JP2002311924A - Display device, driving method of display device, electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic equipment - Google Patents
Display device, driving method of display device, electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic equipmentInfo
- Publication number
- JP2002311924A JP2002311924A JP2002002328A JP2002002328A JP2002311924A JP 2002311924 A JP2002311924 A JP 2002311924A JP 2002002328 A JP2002002328 A JP 2002002328A JP 2002002328 A JP2002002328 A JP 2002002328A JP 2002311924 A JP2002311924 A JP 2002311924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- pixels
- sub
- pixel
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 4
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001132548 Mus musculus Ras-related protein Rab-9A Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0857—Static memory circuit, e.g. flip-flop
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、消費電力の
低減に適した表示装置、及びその駆動方法、電気光学装
置、及びその駆動方法、さらに電子機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device suitable for reducing power consumption, a driving method thereof, an electro-optical device, a driving method thereof, and an electronic apparatus.
【０００２】[0002]
【背景技術】表示装置に対して要求される重要な機能の
一つとして、階調表示機能があるが、階調方式としてい
くつかのものが採用されている。主な階調方式として、
(i)画素に与える電流値または電圧値をアナログ的に制
御することにより、階調表示を行う方法、(ii)オン状態
またはオフ状態のいずれかに画素を構成する副画素の表
示状態を制御し、画素内のオン状態にある副画素とオフ
状態にある副画素の割合を変化させて階調表示を行うい
わゆる面積階調方式、(iii)画素がオン状態にある期間
とオフ状態にある期間を変化させることにより階調表示
を行う時間階調方式などが挙げられる。2. Description of the Related Art As one of important functions required for a display device, there is a gradation display function, and some gradation methods are employed. As the main gradation method,
(i) a method of performing gray scale display by controlling a current value or a voltage value applied to a pixel in an analog manner, and (ii) controlling a display state of a sub-pixel constituting a pixel in either an on state or an off state. A so-called area gray scale method in which the ratio of a sub-pixel in an ON state to a sub-pixel in an OFF state in a pixel is changed to perform gray scale display, and (iii) the pixel is in an ON state and in an OFF state A time gray scale method of performing gray scale display by changing a period is used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】現在、液晶表示装置や
有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置
が携帯電話などの携帯用機器に搭載されるようになり、
階調表示機能に加えて、表示装置のより低消費電力化や
長寿命化が要求されるようになってきている。At present, display devices such as liquid crystal display devices and organic electroluminescence display devices have been mounted on portable devices such as mobile phones.
In addition to the gradation display function, lower power consumption and longer life of the display device have been required.
【０００４】そこで、本発明の目的は、低消費電力化及
び長寿命化を可能にする表示装置を提供することであ
り、また、低消費電力化及び長寿命化に対応する表示装
置の駆動方法を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device capable of reducing power consumption and prolonging its life, and a method of driving a display device capable of realizing low power consumption and prolonging its life. It is to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、マ
トリクス状に画素が配置され、前記画素は複数の副画素
を含む表示装置であって、 前記副画素はスタティック
ランダムアクセスメモリを含むこと、を特徴とする。こ
の表示装置の画素は複数の副画素を含んでいるので、そ
れぞれの副画素の表示状態を制御することにより、階調
表示が可能となる。また、この表示装置は副画素にスタ
ティックランダムアクセスメモリを含むため、表示のデ
ータの書き換え時以外は、特に走査信号を副画素に与え
る必要がないので、走査周波数の低減や走査間引きが可
能となり、表示装置の低消費電力化や長寿命化に対して
有効な構成を有している。なお、表示装置のスタティッ
クランダムアクセスメモリとしては、通常のスタティッ
クランダムアクセスメモリ以外に擬スタティックランダ
ムアクセスメモリやシンクロナススタティックランダム
アクセスメモリなども用いることができる。A display device according to the present invention is a display device in which pixels are arranged in a matrix, the pixels including a plurality of sub-pixels, wherein the sub-pixels include a static random access memory. , Is characterized. Since the pixel of this display device includes a plurality of sub-pixels, gradation display can be performed by controlling the display state of each sub-pixel. In addition, since this display device includes a static random access memory in sub-pixels, it is not necessary to apply a scanning signal to the sub-pixels except when rewriting display data, so that it is possible to reduce a scanning frequency and thin out scanning. The structure is effective for reducing the power consumption and extending the life of the display device. As the static random access memory of the display device, a pseudo static random access memory, a synchronous static random access memory, or the like can be used in addition to a normal static random access memory.
【０００６】上記の表示装置において、前記副画素はオ
ン状態またはオフ状態のいずれか状態をとるように設定
することもできる。このようにすることにより、電気信
号などによる表示状態の制御が容易である。また、各副
画素を薄膜トランジスタ（以下、TFTという）を用いて
制御する場合、TFTは特性のばらつきの表示状態に対す
る影響を極力低減することができる。[0006] In the above display device, the sub-pixel may be set to take either an on-state or an off-state. By doing so, it is easy to control the display state by an electric signal or the like. In the case where each sub-pixel is controlled using a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT), the TFT can minimize the influence of characteristic variations on the display state.
【０００７】上記の表示装置において、階調を前記画素
の最大輝度とオン状態にある前記副画素の合計の輝度と
の比の関数として設定してもよい。オン状態時に所定の
輝度を有するそれぞれの副画素をオン状態及びオフ状態
の２状態のいずれかに制御し、オン状態にある副画素の
合計の輝度を、画像信号に応じて変化させて階調表示を
行うため、副画素個々に光電特性のばらつきがあっても
階調表示を行うことができる。なお、ここで、最大輝度
とは画素に含まれる副画素がすべてオン状態である時の
合計の輝度である。In the above display device, the gradation may be set as a function of the ratio between the maximum luminance of the pixel and the total luminance of the sub-pixels in the ON state. Each of the sub-pixels having a predetermined luminance in the on-state is controlled to one of two states, an on-state and an off-state, and the total luminance of the sub-pixels in the on-state is changed in accordance with the image signal to achieve gradation. Since display is performed, gradation display can be performed even if the sub-pixels have variations in photoelectric characteristics. Here, the maximum luminance is the total luminance when all the sub-pixels included in the pixel are in the ON state.
【０００８】上記の表示装置において、階調を前記画素
の占有する全面積とオン状態にある前記副画素の占有す
る面積と比の関数として設定することもできる。このよ
うな表示装置は、副画素個々に光電特性のばらつきがあ
っても階調表示を行うことができる。In the above display device, the gray scale may be set as a function of the ratio of the total area occupied by the pixel to the area occupied by the sub-pixel in the ON state. Such a display device can perform grayscale display even if the photoelectric characteristics of individual sub-pixels vary.
【０００９】上記の表示装置において、前記副画素に液
晶表示素子を配置することも可能である。この場合、液
晶表示素子を表示素子として用いているので、薄型化や
軽量化という表示装置に対する要請に対応可能である。In the above display device, it is also possible to arrange a liquid crystal display element in the sub-pixel. In this case, since a liquid crystal display element is used as a display element, it is possible to meet a demand for a display device that is thinner and lighter.
【００１０】液晶表示素子としては、透過型及び反射型
のいずれも使用可能である。反射型の場合は、光の取り
出し側とは反対の反射型液晶素子の下方のスペースにト
ランジスタなどの能動素子や配線などをまとめて配置す
ることも可能であるので、開口率の確保に適している。As the liquid crystal display element, either a transmission type or a reflection type can be used. In the case of the reflection type, active elements such as transistors and wiring can be collectively arranged in a space below the reflection type liquid crystal element opposite to the light extraction side, so that it is suitable for securing an aperture ratio. I have.
【００１１】上記の表示装置において、前記副画素に有
機エレクトロルミネッセンス表示素子を配置してもよ
い。この場合、表示素子として有機エレクトロルミネッ
センス表示素子が用いられているので、薄型化や軽量化
に対応可能であり、それに加えて広視野角という特徴を
有している。In the above display device, an organic electroluminescence display element may be arranged in the sub-pixel. In this case, since an organic electroluminescence display element is used as the display element, it can be made thinner and lighter, and has a feature of a wide viewing angle.
【００１２】本発明の第１の表示装置の駆動方法は、マ
トリクス状に画素が配置され、前記画素はスタティック
ランダムアクセスメモリを有する複数の副画素を含む表
示装置の駆動方法であって、前記副画素をオン状態また
はオフ状態のいずれかに制御し、前記画素の全占有面積
とオン状態にある前記副画素が占有する面積との比を利
用して階調を得ること、を特徴とする。A first driving method of a display device according to the present invention is a driving method of a display device in which pixels are arranged in a matrix and the pixels include a plurality of sub-pixels having a static random access memory. The pixel is controlled to be in either an ON state or an OFF state, and a gray scale is obtained by using a ratio of the total occupied area of the pixel to the area occupied by the sub-pixel in the ON state.
【００１３】本発明の第２の表示装置の駆動方法は、マ
トリクス状に画素が配置され、前記画素はスタティック
ランダムアクセスメモリを有する複数の副画素を含む表
示装置の駆動方法であって、前記副画素をオン状態また
はオフ状態のいずれかに制御し、前記画素の最大輝度と
オン状態にある副画素の合計輝度との比を利用して階調
を得ること、を特徴とする。According to a second method of driving a display device of the present invention, the pixels are arranged in a matrix, and the pixels each include a plurality of sub-pixels having a static random access memory. The pixel is controlled to be in either an on state or an off state, and a gradation is obtained using a ratio of a maximum luminance of the pixel to a total luminance of the sub-pixels in the on state.
【００１４】上記の表示装置の駆動方法では、中間的な
階調の表示を行う場合でも、副画素のオン状態またはオ
フ状態のいずれかの状態のみしか用いてないので、副画
素個々に光電特性のばらつきがあっても、階調表示を行
うことができる。In the above-described method of driving the display device, even when displaying an intermediate gradation, only the ON state or the OFF state of the sub-pixel is used. Can be displayed even if there is a variation in.
【００１５】本発明の第１の電気光学装置は、複数の信
号線と複数の走査線との交差部にマトリクス状に配置さ
れた画素を含む電気光学装置であって、前記画素は、ス
タティックランダムアクセスメモリと電気光学素子とを
備えた副画素を含むこと、を特徴とする。A first electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device including pixels arranged in a matrix at intersections of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines, wherein the pixels are formed of a static random number. A sub-pixel including an access memory and an electro-optical element is included.
【００１６】上記の電気光学装置において、前記電気光
学素子各々の輝度は、低輝度と高輝度の２値をとるよう
に設定されていることが好ましい。ここで、２値とは、
例えば、輝度０の状態及び最大輝度のいずれかをとるよ
うに設定されている場合をいう。このようにすれば、信
号線を介して画素に供給されるデータ信号を簡略化する
ことも可能である。また、これに伴い、信号線駆動回路
の回路構成の簡略化や信号線駆動回路の占有面積の低減
も達成することが可能となる。In the above-described electro-optical device, it is preferable that the brightness of each of the electro-optical elements is set to take two values, low brightness and high brightness. Here, the binary is
For example, this means a case where the setting is made so as to take either the state of luminance 0 or the maximum luminance. This makes it possible to simplify the data signal supplied to the pixel via the signal line. Accordingly, the circuit configuration of the signal line driver circuit can be simplified and the area occupied by the signal line driver circuit can be reduced.
【００１７】上記の電気光学装置において、階調を前記
画素に含まれる前記電気光学素子の輝度の合計の関数と
して設定することも可能である。In the above-described electro-optical device, it is possible to set the gradation as a function of the total luminance of the electro-optical elements included in the pixel.
【００１８】上記の表示装置において、階調は前記画素
に含まれるの前記電気光学素子の占有する全面積と高輝
度状態にある前記副画素の占有する合計の面積との比の
関数として設定されていてもよい。In the above display device, the gradation is set as a function of the ratio of the total area occupied by the electro-optical elements included in the pixel to the total area occupied by the sub-pixels in a high brightness state. May be.
【００１９】上記の電気光学装置において、前記電気光
学素子を液晶素子とすることもできる。液晶素子として
は、透過型及び反射型のいずれも採用可能である。低消
費電力化するためには、光源を特には必要としない反射
型であることが好ましい場合がある。すなわち、光の取
り出し側とは反対の反射型液晶素子の下方のスペースに
トランジスタなどの能動素子や配線などをまとめて配置
することも可能であるので、開口率の確保に適してい
る。In the above electro-optical device, the electro-optical element may be a liquid crystal element. As the liquid crystal element, any of a transmission type and a reflection type can be adopted. In order to reduce power consumption, it is sometimes preferable to use a reflection type that does not particularly require a light source. That is, active elements such as transistors, wiring, and the like can be collectively arranged in a space below the reflective liquid crystal element opposite to the light extraction side, which is suitable for securing an aperture ratio.
【００２０】上記の電気光学装置において、前記電気光
学素子を有機エレクトロルミネッセンス素子とすること
もできる。In the above electro-optical device, the electro-optical element may be an organic electroluminescent element.
【００２１】本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数
の信号線と複数の走査線との交差部にマトリクス状に配
置された画素を含み、前記画素内に電気光学素子を備え
た副画素が配置されている電気光学装置の駆動方法であ
って、前記電気光学素子の輝度を低輝度及び高輝度のい
ずれかに制御するデータ信号を前記複数の信号線を介し
て供給するステップと、前記データ信号を前記副画素内
に配置されたスタティックランダムアクセスメモリに保
持するステップと、を含むこと、を特徴とする。A driving method of an electro-optical device according to the present invention includes a sub-pixel including pixels arranged in a matrix at intersections of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines, and including an electro-optical element in the pixels. Is a driving method of the electro-optical device, wherein a step of supplying a data signal for controlling the luminance of the electro-optical element to one of low luminance and high luminance through the plurality of signal lines; Holding a data signal in a static random access memory arranged in the sub-pixel.
【００２２】上記の電気光学装置の駆動方法において、
電気光学素子の低輝度と高輝度の状態を、例えば、輝度
０と最大輝度に設定してもよい。In the above method of driving an electro-optical device,
The state of the low luminance and the high luminance of the electro-optical element may be set to, for example, luminance 0 and the maximum luminance.
【００２３】本発明の電子機器は、上記の表示装置また
は上記の電気光学装置を備えている。An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described display device or the above-described electro-optical device.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】以下、本発明の典型的な実施形態
について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, typical embodiments of the present invention will be described.
【００２５】（第１の実施形態）本発明に係る一つの実
施形態として、１画素内に電気光学素子として液晶素子
とスタティックランダムアクセスメモリとを備えた複数
の副画素が配置された表示装置について述べる。図１
は、この表示装置の画素等価回路図である。ここでは、
１画素のみ図示しているが、実際には、画素に走査信号
を送出する走査線とデータ信号を送出する信号線との交
差部に対応してマトリクス状に複数の画素が配置されて
いる。１画素内には対応して、トランジスタ3、スタテ
ィックランダムアクセスメモリ4、液晶素子5が形成され
ている。トランジスタ３としては、薄膜トランジスタ
（TFT）やシリコンベースのトランジスタ、さらには芳
香族や共役結合を有する有機半導体材料を半導体層とし
て利用したいわゆる有機トランジスタなども採用可能で
ある。薄膜トランジスタとしては、例えば、非晶質シリ
コン薄膜トランジスタ、多結晶シリコン薄膜トランジス
タ、及び単結晶シリコントランジスタが挙げられる。シ
リコンベーストランジスタを用いる場合は、シリコン基
板上で形成したトランジスタを１個ずつあるいは複数個
を含むチップに分割して、ガラスなどの絶縁基板上の所
定に再配置したものを用いることが好ましい。(First Embodiment) As one embodiment of the present invention, a display device in which a plurality of sub-pixels each including a liquid crystal element and a static random access memory as an electro-optical element are arranged in one pixel. State. FIG.
Is a pixel equivalent circuit diagram of the display device. here,
Although only one pixel is illustrated, in practice, a plurality of pixels are arranged in a matrix corresponding to the intersection of a scanning line for sending a scanning signal to a pixel and a signal line for sending a data signal. In one pixel, a transistor 3, a static random access memory 4, and a liquid crystal element 5 are formed correspondingly. As the transistor 3, a thin film transistor (TFT), a silicon-based transistor, and a so-called organic transistor using an organic semiconductor material having an aromatic or conjugated bond as a semiconductor layer can be used. Examples of the thin film transistor include an amorphous silicon thin film transistor, a polycrystalline silicon thin film transistor, and a single crystal silicon transistor. In the case of using a silicon-based transistor, it is preferable to use a transistor formed on a silicon substrate which is divided into chips each including one or a plurality of chips and rearranged in a predetermined manner on an insulating substrate such as glass.
【００２６】スタティックランダムアクセスメモリ４と
しては、CMOSインバータ型のスタティックランダムアク
セスメモリや、デプレッション負荷型、高抵抗多結晶シ
リコン負荷型などが使用可能である。スタティックラン
ダムアクセスメモリを構成するトランジスタとしては、
トランジスタ３と同様なものが使用可能であるが、スタ
ティックランダムアクセスメモリとしての機能を発揮す
るには、多結晶シリコン薄膜トランジスタ、単結晶シリ
コントランジスタ、シリコンベースのトランジスタであ
ることが好ましい。液晶素子５としては、透過型あるい
は反射型のいずれも使用可能である。ただし、消費電力
を低減する必要がある場合は、バックライトなどの光源
が必須ではない液晶素子５として反射型液晶素子が好ま
しい。As the static random access memory 4, a CMOS inverter type static random access memory, a depletion load type, a high resistance polycrystalline silicon load type, or the like can be used. The transistors that make up the static random access memory include:
Although a transistor similar to the transistor 3 can be used, a polycrystalline silicon thin film transistor, a single crystal silicon transistor, or a silicon-based transistor is preferable in order to exhibit a function as a static random access memory. As the liquid crystal element 5, either a transmission type or a reflection type can be used. However, when it is necessary to reduce power consumption, a reflective liquid crystal element is preferable as the liquid crystal element 5 which does not require a light source such as a backlight.
【００２７】信号線はデータ信号の各ビットに応じて設
けることが好ましい。例えば、２ビットのデータ信号が
供給される場合、図１の等価回路図に示したように、信
号線2として、低ビットの信号線21及び高ビットの信号
線22を設ける。Preferably, the signal lines are provided in accordance with each bit of the data signal. For example, when a 2-bit data signal is supplied, a low-bit signal line 21 and a high-bit signal line 22 are provided as the signal line 2 as shown in the equivalent circuit diagram of FIG.
【００２８】これら信号線に対応して、トランジスタ3
として、低ビットのトランジスタ31と高ビットのトラン
ジスタ32とを配置する。同様に、スタティックランダム
アクセスメモリ4として、低ビットのスタティックラン
ダムアクセスメモリ41と高ビットのスタティックランダ
ムアクセスメモリ42、液晶素子5として低ビットの液晶
素子51と高ビットの液晶素子52とを配置する。The transistors 3 correspond to these signal lines.
A low bit transistor 31 and a high bit transistor 32 are arranged. Similarly, a low bit static random access memory 41 and a high bit static random access memory 42 are arranged as the static random access memory 4, and a low bit liquid crystal element 51 and a high bit liquid crystal element 52 are arranged as the liquid crystal element 5.
【００２９】スタティックランダムアクセスメモリ４１
及び４２はワード線（あるいは走査線）及びデータ線に
直接接続してもよいが、図１に示したように、ゲートが
走査線１に接続されたトランジスタ３を介して信号線２
と接続されるように配置してもよい。このような配置に
することにより、各副画素の数に応じて走査線（あるい
はワード線）を設ける必要がなくなる。このことは、例
えば、配線間に生ずる不要な配線容量を減ずることによ
り、データの書き換え時の遅延などを抑制するなどの効
果を奏する。The static random access memory 41
And 42 may be directly connected to a word line (or a scanning line) and a data line, but as shown in FIG. 1, a signal line 2 is connected through a transistor 3 having a gate connected to the scanning line 1.
May be arranged so as to be connected. With such an arrangement, it is not necessary to provide scanning lines (or word lines) in accordance with the number of each sub-pixel. This has the effect of suppressing unnecessary delays in rewriting data, for example, by reducing unnecessary wiring capacitance generated between wirings.
【００３０】信号線２１及び２２のそれぞれから供給さ
れるデータ信号に応じて、液晶素子５１及び５２のそれ
ぞれの輝度をハイレベルとローレベルの２値（例えば、
輝度０と最大輝度）に設定することが好ましい。例え
ば、液晶素子５１及び５２のローレベルの輝度を同等に
し（例えば、輝度０とする）、ハイレベルの輝度が１：
２となるようにすれば、２ビットのデータ信号で４階調
が得られることになる。液晶素子５１のローレベル及び
ハイレベルの平均輝度（単位面積あたりの輝度）と液晶
素子５２のローレベル及びハイレベルの平均輝度（単位
面積あたりの輝度）とが、それぞれ実質的に等しい場合
は、液晶素子５１及び５２の占有面積を異ならせること
により、供給されるデータ信号に対して最大限の階調数
が得られることになる。例えば、液晶素子５２の占有面
積を５１の占有面積の２倍とすることにより、２ビット
のデータ信号で４階調が得られる。In accordance with the data signals supplied from the signal lines 21 and 22, respectively, the brightness of each of the liquid crystal elements 51 and 52 is changed to a high level and a low level (for example, two levels).
It is preferable to set the brightness to 0 and the maximum brightness. For example, the low-level luminances of the liquid crystal elements 51 and 52 are made equal (for example, luminance 0), and the high-level luminance is 1:
If it is set to 2, four gradations can be obtained with a 2-bit data signal. When the low-level and high-level average luminance (luminance per unit area) of the liquid crystal element 51 and the low-level and high-level average luminance (luminance per unit area) of the liquid crystal element 52 are substantially equal to each other, By making the occupied areas of the liquid crystal elements 51 and 52 different, the maximum number of gradations can be obtained for the supplied data signal. For example, by setting the area occupied by the liquid crystal element 52 to twice the area occupied by the liquid crystal element 51, four gradations can be obtained with a 2-bit data signal.
【００３１】スタティックランダムアクセスメモリを用
いない場合は、常に一定の周期で走査線を介して選択パ
ルスを画素回路に供給しなくてはならないが、本実施形
態のように、スタティックランダムアクセスメモリ４を
記憶素子として利用する場合は、データの書き換え動作
を行う際に、選択パルスを画素回路に供給すればよい。
つまり、走査線1に選択パルスが印加されている間に、
信号線2にデータ信号が印加され、トランジスタ3を通じ
て、スタティックランダムアクセスメモリ4に供給さ
れ、次のデータの書き換えを行う時まで保持されること
になる。スタティックランダムアクセスメモリ4に保持
されたデータに基づいて液晶素子５の光反射または光の
透過が制御される。なお、液晶素子５として、消費電力
の低減するには、バックライトなどの光源を特に必要と
しない反射型が適している。図１に示した等価回路は２
ビットのデータ信号を供給する場合について説明したも
のであるが、3ビット以上のデータ信号を供給する場合
も、本発明の思想は有効である。When a static random access memory is not used, a selection pulse must always be supplied to a pixel circuit via a scanning line at a constant cycle. When it is used as a storage element, a selection pulse may be supplied to a pixel circuit when performing a data rewrite operation.
That is, while the selection pulse is applied to the scanning line 1,
A data signal is applied to the signal line 2, supplied to the static random access memory 4 through the transistor 3, and held until the next data is rewritten. The light reflection or light transmission of the liquid crystal element 5 is controlled based on the data held in the static random access memory 4. Note that, as the liquid crystal element 5, a reflection type that does not particularly require a light source such as a backlight is suitable for reducing power consumption. The equivalent circuit shown in FIG.
Although the case where a bit data signal is supplied has been described, the idea of the present invention is also effective when a data signal of 3 bits or more is supplied.
【００３２】（第２の実施形態）本発明に係る一つの実
施形態として、１画素内に電気光学素子として有機エレ
クトロルミネッセンス素子６とスタティックランダムア
クセスメモリ４とを備えた複数の副画素が配置された表
示装置について述べる。図３は、この表示装置の画素等
価回路図である。ここでは、１画素のみ図示している
が、実際には、画素に走査信号を送出する走査線とデー
タ信号を送出する信号線との交差部に対応してマトリク
ス状に複数の画素が配置されている。１画素内には対応
して、トランジスタ3、スタティックランダムアクセス
メモリ4、有機エレクトロルミネッセンス素子６が形成
されている。トランジスタ３としては、薄膜トランジス
タ（TFT）やシリコンベースのトランジスタ、さらには
芳香族や共役結合を有する有機半導体材料を半導体層と
して利用したいわゆる有機トランジスタなども採用可能
である。薄膜トランジスタとしては、例えば、非晶質シ
リコン薄膜トランジスタ、多結晶シリコン薄膜トランジ
スタ、及び単結晶シリコントランジスタが挙げられる。
シリコンベーストランジスタを用いる場合は、シリコン
基板上で形成したトランジスタを１個ずつあるいは複数
個を含むチップに分割して、ガラスなどの絶縁基板上の
所定に再配置したものを用いることが好ましい。(Second Embodiment) As one embodiment according to the present invention, a plurality of sub-pixels each including an organic electroluminescence element 6 and a static random access memory 4 as electro-optical elements in one pixel are arranged. The display device will be described. FIG. 3 is a pixel equivalent circuit diagram of the display device. Here, only one pixel is shown, but actually, a plurality of pixels are arranged in a matrix corresponding to the intersection of a scanning line for sending a scanning signal to a pixel and a signal line for sending a data signal. ing. In one pixel, a transistor 3, a static random access memory 4, and an organic electroluminescence element 6 are formed correspondingly. As the transistor 3, a thin film transistor (TFT), a silicon-based transistor, and a so-called organic transistor using an organic semiconductor material having an aromatic or conjugated bond as a semiconductor layer can be used. Examples of the thin film transistor include an amorphous silicon thin film transistor, a polycrystalline silicon thin film transistor, and a single crystal silicon transistor.
In the case of using a silicon-based transistor, it is preferable to use a transistor formed on a silicon substrate which is divided into chips each including one or a plurality of chips and rearranged in a predetermined manner on an insulating substrate such as glass.
【００３３】スタティックランダムアクセスメモリ４と
しては、CMOSインバータ型のスタティックランダムアク
セスメモリや、デプレッション負荷型、高抵抗多結晶シ
リコン負荷型などが使用可能である。スタティックラン
ダムアクセスメモリを構成するトランジスタとしては、
トランジスタ３と同様なものが使用可能であるが、スタ
ティックランダムアクセスメモリとしての機能を発揮す
るには、多結晶シリコン薄膜トランジスタ、単結晶シリ
コントランジスタ、シリコンベースのトランジスタであ
ることが好ましい。As the static random access memory 4, a CMOS inverter type static random access memory, a depression load type, a high resistance polycrystalline silicon load type, or the like can be used. The transistors that make up the static random access memory include:
Although a transistor similar to the transistor 3 can be used, a polycrystalline silicon thin film transistor, a single crystal silicon transistor, or a silicon-based transistor is preferable in order to exhibit a function as a static random access memory.
【００３４】有機エレクトロルミネッセンス素子６の発
光材料としてポリフルオレン類やポリ−フェニレンビニ
レン類など高分子材料やクマリン、ローダミンなどの低
分子材料を使用することが可能である。As the light-emitting material of the organic electroluminescence element 6, it is possible to use a polymer material such as polyfluorenes or poly-phenylenevinylenes or a low-molecular material such as coumarin or rhodamine.
【００３５】信号線はデータ信号の各ビットに応じて設
けることが好ましい。例えば、２ビットのデータ信号が
供給される場合、図３の等価回路図に示したように、信
号線2として、低ビットの信号線21及び高ビットの信号
線22を設ける。Preferably, the signal lines are provided in accordance with each bit of the data signal. For example, when a 2-bit data signal is supplied, a low-bit signal line 21 and a high-bit signal line 22 are provided as the signal line 2 as shown in the equivalent circuit diagram of FIG.
【００３６】これら信号線に対応して、トランジスタ3
として、低ビットのトランジスタ31と高ビットのトラン
ジスタ32とを配置する。同様に、スタティックランダム
アクセスメモリ4として、低ビットのスタティックラン
ダムアクセスメモリ41と高ビットのスタティックランダ
ムアクセスメモリ42、有機エレクトロルミネッセンス素
子６として低ビットの有機エレクトロルミネッセンス素
子６１と高ビットの有機エレクトロルミネッセンス素子
６２とを配置する。The transistors 3 correspond to these signal lines.
A low bit transistor 31 and a high bit transistor 32 are arranged. Similarly, a low bit static random access memory 41 and a high bit static random access memory 42 are used as the static random access memory 4, and a low bit organic electroluminescent element 61 and a high bit organic electroluminescent element are used as the organic electroluminescent elements 6. And 62 are arranged.
【００３７】スタティックランダムアクセスメモリ４１
及び４２は、ワード線（あるいは走査線）及びデータ線
に直接接続してもよいが、図３に示したように、ゲート
が走査線１に接続されたトランジスタ３を介して信号線
２と接続されるように配置してもよい。このような配置
にすることにより、各副画素の数に応じて走査線（ある
いはワード線）を設ける必要がなくなる。このことは、
例えば、配線間に生ずる不要な配線容量を減ずることに
より、データの書き換え時の遅延などを抑制するなどの
効果を奏する。 また、特に、トランジスタや配線が設
けられた回路基板側から光を取り出すいわゆるバックエ
ミッション型では、配線やトランジスタが少ない程、光
の取り出し効率は向上するので有利である。Static random access memory 41
And 42 may be directly connected to the word line (or scanning line) and the data line, but as shown in FIG. 3, the gate is connected to the signal line 2 via the transistor 3 connected to the scanning line 1. May be arranged such that With such an arrangement, it is not necessary to provide scanning lines (or word lines) in accordance with the number of each sub-pixel. This means
For example, by reducing unnecessary wiring capacitance generated between the wirings, it is possible to obtain effects such as suppressing a delay in rewriting data. In particular, in a so-called back-emission type in which light is extracted from the circuit substrate side on which transistors and wirings are provided, the light extraction efficiency increases as the number of wirings and transistors decreases, which is advantageous.
【００３８】信号線２１及び２２のそれぞれから供給さ
れるデータ信号に応じて、有機エレクトロルミネッセン
ス素子６１及び６２のそれぞれの輝度をハイレベルとロ
ーレベルの２値（例えば、輝度０と最大輝度）に設定す
ることが好ましい。例えば、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子６１及び６２のローレベルの輝度を同等にし
（例えば、輝度０とする）、ハイレベルの輝度が１：２
となるようにすれば、２ビットのデータ信号で４階調が
得られることになる。有機エレクトロルミネッセンス素
子６１のローレベル及びハイレベルの平均輝度（単位面
積あたりの輝度）と有機エレクトロルミネッセンス素子
６２のローレベル及びハイレベルの平均輝度（単位面積
あたりの輝度）とが、それぞれ実質的に等しい場合は、
有機エレクトロルミネッセンス素子６１及び６２の占有
面積を異ならせることにより、供給されるデータ信号に
対して最大限の階調数が得られることになる。例えば、
有機エレクトロルミネッセンス素子６２の占有面積を有
機エレクトロルミネッセンス素子６２の占有面積の２倍
とすることにより、２ビットのデータ信号で４階調が得
られる。In accordance with the data signals supplied from the signal lines 21 and 22, respectively, the luminance of each of the organic electroluminescence elements 61 and 62 is changed to a high level and a low level (for example, luminance 0 and maximum luminance). It is preferable to set. For example, the low-level luminance of the organic electroluminescent elements 61 and 62 is made equal (for example, luminance 0), and the high-level luminance is 1: 2.
In this case, four gradations can be obtained with a 2-bit data signal. The low-level and high-level average luminance (luminance per unit area) of the organic electroluminescent element 61 and the low-level and high-level average luminance (luminance per unit area) of the organic electroluminescent element 62 are substantially equal to each other. If they are equal,
By making the occupied areas of the organic electroluminescent elements 61 and 62 different, the maximum number of gradations can be obtained for the supplied data signal. For example,
By setting the area occupied by the organic electroluminescence element 62 to twice the area occupied by the organic electroluminescence element 62, four gradations can be obtained with a 2-bit data signal.
【００３９】スタティックランダムアクセスメモリを用
いない場合は、常に一定の周期で走査線を介して選択パ
ルスを画素回路に供給しなくてはならないが、本実施形
態のように、スタティックランダムアクセスメモリ４を
記憶素子として利用する場合は、データの書き換え動作
を行う際に、選択パルスを画素回路に供給すればよい。
つまり、走査線1に選択パルスが印加されている間に、
信号線2にデータ信号が印加され、トランジスタ3を通じ
て、スタティックランダムアクセスメモリ4に供給さ
れ、次のデータの書き換えを行う時まで保持されること
になる。スタティックランダムアクセスメモリ4に保持
されたデータに基づいて有機エレクトロルミネッセンス
素子６の発光強度が制御される。When a static random access memory is not used, a selection pulse must always be supplied to a pixel circuit via a scanning line at a constant period. When it is used as a storage element, a selection pulse may be supplied to a pixel circuit when performing a data rewrite operation.
That is, while the selection pulse is applied to the scanning line 1,
A data signal is applied to the signal line 2, supplied to the static random access memory 4 through the transistor 3, and held until the next data is rewritten. The light emission intensity of the organic electroluminescent element 6 is controlled based on the data held in the static random access memory 4.
【００４０】一般に高分子材料を利用した有機エレクト
ロルミネッセンス素子は低分子材料を利用したものに比
べて、低電圧で駆動するため有機エレクトロルミネッセ
ンス素子に供給する電流量を低減することができるが、
一方で、多くの階調を得るためには、有機エレクトロル
ミネッセンス素子に供給する電流量を精緻に制御しなく
てはならないことがある。本実施形態のように有機エレ
クトロルミネッセンス素子の輝度は２値をとるように設
定すれば、電流量の精密な制御をしなくとも、多階調を
得ることができる。In general, an organic electroluminescent device using a polymer material can be driven at a lower voltage than the device using a low molecular material, so that the amount of current supplied to the organic electroluminescent device can be reduced.
On the other hand, in order to obtain many gradations, it may be necessary to precisely control the amount of current supplied to the organic electroluminescence element. If the luminance of the organic electroluminescent element is set to take two values as in the present embodiment, multiple gradations can be obtained without precise control of the current amount.
【００４１】図３に示した等価回路は２ビットのデータ
信号を供給する場合について説明したものであるが、3
ビット以上のデータ信号を供給する場合も、本発明の思
想は有効である。The equivalent circuit shown in FIG. 3 describes the case where a 2-bit data signal is supplied.
The idea of the present invention is also effective when a data signal of more than bits is supplied.
【００４２】図２を参照しながら、以下に、本発明に係
る典型的な電気光学装置の製造工程について述べる。With reference to FIG. 2, a description will be given below of a typical electro-optical device manufacturing process according to the present invention.
【００４３】まず、ガラス基板71上に、SiH4を用いたPE
CVDや、Si2H6を用いたLPCVDにより、アモルファスシリ
コンが成膜される。エキシマレーザー等のレーザー照射
や、固相成長により、アモルファスシリコンは再結晶化
し、多結晶シリコン72となる（図２(a)）。多結晶シリ
コン72をパターニングした後、ゲート絶縁膜73が成膜さ
れ、ゲート電極74が成膜およびパターニングされる（図
２(b)）。リンやボロンなどの不純物がゲート電極を用
いて自己整合的に多結晶シリコン72に打ち込まれ、活性
化され、CMOS構造のソース領域およびドレイン領域75
が、形成される。第１層間絶縁膜76が成膜され、コンタ
クトホールを開孔し、ソース電極およびドレイン電極77
が成膜およびパターニングされる（図２(c)）。さら
に、第２層間絶縁膜78が成膜され、コンタクトホールを
開孔し、画素電極79が成膜およびパターニングされる
（図２(d)）。画素電極79の裏側に、薄膜トランジスタ
が配置されている。この後、通常の工程により、反射型
液晶表示素子が形成される。First, a PE using SiH 4 was placed on a glass substrate 71.
Amorphous silicon is formed by CVD or LPCVD using Si 2 H 6 . Amorphous silicon is recrystallized by laser irradiation such as excimer laser or solid phase growth, and becomes polycrystalline silicon 72 (FIG. 2A). After patterning the polycrystalline silicon 72, a gate insulating film 73 is formed, and a gate electrode 74 is formed and patterned (FIG. 2B). Impurities such as phosphorus and boron are implanted into the polycrystalline silicon 72 in a self-aligned manner using the gate electrode and activated, and the source and drain regions 75 of the CMOS structure are activated.
Is formed. A first interlayer insulating film 76 is formed, a contact hole is opened, and a source electrode and a drain electrode 77 are formed.
Is formed and patterned (FIG. 2C). Further, a second interlayer insulating film 78 is formed, a contact hole is opened, and a pixel electrode 79 is formed and patterned (FIG. 2D). A thin film transistor is arranged on the back side of the pixel electrode 79. Thereafter, a reflection type liquid crystal display element is formed by a normal process.
【００４４】本構成によれば、面積階調方式の表示装置
に対して、画像が変化したときのみ走査を行うことによ
り、さらなる低消費電力化および駆動回路の長寿命化が
実現できる。また、本構成によれば、反射型液晶表示素
子の裏側にスタティックランダムアクセスメモリを配置
することができるので、開口率の減少などの問題が発生
しない。According to this configuration, the scanning is performed only when the image changes in the area gray scale display device, so that further lower power consumption and longer life of the driving circuit can be realized. Further, according to this configuration, since the static random access memory can be arranged on the back side of the reflection type liquid crystal display element, problems such as a decrease in aperture ratio do not occur.
【００４５】図４は、本発明の第２の実施例の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造工程を示す図である。
薄膜トランジスタの製造工程については、第１の実施例
と同様で、図２に示すとおりである。まず、密着層81が
成膜され、発光領域となる部分に開口部が形成される
（図４(a)）。次に、酸素プラズマやCF4プラズマなどの
プラズマ処理により、基板表面の濡れ性を制御する。そ
の後、正孔注入層83および発光層84が、スピンコート、
スキージ塗り、インクジェットプロセス（T. Shimoda,
S. Seki, et al, Dig. SID 99 (1999) 376、S. Kanbe,
et al, Proc. Euro Display 99 Late-News Papers (199
9) 85）などの液相プロセスや、スパッタ、蒸着などの
真空プロセスにより、成膜される。仕事関数が小さくす
るためにアルカリ金属を含んだ陰極85が、成膜され、封
止剤86により封止されて、完成する（図４(b)）。密着
層81の役割は、基板と層間層82との密着性を向上させ、
また、正確な発光面積を得ることである。層間層82の役
割は、ゲート電極74やソース電極およびドレイン電極77
から陰極85を遠ざけて、寄生容量を低減すること、およ
び、液相プロセスで正孔注入層83や発光層84を形成する
際に、表面の濡れ性を制御し、正確なパターニングを実
現することである（T. Shimoda, M. Kimura, et al, Pr
oc. Asia Display 98, 217(1998)）。FIG. 4 is a view showing a process of manufacturing an organic electroluminescence device according to a second embodiment of the present invention.
The manufacturing process of the thin film transistor is the same as that of the first embodiment, and is as shown in FIG. First, an adhesion layer 81 is formed, and an opening is formed in a portion to be a light emitting region (FIG. 4A). Next, by plasma treatment such as oxygen plasma and CF 4 plasma, controlling the wettability of the substrate surface. After that, the hole injection layer 83 and the light emitting layer 84 are spin-coated,
Squeegee coating, inkjet process (T. Shimoda,
S. Seki, et al, Dig.SID 99 (1999) 376, S. Kanbe,
et al, Proc.Euro Display 99 Late-News Papers (199
9) A film is formed by a liquid phase process such as 85) or a vacuum process such as sputtering or vapor deposition. A cathode 85 containing an alkali metal to reduce the work function is formed into a film, sealed with a sealant 86, and completed (FIG. 4B). The role of the adhesion layer 81 is to improve the adhesion between the substrate and the interlayer 82,
Another object is to obtain an accurate light emitting area. The role of the interlayer layer 82 is that the gate electrode 74, the source electrode and the drain electrode 77
To reduce the parasitic capacitance by moving the cathode 85 away from the substrate, and to control the wettability of the surface when forming the hole injection layer 83 and the light emitting layer 84 by the liquid phase process, thereby realizing accurate patterning. (T. Shimoda, M. Kimura, et al, Pr.
oc. Asia Display 98, 217 (1998)).
【００４６】本構成によれば、面積階調方式の表示装置
に対して、画像が変化したときのみ走査を行うことによ
り、さらなる低消費電力化および駆動回路の長寿命化が
実現できる。また、本構成によれば、有機エレクトロル
ミネッセンス表示素子の裏側にスタティックランダムア
クセスメモリを配置することができるので、開口率の減
少などの問題が発生しない。According to this configuration, the scanning is performed only when the image changes with respect to the area gradation type display device, so that further lower power consumption and longer life of the driving circuit can be realized. Further, according to this configuration, since the static random access memory can be arranged on the back side of the organic electroluminescence display element, problems such as a decrease in aperture ratio do not occur.
【００４７】つぎに、上記の電気光学装置を適用した電
子機器のいくつかの事例について説明する。図５は前述
の電気光学装置を適用したモバイル型のパーソナルコン
ピュータの構成を示す斜視図である。この図において、
パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０
２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６と
により構成され、この表示ユニット１１０６が前述の電
気光学装置１００を備えている。Next, some examples of electronic equipment to which the above-described electro-optical device is applied will be described. FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a mobile personal computer to which the above-described electro-optical device is applied. In this figure,
The personal computer 1100 includes a keyboard 110
2 and a display unit 1106, and the display unit 1106 includes the electro-optical device 100 described above.
【００４８】図６は前述の電気光学装置１００をその表
示部に適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボ
タン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６
とともに、前述の電気光学装置１００を備えている。FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a portable telephone in which the above-described electro-optical device 100 is applied to its display unit.
In this figure, a mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, a mouthpiece 1206.
Also, the above-described electro-optical device 100 is provided.
【００４９】図７は前述の電気光学装置１００を、その
ファインダに適用したディジタルスチルカメラの構成を
示す斜視図である。なお、この図には外部機器との接続
についても簡易的に示している。ここで通常のカメラ
は、被写体の光像によりフィルムを感光するのに対し、
ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣ
ＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ディジタルスチルカ
メラ１３００におけるケース１３０２の背面には、前述
の電気光学装置１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信
号に基づいて表示を行う構成になっており、電気光学装
置１００は被写体を表示するファインダとして機能す
る。また、ケース１３０２の観察側（図においては裏面
側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニッ
ト１３０４が設けられている。FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera in which the above-described electro-optical device 100 is applied to its finder. In this figure, connection with an external device is simply shown. Here, a normal camera exposes the film with the light image of the subject,
The digital still camera 1300 converts the light image of
An image pickup signal is generated through photoelectric conversion by an image pickup device such as a CD (Charge Coupled Device). The electro-optical device 100 described above is provided on the back of the case 1302 of the digital still camera 1300, and performs display based on an image pickup signal by a CCD. The electro-optical device 100 functions as a finder for displaying a subject. I do. A light receiving unit 1304 including an optical lens, a CCD, and the like is provided on the observation side (the back side in the figure) of the case 1302.
【００５０】撮影者が電気光学装置１００に表示された
被写体像を確認しシャッタボタン１３０６を押下する
と、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１
３０８のメモリに転送・格納される。また、このディジ
タルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２
の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信
用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、
図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子１３１
２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者のデ−タ通
信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ
１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さら
に、所定の操作により回路基板１３０８のメモリに格納
された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナ
ルコンピュータ１４４０に出力される構成になってい
る。When the photographer confirms the subject image displayed on the electro-optical device 100 and presses the shutter button 1306, the image pickup signal of the CCD at that time is transmitted to the circuit board 1.
The data is transferred and stored in the memory 308. In this digital still camera 1300, a case 1302
Are provided with a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication. And
As shown in the figure, the former video signal output terminal 131
A television monitor 1430 is connected to 2 and a personal computer 1440 is connected to the latter input / output terminal 1314 for data communication as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 by a predetermined operation is output to the television monitor 1430 and the personal computer 1440.
【００５１】なお、本発明の電気光学装置１００が適用
される電子機器としては、図５のパーソナルコンピュー
タや、図６の携帯電話、図７のディジタルスチルカメラ
の他にも、テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視
型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各
種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１０
０が適用可能なのは言うまでもない。The electronic apparatus to which the electro-optical device 100 of the present invention is applied includes a personal computer shown in FIG. 5, a mobile phone shown in FIG. 6, a digital still camera shown in FIG. Type, monitor direct-view type video tape recorder, car navigation device,
Examples include a pager, an electronic organizer, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel. Then, as a display unit of these various electronic devices, the above-described electro-optical device 10 is used.
Needless to say, 0 is applicable.
【図１】本発明に係る第１の実施例の画素等価回路図。FIG. 1 is a pixel equivalent circuit diagram of a first embodiment according to the present invention.
【図２】本発明に係る第１の実施例の薄膜トランジスタ
の製造工程を示す図。FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the thin film transistor of the first embodiment according to the present invention.
【図３】本発明に係る第２の実施例の画素等価回路図。FIG. 3 is a pixel equivalent circuit diagram of a second embodiment according to the present invention.
【図４】本発明に係る第２の実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス表示素子の製造工程を示す図。FIG. 4 is a view showing a manufacturing process of the organic electroluminescent display element according to the second embodiment of the present invention.
【図５】本発明に係る電気光学装置が実装されたモバイ
ル型のパーソナルコンピュータに適用した場合の一例を
示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example in which the present invention is applied to a mobile personal computer on which the electro-optical device according to the present invention is mounted.
【図６】本発明に係る電気光学装置が実装された携帯電
話機の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of a mobile phone on which the electro-optical device according to the present invention is mounted.
【図７】本発明に係る電気光学装置がファインダ部分に
適用されたディジタルスチルカメラの一例を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a digital still camera in which the electro-optical device according to the invention is applied to a finder portion.
１ 走査線 ２ 信号線 ２１ 低ビットの信号線 ２２ 高ビットの信号線 ３ 薄膜トランジスタ ３１ 低ビットの薄膜トランジスタ ３２ 高ビットの薄膜トランジスタ ４ スタティックランダムアクセスメモリ ４１ 低ビットのスタティックランダムアクセスメモリ ４２ 高ビットのスタティックランダムアクセスメモリ ５ 反射型液晶表示素子 ５１ 低ビットの副反射型液晶表示素子 ５２ 高ビットの副反射型液晶表示素子 ６ 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 ６１ 低ビットの副有機エレクトロルミネッセンス表示
素子 ６２ 高ビットの副有機エレクトロルミネッセンス表示
素子 ７１ ガラス基板 ７２ 多結晶シリコン ７３ ゲート絶縁膜 ７４ ゲート電極 ７５ ソース領域およびドレイン領域 ７６ 第１層間絶縁膜 ７７ ソース電極およびドレイン電極 ７８ 第２層間絶縁膜 ７９ 画素電極 ８１ 密着層 ８２ 層間層 ８３ 正孔注入層 ８４ 発光層 ８５ 陰極 ８６ 封止剤DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Scan line 2 Signal line 21 Low bit signal line 22 High bit signal line 3 Thin film transistor 31 Low bit thin film transistor 32 High bit thin film transistor 4 Static random access memory 41 Low bit static random access memory 42 High bit static random access Memory 5 Reflective liquid crystal display element 51 Low bit sub-reflective liquid crystal display element 52 High bit sub-reflective liquid crystal display element 6 Organic electroluminescence display element 61 Low bit sub organic electroluminescence display element 62 High bit sub organic electro display Luminescent display element 71 Glass substrate 72 Polycrystalline silicon 73 Gate insulating film 74 Gate electrode 75 Source region and drain region 76 First interlayer insulating film 77 Source electrode and drain Pole 78 second interlayer insulating film 79 pixel electrode 81 adhesion layer 82 interlayer layer 83 a hole injection layer 84 emitting layer 85 cathode 86 sealant
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｇ 3/30 3/30 Ｊ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 2H092 GA13 NA01 PA06 2H093 NA53 NA54 NB07 NC11 NC16 NC90 ND39 3K007 AB05 AB11 AB17 BA06 DB03 GA04 5C006 AA02 AA12 AF51 AF69 BB16 BB28 BC03 BC06 BC11 BC20 BF34 FA33 FA47 5C080 AA06 AA10 BB05 DD26 DD29 EE29 FF11 GG12 JJ03 JJ06 KK07 KK47 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641G 3/30 3/30 J H05B 33/14 H05B 33/14 A F Terms (Reference) 2H092 GA13 NA01 PA06 2H093 NA53 NA54 NB07 NC11 NC16 NC90 ND39 3K007 AB05 AB11 AB17 BA06 DB03 GA04 5C006 AA02 AA12 AF51 AF69 BB16 BB28 BC03 BC06 BC11 BC20 BF34 FA33 FA47 5C080 AA03 KK29 DD05
Claims (20)
素は複数の副画素を含む表示装置であって、 前記副画素はスタティックランダムアクセスメモリを含
むこと、 を特徴とする表示装置。1. A display device in which pixels are arranged in a matrix, the pixels including a plurality of sub-pixels, wherein the sub-pixels include a static random access memory.
をとること、 を特徴とする表示装置。2. The display device according to claim 1, wherein the sub-pixel takes one of an on state and an off state.
の比の関数として設定されていること、 を特徴とする表示装置。3. The display device according to claim 2, wherein the gradation is set as a function of a ratio between a maximum luminance of the pixel and a total luminance of the sub-pixels.
副画素の占有する合計の面積との比の関数として設定さ
れていること、 を特徴とする表示装置。4. The display device according to claim 2, wherein the gray scale is set as a function of a ratio of a total area occupied by the pixel to a total area occupied by the sub-pixels in an ON state. A display device, characterized in that:
装置において、 前記副画素は液晶表示素子を含むこと、 を特徴とする表示装置。5. The display device according to claim 1, wherein the sub-pixel includes a liquid crystal display element.
装置において、 前記副画素は有機エレクトロルミネッセンス表示素子を
含むこと、 を特徴とする表示装置。7. The display device according to claim 1, wherein the sub-pixel includes an organic electroluminescence display element.
はスタティックランダムアクセスメモリを有する複数の
副画素を含む表示装置の駆動方法であって、 前記副画素をオン状態またはオフ状態のいずれかに制御
し、前記画素の全占有面積とオン状態にある前記副画素
が占有する合計の面積との比を利用して階調を得るこ
と、 を特徴とする表示装置の駆動方法。8. A method for driving a display device, wherein pixels are arranged in a matrix, wherein the pixels include a plurality of sub-pixels having a static random access memory, wherein the sub-pixels are turned on or off. Controlling, and obtaining a gray scale using a ratio of a total area occupied by the sub-pixels in an ON state to a total area occupied by the sub-pixels.
はスタティックランダムアクセスメモリを有する複数の
副画素を含む表示装置の駆動方法であって、 前記副画素をオン状態またはオフ状態のいずれかに制御
し、前記画素の最大輝度とオン状態にある副画素の合計
の輝度との比を利用して階調を得ること、 を特徴とする表示装置の駆動方法。9. A method for driving a display device, comprising a plurality of sub-pixels having a static random access memory, wherein pixels are arranged in a matrix, wherein the sub-pixels are turned on or off. Controlling the pixel to obtain a gray level using a ratio of a maximum luminance of the pixel to a total luminance of the sub-pixels in an ON state.
部にマトリクス状に配置された画素を含む電気光学装置
であって、 前記画素は、スタティックランダムアクセスメモリと電
気光学素子とを備えた副画素を含むこと、 を特徴とする電気光学装置。10. An electro-optical device including pixels arranged in a matrix at intersections of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines, wherein each of the pixels includes a static random access memory and an electro-optical element. An electro-optical device comprising: a sub-pixel;
て、 前記電気光学素子各々の輝度は、低輝度と高輝度の２値
をとるように設定されていること、 を特徴とする電気光学装置。11. The electro-optical device according to claim 10, wherein the brightness of each of the electro-optical elements is set to take two values, low brightness and high brightness. .
て、 階調は前記画素に含まれる前記電気光学素子の輝度の合
計の関数として設定されていること、 を特徴とする電気光学装置。12. The electro-optical device according to claim 11, wherein the gradation is set as a function of the total luminance of the electro-optical element included in the pixel.
て、 階調は前記画素に含まれるの全ての電気光学素子の占有
する全面積と前記高輝度の状態にある電気光学素子の占
有する合計の面積との比の関数として設定されているこ
と、 を特徴とする電気光学装置。13. The electro-optical device according to claim 11, wherein the gradation is the total area occupied by all the electro-optical elements included in the pixel and the total area occupied by the electro-optical elements in the high luminance state. An electro-optical device, wherein the electro-optical device is set as a function of a ratio to an area of the electro-optical device.
の電気光学装置において、 前記電気光学素子は液晶素子であること、 を特徴とする電気光学装置。14. The electro-optical device according to claim 10, wherein the electro-optical element is a liquid crystal element.
て、 前記液晶素子は反射型液晶素子であること、 を特徴とする電気光学装置。15. The electro-optical device according to claim 14, wherein the liquid crystal element is a reflection type liquid crystal element.
の電気光学装置において、 前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス素子
であること、 を特徴とする電気光学装置。16. The electro-optical device according to claim 10, wherein the electro-optical element is an organic electroluminescence element.
にマトリクス状に配置された画素を含み、前記画素内に
電気光学素子を備えた副画素が配置されている電気光学
装置の駆動方法であって、 記電気光学素子の輝度を低輝度及び高輝度のいずれかに
制御するデータ信号を前記複数の信号線を介して供給す
るステップと、 記データ信号を前記副画素内に配置されたスタティック
ランダムアクセスメモリに保持するステップと、を含む
こと、 特徴とする電気光学装置の駆動方法。17. An electro-optical device, comprising: pixels arranged in a matrix at intersections of a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines, wherein a sub-pixel having an electro-optical element is arranged in the pixel. Supplying a data signal for controlling the luminance of the electro-optical element to one of low luminance and high luminance through the plurality of signal lines; and arranging the data signal in the sub-pixel. And storing the data in a static random access memory.
素はスタティックランダムアクセスメモリを有する複数
の副画素を含む電気光学装置の駆動方法であって、 記副画素をオン状態またはオフ状態のいずれかに制御
し、前記画素の最大輝度とオン状態にある副画素の合計
の輝度との比を利用して階調を得ること、 特徴とする電気光学装置の駆動方法。18. A method for driving an electro-optical device including a plurality of sub-pixels having a static random access memory, wherein the pixels are arranged in a matrix, wherein the sub-pixels are in either an ON state or an OFF state. And obtaining a gradation by using a ratio of a maximum luminance of the pixel and a total luminance of the sub-pixels in an on state, wherein
装置を備えた電子機器。19. An electronic apparatus comprising the display device according to claim 1.
電気光学装置を備えた電子機器。20. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002002328A JP2002311924A (en) | 2001-01-09 | 2002-01-09 | Display device, driving method of display device, electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic equipment |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-1853 | 2001-01-09 | ||
| JP2001001853 | 2001-01-09 | ||
| JP2002002328A JP2002311924A (en) | 2001-01-09 | 2002-01-09 | Display device, driving method of display device, electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002311924A true JP2002311924A (en) | 2002-10-25 |
Family
ID=26607428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002002328A Withdrawn JP2002311924A (en) | 2001-01-09 | 2002-01-09 | Display device, driving method of display device, electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002311924A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004302023A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | Image processing method, and liquid crystal display using the same |
| CN102956196A (en) * | 2012-10-26 | 2013-03-06 | 上海大学 | Reference voltage generating circuit of organic light-emitting display |
| JP2020112752A (en) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
-
2002
- 2002-01-09 JP JP2002002328A patent/JP2002311924A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004302023A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | Image processing method, and liquid crystal display using the same |
| JP4571782B2 (en) * | 2003-03-31 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | Image processing method and liquid crystal display device using the same |
| CN102956196A (en) * | 2012-10-26 | 2013-03-06 | 上海大学 | Reference voltage generating circuit of organic light-emitting display |
| JP2020112752A (en) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
| US11430403B2 (en) | 2019-01-16 | 2022-08-30 | Japan Display Inc. | Display device |
| JP7169203B2 (en) | 2019-01-16 | 2022-11-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100453618B1 (en) | Method of driving electrooptic apparatus, electrooptic apparatus, and electronic equipment | |
| US7315295B2 (en) | Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| US6912021B2 (en) | Electro-optical device, method for driving electro-optical device, electronic apparatus, and method for driving electronic apparatus | |
| US8644498B2 (en) | Electronic device | |
| US6781567B2 (en) | Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| US8319714B2 (en) | Display device, and method of operation thereof | |
| US20020180671A1 (en) | Display device and method of driving the same | |
| KR100460291B1 (en) | Display device and method of driving the same, electro-optic device and method of driving the same | |
| JP4051936B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP3767292B2 (en) | Driving method of display device | |
| KR100457832B1 (en) | Method of driving electrooptic apparatus, electrooptic apparatus, and electronic equipment | |
| US20020097350A1 (en) | Thin film transistors suitable for use in flat panel displays | |
| JP2002311924A (en) | Display device, driving method of display device, electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic equipment | |
| JP2001125526A (en) | Display device | |
| JP2003186436A (en) | Electronic circuit and its driving method, electrooptical device, and electronic equipment | |
| JP2001339492A (en) | Electronic equipment | |
| JP4731846B2 (en) | Display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040901 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060829 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061003 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061201 |