドすることができ、半導体モ
ジュールの信頼性を高めることができる。また、ニッケ
ル層１０を第１配線層１と電気的に接続し、当該第１配
線層１と電気的に接続されたニッケル層１０に外部端子
１２を設けたので、ニッケル層１０の表面を保護樹脂層
１１の表面より突出させることができ、かつ、ニッケル
層１０の表面積を任意に設定できることから、外部端子
１２の形成を容易なものにすることができる。
【０１３０】なお、ニッケル層１０，１０ａに代えて、
他の金属材料からなる金属膜を形成することもできる。
他の金属材料からなる金属膜を形成することもできる。
【０１３１】〈半導体モジュールの製造方法の第１例〉
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第１
例を図１３及び図１４２に基づいて説明する。
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第１
例を図１３及び図１４２に基づいて説明する。
【０１３２】まず、図１３（ａ）に示すように、表面に
ニッケルめっき層３１が形成されたステンレス鋼板から
なる仮基体３２を用意する。仮基体３２の厚さは０．３
ｍｍ、ニッケルめっき層３１の厚さは１０μｍとした。
ニッケルめっき層３１が形成されたステンレス鋼板から
なる仮基体３２を用意する。仮基体３２の厚さは０．３
ｍｍ、ニッケルめっき層３１の厚さは１０μｍとした。
【０１３３】次に、図１３（ｂ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１上に、所要のパターンを有する第１配線層
１を形成する。この第１配線層１の形成は、ニッケルめ
っき３１上にフォトレジスト膜を均一に塗布した後、当
該フォトレジスト膜を第１配線層１のパターンに露光
し、露光部を現像処理にて除去した後、ニッケルめっき
３１を給電膜として銅又は銅合金をめっきすることによ
り行うことができる。
ルめっき３１上に、所要のパターンを有する第１配線層
１を形成する。この第１配線層１の形成は、ニッケルめ
っき３１上にフォトレジスト膜を均一に塗布した後、当
該フォトレジスト膜を第１配線層１のパターンに露光
し、露光部を現像処理にて除去した後、ニッケルめっき
３１を給電膜として銅又は銅合金をめっきすることによ
り行うことができる。
【０１３４】次に、図１３（ｃ）に示すように、前記ニ
ッケルめっき３１の表面及び第１配線層１の表面に、所
要のパターンで第１開口部２ａが開設された第１絶縁層
２を形成する。この第１絶縁層２の形成は、前記ニッケ
ルめっき３１の表面及び第１配線層１の表面に感光性樹
脂を均一に塗布した後、第１開口部２ａに対応する部分
を露光し、この露光部を現像処理にて除去することによ
り行うことができる。なお、この段階で所要の半導体チ
ップ５及び他の搭載部品６を第１配線層１と接続し、こ
れら半導体チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各
搭載部品５，６と第１配線層１との接続部を樹脂モール
ドすれば、図３に示した第３実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ｃを製造することができる。
ッケルめっき３１の表面及び第１配線層１の表面に、所
要のパターンで第１開口部２ａが開設された第１絶縁層
２を形成する。この第１絶縁層２の形成は、前記ニッケ
ルめっき３１の表面及び第１配線層１の表面に感光性樹
脂を均一に塗布した後、第１開口部２ａに対応する部分
を露光し、この露光部を現像処理にて除去することによ
り行うことができる。なお、この段階で所要の半導体チ
ップ５及び他の搭載部品６を第１配線層１と接続し、こ
れら半導体チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各
搭載部品５，６と第１配線層１との接続部を樹脂モール
ドすれば、図３に示した第３実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ｃを製造することができる。
【０１３５】次に、図１３（ｄ）に示すように、前記第
１絶縁層２上に第２配線層３を形成すると共に、第１開
口部２ａ内に接続部３ａを形成する。第２配線層３及び
接続部３ａの形成は、第１絶縁層２上及び第１開口部２
ａ内に銅又は銅合金からなる給電膜をスパッタリングし
た後、当該給電膜に通電して銅又は銅合金を電鋳するこ
とにより行うことができる。
１絶縁層２上に第２配線層３を形成すると共に、第１開
口部２ａ内に接続部３ａを形成する。第２配線層３及び
接続部３ａの形成は、第１絶縁層２上及び第１開口部２
ａ内に銅又は銅合金からなる給電膜をスパッタリングし
た後、当該給電膜に通電して銅又は銅合金を電鋳するこ
とにより行うことができる。
【０１３６】次に、図１３（ｅ）に示すように、前記第
２配線層３及び接続部３ａ並びに第１絶縁層２の表面
に、所要のパターンで第２開口部４ａが開設された第２
絶縁層４を形成する。この第２絶縁層４の形成は、前記
第２配線層３及び接続部３ａ並びに第１絶縁層２の表面
に感光性樹脂を均一に塗布した後、第２開口部４ａに対
応する部分を露光し、この露光部を現像処理にて除去す
ることにより行うことができる。なお、第１配線層１及
び第２配線層３を形成する工程で所要の平面アンテナ２
４を形成すれば、第８実施形態例に係る半導体モジュー
ル１Ｈを得ることができる。
２配線層３及び接続部３ａ並びに第１絶縁層２の表面
に、所要のパターンで第２開口部４ａが開設された第２
絶縁層４を形成する。この第２絶縁層４の形成は、前記
第２配線層３及び接続部３ａ並びに第１絶縁層２の表面
に感光性樹脂を均一に塗布した後、第２開口部４ａに対
応する部分を露光し、この露光部を現像処理にて除去す
ることにより行うことができる。なお、第１配線層１及
び第２配線層３を形成する工程で所要の平面アンテナ２
４を形成すれば、第８実施形態例に係る半導体モジュー
ル１Ｈを得ることができる。
【０１３７】次に、図１４（ａ）に示すように、第２配
線層３と半導体チップ５との接続及び第２配線層３と他
の搭載部品６との接続を行う。第２配線層３と半導体チ
ップ５との接続は、半導体チップ５のパッド部に形成さ
れた金バンプ７を第２絶縁層４に開設された第２開口部
４ａに挿入した後、第２配線層３と半導体チップ５との
間に所要の熱と加圧力とを作用することによって行うこ
とができる。また、第２配線層３と他の搭載部品６との
接続は、前記第２開口部４ａに挿入されたはんだ８を介
して第２配線層３と他の搭載部品６の端子部とを対向さ
せ、これら第２配線層３と他の搭載部品６との間に所要
の熱を作用することによって行うことができる。
線層３と半導体チップ５との接続及び第２配線層３と他
の搭載部品６との接続を行う。第２配線層３と半導体チ
ップ５との接続は、半導体チップ５のパッド部に形成さ
れた金バンプ７を第２絶縁層４に開設された第２開口部
４ａに挿入した後、第２配線層３と半導体チップ５との
間に所要の熱と加圧力とを作用することによって行うこ
とができる。また、第２配線層３と他の搭載部品６との
接続は、前記第２開口部４ａに挿入されたはんだ８を介
して第２配線層３と他の搭載部品６の端子部とを対向さ
せ、これら第２配線層３と他の搭載部品６との間に所要
の熱を作用することによって行うことができる。
【０１３８】次に、図１４（ｂ）に示すように、半導体
チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各搭載部品
５，６と第２配線層３との接続部をモールド樹脂９にて
モールドする。
チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各搭載部品
５，６と第２配線層３との接続部をモールド樹脂９にて
モールドする。
【０１３９】次に、図１４（ｃ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１とステンレス製の仮基体３２との界面を剥
離し、ニッケルめっき３１を露出させる。
ルめっき３１とステンレス製の仮基体３２との界面を剥
離し、ニッケルめっき３１を露出させる。
【０１４０】以下、図１４（ｄ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１をパターニングしてのニッケル層１０の形
成と、当該ニッケル層１０の形成部を除く第１配線層１
の表面への保護樹脂層１１の形成と、ニッケル層１０へ
の外部端子１２の形成を行う。ニッケル層１０の形成
は、ニッケルめっき３１の表面にフォトレジストを均一
に塗布した後、ニッケル層１０に対応する部分のみを選
択的に露光し、現像処理によって非露光部を除去した
後、エッチング処理によって非露光部に対応するニッケ
ルめっき３１を除去することにより行うことができる。
これによって、第１実施形態例に係る半導体モジュール
１Ａ及び第５実施形態例に係る半導体モジュール１Ｅを
製造することができる。
ルめっき３１をパターニングしてのニッケル層１０の形
成と、当該ニッケル層１０の形成部を除く第１配線層１
の表面への保護樹脂層１１の形成と、ニッケル層１０へ
の外部端子１２の形成を行う。ニッケル層１０の形成
は、ニッケルめっき３１の表面にフォトレジストを均一
に塗布した後、ニッケル層１０に対応する部分のみを選
択的に露光し、現像処理によって非露光部を除去した
後、エッチング処理によって非露光部に対応するニッケ
ルめっき３１を除去することにより行うことができる。
これによって、第１実施形態例に係る半導体モジュール
１Ａ及び第５実施形態例に係る半導体モジュール１Ｅを
製造することができる。
【０１４１】本例の半導体モジュール製造方法は、仮基
体３２を用いて第１配線層１の形成から搭載部品５，６
等の樹脂封止までの各作業工程を実施するので、仮基体
３２の剛性を利用して各工程の作業を安定に行うことが
でき、１乃至複数の配線層１，３と絶縁層２，４とを有
する半導体モジュール１Ａ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｈの製造を
容易かつ高精度に行うことができる。また、樹脂封止終
了後に仮基体３２を剥離するので、薬品を用いて仮基体
を除去する場合のように大掛かりな装置や後処理を必要
とせず、１乃至複数の配線層を有する基板なし半導体モ
ジュールの製造を容易かつ低コストに行うことができ
る。また、第１配線層１上に第１開口部２ａを有する第
１絶縁層２を形成した後、当該第１絶縁層２上に第２配
線層３を形成すると共に、第１開口部２ａを通して当該
第２配線層３と第１配線層１とを接続する接続部３ａを
形成するので、第２配線層３と接続部３ａとを同一工程
で形成することができ、多層の配線層を有する基板なし
半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うこと
ができる。さらに、第２配線層３上に第２開口部４ａを
有する第２絶縁層４を形成し、当該第２絶縁層４に形成
された第２開口部４ａを通して第２配線層４と搭載部品
５，６との接続を行うので、第２絶縁層４の形成後に第
２開口部４ａを形成する必要がなく、第２配線層４と搭
載部品５，６との接続を容易に行うことができて、１乃
至複数の搭載部品が搭載された半導体モジュールの製造
を容易かつ低コストに行うことができる。加えて、仮基
体３２として、高弾性のステンレス鋼板を用いると共
に、当該ステンレス鋼板の表面に導電性が高く、配線層
及び絶縁層との剥離性が良好なニッケルめっきを施した
ので、各作業を特に安定に行うことができ、基板なし半
導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うことがで
きる。
体３２を用いて第１配線層１の形成から搭載部品５，６
等の樹脂封止までの各作業工程を実施するので、仮基体
３２の剛性を利用して各工程の作業を安定に行うことが
でき、１乃至複数の配線層１，３と絶縁層２，４とを有
する半導体モジュール１Ａ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｈの製造を
容易かつ高精度に行うことができる。また、樹脂封止終
了後に仮基体３２を剥離するので、薬品を用いて仮基体
を除去する場合のように大掛かりな装置や後処理を必要
とせず、１乃至複数の配線層を有する基板なし半導体モ
ジュールの製造を容易かつ低コストに行うことができ
る。また、第１配線層１上に第１開口部２ａを有する第
１絶縁層２を形成した後、当該第１絶縁層２上に第２配
線層３を形成すると共に、第１開口部２ａを通して当該
第２配線層３と第１配線層１とを接続する接続部３ａを
形成するので、第２配線層３と接続部３ａとを同一工程
で形成することができ、多層の配線層を有する基板なし
半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うこと
ができる。さらに、第２配線層３上に第２開口部４ａを
有する第２絶縁層４を形成し、当該第２絶縁層４に形成
された第２開口部４ａを通して第２配線層４と搭載部品
５，６との接続を行うので、第２絶縁層４の形成後に第
２開口部４ａを形成する必要がなく、第２配線層４と搭
載部品５，６との接続を容易に行うことができて、１乃
至複数の搭載部品が搭載された半導体モジュールの製造
を容易かつ低コストに行うことができる。加えて、仮基
体３２として、高弾性のステンレス鋼板を用いると共
に、当該ステンレス鋼板の表面に導電性が高く、配線層
及び絶縁層との剥離性が良好なニッケルめっきを施した
ので、各作業を特に安定に行うことができ、基板なし半
導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うことがで
きる。
【０１４２】厚さが０．３ｍｍのステンレス鋼板からな
る仮基体３２の表面に厚さが１０μｍのニッケルめっき
層３１を形成した場合、ニッケルめっき層３１が形成さ
れたステンレス製の仮基体３２に反りが発生せず、半導
体モジュールの製造を何らの不都合もなく行うことがで
きた。また、ニッケルめっき層３１とステンレス製の仮
基体３２との界面を剥離する工程においても、ニッケル
めっき層３１に、割れ、はがれ、剥離残り等の不都合が
一切発生せず、良品を高能率に製造することができた。
る仮基体３２の表面に厚さが１０μｍのニッケルめっき
層３１を形成した場合、ニッケルめっき層３１が形成さ
れたステンレス製の仮基体３２に反りが発生せず、半導
体モジュールの製造を何らの不都合もなく行うことがで
きた。また、ニッケルめっき層３１とステンレス製の仮
基体３２との界面を剥離する工程においても、ニッケル
めっき層３１に、割れ、はがれ、剥離残り等の不都合が
一切発生せず、良品を高能率に製造することができた。
【０１４３】実験によると、厚さが０．３ｍｍのステン
レス鋼板３２の片面にニッケルめっき層３１を形成した
場合、その厚さが薄すぎる場合には半導体モジュールの
製造過程で割れやはがれ等の不都合が生じ、厚すぎる場
合にはニッケルめっきのめっき工程又はその後の工程で
ステンレス鋼板に反りを生じて良好な半導体モジュール
の製造が困難になる。
レス鋼板３２の片面にニッケルめっき層３１を形成した
場合、その厚さが薄すぎる場合には半導体モジュールの
製造過程で割れやはがれ等の不都合が生じ、厚すぎる場
合にはニッケルめっきのめっき工程又はその後の工程で
ステンレス鋼板に反りを生じて良好な半導体モジュール
の製造が困難になる。
【０１４４】図１５に、厚さが０．３ｍｍのステンレス
鋼板３２の片面に種々の厚さでニッケルめっき層３１を
形成した場合における不都合の有無を示す。図中の○印
は何らの不都合も発生せず半導体モジュールの製造を実
行できた場合を示し、Ｘ印はニッケルめっき層３２に生
じた何らかの不都合によって半導体モジュールの製造を
正常に実行できなかった場合を示し、△印はニッケルめ
っき層３２の一部に何らかの不都合を生じたが良好な半
導体モジュールの製造は実行できた場合を示している。
この図から明らかなように、厚さが０．３ｍｍのステン
レス鋼板３２の片面にニッケルめっき層３１を形成した
場合、ニッケルめっき層３２の厚さを５μｍ以上２０μ
ｍ以下に規制することによって、良好な半導体モジュー
ルの製造を実行できることが判った。
鋼板３２の片面に種々の厚さでニッケルめっき層３１を
形成した場合における不都合の有無を示す。図中の○印
は何らの不都合も発生せず半導体モジュールの製造を実
行できた場合を示し、Ｘ印はニッケルめっき層３２に生
じた何らかの不都合によって半導体モジュールの製造を
正常に実行できなかった場合を示し、△印はニッケルめ
っき層３２の一部に何らかの不都合を生じたが良好な半
導体モジュールの製造は実行できた場合を示している。
この図から明らかなように、厚さが０．３ｍｍのステン
レス鋼板３２の片面にニッケルめっき層３１を形成した
場合、ニッケルめっき層３２の厚さを５μｍ以上２０μ
ｍ以下に規制することによって、良好な半導体モジュー
ルの製造を実行できることが判った。
【０１４５】なお、本実施形態例においては、ニッケル
めっき３１が施された仮基体３２を用いたが、第１配線
層１及び第１絶縁層２の密着性が良好である場合には、
ニッケルめっき３１を有しないステンレス製の仮基体３
２を用いることができる。また、ニッケルめっき３１に
代えて、ニッケル合金のめっきが施された仮基体３２を
用いた場合にも、同様の効果を得ることができる。
めっき３１が施された仮基体３２を用いたが、第１配線
層１及び第１絶縁層２の密着性が良好である場合には、
ニッケルめっき３１を有しないステンレス製の仮基体３
２を用いることができる。また、ニッケルめっき３１に
代えて、ニッケル合金のめっきが施された仮基体３２を
用いた場合にも、同様の効果を得ることができる。
【０１４６】また、外部端子１２が形成されない第６実
施形態例に係る半導体モジュール１Ｆ、第７実施形態例
に係る半導体モジュール１Ｇ、第８実施形態例に係る半
導体モジュール１Ｈ及び第１０実施形態例に係る半導体
モジュール１Ｊの製造に際しては、ニッケル層１０が不
要であるため、ニッケルめっき３１を有しないステンレ
ス製の仮基体３２が用いられる。
施形態例に係る半導体モジュール１Ｆ、第７実施形態例
に係る半導体モジュール１Ｇ、第８実施形態例に係る半
導体モジュール１Ｈ及び第１０実施形態例に係る半導体
モジュール１Ｊの製造に際しては、ニッケル層１０が不
要であるため、ニッケルめっき３１を有しないステンレ
ス製の仮基体３２が用いられる。
【０１４７】さらに、モールド樹脂９の形成後に、当該
モールド樹脂９の表面に金属膜２５をスパッタリングな
どで形成すれば、第９実施形態例に係る半導体モジュー
ル１Ｉを製造することができ、モールド樹脂９及び保護
樹脂層１１の形成後に、これらモールド樹脂９及び保護
樹脂層１１の表面に金属膜２５をスパッタリングなどで
形成すれば、第１０実施形態例に係る半導体モジュール
１Ｊを製造することができる。
モールド樹脂９の表面に金属膜２５をスパッタリングな
どで形成すれば、第９実施形態例に係る半導体モジュー
ル１Ｉを製造することができ、モールド樹脂９及び保護
樹脂層１１の形成後に、これらモールド樹脂９及び保護
樹脂層１１の表面に金属膜２５をスパッタリングなどで
形成すれば、第１０実施形態例に係る半導体モジュール
１Ｊを製造することができる。
【０１４８】その他、前記実施形態例においては、半導
体モジュール１個分の製造方法について説明したが、半
導体モジュールの製造の効率化及び低コスト化を図るた
め、仮基体３２上に配線層１，３及び絶縁層２，４を形
成する工程において、半導体モジュール複数個分の配線
層１，３及び絶縁層２，４を形成すると共に、搭載部品
５，６の搭載工程において、半導体モジュール複数個分
の搭載部品を搭載し、保護樹脂層の形成後、複数個の半
導体モジュールの個片を切り出すようにすることももち
ろん可能である。
体モジュール１個分の製造方法について説明したが、半
導体モジュールの製造の効率化及び低コスト化を図るた
め、仮基体３２上に配線層１，３及び絶縁層２，４を形
成する工程において、半導体モジュール複数個分の配線
層１，３及び絶縁層２，４を形成すると共に、搭載部品
５，６の搭載工程において、半導体モジュール複数個分
の搭載部品を搭載し、保護樹脂層の形成後、複数個の半
導体モジュールの個片を切り出すようにすることももち
ろん可能である。
【０１４９】この製造方法をとる場合には、ニッケルめ
っき層３１をパターニングしてニッケル層１０を形成す
る際に、図１６に鎖線で示されている切断予定部分のニ
ッケルめっき層３１を予め除去しておくことが好まし
い。このようにすると、所望の半導体モジュールを切断
によって多数個取りしても、ニッケルめっき層３１に切
断によるバリやはがれが発生しないので、良品を歩留ま
り良く製造することができる。この方法によれば、図１
２（ｃ），（ｄ）に示した半導体モジュールを製造する
ことができる。
っき層３１をパターニングしてニッケル層１０を形成す
る際に、図１６に鎖線で示されている切断予定部分のニ
ッケルめっき層３１を予め除去しておくことが好まし
い。このようにすると、所望の半導体モジュールを切断
によって多数個取りしても、ニッケルめっき層３１に切
断によるバリやはがれが発生しないので、良品を歩留ま
り良く製造することができる。この方法によれば、図１
２（ｃ），（ｄ）に示した半導体モジュールを製造する
ことができる。
【０１５０】〈半導体モジュールの製造方法の第２例〉
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第２
例を図１７に基づいて説明する。
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第２
例を図１７に基づいて説明する。
【０１５１】まず、図１７（ａ）に示すように、表面に
ニッケルめっき３１が施された厚さが約０．３ｍｍのス
テンレス鋼板からなる仮基体３２を用意する。
ニッケルめっき３１が施された厚さが約０．３ｍｍのス
テンレス鋼板からなる仮基体３２を用意する。
【０１５２】次に、図１７（ｂ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１上に、第１開口部１３ａを有する第１絶縁
層１３を形成する。この第１絶縁層１３の形成は、前記
ニッケルめっき３１の表面に感光性樹脂を均一に塗布し
た後、当該感光性樹脂層の第１開口部１３ａに対応する
部分を露光し、露光部を現像処理で除去することにより
行うことができる。
ルめっき３１上に、第１開口部１３ａを有する第１絶縁
層１３を形成する。この第１絶縁層１３の形成は、前記
ニッケルめっき３１の表面に感光性樹脂を均一に塗布し
た後、当該感光性樹脂層の第１開口部１３ａに対応する
部分を露光し、露光部を現像処理で除去することにより
行うことができる。
【０１５３】次に、図１７（ｃ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１の表面に、第１配線層１を形成する。第１
配線層１の形成は、ニッケルめっき３１を給電膜として
使用し、ニッケルめっき３１上に銅又は銅合金をめっき
することにより行うことができる。かように、本例によ
ると、第１絶縁層１３が第１配線層１を形成する際のマ
スクとして機能するので、第１配線層１の形成に際して
フォトレジスト膜の形成、露光、現像を行う必要がな
く、工程を簡略化することができる。
ルめっき３１の表面に、第１配線層１を形成する。第１
配線層１の形成は、ニッケルめっき３１を給電膜として
使用し、ニッケルめっき３１上に銅又は銅合金をめっき
することにより行うことができる。かように、本例によ
ると、第１絶縁層１３が第１配線層１を形成する際のマ
スクとして機能するので、第１配線層１の形成に際して
フォトレジスト膜の形成、露光、現像を行う必要がな
く、工程を簡略化することができる。
【０１５４】次に、図１７（ｄ）に示すように、前記第
１絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に、所要の
パターンで第２開口部１４ａが開設された第２絶縁層１
４を形成する。この第２絶縁層１４の形成は、前記第１
絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に感光性樹脂
を均一に塗布した後、第２開口部１４ａに対応する部分
を露光し、この露光部を現像処理にて除去することによ
り行うことができる。なお、この段階で所要の半導体チ
ップ５及び他の搭載部品６を第１配線層１と接続し、こ
れら半導体チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各
搭載部品５，６と第１配線層１との接続部を樹脂モール
ドすれば、図４に示した第４実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ｄを製造することができる。
１絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に、所要の
パターンで第２開口部１４ａが開設された第２絶縁層１
４を形成する。この第２絶縁層１４の形成は、前記第１
絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に感光性樹脂
を均一に塗布した後、第２開口部１４ａに対応する部分
を露光し、この露光部を現像処理にて除去することによ
り行うことができる。なお、この段階で所要の半導体チ
ップ５及び他の搭載部品６を第１配線層１と接続し、こ
れら半導体チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各
搭載部品５，６と第１配線層１との接続部を樹脂モール
ドすれば、図４に示した第４実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ｄを製造することができる。
【０１５５】次に、図１７（ｅ）に示すように、前記第
２絶縁層１４上に第２配線層３を形成すると共に、第２
開口部１４ａ内に接続部３ａを形成する。第２配線層３
及び接続部３ａの形成は、第２絶縁層１４上及び第２開
口部１４ａ内に銅又は銅合金からなる給電膜をスパッタ
リングした後、当該給電膜に通電して銅又は銅合金をめ
っきすることにより行うことができる。
２絶縁層１４上に第２配線層３を形成すると共に、第２
開口部１４ａ内に接続部３ａを形成する。第２配線層３
及び接続部３ａの形成は、第２絶縁層１４上及び第２開
口部１４ａ内に銅又は銅合金からなる給電膜をスパッタ
リングした後、当該給電膜に通電して銅又は銅合金をめ
っきすることにより行うことができる。
【０１５６】次に、図１７（ｆ）に示すように、前記第
２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層１４の表面
に、所要のパターンで第３開口部１５ａが開設された第
３絶縁層１５を形成する。この第３絶縁層１５の形成
は、前記第２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層
１４の表面に感光性樹脂を均一に塗布した後、第３開口
部１５ａに対応する部分を露光し、この露光部を現像処
理にて除去することにより行うことができる。以下、第
１実施形態例に係る製造方法と同様の工程を経ることに
よって、図２に示した第２実施形態例に係る半導体モジ
ュール１Ｂを製造することができる。その他について
は、前記第１例に係る半導体モジュールの製造方法と同
じであるので、説明を省略する。
２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層１４の表面
に、所要のパターンで第３開口部１５ａが開設された第
３絶縁層１５を形成する。この第３絶縁層１５の形成
は、前記第２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層
１４の表面に感光性樹脂を均一に塗布した後、第３開口
部１５ａに対応する部分を露光し、この露光部を現像処
理にて除去することにより行うことができる。以下、第
１実施形態例に係る製造方法と同様の工程を経ることに
よって、図２に示した第２実施形態例に係る半導体モジ
ュール１Ｂを製造することができる。その他について
は、前記第１例に係る半導体モジュールの製造方法と同
じであるので、説明を省略する。
【０１５７】本例の製造方法は、前記第１例に係る半導
体モジュールの製造方法と同様の効果を有するほか、第
１絶縁層１３の形成後に第１配線層１を形成するので、
第１絶縁層１３を第１配線層形成時のマスクとして機能
させることができ、第１配線層１の形成に際してフォト
レジスト膜の形成、露光、現像を行う必要がないので、
所要の半導体モジュールの製造をより簡略化することが
できる。
体モジュールの製造方法と同様の効果を有するほか、第
１絶縁層１３の形成後に第１配線層１を形成するので、
第１絶縁層１３を第１配線層形成時のマスクとして機能
させることができ、第１配線層１の形成に際してフォト
レジスト膜の形成、露光、現像を行う必要がないので、
所要の半導体モジュールの製造をより簡略化することが
できる。
【０１５８】〈半導体モジュールの製造方法の第３例〉
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第３
例を図１８及び図１９に基づいて説明する。
以下、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の第３
例を図１８及び図１９に基づいて説明する。
【０１５９】まず、図１８（ａ）に示すように、表面に
ニッケルめっき３１が施された厚さが約０．３ｍｍのス
テンレス鋼板からなる仮基体３２を用意する。
ニッケルめっき３１が施された厚さが約０．３ｍｍのス
テンレス鋼板からなる仮基体３２を用意する。
【０１６０】次に、図１８（ｂ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１上に、第１開口部１３ａを有する第１絶縁
層１３を形成する。この第１絶縁層１３の形成は、前記
ニッケルめっき３１の表面に感光性樹脂を均一に塗布し
た後、当該感光性樹脂層の第１開口部１３ａに対応する
部分を露光し、露光部を現像処理で除去することにより
行うことができる。
ルめっき３１上に、第１開口部１３ａを有する第１絶縁
層１３を形成する。この第１絶縁層１３の形成は、前記
ニッケルめっき３１の表面に感光性樹脂を均一に塗布し
た後、当該感光性樹脂層の第１開口部１３ａに対応する
部分を露光し、露光部を現像処理で除去することにより
行うことができる。
【０１６１】次に、図１８（ｃ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１の表面に、第１配線層１を形成する。この
第１配線層１の形成は、第１絶縁層１３上及び第１開口
部１３ａ内にクロムと銅の合金からなる給電膜をスパッ
タリングした後、当該給電膜上にフォトレジスト膜を均
一に塗布し、当該フォトレジスト膜を第１配線層１のパ
ターンに露光して露光部を現像処理にて除去し、次いで
前記給電膜に通電して銅又は銅合金をめっきした後、不
要なフォトレジスト膜及び給電膜を除去することにより
行うことができる。
ルめっき３１の表面に、第１配線層１を形成する。この
第１配線層１の形成は、第１絶縁層１３上及び第１開口
部１３ａ内にクロムと銅の合金からなる給電膜をスパッ
タリングした後、当該給電膜上にフォトレジスト膜を均
一に塗布し、当該フォトレジスト膜を第１配線層１のパ
ターンに露光して露光部を現像処理にて除去し、次いで
前記給電膜に通電して銅又は銅合金をめっきした後、不
要なフォトレジスト膜及び給電膜を除去することにより
行うことができる。
【０１６２】次に、図１８（ｄ）に示すように、前記第
１絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に、所要の
パターンで第２開口部１４ａが開設された第２絶縁層１
４を形成する。この第２絶縁層１４の形成は、前記第１
絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に感光性樹脂
を均一に塗布した後、第２開口部１４ａに対応する部分
を露光し、この露光部を現像処理にて除去することによ
り行うことができる。なお、この段階で所要の半導体チ
ップ５及び他の搭載部品６を第１配線層１と接続し、こ
れら半導体チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各
搭載部品５，６と第１配線層１との接続部を樹脂モール
ドすれば、図４に示した第４実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ｄを製造することができる。
１絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に、所要の
パターンで第２開口部１４ａが開設された第２絶縁層１
４を形成する。この第２絶縁層１４の形成は、前記第１
絶縁層１３の表面及び第１配線層１の表面に感光性樹脂
を均一に塗布した後、第２開口部１４ａに対応する部分
を露光し、この露光部を現像処理にて除去することによ
り行うことができる。なお、この段階で所要の半導体チ
ップ５及び他の搭載部品６を第１配線層１と接続し、こ
れら半導体チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各
搭載部品５，６と第１配線層１との接続部を樹脂モール
ドすれば、図４に示した第４実施形態例に係る半導体モ
ジュール１Ｄを製造することができる。
【０１６３】次に、図１８（ｅ）に示すように、前記第
２絶縁層１４上に第２配線層３を形成すると共に、第２
開口部１４ａ内に接続部３ａを形成する。この第２配線
層３及び接続部３ａの形成は、第２絶縁層１４上及び第
２開口部１４ａ内にクロムと銅の合金からなる給電膜を
スパッタリングした後、当該給電膜上にフォトレジスト
膜を均一に塗布し、当該フォトレジスト膜を第２配線層
３のパターンに露光して露光部を現像処理にて除去し、
次いで前記給電膜に通電して銅及びニッケルの合金をめ
っきした後、不要なフォトレジスト膜及び給電膜を除去
することにより行うことができる。
２絶縁層１４上に第２配線層３を形成すると共に、第２
開口部１４ａ内に接続部３ａを形成する。この第２配線
層３及び接続部３ａの形成は、第２絶縁層１４上及び第
２開口部１４ａ内にクロムと銅の合金からなる給電膜を
スパッタリングした後、当該給電膜上にフォトレジスト
膜を均一に塗布し、当該フォトレジスト膜を第２配線層
３のパターンに露光して露光部を現像処理にて除去し、
次いで前記給電膜に通電して銅及びニッケルの合金をめ
っきした後、不要なフォトレジスト膜及び給電膜を除去
することにより行うことができる。
【０１６４】次に、図１８（ｆ）に示すように、前記第
２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層１４の表面
に、所要のパターンで第３開口部１５ａが開設された第
３絶縁層１５を形成する。この第３絶縁層１５の形成
は、前記第２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層
１４の表面に感光性樹脂を均一に塗布した後、第３開口
部１５ａに対応する部分を露光し、この露光部を現像処
理にて除去することにより行うことができる。
２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層１４の表面
に、所要のパターンで第３開口部１５ａが開設された第
３絶縁層１５を形成する。この第３絶縁層１５の形成
は、前記第２配線層３及び接続部３ａ並びに第２絶縁層
１４の表面に感光性樹脂を均一に塗布した後、第３開口
部１５ａに対応する部分を露光し、この露光部を現像処
理にて除去することにより行うことができる。
【０１６５】次に、図１９（ａ）に示すように、第２配
線層３と半導体チップ５との接続及び第２配線層３と他
の搭載部品６との接続を行う。第２配線層３と半導体チ
ップ５との接続は、半導体チップ５のパッド部に形成さ
れた金バンプ７を第２絶縁層４に開設された第２開口部
４ａに挿入した後、第２配線層３と半導体チップ５との
間に所要の熱と加圧力とを作用することによって行うこ
とができる。また、第２配線層３と他の搭載部品６との
接続は、前記第２開口部４ａに挿入されたはんだ８を介
して第２配線層３と他の搭載部品６の端子部とを対向さ
せ、これら第２配線層３と他の搭載部品６との間に所要
の熱を作用することによって行うことができる。
線層３と半導体チップ５との接続及び第２配線層３と他
の搭載部品６との接続を行う。第２配線層３と半導体チ
ップ５との接続は、半導体チップ５のパッド部に形成さ
れた金バンプ７を第２絶縁層４に開設された第２開口部
４ａに挿入した後、第２配線層３と半導体チップ５との
間に所要の熱と加圧力とを作用することによって行うこ
とができる。また、第２配線層３と他の搭載部品６との
接続は、前記第２開口部４ａに挿入されたはんだ８を介
して第２配線層３と他の搭載部品６の端子部とを対向さ
せ、これら第２配線層３と他の搭載部品６との間に所要
の熱を作用することによって行うことができる。
【０１６６】次に、図１９（ｂ）に示すように、半導体
チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各搭載部品
５，６と第２配線層３との接続部をモールド樹脂９にて
モールドする。
チップ５と、他の搭載部品６と、これらの各搭載部品
５，６と第２配線層３との接続部をモールド樹脂９にて
モールドする。
【０１６７】次に、図１９（ｃ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１とステンレス製の仮基体３２との界面を剥
離し、ニッケルめっき３１を露出させる。
ルめっき３１とステンレス製の仮基体３２との界面を剥
離し、ニッケルめっき３１を露出させる。
【０１６８】以下、図１９（ｄ）に示すように、ニッケ
ルめっき３１をパターニングし、所要のニッケル層１
０，１０ａを形成する。当該ニッケル層１０，１０ａの
形成は、ニッケルめっき３１の表面にフォトレジストを
均一に塗布した後、ニッケル層１０，１０ａに対応する
部分のみを選択的に露光し、現像処理によって非露光部
を除去した後、エッチング処理によって非露光部に対応
するニッケルめっき３１を除去することにより行うこと
ができる。これによって、第１１実施形態例に係る半導
体モジュール１Ｋを製造することができる。その他につ
いては、前記第１例に係る半導体モジュールの製造方法
と同じであるので、説明を省略する。
ルめっき３１をパターニングし、所要のニッケル層１
０，１０ａを形成する。当該ニッケル層１０，１０ａの
形成は、ニッケルめっき３１の表面にフォトレジストを
均一に塗布した後、ニッケル層１０，１０ａに対応する
部分のみを選択的に露光し、現像処理によって非露光部
を除去した後、エッチング処理によって非露光部に対応
するニッケルめっき３１を除去することにより行うこと
ができる。これによって、第１１実施形態例に係る半導
体モジュール１Ｋを製造することができる。その他につ
いては、前記第１例に係る半導体モジュールの製造方法
と同じであるので、説明を省略する。
【０１６９】本例の製造方法は、前記第１例に係る半導
体モジュールの製造方法と同様の効果を有するほか、ニ
ッケルめっき３１上に第１絶縁層１３と第１配線層１と
をこの順に形成し、第１絶縁層１３を第１配線層１の保
護膜として機能させるので、第１配線層１の保護膜を別
途形成する必要がなく、所要の半導体モジュールの製造
をより簡略化することができる。
体モジュールの製造方法と同様の効果を有するほか、ニ
ッケルめっき３１上に第１絶縁層１３と第１配線層１と
をこの順に形成し、第１絶縁層１３を第１配線層１の保
護膜として機能させるので、第１配線層１の保護膜を別
途形成する必要がなく、所要の半導体モジュールの製造
をより簡略化することができる。
【０１７０】
【発明の効果】請求項１に記載の発明は、搭載部品の配
線手段を配線層と保護樹脂層とから構成したので、従来
の多層基板のコア材に相当する部分を省略することがで
き、薄形にして安価な半導体モジュールを得ることがで
きる。また、配線層を形成したので、リードフレームや
金属箔エッチング又は導電ペースト印刷により形成され
た配線層を備えた基板を用いた場合に比べて配線パター
ンを著しく高密度化、高精度化、微小化及び均質化する
ことができ、配線長が短かく小型の半導体モジュールが
得られると共に、浮遊容量の悪影響を受けにくい高周波
対応性の高い半導体モジュールを得ることができる。
線手段を配線層と保護樹脂層とから構成したので、従来
の多層基板のコア材に相当する部分を省略することがで
き、薄形にして安価な半導体モジュールを得ることがで
きる。また、配線層を形成したので、リードフレームや
金属箔エッチング又は導電ペースト印刷により形成され
た配線層を備えた基板を用いた場合に比べて配線パター
ンを著しく高密度化、高精度化、微小化及び均質化する
ことができ、配線長が短かく小型の半導体モジュールが
得られると共に、浮遊容量の悪影響を受けにくい高周波
対応性の高い半導体モジュールを得ることができる。
【０１７１】請求項２に記載の発明は、少なくとも１つ
の半導体チップのほかに、トランジスタ、ダイオード、
抵抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィル
タ、バラン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタの
いずれか、若しくはこれらの組み合わせを搭載したの
で、各種の用途に適用可能な多機能な半導体モジュール
を得ることができる。
の半導体チップのほかに、トランジスタ、ダイオード、
抵抗、インダクタ、コンデンサ、水晶発振子、フィル
タ、バラン、アンテナ、機能モジュール又はコネクタの
いずれか、若しくはこれらの組み合わせを搭載したの
で、各種の用途に適用可能な多機能な半導体モジュール
を得ることができる。
【０１７２】請求項３に記載の発明は、配線層を多層に
形成したので、配線層の形成面積を減少することがで
き、小型の半導体モジュールを得ることができる。
形成したので、配線層の形成面積を減少することがで
き、小型の半導体モジュールを得ることができる。
【０１７３】請求項４に記載の発明は、配線層を保護樹
脂層の片面に１層だけ形成したので、配線層の形成工程
を簡略化することができ、安価な半導体モジュールを得
ることができる。
脂層の片面に１層だけ形成したので、配線層の形成工程
を簡略化することができ、安価な半導体モジュールを得
ることができる。
【０１７４】請求項５に記載の発明は、保護樹脂層の表
面に前記配線層と電気的に接続された複数の外部端子を
設けたので、半導体モジュールと他の電気装置、例えば
プリント配線基板との接続を容易化することができ、他
装置への適用が容易な半導体モジュールを得ることがで
きる。
面に前記配線層と電気的に接続された複数の外部端子を
設けたので、半導体モジュールと他の電気装置、例えば
プリント配線基板との接続を容易化することができ、他
装置への適用が容易な半導体モジュールを得ることがで
きる。
【０１７５】請求項６に記載の発明は、配線層の全部又
は一部を銅で形成したので、高周波に対応可能で電気特
性の良好な半導体モジュールを得ることができる。
は一部を銅で形成したので、高周波に対応可能で電気特
性の良好な半導体モジュールを得ることができる。
【０１７６】請求項７に記載の発明は、配線層の全部又
は一部を銅で形成し、かつ、これら各配線層を接続する
接続部の全部又は一部を銅で形成したので、配線層とこ
れに接続される接続部とを同一工程で形成でき、配線部
分の製造を簡略化することができることから、安価な半
導体モジュールを得ることができる。また、配線層の全
部又は一部と接続部を銅で形成したので、高周波に対応
可能で電気特性の良好な半導体モジュールを得ることが
できる。
は一部を銅で形成し、かつ、これら各配線層を接続する
接続部の全部又は一部を銅で形成したので、配線層とこ
れに接続される接続部とを同一工程で形成でき、配線部
分の製造を簡略化することができることから、安価な半
導体モジュールを得ることができる。また、配線層の全
部又は一部と接続部を銅で形成したので、高周波に対応
可能で電気特性の良好な半導体モジュールを得ることが
できる。
【０１７７】請求項８に記載の発明は、配線層と搭載部
品の端子とをはんだで接続したので、安価で信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
品の端子とをはんだで接続したので、安価で信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
【０１７８】請求項９に記載の発明は、配線層と搭載部
品の端子とを金で接続したので、耐久性及び信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
品の端子とを金で接続したので、耐久性及び信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
【０１７９】請求項１０に記載の発明は、保護樹脂層の
表面にはんだで形成された端子を設けたので、半導体モ
ジュールと他の電気装置との接続を容易化することがで
き、他装置への適用が容易な半導体モジュールを得るこ
とができる。
表面にはんだで形成された端子を設けたので、半導体モ
ジュールと他の電気装置との接続を容易化することがで
き、他装置への適用が容易な半導体モジュールを得るこ
とができる。
【０１８０】請求項１１に記載の発明は、モールド樹脂
に外部接続コネクタを埋設し、当該外部接続コネクタの
一部を前記モールド樹脂から露出させたので、半導体モ
ジュールと外部装置とを接続コネクタを介して接続する
ことができ、外部装置に対して着脱可能な外付けタイプ
の半導体モジュールを得ることができる。
に外部接続コネクタを埋設し、当該外部接続コネクタの
一部を前記モールド樹脂から露出させたので、半導体モ
ジュールと外部装置とを接続コネクタを介して接続する
ことができ、外部装置に対して着脱可能な外付けタイプ
の半導体モジュールを得ることができる。
【０１８１】請求項１２に記載の発明は、モールド樹脂
にアンテナを埋設し、当該アンテナの一部を前記モール
ド樹脂から露出させたので、半導体モジュールと外部装
置とをアンテナを介して無線による通信ができ、外部装
置と非接触で通信可能な無線タイプの半導体モジュール
を得ることができる。
にアンテナを埋設し、当該アンテナの一部を前記モール
ド樹脂から露出させたので、半導体モジュールと外部装
置とをアンテナを介して無線による通信ができ、外部装
置と非接触で通信可能な無線タイプの半導体モジュール
を得ることができる。
【０１８２】請求項１３に記載の発明は、配線層を構成
する導体の一部をもってアンテナを形成したので、配線
層とアンテナとを同一工程で形成することができ、配線
層とアンテナの製造を簡略化できることから、安価な半
導体モジュールを得ることができる。また、アンテナを
平面状に形成することができることから、薄形の半導体
モジュールを得ることができる。
する導体の一部をもってアンテナを形成したので、配線
層とアンテナとを同一工程で形成することができ、配線
層とアンテナの製造を簡略化できることから、安価な半
導体モジュールを得ることができる。また、アンテナを
平面状に形成することができることから、薄形の半導体
モジュールを得ることができる。
【０１８３】請求項１４に記載の発明は、配線層を構成
する導体の一部をもって誘導性の表面線路を形成したの
で、誘導性の電子部品の搭載を省略することができて、
半導体モジュールに搭載する電子部品数を減らすことが
でき、小型かつ薄形にして安価な半導体モジュールを得
ることができる。
する導体の一部をもって誘導性の表面線路を形成したの
で、誘導性の電子部品の搭載を省略することができて、
半導体モジュールに搭載する電子部品数を減らすことが
でき、小型かつ薄形にして安価な半導体モジュールを得
ることができる。
【０１８４】請求項１５に記載の発明は、配線層を構成
する導体の一部をもって容量性の表面線路を形成したの
で、容量性の電子部品の搭載を省略することができて、
半導体モジュールに搭載する電子部品数を減らすことが
でき、小型かつ薄形にして安価な半導体モジュールを得
ることができる。また、配線層を構成する導体の一部を
もって誘導性の表面線路と容量性の表面線路の双方を形
成した場合には、フィルタ、バラン又は方向性結合器等
の機能を持つ表面線路を形成することができるので、小
型、薄形、安価にして信頼性の高い半導体モジュールを
得ることができる。
する導体の一部をもって容量性の表面線路を形成したの
で、容量性の電子部品の搭載を省略することができて、
半導体モジュールに搭載する電子部品数を減らすことが
でき、小型かつ薄形にして安価な半導体モジュールを得
ることができる。また、配線層を構成する導体の一部を
もって誘導性の表面線路と容量性の表面線路の双方を形
成した場合には、フィルタ、バラン又は方向性結合器等
の機能を持つ表面線路を形成することができるので、小
型、薄形、安価にして信頼性の高い半導体モジュールを
得ることができる。
【０１８５】請求項１６に記載の発明は、モールド樹脂
の表面の全部又は一部を金属膜で覆ったので、当該金属
膜によって高周波の雑音を低減することができ、信頼性
の高い半導体モジュールを得ることができる。
の表面の全部又は一部を金属膜で覆ったので、当該金属
膜によって高周波の雑音を低減することができ、信頼性
の高い半導体モジュールを得ることができる。
【０１８６】請求項１７に記載の発明は、保護樹脂層表
面の全部又は一部を金属膜で覆ったので、当該金属膜に
よって高周波の雑音を低減することができ、信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
面の全部又は一部を金属膜で覆ったので、当該金属膜に
よって高周波の雑音を低減することができ、信頼性の高
い半導体モジュールを得ることができる。
【０１８７】請求項１８に記載の発明は、保護樹脂層の
表面の一部を金属膜で覆い、当該金属膜の全部又は一部
を配線層と電気的に接続し、当該配線層と電気的に接続
された金属膜に外部端子を設けたので、高周波雑音を低
減することができると共に、前記金属膜と外部端子との
接続面での金属接合を安定して形成することができ、安
価にして信頼性の高い半導体モジュールを得ることがで
きる。
表面の一部を金属膜で覆い、当該金属膜の全部又は一部
を配線層と電気的に接続し、当該配線層と電気的に接続
された金属膜に外部端子を設けたので、高周波雑音を低
減することができると共に、前記金属膜と外部端子との
接続面での金属接合を安定して形成することができ、安
価にして信頼性の高い半導体モジュールを得ることがで
きる。
【０１８８】請求項１９に記載の発明は、保護樹脂層の
外周部に金属膜の非形成部を設けたので、個片に切り出
す際の歩留りが良く、隣接に配置された他の半導体モジ
ュールや電気回路との間でショートを発生しにくく、半
導体モジュールの信頼性を高めることができる。
外周部に金属膜の非形成部を設けたので、個片に切り出
す際の歩留りが良く、隣接に配置された他の半導体モジ
ュールや電気回路との間でショートを発生しにくく、半
導体モジュールの信頼性を高めることができる。
【０１８９】請求項２０に記載の発明は、高周波雑音低
減用の金属膜を高周波雑音低減効果が特に高い軟磁性体
で形成したので、高周波雑音を有効に低減することがで
き、信頼性の高い半導体モジュールを得ることができ
る。
減用の金属膜を高周波雑音低減効果が特に高い軟磁性体
で形成したので、高周波雑音を有効に低減することがで
き、信頼性の高い半導体モジュールを得ることができ
る。
【０１９０】請求項２１に記載の発明は、請求項１８に
記載の金属膜を高周波雑音の低減効果に優れ、かつ、配
線層を構成する銅や外部端子を構成するはんだとの接合
性が高いニッケル又はニッケル合金で形成したので、信
頼性の高い外部端子付きの半導体モジュールを得ること
ができる。
記載の金属膜を高周波雑音の低減効果に優れ、かつ、配
線層を構成する銅や外部端子を構成するはんだとの接合
性が高いニッケル又はニッケル合金で形成したので、信
頼性の高い外部端子付きの半導体モジュールを得ること
ができる。
【０１９１】請求項２２に記載の発明は、仮基体を用い
て第１配線層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの各
作業工程を実施するので、仮基体の剛性を利用して各工
程の作業が安定に行われ、複数の配線層と絶縁層とを有
する半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うこ
とができる。また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離する
ので、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛
かりな装置や後処理を必要とせず、多層の配線層を有す
る基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コスト
に行うことができる。また、第１配線層上に第１開口部
を有する第１絶縁層を形成した後、当該第１絶縁層上に
第２配線層を形成すると共に、第１開口部を通して当該
第２配線層と第１配線層とを接続する接続部を形成する
ので、第２配線層と接続部とを同一工程で形成すること
ができ、多層の配線層を有する基板なし半導体モジュー
ルの製造を容易かつ低コストに行うことができる。さら
に、第２配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成し、当該第２絶縁層に形成された第２開口部を通して
第２配線層と搭載部品との接続を行うので、第２絶縁層
形成後に第２開口部を形成する必要がなく、第２配線層
と搭載部品との接続を容易に行うことができることか
ら、１乃至複数の搭載部品が搭載された半導体モジュー
ルの製造を容易かつ低コストに行うことができる。
て第１配線層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの各
作業工程を実施するので、仮基体の剛性を利用して各工
程の作業が安定に行われ、複数の配線層と絶縁層とを有
する半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うこ
とができる。また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離する
ので、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛
かりな装置や後処理を必要とせず、多層の配線層を有す
る基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コスト
に行うことができる。また、第１配線層上に第１開口部
を有する第１絶縁層を形成した後、当該第１絶縁層上に
第２配線層を形成すると共に、第１開口部を通して当該
第２配線層と第１配線層とを接続する接続部を形成する
ので、第２配線層と接続部とを同一工程で形成すること
ができ、多層の配線層を有する基板なし半導体モジュー
ルの製造を容易かつ低コストに行うことができる。さら
に、第２配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成し、当該第２絶縁層に形成された第２開口部を通して
第２配線層と搭載部品との接続を行うので、第２絶縁層
形成後に第２開口部を形成する必要がなく、第２配線層
と搭載部品との接続を容易に行うことができることか
ら、１乃至複数の搭載部品が搭載された半導体モジュー
ルの製造を容易かつ低コストに行うことができる。
【０１９２】請求項２３に記載の発明は、請求項２２に
記載の発明と同様の効果を有するほか、仮基体上に第１
開口部を有する第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体
上の第１開口部内に第１配線層を形成するので、第１絶
縁層が第１配線層を形成する際のフォトレジストとして
機能し、その他の特別なフォトレジストの形成や除去を
省略することができて、多層の配線層を有する基板なし
半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うこと
ができる。
記載の発明と同様の効果を有するほか、仮基体上に第１
開口部を有する第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体
上の第１開口部内に第１配線層を形成するので、第１絶
縁層が第１配線層を形成する際のフォトレジストとして
機能し、その他の特別なフォトレジストの形成や除去を
省略することができて、多層の配線層を有する基板なし
半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに行うこと
ができる。
【０１９３】請求項２４に記載の発明は、仮基体を用い
て配線層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの各作業
工程を実施するので、仮基体の剛性を利用して各工程の
作業を安定に行うことができ、配線層と絶縁層とを有す
る半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うこと
ができる。また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離するの
で、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛か
りな装置や後処理を必要とせず、１層の配線層を有する
基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに
行うことができる。さらに、配線層上に開口部を有する
絶縁層を形成し、当該絶縁層に形成された開口部を通し
て配線層と搭載部品との接続を行うので、絶縁層形成後
に開口部を形成する必要がなく、配線層と搭載部品との
接続を容易に行うことができることから、１乃至複数の
搭載部品が搭載された半導体モジュールの製造を容易か
つ低コストに行うことができる。
て配線層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの各作業
工程を実施するので、仮基体の剛性を利用して各工程の
作業を安定に行うことができ、配線層と絶縁層とを有す
る半導体モジュールの製造を容易かつ高精度に行うこと
ができる。また、樹脂封止終了後、仮基体を剥離するの
で、薬品を用いて仮基体を除去する場合のように大掛か
りな装置や後処理を必要とせず、１層の配線層を有する
基板なし半導体モジュールの製造を容易かつ低コストに
行うことができる。さらに、配線層上に開口部を有する
絶縁層を形成し、当該絶縁層に形成された開口部を通し
て配線層と搭載部品との接続を行うので、絶縁層形成後
に開口部を形成する必要がなく、配線層と搭載部品との
接続を容易に行うことができることから、１乃至複数の
搭載部品が搭載された半導体モジュールの製造を容易か
つ低コストに行うことができる。
【０１９４】請求項２５に記載の発明は、請求項２２に
記載の発明と同様の効果を有するほか、仮基体上に第１
開口部を有する第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体
上の第１開口部内に配線層を形成するので、第１絶縁層
が配線層を形成する際のマスクとして機能し、その他の
特別なマスクの形成や除去を省略することができて、配
線層を有する基板なし半導体モジュールの製造を容易か
つ低コストに行うことができる。
記載の発明と同様の効果を有するほか、仮基体上に第１
開口部を有する第１絶縁層を形成した後に、前記仮基体
上の第１開口部内に配線層を形成するので、第１絶縁層
が配線層を形成する際のマスクとして機能し、その他の
特別なマスクの形成や除去を省略することができて、配
線層を有する基板なし半導体モジュールの製造を容易か
つ低コストに行うことができる。
【０１９５】請求項２６に記載の発明は、ニッケルめっ
き層が形成された仮基体を用い、ニッケルめっき層上に
第１開口部を有する保護樹脂層を形成し、所要部分の樹
脂封止後に、仮基体を剥離してニッケルめっき層を露出
させるので、その後の工程でニッケルめっき層の一部を
除去することによって、第１配線層と電気的に接続され
た金属膜（ニッケル膜）及び／又は第１配線層と電気的
に接続されていない金属膜（ニッケル膜）とを形成する
ことができ、保護樹脂層の一部が金属膜で覆われ、か
つ、多層の配線層と外部端子とを有する半導体モジュー
ルを容易に製造することができる。
き層が形成された仮基体を用い、ニッケルめっき層上に
第１開口部を有する保護樹脂層を形成し、所要部分の樹
脂封止後に、仮基体を剥離してニッケルめっき層を露出
させるので、その後の工程でニッケルめっき層の一部を
除去することによって、第１配線層と電気的に接続され
た金属膜（ニッケル膜）及び／又は第１配線層と電気的
に接続されていない金属膜（ニッケル膜）とを形成する
ことができ、保護樹脂層の一部が金属膜で覆われ、か
つ、多層の配線層と外部端子とを有する半導体モジュー
ルを容易に製造することができる。
【０１９６】請求項２７に記載の発明は、ニッケルめっ
き層が形成された仮基体を用い、ニッケルめっき層上に
第１開口部を有する保護樹脂層を形成し、所要部分の樹
脂封止後に、仮基体を剥離してニッケルめっき層を露出
させると、その後の工程でニッケルめっき層の一部を除
去することによって、配線層と電気的に接続された金属
膜（ニッケル膜）及び／又は第１配線層と電気的に接続
されていない金属膜（ニッケル膜）とを形成することが
できるので、保護樹脂層の一部が金属膜で覆われ、か
つ、単層の配線層と外部端子とを有する半導体モジュー
ルを容易に製造することができる。
き層が形成された仮基体を用い、ニッケルめっき層上に
第１開口部を有する保護樹脂層を形成し、所要部分の樹
脂封止後に、仮基体を剥離してニッケルめっき層を露出
させると、その後の工程でニッケルめっき層の一部を除
去することによって、配線層と電気的に接続された金属
膜（ニッケル膜）及び／又は第１配線層と電気的に接続
されていない金属膜（ニッケル膜）とを形成することが
できるので、保護樹脂層の一部が金属膜で覆われ、か
つ、単層の配線層と外部端子とを有する半導体モジュー
ルを容易に製造することができる。
【０１９７】請求項２８に記載の発明は、配線層と搭載
部品との接続工程で、仮基体上に半導体モジュール複数
個分の搭載部品を搭載し、保護樹脂層の形成後、半導体
モジュールの個片を切り出すので、１サイクルの製造工
程で所要の半導体モジュールを多数個取りすることがで
き、所要の半導体モジュールの製造を効率化及び低コス
ト化することができる。
部品との接続工程で、仮基体上に半導体モジュール複数
個分の搭載部品を搭載し、保護樹脂層の形成後、半導体
モジュールの個片を切り出すので、１サイクルの製造工
程で所要の半導体モジュールを多数個取りすることがで
き、所要の半導体モジュールの製造を効率化及び低コス
ト化することができる。
【０１９８】請求項２９に記載の発明は、仮基体として
高剛性かつ高弾性のステンレス鋼板を用いるので、配線
層や第１絶縁層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの
各作業工程を安定に行うことができると共に、配線層や
第１絶縁層からの仮基体の剥離を容易に行うことがで
き、半導体モジュールの製造を高能率に行うことができ
る。
高剛性かつ高弾性のステンレス鋼板を用いるので、配線
層や第１絶縁層の形成から搭載部品等の樹脂封止までの
各作業工程を安定に行うことができると共に、配線層や
第１絶縁層からの仮基体の剥離を容易に行うことがで
き、半導体モジュールの製造を高能率に行うことができ
る。
【０１９９】請求項３０に記載の発明は、仮基体として
導電性が高くかつ金属材料や樹脂材料との剥離性が良好
なニッケルめっきが施されたステンレス鋼板を用いたの
で、請求項２８に記載の発明と同様の効果を有するほ
か、ニッケルめっきを仮基体上に配線層を形成する際の
給電膜として利用することができると共に、樹脂モール
ド後の仮基体の剥離を容易に行うことができ、半導体モ
ジュールの製造を低コスト化することができる。
導電性が高くかつ金属材料や樹脂材料との剥離性が良好
なニッケルめっきが施されたステンレス鋼板を用いたの
で、請求項２８に記載の発明と同様の効果を有するほ
か、ニッケルめっきを仮基体上に配線層を形成する際の
給電膜として利用することができると共に、樹脂モール
ド後の仮基体の剥離を容易に行うことができ、半導体モ
ジュールの製造を低コスト化することができる。
【０２００】請求項３１に記載の発明は、ニッケルめっ
き層の一部を除去する工程で保護樹脂層の外周部に相当
する部分のニッケルめっき層を除去するので、半導体モ
ジュールを多数個取りする場合においてもニッケルめっ
き層に剥離やバリが発生せず、良品を歩留まり良く製造
することができる。
き層の一部を除去する工程で保護樹脂層の外周部に相当
する部分のニッケルめっき層を除去するので、半導体モ
ジュールを多数個取りする場合においてもニッケルめっ
き層に剥離やバリが発生せず、良品を歩留まり良く製造
することができる。
【０２０１】請求項３２に記載の発明は、配線層を形成
する際の給電体として仮基体を用いたので、配線層の形
成に際して特別な給電体を形成する必要がなく、配線層
の形成を容易化することができて、半導体モジュールの
製造を低コストに行うことができる。
する際の給電体として仮基体を用いたので、配線層の形
成に際して特別な給電体を形成する必要がなく、配線層
の形成を容易化することができて、半導体モジュールの
製造を低コストに行うことができる。
【０２０２】請求項３３に記載の発明は、配線層を形成
する際の給電体としてスパッタリングにより形成された
導電膜を用いるので、導電性の仮基体に接していない部
分にも配線層を形成することができで、多層の配線層を
有する半導体モジュールを製造することができる。
する際の給電体としてスパッタリングにより形成された
導電膜を用いるので、導電性の仮基体に接していない部
分にも配線層を形成することができで、多層の配線層を
有する半導体モジュールを製造することができる。
【０２０３】請求項３４に記載の発明は、仮基体として
厚さが１ｍｍ以下のステンレス鋼板を用い、当該ステン
レス鋼板の片面に厚さが５μｍ以上２０μｍ以下のニッ
ケルめっき層を形成したので、ニッケルめっき層の形成
工程及びその後の工程で仮基体に過大な反りが発生せ
ず、半導体モジュールの製造を良好に行うことができ
る。また、ニッケルめっき層とステンレス製の仮基体と
の界面を剥離する工程においても、ニッケルめっき層
に、割れ、はがれ、剥離残り等の不都合が一切発生しな
いので、良品を高能率に製造することができる。
厚さが１ｍｍ以下のステンレス鋼板を用い、当該ステン
レス鋼板の片面に厚さが５μｍ以上２０μｍ以下のニッ
ケルめっき層を形成したので、ニッケルめっき層の形成
工程及びその後の工程で仮基体に過大な反りが発生せ
ず、半導体モジュールの製造を良好に行うことができ
る。また、ニッケルめっき層とステンレス製の仮基体と
の界面を剥離する工程においても、ニッケルめっき層
に、割れ、はがれ、剥離残り等の不都合が一切発生しな
いので、良品を高能率に製造することができる。
【図１】第１実施形態例に係る半導体モジュールの要部
断面図である。
断面図である。
【図２】第２実施形態例に係る半導体モジュールの要部
断面図である。
断面図である。
【図３】第３実施形態例に係る半導体モジュールの要部
断面図である。
断面図である。
【図４】第４実施形態例に係る半導体モジュールの要部
断面図である。
断面図である。
【図５】第５実施形態例に係る半導体モジュールの構造
図である。
図である。
【図６】第６実施形態例に係る半導体モジュールの構造
図である。
図である。
【図７】第７実施形態例に係る半導体モジュールの構造
図である。
図である。
【図８】第８実施形態例に係る半導体モジュールの構造
図である。
図である。
【図９】第９実施形態例に係る半導体モジュールの構造
図である。
図である。
【図１０】第１０実施形態例に係る半導体モジュールの
構造図である。
構造図である。
【図１１】第１１実施形態例に係る半導体モジュール１
Ｋの要部断面図である。
Ｋの要部断面図である。
【図１２】第１１実施形態例に係る半導体モジュール１
Ｋの裏面図である。
Ｋの裏面図である。
【図１３】半導体モジュール製造方法の第１例を示す工
程図である。
程図である。
【図１４】半導体モジュール製造方法の第１例を示す工
程図である。
程図である。
【図１５】厚さが０．３ｍｍのステンレス鋼板の片面に
種々の厚さのニッケルめっき層を形成した場合における
不都合の有無を示す表図である。
種々の厚さのニッケルめっき層を形成した場合における
不都合の有無を示す表図である。
【図１６】半導体モジュールを多数個取りする場合のニ
ッケルめっき層のパターニング例を示す仮基体の平面図
である。
ッケルめっき層のパターニング例を示す仮基体の平面図
である。
【図１７】半導体モジュール製造方法の第２例を示す工
程図である。
程図である。
【図１８】半導体モジュール製造方法の第３例を示す工
程図である。
程図である。
【図１９】半導体モジュール製造方法の第３例を示す工
程図である。
程図である。
【図２０】第１従来例に係る半導体装置の構造図であ
る。
る。
【図２１】第２従来例に係る半導体装置の構造図であ
る。
る。
【図２２】第３従来例に係る半導体装置の構造図であ
る。
る。
【図２３】第４従来例に係る半導体装置の構造図であ
る。
る。
１Ａ〜１Ｊ 半導体モジュール １ 第１配線層 ２ 第１絶縁層 ３ 第２配線層 ４ 第２絶縁層 ５ 半導体チップ ６ 他の搭載部品 ７，８ 導体 ９ モールド樹脂 １０，１０ａ ニッケル層 １１ 保護樹脂層 １２ 外部端子 １３ 第１絶縁層 １４ 第２絶縁層 １５ 第３絶縁層 １６ 配線層 １７ 絶縁層 ３１ ニッケルめっき ３２ 仮基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 浩司 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 塚本 博之 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 山下 勇司 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 菊地 裕二 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 金井 友範 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内
Claims (34)
- 【請求項１】 少なくとも１つの半導体チップを含む１
乃至複数の搭載部品と、当該搭載部品と電気的に接続さ
れた配線層と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記
配線層との接続部を封止するモールド樹脂と、前記配線
層の外面を覆う保護樹脂層とを備えたことを特徴とする
半導体モジュール。 - 【請求項２】 前記半導体チップを除く前記搭載部品
が、トランジスタ、ダイオード、抵抗、インダクタ、コ
ンデンサ、水晶発振子、フィルタ、バラン、アンテナ、
機能モジュール又はコネクタのいずれか、若しくはこれ
らの組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載
の半導体モジュール。 - 【請求項３】 前記配線層が絶縁層を介して多層に形成
され、各層の配線層の一部が接続部を介して電気的に接
続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
モジュール。 - 【請求項４】 前記配線層が前記保護樹脂層の片面に１
層だけ形成されていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体モジュール。 - 【請求項５】 前記保護樹脂層の表面に複数の外部端子
が設けられ、これら各外部端子と前記配線層とが前記保
護樹脂層を貫通する導体を介して電気的に接続されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュー
ル。 - 【請求項６】 前記多層に形成された配線層の全部又は
一部が銅で形成されていることを特徴とする請求項３に
記載の半導体モジュール。 - 【請求項７】 前記多層に形成された配線層の全部又は
一部が銅で形成され、かつ、これら各配線層を接続する
接続部の全部又は一部が銅で形成されていることを特徴
とする請求項３に記載の半導体モジュール。 - 【請求項８】 前記配線層と前記搭載部品の端子とがは
んだで接続されていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体モジュール。 - 【請求項９】 前記配線層と前記搭載部品の端子とが金
で接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半
導体モジュール。 - 【請求項１０】 前記保護樹脂層の表面に設けられる外
部端子がはんだで形成されていることを特徴とする請求
項５に記載の半導体モジュール。 - 【請求項１１】 前記モールド樹脂に外部接続コネクタ
が埋設され、当該外部接続コネクタの一部が前記モール
ド樹脂から露出されていることを特徴とする請求項１に
記載の半導体モジュール。 - 【請求項１２】 前記モールド樹脂にアンテナが埋設さ
れ、当該アンテナの一部が前記モールド樹脂から露出さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジ
ュール。 - 【請求項１３】 前記配線層を構成する導体の一部をも
ってアンテナが形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体モジュール。 - 【請求項１４】 前記配線層を構成する導体の一部をも
って誘導性の表面線路が形成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体モジュール。 - 【請求項１５】 前記配線層を構成する導体の一部をも
って容量性の表面線路が形成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体モジュール。 - 【請求項１６】 前記モールド樹脂の表面の全部又は一
部が金属膜で覆われていることを特徴とする請求項１に
記載の半導体モジュール。 - 【請求項１７】 前記保護樹脂層の表面の全部又は一部
が金属膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記
載の半導体モジュール。 - 【請求項１８】 前記保護樹脂層の表面の一部が金属膜
で覆われ、当該金属膜の全部又は一部が前記配線層と電
気的に接続され、当該配線層と電気的に接続された前記
金属膜に外部端子が設けられていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体モジュール。 - 【請求項１９】 前記保護樹脂層の外周部に前記金属膜
の非形成部を設けたことを特徴とする請求項１７又は１
８に記載の半導体モジュール。 - 【請求項２０】 前記金属膜が軟磁性体で形成されてい
ることを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれかに記
載の半導体モジュール。 - 【請求項２１】 前記金属膜がニッケル又はニッケル合
金で形成されていることを特徴とする請求項１７乃至１
９のいずれかに記載の半導体モジュール。 - 【請求項２２】 仮基体上に第１配線層を形成する工程
と、前記第１配線層上に第１開口部を有する第１絶縁層
を形成する工程と、前記第１絶縁層上に第２配線層を形
成すると共に、前記第１開口部を通して当該第２配線層
と前記第１配線層とを接続する接続部を形成する工程
と、前記第２配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層
を形成する工程と、前記第２開口部を通して前記第２配
線層に少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数
の搭載部品を接続する工程と、前記搭載部品並びに当該
搭載部品と前記第２配線層との接続部を樹脂封止する工
程と、前記仮基体を剥離する工程と、前記仮基体を剥離
することによって露出された前記第１配線層の外面に保
護樹脂層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導
体モジュールの製造方法。 - 【請求項２３】 仮基体上に第１開口部を有する第１絶
縁層を形成する工程と、前記仮基体上の前記第１開口部
内に第１配線層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び
前記第１配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形
成する工程と、前記第２絶縁層上に第２配線層を形成す
ると共に、前記第２開口部を通して当該第２配線層と前
記第１配線層とを接続する接続部を形成する工程と、前
記第２配線層上に第３開口部を有する第３絶縁層を形成
する工程と、前記第３開口部を通して前記第２配線層に
少なくとも１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載
部品を接続する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部
品と前記第２配線層との接続部を樹脂封止する工程と、
前記仮基体を剥離する工程と、前記仮基体を剥離するこ
とによって露出された前記第１配線層の外面に保護樹脂
層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項２４】 仮基体上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に所要の開口部を有する絶縁層を形成する
工程と、前記開口部を通して前記配線層に少なくとも１
つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続す
る工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記配線
層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥離
する工程と、前記仮基体を剥離することによって露出さ
れた前記配線層の外面に保護樹脂層を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項２５】 仮基体上に第１開口部を有する第１絶
縁層を形成する工程と、前記仮基体上の前記第１開口部
内に配線層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び前記
配線層上に第２開口部を有する第２絶縁層を形成する工
程と、前記第２開口部を通して前記配線層に少なくとも
１つの半導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続
する工程と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記配
線層との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥
離する工程と、前記仮基体を剥離することによって露出
された前記配線層の外面に保護樹脂層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項２６】 仮基体上にニッケルめっき層を形成す
る工程と、前記ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成する工程と、前記ニッケルめっき層
上の前記第１開口部及び保護樹脂層上に第１配線層を形
成する工程と、前記保護樹脂層及び前記第１配線層上に
第２開口部を有する第１絶縁層を形成する工程と、当該
第１絶縁層上に第２配線層を形成すると共に、前記第２
開口部を通して当該第２配線層と前記第１配線層とを接
続する接続部を形成する工程と、前記第２配線層上に第
３開口部を有する第２絶縁層を形成する工程と、前記第
３開口部を通して前記第２配線層に少なくとも１つの半
導体チップを含む１乃至複数の搭載部品を接続する工程
と、前記搭載部品並びに当該搭載部品と前記第２配線層
との接続部を樹脂封止する工程と、前記仮基体を剥離し
て前記ニッケルめっき層を露出させる工程と、前記ニッ
ケルめっき層の一部を除去する工程とを含むことを特徴
とする半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項２７】 仮基体上にニッケルめっき層を形成す
る工程と、前記ニッケルめっき層上に第１開口部を有す
る保護樹脂層を形成する工程と、前記ニッケルめっき層
上の前記第１開口部及び保護樹脂層上に配線層を形成す
る工程と、前記保護樹脂層及び前記配線層上に第２開口
部を有する絶縁層を形成する工程と、前記第２開口部を
通して前記配線層に少なくとも１つの半導体チップを含
む１乃至複数の搭載部品を接続する工程と、前記搭載部
品並びに当該搭載部品と前記配線層との接続部を樹脂封
止する工程と、前記仮基体を剥離して前記ニッケルめっ
き層を露出させる工程と、前記ニッケルめっき層の一部
を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項２８】 前記配線層と搭載部品との接続工程で
前記仮基体上に半導体モジュール複数個分の搭載部品を
搭載し、前記保護樹脂層の形成後、半導体モジュールの
個片を切り出すことを特徴とする請求項２２乃至請求項
２７のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項２９】 前記仮基体としてステンレス板を用い
ることを特徴とする請求項２２乃至請求項２８のいずれ
かに記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項３０】 前記仮基体として、表面にニッケルめ
っき層が形成されたステンレス板を用いることを特徴と
する請求項２２乃至請求項２５のいずれかに記載の半導
体モジュールの製造方法。 - 【請求項３１】 前記ニッケルめっき層の一部を除去す
る工程で、前記保護樹脂層の外周部に相当する部分の前
記ニッケルめっき層を除去することを特徴とする請求項
２６又は請求項２７に記載の半導体モジュールの製造方
法。 - 【請求項３２】 前記配線層を形成する際の給電体とし
て、前記仮基体を用いることを特徴とする請求項２２乃
至請求項２７のいずれかに記載の半導体モジュールの製
造方法。 - 【請求項３３】 前記配線層を形成する際の給電体とし
て、スパッタリングにより形成された導電膜を用いるこ
とを特徴とする請求項２２乃至請求項２７のいずれかに
記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項３４】 前記仮基体として厚さが１ｍｍ以下の
ステンレス鋼板を用い、当該ステンレス板の片面に厚さ
が５μｍ以上２０μｍ以下のニッケルめっき層を形成し
たことを特徴とする請求項２６，２７，３０，３１のい
ずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001172643A JP2002343927A (ja) | 2000-07-12 | 2001-06-07 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-212068 | 2000-07-12 | ||
| JP2000212068 | 2000-07-12 | ||
| JP2000343688 | 2000-11-10 | ||
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| JP2001-74590 | 2001-03-15 | ||
| JP2001172643A JP2002343927A (ja) | 2000-07-12 | 2001-06-07 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343927A true JP2002343927A (ja) | 2002-11-29 |
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ID=27481446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001172643A Withdrawn JP2002343927A (ja) | 2000-07-12 | 2001-06-07 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002343927A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006514785A (ja) * | 2003-02-28 | 2006-05-11 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | パワー半導体用の接続技術 |
| US7323778B2 (en) | 2002-11-08 | 2008-01-29 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with improved design freedom of external terminal |
| JP2010538463A (ja) * | 2007-08-29 | 2010-12-09 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 多素子パッケージにおける相互接続部 |
| JP2011503832A (ja) * | 2006-12-14 | 2011-01-27 | インテル・コーポレーション | 窪んだデバイスを有するセラミックパッケージ基板 |
| US7989935B2 (en) | 2005-09-27 | 2011-08-02 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
-
2001
- 2001-06-07 JP JP2001172643A patent/JP2002343927A/ja not_active Withdrawn
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| US7855451B2 (en) | 2003-02-28 | 2010-12-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Device having a contacting structure |
| JP4763463B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2011-08-31 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 基板とパワーエレクトロニクス素子を備えた装置およびその製造方法 |
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