JP2002299692A - 反射型ｌｅｄ光源 - Google Patents

反射型ｌｅｄ光源

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健一 山田
Kenichi Ishii
健一 石井
Yasuo Imai
康雄 今井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＬＥＤチップからの放射光を蛍光体で波長変
換させる場合、特に透過形で変換させると変換効率が悪
いことと、蛍光体層の膜厚あるいは蛍光体含有量の増加
に伴い、ＬＥＤチップからの発光と蛍光体からの発光と
の合成光はその色度変化が大きいため、蛍光体層の膜厚
あるいは蛍光体含有量の厳密な制御が必要であった。 【解決手段】 外形が直方体状で上面側中央部に凹部を
形成するとともにこの凹部の表面に反射材を配置し、こ
の反射材を覆うように蛍光体層を形成した基材と、この
基材の凹部上方に配置されたＬＥＤチップと、前記基材
の凹部および前記ＬＥＤチップを包含したかたちで基材
上面より上方に突出した略球形ドームを形成した透明樹
脂を備えた反射型ＬＥＤ光源とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＬＥＤチップか
らの放射光を蛍光体を利用して波長変換し白色光を得る
ための技術、特に一定の色度と高い蛍光体変換効率を得
るための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は特開平１０−９３１４６に記載さ
れている内容であり、ＬＥＤチップ４から発光した波長
の光により励起され、励起波長と異なる波長の蛍光を発
する蛍光染料又は蛍光顔料３が樹脂モールド８に含有さ
れており、外部にはＬＥＤチップ４から発光した光と蛍
光染料又は蛍光顔料３から蛍光した光との合成光が得ら
れる。図５は特開平１０−２４２５１３に記載されてい
る内容であり、ＬＥＤチップ４は窒化物系化合物半導体
で、フォトルミネセンスが含有されたコーティング部３
はセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・
ガーネット系蛍光体(ＹＡＧ蛍光体)の粉末を樹脂やガラ
ス中に含有させコーティングして構成している。
【０００３】この構成においてＬＥＤチップ４周辺に近
接して配置されたフォトルミネセンス蛍光体は、ＬＥＤ
チップ４から発光した強照射強度の光線にさらされ、こ
の発光の少なくても一部を吸収し波長変換して発光す
る。ＬＥＤチップ４からの発光とフォトルミネセンス蛍
光体発光を混色させると白色系の発光を行うことができ
る。例えば、青色系ＬＥＤの発光とその発光を吸収して
黄色系を発光するフォトルミネセンス蛍光体(ＹＡＧ蛍
光体)との混色により白色系の発光が可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＬ
ＥＤ光源では、特開平１０−９３１４６に示される従来
の技術では、ＬＥＤチップ４からの発光と、ＬＥＤチッ
プ４からの発光を分散し含有された蛍光体に照射して蛍
光体を励起し波長変換された発光との合成光が得られる
が、蛍光体が分散して配置されているため、蛍光体の変
換効率が悪いという問題があった。特開平１０−２４２
５１３に示される従来の技術では、ＬＥＤチップ４の周
囲に近接して波長変換蛍光体が配置されているため、Ｌ
ＥＤチップからの発光を蛍光体３により効率よく波長変
換して発光させることが可能になった。しかしながら、
ＬＥＤチップ４からの発光と蛍光体３からの発光とはい
ずれも透過光であるため、表１に示すように蛍光体層の
膜厚あるいは蛍光体含有量を増加させると、その発光出
力は低下する傾向にあった。さらに、蛍光体層の膜厚あ
るいは蛍光体含有量の増加に伴い、ＬＥＤチップ４から
の発光と蛍光体からの発光との合成光はその色度変化が
大きいため、蛍光体層の膜厚あるいは蛍光体含有量の厳
密な制御が必要であった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ＬＥＤ光源から放射される光の
色度を一定に保ちつつ、発光出力の改善も図れるＬＥＤ
光源を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】外形が直方体状で上面側
中央部に凹部を形成するとともにこの凹部の表面に反射
材を配置し、この反射材を覆うように蛍光体層を形成し
た基材と、この基材の凹部上方に配置されたＬＥＤチッ
プと、前記基材の凹部および前記ＬＥＤチップを包含し
たかたちで基材上面より上方に突出した略球形ドームを
形成した透明樹脂を備えたものである。
【０００７】さらにＬＥＤチップからの放射光が紫外光
である場合、透明樹脂には紫外線吸収材を含有させてい
る。また、大きな光出力が要求される場合は外形が長尺
な直方体形状の基材に複数個の前記反射型ＬＥＤ光源を
備えた。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態に係
わる反射型ＬＥＤを図に基づいて説明する。図３はこの
発明の実施の形態に係わる反射型ＬＥＤ光源を示す斜視
図である。図において１は基材、８は透明樹脂であり、
７はＬＥＤチップに接続されている電極であり、１１は
基材１の上側表面に形成された電路である。図３の内部
の構成は図１とまったく同じである。
【０００９】この構成において、ＬＥＤチップ４からの
発光が蛍光体層３に到達した際の反射光を得ているた
め、表１に示すように蛍光体層３の膜厚あるいは蛍光体
含有量の増加した場合に高い発光出力を得ることが可能
である。また、ＬＥＤチップ４を複数個組み込んでいる
ため発光出力はさらに増大する。
【００１０】
【発明の効果】この発明によれば、表２に示すように蛍
光体層３の膜厚あるいは蛍光体含有量の変化に対して得
られる発光はその色度が容易に変化しないため、蛍光体
層３の膜厚あるいは蛍光体含有量を厳密に制御しなくて
もほぼ一定の色度の発光が得られ、製造面で優位であ
る。なお、表１に各含有量のＹＡＧ蛍光体含有シートに
光出力6ｍＷの青色光を照射した際の透過光の全放射束
および色度座標を、表２には同様に照射した際の反射光
の全放射束および色度座標をそれぞれ示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１による反射型ＬＥＤ
光源を示す断面図である。
【図２】 図１の斜視図である。
【図３】 この発明の実施の形態１による反射型ＬＥＤ
光源の別の例を示す断面図である。
【図４】 従来のＬＥＤ光源の断面図である。
【図５】 従来のＬＥＤ光源の別の例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 基材、２ 反射材、３ 蛍光体層、４ ＬＥＤチッ
プ、５ 基板、６ 金線、７ 電極、８ 透明樹脂、９
メタルステム、１０ メタルポスト、１１電路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 康雄 神奈川県鎌倉市大船二丁目14番40号 三菱 電機照明株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA11 AA14 CA40 CA46 DA12 DA13 DA36 DA43 DA46 EE25

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外形が直方体状で上面側中央部に凹部を
    形成するとともにこの凹部の表面に反射材を配置し、こ
    の反射材を覆うように蛍光体層を形成した基材と、この
    基材の凹部上方に配置されたＬＥＤチップと、前記基材
    の凹部および前記ＬＥＤチップを包含したかたちで基材
    上面より上方に突出した略球形ドームを形成した透明樹
    脂を備えた反射型ＬＥＤ光源。
  2. 【請求項２】 ＬＥＤチップからの放射光は紫外光であ
    り透明樹脂には紫外線吸収材が含まれている請求項１記
    載の反射型ＬＥＤ光源。
  3. 【請求項３】 外形が長尺な直方体形状の基材に複数個
    の前記反射型ＬＥＤ光源を備えた請求項１、２記載の反
    射型ＬＥＤ光源。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093681A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005191111A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005347467A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
JP2006269487A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
KR100681498B1 (ko) 2005-03-18 2007-02-09 가부시키가이샤후지쿠라 분말상 형광체, 그 제조방법, 발광 장치 및 조명 기구
US7498734B2 (en) 2003-06-18 2009-03-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device with wavelength converted by phosphor
KR100912442B1 (ko) 2007-07-19 2009-08-14 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
CN105023994A (zh) * 2014-04-15 2015-11-04 晶元光电股份有限公司 发光装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7498734B2 (en) 2003-06-18 2009-03-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device with wavelength converted by phosphor
JP2005093681A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005191111A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005347467A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
KR100681498B1 (ko) 2005-03-18 2007-02-09 가부시키가이샤후지쿠라 분말상 형광체, 그 제조방법, 발광 장치 및 조명 기구
JP2006269487A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
KR100912442B1 (ko) 2007-07-19 2009-08-14 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
CN105023994A (zh) * 2014-04-15 2015-11-04 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN105023994B (zh) * 2014-04-15 2019-02-22 晶元光电股份有限公司 发光装置

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