JP2002334489A - 光学情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 任意薄膜を形成する成膜室を複数個備えたス
パッタリング装置において、前記スパッタリング装置に
備えられた成膜室の室数よりも層数の多い光ディスク媒
体を形成することを可能とし、かつ、前記光ディスク媒
体を大量生産する場合に、形成された光ディスク媒体間
の記録再生特性のばらつきが極めて小さい光ディスク媒
体の製造方法を提供する。 【解決手段】 スパッタリング装置内に投入せしめられ
た基材が、スパッタリング装置内の全ての成膜室内を少
なくとも２回以上通過し、少なくとも１室以上の成膜室
において、成膜室内を通過する基材に対して薄膜を形成
する場合と薄膜を形成しない場合を有することにより前
記光ディスク媒体の形成が可能となり、前記光ディスク
媒体を大量生産する場合には、スパッタリング装置への
基材の投入を連続的に投入しない方法にて行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク媒体の
製造方法に関することであり、光ディスク媒体を形成す
るスパッタリング装置に備えられた成膜室の室数よりも
多い層よりなる光ディスク媒体を大量に、かつ、安定し
て形成する製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来技術による光ディスク媒体の形成方
法の一例を、図４に示すスパッタリング装置をもって説
明する。図４に示すスパッタリング装置はロードロック
室37と、複数の独立した成膜室３１から３６と、基材を
搬送するための回転体４４と複数の基板ホルダーより構
成されている。なお、成膜室の数は特に限定されるもの
ではなく、本例では成膜室の数が６室の場合について説
明する。

【０００３】ロードロック室３７には、図には示さない
が真空ポンプならびにリーク弁が備わっており、適宜投
入された基材を真空状態へと移す。もしくは真空状態に
ある基材を大気へと移して基材を排出する役割を担う。

【０００４】基板ホルダー４５から５１はそれぞれ均等
な間隔で回転体４４に備えられており、回転体４４なら
びに全ての基板ホルダーは常時真空に引かれた状態にあ
る。

【０００５】ロードロック室に投入された基材は、任意
の基板ホルダーに固定され真空状態へと移された後、回
転体４４が、本例の場合では３６０／７度の一定角度で
連続的に一方向に回転することで、順次隣り合う成膜室
へ搬送せしめられる。

【０００６】それぞれの成膜室は、常時真空ポンプにて
真空に引かれており、それぞれの成膜室内には任意のタ
ーゲット材が基板ホルダーと向き合うように設置されて
おり、ターゲット材の裏面にはターゲットの温度上昇を
抑制するための冷却水が循環されている。

【０００７】各成膜室においては、成膜室内に任意のス
パッタリングガスを導入し、ターゲット材に所定の電圧
を印可せしめてターゲット材のスパッタリングを行うこ
とができ、順次搬送せしめられた基材上に薄膜を形成す
ることができる。

【０００８】以下に、前記スパッタリング装置を用いた
従来での光ディスク媒体の形成方法について説明する。
光ディスク媒体を形成するための基材をロードロック室
へ投入し、任意の基板ホルダー（例えば図４中の基板ホ
ルダー４５）に固定させ、ロードロック室を真空状態と
した後、回転体４４を、例えば図面右回りに一定角度回
転させて、基材を第一の成膜室３１へと搬送する。この
ときロードロック室には別の基板ホルダー（例えば基板
ホルダー５１）が搬送されており、ロードロック室を大
気に戻して、別の基材をロードロック室へ投入し、基板
ホルダー５１に固定させる。以下同様にしてロードロッ
ク室に投入した基材が第一の成膜室に搬送される度に、
別の基材をロードロック室へと投入して、その時ロード
ロック室へと搬送されている基板ホルダーに固定してい
く。

【０００９】投入された基材は、順次第一の成膜室から
第六の成膜室へと搬送され、それぞれの成膜室にて薄膜
の形成を行い、薄膜を積層することにより光ディスク媒
体が形成される。例えば基板上に順次、材料層Ａ、材料
層Ｂ、材料層Ｃ、材料層Ｄ、材料層Ｅ、材料層Ｆが積層
する光ディスク媒体を形成する場合には、それぞれの成
膜室に配置するターゲット材として、第一の成膜室３１
には材料層Ａを形成するためのターゲット材Ａを配置
し、第二の成膜室３２には材料層Ｂを形成するためのタ
ーゲット材Ｂを配置し、第三の成膜室３３には材料層Ｃ
を形成するためのターゲット材Ｃを配置し、第四の成膜
室３４には材料層Ｄを形成するためのターゲット材Ｄを
配置し、第五の成膜室３５には材料層Ｅを形成するため
のターゲット材Ｅを配置し、第六の成膜室３６には材料
層Ｆを形成するためのターゲット材Ｆを配置して、基材
上に順次成膜室において薄膜を形成することで、光ディ
スク媒体を形成する。第六の成膜室にて薄膜が形成され
た後は、基材をロードロック室へ搬送した後、ロードロ
ック室を大気に戻して基材を排出した後、別の新しい基
材を投入する。前記基板の投入と排出を繰り返すことで
連続的に光ディスク媒体を大量に形成することができ
る。

【００１０】一般的に、各成膜室にてのスパッタリング
時間の設定は、各成膜室であらかじめ調べられたターゲ
ット材のスパッタリングレートを基に各材料層の厚みが
設計厚みとなるように、それぞれの成膜室で一定時間に
設定する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】近年、光ディスク媒体
は高機能・高密度化されてきており、透明基板上に積層
される薄膜の層数が多層化される傾向にある。従来技術
による光ディスク媒体の形成方法においては、形成しよ
うとする光ディスク媒体の層数が多くなり、光ディスク
媒体を形成するスパッタリング装置が備えた成膜室の室
数よりも多い場合では、前記光ディスク媒体を形成する
ことができなかった。

【００１２】本発明は、限られた成膜室数を備えるスパ
ッタリング装置にて、前記スパッタリング装置が備える
成膜室よりも多い層数を有する光ディスク媒体を形成す
ることを可能とするものであり、かつ前記光ディスク媒
体を大量生産する場合に、形成された光ディスク媒体間
の記録再生特性のばらつきが極めて小さい光ディスク媒
体を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】透明基板上に少なくとも
３層以上からなる、少なくとも２層以上で同一の材料が
用いられる光ディスク媒体の製造方法であって、前記光
ディスク媒体を成膜するスパッタリング装置が独立した
複数の成膜室を備え、それぞれの成膜室には任意ターゲ
ット材が設置され、前記スパッタ装置内に備えられた成
膜室の室数が前記光ディスク媒体の層数以下であり、ス
パッタリング装置内に投入せしめられた基材が、スパッ
タ装置内の全ての成膜室内を少なくとも２回以上通過す
ることを特徴とする光ディスク媒体の形成方法により、
限られた成膜室数を備えるスパッタリング装置にて、前
記スパッタリング装置が備える成膜室よりも多い層数を
有する光ディスク媒体を形成することができる。

【００１４】また、スパッタリング装置が基材を投入、
かつ/もしくは排出するロードロック室を備え、ロード
ロック室へ投入せしめた基材を固定することが可能であ
り、かつ、順次成膜室へと搬送せしめた後ロードロック
室へ搬送せしめることを反復する複数の基板ホルダーを
備え、基板ホルダーが順次ロードロック室へと搬送せし
められる度にロードロック室へ基材を投入する場合と基
材を投入しない場合が交互に繰り返される、もしくは基
材を投入する場合が連続しないことを特徴とすることに
より、光ディスク媒体を大量生産するときに、形成され
た光ディスク媒体間の記録再生特性のばらつきが極めて
小さい光ディスク媒体を提供することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明について詳しく記
述する。一例として図１に示す６個の成膜室が備えられ
たスパッタリング装置にて、図２に示す７層よりなる光
ディスク媒体を形成する方法について以下に説明する。

【００１６】図２に示す光ディスク媒体の構成は、基板
２２上に順次、材料層Ａ２３、材料層Ｂ２４、材料層Ｃ
２５、材料層Ｂ２６、材料層Ａ２７、材料層Ｄ２８、材
料層Ｅ２９が積層する７層よりなる光ディスク媒体であ
り、図１に示すスパッタリング装置は従来技術で説明し
たスパッタリング装置とは、光ディスク媒体の形成方法
ならびにターゲットの配置以外は同じ構成よりなる装置
であり、ここでは、光ディスク媒体の形成方法ならびに
ターゲットの配置についてのみ詳しく説明する。

【００１７】それぞれの成膜室に配置するターゲット材
の一例としては以下の配置方法が挙げられる。第一の成
膜室1には材料層Ｂ２４を形成するためのターゲット材
Ｂを配置し、第二の成膜室2には材料層Ｃ２５を形成す
るためのターゲット材Ｃを配置し、第三の成膜室3には
材料層Ｂ２６を形成するためのターゲット材Ｂを配置
し、第四の成膜室4には材料層Ａ２３ならびに材料層Ａ
２７を形成するためのターゲット材Ａを配置し、第五の
成膜室5には材料層Ｄ２８を形成するためのターゲット
材Ｄを配置し、第六の成膜室6には材料層Ｅ２９を形成
するためのターゲット材Ｅを配置する。

【００１８】ロードロック室に投入された基材は、順次
第一の成膜室から第六の成膜室まで搬送されるが、それ
ぞれの成膜室では必ずしも薄膜の形成が行われるとは限
らず、図２に示す光ディスク媒体の構成が形成できるよ
うに薄膜の形成が行われる。即ち、基材をロードロック
室へと投入した後、基材を例えば基板ホルダーＡに固定
して、ロードロック室内を真空に引いた後、基材を第一
の成膜室に搬送せしめ、第一の成膜室では薄膜を形成す
ることなく第二の成膜室へと搬送し、第二の成膜室では
薄膜を形成することなく第三の成膜室へと搬送し、第三
の成膜室では薄膜を形成することなく第四の成膜室へと
搬送し、第四の成膜室では材料層Ａ２３をスパッタリン
グして薄膜を形成した後、基材を第五の成膜室へと搬送
し、第五の成膜室では薄膜を形成することなく第六の成
膜室へと搬送し、第六の成膜室では薄膜を形成すること
なく、ロードロック室へと搬送する。その後、ロードロ
ック室内で真空を破ることなく、基材を第一の成膜室か
ら第六の成膜室へと順次搬送する間、それぞれの成膜室
で薄膜の形成を行う。第六の成膜室に於いて材料層Ｅを
形成した後、基材をロードロック室へと搬送して、ロー
ドロック室を大気に戻して基材を排出することで、前記
光ディスク媒体が形成される。

【００１９】即ちは、一度ロードロック室へと投入した
基材を順次成膜室へと搬送した後、ロードロック室へと
搬送された基材を真空を破ることなく再度順次成膜室へ
と搬送することを繰り返すことにより、成膜室よりも多
い層数を有する光ディスク媒体を形成することが可能と
なる。

【００２０】なお、各成膜室のターゲットの配置につい
ては前記記した配置に限定されるものではなく、いかな
る配置であっても構わないが、ターゲットの配置方法を
最適化することにより、基材を繰り返し同じ成膜室へと
搬送する回数を少なくすることができる。

【００２１】上記方法による薄膜の形成方法により光デ
ィスク媒体を大量に形成する場合、基材の投入方法は基
板ホルダーが順次ロードロック室へと搬送せしめられる
度に、基材をロードロック室へと投入するのではなく、
投入と未投入が交互に繰り返される、もしくは基材を投
入する場合が連続しないことが好ましい。

【００２２】以下にその理由について説明する。基板ホ
ルダーが順次ロードロック室へと搬送される度に、基材
をロードロック室へと投入する場合では、前記スパッタ
リング装置においては連続して投入された基材の枚数は
７枚となり、７枚全ての基材は、まずは第４の成膜室に
おいてのみスパッタリングが行われ、他の成膜室ではこ
の間は薄膜の形成が一切行われず、第４の成膜室でスパ
ッタリングされた基材がロードロック室に搬送され、再
度順次成膜室へと搬送されてからは、全ての成膜室にお
いて薄膜の形成が連続して行われる。即ち、第四の成膜
室以外では薄膜の未形成が連続して７枚続いた後、薄膜
の形成が連続して７枚行われることとなり、光ディスク
媒体を大量生産する場合、前記、薄膜の未形成と薄膜の
形成を繰り返すことになる。

【００２３】薄膜を形成していない時間が長いと、ター
ゲット裏面に循環された冷却水によりターゲット温度が
極端に下がり、一般に半導体材料では温度が下がると抵
抗率は上がり、導体材料では温度が下がると抵抗率は下
がり、ターゲットの抵抗率が急激に変化してスパッタリ
ングのレートが変化してしまう問題が生じる。また、反
応性ガスを導入してスパッタリングを行う場合には、タ
ーゲット表面の温度変化により反応性ガスとターゲット
材との反応速度が変化するため、形成する膜の膜質が変
化する問題が生じる。

【００２４】即ちターゲットの温度変化により、形成す
る膜の膜厚ならびに膜質が変化してしまう問題が生す
る。光ディスク媒体の膜厚ならびに膜質の不安定さは、
光ディスク媒体の記録再生特性を不安定とするため、連
続して投入した７枚の光ディスク媒体間で記録再生特性
のばらつきが大きくなってしまう問題が生じる。

【００２５】上記の問題を解決する方法としては、基板
ホルダーが順次ロードロック室へと搬送される度に基材
をロードロック室へと投入するのではなく、基材の投入
と未投入が交互に繰り返すこと、もしくは基材を投入す
る場合が連続しないように基材を投入することが有効で
ある。

【００２６】この場合、前記記した薄膜の形成ならびに
薄膜の未形成が長時間におよぶことがなく、ターゲット
表面の温度を常に安定した状態に保つことができる。以
下、上記光ディスク媒体の形成を行うにあたっての基材
投入方法の一例を（表１）を以て説明する。

【００２７】

【表１】

【００２８】表中最上部に示す番号は、基材の成膜室へ
の搬送を示す番号であり、表中の基板ホルダーＡ〜Ｆは
スパッタリング装置にこの順番で設けられた連続した７
つの基板ホルダーを示す。基材投入番号はスパッタリン
グ装置のロードロック室へと投入された基材の順番を示
す。基板ホルダーＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇは順次ロ
ードロック室へと搬送され、この順にロードロック室か
ら順次成膜室への搬送を反復する。

【００２９】光ディスク媒体を構成する薄膜の堆積方法
については、前記光ディスク媒体の方法と同様である。
例えば（表１）の番号１に示すように、基材投入番号１
の基材をロードロック室へと投入した後、任意の基板ホ
ルダーＡに固定して、順次成膜室へと搬送する。第一の
成膜室から第三の成膜室においては薄膜の形成を行わず
（表中空欄で示す）、第四の成膜室において薄膜を形成
（薄膜を形成する場合を表中に丸印で示す）した後、第
五、第六の成膜室では薄膜の形成を行わず、基材投入番
号１の基材をロードロック室へ搬送する。ロードロック
室で真空を破ることなく、（以降、表中番号８に示す）
基材投入番号１の基材を再度第一の成膜室から第六の成
膜室へと搬送し、それぞれの成膜室において薄膜の形成
を行った後、基材投入番号１の基材をロードロック室へ
と搬送して、ロードロック室を大気に戻して基材を排出
する。

【００３０】基材投入番号２の基材の投入は、基材投入
番号１の投入後、基板ホルダーＣが初めてロードロック
室へと搬送されたときにロードロック室へと投入して、
基材投入番号２の基材を基板ホルダーＣに固定する。以
下同様に、基材投入番号３の基材の投入は、基材投入番
号２の投入後、基板ホルダーＥが初めてロードロック室
へと搬送されたときに行い、基材投入番号４に示す基材
の投入は基材投入番号３の投入後、基板ホルダーＧが初
めてロードロック室へと搬送されたときに行う。

【００３１】即ち、基材の投入は、基板ホルダーが順次
ロードロック室へと搬送される度に連続的に投入するの
ではなく、１つおきの基板ホルダーがロードロック室へ
と搬送される度に行い、基材の投入と未投入を繰り返
す。

【００３２】前記した基材の投入方法によれば、（表
１）から分かるように、光ディスク媒体を大量生産する
場合には例えば番号９以降での光ディスク媒体の形成に
おいては、任意成膜室において薄膜の形成ならびに薄膜
の未形成が連続して長時間におよぶことはなく、ターゲ
ット表面の温度は常に平衡状態で一定に保たれることと
なり、大量生産した光ディスク媒体間で、その膜厚なら
びに膜質は常に安定した光ディスク媒体を提供すること
ができ、即ちは記録再生特性のばらつきが極めて少ない
大量の光ディスク媒体を提供することができる。

【００３３】なお、本例の場合では基板ホルダーが順次
ロードロック室へと搬送される度に、基材の投入と未投
入が交互に繰り返す場合について記したが、スパッタリ
ング装置が備える基板ホルダーの数が偶数の場合、もし
くは／かつ基材を同じ成膜室へ３回以上搬送せしめて光
ディスク媒体を形成する場合においては、基板ホルダー
が順次ロードロック室へと搬送される度に基材の投入が
連続しないように基材を投入すればよく、この場合、任
意の成膜室においては、薄膜の形成が行われる間隔が一
定に保たれることは容易に理解でき、即ちはターゲット
表面の温度は常に平衡状態で一定に保たれることは容易
に理解できる。

【００３４】本実施の形態で用いたスパッタリング装置
は図１に示すスパッタリング装置を用いた。本実施の形
態で作成した光ディスク媒体の層構成は、基板上に、第
一の誘電体層、第一の拡散防止層、記録層、第二の拡散
防止層、第二の誘電体層、光吸収層、反射層がこの順に
積層された構成を有する７層構成からなる。第一の誘電
体層と第二の誘電体層は同一の材料からなり、また、第
一の拡散防止層と第二の拡散防止層は同一の材料からな
るものとする。即ち光ディスク媒体を構成する層数は７
層であり、光ディスク媒体に使用される材料種は五種類
である場合について、その形成方法を示す。

【００３５】但し、本発明は上記構成に限定されるもの
ではなく、光ディスク媒体に使用される材料種の数が、
光ディスク媒体を形成するスパッタリング装置に備えら
れた成膜室の室数以下であれば、光ディスク媒体の構成
は何であっても良い。

【００３６】基板の材料には、ポリカーボネード、ＰＭ
ＭＡ等の樹脂、又はガラス等が用いられ、レーザー光線
を導くための案内溝が施されている。本実施の形態で
は、基板２２は厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリ
カーボネート樹脂を用いた。

【００３７】記録層は、本実施の形態では、書き換え型
相変化記録材料として一般的に用いられるＴｅ−Ｓｂ−
Ｇｅ系材料よりなる構成とし、記録層の形成は、スパッ
タリング装置の任意成膜室に記録層の材料からなるター
ゲット材を配置し、成膜室内にアルゴンガスと窒素ガス
の混合ガスを、その圧力が０．２Ｐａとなるように導入
し、スパッタリングターゲットに０．２Ｗ／ｃｍ2のＤ
Ｃ電力を一定時間印可して行った。

【００３８】記録層を形成するスパッタリングに要した
時間は、別途求めたスパッタリングレートにより、膜厚
が１０ｎｍとなるように設定した。スパッタリングレー
トの求め方は、図に示すスパッタリング装置に連続的に
基材を投入し、記録層を形成する成膜室において基材上
に一定時間スパッタリングを行った後、次の基材を前記
成膜室へと搬送し、一定時間スパッタリングを行うこと
を１０回繰り返した後、１１回目に形成した記録層膜厚
を触針式段差計により求め、スパッタリングレートを算
出した。記録層膜厚を１０ｎｍ形成するのに要する時間
は２．８２秒と求められた。

【００３９】第一の拡散防止層または第二の拡散防止層
は、本実施の形態では、ＧｅＮ材料よりなる構成とし、
第一の拡散防止層または第二の拡散防止層の形成は、ス
パッタリング装置の任意成膜室に拡散防止層の材料から
なるターゲット材を配置し、成膜室にアルゴンガスを、
その圧力が１．０Ｐａとなるように導入し、スパッタリ
ングターゲットに１．０Ｗ／ｃｍ²のＤＣ電力を一定時
間印可して行った。

【００４０】第一の拡散防止層または第二の拡散防止層
を形成するスパッタリングに要した時間は、別途求めた
スパッタリングレートにより、各拡散防止層の膜厚が５
ｎｍとなるように設定した。スパッタリングレートの求
め方は、図に示すスパッタリング装置に連続的に基材を
投入し、各拡散防止層を形成する成膜室において基材上
に一定時間スパッタリングを行った後、次の基材を前記
成膜室へと搬送し、一定時間スパッタリングを行うこと
を１０回繰り返した後、１１回目に形成した各拡散防止
層膜厚を触針式段差計により求め、スパッタリングレー
トを算出した。第一の拡散防止層ならびに第二の拡散防
止層の膜厚を５ｎｍ形成するのに要する時間は１．３１
秒と求められた。

【００４１】第一の誘電体層と第二の誘電体層は、本実
施の形態では、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合材料よりなる構
成とし、第一の誘電体層と第二の誘電体層の形成は、ス
パッタリング装置の任意成膜室に誘電体層の材料からな
るターゲット材を配置し、成膜室内にアルゴンガスを、
その圧力が０．２Ｐａとなるように導入し、スパッタリ
ングターゲットに３．０Ｗ／ｃｍ2のＲＦ電力を一定時
間印可して行った。

【００４２】第一の誘電体層と第二の誘電体層を形成す
るスパッタリングに要した時間は、別途求めたスパッタ
リングレートにより、第一の誘電体層の膜厚が１４０ｎ
ｍとなるように設定し、第二の誘電体層の膜厚が３５ｎ
ｍとなるように設定した。

【００４３】スパッタリングレートの求め方は、図に示
すスパッタリング装置に連続的に基材を投入し、誘電体
層層を形成する成膜室において基材上に一定時間スパッ
タリングを行った後、次の基材を前記成膜室へと搬送
し、一定時間スパッタリングを行うことを１０回繰り返
した後、１１回目に形成した誘電体層膜厚を触針式段差
計により求め、スパッタリングレートを算出した。第一
の誘電体層の膜厚を１４０ｎｍ形成するのに要する時間
は８．７０秒であり、第二の誘電体層の膜厚を３５ｎｍ
形成するのに要する時間は２．２４秒と求められた。

【００４４】光吸収層は、本実施の形態ではＧｅＣｒ合
金材料よりなる構成とし、光吸収層の形成は、スパッタ
リング装置の任意成膜室に光吸収層の材料からなるター
ゲット材を配置し、成膜室内にアルゴンガスを、その圧
力が０.５Ｐａとなるように導入し、スパッタリングタ
ーゲットに１．０Ｗ／ｃｍ2のＤＣ電力を一定時間印可
して行った。

【００４５】光吸収層を形成するスパッタリングに要し
た時間は、別途求めたスパッタリングレートにより、膜
厚が３０ｎｍとなるように設定した。スパッタリングレ
ートの求め方は、図に示すスパッタリング装置に連続的
に基材を投入し、光吸収層を形成する成膜室において基
材上に一定時間スパッタリングを行った後、次の基材を
前記成膜室へと搬送し、一定時間スパッタリングを行う
ことを１０回繰り返した後、１１回目に形成した光吸収
層膜厚を触針式段差計により求め、スパッタリングレー
トを算出した。光吸収層膜厚を３０ｎｍ形成するのに要
する時間は３．３２秒と求められた。

【００４６】反射層は、本実施の形態ではＡｌ材料より
なる構成とし、反射層の形成は、スパッタリング装置の
任意成膜室に反射層の材料からなるターゲット材を配置
し、成膜室内にアルゴンガスを、その圧力が０．５Ｐａ
となるように導入し、スパッタリングターゲットに５．
０Ｗ／ｃｍ2のＤＣ電力を一定時間印可して行った。

【００４７】反射層を形成するスパッタリングに要した
時間は、別途求めたスパッタリングレートにより、反射
層膜厚が１００ｎｍとなるように設定した。スパッタリ
ングレートの求め方は、図に示すスパッタリング装置に
連続的に基材を投入し、反射層を形成する成膜室におい
て基材上に一定時間スパッタリングを行った後、次の基
材を前記成膜室へと搬送し、一定時間スパッタリングを
行うことを１０回繰り返した後、１１回目に形成した反
射層膜厚を触針式段差計により求め、スパッタリングレ
ートを算出した。反射層膜厚を１００ｎｍ形成するのに
要する時間は７．４２秒と求められた。

【００４８】図中では省略したが、光ディスク媒体の酸
化、腐食やほこり等の付着の防止を目的として、反射層
上にオーバーコート層を用い、紫外線硬化樹脂を接着剤
として用いてダミー基板を張り合わせた構成とした。

【００４９】

【実施例】（実施例１）図１に示すスパッタリング装置
に設置したターゲット材ＡにはＧｅＮを材料としたター
ゲット材を設け、ターゲット材ＢにはＴｅ−Ｓｂ−Ｇｅ
を混合材料としたターゲット材を設け、ターゲット材Ｃ
にはＧｅＮを材料としたターゲット材を設け、ターゲッ
ト材ＤにはＺｎＳ−ＳｉＯ２を混合材料としたターゲッ
ト材を設け、ターゲット材ＥにはＧｅＣｒを材料とした
ターゲット材を設け、ターゲット材ＦにはＡｌを材料と
したターゲット材を設けた。スパッタリング装置への基
材の投入方法を、基板ホルダーが順次ロードロック室へ
と搬送される度に連続的に投入する方法にて行った。

【００５０】（実施例２）光ディスク媒体を形成するス
パッタリング装置とターゲット材の配置ならびに光ディ
スク媒体を構成する薄膜の積層方法は実施例１と同じと
して、スパッタリング装置への基材の投入方法を、基板
ホルダーが順次ロードロック室へと搬送される度に基材
をロードロック室へと投入するのではなく、基材の投入
と未投入が交互に繰り返すことにより行い、即ち、本実
施例の光ディスク媒体の形成方法ならびに基材のスパッ
タリング装置への投入方法は前記（表１）に示す方法に
て行った。

【００５１】以下に光ディスク媒体の評価方法を記す。
信号の記録、消去は、まず媒体を回転制御装置を用いて
回転させ、光学系によりレーザー光を微笑スポットに絞
り込んで、媒体へレーザー光を照射することにより行
う。レーザー光の照射により記録層のうちの局所的な一
部分がアモルファス状態へと可逆的に変化しうるアモル
ファス状態生成パワーレベルをＰ１、同じくレーザーへ
の照射により結晶状態へと可逆的に変化しうる結晶状態
生成パワーレベルをＰ２とし、レーザーパワーをＰ１と
Ｐ２の間で変調させることで記録マーク、あるいは消去
部分を形成し、情報の記録、消去、及び上書き記録を行
う。ここではＰ１のパワーを照射する場合は、パルスの
列で形成する、いわゆるマルチパルスとする。但し、マ
ルチパルスを用いないパルスで構成してもよい。

【００５２】また、前記Ｐ１，Ｐ２のいずれのパワーレ
ベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザー照射に
よって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつ
その照射によって媒体から記録マークの再生のため十分
な反射率得られるパワーレベルを再生パワーレベルＰ３
とし、Ｐ３のパワーのレーザー光を照射することにより
得られる媒体からの信号を検出器で読みとり、情報信号
の再生を行う。

【００５３】各種条件は例えば以下の通りである。レー
ザー光の波長は６５０nm、用いる対物レンズの開口数は
０．６０、信号方式はＥＦＭ変調方式とし、最短ビット
長は０．２８ミクロンメータ、レーザー光のトラック方
向の走査速度は８ｍ／ｓとする。グルーブとランド（グ
ルーブとグルーブとの間）と称されるトラックが交互に
形成されている基板を用い、グルーブとランドの双方に
信号を記録する。トラックピッチは０．６０ミクロンメ
ータである。勿論、グルーブとランド部の幅の比が異な
った基板を用いてもよい。

【００５４】光ディスク媒体の特性の評価は、連続した
５つのトラックａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅに順次ａ，ｅ，ｂ，
ｄ，ｃの順で３Ｔから１１Ｔまで１Ｔ刻みでのランダム
な信号を記録した後、トラックｃのジッター値を評価し
た。実施例１ならびに実施例２にて形成した光ディスク
媒体のうち、それぞれ１００枚目から２００枚目に作成
した光ディスク媒体のジッタ特性を評価した結果を図３
に示す。

【００５５】実施例２において形成した光ディスク媒体
のジッタ特性は８．２％から８．４％の特性を有するデ
ィスクが最も多く、そのジッタ値は極めて良好であり、
かつ特性のばらつきも少ない。一方実施例１において形
成した光ディスク媒体のジッタ特性は全体的に実施例２
にて形成した光ディスク媒体に比べて悪く、またジッタ
特性のばらつきも大きい。

【００５６】

【発明の効果】本発明は、光ディスク媒体を構成する材
料層の層数よりも少ない個数のターゲット材を備えたス
パッタリング装置にて光ディスク媒体を形成することが
可能となり、かつ、光ディスク媒体を大量に生産する場
合に、形成された光ディスク媒体間の記録再生特性のば
らつきを極めて小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態での、光ディスク媒体を形成した
スパッタリング装置とターゲット配置図

【図２】実施の形態において説明した光ディスク媒体の
構成図

【図３】実施の形態で作成した光ディスク媒体のジッタ
特性を示す図

【図４】従来技術による、光ディスク媒体を形成するス
パッタリング装置とターゲット配置図

【符号の説明】

１，３１ 第一の成膜室 ２，３２ 第二の成膜室 ３，３３ 第三の成膜室 ４，３４ 第四の成膜室 ５，３５ 第五の成膜室 ６，３６ 第六の成膜室 ７，３７ ロードロック室 ８，１０，３９ ターゲット材Ｂ ９，４０ ターゲット材Ｃ １１，３８ ターゲット材Ａ １２，４１ ターゲット材Ｄ １３，４２ ターゲット材Ｅ １４，４４ 回転体 １５，４５ 基板ホルダーＡ １６，４６ 基板ホルダーＢ １７，４７ 基板ホルダーＣ １８，４８ 基板ホルダーＤ １９，４９ 基板ホルダーＥ ２０，５０ 基板ホルダーＦ ２１，５１ 基板ホルダーＧ ２２ 基板 ２３，２７ 材料層Ａ ２４，２６ 材料層Ｂ ２５ 材料層Ｃ ２８ 材料層Ｄ ２９ 材料層Ｅ ４３ ターゲット材Ｆ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA11 AA24 BB02 BC07 BD00 CA05 KA01 KA09 5D121 AA03 EE03 EE19

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板上に少なくとも３層以上からな
   る、少なくとも２層以上で同一の材料が用いられる光デ
   ィスク媒体の製造方法であって、前記光ディスク媒体を
   形成するスパッタリング装置が独立した複数の成膜室を
   備え、それぞれの成膜室には任意ターゲット材が設置さ
   れ、前記スパッタ装置内に備えられた成膜室の室数が前
   記光ディスク媒体の層数以下であり、スパッタリング装
   置内に投入された基材が、スパッタリング装置内の全て
   の成膜室内を少なくとも２回以上通過することを特徴と
   する光学情報記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】光ディスク媒体の製造方法に関することで
   あって、スパッタリング装置内に備えられた複数の独立
   した成膜室の少なくとも１室以上の成膜室においては、
   成膜室内を通過する基材に対して薄膜を形成する場合と
   薄膜を形成しない場合があることを特徴とする請求項１
   記載の光学情報記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】透明基板上に少なくとも３層以上からな
   る、少なくとも２層以上で同一の材料が用いられる光デ
   ィスク媒体の製造方法であって、前記光ディスク媒体を
   形成するスパッタリング装置が基材を投入、かつ／もし
   くは排出するロードロック室を備え、ロードロック室へ
   投入した基材を固定することが可能であり、かつ、順次
   成膜室へと搬送した後ロードロック室へ搬送することを
   反復する複数の基板ホルダーを備え、基板ホルダーが順
   次ロードロック室へと搬送される度にロードロック室へ
   基材を投入する場合と基材を投入しない場合が交互に繰
   り返される、もしくは基材を投入する場合が連続しない
   ことを特徴とする光学情報記録媒体の製造方法。