JP2002343774A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ面内でのエッチング速度のばらつき方
を初期状態からなるべく変動しないように制御し、再現
性良くエッチング処理を行なえるプラズマ処理装置およ
びプラズマ処理方法を提供する。 【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ発生用高
周波電源１によってプラズマ発生用高周波電力を磁界中
に導入してプラズマを生成し、バイアス発生用高周波電
源１０によって基板としてのウエハ８にバイアス発生用
高周波電力を印加してプラズマ処理するためのものであ
って、予めサンプル基板をプラズマ処理することによっ
て取得した評価サンプルデータを記憶装置１３に保持し
ておき、これを基に演算装置１４で演算処理し、制御装
置１５によってパラメータを制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波によっ
てプラズマを生成して半導体基板などの基板の処理を行
なうために用いられるプラズマ処理装置およびプラズマ
処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のプラズマ処理装置では、たとえ
ば、プラズマ発生用高周波電力を磁界中に導入してプラ
ズマを生成し、さらにステージ電極上に設置したウエハ
にバイアス発生用高周波電力を印加してウエハ表面のエ
ッチング処理を行なっていた。その際には、バイアス発
生用高周波電力の電圧を一定に保つように、プラズマ発
生用高周波電力や、磁界形成用のソレノイドコイルへの
電流値を制御していた。このような制御を、以下「電圧
一定制御」というものとする。その様子は、たとえば、
特開平６−５２９９６号公報に開示されている。

【０００３】この電圧一定制御は、多数のウエハの処理
を重ねて行なっていくことにより処理室内に生じる反応
生成物の付着および再解離によるプラズマ状態の変動を
押さえ、エッチング速度の変動を抑制し、パターン形成
時の側壁保護膜生成とのバランスを保つことにより、微
細な形状制御が出来るようにすることを目的としてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述の電圧一定制御
は、ウエハ表面にマスクによって規定されたパターン形
状に沿ってエッチングする際には、一定の効果を奏して
いた。しかし、パターンのないウエハ全面のエッチバッ
クを行なう場合のように処理対象となる面積が広い場合
には、電圧一定制御を行なうだけでは、多数のウエハの
処理を重ねていくうちに、各ウエハの面内での位置によ
るエッチング速度のばらつき方が変動してきて、その変
動を抑制しづらくなるという問題点があった。

【０００５】なぜなら、電圧を一定に制御するだけで
は、プラズマにさらされる処理室内の構造物の表面に付
着した反応生成物による局所的なプラズマ状態の変化ま
では対処できず、なおかつ、処理室内の構造物に近くな
るウエハの外周付近では、構造物に付着した反応生成物
の影響を受けやすいからである。特に、エッチバックな
ど大きな面積を処理対象とする場合においては、反応生
成物の発生量が大きいため、その影響は顕著である。

【０００６】そこで、本発明は、大きな面積を処理する
場合であっても、ウエハ面内でのエッチング速度のばら
つき方を初期状態からなるべく変動しないように制御
し、再現性良くエッチング処理を行なえるプラズマ処理
装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づくプラズマ処理装置の一つの局面で
は、プラズマ発生用高周波電力を磁界中に導入してプラ
ズマを生成し、基板にバイアス発生用高周波電力を印加
して上記基板を処理するためのプラズマ処理装置であっ
て、予めサンプル基板をプラズマ処理することによって
取得した評価サンプルデータを利用してプラズマ処理の
ための特定パラメータを制御するパラメータ制御部とを
備える。この構成を採用することにより、予め実際にサ
ンプル基板をプラズマ処理して得たデータを用いて制御
するので、ウエハ面内各点におけるエッチング速度のば
らつき方などに至るまで精度良く安定して処理すること
が可能となる。

【０００８】上記発明において好ましくは、上記評価サ
ンプルデータは、プラズマ処理を所望の状態で行なうた
めに必要な上記バイアス発生用高周波電力のピークツー
ピーク電圧値に関するものである。バイアス発生用高周
波電力のピークツーピーク電圧値Ｖｐｐは、変化の様子
をモニタすることが可能であり、また、電圧値Ｖｐｐと
ウエハ面内各点におけるエッチング速度のばらつき方と
の間には相関があることが確認されている。したがっ
て、上記構成を採用することにより、処理中には直接観
察しづらいウエハ面内各点におけるエッチング速度のば
らつき方を間接的に制御することができる。

【０００９】上記発明において好ましくは、上記特定パ
ラメータを制御するための操作パラメータが、プラズマ
発生用高周波電力の値である。この構成を採用すること
により、プラズマ発生用高周波電力の値を操作すること
によって、バイアス発生用高周波電力のピークツーピー
ク電圧値Ｖｐｐを制御することとなるが、プラズマ発生
用高周波電力の値は直接操作しやすいパラメータである
ため、操作が容易となる。

【００１０】上記発明において好ましくは、上記評価サ
ンプルデータを保持するデータ保持部を備える。この構
成を採用することにより、データ保持部に評価サンプル
データを保持することで、自動的に評価サンプルデータ
を参照して処理を進めることが可能となる。また、評価
サンプルデータをデータベースとして活用することが可
能となる。

【００１１】上記発明において好ましくは、上記評価サ
ンプルデータを基に、上記特定パラメータの制御に必要
な補間的評価サンプルデータを算出するための演算部を
備える。評価サンプルデータとしては、いくつかのプラ
ズマ状態における局所的なプラズマ特性しか得られない
が、この構成を採用することにより、演算部でデータ補
間のための演算処理を行なうことができ、評価サンプル
データを処理時間に対応した連続的なデータに加工する
ことができる。その結果、制御のための操作をより高精
度に行なうことができる。

【００１２】上記発明において好ましくは、上記補間的
評価サンプルデータを保持するための演算結果保持部を
備える。この構成を採用することにより、演算結果保持
部を参照するだけで必要なデータが得られるため、迅速
に制御することができる。

【００１３】上記発明において好ましくは、上記バイア
ス発生用高周波電力の電圧の変動履歴を保持する電圧履
歴保持部を備える。この構成を採用することにより、ウ
エハ処理開始時に操作パラメータを適正な値に迅速に操
作することができるようになる。

【００１４】また、上記目的を達成するため、本発明に
基づくプラズマ処理装置の他の局面では、プラズマ発生
用高周波電力を磁界中に導入してプラズマを生成し、基
板にバイアス発生用高周波電力を印加して上記基板を処
理するためのプラズマ処理装置であって、予め保持した
上記バイアス発生用高周波電力の電圧と処理時間との関
係式を利用してプラズマ処理のための特定パラメータを
制御するパラメータ制御部とを備える。この構成を採用
することにより、プロセス評価の作業を行なうことな
く、必要なデータを作成することができる。

【００１５】上記目的を達成するため、本発明に基づく
プラズマ処理方法は、プラズマ発生用高周波電力を磁界
中に導入してプラズマを生成し、基板にバイアス発生用
高周波電力を印加して上記基板を処理するためのプラズ
マ処理方法であって、予めサンプル基板をプラズマ処理
することによって取得した評価サンプルデータを利用し
てプラズマ処理のための特定パラメータを制御する。こ
の方法を採用することにより、予め実際にサンプル基板
をプラズマ処理して得たデータを用いて制御するので、
ウエハ面内各点におけるエッチング速度のばらつき方な
どに至るまで精度良く安定して処理することが可能とな
る。

【００１６】上記発明において好ましくは、上記評価サ
ンプルデータは、プラズマ処理を所望の状態で行なうた
めに必要な上記バイアス発生用高周波電力のピークツー
ピーク電圧値に関するものである。バイアス発生用高周
波電力のピークツーピーク電圧値Ｖｐｐは、変化の様子
をモニタすることが可能であり、また、電圧値Ｖｐｐと
ウエハ面内各点におけるエッチング速度のばらつき方と
の間には相関があることが確認されている。したがっ
て、上記方法を採用することにより、処理中には直接観
察しづらいウエハ面内各点におけるエッチング速度のば
らつき方を間接的に制御することができる。

【００１７】上記発明において好ましくは、上記特定パ
ラメータを制御するための操作パラメータが、プラズマ
発生用高周波電力の値である。この方法を採用すること
により、プラズマ発生用高周波電力の値を操作すること
によって、バイアス発生用高周波電力のピークツーピー
ク電圧値Ｖｐｐを制御することとなるが、プラズマ発生
用高周波電力の値は直接操作しやすいパラメータである
ため、操作が容易となる。

【００１８】上記発明において好ましくは、上記評価サ
ンプルデータを基に、上記特定パラメータの制御に必要
な補間的評価サンプルデータを算出して、上記補間的評
価サンプルデータを利用してプラズマ処理のための特定
パラメータを制御する。評価サンプルデータとしては、
いくつかのプラズマ状態における局所的なプラズマ特性
しか得られないが、この方法を採用することにより、演
算部でデータ補間のための演算処理を行なうことがで
き、評価サンプルデータを処理時間に対応した連続的な
データに加工することができる。その結果、制御のため
の操作をより高精度に行なうことができる。

【００１９】上記発明において好ましくは、上記バイア
ス発生用高周波電力の電圧の変動履歴を保持しておき、
上記変動履歴を利用して上記プラズマ発生用高周波電力
を制御する。この方法を採用することにより、ウエハ処
理開始時に操作パラメータを適正な値に迅速に操作する
ことができるようになる。

【００２０】

【発明の実施の形態】まず、本発明に基づく実施の形態
の説明に先立って、プラズマ処理装置の性質について説
明する。プラズマ処理装置は、プラズマ発生用高周波電
力を磁界中に導入してプラズマを生成し、基板にバイア
ス発生用高周波電力を印加して前記基板を処理するため
の装置である。

【００２１】ユーザが直接設定できるのは、プラズマ発
生用高周波電力であり、プラズマ発生用高周波電力を決
めることで、処理室内のプラズマ密度などからバイアス
発生用高周波電力の電圧が決まる。そこで、上述のよう
に従来はバイアス発生用高周波電力の電圧が一定になる
ようにプラズマ発生用高周波電力を制御していた。

【００２２】一方、発明者らは、バイアス発生用高周波
電力の電圧値Ｖｐｐを全く制御しない場合に、バイアス
発生用高周波電力の電圧値Ｖｐｐがどのように変化する
かを調べた。ここで電圧値Ｖｐｐは、電圧のピークツー
ピークの値をいうものとする。結果を図１に示す。すな
わち、ウエハの処理枚数が増していくにつれて、バイア
ス発生用高周波電力の電圧値Ｖｐｐは単調に増加してい
くことがわかった。さらに、図１における（Ａ）〜
（Ｄ）の各時点において、ウエハ面内の各点におけるエ
ッチング速度の比を調べた結果を、図２に示す。縦軸
は、各点におけるエッチング速度の絶対値ではなく、ウ
エハの中心近傍におけるエッチング速度を１としたとき
の各点における相対的なエッチング速度の比を表す。そ
のため、（Ａ）〜（Ｄ）ともウエハの中心近傍における
エッチング速度は１であり、グラフの上では一致してい
る。ウエハの中心近傍におけるエッチング速度と、外周
近傍におけるエッチング速度には、処理開始当初の
（Ａ）の時点から差があり、図２の（Ａ）の折れ線で示
すようなばらつき方を示しているが、これが、（Ｂ）→
（Ｃ）→（Ｄ）とウエハの処理枚数を増すにつれて、矢
印で示すように、ばらつき方が変化していくことがわか
る。図１と図２とを合わせて考えると、バイアス発生用
高周波電力の電圧値Ｖｐｐの各値と、ウエハ面内各点に
おけるエッチング速度のばらつき方との間に対応関係を
つけることもできる。

【００２３】また、発明者らは、プラズマ発生用高周波
電力の値を振ることで、図３に示すように、ウエハ面内
各点におけるエッチング速度のばらつき方が変化するこ
とを見出した。このことから、プラズマ発生用高周波電
力を操作パラメータとして操作することで、ウエハ面内
各点におけるエッチング速度のばらつき方を制御できる
と考えられる。

【００２４】これらの知見を基に、発明者らは本発明を
するに至った。以下、本発明に基づく実施の形態につい
て具体的に説明する。

【００２５】実施の形態１．本発明に基づく実施の形態
１におけるプラズマ処理装置について、図４を参照して
説明する。このプラズマ処理装置は、プラズマ発生用高
周波電源１をマイクロ波の発振源とし、ここで発振した
マイクロ波は、導波管２によって処理室３に導かれる。
処理室３はベルジャー（bell jar：真空容器）によって
囲まれており、内部の真空部分と外部の大気部分とが区
切られている。上部から入射するマイクロ波を処理室３
内に導入できるように、ベルジャーは、石英などで形成
されている。処理室３内部に対しては、ソレノイドコイ
ル４によって磁場が与えられる。処理室３内には、バイ
アス発生用高周波電源用アース板５が設けられており、
ガス供給系６によってエッチング処理を行なうガスが供
給される。ステージ電極９は、ウエハ８を搭載するため
のものであり、ウエハ８は、ジグ７によって固定され
る。ウエハ８の固定は、ジグ７による代わりに静電吸着
などの方式であってもよい。ステージ電極９は、バイア
ス発生用高周波電源１０に接続されている。さらに、こ
のプラズマ処理装置は、処理室３内部を減圧排気するた
めに、真空ポンプ系１１を備えている。

【００２６】このプラズマ処理装置は、モニタ回路とし
て、バイアス発生用高周波電圧検出器１２と、装置全体
を制御する制御装置１５と、サンプル基板を用いたプロ
セス評価によって得られたデータを記憶するための記憶
装置１３と、与えられた断続的なデータを基に補間的評
価サンプルデータの算出を行ない、結果を保持しておく
ための演算装置１４とを備える。

【００２７】本実施の形態のプラズマ処理装置により、
評価サンプルデータを得るためには、プロセス評価とい
う作業を行なう。プロセス評価は、多数のウエハの処理
を行なう際の、処理開始前（以下、「初期状態」とい
う。）と、途中のいくつかの時点と、全枚数終了後との
各時点において行なう。具体的には、サンプル基板とし
てのウエハをステージ電極９に搭載して、プラズマ発生
用高周波電源１の出力値（プラズマ発生用高周波電力）
を何通りかに変化させて、それぞれ一定時間に渡ってウ
エハ処理を行なう。このウエハ処理を経た後で、ウエハ
表面の各点における除去量を測定することで、各条件の
各点におけるエッチング速度を検出する。図３は、その
結果得られたデータの一例である。図３に示すように、
プラズマ発生用高周波電力の値によって、ウエハ面内で
のエッチング速度のばらつき方は変化する。初期状態以
外の各時点において得たこのようなグラフから、ウエハ
面内でのエッチング速度のばらつき方が、初期状態とほ
ぼ等しくなるようなプラズマ発生用高周波電力の値を求
める。そして、そのプラズマ発生用高周波電力の値に対
応する実際のバイアス発生用高周波電力の電圧値Ｖｐｐ
を求める。この求められた値を、その時点に対応する望
ましい電圧値Ｖｐｐとして記憶装置１３に保存する。各
「時点」は、処理枚数や放電時間によって特定される。

【００２８】こうしていくつかの時点で得られた望まし
い電圧値Ｖｐｐのデータを集めると、図５に示すような
グラフが得られる。これは評価サンプルデータの一例で
ある。ここでは、各時点を処理枚数によって特定してい
る。

【００２９】もっとも、このようにデータを収集して
も、これは断続的なデータの集合にすぎないので、さら
に、演算装置１４によって演算することによって、補間
的なデータを求め、図６に示すように、連続的な評価サ
ンプルデータとしてもよい。

【００３０】本実施の形態におけるプラズマ処理装置で
は、このように予め取得した評価サンプルデータを記憶
装置１３に備えておき、この評価サンプルデータを利用
し、該当する各時点において、バイアス発生用高周波電
力の電圧が望ましい電圧値Ｖｐｐに一致するように制御
する。この制御は、プラズマ発生用高周波電力の値を操
作パラメータとして操作することによって行なう。

【００３１】本実施の形態におけるプラズマ処理装置で
は、バイアス発生用高周波電力の電圧（電圧値Ｖｐｐ）
をただ単純に一定にすることを目指して制御するのでは
なく、各時点において、ウエハ面内各点におけるエッチ
ング速度のばらつき方が初期状態と同じ状態を維持する
ために望ましい電圧値Ｖｐｐの情報を、評価サンプルデ
ータの中からその都度得て、その望ましい値を目指して
制御するため、ウエハ面内におけるエッチング速度のば
らつき方は、初期状態と同じ状態でより確実に維持され
る。

【００３２】上述の例では、事前にプロセス評価を繰返
し行なうことで、評価サンプルデータを取得していた
が、望ましい電力値Ｖｐｐと処理時間との関係式が予想
できる場合には、プロセス評価を行なう代わりに、その
関係式を入力し、保持させることによって評価サンプル
データの代替としてもよい。その場合、プラズマ処理の
各時点においてその関係式によって望ましい電力値Ｖｐ
ｐを求めて、制御することとなる。

【００３３】実施の形態２．本発明に基づく実施の形態
２におけるプラズマ処理装置について説明する。このプ
ラズマ処理装置の構成は、実施の形態１で説明したもの
と同様であるので、説明を繰り返さない。

【００３４】本実施の形態におけるプラズマ処理装置で
は、評価サンプルデータの構成方法が実施の形態１と異
なっている。実施の形態１では、各「時点」を処理枚数
で特定した例を示したが、本実施の形態では、図７に示
すように、無制御時電圧値Ｖｐｐ０によって特定してい
る。「無制御時電圧値Ｖｐｐ０」とは、既に、実施の形
態の冒頭で説明したように、基準処理条件を一旦設定し
て以後無制御でプラズマ処理を行ない続けた場合に、電
圧値Ｖｐｐが自然に増加していくが、この自然に増加し
た結果の電圧値Ｖｐｐのことをいう。このようにすれ
ば、処理枚数が不明であっても、無制御時電圧値Ｖｐｐ
０をその都度、実際に測って確認することができるの
で、評価サンプルデータを参照することで、その無制御
時電圧値Ｖｐｐ０に対応する、望ましい電圧値Ｖｐｐを
求めることができる。もっとも、実際に多数のウエハに
対してプラズマ処理を繰り返す場合には、無制御時電圧
値Ｖｐｐ０をプラズマ処理の最中に確認することはでき
ないが、一定枚数を処理する度に放電を再スタートさせ
る際にバイアス発生用高周波電力の電圧値をモニタする
ことで、その時点での無制御時電圧値Ｖｐｐ０を知るこ
とができる。

【００３５】また、実施の形態１において図６を参照し
て示したと同様に、演算装置１４によって演算すること
によって、補間的なデータを求め、図８に示すように、
連続的な評価サンプルデータとしてもよい。

【００３６】また、電圧値Ｖｐｐの変動履歴を保持して
おくこととし、一定枚数を処理する度に行なわれるクリ
ーニングやシーズニングの際に、電圧値Ｖｐｐ０をモニ
タすることで、これに対応する望ましい電圧値Ｖｐｐを
得るのに必要なプラズマ発生用高周波電力の値を予め予
測させるようにすると、電圧値Ｖｐｐの制御をより速や
かに行なうことができる。

【００３７】上記各実施の形態のようにすることで、ウ
エハ面内各点でのエッチング速度のばらつき方を一定に
保つことができるため、ウエハから製作するデバイスの
信頼性が向上する。また、処理室内に付着物が生成され
ても、ウエハ面内各点でのエッチング速度のばらつき方
を一定に保つことができるため、装置のクリーニングの
１つのインターバルの間に処理できる枚数を増やすこと
ができるため、クリーニングの頻度を減らすことがで
き、稼動率を上げることができる。

【００３８】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、この構成を採用するこ
とにより、予め実際にサンプル基板をプラズマ処理して
得たバイアス発生用高周波電力のピークツーピーク電圧
値Ｖｐｐに関するデータを用いて制御するので、精度良
く安定して処理することが可能となる。また、電圧値Ｖ
ｐｐとウエハ面内各点におけるエッチング速度のばらつ
き方との間には相関があるので、処理中には直接観察し
づらいウエハ面内各点におけるエッチング速度のばらつ
き方を間接的に制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 バイアス発生用高周波電力の電圧値Ｖｐｐを
全く制御しない場合の、ウエハの処理枚数と電圧値Ｖｐ
ｐとの関係を示すグラフである。

【図２】 処理枚数を増していく途中の各時点で測定し
た、ウエハ面内の各点におけるエッチング速度のばらつ
きを示すグラフである。

【図３】 プラズマ発生用高周波電力の各値における、
ウエハ面内の各点におけるエッチング速度のばらつきを
示すグラフである。

【図４】 本発明に基づく実施の形態１におけるプラズ
マ処理装置の概念図である。

【図５】 本発明に基づく実施の形態１において、プロ
セス評価によって得られた、各処理枚数の時点における
望ましい電圧値Ｖｐｐを示すグラフである。

【図６】 本発明に基づく実施の形態１において、図５
に示すデータを連続的なデータに変換した状態を示すグ
ラフである。

【図７】 本発明に基づく実施の形態２において、プロ
セス評価によって得られた、無制御時電圧値Ｖｐｐ０の
各値の時点における望ましい電圧値Ｖｐｐを示すグラフ
である。

【図８】 本発明に基づく実施の形態２において、図７
に示すデータを連続的なデータに変換した状態を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１ プラズマ発生用高周波電源、２ 導波管、３ 処理
室、４ ソレノイドコイル、５ バイアス発生用高周波
電源用アース板、６ ガス供給系、７ ジグ、８ ウエ
ハ、９ ステージ電極、１０ バイアス発生用高周波電
源、１１ 真空ポンプ系、１２ バイアス発生用高周波
電圧検出器、１３ 記憶装置、１４ 演算装置、１５
制御装置。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマ発生用高周波電力を磁界中に導
   入してプラズマを生成し、基板にバイアス発生用高周波
   電力を印加して前記基板を処理するためのプラズマ処理
   装置であって、 予めサンプル基板をプラズマ処理することによって取得
   した評価サンプルデータを利用してプラズマ処理のため
   の特定パラメータを制御するパラメータ制御部とを備え
   る、プラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 前記評価サンプルデータは、プラズマ処
   理を所望の状態で行なうために必要な前記バイアス発生
   用高周波電力のピークツーピーク電圧値に関するもので
   ある、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 前記特定パラメータを制御するための操
   作パラメータが、プラズマ発生用高周波電力の値であ
   る、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 前記評価サンプルデータを保持するデー
   タ保持部を備える、請求項１から３のいずれかに記載の
   プラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 前記評価サンプルデータを基に、前記特
   定パラメータの制御に必要な補間的評価サンプルデータ
   を算出するための演算部を備える、請求項１から４のい
   ずれかに記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 前記補間的評価サンプルデータを保持す
   るための演算結果保持部を備える、請求項５に記載のプ
   ラズマ処理装置。
7. 【請求項７】 前記バイアス発生用高周波電力の電圧の
   変動履歴を保持する電圧履歴保持部を備える、請求項１
   から６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
8. 【請求項８】 プラズマ発生用高周波電力を磁界中に導
   入してプラズマを生成し、基板にバイアス発生用高周波
   電力を印加して前記基板を処理するためのプラズマ処理
   装置であって、 予め保持した前記バイアス発生用高周波電力の電圧と処
   理時間との関係式を利用してプラズマ処理のための特定
   パラメータを制御するパラメータ制御部とを備える、プ
   ラズマ処理装置。
9. 【請求項９】 プラズマ発生用高周波電力を磁界中に導
   入してプラズマを生成し、基板にバイアス発生用高周波
   電力を印加して前記基板を処理するためのプラズマ処理
   方法であって、 予めサンプル基板をプラズマ処理することによって取得
   した評価サンプルデータを利用してプラズマ処理のため
   の特定パラメータを制御するプラズマ処理方法。
10. 【請求項１０】 前記評価サンプルデータは、プラズマ
    処理を所望の状態で行なうために必要な前記バイアス発
    生用高周波電力のピークツーピーク電圧値に関するもの
    である、請求項９に記載のプラズマ処理方法。
11. 【請求項１１】 前記特定パラメータを制御するための
    操作パラメータが、プラズマ発生用高周波電力の値であ
    る、請求項９または１０に記載のプラズマ処理方法。
12. 【請求項１２】 前記評価サンプルデータを基に、前記
    特定パラメータの制御に必要な補間的評価サンプルデー
    タを算出して、前記補間的評価サンプルデータを利用し
    てプラズマ処理のための特定パラメータを制御する、請
    求項９から１１のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
13. 【請求項１３】 前記バイアス発生用高周波電力の電圧
    の変動履歴を保持しておき、前記変動履歴を利用して前
    記プラズマ発生用高周波電力を制御する、請求項９から
    １２のいずれかに記載のプラズマ処理方法。