JP2002299243A - Vapor growth equipment and vapor growth method - Google Patents
Vapor growth equipment and vapor growth methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体膜の気相成
長装置及び気相成長方法に関し、さらに詳細には、原料
ガスの反応管内への供給方向が基板に実質的に平行とな
るように配置された横形反応管のガス導入部から原料ガ
スを含むガスを供給して、加熱された基板上に均一で結
晶性の良好な半導体膜を効率よく気相成長させる気相成
長装置及び気相成長方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for vapor-phase growth of a semiconductor film, and more particularly, to a method of supplying a source gas into a reaction tube so as to be substantially parallel to a substrate. A vapor growth apparatus and a vapor phase for supplying a gas containing a raw material gas from a gas introduction portion of an arranged horizontal reaction tube to efficiently vapor-grow a semiconductor film having good uniform crystallinity on a heated substrate. Regarding the growth method.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、窒化ガリウム系化合物半導体が、
発光ダイオードやレーザーダイオード等の素子として、
光通信分野を中心に急速に需要が高まっている。窒化ガ
リウム系化合物半導体の製造方法としては、例えばトリ
メチルガリウム、トリメチルインジウム、またはトリメ
チルアルミニウム等の有機金属ガスをIII族金属源とし
て、アンモニアを窒素源として用い、あらかじめ反応管
内にセットされたサファイヤ等の基板上に窒化ガリウム
系化合物の半導体膜を気相成長させて成膜する方法が知
られている。2. Description of the Related Art In recent years, gallium nitride-based compound semiconductors have been
As elements such as light emitting diodes and laser diodes,
Demand is growing rapidly, especially in the optical communication field. As a method for producing a gallium nitride-based compound semiconductor, for example, an organic metal gas such as trimethylgallium, trimethylindium, or trimethylaluminum is used as a Group III metal source, ammonia is used as a nitrogen source, and sapphire or the like is set in a reaction tube in advance. There is known a method of forming a gallium nitride-based compound semiconductor film on a substrate by vapor-phase growth.
【0003】また、前記窒化ガリウム系化合物半導体を
製造するための装置としては、基板を載せるためのサセ
プタ、基板を加熱するためのヒーター、原料ガスの反応
管内への供給方向が基板に平行となるように配置された
原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を備えた横形反応
管からなる気相成長装置がある。この横形反応管を有す
る気相成長装置においては、基板を反応管内のサセプタ
に載せ、ヒーターで加熱した後、基板に平行な方向から
原料ガスを含むガスを供給することにより、基板上に半
導体膜を気相成長させて成膜する構成となっている。Further, as an apparatus for manufacturing the gallium nitride-based compound semiconductor, a susceptor for mounting a substrate, a heater for heating the substrate, and a supply direction of a raw material gas into a reaction tube are parallel to the substrate. There is a vapor phase growth apparatus comprising a horizontal reaction tube provided with a source gas inlet and a reaction gas outlet arranged as described above. In a vapor phase growth apparatus having this horizontal reaction tube, the substrate is placed on a susceptor in the reaction tube, heated by a heater, and then a gas containing a source gas is supplied from a direction parallel to the substrate, whereby a semiconductor film is formed on the substrate. Is formed by vapor-phase growth.
【0004】このような横形反応管においては、基板付
近の熱対流により原料ガスが拡散し効率よく基板に到達
しないため、均一で結晶性が良好な半導体膜が得られな
い、あるいは成長速度が遅いという問題点があった。し
かし、近年において、基板と対向する反応管壁に押圧ガ
ス導入部を設けて、キャリアガス等の反応に影響を与え
ない押圧ガスを基板と垂直方向に反応管内に供給し、原
料ガスの流れを基板に吹付ける方向に変更させた気相成
長装置あるいは気相成長方法が開発されている。これに
よると、押圧ガスの流量を、原料ガスの種類及び流量、
基板の加熱温度等に応じて適宜制御することにより、結
晶性の良好な半導体膜が得られるとされている。In such a horizontal reaction tube, the source gas diffuses due to thermal convection near the substrate and does not reach the substrate efficiently, so that a uniform and good crystallinity semiconductor film cannot be obtained or the growth rate is low. There was a problem. However, in recent years, a pressurized gas introducing portion is provided on a reaction tube wall facing the substrate, and a pressurized gas which does not affect the reaction such as a carrier gas is supplied into the reaction tube in a direction perpendicular to the substrate, thereby reducing the flow of the raw material gas. A vapor phase growth apparatus or a vapor phase growth method in which the direction of spraying onto a substrate is changed has been developed. According to this, the flow rate of the pressurized gas, the type and flow rate of the raw material gas,
It is described that a semiconductor film with good crystallinity can be obtained by appropriately controlling the temperature of the substrate according to the heating temperature.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
気相成長装置あるいは気相成長方法においては、直交す
るガス流、すなわち原料ガスを含むガスと押圧ガスが基
板上で混合されるため、ガス流に乱れが生じやすく制御
が困難な場合があった。例えば、大型の基板の気相成長
あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合は、
基板上の広範囲にわたって均一な濃度で原料ガスを供給
することは困難であった。また、前述のトリメチルガリ
ウム、トリメチルインジウム、またはトリメチルアルミ
ニウムを原料として用いた気相成長においても、基板の
加熱温度として1000℃以上の高温が必要であるた
め、基板上では複雑なガス流となりこれを制御すること
は難しかった。However, in the vapor phase growth apparatus or the vapor phase growth method described above, since the gas flows orthogonal to each other, that is, the gas containing the source gas and the pressing gas are mixed on the substrate, the gas flow There was a case where disturbance was easily generated and control was difficult. For example, when performing vapor phase growth of a large substrate or simultaneous vapor phase growth of a plurality of substrates,
It has been difficult to supply the source gas at a uniform concentration over a wide range on the substrate. Also, in the vapor phase growth using the above-mentioned trimethylgallium, trimethylindium, or trimethylaluminum as a raw material, a high temperature of 1000 ° C. or more is required as a substrate heating temperature, so that a complicated gas flow is generated on the substrate. It was difficult to control.
【0006】従って、本発明が解決しようとする課題
は、横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板
の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行な
う場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気
相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性
が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができ
る気相成長装置あるいは気相成長方法を提供することで
ある。Therefore, the problem to be solved by the present invention is that even when performing vapor phase growth of a large substrate or simultaneous vapor phase growth of a plurality of substrates in vapor phase growth using a horizontal reaction tube, Even in the case where the vapor phase growth temperature is set to a high temperature, the vapor phase growth apparatus or the vapor phase growth apparatus which can efficiently vapor-grow a semiconductor film having good crystallinity uniformly on a substrate. It is to provide a phase growth method.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決すべく鋭意検討した結果、横形反応管を用い
る気相成長において、サセプタとこれに対向する反応管
壁部の間隙を、原料ガス導入部とサセプタ間における反
応管壁の垂直方向の間隙より狭い構成とすることによ
り、基板付近の熱対流によるガス流の乱れ、あるいは原
料ガスの拡散を抑制できることを見い出し本発明に到達
した。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve these problems, the present inventors have found that in vapor phase growth using a horizontal reaction tube, the gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is reduced. The present invention was found to be able to suppress the gas flow turbulence due to thermal convection near the substrate or the diffusion of the raw material gas by using a configuration narrower than the vertical gap of the reaction tube wall between the raw material gas inlet and the susceptor. did.
【0008】すなわち本発明は、基板を載せるためのサ
セプタ、該基板を加熱するためのヒーター、原料ガスの
反応管内への供給方向が該基板に実質的に平行となるよ
うに配置された原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を
有する横形反応管からなる半導体膜の気相成長装置であ
って、サセプタと該サセプタに対向する反応管壁部の間
隙が、原料ガス導入部のガス供給口と該サセプタの原料
ガス流路上流側端部の間の反応管壁における垂直方向の
間隙より狭い構成であることを特徴とする気相成長装置
である。That is, according to the present invention, there is provided a susceptor for mounting a substrate, a heater for heating the substrate, and a source gas arranged such that a supply direction of the source gas into the reaction tube is substantially parallel to the substrate. An apparatus for vapor-phase growth of a semiconductor film comprising a horizontal reaction tube having an introduction part and a reaction gas discharge part, wherein a gap between a susceptor and a wall of the reaction tube facing the susceptor has a gas supply port of a source gas introduction part. A vapor phase growth apparatus characterized in that the susceptor is narrower than a vertical gap in a wall of a reaction tube between upstream ends of source gas flow paths of the susceptor.
【0009】また、本発明は、基板を横形反応管内のサ
セプタに載せ、該基板をヒーターで加熱し、該基板に実
質的に平行な方向から原料ガスを含むガスを供給して、
該基板に半導体膜を気相成長させる方法であって、サセ
プタと該サセプタに対向する反応管壁部の間隙が、原料
ガス導入部のガス供給口と該サセプタの原料ガス流路上
流側端部の間の反応管壁における垂直方向の間隙より狭
い構成の横形反応管内に、原料ガスを含むガスを供給し
て気相成長させることを特徴とする気相成長方法でもあ
る。Further, according to the present invention, a substrate is placed on a susceptor in a horizontal reaction tube, the substrate is heated by a heater, and a gas containing a source gas is supplied to the substrate from a direction substantially parallel to the substrate.
A method of vapor-phase growing a semiconductor film on the substrate, wherein a gap between a susceptor and a wall of a reaction tube facing the susceptor is formed by a gas supply port of a source gas introduction unit and an upstream end of a source gas flow path of the susceptor. The gas phase growth method is characterized in that a gas containing a raw material gas is supplied into a horizontal reaction tube having a configuration narrower than a vertical gap in the wall of the reaction tube during the gas phase growth.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の気相成長装置及び気相成
長方法は、基板を横形反応管内のサセプタに載せ、ヒー
ターで加熱した後、基板に平行な方向から原料ガスを含
むガスを供給することにより、基板上に半導体膜を気相
成長させて成膜する気相成長装置及び気相成長方法に適
用される。本発明の気相成長装置は、サセプタとこれに
対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部のガス供
給口とサセプタの原料ガス流路上流側端部の間の反応管
壁における垂直方向の間隙より狭い構成の気相成長装置
である。また、本発明の気相成長方法は、サセプタとこ
れに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部のガ
ス供給口とサセプタの原料ガス流路上流側端部の間の反
応管壁における垂直方向の間隙より狭い構成の横形反応
管内に、原料ガスを含むガスを供給して気相成長させる
気相成長方法である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In a vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method according to the present invention, a substrate is placed on a susceptor in a horizontal reaction tube, heated by a heater, and then a gas containing a source gas is supplied from a direction parallel to the substrate. Accordingly, the present invention is applied to a vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method for forming a semiconductor film on a substrate by vapor phase growth. In the vapor phase growth apparatus according to the present invention, the gap between the susceptor and the reaction tube wall facing the susceptor is perpendicular to the reaction tube wall between the gas supply port of the source gas inlet and the upstream end of the source gas flow path of the susceptor. This is a vapor phase growth apparatus configured to be narrower than the gap in the direction. Further, in the vapor phase growth method of the present invention, the gap between the susceptor and the reaction tube wall facing the susceptor may be such that the reaction tube wall between the gas supply port of the source gas introduction unit and the upstream end of the source gas flow path of the susceptor. Is a vapor phase growth method in which a gas containing a raw material gas is supplied into a horizontal reaction tube having a configuration narrower than the vertical gap in and vapor-phase grown.
【0011】本発明の気相成長装置及び気相成長方法に
おいては、基板の種類、大きさ、数量、あるいは原料の
種類、流量等には特に限定されることはない。しかし、
基板については、特に4inch以上の大型基板の気相
成長あるいは6枚の基板の同時気相成長等を行なう場合
に、基板上の広範囲にわたって熱対流によるガスの乱れ
及び原料ガスの拡散を軽減できる点で本発明の効果を充
分に発揮させることができる。尚、基板の種類として
は、サファイヤ、SiC、バルクガリウムナイトライド
等を例示することができる。In the vapor phase growth apparatus and the vapor phase growth method of the present invention, there is no particular limitation on the type, size and quantity of the substrate, or the type and flow rate of the raw material. But,
With respect to the substrate, particularly when performing vapor phase growth of a large substrate of 4 inches or more or simultaneous vapor phase growth of six substrates, gas turbulence and diffusion of source gas due to thermal convection over a wide range on the substrate can be reduced. Thus, the effect of the present invention can be sufficiently exhibited. Incidentally, examples of the type of the substrate include sapphire, SiC, bulk gallium nitride, and the like.
【0012】また、原料の種類については、特に基板の
加熱温度を1000℃以上とする必要がある気相成長を
行なう場合に、基板上の急激な熱対流によるガスの乱れ
及び原料ガスの拡散を軽減できる点で本発明の効果を充
分に発揮させることができる。このような原料を使用す
る気相成長としては、トリメチルガリウム、トリエチル
ガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウ
ム、トリメチルアルミニウム、またはトリエチルアルミ
ニウムをIII族金属源とし、アンモニア、モノメチルヒ
ドラジン、ジメチルヒドラジン、tert-ブチルヒド
ラジン、またはトリメチルアミンを窒素源とする窒化ガ
リウム系化合物半導体の気相成長を例示することができ
る。Regarding the kind of the raw material, particularly when performing vapor phase growth in which the heating temperature of the substrate needs to be 1000 ° C. or higher, gas turbulence and diffusion of the raw material gas due to rapid thermal convection on the substrate are reduced. The effect of the present invention can be sufficiently exhibited in that it can be reduced. As the vapor phase growth using such a raw material, trimethyl gallium, triethyl gallium, trimethyl indium, triethyl indium, trimethyl aluminum, or triethyl aluminum as a group III metal source, ammonia, monomethyl hydrazine, dimethyl hydrazine, tert-butyl hydrazine Or a vapor phase growth of a gallium nitride-based compound semiconductor using trimethylamine as a nitrogen source.
【0013】以下、本発明の気相成長装置を、図1に基
づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定さ
れるものではない。図1は、本発明の気相成長装置の一
例を示す垂直断面図である。本発明の気相成長装置は、
図1のように、基板2、基板を保持し回転させるための
サセプタ3、基板を加熱するためのヒーター4、原料ガ
スの反応管内への供給方向が基板に実質的に平行となる
ように配置された原料ガス導入部5、及び反応ガス排出
部6を有する横形反応管1からなり、サセプタ3とこれ
に対向する反応管壁部7の間隙が、原料ガス導入部のガ
ス供給口11とサセプタの原料ガス流路上流側端部12
の間の反応管壁8における垂直方向の間隙より狭くなる
ように構成された気相成長装置である。Hereinafter, the vapor phase growth apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited thereto. FIG. 1 is a vertical sectional view showing one example of the vapor phase growth apparatus of the present invention. The vapor phase growth apparatus of the present invention
As shown in FIG. 1, a substrate 2, a susceptor 3 for holding and rotating the substrate, a heater 4 for heating the substrate, and a source gas supply direction arranged in a reaction tube are substantially parallel to the substrate. And a gap between the susceptor 3 and the reaction tube wall 7 opposed to the susceptor 3. Upstream end 12 of raw gas flow path
Is a vapor phase growth apparatus configured to be narrower than the vertical gap in the reaction tube wall 8 between the two.
【0014】本発明の気相成長装置において、サセプタ
とこれに対向する反応管壁部の間隙は、平均値で、原料
ガス導入部のガス供給口とサセプタの原料ガス流路上流
側端部の間の反応管壁における垂直方向の間隙の20〜
99%、好ましくは30〜95%である。サセプタとこ
れに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部とサ
セプタ間の反応管壁の垂直方向の間隙の20%未満の場
合は、原料ガスを含むガスの流れが速くなりすぎ、原料
ガスが気相成長反応に充分使用されないで反応ガス排出
部から排出される虞を生じる。また、99%を越える場
合は、基板付近の熱対流によるガス流の乱れ、あるいは
原料ガスの拡散を抑制する効果が少なくなる。In the vapor phase growth apparatus according to the present invention, the gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is, on average, between the gas supply port of the source gas inlet and the upstream end of the source gas flow path of the susceptor. Of the vertical gap in the reaction tube wall between 20 and
It is 99%, preferably 30-95%. If the gap between the susceptor and the reaction tube wall facing the susceptor is less than 20% of the vertical gap between the reaction gas wall and the susceptor, the flow of the gas containing the material gas becomes too fast, There is a possibility that the source gas will not be sufficiently used for the vapor phase growth reaction and will be discharged from the reaction gas discharge part. If it exceeds 99%, the effect of suppressing the turbulence of the gas flow due to the thermal convection near the substrate or the diffusion of the source gas decreases.
【0015】本発明の気相成長装置においては、前記の
ような構成とするために、通常は原料ガス流路の上流か
ら下流に向かって、原料ガス導入部のガス供給口11と
サセプタの原料ガス流路上流側端部12の間の位置で、
反応管壁の垂直方向の間隙が狭くなり始め、サセプタが
配置されている位置(12と14の間)では、サセプタ
とこれに対向する反応管壁部の間隙が一定になるように
設定される。また、図1の気相成長装置においては、1
1と12の間の反応管壁8は、上部反応管壁と下部反応
管壁の両方が傾斜して下流方向に向かって間隙が狭くな
るように設定されているが、上部反応管壁と下部反応管
壁のどちらか一方が傾斜することにより下流方向に向か
って間隙が狭くなるように設定することもできる。この
ような構成の場合は、サセプタと該サセプタに対向する
反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部のガス供給口5に
おける垂直方向の間隙の10〜98%とすることが好ま
しい。尚、サセプタとこれに対向する反応管壁部の間隙
は、通常は20mm以下、好ましくは10mm以下であ
る。In the vapor phase growth apparatus of the present invention, in order to achieve the above-described configuration, the gas supply port 11 of the raw material gas inlet and the raw material of the susceptor are usually arranged from upstream to downstream of the raw material gas flow path. At a position between the gas flow path upstream end portions 12,
The gap in the vertical direction of the reaction tube wall starts to narrow, and at the position where the susceptor is disposed (between 12 and 14), the gap between the susceptor and the reaction tube wall facing the susceptor is set to be constant. . In the vapor phase growth apparatus of FIG.
The reaction tube wall 8 between 1 and 12 is set so that both the upper reaction tube wall and the lower reaction tube wall are inclined to narrow the gap toward the downstream direction. The gap can also be set so that the gap becomes narrower in the downstream direction when one of the reaction tube walls is inclined. In such a configuration, the gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is preferably 10 to 98% of the vertical gap at the gas supply port 5 of the raw material gas introduction unit. The gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is usually 20 mm or less, preferably 10 mm or less.
【0016】本発明のような横形反応管においては、サ
セプタと対向する反応管壁部が高温に加熱されるため、
この近辺で原料ガスの熱分解反応が発生して、分解生成
物または反応生成物が反応管壁部に析出しやすいという
問題点がある。そのため、本発明の気相成長装置におい
ては、サセプタに対向する反応管壁部7を、通気性を有
する微多孔部とするとともに、この微多孔部を介して反
応管内へ原料を含まないガスを供給するための導入部9
を設けて、気相成長の際に分解生成物または反応生成物
の析出を抑制できる構成とすることが好ましい。尚、前
記のような構成とせずに、サセプタと対向する反応管壁
部表面の構成材料を、分解生成物または反応生成物が析
出しにくい石英とすることもできる。In the horizontal reaction tube of the present invention, the reaction tube wall facing the susceptor is heated to a high temperature.
There is a problem that a thermal decomposition reaction of the raw material gas occurs in the vicinity thereof, and a decomposition product or a reaction product is easily deposited on the wall of the reaction tube. Therefore, in the vapor phase growth apparatus of the present invention, the reaction tube wall 7 facing the susceptor is formed as a gas-permeable microporous portion, and gas containing no raw material is introduced into the reaction tube through the microporous portion. Introduction section 9 for supply
Is preferably provided so that deposition of decomposition products or reaction products during vapor phase growth can be suppressed. Instead of the above-described configuration, the constituent material on the surface of the reaction tube wall facing the susceptor may be quartz in which decomposition products or reaction products are unlikely to precipitate.
【0017】また、本発明における以上のような構成
は、原料ガス導入部のガス供給口が一つである気相成長
装置、あるいは原料ガス導入部のガス流路が、仕切板ま
たはノズルにより上下方向に区切られた気相成長装置の
いずれにも適用することができる。仕切板またはノズル
により上下方向に区切られた構成の例としては、原料ガ
ス導入部の上部ガス流路が、トリメチルガリウム、トリ
エチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルイ
ンジウム、トリメチルアルミニウム、またはトリエチル
アルミニウムを含むガスを供給するための流路で、下部
ガス流路が、アンモニア、モノメチルヒドラジン、ジメ
チルヒドラジン、tert-ブチルヒドラジン、または
トリメチルアミンを供給するための流路である気相成長
装置を挙げることができる。Further, the above-described structure of the present invention can be achieved by a vapor-phase growth apparatus having a single gas supply port of a source gas introduction section, or a gas flow path of a source gas introduction section which is vertically moved by a partition plate or a nozzle. The present invention can be applied to any of the vapor deposition devices partitioned in the direction. As an example of the configuration vertically divided by the partition plate or the nozzle, the upper gas flow path of the raw material gas introduction section, trimethyl gallium, triethyl gallium, trimethyl indium, triethyl indium, trimethyl aluminum, or a gas containing triethyl aluminum As a flow path for supplying, a gas phase growth apparatus in which a lower gas flow path is a flow path for supplying ammonia, monomethylhydrazine, dimethylhydrazine, tert-butylhydrazine, or trimethylamine can be given.
【0018】次に、本発明の気相成長方法について詳細
に説明する。本発明の気相成長方法は、前述の本発明の
気相成長装置を用いて、基板に半導体膜を気相成長させ
る方法であり、サセプタとこれに対向する反応管壁部の
間隙が、原料ガス導入部のガス供給口とサセプタの原料
ガス流路上流側端部の間の反応管壁における垂直方向の
間隙より狭い構成の横形反応管内に、原料ガスを含むガ
スを供給して気相成長させる気相成長方法である。Next, the vapor phase growth method of the present invention will be described in detail. The vapor phase growth method of the present invention is a method of vapor phase growing a semiconductor film on a substrate using the above-described vapor phase growth apparatus of the present invention, wherein a gap between a susceptor and a reaction tube wall facing the susceptor is a raw material. A gas containing a source gas is supplied into a horizontal reaction tube having a configuration narrower than a vertical gap in a wall of a reaction tube between a gas supply port of a gas inlet and an upstream end of a source gas flow path of a susceptor, and vapor phase growth is performed. This is a vapor growth method.
【0019】尚、本発明の気相成長方法においては、さ
らにサセプタと対向する反応管壁部を、通気性を有する
微多孔部とするとともに、微多孔部から原料を含まない
ガスを供給することにより、原料ガスの分解生成物また
は反応生成物の析出を抑制して気相成長させることが好
ましい。原料を含まないガスとしては、気相成長反応に
影響がないものであれば特に制限されることがなく、ヘ
リウム、アルゴン等の不活性ガスのほか、水素、窒素等
も使用し得る。In the vapor phase growth method of the present invention, the wall of the reaction tube facing the susceptor is formed as a microporous part having air permeability, and a gas containing no raw material is supplied from the microporous part. Therefore, it is preferable to carry out vapor phase growth while suppressing the deposition of decomposition products or reaction products of the source gas. The gas containing no raw material is not particularly limited as long as it does not affect the vapor phase growth reaction. In addition to inert gases such as helium and argon, hydrogen, nitrogen and the like can be used.
【0020】本発明の気相成長方法においては、サセプ
タとこれに対向する反応管壁部の間隙が狭くこの領域で
はガスの流れが速くなる。そのため、気相成長反応が従
来の横形反応管に比べて下流側で起こる傾向があり、気
相成長反応の進行がサセプタの中心に対応する位置とサ
セプタの下流側端部に対応する位置の間の領域内でピー
クに達するように容易に設定することができる。このこ
とにより、分解生成物または反応生成物の析出をサセプ
タに対向する反応管壁部で少なく、これより下流側の反
応管壁で多くなるようにさせて、基板上への析出物の落
下を防止することができる。In the vapor phase growth method according to the present invention, the gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is narrow, and the gas flow is increased in this region. Therefore, the vapor phase growth reaction tends to occur on the downstream side as compared with the conventional horizontal reaction tube, and the progress of the vapor phase growth reaction is between a position corresponding to the center of the susceptor and a position corresponding to the downstream end of the susceptor. Can easily be set so as to reach the peak in the region of. As a result, deposition of decomposition products or reaction products is reduced at the reaction tube wall facing the susceptor, and increased at the downstream reaction tube wall. Can be prevented.
【0021】また、このような気相成長を行なう際は、
基板を自転及び/または公転させることが好ましい。本
発明の気相成長方法は、基板の最高加熱温度が600℃
程度の比較的低い温度の気相成長から1000℃以上の
比較的高い温度の気相成長まで幅広く適用することがで
きる。また、本発明の気相成長方法における横形反応管
内の圧力は、常圧のほか、減圧乃至0.1MPa/cm
2Gのような加圧下とすることも可能である。In performing such a vapor phase growth,
Preferably, the substrate is rotated and / or revolved. In the vapor phase growth method of the present invention, the maximum heating temperature of the substrate is 600 ° C.
It can be widely applied from vapor deposition at a relatively low temperature to vapor deposition at a relatively high temperature of 1000 ° C. or higher. In the vapor phase growth method of the present invention, the pressure in the horizontal reaction tube is not only normal pressure but also reduced pressure to 0.1 MPa / cm.
It is also possible to pressure such as 2 G.
【0022】本発明において原料ガスとは、結晶成長の
際に、結晶構成元素として結晶中に取り込まれる元素の
供給源となるガスを意味するものである。このような気
相成長用の原料ガスとしては、目的とする半導体膜によ
って異なり、例えばアルシン、ホスフィン、シラン等の
金属水素化物、トリメチルガリウム、トリメチルインジ
ウム、トリメチルアルミニウム等の有機金属化合物、ア
ンモニア、ヒドラジン、アルキルアミン等が用いられ
る。また、原料ガスを含むガスとしては、上記原料ガス
が水素、ヘリウム、アルゴン、窒素などのガスによって
希釈されて供給されるガスを用いることができる。In the present invention, the raw material gas means a gas serving as a supply source of an element taken into a crystal as a crystal constituent element during crystal growth. Such a source gas for vapor phase growth depends on the intended semiconductor film, and includes, for example, metal hydrides such as arsine, phosphine, and silane; organometallic compounds such as trimethylgallium, trimethylindium, and trimethylaluminum; ammonia; and hydrazine. , Alkylamines and the like are used. Further, as the gas containing the source gas, a gas supplied by diluting the source gas with a gas such as hydrogen, helium, argon, or nitrogen can be used.
【0023】[0023]
【実施例】次に、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明がこれらにより限定されるものではない。Next, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0024】実施例1 (気相成長装置の製作)図1の垂直断面図に示す気相成
長装置と同様の構成であって、石英製の横形反応管(内
寸法で、幅280mm(微多孔部)、長さ1500m
m)からなる気相成長装置を製作した。原料ガス導入部
のガス供給口における反応管壁の垂直方向の間隙は20
mm、サセプタとこれに対向する反応管壁部の間隙は1
4mmに設定した。Example 1 (Production of vapor phase epitaxy apparatus) The same configuration as that of the vapor phase epitaxy apparatus shown in the vertical sectional view of FIG. Part), length 1500m
m) was manufactured. The vertical gap of the reaction tube wall at the gas supply port of the raw material gas introduction section is 20
mm, the gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is 1 mm.
It was set to 4 mm.
【0025】また、原料ガス導入部とサセプタの間の反
応管壁は、上部反応管壁、下部反応管壁の両方が、サセ
プタの上流側端部から120mm上流側の位置から傾斜
した構成となるように設定した。尚、反応管壁の原料ガ
ス流路方向に対する傾斜角度は、上部反応管壁の傾斜角
度が下部反応管壁の傾斜角度の2倍となるようにした。
サセプタ及びヒーターは、外径260mmの円形状で、
直径2インチの基板1枚をサセプタの中心部、5枚をサ
セプタの周辺部に等間隔でセットして、6枚を同時に処
理できるものとした。The wall of the reaction tube between the source gas inlet and the susceptor has a structure in which both the upper reaction tube wall and the lower reaction tube wall are inclined from a position 120 mm upstream from the upstream end of the susceptor. Was set as follows. The inclination angle of the reaction tube wall with respect to the source gas flow path direction was such that the inclination angle of the upper reaction tube wall was twice the inclination angle of the lower reaction tube wall.
The susceptor and heater are circular with an outer diameter of 260 mm.
One substrate having a diameter of 2 inches was set at the center of the susceptor and five at the periphery of the susceptor at equal intervals, and six substrates could be processed simultaneously.
【0026】(気相成長実験)この装置を用いて、以下
のように直径2インチのサファイヤ基板上にGaNの結
晶成長を行なった。サファイヤ基板をサセプタ上にセッ
トし、反応管内を水素ガスで置換した後、原料ガス導入
部の上部ガス流路から水素65L/minを供給すると
ともに、微多孔部から原料を含まないガスとして水素ガ
スを20L/minで供給しながら基板を1150℃に
加熱し、基板の熱処理を10分間行なった。(Vapor Phase Growth Experiment) Using this apparatus, GaN crystal was grown on a sapphire substrate having a diameter of 2 inches as follows. After the sapphire substrate was set on the susceptor and the inside of the reaction tube was replaced with hydrogen gas, 65 L / min of hydrogen was supplied from the upper gas flow path of the raw material gas introduction part, and hydrogen gas was supplied from the microporous part as a gas containing no raw material. Was supplied at a rate of 20 L / min, the substrate was heated to 1150 ° C., and the substrate was heat-treated for 10 minutes.
【0027】次に、基板の反応温度を500℃に下げ安
定するまで放置した。続いて原料ガス導入部の下部ガス
流路からはアンモニアと水素の混合ガス(アンモニア4
0L/min、水素10L/min)を供給し、上部ガ
ス流路からはトリメチルガリウムを含む水素ガス(トリ
メチルガリウム240μmol/min、水素50L/
min)を供給した。また、同時に微多孔部を介して窒
素ガス50L/minを供給し、GaNの低温気相成長
を5分間行なった。Next, the reaction temperature of the substrate was lowered to 500 ° C., and the substrate was left until it was stabilized. Subsequently, a mixed gas of ammonia and hydrogen (ammonia 4
0 L / min, hydrogen 10 L / min) and hydrogen gas containing trimethylgallium (trimethylgallium 240 μmol / min, hydrogen 50 L / min) from the upper gas passage.
min). At the same time, nitrogen gas was supplied at a rate of 50 L / min through the microporous portion, and low-temperature vapor growth of GaN was performed for 5 minutes.
【0028】低温成長層形成後、トリメチルガリウムの
供給を停止し温度を1100℃まで上げて安定するまで
放置した。次に原料ガス導入部の上部ガス流路から再度
トリメチルガリウムを含む水素ガス(トリメチルガリウ
ム240μmol/min、水素50L/min)を供
給するとともに、引続き微多孔部を介して窒素ガス50
L/minを供給し、GaNの気相成長を60分間行な
った。この間、サセプタを毎分12回転させるとともに
基板も毎分36回転させた。このようにして、気相成長
を5回繰り返した。After the formation of the low-temperature growth layer, the supply of trimethylgallium was stopped, the temperature was raised to 1100 ° C., and the system was left until it was stabilized. Next, a hydrogen gas containing trimethylgallium (240 μmol / min of trimethylgallium, 50 L / min of hydrogen) is again supplied from the upper gas passage of the source gas introduction section, and nitrogen gas 50 is continuously supplied through the microporous section.
L / min was supplied, and GaN vapor phase growth was performed for 60 minutes. During this time, the susceptor was rotated 12 times per minute and the substrate was also rotated 36 times per minute. Thus, the vapor phase growth was repeated five times.
【0029】(GaN膜の評価等)気相成長終了後、基
板と対向する反応管壁に固形物の付着があるか否か調査
した。その結果、固形物の付着は認められなかった。ま
た、基板を取り出しGaNの膜厚分布を測定して均一性
を評価した。気相成長中基板は自転しているので、膜厚
分布は基板の中心から端に向かう分布を測定した。サセ
プタの中心部に設置した1枚の基板及び周辺部に設置し
た5枚の基板について膜厚及びその変動幅((最大値−
最小値)/平均値)を測定した結果を表1に示す。ま
た、膜厚分布の状態を図2及び図3に示す。さらに、成
長した膜の結晶品質及び電気的特性を評価するために、
6枚の基板についてX線回析((002)面の半値幅)
及びホール測定(移動度)を行なった結果を表1に示
す。尚、周辺部の基板の数値は5枚の平均値であり、実
施例2以降もこれと同様である。(Evaluation of GaN Film, etc.) After completion of the vapor phase growth, it was examined whether or not solid matter was attached to the reaction tube wall facing the substrate. As a result, no solid matter was found to adhere. Further, the substrate was taken out and the film thickness distribution of GaN was measured to evaluate the uniformity. Since the substrate is rotating during the vapor phase growth, the film thickness distribution was measured from the center to the edge of the substrate. The film thickness and the fluctuation width thereof ((maximum value-one substrate) for one substrate placed at the center of the susceptor and five substrates placed at the periphery of the susceptor
Table 1 shows the results obtained by measuring (minimum value) / average value). FIGS. 2 and 3 show the state of the film thickness distribution. Further, in order to evaluate the crystal quality and electrical characteristics of the grown film,
X-ray diffraction (half-width of (002) plane) for six substrates
Table 1 shows the results of the hole measurement (mobility). The numerical value of the peripheral substrate is an average value of five substrates, and the same applies to the second and subsequent embodiments.
【0030】実施例2 実施例1の気相成長装置における原料ガス導入部のガス
供給口の反応管壁の垂直方向の間隙を、18mmに変え
たほかは実施例1と同様な気相成長装置を製作した。こ
の気相成長装置を使用したほかは実施例1と同様にして
気相成長実験及びGaN膜の評価等を行なった。その結
果を表1及び図2、図3に示す。Example 2 A vapor phase growth apparatus similar to that of Example 1 except that the vertical gap of the reaction tube wall at the gas supply port of the source gas introduction section in the vapor phase growth apparatus of Example 1 was changed to 18 mm. Was made. A vapor phase growth experiment, evaluation of a GaN film, and the like were performed in the same manner as in Example 1 except that this vapor phase growth apparatus was used. The results are shown in Table 1, FIG. 2, and FIG.
【0031】実施例3 実施例1の気相成長装置における原料ガス導入部のガス
供給口の反応管壁の垂直方向の間隙を、16mmに変え
たほかは実施例1と同様な気相成長装置を製作した。こ
の気相成長装置を使用したほかは実施例1と同様にして
気相成長実験及びGaN膜の評価等を行なった。その結
果を表1及び図2、図3に示す。Example 3 A vapor phase growth apparatus similar to that of Example 1 except that the vertical gap of the reaction tube wall at the gas supply port of the source gas introduction section in the vapor phase growth apparatus of Example 1 was changed to 16 mm. Was made. A vapor phase growth experiment, evaluation of a GaN film, and the like were performed in the same manner as in Example 1 except that this vapor phase growth apparatus was used. The results are shown in Table 1, FIG. 2, and FIG.
【0032】比較例1 実施例1の気相成長装置における原料ガス導入部のガス
供給口の反応管壁の垂直方向の間隙を、サセプタとこれ
に対向する反応管壁部の間隙と同じにしたほかは実施例
1と同様な気相成長装置を製作した。この気相成長装置
を使用したほかは実施例1と同様にして気相成長実験及
びGaN膜の評価等を行なった。その結果を表1及び図
2、図3に示す。COMPARATIVE EXAMPLE 1 In the vapor phase growth apparatus of Example 1, the vertical gap between the reaction tube wall and the gas supply port of the source gas introduction section was made the same as the gap between the susceptor and the reaction tube wall facing the susceptor. Otherwise, a vapor phase growth apparatus similar to that of Example 1 was manufactured. A vapor phase growth experiment, evaluation of a GaN film, and the like were performed in the same manner as in Example 1 except that this vapor phase growth apparatus was used. The results are shown in Table 1, FIG. 2, and FIG.
【0033】[0033]
【表1】 [Table 1]
【0034】以上の結果から、本発明の気相成長装置及
び気相成長方法により、1000℃以上の温度を必要と
するGaNの気相成長において、サセプタの中心部また
は周辺部による位置に影響されることなく、均一で優れ
た電気的特性を有するGaN膜が得られていることが認
められた。From the above results, in the vapor phase growth apparatus and the vapor phase growth method of the present invention, in the vapor phase growth of GaN requiring a temperature of 1000 ° C. or more, the position of the susceptor is influenced by the central portion or the peripheral portion. It was recognized that a GaN film having uniform and excellent electrical characteristics was obtained without any problem.
【0035】[0035]
【発明の効果】本発明の気相成長装置及び気相成長方法
により、横形反応管を用いる気相成長において、大型の
基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を
行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定し
て気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結
晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることが
可能となった。According to the vapor phase growth apparatus and the vapor phase growth method of the present invention, in the vapor phase growth using a horizontal reaction tube, the vapor phase growth of a large substrate or the simultaneous vapor phase growth of a plurality of substrates is performed. Even if the vapor phase growth temperature is set to a high temperature and the vapor phase growth is performed, it is possible to efficiently vapor-grow a semiconductor film having good crystallinity uniformly on the substrate. Was.
【図1】本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a vapor phase growth apparatus of the present invention.
【図2】実施例及び比較例の膜厚分布(サセプタの中心
部に設置された基板)の状態を示す図FIG. 2 is a diagram showing a state of a film thickness distribution (a substrate provided at a central portion of a susceptor) in Examples and Comparative Examples.
【図3】実施例及び比較例の膜厚分布(サセプタの周辺
部に設置された基板)の状態を示す図FIG. 3 is a view showing a state of a film thickness distribution (a substrate provided around a susceptor) of an example and a comparative example.
1 横形反応管 2 基板 3 サセプタ 4 ヒーター 5 原料ガス導入部 6 反応ガス排出部 7 サセプタに対向する反応管壁部 8 原料ガス導入部のガス供給口とサセプタの原料ガス
流路上流側端部の間の反応管壁 9 反応管内へ原料を含まないガスを供給するための導
入部 10 仕切板 11 原料ガス導入部のガス供給口 12 サセプタの原料ガス流路上流側端部 13 サセプタの中心 14 サセプタの原料ガス流路下流側端部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Horizontal reaction tube 2 Substrate 3 Susceptor 4 Heater 5 Material gas introduction part 6 Reaction gas discharge part 7 Reaction tube wall part opposed to susceptor 8 Gas supply port of material gas introduction part and material gas flow path upstream end of susceptor Reaction tube wall between 9 9 Introducing section for supplying gas containing no raw material into reaction tube 10 Partition plate 11 Gas supply port of raw gas introduction section 12 End of raw gas flow path upstream side of susceptor 13 Center of susceptor 14 Susceptor Downstream end of source gas flow path
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 勇次 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚工場内 (72)発明者 ワンホンシン 徳島県徳島市南常三島町2番1号 徳島大 学工学部内 (72)発明者 石濱 義康 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚研究所内 (72)発明者 網島 豊 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚研究所内 Fターム(参考) 4K030 AA09 AA11 AA13 BA38 CA04 CA12 EA06 FA10 GA06 JA03 JA10 KA02 LA14 5F045 AA04 AB14 AB17 AB18 AC07 AC12 AC16 AC17 AD10 AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AF09 BB02 CA09 DP18 EB02 EC02 EF13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuji Mori 5181 Tamura, Hiratsuka-shi, Kanagawa Japan, inside the Hiratsuka Plant of Pionix Japan Co., Ltd. Within the Faculty of Engineering (72) Inventor Yoshiyasu Ishihama 5181 Tamura, Hiratsuka-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hiratsuka Laboratory, Japan Pionics Co., Ltd. (Reference) 4K030 AA09 AA11 AA13 BA38 CA04 CA12 EA06 FA10 GA06 JA03 JA10 KA02 LA14 5F045 AA04 AB14 AB17 AB18 AC07 AC12 AC16 AC17 AD10 AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AF09 BB02 CA09 DP18 EB02 EC02 EF13
Claims (14)
加熱するためのヒーター、原料ガスの反応管内への供給
方向が該基板に実質的に平行となるように配置された原
料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する横形反応管
からなる半導体膜の気相成長装置であって、サセプタと
該サセプタに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導
入部のガス供給口と該サセプタの原料ガス流路上流側端
部の間の反応管壁における垂直方向の間隙より狭い構成
であることを特徴とする気相成長装置。A susceptor for mounting the substrate, a heater for heating the substrate, a source gas introduction unit disposed so that a direction of supply of the source gas into the reaction tube is substantially parallel to the substrate; And a gap between a susceptor and a wall of the reaction tube facing the susceptor, wherein a gap between a susceptor and a wall of the reaction tube facing the susceptor has a gas supply port of a source gas introduction unit and a gas supply port of the susceptor. A vapor phase growth apparatus characterized in that it is configured to be narrower than a vertical gap in a wall of a reaction tube between upstream end portions of source gas flow paths.
壁部の間隙が、平均値で、原料ガス導入部のガス供給口
と該サセプタの原料ガス流路上流側端部の間の反応管壁
における垂直方向の間隙の20〜99%である請求項1
に記載の気相成長装置。The gap between the susceptor and the reaction tube wall facing the susceptor is, on average, a reaction tube wall between the gas supply port of the source gas introduction section and the upstream end of the source gas flow path of the susceptor. 20% to 99% of the vertical gap at
3. The vapor phase growth apparatus according to claim 1.
て、原料ガス導入部のガス供給口とサセプタの原料ガス
流路上流側端部の間の位置で、反応管壁の垂直方向の間
隙が狭くなり始め、サセプタが配置されている位置で
は、該サセプタと該サセプタに対向する反応管壁部の間
隙が一定になるように設定した請求項1に記載の気相成
長装置。3. A vertical gap of the reaction tube wall at a position between the gas supply port of the raw material gas introduction section and the upstream end of the raw material gas flow path of the susceptor from upstream to downstream of the raw material gas flow path. 2. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein the gap between the susceptor and the wall of the reaction tube facing the susceptor is set to be constant at a position where the susceptor is disposed.
壁部の間隙が、原料ガス導入部のガス供給口における垂
直方向の間隙の10〜98%である請求項3に記載の気
相成長装置。4. The vapor phase growth apparatus according to claim 3, wherein a gap between the susceptor and a wall of the reaction tube facing the susceptor is 10 to 98% of a vertical gap at a gas supply port of the source gas introduction unit. .
性を有する微多孔部とするとともに、該微多孔部を介し
て反応管内へ原料を含まないガスを供給するための導入
部を設けた請求項1に記載の気相成長装置。5. A reaction tube wall portion facing the susceptor is formed as a gas-permeable microporous portion, and an introduction portion is provided for supplying a gas containing no raw material into the reaction tube through the microporous portion. The vapor phase growth apparatus according to claim 1.
ある請求項1に記載の気相成長装置。6. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein the susceptor has a configuration on which a plurality of substrates are mounted.
載せる構成である請求項1に記載の気相成長装置。7. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein the susceptor is configured to mount a large substrate of 4 inches or more.
たはノズルにより上下方向に区切られた構成である請求
項1に記載の気相成長装置。8. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein the gas flow path of the source gas introduction section is vertically divided by a partition plate or a nozzle.
メチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルイン
ジウム、トリエチルインジウム、トリメチルアルミニウ
ム、またはトリエチルアルミニウムを含むガスを供給す
るための流路で、下部ガス流路が、アンモニア、モノメ
チルヒドラジン、ジメチルヒドラジン、tert-ブチ
ルヒドラジン、またはトリメチルアミンを供給するため
の流路である請求項8に記載の気相成長装置。9. An upper gas flow path of the raw material gas introduction section is a flow path for supplying a gas containing trimethyl gallium, triethyl gallium, trimethyl indium, triethyl indium, trimethyl aluminum, or triethyl aluminum, and a lower gas flow path. The vapor phase growth apparatus according to claim 8, wherein is a flow path for supplying ammonia, monomethylhydrazine, dimethylhydrazine, tert-butylhydrazine, or trimethylamine.
せ、該基板をヒーターで加熱し、該基板に実質的に平行
な方向から原料ガスを含むガスを供給して、該基板に半
導体膜を気相成長させる方法であって、サセプタと該サ
セプタに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部
のガス供給口と該サセプタの原料ガス流路上流側端部の
間の反応管壁における垂直方向の間隙より狭い構成の横
形反応管内に、原料ガスを含むガスを供給して気相成長
させることを特徴とする気相成長方法。10. A substrate is placed on a susceptor in a horizontal reaction tube, the substrate is heated by a heater, a gas containing a source gas is supplied from a direction substantially parallel to the substrate, and the semiconductor film is vaporized on the substrate. In the method for phase growth, a gap between a susceptor and a reaction tube wall facing the susceptor is formed in a reaction tube wall between a gas supply port of a source gas introduction unit and an upstream end of a source gas flow path of the susceptor. A vapor phase growth method comprising supplying a gas containing a source gas into a horizontal reaction tube having a configuration narrower than a vertical gap, and performing vapor phase growth.
を、通気性を有する微多孔部とするとともに、該微多孔
部から原料を含まないガスを供給して気相成長させる請
求項10に記載の気相成長方法。11. The reactor according to claim 10, wherein the wall of the reaction tube facing the susceptor is a gas-permeable microporous portion, and a gas containing no raw material is supplied from the microporous portion to perform gas phase growth. Vapor phase growth method.
もに、気相成長反応の進行がサセプタの中心点とサセプ
タの下流側端部の間の領域内でピークに達するように設
定した請求項10に記載の気相成長方法。12. The method according to claim 10, wherein the substrate is rotated and / or revolved and the progress of the vapor phase growth reaction is set to reach a peak in a region between a center point of the susceptor and a downstream end of the susceptor. The vapor phase growth method according to the above.
である請求項10に記載の気相成長方法。13. The vapor phase growth method according to claim 10, wherein the maximum heating temperature of the substrate is 1000 ° C. or higher.
リエチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチル
インジウム、トリメチルアルミニウム、またはトリエチ
ルアルミニウムをIII族金属源とし、アンモニア、モノ
メチルヒドラジン、ジメチルヒドラジン、tert-ブ
チルヒドラジン、またはトリメチルアミンを窒素源とす
る窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長である請求項
10に記載の気相成長方法。14. The method according to claim 14, wherein the vapor phase growth is performed using trimethylgallium, triethylgallium, trimethylindium, triethylindium, trimethylaluminum, or triethylaluminum as a Group III metal source, ammonia, monomethylhydrazine, dimethylhydrazine, tert-butylhydrazine, or trimethylamine. The vapor phase growth method according to claim 10, which is a vapor phase growth of a gallium nitride-based compound semiconductor using as a nitrogen source.
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