JP2002334426A - Magnetic recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hard disk type magnetic recording medium using a resin substrate which effectively suppresses production of cracks in the resin substrate, shows preferable environmental storage characteristics against high temperature and high humidity and is suitable as a hard disk system. SOLUTION: A first nonmagnetic base film, second nonmagnetic base film, magnetic information recording film, protective film and lubricant are successively deposited on a resin substrate. The first nonmagnetic base film consists of an alloy essentially comprising Cr and containing Nb, Ta or W by >=12 at.% and <=40 at.%. The first nonmagnetic base film is formed to >=1 nm and <=20 nm thickness. Further, oxygen atoms are incorporated into the surface of the resin substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータの外部
記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される磁
気記録媒体の、特に樹脂製の基板上に少なくとも下地膜
を介して磁性情報記録膜が形成されてなる磁気記録媒体
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium mounted on various magnetic recording devices such as an external storage device of a computer, in particular, a magnetic information recording film formed on a resin substrate through at least a base film. The present invention relates to a magnetic recording medium formed.

【０００２】[0002]

【従来の技術】コンピュータの記憶装置として、従来よ
り、ハードディスクシステムが普及している。このハー
ドディスクシステムには、一般に、表面が高精度に研摩
されたアルミニウム等の金属板や、ガラス等からなる基
板上に、Ｃｒを主体とする下地膜や、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
合金等の磁性情報記録膜、Ｃを主体とする保護膜等が形
成されてなる磁気ディスクが磁気記録媒体として用いら
れている。そして、ハードディスクシステムでは、この
磁気ディスクの信号記録領域上に、磁気ヘッドを搭載し
た浮上スライダーを所定の浮上量で浮上させて、信号の
書き込み、および／または読み出しを行うようにしてい
る。2. Description of the Related Art Hard disk systems have been widely used as computer storage devices. This hard disk system generally includes a base plate mainly composed of Cr, a Co-Pt-Cr film on a metal plate of aluminum or the like whose surface is polished with high precision, or a substrate made of glass or the like.
A magnetic disk formed with a magnetic information recording film such as an alloy, a protective film mainly composed of C, and the like is used as a magnetic recording medium. In the hard disk system, a flying slider on which a magnetic head is mounted is floated by a predetermined flying height on a signal recording area of the magnetic disk to write and / or read signals.

【０００３】ところで、このようなハードディスクシス
テムが広く普及するに従って、更に低価格とすることが
求められている。この低価格化の要請に応えるために、
磁気ディスクの基板として、光ディスク等では一般的に
用いられている樹脂製（プラスチック製）のディスク基
板を適用することが検討されている。[0003] By the way, as such hard disk systems are widely spread, further lower prices are required. In order to respond to the demand for lower prices,
As a substrate of a magnetic disk, application of a resin (plastic) disk substrate generally used in an optical disk or the like has been studied.

【０００４】磁気ディスクの基板材料として樹脂材料を
用いるようにすれば、材料自体のコストが大幅に削減さ
れることに加えて、射出成形によりサーボ信号等をプリ
フォーマットすることが容易に行えるので、磁気ディス
クの製造コストを大幅に削減することが可能となる。[0004] If a resin material is used as the substrate material of the magnetic disk, the cost of the material itself is greatly reduced, and servo signals and the like can be easily preformatted by injection molding. The manufacturing cost of the magnetic disk can be greatly reduced.

【０００５】しかしながら、磁気ディスクの基板材料と
して、樹脂材料を用いた場合には、以下のような問題が
生じていた。まず第一は、樹脂製の磁気ディスク基板
（樹脂製基板）上に金属膜を積層形成した際に、内部応
力によって、樹脂製基板にクラックが発生してしまうと
いう場合があった。磁気ディスク基板にクラックが発生
すると、磁気記録媒体は、適切に信号の記録再生を行う
ことが阻害されるばかりでなく、磁気記録膜の変質が増
長されてしまうという問題がある。従って、磁気ディス
ク基板にクラックが発生すると、クラックが生じた箇所
のみでなく磁気ディスク全体、即ち、磁気記録媒体全体
が不良となってしまうという不都合が生じる。However, when a resin material is used as the substrate material of the magnetic disk, the following problems have occurred. First, when a metal film is laminated on a resin magnetic disk substrate (resin substrate), cracks may occur in the resin substrate due to internal stress. When a crack occurs in the magnetic disk substrate, the magnetic recording medium not only inhibits proper recording and reproduction of signals, but also has a problem that the quality of the magnetic recording film is increased. Therefore, if a crack occurs in the magnetic disk substrate, there arises a problem that not only the place where the crack occurs but also the entire magnetic disk, that is, the entire magnetic recording medium becomes defective.

【０００６】例えば、樹脂製基板に接するＣｒ、 ある
いはＣｒ合金等の下地膜形成時に発生する引っぱりの内
部応力によって、クラックが発生すると、積層膜断面が
露出し、磁性情報記録膜中のＣｏ原子が膜表面に析出し
て突起を作ったり、Ｃｏの水和物がＭＲヘッドを錆びさ
せてしまったりするという問題を引き起こす心配があ
る。このため、Ｃｒ、 あるいはＣｒ合金等の膜の内部
応力を制御することが必要とされる。For example, when a crack is generated due to an internal stress of pulling when a base film of Cr or a Cr alloy or the like in contact with a resin substrate is formed, a cross section of the laminated film is exposed, and Co atoms in the magnetic information recording film are removed. There is a concern that it may cause problems such as deposition on the film surface to form projections and hydration of Co causing the MR head to rust. For this reason, it is necessary to control the internal stress of a film such as Cr or a Cr alloy.

【０００７】このようなクラック発生の問題を改善する
方法として、樹脂製基板上に積層される積層膜（下地
膜、磁性情報記録膜、保護膜等）の内部応力を０．３Ｇ
Ｐａ以下とすることによって、クラック発生が押さえら
れることが知られている（特開２０００−２９３８９３
号公報）。As a method for solving such a problem of the occurrence of cracks, the internal stress of a laminated film (base film, magnetic information recording film, protective film, etc.) laminated on a resin substrate is reduced to 0.3 G.
It is known that cracking can be suppressed by setting the pressure to Pa or less (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-293893).
No.).

【０００８】この方法によれば、内部応力を０．３ＧＰ
ａ以下とすることによって、光学顕微鏡で観察されるレ
ベルの大きさのクラックは消失する。しかし、詳細に検
討した結果、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｅ）や、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて観察
することにより、さらに細かな微細クラック（１μｍ程
度）が発生しており、従来技術ではまだ十分でないこと
が分かった。According to this method, the internal stress is reduced to 0.3 GP.
By setting the value to a or less, cracks having a size of a level observed with an optical microscope disappear. However, as a result of a detailed study, it was found that an AFM (Atomic Force Mi) was used.
(crossscope) and SEM (Scanning E)
Observation using an electric microscope revealed that finer cracks (approximately 1 μm) were generated, and it was found that the conventional technology was not sufficient.

【０００９】第二は、磁気ディスクを高温・高湿状態で
保存した場合、樹脂製基板の吸湿によって、水分が基板
と下地膜（金属膜）の間に介入し、基板上の下地膜を浮
かせてしまう場合があった。樹脂製基板上の下地膜が浮
いた場合、膜の変形高さは２００ｎｍ程度以上となっ
て、磁気ディスクに対して非常に低い高さ（約２５ｎｍ
以下程度）で浮上している磁気ヘッドと接触し、磁気ヘ
ッドがクラッシュするため、ハードディスクドライブと
して機能しなくなるという問題がある。Second, when the magnetic disk is stored in a high-temperature, high-humidity state, moisture intervenes between the substrate and the underlying film (metal film) due to the moisture absorption of the resin substrate, thereby floating the underlying film on the substrate. There was a case. When the base film on the resin substrate floats, the deformation height of the film becomes about 200 nm or more, which is very low relative to the magnetic disk (about 25 nm).
(Approximately below) and comes into contact with the floating magnetic head, causing the magnetic head to crash and thus failing to function as a hard disk drive.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の実情に鑑みて創案されたものであり、その目的は、樹
脂製基板を用いたハードディスク型の磁気記録媒体にお
いて、樹脂製基板のクラック発生が効果的に抑制される
と共に、高温高湿に対して良好な環境保存特性を発揮し
て、ハードディスクシステムとして好適な磁気記録媒体
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a conventional situation, and has as its object to crack a resin substrate in a hard disk type magnetic recording medium using the resin substrate. An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium suitable for a hard disk system, in which generation is effectively suppressed and good environmental preservation characteristics against high temperature and high humidity are exhibited.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、樹脂製基板の上に
形成される下地膜等の金属積層膜、特に樹脂製基板の上
に直接形成される金属製の下地膜の内部応力が大きい
と、これに起因して樹脂製基板にクラックが発生してし
まうことを見い出すに至った。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that a metal laminated film such as a base film formed on a resin substrate, especially a resin laminated film. It has been found that when the internal stress of the metal base film formed directly on the substrate is large, cracks are generated in the resin substrate due to this.

【００１２】更に、本発明者らは、前記樹脂製基板の吸
湿によって、水分が基板と金属膜の間に介入し、基板上
の下地膜を浮かせてしまう問題を解決すべく鋭意検討を
重ねた結果、樹脂製基板に用いる樹脂材料の表面に酸素
原子を含ませることで、高温・高湿に対する耐久性、即
ち、耐環境保存特性を向上することができることを見い
出すに至った。Further, the present inventors have conducted intensive studies in order to solve the problem that moisture intervenes between the substrate and the metal film due to the moisture absorption of the resin substrate, thereby floating the underlying film on the substrate. As a result, they have found that by including oxygen atoms on the surface of a resin material used for a resin substrate, the durability against high temperature and high humidity, that is, the environmental storage resistance can be improved.

【００１３】本発明に係る磁気記録媒体は、以上のよう
な知見に基づいて創案されたものであり、樹脂製基板上
に、第１の非磁性下地膜、第２の非磁性下地膜、磁性情
報記録膜、保護膜、および潤滑剤が少なくとも順次積層
され、かつ第１の非磁性下地膜はＮｂ、Ｔａ、またはＷ
を１２原子％以上、４０原子％以下含み、Ｃｒを主成分
とする合金からなることを特徴としている。ここで樹脂
基板としては、ポリシクロオレフィン系炭化水素製基板
が好ましく、また第１の非磁性下地膜の膜厚は１ｎｍ以
上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。The magnetic recording medium according to the present invention has been created based on the above knowledge, and has a first non-magnetic base film, a second non-magnetic base film, An information recording film, a protective film, and a lubricant are laminated at least sequentially, and the first nonmagnetic underlayer is made of Nb, Ta, or W.
Is contained in an alloy containing 12 at% or more and 40 at% or less, and is mainly composed of Cr. Here, as the resin substrate, a substrate made of a polycycloolefin hydrocarbon is preferable, and the thickness of the first nonmagnetic underlayer is preferably 1 nm or more and 20 nm or less.

【００１４】本発明によれば、第１の非磁性下地膜に関
して、Ｃｒ、 あるいはＣｒ合金による膜形成時に金属
膜の引っぱりによって生ずる内部応力は、ＣｒにＮｂ、
Ｔａ、Ｗを１２原子％以上、４０原子％以下加えること
によって０．１ＧＰａ以下に制御することが可能とな
る。According to the present invention, with respect to the first non-magnetic underlayer, the internal stress caused by the pulling of the metal film during the formation of the film made of Cr or a Cr alloy is such that Cr is Nb,
By adding Ta and W in an amount of 12 atomic% or more and 40 atomic% or less, it is possible to control to 0.1 GPa or less.

【００１５】即ち、内部応力を０．３ＧＰａ以下とする
ことで光学顕微鏡で観察できるレベルのクラック発生は
抑制できるが、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）や、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ
Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察され
る微細クラック（１μｍ程度）については、内部応力を
０．１ＧＰａ以下に制御する必要がある。That is, by setting the internal stress to 0.3 GPa or less, the occurrence of cracks at a level observable with an optical microscope can be suppressed, but an AFM (Atomic Force M) is used.
Scope) or SEM (Scanning)
Regarding fine cracks (about 1 μm) observed in Electric Microscope, it is necessary to control the internal stress to 0.1 GPa or less.

【００１６】内部応力は、基板（樹脂製基板）と直接に
接する下地膜の内部応力によって支配されるため、積層
膜、即ち、第１の非磁性下地膜の内部応力が ０．１Ｇ
Ｐａ以下とされていることにより、磁性記録媒体の樹脂
製基板に対するクラックの発生が効果的に抑制される。Since the internal stress is governed by the internal stress of the underlying film directly in contact with the substrate (resin substrate), the internal stress of the laminated film, ie, the first non-magnetic underlying film is 0.1 G
By setting the pressure to Pa or less, the occurrence of cracks on the resin substrate of the magnetic recording medium is effectively suppressed.

【００１７】なお、下地膜の平均結晶粒径は、通常５ｎ
ｍ〜１５ｎｍの範囲とすることが好ましく、１５ｎｍを
超えると、情報記録膜の Ｓ／Ｎが大幅に低下する場合
があるので望ましくない。粒径を５ｎｍ〜１５ｎｍの範
囲にするには、例えば、スパッタリング法で樹脂製基板
上に構成する各膜を成膜する際にガス圧等を調整し、最
適な条件に設定することによってなされる。The average crystal grain size of the underlayer is usually 5n.
The thickness is preferably in the range of m to 15 nm, and if it exceeds 15 nm, the S / N of the information recording film may be significantly reduced, which is not desirable. In order to make the particle diameter in the range of 5 nm to 15 nm, for example, the gas pressure and the like are adjusted at the time of forming each film to be formed on the resin substrate by the sputtering method, and the conditions are set to optimal conditions. .

【００１８】更に、樹脂製基板の表面に酸素原子を含ま
せることにより、磁気ディスクとして良好な環境保存耐
久性を発揮することができる。Furthermore, by including oxygen atoms on the surface of the resin substrate, it is possible to exhibit good environmental storage durability as a magnetic disk.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。なお、ここでは本発明をハードデ
ィスクシステムの磁気記録媒体として構成される磁気デ
ィスクに適用した例について説明するが、本発明に係る
磁気記録媒体はこの例に限定されるものではなく、樹脂
製基板上に少なくとも下地膜と、磁性情報記録膜とを含
む積層膜が形成されてなるあらゆる磁気記録媒体に対し
て適用可能である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, an example in which the present invention is applied to a magnetic disk configured as a magnetic recording medium of a hard disk system will be described. However, the magnetic recording medium according to the present invention is not limited to this example, and is not limited to this example. The present invention is applicable to any magnetic recording medium in which a laminated film including at least a base film and a magnetic information recording film is formed.

【００２０】本発明に適用した磁気ディスクの要部を拡
大した断面図を図１に示す。図１に示す磁気ディスク１
は、ハードディスクシステムの磁気記録媒体として用い
られるものであり、樹脂材料がディスク状に成形されて
なる樹脂製基板２を備え、この樹脂製基板２の一主面
２a 上に、磁性情報記録膜４の下地となる第１の非磁性
下地膜３、および第２の非磁性下地膜３'と、磁性情報
記録膜４と、磁性情報記録膜４を保護する保護膜５と、
潤滑剤６とが、この順で順次積層されてなる。そして、
この磁気ディスク１は、スピンドルモーター等により回
転操作され、当該磁気ディスク１上を所定の浮上量で浮
上するスライダーに搭載された磁気ヘッドにより、磁気
情報記録膜４に対して信号が書き込まれ、または磁気情
報記録膜４に書き込まれた信号が読み出される。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a main part of a magnetic disk applied to the present invention. Magnetic disk 1 shown in FIG.
Is used as a magnetic recording medium of a hard disk system, and includes a resin substrate 2 formed by molding a resin material into a disk shape.
2a, a first non-magnetic base film 3 and a second non-magnetic base film 3 'which are bases of the magnetic information recording film 4, a magnetic information recording film 4, and protection for protecting the magnetic information recording film 4 Membrane 5,
The lubricant 6 is sequentially laminated in this order. And
The magnetic disk 1 is rotated by a spindle motor or the like, and a signal is written to the magnetic information recording film 4 by a magnetic head mounted on a slider that floats on the magnetic disk 1 by a predetermined flying height. The signal written on the magnetic information recording film 4 is read.

【００２１】樹脂製基板２としては、熱可塑性樹脂等の
樹脂材料、例えば、ポリシクロオレフィン系炭化水素か
らなる材料が好ましい。このような材料を選択すること
により、射出成形等の方法で成形する場合に好適であ
り、得られる基板は、寸法安定性や、表面平滑性が優
れ、また湿度などの耐環境性にも優れている。The resin substrate 2 is preferably made of a resin material such as a thermoplastic resin, for example, a material made of a polycycloolefin hydrocarbon. By selecting such a material, it is suitable for molding by a method such as injection molding, and the obtained substrate has excellent dimensional stability, excellent surface smoothness, and excellent environmental resistance such as humidity. ing.

【００２２】樹脂製基板２は、射出成形等によりディス
ク状に形成されるが、この樹脂製基板２の一主面２a 上
には、サーボ信号等を示す凹凸が予め形成されているこ
とが望ましい。この凹凸は、樹脂製基板２を射出成形す
る際に、この凹凸の反転パターンを有するスタンパー、
あるいは金型を用いることにより形成することができ
る。The resin substrate 2 is formed in a disk shape by injection molding or the like. On one main surface 2a of the resin substrate 2, it is preferable that irregularities indicating servo signals and the like are formed in advance. . When the resin substrate 2 is injection-molded, the irregularities are formed by a stamper having a reverse pattern of the irregularities.
Alternatively, it can be formed by using a mold.

【００２３】この樹脂製基板２の表面粗さは２ｎｍ以
下、最大突起高さは２０ｎｍ以下であることが好まし
い。このように樹脂製基板２の表面平滑性を良好とする
ことによって、磁気ディスク１と磁気ヘッドとの間隙を
小としても、双方が接触、衝突することがなく、記録再
生が安定して行れる。The surface roughness of the resin substrate 2 is preferably 2 nm or less, and the maximum projection height is preferably 20 nm or less. By improving the surface smoothness of the resin substrate 2 in this way, even if the gap between the magnetic disk 1 and the magnetic head is reduced, the magnetic disk 1 and the magnetic head do not come into contact with or collide with each other, and recording and reproduction can be performed stably. .

【００２４】また、樹脂製基板２の基板表面には、酸素
原子を含ませることが望ましい。このような基板表面と
しないと、樹脂製基板２と樹脂製基板２上にスパッタリ
ング等で形成した第１の非磁性下地膜３とが十分に密着
しない場合があるため、例えば、高温・高湿度環境下に
晒され、樹脂製基板２と第１の非磁性下地膜３との間に
水分が介入した時に、樹脂製基板２を構成する樹脂には
水分を吸収する能力が極めて少ないため、スパッタリン
グで形成した金属膜が浮いてしまうという現象が起生す
ることがある。It is desirable that the substrate surface of the resin substrate 2 contains oxygen atoms. If the substrate surface is not set, the resin substrate 2 and the first non-magnetic base film 3 formed on the resin substrate 2 by sputtering or the like may not sufficiently adhere to each other. When exposed to the environment and moisture intervenes between the resin substrate 2 and the first non-magnetic underlayer 3, the resin constituting the resin substrate 2 has a very small ability to absorb moisture, so that sputtering is performed. A phenomenon that the metal film formed in the step floats may occur.

【００２５】第１の非磁性下地膜３は、クラック発生を
防止するためのものであり、例えば、ＣｒやＣｒ−Ｘ
（Ｘ＝Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ）等のＣｒ合金がスパッタリング
によって、樹脂製基板２の一主面２a 上に成膜されてな
る。The first non-magnetic underlayer 3 is for preventing the occurrence of cracks, for example, Cr or Cr-X.
A Cr alloy such as (X = Nb, Ta, W) is formed on one main surface 2a of the resin substrate 2 by sputtering.

【００２６】第１の非磁性下地膜を形成するＣｒに添加
する元素として、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗを選択した場合には、
内部応力を低減する効果があり、特にＣｒに対して１２
原子％以上、４０原子％以下加えることで、内部応力が
０．１ＧＰａ以下となり、クラックが防止できる。しか
し、添加元素の量を増やし過ぎるとＳ／Ｎが小さくなり
傾向があるほか、４０原子％以上加えると必要Ｓ／Ｎを
下回る傾向がある。When Nb, Ta, or W is selected as an element to be added to Cr forming the first nonmagnetic underlayer,
It has the effect of reducing internal stress, especially 12% against Cr.
By adding at least 40 atomic%, the internal stress becomes 0.1 GPa or less, and cracks can be prevented. However, if the amount of the added element is excessively increased, the S / N tends to decrease, and if it is added at 40 atomic% or more, the S / N tends to be lower than the required S / N.

【００２７】この第１の非磁性下地膜３の膜厚は、１ｎ
ｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲内とされていることが望ま
しい。第１の非磁性下地膜３の膜厚が１ｎｍ未満の場合
には、クラック発生を防止する効果が十分に発揮されな
い。また、第１の非磁性下地膜３の膜厚が２０ｎｍを超
えると、第１の非磁性下地膜３の磁気特性に与える影響
が大きくなり、第２の非磁性下地膜３' の効果が低減さ
れてしまうという不都合がある。The thickness of the first nonmagnetic underlayer 3 is 1 n
It is desirable that the thickness be in the range of not less than m and not more than 20 nm. If the thickness of the first nonmagnetic underlayer 3 is less than 1 nm, the effect of preventing the occurrence of cracks is not sufficiently exhibited. If the thickness of the first non-magnetic underlayer 3 exceeds 20 nm, the effect on the magnetic properties of the first non-magnetic underlayer 3 is increased, and the effect of the second non-magnetic underlayer 3 'is reduced. There is a disadvantage that it is done.

【００２８】第２の非磁性下地膜３'は、磁性情報記録
膜４の磁場配向を膜面内方向に揃え、磁気情報記録膜４
の磁気特性を良好なものとするためのものであり、例え
ばＷ、Ｍｏや、Ｗ−Ｘ（Ｘ＝Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ）等のＷ
合金がスパッタリングにより、樹脂製基板２の一主面２
a 上に成膜されてなる。なお、第２の非磁性下地膜３'
は、第１の非磁性下地膜３の上に直接形成せず、所謂、
Ｓｅｅｄ層となる Ｎｉ−Ｐ膜や、Ｃ膜等を介して、形
成されるようにしてもよい。The second nonmagnetic underlayer 3 ′ aligns the magnetic field of the magnetic information recording film 4 in the in-plane direction of the magnetic information recording film 4.
For improving the magnetic properties of W, Mo and W-X (X = Cr, Ti, Mo).
One main surface 2 of resin substrate 2 by sputtering of alloy
a. The second non-magnetic underlayer 3 '
Are not formed directly on the first non-magnetic underlayer 3, that is,
It may be formed via a Ni-P film, a C film, or the like that becomes a seed layer.

【００２９】磁性情報記録層４は、強磁性を有する結晶
粒とそれを取り巻く非磁性粒界からなり、かつその非磁
性粒界が、金属の酸化物、または窒化物からなる、いわ
ゆるグラニュラー状の磁性層である。このような構造
は、例えば、非磁性粒界を構成する酸化物を含有する強
磁性金属をターゲットとして、真空中でスパッタリング
により成膜することや、強磁性金属をターゲットとし
て、酸素を含有するＡｒガス中で反応性スパッタリング
により成膜することで作製することができる。The magnetic information recording layer 4 is composed of crystal grains having ferromagnetism and non-magnetic grain boundaries surrounding the ferromagnetic grains, and the non-magnetic grain boundaries are made of a metal oxide or nitride. It is a magnetic layer. Such a structure can be formed, for example, by forming a film by sputtering in a vacuum with a ferromagnetic metal containing an oxide constituting a nonmagnetic grain boundary as a target, or using a ferromagnetic metal as a target with an oxygen-containing Ar It can be manufactured by forming a film by reactive sputtering in a gas.

【００３０】強磁性を有する結晶を構成する材料は特に
制限されないが、Ｃｏ−Ｐｔ系合金が好適に用いること
ができる。特にＣｏ−Ｐｔ合金にＣｒ、Ｎｉ、Ｔａのう
ちの少なくとも1つの元素を添加することが、磁性記録
媒体のノイズの低減、残留磁化厚みの調整のためには望
ましく、中でも、Ｃｏ―Ｐｔ―Ｃｒ合金は好適である。The material constituting the crystal having ferromagnetism is not particularly limited, but a Co-Pt alloy can be preferably used. In particular, it is desirable to add at least one element of Cr, Ni and Ta to the Co-Pt alloy in order to reduce the noise of the magnetic recording medium and to adjust the thickness of the residual magnetization. Alloys are preferred.

【００３１】一方、非磁性粒界を構成する材料として
は、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ
の内、少なくとも１つの元素の酸化物を用いることが、
安定なグラニュラー構造を形成するために特に望まし
い。On the other hand, materials constituting the non-magnetic grain boundaries include Cr, Co, Si, Al, Ti, Ta, Hf, and Zr.
Of the oxides of at least one element,
It is particularly desirable to form a stable granular structure.

【００３２】磁性情報記録層の膜厚は特に制限されるも
のではなく、記録再生時に十分な磁気ヘッド再生出力を
得るための膜厚（通常５〜２５ｎｍ程度）が必要とされ
る。The thickness of the magnetic information recording layer is not particularly limited, and a thickness (usually about 5 to 25 nm) for obtaining a sufficient magnetic head reproduction output during recording and reproduction is required.

【００３３】保護膜５は、磁気ヘッドの接触による磨耗
や損傷等、外部からのストレスに対して磁気記録媒体１
を保護するために設けられる。そのため、磁気記録媒体
１の保護はもちろん、磁気ヘッドに対して損傷を与える
ことのないような硬度の高い、例えば、カーボン（Ｃ）
等を主体とする薄膜が用いられる。The protective film 5 protects the magnetic recording medium 1 from external stress such as wear and damage caused by contact with the magnetic head.
Provided to protect the Therefore, not only the magnetic recording medium 1 is protected, but also, for example, carbon (C) having a high hardness that does not damage the magnetic head.
A thin film mainly composed of, for example, is used.

【００３４】また潤滑剤６は、保護膜５上に潤滑層を形
成するものであり、これによって、磁気記録媒体１の表
面の摩擦係数を低減し、磁気記録媒体１の走行性や、耐
久性を向上するものである。潤滑剤６として、例えばパ
ーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができ
る。The lubricant 6 forms a lubricating layer on the protective film 5, thereby reducing the friction coefficient of the surface of the magnetic recording medium 1 and improving the running property and durability of the magnetic recording medium 1. Is to improve. As the lubricant 6, for example, a perfluoropolyether-based lubricant can be used.

【００３５】そして、以上のように構成される磁気ディ
スク１は、樹脂製基板２の一主面２ａ上に積層形成され
た第１の非磁性下地膜３、第２の非磁性下地膜３' 、磁
性情報記録膜４、保護膜５、潤滑剤６、あるいはこれら
の間に付加された、例えば、Ｓｅｅｄ層等の他の膜を含
めた全体（以下、これら樹脂基板２の一主面２a 上に積
層形成された膜の全体を積層膜７という）の内部応力
が、０．１ＧＰａ以下とされている。この磁気ディスク
１は、積層膜７の内部応力が ０．１ＧＰａ以下とされ
ていることにより、樹脂製基板２にクラックが発生する
といった不都合が有効に防止され、信号の記録再生を適
正に行うことができる。The magnetic disk 1 configured as described above has a first non-magnetic base film 3 and a second non-magnetic base film 3 ′ laminated on one main surface 2 a of the resin substrate 2. , The entirety including the magnetic information recording film 4, the protective film 5, the lubricant 6, and other films such as a Seed layer added between them (hereinafter, on one main surface 2a of the resin substrate 2). The overall stress of the film formed by lamination is referred to as a laminated film 7). In the magnetic disk 1, since the internal stress of the laminated film 7 is set to 0.1 GPa or less, inconveniences such as generation of cracks in the resin substrate 2 can be effectively prevented, and proper recording and reproduction of signals can be performed. Can be.

【００３６】以上のように構成される磁気ディスク１
は、例えば、図２に示すようなインライン型のスパッタ
リング装置１０により、樹脂製基板２の一主面２ａ上
に、積層膜７を構成する第１の非磁性下地膜３、第２の
非磁性下地膜３'、磁性情報記録膜４、保護膜５等が順
次成膜されることにより製造される。The magnetic disk 1 constructed as described above
For example, the first non-magnetic base film 3 and the second non-magnetic layer constituting the laminated film 7 are formed on one main surface 2a of the resin substrate 2 by an in-line type sputtering apparatus 10 as shown in FIG. It is manufactured by sequentially forming a base film 3 ', a magnetic information recording film 4, a protective film 5, and the like.

【００３７】この図２に示すインライン型のスパッタリ
ング装置１０は、インライン（直線上）に配列された複
数のチャンバ１１、１２、１３、１４、１５を備えてい
る。これら複数のチャンバ１１、１２、１３、１４、１
５には、それぞれ、排気口１６が設けられており、この
排気口１６を介して真空ポンプ１７が接続されている。
そして、これら各チャンバ１１、１２、１３、１４、１
５内は、真空ポンプ１７により所定の真空度に排気する
ことができるようになされている。The in-line type sputtering apparatus 10 shown in FIG. 2 has a plurality of chambers 11, 12, 13, 14, 15 arranged in-line (on a straight line). These plurality of chambers 11, 12, 13, 14, 1
5 is provided with an exhaust port 16, and a vacuum pump 17 is connected through the exhaust port 16.
Each of these chambers 11, 12, 13, 14, 1
The inside of 5 can be evacuated to a predetermined degree of vacuum by a vacuum pump 17.

【００３８】また、複数のチャンバ１１、１２、１３、
１４、１５には、それぞれ、ガス導入口１８が設けられ
ており、このガス導入口１８を介してスパッタガス供給
源１９が接続されている。そして、これら各チャンバ１
１、１２、１３、１４、１５内には、Ａｒガス等のスパ
ッタリングガスが、スパッタガス供給源１９から供給さ
れるようになされている。Further, a plurality of chambers 11, 12, 13,
Each of 14 and 15 is provided with a gas inlet 18, and a sputter gas supply source 19 is connected through the gas inlet 18. And each of these chambers 1
A sputtering gas such as Ar gas is supplied from 1, 12, 13, 14, 14, and 15 from a sputtering gas supply source 19.

【００３９】チャンバ１１にはプラズマ処理を行うカソ
ードが取り付けられている。また、複数のチャンバ１
２、１３、１４、１５内には、それぞれ、ターゲットを
保持するターゲットホルダ２０が配設されている。これ
らターゲットホルダ２０は、それぞれ、図示しないター
ゲット電極に接続されており、このターゲット電極に、
例えば、６００〜８００Ｖのマイナス電位を印加するこ
とにより、ターゲットホルダ２０に保持されたターゲッ
トをスパッタリングすることができるようになされてい
る。The chamber 11 is provided with a cathode for performing plasma processing. Also, a plurality of chambers 1
A target holder 20 for holding a target is provided in each of 2, 13, 14 and 15. Each of these target holders 20 is connected to a target electrode (not shown).
For example, by applying a negative potential of 600 to 800 V, the target held by the target holder 20 can be sputtered.

【００４０】また、複数のチャンバ１１、１２、１３、
１４、１５のいずれか一つのチャンバ内には、基板が載
置されるパレット２１が配置されている。このパレット
２１は、複数のチャンバ１１、１２、１３、１４、１５
間を自由に移動することができるようになされている。Further, a plurality of chambers 11, 12, 13,
A pallet 21 on which a substrate is placed is arranged in one of the chambers 14 and 15. The pallet 21 has a plurality of chambers 11, 12, 13, 14, 15
You can move freely between them.

【００４１】このインライン型のスパッタリング装置１
０を用いて磁気ディスク１を製造する際は、まず、チャ
ンバ１１にプラズマ処理を行う装置、チャンバ１２のタ
ーゲットホルダ２０に第１の非磁性下地膜３を構成する
材料、例えば、Ｃｒ合金のターゲットを保持させ、チャ
ンバ１３のターゲットホルダ２０に第２の非磁性下地膜
３'を構成する材料、例えば、Ｗ合金のターゲットを保
持させ、チャンバ１４のターゲットホルダ２０に磁性情
報記録膜４を構成する材料、例えば、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
−ＳｉＯ₂系のターゲットを保持させ、チャンバ１５の
ターゲットホルダ２０に保護膜５を構成する材料、例え
ば、Ｃのターゲットを保持させる。This in-line type sputtering apparatus 1
When the magnetic disk 1 is manufactured using the magnetic disk 1, first, an apparatus for performing plasma processing on the chamber 11, and a material for forming the first non-magnetic base film 3, for example, a target made of a Cr alloy, are provided on the target holder 20 of the chamber 12. And the target holder 20 of the chamber 13 holds a material of the second non-magnetic base film 3 ′, for example, a target of a W alloy, and the magnetic information recording film 4 is formed on the target holder 20 of the chamber 14. Material, for example, Co-Pt-Cr
-Holding a SiO ₂ -based target, and holding a material constituting the protective film 5, for example, a C target, in the target holder 20 of the chamber 15.

【００４２】まず、パレット２１上に樹脂製基板２を載
置し、このパレット２１をチャンバ１１内に移動させ
て、樹脂製基板２の一主面２a をプラズマ発生装置のカ
ソードに対向させる。そして、各チャンバ１１、１２、
１３、１４、１５内を真空ポンプ１７により所定の真空
度、例えば２×１０^−５Ｐａ程度に排気する。その後、
スパッタガス供給源１９より、カソードが配設されたチ
ャンバ１１内に、例えば、８．０Ｐａ程度のガス圧でＡ
ｒガス等のスパッタリングガスを導入し、例えば、２０
０Ｗ程度の電力にてプラズマを発生させ、樹脂製基板２
に前処理を施すことにより、樹脂基板２の一主面２ａ上
に酸素含有官能基、例えば、ヒドロキシル基、カルボニ
ル基、カルボキシル基等が形成される。First, the resin substrate 2 is placed on the pallet 21, and the pallet 21 is moved into the chamber 11, so that one main surface 2a of the resin substrate 2 faces the cathode of the plasma generator. And each chamber 11, 12,
The insides of 13, 14, and 15 are evacuated by a vacuum pump 17 to a predetermined degree of vacuum, for example, about 2 × 10 ⁻⁵ Pa. afterwards,
A sputtering gas is supplied from the sputtering gas supply source 19 into the chamber 11 in which the cathode is disposed at a gas pressure of, for example, about 8.0 Pa.
Introducing a sputtering gas such as r gas, for example, 20
Plasma is generated by electric power of about 0 W, and the resin substrate 2
By performing the pre-treatment, an oxygen-containing functional group, for example, a hydroxyl group, a carbonyl group, a carboxyl group, or the like is formed on one main surface 2a of the resin substrate 2.

【００４３】次に、パレット２１をチャンバ１２内に真
空を保ったまま、移動させて樹脂基板２の一主面２ａを
ターゲットホルダ２０に保持された ８４原子％Ｃｒ−
１６原子％Ｗ（以降、原子％を省略して８４Ｃｒ−１６
Ｗと表記する。なお、他の化合物も同様の表記とする）
のターゲットに対向させる。スパッタガス供給源１９よ
り、８４Ｃｒ−１６Ｗターゲツトが配設されたチャンバ
１２内に、例えば、３．０Ｐａ程度のガス圧でＡｒガス
等のスパツタリングガスを導入し、例えば、３００Ｗ程
度の電力にて８４Ｃｒ−１６Ｗターゲットのスパッタリ
ングを行い、樹脂基板２の一主面２ａ上に、５ｎｍ程度
の膜厚で第１の非磁性下地膜３を成膜する。Next, the pallet 21 is moved while keeping the vacuum in the chamber 12 so that the one main surface 2a of the resin substrate 2 is kept at 84 at.
16 atomic% W (hereinafter, atomic% is omitted and 84Cr-16
Notated as W. Note that other compounds have the same notation.)
To the target. A sputtering gas such as Ar gas is introduced from the sputtering gas supply source 19 into the chamber 12 in which the 84Cr-16W target is disposed, for example, at a gas pressure of about 3.0 Pa, and the power is reduced to about 300 W, for example. The first nonmagnetic underlayer 3 is formed to a thickness of about 5 nm on one main surface 2a of the resin substrate 2 by sputtering an 84Cr-16W target.

【００４４】次に、パレット２１をチャンバ１３内に移
動させて、第１の非磁性下地膜３が成膜された樹脂製基
板２の一主面２ａをターゲットホルダ２０に保持された
５０Ｔｉ−５０Ｗのターゲットに対向させる。そして、
スパッタリングガス供給源１９より、５０Ｔｉ−５０Ｗ
ターゲットが配設されたチャンバ１３内に、例えば０．
６Ｐａのガス圧でＡｒガス等のスパッタリングガスを導
入し、例えば３５０Ｗ程度の電力にて５０Ｔｉ−５０Ｗ
ターゲットのスパッタリングを行い、樹脂製基板２の一
主面２ａ上に形成された第１の非磁性下地膜３上に、１
０ｎｍ程度の膜厚で第２の非磁性下地膜３' を成膜す
る。Next, the pallet 21 is moved into the chamber 13, and one main surface 2 a of the resin substrate 2 on which the first non-magnetic base film 3 is formed is placed on the target holder 20. To the target. And
50Ti-50W from sputtering gas supply source 19
In the chamber 13 in which the target is provided, for example, 0.
A sputtering gas such as an Ar gas is introduced at a gas pressure of 6 Pa, and for example, 50 Ti-50 W is applied at a power of about 350 W.
The target is sputtered, and the first non-magnetic base film 3 formed on one main surface 2a of the resinous substrate 2
A second non-magnetic underlayer 3 'is formed to a thickness of about 0 nm.

【００４５】次いで、パレット２１をチャンバ１４内に
移動させて、第１の非磁性下地膜３、第２の非磁性下地
膜３' が成膜された樹脂製基板２の一主面２ａをターゲ
ットホルダ２０に保持された６４Ｃｏ−１４Ｐｔ−１０
Ｃｒ−１２ＳｉＯ₂のターゲットに対向させる。そし
て、スパッタリングガス供給源１９より、６４Ｃｏ−１
４Ｐｔ−１０Ｃｒ−１２ＳｉＯ₂ターゲットが配設され
たチャンバ１４内に、例えば、０．９Ｐａのガス圧でＡ
ｒガス等のスパッタリングガスを導入し、例えば、３５
０Ｗ程度の電力にて６４Ｃｏ−１４Ｐｔ−１０Ｃｒ−１
２ＳｉＯ₂ターゲットのスパッタリングを行い、樹脂製
基板２の一主面２a 上に形成された第２の非磁性下地膜
３' 上に、１２ｎｍ程度の膜厚で磁性情報記録膜４を成
膜する。Next, the pallet 21 is moved into the chamber 14, and the one main surface 2a of the resin substrate 2 on which the first non-magnetic base film 3 and the second non-magnetic base film 3 'are formed is targeted. 64Co-14Pt-10 held in the holder 20
Made to face the target Cr-12SiO _2. Then, from the sputtering gas supply source 19, 64Co-1
In a chamber 14 in which a 4Pt-10Cr-12SiO ₂ target is disposed, for example, a gas pressure of 0.9 Pa
Introducing a sputtering gas such as r gas, for example, 35
64Co-14Pt-10Cr-1 at power of about 0W
By sputtering a 2SiO ₂ target, a magnetic information recording film 4 having a thickness of about 12 nm is formed on a second non-magnetic base film 3 ′ formed on one main surface 2 a of the resin substrate 2.

【００４６】次に、パレツト２１をチャンバ１５内に移
動させて、第１の非磁性下地膜３、第２の非磁性下地膜
３'、および磁性情報記録膜４が成膜された樹脂製基板
２の一主面２ａをターゲットホルダ２０に保持されたＣ
のターゲツトに対向させる。そして、スパッタガス供給
源１９より、Ｃターゲットが配設されたチャンバ１５内
に、例えば、０．６Ｐａ程度のガス圧でＡｒガス等のス
パッタリングガスを導入し、例えば、４５０Ｗ程度の電
力にてＣターゲットのスパッタリングを行い、磁性情報
記録膜４上に、８ｎｍ程度の膜厚で保護膜５を成膜す
る。Next, the pallet 21 is moved into the chamber 15, and the first non-magnetic base film 3, the second non-magnetic base film 3 ', and the resin substrate on which the magnetic information recording film 4 is formed. 2 with one main surface 2a held in the target holder 20 by C
To the target. Then, a sputtering gas such as an Ar gas is introduced from the sputtering gas supply source 19 into the chamber 15 in which the C target is provided, for example, at a gas pressure of about 0.6 Pa, and the C gas is supplied at a power of about 450 W, for example. The target is sputtered to form a protective film 5 on the magnetic information recording film 4 with a thickness of about 8 nm.

【００４７】以上のようにして、樹脂製基板２の一主面
２a 上に第１の非磁性下地膜３と、第２の非磁性下地膜
３' と、磁性情報記録膜４と、保護膜５とを順次成膜し
た後に、保護膜５上に潤滑剤６（例えば、フッ素系潤滑
剤）をディッピング法等により塗布することによリ、ハ
ードディスクシステムの磁気記録媒体として用いられる
磁気ディスク１が完成する。As described above, the first non-magnetic base film 3, the second non-magnetic base film 3 ', the magnetic information recording film 4, the protective film 5 are sequentially formed, and a lubricant 6 (for example, a fluorine-based lubricant) is applied on the protective film 5 by a dipping method or the like, so that the magnetic disk 1 used as a magnetic recording medium of the hard disk system is formed. Complete.

【００４８】このようにして製造される磁気ディスク１
は、樹脂製基板２の一主面２ａ上に積層形成された第１
の非磁性下地膜３と、第２の非磁性下地膜３'と、磁性
情報記録膜４と、保護膜５と、潤滑剤６を含む積屑膜７
の内部応力が０．１ＧＰａ以下以下とされているので、
樹脂基板２にクラックが発生するといった不都合が有効
に防止される。また、この情報記録媒体は、樹脂基板の
表面に酸素原子を含ませる処理を施すことにより、良好
な環境保存耐久性を発揮することができる。The magnetic disk 1 manufactured as described above
Is a first laminate formed on one main surface 2a of the resin substrate 2.
Non-magnetic base film 3, second non-magnetic base film 3 ', magnetic information recording film 4, protective film 5, and debris film 7 containing lubricant 6
Is set to 0.1 GPa or less,
The inconvenience of cracks in the resin substrate 2 is effectively prevented. In addition, this information recording medium can exhibit good environmental storage durability by performing a process of including oxygen atoms on the surface of the resin substrate.

【００４９】[0049]

【実施例】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。 実施例１ 本発明の効果を確認すべく、積層膜の内部応力とクラッ
ク発生との関係を調べると共に、実際に磁気ディスクを
作製し、高温・高湿下の環境で保存して、作製条件に対
する膜浮きとの関係を調べた。Embodiments of the present invention will be described below. Example 1 In order to confirm the effects of the present invention, the relationship between the internal stress of the laminated film and the occurrence of cracks was examined, and a magnetic disk was actually manufactured and stored in a high-temperature, high-humidity environment. The relationship with the film floating was investigated.

【００５０】樹脂製基板は以下のようにして作製した。
樹脂製基板に対するパターンの形成は、光ディスクに用
いられている方法と同様の方法を用いた。まず、スタン
パー作製用のガラスディスクの表面にレジストを塗布
し、このレジスト上にカッティングデータに基づいて溝
のパターンの露光を行った。次に、パターン露光の後、
現像、カッティングを行い、レジストパターンを形成し
た。その後、レジストパターンが残っているガラスディ
スクに対してＮｉメッキを施し、このＮｉメッキの裏面
を研摩して所望の厚みに整え、スタンパーを完成した。
なお、溝等のパターンが必要ない場合も同様の方法を用
いるが、この場合には、レジスト塗布のみを行い、その
上にＮｉメッキを施し、裏面を所望の厚さに研摩してス
タンパーを完成させる。The resin substrate was manufactured as follows.
The same method as that used for the optical disk was used to form the pattern on the resin substrate. First, a resist was applied to the surface of a glass disk for producing a stamper, and a groove pattern was exposed on the resist based on cutting data. Next, after pattern exposure,
Development and cutting were performed to form a resist pattern. Thereafter, Ni plating was applied to the glass disk on which the resist pattern remained, and the back surface of the Ni plating was polished to a desired thickness to complete a stamper.
The same method is used when a pattern such as a groove is not required. In this case, only a resist is applied, Ni plating is applied thereon, and the back surface is polished to a desired thickness to complete a stamper. Let it.

【００５１】次に、このスタンパーを用いて樹脂（プラ
スチック）成形を行い、必要とする３．５インチの樹脂
製基板（ディスク）を得た。成形に用いた樹脂はポリシ
クロオレフィン（日本ゼオン社製のＺＥＯＮＥＸ）であ
る。得られたプラスチック基板の平均表面粗さＲａは、
ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｅ）の測定結果から、０．３５２ｎｍであった。ま
た、最大突起高さは４．５０５ｎｍであった。これはス
タンパー用のガラスディスクに塗布したレジスト表面の
表面粗さにほぼ匹敵した。Next, resin (plastic) molding was performed using this stamper to obtain a required 3.5-inch resin substrate (disk). The resin used for molding is polycycloolefin (ZEONEX manufactured by Zeon Corporation). The average surface roughness Ra of the obtained plastic substrate is:
AFM (Atomic Force Microsco
It was 0.352 nm from the measurement result of pe). In addition, the maximum projection height was 4.505 nm. This was almost equal to the surface roughness of the resist surface applied to the glass disk for the stamper.

【００５２】積層膜の内部応力とクラックの発生との関
係は、下地膜の引っぱりによる内部応力の大きさで支配
され、その大きさを０．３ＧＰａ以下にすることでクラ
ックを防止できることを見い出している。しかし、その
後の検討の結果、０．１〜０．３ＧＰａの大きさの内部
応力である場合、１μｍ程度の大きさのクラックが発生
することが分かった。The relationship between the internal stress of the laminated film and the occurrence of cracks is governed by the magnitude of the internal stress due to the pulling of the underlying film, and it has been found that cracks can be prevented by setting the magnitude to 0.3 GPa or less. I have. However, as a result of a subsequent study, it was found that when the internal stress was 0.1 to 0.3 GPa, a crack having a size of about 1 μm was generated.

【００５３】１μｍ程度の大きさのクラックは光学顕微
鏡で観察することが不可能であり、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉ
ｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、あるいはＳ
ＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ）を用いることで初めて観察される。内部
応力の測定については、光学的に平らなガラス板にスパ
ッタリングにより膜を形成し、その時できるニュートン
リングの数を測定し、このニュートンリングの数を基に
して、以下のような方法でそれぞれの膜の内部応力を計
算した。A crack having a size of about 1 μm cannot be observed with an optical microscope.
c Force Microscope) or S
EM (Scanning Electric Micror)
osc)). For the measurement of internal stress, a film is formed on an optically flat glass plate by sputtering, the number of Newton rings formed at that time is measured, and based on the number of Newton rings, each of the following methods is used. The internal stress of the film was calculated.

【００５４】円形のガラス板上に厚さｄの薄膜を形成す
ることによリガラス板が変形し、曲率半径ｒが得られた
とき、このガラス板上に形成された薄膜の内部応力α
は、ガラス板のヤング率をＥ（７．０×１０¹⁰Ｐａ）と
し、ガラス板の厚さをｂ（１．０×１０^-4ｍ）とし、ポ
アソン比をν（０．２）とすると、以下の式（１）で求
められる。By forming a thin film having a thickness d on a circular glass plate, the glass plate is deformed, and when a radius of curvature r is obtained, the internal stress α of the thin film formed on the glass plate is obtained.
It is the Young's modulus of the glass plate as ^{E (7.0 × 10 10 Pa)} , the thickness of the glass plate and ^{b (1.0 × 10 -4 m)} , the Poisson's ratio and [nu (0.2) , Is obtained by the following equation (1).

【００５５】α＝Ｅｂ²／６（１−ν）ｒｄ ・・・（１） ここで、曲率半径 r は、ガラス板の半径Ｒとニュート
ンリングの数ｎから求めることができる。即ち、図３に
示すように、変形したガラス板の変形高さをｈとする
と、Ｒ・ｓｉｎθ＝ｈ、ｒ・ｓｉｎθ＝Ｒ・ｃｏｓθと表
される。ここで、θ≒０の場合、ｓｉｎθ＝ｔａｎθ＝
θであることから、Ｒ・θ＝ｈ、ｒ・θ＝Ｒとなり、ｒ＝
Ｒ²／ｈと表される。[0055] ^{α = Eb 2/6 (1} -ν) rd ··· (1) , where the radius of curvature r can be determined from the number n of the radius R and Newton rings of the glass plate. That is, as shown in FIG. 3, when the deformation height of the deformed glass plate is h, R · sin θ = h and r · sin θ = R · cos θ. Here, when θ ≒ 0, sin θ = tan θ =
θ, R · θ = h, r · θ = R, and r =
Represented as R ² / h.

【００５６】ここで、今回の測定において使用した緑色
フィルタの波長は ５４６．１ｎｍであるので、ガラス
板の変形高さｈは、５４６．１×ｎ（ｎｍ）で表され
る。従って、曲率半径ｒは、以下の式（２）で求められ
る。Here, since the wavelength of the green filter used in this measurement is 546.1 nm, the deformation height h of the glass plate is represented by 546.1 × n (nm). Therefore, the radius of curvature r is obtained by the following equation (2).

【００５７】ｒ≒Ｒ²／５４６・ｎ ・・・（２） 以上の式（１）、および式（２）により、ニュートンリ
ングの数を基にして、上記各膜の内部応力を計算した。[0057] ^{r ≒ R 2/546 · n} ··· (2) or the formula (1), and the equation (2), on the basis of the number of Newton's rings was calculated internal stresses of the respective films.

【００５８】比較例１ まず、図１に示した積層膜７を構成する第１の非磁性下
地膜３、磁性情報記録膜４、および保護膜５の内部応力
とクラック発生に関するスパッタリングガス圧の依存性
について確認するため、直径１０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ
の光学的に平らな円形のガラス板上に、スパッタリング
ガス（Ａｒガス）のガス圧を変化させながら、膜厚が５
０ｎｍのＣｒ膜（第１の非磁性下地膜３に相当）、膜厚
が２５ｎｍのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ膜（６４Ｃｏ−１４Ｐｔ
−１０Ｃｒ−１２ＳｉＯ₂）（磁性情報記録膜４に相
当）、膜厚が２０ｎｍのＣ膜（保護膜５に相当）をそれ
ぞれスパッタリングにより形成した。内部応力とクラッ
クの関係を図４に示す。COMPARATIVE EXAMPLE 1 First, the dependency of the sputtering gas pressure on the internal stress and crack generation of the first nonmagnetic underlayer film 3, the magnetic information recording film 4, and the protective film 5 constituting the laminated film 7 shown in FIG. 10mm in diameter and 0.1mm in thickness to confirm the property
While changing the gas pressure of the sputtering gas (Ar gas) on the optically flat circular glass plate of
0 nm Cr film (corresponding to the first nonmagnetic underlayer 3), 25 nm thick Co-Pt-Cr film (64Co-14Pt)
-10Cr-12SiO ₂₎ (corresponding to the magnetic information recording layer 4), the film thickness was formed by sputtering 20nm of C film (corresponding to the protective film 5), respectively. FIG. 4 shows the relationship between the internal stress and the crack.

【００５９】図４から、Ｃｒ膜の内部応力は、スパッタ
リングガスのガス圧に大きく依存し、スパッタリングガ
スのガス圧が０．１〜１．５Ｐａの条件下で成膜された
Ｃｒ膜には、大きな引っ張り応力が働いていることが分
かる。これに対して、６４Ｃｏ−１４Ｐｔ−１０Ｃｒ−
１２ＳｉＯ₂膜、およびＣ膜の内部応力は、スパッタリ
ングガスのガス圧にあまり依存せず、常に所定の圧縮応
力が働いていることが分かる。しかし、Ｃｒ膜ではマイ
クロクラックの発生がいずれのスパッタリングガス圧力
の領域でも認められる。FIG. 4 shows that the internal stress of the Cr film greatly depends on the gas pressure of the sputtering gas, and that the Cr film formed under the condition that the gas pressure of the sputtering gas is 0.1 to 1.5 Pa: It turns out that a large tensile stress is working. In contrast, 64Co-14Pt-10Cr-
It can be seen that the internal stress of the 12SiO ₂ film and the C film does not depend much on the gas pressure of the sputtering gas, and a predetermined compressive stress always acts. However, in the Cr film, generation of microcracks is observed in any region of the sputtering gas pressure.

【００６０】次に、スパッタリングガスのガス圧を変化
させながら、実施例１と同様にして作製した樹脂製基板
２上にＣｒ膜を成膜し（第１の非磁性下地膜３に相
当）、このＣｒ膜上にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ膜（６４Ｃｏ−
１４Ｐｔ−１０Ｃｒ−１２ＳｉＯ ₂膜）（磁性情報記録
膜４に相当）と、Ｃ膜（保護膜５に相当）とを順次成膜
して積層膜を形成した。この積層膜の内部応力とクラッ
ク発生との関係に及ぼすスパッタリングガスのガス圧に
ついて調べた。その結果を図５に示す。Next, the gas pressure of the sputtering gas was changed.
While the resin substrate was manufactured in the same manner as in Example 1.
2 and a Cr film is formed on the first non-magnetic base film 3.
On this Cr film, a Co-Pt-Cr film (64Co-
14Pt-10Cr-12SiO _TwoFilm) (magnetic information recording
Film 4) and a C film (corresponding to the protective film 5) are sequentially formed.
Thus, a laminated film was formed. The internal stress and crack
Effect of gas pressure of sputtering gas on the relationship with crack generation
I checked about it. The result is shown in FIG.

【００６１】図５から、Ｃｒ膜と、６４Ｃｏ−１４Ｐｔ
−１０Ｃｒ−１２ＳｉＯ₂膜と、Ｃ膜とが積層されてな
る積層膜には、Ｃｒ膜の引っ張り応力が大きく作用し、
全体として、Ｃｒ膜成膜時のスパッタリングガスのガス
圧に依存する引っ張り応力が働いていることが分かる。
そして、積層膜の内部応力が０．３ＧＰａを超えたとき
にのみ樹脂製基板に大きなクラックが発生し、全領域で
マイクロクラックが発生してしまうことが認められる。FIG. 5 shows that the Cr film and the 64Co-14Pt
And -10Cr-12SiO ₂ film, the laminated film and the C film are laminated, the tensile stress of the Cr film is largely acts,
As a whole, it can be seen that a tensile stress depending on the gas pressure of the sputtering gas at the time of forming the Cr film acts.
Then, only when the internal stress of the laminated film exceeds 0.3 GPa, it is recognized that a large crack is generated in the resin substrate, and a micro crack is generated in the entire region.

【００６２】以上の結果から、Ｃｒ膜成膜時のスパッタ
リングガスのガス圧を調整制御するだけでは、クラック
の発生を効果的に防止することができないことが分かっ
た。From the above results, it was found that cracks cannot be effectively prevented only by adjusting and controlling the gas pressure of the sputtering gas during the formation of the Cr film.

【００６３】実施例２ 図１に準じた構成で、第１の非磁性下地膜３の条件を膜
厚８ｎｍ、膜形成時のＡｒ圧力を２．０Ｐａに固定し、
Ｃｒに加える第２元素を変えて、第１の非磁性下地膜３
を形成し、その上に順次、第２の非磁性下地膜３’とし
て、５０Ｔｉ−５０Ｗを１０ｎｍ（Ａｒ圧力：０．８Ｐ
ａ（６ｍＴｏｒｒ））、磁性情報記録膜４として６４Ｃ
ｏ−１４Ｐｔ−１０Ｃｒ−１２ＳｉＯ₂ を１０ｎｍ
（Ａｒ圧力：１．１Ｐａ（８ｍＴｏｒｒ））、保護膜５
として、Ｃを８ｎｍ（Ａｒ圧力：０．６７Ｐａ（５ｍＴ
ｏｒｒ））を形成し、磁性記録媒体（磁気ディスク）を
作製した。得られた磁性記録媒体について、Ｓ／Ｎを調
べた結果を図６に示す。Example 2 The configuration of the first nonmagnetic underlayer 3 was fixed to 8 nm, the Ar pressure at the time of film formation was fixed to 2.0 Pa, and the structure according to FIG.
By changing the second element added to Cr, the first nonmagnetic underlayer 3
Is formed thereon, and 50Ti-50W is successively formed thereon as a second nonmagnetic underlayer 3 'by 10 nm (Ar pressure: 0.8 P).
a (6 mTorr)), 64C as the magnetic information recording film 4
o-14Pt-10Cr-12SiO ₂ at 10 nm
(Ar pressure: 1.1 Pa (8 mTorr)), protective film 5
Is 8 nm (Ar pressure: 0.67 Pa (5 mT
orr)) was formed to produce a magnetic recording medium (magnetic disk). FIG. 6 shows the result of examining the S / N of the obtained magnetic recording medium.

【００６４】図６から、第１の非磁性下地膜を形成する
Ｃｒに添加する元素としてＴｉ、Ｍｏを選択した場合で
は、内部応力を低減する効果は小さいが、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｗを選択した場合には、対照的に内部応力が低減する効
果のあることが分かった。そして、１２原子％以上加え
ることで、内部応力が０．１ＧＰａ以下になり、クラッ
クが防止できることが分かった。しかし、添加元素の量
を増やし過ぎるとＳ／Ｎが小さくなり、４０原子％以上
加えると、必要Ｓ／Ｎを下回る。従って、添加元素とし
てＮｂ、Ｔａ、Ｗを１２原子％以上、４０原子％以下加
えることが望ましいことが分かった。FIG. 6 shows that when Ti and Mo are selected as elements to be added to Cr forming the first non-magnetic underlayer, the effect of reducing internal stress is small, but Nb, Ta,
When W was selected, it was found that, in contrast, the internal stress was reduced. And it turned out that internal stress becomes 0.1 GPa or less by adding 12 atomic% or more, and a crack can be prevented. However, if the amount of the added element is excessively increased, the S / N becomes small, and if it is added in an amount of 40 atomic% or more, the S / N falls below the required S / N. Therefore, it was found that it is desirable to add Nb, Ta, and W as an additional element in an amount of 12 atomic% or more and 40 atomic% or less.

【００６５】実施例３ 次に、図１に準じて、第１の非磁性下地膜３の組成、８
４Ｃｒ−１６Ｗと、Ａｒ圧力（２．０Ｐａ）を固定し
て、膜厚を変え、その上に順次、第２の非磁性下地膜
３’として、５０Ｔｉ−５０Ｗを１０ｎｍ、磁性情報記
録膜４として、６４Ｃｏ−１４Ｐｔ−１０Ｃｒ−１２Ｓ
ｉＯ₂を１０ｎｍ、保護層５として、Ｃを８ｎｍの条件
で形成し、磁性記録媒体（磁気ディスク）を作製した。Example 3 Next, referring to FIG. 1, the composition of the first non-magnetic
4Cr-16W and the Ar pressure (2.0 Pa) were fixed, the film thickness was changed, and 50Ti-50W 10 nm as the second nonmagnetic underlayer 3 'and the magnetic information recording film 4 were sequentially formed thereon as the second nonmagnetic underlayer 3'. , 64Co-14Pt-10Cr-12S
A magnetic recording medium (magnetic disk) was manufactured by forming iO ₂ at 10 nm and forming C as the protective layer 5 at 8 nm.

【００６６】内部応力とクラック発生との関係に及ぼす
膜厚の依存性、およびＳ／Ｎとクラック発生との関係に
及ぼす膜厚の依存性について調べた結果を図７に示す。
この図から、クラック発生を押え、かつ必要Ｓ／Ｎを保
持するためには、第１の非磁性膜３の厚さを３ｎｍ〜２
０ｎｍの範囲にすることで双方の特性を両立できること
が分かった。FIG. 7 shows the results of an investigation on the dependency of the film thickness on the relationship between the internal stress and the occurrence of cracks, and the dependency of the film thickness on the relationship between the S / N and the occurrence of cracks.
From this figure, the thickness of the first non-magnetic film 3 is set to 3 nm to 2 nm in order to suppress the occurrence of cracks and maintain the necessary S / N.
It has been found that both characteristics can be compatible with each other within the range of 0 nm.

【００６７】実施例４ 図１に準じた構成で、ＺＥＯＮＥＸを材料とした樹脂製
基板２上に第１の非磁性下地膜３として、８４Ｃｒ−１
６Ｗを３ｎｍ（Ａｒ圧力：２．０Ｐａ）、その上に順
次、第２の非磁性下地膜３’として、５０Ｔｉ−５０Ｗ
を１０ｎｍ（Ａｒ圧力：０．８Ｐａ（６ｍＴｏｒ
ｒ））、磁性情報記録膜４として、６４Ｃｏ−１４Ｐｔ
−１０Ｃｒ−１２ＳｉＯ₂を１０ｎｍ、（Ａｒ圧力：
１．１Ｐａ（８ｍＴｏｒｒ））、保護層５として、Ｃを
８ｎｍ（Ａｒ圧力：０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ））の
条件で形成し、磁性記録媒体（磁気ディスク）を作製し
た。この磁気ディスクを８０℃、相対湿度８０％の条件
下に４時間放置した後、１時間かけて除冷して−１０℃
とし、１時間冷却にさらす条件で環境試験を行った。そ
の結果、１μｍ〜３０μｍ程度の大きさの膜浮きが観察
された。その時の膜浮きの高さは２００ｎｍ〜１０００
ｎｍの高さになっていることを確認した。この高さはヘ
ッドの浮上を上回るものであった。Example 4 A structure similar to that of FIG. 1 was used. On a resin substrate 2 made of ZEONEX, 84Cr-1 was formed as a first nonmagnetic underlayer 3.
6W to 3 nm (Ar pressure: 2.0 Pa), and 50Ti-50W as a second nonmagnetic underlayer 3 'thereon.
To 10 nm (Ar pressure: 0.8 Pa (6 mTorr)
r)), 64Co-14Pt as the magnetic information recording film 4
The -10Cr-12SiO ₂ 10nm, (Ar pressure:
1.1 Pa (8 mTorr)) and C as the protective layer 5 were formed under the conditions of 8 nm (Ar pressure: 0.67 Pa (5 mTorr)) to produce a magnetic recording medium (magnetic disk). After leaving this magnetic disk at 80 ° C. and a relative humidity of 80% for 4 hours, it was cooled down for 1 hour to -10 ° C.
An environmental test was conducted under the condition of cooling for 1 hour. As a result, a film float having a size of about 1 μm to 30 μm was observed. The height of the film floating at that time is 200 nm to 1000
It was confirmed that the height was nm. This height exceeded the flying height of the head.

【００６８】実施例５ 上記、実施例４の条件で膜形成を行う前に、樹脂製基板
２をスパッタリング装置１０のロードチャンバーにて、
Ａｒガス ９．０Ｐａの条件、２０ｋＨｚのＲＦ電源を
用いてパワー０．０３ｋＷ〜０．５ｋＷで８．６秒プラ
ズマ処理を行った。処理後の基板を一部取り出し、その
表面をＦＴ−ＩＲを用いて調べ、未処理の基板表面と比
較した。一部、図８にＦＴ−ＩＲ図を示す。その結果、
プラズマ処理を行った基板には、酸素を含有する官能
基、即ち、図８のＡ部にヒドロキシル基（−ＯＨ）に基
づく吸収、Ｂ部にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、およ
びカルボニル基（＝ＣＯ）に基づく吸収のピークがいず
れも検出された。この基板を用いて、実施例４と同じ条
件で膜形成を行い作製した磁気ディスクの環境試験を行
った。その結果、いずれのサンプルも膜浮きが見られ
ず、環境試験に関しては問題がないことが分かった。Example 5 Before the film formation under the conditions of Example 4 described above, the resin substrate 2 was placed in a load chamber of a sputtering apparatus 10.
Plasma treatment was performed for 8.6 seconds at a power of 0.03 kW to 0.5 kW using a 20 kHz RF power source under the condition of Ar gas at 9.0 Pa. A part of the substrate after the treatment was taken out, and its surface was examined using FT-IR and compared with the untreated substrate surface. FIG. 8 shows an FT-IR diagram. as a result,
The substrate subjected to the plasma treatment has a functional group containing oxygen, that is, an absorption based on a hydroxyl group (—OH) in part A of FIG. 8, a carboxyl group (—COOH), and a carbonyl group (ＣＯCO) in part B of FIG. ) Were detected. Using this substrate, an environmental test was performed on a magnetic disk manufactured by forming a film under the same conditions as in Example 4. As a result, no film lifting was observed in any of the samples, and it was found that there was no problem with respect to the environmental test.

【００６９】次に、ＲＦパワーに対するＳ／Ｎの依存性
を図９に示す。図９で示すように、ＲＦパワーが０．３
ｋＷから急激にＳ／Ｎが小さくなっている。この時の前
処理を行った基板をＥＳＣＡで分析をしたところ、ＲＦ
処理を行うためのカソードの材料であるＡｌが検出され
た。わずかに付着したＡｌが下地膜の８４Ｃｒ−１６Ｗ
に影響して最終的にＣｏの結晶配向が変化してＳ／Ｎが
低下したものと考えられる。Next, FIG. 9 shows the S / N dependence on the RF power. As shown in FIG.
The S / N sharply decreases from kW. When the pretreated substrate at this time was analyzed by ESCA, RF
Al, which is the material of the cathode for performing the treatment, was detected. The slightly adhered Al is 84Cr-16W of the base film.
It is considered that the crystal orientation of Co was finally changed due to the influence of S and the S / N was reduced.

【００７０】実施例６ 以下の表１に示した条件で膜形成を行い、磁気特性、電
磁変換特性、環境試験を行った。Example 6 A film was formed under the conditions shown in Table 1 below, and magnetic characteristics, electromagnetic conversion characteristics, and environmental tests were performed.

【００７１】[0071]

【表１】 [Table 1]

【００７２】ＺＥＯＮＥＸを材料としたプラスチック基
板にＲＦ Ｇｌｏｗ処理／８４Ｃｒ−１６Ｗ／５０Ｔｉ
−５０Ｗ／Ｒｕ／６２Ｃｏ−１７．５Ｐｔ−８．５Ｃｒ
−１２ＳｉＯ_２／Ｃの順で膜形成を行った。このときに
得られた磁気特性はＶＳＭ（振動試料型磁気特性測定
機）を用いてＭｒ・ｔ＝０．４ｍＡ，Ｈｃ＝２５５ｋＡ
／ｍ，Ｓ^＊＝０．８５（Ｓ^＊：保磁力角形比）という結
果を得た。磁気変換特性をスピンスタンドＬＳ−９０，
Ｒ／Ｗ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｇｕｚｉｋ １６３２Ａ（共
同電子社製）を用いて行った。ヘッドは記録０．５μ
ｍ、再生０．２５μｍのトラック幅、浮上２５ｎｍのＧ
ＭＲナノスライダーを用いた。測定半径２８．７ｍｍ、
回転数５４００ｒｐｍ、記録密度２５０ｋＦＣＩにおけ
るＳ／Ｎを測定した。その結果、Ｓ／Ｎの絶対値は２７
ｄＢが得られ、実施例５のＳ／Ｎ比＋１．０ｄＢであっ
た。この媒体のＳＥＭ測定の結果、クラックは入ってい
ないことを確認した。また、この媒体をＣｌａｓｓ １
００以下のＣｌｅａｎ環境のもと、８０℃、８０％の環
境下に４時間放置した後、１時間かけて−４０℃まで下
げ、さらに１時間放置し室温に４時間かけて戻した。そ
の後、膜浮きを光学顕微鏡で観察した。しかし、膜浮き
は発生していなかった。このディスクが変形していない
ことを確認するため上記スピンスタンドＬＳ９０で上記
ヘッドを用いて浮上を確認したが、クラッシュすること
なく電磁変換特性を確認することができた。RF Glow treatment / 84Cr-16W / 50Ti on plastic substrate made of ZEONEX
-50W / Ru / 62Co-17.5Pt-8.5Cr
The film was formed in the order of -12SiO ₂ / C. The magnetic characteristics obtained at this time were measured using a VSM (vibration sample type magnetic characteristic measuring device) as follows: Mr · t = 0.4 mA, Hc = 255 kA
/ M, S ^* = 0.85 (S ^* : coercivity squareness ratio). The magnetic characteristics of the spinstand LS-90,
R / W Analyzer Guzik 1632A (manufactured by Kyodo Denshi) was used. The head is recording 0.5μ
m, reproduction 0.25 μm track width, floating 25 nm G
An MR nanoslider was used. Measuring radius 28.7mm,
The S / N at a rotational speed of 5400 rpm and a recording density of 250 kFCI was measured. As a result, the absolute value of S / N is 27
dB was obtained, and the S / N ratio of Example 5 was +1.0 dB. As a result of SEM measurement of this medium, it was confirmed that no crack was formed. In addition, this medium is referred to as Class 1
After leaving for 4 hours in an environment of 80 ° C. and 80% under a Clean environment of 00 or less, the temperature was lowered to −40 ° C. over 1 hour, left for 1 hour, and returned to room temperature over 4 hours. Thereafter, the film floating was observed with an optical microscope. However, no film floating occurred. In order to confirm that the disk was not deformed, flying was confirmed using the head with the spin stand LS90, but electromagnetic conversion characteristics could be confirmed without crash.

【００７３】[0073]

【発明の効果】請求項１に係る発明では、樹脂製基板上
に、第１の非磁性下地膜、第２の非磁性下地膜、磁性情
報記録膜、保護膜、および潤滑剤が少なくとも順次積層
され、前記第１の非磁性下地膜はＮｂ、Ｔａ、またはＷ
を１２原子％以上、４０原子％以下含み、Ｃｒを主成分
とする合金であることによって、積層膜の内部応力を
０．１ＧＰａ未満にし、樹脂基板のクラック発生を抑制
することができ、樹脂製基板の高記録密度の磁気記録媒
体が可能となる。According to the first aspect of the present invention, at least a first non-magnetic base film, a second non-magnetic base film, a magnetic information recording film, a protective film, and a lubricant are sequentially laminated on a resin substrate. The first nonmagnetic underlayer is made of Nb, Ta, or W.
, The internal stress of the laminated film is reduced to less than 0.1 GPa, and the occurrence of cracks in the resin substrate can be suppressed. A magnetic recording medium with a high recording density on the substrate is made possible.

【００７４】請求項２に係る発明では、前記第１の非磁
性下地膜の膜厚が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下とすること
によって、クラック発生を押さえることができるととも
に、必要Ｓ／Ｎを保持することができ、それぞれの特性
を両立させることができる。According to the second aspect of the present invention, cracks can be suppressed and the required S / N can be maintained by setting the thickness of the first non-magnetic underlayer to 1 nm or more and 20 nm or less. And the respective characteristics can be compatible.

【００７５】請求項３に係る発明では、前記樹脂製基板
が、表面に酸素原子を含む基板とすることにより、樹脂
製基板と下地膜との密着性を良くし、高温高湿に対する
下地膜の剥がれや、浮きを防止するため、環境特性を向
上することが可能となる。According to the third aspect of the present invention, the resin substrate is a substrate containing oxygen atoms on its surface, thereby improving the adhesiveness between the resin substrate and the base film and improving the adhesion of the base film to high temperature and high humidity. Environmental characteristics can be improved in order to prevent peeling and lifting.

【００７６】請求項４に係る発明では、前記樹脂製基板
が、ポリシクロオレフィン系炭化水素製基板であること
によって、磁気デイスクとしての機能を満足するほか、
成形性が良好で、かつ安価であり、樹脂製基板の実用性
を実現させることを可能とする。According to the fourth aspect of the present invention, the resin substrate is a substrate made of a polycycloolefin-based hydrocarbon, which satisfies the function as a magnetic disk.
Good moldability and low cost make it possible to realize the practicality of a resin substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】磁気ディスクの構成を示す要部断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a main part showing a configuration of a magnetic disk.

【図２】インライン型スパッタリング装置を示す略図で
ある。FIG. 2 is a schematic view showing an in-line type sputtering apparatus.

【図３】曲率半径と変形高さの関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between a radius of curvature and a deformation height.

【図４】構成膜の内部応力とＡｒ圧力との関係を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an internal stress of a constituent film and an Ar pressure.

【図５】構成膜の内部応力とＡｒ圧力との関係を示す図
である。FIG. 5 is a diagram showing a relationship between an internal stress of a constituent film and an Ar pressure.

【図６】内部応力およびＳ／Ｎと添加元素量との関係を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between internal stress and S / N and the amount of added elements.

【図７】内部応力およびＳ／ＮとＣｒ−Ｗ膜厚との関係
を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between internal stress, S / N, and Cr—W film thickness.

【図８】樹脂製基板表面状態を示すＦＴ−ＩＲ図であ
る。FIG. 8 is an FT-IR diagram showing a surface state of a resin substrate.

【図９】Ｓ／Ｎ比とＲＦパワーとの関係を示す図であ
る。FIG. 9 is a diagram showing a relationship between an S / N ratio and RF power.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１……磁気ディスク、２……樹脂製基板、２ａ……一主
面、３……第１の非磁性下地膜、３’……第２の非磁性
下地膜、４……磁性情報記録膜、５……保護膜、６……
潤滑剤、７……積層膜、１０……スパッタリング装置、
１１……チャンバ、１２……チャンバ、１３……チャン
バ、１４……チャンバ、１５……チャンバ、１６……排
気口、１７……真空ポンプ、１８……ガス導入口、１９
……スパッタガス供給源、２０……ターゲットホルダ、
２１……パレットDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Magnetic disk, 2 ... Resin substrate, 2a ... One main surface, 3 ... 1st non-magnetic base film, 3 '... 2nd non-magnetic base film, 4 ... Magnetic information recording film , 5 ... Protective film, 6 ...
Lubricant, 7 laminated film, 10 sputtering device,
11 ... chamber, 12 ... chamber, 13 ... chamber, 14 ... chamber, 15 ... chamber, 16 ... exhaust port, 17 ... vacuum pump, 18 ... gas inlet port, 19
…… Sputter gas supply source, 20 …… Target holder,
21 ... Palette

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 先崎 友二 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 CA04 CA05 CA06 CB01 CB07 DA03 EA03 FA03 FA05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yuji Masaki 6-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation F-term (reference) 5D006 CA04 CA05 CA06 CB01 CB07 DA03 EA03 FA03 FA05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 樹脂製基板上に、第１の非磁性下地膜、
第２の非磁性下地膜、磁性情報記録膜、保護膜、および
潤滑剤が少なくとも順次積層され、前記第１の非磁性下
地膜はＮｂ、Ｔａ、またはＷを１２原子％以上、４０原
子％以下含み、Ｃｒを主成分とする合金であることを特
徴とする磁気記録媒体。A first non-magnetic base film on a resin substrate;
At least a second nonmagnetic underlayer, a magnetic information recording film, a protective film, and a lubricant are sequentially laminated, and the first nonmagnetic underlayer contains Nb, Ta, or W in an amount of 12 atom% or more and 40 atom% or less. A magnetic recording medium comprising an alloy containing Cr as a main component. 【請求項２】 前記第１の非磁性下地膜の膜厚が１ｎｍ
以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。2. The method according to claim 1, wherein said first nonmagnetic underlayer has a thickness of 1 nm.
2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the thickness is 20 nm or less. 【請求項３】 前記樹脂製基板が、表面に酸素原子を含
む基板であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。3. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the resin substrate is a substrate containing oxygen atoms on the surface. 【請求項４】 前記樹脂製基板が、ポリシクロオレフィ
ン系炭化水素製基板であることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。4. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the resin substrate is a polycycloolefin hydrocarbon substrate.