JP2002335680A - 電力変換システム - Google Patents
電力変換システムInfo
- Publication number
- JP2002335680A JP2002335680A JP2001139070A JP2001139070A JP2002335680A JP 2002335680 A JP2002335680 A JP 2002335680A JP 2001139070 A JP2001139070 A JP 2001139070A JP 2001139070 A JP2001139070 A JP 2001139070A JP 2002335680 A JP2002335680 A JP 2002335680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- semiconductor
- power conversion
- self
- extinguishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/40—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc
- H02M5/42—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/44—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac
- H02M5/443—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M5/45—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
- H02M5/4505—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only having a rectifier with controlled elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
力変換装置の順変換容量や逆変換容量を異ならせること
ができ、様々な負荷に応じてより適切な半導体電力変換
装置を選定可能とすることのできる電力変換システムを
提供する。 【解決手段】 直流コンデンサと冷却片により冷却され
る複数のパワーデバイスから構成されて負荷に接続され
る出力端子を有する少なくとも複数の半導体電力変換装
置を有し、前記直流コンデンサを介して前記半導体電力
変換装置が並列に接続される電力変換システムにおい
て、前記各パワーデバイスは、自己消弧型半導体素子と
前記自己消弧型半導体素子に逆並列接続されるダイオー
ドとを構成要素として備え、前記各半導体電力変換装置
は全て同一の回路構成を有し、各々の半導体電力変換装
置を構成するパワーデバイスは、他の半導体電力変換装
置を構成するパワーデバイスとは異なる特性を有する。
Description
体素子を用いた半導体電力変換装置から構成される電力
変換システムに関するものである。
しては、ゲート電圧駆動型に区分される絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタ(いわゆるIGBT)や電子注入
促進型トランジスタ(いわゆるIEGT)、あるいはゲ
ート電流駆動型に区分されるゲート転流型ターンオフサ
イリスタ(いわゆるGCT)がある。これらの自己消弧
型半導体素子は逆並列接続されたダイオードとともに同
一パッケージに納められて逆導通機能を持たせた場合に
は、しばしば逆導通型パワーデバイスと呼ばれる。
anne「High Power(4.5kV,4kA turn-off)IEGT」に記載さ
れているように、IEGTチップとダイオードチップが
同一パッケージ内に複数個納められて、1つの逆導通型
パワーデバイスとして使用することができる。ここで記
載されたコレクタ電流1.5kAのIEGTは、1つの
パッケージに収納される全チップ数は42個であり、内
訳はIEGTチップが30個、ダイオードチップが12
個である。
「パワーエレクトロニクス用大容量IEGT」には、前
述したIEGTとはパッケージの外形寸法が異なるコレ
クタ電流750AのIEGTが記載されている。1つの
パッケージに収納される全チップ数は21個であり、内
訳はIEGTチップが15個、ダイオードチップが6個
である。これらはパッケージ内に収納される全チップ数
を変えることによってコレクタ電流を異ならせている。
IEGTを用いた半導体電力変換装置は、東芝レビュー
Vol.55, No.7,2000「IEGTを適用した産業用大容量
インバータ」において、定格容量8MVAの3レベルイ
ンバータが記載されている。
998「IGCT-a new emerging technology for high-powe
r, low-cost inverters」に記載されているように、同
一シリコンウェーハ上にGCT領域とダイオード領域が
形成されて1つのパッケージに納められた逆導通型パワ
ーデバイスが製品化されている。ここではパッケージの
外形寸法が異なる3つのGCTが記載されており、これ
らはパッケージ内に収納されるシリコンウェーハの面積
を変えることによって可制御オン電流を異ならせてい
る。
りも大きい半導体電力変換装置と順変換する電力が逆変
換する電力よりも小さい半導体電力変換装置とを直流コ
ンデンサを介して並列に接続された図15に示す電力変
換システムが、特開昭61−288780号公報に開示
されている。
変換であり、逆変換とは直流から交流への電力変換であ
ると定義する。図15において、24は単相コンバー
タ、25は3相インバータ、26は直流コンデンサ、2
7は単相交流電源、28は誘導電動機である。順変換す
る電力が逆変換する電力よりも大きい半導体電力変換装
置には、並列接続された2台の単相コンバータ24が適
用され、順変換する電力が逆変換する電力よりも小さい
半導体電力変換装置には、3相インバータ25が適用さ
れている。また、2台の単相コンバータ24と3相イン
バータ25は直流コンデンサ26を介して並列に接続さ
れ、単相コンバータ24の出力端子には単相交流電源2
7が接続されている。
ば電気車両を駆動するための誘導電動機28が接続され
ている。誘導電動機28を力行運転する場合には、2台
の単相コンバータ24は順変換運転され、3相インバー
タ25は逆変換運転される。この場合には、単相コンバ
ータ24は、誘導電動機28の駆動電力と全ての半導体
電力変換装置24、25の電力損失を単相交流電源27
から入力する必要がある。
には、3相インバータ25は順変換運転され、2台の単
相コンバータ24は逆変換運転される。力行運転におけ
る単相コンバータ24の順変換電力に比べて回生運転に
おける3相インバータ25の順変換電力は必ず小さくな
る。これは半導体電力変換装置24、25における電力
損失と誘導電動機28における電力損失が存在すること
と、誘導電動機28において力行電力は回生電力より小
さいことに起因する。
デバイスについて、ある同じ大きさのパッケージに収納
されている場合には、唯一つのコレクタ電流あるいは可
制御オン電流を持つものしか存在しなかった。例えばI
EGTでは全チップ数に対するIEGTチップ数とダイ
オードチップ数は決められており、またGCTではシリ
コンウェーハの総面積に対するGCT領域とダイオード
領域の占有率も決められていた。
面積を有するパッケージを持つ逆導通型パワーデバイス
を用いて構成する限り、唯一の順変換可能電力と逆変換
可能電力しか持ち得なかった。つまり、従来の逆導通型
パワーデバイスを用いて異なる順変換可能電力と逆変換
可能電力を備えた半導体電力変換装置を構成するために
は、電極面積が異なるパッケージに収納されてコレクタ
電流あるいは可制御オン電流が異なる逆導通型パワーデ
バイスを適用する必要があった。また、異なる冷却片を
用いて電極面積が異なる逆導通型パワーデバイスを冷却
しなければならなかったので、物理的に同じ構造を適用
して半導体電力変換装置を構成することができず、電力
変換システムのコストが増加する問題があった。
いた半導体電力変換装置により電動機を駆動する場合に
は、駆動可能な電動機の最大容量が低減される問題があ
る。ここで、同じ電極面積を有するパッケージを持つ逆
導通型パワーデバイスを用いた3相半導体電力変換装置
を直流コンデンサを介して2台並列に接続し、1台は交
流電源に接続され、他の1台は電動機に接続される構成
をもつ電動機の可変速駆動装置として用いられる電力変
換システムを引用しながら、この問題について詳述す
る。
が接続される半導体電力変換装置は、電動機に接続され
ている半導体電力変換装置が逆変換する電力と2台の半
導体電力変換装置の電力損失との総電力を交流電源から
順変換して供給する必要がある。この力行運転では、電
動機が接続されている半導体電力変換装置を構成する逆
導通型パワーデバイスにおける自己消弧型半導体素子と
ダイオードとの通流率をみると自己消弧型半導体素子の
通流率の方が大きくなり、交流電源が接続されている半
導体電力変換装置を構成する逆導通型パワーデバイスに
おける自己消弧型半導体素子とダイオードとの通流率を
みるとダイオードの通流率の方が大きくなる。
電力変換装置は順変換、即ちダイオード整流器に近い運
転状態に置かれることから類推できる。この電力変換シ
ステムによって駆動可能な電動機の容量は、交流電源に
接続されている半導体電力変換装置の装置容量の順変換
可能電力によって制限される。従って、従来の自己消弧
型半導体素子とダイオードの占有率が一つのパッケージ
に対して決まっている逆導通型パワーデバイスを用いた
場合には、可変速駆動可能な電動機容量が低減する問題
があった。
て、電動機に接続される半導体電力変換装置を3相構成
とし、交流電源に接続される半導体電力変換装置を単相
かつ並列多重とする回路構成の適用がある。この構成に
より、電動機に接続される半導体電力変換装置の逆変換
可能電力よりも交流電源に接続される半導体電力変換装
置の順変換可能電力を大きくできる。なぜなら、逆導通
型パワーデバイスの最低限必要な個数が、電動機に接続
される半導体電力変換装置については6個であり、交流
電源に接続される半導体電力変換装置については8個と
なるためである。
続される半導体電力変換装置に使用される逆導通型パワ
ーデバイスの個数が電動機に接続される半導体電力変換
装置に使用される逆導通型パワーデバイスの個数に比べ
て増加する問題があるばかりでなく、回路構成が異なる
半導体電力変換装置を用いなければならないために同じ
部品が適用できないことから、電力変換システムの製造
コストが増加する問題があった。
ためになされたもので、直流コンデンサに接続される複
数の半導体電力変換装置の順変換容量や逆変換容量を異
ならせることができ、様々な負荷に応じてより適切な半
導体電力変換装置を選定可能とするとともに、回路構成
を同一とすることにより電力変換システムの製品コスト
を低減することのできる電力変換システムを提供するこ
とを目的とする。
システムは、直流コンデンサと冷却片により冷却される
複数のパワーデバイスから構成されて負荷に接続される
出力端子を有する少なくとも複数の半導体電力変換装置
を有し、前記直流コンデンサを介して前記複数の半導体
電力変換装置が並列に接続される電力変換システムにお
いて、前記各パワーデバイスは、自己消弧型半導体素子
と前記自己消弧型半導体素子に逆並列接続されるダイオ
ードとを構成要素として備え、前記各半導体電力変換装
置は全て同一の回路構成を有し、前記直流コンデンサを
介して接続される各半導体電力変換装置のうち少なくと
も1つの半導体電力変換装置を構成するパワーデバイス
は、他の半導体電力変換装置を構成するパワーデバイス
とは異なる特性を有するものである。
れる各半導体電力変換装置のうち少なくとも1つの半導
体電力変換装置を構成するパワーデバイスは、他の半導
体電力変換装置を構成するパワーデバイスと少なくとも
電極面積が等しいパッケージに収納され、同一の電流を
流した場合に発生熱量が異なる特性を有するものであ
る。
れる各半導体電力変換装置のうち少なくとも1つの半導
体電力変換装置を構成するパワーデバイスの構成要素で
ある自己消弧型半導体素子と、前記自己消弧型半導体素
子に逆並列接続されるダイオードとの占有面積を総占有
面積とした場合の前記自己消弧型半導体素子の占有率
を、他の半導体電力変換装置における前記自己消弧型半
導体素子の占有率と異ならせたものである。
順変換する電力が逆変換する電力よりも大きい半導体電
力変換装置に適用されるパワーデバイスの前記自己消弧
型半導体素子の占有率が、逆変換する電力が順変換する
電力よりも大きい半導体電力変換装置に適用されるパワ
ーデバイスの前記自己消弧型半導体素子の占有率に比べ
て小さくしたものである。
前記自己消弧型半導体素子の占有率が小さいパワーデバ
イスから構成される半導体電力変換装置は交流電源に接
続し、前記自己消弧型半導体素子の占有率が大きいパワ
ーデバイスから構成される半導体電力変換装置は電動機
に接続したものである。
己消弧型半導体素子チップと複数のダイオードチップと
を構成要素とした総チップ数が同一なものとし、前記直
流コンデンサを介して接続される各半導体電力変換装置
のうち少なくとも1つの半導体電力変換装置を構成する
パワーデバイスの前記自己消弧型半導体素子チップと前
記ダイオードチップとの総チップ数に対する前記自己消
弧型半導体素子チップ数の占有率を、他の半導体電力変
換装置における前記自己消弧型半導体素子チップ数の占
有率と異ならせたものである。
を有する半導体ウェーハ上に自己消弧型半導体素子領域
と、ダイオード領域と、前記自己消弧型半導体素子領域
と前記ダイオード領域とを分離する分離帯と、ゲート領
域とを有しており、前記直流コンデンサを介して接続さ
れる各半導体電力変換装置のうち少なくとも1つの半導
体電力変換装置を構成するパワーデバイスの前記自己消
弧型半導体素子領域と前記ダイオード領域との総占有面
積に対する前記自己消弧型半導体素子領域の占有率と、
他の半導体電力変換装置における前記自己消弧型半導体
素子領域の占有率とを異ならせたものである。
導体素子チップは、絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タ、または電子注入促進型トランジスタとしたものであ
る。
導体素子領域は、ゲート転流型ターンオフサイリスタと
したものである。
ップは、シリコンカーバイトダイオードチップとしたも
のである。
換装置を構成するパワーデバイスは、少なくとも同一外
形を有する冷却片により冷却されるものである。
施の形態1に係る電力変換システムを示す構成図であ
る。図1において、1は図示しない交流電源に接続され
る半導体電力変換装置、2は図示しない電動機に接続さ
れる半導体電力変換装置、3は半導体電力変換装置1と
半導体電力変換装置2を並列接続するための直流コンデ
ンサ、4は交流電源に接続される端子、5は電動機に接
続される端子である。
通型パワーデバイス、7は自己消弧型半導体素子の一例
としてのIEGT、8はダイオードであって、IEGT
7に逆並列にダイオード8が接続されている。半導体電
力変換装置2について、9は逆導通型パワーデバイス、
10は自己消弧型半導体素子の一例としてのIEGT、
11はダイオードであって、IEGT10に逆並列にダ
イオード11が接続されている。
ージ内部のチップ配列を、図3は逆導通型パワーデバイ
ス9のパッケージ内部のチップ配列を示した図である。
逆導通型パワーデバイス6についてはIEGTのチップ
7の数を26個、ダイオードチップ8の数を16個と
し、全チップ数を42個とする。また逆導通型パワーデ
バイス9については、IEGTのチップ10の数を30
個、ダイオードチップ11の数を12個とし、全チップ
数を逆導通型パワーデバイス6と同じ42個とする。全
チップ数を同一とすることによって、逆導通型パワーデ
バイス6と逆導通型パワーデバイス9は電極面積が等し
いパッケージに収納することができる。
の導通電流に対するスイッチング損失特性とオン電圧特
性を示す。図6、図7には逆導通型パワーデバイス6に
用いられている個々のチップ特性から導き出される逆導
通型パワーデバイス9の導通電流に対するスイッチング
損失特性とオン電圧特性を示す。図中、EoffはIE
GTのターンオフ損失、EonはIEGTのターンオン
損失、Erecはダイオードの逆回復損失である。ま
た、If−VfはIEGTのオン電圧特性であり、Ir
−Vrはダイオードのオン電圧特性である。例えば、順
方向電流が1500Aの場合、逆導通型パワーデバイス
6は4.9V(図5.If−Vf参照)、逆導通型パワ
ーデバイス9は4.5V(図7.If−Vf参照)のO
N電圧を示す。また、逆方向電流が1500Aの場合、
逆導通型パワーデバイス6は3.6V(図5.Ir−V
r参照)、逆導通型パワーデバイス9は4.2V(図
7.Ir−Vr参照)のON電圧を示す。特に、図5と
図7に顕著に示されているような異なったオン電圧を持
たせることによって、同じ電流を逆導通型パワーデバイ
ス6と逆導通型パワーデバイス9に流した場合には、発
生熱量を異ならせることができる。
をヒートシンクなどの冷却片を用いて水冷冷却する場合
を仮定し、逆導通型パワーデバイス6,10の接合温度
の冷却水の温度からの上昇温度に対する半導体電力変換
装置1,2の順変換可能電力と逆変換可能電力の計算結
果をグラフで図示している。計算条件としては、直流電
圧2.7kV、交流電圧3.3kVrms、スイッチン
グ周波数250Hzを使用した。
場合において、逆導通型パワーデバイス6から構成され
る半導体電力変換装置1の順変換可能電力の最大値は6
MVA程度であり、逆変換可能電力の最大値は5MVA
程度である。一方、逆導通型パワーデバイス9から構成
される半導体電力変換装置2の順変換可能電力の最大値
は4.5MVA程度であり、逆変換可能電力の最大値は
5.5MVA程度となる。
変換装置1は順変換動作、半導体電力変換装置2は逆変
換動作となる。図8から理解できることは、力行運転の
場合には半導体電力変換装置1の順変換可能電力の最大
値6MVAは、半導体電力変換装置2の逆変換可能電力
の最大値5.5MVAを越えることができるということ
である。従来のように、例えば逆導通パワーデバイス9
のみを用いて半導体電力変換装置1および2を構成した
場合には、順変換可能電力の最大値は4.5MVAとな
り、逆変換可能電力の最大値5.5MVAを超えること
ができない。
能電力の最大値4.5MVAによって逆変換電力容量が
抑えられる。たとえ半導体電力変換装置2の逆変換可能
電力の最大値が5.5MVA程度あったとしても、その
特性を十分に活かすことができない。つまり、可変速駆
動可能な電動機の容量が低減されることになる。
はいるが、自己消弧型半導体素子7とダイオード8の総
面積に対する自己消弧型半導体素子7の占有率を、自己
消弧型半導体素子10とダイオード11の総面積に対す
る自己消弧型半導体素子10の占有率を異ならせた逆導
通型パワーデバイスを使用して、交流電源に接続されて
逆変換電力容量が必要な半導体電力変換装置1には自己
消弧型半導体素子7の占有率が低い逆導通型パワーデバ
イス6を適用し、電動機に接続されて逆変換電力容量が
必要な半導体電力変換装置2には自己消弧型半導体素子
10の占有率が高い逆導通型パワーデバイス9を適用す
ることによって、より大きな電動機を駆動することがで
きる。
度を制動すると電動機に交流逆起電力が生じ、回生電力
が半導体電力変換装置2に入力される。この回生電力
は、通常、電動機の力行運転に必要な電力よりも小さ
い。従って、図8において半導体電力変換装置2の順変
換可能電力の最大値4.5MVAが、半導体電力変換装
置1の逆変換可能電力の最大値5MVAより小さいけれ
ども実用上の問題は生じない。
の形態1に係る電力変換システムにおける半導体電力変
換装置1の逆導通型パワーデバイスの自己消弧型半導体
素子領域とダイオード領域との総占有面積に対する前記
自己消弧型半導体素子領域の占有率と、他の半導体電力
変換装置2の逆導通型パワーデバイスにおける前記自己
消弧型半導体素子領域の占有率とを異ならせた電力変換
システムの構成図である。図9において、半導体電力変
換装置1について、12は逆導通型パワーデバイス、1
3は自己消弧型半導体素子としてのGCT、14はダイ
オードであって、GCT13に逆並列にダイオード14
が接続されている。半導体電力変換装置2について、1
5は逆導通型パワーデバイス、16は自己消弧型半導体
素子としてのGCT、17はダイオードであって、GC
T16に逆並列にダイオード17が接続されている。
ッケージ内部のウェーハを、図11は逆導通型パワーデ
バイス15のパッケージ内部のウェーハを示した図であ
る。図において、18はゲート領域、19はGCT領域
とダイオード領域との分離帯である。逆導通型パワーデ
バイス12については、例えばGCT領域13を70
%、ダイオード領域14を30%とし、逆導通型パワー
デバイス15については、GCT領域16を60%、ダ
イオード領域17を40%としている。ウェーハの総面
積を同一とすることによって、逆導通型パワーデバイス
12と逆導通型パワーデバイス15を電極面積が等しい
パッケージに収納することができる。
類推できるように、図10と図11に示す逆導通型パワ
ーデバイス12,15は同一パッケージに収納されては
いるが、異なるスイッチング損失特性とオン電圧特性を
示すことができる。このように異なる特性を持たせるこ
とによって、同じ電流を逆導通型パワーデバイス12と
逆導通型パワーデバイス15に流した場合には、発生熱
量を異ならせることができる。
はいるが、自己消弧型半導体素子13とダイオード14
の総面積に対する自己消弧型半導体素子13の占有率
を、自己消弧型半導体素子16とダイオード17の総面
積に対する自己消弧型半導体素子16の占有率と異なら
せた逆導通型パワーデバイスを適用して、交流電源に接
続されて逆変換電力容量が必要な半導体電力変換装置1
には自己消弧型半導体素子13の占有率が低い逆導通型
パワーデバイス12を適用し、例えば電動機に接続され
て逆変換電力容量が必要な半導体電力変換装置2には自
己消弧型半導体素子16の占有率が高い逆導通型パワー
デバイス15を適用することによって、より大きな電動
機を駆動することができる。
では、図2,図3にゲート電圧駆動型の逆導通型パワー
デバイスの一例としてIEGTを、また図10,図11
にゲート電流駆動型の逆導通型パワーデバイスの一例と
してGCTを示すことによって本発明を説明した。ま
た、説明の便宜上から具体的なIEGTチップやダイオ
ードチップの個数やGCT領域やダイオード領域の面積
などについて定量的数値を用いたが、本発明はこれら説
明の中で用いた数値に限定されるものではない。
特性自体が異なれば、チップ数や面積などの変更が当然
のことながら必要となる。また、電極の形状が円ではな
く正方形などの別の形状であっても、同じ電極面積を持
つパッケージに収められて、同一の電流を流した場合に
発生熱量が異なる逆導通型パワーデバイスを用いて半導
体電力変換装置を構成することによって、本発明の目的
を達成することができる。更に、モジュール型IGBT
についても、複数のIGBTチップとダイオードチップ
を備えていることから、本発明を適用することには何ら
問題がないし、同等の効果が得られることは言うまでも
ない。
ように、半導体電力変換装置1および2に適用するパワ
ーデバイス6および9の許容接合温度を等しく設計する
ことにより、半導体電力変換装置1および2に電極面積
が等しいパッケージに収納されてはいるが、同一の電流
を流した場合に発生熱量が異なる逆導通型パワーデバイ
スを使用した場合に、同じ冷却片(ヒートシンク)を用
いることが可能となる。
ステムの具体的な外観構成を示しており、図において、
20は加圧用構造体、21は冷却片である。逆導通型パ
ワーデバイス6は冷却片21により冷却される。逆導通
型パワーデバイス6は逆導通型パワーデバイス9と同じ
電極面積を持つことから、それらは単純に置換すること
ができる。全く同一の冷却片21を用いることができる
ことから、例えば図1の半導体電力変換装置1,2を、
順逆変換容量を異ならせても全く同じ部品を使うことが
できる共用可能な構造によって実現することができる。
路、スナバ回路などの周辺回路は省略している。
2台の半導体電力変換装置1,2が並列接続された電力
変換システムを示したが、更なる大容量化の要求に応え
るためには、その並列接続数を増加することが考えられ
る。図13には限流リアクトル22を介して2台の半導
体電力変換装置1,2を並列に接続し、直流コンデンサ
3には合計4台の半導体電力変換装置1,2が並列に接
続された電力変換システムを示している。半導体電力変
換装置1,2の並列接続数は必要な電力容量に応じて増
減が可能である。このような場合においても、例えば実
施の形態1または2において説明した本発明から得られ
る効果は同等である。
に、本実施の形態1〜4における逆導通型パワーデバイ
スについて、現時点ではダイオードチップ7,10に
は、シリコンダイオードが用いられるのが一般的であ
る。しかしながら、ダイオードチップ7,10を特にシ
リコンカーバイドダイオードを用いることによって、低
損失化を図ることができる。このシリコンカーバイドダ
イオードの低損失特性を活かすことによって、ダイオー
ドチップ数の低減が可能となる。つまり、自己消弧型半
導体素子チップ7,10の総チップ数に対する占有率
を、現状のシリコンダイオードを用いている場合よりも
大きく異ならせることができる。従って、より容量の大
きな電動機を駆動することができるという本発明の効果
をより顕著なものとすることができる。
施の形態3では、半導体電力変換装置1,2を各相の出
力端子4,5に直流電源の2レベルを出力できる2レベ
ル電力変換装置を用いた。これは最も普及している回路
構成を用いることによって発明の普遍性を示すという意
図によるものである。つまり半導体電力変換装置1,2
の回路構成は2レベル電力変換装置に限定される必要は
なく、例えば図14に示す各相の出力端子4に直流電源
の3レベルを出力できる3レベル電力変換装置にも適用
できる。この場合には、各相に2つのクランプダイオー
ド23が追加的に必要となり、直流コンデンサ3は分割
されて3つのレベルの電位を形成する。
導通型パワーデバイスの直列接続が適用されたものなど
にも広く適用することが可能である。即ち、本発明は半
導体電力変換装置1、2の回路構成を特に限定するもの
では決してない。
システムによれば、各パワーデバイスは、自己消弧型半
導体素子と前記自己消弧型半導体素子に逆並列接続され
るダイオードとを構成要素として備え、前記各半導体電
力変換装置は全て同一の回路構成を有し、各々の半導体
電力変換装置を構成するパワーデバイスは、他の半導体
電力変換装置を構成するパワーデバイスとは異なる特性
を有する構成したので、直流コンデンサに接続される複
数の半導体電力変換装置の順変換容量や逆変換容量を異
ならせることができる。従って、様々な負荷に応じてよ
り適切な半導体電力変換装置を選定可能となるととも
に、回路構成を同一とすることにより電力変換システム
の製品コストが低減できる。
ージに収納されてはいるが、同一の電流を流した場合に
発生熱量が異なるパワーデバイスにより半導体電力変換
装置を構成したので、同一のパッケージに収納されたパ
ワーデバイスを適用しながら直流コンデンサに接続され
る複数の半導体電力変換装置の順変換容量や逆変換容量
を異ならせることができる。従って、様々な負荷に応じ
てより適切な半導体電力変換装置を選定可能となるとと
もに、パワーデバイスのパッケージを同一とすることに
より半導体電力変換装置の、ひいては電力変換システム
の製品コストが低減できる。
パワーデバイスの構成要素である自己消弧型半導体素子
と、前記自己消弧型半導体素子に逆並列接続されるダイ
オードとの占有面積を総占有面積とした場合の前記自己
消弧型半導体素子の占有率を、他の半導体電力変換装置
における前記自己消弧型半導体素子の占有率と異ならせ
たことにより、スイッチング特性やオン電圧特性を異な
らせるが同一パッケージに収められるパワーデバイスを
用いて半導体電力変換装置を構成したので、直流コンデ
ンサに接続される複数の半導体電力変換装置の順変換容
量や逆変換容量を異ならせることができる。従って、様
々な負荷に応じてより適切な半導体電力変換装置を選定
可能となるとともに、パワーデバイスのパッケージを同
一とすることにより半導体電力変換装置の、ひいては電
力変換システムの製品コストが低減できる。
きいパワーデバイスを用いて、順変換される電力が逆変
換される電力よりも大きくなる半導体電力変換装置を構
成するので、電力変換システムの駆動可能な負荷とし
て、例えば、電動機を大容量化することができる。
と複数のダイオードチップから構成されており、自己消
弧型半導体素子チップの総チップ数に対する占有率を異
ならせたパワーデバイスを用いて半導体電力変換装置を
構成したので、直流コンデンサに接続される複数の半導
体電力変換装置の順変換容量や逆変換容量を異ならせる
ことができる。従って、様々な負荷に応じてより適切な
半導体電力変換装置を選定可能となる。また、チップ自
体は同じ特性を有するものを適用することにより、半導
体電力変換装置ひいては電力変換システムの製品コスト
を低減できる。
半導体素子領域とダイオード領域と自己消弧型半導体素
子領域とダイオード領域との分離帯とゲート領域を形成
し、自己消弧型半導体素子領域の総有効面積に対する占
有率を異ならせたパワーデバイスを用いて半導体電力変
換装置を構成したので、直流コンデンサに接続される複
数の半導体電力変換装置の順変換容量や逆変換容量を異
ならせるごとができる。従って、様々な負荷に応じてよ
り適切な半導体電力変換装置を選定可能となる。
ンジスタチップまたは電子注入促進型トランジスタチッ
プと複数のダイオードチップから構成されており、絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタチップまたは電子注入
促進型トランジスタチップの総チップ数に対する占有率
を異ならせたパワーデバイスを用いて半導体電力変換装
置を構成したので、直流コンデンサに接続される複数の
半導体電力変換装置の順変換容量や逆変換容量を異なら
せることができる。従って、様々な負荷に応じてより適
切な半導体電力変換装置を選定可能となる。また、チッ
プ自体は同じ特性をもつものを適用することにより半導
体電力変換装置の、ひいては電力変換システムの製品コ
ストを低減できる。
転流型ターンオフサイリスタ領域とダイオード領域の総
有効面積に対するゲート転流型ターンオフサイリスタ領
域の占有率を異ならせたパワーデバイスを用いて半導体
電力変換装置を構成したので、直流コンデンサに接続さ
れる複数の半導体電力変換装置の順変換容量や逆変換容
量を異ならせることができる。従って、様々な負荷に応
じてより適切な半導体電力変換装置を選定可能となる。
ンジスタチップまたは電子注入促進型トランジスタチッ
プと複数のシリコンカーバイドダイオードチップから構
成されたパワーデバイスを用いて半導体電力変換装置を
構成したので、半導体電力変換装置を、ひいては電力変
換システムを低損失化できる。
のパワーデバイスを同じ冷却片(ヒートシンク)によっ
て冷却したので、同じ構成部品を用いて順変換容量や逆
変換容量が異なる半導体電力変換装置を製造可能とな
る。従って、半導体電力変換装置の、ひいては電力変換
システムの製品コストを低減できる。
ムの回路図である。
デバイスを示す図である。
デバイスを示す図である。
デバイスの特性を示す図である。
デバイスの特性を示す図である。
デバイスの特性を示す図である。
デバイスの特性を示す図である。
装置の順逆変換電力容量を示す図である。
ムの回路図である。
ーデバイスを示す図である。
ーデバイスを示す図である。
組込んだスタック構造を示す図である。
テムの回路図である。
変換装置を用いた電力変換システムの回路図である。
直流コンデンサ、4出力端子、5 出力端子、6 逆
導通型パワーデバイス、7 自己消弧型半導体素子、8
ダイオード、9 逆導通型パワーデバイス、10 自
己消弧型半導体素子、11 ダイオード、12 逆導通
型パワーデバイス、13 GCT領域、14 ダイオー
ド領域、15 逆導通型パワーデバイス、16 GCT
領域、17 ダイオード領域、18 ゲート領域、19
分離体、20 加圧用構造体、21 冷却片、22
限流リアクトル、23 クランプダイオード、24 単
相コンバータ、25 3相コンバータ、26 直流コン
デンサ、27 単相交流電源、28 誘導電動機。
Claims (11)
- 【請求項1】 直流コンデンサと冷却片により冷却され
る複数のパワーデバイスから構成されて負荷に接続され
る出力端子を有する少なくとも複数の半導体電力変換装
置を有し、前記直流コンデンサを介して前記複数の半導
体電力変換装置が並列に接続される電力変換システムに
おいて、 前記各パワーデバイスは、自己消弧型半導体素子と前記
自己消弧型半導体素子に逆並列接続されるダイオードと
を構成要素として備え、 前記各半導体電力変換装置は全て同一の回路構成を有
し、前記直流コンデンサを介して接続される各半導体電
力変換装置のうち少なくとも1つの半導体電力変換装置
を構成するパワーデバイスは、他の半導体電力変換装置
を構成するパワーデバイスとは異なる特性を有すること
を特徴とする電力変換システム。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電力変換システムにお
いて、 前記直流コンデンサを介して接続される各半導体電力変
換装置のうち少なくとも1つの半導体電力変換装置を構
成するパワーデバイスは、他の半導体電力変換装置を構
成するパワーデバイスと少なくとも電極面積が等しいパ
ッケージに収納され、同一の電流を流した場合に発生熱
量が異なる特性を有することを特徴とする電力変換シス
テム。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の電力変換シス
テムにおいて、 前記直流コンデンサを介して接続される各半導体電力変
換装置のうち少なくとも1つの半導体電力変換装置を構
成するパワーデバイスの構成要素である自己消弧型半導
体素子と、前記自己消弧型半導体素子に逆並列接続され
るダイオードとの占有面積を総占有面積とした場合の前
記自己消弧型半導体素子の占有率を、他の半導体電力変
換装置における前記自己消弧型半導体素子の占有率と異
ならせたことを特徴とする電力変換システム。 - 【請求項4】 請求項3に記載の電力変換システムにお
いて、 前記各半導体電力変換装置のうち、順変換する電力が逆
変換する電力よりも大きい半導体電力変換装置に適用さ
れるパワーデバイスの前記自己消弧型半導体素子の占有
率が、逆変換する電力が順変換する電力よりも大きい半
導体電力変換装置に適用されるパワーデバイスの前記自
己消弧型半導体素子の占有率に比べて小さくしたことを
特徴とする電力変換システム。 - 【請求項5】 請求項3に記載の電力変換システムにお
いて、 前記各半導体電力変換装置のうち、前記自己消弧型半導
体素子の占有率が小さいパワーデバイスから構成される
半導体電力変換装置は交流電源に接続し、 前記自己消弧型半導体素子の占有率が大きいパワーデバ
イスから構成される半導体電力変換装置は電動機に接続
したことを特徴とする電力変換システム。 - 【請求項6】 請求項3ないし5のいずれかに記載の電
力変換システムにおいて、 前記各パワーデバイスは、複数の自己消弧型半導体素子
チップと複数のダイオードチップとを構成要素とした総
チップ数が同一なものとし、 前記直流コンデンサを介して接続される各半導体電力変
換装置のうち少なくとも1つの半導体電力変換装置を構
成するパワーデバイスの前記自己消弧型半導体素子チッ
プと前記ダイオードチップとの総チップ数に対する前記
自己消弧型半導体素子チップ数の占有率を、他の半導体
電力変換装置における前記自己消弧型半導体素子チップ
数の占有率と異ならせたことを特徴とする電力変換シス
テム。 - 【請求項7】 請求項3ないし5のいずれかに記載の電
力変換システムにおいて、 前記各パワーデバイスは、同一面積を有する半導体ウェ
ーハ上に自己消弧型半導体素子領域と、ダイオード領域
と、前記自己消弧型半導体素子領域と前記ダイオード領
域とを分離する分離帯と、ゲート領域とを有しており、 前記直流コンデンサを介して接続される各半導体電力変
換装置のうち少なくとも1つの半導体電力変換装置を構
成するパワーデバイスの前記自己消弧型半導体素子領域
と前記ダイオード領域との総占有面積に対する前記自己
消弧型半導体素子領域の占有率と、他の半導体電力変換
装置における前記自己消弧型半導体素子領域の占有率と
を異ならせたことを特徴とする電力変換システム。 - 【請求項8】 請求項6に記載の半導体電力変換装置に
おいて、 前記パワーデバイスの自己消弧型半導体素子チップは、
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、または電子注入
促進型トランジスタとしたことを特徴とする電力変換シ
ステム。 - 【請求項9】 請求項7に記載の電力変換システムにお
いて、 前記パワーデバイスの自己消弧型半導体素子領域は、ゲ
ート転流型ターンオフサイリスタとしたことを特徴とす
る電力変換システム。 - 【請求項10】 請求項6に記載の電力変換システムに
おいて、 前記パワーデバイスのダイオードチップは、シリコンカ
ーバイトダイオードチップとしたことを特徴とする電力
変換システム。 - 【請求項11】 請求項1に記載の電力変換システムに
おいて、 前記少なくとも複数の半導体電力変換装置を構成するパ
ワーデバイスは、少なくとも同一外形を有する冷却片に
より冷却されることを特徴とする電力変換システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001139070A JP3621659B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 電力変換システム |
US09/988,248 US6654260B2 (en) | 2001-05-09 | 2001-11-19 | Asymmetrical power converting apparatus employing self-arc-suppressing switches |
CH02293/01A CH693195A5 (fr) | 2001-05-09 | 2001-12-14 | Dispositif convertisseur de puissance. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001139070A JP3621659B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 電力変換システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002335680A true JP2002335680A (ja) | 2002-11-22 |
JP3621659B2 JP3621659B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=18985909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001139070A Expired - Fee Related JP3621659B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 電力変換システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6654260B2 (ja) |
JP (1) | JP3621659B2 (ja) |
CH (1) | CH693195A5 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011125784A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 株式会社 東芝 | 電気車制御装置 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7050311B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-05-23 | Electric Power Research Institute, Inc. | Multilevel converter based intelligent universal transformer |
US20070223258A1 (en) * | 2003-11-25 | 2007-09-27 | Jih-Sheng Lai | Multilevel converters for intelligent high-voltage transformers |
US20070230226A1 (en) * | 2003-11-25 | 2007-10-04 | Jih-Sheng Lai | Multilevel intelligent universal auto-transformer |
US6954366B2 (en) * | 2003-11-25 | 2005-10-11 | Electric Power Research Institute | Multifunction hybrid intelligent universal transformer |
JP4339757B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2009-10-07 | 株式会社日立製作所 | 車両用駆動発電システム |
US7429855B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Hamilton Sundstrand Corporation | Regenerative load bank with a motor drive |
US7619906B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-11-17 | York International Corporation | System for precharging a DC link in a variable speed drive |
US7555912B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-07-07 | York International Corporation | System for precharging a DC link in a variable speed drive |
DE102005012371A1 (de) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Siemens Ag | Zwölfpuls-Hochspannungsgleichstromübertagung |
GB2439035B (en) * | 2005-04-15 | 2008-10-22 | Yaskawa Denki Seisakusho Kk | Matrix converter apparatus |
FR2915034B1 (fr) * | 2007-04-12 | 2009-06-05 | Schneider Toshiba Inverter | Methode et systeme de gestion de la temperature dans un variateur de vitesse |
CN109166833B (zh) * | 2010-01-15 | 2022-04-08 | 三菱电机株式会社 | 电力用半导体模块 |
WO2011111175A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両 |
US8619395B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-12-31 | Arc Suppression Technologies, Llc | Two terminal arc suppressor |
TWI424550B (zh) | 2010-12-30 | 2014-01-21 | Ind Tech Res Inst | 功率元件封裝結構 |
US9299628B2 (en) * | 2011-07-11 | 2016-03-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
US8942020B2 (en) * | 2012-06-22 | 2015-01-27 | General Electric Company | Three-level phase leg for a power converter |
US9099930B2 (en) | 2012-06-22 | 2015-08-04 | General Electric Company | Power converter and method of assembling the same |
EP2830218B1 (en) * | 2013-07-23 | 2021-04-28 | Infineon Technologies AG | Thermal observer and overload protection for power switches |
US20150229203A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Gholamreza Esmaili | Smart Resistor-Less Pre-Charge Circuit For Power Converter |
CN105743361B (zh) * | 2014-12-12 | 2018-10-09 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率转换器的排布版图 |
EP3626027A1 (en) * | 2017-05-18 | 2020-03-25 | Nvent Services Gmbh | Universal power converter |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61288780A (ja) | 1985-06-13 | 1986-12-18 | Toshiba Corp | 電力変換装置の制御方法 |
US4965710A (en) * | 1989-11-16 | 1990-10-23 | International Rectifier Corporation | Insulated gate bipolar transistor power module |
JP2809026B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1998-10-08 | 三菱電機株式会社 | インバ−タ装置およびインバ−タ装置の使用方法 |
US5625548A (en) * | 1994-08-10 | 1997-04-29 | American Superconductor Corporation | Control circuit for cryogenically-cooled power electronics employed in power conversion systems |
JP3383588B2 (ja) * | 1998-08-04 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
JP3641793B2 (ja) * | 1999-01-21 | 2005-04-27 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | インバータ装置 |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001139070A patent/JP3621659B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-19 US US09/988,248 patent/US6654260B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-14 CH CH02293/01A patent/CH693195A5/fr not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011125784A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 株式会社 東芝 | 電気車制御装置 |
US8847521B2 (en) | 2010-03-31 | 2014-09-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electric-vehicle control apparatus |
US8890455B2 (en) | 2010-03-31 | 2014-11-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electric vehicle control device |
EP2555409A4 (en) * | 2010-03-31 | 2017-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electric vehicle control device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6654260B2 (en) | 2003-11-25 |
JP3621659B2 (ja) | 2005-02-16 |
CH693195A5 (fr) | 2003-03-27 |
US20020167825A1 (en) | 2002-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3621659B2 (ja) | 電力変換システム | |
KR102048168B1 (ko) | 마트료시카 컨버터 | |
JP4169761B2 (ja) | 変換器回路、少なくとも1つのスイッチング・デバイスを有する回路および回路モジュール | |
JP5113078B2 (ja) | 多数の電圧レベルを切換えるためのスイッチギアセル及び変換器回路 | |
Ozpineci et al. | Effects of silicon carbide (SiC) power devices on HEV PWM inverter losses | |
WO2011111175A1 (ja) | パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両 | |
Steimer et al. | IGCT technology baseline and future opportunities | |
KR101387515B1 (ko) | 파워 반도체 모듈, 전력 변환 장치, 및 철도 차량 | |
Steimer et al. | IGCT devices-applications and future opportunities | |
Carroll | Power electronics for very high power applications | |
JPWO2018135159A1 (ja) | 3レベル・インバータ | |
KR20090126993A (ko) | 전력회생이 가능한 멀티레벨 컨버터용 모듈 및 이를 이용한멀티레벨 컨버터 | |
CA2894127A1 (en) | Switching stage, energy conversion circuit, and conversion stage for wind turbines comprising the energy conversion circuit | |
JP5264863B2 (ja) | パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両 | |
Lim et al. | Design of 100 kVA SiC power converter for aircraft electric starter generator | |
US20210234475A1 (en) | Scalable multi-level power converter | |
JP3171551B2 (ja) | 高電圧出力電力変換装置 | |
CN107546974B (zh) | 具有级联二极管电路的升压电路和逆变器拓扑 | |
JPH1093085A (ja) | 半導体デバイスのパッケージ及びそれを用いた電力変換装置 | |
Gruening et al. | 6 kV 5 kA RCGCT with advanced gate drive unit | |
Shakweh | Power devices for medium voltage PWM converters | |
Akagi | Prospects of new technologies for power electronics in the 21st century | |
Wu et al. | Current status of multi-megawatt AC drives | |
Wang et al. | Three-phase Voltage Source Converters Based on Series-Connected Power devices for Medium Voltage Variable Speed Drives | |
WO2023233529A1 (ja) | モータ駆動装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |