JP2002321402A - 画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、低廉・小型な構成で半導体レーザの
高速な変調制御を可能にすると共に消光比を確保する画
像形成装置を提供することを目的とする。 【解決手段】変調信号により半導体レーザを変調すると
共に半導体レーザからの光ビームを走査して感光体上に
静電潜像を形成する画像形成装置は、半導体レーザが実
質的に発光せずに高速変調可能な状態になる第１の電流
を変調信号に基づく第１のタイミングで半導体レーザに
流す第１の電流駆動部と、変調信号に応じてオン・オフ
する第２の電流を変調信号に基づく第１のタイミングよ
り遅い第２のタイミングで半導体レーザに流す第２の電
流駆動部を含み、第１の電流と第２の電流との合計電流
で半導体レーザを発光させることを特徴とする。
高速な変調制御を可能にすると共に消光比を確保する画
像形成装置を提供することを目的とする。 【解決手段】変調信号により半導体レーザを変調すると
共に半導体レーザからの光ビームを走査して感光体上に
静電潜像を形成する画像形成装置は、半導体レーザが実
質的に発光せずに高速変調可能な状態になる第１の電流
を変調信号に基づく第１のタイミングで半導体レーザに
流す第１の電流駆動部と、変調信号に応じてオン・オフ
する第２の電流を変調信号に基づく第１のタイミングよ
り遅い第２のタイミングで半導体レーザに流す第２の電
流駆動部を含み、第１の電流と第２の電流との合計電流
で半導体レーザを発光させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に画像形成装置
に関し、詳細にはレーザプリンタやデジタル複写機等に
おける光源として用いられる半導体レーザの光出力を制
御及び変調する画像形成装置に関する。
に関し、詳細にはレーザプリンタやデジタル複写機等に
おける光源として用いられる半導体レーザの光出力を制
御及び変調する画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの駆動電流と光出力との関
係は、温度により著しく変化するので、半導体レーザの
光強度を所望の値に設定するためには、駆動電流を適宜
制御することが必要となる。これを実現するために、例
えば、半導体レーザの光出力を受光素子によりモニタし
て、光出力に比例して受光素子に発生するモニタ信号を
検出する。このモニタ信号と発光レベル制御信号とを比
較して、両者が等しくなるように、光・電気負帰還ルー
プにより半導体レーザの順方向電流を制御する。これに
よって、半導体レーザの光出力を所望の値に設定するこ
とが出来る。このような技術が、例えば、特開平０５−
０７５１９９、特開平０５−２３５４４６、及び特開平
０９−３２１３７６に開示されている。
係は、温度により著しく変化するので、半導体レーザの
光強度を所望の値に設定するためには、駆動電流を適宜
制御することが必要となる。これを実現するために、例
えば、半導体レーザの光出力を受光素子によりモニタし
て、光出力に比例して受光素子に発生するモニタ信号を
検出する。このモニタ信号と発光レベル制御信号とを比
較して、両者が等しくなるように、光・電気負帰還ルー
プにより半導体レーザの順方向電流を制御する。これに
よって、半導体レーザの光出力を所望の値に設定するこ
とが出来る。このような技術が、例えば、特開平０５−
０７５１９９、特開平０５−２３５４４６、及び特開平
０９−３２１３７６に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし半導体レーザの
光出力をモニタする受光素子の特性により、半導体レー
ザの光出力が小さくなると、受光素子の光入力に対する
受光電流出力特性の直線性が著しく劣化する。このため
に、低い光出力の場合には制御精度が悪くなり、所望の
光出力より大きな出力になってしまう場合がある。これ
が原因となり、レーザプリンタ等においては、地膚汚れ
などの悪影響がでる。
光出力をモニタする受光素子の特性により、半導体レー
ザの光出力が小さくなると、受光素子の光入力に対する
受光電流出力特性の直線性が著しく劣化する。このため
に、低い光出力の場合には制御精度が悪くなり、所望の
光出力より大きな出力になってしまう場合がある。これ
が原因となり、レーザプリンタ等においては、地膚汚れ
などの悪影響がでる。
【０００４】また常時光出力を制御している為に、制御
系を正常動作させるためには、光出力を完全に消灯する
ことができない。これはオフセット光を生じさせること
になる。また半導体レーザの駆動電流を設定する回路が
必要となり、レーザプリンタ等の光変調ＩＣの機能を向
上させる場合に、回路規模に関する制約を伴うことにな
る。
系を正常動作させるためには、光出力を完全に消灯する
ことができない。これはオフセット光を生じさせること
になる。また半導体レーザの駆動電流を設定する回路が
必要となり、レーザプリンタ等の光変調ＩＣの機能を向
上させる場合に、回路規模に関する制約を伴うことにな
る。
【０００５】最近では、レーザプリンタの高速・高密度
化に伴い、単一光源ではなく複数個の光源からの光によ
りデータ記録することで、記録の高速・高密度化を図る
方法が採用されつつある。このような場合の光源として
は、複数個の半導体レーザを使用する場合とＬＤ−Ａｒ
ｒａｙを使用する場合があるが、適宜システムのニーズ
に応じて選択することが望ましい。しかしながら、従
来、ＬＤ−Ａｒｒａｙに対しては受光素子がすべての半
導体レーザに共通であるため、上記特開平０５−０７５
１９９、特開平０５−２３５４４６、特開平０９−３２
１３７６等に記載される手法を適用することが出来な
い。結果的にＬＤ−Ａｒｒａｙを使用する場合には、個
々の半導体レーザの光出力を検出するために、各々の光
出力を分離検出する手段が外部に必要となり、コスト的
に高くついてしまう。
化に伴い、単一光源ではなく複数個の光源からの光によ
りデータ記録することで、記録の高速・高密度化を図る
方法が採用されつつある。このような場合の光源として
は、複数個の半導体レーザを使用する場合とＬＤ−Ａｒ
ｒａｙを使用する場合があるが、適宜システムのニーズ
に応じて選択することが望ましい。しかしながら、従
来、ＬＤ−Ａｒｒａｙに対しては受光素子がすべての半
導体レーザに共通であるため、上記特開平０５−０７５
１９９、特開平０５−２３５４４６、特開平０９−３２
１３７６等に記載される手法を適用することが出来な
い。結果的にＬＤ−Ａｒｒａｙを使用する場合には、個
々の半導体レーザの光出力を検出するために、各々の光
出力を分離検出する手段が外部に必要となり、コスト的
に高くついてしまう。
【０００６】また半導体レーザのビームプロファイルは
通常ガウス分布に近似され、このガウス分布に従って電
子写真システムにおける静電潜像が形成される。このた
めに、形成される静電潜像は２値的な分布ではなくアナ
ログ的な分布をしており、これは解像度が増大するに従
い問題となる。即ち、現像バイアス変動等の外部変動要
因の影響を受けやすくなり、画像濃度変動を引き起こし
易くなる。また高速に半導体レーザを変調する為には、
予め半導体レーザに一定のバイアス電流を流しておくこ
とが望ましいが、バイアス電流を流すと半導体レーザは
ある程度発光してしまうので、半導体レーザの消光比が
取れなくなり、ダイナミックレンジを確保することが困
難になる。
通常ガウス分布に近似され、このガウス分布に従って電
子写真システムにおける静電潜像が形成される。このた
めに、形成される静電潜像は２値的な分布ではなくアナ
ログ的な分布をしており、これは解像度が増大するに従
い問題となる。即ち、現像バイアス変動等の外部変動要
因の影響を受けやすくなり、画像濃度変動を引き起こし
易くなる。また高速に半導体レーザを変調する為には、
予め半導体レーザに一定のバイアス電流を流しておくこ
とが望ましいが、バイアス電流を流すと半導体レーザは
ある程度発光してしまうので、半導体レーザの消光比が
取れなくなり、ダイナミックレンジを確保することが困
難になる。
【０００７】以上を鑑みて、本発明は、低廉・小型な構
成で半導体レーザの高速な変調制御を可能にすると共に
消光比を確保する画像形成装置を提供することを目的と
する。
成で半導体レーザの高速な変調制御を可能にすると共に
消光比を確保する画像形成装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、変調信
号により半導体レーザを変調すると共に該半導体レーザ
からの光ビームを走査して感光体上に静電潜像を形成す
る画像形成装置は、該半導体レーザのグランド側の一端
の電圧と所定の電圧とを比較する比較部と、該比較部の
比較結果に基づいて該半導体レーザの電源電圧を制御す
る制御部を含むことを特徴とする。
号により半導体レーザを変調すると共に該半導体レーザ
からの光ビームを走査して感光体上に静電潜像を形成す
る画像形成装置は、該半導体レーザのグランド側の一端
の電圧と所定の電圧とを比較する比較部と、該比較部の
比較結果に基づいて該半導体レーザの電源電圧を制御す
る制御部を含むことを特徴とする。
【０００９】上記発明では、半導体レーザのグランド側
の一端の電圧が所定の電圧になるように半導体レーザの
電源電圧を制御するので、半導体レーザの駆動回路の消
費電力を低減することが可能となり、ＩＣ化を実現し易
くなると共に、小型・低コストな画像形成装置を実現す
ることが出来る。
の一端の電圧が所定の電圧になるように半導体レーザの
電源電圧を制御するので、半導体レーザの駆動回路の消
費電力を低減することが可能となり、ＩＣ化を実現し易
くなると共に、小型・低コストな画像形成装置を実現す
ることが出来る。
【００１０】本発明によれば、変調信号により半導体レ
ーザを変調すると共に該半導体レーザからの光ビームを
走査して感光体上に静電潜像を形成する画像形成装置
は、該半導体レーザが実質的に発光せずに高速変調可能
な状態になる第１の電流を該変調信号に基づく第１のタ
イミングで該半導体レーザに流す第１の電流駆動部と、
該変調信号に応じてオン・オフする第２の電流を該変調
信号に基づく該第１のタイミングより遅い第２のタイミ
ングで該半導体レーザに流す第２の電流駆動部を含み、
該第１の電流と該第２の電流の合計電流で該半導体レー
ザを発光させることを特徴とする。
ーザを変調すると共に該半導体レーザからの光ビームを
走査して感光体上に静電潜像を形成する画像形成装置
は、該半導体レーザが実質的に発光せずに高速変調可能
な状態になる第１の電流を該変調信号に基づく第１のタ
イミングで該半導体レーザに流す第１の電流駆動部と、
該変調信号に応じてオン・オフする第２の電流を該変調
信号に基づく該第１のタイミングより遅い第２のタイミ
ングで該半導体レーザに流す第２の電流駆動部を含み、
該第１の電流と該第２の電流の合計電流で該半導体レー
ザを発光させることを特徴とする。
【００１１】上記発明では、半導体レーザが実質的に発
光せずに高速変調可能な状態になる第１の電流をまず半
導体レーザに流し、その後、変調信号に応じてオン・オ
フする第２の電流を半導体レーザに流すので、高速に半
導体レーザを変調することが可能となり、高速な画像形
成装置が提供できる。
光せずに高速変調可能な状態になる第１の電流をまず半
導体レーザに流し、その後、変調信号に応じてオン・オ
フする第２の電流を半導体レーザに流すので、高速に半
導体レーザを変調することが可能となり、高速な画像形
成装置が提供できる。
【００１２】本発明によれば、変調信号により半導体レ
ーザを変調すると共に該半導体レーザからの光ビームを
走査して感光体上に静電潜像を形成する画像形成装置
は、該変調信号を示す差動信号を検出する比較増幅部
と、該比較増幅部の出力を波形整形する高周波増幅特性
を有する波形整形部と、該波形整形部の出力により該半
導体レーザを駆動する駆動部を含むことを特徴とする。
ーザを変調すると共に該半導体レーザからの光ビームを
走査して感光体上に静電潜像を形成する画像形成装置
は、該変調信号を示す差動信号を検出する比較増幅部
と、該比較増幅部の出力を波形整形する高周波増幅特性
を有する波形整形部と、該波形整形部の出力により該半
導体レーザを駆動する駆動部を含むことを特徴とする。
【００１３】上記発明では、高周波増幅特性を有する波
形整形部によって変調信号を波形整形し半導体レーザを
駆動するので、変調信号の波形が劣化しても光パルス幅
を正確に再現することが可能となり、高精度な画像を形
成することが出来る。
形整形部によって変調信号を波形整形し半導体レーザを
駆動するので、変調信号の波形が劣化しても光パルス幅
を正確に再現することが可能となり、高精度な画像を形
成することが出来る。
【００１４】
【発明の実施の形態】図1は、本発明を適用する画像形
成装置の概略構成図を示す。
成装置の概略構成図を示す。
【００１５】図1の画像形成装置において、半導体レー
ザユニット１０から出力されたレーザ光は、ポリゴンミ
ラー１１が回転することによりスキャンされ、走査レン
ズ１２を介して感光体１３を露光することで静電潜像を
形成する。クロック生成回路１４は、所定の位相に設定
された画像クロックを生成し、この画像クロックに従っ
て画像処理ユニット１５が画像データを生成する。半導
体レーザ駆動回路１６は、この画像データに基づいて半
導体レーザユニット１０のレーザ発光時間をコントロー
ルし、感光体１３上における静電潜像の形成をコントロ
ールする。またクロック生成回路１４は、内部生成回路
により生成されたクロックを、内部位相同期回路によっ
て位相設定する。この位相設定は、ポリゴンミラー１１
によりスキャンされた半導体レーザの光をフォトディテ
クタ１７及び１８により検出し、この検出信号に同期す
るように位相を設定することで行われる。
ザユニット１０から出力されたレーザ光は、ポリゴンミ
ラー１１が回転することによりスキャンされ、走査レン
ズ１２を介して感光体１３を露光することで静電潜像を
形成する。クロック生成回路１４は、所定の位相に設定
された画像クロックを生成し、この画像クロックに従っ
て画像処理ユニット１５が画像データを生成する。半導
体レーザ駆動回路１６は、この画像データに基づいて半
導体レーザユニット１０のレーザ発光時間をコントロー
ルし、感光体１３上における静電潜像の形成をコントロ
ールする。またクロック生成回路１４は、内部生成回路
により生成されたクロックを、内部位相同期回路によっ
て位相設定する。この位相設定は、ポリゴンミラー１１
によりスキャンされた半導体レーザの光をフォトディテ
クタ１７及び１８により検出し、この検出信号に同期す
るように位相を設定することで行われる。
【００１６】図１の半導体レーザ駆動回路１６は、画像
処理ユニット１５からの画像データ信号及び画素クロッ
ク信号を受け取り画像データを示す変調信号を生成する
パルス幅変調信号生成回路と、この変調信号に従って半
導体レーザユニット１０の発光を制御する半導体レーザ
制御回路を含む。
処理ユニット１５からの画像データ信号及び画素クロッ
ク信号を受け取り画像データを示す変調信号を生成する
パルス幅変調信号生成回路と、この変調信号に従って半
導体レーザユニット１０の発光を制御する半導体レーザ
制御回路を含む。
【００１７】図２は、本発明による半導体レーザ制御回
路の第１実施例の構成を示す構成図である。
路の第１実施例の構成を示す構成図である。
【００１８】図２の半導体レーザ制御回路は、微分量子
検出部２０、Ｄ／Ａコンバータ２１、比較増幅器２２、
波形整形部２３、２値化部２４、遅延部２５、バッファ
２６、ＩＬＤ１用の電流駆動部２７、ＯＲ回路２８、Ｉ
ＬＤ０用の電流駆動部２９、比較増幅器３０、サンプル
ホールド回路３１、サンプルホールド回路３２、及び比
較増幅器３３を含む。また図１の半導体レーザユニット
１０は、半導体レーザ３４、フォトディテクタ３５、及
びパワートランジスタ３６に対応する。
検出部２０、Ｄ／Ａコンバータ２１、比較増幅器２２、
波形整形部２３、２値化部２４、遅延部２５、バッファ
２６、ＩＬＤ１用の電流駆動部２７、ＯＲ回路２８、Ｉ
ＬＤ０用の電流駆動部２９、比較増幅器３０、サンプル
ホールド回路３１、サンプルホールド回路３２、及び比
較増幅器３３を含む。また図１の半導体レーザユニット
１０は、半導体レーザ３４、フォトディテクタ３５、及
びパワートランジスタ３６に対応する。
【００１９】ＬＤ電源によって駆動されるパワートラン
ジスタ３６が、半導体レーザ３４を駆動する。半導体レ
ーザ３４から放出されるレーザ光の一部は、フォトディ
テクタ３５によって検出されて、光強度に応じた検出電
圧レベルが比較増幅器３０の一方の入力に供給される。
比較増幅器３０の他方の入力には、制御電圧ＶＣＯＮＴ
が供給される。比較増幅器３０による比較結果が、サン
プルホールド回路３１に所定のサンプルタイミングで格
納される。このサンプルホールド回路３１に格納される
データに基づいて、電流駆動部２９が半導体レーザ３４
に流す電流量を制御する。即ち、負帰還ループによっ
て、半導体レーザ３４に流れる電流が制御される。
ジスタ３６が、半導体レーザ３４を駆動する。半導体レ
ーザ３４から放出されるレーザ光の一部は、フォトディ
テクタ３５によって検出されて、光強度に応じた検出電
圧レベルが比較増幅器３０の一方の入力に供給される。
比較増幅器３０の他方の入力には、制御電圧ＶＣＯＮＴ
が供給される。比較増幅器３０による比較結果が、サン
プルホールド回路３１に所定のサンプルタイミングで格
納される。このサンプルホールド回路３１に格納される
データに基づいて、電流駆動部２９が半導体レーザ３４
に流す電流量を制御する。即ち、負帰還ループによっ
て、半導体レーザ３４に流れる電流が制御される。
【００２０】画像データ信号及び画素クロック信号から
生成される画像データを示す変調信号が、比較増幅器２
２の一方の入力に供給される。比較増幅器２２の他方の
入力には変調信号の反転信号が供給され、差動原理に基
づいて変調信号の電圧レベルを検出する。検出された変
調信号は、波形整形部２３で波形が整えられ、更に２値
化部２４で２値化される。２値化変調信号は遅延部２５
で所定時間遅延されて、バッファ２６とＯＲ回路２８と
に供給される。
生成される画像データを示す変調信号が、比較増幅器２
２の一方の入力に供給される。比較増幅器２２の他方の
入力には変調信号の反転信号が供給され、差動原理に基
づいて変調信号の電圧レベルを検出する。検出された変
調信号は、波形整形部２３で波形が整えられ、更に２値
化部２４で２値化される。２値化変調信号は遅延部２５
で所定時間遅延されて、バッファ２６とＯＲ回路２８と
に供給される。
【００２１】ＯＲ回路２８の出力は、変調信号のパルス
幅が遅延時間分だけ長くなったパルス信号であり、この
パルス信号が示すタイミングで電流駆動部２９が駆動さ
れる。電流駆動部２９の電流量は、上述のように、フォ
トディテクタ３５及び比較増幅器３０を介した負帰還ル
ープによって制御される。
幅が遅延時間分だけ長くなったパルス信号であり、この
パルス信号が示すタイミングで電流駆動部２９が駆動さ
れる。電流駆動部２９の電流量は、上述のように、フォ
トディテクタ３５及び比較増幅器３０を介した負帰還ル
ープによって制御される。
【００２２】バッファ２６の出力は、変調信号を遅延時
間分だけ遅らせたパルス信号であり、このパルス信号が
示すタイミングで電流駆動部２７が駆動される。電流駆
動部２７の電流量は、Ｄ／Ａコンバータ２１の出力に応
じて制御される。Ｄ／Ａコンバータ２１の出力の設定に
ついては、後程詳細に説明する。
間分だけ遅らせたパルス信号であり、このパルス信号が
示すタイミングで電流駆動部２７が駆動される。電流駆
動部２７の電流量は、Ｄ／Ａコンバータ２１の出力に応
じて制御される。Ｄ／Ａコンバータ２１の出力の設定に
ついては、後程詳細に説明する。
【００２３】半導体レーザ３４の電源は、端子ＬＤ０の
電圧に基づいて、パワートランジスタ３６を介して制御
される。
電圧に基づいて、パワートランジスタ３６を介して制御
される。
【００２４】即ち、比較増幅器３３にて端子ＬＤ０の電
圧と１Ｖの基準電圧とを比較・増幅して、その増幅電圧
をサンプルホールド回路３２に格納し、これを介してパ
ワートランジスタ３６を駆動する。これによって、電流
駆動部２９の電流ＩＬＤ０を半導体レーザ３４に流した
ときに、端子ＬＤ０の電圧が約１Ｖとなるように、パワ
ートランジスタ３６の出力を制御することが出来る。な
お電流ＩＬＤ０を半導体レーザ３４に流したときのみ上
記制御が実行されるように、サンプルホールド回路３２
のサンプルタイミングを設定する。
圧と１Ｖの基準電圧とを比較・増幅して、その増幅電圧
をサンプルホールド回路３２に格納し、これを介してパ
ワートランジスタ３６を駆動する。これによって、電流
駆動部２９の電流ＩＬＤ０を半導体レーザ３４に流した
ときに、端子ＬＤ０の電圧が約１Ｖとなるように、パワ
ートランジスタ３６の出力を制御することが出来る。な
お電流ＩＬＤ０を半導体レーザ３４に流したときのみ上
記制御が実行されるように、サンプルホールド回路３２
のサンプルタイミングを設定する。
【００２５】これによって、半導体レーザ３４に大電流
を流したときに、端子ＬＤ０に現れる電圧は約１Ｖとな
る。従って、端子ＬＤ０を介して半導体レーザ制御回路
ＩＣに流れる電流による消費電力は、例えば、半導体レ
ーザに１００ｍＡの電流を流した場合においても１００
ｍＷ程度で済む。これは、例えば５Ｖの電源電圧に換算
すると２０ｍＡ相当になり、ＩＣの熱特性を大幅に改善
出来る。またレーザの電源の制御速度はゆっくりで良い
ために、パワートランジスタ３６の動作速度は遅くても
良いことになる。これによって、パワートランジスタ３
６としては汎用品が使用可能となり、コストメリットを
同時に享受することが出来る。
を流したときに、端子ＬＤ０に現れる電圧は約１Ｖとな
る。従って、端子ＬＤ０を介して半導体レーザ制御回路
ＩＣに流れる電流による消費電力は、例えば、半導体レ
ーザに１００ｍＡの電流を流した場合においても１００
ｍＷ程度で済む。これは、例えば５Ｖの電源電圧に換算
すると２０ｍＡ相当になり、ＩＣの熱特性を大幅に改善
出来る。またレーザの電源の制御速度はゆっくりで良い
ために、パワートランジスタ３６の動作速度は遅くても
良いことになる。これによって、パワートランジスタ３
６としては汎用品が使用可能となり、コストメリットを
同時に享受することが出来る。
【００２６】以下に、Ｄ／Ａコンバータ２１の出力設定
に関して説明する。
に関して説明する。
【００２７】デジタル入力であるＩｎｉｔｉａｌｉｚｅ
信号により、半導体レーザ３４の微分量子効率を検出し
て、Ｄ／Ａコンバータ２１の出力を決定する。このＤ／
Ａコンバータ２１の出力レベルは、シェーディング補正
電圧により、フルスケールが制御されるようになってい
る。ここでシェーディングとは、レーザビームを走査す
る際に、レンズ等の光学系の特性により、レーザビーム
の強度が走査位置により若干異なることをいう。これを
補正するために、レーザビームの走査位置と同期してシ
ェーディング補正電圧を変化させることで、Ｄ／Ａコン
バータ２１の出力を変化させる。
信号により、半導体レーザ３４の微分量子効率を検出し
て、Ｄ／Ａコンバータ２１の出力を決定する。このＤ／
Ａコンバータ２１の出力レベルは、シェーディング補正
電圧により、フルスケールが制御されるようになってい
る。ここでシェーディングとは、レーザビームを走査す
る際に、レンズ等の光学系の特性により、レーザビーム
の強度が走査位置により若干異なることをいう。これを
補正するために、レーザビームの走査位置と同期してシ
ェーディング補正電圧を変化させることで、Ｄ／Ａコン
バータ２１の出力を変化させる。
【００２８】微分量子効率の検出に際しては、まずＤ／
Ａコンバータ２１の出力をゼロとして電流駆動部２９の
みで半導体レーザ３４の出力強度が決定される状態と
し、制御電圧ＶＣＯＮＴを半分の電圧（ＶＣＯＮＴ／
２）に設定して、負帰還ループによって電流駆動部２９
の電流値ＩＬＤ０を設定する。このときの比較増幅器３
０の出力を、サンプルホールド回路３１に記憶する。次
にサンプルホールド回路３１の内容を固定させたままで
制御電圧をＶＣＯＮＴとし、Ｄ／Ａコンバータ２１のデ
ジタル入力を変化させることで出力を上げていき、半導
体レーザ３４の光出力が電圧ＶＣＯＮＴに相当するレー
ザの光出力になるようにする。このとき、電流増加分は
電流駆動部２７の電流ＩＬＤ１のみでまかない、所定の
光出力が得られるようにＤ／Ａコンバータ２１の入力を
設定する。このとき、半導体レーザ３４に流れる制御電
圧ＶＣＯＮＴに相当する電流のうち、ＶＣＯＮＴ／２に
相当する分が電流駆動部２９の電流ＩＬＤ０となり、ま
た残りのＶＣＯＮＴ／２に相当する分が電流駆動部２７
の電流ＩＬＤ１となる。
Ａコンバータ２１の出力をゼロとして電流駆動部２９の
みで半導体レーザ３４の出力強度が決定される状態と
し、制御電圧ＶＣＯＮＴを半分の電圧（ＶＣＯＮＴ／
２）に設定して、負帰還ループによって電流駆動部２９
の電流値ＩＬＤ０を設定する。このときの比較増幅器３
０の出力を、サンプルホールド回路３１に記憶する。次
にサンプルホールド回路３１の内容を固定させたままで
制御電圧をＶＣＯＮＴとし、Ｄ／Ａコンバータ２１のデ
ジタル入力を変化させることで出力を上げていき、半導
体レーザ３４の光出力が電圧ＶＣＯＮＴに相当するレー
ザの光出力になるようにする。このとき、電流増加分は
電流駆動部２７の電流ＩＬＤ１のみでまかない、所定の
光出力が得られるようにＤ／Ａコンバータ２１の入力を
設定する。このとき、半導体レーザ３４に流れる制御電
圧ＶＣＯＮＴに相当する電流のうち、ＶＣＯＮＴ／２に
相当する分が電流駆動部２９の電流ＩＬＤ０となり、ま
た残りのＶＣＯＮＴ／２に相当する分が電流駆動部２７
の電流ＩＬＤ１となる。
【００２９】なおシェーディング補正電圧により制御さ
れる電流はＩＬＤ1のみである。これは、シェーディン
グ補正電圧に比例した光出力が得られるようにするため
と、実際の光出力が電流ＩＬＤ１のみの変調で実現され
るようにするためである。
れる電流はＩＬＤ1のみである。これは、シェーディン
グ補正電圧に比例した光出力が得られるようにするため
と、実際の光出力が電流ＩＬＤ１のみの変調で実現され
るようにするためである。
【００３０】上記のようにして、Ｄ／Ａコンバータ２１
のデジタル入力が決定され、半導体レーザ３４を駆動す
る電流ＩＬＤ１が決定される。この電流ＩＬＤ１と電流
ＩＬＤ０との合計電流により半導体レーザ３４を駆動し
たとき、半導体レーザ３４の光出力を検出する受光素子
３５の受光電流に対応する電圧と制御電圧ＶＣＯＮＴと
が等しくなるように、電流ＩＬＤ０を制御する。ことの
とき、Ｅｎａｂｌｅ信号がＨＩＧＨのときのみ負帰還ル
ープの制御系を動作させ、ＬＯＷのときは制御値をサン
プルホールド回路３１によってホールドしておく。
のデジタル入力が決定され、半導体レーザ３４を駆動す
る電流ＩＬＤ１が決定される。この電流ＩＬＤ１と電流
ＩＬＤ０との合計電流により半導体レーザ３４を駆動し
たとき、半導体レーザ３４の光出力を検出する受光素子
３５の受光電流に対応する電圧と制御電圧ＶＣＯＮＴと
が等しくなるように、電流ＩＬＤ０を制御する。ことの
とき、Ｅｎａｂｌｅ信号がＨＩＧＨのときのみ負帰還ル
ープの制御系を動作させ、ＬＯＷのときは制御値をサン
プルホールド回路３１によってホールドしておく。
【００３１】前述したように、電流ＩＬＤ０とＩＬＤ１
は、変調信号（ＬＶＤＳ）を波形整形し更に２値化した
２値信号と、この２値信号を一定時間遅延させた遅延信
号によって変調する。電流ＩＬＤ０は、２値信号と遅延
信号とのＯＲが取られた分だけ、変調信号より長いパル
ス幅の信号で変調される。また電流ＩＬＤ１は遅延信号
のパルスによって変調する。
は、変調信号（ＬＶＤＳ）を波形整形し更に２値化した
２値信号と、この２値信号を一定時間遅延させた遅延信
号によって変調する。電流ＩＬＤ０は、２値信号と遅延
信号とのＯＲが取られた分だけ、変調信号より長いパル
ス幅の信号で変調される。また電流ＩＬＤ１は遅延信号
のパルスによって変調する。
【００３２】図３は、半導体レーザの駆動電流と光出力
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【００３３】半導体レーザの駆動電流は、初期段階にお
いて電流ＩＬＤ０だけである。この初期状態において
は、図３に示されるように、あるレベルまで駆動電流が
増大するが、光出力は殆ど出力されない。その後遅延部
２５の遅延時間が経過すると駆動電流ＩＬＤ１が流され
て、半導体レーザ３４の光出力は、図３に示されるよう
に所定のレベルとなる。このように駆動電流ＩＬＤ０を
最初に流すことにより、駆動電流に対するレーザ光出力
の遅れを少なくし、半導体レーザ３４のインピーダンス
を低下することが可能となる。従って、光を変調する電
流ＩＬＤ１が流れる際には、高速かつパルス幅精度が高
い光変調が可能となる。
いて電流ＩＬＤ０だけである。この初期状態において
は、図３に示されるように、あるレベルまで駆動電流が
増大するが、光出力は殆ど出力されない。その後遅延部
２５の遅延時間が経過すると駆動電流ＩＬＤ１が流され
て、半導体レーザ３４の光出力は、図３に示されるよう
に所定のレベルとなる。このように駆動電流ＩＬＤ０を
最初に流すことにより、駆動電流に対するレーザ光出力
の遅れを少なくし、半導体レーザ３４のインピーダンス
を低下することが可能となる。従って、光を変調する電
流ＩＬＤ１が流れる際には、高速かつパルス幅精度が高
い光変調が可能となる。
【００３４】また前述のように、高周波部を強調する周
波数特性を有する波形整形部２３に変調信号を入力して
波形整形をしているので、変調信号が波形劣化した場合
であっても、精度よく出力パルス幅を得ることが出来
る。
波数特性を有する波形整形部２３に変調信号を入力して
波形整形をしているので、変調信号が波形劣化した場合
であっても、精度よく出力パルス幅を得ることが出来
る。
【００３５】図４は、本発明による半導体レーザ制御回
路の第２実施例の構成を示す構成図である。図４におい
て、図２と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その
説明は省略する。
路の第２実施例の構成を示す構成図である。図４におい
て、図２と同一の構成要素は同一の番号で参照し、その
説明は省略する。
【００３６】図４の半導体レーザ制御回路の第２実施例
では、図２の第１実施例の構成から遅延信号を生成する
回路を取り除き、その代わりに比較増幅器４１、波形整
形部４２、及び２値化部４３を設けることによって、駆
動電流ＩＬＤ０と駆動電流ＩＬＤ１とを独立に変調可能
なようにしている。
では、図２の第１実施例の構成から遅延信号を生成する
回路を取り除き、その代わりに比較増幅器４１、波形整
形部４２、及び２値化部４３を設けることによって、駆
動電流ＩＬＤ０と駆動電流ＩＬＤ１とを独立に変調可能
なようにしている。
【００３７】画像データ信号及び画素クロック信号から
生成される画像データを示す変調信号ＬＶＤＳ1が、比
較増幅器２２の一方の入力に供給される。比較増幅器２
２の他方の入力には変調信号の反転信号が供給され、差
動原理に基づいて変調信号の電圧レベルを検出する。検
出された変調信号は、波形整形部２３で波形が整えら
れ、更に２値化部２４で２値化される。第１実施例と異
なり、２値化変調信号は、電流駆動部２７に直接に供給
される。
生成される画像データを示す変調信号ＬＶＤＳ1が、比
較増幅器２２の一方の入力に供給される。比較増幅器２
２の他方の入力には変調信号の反転信号が供給され、差
動原理に基づいて変調信号の電圧レベルを検出する。検
出された変調信号は、波形整形部２３で波形が整えら
れ、更に２値化部２４で２値化される。第１実施例と異
なり、２値化変調信号は、電流駆動部２７に直接に供給
される。
【００３８】また変調信号ＬＶＤＳ1よりも例えば１画
素前からレーザ駆動する変調信号ＬＶＤＳ０が、比較増
幅器４１の一方の入力に供給される。比較増幅器４１の
他方の入力には変調信号の反転信号が供給され、差動原
理に基づいて変調信号の電圧レベルを検出する。検出さ
れた変調信号は、波形整形部４２で波形が整えられ、更
に２値化部４３で２値化される。２値化変調信号は、電
流駆動部２９に供給される。
素前からレーザ駆動する変調信号ＬＶＤＳ０が、比較増
幅器４１の一方の入力に供給される。比較増幅器４１の
他方の入力には変調信号の反転信号が供給され、差動原
理に基づいて変調信号の電圧レベルを検出する。検出さ
れた変調信号は、波形整形部４２で波形が整えられ、更
に２値化部４３で２値化される。２値化変調信号は、電
流駆動部２９に供給される。
【００３９】このように変調信号ＬＶＤＳ1とＬＶＤＳ
０とで、独立に電流駆動部２７と電流駆動部２９とを制
御し、駆動電流ＩＬＤ１と駆動電流ＩＬＤ０とを独立に
変調する。
０とで、独立に電流駆動部２７と電流駆動部２９とを制
御し、駆動電流ＩＬＤ１と駆動電流ＩＬＤ０とを独立に
変調する。
【００４０】図５は、２つの変調信号と半導体レーザ駆
動電流の関係を示す図である。
動電流の関係を示す図である。
【００４１】図５（ａ）には、光変調をする画素がハッ
チで示される。図５（ｂ）に示すように、電流ＩＬＤ１
を駆動する変調信号ＬＶＤＳ１を、光変調をする画素に
おいてＨＩＧＨにする。また図５（ｃ）に示すように、
光変調をする画素の1画素前から、電流ＩＬＤ０を駆動
する変調信号ＬＶＤＳ０をＨＩＧＨにする。これらの変
調信号を図４の半導体レーザ制御回路に入力して、図５
（ｄ）に示されるように、電流ＩＬＤ１とＩＬＤ０との
合計電流で半導体レーザ３４を駆動する。即ち、まず変
調信号ＬＶＤＳ０に応じて半導体レーザ３４を高速変調
可能な状態にし、その後、変調信号ＬＶＤＳ１に応じて
半導体レーザ３４を所定の光パターンに変調する。これ
により、図５（ｅ）に示されるような半導体レーザ３４
の光出力を得て、光変調パターンを高速化することが可
能になる。
チで示される。図５（ｂ）に示すように、電流ＩＬＤ１
を駆動する変調信号ＬＶＤＳ１を、光変調をする画素に
おいてＨＩＧＨにする。また図５（ｃ）に示すように、
光変調をする画素の1画素前から、電流ＩＬＤ０を駆動
する変調信号ＬＶＤＳ０をＨＩＧＨにする。これらの変
調信号を図４の半導体レーザ制御回路に入力して、図５
（ｄ）に示されるように、電流ＩＬＤ１とＩＬＤ０との
合計電流で半導体レーザ３４を駆動する。即ち、まず変
調信号ＬＶＤＳ０に応じて半導体レーザ３４を高速変調
可能な状態にし、その後、変調信号ＬＶＤＳ１に応じて
半導体レーザ３４を所定の光パターンに変調する。これ
により、図５（ｅ）に示されるような半導体レーザ３４
の光出力を得て、光変調パターンを高速化することが可
能になる。
【００４２】レーザ光出力を高速に変調可能になると、
短時間の短い光パルスを出力することにより、従来より
もシャープな露光エネルギー分布を得ることが出来る。
短時間の短い光パルスを出力することにより、従来より
もシャープな露光エネルギー分布を得ることが出来る。
【００４３】図６（ａ）は従来の光変調による露光エネ
ルギー分布を示し、（ｂ）は本発明による光変調による
露光エネルギー分布を示す。
ルギー分布を示し、（ｂ）は本発明による光変調による
露光エネルギー分布を示す。
【００４４】図６（ａ）に示すように、従来の光変調で
は画素毎に単純に光を変調していたので、露光エネルギ
ー分布が光パルスの走査長に応じたなだらかな分布とな
る。これに対し、本発明においてはレーザ光出力を高速
に変調可能であるので、図６（ｂ）に示すように、光パ
ターンを短い走査長（短時間）のパルス列の出力とする
ことが出来る。この結果、図６（ｂ）に示すように、従
来よりも急峻な露光エネルギー分布を得ることが可能と
なり、高画質なレーザプリンタを実現することが出来
る。
は画素毎に単純に光を変調していたので、露光エネルギ
ー分布が光パルスの走査長に応じたなだらかな分布とな
る。これに対し、本発明においてはレーザ光出力を高速
に変調可能であるので、図６（ｂ）に示すように、光パ
ターンを短い走査長（短時間）のパルス列の出力とする
ことが出来る。この結果、図６（ｂ）に示すように、従
来よりも急峻な露光エネルギー分布を得ることが可能と
なり、高画質なレーザプリンタを実現することが出来
る。
【００４５】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特
許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能であ
る。
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特
許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能であ
る。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザのグラン
ド側の一端の電圧が所定の電圧になるように半導体レー
ザの電源電圧を制御するので、半導体レーザの駆動回路
の消費電力を低減することが可能となり、ＩＣ化を実現
し易くなると共に、小型・低コストな画像形成装置を実
現することが出来る。
ド側の一端の電圧が所定の電圧になるように半導体レー
ザの電源電圧を制御するので、半導体レーザの駆動回路
の消費電力を低減することが可能となり、ＩＣ化を実現
し易くなると共に、小型・低コストな画像形成装置を実
現することが出来る。
【００４７】また本発明によれば、半導体レーザが実質
的に発光せずに高速変調可能な状態になる第１の電流を
まず半導体レーザに流し、その後、変調信号に応じてオ
ン・オフする第２の電流を半導体レーザに流すので、高
速に半導体レーザを変調することが可能となり、高速な
画像形成装置が提供できる。
的に発光せずに高速変調可能な状態になる第１の電流を
まず半導体レーザに流し、その後、変調信号に応じてオ
ン・オフする第２の電流を半導体レーザに流すので、高
速に半導体レーザを変調することが可能となり、高速な
画像形成装置が提供できる。
【００４８】また本発明によれば、高周波増幅特性を有
する波形整形部によって変調信号を波形整形し半導体レ
ーザを駆動するので、変調信号の波形が劣化しても光パ
ルス幅を正確に再現することが可能となり、高精度な画
像を形成することが出来る。
する波形整形部によって変調信号を波形整形し半導体レ
ーザを駆動するので、変調信号の波形が劣化しても光パ
ルス幅を正確に再現することが可能となり、高精度な画
像を形成することが出来る。
【図１】本発明を適用する画像形成装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明による半導体レーザ制御回路の第１実施
例の構成を示す構成図である。
例の構成を示す構成図である。
【図３】半導体レーザの駆動電流と光出力の関係を示す
図である。
図である。
【図４】本発明による半導体レーザ制御回路の第２実施
例の構成を示す構成図である。
例の構成を示す構成図である。
【図５】２つの変調信号と半導体レーザ駆動電流の関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】（ａ）は従来の光変調による露光エネルギー分
布を示す図であり、（ｂ）は本発明による光変調による
露光エネルギー分布を示す図である。
布を示す図であり、（ｂ）は本発明による光変調による
露光エネルギー分布を示す図である。
１０ 半導体レーザユニット １１ ポリゴンミラー １２ 走査レンズ １３ 感光体 １４ クロック生成回路 １５ 画像処理ユニット １６ 半導体レーザ駆動回路 １７、１８ フォトディテクタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 21/14 Ｇ０３Ｇ 21/00 ３７２ ５Ｃ０７４ Ｈ０１Ｓ 5/068 15/04 １２０ ５Ｆ０７３ Ｈ０４Ｎ 1/113 Ｈ０４Ｎ 1/04 １０４Ａ 1/23 １０３ Ｆターム(参考） 2C362 AA03 AA55 AA61 2H027 DA03 DA07 DE05 DE07 DE09 EA02 EC06 EC11 ED04 EE02 EF09 2H045 DA41 2H076 AB05 AB12 AB22 CA17 CA18 DA04 DA17 5C072 AA03 BA17 CA06 HA02 HA13 HB02 HB04 HB06 XA05 5C074 AA02 BB03 CC22 CC26 EE02 EE14 HH04 5F073 AB21 AB27 AB29 BA07 EA13 EA14 GA12 GA18 GA24
Claims (6)
- 【請求項１】変調信号により半導体レーザを変調すると
共に該半導体レーザからの光ビームを走査して感光体上
に静電潜像を形成する画像形成装置であって、 該半導体レーザのグランド側の一端の電圧と所定の電圧
とを比較する比較部と、 該比較部の比較結果に基づいて該半導体レーザの電源電
圧を制御する制御部を含むことを特徴とする画像形成装
置。 - 【請求項２】変調信号により半導体レーザを変調すると
共に該半導体レーザからの光ビームを走査して感光体上
に静電潜像を形成する画像形成装置であって、 該半導体レーザが実質的に発光せずに高速変調可能な状
態になる第１の電流を該変調信号に基づく第１のタイミ
ングで該半導体レーザに流す第１の電流駆動部と、 該変調信号に応じてオン・オフする第２の電流を該変調
信号に基づく該第１のタイミングより遅い第２のタイミ
ングで該半導体レーザに流す第２の電流駆動部を含み、
該第１の電流と該第２の電流の合計電流で該半導体レー
ザを発光させることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項３】該合計電流による該半導体レーザの光出力
が所定の出力となるように該第１の電流を制御する負帰
還ループを含むことを特徴とする請求項２記載の画像形
成装置。 - 【請求項４】該変調信号を遅延して出力する遅延部と、 該遅延部の出力と該変調信号との論理和をとる論理部を
含み、該第１の電流駆動部は該論理部の出力により駆動
され、該第２の電流駆動部は該遅延部の出力により駆動
されることを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。 - 【請求項５】該変調信号は２種類の変調信号であり、一
方の変調信号で該第１の電流駆動部を制御し、他方の変
調信号で該第２の電流駆動部を制御することを特徴とす
る請求項２記載の画像形成装置。 - 【請求項６】変調信号により半導体レーザを変調すると
共に該半導体レーザからの光ビームを走査して感光体上
に静電潜像を形成する画像形成装置であって、 該変調信号を示す差動信号を検出する比較増幅部と、 該比較増幅部の出力を波形整形する高周波増幅特性を有
する波形整形部と、 該波形整形部の出力により該半導体レーザを駆動する駆
動部を含むことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128344A JP2002321402A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128344A JP2002321402A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002321402A true JP2002321402A (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=18977053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128344A Pending JP2002321402A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002321402A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005011943A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を使用した画像形成装置 |
| JP2005129842A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2006041368A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動制御装置、画像形成装置、及び半導体レーザ駆動制御方法 |
| US7292612B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-11-06 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser drive apparatus, optical write apparatus, imaging apparatus, and semiconductor laser drive method |
| JP2009182050A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Ricoh Co Ltd | レーザ光量制御装置、レーザ光量制御方法、画像形成装置 |
| US7672345B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser drive control apparatus |
| JP2011034002A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置、光量補正方法およびプログラム |
| CN110058481A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-07-26 | 歌尔股份有限公司 | 一种激光器驱动装置、投影设备以及方法 |
-
2001
- 2001-04-25 JP JP2001128344A patent/JP2002321402A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7292612B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-11-06 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser drive apparatus, optical write apparatus, imaging apparatus, and semiconductor laser drive method |
| US8253769B2 (en) | 2003-01-17 | 2012-08-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser drive apparatus, optical write apparatus, imaging apparatus, and semiconductor laser drive method |
| JP2005011943A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を使用した画像形成装置 |
| JP2005129842A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP4570862B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2010-10-27 | 株式会社リコー | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2006041368A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動制御装置、画像形成装置、及び半導体レーザ駆動制御方法 |
| US7672345B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser drive control apparatus |
| JP2009182050A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Ricoh Co Ltd | レーザ光量制御装置、レーザ光量制御方法、画像形成装置 |
| US7822083B2 (en) | 2008-01-29 | 2010-10-26 | Ricoh Company, Ltd. | Laser light intensity control device, laser light intensity control method, and image forming apparatus |
| JP2011034002A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置、光量補正方法およびプログラム |
| CN110058481A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-07-26 | 歌尔股份有限公司 | 一种激光器驱动装置、投影设备以及方法 |
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