JP2002328370A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
いて、光反射型液晶表示装置として使用する場合の輝度
を低下させることなく、光透過型液晶表示装置として使
用する場合のコントラスト及び輝度を向上させる。 【解決手段】液晶層50を挟んで配置されるアクティブ
マトリクス基板20側の位相差板27、28と対向基板
40側の位相差板42、43とで基準方向に対する光学
軸の配置角をほぼ90度ずらす。
Description
により表示を行う光透過表示領域と、光が反射すること
により表示を行う光反射表示領域とを備えた反射透過兼
用の液晶表示装置に関する。
費電力が小さいという特徴を有しており、この特徴を生
かして、各種OA機器のモニター用スクリーンに広く用
いられている。
Ray Tube:ブラウン管)やエレクトロルミネ
ッセンス(EL)表示装置とは異なり、自ら発光する機
能を有していない。このため、モニター用スクリーンと
は別個に光源を用意する必要がある。この光源の種類に
応じて、液晶表示装置は、光透過型液晶表示装置と光反
射型液晶表示装置とに大別される。
光源を配置し、その光源から発せられる光(「バックラ
イト」と呼ばれる)の透過及び遮断を切り替えることに
より、表示が行われる。
ックライトを発生させるための電力が全消費電力の50
%以上を占める。すなわち、バックライト用の光源が、
光透過型液晶表示装置の消費電力の多さの原因になって
いる。
るために提案された液晶表示装置が光反射型液晶表示装
置である。
り、この反射板により周囲の光を反射させ、その反射光
の透過及び遮断を切り替えることにより、表示が行われ
る。この光反射型液晶表示装置は、光透過型液晶表示装
置とは異なり、光源を備える必要がなく、その分、消費
電力を低減させることが可能である。
戸外で使用する機会も多く、周囲の光を反射光として用
いることができるため、光反射型液晶表示装置は携帯情
報機器のモニター用スクリーンに適している。
用する光反射型液晶表示装置は、周囲の光が暗い場合に
は、視認性が極端に低下するという欠点を有している。
光反射型液晶表示装置の場合とは逆に、周囲光が極めて
明るい場合には、周囲光と比較して表示光が暗く見える
という問題点があった。
部を透過させることにより、表示を行う光透過型表示
と、光の一部を反射させることにより、表示を行う光反
射型表示の両方を1つの液晶パネルで実現する反射透過
兼用の液晶表示装置が提案されている。
一例として特許第2955277号(特開平11−10
1992号公報)に記載されている液晶表示装置を図1
2に示す。
ス基板100と、アクティブマトリクス基板100に対
向して配置されている対向基板110と、アクティブマ
トリクス基板100と対向基板110との間に挟持され
ている液晶層120と、からなる。
透明基板101と、液晶層120とは反対側において第
1透明基板101上に形成されている位相差板102
と、位相差板102上に形成されている偏光板103
と、からなっている。
04が配置されている。
と、第2透明基板111上に形成された位相差板112
と、位相差板112上に形成された偏光板113と、か
らなっている。
光透過領域Aと、光が反射する光反射領域Bとが形成さ
れている。
01上に、透明導電膜105が設けられている。
01上に、凹凸状に形成された絶縁膜106と、絶縁膜
106を覆う光反射板107と、が形成されている。
0は透明導電膜105を透過し、液晶パネル上に所定の
表示を行う。また、液晶表示装置の外部から進入してき
た光140は光反射板107において反射することによ
り、液晶パネル上に所定の表示を行う。
過光及び反射光に4分の1波長(以下、「λ/4」と略
す)の位相差を与え、透過光及び反射光は偏光板103
及び113を透過することにより、円偏光を直線偏光
に、あるいは、直線偏光を円偏光に変換される。
おいては、透明導電膜105の下方には絶縁膜は形成さ
れていないため、光透過領域Aにおけるセルギャップ、
すなわち、液晶層120の厚みDfを光反射領域Bにお
けるセルギャップDrより大きくすることにより、画素
電極の光反射領域Aにおいて液晶を往復して通過する周
囲光の液晶層での光路長と、画素電極の光透過領域Bに
おいて液晶を通過する光の液晶層での光路長を近づける
ことができ、画素電極の光反射領域Aと光透過領域Bで
の液晶層での光の特性の変化を揃えることができる。
に示した従来の液晶表示装置においては、光透過部のセ
ルギャップDfが反射部のセルギャップDrよりも大き
いため、反射表示特性を最適とした場合に、輝度が低下
するという問題があった。これは反射特性を最適とする
場合、液晶のツイスト角がほぼ72°程度となり、この
ツイスト角では透過光の強度がDf<Drの条件で低下
するためである。
めになされたものであり、光透過型及び光反射型兼用の
液晶表示装置において、光反射型液晶表示装置として使
用する場合の輝度を低下させることなく、光透過型液晶
表示装置として使用する場合のコントラスト及び輝度を
向上させることができる液晶表示装置を提供することを
目的とする。
め、本発明は、第1の基板と、第1の基板の上方におい
て第1の基板と対向する第2の基板と、第1の基板と第
2の基板との間に挟持される液晶層と、からなる液晶表
示装置において、第1の基板は、光透過領域と光反射領
域とを有する第1透明基板と、液晶層とは反対側に形成
された第1透明基板側の位相差板を1番目とする第1か
ら第N(Nは1以上の正の整数)までのN個の第1位相
差板と、第1位相差板の第1透明基板とは反対側に形成
された第1偏光板と、を備え、第2の基板は、第2透明
基板と、液晶層とは反対側に形成された第2透明基板側
の位相差板を1番目とする第1から第NまでのN個の第
2位相差板と、第2位相差板の第2透明基板とは反対側
に形成された第2偏光板と、を備え、第1位相差板の中
の一の位相差板と当該一の位相差板に対応する第2位相
差板の中の一の位相差板とでは、基準方向に対する光学
軸の配置角がほぼ90度ずれているものであることを特
徴とする液晶表示装置を提供する。
は、ギャップマージンが広く、高白色表示が可能なツイ
ストネマティック液晶を適用することが可能になり、透
過光による表示時には、高コントラストで鮮やかな表示
を行うことが可能になる。
示特性から90度以外の角度を用いて液晶素子を設計す
る。しかしながら、このような90度以外のツイスト角
度では、電圧を印加した場合においても上下の基板付近
の液晶分子は立ち上がらず、残留複屈折率が存在するた
め、高いコントラストを得ることができない。
の位相差板の複屈折率を増加させ、残留複屈折率楕円体
と平行にすることにより、この残留リターディーション
を排除すると同時に、第1の位相差板と第2の位相差板
とを組み合わせることにより、広い帯域で位相差補償を
することを可能にし、高いコントラスト比を得ることを
可能にしている。
に最も近い位置にある位相差板のリターデーションが1
40nm乃至160nmであり、N個の第2位相差板の
うち、第2透明基板から最も離れた位置にある位相差板
のリターデーションが250nm乃至300nmである
ことが好ましい。
ち、第1透明基板に最も近い位置にある位相差板の配置
角が90度乃至120度であり、第1透明基板から最も
離れた位置にある位相差板の配置角が150度乃至18
0度であり、第1偏光板の配置角が−15度乃至15度
であり、N個の第2位相差板のうち、第2透明基板に最
も近い位置にある位相差板の配置角が60度乃至90度
であり、第2透明基板から最も離れた位置にある位相差
板の配置角が60度乃至90度であり、第2偏光板の配
置角が75度乃至105度であるように設定することが
できる。
1透明基板に最も近い位置にある位相差板の配置角が−
20度乃至10度であり、第1透明基板から最も離れた
位置にある位相差板の配置角が95度乃至125度であ
り、第1偏光板の配置角が−15度乃至15度であり、
N個の第2位相差板のうち、第2透明基板に最も近い位
置にある位相差板の配置角が0度乃至30度であり、第
2透明基板から最も離れた位置にある位相差板の配置角
が60度乃至90度であり、第2偏光板の配置角が75
度乃至105度であるように設定することができる。
1透明基板に最も近い位置にある位相差板の配置角75
度乃至105度であり、第1透明基板から最も離れた位
置にある位相差板の配置角が135度乃至165度であ
り、第1偏光板の配置角が150度乃至180度であ
り、N個の第2位相差板のうち、第2透明基板に最も近
い位置にある位相差板の配置角が−15度乃至15度で
あり、第2透明基板から最も離れた位置にある位相差板
の配置角が45度乃至75度であり、第2偏光板の配置
角が60度乃至90度であるように設定することができ
る。
板の上方において第1の基板と対向する第2の基板と、
第1の基板と第2の基板との間に挟持される液晶層と、
からなる液晶表示装置において、第1の基板は、光透過
領域と光反射領域とを有する第1透明基板と、液晶層と
は反対側において、第1透明基板に接して形成されたN
(Nは1以上の正の整数)個の第1位相差板と、第1位
相差板に対して形成された第1偏光板と、を備え、第2
の基板は、第2透明基板と、液晶層とは反対側におい
て、第2透明基板に接して形成されたN個の第2位相差
板と、第2位相差板に対して形成された第2偏光板と、
を備え、N個の第1位相差板のうち、第1透明基板に最
も近い位置にある位相差板のリターデーションが125
nm乃至155nmであり、第1透明基板から最も遠い
位置にある位相差板のリターデーションが250nm乃
至300nmであり、N個の第2位相差板のうち、第2
透明基板に最も近い位置にある位相差板のリターデーシ
ョンが140nm乃至170nmであり、第1位相差板
の中の一の位相差板(第1透明基板に最も近い位置にあ
る位相差板を除く)と当該一の位相差板に対応する第2
位相差板の中の一の位相差板とでは、基準方向に対する
光学軸の配置角がほぼ90度ずれているものであること
を特徴とする液晶表示装置を提供する。
の透明基板の上方において第1の基板と対向する第2の
基板と、第1の透明基板と第2の基板との間に挟持され
る液晶層と、からなる液晶表示装置において、第1の透
明基板は光反射領域と光透過領域とからなり、光反射領
域は、絶縁膜上に、モリブデン、クロム、チタン及びタ
ンタルの何れか1つからなる下地膜と該下地膜の上に形
成されたアルミニウム膜又は銀膜とからなる反射電極と
を有し、光透過領域は、絶縁膜上に透過電極を有し、透
過電極の端面の上部に反射電極が重なって接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
えば、下地膜の膜厚は100乃至3000オングストロ
ームであり、アルミニウム膜又は銀膜の膜厚は500乃
至5000オングストロームとすることができる。
図上において、透過電極と反射電極とが重なる部分と、
透過電極と下地膜とが重ならない部分との間には、透過
電極が下地膜とは重なるが、アルミニウム膜又は銀膜と
は重ならない部分が存在するようすることが好ましい。
曲面状をなすように形成することが好ましい。
状をなすように形成することが好ましい。
ーパ形状をなすようにすることができる。この場合、平
面図上において透過電極が下地膜と重なり、反射電極と
重ならない部分の幅は0.5μm以上とすることが好ま
しい。
領域における液晶層の厚みとはほぼ等しく設定すること
ができる。あるいは、光透過領域における液晶層の厚み
は光反射領域における液晶層の厚みよりも小さく設定す
ることができる。
1の透明基板の上方において第1の透明基板と対向する
第2の基板と、第1の透明基板と第2の基板との間に挟
持される液晶層と、からなり、さらに、第1の透明基板
は光反射領域と光透過領域とからなる液晶表示装置の製
造方法において、第1の透明基板の光反射領域に表面が
凹凸曲面状に、光透過領域に表面が平坦状に、それぞれ
絶縁膜を成膜する工程と、光透過領域の絶縁膜上に透明
電極を成膜する工程と、第1の透明基板の全面に下地膜
とアルミニウム膜又は銀膜とを成膜する工程と、下地膜
とアルミニウム膜又は銀膜とをパターニングする工程
と、を有し、透明電極とアルミニウム膜又は銀膜とを下
地膜を介して電気的に接続することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法を提供する。
に係る液晶表示装置10の断面図を示す。
クティブマトリクス基板20と、アクティブマトリクス
基板20に対向して配置されている対向基板40と、ア
クティブマトリクス基板20と対向基板40との間に挟
持されている液晶層50と、アクティブマトリクス基板
20の下方に配置されているバックライト30と、から
なる。
明基板21と、第1透明基板21上に形成されているゲ
ート絶縁膜22と、ゲート絶縁膜22に形成されている
第1の絶縁膜23と、第1の絶縁膜23を覆うようにゲ
ート絶縁膜22上に形成されている第2の絶縁膜24
と、第2の絶縁膜24上に形成されている反射電極25
と、第2の絶縁膜24上において反射電極25と一部重
なり合って形成されている透明電極26と、第1透明基
板21上に形成されている薄膜トランジスタ31と、液
晶層50とは反対側において、第1透明基板21上に形
成されている第1−1位相差板27と、第1−1位相差
板27上に形成されている第1−2位相差板28と、第
1−2位相差板28上に形成されている第1偏光板29
と、からなっている。
に配置されている。
2透明基板41上に形成された第2−1位相差板42
と、第2−1位相差板42上に形成された第2−2位相
差板43と、第2−2位相差板43上に形成された第2
偏光板44と、からなっている。
して、第2透明基板41上に透明電極及び配向膜(何れ
も図示せず)が形成されている。
は、液晶層50と接して、反射電極25及び透明電極2
6上に配向膜(図示せず)が形成されている。
透過する光透過領域Aと、光が反射する光反射領域Bと
が形成されており、反射電極25は光反射領域Bに形成
されており、透明電極26は光透過領域Aに形成されて
いる。
は、凸状に散点状に形成され、第1の絶縁膜23を覆う
第2の絶縁膜24は凹凸状に形成されている。また、光
透過領域Aにおいては、第1の絶縁膜23は平坦状に形
成されている。従って、光反射領域Bにおいて、第2の
絶縁膜24上に形成されている反射電極25も凹凸状を
なしており、また、光透過領域Aにおいて、第2の絶縁
膜24上に形成されている透明電極26は平坦状をなし
ている。
限定されるわけではない。光透過領域Aにおいても光反
射領域Bと同様に、第1の絶縁膜23は凸状に散点状に
形成され、第1の絶縁膜23を覆う第2の絶縁膜24も
凹凸状に形成されていてもかまわない。
縁膜23は平坦状に形成され、第2の絶縁膜24も平坦
状に形成されていてもよい。この場合には、反射光の散
乱は対向基板40により行われる。
は光透過領域Aを透過し、液晶パネル上に所定の表示を
行う。また、液晶表示装置10の外部から進入してきた
入射光160は反射電極25において反射することによ
り、液晶パネル上に所定の表示を行う。
1上に形成されているゲート電極32と、ゲート電極3
2の上方において、ゲート絶縁膜22上に形成されてい
るa−Si層33aと、a−Si層33a上に部分的に
形成されているn+型a−Si層33bと、n+型a−S
i層33b及びa−Si層33aを覆ってゲート絶縁膜
22上に形成されているドレイン電極34と、n+型a
−Si層33b及びa−Si層33aを覆ってゲート絶
縁膜22上に形成されているソース電極35と、からな
っている。
て、ソース電極35と接している。
ションは140nmであり、第1−2位相差板28のリ
ターデーションが250nmである。
ションは135nm乃至160nmの範囲内にあればよ
く、第1−2位相差板28のリターデーションは250
nm乃至300nmの範囲内にあればよい。
晶表示装置10の平面図である。図1は、図2のA−
A'線における断面図に相当する。
基板20は、相互に直交するゲート配線1及びドレイン
配線2とを備えており、これらのゲート配線1及びゲー
ト配線2で囲まれる画素領域の各々にスイッチング素子
としての薄膜トランジスタ31が形成されている。
を反射するとともに、アクティブマトリクス基板20と
対向基板40とに挟持された液晶層50に電圧を印可す
る。
いる透明電極26は、バックライト30から発せられる
光を透過させる。
ン電極34はドレイン配線2に、ソース電極35は反射
電極25にそれぞれ電気的に接続されている。
は、第1−1位相差板27と第2−1位相差板42とで
は、基準方向に対する光学軸の配置角がほぼ90度ずれ
るように設定されており、同様に、第1−2位相差板2
8と第2−2位相差板43とでは、基準方向に対する光
学軸の配置角がほぼ90度ずれるように設定されてい
る。
されたN個の第1位相差板を液晶層50に近い方から第
1−1、第1−2、……第1−N位相差板とし、第2透
明基板41に接して形成されたN個の第2位相差板を液
晶層50に近い方から第2−1、第2−2、……第2−
N位相差板とすると、第1−1位相差板と第2−1位相
差板、第1−2位相差板と第2−2位相差板、……第1
−N位相差板と第2−N位相差板が対応し、対応する位
相差板どうしでは、基準方向に対する光学軸の配置角が
ほぼ90度ずれるように設定されている。
50の厚み方向中央部の液晶分子の配向方向に対して直
交する方位を基準方向とし、対向基板40からアクティ
ブマトリクス基板20へたどったときの液晶層50の液
晶のねじれ方向を正方向とする。
示する場合に色付きの発生を防止し、かつ高コントラス
トを得るための先願である特願2001−022485
に従って、第2−1位相差板42、第2−2位相差板、
第2偏光板44を設定する。すなわち、位相差板、偏光
板のリタデーションを選択し、配置角を設定する。
位相差板27、第1−2位相差板28、第1偏光板29
としてそれぞれ対応する第2−1位相差板42、第2−
2の位相差板43、第2偏光板44と同じリタデーショ
ンを有する位相差板を用い、かつそれぞれ対応する位相
差板、偏光板とでは、基準方向に対する光学軸の配置角
がほぼ90度ずれるように設定する。
1−2位相差板28、第2−1位相差板42及び第2−
2位相差板43相互間の光学軸の配置角の関係の第1の
例を示している。
と光透過率(または光反射率)との関係を示すグラフで
ある。
すように、第1偏光板29の吸収軸は基準方向に対して
0度傾斜しており、第2偏光板44の吸収軸は基準方向
に対して90度傾斜している。
ビング角は126度であり、対向基板40のラビング角
は54度である。
7及び第2−1位相差板42はおおむね4分の1波長
(λ/4)の位相差をを有する位相差板からなり、第1
−2位相差板28及び第2−2位相差板43はおおむね
半波長(λ/2)の位相差を有する位相差板からなって
いる。
基準方向に対して105度である。この第1−1位相差
板27に対応する第2−1位相差板42の光学軸の配置
角は基準方向に対して15度である。このように、第1
−1位相差板27と第2−1位相差板42とでは、光学
軸の配置角が90度ずれて設定されている。
置角は基準方向に対して165度である。この第1−2
位相差板28に対応する第2−2位相差板43の光学軸
の配置角は基準方向に対して76度である。このよう
に、第1−2位相差板28と第2−2位相差板43とで
は、光学軸の配置角がほぼ90度(正確には、89度)
ずれて設定されている。
28、第2−1位相差板42及び第2−2位相差板43
が上述の第1の例のような関係を有している液晶表示装
置を作成し、光透過領域Aを透過した透過光により表示
を行った場合のコントラスト比を測定したところ、10
5であった。
トラスト比(100以下)よりも改善された値である。
1−2位相差板28、第2−1位相差板42及び第2−
2位相差板43相互間の光学軸の配置角の関係の第2の
例を示している。
と光透過率(または光反射率)との関係を示すグラフで
ある。
2−2位相差板43、第2偏光板44の位相差板、偏光
板のリタデーション、配置角は第1の例と同じである。
7で補償するため、第1−1位相差板27のリタデーシ
ョンは第1の例とは中心値を3nmずらしている。しか
し、実質的にはほとんど同じである。むしろ、第1−1
位相差板27、第1−2位相差板28の配置角を第1の
例とは変えており、それぞれ対応する第2−1位相差板
42、第2−2位相差板43に対する配置角のずれは9
0度からずらして設定している。
すように、第1偏光板30の吸収軸は基準方向に対して
−1度傾斜しており、第2偏光板44の吸収軸は基準方
向に対して90度傾斜している。
ビング角は126度であり、対向基板40のラビング角
は54度である。
様に、第1−1位相差板27及び第2−1位相差板42
はおおむね4分の1波長(λ/4)の位相差をを有する
位相差板からなり、第1−2位相差板28及び第2−2
位相差板43はおおむね半波長(λ/2)の位相差を有
する位相差板からなっている。
基準方向に対して−2.8度である。この第1−1位相
差板27に対応する第2−1位相差板42の光学軸の配
置角は基準方向に対して15度である。
差板27の光学軸の配置角と第1−1位相差板27に対
応する第2−1位相差板42の光学軸の配置角とは相互
に90度ずれて設定されていたが、第2の例において
は、第1−1の位相差板27により残留リターデーショ
ンを補償しているため、第1の例の場合とは異なり、第
1−1位相差板27と第2−1位相差板42との光学軸
の配置角の差は90度にはならない。
置角は基準方向に対して110度である。この第1−2
位相差板28に対応する第2−2位相差板43の光学軸
の配置角は基準方向に対して76度である。この場合
も、前述のように、第1−2位相差板28と第2−2位
相差板43との光学軸の配置角の差は90度にはならな
い。
28、第2−1位相差板42及び第2−2位相差板43
が上述の第2の例のような関係を有している液晶表示装
置を作成し、光透過領域Aを透過した透過光により表示
を行った場合のコントラスト比を測定したところ、50
0であった。
トラスト比(100以下)よりも大幅に改善された値で
ある。
1−2位相差板28、第2−1位相差板42及び第2−
2位相差板43相互間の光学軸の配置角の関係の第3の
例を示している。
と光透過率(または光反射率)との関係を示すグラフで
ある。
反射領域Bにおいて、液晶層50の視角変化によるリタ
デーションの変化と、位相差フィルムの視角変化による
リタデーションの変化とが、総合的に打ち消しあうよう
に、第2−1位相差板42、第2−2位相差板43、第
2偏光板44を設定する。すなわち、位相差板、偏光板
のリタデーションを選択し、配置角を設定する。以下で
は、光反射領域Bのみを形成した場合の効果、すなわ
ち、光透過領域Aが存在しない場合の効果について記
す。
角を54度とし、液晶層50のツイスト角と液晶層のセ
ルギャップの積Δndの値は約0.27μmとなってい
る。ツイスト角については±4度程度、Δndの値につ
いては、±0.4μm程度の許容範囲がある。即ち、液
晶層50のツイスト角は66度乃至74度とすることが
でき、液晶層50のΔndの値は、0.21μm乃至
0.31μmとすることができる。
は、第2−1位相差板42、第2−2位相差板43、及
び第2偏光板44が順次配置されている。第2−1位相
差板42及び第2−2位相差板43のそれぞれについ
て、550nmの単色光に対するリタデーションは、1
45nm乃至180nm及び250nm乃至300nm
の範囲におのおの設定されている。
晶の配向状態は、対向基板40及びアクティブマトリク
ス基板20の配向膜に対する配向処理方向によって決め
られ、対向基板40の界面からアクティブマトリクス基
板20の界面に向けて連続的に捻れるように配向されて
いる。第2−1の位相差板42の光学軸、第2の位相差
板43の光学軸、第2偏光板44の偏光吸収軸は、液晶
層50の対向基板側配向方向と液晶層50のアクティブ
マトリクス基板側配向方向とを2等分する方向である液
晶層50の厚み方向中央部の液晶分子の配向方向に対し
て直交する方向を基準とし、対向基板40側からアクテ
ィブマトリクス基板20側へたどったときの液晶のねじ
れ方向を正として、それぞれ、配置角α、β、γの角度
となるように配置されている。
度乃至15度、配置角βを45度乃至75度、及び配置
角γを60度乃至90度とすることにより、観察方向の
変化による表示の着色を解消することができる。
圧無印加時には、明状態を示すノーマリーホワイトの素
子であり、入射した光は第2偏光板44、第2−2位相
差板43、及び第2−1位相差板42を順次通過するこ
とにより、円偏光又は円偏光に近い偏光状態の光に変換
され、液晶層50に入射する。対向基板40の共通透明
電極(図示せず)を介して液晶層50に電界を作用させ
ることにより、液晶の配向状態を変化させて入射光が反
射電極25に反射されて使用者に届く光の強度が変化し
て表示することができる。
42および第2−2位相差板43を形成する材料として
は、ポリカーボネート系高分子や、ポリサルフォン系高
分子や、ノルボルネン系高分子、あるいはポリビニルア
ルコール系高分子等を使用することができる。
とにより、明るく、高コントラスト比で、ムラのなく、
明表示時において視角を変化させても、表示が黄色っぽ
く着色することがない良好なフルカラー画像を表示する
ことができる光反射領域Bを得ることができる。
残留リタデーションを第1−1位相差板27で補償する
ため、第1−1位相差板27のリタデーションを125
nm乃至155nmに設定する。第1−2位相差板28
には第2−2位相差板43と同じリタデーションのもの
を用いる。第1−2位相差板28の配置角も設定する。
第1−1位相差板27、第1−2位相差板28、第1偏
光板29の配置角は、それぞれ対応する位相差板、偏光
板と、基準方向に対する光学軸の配置角がほぼ90度ず
れるように設定する。
すように、第1偏光板29の吸収軸は基準方向に対して
163度傾斜しており、第2偏光板44の吸収軸は基準
方向に対して73度傾斜している。
ビング角は126度であり、対向基板40のラビング角
は54度である。
同様に、第1−1位相差板27及び第2−1位相差板4
2はおおむね4分の1波長(λ/4)の位相差をを有す
る位相差板からなり、第1−2位相差板28及び第2−
2位相差板43はおおむね半波長(λ/2)の位相差を
有する位相差板からなっている。
基準方向に対して90度である。この第1−1位相差板
27に対応する第2−1位相差板42の光学軸の配置角
は基準方向に対して0度である。このように、第1−1
位相差板27と第2−1位相差板42とでは、光学軸の
配置角が90度ずれて設定されている。
置角は基準方向に対して149度である。この第1−2
位相差板28に対応する第2−2位相差板43の光学軸
の配置角は基準方向に対して59度である。このよう
に、第1−2位相差板28と第2−2位相差板43とで
は、光学軸の配置角が90度ずれて設定されている。
28、第2−1位相差板42及び第2−2位相差板43
が上述の第3の例のような関係を有している液晶表示装
置を作成し、光透過領域Aを透過した透過光により表示
を行った場合のコントラスト比を測定したところ、80
0であった。
トラスト比(100以下)よりも大幅に改善された値で
ある。
ィブマトリクス基板20の第1−1位相差板27により
残留リターディーションを補償したが、この第3の例に
おいては、対向基板40の第2−1位相差板42により
補償している。
クティブマトリクス基板20の第1−1位相差板27で
補償しても良く、あるいは、対向基板40の第2−1位
相差板42で補償してもよい。あるいは、アクティブマ
トリクス基板20の第1−1位相差板27と対向基板4
0の第2−1位相差板42との双方で残留リターディー
ションを補償することも可能である。
1−2位相差板28、第2−1位相差板42及び第2−
2位相差板43相互間の光学軸の配置角の関係の第4の
例を示している。
と光透過率(または光反射率)との関係を示すグラフで
ある。
1−2位相差板28、第1偏光板29の位相差板、偏光
板のリタデーション、配置角は、第1−1位相差板27
を除いて、第3の例と同じである。残留リタデーション
を第2−1位相差板42で補償するため、第2−1位相
差板42のリタデーションを第3の例とは中心値を6度
ずらしている。しかし、実質的にはほとんど同じであ
る。むしろ、第1−1位相差板27の配置角を第3の例
とは変えており、対応する第2−1位相差板42に対す
る配置角のずれは90度からずらして設定している。
すように、第1偏光板29の吸収軸は基準方向に対して
163度傾斜しており、第2偏光板44の吸収軸は基準
方向に対して73度傾斜している。
ビング角は126度であり、対向基板40のラビング角
は54度である。
同様に、第1−1位相差板27及び第2−1位相差板4
2はおおむね4分の1波長(λ/4)の位相差をを有す
る位相差板からなり、第1−2位相差板28及び第2−
2位相差板43はおおむね半波長(λ/2)の位相差を
有する位相差板からなっている。
基準方向に対して105度である。この第1−1位相差
板27に対応する第2−1位相差板42の光学軸の配置
角は基準方向に対して0度である。このように、第1−
1位相差板27と第2−1位相差板42とでは、光学軸
の配置角が90度以上ずれて設定されている。
置角は基準方向に対して149度である。この第1−2
位相差板28に対応する第2−2位相差板43の光学軸
の配置角は基準方向に対して59度である。このよう
に、第1−2位相差板28と第2−2位相差板43とで
は、光学軸の配置角が90度ずれて設定されている。
28、第2−1位相差板42及び第2−2位相差板43
が上述の第4の例のような関係を有している液晶表示装
置を作成し、光透過領域Aを透過した透過光により表示
を行った場合のコントラスト比を測定したところ、33
0であった。
トラスト比(100以下)よりも大幅に改善された値で
ある。
ィブマトリクス基板20の第1−1位相差板27により
残留リターディーションを補償したが、この第4の例に
おいては、第3の例の場合と同様に、対向基板40の第
2−1位相差板42により補償している。
1−2位相差板28、第2−1位相差板42及び第2−
2位相差板43における各配置角の関係を上述の第1乃
至第4の例の何れかにすることによって、すなわち、第
1−1位相差板27及び第2−1位相差板42の間、並
びに、第1−2位相差板28及び第2−2位相差板43
の間において、基準方向に対する光学軸の配置角がほぼ
90度ずれるように設定することにより、従来の液晶表
示装置と比較して、光透過領域Aを透過した透過光によ
り表示を行った場合のコントラスト比を大幅に改善する
ことが可能である。
は、アクティブマトリクス基板20及び対向基板40に
それぞれ2個ずつの位相差板が形成されている場合を想
定したが、位相差板の数は2個には限定されない。アク
ティブマトリクス基板20及び対向基板40にそれぞれ
1個ずつの位相差板を形成しても良く、あるいは、それ
ぞれ3個以上の位相差板を形成することも可能である。
ては、光反射領域Bにおけるセルギャップ、すなわち、
液晶層の厚みDrは光透過領域Aにおけるセルギャッ
プ、すなわち、液晶層50の厚みDfよりも大きく設定
されている。
は凹凸状をなしているため、光反射領域Bにおけるセル
ギャップDrとしては、光反射領域Bにおける光路長の
平均値をとる。
ップDfよりも大きく設定するによって、本液晶表示装
置における表示の色味を改善すること、すなわち、白の
色温度を高くすることができる。反射透過兼用の液晶表
示装置では、通常、光反射領域Bの輝度が最大になるよ
うにセルギャップDrを設定する。従って、光透過領域
AのセルギャップDfも同じ値にすることによって、光
透過領域Aの輝度最大を最大に設定することができる。
係をシミュレーションした結果を示す。この結果から
は、セルギャップ3.2μmで輝度が最大になる。ただ
し、印加電圧―透過率特性において、ジャンプが見られ
るので、セルギャップとしては3μmが望ましい。そこ
で、光反射領域Aのセルギャップは3μmに設定する。
別の透過率のシミュレーション結果から、光透過領域A
のセルギャップDfを3μmより小さく設定すると、青
の輝度が向上することが分かる。つまり、セルギャップ
Dfを輝度最大のセルギャップより小さくすることによ
って、白の色温度を高くすることができる。
は凹凸状をなしているため、光反射領域Bにおけるセル
ギャップDrとしては、光反射領域Bにおける光路長の
平均値をとる。セルギャップを確保するために、液晶層
に球形のミクロパール(ギャップ材料)を入れる場合、
光反射領域Bでは、ミクロパールは反射電極25の表面
の凹凸より直径の小さい球形を成しているため、光反射
領域Bでセルギャップを制御することは難しいが、透過
電極26の表面は平坦なため、ミクロパールでセルギャ
ップを容易に制御することができる。
fとほぼ等しく、あるいは、全く等しく設定することも
可能である。既に説明したように、通常、光反射領域B
の輝度が最大になるようにセルギャップDrを設定す
る。従って、光透過領域AのセルギャップDfも同じ値
にすることによって、光透過領域Aの輝度最大を最大に
設定することができる。この場合も、平坦な光透過領域
Aにおいてセルギャップの制御は容易である。
形態に係る液晶表示装置10におけるアクティブマトリ
クス基板20の製造方法を説明する。
らなる第1透明基板21上に、スパッタ法により、クロ
ム膜を成膜する。
ングにより、クロム膜をパターニングし、ゲート配線1
(図2参照)及びゲート電極32を形成する。
タン、アルミニウム、アルミニウム合金などの抵抗が低
く、薄膜形成及びフォトリソグラフィーによるパターニ
ングが容易な金属からなる金属膜を形成してもよい。
などのバリアメタル膜を形成した積層構造からなる配線
膜を形成することもできる。
2となる窒化シリコン膜を全面に成膜する。
グされていない非晶質シリコン膜と、n+型にドーピン
グされた非晶質シリコン膜とをCVDにより成膜した
後、パターニングし、a−Si層33aとn+型a−S
i層33bとを形成する。a−Si層33aは薄膜トラ
ンジスタ31の能動層となるものであり、n+型a−S
i層33bはドレイン電極34及びソース電極35とa
−Si層33aとのオーミックコンタクトを確保するた
めのものである。
Si層33b上に、スパッタ法により、クロム膜を成膜
し、このクロム膜をパターニングし、ドレイン電極34
及びソース電極35を形成する。
ングされるガス系によってドライエッチングを行い、ド
レイン電極34とソース電極35との間のn+型a−S
i層33bを除去する。これは、ドレイン電極34とソ
ース電極35との間をn+型a−Si層33bを介して
直接電流が流れることを防止するためである。
を成膜し、さらに、パターニングすることにより、パッ
シベーション膜(図示せず)を形成する。このパッシベ
ーション膜はイオンなどの不純物がa−Si層33aに
拡散し、薄膜トランジスタ31が動作不良を起こすこと
を防止するためのものである。
に、第1透明基板21上に薄膜トランジスタ31が形成
される。
極25に所定の凹凸を形成するための第1の絶縁膜23
aを光反射領域Bに形成し、第1の絶縁膜23aよりも
高さの高い第1の絶縁膜23bを光透過領域Aに形成す
る。
絶縁膜23a,bに表面形状変換プロセス処理を施し、
角部を丸め、なだらかな凸形状にする。
絶縁膜23a,bを覆う第2の絶縁膜24を形成すると
ともに、反射電極25とソース電極35とを接続するた
めのコンタクトホール36を形成する。
24は表示領域内部の全面に形成し、かつ、表示領域の
外縁に位置する画素の外側(図7の左側)において、第
1の絶縁膜23aよりも第2の絶縁膜24が外側まで形
成されるようにし、第1の絶縁膜23a及び第2の絶縁
膜24によって急峻な段差が形成されないようにしてい
る。
を有しない樹脂または感光性を有する樹脂の何れをも用
いることができる。
工程は、(1)第1の絶縁膜23a,bの成膜、(2)
第1の絶縁膜23a,bのパターニング用レジストの成
膜、(3)露光、(4)現像、(5)第1の絶縁膜23
a,bのエッチング、(6)レジスト剥離の各工程から
なる。
程は、(1)第1の絶縁膜23a,bの成膜、(2)露
光、(3)現像の各工程からなり、レジストの成膜及び
剥離の工程を省略することができる。
理においては、摂氏80乃至300度の熱処理を行うこ
とにより、パターニング後の第1の絶縁膜23a,bの
表面を溶融させ、滑らかな形状にしている。
理に限定されるものではなく、その他の処理、例えば、
薬品による溶融処理を用いることもできる。また、第2
の絶縁膜24により十分になだらかな表面が形成できる
場合には、表面形状変換プロセス処理を施す必要はな
い。
膜23a,b及び第2の絶縁膜24としては、ポリイミ
ド膜を使用した。ただし、第1の絶縁膜23a,b及び
第2の絶縁膜24は同一の有機樹脂材料を用いる必要は
必ずしもなく、異なる材料を用いることも可能である。
例えば、第1の絶縁膜23a,b及び第2の絶縁膜24
として、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂、シリコン窒
化膜及びアクリル樹脂、シリコン酸化膜及びポリイミド
樹脂などの組み合わせを用いることもできる。
などの透明材料からなる膜26aを成膜した後、この膜
26aを覆うようにレジスト(図示せず)を形成し、透
明電極26を残す領域のみレジストパターンを形成す
る。
して、膜26aをエッチングした後、レジストパターン
を除去する。この結果、図8(F)に示すように、透明
電極26が形成される。
ミニウム膜25bとを成膜する。これらのモリブデン膜
25a及びアルミニウム膜25bを覆うようにレジスト
(図示せず)を形成し、反射電極25を残す領域のみレ
ジスタパターンを形成する。
して、モリブデン膜25a及びアルミニウム膜25bを
エッチングした後、レジストパターンを除去する。この
結果、図8(G)に示すように、モリブデン膜25a及
びアルミニウム膜25bからなる反射電極25が形成さ
れる。
端部の上にモリブデン膜25aを形成し、さらにモリブ
デン膜25aの上にアルミニウム膜25bを形成するこ
とによって、アルミニウム膜25bから成る反射電極と
透明電極26を電気的に接続する。アルミニウム膜25
bの下地としてモリブデン膜25aを形成して透明電極
26と接続するのは、電池効果を防ぐためである。
(G)に示すように、透明電極26上のアルミニウム膜
25bの端部はモリブデン膜25aの端部からさらに距
離aだけ反射電極側に後退させる。距離aは1μm以上
確保することが望ましい。
100乃至3000Å、アルミニウム膜25bの膜厚は
500乃至5000Åが望ましい。アルミニウム膜25
bの膜厚が500Å未満では半透過になり、反射膜とし
て充分機能しない。一方、アルミニウム膜25bの膜厚
が5000Åを超えると表面が白濁し、反射率が低下す
るため、反射膜として充分機能しない。モリブデン膜2
5aの膜厚を100Å以上にするのは電池効果の防止を
確実にするためである。
チタン、タンタルを用いることもできる。第2の絶縁膜
24に有機樹脂材料を用いる場合、これらの金属を下地
として用いることにより、第1の絶縁膜24と下地膜2
5aとの密着性を増すことができる。
表示装置10におけるアクティブマトリクス基板20が
形成される。
10は各種の電子機器に応用することが可能である。以
下、その応用例を挙げる。
帯型情報端末250のブロック図である。液晶表示装置
10は、本携帯型情報端末250においては、液晶パネ
ル265の構成要素として用いられる。
65、バックライト発生手段266及び映像信号を処理
する映像信号処理部267からなる表示部268と、本
携帯型情報端末250の各構成要素を制御する制御部2
69と、制御部269が実行するプログラムあるいは各
種データを記憶する記憶部271と、データ通信を行う
ための通信部272と、キーボードまたはポインターか
らなる入力部273と、本携帯型情報端末250の各構
成要素へ電力を供給する電源部274と、からなってい
る。
5を用いることにより、表示部268における開口率が
改善され、表示部268の輝度を向上させることができ
る。
ル265は、携帯型パーソナルコンピュータあるいはノ
ート型パーソナルコンピュータあるいはデスクトップ型
パーソナルコンピュータのモニタに適用することもでき
る。
帯電話機275のブロック図である。
バックライト発生手段266及び映像信号を処理する映
像信号処理部267からなる表示部276と、本携帯電
話機275の各構成要素を制御する制御部277と、制
御部277が実行するプログラムあるいは各種データを
記憶する記憶部278と、無線信号を受信するための受
信部279と、無線信号を送信するための送信部281
と、キーボードまたはポインターからなる入力部282
と、本携帯電話機275の各構成要素へ電力を供給する
電源部283と、からなっている。
5を用いることにより、表示部276における開口率が
改善され、表示部276の輝度を向上させることができ
る。
本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分野に
おいて通常の知識を有する者にとって既知の事項につい
ては特に詳述していないが、たとえ記載がなくてもこれ
らの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属す
る。
板21、第1−1位相差板27、第1−2位相差板2
8、第1偏光板29及びバックライト30はいずれも接
しているように表現しているが、実施にあたりこれらの
要素が接している必要は特になく、一部又は全部が独立
して配置されていても本発明の有効性は損なわれない。
1、第2−1位相差板42、第2−2位相差板43、第
2偏光板44においても同様である。
れぞれ液晶層50の上下に用いているが、2枚にする必
要はなく、必要に応じてN枚(Nは自然数)を使っても
いい。
示時の表示特性から90度以外の角度を用いて液晶素子
を設計する。しかしながら、このような90度以外のツ
イスト角度では、電圧を印加した場合においても上下の
基板付近の液晶分子は立ち上がらず、残留複屈折率が存
在するため、高いコントラストを得ることができない。
によれば、第1の位相差板の複屈折率を増加させ、残留
複屈折率楕円体と平行にすることにより、この残留リタ
ーディーションを排除すると同時に、第1の位相差板と
第2の位相差板とを組み合わせることにより、広い帯域
で位相差補償をすることを可能にし、高いコントラスト
比を得ることを可能にしている。
れば、反射表示時には、ギャップマージンが広く、高白
色表示が可能なツイストネマティック液晶を適用するこ
とが可能になり、透過表示時には、高コントラストで鮮
やかな表示を行うことが可能になる。
断面図である。
の配置角の関係(第1の例)を示す概略図である。
の配置角の関係(第2の例)を示す概略図である。
の配置角の関係(第3の例)を示す概略図である。
の配置角の関係(第4の例)を示す概略図である。
面図である。
面図である。
ーションした結果を示すグラフである。
器に応用した場合の第一の例のブロック図である。
器に応用した場合の第二の例のブロック図である。
Claims (16)
- 【請求項1】 第1の基板と、 前記第1の基板の上方において前記第1の基板と対向す
る第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持される液
晶層と、 からなる液晶表示装置において、 前記第1の基板は、 光透過領域と光反射領域とを有する第1透明基板と、 前記液晶層とは反対側に形成された前記第1透明基板側
の位相差板を1番目とする第1から第N(Nは1以上の
正の整数)までのN個の第1位相差板と、 前記第1位相差板の前記第1透明基板とは反対側に形成
された第1偏光板と、を備え、 前記第2の基板は、 第2透明基板と、 前記液晶層とは反対側に形成された前記第2透明基板側
の位相差板を1番目とする第1から第NまでのN個の第
2位相差板と、 前記第2位相差板の前記第2透明基板とは反対側に形成
された第2偏光板と、を備え、 前記第1位相差板の中の一の位相差板と当該一の位相差
板に対応する前記第2位相差板の中の一の位相差板とで
は、基準方向に対する光学軸の配置角がほぼ90度ずれ
ているものであることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記N個の第1位相差板のうち、前記第
1透明基板に最も近い位置にある位相差板のリターデー
ションが140nm乃至160nmであり、 前記N個の第2位相差板のうち、前記第2透明基板から
最も離れた位置にある位相差板のリターデーションが2
50nm乃至300nmであることを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記N個の第1位相差板のうち、前記第
1透明基板に最も近い位置にある位相差板の配置角が9
0度乃至120度であり、前記第1透明基板から最も離
れた位置にある位相差板の配置角が150度乃至180
度であり、前記第1偏光板の配置角が−15度乃至15
度であり、 前記N個の第2位相差板のうち、前記第2透明基板に最
も近い位置にある位相差板の配置角が60度乃至90度
であり、前記第2透明基板から最も離れた位置にある位
相差板の配置角が60度乃至90度であり、前記第2偏
光板の配置角が75度乃至105度であることを特徴と
する請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記N個の第1位相差板のうち、前記第
1透明基板に最も近い位置にある位相差板の配置角が−
20度乃至10度であり、前記第1透明基板から最も離
れた位置にある位相差板の配置角が95度乃至125度
であり、前記第1偏光板の配置角が−15度乃至15度
であり、 前記N個の第2位相差板のうち、前記第2透明基板に最
も近い位置にある位相差板の配置角が0度乃至30度で
あり、前記第2透明基板から最も離れた位置にある位相
差板の配置角が60度乃至90度であり、前記第2偏光
板の配置角が75度乃至105度であることを特徴とす
る請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記N個の第1位相差板のうち、前記第
1透明基板に最も近い位置にある位相差板の配置角75
度乃至105度であり、前記第1透明基板から最も離れ
た位置にある位相差板の配置角が135度乃至165度
であり、前記第1偏光板の配置角が150度乃至180
度であり、 前記N個の第2位相差板のうち、前記第2透明基板に最
も近い位置にある位相差板の配置角が−15度乃至15
度であり、前記第2透明基板から最も離れた位置にある
位相差板の配置角が45度乃至75度であり、前記第2
偏光板の配置角が60度乃至90度であることを特徴と
する請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 第1の基板と、 前記第1の基板の上方において前記第1の基板と対向す
る第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持される液
晶層と、 からなる液晶表示装置において、 前記第1の基板は、 光透過領域と光反射領域とを有する第1透明基板と、 前記液晶層とは反対側において、前記第1透明基板に接
して形成されたN(Nは1以上の正の整数)個の第1位
相差板と、 前記第1位相差板に対して形成された第1偏光板と、を
備え、 前記第2の基板は、 第2透明基板と、 前記液晶層とは反対側において、前記第2透明基板に接
して形成されたN個の第2位相差板と、 前記第2位相差板に対して形成された第2偏光板と、を
備え、 前記N個の第1位相差板のうち、前記第1透明基板に最
も近い位置にある位相差板のリターデーションが125
nm乃至155nmであり、前記第1透明基板から最も
遠い位置にある位相差板のリターデーションが250n
m乃至300nmであり、 前記N個の第2位相差板のうち、前記第2透明基板に最
も近い位置にある位相差板のリターデーションが140
nm乃至170nmであり、 前記第1位相差板の中の一の位相差板(前記第1透明基
板に最も近い位置にある位相差板を除く)と当該一の位
相差板に対応する前記第2位相差板の中の一の位相差板
とでは、基準方向に対する光学軸の配置角がほぼ90度
ずれているものであることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項7】 第1の透明基板と、 前記第1の透明基板の上方において前記第1の基板と対
向する第2の基板と、 前記第1の透明基板と前記第2の基板との間に挟持され
る液晶層と、 からなる液晶表示装置において、 前記第1の透明基板は光反射領域と光透過領域とからな
り、 前記光反射領域は、前記絶縁膜上に、モリブデン、クロ
ム、チタン及びタンタルの何れか1つからなる下地膜と
該下地膜の上に形成されたアルミニウム膜又は銀膜とか
らなる反射電極とを有し、 前記光透過領域は、前記絶縁膜上に透過電極を有し、前
記透過電極の端面の上部に前記反射電極が重なって接続
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項8】 前記下地膜に接する前記絶縁膜は有機膜
であり、前記下地膜の膜厚は100乃至3000オング
ストロームであり、前記アルミニウム膜又は銀膜の膜厚
は500乃至5000オングストロームであることを特
徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。 - 【請求項9】 前記透過電極と前記反射電極の接続部の
平面図上において、前記透過電極と前記反射電極とが重
なる部分と、前記透過電極と前記下地膜とが重ならない
部分との間には、前記透過電極が前記下地膜とは重なる
が、前記アルミニウム膜又は銀膜とは重ならない部分が
存在することを特徴とする請求項7または8に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項10】 前記光反射領域に形成した前記絶縁膜
の表面は凹凸曲面状をなすことを特徴とする請求項7乃
至9の何れか一項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 前記光透過領域に形成した前記絶縁膜
の表面は平坦状をなすことを特徴とする請求項7乃至1
0の何れか一項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項12】 前記透過電極と前記反射電極とが重な
る部分は順テーパ形状をなし、平面図上において前記透
過電極が前記下地膜と重なり、前記反射電極と重ならな
い部分の幅が0.5μm以上であることを特徴とする請
求項9に記載の液晶表示装置。 - 【請求項13】 前記光透過領域における前記液晶層の
厚みと前記光反射領域における前記液晶層の厚みとがほ
ぼ等しいことを特徴とする請求項1乃至12の何れか一
項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項14】 前記光透過領域における前記液晶層の
厚みは前記光反射領域における前記液晶層の厚みよりも
小さいことを特徴とする請求項1乃至12の何れか一項
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項15】 請求項1乃至請求項14の何れか一項
に記載した液晶表示装置を搭載した電子機器。 - 【請求項16】 第1の透明基板と、 前記第1の透明基板の上方において前記第1の透明基板
と対向する第2の基板と、 前記第1の透明基板と前記第2の基板との間に挟持され
る液晶層と、 からなり、さらに、前記第1の透明基板は光反射領域と
光透過領域とからなる液晶表示装置の製造方法におい
て、 前記第1の透明基板の前記光反射領域に表面が凹凸曲面
状に、前記光透過領域に表面が平坦状に、それぞれ絶縁
膜を成膜する工程と、 前記光透過領域の前記絶縁膜上に透明電極を成膜する工
程と、 前記第1の透明基板の全面に下地膜とアルミニウム膜又
は銀膜とを成膜する工程と、 前記下地膜と前記アルミニウム膜又は銀膜とをパターニ
ングする工程と、 を有し、 前記透明電極と前記アルミニウム膜又は銀膜とを前記下
地膜を介して電気的に接続することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
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