JP2002324667A - Luminous device, electronic equipment and manufacturing method - Google Patents
Luminous device, electronic equipment and manufacturing methodInfo
- Publication number
- JP2002324667A JP2002324667A JP2002044242A JP2002044242A JP2002324667A JP 2002324667 A JP2002324667 A JP 2002324667A JP 2002044242 A JP2002044242 A JP 2002044242A JP 2002044242 A JP2002044242 A JP 2002044242A JP 2002324667 A JP2002324667 A JP 2002324667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- emitting device
- light emitting
- light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 360
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 32
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 abstract description 24
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 abstract description 24
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 42
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 10
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 10
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 5
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005072 1,3,4-oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 101710162453 Replication factor A Proteins 0.000 description 1
- 102100035729 Replication protein A 70 kDa DNA-binding subunit Human genes 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting D
evice）を、該基板とカバー材の間に封入したＯＬＥＤ
パネルに関する。また、該ＯＬＥＤパネルにコントロー
ラを含むＩＣ等を実装した、ＯＬＥＤモジュールに関す
る。なお本明細書において、ＯＬＥＤパネル及びＯＬＥ
Ｄモジュールを発光装置と総称する。本発明はさらに、
該発光装置を用いた電子機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting device (OLED) formed on a substrate.
evice) is enclosed between the substrate and the cover material.
About the panel. Further, the present invention relates to an OLED module in which an IC or the like including a controller is mounted on the OLED panel. In this specification, OLED panel and OLE
The D module is generally called a light emitting device. The invention further provides
The present invention relates to an electronic device using the light emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＯＬＥＤは自ら発光するため視認性が高
く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要
らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無
い。そのため、近年ＯＬＥＤを用いた発光装置は、ＣＲ
ＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。2. Description of the Related Art An OLED emits light by itself and has high visibility, and does not require a backlight necessary for a liquid crystal display device (LCD). Therefore, the OLED is suitable for thinning and has no restriction on a viewing angle. Therefore, in recent years, light emitting devices using OLED
It is attracting attention as a display device replacing T and LCD.
【０００３】ＯＬＥＤは、電場を加えることで発生する
ルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有
機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層
と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化
合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から
基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明
の発光装置は、上述した発光のうちのいずれか一方の発
光を用いても良いし、または両方の発光を用いても良
い。[0003] An OLED has a layer containing an organic compound (organic light emitting material) capable of obtaining luminescence (Electroluminescence) generated by applying an electric field (hereinafter, referred to as an organic light emitting layer), an anode layer, and a cathode layer. are doing. Luminescence of an organic compound includes light emission (fluorescence) when returning from a singlet excited state to a ground state and light emission (phosphorescence) when returning to a ground state from a triplet excited state. Either one of the above-described light emissions may be used, or both light emissions may be used.
【０００４】なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰
極の間に設けられた全ての層を有機発光層と定義する。
有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注
入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に
ＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送
層／陰極等の順に積層した構造を有していることもあ
る。[0004] In this specification, all layers provided between the anode and cathode of an OLED are defined as organic light-emitting layers.
The organic light emitting layer specifically includes a light emitting layer, a hole injection layer, an electron injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like. Basically, an OLED has a structure in which an anode / light-emitting layer / cathode is laminated in this order. In addition to this structure, an anode / hole injection layer /
It may have a structure in which a light emitting layer / cathode or an anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode are stacked in this order.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ＯＬＥＤを用いた発光
装置を実用化する上で問題となっているのが、熱、光、
水分、酸素等による劣化であった。Problems to be solved in putting a light emitting device using an OLED into practical use are heat, light,
The deterioration was due to moisture, oxygen and the like.
【０００６】一般的にＯＬＥＤを用いた発光装置の作製
において、画素部に配線や半導体素子を形成した後にＯ
ＬＥＤが形成される。そして、ＯＬＥＤが形成された
後、ＯＬＥＤが外気に曝されないようにＯＬＥＤが設け
られた第１の基板とＯＬＥＤを封じるための第２の基板
（金属やガラス）とを貼り合わせて接着などにより封止
（パッケージング）したり、樹脂を用いて貼り合わせた
り、窒素や不活性ガスを充填したりするのが一般的であ
った。しかし、前述のように基板や樹脂によって封止し
ても、酸素はわずかな隙間から簡単に入り込んでしま
う。さらに、接着や封止に用いる樹脂も、ＯＬＥＤから
みれば、簡単に水分を通してしまっており、ダークスポ
ットと呼ばれる非発光部が形成され、時間の経過ととも
に拡大し、発光しなくなる現象が問題になっていた。In general, in manufacturing a light emitting device using an OLED, an OLED is formed after a wiring or a semiconductor element is formed in a pixel portion.
An LED is formed. Then, after the OLED is formed, the first substrate provided with the OLED and a second substrate (metal or glass) for sealing the OLED are bonded together and sealed by bonding or the like so that the OLED is not exposed to the outside air. It was common to stop (packaging), bond with a resin, or fill with nitrogen or an inert gas. However, even if sealing is performed with a substrate or a resin as described above, oxygen easily enters through a small gap. Further, the resin used for bonding and sealing also easily permeates moisture from the viewpoint of the OLED, and a non-light-emitting portion called a dark spot is formed, which expands with the passage of time, causing a phenomenon that light emission stops. I was
【０００７】本発明はこのような問題点を克服し、信頼
性の高いＯＬＥＤを用いた発光装置を提供することを課
題とする。そして、そのようなＯＬＥＤを用いた発光装
置を表示部として用いることにより表示部の信頼性が高
い電子機器を提供することを課題とする。It is an object of the present invention to overcome such a problem and to provide a highly reliable light emitting device using an OLED. An object of the present invention is to provide an electronic device with high reliability of a display portion by using a light-emitting device using such an OLED as a display portion.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁表面を有
する基板上に設けられたＯＬＥＤを密封する技術に関す
るものである。本発明はＯＬＥＤを密封する際、ガス透
過率の低い薄膜（代表的には炭素を主成分とする薄膜、
酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、ＡｌＮXＯYで示される
膜、ＡｌＮ膜、またはこれらの積層膜）が少なくとも内
側に設けられたフィルムを用いて真空封止する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a technique for sealing an OLED provided on a substrate having an insulating surface. When the OLED is sealed, a thin film having a low gas permeability (typically, a thin film mainly containing carbon,
Vacuum sealing is performed using a film provided at least on the inside with a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, a film represented by AlN X O Y , an AlN film, or a stacked film thereof.
【０００９】真空封止する際には、磁気浮上型のターボ
分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプなど
の真空排気手段によって、真空封止する処理室の到達真
空度を１０-5〜１０-6Ｐａにすることが可能である。At the time of vacuum sealing, the ultimate degree of vacuum of the processing chamber to be vacuum-sealed is set to 10 -5 to 10 -6 by vacuum evacuation means such as a magnetic levitation type turbo molecular pump, cryopump, or dry pump. Pa can be set.
【００１０】本発明においてはガス透過率の低い膜をフ
イルムに成膜し、該フィルムが柔軟性を備えるようにす
るため、反応ガスに希ガス元素を加えて成膜する。本発
明は、ガス透過率の低い膜（代表的には炭素を主成分と
する薄膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、ＡｌＮXＯYで
示される膜、ＡｌＮ膜、またはこれらの積層膜）中に希
ガス元素を含有させることによって膜の内部応力を緩和
させ、フレキシブルな膜とし、該膜が少なくとも内側に
設けられたフィルムを用いてＯＬＥＤを有する発光装置
を真空封止することを特徴とする。In the present invention, a film having a low gas permeability is formed on a film, and a film is formed by adding a rare gas element to a reaction gas so that the film has flexibility. The present invention provides a film having a low gas permeability (typically, a thin film containing carbon as a main component, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, a film represented by AlN X O Y , an AlN film, or a stacked film thereof). By incorporating a rare gas element therein to relieve the internal stress of the film, to form a flexible film, and vacuum-sealing a light emitting device having an OLED using a film provided at least inside the film. I do.
【００１１】膜中に希ガスを含ませることによりフレキ
シブルな膜となるので、真空で熱圧着しても包装フィル
ムに成膜された膜にクラックや剥離が発生することを防
止することができる。Since a flexible film is formed by including a rare gas in the film, cracks and peeling of the film formed on the packaging film can be prevented even when the film is thermocompressed under vacuum.
【００１２】本明細書で開示する発明の構成は、ＴＦＴ
と、該ＴＦＴを含む発光素子が形成されたアクティブマ
トリクス基板と、乾燥剤と、前記アクティブマトリクス
基板を包む保護部とを有し、前記保護部は、希ガス元素
を含み、且つ、炭素を主成分とする薄膜が少なくとも表
面の一部に設けられたフィルムであることを特徴とする
発光装置である。なお、本明細書中ではＯＬＥＤが設け
られた基板をアクティブマトリクス基板と呼ぶ。The structure of the invention disclosed in this specification is a TFT
An active matrix substrate on which a light-emitting element including the TFT is formed; a desiccant; and a protective portion surrounding the active matrix substrate, wherein the protective portion contains a rare gas element and mainly contains carbon. A light-emitting device, wherein the thin film as a component is a film provided on at least a part of the surface. In this specification, a substrate provided with an OLED is referred to as an active matrix substrate.
【００１３】上記構成において、前記発光素子は、陽
極、陰極、並びに前記陽極と前記陰極との間に挟まれた
ＥＬ材料とを備えている。In the above structure, the light emitting element includes an anode, a cathode, and an EL material sandwiched between the anode and the cathode.
【００１４】また、上記構成において、前記保護部は真
空圧着により前記アクティブマトリクス基板と密接して
設けられている。従って、前記保護部はある程度の柔軟
性を有している。この保護部は、優れたガスバリアー性
を有し、且つ可視光に対して透明もしくは半透明な膜で
あればよく、例えば炭素を主成分とする薄膜で全部覆わ
れたフィルム、もしくは炭素を主成分とする薄膜が内側
または外側に設けられたフィルムを用いる。In the above configuration, the protection portion is provided in close contact with the active matrix substrate by vacuum compression. Therefore, the protection section has a certain degree of flexibility. The protective portion may be any film that has excellent gas barrier properties and is transparent or translucent to visible light. For example, a film entirely covered with a thin film containing carbon as a main component, or a film mainly containing carbon A film in which a thin film as a component is provided inside or outside is used.
【００１５】また、ＯＬＥＤを設ける基板としては、特
に限定されないが、後に真空封止するフイルムと熱膨張
率がほぼ同じ材料からなるフィルム基板を用いれば、温
度変化に強い発光装置とすることができる。また、ＯＬ
ＥＤを設ける基板として、後に真空封止するフイルムと
ほぼ同じ柔軟性（または延伸性）を有する材料からなる
フィルム基板を用いれば、フレキシブルな発光装置を実
現することもできる。The substrate on which the OLED is provided is not particularly limited. However, if a film substrate made of a material having substantially the same thermal expansion coefficient as a film to be vacuum-sealed later is used, a light-emitting device that is resistant to temperature changes can be obtained. . Also, OL
If a film substrate made of a material having substantially the same flexibility (or stretchability) as the film to be vacuum-sealed later is used as the substrate on which the ED is provided, a flexible light-emitting device can be realized.
【００１６】本発明においてはガス透過率の低い膜をフ
イルムに成膜し、そのフィルムで発光素子を封止するた
め、発光素子上にパッシベーション膜（ガス透過率の低
い膜）を形成しなくともよい構成とすることができる。
ＯＬＥＤが設けられたアクティブマトリクス基板上にパ
ッシベーション膜（保護膜）を形成した場合、ＯＬＥＤ
は熱などに弱いため、成膜温度を上げることなどができ
ず、ブロッキング性に優れた保護膜を形成することは困
難であった。また、ＯＬＥＤが設けられたアクティブマ
トリクス基板上にパッシベーション膜（保護膜）を形成
する場合、後にＦＰＣと接続する部分を開口するための
マスクで選択的に除去、または成膜段階でマスクにより
選択的に成膜する必要があった。本発明は、ＦＰＣと接
続する部分およびＦＰＣの一部をもガス透過率の低い膜
が形成されたフイルムで封止して水分や酸素をブロッキ
ングしている。なお、発光素子上にパッシベーション膜
を形成し、さらにガス透過率の低い膜が形成されたフィ
ルムで封止することによって水分や酸素のブロッキング
効果を得ることもできることは言うまでもない。In the present invention, a film having a low gas permeability is formed on a film, and the light emitting element is sealed with the film. Therefore, a passivation film (a film having a low gas permeability) is not formed on the light emitting element. A good configuration can be achieved.
When a passivation film (protective film) is formed on an active matrix substrate provided with an OLED, the OLED
However, it was difficult to form a protective film having an excellent blocking property because the film was weak to heat and the like, and thus could not raise the film forming temperature. In the case where a passivation film (protective film) is formed on an active matrix substrate provided with an OLED, a portion to be connected to an FPC is selectively removed later with a mask for opening, or a mask is selectively used in a film forming step. It was necessary to form a film. In the present invention, a portion connected to the FPC and a part of the FPC are also sealed with a film having a film with low gas permeability formed thereon to block moisture and oxygen. Note that it is needless to say that a passivation film is formed over the light-emitting element and further sealed with a film on which a film having a low gas permeability is formed, whereby a moisture and oxygen blocking effect can be obtained.
【００１７】本発明において、前記炭素を主成分とする
薄膜は膜厚３〜５０ｎｍのＤＬＣ膜（Diamond like Car
bon）であることを特徴としている。ＤＬＣ膜は短距離
秩序的には炭素間の結合として、ＳＰ3結合をもってい
るが、マクロ的にはアモルファス状の構造となってい
る。ＤＬＣ膜の組成は炭素が７０〜９５原子％、水素が
５〜３０原子％であり、非常に硬く絶縁性に優れてい
る。このようなＤＬＣ膜は、また、水蒸気や酸素などの
ガス透過率が低いという特徴がある。また、微少硬度計
による測定で、１５〜２５ＧＰａの硬度を有することが
知られている。In the present invention, the carbon-based thin film is a DLC film (Diamond like Car) having a thickness of 3 to 50 nm.
bon). The DLC film as a coupling between the short-range orderly carbon, but have a SP 3 bond, it is macroscopically has an amorphous-like structure. The DLC film has a composition of 70 to 95 atomic% of carbon and 5 to 30 atomic% of hydrogen, and is very hard and excellent in insulating properties. Such a DLC film is also characterized by a low gas permeability of water vapor and oxygen. Moreover, it is known that it has a hardness of 15 to 25 GPa as measured by a micro hardness tester.
【００１８】ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ法、マイクロ波
ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ
法、スパッタ法などで形成することができる。いずれの
成膜方法を用いても、密着性良くＤＬＣ膜を形成するこ
とができる。ＤＬＣ膜は基板をカソードに設置して成膜
する。または、負のバイアスを印加して、イオン衝撃を
ある程度利用して緻密で硬質な膜を形成できる。The DLC film is formed by plasma CVD, microwave CVD, electron cyclotron resonance (ECR) CVD.
It can be formed by a method, a sputtering method, or the like. With any of the film forming methods, a DLC film can be formed with good adhesion. The DLC film is formed by placing the substrate on the cathode. Alternatively, a dense and hard film can be formed by applying a negative bias and utilizing ion bombardment to some extent.
【００１９】プラズマＣＶＤ法でＤＬＣ膜の成膜に用い
る反応ガスは、炭化水素系のガス、例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ
2、Ｃ6Ｈ6などを用い、グロー放電によりイオン化し、
負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝
突させて成膜する。こうすることにより、緻密で平滑な
ＤＬＣ膜を得ることができる。The reaction gas used for forming the DLC film by the plasma CVD method is a hydrocarbon-based gas, for example, CH 4 , C 2 H.
2 , ionization by glow discharge using C 6 H 6 etc.
A film is formed by accelerating and colliding ions with the cathode to which a negative self-bias is applied. By doing so, a dense and smooth DLC film can be obtained.
【００２０】また、このＤＬＣ膜は、可視光に対して透
明もしくは半透明な絶縁膜からなることを特徴としてい
る。Further, the DLC film is characterized by comprising an insulating film transparent or translucent to visible light.
【００２１】また、本明細書において、可視光に対して
透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを
指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０
〜８０％であることを指す。In this specification, "transparent to visible light" means that the transmittance of visible light is 80 to 100%, and "translucent to visible light" means that the transmittance of visible light is 50%.
８０80%.
【００２２】また、上記ＤＬＣに代えて酸化窒化珪素膜
を用いてもよい。その場合、前記保護部は、酸化窒化珪
素膜が少なくとも表面の一部に設けられたフィルムであ
る。Further, a silicon oxynitride film may be used instead of the DLC. In this case, the protection section is a film provided with a silicon oxynitride film on at least a part of the surface.
【００２３】また、上記ＤＬＣに代えて窒化珪素膜を用
いてもよい。その場合、前記保護部は、窒化珪素膜が少
なくとも表面の一部に設けられたフィルムである。Further, a silicon nitride film may be used instead of the DLC. In this case, the protection section is a film in which a silicon nitride film is provided on at least a part of the surface.
【００２４】また、上記ＤＬＣに代えてＡｌＮ膜を用い
てもよい。その場合、前記保護部は、ＡｌＮ膜が少なく
とも表面の一部に設けられたフィルムである。Further, an AlN film may be used instead of the DLC. In this case, the protection section is a film provided with an AlN film on at least a part of the surface.
【００２５】また、上記ＤＬＣに代えてＡｌＮXＯY膜を
用いてもよい。その場合、前記保護部は、ＡｌＮXＯY膜
が少なくとも表面の一部に設けられたフィルムである。Further, an AlN X O Y film may be used in place of the DLC. In this case, the protection section is a film provided with an AlN X O Y film on at least a part of the surface.
【００２６】また、ＤＬＣ膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪
素膜、ＡｌＮXＯYで示される膜、ＡｌＮ膜から選ばれた
これらの積層膜を用いてもよい。その場合、前記保護部
は、これらの積層膜が少なくとも表面の一部に設けられ
たフィルムである。Further, a laminated film of these materials selected from a DLC film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, a film represented by AlN X O Y , and an AlN film may be used. In this case, the protection section is a film in which these laminated films are provided on at least a part of the surface.
【００２７】また、上記窒化珪素膜、ＡｌＮ膜、ＡｌＮ
XＯY膜は、スパッタ法などで形成し、希ガスをチャンバ
ー内に導入させ、膜中に含まれる希ガス元素（代表的に
はＡｒ）濃度を０．１原子％以上、好ましくは１〜３０
原子％とすることが好ましい。The silicon nitride film, AlN film, AlN
The X O Y film is formed by a sputtering method or the like, a rare gas is introduced into the chamber, and the concentration of the rare gas element (typically, Ar) contained in the film is 0.1 atomic% or more, preferably 1 to 30
It is preferable to set the atomic percentage.
【００２８】また、上記構成において、上記発光素子の
劣化を抑えるために、素子形成基板と、真空で封止され
た保護部との間に乾燥剤を設けることが好ましい。乾燥
剤は酸化バリウム、酸化カルシウム、シリカゲルなどを
好適に用いることができる。フレキシブルプリント基板
を貼りつける前後で乾燥剤を設置すればよい。また、フ
レキシブルプリント基板のフレキシブルフィルムに乾燥
剤を設置した後、フレキシブルプリント基板を貼りつけ
てもよい。また、設置する箇所は、保護部で真空圧着す
る箇所の近傍に設置することが好ましい。In the above structure, a desiccant is preferably provided between the element forming substrate and the vacuum-sealed protection section in order to suppress the deterioration of the light emitting element. As the desiccant, barium oxide, calcium oxide, silica gel or the like can be suitably used. A desiccant may be provided before and after attaching the flexible printed circuit board. After a desiccant is provided on the flexible film of the flexible printed circuit board, the flexible printed circuit board may be attached. Further, it is preferable that the portion to be installed is installed near the portion to be vacuum-compressed by the protection portion.
【００２９】また、上記構成において、前記保護部は、
フレキシブルプリント基板の一部を包むことを特徴とし
ている。[0029] In the above configuration, the protection section may include:
It is characterized by wrapping a part of a flexible printed board.
【００３０】また、上記構造を実現するための発明の構
成は、絶縁表面を有する基板上に発光素子を形成する工
程と、前記基板の周縁部にフレキシブルプリント基板を
貼り付ける工程と、炭素を主成分とする薄膜で覆われた
フイルムで前記発光素子及び前記フレキシブルプリント
基板の一部を真空封止する工程と、を有することを特徴
とする発光装置の作製方法である。The invention for realizing the above structure includes a step of forming a light emitting element on a substrate having an insulating surface, a step of attaching a flexible printed board to a peripheral portion of the substrate, and a step of mainly using carbon. Vacuum-sealing a part of the light-emitting element and the flexible printed circuit board with a film covered with a thin film as a component.
【００３１】上記構成において、前記発光素子を形成す
る工程の後に、前記基板の厚さを薄くする工程を行って
もよい。基板の厚さを薄くする場合、その工程の後で前
記基板の周縁部にフレキシブルプリント基板を貼り付け
る工程を行うことが好ましい。In the above structure, a step of reducing the thickness of the substrate may be performed after the step of forming the light emitting element. When the thickness of the substrate is reduced, it is preferable to perform a step of attaching a flexible printed circuit board to a peripheral portion of the substrate after the step.
【００３２】上記各構成において、前記真空封止する工
程の前に、前記フレキシブルプリント基板と接する乾燥
剤を設ける工程を有することを特徴としている。乾燥剤
は接着しなくとも真空封止するフィルムで固定すること
もできる。また、前記真空封止する工程は熱圧着であ
る。ただし、熱圧着する際には、ＯＬＥＤにダメージを
与えないように行うことが望ましい。Each of the above structures is characterized in that a step of providing a desiccant in contact with the flexible printed circuit board is provided before the step of vacuum sealing. The desiccant can be fixed with a film that is vacuum sealed without bonding. The step of vacuum sealing is thermocompression bonding. However, it is desirable to perform thermocompression bonding so as not to damage the OLED.
【００３３】また、真空封止の前、または封止の際、真
空で熱処理することで、ＯＬＥＤに含まれる水分や酸素
などの脱気を行うことができ、さらに熱圧着することで
も脱気を行うことができる。水分や酸素などの脱気を行
うことによって発光素子の信頼性を向上させることがで
きる。Before or during vacuum sealing, heat treatment in a vacuum can be performed to deaerate moisture and oxygen contained in the OLED, and degassing can also be performed by thermocompression bonding. It can be carried out. By performing degassing of moisture, oxygen, or the like, the reliability of the light-emitting element can be improved.
【００３４】また、上記各構成において、前記炭素を主
成分とする薄膜は、希ガス元素を含むＤＬＣ膜であり、
薄膜中に含まれる前記希ガス元素は０．１原子％以上、
好ましくは１〜３０原子％である。In each of the above structures, the thin film containing carbon as a main component is a DLC film containing a rare gas element,
The rare gas element contained in the thin film is 0.1 atomic% or more,
Preferably it is 1 to 30 atomic%.
【００３５】また、他の発明の構成は、絶縁表面を有す
る基板上に発光素子を形成する工程と、前記基板の周縁
部にフレキシブルプリント基板を貼り付ける工程と、Ｄ
ＬＣ膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、ＡｌＮXＯYで示
される膜、ＡｌＮ膜から選ばれたこれらの積層膜で覆わ
れたフイルムで前記発光素子及び前記フレキシブルプリ
ント基板の一部を真空封止する工程と、を有することを
特徴とする発光装置の作製方法である。In another aspect of the invention, a step of forming a light emitting element on a substrate having an insulating surface, a step of attaching a flexible printed board to a peripheral portion of the substrate,
A part of the light emitting element and the flexible printed board is evacuated with a film covered with a laminated film selected from an LC film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, a film represented by AlN X O Y , and an AlN film. And a step of sealing.
【００３６】これらの薄膜（ＤＬＣ膜、酸化窒化珪素
膜、窒化珪素膜、ＡｌＮXＯYで示される膜、ＡｌＮ膜か
ら選ばれたこれらの積層膜）で覆われたフイルムで前記
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）の一部を真空封止
することによって基板とＦＰＣとの接着部分を固定する
ことができ、機械的強度を増すことができる。また、Ｆ
ＰＣだけでなく、アクティブマトリクス基板にＣＰＵ、
コントローラ等を備えたＩＣチップを、ＣＯＧ（chip o
n glass）方式やＴＡＢ（tape automated bonding）方
式やワイヤボンディング方法で実装した後、これらの薄
膜（ＤＬＣ膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、ＡｌＮX
ＯYで示される膜、ＡｌＮ膜から選ばれたこれらの積層
膜）で覆われたフイルムで前記ＩＣチップを真空封止す
ることによって基板とＩＣチップとの接着部分を固定す
ることができ、機械的強度を増すことができる。また、
ＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられ
ていても良い。[0036] These films (DLC films, silicon oxynitride film, a silicon nitride film, AlN X O Y film shown in these laminated films selected from AlN layer) the flexible printed circuit board in a film covered with ( By vacuum-sealing a part of the FPC, an adhesive portion between the substrate and the FPC can be fixed, and mechanical strength can be increased. Also, F
Not only PC but CPU on active matrix substrate
An IC chip equipped with a controller and the like is called COG (chip o
n glass), TAB (tape automated bonding), and wire bonding, and then mount these thin films (DLC film, silicon oxynitride film, silicon nitride film, AlN x
Film represented by O Y, it is possible to fix the adhered portion between the substrate and the IC chip by vacuum sealing the IC chip with the film covered with the chosen these multilayer films) from AlN film, mechanical Target strength can be increased. Also,
A printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC.
【００３７】また、これらの薄膜（ＤＬＣ膜、酸化窒化
珪素膜、窒化珪素膜、ＡｌＮXＯYで示される膜、ＡｌＮ
膜から選ばれたこれらの積層膜）に希ガス元素を含ませ
ることが好ましい。In addition, these thin films (DLC film, silicon oxynitride film, silicon nitride film, film represented by AlN X O Y , AlN
It is preferable to include a rare gas element in these laminated films selected from films).
【００３８】また、上記各構成において、前記希ガス元
素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種ま
たは複数種である。In each of the above structures, the rare gas element is one or more selected from He, Ne, Ar, Kr, and Xe.
【００３９】[0039]
【発明の実施の形態】本発明の実施形態１、２につい
て、図１〜３を用い、以下に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments 1 and 2 of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００４０】（実施の形態１）まず、絶縁表面を有する
基板を用意し、基板上に発光素子、ここではＯＬＥＤを
設け、このＯＬＥＤと外部電源とを接続する引出電極１
０２を設ける。絶縁表面を有する基板としては、基板を
通過させて発光素子を発光させる場合には透光性を有す
る基板、例えばガラス基板、結晶化ガラス基板、もしく
はプラスチック基板を用いることができ、基板を通過さ
せずに発光素子を発光させる場合にはセラミックス基
板、半導体基板、金属基板等も用いることができる。(Embodiment 1) First, a substrate having an insulating surface is prepared, a light emitting element, here, an OLED is provided on the substrate, and an extraction electrode 1 for connecting the OLED to an external power supply.
02 is provided. As a substrate having an insulating surface, a light-transmitting substrate such as a glass substrate, a crystallized glass substrate, or a plastic substrate can be used when the light-emitting element emits light by passing through the substrate. When a light emitting element emits light without using a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a metal substrate, or the like can also be used.
【００４１】次いで、軽量化を図るために基板にエッチ
オフ処理を行って基板の厚さを薄くしてＯＬＥＤが設け
られた基板１０１を形成する。ここではエッチオフ処理
を行った例を示したが、特に行わなくともよい。次い
で、引出電極１０２と電気的に接続するフレキシブルプ
リント基板（ＦＰＣ）１０３を貼り付ける。（図１
（Ａ））Next, in order to reduce the weight, the substrate is subjected to an etch-off process to reduce the thickness of the substrate, thereby forming the substrate 101 provided with the OLED. Here, an example in which the etch-off process is performed is shown, but it is not necessary to perform the process. Next, a flexible printed circuit (FPC) 103 electrically connected to the extraction electrode 102 is attached. (Figure 1
(A))
【００４２】次いで、ＯＬＥＤを酸素や水分等による劣
化を防止するため、ＯＬＥＤが設けられた基板１０１に
乾燥剤１０４を設ける。乾燥剤１０４は、吸湿性物質
（好ましくは酸化カルシウムや、酸化バリウム）もしく
は酸素を吸着しうる物質を用いる。ここでは、後の真空
圧着の工程で保護部が破壊されないように、乾燥剤１０
４をＦＰＣ１０３と基板１０１の端面とに接する箇所に
設け、保護部が局所的に延伸されないようにする。Next, a desiccant 104 is provided on the substrate 101 on which the OLED is provided in order to prevent the OLED from being deteriorated by oxygen, moisture, or the like. As the desiccant 104, a hygroscopic substance (preferably, calcium oxide or barium oxide) or a substance capable of adsorbing oxygen is used. Here, the desiccant 10 is used so that the protection portion is not destroyed in the subsequent vacuum pressing step.
4 is provided at a position in contact with the FPC 103 and the end face of the substrate 101 so that the protection portion is not locally stretched.
【００４３】次いで、さらにＯＬＥＤを酸素や水分等に
よる劣化を防止するため、ガスバリアー性を有する保護
部を真空で熱圧着して封止する。この保護部としては、
可視光に対して透明もしくは半透明であり、且つ、真空
圧着が可能なフィルムであればよい。図１（Ｂ）に真空
圧着前の状態を示す。Next, in order to further prevent the OLED from being deteriorated by oxygen, moisture, or the like, a protective portion having a gas barrier property is sealed by thermocompression bonding in vacuum. As this protection part,
Any film may be used as long as it is transparent or translucent to visible light and can be vacuum-pressed. FIG. 1B shows a state before vacuum compression bonding.
【００４４】ここでは、保護部として希ガス（Ａｒ）を
含むＤＬＣ膜１０６で覆われた包装フィルム１０５を用
いる。このＡｒを含有するＤＬＣ膜１０６で覆われた包
装フィルム１０５でＯＬＥＤが設けられた基板１０１、
乾燥剤１０４、及びフレキシブルプリント基板１０３の
一部を包んで真空パックする。ここでは、圧着部分以外
をＤＬＣ膜で覆われた包装フィルムの例を示したが、内
側だけＤＬＣ膜で覆われた包装フィルムであってもよい
し、外側だけＤＬＣ膜で覆われた包装フィルムであって
もよい。また、包装フィルムに形成される膜は単層に限
定されず、複数の層で形成してもよい。Here, a packaging film 105 covered with a DLC film 106 containing a rare gas (Ar) is used as a protective portion. A substrate 101 provided with an OLED with a packaging film 105 covered with the DLC film 106 containing Ar,
The desiccant 104 and a part of the flexible printed circuit board 103 are wrapped and vacuum-packed. Here, the example of the packaging film covered with the DLC film except for the crimped portion is shown, but the packaging film may be covered only with the DLC film on the inside, or may be the packaging film covered only with the DLC film on the outside. There may be. Further, the film formed on the packaging film is not limited to a single layer, and may be formed of a plurality of layers.
【００４５】なお、希ガス（Ａｒ）を含むＤＬＣ膜１０
６は、図３に示したプラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置
を用いて成膜する。チャンバー３０１内を真空状態と
し、原料ガスとしてＣＨ4ガスとＡｒガスの混合ガス、
またはＣ2Ｈ6ガスとＡｒガスの混合ガスを流して、ＲＦ
電源３０４と接続された電極３０２と、電極３０３との
間にホルダー３０７で固定した包装フィルム３０５の表
面へＤＬＣ膜（Ａｒを含む）３０６を成膜する。ただ
し、包装フィルム３０５のうち、ホルダー３０７と接す
る部分にはＤＬＣ膜３０６は形成されない。本発明にお
いては、このＤＬＣ膜が形成されない部分を用いて熱圧
着を行う。図１（Ｃ）に真空圧着後の状態を示した。こ
こでは包装フィルムとして袋状、空箱状のものを用いた
が、２枚のシート状のものを重ねて四辺を全て圧着して
もよい。なお、熱圧着の際、フレキシブルテープとも接
着されるようなフィルム材料であることが好ましい。包
装フィルムの材料としては、樹脂材料（ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカー
ボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケ
トン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエー
テルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポ
リブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等）、代表的には
熱可塑性のプラスチック、ＰＶＦ（ポリビニルフルオラ
イド）フィルム、マイラーフィルム、またはアクリル樹
脂フィルムを用いればよい。また、熱圧着後に圧着部分
を接着剤でさらに封止してもよいし、ＦＰＣと保護部と
を接着剤で接着してもよい。The DLC film 10 containing a rare gas (Ar)
6 is formed by using the film forming apparatus using the plasma CVD method shown in FIG. The chamber 301 is evacuated, and a mixed gas of CH 4 gas and Ar gas is used as a source gas.
Alternatively, a mixed gas of C 2 H 6 gas and Ar gas is flowed, and RF
A DLC film (including Ar) 306 is formed on the surface of the packaging film 305 fixed by the holder 307 between the electrode 302 connected to the power source 304 and the electrode 303. However, the DLC film 306 is not formed on the portion of the packaging film 305 that contacts the holder 307. In the present invention, thermocompression bonding is performed using the portion where the DLC film is not formed. FIG. 1C shows a state after vacuum compression bonding. Here, a bag-like film and an empty box-like film are used as the packaging film. However, two sheet-like films may be overlapped and crimped on all four sides. In addition, at the time of thermocompression bonding, it is preferable that it is a film material which is also adhered to a flexible tape. As the material of the packaging film, resin materials (polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PE)
S), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), nylon, polyetheretherketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyetherimide (PEI), polyarylate (PAR), polybutylene terephthalate (PBT), etc. ), Typically, a thermoplastic plastic, a PVF (polyvinyl fluoride) film, a mylar film, or an acrylic resin film may be used. After the thermocompression bonding, the press-bonded portion may be further sealed with an adhesive, or the FPC and the protection portion may be bonded with an adhesive.
【００４６】また、基板上にＯＬＥＤを形成した後は、
可能な限りＯＬＥＤが外気に曝されないように上記工程
を行うことが望ましい。After forming the OLED on the substrate,
It is desirable to perform the above steps so that the OLED is not exposed to the outside air as much as possible.
【００４７】こうして、本発明により、水分、酸素等に
よる劣化が低減され、信頼性の高いＯＬＥＤを用いた発
光装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a light emitting device using an OLED with reduced deterioration due to moisture, oxygen and the like and having high reliability.
【００４８】（実施の形態２）ここでは、封止基板２０
０を用いてＯＬＥＤを封止した後、さらに保護部で封止
した発光装置の例を図２に示す。(Embodiment 2) Here, the sealing substrate 20
FIG. 2 shows an example of a light-emitting device in which an OLED is sealed by using O, and further sealed by a protective portion.
【００４９】図２中、２００は封止基板、２０１はＯＬ
ＥＤが設けられた基板、２０２は引出電極、２０３はＦ
ＰＣ、２０４は乾燥剤、２０５は包装フィルム、２０６
はＡｒを含有したＤＬＣ膜である。ここでは、２０６と
してＡｒを含有したＤＬＣ膜とした例を示すが、ＤＬＣ
膜に代えてＡｒを含有した酸化窒化珪素膜、Ａｒを含有
した窒化珪素膜、Ａｒを含有したＡｌＮXＯYで示される
膜、またはＡｒを含有したＡｌＮ膜を用いてもよい。In FIG. 2, reference numeral 200 denotes a sealing substrate, and 201 denotes OL.
Substrate provided with ED, 202 is an extraction electrode, 203 is F
PC, 204 is a desiccant, 205 is a packaging film, 206
Is a DLC film containing Ar. Here, an example in which a DLC film containing Ar is used as 206 is shown.
Instead of the film, a silicon oxynitride film containing Ar, a silicon nitride film containing Ar, a film represented by AlN X O Y containing Ar, or an AlN film containing Ar may be used.
【００５０】膜中に希ガスを含ませることによりフレキ
シブルな膜となるので、真空で熱圧着しても包装フィル
ムに成膜された膜にクラックや剥離が発生することを防
止することができる。Since a flexible film is formed by including a rare gas in the film, cracks and peeling of the film formed on the packaging film can be prevented even if the film is thermocompressed in vacuum.
【００５１】また、ここでは図示していないが、封止基
板２００は基板２０１と接着剤で接着されている。封止
基板２００は基板２０１との間の空隙は、樹脂あるいは
窒素や不活性ガスを充填すればよい。封止基板２００と
しては、基板を通過させて発光素子を発光させる場合に
は透光性を有する基板、例えばガラス基板、結晶化ガラ
ス基板、もしくはプラスチック基板を用いることがで
き、基板を通過させずに発光素子を発光させる場合には
セラミックス基板、半導体基板、金属基板等も用いるこ
とができる。また、封止基板２００の形状は平板状のも
のに限定されず、蓋状になっているものを用いてもよ
い。Although not shown here, the sealing substrate 200 is bonded to the substrate 201 with an adhesive. The space between the sealing substrate 200 and the substrate 201 may be filled with resin, nitrogen, or an inert gas. In the case where the light-emitting element emits light by passing through the substrate, a light-transmitting substrate such as a glass substrate, a crystallized glass substrate, or a plastic substrate can be used as the sealing substrate 200 without passing through the substrate. When the light emitting element emits light, a ceramic substrate, a semiconductor substrate, a metal substrate, or the like can be used. Further, the shape of the sealing substrate 200 is not limited to a flat plate shape, and a lid-shaped one may be used.
【００５２】ここでは、後の真空圧着の工程で保護部が
破壊されないように、乾燥剤２０４を基板２０１上のう
ち、ＦＰＣ２０３と封止基板２０１との間に設け、保護
部が局所的に延伸されないようにする。Here, a desiccant 204 is provided between the FPC 203 and the sealing substrate 201 on the substrate 201 so that the protection portion is locally stretched so that the protection portion is not destroyed in the subsequent vacuum pressure bonding step. Not to be.
【００５３】以上の構成でなる本発明について、以下に
示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。The present invention having the above configuration will be described in more detail with reference to the following embodiments.
【００５４】（実施例） ［実施例１］図４（Ａ）は、ＯＬＥＤモジュールを作製
した状態を示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）を切断
した場合において、一つの画素のみを図示し簡略化した
ものである。(Example) [Example 1] FIG. 4A is a top view showing a state in which an OLED module is manufactured, and FIG. 4B is a cutaway view of FIG. Only the illustration is simplified.
【００５５】基板４０１上には、画素部４０４がソース
線駆動回路４０２と、ゲート線駆動回路４０３とで囲む
ように配置されている。これら画素部４０４、ソース線
駆動回路４０２、及びゲート線駆動回路４０３は、複数
のＴＦＴを有している。図４（Ｂ）では代表的に、下地
膜４１０上に形成された、ソース線駆動回路４０２に含
まれる駆動回路用ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型
ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示する）４１１及び画
素部４０４に含まれる駆動用ＴＦＴ（ＯＬＥＤへの電流
を制御するＴＦＴ）４１２を図示した。On the substrate 401, a pixel portion 404 is arranged so as to be surrounded by a source line driving circuit 402 and a gate line driving circuit 403. Each of the pixel portion 404, the source line driver circuit 402, and the gate line driver circuit 403 has a plurality of TFTs. In FIG. 4B, typically, a driving circuit TFT (including an n-channel TFT and a p-channel TFT) 411 formed on the base film 410 and included in the source line driving circuit 402 is illustrated. In addition, a driving TFT (TFT controlling current to the OLED) 412 included in the pixel portion 404 is illustrated.
【００５６】本実施例では、駆動回路用ＴＦＴ４１１に
は公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎ
チャネル型ＴＦＴが用いられ、駆動用ＴＦＴ４１２には
公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられ
る。また、画素部４０４には駆動用ＴＦＴ４１２のゲー
ト電極に接続された保持容量（図示せず）が設けられ
る。In this embodiment, the p-channel TFT or n-type TFT manufactured by a known method is used as the driving circuit TFT 411.
A channel TFT is used, and a p-channel TFT manufactured by a known method is used as the driving TFT 412. The pixel portion 404 is provided with a storage capacitor (not shown) connected to the gate electrode of the driving TFT 412.
【００５７】また、駆動回路用ＴＦＴ４１１及び駆動用
ＴＦＴ４１２上には層間絶縁膜（平坦化膜）４２１が形
成され、その上に駆動用ＴＦＴ４１２のドレインと電気
的に接続する画素電極（陽極）４１３が形成される。画
素電極４１３としては仕事関数の大きい透明導電膜が用
いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化
スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合
物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いる
ことができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加
したものを用いても良い。An interlayer insulating film (planarization film) 421 is formed on the driving circuit TFT 411 and the driving TFT 412, and a pixel electrode (anode) 413 electrically connected to the drain of the driving TFT 412 is formed thereon. It is formed. As the pixel electrode 413, a transparent conductive film having a large work function is used. As the transparent conductive film, a compound of indium oxide and tin oxide, a compound of indium oxide and zinc oxide, zinc oxide, tin oxide, or indium oxide can be used. Further, a material obtained by adding gallium to the transparent conductive film may be used.
【００５８】そして、画素電極４１３の上には絶縁膜４
２２が形成され、絶縁膜４２２は画素電極４１３の上に
開口部が形成されている。この開口部において、画素電
極４１３の上には有機発光層４１４が形成される。有機
発光層４１４は公知の有機発光材料または無機発光材料
を用いることができる。また、有機発光材料には低分子
系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料が
あるがどちらを用いても良い。The insulating film 4 is formed on the pixel electrode 413.
22 are formed, and the insulating film 422 has an opening formed on the pixel electrode 413. In this opening, an organic light emitting layer 414 is formed on the pixel electrode 413. As the organic light emitting layer 414, a known organic light emitting material or inorganic light emitting material can be used. Further, the organic light emitting material includes a low molecular type (monomer type) material and a high molecular type (polymer type) material, and either may be used.
【００５９】有機発光層４１４の形成方法は公知の蒸着
技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、有機発
光層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸
送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造ま
たは単層構造とすれば良い。The organic light emitting layer 414 may be formed by a known vapor deposition technique or coating technique. The structure of the organic light emitting layer may be a stacked structure or a single layer structure by freely combining a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, or an electron injection layer.
【００６０】有機発光層４１４の上には遮光性を有する
導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成
分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）
からなる陰極４１５が形成される。また、陰極４１５と
有機発光層４１４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、有機発光層４１４
を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れ
させないまま陰極４１５を形成するといった工夫が必要
である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスタ
ーツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような
成膜を可能とする。そして陰極４１５は所定の電圧が与
えられている。On the organic light emitting layer 414, a light-shielding conductive film (typically, a conductive film containing aluminum, copper, or silver as a main component or a laminated film of these and another conductive film) is provided.
Is formed. It is desirable that moisture and oxygen existing at the interface between the cathode 415 and the organic light emitting layer 414 be removed as much as possible. Therefore, the organic light emitting layer 414
Must be formed in a nitrogen or rare gas atmosphere, and the cathode 415 must be formed without being exposed to oxygen or moisture. In this embodiment, the above-described film formation is made possible by using a multi-chamber type (cluster tool type) film formation apparatus. The cathode 415 is supplied with a predetermined voltage.
【００６１】以上のようにして、画素電極（陽極）４１
３、有機発光層４１４及び陰極４１５からなるＯＬＥＤ
４２３が形成される。そしてＯＬＥＤ４２３を覆うよう
に、絶縁膜４２２上に保護膜４２４が形成されている。
保護膜４２４は、ＯＬＥＤ４２３に酸素や水分等が入り
込むのを防ぐのに効果的である。As described above, the pixel electrode (anode) 41
3. OLED comprising organic light emitting layer 414 and cathode 415
423 are formed. A protective film 424 is formed on the insulating film 422 so as to cover the OLED 423.
The protective film 424 is effective for preventing oxygen, moisture, and the like from entering the OLED 423.
【００６２】４０９は電源線に接続された引き回し配線
であり、駆動用ＴＦＴ４１２のソース領域に電気的に接
続されている。引き回し配線４０９は、異方導電性フィ
ルムを介してＦＰＣ４０５が有するＦＰＣ用配線に電気
的に接続される。また、異方導電性フィルムは導電性フ
ィラーを有している。また、画素電極４１３が形成され
ると同時に、引き回し配線上に接するように導電性膜が
形成される。基板４０１とＦＰＣ４０５とを熱圧着する
ことで、基板４０１上の導電性膜とＦＰＣ４０５上のＦ
ＰＣ用配線とが、導電性フィラーによって電気的に接続
される。Reference numeral 409 denotes a lead wiring connected to the power supply line, and is electrically connected to the source region of the driving TFT 412. The lead wiring 409 is electrically connected to an FPC wiring included in the FPC 405 via an anisotropic conductive film. Further, the anisotropic conductive film has a conductive filler. At the same time when the pixel electrode 413 is formed, a conductive film is formed so as to be in contact with the leading wiring. The conductive film on the substrate 401 and the FPC on the FPC 405 are bonded by thermocompression bonding between the substrate 401 and the FPC 405.
The wiring for PC is electrically connected by the conductive filler.
【００６３】４０６は、ＯＬＥＤが設けられた基板を包
む包装フィルムであり、真空圧着によって基板４０１お
よび基板上に設けられたＯＬＥＤ４２３に密接させて、
ＯＬＥＤ４２３に酸素や水分等が入り込むのを防ぐ。こ
の包装フィルム４０６はＡｒを含有したＤＬＣ膜４００
で覆われており、ＯＬＥＤ４２３に酸素や水分等が入り
込むのを防ぐ。Reference numeral 406 denotes a packaging film for wrapping the substrate provided with the OLED, which is brought into close contact with the substrate 401 and the OLED 423 provided on the substrate by vacuum pressing.
OLED 423 is prevented from entering oxygen or moisture. This packaging film 406 is a DLC film 400 containing Ar.
To prevent oxygen and moisture from entering the OLED 423.
【００６４】膜中に希ガスを含ませることによりフレキ
シブルな膜となるので、真空で熱圧着しても包装フィル
ム４０６に成膜されたＤＬＣ膜４００にクラックや剥離
が発生することを防止することができる。Since a flexible film is formed by including a rare gas in the film, it is possible to prevent the DLC film 400 formed on the packaging film 406 from being cracked or peeled even when the film is thermocompressed in vacuum. Can be.
【００６５】４０７は乾燥剤であり、吸湿性物質（好ま
しくは酸化カルシウム、酸化バリウム）もしくは酸素を
吸着しうる物質を用いる。ここでは、真空圧着の工程で
保護部が破壊されないように、乾燥剤４０７をＦＰＣ４
０５と基板４０１の端面とに接する箇所に設け、保護部
が局所的に延伸されないようにする。Reference numeral 407 denotes a desiccant, which is made of a hygroscopic substance (preferably calcium oxide or barium oxide) or a substance capable of adsorbing oxygen. Here, the desiccant 407 is applied to the FPC 4 so that the protection part is not destroyed in the vacuum pressing step.
The protection portion is provided at a position in contact with the end surface of the substrate 401 so that the protection portion is not locally stretched.
【００６６】以上のようにして作製される有機発光表示
装置であるＯＬＥＤモジュールは各種電子機器の表示部
として用いることができる。The OLED module, which is an organic light emitting display device manufactured as described above, can be used as a display unit of various electronic devices.
【００６７】［実施例２］本発明の発光装置に用いる基
板（アクティブマトリクス基板）の作製方法の一例につ
いて、図５〜図７を用いて説明する。ここでは、画素部
のスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用ＴＦＴと、画素部
の周辺に設けられる駆動部のＴＦＴを同時に作製する方
法について、工程に従って詳細に説明する。Embodiment 2 An example of a method for manufacturing a substrate (active matrix substrate) used for a light emitting device of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, a method for simultaneously manufacturing a switching TFT and a driving TFT in a pixel portion and a TFT in a driving portion provided around the pixel portion will be described in detail according to steps.
【００６８】まず、本実施例ではコーニング社の＃７０
５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウ
ムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラスからなる基板５００を用いる。なお、基板
５００としては、透光性を有する基板であれば限定され
ず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温
度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いて
もよい。First, in this embodiment, Corning # 70
A substrate 500 made of glass such as barium borosilicate glass typified by 59 glass or # 1737 glass or aluminoborosilicate glass is used. Note that the substrate 500 is not limited as long as it has a light-transmitting property, and a quartz substrate may be used. Further, a plastic substrate having heat resistance enough to withstand the processing temperature of this embodiment may be used.
【００６９】次いで、図５（Ａ）に示すように、基板５
００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜
などの絶縁膜から成る下地膜５０１を形成する。本実施
例では下地膜５０１として２層構造を用いるが、前記絶
縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても
良い。下地膜５０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ
法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとし
て成膜される酸化窒化珪素膜５０１ａを１０〜２００ｎ
ｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。本実施例
では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜５０１ａ（組成比
Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）
を形成した。次いで、下地膜５０１のニ層目としては、
プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガ
スとして成膜される酸化窒化珪素膜５０１ｂを５０〜２
００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積
層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化
珪素膜５０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ
＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。Next, as shown in FIG.
A base film 501 made of an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film is formed over the substrate. Although a two-layer structure is used as the base film 501 in this embodiment, a single-layer film of the insulating film or a structure in which two or more layers are stacked may be used. The first layer of the base film 501 is formed by plasma CVD.
The silicon oxynitride film 501a formed by using SiH 4 , NH 3 , and N 2 O as a reaction gas by the
m (preferably 50 to 100 nm). In this embodiment, a 50-nm-thick silicon oxynitride film 501a (composition ratio: Si = 32%, O = 27%, N = 24%, H = 17%)
Was formed. Next, as the second layer of the base film 501,
Using a plasma CVD method, a silicon oxynitride film 501b formed by using SiH 4 and N 2 O as a reaction gas is reduced to 50 to 2
The layer is formed to a thickness of 00 nm (preferably 100 to 150 nm). In this embodiment, a 100 nm-thick silicon oxynitride film 501b (composition ratio: Si = 32%, O = 59%, N
= 7%, H = 2%).
【００７０】次いで、下地膜５０１上に半導体層５０２
〜５０５を形成する。半導体層５０２〜５０５は、非晶
質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、Ｌ
ＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜し
た後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化
法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）
を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパター
ニングして形成する。この半導体層５０２〜５０５の厚
さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚
さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、
好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲルマニウ
ム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合
金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶ
Ｄ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した後、ニ
ッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この
非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行った
後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さらに結晶
化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶
質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォ
トリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、
半導体層５０２〜５０５を形成した。Next, the semiconductor layer 502 is formed on the base film 501.
To 505 are formed. The semiconductor layers 502 to 505 are formed by forming a semiconductor film having an amorphous structure by a known means (sputtering method, L
After forming a film by a PCVD method or a plasma CVD method, a known crystallization treatment (a laser crystallization method, a thermal crystallization method, or a thermal crystallization method using a catalyst such as nickel).
Is performed and the crystalline semiconductor film obtained is patterned into a desired shape. The thickness of the semiconductor layers 502 to 505 is 25 to 80 nm (preferably 30 to 60 nm). Although there is no limitation on the material of the crystalline semiconductor film,
Preferably silicon (silicon) or silicon germanium (Si X Ge 1-X ( X = 0.0001~0.02)) may be formed such as an alloy. In this embodiment, the plasma CV
After a 55-nm amorphous silicon film was formed by method D, a solution containing nickel was held on the amorphous silicon film. After dehydrogenation (500 ° C., 1 hour) of this amorphous silicon film, thermal crystallization (550 ° C., 4 hours) is performed, and further, a laser annealing process for improving crystallization is performed. Thus, a crystalline silicon film was formed. Then, the crystalline silicon film is patterned by a photolithography method,
Semiconductor layers 502 to 505 were formed.
【００７１】また、半導体層５０２〜５０５を形成した
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層５０
２〜５０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を
ドーピングしてもよい。After the formation of the semiconductor layers 502 to 505, the semiconductor layers 50 to 505 are controlled to control the threshold value of the TFT.
A small amount of an impurity element (boron or phosphorus) may be doped to 2-505.
【００７２】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。When a crystalline semiconductor film is formed by a laser crystallization method, a pulse oscillation type or continuous emission type excimer laser, a YAG laser, or a YVO 4 laser can be used. In the case of using these lasers, it is preferable to use a method in which laser light emitted from a laser oscillator is linearly condensed by an optical system and irradiated on a semiconductor film.
【００７３】次いで、半導体層５０２〜５０５を覆うゲ
ート絶縁膜５０６を形成する。ゲート絶縁膜５０６はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。Next, a gate insulating film 506 covering the semiconductor layers 502 to 505 is formed. The gate insulating film 506 is formed by a plasma CVD method or a sputtering method and has a thickness of 40 to
The insulating film containing silicon is formed to have a thickness of 150 nm. In this embodiment, a silicon oxynitride film (composition ratio: Si = 32%, O = 59%, N =
7%, H = 2%). Needless to say, the gate insulating film is not limited to the silicon oxynitride film, and another insulating film containing silicon may be used as a single layer or a stacked structure.
【００７４】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（TetraethylOrthosiliｃate）
とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００
〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度
０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて形成することが
できる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その
後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜と
して良好な特性を得ることができる。When a silicon oxide film is used, TEOS (Tetraethyl Orthosilicate) is formed by a plasma CVD method.
And O 2 , a reaction pressure of 40 Pa and a substrate temperature of 300
It can be formed by discharging at a high-frequency (13.56 MHz) power density of 0.5 to 0.8 W / cm 2 . The silicon oxide film thus manufactured can obtain favorable characteristics as a gate insulating film by subsequent thermal annealing at 400 to 500 ° C.
【００７５】そして、ゲート絶縁膜５０６上にゲート電
極を形成するための耐熱性導電層５０７を２００〜４０
０ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成
する。耐熱性導電層５０７は単層で形成しても良いし、
必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成
る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔ
ｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする
合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。こ
れらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成され
るものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃
度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関して
は３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３
００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとし
てスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステ
ン（ＷＦ6）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもでき
る。Then, a heat-resistant conductive layer 507 for forming a gate electrode on the gate insulating film 506 is
It is formed with a thickness of 0 nm (preferably 250 to 350 nm). The heat-resistant conductive layer 507 may be formed as a single layer,
If necessary, a laminated structure including a plurality of layers such as two layers or three layers may be employed. Ta, T for the heat-resistant conductive layer
It includes an element selected from i and W, an alloy containing the above element, or an alloy film combining the above elements. These heat-resistant conductive layers are formed by a sputtering method or a CVD method, and it is preferable to reduce the impurity concentration to reduce the resistance, and it is particularly preferable that the oxygen concentration be 30 ppm or less. In this embodiment, the W film is 3
It is formed with a thickness of 00 nm. The W film may be formed by a sputtering method using W as a target, or may be formed by a thermal CVD method using tungsten hexafluoride (WF 6 ).
【００７６】次に、フォトリソグラフィーの技術を使用
してレジストによるマスク５０８を形成する。そして、
第１のエッチング処理を行う。なお、エッチング用ガス
としては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを
代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3など
を代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いるこ
とができる。本実施例ではＩＣＰエッチング装置を用
い、エッチング用ガスにＣｌ2とＣＦ4を用い、１Ｐａの
圧力で３．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力
を投入してプラズマを形成して行う。基板側（試料ステ
ージ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨ
ｚ）電力を投入し、これにより実質的に負の自己バイア
ス電圧が印加される。この条件でＷ膜のエッチング速度
は約１００ｎｍ／ｍｉｎである。第１のエッチング処理
はこのエッチング速度を基にＷ膜がちょうどエッチング
される時間を推定し、それよりもエッチング時間を２０
％増加させた時間をエッチング時間とした。Next, a resist mask 508 is formed by using the photolithography technique. And
A first etching process is performed. As the etching gas, a chlorine-based gas such as Cl 2 , BCl 3 , SiCl 4 , CCl 4 or the like, a fluorine-based gas such as CF 4 , SF 6 , NF 3 or the like, or O 2 is appropriately used. Can be used. In this embodiment, plasma is formed by using an ICP etching apparatus, using Cl 2 and CF 4 as etching gases, and applying RF (13.56 MHz) power of 3.2 W / cm 2 at a pressure of 1 Pa. . 224 mW / cm 2 RF (13.56 MH) also on the substrate side (sample stage)
z) Turn on the power, thereby applying a substantially negative self-bias voltage. Under these conditions, the etching rate of the W film is about 100 nm / min. The first etching process estimates the time when the W film is just etched on the basis of this etching rate, and reduces the etching time by 20 times.
The time increased by% was defined as the etching time.
【００７７】第１のエッチング処理により第１のテーパ
ー形状を有する導電層５０９〜５１２が形成される。導
電層５０９〜５１２のテーパー部の角度は１５〜３０°
となるように形成される。残渣を残すことなくエッチン
グするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング
時間を増加させるオーバーエッチングを施すものとす
る。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜５
０６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、
オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が
露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。
（図５（Ｂ））The first etching process forms conductive layers 509 to 512 having a first tapered shape. The angle of the tapered portion of the conductive layers 509 to 512 is 15 to 30 °
It is formed so that In order to perform etching without leaving a residue, over-etching is performed to increase the etching time at a rate of about 10 to 20%. Silicon oxynitride film (gate insulating film 5) for W film
06) is 2-4 (typically 3),
By the overetching treatment, the exposed surface of the silicon oxynitride film is etched by about 20 to 50 nm.
(FIG. 5 (B))
【００７８】そして、第１のドーピング処理を行い一導
電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、ｎ
型を付与する不純物元素添加の工程を行う。第１の形状
の導電層を形成したマスク９０８をそのまま残し、第１
のテーパー形状を有する導電層５０９〜５１２をマスク
として自己整合的にｎ型を付与する不純物元素をイオン
ドープ法で添加する。ｎ型を付与する不純物元素をゲー
ト電極の端部におけるテーパー部とゲート絶縁膜５０６
とを通して、その下に位置する半導体層に達するように
添加するためにドーズ量を１×１０13〜５×１０14／ｃ
ｍ2とし、加速電圧を８０〜１６０ｋｅＶとして行う。
ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、
典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、
ここではリン（Ｐ）を用いた。このようなイオンドープ
法により第１の不純物領域５１４〜５１７には１×１０
20〜１×１０21／ｃｍ3の濃度範囲でｎ型を付与する不
純物元素が添加される。（図５（Ｃ））Then, a first doping process is performed to add an impurity element of one conductivity type to the semiconductor layer. Here, n
A step of adding an impurity element for giving a mold is performed. The mask 908 on which the conductive layer of the first shape is formed is left as it is,
Using the conductive layers 509 to 512 having a tapered shape as masks, an impurity element imparting n-type is added in a self-aligning manner by an ion doping method. An impurity element imparting n-type is added to the tapered portion at the end of the gate electrode and the gate insulating film 506.
And the dose is set to 1 × 10 13 to 5 × 10 14 / c so as to be added to reach the semiconductor layer located thereunder.
m 2 and the acceleration voltage is 80 to 160 keV.
an element belonging to Group 15 as an impurity element imparting n-type,
Typically, phosphorus (P) or arsenic (As) is used,
Here, phosphorus (P) was used. With such an ion doping method, 1 × 10
An impurity element imparting n-type is added in a concentration range of 20 to 1 × 10 21 / cm 3 . (FIG. 5 (C))
【００７９】なお、上記工程において、ドーピングの条
件によっては、不純物元素が第１の形状の導電層５０９
〜５１２の下に回りこみ、形成される第１の不純物領域
５１４〜５１７が第１の形状の導電層５０９〜５１２と
重なることも起こりうる。In the above process, depending on the doping conditions, the impurity element may have the first shape of the conductive layer 509.
To 512, the first impurity regions 514 to 517 to be formed may overlap with the first shape conductive layers 509 to 512.
【００８０】次に、図５（Ｄ）に示すように第２のエッ
チング処理を行う。エッチング処理も同様にＩＣＰエッ
チング装置により行い、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2
の混合ガスを用い、ＲＦ電力３．２Ｗ／ｃｍ2(１３.５
６ＭＨｚ)、バイアス電力４５ｍＷ／ｃｍ2(１３.５６Ｍ
Ｈｚ)、圧力１．０Ｐａでエッチングを行う。この条件
で形成される第２の形状を有する導電層５１８〜５２１
が形成される。その端部にはテーパー部が形成され、該
端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパー
形状となる。第１のエッチング処理と比較して基板側に
印加するバイアス電力を低くした分等方性エッチングの
割合が多くなり、テーパー部の角度は３０〜６０°とな
る。マスク５０８はエッチングされて端部が削れ、マス
ク５２２となる。また、図５（Ｄ）の工程において、ゲ
ート絶縁膜５０６の表面が４０ｎｍ程度エッチングされ
る。Next, a second etching process is performed as shown in FIG. The etching process is also performed by an ICP etching apparatus, and CF 4 and Cl 2 are used as etching gases.
RF power of 3.2 W / cm 2 (13.5
6 MHz), bias power 45 mW / cm 2 (13.56 M
(Hz) at a pressure of 1.0 Pa. Conductive layers 518 to 521 having the second shape formed under these conditions
Is formed. A tapered portion is formed at the end, and the tapered shape gradually increases inward from the end. As compared with the first etching process, the ratio of isotropic etching is increased by the amount of the lower bias power applied to the substrate side, and the angle of the tapered portion is 30 to 60 °. The mask 508 is etched and its edge is shaved to form a mask 522. In the step of FIG. 5D, the surface of the gate insulating film 506 is etched by about 40 nm.
【００８１】そして、第１のドーピング処理よりもドー
ズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型を付与する不純物元
素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０
ｋｅＶとし、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量で行い、不
純物濃度が大きくなった第１の不純物領域５２４〜５２
７と、前記第１の不純物領域５２４〜５２７に接する第
２の不純物領域５２８〜５３１とを形成する。この工程
において、ドーピングの条件によっては、不純物が第２
の形状の導電層５１８〜５２１の下に回りこみ、第２の
不純物領域５２８〜５３１が第２の形状の導電層５１８
〜５２１と重なることも起こりうる。第２の不純物領域
における不純物濃度は、１×１０16〜１×１０18／ｃｍ
3となるようにする。（図６（Ａ））Then, an impurity element for imparting n-type is doped under a condition of a high acceleration voltage with a lower dose than in the first doping process. For example, when the accelerating voltage is 70 to 120
keV, a dose of 1 × 10 13 / cm 2 , the first impurity regions 524 to 52 having an increased impurity concentration.
7 and second impurity regions 528 to 531 in contact with the first impurity regions 524 to 527 are formed. In this step, depending on the doping conditions, the impurity
The second impurity regions 528 to 531 extend under the conductive layers 518 to 521 having the second shape, and the second impurity regions 528 to 531 have the second shape.
521 may also occur. The impurity concentration in the second impurity region is 1 × 10 16 to 1 × 10 18 / cm.
To be 3 . (FIG. 6 (A))
【００８２】そして、図６（Ｂ）に示すように、ｐチャ
ネル型ＴＦＴを形成する半導体層５０２、５０５に一導
電型とは逆の導電型の不純物領域５３３（５３３ａ、５
３３ｂ）及び５３４（５３４ａ、５３４ｂ）を形成す
る。この場合も第２の形状の導電層５１８、５２１をマ
スクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、自己整
合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型
ＴＦＴを形成する半導体層５０３、５０４は、レジスト
のマスク５３２を形成し全面を被覆しておく。ここで形
成される不純物領域５３３、５３４はジボラン（Ｂ
2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成する。不純物領域
５３３、５３４のｐ型を付与する不純物元素の濃度は、
２×１０20〜２×１０21／ｃｍ3となるようにする。Then, as shown in FIG. 6B, the semiconductor layers 502 and 505 forming the p-channel TFT have impurity regions 533 (533a, 533a,
33b) and 534 (534a, 534b). Also in this case, an impurity element imparting p-type is added using the second shape conductive layers 518 and 521 as a mask to form an impurity region in a self-aligned manner. At this time, a resist mask 532 is formed on the semiconductor layers 503 and 504 forming the n-channel TFT, and the entire surface is covered. The impurity regions 533 and 534 formed here are formed of diborane (B
It is formed by an ion doping method using 2 H 6 ). The concentration of the impurity element imparting p-type in the impurity regions 533 and 534 is
It is set to 2 × 10 20 to 2 × 10 21 / cm 3 .
【００８３】しかしながら、この不純物領域５３３、５
３４は詳細にはｎ型を付与する不純物元素を含有する２
つの領域に分けて見ることができる。第３の不純物領域
５３３ａ、５３４ａは１×１０20〜１×１０21／ｃｍ3
の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含み、第４の不純
物領域５３３ｂ、５３４ｂは１×１０17〜１×１０20／
ｃｍ3の濃度でｎ型を付与する不純物元素を含んでい
る。しかし、これらの不純物領域５３３ｂ、５３４ｂの
ｐ型を付与する不純物元素の濃度を１×１０19ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3以上となるようにし、第３の不純物領域５３
３ａ、５３４ａにおいては、ｐ型を付与する不純物元素
の濃度をｎ型を付与する不純物元素の濃度の１．５から
３倍となるようにすることにより、第３の不純物領域で
ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域と
して機能するために何ら問題は生じない。However, impurity regions 533, 5
34 specifically contains an impurity element imparting n-type.
It can be divided into two areas. The third impurity regions 533a and 534a are 1 × 10 20 to 1 × 10 21 / cm 3.
And the fourth impurity regions 533b and 534b have a concentration of 1 × 10 17 to 1 × 10 20 /
An impurity element imparting n-type is contained at a concentration of cm 3 . However, the concentration of the impurity element imparting p-type in these impurity regions 533b and 534b is set to 1 × 10 19 atoms.
s / cm 3 or more and the third impurity region 53
In 3a and 534a, the concentration of the impurity element imparting p-type is set to be 1.5 to 3 times the concentration of the impurity element imparting n-type, so that the p-channel TFT is formed in the third impurity region. No problem arises because it functions as a source region and a drain region.
【００８４】その後、図６（Ｃ）に示すように、第２の
形状を有する導電層５１８〜５２１およびゲート絶縁膜
５０６上に第１の層間絶縁膜５３７を形成する。第１の
層間絶縁膜５３７は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層
膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁膜
５３７は無機絶縁物材料から形成する。第１の層間絶縁
膜５３７の膜厚は１００〜２００nmとする。第１の層間
絶縁膜５３７として酸化シリコン膜を用いる場合には、
プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ2とを混合し、反応圧
力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波
（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電
させて形成することができる。また、第１の層間絶縁膜
５３７として酸化窒化シリコン膜を用いる場合には、プ
ラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製され
る酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製
される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。この場合
の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３０
０〜４００℃とし、高周波（６０MHz）電力密度０．１
〜１．０W/cm2で形成することができる。また、第１の
層間絶縁膜５３７としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作製
される酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良い。窒
化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ
Ｈ3から作製することが可能である。After that, as shown in FIG. 6C, a first interlayer insulating film 537 is formed over the conductive layers 518 to 521 having the second shape and the gate insulating film 506. The first interlayer insulating film 537 may be formed using a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, or a stacked film combining these. In any case, the first interlayer insulating film 537 is formed from an inorganic insulating material. The thickness of the first interlayer insulating film 537 is 100 to 200 nm. When a silicon oxide film is used as the first interlayer insulating film 537,
TEOS and O 2 are mixed by plasma CVD, the reaction pressure is 40 Pa, the substrate temperature is 300 to 400 ° C., and discharge is performed at a high frequency (13.56 MHz) power density of 0.5 to 0.8 W / cm 2. Can be. In the case where a silicon oxynitride film is used as the first interlayer insulating film 537, a silicon oxynitride film formed from SiH 4 , N 2 O, and NH 3 by a plasma CVD method, or a silicon oxynitride film formed from SiH 4 and N 2 O is used. What is necessary is just to form with the manufactured silicon oxynitride film. The production conditions in this case are a reaction pressure of 20 to 200 Pa and a substrate temperature of 30.
0 to 400 ° C, high frequency (60MHz) power density 0.1
~ 1.0 W / cm 2 . Alternatively, as the first interlayer insulating film 537, a silicon oxynitride hydride film formed using SiH 4 , N 2 O, and H 2 may be used. Similarly, the silicon nitride film is formed by SiH 4 , N
It can be prepared from H 3.
【００８５】そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニー
ル法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用すること
ができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであ
り、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。
また、基板５０１に耐熱温度が低いプラスチック基板を
用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好
ましい。Then, a step of activating the n-type or p-type impurity element added at each concentration is performed. This step is performed by a thermal annealing method using a furnace annealing furnace. In addition, a laser annealing method or a rapid thermal annealing method (RTA method) can be applied. In the thermal annealing method, the oxygen concentration is 1 ppm or less,
Preferably in a nitrogen atmosphere of 0.1 ppm or less 400 ~
The heat treatment is performed at 700 ° C., typically 500 to 600 ° C. In this embodiment, the heat treatment is performed at 550 ° C. for 4 hours.
When a plastic substrate having a low heat-resistant temperature is used as the substrate 501, a laser annealing method is preferably used.
【００８６】活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化
させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜
４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水
素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素
により半導体層にある１０16〜１０18/cm3のダングリン
グボンドを終端する工程である。水素化の他の手段とし
て、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を
用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体層５
０２〜５０５中の欠陥密度を１×１０16/cm3以下とする
ことが望ましく、そのために水素を０．０１〜０．１at
omic％程度付与すれば良い。Subsequent to the activation step, the atmosphere gas is changed and the atmosphere gas is changed to 300 to 100% in an atmosphere containing 3 to 100% hydrogen.
A heat treatment is performed at 450 ° C. for 1 to 12 hours to hydrogenate the semiconductor layer. This step is to terminate dangling bonds of 10 16 to 10 18 / cm 3 in the semiconductor layer by thermally excited hydrogen. As another means of hydrogenation, plasma hydrogenation (using hydrogen excited by plasma) may be performed. In any case, the semiconductor layer 5
It is desirable that the defect density in the sample No. 02 to 505 be 1 × 10 16 / cm 3 or less.
It is sufficient to give about omic%.
【００８７】そして、有機絶縁物材料からなる第２の層
間絶縁膜５３８を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成
する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、
ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗
布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合に
は、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。
また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用
い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板
全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の
予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で
６０分焼成して形成することができる。Then, a second interlayer insulating film 538 made of an organic insulating material is formed with an average thickness of 1.0 to 2.0 μm. As organic resin materials, polyimide, acrylic,
Polyamide, polyimide amide, BCB (benzocyclobutene) and the like can be used. For example, in the case of using a polyimide of a type that is thermally polymerized after being applied to a substrate, it is formed by firing at 300 ° C. in a clean oven.
In the case of using acrylic, a two-component type is used, and after mixing the main material and the curing agent, the whole surface is applied using a spinner and then pre-heated at 80 ° C. for 60 seconds on a hot plate. Then, it can be formed by firing in a clean oven at 250 ° C. for 60 minutes.
【００８８】次いで、パッシベーション膜５３９を形成
する。本実施例では、パッシベーション膜５３９とし
て、窒化珪素膜を用いた。第２の層間絶縁膜５３８が有
機樹脂材料を有している場合、有機樹脂材料は水分を多
く含むため、パッシベーション膜５３９を設けることは
特に有効である。Next, a passivation film 539 is formed. In this embodiment, a silicon nitride film is used as the passivation film 539. In the case where the second interlayer insulating film 538 includes an organic resin material, the provision of the passivation film 539 is particularly effective because the organic resin material contains a large amount of moisture.
【００８９】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、パッシベーション膜５３
９、有機樹脂材料から成る第２の層間絶縁膜５３８、第
１の層間絶縁膜５３７、ゲート絶縁膜を順次エッチング
する。Thereafter, a resist mask having a predetermined pattern is formed, and a contact hole formed in each semiconductor layer and reaching an impurity region serving as a source region or a drain region is formed. The contact hole is formed by a dry etching method. In this case, the passivation film 53
9. The second interlayer insulating film 538, the first interlayer insulating film 537, and the gate insulating film made of an organic resin material are sequentially etched.
【００９０】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、ソース配線５４０〜５４３とドレ
イン配線５４４〜５４６を形成する。図示していない
が、本実施例ではこの配線を膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、
膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との
積層膜で形成した。Then, a conductive metal film is formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method, patterned by a mask, and then etched to form source wirings 540 to 543 and drain wirings 544 to 546. Although not shown, in the present embodiment, this wiring is formed of a 50 nm-thick Ti film,
It was formed as a laminated film of a 500 nm-thick alloy film (an alloy film of Al and Ti).
【００９１】次いで、その上に透明導電膜を８０〜１２
０nmの厚さで形成し、パターニングすることによって画
素電極５４７を形成する（図７（Ａ））。なお、本実施
例では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。画素電極５４７
は発光素子の陽極として機能する。また、画素電極５４
７は、ドレイン配線５４６と接して重ねて形成すること
によって駆動用ＴＦＴのドレイン領域と電気的な接続が
形成される。Next, a transparent conductive film is placed on the
The pixel electrode 547 is formed by forming a pattern with a thickness of 0 nm and patterning (FIG. 7A). In this embodiment, indium tin oxide (IT) is used as a transparent electrode.
O) 2-20% zinc oxide (Z
A transparent conductive film mixed with nO) is used. Pixel electrode 547
Functions as an anode of a light emitting element. The pixel electrode 54
7 is formed in contact with the drain wiring 546 to form an electrical connection with the drain region of the driving TFT.
【００９２】次に、図７（Ｂ）に示すように、画素電極
５４７に対応する位置に開口部を有する第３の層間絶縁
膜５４８を形成する。本実施例では、開口部を形成する
際、ウエットエッチング法を用いることでテーパー形状
の側壁とした。第３の層間絶縁膜５４８上に形成される
有機発光層は分断されないため、開口部の側壁が十分に
なだらかでないと段差に起因する有機発光層の劣化が顕
著な問題となってしまうため、注意が必要である。Next, as shown in FIG. 7B, a third interlayer insulating film 548 having an opening at a position corresponding to the pixel electrode 547 is formed. In this embodiment, when the opening is formed, the side wall is tapered by using a wet etching method. Since the organic light emitting layer formed on the third interlayer insulating film 548 is not divided, if the side wall of the opening is not sufficiently gentle, the deterioration of the organic light emitting layer due to the step becomes a significant problem. is necessary.
【００９３】なお、本実施例においては、第３の層間絶
縁膜５４８として酸化珪素でなる膜を用いているが、場
合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、Ｂ
ＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂膜を用い
ることもできる。Although a film made of silicon oxide is used as the third interlayer insulating film 548 in this embodiment, depending on the case, polyimide, polyamide, acrylic, B
An organic resin film such as CB (benzocyclobutene) can also be used.
【００９４】そして、第３の層間絶縁膜５４８上に有機
発光層５５０を形成する前に、第３の層間絶縁膜５４８
の表面にアルゴンを用いたプラズマ処理を施し、第３の
層間絶縁膜５４８の表面を緻密化しておくのが好まし
い。上記構成によって、第３の層間絶縁膜５４８から有
機発光層５５０に水分が入るのを防ぐことができる。Then, before forming the organic light emitting layer 550 on the third interlayer insulating film 548, the third interlayer insulating film 548 is formed.
It is preferable to perform a plasma treatment using argon on the surface of the third interlayer insulating film 548 to densify the surface. With the above structure, entry of moisture from the third interlayer insulating film 548 to the organic light-emitting layer 550 can be prevented.
【００９５】次に、有機発光層５５０を蒸着法により形
成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）５５１お
よび保護電極５５２を形成する。このとき有機発光層５
５０及び陰極５５１を形成するに先立って画素電極５４
７に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくこ
とが望ましい。なお、本実施例ではＯＬＥＤの陰極とし
てＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他の材料であっても
良い。Next, an organic light emitting layer 550 is formed by an evaporation method, and a cathode (MgAg electrode) 551 and a protection electrode 552 are formed by an evaporation method. At this time, the organic light emitting layer 5
Prior to forming the pixel electrode 50 and the cathode 551, the pixel electrode 54
It is desirable to perform a heat treatment on 7 to completely remove moisture. In this embodiment, the MgAg electrode is used as the cathode of the OLED, but another known material may be used.
【００９６】なお、有機発光層５５０としては、公知の
材料を用いることができる。例えば、低分子系有機ＥＬ
材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いればよい。また、有
機発光層として一重項励起により発光（蛍光）する発光
材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重
項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレッ
ト化合物）からなる薄膜を用いることもできる。本実施
例では正孔輸送層（Holetransporting layer）及び発光
層（Emitting layer）でなる２層構造を有機発光層とす
るが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のい
ずれかを設ける場合もある。このように組み合わせは既
に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用い
ても構わない。Note that a known material can be used for the organic light emitting layer 550. For example, low molecular organic EL
A material or a polymer organic EL material may be used. Further, as the organic light emitting layer, a thin film made of a light emitting material (singlet compound) that emits light (fluorescence) by singlet excitation or a thin film made of a light emitting material (phosphorescent light) that emits light (phosphorescence) by triplet excitation can be used. . In this embodiment, the organic light emitting layer has a two-layer structure including a hole transporting layer (Holetransporting layer) and a light emitting layer (Emitting layer). However, when any of a hole injection layer, an electron injection layer, and an electron transport layer is provided. There is also. Various examples of such combinations have already been reported, and any of these configurations may be used.
【００９７】本実施例では正孔輸送層としてポリフェニ
レンビニレンを蒸着法により形成する。また、発光層と
しては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−オキサ
ジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分散させ
たものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてク
マリン６を約１％添加している。In this embodiment, polyphenylene vinylene is formed as a hole transport layer by a vapor deposition method. The light emitting layer is formed by vapor deposition of a 30% to 40% molecular dispersion of PBD of a 1,3,4-oxadiazole derivative in polyvinyl carbazole, and about 1% of coumarin 6 is used as a green light emitting center. Has been added.
【００９８】また、保護電極５５２でも有機発光層５５
０を水分や酸素から保護することは可能であるが、さら
に好ましくは保護膜５５３を設けると良い。本実施例で
は保護膜５５３として３００ｎｍ厚の窒化珪素膜を設け
る。この保護膜も保護電極５５２の後に大気解放しない
で連続的に形成しても構わない。Further, the organic light emitting layer 55
Although it is possible to protect 0 from moisture and oxygen, it is more preferable to provide a protective film 553. In this embodiment, a 300-nm-thick silicon nitride film is provided as the protective film 553. This protective film may be formed continuously without opening to the atmosphere after the protective electrode 552.
【００９９】また、保護電極５５２は陰極５５１の劣化
を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金
属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、
有機発光層５５０、陰極５５１は非常に水分に弱いの
で、保護電極５５２までを大気解放しないで連続的に形
成し、外気から有機発光層を保護することが望ましい。The protection electrode 552 is provided to prevent the deterioration of the cathode 551, and is typically a metal film containing aluminum as a main component. Of course, other materials may be used. Also,
Since the organic light emitting layer 550 and the cathode 551 are very sensitive to moisture, it is preferable that the organic light emitting layer is protected from the outside air by continuously forming the protective electrode 552 up to the protective layer without opening to the atmosphere.
【０１００】なお、有機発光層５５０の膜厚は１０〜４
００ｎｍ（典型的には６０〜１５０ｎｍ）、陰極５５１
の厚さは８０〜２００ｎｍ（典型的には１００〜１５０
ｎｍ）とすれば良い。The thickness of the organic light emitting layer 550 is 10 to 4
00 nm (typically 60-150 nm), cathode 551
Has a thickness of 80 to 200 nm (typically 100 to 150 nm).
nm).
【０１０１】また、パッシベーション膜５３９は、第２
の層間絶縁膜５３８に含まれる水分が、後に形成される
画素電極５４７や、第３の層間絶縁膜５８２を通過し
て、有機発光層５５０に入るのを防ぐのに効果的であ
る。Further, the passivation film 539 is
This is effective in preventing moisture contained in the interlayer insulating film 538 from passing through the pixel electrode 547 formed later and the third interlayer insulating film 582 and entering the organic light emitting layer 550.
【０１０２】こうして図７（Ｂ）に示すような構造のア
クティブマトリクス基板が完成する。なお、画素電極５
４７、有機発光層５５０、陰極５５１の重なっている部
分５５４がＯＬＥＤに相当する。Thus, an active matrix substrate having a structure as shown in FIG. 7B is completed. The pixel electrode 5
47, the organic light emitting layer 550, and the overlapping portion 554 of the cathode 551 correspond to the OLED.
【０１０３】本実施例では、画素電極を陽極とし、有機
発光層と陰極を積層したため、発光した光は基板を通過
して出射される。また、画素電極を陰極とし、有機発光
層と陽極を積層して本実施例とは逆方向に発光する構成
としてもよい。In this embodiment, since the pixel electrode is used as the anode and the organic light emitting layer and the cathode are laminated, the emitted light is emitted through the substrate. Alternatively, the pixel electrode may be used as a cathode, and an organic light emitting layer and an anode may be stacked to emit light in a direction opposite to that of this embodiment.
【０１０４】また、図７（Ｂ）に示したアクティブマト
リクス基板を実施例１の基板４０１に適用し、ＯＬＥＤ
モジュールを完成させることができる。なお、本発明の
アクティブマトリクス基板の作製方法は、本実施例にお
いて説明した作製方法に限定されないことは言うまでも
ない。本発明のアクティブマトリクス基板は公知の方法
を用いて作成することが可能である。Further, the active matrix substrate shown in FIG.
Module can be completed. It is needless to say that the manufacturing method of the active matrix substrate of the present invention is not limited to the manufacturing method described in this embodiment. The active matrix substrate of the present invention can be manufactured by using a known method.
【０１０５】また、ｐチャネル型ＴＦＴ５６０及びｎチ
ャネル型ＴＦＴ５６１は駆動回路が有するＴＦＴであ
り、ＣＭＯＳ回路を形成している。スイッチング用ＴＦ
Ｔ５６２及び駆動用ＴＦＴ５６３は画素部が有するＴＦ
Ｔであり、駆動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一
基板上に形成することができる。The p-channel TFT 560 and the n-channel TFT 561 are TFTs included in the driving circuit and form a CMOS circuit. Switching TF
T562 and the driving TFT 563 are TFs included in the pixel portion.
T, and the TFT of the driver circuit and the TFT of the pixel portion can be formed over the same substrate.
【０１０６】なお、本実施例のＯＬＥＤを用いた発光装
置の場合、駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大
でも１０Ｖ程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエ
レクトロンによる劣化があまり問題にならない。また駆
動回路を高速で動作させる必要があるので、ＴＦＴのゲ
ート容量は小さいほうが好ましい。よって、本実施例の
ように、ＯＬＥＤを用いた発光装置の駆動回路では、Ｔ
ＦＴの半導体層が有する第２の不純物領域５２９と、第
４の不純物領域５３３ｂとが、それぞれゲート電極５１
８、５１９と重ならない構成にするのが好ましい。In the case of the light emitting device using the OLED of the present embodiment, the voltage of the power supply of the drive circuit is about 5 to 6 V, and the maximum is about 10 V, so that deterioration of TFT due to hot electrons does not cause much problem. Since the driving circuit needs to operate at high speed, it is preferable that the gate capacitance of the TFT is small. Therefore, as in this embodiment, in the driving circuit of the light emitting device using the OLED, T
The second impurity region 529 and the fourth impurity region 533b included in the FT semiconductor layer are
It is preferable to adopt a configuration that does not overlap with 8,519.
【０１０７】［実施例３］発光装置は自発光型であるた
め、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性に
優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部
に用いることができる。[Embodiment 3] Since the light-emitting device is a self-luminous type, it has better visibility in a bright place and a wider viewing angle than a liquid crystal display. Therefore, it can be used for display portions of various electronic devices.
【０１０８】本発明の発光装置を用いた電子機器とし
て、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備
えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ等の記録媒体を再
生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装
置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る
機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視され
るため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子
機器の具体例を図８に示す。Electronic equipment using the light emitting device of the present invention include a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, a sound reproducing device (car audio, audio component, etc.), a notebook personal computer, Game devices, portable information terminals (mobile computers, mobile phones, portable game machines, electronic books, etc.), and image reproducing devices having a recording medium (specifically, reproducing a recording medium such as a DVD and displaying the image). Device equipped with a display). In particular, it is desirable to use a light-emitting device for a portable information terminal that often has a chance to see a screen from an oblique direction because a wide viewing angle is important. FIG. 8 shows specific examples of these electronic devices.
【０１０９】図８（Ａ）は有機発光表示装置であり、筐
体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピー
カー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本
発明の発光装置は表示部２００３に用いることができ
る。発光装置は自発光型であるためバックライトが必要
なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることが
できる。なお、有機発光表示装置は、パソコン用、ＴＶ
放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装
置が含まれる。FIG. 8A shows an organic light-emitting display device, which includes a housing 2001, a support base 2002, a display portion 2003, a speaker portion 2004, a video input terminal 2005, and the like. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2003. Since the light-emitting device is a self-luminous type, it does not require a backlight and can be a display portion thinner than a liquid crystal display. The organic light-emitting display device is for personal computers, TVs,
All display devices for displaying information, such as for broadcast reception and advertisement display, are included.
【０１１０】図８（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０
２に用いることができる。FIG. 8B shows a digital still camera, which includes a main body 2101, a display section 2102, an image receiving section 2103,
An operation key 2104, an external connection port 2105, a shutter 2106, and the like are included. The light emitting device of the present invention has a display portion 210
2 can be used.
【０１１１】図８（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュ
ータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２
０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、
ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の発光
装置は表示部２２０３に用いることができる。FIG. 8C shows a notebook personal computer, which includes a main body 2201, a housing 2202, and a display section 22.
03, keyboard 2204, external connection port 2205,
A pointing mouse 2206 and the like are included. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2203.
【０１１２】図８（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることが
できる。FIG. 8D shows a mobile computer, which includes a main body 2301, a display portion 2302, and a switch 230.
3, an operation key 2304, an infrared port 2305, and the like. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2302.
【０１１３】図８（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画
像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体
２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ
２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、
操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表
示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ
２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明の発
光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用い
ることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置
には家庭用ゲーム機器なども含まれる。FIG. 8E shows a portable image reproducing apparatus (specifically, a DVD reproducing apparatus) provided with a recording medium, and includes a main body 2401, a housing 2402, a display portion A 2403, and a display portion B.
2404, a recording medium (DVD or the like) reading unit 2405,
An operation key 2406, a speaker unit 2407, and the like are included. A display portion A 2403 mainly displays image information, and a display portion B
Although 2404 mainly displays character information, the light emitting device of the present invention can be used for these display portions A, B 2403, and 2404. Note that the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like.
【０１１４】図８（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘ
ッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表
示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の発光
装置は表示部２５０２に用いることができる。FIG. 8F shows a goggle type display (head mounted display), which includes a main body 2501, a display section 2502, and an arm section 2503. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2502.
【０１１５】図８（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２
６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポー
ト２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明の発光装置は表示部２６０
２に用いることができる。FIG. 8G shows a video camera,
Reference numeral 601, display unit 2602, housing 2603, external connection port 2604, remote control receiving unit 2605, image receiving unit 260
6, a battery 2607, a voice input unit 2608, operation keys 2609, and the like. The light emitting device of the present invention has a display section 260.
2 can be used.
【０１１６】ここで図８（Ｈ）は携帯電話であり、本体
２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部
２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外
部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本
発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができ
る。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を
表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができ
る。FIG. 8H shows a mobile phone, which includes a main body 2701, a housing 2702, a display portion 2703, a voice input portion 2704, a voice output portion 2705, operation keys 2706, an external connection port 2707, an antenna 2708, and the like. Including. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2703. Note that the display portion 2703 displays white characters on a black background, so that power consumption of the mobile phone can be suppressed.
【０１１７】なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が
高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクター
に用いることも可能となる。If the light emission luminance of the organic light emitting material becomes higher in the future, it becomes possible to enlarge and project the light containing the output image information with a lens or the like and use it for a front type or rear type projector.
【０１１８】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応
答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好まし
い。[0118] The electronic device may be the Internet or C.
Information distributed through an electronic communication line such as an ATV (cable television) is frequently displayed, and in particular, opportunities to display moving image information are increasing. Since the response speed of the organic light emitting material is very high, the light emitting device is preferable for displaying moving images.
【０１１９】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。In the light emitting device, since the light emitting portion consumes power, it is desirable to display information so that the light emitting portion is reduced as much as possible. Therefore, when a light emitting device is used for a portable information terminal, particularly a display portion mainly for character information such as a mobile phone or a sound reproducing device, the light emitting portion is driven to form character information with a non-light emitting portion as a background. It is desirable to do.
【０１２０】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施例１または実施例
２に示した何れの構成の発光装置を用いても良い。As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide, and the present invention can be used for electronic devices in various fields. In addition, the electronic device of this embodiment may use the light emitting device having any of the structures described in Embodiment 1 and Embodiment 2.
【０１２１】［実施例４］実施の形態１では、プラズマ
ＣＶＤ法でＤＬＣ膜を形成する例を示したが、本実施例
では、包装フィルムにスパッタ法でＡｒを含む窒化珪素
膜、ＡｌＮXＯYで示される膜、ＡｌＮ膜、またはこれら
の積層膜を成膜する例を図９に示す。ここでは、Ａｒを
含むＡｌＮXＯYで示される膜を袋状または空箱状の包装
フィルムの内側に成膜する例を示す。[Embodiment 4] In the first embodiment, an example in which a DLC film is formed by a plasma CVD method has been described. In this embodiment, however, a silicon nitride film containing Ar, AlN X O FIG. 9 shows an example of forming a film indicated by Y , an AlN film, or a stacked film of these films. Here, an example is shown in which a film represented by AlN X O Y containing Ar is formed inside a bag-shaped or empty box-shaped packaging film.
【０１２２】アースに接続されたチャンバー９０１内を
真空状態とし、酸素ガス及び不活性ガス（Ａｒガスまた
は窒素ガス）を流して、ＲＦ電源９０４と接続されたＡ
ｌＮからなるターゲット電極９０３と、該ターゲット電
極９０３とチャンバー９０１との間に包装フィルム９０
５をホルダー９０７で固定し、包装フィルム９０５の内
側面へ希ガス元素を含むＡｌＮXＯYで示される膜（Ａｌ
ＮXＯY膜と呼ぶ）９０６を成膜する。ただし、包装フィ
ルム９０５のうち、外側面には形成されない。The inside of the chamber 901 connected to the ground is evacuated, and an oxygen gas and an inert gas (Ar gas or nitrogen gas) are flowed.
1N, and a packaging film 90 between the target electrode 903 and the chamber 901.
5 is fixed by a holder 907, and a film (AlN X O Y containing a rare gas element)
N X O Y is referred to as a film) 906 is deposited. However, it is not formed on the outer surface of the packaging film 905.
【０１２３】こうして、希ガスを含むＡｌＮXＯYで示さ
れる膜９０６が成膜された包装フィルム９０５を真空で
熱圧着して発光装置を封止する。希ガスを含ませること
によりフレキシブルな膜となるので、真空で熱圧着して
も包装フィルムに成膜された膜にクラックが発生するこ
とを防止することができる。In this manner, the packaging film 905 on which the film 906 made of AlN X O Y containing a rare gas is formed is thermocompression-bonded in a vacuum to seal the light emitting device. Since a flexible film is formed by including a rare gas, cracks can be prevented from being generated in the film formed on the packaging film even when the film is thermocompressed in a vacuum.
【０１２４】また、ＡｌＮ膜を形成する場合、不活性ガ
ス（Ａｒガスまたは窒素ガス）を流して、ＲＦ電源と接
続されたＡｌＮからなるターゲット電極を用いて成膜す
ればよい。また、窒化珪素膜を形成する場合、窒素ガス
及びＡｒガスを流してＲＦ電源と接続されたＳｉからな
るターゲット電極を用いて成膜すればよい。When an AlN film is formed, an inert gas (Ar gas or nitrogen gas) may be flowed, and the AlN film may be formed using a target electrode made of AlN connected to an RF power supply. In the case of forming a silicon nitride film, the film may be formed using a target electrode made of Si connected to an RF power supply by flowing a nitrogen gas and an Ar gas.
【０１２５】ここでは包装フィルム９０５として袋状ま
たは空箱状のものを図示したが、２枚のシート状のもの
を重ねて四辺を全て圧着したものを用いてもよい。包装
フィルム９０５の材料としては、樹脂材料（ポリエステ
ル、ポリカーボネイト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレ
ンテレフタレート、ナイロン等）、代表的には熱可塑性
のプラスチック、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フ
ィルム、マイラーフィルム、またはアクリル樹脂フィル
ムを用いればよい。Here, a bag-like or empty box-like film is shown as the packaging film 905, but a film obtained by stacking two sheet-like films and crimping all four sides may be used. Examples of the material of the packaging film 905 include resin materials (polyester, polycarbonate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyacrylonitrile, polyethylene terephthalate, nylon, etc.), typically thermoplastic plastics, PVF (polyvinyl fluoride) films, A mylar film or an acrylic resin film may be used.
【０１２６】また、図９では、ターゲット電極は棒状
（円柱状または角柱状）のものを図示したが、特に限定
されないことは言うまでもない。ターゲット電極と被処
理体の内面との間隔は一定に配置されることが好ましい
ので、被処理物の形状に合わせたターゲット形状とすれ
ばよい。Further, in FIG. 9, the target electrode has a rod shape (a column shape or a prism shape), but it is needless to say that the target electrode is not particularly limited. Since it is preferable that the distance between the target electrode and the inner surface of the object to be processed is fixed, the target shape may be set to match the shape of the object to be processed.
【０１２７】ここで、膜厚１００ｎｍにおけるＡｌＮX
ＯY膜（Ｘ＜Ｙ）の透過率を図１０に示す。ＡｌＮXＯY
膜は、図１０に示したように、可視光領域で透過率８０
％〜９０％と透光性が非常に高い。ＡｌＮXＯY膜（Ｘ＜
Ｙ）は、膜中に希ガス元素を０．１原子％以上、好まし
くは１〜３０原子％含み、且つ、窒素を数atm％以上、
好ましくは２．５atm％〜４７．５atm％含む範囲であれ
ばよく、酸素を好ましくは２．５atm％〜４７．５atm％
含む範囲であればよく、スパッタ条件（基板温度、導入
ガスおよびその流量、成膜圧力など）を適宜調節するこ
とによって窒素濃度や酸素濃度を調節することができ
る。Here, the AlN x at a film thickness of 100 nm is used.
FIG. 10 shows the transmittance of the OY film (X <Y). AlN X O Y
The film has a transmittance of 80 in the visible light region, as shown in FIG.
% To 90%, which is very high. AlN X O Y film (X <
Y) contains 0.1 atomic% or more, preferably 1 to 30 atomic% of a rare gas element in the film, and contains nitrogen of several atm% or more;
Preferably, it may be in a range including 2.5 atm% to 47.5 atm%, and oxygen is preferably 2.5 atm% to 47.5 atm%.
The nitrogen concentration and the oxygen concentration can be adjusted by appropriately adjusting the sputtering conditions (such as the substrate temperature, the introduced gas and its flow rate, and the film forming pressure).
【０１２８】また、導入するガス流量などのスパッタ条
件を変化させて、ＡｌＮXＯY膜（Ｘ≧Ｙ）を形成しても
よいし、膜の膜厚方向に窒素または酸素の濃度勾配を有
するＡｌＮXＯY膜（Ｘ＜Ｙ）またはＡｌＮXＯY膜（Ｘ≧
Ｙ）を形成してもよい。The AlN X O Y film (X ≧ Y) may be formed by changing the sputtering conditions such as the flow rate of the gas to be introduced, or the AlN X O Y film may have a concentration gradient of nitrogen or oxygen in the film thickness direction. AlN X O Y film (X <Y) or AlN X O Y film (X ≧
Y) may be formed.
【０１２９】また、ここで、膜厚１００ｎｍにおけるＡ
ｌＮ膜（ＡｌXＮY膜とも示す）の透過率を図１１に示
す。図１０に示したＡｌＮXＯY膜（Ｘ＜Ｙ）に比べて透
光率の平均が低いものの、可視光領域で透過率８０％〜
９１．３％と高い。ＡｌXＮY膜に含まれる不純物、特に
酸素は０〜１０atm％未満であればよく、スパッタ条件
（基板温度、導入ガスおよびその流量、成膜圧力など）
を適宜調節することによって酸素濃度を調節することが
できる。ＡｌXＮY膜は、膜中に希ガス元素を０．１原子
％以上、好ましくは１〜３０原子％含み、且つ、窒素を
数atm％以上、好ましくは２．５atm％〜４７．５atm％
含む範囲であればよく、酸素を４７．５atm％以下、好
ましくは、０〜１０atm％未満であればよい。In this case, A at a film thickness of 100 nm
FIG. 11 shows the transmittance of the 1N film (also referred to as an Al X N Y film). Although the average of the light transmittance is lower than that of the AlN X O Y film (X <Y) shown in FIG.
It is as high as 91.3%. Impurities, particularly oxygen, contained in the Al X N Y film may be 0 to less than 10 atm%, and sputtering conditions (substrate temperature, introduced gas and its flow rate, film forming pressure, etc.)
The oxygen concentration can be adjusted by appropriately adjusting the oxygen concentration. The Al X N Y film contains a rare gas element in the film in an amount of 0.1 at% or more, preferably 1 to 30 at%, and contains nitrogen of several atm% or more, preferably 2.5 atm% to 47.5 atm%
The oxygen concentration may be within the range, and oxygen may be 47.5 atm% or less, preferably 0 to less than 10 atm%.
【０１３０】また、導入するガス流量などのスパッタ条
件を変化させて、膜の膜厚方向に窒素または酸素の濃度
勾配を有するＡｌXＮY膜を形成してもよい。Further, an Al X N Y film having a concentration gradient of nitrogen or oxygen in the film thickness direction may be formed by changing sputtering conditions such as a flow rate of a gas to be introduced.
【０１３１】また、以下に示す実験を行った。Further, the following experiment was conducted.
【０１３２】ポリカーボネイト（ＰＣ）フィルムの一方
の表面にアルゴンを含むＡｌＮ膜、アルゴンを含むＡｌ
ＮXＯY膜を２００ｎｍの膜厚で成膜したものを封止缶に
接着させ、封止缶とフィルムとの空間には乾燥剤として
酸化カルシウムを入れたサンプルをそれぞれ用意して、
室温で長時間放置し、重量の変化量を調べた。重量が変
化すれば、水分などがＰＣフィルムを通過して酸化カル
シウムに吸着したと推測できる。比較例として、成膜し
ていないポリカーボネイト（ＰＣ）フィルムを同様に封
止缶に接着させたサンプルも用意した。これらの実験結
果（透湿性）を図１２に示す。On one surface of a polycarbonate (PC) film, an AlN film containing argon, an AlN film containing argon
N X O Y film adhered to a sealing can what was deposited thereon to a thickness of 200nm, and the space between the sealing can and the film prepared each sample containing the calcium oxide as a drying agent,
It was left at room temperature for a long time, and the amount of change in weight was examined. If the weight changes, it can be assumed that moisture and the like have passed through the PC film and have been adsorbed on the calcium oxide. As a comparative example, a sample in which a polycarbonate (PC) film on which no film was formed was similarly adhered to a sealing can was also prepared. FIG. 12 shows the results of these experiments (moisture permeability).
【０１３３】図１２に示すように、成膜していないポリ
カーボネイト（ＰＣ）フィルムの比較例と比べて、Ａｌ
Ｎ膜やＡｌＮXＯY膜が設けられたサンプルの重量の変化
量が少ないことから、水分をブロッキングできるＡｌＮ
膜やＡｌＮXＯY膜を形成することによってＰＣフィルム
の防湿性を向上させることができると言える。As shown in FIG. 12, compared with a comparative example of a non-deposited polycarbonate (PC) film,
Since the amount of change in the weight of the sample provided with the N film and the AlN X O Y film is small, AlN which can block moisture is used.
It can be said that the moisture resistance of the PC film can be improved by forming the film or the AlN X O Y film.
【０１３４】また、本実施例は、実施の形態２、実施例
１乃至３のいずれとも自由に組み合わせることが可能で
ある。This embodiment can be freely combined with any of Embodiment Mode 2 and Embodiments 1 to 3.
【０１３５】[0135]
【発明の効果】本発明により柔軟性を備えたＤＬＣ膜、
窒化珪素膜、ＡｌＮXＯYで示される膜、またはＡｌＮ膜
を内側または外側に有するフィルムでＯＬＥＤが設けら
れている基板全体を真空封止することによって、水蒸気
や酸素によるＯＬＥＤの劣化を防ぐ効果が増し、ＯＬＥ
Ｄの安定性を高めることができる。従って、信頼性の高
い発光装置を得ることができる。The present invention provides a flexible DLC film,
Vacuum sealing of the entire substrate on which the OLED is provided with a silicon nitride film, a film represented by AlN X O Y , or a film having an AlN film inside or outside, thereby preventing the OLED from being deteriorated by water vapor or oxygen Increased, OLE
The stability of D can be increased. Therefore, a highly reliable light-emitting device can be obtained.
【図１】 発光装置の作製工程を示す図。FIG. 1 illustrates a manufacturing process of a light-emitting device.
【図２】 発光装置の作製工程を示す図。FIG. 2 illustrates a manufacturing process of a light-emitting device.
【図３】 ＤＬＣ膜の成膜装置（プラズマＣＶＤ装
置）を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a DLC film forming apparatus (plasma CVD apparatus).
【図４】 ＯＬＥＤモジュールの上面図および断面図
を示す図。FIG. 4 shows a top view and a cross-sectional view of the OLED module.
【図５】 アクティブマトリクス基板の作製工程を示
す図。FIG. 5 illustrates a manufacturing process of an active matrix substrate.
【図６】 アクティブマトリクス基板の作製工程を示
す図。FIG. 6 illustrates a manufacturing process of an active matrix substrate.
【図７】 アクティブマトリクス基板の作製工程を示
す図。FIG. 7 illustrates a manufacturing process of an active matrix substrate.
【図８】 電子機器の一例を示す図。FIG. 8 illustrates an example of an electronic device.
【図９】 スパッタ法を用いた成膜装置を示す図。FIG. 9 illustrates a film formation apparatus using a sputtering method.
【図１０】 ＡｌＮXＯY膜（Ｘ＜Ｙ）の透過率を示すグ
ラフである。FIG. 10 is a graph showing the transmittance of an AlN X O Y film (X <Y).
【図１１】 ＡｌＮ膜の透過率を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the transmittance of an AlN film.
【図１２】 各種膜の透湿性を示すグラフである。FIG. 12 is a graph showing moisture permeability of various films.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高山 徹 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB12 AB13 AB14 BB01 BB04 BB05 DB03 FA02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Toru Takayama 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa F-term in Semiconductive Energy Laboratory Co., Ltd. (Reference) 3K007 AB12 AB13 AB14 BB01 BB04 BB05 DB03 FA02
Claims (19)
されたアクティブマトリクス基板と、乾燥剤と、前記ア
クティブマトリクス基板を包む保護部とを有し、 前記保護部は、希ガス元素を含み、且つ、炭素を主成分
とする薄膜が少なくとも表面の一部に設けられたフィル
ムであることを特徴とする発光装置。An active matrix substrate on which a light-emitting element including the TFT is formed; a desiccant; and a protection unit surrounding the active matrix substrate, wherein the protection unit includes a rare gas element. A light-emitting device, wherein a thin film containing carbon as a main component is a film provided on at least a part of a surface.
極、陰極、並びに前記陽極と前記陰極との間に挟まれた
ＥＬ材料とを備えたことを特徴とする発光装置。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element comprises an anode, a cathode, and an EL material sandwiched between the anode and the cathode.
護部は真空圧着により前記アクティブマトリクス基板と
密接して設けられていることを特徴とする発光装置。3. The light emitting device according to claim 1, wherein the protection portion is provided in close contact with the active matrix substrate by vacuum compression.
記フィルムは炭素を主成分とする薄膜で覆われているこ
とを特徴とする発光装置。4. The light emitting device according to claim 1, wherein the film is covered with a thin film containing carbon as a main component.
記保護部は前記フィルムの内側または外側に炭素を主成
分とする薄膜が設けられていることを特徴とする発光装
置。5. The light emitting device according to claim 1, wherein the protective portion is provided with a thin film containing carbon as a main component inside or outside the film.
記炭素を主成分とする薄膜はＤＬＣ膜であることを特徴
とする発光装置。6. A light emitting device according to claim 1, wherein said thin film containing carbon as a main component is a DLC film.
記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ば
れた一種または複数種であることを特徴とする発光装
置。7. The light emitting device according to claim 1, wherein the rare gas element is one or more selected from He, Ne, Ar, Kr, and Xe.
されたアクティブマトリクス基板と、乾燥剤と、前記ア
クティブマトリクス基板を包む保護部とを有し、 前記保護部は、酸化窒化珪素膜が少なくとも表面の一部
に設けられたフィルムであることを特徴とする発光装
置。8. An active matrix substrate on which a TFT, a light-emitting element including the TFT is formed, a desiccant, and a protection portion surrounding the active matrix substrate, wherein the protection portion is formed of a silicon oxynitride film. A light-emitting device comprising a film provided on at least a part of the surface.
されたアクティブマトリクス基板と、乾燥剤と、前記ア
クティブマトリクス基板を包む保護部とを有し、 前記保護部は、希ガス元素を含む窒化珪素膜が少なくと
も表面の一部に設けられたフィルムであることを特徴と
する発光装置。9. A semiconductor device comprising: a TFT; an active matrix substrate on which a light-emitting element including the TFT is formed; a desiccant; and a protection unit surrounding the active matrix substrate, wherein the protection unit includes a rare gas element. A light-emitting device, wherein the silicon nitride film is a film provided on at least a part of the surface.
成されたアクティブマトリクス基板と、乾燥剤と、前記
アクティブマトリクス基板を包む保護部とを有し、 前記保護部は、希ガス元素を含むＡｌＮXＯYで示される
膜が少なくとも表面の一部に設けられたフィルムである
ことを特徴とする発光装置。10. A TFT, comprising: an active matrix substrate on which a light emitting element including the TFT is formed; a desiccant; and a protection unit surrounding the active matrix substrate, wherein the protection unit includes a rare gas element. A light emitting device, wherein the film represented by AlN X O Y is a film provided on at least a part of the surface.
成されたアクティブマトリクス基板と、乾燥剤と、前記
アクティブマトリクス基板を包む保護部とを有し、 前記保護部は、希ガス元素を含むＡｌＮ膜が少なくとも
表面の一部に設けられたフィルムであることを特徴とす
る発光装置。11. A TFT, an active matrix substrate on which a light-emitting element including the TFT is formed, a desiccant, and a protection portion surrounding the active matrix substrate, wherein the protection portion contains a rare gas element. A light-emitting device, wherein the AlN film is a film provided on at least a part of the surface.
て、前記保護部は、フレキシブルプリント基板の一部も
包むことを特徴とする発光装置。12. The light emitting device according to claim 1, wherein the protection section also covers a part of a flexible printed circuit board.
おいて、前記発光装置を有することを特徴とする電子機
器。13. An electronic apparatus according to claim 1, further comprising the light-emitting device.
成する工程と、 前記基板の厚さを薄くする工程と、 前記基板の周縁部にフレキシブルプリント基板を貼り付
ける工程と、 炭素を主成分とする薄膜で覆われたフイルムで前記発光
素子及び前記フレキシブルプリント基板の一部を真空封
止する工程と、 を有することを特徴とする発光装置の作製方法。14. A step of forming a light emitting element on a substrate having an insulating surface; a step of reducing the thickness of the substrate; a step of attaching a flexible printed circuit board to a peripheral portion of the substrate; Vacuum-sealing a part of the light-emitting element and the flexible printed circuit board with a film covered with a thin film as described above.
工程の前に、前記フレキシブルプリント基板と接する乾
燥剤を設ける工程を有することを特徴とする発光装置の
作製方法。15. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 14, further comprising a step of providing a desiccant in contact with the flexible printed circuit board before the step of vacuum sealing.
前記真空封止する工程は熱圧着であることを特徴とする
発光装置の作製方法。16. The method according to claim 14, wherein
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the step of vacuum sealing is thermocompression bonding.
て、前記炭素を主成分とする薄膜は、希ガス元素を含む
ＤＬＣ膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。17. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 14, wherein the thin film containing carbon as a main component is a DLC film containing a rare gas element.
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または
複数種であることを特徴とする発光装置の作製方法。18. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 17, wherein the rare gas element is one or more selected from He, Ne, Ar, Kr, and Xe.
前記炭素を主成分とする薄膜中に含まれる前記希ガス元
素は０．１原子％以上、好ましくは１〜３０原子％であ
ることを特徴とする発光装置の作製方法。19. The method according to claim 17, wherein
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the rare gas element contained in the thin film containing carbon as a main component is 0.1 at% or more, preferably 1 to 30 at%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044242A JP4255643B2 (en) | 2001-02-21 | 2002-02-21 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045627 | 2001-02-21 | ||
| JP2001-45627 | 2001-02-21 | ||
| JP2002044242A JP4255643B2 (en) | 2001-02-21 | 2002-02-21 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324667A true JP2002324667A (en) | 2002-11-08 |
| JP2002324667A5 JP2002324667A5 (en) | 2005-08-04 |
| JP4255643B2 JP4255643B2 (en) | 2009-04-15 |
Family
ID=26609845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002044242A Expired - Fee Related JP4255643B2 (en) | 2001-02-21 | 2002-02-21 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4255643B2 (en) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005116483A (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2005129415A (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and manufacturing method of display device |
| JP2006040889A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Lg Electron Inc | Organic electroluminescent element |
| WO2006046679A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Pioneer Corporation | Organic electroluminescence display device and method for manufacturing the same |
| JP2007086504A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Tohoku Pioneer Corp | Spontaneous light emission unit and method for manufacturing spontaneous light emission unit |
| JP2008147161A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic light emitting display device |
| WO2008102694A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Ulvac, Inc. | Display device, apparatus for manufacturing display device, and method for manufacturing display device |
| JP2008535177A (en) * | 2005-03-31 | 2008-08-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Organic electronic devices having an external barrier layer |
| JP2009117180A (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Hitachi Displays Ltd | Organic el display device, and manufacturing method thereof |
| JP2009541939A (en) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Moisture-proof coating for organic light-emitting diode devices |
| JP2010165673A (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device, and electronic device |
| JP2010244698A (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | Organic el device, manufacturing method of organic el device and electronic equipment |
| JP2011040268A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method for electro-optic apparatus, electro-optic apparatus, electronic device |
| JP2011515815A (en) * | 2008-03-26 | 2011-05-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Light emitting diode device |
| JP2011141979A (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | Method of manufacturing electro-optical device, and electro-optical device |
| US8030844B2 (en) | 2005-07-06 | 2011-10-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
| JP2013101969A (en) * | 2008-12-30 | 2013-05-23 | Samsung Display Co Ltd | Method for encapsulating environmentally sensitive element |
| US8450838B2 (en) | 2009-08-11 | 2013-05-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic apparatus, electronic device, and method for manufacturing electro-optic apparatus |
| KR20150019876A (en) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2015065160A (en) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 大日本印刷株式会社 | Method for manufacturing top-emission organic electroluminescent display device, and cover material for formation of top-emission organic electroluminescent display device |
| US9704933B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-07-11 | Japan Display Inc. | Organic electroluminescent device |
| KR101771392B1 (en) * | 2009-09-11 | 2017-08-25 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Oled devices with protection cover |
| WO2017159589A1 (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 日本ゼオン株式会社 | Method for manufacturing organic electronic device sealing body |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002044242A patent/JP4255643B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005116483A (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2005129415A (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and manufacturing method of display device |
| JP2006040889A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Lg Electron Inc | Organic electroluminescent element |
| US8044583B2 (en) | 2004-07-27 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device without cap and getter |
| JP4708360B2 (en) * | 2004-10-29 | 2011-06-22 | パイオニア株式会社 | Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
| WO2006046679A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Pioneer Corporation | Organic electroluminescence display device and method for manufacturing the same |
| JP2008535177A (en) * | 2005-03-31 | 2008-08-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Organic electronic devices having an external barrier layer |
| US8030844B2 (en) | 2005-07-06 | 2011-10-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
| JP2007086504A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Tohoku Pioneer Corp | Spontaneous light emission unit and method for manufacturing spontaneous light emission unit |
| JP2009541939A (en) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Moisture-proof coating for organic light-emitting diode devices |
| JP2008147161A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic light emitting display device |
| US8022616B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-09-20 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| JP4558763B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-10-06 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Organic light emitting display |
| WO2008102694A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Ulvac, Inc. | Display device, apparatus for manufacturing display device, and method for manufacturing display device |
| JP2012109248A (en) * | 2007-02-21 | 2012-06-07 | Ulvac Japan Ltd | Manufacturing method of display device |
| US7857673B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-12-28 | Ulvac, Inc. | Display device, apparatus for producing display device, and method for producing display device |
| KR101098859B1 (en) * | 2007-02-21 | 2011-12-26 | 울박, 인크 | Display device, apparatus for manufacturing display device, and method for manufacturing display device |
| JPWO2008102694A1 (en) * | 2007-02-21 | 2010-05-27 | 株式会社アルバック | Display device, display device manufacturing apparatus, and display device manufacturing method |
| JP2009117180A (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Hitachi Displays Ltd | Organic el display device, and manufacturing method thereof |
| JP2011515815A (en) * | 2008-03-26 | 2011-05-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Light emitting diode device |
| JP2010165673A (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device, and electronic device |
| US9425371B2 (en) | 2008-12-17 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| US9799716B2 (en) | 2008-12-17 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
| JP2013101969A (en) * | 2008-12-30 | 2013-05-23 | Samsung Display Co Ltd | Method for encapsulating environmentally sensitive element |
| JP2010244698A (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | Organic el device, manufacturing method of organic el device and electronic equipment |
| JP2011040268A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method for electro-optic apparatus, electro-optic apparatus, electronic device |
| US8450838B2 (en) | 2009-08-11 | 2013-05-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic apparatus, electronic device, and method for manufacturing electro-optic apparatus |
| KR101771392B1 (en) * | 2009-09-11 | 2017-08-25 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Oled devices with protection cover |
| JP2011141979A (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | Method of manufacturing electro-optical device, and electro-optical device |
| KR20150019876A (en) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
| KR102158630B1 (en) * | 2013-08-16 | 2020-09-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
| KR20160047477A (en) * | 2013-08-30 | 2016-05-02 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Method for producing top-emission organic electroluminescence display device, and cover material for formation of top-emission organic electroluminescence display device |
| US9577210B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing top-emission organic electroluminescence display device and cover material for forming top-emission organic electroluminescence display device |
| JP2015065160A (en) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 大日本印刷株式会社 | Method for manufacturing top-emission organic electroluminescent display device, and cover material for formation of top-emission organic electroluminescent display device |
| KR102152743B1 (en) | 2013-08-30 | 2020-09-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Method for producing top-emission organic electroluminescence display device, and cover material for formation of top-emission organic electroluminescence display device |
| US9704933B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-07-11 | Japan Display Inc. | Organic electroluminescent device |
| WO2017159589A1 (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 日本ゼオン株式会社 | Method for manufacturing organic electronic device sealing body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4255643B2 (en) | 2009-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW521447B (en) | Light-emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof | |
| JP4255643B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US11422423B2 (en) | Display device | |
| KR100884218B1 (en) | Method of manufacturing a light-emitting device | |
| US9178168B2 (en) | White light emitting device | |
| US6828725B2 (en) | Light emitting device | |
| US7737449B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing thereof | |
| US20020070663A1 (en) | Light emitting device | |
| JP2003086359A (en) | Light emitting device and electronic device | |
| JP4223218B2 (en) | Light emitting device | |
| JP2005135929A (en) | Formation method of light emitting device | |
| JP2003109756A (en) | Manufacturing method of illumination device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050111 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4255643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |