JP2002339097A - 近表面をドープしたスズまたはスズ合金で被覆された金属製品 - Google Patents

近表面をドープしたスズまたはスズ合金で被覆された金属製品

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、金属製品にホイスカの発生しない
スズ被覆を施すこと。 【解決手段】 本発明によれば、スズ・ホイスカの成長
を抑止するために表面ドープしたスズまたはスズ合金層
で金属基板が被覆される。任意選択的に金属下地層を基
板とスズの間に配置してもよい。例示的な実施形態にお
いては、金属基板はニッケル下地層および金またはパラ
ジウムを表面ドープしたスズ層で被覆された銅合金を含
む。ドーピングはホイスカの成長を抑止し、結果として
の構造体は特に電気的コネクタまたはリード・フレーム
として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半田付け性および腐
食から保護するためにめっきされた金属製品に関する。
詳細には、スズ・ホイスカの成長を抑止するために表面
をドープしたスズまたはスズ合金層を含む仕上げを有す
る製品に関する。この表面仕上げは特に電気的コネクタ
および集積回路リード・フレームに有用である。
【０００２】
【従来の技術】高品質のコネクタは、大衆消費電子製
品、家電製品、コンピュータ、自動車、通信、ロボット
および軍事装置を含む種々の製品にとって重要性を増し
ている。コネクタは、１つの素子から他の素子へ電流を
流す電路を提供する。良質のコネクタは導電性が高く、
腐食抵抗性、磨耗抵抗性があり、半田付けが容易でかつ
安価でなければならない。
【０００３】残念ながら要望される全ての性質を満たす
単一の材料はない。銅およびその多くの合金は導電性は
高いが、一般的な雰囲気で腐食され易く、反応性のある
酸化物および硫化物を生成する。反応性腐食生成物はコ
ネクタの導電性および相互接続の信頼性を低下させる。
また、この腐食生成物は半田接合の形成および信頼性を
妨げ、他の電子素子へ移動して有害な影響を与える可能
性がある。
【０００４】スズの薄層が、銅の表面に腐食抵抗性およ
び半田付け性を提供するために適用されてきた。スズ
は、適用が容易で非毒性であり、腐食抵抗性を提供し、
かつ半田付け性に優れている。残念ながら、スズの被覆
はスズ"ホイスカ"と呼ばれる金属フィラメントが自然成
長しやすい。これらのホイスカは、低電圧装置の回路シ
ョート故障の原因であることが確認されている。さら
に、ホイスカの断片が脱離して装置のパッケージ内部に
集積することがあり、元の位置から離れた場所でショー
トを起こさせ，電気機械的な運転を妨げる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ホイスカ
の発生しないスズ被覆を施した金属製品を提供すること
は有益であろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、スズ・
ホイスカの成長を抑止するため、表面をドープしたスズ
またはスズ合金層で金属基板が被覆される。任意選択で
基板とスズの間に金属下地層を配置することもできる。
例示的な一実施例において、金属基板は、ニッケル下地
層および金またはパラジウムを表面ドープしたスズ層で
被覆した銅合金を含む。このドーピングはホイスカの成
長を抑止し、このように構成された構造体は特に電気コ
ネクタまたはリード・フレームとして有用である。
【０００７】本発明の利点、本質および種々の付加的な
特徴は、添付した図面と共に詳細を説明する例示的な実
施形態を考察することによって、より完全に明らかにな
るであろう。
【０００８】これらの図は本発明の概念を説明するため
のものであり、一定の縮尺ではないことを理解すべきで
ある。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は任意選択的な金属下地層１
２、およびホイスカの形成を抑止するために近表面をド
ープしたスズまたはスズ合金層１３を含む仕上げ１１で
被覆された金属基板１０の断面図である。近表面をドー
プしたスズまたはスズ合金層はドープ剤の少なくとも半
量を表面とその層の厚さの約１０％の間に有する。金属
基板は一般的に銅、銅合金、鉄または鉄合金など、通常
の雰囲気中で腐食される導電性金属である。任意選択的
な下地層は、ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金などの孔隙性の低い金属が有利である。こ
れは非晶質の合金が好ましい。銅または鉄を含む基板に
対してはリン≧約１０重量％のニッケル−リン合金であ
れば申し分ない。ニッケル−リン−タングステンまたは
コバルト−リンもまた使用できる。中間層１３は、スズ
−銅、スズ−ビスマス、スズ−銀、スズ−ニッケル、ス
ズ−亜鉛またはスズ−銅−銀など、ホイスカが成長しや
すいスズまたはスズ合金であることもできる。層１３は
ホイスカの成長を抑止するドープ剤で表面ドープされ
る。任意選択的な下地層１２は厚さを０〜５μｍの範囲
とすることができる。層１３の厚さは一般的に０．５〜
１０μｍの範囲である。
【００１０】層１３は熱またはイオン相互拡散によって
近表面をドープするのが有効である。ドープ剤の層はス
ズ層の上に電気めっき、ＰＶＤまたはＣＶＤによって析
出され、この被覆を加熱して層１３の近表面領域（一般
的に表面の最初の１００ｎｍ）にドープ剤を拡散させ
る。５０℃で数時間の拡散が効果的であった。このドー
ピングが内部応力（ホイスカ成長の駆動力）を緩和し、
拡散活性化エネルギーが高くなってスズ原子の質量移動
が妨げられるものと考えられている。近表面領域１４の
みを選択的にドーピングすることによって、半田付けさ
れる被覆に必要なスズまたはスズ合金層の物理的および
化学的性質を損なうことなく、ホイスカの成長を減少さ
せるに十分な程度、層１３の表面および近表面の性質が
変化するであろう。
【００１１】この方法をテストするために出願人は銅基
板に３μｍのスズの薄層をメッキした。サンプルの最初
の組に金を表面ドープし、第２の組にパラジウムを表面
ドープした。図４Ａおよび４Ｂは濃度プロファイルを示
す。見られるように、ＡｕおよびＰｄの大部分は表面の
最初の１００ｎｍ以内、Ｓｎ層の厚さの５％以下に観察
された。
【００１２】表面ドープしたＳｎ層を次いで５０℃の熱
エージングにかけた。６ヶ月の熱エージングの後、顕著
なホイスカの成長は観察されなかった。
【００１３】本発明による被覆された金属製品の製作を
説明する以下の特定の実施例を考察することによって、
本発明をより明白に理解することができよう。
【００１４】実施例１−電気的コネクタ 図２は被覆された金属の電気的コネクタを製作する工程
のブロック図である。ブロックＡに示された第１の工程
は金属基板を提供することである。基板は金属ブランク
の打ち抜きまたはエッチングによって所望の形状に形成
することができる。
【００１５】図３はコネクタ本体３１および嵌め合いピ
ン３２を備える電気的コネクタ３０用の基板を図示して
いる。コネクタ３１およびピン３２は銅−ニッケル−ス
ズ合金Ｎｏ．７２５（８８．２重量％の銅、９．５のニ
ッケル、２．３のスズ；ＡＳＴＭ規格Ｎｏ．Ｂ１２２）
などの高導電性金属から製作される。
【００１６】次の工程は任意選択的であるが、導電性基
板１０を非晶質ニッケル−リンなどの金属下地層１２で
被覆することである。下地層１２は厚さ０〜約５μｍと
することができる。これは非晶質構造を確実にするため
に、Ｐ含有量が約１０重量％以上の電着Ｎｉ−Ｐとする
ことができる。適切なＮｉ−Ｐ非晶質層は以下の浴組成
を用いて電着することができる。 硫酸ニッケル ＮｉＳＯ４６Ｈ２Ｏ １００〜３００ｇ／ｌ 塩化ニッケル ＮｉＣｌ２６Ｈ２Ｏ ４０〜６０ｇ／ｌ 亜リン酸 Ｈ３ＰＯ３ ４０〜１００ｇ／ｌ リン酸 Ｈ３ＰＯ４ ０〜５０ｇ／ｌ
【００１７】第３の工程ブロックＣはスズまたはスズ合
金の層１３を被覆することである。層１３の厚さは約
０．５μｍ以上、好ましくは約３μｍである。適切なス
ズ層は以下の浴を用いて電着することができる。 メタンスルホン酸スズ：４０〜８０ｇ／ｌ メタンスルホン酸： １００〜２００ｇ／ｌ 濡れ助剤３００（Ｈａｒｃｏｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓ）：５〜１５ｇ／ｌ 酸化防止剤Ｃ１（Ｓｐｅｃｔｒｕｍ Ｌａｂｏｒａｔｏ
ｒｙ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ）：１〜３ｇ／ｌ
【００１８】ブロックＤに示された次の工程は層１３を
表面ドープすることである。出願人は適切なドープ剤を
選択することによってスズ・ホイスカの成長を抑止する
ことを見出した。ドープ剤はパラジウム、金、ロジウ
ム、ルテニウム、白金などの貴金属であることができ
る。これはまた、銅、銀、またはビスマスであってもよ
い。
【００１９】実施例２−集積回路リード・フレーム 集積回路リード・フレームもまた図２に示されたプロセ
スで製作することができる。相違点は基板が異なり、ス
ズの被覆厚さをより厚く（例えば０．５〜１５μｍ）す
ることができることである。
【００２０】図５は集積回路（ＩＣ）用リード・フレー
ムの使用のため構成した、形成した基板５０を図示して
いる。基板５０はＩＣが搭載されるパドル５２およびＩ
Ｃが接合されるリード５３を含む。ダム・バー（ｄａｍ
ｂａｒ）５４はパッケージ前のリードを相互連結して
いる。集積回路が接合され、パッケージ材が仮想線５５
で示された範囲に積載された後、ダム・バー５４は切り
離される。
【００２１】リード・フレームの基板は合金Ｎ０．１５
１（９９．９重量％のＣｕ、０．１％のＺｒ）または合
金Ｎ０．１９４（９７．５重量％のＣｕ、２．３５％の
Ｆｅ、０．０３％のＰ、０．１２％のＺｎ）などの銅ま
たは銅合金であってもよい。合金Ｎｏ．４２（４２重量
％のＮｉ、５８％のＦｅ）などの他の導電性金属および
合金もまた使用できる。
【００２２】集積回路５６が基板に搭載および接合さ
れ、この基板は図２に示されたプロセスによって製作さ
れている。結果として表面ドープしたスズまたはスズ合
金を含む多層仕上げを含むＩＣリード・フレームとな
る。
【００２３】上述の実施形態は、本発明の原理を応用し
た、多くの可能な特定の実施形態のいくつかを例示して
いるに過ぎないことを理解すべきである。当業者であれ
ば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、多
数のおよび変形した他の構成を容易に案出することがで
きよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による被覆された金属製品の断面図であ
る。
【図２】図１の被覆された金属製品の製作に係わる工程
を示すブロック図である。
【図３】図２のプロセスを用いて電気コネクタを製作す
るための基板を示す。
【図４Ａ】一般的な表面ドーピングのプロファイルであ
る。
【図４Ｂ】一般的な表面ドーピングのプロファイルであ
る。
【図５】集積回路リード・フレームを製作する基板を示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョセフ エー．アビス アメリカ合衆国 07059 ニュージャーシ ィ，ワレン，ブルー ジェイ コート ４ (72)発明者 チョングラン ファン アメリカ合衆国 08807 ニュージャーシ ィ，ブリッジウォーター，シャール スト リート 10 (72)発明者 チェン クスユー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ，ニュー プロヴィデンス，オックスボ ウ ドライヴ 47 (72)発明者 ユン ザン アメリカ合衆国 07059 ニュージャーシ ィ，ワレン，ハードウッド コート ７ Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA07 AA21 AB03 BA01 BA02 BA09 BB10 BB13 CA01 DB01 GA14 GA16 5F067 DC11 DC16 DC20

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被覆された金属製品であって、金属基板
    を含み、前記基板が外表面と厚みとを有するスズまたは
    スズ合金の層で被覆され、前記層が層からのホイスカの
    成長を抑止するためにドープ剤で表面ドープされ、前記
    ドープ剤の少なくとも半量が表面と厚みの１０％の深さ
    の間に配置される金属製品。
  2. 【請求項２】 スズまたはスズ合金の前記層が、金、パ
    ラジウム、ロジウム、ルテニウム、白金、銅、銀、イリ
    ジウムまたはビスマスから選択されるドープ剤でドープ
    される請求項１に記載の製品。
  3. 【請求項３】 前記ドープ剤が主にスズまたはスズ合金
    の層の表面から１００ｎｍ以内に配置される請求項１に
    記載の製品。
  4. 【請求項４】 さらにニッケル、ニッケル合金、コバル
    トおよびコバルト合金のグループから選択される金属の
    下地層を含む請求項１に記載の製品。
  5. 【請求項５】 前記下地層がニッケル−リン、ニッケル
    −リン−タングステンおよびコバルト−リンのグループ
    から選択される請求項１に記載の製品。
  6. 【請求項６】 前記金属基板が銅、銅合金、鉄、鉄合
    金、ニッケルまたはニッケル合金を含む請求項１に記載
    の製品。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の被覆された金属製品を
    含む電気的コネクタ。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の被覆された金属製品を
    含む集積回路用リード・フレーム。
JP2002135188A 2001-05-11 2002-05-10 近表面をドープしたスズまたはスズ合金で被覆された金属製品 Pending JP2002339097A (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005002368A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Ishihara Chem Co Ltd ホイスカー防止用スズメッキ浴
JP2007070731A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属デュプレックスおよび方法
JP2008218317A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Hitachi Cable Ltd 配線用導体およびその製造方法
JP2008218318A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Hitachi Cable Ltd 配線用導体およびその製造方法
US7507605B2 (en) * 2004-12-30 2009-03-24 Texas Instruments Incorporated Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability
JP2012500493A (ja) * 2008-08-21 2012-01-05 アギア システムズ インコーポレーテッド Ｓｎ膜におけるウイスカの軽減
JP2013204102A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Yamaichi Electronics Co Ltd 電気接点の製造方法
JP2014222751A (ja) * 2014-05-07 2014-11-27 アギア システムズ エルエルシーＡｇｅｒｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ ＬＬＣ Ｓｎ膜におけるウイスカの軽減
JP2016056439A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接点材料の製造方法
JP2018120869A (ja) * 2012-11-30 2018-08-02 エレクトリック パワー リサーチ インスチテュート インコーポレイテッド 表面ドーピングによる電気的接触導電率の改善

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519261A (ja) * 2004-01-21 2007-07-12 エントン インコーポレイテッド 電子部品のスズ表面における半田付け性の保存及びウイスカ成長の阻止
US20050249968A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
US20050249969A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
KR101038491B1 (ko) * 2004-04-16 2011-06-01 삼성테크윈 주식회사 리드프레임 및 그 제조 방법
US20070007144A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-11 Schetty Robert A Iii Tin electrodeposits having properties or characteristics that minimize tin whisker growth
US7462926B2 (en) * 2005-12-01 2008-12-09 Asm Assembly Automation Ltd. Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom
US8404160B2 (en) 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
KR101735710B1 (ko) 2009-03-27 2017-05-15 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크. 광 및／또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층
US8422197B2 (en) 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure
WO2011099934A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-18 Agency For Science, Technology And Research A method of forming a bonded structure
US20120090880A1 (en) * 2010-10-19 2012-04-19 International Business Machines Corporation Mitigation and elimination of tin whiskers
JP6046406B2 (ja) 2011-07-26 2016-12-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 高温耐性銀コート基体
DE102011052792B4 (de) 2011-08-18 2014-05-22 HARTING Electronics GmbH Isolierkörper mit Schirmkreuz
US9598776B2 (en) 2012-07-09 2017-03-21 Pen Inc. Photosintering of micron-sized copper particles
DE102012213505A1 (de) * 2012-07-31 2014-02-06 Tyco Electronics Amp Gmbh Schicht für ein elektrisches Kontaktelement, Schichtsystem und Verfahren zur Herstellung einer Schicht
TWI496683B (zh) * 2013-06-14 2015-08-21 Univ Nat Taiwan Science Tech 可抑制錫鬚晶生長之非晶材料結構
US10633754B2 (en) 2013-07-05 2020-04-28 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with germanium
US10260159B2 (en) 2013-07-05 2019-04-16 The Boeing Company Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with gold
DE112015001594B4 (de) * 2014-04-03 2021-02-04 Autonetworks Technologies, Ltd. Anschlusspaar und Steckverbinderpaar, das das Anschlusspaar einschließt
US20170100916A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-13 Tyco Electronics Corporation Electronic Component and Process of Producing Electronic Component
WO2018148543A1 (en) 2017-02-10 2018-08-16 Porter Carl Edmund Apparatus and method for generating and capturing a transmission wave and apparatus and method for transmitting and receiving digital information
JP7121881B2 (ja) * 2017-08-08 2022-08-19 三菱マテリアル株式会社 銀皮膜付端子材及び銀皮膜付端子
US10453817B1 (en) 2018-06-18 2019-10-22 Texas Instruments Incorporated Zinc-cobalt barrier for interface in solder bond applications
CN110396708A (zh) * 2019-08-07 2019-11-01 东莞市合航精密科技有限公司 一种银组合镀层的耐腐蚀性镀层

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS642330A (en) * 1987-06-25 1989-01-06 Nippon Mining Co Ltd Film carrier and manufacture thereof
US5393573A (en) * 1991-07-16 1995-02-28 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of inhibiting tin whisker growth
US6110608A (en) * 1996-12-10 2000-08-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Lead material for electronic part, lead and semiconductor device using the same
DE19752329A1 (de) * 1997-11-26 1999-05-27 Stolberger Metallwerke Gmbh Verfahren zur Herstellung eines metallischen Verbundbands

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005002368A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Ishihara Chem Co Ltd ホイスカー防止用スズメッキ浴
US7507605B2 (en) * 2004-12-30 2009-03-24 Texas Instruments Incorporated Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability
US7872336B2 (en) 2004-12-30 2011-01-18 Texas Instruments Incorporated Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability
US8138026B2 (en) 2004-12-30 2012-03-20 Texas Instruments Incorporated Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability
JP2007070731A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属デュプレックスおよび方法
JP2008218317A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Hitachi Cable Ltd 配線用導体およびその製造方法
JP2008218318A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Hitachi Cable Ltd 配線用導体およびその製造方法
JP2012500493A (ja) * 2008-08-21 2012-01-05 アギア システムズ インコーポレーテッド Ｓｎ膜におけるウイスカの軽減
JP2013204102A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Yamaichi Electronics Co Ltd 電気接点の製造方法
JP2018120869A (ja) * 2012-11-30 2018-08-02 エレクトリック パワー リサーチ インスチテュート インコーポレイテッド 表面ドーピングによる電気的接触導電率の改善
JP2014222751A (ja) * 2014-05-07 2014-11-27 アギア システムズ エルエルシーＡｇｅｒｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ ＬＬＣ Ｓｎ膜におけるウイスカの軽減
JP2016056439A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接点材料の製造方法

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Publication number Publication date
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