JP2002318394A - Method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents
Method for manufacturing liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法に関するものであり、更に詳しくは、反射型また
は半透過型液晶表示装置の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a reflective or transflective liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報の個人化にともない、携帯電
話の高性能化に見られるように、携帯性を重視した情報
端末機器が急速に発達している。このような情報端末機
器においては、バッテリーでの長時間駆動および薄型軽
量化などが要求されている。この要求にともない、情報
端末機器に使用される液晶表示装置として、画素電極と
して反射電極で構成することにより、環境光を反射して
バックライトなしでの表示を可能とした反射型液晶表示
装置や、画素電極として反射電極および透過電極で構成
することにより、暗環境においてはバックライトを用
い、明環境においては環境光を用いて表示する半透過型
液晶表示装置が注目されている。半透過型液晶表示装置
およびその製造方法としては、例えば、特開平１１−２
８１９９２号公報に記載されているものが挙げられる。2. Description of the Related Art In recent years, with the personalization of information, information terminal equipment which emphasizes portability has been rapidly developed, as seen in higher performance of mobile phones. Such information terminal devices are required to be driven for a long time by a battery and to be thin and lightweight. In response to this demand, as a liquid crystal display device used for information terminal equipment, a reflective liquid crystal display device that can display without a backlight by reflecting environmental light by constituting a reflective electrode as a pixel electrode, A transflective liquid crystal display device that uses a backlight in a dark environment and displays by using ambient light in a bright environment by using a reflective electrode and a transmissive electrode as pixel electrodes has attracted attention. As a transflective liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, see, for example,
No. 8,1992.
【０００３】半透過型液晶表示装置は、アクティブ素子
アレイ基板を作製し、これを、別に作製した対向基板と
貼り合わせ、前記両基板間に液晶を封入することにより
製造される。従来、アクティブ素子アレイ基板は、図３
に示すような方法により作製されている。その作製方法
について説明すると、まず、基板１上に、ゲート電極
２、ゲート絶縁膜３、チャネル層４、コンタクト層５、
ソース電極６およびドレイン電極７を順に形成すること
により、ＴＦＴを形成する（図３（ａ））。続いて、層
間絶縁膜９として感光性樹脂を塗布し、これを露光現像
して、コンタクトホール９ａおよび凹凸部９ｂを形成す
る（図３（ｂ））。その後、層間絶縁膜９を加熱するこ
とにより、層間絶縁膜９に含まれる溶媒を除去するとも
に、層間絶縁膜９を硬化させる。熱処理後、層間絶縁膜
９上に反射電極１０および透過電極１１を形成すること
により、アクティブ素子アレイ基板が作製される（図３
（ｃ））。A transflective liquid crystal display device is manufactured by manufacturing an active element array substrate, bonding it to a counter substrate manufactured separately, and sealing a liquid crystal between the two substrates. Conventionally, an active element array substrate is shown in FIG.
It is manufactured by the method shown in FIG. The manufacturing method will be described. First, a gate electrode 2, a gate insulating film 3, a channel layer 4, a contact layer 5,
A TFT is formed by sequentially forming the source electrode 6 and the drain electrode 7 (FIG. 3A). Subsequently, a photosensitive resin is applied as the interlayer insulating film 9 and exposed and developed to form a contact hole 9a and an uneven portion 9b (FIG. 3B). Thereafter, by heating the interlayer insulating film 9, the solvent contained in the interlayer insulating film 9 is removed, and the interlayer insulating film 9 is cured. After the heat treatment, a reflective electrode 10 and a transmissive electrode 11 are formed on the interlayer insulating film 9 to produce an active element array substrate (FIG. 3).
(C)).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法におい
ては、前述したように、コンタクトホール９ａおよび凹
凸部９ｂを有する層間絶縁膜９を形成した後、これを加
熱することにより、層間絶縁膜を硬化させるとともに、
含まれる溶媒が除去される。この工程は、最終製品であ
る液晶表示装置としたとき、層間絶縁膜に残存する溶媒
および低分子樹脂成分が不純物として液晶中に溶出し、
画面の焼き付きなどを生じることを防ぐという観点から
重要な工程である。In the conventional manufacturing method, as described above, after the interlayer insulating film 9 having the contact hole 9a and the uneven portion 9b is formed, the interlayer insulating film 9 is heated to form the interlayer insulating film. While curing
The contained solvent is removed. In this step, when the final product is a liquid crystal display device, the solvent and low molecular weight resin components remaining in the interlayer insulating film are eluted into the liquid crystal as impurities,
This is an important step from the viewpoint of preventing screen burn-in.
【０００５】しかし、この加熱工程は樹脂の軟化と架橋
反応との競争反応であるため、図４に示すように、一時
的に層間絶縁膜が軟化を生じ、露光・現像により形成し
たコンタクトホールおよび凹凸部が変形するおそれがあ
るという問題があった。この変形したコンタクトホール
９ａａおよび凹凸部９ｂｂの存在は、反射特性の劣化や
画素電極（反射電極）とＴＦＴとのコンタクト不良など
を引き起こす原因となっていた。However, since this heating step is a competition reaction between the softening of the resin and the crosslinking reaction, as shown in FIG. 4, the interlayer insulating film is temporarily softened, and the contact holes and the contact holes formed by exposure and development are formed. There is a problem that the uneven portion may be deformed. The presence of the deformed contact hole 9aa and the uneven portion 9bb has caused deterioration of the reflection characteristics and poor contact between the pixel electrode (reflection electrode) and the TFT.
【０００６】そこで、本発明は、層間絶縁膜におけるコ
ンタクトホールおよび凹凸部の変形を抑制し、反射特性
の劣化および画素電極とＴＦＴのコンタクト不良の発生
を抑制した反射型または半透過型液晶表示装置の製造方
法を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention provides a reflective or transflective liquid crystal display device in which the deformation of contact holes and uneven portions in an interlayer insulating film is suppressed, and the deterioration of reflection characteristics and the occurrence of defective contact between a pixel electrode and a TFT are suppressed. It is an object of the present invention to provide a method for producing the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示装置の製造方法は、アクティブ素
子および反射電極を備えた第１の基板と、これに対向す
るように配置された第２の基板との間に液晶が挟持され
た液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板を
作製する工程として、基板上に前記アクティブ素子を形
成する工程と、前記アクティブ素子を被覆するように層
間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜表面に凹凸
部を形成するとともに、前記層間絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成する工程と、前記層間絶縁膜を硬化する工程
と、前記層間絶縁膜の前記凹凸部上に反射電極を形成
し、前記反射電極を前記コンタクトホールを介して前記
アクティブ素子と電気的に接続する工程とを含み、前記
層間絶縁膜を硬化する工程が、前記層間絶縁膜の表層部
を硬化させた後、前記層間絶縁膜の全体を硬化させる工
程であることを特徴とする。In order to achieve the above object, a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a first substrate provided with an active element and a reflective electrode, and a first substrate provided so as to face the first substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate, wherein the step of forming the first substrate includes forming the active element on a substrate; Forming an interlayer insulating film so as to cover, forming an uneven portion on the surface of the interlayer insulating film, forming a contact hole in the interlayer insulating film, curing the interlayer insulating film, Forming a reflective electrode on the uneven portion of the interlayer insulating film, and electrically connecting the reflective electrode to the active element via the contact hole, and curing the interlayer insulating film. Degree is, after curing the surface layer portion of the interlayer insulating film, characterized in that it is a step of curing the whole of the interlayer insulating film.
【０００８】このような製造方法によれば、層間絶縁膜
におけるコンタクトホールおよび凹凸部の変形を抑制
し、反射特性の劣化や画素電極とＴＦＴのコンタクト不
良の発生が抑制された反射型または半透過型液晶表示装
置を製造することができる。According to such a manufacturing method, the deformation of the contact hole and the uneven portion in the interlayer insulating film is suppressed, and the reflection type or semi-transmissive in which the deterioration of the reflection characteristic and the occurrence of the defective contact between the pixel electrode and the TFT are suppressed. Type liquid crystal display device can be manufactured.
【０００９】前記製造方法においては、層間絶縁膜を硬
化する工程が、前記層間絶縁膜に紫外線を照射した後、
熱処理を施す工程であることが好ましい。In the above manufacturing method, the step of curing the interlayer insulating film includes irradiating the interlayer insulating film with ultraviolet rays.
Preferably, it is a step of performing a heat treatment.
【００１０】この好ましい例によれば、紫外線の照射に
より層間絶縁膜の表面層を硬化させることにより、後の
熱処理による層間絶縁膜全体の硬化過程において、層間
絶縁膜のコンタクトホールおよび凹凸部の変形を十分に
抑制することができる。更に、紫外線照射の条件によっ
ては、層間絶縁膜の感光成分（有色成分）を除去するこ
とも可能であり、その結果、層間絶縁膜を透明樹脂とし
て使用することが可能となる。According to this preferred embodiment, the surface layer of the interlayer insulating film is cured by irradiation with ultraviolet rays, so that the contact holes and the uneven portions of the interlayer insulating film are deformed in the process of curing the entire interlayer insulating film by the subsequent heat treatment. Can be sufficiently suppressed. Further, depending on the conditions of the ultraviolet irradiation, the photosensitive component (color component) of the interlayer insulating film can be removed, and as a result, the interlayer insulating film can be used as a transparent resin.
【００１１】また、前記製造方法においては、層間絶縁
膜がアクリル樹脂であり、紫外線の波長が２００〜３０
０ｎｍの範囲であることが好ましい。In the above-mentioned manufacturing method, the interlayer insulating film is made of acrylic resin, and the wavelength of the ultraviolet light is 200 to 30.
It is preferably in the range of 0 nm.
【００１２】また、前記製造方法においては、紫外線の
照射が、オゾンカットした低圧水銀灯により実施される
ことが好ましい。安価に且つ安定して所望波長の紫外線
照射を実現できるからである。In the above-mentioned manufacturing method, it is preferable that the irradiation of the ultraviolet ray is performed by an ozone-cut low-pressure mercury lamp. This is because ultraviolet irradiation with a desired wavelength can be realized stably at low cost.
【００１３】また、前記製造方法においては、熱処理の
温度が、２００〜２５０℃の範囲であることが好まし
い。In the above-mentioned manufacturing method, the temperature of the heat treatment is preferably in the range of 200 to 250 ° C.
【００１４】また、前記製造方法においては、反射電極
が、Ａｌ、Ａｇまたはこれらの合金であることが好まし
い。高反射率を有する画素電極が得られるからである。In the above-mentioned manufacturing method, it is preferable that the reflection electrode is made of Al, Ag or an alloy thereof. This is because a pixel electrode having high reflectance can be obtained.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の製造方法により製造でき
る液晶表示装置の一例について説明する。この液晶表示
装置においては、アクティブ素子アレイ基板と、基板上
にカラーフィルタおよび対向電極が形成されてなる対向
基板とが、互いに対向するように配置されており、前記
両基板間に液晶が挟持されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of a liquid crystal display device that can be manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described. In this liquid crystal display device, an active element array substrate and a counter substrate in which a color filter and a counter electrode are formed on the substrate are arranged so as to face each other, and a liquid crystal is sandwiched between the two substrates. ing.
【００１６】図２は、アクティブ素子アレイ基板の一例
を示す断面図である。このアクティブ素子アレイ基板に
おいては、基板１上にアクティブ素子としてＴＦＴが形
成されている。ＴＦＴは、ゲート電極２上にゲート絶縁
膜３を介してチャネル層４が形成されており、このチャ
ネル層４上にコンタクト層５を介してソース電極６およ
びドレイン電極７が形成された構造を有している。更
に、基板１上には、ＴＦＴを被覆するように、コンタク
トホールおよび凹凸部が形成された層間絶縁膜９が形成
されている。層間絶縁膜９の凹凸部上には反射電極１０
が形成されており、この電極は、コンタクトホールを介
してＴＦＴと電気的に接続されている。更に、層間絶縁
膜９上には、反射電極１０と電気的に接続された透過電
極１１が形成されている。この液晶表示装置において
は、反射電極１０と透過電極１１とが画素電極を構成し
ている。なお、以下の説明においては、反射電極が形成
される領域を「反射部」とし、透過電極が形成される領
域を「透過部」とする。FIG. 2 is a sectional view showing an example of the active element array substrate. In this active element array substrate, TFTs are formed on the substrate 1 as active elements. The TFT has a structure in which a channel layer 4 is formed on a gate electrode 2 via a gate insulating film 3, and a source electrode 6 and a drain electrode 7 are formed on the channel layer 4 via a contact layer 5. are doing. Further, on the substrate 1, an interlayer insulating film 9 having a contact hole and an uneven portion is formed so as to cover the TFT. The reflective electrode 10 is provided on the uneven portion of the interlayer insulating film 9.
Are formed, and this electrode is electrically connected to the TFT via a contact hole. Further, a transmission electrode 11 electrically connected to the reflection electrode 10 is formed on the interlayer insulating film 9. In this liquid crystal display device, the reflection electrode 10 and the transmission electrode 11 constitute a pixel electrode. In the following description, a region where a reflective electrode is formed is referred to as a “reflective portion”, and a region where a transmissive electrode is formed is referred to as a “transmissive portion”.
【００１７】以下、前記液晶表示装置を製造する場合を
例に挙げて、本発明の製造方法の一例について説明す
る。Hereinafter, an example of the manufacturing method of the present invention will be described with reference to an example of manufacturing the liquid crystal display device.
【００１８】まず、アクティブ素子アレイ基板を作製す
る。図１は、アクティブ素子アレイ基板の作製方法の一
例を説明するための工程断面図である。この工程につい
て、以下に詳細に説明する。First, an active element array substrate is manufactured. FIG. 1 is a process cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing an active element array substrate. This step will be described in detail below.
【００１９】基板１上にゲート電極２を形成する。基板
１としては、例えば、ガラス基板などを使用することが
できる。ゲート電極２としては、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／
Ｔｉの三層構造の金属膜を使用することができ、その形
成方法としては、例えば、Ａｒガスを用いたスパッタリ
ング法により成膜した後、これをフォトリソグラフィー
およびエッチングによりパターニングする方法を採用す
ることができる。また、ゲート電極２の膜厚については
特に限定するものではないが、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔ
ｉの三層構造の金属膜を使用する場合、各層の膜厚を１
００／２００／１００ｎｍとすることができる。A gate electrode 2 is formed on a substrate 1. As the substrate 1, for example, a glass substrate or the like can be used. As the gate electrode 2, for example, Ti / Al /
A metal film having a three-layer structure of Ti can be used. For example, a method of forming a film by sputtering using Ar gas and then patterning the film by photolithography and etching can be used. Can be. The thickness of the gate electrode 2 is not particularly limited, but may be, for example, Ti / Al / T
When using a three-layer metal film of i, the thickness of each layer should be 1
00/200/100 nm.
【００２０】続いて、基板１上に、ゲート電極２を被覆
するように、ゲート絶縁膜３を形成する。ゲート絶縁膜
３としては、例えば、シリコン窒化膜を使用することが
でき、その形成方法としては、例えば、プラズマ化学気
相蒸着法（以下、「ｐ−ＣＶＤ法」という。）を採用す
ることができる。更に、ゲート絶縁膜３上に、チャネル
層４およびコンタクト層５を形成する。チャネル層４と
しては、例えば、アモルファスシリコンを使用すること
ができ、コンタクト層５としては、例えば、燐をドープ
した低抵抗アモルファスシリコンを使用することができ
る。また、これらの形成方法としては、例えば、ｐ−Ｃ
ＶＤ法により成膜した後、これをフォトリソグラフィー
およびエッチングによりパターニングする方法を採用す
ることができる。Subsequently, a gate insulating film 3 is formed on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 2. As the gate insulating film 3, for example, a silicon nitride film can be used, and as a forming method thereof, for example, a plasma chemical vapor deposition (hereinafter, referred to as “p-CVD”) method is employed. it can. Further, a channel layer 4 and a contact layer 5 are formed on the gate insulating film 3. For example, amorphous silicon can be used as the channel layer 4, and low-resistance amorphous silicon doped with phosphorus can be used as the contact layer 5, for example. In addition, as a method for forming these, for example, p-C
After forming a film by the VD method, a method of patterning the film by photolithography and etching can be adopted.
【００２１】コンタクト層５上にソース電極６およびド
レイン電極７を形成する。ソース電極６およびドレイン
電極７としては、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造
の金属膜を使用することができ、その形成方法として
は、例えば、Ａｒガスを用いたスパッタリング法により
成膜した後、これをフォトリソグラフィーおよびエッチ
ングによりパターニングする方法を採用することができ
る。また、ソース電極６およびドレイン電極７の膜厚に
ついては特に限定するものではないが、例えば、Ｔｉ／
Ａｌ／Ｔｉの三層構造の金属膜を使用する場合、各層の
膜厚を１００／２００／１００ｎｍとすることができ
る。更に、ソース電極６とドレイン電極７との間に対応
する領域に存在するコンタクト層を除去し、コンタクト
層５をソース側とドレイン側とで電気的に分離すること
により、ＴＦＴが形成される。A source electrode 6 and a drain electrode 7 are formed on the contact layer 5. As the source electrode 6 and the drain electrode 7, for example, a metal film having a three-layer structure of Ti / Al / Ti can be used. For example, the metal film is formed by a sputtering method using Ar gas. Thereafter, a method of patterning this by photolithography and etching can be adopted. The thicknesses of the source electrode 6 and the drain electrode 7 are not particularly limited.
When a metal film having a three-layer structure of Al / Ti is used, the thickness of each layer can be 100/200/100 nm. Further, a contact layer existing in a region corresponding to a region between the source electrode 6 and the drain electrode 7 is removed, and the contact layer 5 is electrically separated on the source side and the drain side, thereby forming a TFT.
【００２２】次に、この基板１上に、ＴＦＴを被覆する
ように保護膜８を形成する。保護膜８としては、例え
ば、シリコン窒化膜を使用することができ、その形成方
法としは、例えば、ｐ−ＣＶＤ法を採用することができ
る。続いて、フォトリソグラフィーおよびエッチングに
より保護膜８を加工し、ドレイン電極７上に開口部を形
成する（図１（ａ））。Next, a protective film 8 is formed on the substrate 1 so as to cover the TFT. As the protective film 8, for example, a silicon nitride film can be used, and as a forming method, for example, a p-CVD method can be adopted. Subsequently, the protective film 8 is processed by photolithography and etching to form an opening on the drain electrode 7 (FIG. 1A).
【００２３】基板１上に、コンタクトホール９ａおよび
凹凸部９ｂを有する層間絶縁膜９を形成する（図１
（ｂ））。凹凸部９ｂは、入射光を散乱させるために形
成されるものであり、反射部となる領域に形成される。
また、コンタクトホール９ａは、ＴＦＴのドレイン電極
７上を開口するように形成される。On the substrate 1, an interlayer insulating film 9 having a contact hole 9a and an uneven portion 9b is formed.
(B)). The uneven portion 9b is formed to scatter incident light, and is formed in a region serving as a reflective portion.
The contact hole 9a is formed so as to open above the drain electrode 7 of the TFT.
【００２４】層間絶縁膜９としては、光照射により硬化
するものを使用することが好ましく、例えば、感光性ア
クリル樹脂などの感光性樹脂を使用することができ、具
体例を挙げれば、ＪＳＲ社製「ＰＣ３０５（商品名）」
などを使用することができる。また、その形成方法とし
ては、例えば、感光性樹脂を基板上に塗布した後、これ
を露光・現像することにより加工し、コンタクトホール
９ａおよび凹凸部９ｂを形成する方法を採用することが
できる。層間絶縁膜９の膜厚は、例えば１．０〜４．０
μｍ、好ましくは３μｍである。As the interlayer insulating film 9, it is preferable to use a film which is cured by light irradiation. For example, a photosensitive resin such as a photosensitive acrylic resin can be used. "PC305 (product name)"
Etc. can be used. Further, as a forming method, for example, a method of forming a contact hole 9a and an uneven portion 9b by applying a photosensitive resin on a substrate, processing the resin by exposing and developing the same, and the like can be adopted. The film thickness of the interlayer insulating film 9 is, for example, 1.0 to 4.0.
μm, preferably 3 μm.
【００２５】続いて、層間絶縁膜９の表層部を硬化させ
る（図１（ｃ））。この工程は、例えば、層間絶縁膜９
表面に紫外線を照射することにより実施できる。紫外線
の波長および照射エネルギーは、層間絶縁膜９の材料に
応じて適宜選択することができる。層間絶縁膜９として
アクリル樹脂を使用する場合、紫外線の波長は、例えば
２００〜４００ｎｍ、好ましくは２００〜３００ｎｍで
あり、照射エネルギーは、例えば５０〜３００ｍＪ、好
ましくは１００〜２００ｍＪである。また、紫外線の照
射方法は特に限定するものではないが、例えば、オゾン
カットの低圧水銀灯を用いる方法、高圧水銀灯を用いる
方法などを採用することができる。Subsequently, the surface portion of the interlayer insulating film 9 is cured (FIG. 1C). In this step, for example, the interlayer insulating film 9
It can be carried out by irradiating the surface with ultraviolet rays. The wavelength of the ultraviolet light and the irradiation energy can be appropriately selected according to the material of the interlayer insulating film 9. When an acrylic resin is used as the interlayer insulating film 9, the wavelength of the ultraviolet light is, for example, 200 to 400 nm, preferably 200 to 300 nm, and the irradiation energy is, for example, 50 to 300 mJ, preferably 100 to 200 mJ. The method of irradiating the ultraviolet rays is not particularly limited, and for example, a method using an ozone-cut low-pressure mercury lamp, a method using a high-pressure mercury lamp, and the like can be adopted.
【００２６】次に、層間絶縁膜９の全体を硬化させる
（図１（ｄ））。これにより、架橋反応により層間絶縁
膜の樹脂骨格を強化させるとともに、層間絶縁膜に含ま
れる溶媒を除去することができる。この工程は、例え
ば、層間絶縁膜９を加熱することにより実施できる。加
熱温度および時間は、層間絶縁膜９の材料に応じて適宜
選択することができる。層間絶縁膜９としてアクリル樹
脂を使用する場合、加熱温度は、例えば１８０〜２５０
℃、好ましくは２００〜２５０℃であり、加熱時間は、
例えば０．５〜２．０時間、好ましくは０．５〜１．０
時間である。Next, the entire interlayer insulating film 9 is cured (FIG. 1D). Thereby, the resin skeleton of the interlayer insulating film can be strengthened by the crosslinking reaction, and the solvent contained in the interlayer insulating film can be removed. This step can be performed, for example, by heating the interlayer insulating film 9. The heating temperature and time can be appropriately selected according to the material of the interlayer insulating film 9. When an acrylic resin is used as the interlayer insulating film 9, the heating temperature is, for example, 180 to 250.
° C, preferably 200 to 250 ° C, and the heating time is
For example, 0.5 to 2.0 hours, preferably 0.5 to 1.0
Time.
【００２７】次に、反射部となる領域の層間絶縁膜９上
に、前記凹凸部９ｂを被覆するように、反射電極１０を
形成する。反射電極１０は、コンタクトホールにまで伸
延するように形成され、これによりＴＦＴのドレイン電
極７と電気的に接続される。反射電極１０としては、反
射効率が高く、低抵抗である材料を使用することが好ま
しい。例えば、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴａ、ＡｌＷ、Ａ
ｌＮｄおよびＡｌＺｒなどのＡｌ合金、Ａｇ、並びに、
ＡｇＣｕ、ＡｇＰｄＣｕおよびＡｇＴｉＣｕなどのＡｇ
合金を使用することができる。また、その形成方法とし
ては、例えば、スパッタリング法により成膜した後これ
をフォトリソグラフィーおよびエッチングによりパター
ニングする方法を採用することができる。また、反射電
極１０の膜厚は、例えば、２００ｎｍとすることができ
る。Next, a reflective electrode 10 is formed on the interlayer insulating film 9 in a region to be a reflective portion so as to cover the uneven portion 9b. The reflection electrode 10 is formed so as to extend to the contact hole, and is thereby electrically connected to the drain electrode 7 of the TFT. As the reflective electrode 10, it is preferable to use a material having high reflection efficiency and low resistance. For example, Al, AlTi, AlTa, AlW, A
Al alloys such as 1Nd and AlZr, Ag, and
Ag such as AgCu, AgPdCu and AgTiCu
Alloys can be used. Further, as a forming method, for example, a method of forming a film by a sputtering method and then patterning the film by photolithography and etching can be adopted. The thickness of the reflective electrode 10 can be set to, for example, 200 nm.
【００２８】更に、透過部となる領域の層間絶縁膜９上
に透過電極１１を形成することにより、アクティブ素子
アレイ基板が作製される（図１（ｅ））。透過電極１１
は、その一部が反射電極１０と接触するように形成さ
れ、これにより反射電極１０と電気的に接続される。透
過電極１１としては、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）を使用することができ、その形成方法としては、
例えば、ｐ−ＣＶＤ法により成膜した後これをフォトリ
ソグラフィーおよびエッチングによりパターニングする
方法を採用することができる。また、透過電極１１の膜
厚は、例えば、１００ｎｍとすることができる。Further, by forming a transmission electrode 11 on the interlayer insulating film 9 in a region to be a transmission part, an active element array substrate is manufactured (FIG. 1E). Transmission electrode 11
Is formed so that a part thereof is in contact with the reflective electrode 10, thereby being electrically connected to the reflective electrode 10. As the transmission electrode 11, for example, indium tin oxide (I
TO) can be used.
For example, a method in which a film is formed by a p-CVD method and then patterned by photolithography and etching can be adopted. Further, the thickness of the transmission electrode 11 can be, for example, 100 nm.
【００２９】このようにして作製されたアクティブ素子
アレイ基板と、基板上にカラーフィルタおよび対向電極
が形成されてなる対向基板とを貼り合わせてセルを形成
し、これに液晶を封入することにより、液晶表示装置が
得られる。The active element array substrate thus manufactured is bonded to a counter substrate having a color filter and a counter electrode formed on the substrate to form a cell, and a liquid crystal is sealed in the cell. A liquid crystal display device is obtained.
【００３０】なお、本実施形態においては、反射電極を
コンタクトホールを介してＴＦＴと直接接続し、透過電
極を反射電極に接続する場合を例に挙げて説明したが、
本発明はこれに限定されるものではない。反射電極は、
層間絶縁膜の凹凸部上に形成され且つＴＦＴと電気的に
接続されていればよく、例えば、凹凸部上のみに反射電
極を形成し、透過電極を、反射電極と積層され且つコン
タクトホールを介してＴＦＴと直接接続されるように形
成してもよい。この場合、反射電極と透過電極との積層
部は、反射の電極として作用することとなる。また、ア
クティブ素子としてＴＦＴを用いた場合を例示したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＭＩ
Ｍなどの非線形２端子素子を使用してもよい。In this embodiment, the case where the reflection electrode is directly connected to the TFT via the contact hole and the transmission electrode is connected to the reflection electrode has been described as an example.
The present invention is not limited to this. The reflective electrode is
It is sufficient that the reflective electrode is formed on the uneven portion of the interlayer insulating film and is electrically connected to the TFT. For example, a reflective electrode is formed only on the uneven portion, and the transmissive electrode is laminated with the reflective electrode and is provided via a contact hole. May be formed so as to be directly connected to the TFT. In this case, the laminated portion of the reflection electrode and the transmission electrode functions as a reflection electrode. Also, the case where a TFT is used as an active element has been exemplified,
The present invention is not limited to this.
A non-linear two-terminal element such as M may be used.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールお
よび凹凸部の変形を抑制でき、その結果、反射特性の劣
化および画素電極とＴＦＴのコンタクト不良の発生が抑
制された反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示装
置を製造することができる。As described above, according to the manufacturing method of the present invention, it is possible to suppress the deformation of the contact holes and the uneven portions formed in the interlayer insulating film. It is possible to manufacture a reflective liquid crystal display device or a transflective liquid crystal display device in which occurrence of contact failure is suppressed.
【図１】 本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一例
を説明するための工程断面図FIG. 1 is a process cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.
【図２】 本発明の製造方法により製造できる液晶表示
装置を構成するアクティブ素子アレイ基板の一例を示す
断面図FIG. 2 is a sectional view showing an example of an active element array substrate constituting a liquid crystal display device that can be manufactured by the manufacturing method of the present invention.
【図３】 従来の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの工程断面図FIG. 3 is a process cross-sectional view for explaining a conventional method for manufacturing a liquid crystal display device.
【図４】 従来の液晶表示装置の製造方法において生じ
る層間絶縁膜の変形を示す断面図FIG. 4 is a cross-sectional view showing deformation of an interlayer insulating film that occurs in a conventional method of manufacturing a liquid crystal display device.
１ 基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ チャネル層 ５ コンタクト層 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 保護層 ９ 層間絶縁膜 ９ａ コンタクトホール ９ｂ 凹凸部 １０ 反射電極 １１ 透過電極 ２０ 紫外線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Gate electrode 3 Gate insulating film 4 Channel layer 5 Contact layer 6 Source electrode 7 Drain electrode 8 Protective layer 9 Interlayer insulating film 9a Contact hole 9b Concavo-convex part 10 Reflection electrode 11 Transmission electrode 20 Ultraviolet
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ ５Ｆ１１０ 29/786 ６１９Ａ (72)発明者 田辺 将人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 櫻井 芳亘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA15Z FA41Z FB08 FC01 FC10 FC22 FC26 GA07 GA13 GA16 LA01 LA16 2H092 JA03 JA24 JA46 JB56 KA05 KB25 MA05 MA13 MA17 MA22 NA01 NA15 PA12 4M104 AA01 AA10 BB01 BB02 BB08 BB14 BB36 BB40 CC01 CC05 DD20 DD37 DD43 EE08 EE18 FF17 GG09 GG10 GG14 GG20 5C094 AA11 AA43 BA03 BA43 CA19 DA13 EA06 ED13 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GB10 JA11 JA20 5F033 GG04 HH08 HH10 HH14 HH18 HH38 JJ01 JJ05 JJ08 JJ10 JJ14 JJ38 KK05 KK08 KK10 KK14 KK18 LL04 MM08 MM13 MM26 NN03 NN07 NN32 PP12 PP15 QQ08 QQ09 QQ10 QQ37 QQ54 QQ74 RR06 RR21 RR27 SS15 SS21 VV15 WW03 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK25 HK33 HL02 HL03 HL06 HL23 NN02 NN24 NN27 NN35 NN36 NN72 QQ30 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 21/768 H01L 29/78 612Z 5F110 29/786 619A (72) Inventor Masato Tanabe 1006 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. JB56 KA05 KB25 MA05 MA13 MA17 MA22 NA01 NA15 PA12 4M104 AA01 AA10 BB01 BB02 BB08 BB14 BB36 BB40 CC01 CC05 DD20 DD37 DD43 EE08 EE18 FF17 GG09 GG10 GG14 GG20 5C094 AA11 AA43 FB01 FA13 FB13 FA01 FB13 FB01 GG04 HH08 HH10 HH14 HH18 HH38 JJ01 JJ05 JJ08 JJ10 JJ14 JJ38 KK05 KK08 KK10 KK14 KK18 LL04 MM08 MM13 MM26 NN03 NN07 NN32 PP12 PP15 QQ08 QQ09 QQ10 QQ37 Q071504 FFRR SSQ01 RR04 SS 03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK25 HK33 HL02 HL03 HL06 HL23 NN02 NN24 NN27 NN35 NN36 NN72 QQ30
Claims (6)
第１の基板と、これに対向するように配置された第２の
基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法
であって、前記第１の基板を作製する工程として、基板
上に前記アクティブ素子を形成する工程と、前記アクテ
ィブ素子を被覆するように層間絶縁膜を形成する工程
と、前記層間絶縁膜表面に凹凸部を形成するとともに、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜を硬化する工程と、前記層間絶縁膜の前
記凹凸部上に反射電極を形成し、前記反射電極を前記コ
ンタクトホールを介して前記アクティブ素子と電気的に
接続する工程とを含み、前記層間絶縁膜を硬化する工程
が、前記層間絶縁膜の表層部を硬化させた後、前記層間
絶縁膜の全体を硬化させる工程であることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。1. A method for manufacturing a liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a first substrate having an active element and a reflective electrode and a second substrate disposed so as to face the first substrate. Forming the first substrate, forming the active element on the substrate, forming an interlayer insulating film so as to cover the active element, and forming an uneven portion on the surface of the interlayer insulating film. While forming
Forming a contact hole in the interlayer insulating film;
Curing the interlayer insulating film, forming a reflective electrode on the uneven portion of the interlayer insulating film, and electrically connecting the reflective electrode to the active element via the contact hole, The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the step of curing the interlayer insulating film is a step of curing a surface portion of the interlayer insulating film and then curing the entire interlayer insulating film.
絶縁膜に紫外線を照射した後、熱処理を施す工程である
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the step of curing the interlayer insulating film is a step of performing a heat treatment after irradiating the interlayer insulating film with ultraviolet rays.
線の波長が２００〜３００ｎｍの範囲である請求項２に
記載の液晶表示装置の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the interlayer insulating film is made of an acrylic resin, and the wavelength of the ultraviolet light is in a range of 200 to 300 nm.
水銀灯により実施される請求項２または３に記載の液晶
表示装置の製造方法。4. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2, wherein the irradiation of the ultraviolet rays is performed by an ozone-cut low-pressure mercury lamp.
囲である請求項２〜４のいずれかに記載の液晶表示装置
の製造方法。5. The method according to claim 2, wherein the temperature of the heat treatment is in a range of 200 to 250 ° C.
合金である請求項１〜５のいずれか記載の液晶表示装置
の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the reflective electrode is made of Al, Ag, or an alloy thereof.
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