JP2002301737A - 金属インサート樹脂成形体の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
金属インサート樹脂成形体の製造方法及び半導体装置Info
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレーム用金属端子のような金属部材
を樹脂との密着性よく一体的に保持してなる、耐熱性及
び一般物性などに優れる金属インサートポリフェニレン
スルフィド(PPS)樹脂成形体の製造方法、該成形体
及びそれを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 予め銀で表面処理された金属部材を、P
PS樹脂成形材料でインサート成形する金属インサート
樹脂成形体の製造方法、並びにこの方法で製造された金
属インサート樹脂成形体及び該成形体を有する半導体装
置である。
を樹脂との密着性よく一体的に保持してなる、耐熱性及
び一般物性などに優れる金属インサートポリフェニレン
スルフィド(PPS)樹脂成形体の製造方法、該成形体
及びそれを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 予め銀で表面処理された金属部材を、P
PS樹脂成形材料でインサート成形する金属インサート
樹脂成形体の製造方法、並びにこの方法で製造された金
属インサート樹脂成形体及び該成形体を有する半導体装
置である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属インサート樹
脂成形体の製造方法、この方法で得られた金属インサー
ト樹脂成形体及び半導体装置に関する。さらに詳しく
は、本発明は、リードフレーム用金属端子のような金属
部材を樹脂との密着性よく一体的に保持してなる、耐熱
性及び一般物性などに優れる金属インサートポリフェニ
レンスルフィド樹脂成形体を効率よく製造する方法、及
びこの方法で得られた前記成形体及びそれを有する半導
体装置に関するものである。
脂成形体の製造方法、この方法で得られた金属インサー
ト樹脂成形体及び半導体装置に関する。さらに詳しく
は、本発明は、リードフレーム用金属端子のような金属
部材を樹脂との密着性よく一体的に保持してなる、耐熱
性及び一般物性などに優れる金属インサートポリフェニ
レンスルフィド樹脂成形体を効率よく製造する方法、及
びこの方法で得られた前記成形体及びそれを有する半導
体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電気・電子機器部品、自動車機器
部品、化学機器部品、その他機械機器部品などの分野に
おいては、金属部材を接合し、一体的に保持した樹脂成
形体の需要が増加している。このような金属部材を接合
し、一体化した樹脂成形体は、金属部材との接合部にお
ける密着性が、その機能上極めて重要な問題となる。一
方、結晶性熱可塑性樹脂であるポリフェニレンスルフィ
ド(以下、PPSと略記する。)樹脂は、エンジニアリ
ングプラスチックとして物性上優れており、各種部品の
素材として多用されている。しかしながら、金属部材を
PPS樹脂でインサート成形する場合には、金属部材と
の密着性の不良が問題となることが多い。金属部材との
密着性が悪いと、水分や空気が、また液体処理を施す工
程がある場合にはその処理液が金属端子と樹脂とのすき
間から侵入して残留し、内蔵した金属端子や素子を腐食
させたり、接点を汚染するという問題を生じる。
部品、化学機器部品、その他機械機器部品などの分野に
おいては、金属部材を接合し、一体的に保持した樹脂成
形体の需要が増加している。このような金属部材を接合
し、一体化した樹脂成形体は、金属部材との接合部にお
ける密着性が、その機能上極めて重要な問題となる。一
方、結晶性熱可塑性樹脂であるポリフェニレンスルフィ
ド(以下、PPSと略記する。)樹脂は、エンジニアリ
ングプラスチックとして物性上優れており、各種部品の
素材として多用されている。しかしながら、金属部材を
PPS樹脂でインサート成形する場合には、金属部材と
の密着性の不良が問題となることが多い。金属部材との
密着性が悪いと、水分や空気が、また液体処理を施す工
程がある場合にはその処理液が金属端子と樹脂とのすき
間から侵入して残留し、内蔵した金属端子や素子を腐食
させたり、接点を汚染するという問題を生じる。
【0003】そこで、このような問題点を解決するため
に、従来、(1)成形後に樹脂部から出ている金属部材
の根元に金属との密着性が良好なエポキシ樹脂をポッテ
ィングする、(2)インサート金属部材上に配置される
素子やボンディングワイヤーなどをポリイミド樹脂やエ
ポキシ樹脂で保護したのち、樹脂封止成形を行う、
(3)特開昭61−113242号公報、特開平7−3
29104号公報などに記載されているように、樹脂封
止成形前に、素子を配置したインサート金属部材にシラ
ンカップリング剤処理を施す、などの処置が行われてい
る。しかしながら、このような方法は、工程が煩雑にな
る上、コストが非常に高くつくのを免れないなどの欠点
を有している。また、特開昭59−8756号公報など
に記載されているように、PPS樹脂に各種の特殊な添
加剤を加えたり、あるいはエラストマー成分を配合して
密着性を向上させる方法(特開平4−123461号公
報など)が提案されているが、これらの方法は、必ずし
もその効果が充分であるとはいえなかった。
に、従来、(1)成形後に樹脂部から出ている金属部材
の根元に金属との密着性が良好なエポキシ樹脂をポッテ
ィングする、(2)インサート金属部材上に配置される
素子やボンディングワイヤーなどをポリイミド樹脂やエ
ポキシ樹脂で保護したのち、樹脂封止成形を行う、
(3)特開昭61−113242号公報、特開平7−3
29104号公報などに記載されているように、樹脂封
止成形前に、素子を配置したインサート金属部材にシラ
ンカップリング剤処理を施す、などの処置が行われてい
る。しかしながら、このような方法は、工程が煩雑にな
る上、コストが非常に高くつくのを免れないなどの欠点
を有している。また、特開昭59−8756号公報など
に記載されているように、PPS樹脂に各種の特殊な添
加剤を加えたり、あるいはエラストマー成分を配合して
密着性を向上させる方法(特開平4−123461号公
報など)が提案されているが、これらの方法は、必ずし
もその効果が充分であるとはいえなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、リードフレーム用金属端子のような金属
部材を樹脂との密着性よく一体的に保持してなる、耐熱
性及び一般物性などに優れる金属インサートPPS樹脂
成形体を効率よく製造する方法を提供することを目的と
するものである。
事情のもとで、リードフレーム用金属端子のような金属
部材を樹脂との密着性よく一体的に保持してなる、耐熱
性及び一般物性などに優れる金属インサートPPS樹脂
成形体を効率よく製造する方法を提供することを目的と
するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、金属部材
とPPS樹脂との密着性がよい金属インサートPPS樹
脂成形体を製造する方法について鋭意研究を重ねた結
果、樹脂と接触する金属部材の表面を、予め銀で処理し
ておくことにより、前記目的を達成し得ることを見出し
た。本発明はかかる知見に基づいて完成したものであ
る。すなわち、本発明は、予め銀で表面処理された金属
部材を、PPS樹脂成形材料でインサート成形すること
を特徴とする金属インサート樹脂成形体の製造方法を提
供するものである。本発明はまた、前記製造方法で得ら
れた金属インサート樹脂成形体、及び該成形体を有する
ことを特徴とする半導体装置をも提供するものである。
とPPS樹脂との密着性がよい金属インサートPPS樹
脂成形体を製造する方法について鋭意研究を重ねた結
果、樹脂と接触する金属部材の表面を、予め銀で処理し
ておくことにより、前記目的を達成し得ることを見出し
た。本発明はかかる知見に基づいて完成したものであ
る。すなわち、本発明は、予め銀で表面処理された金属
部材を、PPS樹脂成形材料でインサート成形すること
を特徴とする金属インサート樹脂成形体の製造方法を提
供するものである。本発明はまた、前記製造方法で得ら
れた金属インサート樹脂成形体、及び該成形体を有する
ことを特徴とする半導体装置をも提供するものである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の金属インサート樹脂成形
体の製造方法において用いられる金属部材としては特に
制限はなく、様々な材料、例えば銅、鉄、ニッケル、コ
バルト、アルミニウム、亜鉛、金、あるいはこれらの合
金などからなるものが挙げられるが、これらの中で、銅
からなる金属部材及びニッケルメッキを施した金属部材
は、本発明における表面処理に好適である。本発明の方
法においては、これらの金属部材を予め銀で表面処理す
るが、その表面処理法としては特に制限はなく、様々な
方法、例えば電気メッキ、化学メッキ、超音波メッキ、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなど
の方法の中から、各種状況に応じて適宜選択することが
できるが、金属部材に対する銀の付着力が強く、本発明
の効果を充分に発揮し得る点から、特に電気メッキ法及
び化学メッキ法が好適である。また、銀による表面処理
後の平均表面粗度Raは0.05μm以上が好ましく、
特に0.1μm以上であることが好ましい。本発明の方
法において用いられるPPS樹脂成形材料としては、P
PS樹脂と無機充填材を主成分とするものを好ましく挙
げることができる。ここで、PPS樹脂としては、一般
式(I)
体の製造方法において用いられる金属部材としては特に
制限はなく、様々な材料、例えば銅、鉄、ニッケル、コ
バルト、アルミニウム、亜鉛、金、あるいはこれらの合
金などからなるものが挙げられるが、これらの中で、銅
からなる金属部材及びニッケルメッキを施した金属部材
は、本発明における表面処理に好適である。本発明の方
法においては、これらの金属部材を予め銀で表面処理す
るが、その表面処理法としては特に制限はなく、様々な
方法、例えば電気メッキ、化学メッキ、超音波メッキ、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなど
の方法の中から、各種状況に応じて適宜選択することが
できるが、金属部材に対する銀の付着力が強く、本発明
の効果を充分に発揮し得る点から、特に電気メッキ法及
び化学メッキ法が好適である。また、銀による表面処理
後の平均表面粗度Raは0.05μm以上が好ましく、
特に0.1μm以上であることが好ましい。本発明の方
法において用いられるPPS樹脂成形材料としては、P
PS樹脂と無機充填材を主成分とするものを好ましく挙
げることができる。ここで、PPS樹脂としては、一般
式(I)
【0007】
【化1】
【0008】(式中、R1 は炭素数6以下のアルキル
基、アルコキシル基、フェニル基、カルボン酸/金属
塩、アミノ基、ニトロ基、フッ素、臭素等のハロゲン原
子から選ばれる置換基であり、mは0〜4の整数であ
る。また、nは平均重合度を示し1.3〜30の範囲で
ある)で示される繰り返し単位を70モル%以上有する
重合体を挙げることができる。
基、アルコキシル基、フェニル基、カルボン酸/金属
塩、アミノ基、ニトロ基、フッ素、臭素等のハロゲン原
子から選ばれる置換基であり、mは0〜4の整数であ
る。また、nは平均重合度を示し1.3〜30の範囲で
ある)で示される繰り返し単位を70モル%以上有する
重合体を挙げることができる。
【0009】PPS樹脂は、一般にその製造法により実
質上直鎖状で分岐、架橋構造を有しない分子構造のもの
と、分岐や架橋構造を有する構造のものが知られている
が、本発明においては特に制限なく用いることができ
る。本発明に用いるのに好ましいPPS樹脂として、繰
り返し単位としてpーフェニレンスルフィド単位を70
モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上含有する
ホモポリマーまたはコポリマーが挙げられる。この繰り
返し単位が70モル%未満だと結晶性ポリマーとしての
特徴である本来の結晶性が低くなり充分な機械的物性が
得られなくなる傾向があり好ましくない。共重合構成単
位としては、例えばmーフェニレンスルフィド単位、o
ーフェニレンスルフィド単位、p,p’−ジフェニレン
ケトンスルフィド単位、p,p’−ジフェニレンスルホ
ンスルフィド単位、p,p’−ビフェニレンスルフィド
単位、p,p’−ジフェニレンエーテルスルフィド単
位、p,p’−ジフェニレンメチレンスルフィド単位、
p,p’−ジフェニレンクメニルスルフィド単位、ナフ
チルスルフィド単位などが挙げられる。
質上直鎖状で分岐、架橋構造を有しない分子構造のもの
と、分岐や架橋構造を有する構造のものが知られている
が、本発明においては特に制限なく用いることができ
る。本発明に用いるのに好ましいPPS樹脂として、繰
り返し単位としてpーフェニレンスルフィド単位を70
モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上含有する
ホモポリマーまたはコポリマーが挙げられる。この繰り
返し単位が70モル%未満だと結晶性ポリマーとしての
特徴である本来の結晶性が低くなり充分な機械的物性が
得られなくなる傾向があり好ましくない。共重合構成単
位としては、例えばmーフェニレンスルフィド単位、o
ーフェニレンスルフィド単位、p,p’−ジフェニレン
ケトンスルフィド単位、p,p’−ジフェニレンスルホ
ンスルフィド単位、p,p’−ビフェニレンスルフィド
単位、p,p’−ジフェニレンエーテルスルフィド単
位、p,p’−ジフェニレンメチレンスルフィド単位、
p,p’−ジフェニレンクメニルスルフィド単位、ナフ
チルスルフィド単位などが挙げられる。
【0010】前記PPS樹脂は、例えばジハロゲノ芳香
族化合物と、硫黄源とを有機極性溶媒中でそれ自体公知
の方法より重縮合反応させることにより得ることができ
る。本発明において用いられるPPS樹脂の溶融粘度
は、特に制限はないが、300℃、200秒-1において
5〜100Pa・sの範囲にあることが好ましい。一
方、無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、
マイカ、カオリン、クレー、シリカアルミナ、カーボン
ブラック、炭酸カルシウム、酸化チタン、炭酸リチウ
ム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウ
ム、硫酸マグネシウム、ガラスパウダー、ガラスビー
ズ、ガラスフレーク、ガラスバルーン、窒化ケイ素、窒
化アルミなどの粒子状無機物、ガラス繊維、炭素繊維、
アラミド繊維、チタン酸カリウムウィスカ、炭化ケイ素
ウィスカ、ウォラストナイト、酸化亜鉛ウィスカなどの
繊維状無機物もしくはウィスカ類を挙げることができ
る。これらは一種又は二種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。
族化合物と、硫黄源とを有機極性溶媒中でそれ自体公知
の方法より重縮合反応させることにより得ることができ
る。本発明において用いられるPPS樹脂の溶融粘度
は、特に制限はないが、300℃、200秒-1において
5〜100Pa・sの範囲にあることが好ましい。一
方、無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、
マイカ、カオリン、クレー、シリカアルミナ、カーボン
ブラック、炭酸カルシウム、酸化チタン、炭酸リチウ
ム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウ
ム、硫酸マグネシウム、ガラスパウダー、ガラスビー
ズ、ガラスフレーク、ガラスバルーン、窒化ケイ素、窒
化アルミなどの粒子状無機物、ガラス繊維、炭素繊維、
アラミド繊維、チタン酸カリウムウィスカ、炭化ケイ素
ウィスカ、ウォラストナイト、酸化亜鉛ウィスカなどの
繊維状無機物もしくはウィスカ類を挙げることができ
る。これらは一種又は二種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。
【0011】さらに、無機充填材はPPS樹脂との接着
性を良好にするために、カップリング剤などで表面処理
を施したものを用いてもよい。カップリング剤として
は、シラン系、チタン系の他、従来公知のカップリング
剤の中から任意に選択して用いることができる。これら
の無機充填材の中で、インサートした金属部材と樹脂と
の密着性をより効果的に発現させるには、粒状無機充填
材が好適である。なお、半導体装置用の金属インサート
樹脂成形体には、無機充填材として、シリカ、アルミ
ナ、ガラスビーズが好適である。本発明で用いられるP
PS樹脂成形材料においては、前記PPS樹脂と無機充
填材の配合割合としては特に制限はないが、通常PPS
樹脂100重量部に対し、無機充填材が20〜400重
量部の割合で配合される。この無機充填材の配合量が2
0重量部未満では所望の物性を有する樹脂成形体が得ら
れにくい上、インサートした金属部材と樹脂との密着性
が不充分となることがある。また、400重量部を超え
ると成形材料の流動性が極端に低下し、成形が困難とな
る場合がある上、インサートした金属部材と樹脂との密
着性が低下することがある。
性を良好にするために、カップリング剤などで表面処理
を施したものを用いてもよい。カップリング剤として
は、シラン系、チタン系の他、従来公知のカップリング
剤の中から任意に選択して用いることができる。これら
の無機充填材の中で、インサートした金属部材と樹脂と
の密着性をより効果的に発現させるには、粒状無機充填
材が好適である。なお、半導体装置用の金属インサート
樹脂成形体には、無機充填材として、シリカ、アルミ
ナ、ガラスビーズが好適である。本発明で用いられるP
PS樹脂成形材料においては、前記PPS樹脂と無機充
填材の配合割合としては特に制限はないが、通常PPS
樹脂100重量部に対し、無機充填材が20〜400重
量部の割合で配合される。この無機充填材の配合量が2
0重量部未満では所望の物性を有する樹脂成形体が得ら
れにくい上、インサートした金属部材と樹脂との密着性
が不充分となることがある。また、400重量部を超え
ると成形材料の流動性が極端に低下し、成形が困難とな
る場合がある上、インサートした金属部材と樹脂との密
着性が低下することがある。
【0012】本発明の方法で用いられるPPS樹脂成形
材料には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望に
より、(a)エラストマー、(b)エポキシシラン化合
物、(c)エポキシ樹脂及び(d)その他添加成分を配
合することができる。前記(a)成分のエラストマーと
しては特に制限はなく、例えば、オレフィン系エラスト
マー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラ
ストマー、ビニル共重合体系エラストマー、ジエン系エ
ラストマー、シリコーン系エラストマー等を挙げること
ができる。
材料には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望に
より、(a)エラストマー、(b)エポキシシラン化合
物、(c)エポキシ樹脂及び(d)その他添加成分を配
合することができる。前記(a)成分のエラストマーと
しては特に制限はなく、例えば、オレフィン系エラスト
マー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラ
ストマー、ビニル共重合体系エラストマー、ジエン系エ
ラストマー、シリコーン系エラストマー等を挙げること
ができる。
【0013】オレフィン系エラストマーとしては、α−
オレフィン幹ポリマーに不飽和カルボン酸又はその無水
物をグラフト共重合させたものも挙げることができる。
α−オレフィンとは、エチレン、プロピレン、ブテン−
1,イソブテン、ペンテン−1、4−メチルペンテン−
1、等の重合体あるいはこれらの共重合体が挙げられ、
不飽和カルボン酸又はその無水物としては、マレイン
酸、フマール酸、イタコン酸、メチルマレイン酸、アク
リル酸、メタクリル酸、クロトン酸、シトラコン酸、無
水マレイン酸、無水イタコン酸、無水メチルマレイン
酸、アクリル酸グリシジル等が挙げられる。具体的に
は、その単量体成分がエチレン、α,β−不飽和カルボ
ン酸アルキルエステル、及び無水マレイン酸の共重合体
であって、各々繰り返し単位の含有割合が、50〜90
重量%、5〜49重量%、0.5〜10重量%、好まし
くは、60〜85重量%、7〜45重量%、1〜8重量
%のエチレン系共重合体を挙げることができる。α,β
−不飽和カルボン酸アルキルエステルとしては、炭素数
が3〜8の不飽和カルボン酸、例えば、アクリル酸、メ
タクリル酸などのアルキルエステルであって、具体的に
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
−n−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸
−n−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−t
−ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、
メタクリル酸−n−プロピル、メタクリル酸イソプロピ
ル、メタクリル酸−n−ブチル、メタクリル酸イソブチ
ル、メタクリル酸−t−ブチル等が挙げられる。このエ
チレン系共重合体ついては、MI(190℃、21.1
8Nの条件下での測定値)が、0.1〜1000のもの
が望ましい。好ましくは0.2〜500、さらに好まし
くは1〜100である。
オレフィン幹ポリマーに不飽和カルボン酸又はその無水
物をグラフト共重合させたものも挙げることができる。
α−オレフィンとは、エチレン、プロピレン、ブテン−
1,イソブテン、ペンテン−1、4−メチルペンテン−
1、等の重合体あるいはこれらの共重合体が挙げられ、
不飽和カルボン酸又はその無水物としては、マレイン
酸、フマール酸、イタコン酸、メチルマレイン酸、アク
リル酸、メタクリル酸、クロトン酸、シトラコン酸、無
水マレイン酸、無水イタコン酸、無水メチルマレイン
酸、アクリル酸グリシジル等が挙げられる。具体的に
は、その単量体成分がエチレン、α,β−不飽和カルボ
ン酸アルキルエステル、及び無水マレイン酸の共重合体
であって、各々繰り返し単位の含有割合が、50〜90
重量%、5〜49重量%、0.5〜10重量%、好まし
くは、60〜85重量%、7〜45重量%、1〜8重量
%のエチレン系共重合体を挙げることができる。α,β
−不飽和カルボン酸アルキルエステルとしては、炭素数
が3〜8の不飽和カルボン酸、例えば、アクリル酸、メ
タクリル酸などのアルキルエステルであって、具体的に
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
−n−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸
−n−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−t
−ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、
メタクリル酸−n−プロピル、メタクリル酸イソプロピ
ル、メタクリル酸−n−ブチル、メタクリル酸イソブチ
ル、メタクリル酸−t−ブチル等が挙げられる。このエ
チレン系共重合体ついては、MI(190℃、21.1
8Nの条件下での測定値)が、0.1〜1000のもの
が望ましい。好ましくは0.2〜500、さらに好まし
くは1〜100である。
【0014】ポリアミド系エラストマーとしては、ポリ
アミドハードセグメントと他のソフトセグメントが結合
したポリアミド系ブロック共重合体である。このような
ソフトセグメントとしては、例えば、ポリアルキレンオ
キシド(アルキル基の炭素数2〜6)が代表的なもので
ある。ハードセグメントとしてのポリアミド成分として
は、ポリアミド6、ポリアミド66、ポリアミド6、1
2、ポリアミド11、ポリアミド12等のポリアミドが
挙げられ、ソフトセグメントとしてのポリエーテル成分
としてはポリオキシエチレングリコール、ポリオキシプ
ロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコ
ール等が挙げられる。
アミドハードセグメントと他のソフトセグメントが結合
したポリアミド系ブロック共重合体である。このような
ソフトセグメントとしては、例えば、ポリアルキレンオ
キシド(アルキル基の炭素数2〜6)が代表的なもので
ある。ハードセグメントとしてのポリアミド成分として
は、ポリアミド6、ポリアミド66、ポリアミド6、1
2、ポリアミド11、ポリアミド12等のポリアミドが
挙げられ、ソフトセグメントとしてのポリエーテル成分
としてはポリオキシエチレングリコール、ポリオキシプ
ロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコ
ール等が挙げられる。
【0015】ポリエステル系エラストマーとしては、ハ
ードセグメントに高結晶性の芳香族ポリエステルを、ソ
フトセグメントに非晶性ポリエーテル又は脂肪族ポリエ
ステルを使用したマルチブロックポリマーが用いられ
る。このようなハードセグメントとしては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリシクロヘキサンジメチレンテレフタレート等の
テレフタル酸系結晶性ポリエステルが挙げられ、ソフト
セグメントとしては、例えば、ポリテトラメチレンエー
テルグリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチ
レングリコール等の脂肪族ポリエーテル、又はシュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピ
ロメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等
の脂肪族ジカルボン酸とエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ネ
オペンチルグリコール、ヘキサンジオール、オクタンジ
オール、デカンジオール等のグリコール類とから得られ
る脂肪族ポリエステルが挙げられる。
ードセグメントに高結晶性の芳香族ポリエステルを、ソ
フトセグメントに非晶性ポリエーテル又は脂肪族ポリエ
ステルを使用したマルチブロックポリマーが用いられ
る。このようなハードセグメントとしては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリシクロヘキサンジメチレンテレフタレート等の
テレフタル酸系結晶性ポリエステルが挙げられ、ソフト
セグメントとしては、例えば、ポリテトラメチレンエー
テルグリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチ
レングリコール等の脂肪族ポリエーテル、又はシュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピ
ロメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等
の脂肪族ジカルボン酸とエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ネ
オペンチルグリコール、ヘキサンジオール、オクタンジ
オール、デカンジオール等のグリコール類とから得られ
る脂肪族ポリエステルが挙げられる。
【0016】ジエン系エラストマーとしては、例えば、
天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソ
ブチレン、ネオプレン、ポリスルフィドゴム、チオコー
ルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴ
ム、エピクロロヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブ
ロック共重合体(SBR)、水素添加スチレン−ブタジ
エンブロック共重合体(SEB,SEBC)、スチレン
−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SBS)、
水素添加スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重
合体(SEBS)、スチレン−イソプレンブロック共重
合体(SIR)、水素添加スチレン−イソプレンブロッ
ク共重合体(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレ
ンブロック共重合体(SIS)、水素添加スチレン−イ
ソプレン−スチレンブロック共重合体(SEPS)、ま
たはエチレンプロピレンゴム(EPM)、エチレンプロ
ピレンジエンゴム(EPDM)、あるいはブタジエン−
アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム(AB
S)、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム(MBS)、メチルメタクリレート−ブ
チルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム(MA
S)、オクチルアクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム(MABS)、アルキルアクリレート−
ブタジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェル
ゴム(AABS)、ブタジエン−スチレン−コアシェル
ゴム(SBR)、メチルメタクリレート−ブチルアクリ
レート−シロキサンをはじめとするシロキサン含有コア
シェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、また
はこれらを変性したゴム等が挙げられる。
天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソ
ブチレン、ネオプレン、ポリスルフィドゴム、チオコー
ルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴ
ム、エピクロロヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブ
ロック共重合体(SBR)、水素添加スチレン−ブタジ
エンブロック共重合体(SEB,SEBC)、スチレン
−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SBS)、
水素添加スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重
合体(SEBS)、スチレン−イソプレンブロック共重
合体(SIR)、水素添加スチレン−イソプレンブロッ
ク共重合体(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレ
ンブロック共重合体(SIS)、水素添加スチレン−イ
ソプレン−スチレンブロック共重合体(SEPS)、ま
たはエチレンプロピレンゴム(EPM)、エチレンプロ
ピレンジエンゴム(EPDM)、あるいはブタジエン−
アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム(AB
S)、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム(MBS)、メチルメタクリレート−ブ
チルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム(MA
S)、オクチルアクリレート−ブタジエン−スチレン−
コアシェルゴム(MABS)、アルキルアクリレート−
ブタジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェル
ゴム(AABS)、ブタジエン−スチレン−コアシェル
ゴム(SBR)、メチルメタクリレート−ブチルアクリ
レート−シロキサンをはじめとするシロキサン含有コア
シェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、また
はこれらを変性したゴム等が挙げられる。
【0017】また、ポリオルガノシロキサン系ゴムも挙
げることができ、ポリオルガノシロキサンと架橋剤を共
重合させたものが好ましい。ポリオルガノシロキサンと
しては、例えば、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシク
ロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキ
サン、トリメチルトリフェニルシクロトリシロキサン、
テトラメチルテトラフェニルシクロテトラシロキサン等
が挙げられ、架橋剤としては、3官能性又は4官能性の
シロキサン系架橋剤、例えば、トリメトキシメチルシラ
ン、トリエトキシフェニルシラン、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン等が
挙げられる。
げることができ、ポリオルガノシロキサンと架橋剤を共
重合させたものが好ましい。ポリオルガノシロキサンと
しては、例えば、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、
オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシク
ロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキ
サン、トリメチルトリフェニルシクロトリシロキサン、
テトラメチルテトラフェニルシクロテトラシロキサン等
が挙げられ、架橋剤としては、3官能性又は4官能性の
シロキサン系架橋剤、例えば、トリメトキシメチルシラ
ン、トリエトキシフェニルシラン、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン等が
挙げられる。
【0018】前記(b)成分のエポキシシラン化合物と
しては、エポキシ基を有するシラン化合物をさし、中で
も、1分子中にエポキシ基を1個以上、かつSi−OR
基(Rはアルキル基を示す)を1個以上有するシラン化
合物が好適である。ここでRとしては、炭素数が1〜2
0のアルキル基が挙げられ、中でも炭素数が1〜10の
ものが好ましい。エポキシシランとしては、具体的に
は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β
−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン等が挙げられる。添加方法には特に制限はないが、
例えば、インテグラルブレンド等が挙げられる。
しては、エポキシ基を有するシラン化合物をさし、中で
も、1分子中にエポキシ基を1個以上、かつSi−OR
基(Rはアルキル基を示す)を1個以上有するシラン化
合物が好適である。ここでRとしては、炭素数が1〜2
0のアルキル基が挙げられ、中でも炭素数が1〜10の
ものが好ましい。エポキシシランとしては、具体的に
は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β
−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン等が挙げられる。添加方法には特に制限はないが、
例えば、インテグラルブレンド等が挙げられる。
【0019】前記(c)成分のエポキシ樹脂としては、
分子内にエポキシ基を1個又は2個以上有するものであ
り、液体又は固体状のものを用いることができる。例え
ば、ビスフェノールA、レゾルシノール、ハイドロキノ
ン、ピロカテコール、ビスフェノールF、1,3,5−
トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシジフェニルジ
メチルメタン、4,4’−ジヒドロキシビフェニルなど
のビスフェノールのグリシジルエーテルや、ビスフェノ
ールのかわりにハロゲン化ビスフェノールブタンジオー
ルのジグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテル
系、フタル酸グリシジルエステルなどのグリシジルエス
テル系、N−グリシジルアニリン等のグリシジルアミン
系などのグリシジルエポキシ樹脂、エポキシ化ポリオレ
フィン、またジシクロペンタジエンジオキサイド等の環
状系の非グリシジルエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂にエピクロロヒドリンを反応させて得られるノ
ボラック型エポキシ樹脂、或いは、これらに塩素、臭素
等のハロゲン基、アルコキシル基、カルボキシル基、水
酸基等が置換したものが挙げられる。上記ノボラック型
フェノール樹脂としてはフェノール類とホルムアルデヒ
ドとの縮合反応により得られるものが好適である。
分子内にエポキシ基を1個又は2個以上有するものであ
り、液体又は固体状のものを用いることができる。例え
ば、ビスフェノールA、レゾルシノール、ハイドロキノ
ン、ピロカテコール、ビスフェノールF、1,3,5−
トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシジフェニルジ
メチルメタン、4,4’−ジヒドロキシビフェニルなど
のビスフェノールのグリシジルエーテルや、ビスフェノ
ールのかわりにハロゲン化ビスフェノールブタンジオー
ルのジグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテル
系、フタル酸グリシジルエステルなどのグリシジルエス
テル系、N−グリシジルアニリン等のグリシジルアミン
系などのグリシジルエポキシ樹脂、エポキシ化ポリオレ
フィン、またジシクロペンタジエンジオキサイド等の環
状系の非グリシジルエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂にエピクロロヒドリンを反応させて得られるノ
ボラック型エポキシ樹脂、或いは、これらに塩素、臭素
等のハロゲン基、アルコキシル基、カルボキシル基、水
酸基等が置換したものが挙げられる。上記ノボラック型
フェノール樹脂としてはフェノール類とホルムアルデヒ
ドとの縮合反応により得られるものが好適である。
【0020】前記(d)成分のその他添加成分として
は、例えば、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、着色剤、可
塑剤、導電性付与剤等の各種の添加剤、ポリアミド、シ
リコーン樹脂、シリコーンオイル、種々の官能基を導入
したシリコーンオイル、ポリオレフィン、ポリエーテル
サルフォン、ポリフェニレンエーテル等の樹脂、顔料等
を挙げることができる。本発明で用いられるPPS樹脂
成形材料における前記(a)成分のエラストマー、
(b)成分のエポキシシラン化合物及び(c)成分のエ
ポキシ樹脂の配合量については特に制限はないが、
(a)成分の配合量は、PPS樹脂100重量部に対
し、通常3〜50重量部、好ましくは6〜40重量部の
範囲で選定される。また、(b)成分の配合量は、PP
S樹脂と無機充填材と前記(a)成分との合計量100
重量部に対し、通常0.05〜1.2重量部、好ましく
は0.1〜1.2重量部の範囲で選定される。一方、
(c)成分の配合量は、PPS樹脂と無機充填材と前記
(a)成分との合計量100重量部に対し、通常0.1
〜3重量部、好ましくは0.3〜2.5重量部の範囲で
選定される。
は、例えば、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、着色剤、可
塑剤、導電性付与剤等の各種の添加剤、ポリアミド、シ
リコーン樹脂、シリコーンオイル、種々の官能基を導入
したシリコーンオイル、ポリオレフィン、ポリエーテル
サルフォン、ポリフェニレンエーテル等の樹脂、顔料等
を挙げることができる。本発明で用いられるPPS樹脂
成形材料における前記(a)成分のエラストマー、
(b)成分のエポキシシラン化合物及び(c)成分のエ
ポキシ樹脂の配合量については特に制限はないが、
(a)成分の配合量は、PPS樹脂100重量部に対
し、通常3〜50重量部、好ましくは6〜40重量部の
範囲で選定される。また、(b)成分の配合量は、PP
S樹脂と無機充填材と前記(a)成分との合計量100
重量部に対し、通常0.05〜1.2重量部、好ましく
は0.1〜1.2重量部の範囲で選定される。一方、
(c)成分の配合量は、PPS樹脂と無機充填材と前記
(a)成分との合計量100重量部に対し、通常0.1
〜3重量部、好ましくは0.3〜2.5重量部の範囲で
選定される。
【0021】本発明の方法で用いられるPPS樹脂成形
材料は、PPS樹脂と無機充填材と必要に応じて用いら
れる各添加成分〔(a)〜(d)成分〕を配合し、例え
ば溶融混練することにより、調製することができる。前
記溶融混練は、通常の公知の方法によって行なうことが
できるが、いずれにしても、その際、前記各成分を樹脂
中に均一に混合・分散させることにより、所定の成形材
料とする。溶融混練には、通常二軸押出機、単軸押出機
等を好適に用いることができる。溶融混練の条件として
は、特に制限はないが、通常280〜350℃、好まし
くは285〜330℃の温度において溶融混練される。
本発明においては、銀で表面処理された金属部材を、前
記PPS樹脂成形材料でインサート成形することによ
り、金属インサート樹脂成形体が作製される。成形法と
しては、従来公知の一般のインサート成形法により成形
すればよく、例えば金型の適当な位置に、銀で表面処理
された金属部材を配置し、射出成形によって一体的にイ
ンサート成形する方法が好ましく用いられる。
材料は、PPS樹脂と無機充填材と必要に応じて用いら
れる各添加成分〔(a)〜(d)成分〕を配合し、例え
ば溶融混練することにより、調製することができる。前
記溶融混練は、通常の公知の方法によって行なうことが
できるが、いずれにしても、その際、前記各成分を樹脂
中に均一に混合・分散させることにより、所定の成形材
料とする。溶融混練には、通常二軸押出機、単軸押出機
等を好適に用いることができる。溶融混練の条件として
は、特に制限はないが、通常280〜350℃、好まし
くは285〜330℃の温度において溶融混練される。
本発明においては、銀で表面処理された金属部材を、前
記PPS樹脂成形材料でインサート成形することによ
り、金属インサート樹脂成形体が作製される。成形法と
しては、従来公知の一般のインサート成形法により成形
すればよく、例えば金型の適当な位置に、銀で表面処理
された金属部材を配置し、射出成形によって一体的にイ
ンサート成形する方法が好ましく用いられる。
【0022】本発明はまた、前述の方法により製造され
てなる金属インサート樹脂成形体、及びこの金属インサ
ート樹脂成形体を有する半導体装置をも提供する。前記
金属インサート樹脂成形体としては、例えばコンデン
サ、抵抗体、コイル、マイクロスイッチ、ディップスイ
ッチ、コネクタ類などの電気・電子機器部品が挙げら
れ、半導体装置としては、例えばダイオード、トランジ
スタ、FET、IGBT、IPM、サイリスタ、光半導
体類、IC類などが挙げられる。
てなる金属インサート樹脂成形体、及びこの金属インサ
ート樹脂成形体を有する半導体装置をも提供する。前記
金属インサート樹脂成形体としては、例えばコンデン
サ、抵抗体、コイル、マイクロスイッチ、ディップスイ
ッチ、コネクタ類などの電気・電子機器部品が挙げら
れ、半導体装置としては、例えばダイオード、トランジ
スタ、FET、IGBT、IPM、サイリスタ、光半導
体類、IC類などが挙げられる。
【0023】
【実施例】次に、本発明を実施例により、さらに詳細に
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。 製造例1 攪拌機を備えた重合槽に、含水硫化ナトリウム(Na2
S・5H2 O)833モルと、塩化リチウム830モル
及びN−メチル−2−ピロリドン500リットルを仕込
み、減圧下で145℃に保持して1時間脱水処理した。
次いで反応系を45℃に冷却したのち、ジクロロベンセ
ン905モルを加え、260℃で3時間重合した。得ら
れた生成物を熱水で5回、170℃のN−メチル−2−
ピロリドンで1回、水で3回の順に洗浄し、185℃で
乾燥することにより、PPS樹脂を得た。
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。 製造例1 攪拌機を備えた重合槽に、含水硫化ナトリウム(Na2
S・5H2 O)833モルと、塩化リチウム830モル
及びN−メチル−2−ピロリドン500リットルを仕込
み、減圧下で145℃に保持して1時間脱水処理した。
次いで反応系を45℃に冷却したのち、ジクロロベンセ
ン905モルを加え、260℃で3時間重合した。得ら
れた生成物を熱水で5回、170℃のN−メチル−2−
ピロリドンで1回、水で3回の順に洗浄し、185℃で
乾燥することにより、PPS樹脂を得た。
【0024】このPPS樹脂の300℃、せん断速度2
00/sにおける溶融粘度は12Pa・sであった。な
お、実施例及び比較例において、PPS樹脂成形材料と
して、下記のA、B及びCの3種を用いた。 A:出光石油化学(株)製「出光PPS/C−140S
F」。 B:製造例1で得られたPPS樹脂30重量部とシリカ
〔電気化学工業社製「FB74」〕70重量部を東芝機
械社製二軸押出機「TEM35B」を用い、シリンダ温
度を280〜350℃に設定して溶融混練し、ペレット
化したもの。 C:製造例1で得られたPPS樹脂44重量部とシリカ
(前出)50重量部とオレフィン系共重合体〔住友アト
ケム社製「ロタダ−AX8860」〕6重量部を東芝機
械社製二軸押出機「TEM35B」を用い、シリンダ温
度を280〜350℃に設定して溶融混練し、ペレット
化したもの。
00/sにおける溶融粘度は12Pa・sであった。な
お、実施例及び比較例において、PPS樹脂成形材料と
して、下記のA、B及びCの3種を用いた。 A:出光石油化学(株)製「出光PPS/C−140S
F」。 B:製造例1で得られたPPS樹脂30重量部とシリカ
〔電気化学工業社製「FB74」〕70重量部を東芝機
械社製二軸押出機「TEM35B」を用い、シリンダ温
度を280〜350℃に設定して溶融混練し、ペレット
化したもの。 C:製造例1で得られたPPS樹脂44重量部とシリカ
(前出)50重量部とオレフィン系共重合体〔住友アト
ケム社製「ロタダ−AX8860」〕6重量部を東芝機
械社製二軸押出機「TEM35B」を用い、シリンダ温
度を280〜350℃に設定して溶融混練し、ペレット
化したもの。
【0025】実施例1〜6 銅製のTO−220用リードフレームの表面全体に銀の
無電解メッキ処理を施した。銀メッキ後のフレームの平
均表面粗さRaは0.103μmであった。一方、銅製
のTO−220用リードフレームの表面全体にニッケル
メッキを施し、さらにその上に銀の無電解メッキ処理を
施した。銀メッキ後のフレームの平均表面粗さRaは
0.101μmであった。次に、上記各リードフレーム
に半導体チップをマウントして成形に供した。この半導
体チップをマウントしたリードフレームの平面図を図1
に示す。図1において、符号1は半導体チップ、2はV
溝(リードフレームの辺縁部に設けた断面がV型をした
溝)である。金型内に、これらのリードフレームをセッ
トし、A、B、Cの3種のPPS樹脂成形材料を用い、
射出成形機によりシリンダ温度320℃にて、TO−0
22形状のリードフレームをインサートとした試験部品
を成形した。これらの試験部品について、下記の方法に
より密着性を評価した。その結果を第1表に示す。
無電解メッキ処理を施した。銀メッキ後のフレームの平
均表面粗さRaは0.103μmであった。一方、銅製
のTO−220用リードフレームの表面全体にニッケル
メッキを施し、さらにその上に銀の無電解メッキ処理を
施した。銀メッキ後のフレームの平均表面粗さRaは
0.101μmであった。次に、上記各リードフレーム
に半導体チップをマウントして成形に供した。この半導
体チップをマウントしたリードフレームの平面図を図1
に示す。図1において、符号1は半導体チップ、2はV
溝(リードフレームの辺縁部に設けた断面がV型をした
溝)である。金型内に、これらのリードフレームをセッ
トし、A、B、Cの3種のPPS樹脂成形材料を用い、
射出成形機によりシリンダ温度320℃にて、TO−0
22形状のリードフレームをインサートとした試験部品
を成形した。これらの試験部品について、下記の方法に
より密着性を評価した。その結果を第1表に示す。
【0026】<密着性の評価>試験部品を成形したの
ち、1日間室温放置後、市販の100℃の赤インクの中
に1時間浸漬し、毛細管現象によって金属製リードフレ
ームとPPS樹脂の間隙に侵入したインクの有無を目視
観察し、次に示す判定基準により、金属製リードフレー
ムとPPS樹脂との密着性を評価した。なお、評価はn
=10で行った。 ◎:侵入が全くみられない。 ○:V溝部の外側でインク侵入が止まっている。 △:V溝内までインク侵入がみられるが、チップには到
達していない。 ×:チップまで侵入した。
ち、1日間室温放置後、市販の100℃の赤インクの中
に1時間浸漬し、毛細管現象によって金属製リードフレ
ームとPPS樹脂の間隙に侵入したインクの有無を目視
観察し、次に示す判定基準により、金属製リードフレー
ムとPPS樹脂との密着性を評価した。なお、評価はn
=10で行った。 ◎:侵入が全くみられない。 ○:V溝部の外側でインク侵入が止まっている。 △:V溝内までインク侵入がみられるが、チップには到
達していない。 ×:チップまで侵入した。
【0027】
【表1】
【0028】比較例1〜12 PPS樹脂成形材料として、実施例1〜6で用いたもの
と同じA、B、Cの3種の成形材料を用い、かつ銀で表
面処理をしていない、銅製リードフレーム、ニッケルメ
ッキ処理した銅製リードフレーム及びこれらをシラン処
理したリードフレームを用い、実施例1〜6と同様にし
てインサートした試験部品を成形し、各試験部品につい
て密着性を評価した。その結果を第2表に示す。なお、
リードフレームのシラン処理は、以下に示す方法により
行った。すなわち、リードフレームの表面全体に、γ−
グリシドキシプロピルトリエトキシシランの30重量%
水溶液をスプレーガンで吹き付けたのち、乾燥器内で1
時間乾燥させることにより、シラン処理を行った。
と同じA、B、Cの3種の成形材料を用い、かつ銀で表
面処理をしていない、銅製リードフレーム、ニッケルメ
ッキ処理した銅製リードフレーム及びこれらをシラン処
理したリードフレームを用い、実施例1〜6と同様にし
てインサートした試験部品を成形し、各試験部品につい
て密着性を評価した。その結果を第2表に示す。なお、
リードフレームのシラン処理は、以下に示す方法により
行った。すなわち、リードフレームの表面全体に、γ−
グリシドキシプロピルトリエトキシシランの30重量%
水溶液をスプレーガンで吹き付けたのち、乾燥器内で1
時間乾燥させることにより、シラン処理を行った。
【0029】
【表2】
【0030】
【発明の効果】本発明による金属部材をインサートした
PPS樹脂成形体は、特に金属部材と樹脂との密着性に
優れ、洗浄液などの界面への侵入による腐食、汚染な
ど、密着性の不良による各種の支障を改善し、経済的か
つ効率的に生産することができ、各種の機能部品として
好適である。
PPS樹脂成形体は、特に金属部材と樹脂との密着性に
優れ、洗浄液などの界面への侵入による腐食、汚染な
ど、密着性の不良による各種の支障を改善し、経済的か
つ効率的に生産することができ、各種の機能部品として
好適である。
【図1】実施例及び比較例で用いた半導体チップをマウ
ントしてなるリードフレームの平面図である。
ントしてなるリードフレームの平面図である。
1 半導体チップ 2 V溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B29K 105:16 B29K 105:16 105:22 105:22 503:04 503:04 B29L 9:00 B29L 9:00 31:34 31:34 Fターム(参考) 4F206 AA34 AD03 AG03 AH33 JA02 JA07 JB12 JF02 JF05 JL02 4J002 CN011 DA016 DE106 DE136 DE146 DE186 DE206 DE226 DG046 DG056 DJ006 DJ016 DJ036 DJ046 DJ056 DL006 FA046 FA066 FA086 FA106 GQ05
Claims (4)
- 【請求項1】 予め銀で表面処理された金属部材を、ポ
リフェニレンスルフィド樹脂成形材料でインサート成形
することを特徴とする金属インサート樹脂成形体の製造
方法。 - 【請求項2】 ポリフェニレンスルフィド樹脂成形材料
が、ポリフェニレンスルフィド樹脂と、その100重量
部当たり、無機充填材20〜400重量部を含むもので
ある請求項1記載の金属インサート樹脂成形体の製造方
法。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の方法により製造さ
れてなる金属インサート樹脂成形体。 - 【請求項4】 請求項1又は2記載の方法により製造さ
れた金属インサート樹脂成形体を有することを特徴とす
る半導体装置。
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