JP2002341164A - ２次元フォトニック結晶スラブ導波路 - Google Patents
２次元フォトニック結晶スラブ導波路Info
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造容易であり、且つ良好な特性を有する２次
元フォトニック結晶スラブ装置、及びその製造方法を提
供すること。 【解決手段】２次元の柱（２２）のアレイによる周期的
な格子を含むフォトニック結晶スラブ（２０，７０，１
１０）は、上側及び下側クラッド層（２６，２８，８
０，８２，７４，７６，１０５，１１６，１０３，１１
２）を含み、上側及び下側クラッド層（２６，２８，８
０，８２，７４，７６，１０５，１１６，１０３，１１
２）が、それぞれ金属クラッド層（３０，３２，８２，
７６，１１６，１１２）を含む。
元フォトニック結晶スラブ装置、及びその製造方法を提
供すること。 【解決手段】２次元の柱（２２）のアレイによる周期的
な格子を含むフォトニック結晶スラブ（２０，７０，１
１０）は、上側及び下側クラッド層（２６，２８，８
０，８２，７４，７６，１０５，１１６，１０３，１１
２）を含み、上側及び下側クラッド層（２６，２８，８
０，８２，７４，７６，１０５，１１６，１０３，１１
２）が、それぞれ金属クラッド層（３０，３２，８２，
７６，１１６，１１２）を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にフォトニッ
ク結晶（フォトニッククリスタル 又は ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）の分野に関し、特に、２次元フ
ォトニック結晶スラブ装置、及びその製造方法に関す
る。
ク結晶（フォトニッククリスタル 又は ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）の分野に関し、特に、２次元フ
ォトニック結晶スラブ装置、及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトニック結晶（ＰＣ）は、所定の周
波数範囲における光の伝搬を禁止することができる周期
的な誘電体構造である。フォトニック結晶は、屈折率の
空間的に周期的な変化を有し、且つ十分に大きな屈折率
のコントラストによって、フォトニックバンドギャップ
は、構造の光学スペクトルにおいて開いているようにさ
れ得る。（ここにおいて利用されかつ当該技術において
使われる用語“バンドギャップ”は、フォトニック結晶
を通る光の伝搬が阻止される周波数範囲である。更に、
ここにおいて利用されるような用語“光”は、電磁スペ
クトル全体の放射を含むものとし、且つ可視光に限定さ
れない。）
波数範囲における光の伝搬を禁止することができる周期
的な誘電体構造である。フォトニック結晶は、屈折率の
空間的に周期的な変化を有し、且つ十分に大きな屈折率
のコントラストによって、フォトニックバンドギャップ
は、構造の光学スペクトルにおいて開いているようにさ
れ得る。（ここにおいて利用されかつ当該技術において
使われる用語“バンドギャップ”は、フォトニック結晶
を通る光の伝搬が阻止される周波数範囲である。更に、
ここにおいて利用されるような用語“光”は、電磁スペ
クトル全体の放射を含むものとし、且つ可視光に限定さ
れない。）
【０００３】３次元において空間的な周期性を有するフ
ォトニック結晶は、あらゆる方向において結晶のバンド
ギャップ内の周波数を有する光の伝搬を阻止することが
できる。しかしながら、このような構造を製造すること
は、技術的に挑戦的なものである。魅力的な代案は、こ
こに組み込まれた２次元の周期的な格子を有する２次元
のフォトニック結晶スラブ（平板）を利用することにあ
る。この種の構成において、スラブ内における光の伝搬
は、内部全反射を介してスラブの主面に対して垂直な方
向に限られるが、一方その他の方向における伝搬は、フ
ォトニック結晶スラブの特性によって制御される。２次
元フォトニック結晶スラブは、製造容易であることに加
えて、標準的な半導体処理のプレーナ技術と両立可能で
あるというそれ以上の利点を提供する。
ォトニック結晶は、あらゆる方向において結晶のバンド
ギャップ内の周波数を有する光の伝搬を阻止することが
できる。しかしながら、このような構造を製造すること
は、技術的に挑戦的なものである。魅力的な代案は、こ
こに組み込まれた２次元の周期的な格子を有する２次元
のフォトニック結晶スラブ（平板）を利用することにあ
る。この種の構成において、スラブ内における光の伝搬
は、内部全反射を介してスラブの主面に対して垂直な方
向に限られるが、一方その他の方向における伝搬は、フ
ォトニック結晶スラブの特性によって制御される。２次
元フォトニック結晶スラブは、製造容易であることに加
えて、標準的な半導体処理のプレーナ技術と両立可能で
あるというそれ以上の利点を提供する。
【０００４】フォトニック結晶の周期的構造内における
欠陥の導入が欠陥の位置において捕えられ、周りのフォ
トニック結晶材料のバンドギャップ内の共振周波数を有
する局所的な電磁的状態の存在を可能にすることは周知
である。フォトニック結晶を通って延びたこのような欠
陥の線を設けることによって、導波路構造を作り出すこ
とができ、これは、光の制御及び案内において利用する
ことができる（Ｊ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐｏｕｌｏｓ、
Ｒ．Ｄ．Ｍｅａｄｅ、及びＪ．Ｎ．Ｗｉｎｎ著、“Ｐｈ
ｏｔｏｎｉｃ Ｃｒｙｓｔａｌｓ”、プリンストン大学
プレス出版、プリンストン、ＮＪ、１９９５参照）。
欠陥の導入が欠陥の位置において捕えられ、周りのフォ
トニック結晶材料のバンドギャップ内の共振周波数を有
する局所的な電磁的状態の存在を可能にすることは周知
である。フォトニック結晶を通って延びたこのような欠
陥の線を設けることによって、導波路構造を作り出すこ
とができ、これは、光の制御及び案内において利用する
ことができる（Ｊ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐｏｕｌｏｓ、
Ｒ．Ｄ．Ｍｅａｄｅ、及びＪ．Ｎ．Ｗｉｎｎ著、“Ｐｈ
ｏｔｏｎｉｃ Ｃｒｙｓｔａｌｓ”、プリンストン大学
プレス出版、プリンストン、ＮＪ、１９９５参照）。
【０００５】２次元フォトニック結晶スラブ導波路は、
しばしばスラブ本体内に組み込まれた柱（カラム）のア
レイにより構成される２次元の周期的な格子を含んでい
る。柱は、例えば誘電体材料からなるスラブ本体におけ
る穴からなることができ（米国特許第６,１３４,３６９
号明細書参照）、又は柱は、誘電体の棒からなることが
でき、且つスラブ本体は、空気、その他のガス又は真空
であってもよい。加えて柱は、第１の屈折率を有する誘
電体材料の棒からなることができ、かつスラブ本体は、
第１の屈折率とは相違した第２の屈折率を有する誘電体
材料からなることができる。これらの装置のいずれにお
いても、２次元フォトニック結晶スラブ内における案内
されるモードは、漏れやすいモードとこれらのモードの
重なりのために大きな損失を受けることがある。これら
の漏れやすいモードは、場合によってはフォトニック結
晶のための上側及び／又は下側のクラッドに逃げる。高
い案内効率は、漏れやすいモードが存在しない導波路バ
ンドの上側又は下側エッジ（それぞれ誘電体の棒又は穴
に対して）の近くにおける狭い周波数領域においてしか
達成することができない（Ｓ．Ｇ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、
Ｓ．Ｆａｎ、Ｐ．Ｒ．Ｖｉｌｌｅｎｅｕｖｅ、Ｌ．Ｋｏ
ｌｏｄｚｉｅｊｓｋｉ及びＪ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐｏｕ
ｌｏｓ、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６０、５７５１、１９９
９、及びＳ．Ｇ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、Ｐ．Ｒ．Ｖｉｌｌｅ
ｎｅｕｖｅ、Ｓ．Ｆａｎ、及びＪ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐ
ｏｕｌｏｓ、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６２、８２１２、２
０００参照）。
しばしばスラブ本体内に組み込まれた柱（カラム）のア
レイにより構成される２次元の周期的な格子を含んでい
る。柱は、例えば誘電体材料からなるスラブ本体におけ
る穴からなることができ（米国特許第６,１３４,３６９
号明細書参照）、又は柱は、誘電体の棒からなることが
でき、且つスラブ本体は、空気、その他のガス又は真空
であってもよい。加えて柱は、第１の屈折率を有する誘
電体材料の棒からなることができ、かつスラブ本体は、
第１の屈折率とは相違した第２の屈折率を有する誘電体
材料からなることができる。これらの装置のいずれにお
いても、２次元フォトニック結晶スラブ内における案内
されるモードは、漏れやすいモードとこれらのモードの
重なりのために大きな損失を受けることがある。これら
の漏れやすいモードは、場合によってはフォトニック結
晶のための上側及び／又は下側のクラッドに逃げる。高
い案内効率は、漏れやすいモードが存在しない導波路バ
ンドの上側又は下側エッジ（それぞれ誘電体の棒又は穴
に対して）の近くにおける狭い周波数領域においてしか
達成することができない（Ｓ．Ｇ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、
Ｓ．Ｆａｎ、Ｐ．Ｒ．Ｖｉｌｌｅｎｅｕｖｅ、Ｌ．Ｋｏ
ｌｏｄｚｉｅｊｓｋｉ及びＪ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐｏｕ
ｌｏｓ、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６０、５７５１、１９９
９、及びＳ．Ｇ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、Ｐ．Ｒ．Ｖｉｌｌｅ
ｎｅｕｖｅ、Ｓ．Ｆａｎ、及びＪ．Ｄ．Ｊｏａｎｎｏｐ
ｏｕｌｏｓ、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６２、８２１２、２
０００参照）。
【０００６】穴及び誘電体棒デザイン両方に対して、Ｔ
Ｅ状及びＴＭ状の波の間の混合による問題も存在する。
１つのタイプの波だけが完全なバンドギャップを示すの
で、２つのタイプの波のこの混合は、損失の増加を予想
することができる。２つのモードの混合は、入射光の偏
波の変化によって、又は２次元フォトニック結晶スラブ
の中心における平面に対して相対的な構造のミラーの対
称性の破壊によって起こることがある。構造における欠
陥又は装置に対する非対称のクラッド（例えば頂部にお
ける空気クラッド及び下側の下側誘電体材料クラッド）
は、容易にその対称性を破壊することがある。クラッド
材料のためにブラッグのミラー（又は１次元のフォトニ
ック結晶）を利用することは、フォトニック結晶が完全
な光子バンドギャップを持たず、かついぜんとして漏れ
モードを有する問題が存在するので、あまり役立たない
（米国特許第６，１３４，０４３号明細書参照）。
Ｅ状及びＴＭ状の波の間の混合による問題も存在する。
１つのタイプの波だけが完全なバンドギャップを示すの
で、２つのタイプの波のこの混合は、損失の増加を予想
することができる。２つのモードの混合は、入射光の偏
波の変化によって、又は２次元フォトニック結晶スラブ
の中心における平面に対して相対的な構造のミラーの対
称性の破壊によって起こることがある。構造における欠
陥又は装置に対する非対称のクラッド（例えば頂部にお
ける空気クラッド及び下側の下側誘電体材料クラッド）
は、容易にその対称性を破壊することがある。クラッド
材料のためにブラッグのミラー（又は１次元のフォトニ
ック結晶）を利用することは、フォトニック結晶が完全
な光子バンドギャップを持たず、かついぜんとして漏れ
モードを有する問題が存在するので、あまり役立たない
（米国特許第６，１３４，０４３号明細書参照）。
【０００７】空気スラブ本体内に誘電体棒が設けられて
いるデザインに対しても、棒の高さは、格子定数のほぼ
２倍にする。このことは、これらの構造の製造をむしろ
困難にする。
いるデザインに対しても、棒の高さは、格子定数のほぼ
２倍にする。このことは、これらの構造の製造をむしろ
困難にする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造容易で
あり、且つ良好な特性を有する２次元フォトニック結晶
スラブ装置、及びその製造方法を提供することを目的と
する。
あり、且つ良好な特性を有する２次元フォトニック結晶
スラブ装置、及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による２次元フォ
トニック結晶スラブ装置は、２次元の周期的な格子を含
むフォトニック結晶スラブを含み、且つフォトニック結
晶スラブのための上側及び下側クラッド層を含み、上側
及び下側クラッド層が、それぞれ金属クラッド層を含ん
でいる。
トニック結晶スラブ装置は、２次元の周期的な格子を含
むフォトニック結晶スラブを含み、且つフォトニック結
晶スラブのための上側及び下側クラッド層を含み、上側
及び下側クラッド層が、それぞれ金属クラッド層を含ん
でいる。
【００１０】本発明の第１の実施形態によれば、２次元
フォトニック結晶スラブ装置は、２次元フォトニック結
晶スラブ導波路装置を含み、ここにおいてフォトニック
結晶スラブは、フォトニック結晶スラブのバンドギャッ
プ内における周波数を有する光を伝送することができる
導波路を含んでいる。望ましくは導波路は、スラブの２
次元の周期的な格子に欠陥の領域を設けることによって
作り出すことができる。とくに２次元の周期的な格子
は、誘電体の棒のような誘電体構造の２次元のアレイか
らなることができ；かつ欠陥の領域は、棒の線の半径を
減少することによって、又は棒の線を省略することによ
って設けてもよい。
フォトニック結晶スラブ装置は、２次元フォトニック結
晶スラブ導波路装置を含み、ここにおいてフォトニック
結晶スラブは、フォトニック結晶スラブのバンドギャッ
プ内における周波数を有する光を伝送することができる
導波路を含んでいる。望ましくは導波路は、スラブの２
次元の周期的な格子に欠陥の領域を設けることによって
作り出すことができる。とくに２次元の周期的な格子
は、誘電体の棒のような誘電体構造の２次元のアレイか
らなることができ；かつ欠陥の領域は、棒の線の半径を
減少することによって、又は棒の線を省略することによ
って設けてもよい。
【００１１】本発明の実施形態による２次元フォトニッ
ク結晶スラブ導波路装置は、きつく曲げられた導波路に
沿ってさえ、導波路を通って光の実質的に完全な透過を
達成する。このことは、クラッド層の漏れやすいモード
への連結のために損失が存在しないように、上側及び下
側の金属クラッド層が光を２つの金属層の間に閉じ込め
ることを引き起こすので、少なくとも部分的に達成され
る。
ク結晶スラブ導波路装置は、きつく曲げられた導波路に
沿ってさえ、導波路を通って光の実質的に完全な透過を
達成する。このことは、クラッド層の漏れやすいモード
への連結のために損失が存在しないように、上側及び下
側の金属クラッド層が光を２つの金属層の間に閉じ込め
ることを引き起こすので、少なくとも部分的に達成され
る。
【００１２】加えてＴＥ状のモードは、金属層の間の分
離を変更することによって、ＴＭ状のモードのいちばん
下のバンドギャップの上の周波数に動かすことができる
ことを示すことができる。したがって０．５ａ（ａは格
子定数）の分離に対して、ＴＭ状のモードに対する完全
なバンドギャップを有することができる（Ａ．Ａ．Ｍａ
ｒａｄｕｄｉｎ及びＡ．Ｒ．ＭｃＧｕｒｎ著、Ｊ．Ｏｐ
ｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．、１０、３０７、１９９３参照）。
これによれば、２次元アレイを形成する棒をさらに短く
することができるので、導波路装置の製造が容易にな
る。
離を変更することによって、ＴＭ状のモードのいちばん
下のバンドギャップの上の周波数に動かすことができる
ことを示すことができる。したがって０．５ａ（ａは格
子定数）の分離に対して、ＴＭ状のモードに対する完全
なバンドギャップを有することができる（Ａ．Ａ．Ｍａ
ｒａｄｕｄｉｎ及びＡ．Ｒ．ＭｃＧｕｒｎ著、Ｊ．Ｏｐ
ｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．、１０、３０７、１９９３参照）。
これによれば、２次元アレイを形成する棒をさらに短く
することができるので、導波路装置の製造が容易にな
る。
【００１３】本発明の他の実施形態によれば、２次元フ
ォトニック結晶スラブ装置の製造方法が提供される。本
発明による２次元フォトニック結晶スラブ装置の製造方
法は、基板上に支持された誘電体平板を設け、２次元フ
ォトニック結晶スラブを形成するために誘電体平板内に
誘電体構造の２次元アレイを形成し、かつフォトニック
結晶スラブの第１及び第２の表面上に第１及び第２のク
ラッド層を形成することを含み、第１及び第２のクラッ
ド層はそれぞれ金属クラッド層を含んでいる。
ォトニック結晶スラブ装置の製造方法が提供される。本
発明による２次元フォトニック結晶スラブ装置の製造方
法は、基板上に支持された誘電体平板を設け、２次元フ
ォトニック結晶スラブを形成するために誘電体平板内に
誘電体構造の２次元アレイを形成し、かつフォトニック
結晶スラブの第１及び第２の表面上に第１及び第２のク
ラッド層を形成することを含み、第１及び第２のクラッ
ド層はそれぞれ金属クラッド層を含んでいる。
【００１４】本発明の実施形態によれば、誘電体平板に
おける誘電体構造の２次元アレイの形成は、エッチング
プロセスを利用した構造の２次元アレイの形成を含む。
周知のように、金属上に光学的な品質の半導体を成長さ
せることは、通常困難である。本発明による製造方法
は、結晶の成長を必要とせず、且つしたがって金属クラ
ッド層を有する２次元フォトニック結晶スラブ装置の製
造に利用するために、とくに適している。フォトニック
結晶スラブの第１及び第２の表面上に第１及び第２のク
ラッド層を形成することは、装置の製造に利用された種
々の種類の材料に依存して、種々の方法で達成すること
ができる。
おける誘電体構造の２次元アレイの形成は、エッチング
プロセスを利用した構造の２次元アレイの形成を含む。
周知のように、金属上に光学的な品質の半導体を成長さ
せることは、通常困難である。本発明による製造方法
は、結晶の成長を必要とせず、且つしたがって金属クラ
ッド層を有する２次元フォトニック結晶スラブ装置の製
造に利用するために、とくに適している。フォトニック
結晶スラブの第１及び第２の表面上に第１及び第２のク
ラッド層を形成することは、装置の製造に利用された種
々の種類の材料に依存して、種々の方法で達成すること
ができる。
【００１５】当該技術分野において周知のように、２次
元のフォトニック結晶スラブが単結晶材料から製造され
ることは望ましく；かつ本発明の製造方法は、例えばＳ
ｉ、ＩｎＧａＡｓＰ及びＧａＡｓをベースにしたシステ
ムを含む種々の種類の材料システムを利用することを可
能にする。一般に本発明の実施形態による製造方法は、
方法のわずかだけの変形を必要として、これらのシステ
ムのいずれによっても利用することができる。
元のフォトニック結晶スラブが単結晶材料から製造され
ることは望ましく；かつ本発明の製造方法は、例えばＳ
ｉ、ＩｎＧａＡｓＰ及びＧａＡｓをベースにしたシステ
ムを含む種々の種類の材料システムを利用することを可
能にする。一般に本発明の実施形態による製造方法は、
方法のわずかだけの変形を必要として、これらのシステ
ムのいずれによっても利用することができる。
【００１６】以下に添付図面を参照して、本発明の好適
実施形態となる２次元フォトニック結晶スラブ装置、及
びその製造方法について詳細に説明する。本発明のさら
にそれ以上の利点及び特定の詳細は、本発明の次の詳細
な説明に関連して以下において明らかになるであろう。
実施形態となる２次元フォトニック結晶スラブ装置、及
びその製造方法について詳細に説明する。本発明のさら
にそれ以上の利点及び特定の詳細は、本発明の次の詳細
な説明に関連して以下において明らかになるであろう。
【００１７】図１は、本発明の第１の実施形態による２
次元のフォトニック結晶スラブ装置のｘｙの眺めを概略
的に示している。装置は、全体的に参照番号１０によっ
て示されており、かつスラブ本体内に組み込まれた２次
元の周期的な格子からなるフォトニック結晶スラブ２０
を含んでいる。図示した実施形態において、周期的な格
子は、大きな誘電率を有する材料、例えばＳｉ又はＧａ
Ａｓの棒からなる２次元アレイの柱２２からなってお
り、且つ参照番号２４によって示されるスラブ本体は、
空気からなる。しかしながらフォトニック結晶スラブ２
０が例示のためだけのものであることは明らかである。
本発明の別の実施形態において、例えばスラブ本体は、
異なったガス又は真空であることができる。その代わり
に柱２２が穴からなり、且つスラブ本体２４が誘電体材
料からなることができ、又は柱及びスラブ本体が、両方
とも誘電体材料からなることができ、これらの誘電体材
料は、誘電率において異なっている。
次元のフォトニック結晶スラブ装置のｘｙの眺めを概略
的に示している。装置は、全体的に参照番号１０によっ
て示されており、かつスラブ本体内に組み込まれた２次
元の周期的な格子からなるフォトニック結晶スラブ２０
を含んでいる。図示した実施形態において、周期的な格
子は、大きな誘電率を有する材料、例えばＳｉ又はＧａ
Ａｓの棒からなる２次元アレイの柱２２からなってお
り、且つ参照番号２４によって示されるスラブ本体は、
空気からなる。しかしながらフォトニック結晶スラブ２
０が例示のためだけのものであることは明らかである。
本発明の別の実施形態において、例えばスラブ本体は、
異なったガス又は真空であることができる。その代わり
に柱２２が穴からなり、且つスラブ本体２４が誘電体材
料からなることができ、又は柱及びスラブ本体が、両方
とも誘電体材料からなることができ、これらの誘電体材
料は、誘電率において異なっている。
【００１８】図１のフォトニック結晶スラブ装置１０の
ｘｙ横断面図である図２に図示するように、棒２２の２
次元アレイは、棒の直角配列からなる。直角配列も、例
示のためだけのものであり、その他の構成、例えば正方
形の形の配列又は三角形の形の配列が、なお本発明の権
利範囲から外れることなく利用することができる。
ｘｙ横断面図である図２に図示するように、棒２２の２
次元アレイは、棒の直角配列からなる。直角配列も、例
示のためだけのものであり、その他の構成、例えば正方
形の形の配列又は三角形の形の配列が、なお本発明の権
利範囲から外れることなく利用することができる。
【００１９】図１に戻れば、フォトニック結晶スラブ装
置１０は、フォトニック結晶スラブ２０の上及び下に配
置されかつフォトニック結晶スラブのそれぞれ全上側及
び下側面を覆う上側及び下側クラッド層２６及び２８も
含んでいる（スラブ本体が空気である図１の実施形態に
おいて、スラブの上側及び下側面は、実効的に誘電体棒
２２の上側及び下側表面によって定義されている）。
置１０は、フォトニック結晶スラブ２０の上及び下に配
置されかつフォトニック結晶スラブのそれぞれ全上側及
び下側面を覆う上側及び下側クラッド層２６及び２８も
含んでいる（スラブ本体が空気である図１の実施形態に
おいて、スラブの上側及び下側面は、実効的に誘電体棒
２２の上側及び下側表面によって定義されている）。
【００２０】それぞれ上側及び下側クラッド層２６及び
２８は、上側及び下側金属クラッド層３０及び３２を含
み；かつ選択的に上側及び下側誘電体クラッド層３４及
び３６が、望ましくは酸化物クラッド層が、金属クラッ
ド層３０及び３２とスラブ本体２０の面との間に取り付
けられる。酸化物クラッド層３４及び３６は、低い誘電
率を有し（例えばＳｉＯ２）、かつ金属のためのあらゆ
る可能な吸収を最小化するために利用することができ
る。望まれるならば、フォトニック結晶スラブにおける
空気を酸化物に置き換えることも可能である。
２８は、上側及び下側金属クラッド層３０及び３２を含
み；かつ選択的に上側及び下側誘電体クラッド層３４及
び３６が、望ましくは酸化物クラッド層が、金属クラッ
ド層３０及び３２とスラブ本体２０の面との間に取り付
けられる。酸化物クラッド層３４及び３６は、低い誘電
率を有し（例えばＳｉＯ２）、かつ金属のためのあらゆ
る可能な吸収を最小化するために利用することができ
る。望まれるならば、フォトニック結晶スラブにおける
空気を酸化物に置き換えることも可能である。
【００２１】図３は、本発明の実施形態による２次元フ
ォトニック結晶スラブ導波路装置のｘｙ横断面図であ
る。全体的に参照番号４０によって示された導波路装置
は、棒２２のアレイに欠陥の領域が設けられていること
を除いて、図１及び図２の装置１０に似ている。欠陥の
この領域は、全体に参照番号４２によって示され、かつ
フォトニック結晶スラブを通る導波路を定義している。
導波路は、回りを囲むフォトニック結晶材料のバンドギ
ャップ内にある周波数を有する光を透過することができ
る。欠陥４２の領域は、種々の方法で設けることができ
る。例えば、図３において領域は、減少した半径の棒４
４の線を設けることによって作り出されている。その代
わりに欠陥の領域は、棒２２の１つ又は複数の線を省略
することによって、又は何か別の様式で棒２２の１つ又
は複数の線を変形することによって作り出すことができ
る。
ォトニック結晶スラブ導波路装置のｘｙ横断面図であ
る。全体的に参照番号４０によって示された導波路装置
は、棒２２のアレイに欠陥の領域が設けられていること
を除いて、図１及び図２の装置１０に似ている。欠陥の
この領域は、全体に参照番号４２によって示され、かつ
フォトニック結晶スラブを通る導波路を定義している。
導波路は、回りを囲むフォトニック結晶材料のバンドギ
ャップ内にある周波数を有する光を透過することができ
る。欠陥４２の領域は、種々の方法で設けることができ
る。例えば、図３において領域は、減少した半径の棒４
４の線を設けることによって作り出されている。その代
わりに欠陥の領域は、棒２２の１つ又は複数の線を省略
することによって、又は何か別の様式で棒２２の１つ又
は複数の線を変形することによって作り出すことができ
る。
【００２２】図３においても欠陥４２の領域は、まっす
ぐな導波路を定義するように、その一方の端部から反対
の端部へ直線状に装置４０を通って延びているように示
されている。欠陥の領域は、図４に示すように曲げた構
成に配置してもよい。とくに図４は、ここに９０度の曲
がりを含む導波路５２を組み込んだ２次元フォトニック
結晶スラブ導波路装置５０のｘｙ横断面図である。図４
の実施形態において、曲げられた導波路は、互いに垂直
な２つの行のアレイの部分から棒２２を省略することに
よって作り出されている。
ぐな導波路を定義するように、その一方の端部から反対
の端部へ直線状に装置４０を通って延びているように示
されている。欠陥の領域は、図４に示すように曲げた構
成に配置してもよい。とくに図４は、ここに９０度の曲
がりを含む導波路５２を組み込んだ２次元フォトニック
結晶スラブ導波路装置５０のｘｙ横断面図である。図４
の実施形態において、曲げられた導波路は、互いに垂直
な２つの行のアレイの部分から棒２２を省略することに
よって作り出されている。
【００２３】本発明による２次元フォトニック結晶スラ
ブ導波路装置の効果を確立するために、有限差時間ドメ
イン（ＦＤＴＤ）法を利用してフィールドを計算した
（Ａ．Ｔａｆｌｏｖｅ、“Ｆｉｎｉｔｅ Ｄｉｆｆｅｒ
ｅｎｃｅ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｍｅｔｈｏｄ”参
照）。計算されたシステムにおいて、装置は、ｘ及びｙ
軸に沿って棒２２の９ｘ１２のアレイの形の周期的な格
子からなる。フォトニック結晶スラブ２０の厚さは０．
５ａであり、その際、ａは格子の格子定数である。導波
路に沿った棒の半径が０であることを除いて（すなわち
導波路は棒の線を省略することによって形成された）、
棒の半径は、ｒ＝０．２２ａである。棒の長さは０．５
ａであった。ｚ軸に対して平行な偏光したダイポール
は、図２乃至図４に５６で示すように、構造の外側に配
置され、かつパルスによって励起された。金属層３０、
３２の厚さは０．１２５ａであった。本装置において、
上側及び下側の酸化物層３４及び３６は存在しなかっ
た。
ブ導波路装置の効果を確立するために、有限差時間ドメ
イン（ＦＤＴＤ）法を利用してフィールドを計算した
（Ａ．Ｔａｆｌｏｖｅ、“Ｆｉｎｉｔｅ Ｄｉｆｆｅｒ
ｅｎｃｅ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｍｅｔｈｏｄ”参
照）。計算されたシステムにおいて、装置は、ｘ及びｙ
軸に沿って棒２２の９ｘ１２のアレイの形の周期的な格
子からなる。フォトニック結晶スラブ２０の厚さは０．
５ａであり、その際、ａは格子の格子定数である。導波
路に沿った棒の半径が０であることを除いて（すなわち
導波路は棒の線を省略することによって形成された）、
棒の半径は、ｒ＝０．２２ａである。棒の長さは０．５
ａであった。ｚ軸に対して平行な偏光したダイポール
は、図２乃至図４に５６で示すように、構造の外側に配
置され、かつパルスによって励起された。金属層３０、
３２の厚さは０．１２５ａであった。本装置において、
上側及び下側の酸化物層３４及び３６は存在しなかっ
た。
【００２４】ポインティングベクトルは、層３０と３２
の間の途中におけるｘｙ平面内において結晶の内側で計
算された。周期的な場合について（すなわち導波路を持
たない図１及び図２に示すようなフォトニック結晶スラ
ブ装置について）、０．２４と０．３８の間の減少した
周波数のバンドギャップが存在する（図５に点鎖線で示
す）。ポインティングベクトルは、このギャップの内側
においてゼロであった。しかしながら図３に示すよう
に、フォトニック結晶スラブ内にまっすぐな導波路４２
が設けられているとき、導波路バンドは、ギャップの内
側に現われる。ポインティングベクトルのプロファイル
は、導波路のきわめて良好な透過特性を示して、導波路
の内側における３つの異なった位置においてほとんど同
じであった（図５に実線、点線及び破線で示す）。
の間の途中におけるｘｙ平面内において結晶の内側で計
算された。周期的な場合について（すなわち導波路を持
たない図１及び図２に示すようなフォトニック結晶スラ
ブ装置について）、０．２４と０．３８の間の減少した
周波数のバンドギャップが存在する（図５に点鎖線で示
す）。ポインティングベクトルは、このギャップの内側
においてゼロであった。しかしながら図３に示すよう
に、フォトニック結晶スラブ内にまっすぐな導波路４２
が設けられているとき、導波路バンドは、ギャップの内
側に現われる。ポインティングベクトルのプロファイル
は、導波路のきわめて良好な透過特性を示して、導波路
の内側における３つの異なった位置においてほとんど同
じであった（図５に実線、点線及び破線で示す）。
【００２５】曲がった導波路５２を有する図４のフォト
ニック結晶スラブ導波路装置について、曲がりの前及び
後の位置におけるポインティングベクトルは、図６にそ
れぞれ実線及び点線で示されている。ベクトルはほとん
ど同一であり、これは、曲がった導波路の透過特性がま
っすぐな導波路のもののように等しく良好であることを
証明している。図７は、曲がった導波路構造の内側にお
ける電力の分布を示しており、且つ光が何の損失もなく
９０度の曲がり方向に曲げられることを確認しており、
したがって図６に示した結果と一致している。
ニック結晶スラブ導波路装置について、曲がりの前及び
後の位置におけるポインティングベクトルは、図６にそ
れぞれ実線及び点線で示されている。ベクトルはほとん
ど同一であり、これは、曲がった導波路の透過特性がま
っすぐな導波路のもののように等しく良好であることを
証明している。図７は、曲がった導波路構造の内側にお
ける電力の分布を示しており、且つ光が何の損失もなく
９０度の曲がり方向に曲げられることを確認しており、
したがって図６に示した結果と一致している。
【００２６】前記もののような２次元フォトニック結晶
スラブ装置の製造に関連して考えなければならないいく
つかの制限が存在する。初めにこれらの装置は、光の伝
搬を含むので、装置のためのベースとして単結晶の材料
を利用することが望ましい。図１に示したフォトニック
結晶スラブ装置は、金属／酸化物／誘電体／酸化物／金
属の層状の構造を含む。この装置において、クラッド層
の屈折率は、１乃至２．０の範囲にあるようにし、誘電
体棒２２（コア）の屈折率は、３と４の間にあるように
する。金属上に光学的な品質の半導体を成長させること
は極度に困難なので、本発明の実施形態にしたがって、
２次元フォトニック結晶スラブ装置を製造するための代
わりの方法が提供される。
スラブ装置の製造に関連して考えなければならないいく
つかの制限が存在する。初めにこれらの装置は、光の伝
搬を含むので、装置のためのベースとして単結晶の材料
を利用することが望ましい。図１に示したフォトニック
結晶スラブ装置は、金属／酸化物／誘電体／酸化物／金
属の層状の構造を含む。この装置において、クラッド層
の屈折率は、１乃至２．０の範囲にあるようにし、誘電
体棒２２（コア）の屈折率は、３と４の間にあるように
する。金属上に光学的な品質の半導体を成長させること
は極度に困難なので、本発明の実施形態にしたがって、
２次元フォトニック結晶スラブ装置を製造するための代
わりの方法が提供される。
【００２７】クラッド層／フォトニック結晶コア／クラ
ッド層に対して１＜ｎ＜２．０／３＜ｎ＜４／１＜ｎ＜
２．０である場合について、ＳｉＯ２／Ｓｉ／Ｓｉ
Ｏ２、Ａｌ２Ｏ３／ＩｎＧａＡｓＰ／Ａｌ２Ｏ３及びＡ
ｌ２Ｏ３／ＧａＡｓ／Ａｌ２Ｏ３を含む前記要求を満た
すことができるいくつかの材料システムが存在する。
ッド層に対して１＜ｎ＜２．０／３＜ｎ＜４／１＜ｎ＜
２．０である場合について、ＳｉＯ２／Ｓｉ／Ｓｉ
Ｏ２、Ａｌ２Ｏ３／ＩｎＧａＡｓＰ／Ａｌ２Ｏ３及びＡ
ｌ２Ｏ３／ＧａＡｓ／Ａｌ２Ｏ３を含む前記要求を満た
すことができるいくつかの材料システムが存在する。
【００２８】図８乃至図１６は、本発明の１つの実施形
態によるＳｉベースの２次元フォトニック結晶スラブ装
置を製造するための手続きを示している。初めに図８
は、ＳｉＯ２犠牲層６４にボンディングされた単一結晶
Ｓｉコア６２を含む構造を示しており、他方においてこ
の犠牲層は、Ｓｉ基板６６上に支持されている。このよ
うなＳｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ絶縁体構造は、市販で供給可
能である。
態によるＳｉベースの２次元フォトニック結晶スラブ装
置を製造するための手続きを示している。初めに図８
は、ＳｉＯ２犠牲層６４にボンディングされた単一結晶
Ｓｉコア６２を含む構造を示しており、他方においてこ
の犠牲層は、Ｓｉ基板６６上に支持されている。このよ
うなＳｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ絶縁体構造は、市販で供給可
能である。
【００２９】それからフォトニック結晶構造は、望まし
くは適当なエッチングプロセスを利用して、Ｓｉコア層
６２から製造される。とくにフォトニック結晶格子は、
Ｓｉに誘電体の棒を得るように、ｅビームリソグラフィ
ー又はその他のナノリソグラフィー技術を利用して、転
写レジストにパターン形成する。反応イオンエッチング
を利用して金属又はＳｉＯ２のハードマスクにパターン
を転写することができる。次にパターンは、図９に示す
ように、Ｓｉ棒６８の２次元のアレイからなるフォトニ
ック結晶スラブ６７を形成するために、Ｓｉコア６２の
エッチングによってＳｉコア６２内に転写される。制御
されたエッチングは、ＳｉＯ２犠牲層６４においてエッ
チングを停止することができる。望ましくはＳｉ棒６８
の２次元アレイは、フォトニック結晶スラブ６７内にま
っすぐな又は曲がった導波路を形成するために、まっす
ぐ又は曲がったいずれかのここにおける欠陥の領域（図
９には示されていない）を含むように製造されている。
くは適当なエッチングプロセスを利用して、Ｓｉコア層
６２から製造される。とくにフォトニック結晶格子は、
Ｓｉに誘電体の棒を得るように、ｅビームリソグラフィ
ー又はその他のナノリソグラフィー技術を利用して、転
写レジストにパターン形成する。反応イオンエッチング
を利用して金属又はＳｉＯ２のハードマスクにパターン
を転写することができる。次にパターンは、図９に示す
ように、Ｓｉ棒６８の２次元のアレイからなるフォトニ
ック結晶スラブ６７を形成するために、Ｓｉコア６２の
エッチングによってＳｉコア６２内に転写される。制御
されたエッチングは、ＳｉＯ２犠牲層６４においてエッ
チングを停止することができる。望ましくはＳｉ棒６８
の２次元アレイは、フォトニック結晶スラブ６７内にま
っすぐな又は曲がった導波路を形成するために、まっす
ぐ又は曲がったいずれかのここにおける欠陥の領域（図
９には示されていない）を含むように製造されている。
【００３０】取り扱いを容易にするため及び装置製造の
完了を容易にするために、図９の構造は、それからフォ
トニック結晶スラブ６７を平面化積み重ね層７０に形成
するために、図１０に示すように有機又は無機媒体７２
によって平面化される。平面化媒体７２は、誘電体棒６
８の回りの範囲を媒体が完全に満たすことを可能にする
ために、十分な粘度を有するようにする。平面化媒体の
ある種の良好な選択は、ポリイミド、スピンオンガラス
又はＰＥＣＶＤ成長ＳｉＯ２を含む。
完了を容易にするために、図９の構造は、それからフォ
トニック結晶スラブ６７を平面化積み重ね層７０に形成
するために、図１０に示すように有機又は無機媒体７２
によって平面化される。平面化媒体７２は、誘電体棒６
８の回りの範囲を媒体が完全に満たすことを可能にする
ために、十分な粘度を有するようにする。平面化媒体の
ある種の良好な選択は、ポリイミド、スピンオンガラス
又はＰＥＣＶＤ成長ＳｉＯ２を含む。
【００３１】手続きの次のステップは、平面化された積
み重ね層７０の頂部上にクラッド層７４を堆積すること
にある（図１１）。このクラッド層は、低屈折率の媒体
の薄い層であり、この媒体は、有機物又は無機物のいず
れであってもよい（例えばＳｉＯ２）。次に金属積み重
ね構造７６が、蒸着又はスパッタリング堆積によってク
ラッド層７４の頂面に取り付けられる（図１２）。それ
からこの金属構造は、図１２における構造を図１３に示
すような別の構造７８に結合するために利用される。
み重ね層７０の頂部上にクラッド層７４を堆積すること
にある（図１１）。このクラッド層は、低屈折率の媒体
の薄い層であり、この媒体は、有機物又は無機物のいず
れであってもよい（例えばＳｉＯ２）。次に金属積み重
ね構造７６が、蒸着又はスパッタリング堆積によってク
ラッド層７４の頂面に取り付けられる（図１２）。それ
からこの金属構造は、図１２における構造を図１３に示
すような別の構造７８に結合するために利用される。
【００３２】金属積み重ね層７６は、粘着層及びボンデ
ィング層材料を含んでいる。ボンディング層材料は、Ｎ
ｉ又はＰｔのような低温けい化物を形成する材料である
ことができる。その代わりに金属複合物は、再流動プロ
セス又は熱圧縮プロセスを介して基板７８をボンディン
グするために利用することができる。再流動又は熱圧縮
のための金属の選択は、多数であり、かつＩｎ及びＰｂ
合金又はＡｕを含んでいる。
ィング層材料を含んでいる。ボンディング層材料は、Ｎ
ｉ又はＰｔのような低温けい化物を形成する材料である
ことができる。その代わりに金属複合物は、再流動プロ
セス又は熱圧縮プロセスを介して基板７８をボンディン
グするために利用することができる。再流動又は熱圧縮
のための金属の選択は、多数であり、かつＩｎ及びＰｂ
合金又はＡｕを含んでいる。
【００３３】次に初期の基板６６は取り除かれる。この
ことは、犠牲層６４の選択的エッチング除去によって行
なってもよく、この犠牲層も、結果として基板の除去を
生じる（図１４）。このことを達成するための１つの手
続きは、平面化積み重ね層７０のための有機材料の選
択、及び犠牲層６４のエッチング除去のためのＨＦ溶液
の利用にある。
ことは、犠牲層６４の選択的エッチング除去によって行
なってもよく、この犠牲層も、結果として基板の除去を
生じる（図１４）。このことを達成するための１つの手
続きは、平面化積み重ね層７０のための有機材料の選
択、及び犠牲層６４のエッチング除去のためのＨＦ溶液
の利用にある。
【００３４】基板６６の除去に続いて、無機又は有機ク
ラッド層８０が、ＰＥＣＶＤ又はスピンオン技術のいず
れかによって、平面化された積み重ね層７０上に堆積さ
れる（図１５参照）。図１４における構造は、図１５に
示すクラッド層８０を堆積する前に、ひっくり返されて
いることに注意する。最後に薄い金属フィルム８２が、
構造を完成するために、クラッド層８０上に堆積される
（図１６）。図１６における構造は、典型的には前記よ
うにここに設けられた導波路及び上側及び下側クラッド
層を有し、下側クラッド層が基板７８上に支持された、
平面化された積み重ね層７０からなるフォトニック結晶
スラブを含む完成した２次元フォトニック結晶スラブ装
置を含んでいる。上側クラッド層は、低屈折率の媒体の
クラッド層８０及び金属クラッド層８２からなり；かつ
下側のクラッド層は、低屈折率の媒体のクラッド層７４
及び金属クラッド層７６からなる。
ラッド層８０が、ＰＥＣＶＤ又はスピンオン技術のいず
れかによって、平面化された積み重ね層７０上に堆積さ
れる（図１５参照）。図１４における構造は、図１５に
示すクラッド層８０を堆積する前に、ひっくり返されて
いることに注意する。最後に薄い金属フィルム８２が、
構造を完成するために、クラッド層８０上に堆積される
（図１６）。図１６における構造は、典型的には前記よ
うにここに設けられた導波路及び上側及び下側クラッド
層を有し、下側クラッド層が基板７８上に支持された、
平面化された積み重ね層７０からなるフォトニック結晶
スラブを含む完成した２次元フォトニック結晶スラブ装
置を含んでいる。上側クラッド層は、低屈折率の媒体の
クラッド層８０及び金属クラッド層８２からなり；かつ
下側のクラッド層は、低屈折率の媒体のクラッド層７４
及び金属クラッド層７６からなる。
【００３５】Ｓｉベースにした材料よりむしろフォトニ
ック結晶スラブ装置のためにＩｎＰ又はＧａＡｓベース
の材料を利用する実施形態について、製造プロセスはい
くらか変形するようにする。これらの実施形態におい
て、クラッド層に対する有利な低屈折率の材料は、Ａｌ
２Ｏ３であり；かつＡｌ２Ｏ３／ＩｎＧａＡｓＰ／Ａｌ
２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３／ＧａＡｓ／Ａｌ２Ｏ３材料シス
テムにおいて、述べるべきいくつかの重要な相違があ
る。初めに図１７に示すように、犠牲層９０は、基板９
２上に堆積され、かつそれからクラッド層９４が、犠牲
層９０上に堆積される。このことは、誘電体コア層９６
内に形成されるＩｎＰ又はＧａＡｓ棒を傷付けることな
く、基板９２の後の除去を可能にする。典型的には、ヘ
テロ構造は、それぞれＩｎＰ又はＧａＡｓコア層の下に
ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ又はＡｌＧａＡｓクラッド層９４を
置いて堆積される。このクラッド層は、Ａｌ２Ｏ３クラ
ッド層を作り出す湿式酸化プロセスを介して酸化され
る。湿式酸化に続いて、試料は、全体的に図８に示すよ
うに処理される。とくに誘電体コア層９６は堆積され、
平面化された積み重ね層は、誘電体コア層９６から形成
され、酸化物及び金属クラッド層は、平面化された積み
重ね層の頂部に設けられ、かつ基板９２は、犠牲層９０
の除去によって取り除かれる。しかしながら図１７の実
施形態において、酸化物クラッド層９４はあらかじめ取
り付けられているので、酸化物クラッド層９４上に第２
の金属クラッド層を取り付けることが必要なだけであ
る。
ック結晶スラブ装置のためにＩｎＰ又はＧａＡｓベース
の材料を利用する実施形態について、製造プロセスはい
くらか変形するようにする。これらの実施形態におい
て、クラッド層に対する有利な低屈折率の材料は、Ａｌ
２Ｏ３であり；かつＡｌ２Ｏ３／ＩｎＧａＡｓＰ／Ａｌ
２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３／ＧａＡｓ／Ａｌ２Ｏ３材料シス
テムにおいて、述べるべきいくつかの重要な相違があ
る。初めに図１７に示すように、犠牲層９０は、基板９
２上に堆積され、かつそれからクラッド層９４が、犠牲
層９０上に堆積される。このことは、誘電体コア層９６
内に形成されるＩｎＰ又はＧａＡｓ棒を傷付けることな
く、基板９２の後の除去を可能にする。典型的には、ヘ
テロ構造は、それぞれＩｎＰ又はＧａＡｓコア層の下に
ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ又はＡｌＧａＡｓクラッド層９４を
置いて堆積される。このクラッド層は、Ａｌ２Ｏ３クラ
ッド層を作り出す湿式酸化プロセスを介して酸化され
る。湿式酸化に続いて、試料は、全体的に図８に示すよ
うに処理される。とくに誘電体コア層９６は堆積され、
平面化された積み重ね層は、誘電体コア層９６から形成
され、酸化物及び金属クラッド層は、平面化された積み
重ね層の頂部に設けられ、かつ基板９２は、犠牲層９０
の除去によって取り除かれる。しかしながら図１７の実
施形態において、酸化物クラッド層９４はあらかじめ取
り付けられているので、酸化物クラッド層９４上に第２
の金属クラッド層を取り付けることが必要なだけであ
る。
【００３６】その代わりの手続きルートは、図１８乃至
図２４に示されている。この手続きにおいて、基板９２
上に犠牲層９０を堆積した後に、Ａｌ含有クラッド層１
０４が、犠牲層９０の上に堆積され、かつコア層１０６
は、クラッド層１０４上に堆積される。しかしその後、
図１８に示すように、上側のＡｌ含有クラッド層１０２
が、コア層１０６の頂部上に堆積される。それからフォ
トニック結晶構造は、パターン形成され、かつそれから
図１９に１０８で示すように、両方のクラッド層を通し
てエッチングされる。湿式酸化プロセスは、クラッド層
１０２及び１０４をそれぞれＡｌ２Ｏ３クラッド層１０
３及び１０５になるようにする。酸化に続いて、平面化
ステップは、平面化された積み重ね層１１０（図２０）
を設けるためにＳｉプロセスについて前に説明したよう
に達成される。残りの処理順序は、犠牲層９０及び基板
９２を取り除き、かつ金属クラッド層を取り付ける必要
があることだけを除いて、Ｓｉプロセスのものとほぼ同
一である。とくに金属積み重ね層１１２が取り付けられ
（図２１）、第２の基板１１４が取り付けられ（図２
２）、犠牲層９０及び底部基板９２が取り除かれ（図２
３）、かつ第２の金属フィルム層１１６が、図２４に示
すように平面化された積み重ね層１１０に取り付けられ
る（再び図２３の構造は、図２４に示された第２の金属
層１１６取り付ける前に、ひっくり返されていることに
注意する）。図２４に示された構造は、完成した２次元
フォトニック結晶スラブ装置を示しており、典型的には
２次元フォトニック結晶スラブ導波路装置を示してお
り、この装置は、上側及び下側クラッド層の間にサンド
イッチされた平面化された積み重ね層１１０からなりか
つ下側クラッド層が基板１１４に取り付けられたフォト
ニック結晶スラブを含む。上側クラッド層は、Ａｌ２Ｏ
３クラッド層１０５及び金属クラッド層１１６を含み、
かつ下側クラッド層は、Ａｌ２Ｏ３クラッド層１０３及
び金属クラッド層１１２を含んでいる。
図２４に示されている。この手続きにおいて、基板９２
上に犠牲層９０を堆積した後に、Ａｌ含有クラッド層１
０４が、犠牲層９０の上に堆積され、かつコア層１０６
は、クラッド層１０４上に堆積される。しかしその後、
図１８に示すように、上側のＡｌ含有クラッド層１０２
が、コア層１０６の頂部上に堆積される。それからフォ
トニック結晶構造は、パターン形成され、かつそれから
図１９に１０８で示すように、両方のクラッド層を通し
てエッチングされる。湿式酸化プロセスは、クラッド層
１０２及び１０４をそれぞれＡｌ２Ｏ３クラッド層１０
３及び１０５になるようにする。酸化に続いて、平面化
ステップは、平面化された積み重ね層１１０（図２０）
を設けるためにＳｉプロセスについて前に説明したよう
に達成される。残りの処理順序は、犠牲層９０及び基板
９２を取り除き、かつ金属クラッド層を取り付ける必要
があることだけを除いて、Ｓｉプロセスのものとほぼ同
一である。とくに金属積み重ね層１１２が取り付けられ
（図２１）、第２の基板１１４が取り付けられ（図２
２）、犠牲層９０及び底部基板９２が取り除かれ（図２
３）、かつ第２の金属フィルム層１１６が、図２４に示
すように平面化された積み重ね層１１０に取り付けられ
る（再び図２３の構造は、図２４に示された第２の金属
層１１６取り付ける前に、ひっくり返されていることに
注意する）。図２４に示された構造は、完成した２次元
フォトニック結晶スラブ装置を示しており、典型的には
２次元フォトニック結晶スラブ導波路装置を示してお
り、この装置は、上側及び下側クラッド層の間にサンド
イッチされた平面化された積み重ね層１１０からなりか
つ下側クラッド層が基板１１４に取り付けられたフォト
ニック結晶スラブを含む。上側クラッド層は、Ａｌ２Ｏ
３クラッド層１０５及び金属クラッド層１１６を含み、
かつ下側クラッド層は、Ａｌ２Ｏ３クラッド層１０３及
び金属クラッド層１１２を含んでいる。
【００３７】前記製造手続きは、図１乃至図４に示した
もののような２次元フォトニック結晶スラブ装置を製造
するために効果的に利用することができる。しかしなが
ら手続きは、クラッド層が金属又は誘電体のいずれか又
は両方の層を含む装置も含めてその他の２次元フォトニ
ック結晶スラブ装置を製造するためにも利用することが
できることは明らかである。加えて本発明による２次元
フォトニック結晶スラブ装置が、本発明の権利範囲から
外れることなく、ここに記載されたようなものとは相違
した手続きによって製造することもできることは明らか
である。
もののような２次元フォトニック結晶スラブ装置を製造
するために効果的に利用することができる。しかしなが
ら手続きは、クラッド層が金属又は誘電体のいずれか又
は両方の層を含む装置も含めてその他の２次元フォトニ
ック結晶スラブ装置を製造するためにも利用することが
できることは明らかである。加えて本発明による２次元
フォトニック結晶スラブ装置が、本発明の権利範囲から
外れることなく、ここに記載されたようなものとは相違
した手続きによって製造することもできることは明らか
である。
【００３８】説明したことは、本発明の現在有利な実施
形態を構成するが、一方本発明は、ここから外れること
なく、多くの方法において変形できることを認識された
い。したがって本発明は、特許請求の範囲の権利範囲に
よって必要とされるかぎりにおいてのみ制限されること
は明らかである。
形態を構成するが、一方本発明は、ここから外れること
なく、多くの方法において変形できることを認識された
い。したがって本発明は、特許請求の範囲の権利範囲に
よって必要とされるかぎりにおいてのみ制限されること
は明らかである。
【００３９】以上の好適実施形態に即して本発明を説明
すると、本発明は、２次元の周期的な格子を含むフォト
ニック結晶スラブ（２０，７０，１１０）を含み、該フ
ォトニック結晶スラブ（２０，７０，１１０）のための
上側及び下側クラッド層（２６，２８，８０，８２，７
４，７６，１０５，１１６，１０３，１１２）を含み、
前記上側及び下側クラッド層（２６，２８，８０，８
２，７４，７６，１０５，１１６，１０３，１１２）
が、それぞれ金属クラッド層（３０，３２，８２，７
６，１１６，１１２）を含むことを特徴とする、２次元
フォトニック結晶スラブ装置（１０，４０，５０）を提
供する。
すると、本発明は、２次元の周期的な格子を含むフォト
ニック結晶スラブ（２０，７０，１１０）を含み、該フ
ォトニック結晶スラブ（２０，７０，１１０）のための
上側及び下側クラッド層（２６，２８，８０，８２，７
４，７６，１０５，１１６，１０３，１１２）を含み、
前記上側及び下側クラッド層（２６，２８，８０，８
２，７４，７６，１０５，１１６，１０３，１１２）
が、それぞれ金属クラッド層（３０，３２，８２，７
６，１１６，１１２）を含むことを特徴とする、２次元
フォトニック結晶スラブ装置（１０，４０，５０）を提
供する。
【００４０】好ましくは、前記上側及び下側クラッド層
（２６，２８，８０，８２，７４，７６，１０５，１１
６，１０３，１１２）が、それぞれさらに前記フォトニ
ック結晶スラブ（２０，７０，１１０）とそれぞれ前記
上側及び下側クラッド層（２６，２８，８０，８２，７
４，７６，１０５，１１６，１０３，１１２）の前記金
属クラッド層（３０，３２，８２，７６，１１６，１１
２）との間に、誘電体クラッド層（３４，３６，８０，
７４，１０５，１０３）を含む。
（２６，２８，８０，８２，７４，７６，１０５，１１
６，１０３，１１２）が、それぞれさらに前記フォトニ
ック結晶スラブ（２０，７０，１１０）とそれぞれ前記
上側及び下側クラッド層（２６，２８，８０，８２，７
４，７６，１０５，１１６，１０３，１１２）の前記金
属クラッド層（３０，３２，８２，７６，１１６，１１
２）との間に、誘電体クラッド層（３４，３６，８０，
７４，１０５，１０３）を含む。
【００４１】好ましくは、前記装置（１０，４０，５
０）が、２次元フォトニック結晶スラブ導波路装置（４
０，５０）を含み、且つその際、前記フォトニック結晶
スラブ（２０，７０，１１０）の前記２次元の周期的な
格子が、ここに導波路（４２，５２）を定義するための
欠陥（４２，５２）の領域を含み、前記欠陥（４２，５
２）の領域が、まっすぐな導波路（４２）を定義するた
めの直線の欠陥（４２）、又は曲がった導波路（５２）
を定義するための曲線の欠陥（５２）を含む。
０）が、２次元フォトニック結晶スラブ導波路装置（４
０，５０）を含み、且つその際、前記フォトニック結晶
スラブ（２０，７０，１１０）の前記２次元の周期的な
格子が、ここに導波路（４２，５２）を定義するための
欠陥（４２，５２）の領域を含み、前記欠陥（４２，５
２）の領域が、まっすぐな導波路（４２）を定義するた
めの直線の欠陥（４２）、又は曲がった導波路（５２）
を定義するための曲線の欠陥（５２）を含む。
【００４２】更に、本発明は、第１の基板（６６，９
２）上に支持された誘電体スラブ（６２，９６，１０
６）を形成する工程と、２次元フォトニック結晶スラブ
（７０，１１０）を形成するために前記誘電体スラブ
（６２，９６，１０６）内に誘電体構造（６８，１０
８）の２次元アレイを形成する工程と、前記フォトニッ
ク結晶スラブ（７０，１１０）の第１及び第２の表面上
に第１及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７
６，１０５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程
とを含むことを特徴とする、２次元フォトニック結晶ス
ラブ装置の製造方法を提供する。
２）上に支持された誘電体スラブ（６２，９６，１０
６）を形成する工程と、２次元フォトニック結晶スラブ
（７０，１１０）を形成するために前記誘電体スラブ
（６２，９６，１０６）内に誘電体構造（６８，１０
８）の２次元アレイを形成する工程と、前記フォトニッ
ク結晶スラブ（７０，１１０）の第１及び第２の表面上
に第１及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７
６，１０５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程
とを含むことを特徴とする、２次元フォトニック結晶ス
ラブ装置の製造方法を提供する。
【００４３】好ましくは、前記誘電体平板（６２，９
６，１０６）における誘電体構造（６８，１０８）の２
次元アレイを形成する工程が、エッチングプロセスによ
る誘電体構造（６８，１０８）の２次元アレイを形成す
る工程を含む。
６，１０６）における誘電体構造（６８，１０８）の２
次元アレイを形成する工程が、エッチングプロセスによ
る誘電体構造（６８，１０８）の２次元アレイを形成す
る工程を含む。
【００４４】好ましくは、更に、前記誘電体構造（６
８，１０８）の間に平面化媒体（７２）を導入すること
によって前記フォトニック結晶スラブ（７０，１１０）
を平面化することを含む。
８，１０８）の間に平面化媒体（７２）を導入すること
によって前記フォトニック結晶スラブ（７０，１１０）
を平面化することを含む。
【００４５】好ましくは、前記フォトニック結晶スラブ
（７０，１１０）の第１及び第２の表面上における第１
及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７６，１０
５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程は、前記
フォトニック結晶スラブ（７０）の第１の表面に対する
前記第１のクラッド層（７４，７６）を供給する工程
と、前記第１のクラッド層（７４，７６）に対する第２
の基板（７８）の取り付けの工程と、前記第１の基板
（６６）を除去する工程と、前記フォトニック結晶スラ
ブ（７０）の前記第２の表面に対する前記第２のクラッ
ド層（８０，８２）を供給する工程とを含む。
（７０，１１０）の第１及び第２の表面上における第１
及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７６，１０
５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程は、前記
フォトニック結晶スラブ（７０）の第１の表面に対する
前記第１のクラッド層（７４，７６）を供給する工程
と、前記第１のクラッド層（７４，７６）に対する第２
の基板（７８）の取り付けの工程と、前記第１の基板
（６６）を除去する工程と、前記フォトニック結晶スラ
ブ（７０）の前記第２の表面に対する前記第２のクラッ
ド層（８０，８２）を供給する工程とを含む。
【００４６】好ましくは、前記フォトニック結晶スラブ
（７０，１１０）の第１及び第２の表面上における第１
及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７６，１０
５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程が、前記
フォトニック結晶スラブ（７０，１１０）に対する低屈
折率材料（８０，７４，１０５，１０３）の第１及び第
２のクラッド層の供給、及び低屈折率材料（８０，７
４，１０５，１０３）の前記第１及び第２のクラッド層
に対する第１及び第２の金属クラッド層（８２，７６，
１１６，１１２）を供給する工程を含む。
（７０，１１０）の第１及び第２の表面上における第１
及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７６，１０
５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程が、前記
フォトニック結晶スラブ（７０，１１０）に対する低屈
折率材料（８０，７４，１０５，１０３）の第１及び第
２のクラッド層の供給、及び低屈折率材料（８０，７
４，１０５，１０３）の前記第１及び第２のクラッド層
に対する第１及び第２の金属クラッド層（８２，７６，
１１６，１１２）を供給する工程を含む。
【００４７】好ましくは、前記フォトニック結晶スラブ
（７０，１１０）の第１及び第２の表面上における第１
及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７６，１０
５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程が、前記
誘電体平板（１０６）の第１及び第２の表面に対するク
ラッド層（１０２，１０４）の供給する工程と、その前
記第１及び第２の表面に第１及び第２の誘電体クラッド
層（１０３，１０５）を有する２次元フォトニック結晶
スラブ（１１０）を設けるために、前記クラッド材料
（１０２，１０４）上及び前記誘電体平板（１０６）上
におけるエッチングプロセスを行う工程とを含む。
（７０，１１０）の第１及び第２の表面上における第１
及び第２のクラッド層（８０，８２，７４，７６，１０
５，１１６，１０３，１１２）を形成する工程が、前記
誘電体平板（１０６）の第１及び第２の表面に対するク
ラッド層（１０２，１０４）の供給する工程と、その前
記第１及び第２の表面に第１及び第２の誘電体クラッド
層（１０３，１０５）を有する２次元フォトニック結晶
スラブ（１１０）を設けるために、前記クラッド材料
（１０２，１０４）上及び前記誘電体平板（１０６）上
におけるエッチングプロセスを行う工程とを含む。
【００４８】好ましくは、前記クラッド材料（１０２，
１０４）が、Ａｌ含有クラッド材料（１０２，１０４）
を含み、その際、前記方法が、更に前記Ａｌ含有クラッ
ド材料（１０２，１０４）を酸化する工程を含む。
１０４）が、Ａｌ含有クラッド材料（１０２，１０４）
を含み、その際、前記方法が、更に前記Ａｌ含有クラッ
ド材料（１０２，１０４）を酸化する工程を含む。
【図１】本発明の第１の実施形態による２次元フォトニ
ック結晶スラブ装置を示す概略的なｚ−ｘ平面図であ
る。
ック結晶スラブ装置を示す概略的なｚ−ｘ平面図であ
る。
【図２】図１のフォトニック結晶スラブ装置の周期的な
構造を示す概略的なｘ−ｙ断面図である。
構造を示す概略的なｘ−ｙ断面図である。
【図３】本発明の１つの実施形態によるまっすぐな導波
路を有するフォトニック結晶スラブ導波路装置を示す概
略的なｘｙ断面図である。
路を有するフォトニック結晶スラブ導波路装置を示す概
略的なｘｙ断面図である。
【図４】本発明の別の実施形態による曲がった導波路を
有するフォトニック結晶スラブ導波路装置を示す概略的
なｘｙ断面図である。
有するフォトニック結晶スラブ導波路装置を示す概略的
なｘｙ断面図である。
【図５】図１及び図２の２次元フォトニック結晶スラブ
装置に対するかつ図３の２次元フォトニック結晶スラブ
導波路装置に対するポインティングベクトルの大きさを
示す図である（周波数は、ｃ／ａ単位であり、ここにお
いてｃは光の速度であり、かつａは格子定数である）。
装置に対するかつ図３の２次元フォトニック結晶スラブ
導波路装置に対するポインティングベクトルの大きさを
示す図である（周波数は、ｃ／ａ単位であり、ここにお
いてｃは光の速度であり、かつａは格子定数である）。
【図６】図１及び図２の２次元フォトニック結晶スラブ
装置に対するかつ図４の２次元フォトニック結晶スラブ
導波路装置に対するポインティングベクトルの大きさを
示す図である（周波数は、ｃ／ａ単位である）。
装置に対するかつ図４の２次元フォトニック結晶スラブ
導波路装置に対するポインティングベクトルの大きさを
示す図である（周波数は、ｃ／ａ単位である）。
【図７】０．３２４ｃ／ａの周波数における図４の曲が
った導波路の構成に対するフィールドの分布を示す図で
ある。
った導波路の構成に対するフィールドの分布を示す図で
ある。
【図８】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベース
のフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図で
ある。
のフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図で
ある。
【図９】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベース
のフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図で
ある。
のフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図で
ある。
【図１０】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１１】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１２】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１３】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１４】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１５】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１６】本発明の別の実施形態による２次元Ｓｉベー
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
スのフォトニック結晶スラブ装置の製造方法を示す略図
である。
【図１７】本発明の代案実施形態によるＩｎＰ又はＧａ
Ａｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置の製造
方法を示す略図である。
Ａｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置の製造
方法を示す略図である。
【図１８】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
【図１９】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
【図２０】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
【図２１】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
【図２２】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
【図２３】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
【図２４】本発明のさらに別の実施形態によるＩｎＰ又
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
はＧａＡｓベースの２次元フォトニック結晶スラブ装置
の製造方法を示す略図である。
１０ ２次元フォトニック結晶スラブ装置 ２０ フォトニック結晶スラブ ２６ クラッド層 ２８ クラッド層 ３０ 金属クラッド層 ３２ 金属クラッド層 ３４ 誘電体クラッド層 ３６ 誘電体クラッド層 ４０ ２次元フォトニック結晶スラブ装置 ４２ 欠陥又は導波路 ５０ ２次元フォトニック結晶スラブ装置 ５２ 欠陥又は導波路 ６２ 誘電体平板 ６６ 基板 ６８ 誘電体構造 ７０ フォトニック結晶スラブ ７４ 誘電体クラッド層 ７６ 金属クラッド層 ８０ 誘電体クラッド層 ８２ 金属クラッド層 ９２ 基板 ９６ 誘電体平板 １０２ クラッド材料 １０３ 誘電体クラッド層 １０４ クラッド材料 １０５ 誘電体クラッド層 １０６ 誘電体平板 １０８ 誘電体構造 １１０ フォトニック結晶スラブ １１２ 金属クラッド層 １１６ 金属クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミハイル・エム・シガラス アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタク ララ サウス・ドライブ2411 (72)発明者 アネット・グロット アメリカ合衆国カリフォルニア州クパティ ーノ パークウッド・ドライブ10214 (72)発明者 ローラ・ダブリュウ・ミルカリミ アメリカ合衆国カリフォルニア州サノル キルケアー・ロード2155 (72)発明者 カート・フローリー アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス レイマンド・アベニュー744 Ｆターム(参考） 2H047 KA02 KA12 PA21 PA24 QA01 QA02 QA04
Claims (10)
- 【請求項１】２次元の周期的な格子を含むフォトニック
結晶スラブを含み、 該フォトニック結晶スラブのための上側及び下側クラッ
ド層を含み、前記上側及び下側クラッド層が、それぞれ
金属クラッド層を含むことを特徴とする、２次元フォト
ニック結晶スラブ装置。 - 【請求項２】前記上側及び下側クラッド層が、それぞれ
さらに前記フォトニック結晶スラブとそれぞれ前記上側
及び下側クラッド層の前記金属クラッド層との間に、誘
電体クラッド層を含むことを特徴とする、請求項１に記
載の２次元フォトニック結晶スラブ装置。 - 【請求項３】前記装置が、２次元フォトニック結晶スラ
ブ導波路装置を含み、且つその際、前記フォトニック結
晶スラブの前記２次元の周期的な格子が、ここに導波路
を定義するための欠陥の領域を含み、前記欠陥の領域
が、まっすぐな導波路を定義するための直線の欠陥、又
は曲がった導波路を定義するための曲線の欠陥を含むこ
とを特徴とする、請求項１に記載の２次元フォトニック
結晶スラブ装置。 - 【請求項４】第１の基板上に支持された誘電体スラブを
形成する工程と、 ２次元フォトニック結晶スラブを形成するために前記誘
電体スラブ内に誘電体構造の２次元アレイを形成する工
程と、 前記フォトニック結晶スラブの第１及び第２の表面上に
第１及び第２のクラッド層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする、２次元フォトニック結晶スラブ装置の製
造方法。 - 【請求項５】前記誘電体平板における誘電体構造の２次
元アレイを形成する工程が、エッチングプロセスによる
誘電体構造の２次元アレイを形成する工程を含むことを
特徴とする、請求項４に記載の製造方法。 - 【請求項６】更に、前記誘電体構造の間に平面化媒体を
導入することによって前記フォトニック結晶スラブを平
面化することを含むことを特徴とする、請求項４に記載
の方法。 - 【請求項７】前記フォトニック結晶スラブの第１及び第
２の表面上における第１及び第２のクラッド層を形成す
る工程は、 前記フォトニック結晶スラブの第１の表面に対する前記
第１のクラッド層を供給する工程と、 前記第１のクラッド層に対する第２の基板の取り付けの
工程と、 前記第１の基板を除去する工程と、 前記フォトニック結晶スラブの前記第２の表面に対する
前記第２のクラッド層を供給する工程とを含むことを特
徴とする、請求項４に記載の方法。 - 【請求項８】前記フォトニック結晶スラブの第１及び第
２の表面上における第１及び第２のクラッド層を形成す
る工程が、前記フォトニック結晶スラブに対する低屈折
率材料の第１及び第２のクラッド層を供給する工程と、
低屈折率材料の前記第１及び第２のクラッド層に対する
第１及び第２の金属クラッド層を供給する工程とを含む
ことを特徴とする、請求項４に記載の方法。 - 【請求項９】前記フォトニック結晶スラブの第１及び第
２の表面上における第１及び第２のクラッド層を形成す
る工程が、 前記誘電体平板の第１及び第２の表面に対するクラッド
層の供給する工程と、 その前記第１及び第２の表面に第１及び第２の誘電体ク
ラッド層を有する２次元フォトニック結晶スラブを設け
るために、前記クラッド材料上及び前記誘電体平板上に
おけるエッチングプロセスを行う工程とを含むことを特
徴とする、請求項４に記載の方法。 - 【請求項１０】前記クラッド材料が、Ａｌ含有クラッド
材料を含み、且つ、その際、前記方法が、更に前記Ａｌ
含有クラッド材料を酸化する工程を含むことを特徴とす
る、請求項９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/846,748 US6560006B2 (en) | 2001-04-30 | 2001-04-30 | Two-dimensional photonic crystal slab waveguide |
| US846748 | 2001-04-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002341164A true JP2002341164A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=25298831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002120533A Pending JP2002341164A (ja) | 2001-04-30 | 2002-04-23 | ２次元フォトニック結晶スラブ導波路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6560006B2 (ja) |
| EP (1) | EP1255135B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002341164A (ja) |
| DE (1) | DE60200849T2 (ja) |
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