JP2002299059A

JP2002299059A - 光書込み用有機電界発光素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002299059A
Application number: JP2001094861A
Authority: JP
Inventors: Takashi Okada; 崇岡田; Yumi Matsuki; ゆみ松木; Okitoshi Kimura; 興利木村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】高解像度の画像が得られる光書込み用有機Ｅ
Ｌ素子を提供すること、また、前記有機ＥＬ素子に含ま
れる発光層を、簡便に、かつ優れた平滑性および均一性
でもって得ることのできる光書込み用有機ＥＬ素子の製
造方法を提供すること。【解決手段】基板４と、その上に形成されかつ有機電
界発光材料を含む発光層６を有し、発光スペクトルの半
値幅が３０ｎｍ以下である光書込み用有機電界発光素
子。この素子は、ベンゼンまたはベンゼン誘導体を含む
溶媒に、ポリビニルカルバゾールを３重量％以上の割合
で溶解させ、そこに有機電界発光材料を分散させ、得ら
れた分散液を基板６上に湿式法により塗布し発光層６を
設けることにより得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光書込み用有機電界
発光素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】今日の情報化社会は、コンピュータハー
ドウェアの急速な進歩によるもの、と言っても過言では
ない。処理された情報は文字や画像として我々が認識す
ることが可能な形で示されるが、これらを紙に印刷する
プリンターは極めて重要な出力手段といえる。一方、プ
リンターとして各種のタイプが開発されているが、高速
でかつ高品位な印刷が行えるものとして、電子写真方式
がある。電子写真方式のプリンターは、感光部材を帯電
させた後、印刷情報に従って感光部材に光照射による光
書き込みを行い、感光部材表面に静電潜像を形成し、ト
ナーを用いてこれを可視像化するプリンターである。

【０００３】光書き込み方式としては、回転するポリゴ
ンミラーでレーザー光を走査するレーザー方式、多数の
無機LED（発光ダイオード）を並べて各LEDをオン、オフ
するLED方式、並べられた多数の細かい液晶シャッター
で光源の光をオン、オフする液晶方式がある。レーザー
方式はポリゴンミラーの回転数やミラー面の不均一性に
起因する印刷位置精度の不良が発生し易く、LED方式はL
EDの発光輝度の不均一性に起因する印刷むらが有り、液
晶方式は光源が必要でかつ液晶の応答速度が遅いことか
ら高速性にも問題がある。これらを改良するために、補
正装置を取り付けるなどの措置も取られているが、その
分だけ装置自体が大きくなってしまうことがあった。

【０００４】近年、プリンターをはじめとする電子機器
の小型化、薄型化、軽量化を目的として、光書込みを行
う手段の一つとして、薄膜で自発光性である電界発光
（エレクトロルミネッセンス、以下、ＥＬと略記する）
を利用しようとする研究が数多く行われている。

【０００５】図１は、有機ＥＬ素子を用いた光書込みの
機構の一例を説明するための図である。有機ＥＬ素子１
が光書込み用光源として発光し、これら個々の光源から
発せられた光束が波長分布ロッドレンズ2中を通過し、
感光体3上に結像することによって潜像が形成される。
ところで、ＥＬは発光材料により、無機と有機に分けら
れるが、直流で低電圧駆動が可能であるなどの理由か
ら、現在は有機ＥＬ素子に大きな利点があるとされてい
る。また、これまでの有機ＥＬ素子の課題、すなわち発
光効率が低い、寿命が短いといった課題も、新規な材料
の開発や封止技術の向上などにより克服されつつある。

【０００６】しかしながら、これまで開発されているよ
うな有機ＥＬ素子を光書き込み用光源として用いる場
合、波長分布ロッドレンズ2を通過した光は、入射した
光の波長により結像点が大きく異なってしまう。このこ
とにより、感光体３上に書込みを行った後の電子写真の
プロセスにより出力された文字や画像がぼやけてしまっ
たり、感光体３上に光源からの光エネルギーが集中しな
いことから、十分に書き込みがされずに、画像濃度やコ
ントラストが低下してしまったりしていた。

【０００７】ところで、有機ＥＬ素子は数種の有機薄膜
積層体を電極で挟んだ構造を有しているが、この有機薄
膜の作製方法にはいくつかの方法が提案されている。一
般的な方法としては、蒸着による方法と塗布による方法
に大別される。蒸着による方法は、一般的に低分子量有
機物に適用されている方法である。薄膜領域（〜300n
m）で緻密な膜厚制御が可能で信頼性のある薄膜が得ら
れやすい反面、装置が大掛かりとなり、総合的な素子作
製時間が長くかかりやすい。また、低分子量の物質が必
ずしも蒸着温度で安定であるわけではないので大きく材
料の制限をうけることとなる。塗布による方法は、一般
的に高分子量有機物（ポリマー、オリゴマー）に適用さ
れる方法で、大面積を一度に塗ることが可能であり、生
産性に優れる方法といえる。また、本質的に蒸着できな
い有機物（蒸着温度で分解してしまうもの）に対して有
効な方法である。しかし、蒸着法に比較すると緻密な膜
厚や膜質の制御はできにくく、絶縁性に劣る場合があ
り、歩留り低下の原因となっていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の課題を解決し、高解像度の画像が得られる光書
込み用有機ＥＬ素子を提供すること、また、前記有機Ｅ
Ｌ素子に含まれる発光層を、簡便に、かつ優れた平滑性
および均一性でもって得ることのできる光書込み用有機
ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
と、前記基板上に形成されかつ有機電界発光材料を含む
発光層とを少なくとも有する光書込み用有機電界発光素
子において、前記光書込み用有機電界発光素子の発光ス
ペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下であることを特徴とす
る光書込み用有機電界発光素子である。請求項２の発明
は、有機電界発光材料を構成する成分として、金属が含
まれることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光
素子である。請求項３の発明は、有機電界発光材料の発
光中心が金属であり、かつ前記有機電界発光材料が、前
記金属に有機配位子が配位した構造を有することを特徴
とする請求項２に記載の光書込み用有機電界発光素子で
ある。請求項４の発明は、金属が希土類金属であること
を特徴とする請求項２または３に記載の光書込み用有機
電界発光素子である。請求項５の発明は、発光層が、有
機電界発光材料の分散したポリビニルカルバゾール薄膜
である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光書込
み用有機電界発光素子である。請求項６の発明は、ベン
ゼンまたはベンゼン誘導体を含む溶媒に、ポリビニルカ
ルバゾールを３重量％以上の割合で溶解させ、そこに有
機電界発光材料を分散させ、得られた分散液を基板上に
湿式法により塗布し発光層を設ける工程を有する光書込
み用有機電界発光素子の製造方法であって、前記光書込
み用有機電界発光素子の発光スペクトルの半値幅が３０
ｎｍ以下であることを特徴とする光書込み用有機電界発
光素子の製造方法である。請求項７の発明は、溶媒とし
てトルエンを用い、前記トルエンにポリビニルカルバゾ
ールを３重量％以上の割合で溶解させ、そこに有機電界
発光材料を分散させ、得られた分散液を基板上に湿式法
により塗布し、１００℃未満で乾燥することにより発光
層を設けることを特徴とする請求項６に記載の光書込み
用有機電界発光素子の製造方法である。請求項８の発明
は、乾燥温度が５０℃以下であることを特徴とする請求
項７に記載の光書込み用有機電界発光素子の製造方法で
ある。請求項９の発明は、湿式法による塗布が、スピン
コートまたはディップコートであることを特徴とする請
求項６ないし８のいずれか１項に記載の光書込み用有機
電界発光素子の製造方法である。請求項１０の発明は、
分散液中にホール移動剤および／または電子移動剤を含
有させることを特徴とする請求項６ないし９のいずれか
１項に記載の光書込み用有機電界発光素子の製造方法で
ある。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳しく説明
する。本発明の光書込み用有機ＥＬ素子は、前記のよう
に、基板と、その上に形成された発光層とを有するもの
であり、素子の発光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下
であることを特徴としている。このように、発光スペク
トルの半値幅が小さいことにより、光を波長分布ロッド
レンズを介して感光体上に結像させたとき、画像ぼけの
ない鮮明な潜像を形成させることができ、また、感光体
上に光エネルギーが集中することから、コントラストが
より高くなる。すなわち、一層優れた高解像度化を達成
することができる。

【００１１】発光層に含まれる有機ＥＬ材料を構成する
成分として、金属が含まれていることが望ましい。有機
ＥＬ材料中に金属を存在させることにより、前記有機Ｅ
Ｌ材料の励起状態からの無輻射失活を低減させることが
できるため、発光収率が高くなる。さらには、前記金属
を含む有機ＥＬ材料の発光中心が金属であり、前記有機
ＥＬ材料は前記金属に有機配位子が配位した構造である
ことが望ましい。外部から有機ＥＬ材料にエネルギーが
与えられた時、金属に配位した有機化合物が励起され、
このエネルギーが金属に移動して発光する場合、原理的
には励起エネルギーは全て発光される可能性があるが、
これに対し有機分子が発光する場合には、励起されたエ
ネルギーの１／４しか発光できない。その理由は、励起
された有機分子が発光する場合、最低励起一重項と最低
励起三重項の割合が１：３となり、最低励起一重項しか
発光せず、最低励起三重項は非発光減衰してしまうから
である。すなわち、この場合の理論的な最大内部量子効
率は２５％にしかならない。これに対して、発光中心が
金属である場合、最低励起三重項が発光するので、最大
内部量子効率は７５％にまで高めることが可能になるの
である。

【００１２】また、前記金属は希土類金属であることが
望ましい。本発明において使用できる希土類金属として
は、イットリウム（Y）、ランタン（La）、セリウム（C
e）、プラセオジウム（Pr）、ネオジウム（Nd）、プロ
メチウム（Pm）、サマリウム（Sm）、ユーロピウム（E
u）、ガドリニウム（Gd）、テルビウム（Tb）、ジスプ
ロシウム（Dy）、ホルミウム（Ho）、エルビウム（E
r）、ツリウム（Tm）、イッテルビウム（Yb）、ルテニ
ウム（Lu）が挙げられる。これらの中でも、セリウム
（Ce）、プラセオジウム（Pr）、ネオジウム（Nd）、プ
ロメチウム（Pm）、サマリウム（Sm）、ユーロピウム
（Eu）、テルビウム（Tb）、ジスプロシウム（Dy）、ホ
ルミウム（Ho）、エルビウム（Er）、ツリウム（Tm）、
イッテルビウム（Yb）が好ましい。一般的に、Ａｌなど
と有機化合物の錯体では、有機化合物のみの発光材料よ
りも発光効率や耐久性が高いものが多いが、特に希土類
金属を用いたものでは効率と耐久性の両方が優れてい
る。

【００１３】図２は、本発明の光書込み用有機ＥＬ素子
の一例を説明するための断面図である。図２において、
４は絶縁性基板であるガラス、プラスチック等の基板で
あり、厚さは１０mm〜１mm程度が好ましい。5は陽極で
あり、仕事関数の大きい導電性材料が好適に用いられる
が、視認側になる場合は、特にITOのような透明な材質
が好ましい。膜厚は１０nm〜５mmの範囲のものが好まし
く、さらには５０nm〜１mmが好ましい。ITOの作製方法
としては、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、電子ビ
ーム法、化学反応法などを用いることができ、形成され
た陽極５は、UV−オゾン処理などを行うことにより、素
子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能
である。また、パターンニングはフォトリソグラフィー
法など従来公知の方法にて行うことが可能である。６は
発光層であり、成膜は従来公知の方法で行うこともでき
るが、下記で説明する方法によって設けることが望まし
い。なお、発光層の厚さは５ｎｍ〜１μｍ、好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍがよい。７は陰極であり、用い
られる材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝
導性化合物、またはこれらの混合物を用いることがで
き、具体例としてはアルカリ金属（例えば、Li、Na、K
等）、またはそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えば
Mg、Ca等）、またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミ
ニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミ
ニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッ
テルビウム等の希土類金属等が挙げられる。これらの中
でも、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミ
ニウム合金、マグネシウム−銀合金が挙げられる。陰極
７の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０
nm〜５mmの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０
nm〜１mmである。陰極７の作製には材料によって種々の
方法が用いられるが、例えば電子ビーム法、スパッタリ
ング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が
用いられる。

【００１４】次に、本発明における発光層の形成方法に
ついて説明する。発光層の薄膜の作製方法は大きく分け
ると、乾式法と湿式法に大別される。乾式法としては、
真空蒸着、CVDなどが挙げられ、良質の薄膜が形成され
るものの、装置が大掛かりとなり生産性に優れていると
は言い難い。湿式法では、この点において優れるもので
あり、大面積を一度に塗布することが可能である。塗布
方法としては、スプレーコート、スピンコート、ディッ
プコート、ブレードコート、ワイヤーバーコートなどが
挙げられる。特に、成膜物質が蒸着することが困難なこ
とが多い高分子物質については特に好適に用いられる方
法である。また、上記塗布方法の中でも、スピンコー
ト、ディップコートは簡易的に均一性の高い膜が得られ
やすい。

【００１５】本発明における発光層は、前記のような有
機電界発光材料の分散したポリビニルカルバゾール薄膜
であるのが好ましい。このようなポリビニルカルバゾー
ル薄膜は、ベンゼンまたはベンゼン誘導体を含む溶媒
に、ポリビニルカルバゾールを３重量％以上の割合で溶
解させ、そこに有機電界発光材料を分散させ、得られた
分散液を基板上に前記の塗布方法により塗布し、乾燥す
ることにより得ることができる。ポリビニルカルバゾー
ルが溶解可能な溶媒としては、芳香族炭化水素系、ハロ
ゲン炭化水素系があるが、その中でも、溶解性の高いベ
ンゼンおよびベンゼン誘導体系を好適に用いることがで
きる。ポリビニルカルバゾールの溶媒に対する溶解性が
高いと、濃度の調製や、塗布方法により、スピンコート
では回転数、ディップコートでは引き上げ速度の最適
化、などを組み合わせることにより精密な膜厚の制御が
可能になる。ポリビニルカルバゾールの溶媒中の濃度が
とくに３重量％以上であると、広範囲に膜厚を変化させ
ることが可能で、目的とした膜厚に応じた濃度の溶液を
数多く調製する必要がなくて済む。さらに加えて、溶媒
は、ベンゼンおよびベンゼン誘導体系の中でもトルエン
が最も好ましく利用することができる。塩化メチレン、
1,2-ジクロロエタン、クロロホルムなども用い得るが、
ポリビニルカルバゾールの溶解性がやや低いことから、
回転数などの条件による膜厚の制御に限界があったこと
や、溶媒の沸点が低いことから乾燥時の蒸発速度が速
く、緻密な膜ができにくい。トルエンのようなある程度
高い沸点を有する溶媒でないと、乾燥時に溶媒の蒸発速
度が速く、緻密な膜ができにくい。さらに、トルエンを
用いた場合、湿式法にて成膜した後の乾燥温度は、緻密
なポリビニルカルバゾール薄膜を作製するためには、沸
点を考慮に入れると、１００℃未満が好ましく、さらに
は５０℃以下で行うことが好ましい。

【００１６】図３は、本発明の光書込み用有機ＥＬ素子
の別の例を説明するための断面図である。素子を構成し
ている基板4、陽極5および陰極7は、図２の態様と同様
の方法、同様の材料を用いてかまわない。発光層８はポ
リビニルカルバゾール薄膜中に有機電界発光材料が分散
しているものである。発光層８は、前記のように、ベン
ゼンまたはベンゼン誘導体を含む溶媒に、ポリビニルカ
ルバゾールを３重量％以上の割合で溶解させ、そこに所
定量の有機電界発光材料を分散（または溶解）させ、得
られた分散液を基板上に前記の塗布方法により塗布し、
乾燥することにより得ることができ、この方法は非常に
簡易な方法といえる。なお、説明の都合上、本発明にお
いて「分散液」とは、有機電界発光材料が溶媒中に溶解
した溶解液も含むものとする。

【００１７】図４は、本発明の光書込み用有機ＥＬ素子
の別の例を説明するための断面図である。図４におい
て、発光層９はポリビニルカルバゾール薄膜中にホール
移動剤および／または電子移動剤を含むものである。発
光層９中に、適量のホール移動剤および／または電子移
動剤を添加することにより、発光効率を改善することが
可能である。ホール移動剤の例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、
チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分
子オリゴマー等が挙げられる。また、電子移動剤の例と
しては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラ
キノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキ
ノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルビジイ
ミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリ
ルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テト
ラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリ
ノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベン
ゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属
錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。発光層
９は、前記のようにポリビニルカルバゾール薄膜を作製
する際、分散液中にホール移動剤および／または電子移
動剤を所定量加えて溶解させた後、得られた分散液を基
板上に前記の塗布方法により塗布し、乾燥することによ
り得ることができ、この方法は非常に簡易な方法といえ
る。

【００１８】なお、図２〜４に示される有機ＥＬ素子
は、本発明を説明するためのものであり、本発明はこれ
らの構成に限定されるものではない。

【００１９】

【実施例】以下に本発明を例によって示すが、本発明は
これらに限定されるものではない。（例１）厚さ１mmのガラス基板の片面上にスパッタリン
グ法にて１００nm厚のITO膜を成膜し、画素サイズが１m
m×１mmとなるようにITOをパターンニングした後、中性
洗剤およびイソプロピルアルコール（IPA）中で超音波
洗浄後、１００℃で乾燥させ、陽極を設けた。次に、溶
媒としてトルエンを用い、これにポリビニルカルバゾー
ルを濃度が３重量％となるように溶解させ、さらに、有
機電界発光材料として、テオニルトリフルオロアセトン
-1,10-フェナントロリン-ユーロピウム錯体（Eu(TTA)3
(phen)）を加えて溶解させた後、この分散液を孔径０．
１mmのフィルターに通した。この分散を前記陽極上に膜
厚が１００nmとなるようにスピンコーターの回転数を調
節してスピンコートを行い、４０℃で１時間乾燥させ、
発光層を形成させた。その後、マグネシウムと銀の組成
比が１０：１となるように共蒸着し、発光層上に膜厚１
００nmの陰極を形成し、本発明の有機ＥＬ素子を得た。
この素子に直流電圧を印加したところ、赤色の発光が確
認され、発光スペクトルから求めた半値幅は約１７nmで
あった。さらに、この作製した素子を発光面が波長分布
ロッドレンズの片方の端面と平行になるように配置して
から発光させ、波長分布ロッドレンズを通過した光の結
像点における光の大きさを求めたところ、光源１ピクセ
ル１辺の長さが１mmであるのに対して、１辺が１．０２
mmであった。

【００２０】（例２）例１と同様に基板上に陽極を設け
た。続いて、トルエンにポリビニルカルバゾールを濃度
が３重量％となるように溶解させ、さらに、有機電界発
光材料として、ナイルレッドを加えて溶解させた後、例
１と同様に発光層および陰極の形成を行った。この素子
に例１と同様の直流電圧を印加したところ、赤色の発光
が確認され、輝度は例１にて作製した素子の７８％であ
った。また、素子の発光スペクトルから求めた半値幅は
約１１０nmであった。その後、例１と同じ条件で結像点
の光の大きさを求めたところ、光源１ピクセル１辺の長
さが１mmであるのに対して、1辺が１．１mmであった。

【００２１】（例３）例１と同様に基板上に陽極を設け
た。次に、例１と同様の方法により、陽極上に例１と同
様の分散液を、膜厚が２０、５０、１００および２００
nmとなるようにスピンコーターの回転数を調節してスピ
ンコートを行い、４０℃で１時間乾燥させた。その後、
SEM観察（×5000）を行ったところ、どの膜厚において
も、薄膜は一様に平滑であることが確認された。

【００２２】（例４）例３と同様に成膜を行い、乾燥温
度を100℃として1時間乾燥させたものをSEM観察（×500
0）したところ、どの膜厚においても膜表面は平滑では
なく、荒れている様子が確認された。

【００２３】（例５）トルエンに対するポリビニルカル
バゾールの濃度を１重量％としたこと以外は、例３を繰
り返した。目的とする膜厚が20、50、100nmの時は均一
に成膜が可能であったが、膜厚が200nmの条件では回転
数が低すぎることから塗りムラが生じてしまった。

【００２４】（例６）溶媒を1,2-ジクロロエタンとした
以外は例３と同様に成膜を行おうとしたが、ポリビニル
カルバゾールは１．５重量％までしか溶解させることが
できなかった。例３と同様に分散液を調整し、陽極上に
スピンコートをしたところ、２０、５０、１００nmは均
一に成膜が可能であったが、膜厚が２００nmの条件では
回転数が低すぎること、また、塗布時に溶媒の蒸発が急
速に進行するため、塗りムラが生じてしまった。また、
膜厚20、50、100nmの薄膜についてSEM観察（×5000）を
行ったところ、薄膜の表面に直径が約数mmの凹部が多数
確認された。

【００２５】（例７）例1と同様の方法で発光層の膜厚
を100nmとした発光素子を100画素分作製した。各画素の
抵抗値を測定したところ、リークは全く発生していない
ことが確認された。

【００２６】（例８）例４と同様の方法でITO上に膜厚
を100nmの発光層を成膜して乾燥させた後、例１と同様
の方法で陰極を形成した。この発光素子を100画素分作
製し、各画素の抵抗値を測定したところ、リーク発生率
は２０％であった。

【００２７】（例９）例５と同様の方法でITO上に膜厚
を100nmの発光層を成膜して乾燥させた後、例１と同様
の方法で陰極を形成した。この発光素子を100画素分作
製し、各画素の抵抗値を測定したところ、リーク発生率
は３０％であった。

【００２８】（例１０）例６と同様の方法でITO上に膜
厚を100nmの発光層を成膜して乾燥させた後、例1と同様
の方法で陰極を形成した。この発光素子を100画素分作
製し、各画素の抵抗値を測定したところ、リーク発生率
は９８％であった。

【００２９】（例１１）例１の分散液に、ホール移動剤
である4,4',4''-トリス［N-（3-メチルフェニル）-N-フ
ェニルアミノ］トリフェニルアミン（m-MTDATA）を加
え、例１と同様の方法で素子を作製し、同様の電圧を印
加したところ、この素子の輝度は、例１にて作製した素
子に対して１０５％であった。

【００３０】（例１２）例１の分散液に、電子移動剤で
ある2-（4-ｔ-ブチルフェニル）-5-（4-ビフェニリル）
-1,3,4-オキサジアゾール（PBD）を加え、例１と同様の
方法で素子を作製し、同様の電圧を印加したところ、こ
の素子の輝度は、例１にて作製した素子に対して１１３
％であった。

【００３１】（例１３）例１の塗布溶液に、例１１と同
量のm-MTDATA、および例１２と同量のPBDをそれぞれ加
え、例１と同様の方法で素子を作製し、同様の電圧を印
加したところ、この素子の輝度は、例１にて作製した素
子に対して１２１％であった。

【００３２】

【発明の効果】請求項１の発明は、基板と、前記基板上
に形成されかつ有機電界発光材料を含む発光層とを少な
くとも有する光書込み用有機電界発光素子において、前
記光書込み用有機電界発光素子の発光スペクトルの半値
幅が３０ｎｍ以下であることを特徴としているので、結
像点の広がりを抑制することが可能となり、高解像度の
画像が得られる素子を提供することができる。請求項２
の発明は、有機電界発光材料を構成する成分として、金
属が含まれることを特徴としているので、耐久性と発光
効率の両方に優れた素子を提供することができる。請求
項３の発明は、有機電界発光材料の発光中心が金属であ
り、かつ前記有機電界発光材料が、前記金属に有機配位
子が配位した構造を有することを特徴としているので、
励起されたエネルギーを高効率で利用することが可能と
なり、発光効率の高い素子を提供することができる。請
求項４の発明は、金属が希土類金属であることを特徴と
しているので、励起されたエネルギーを高効率で利用す
ることが可能となり、発光効率の高い素子を提供するこ
とができる。請求項５の発明は、発光層が、有機電界発
光材料の分散したポリビニルカルバゾール薄膜であるこ
とを特徴としているので、平滑で絶縁性に優れた素子を
提供することができる。請求項６の発明は、ベンゼンま
たはベンゼン誘導体を含む溶媒に、ポリビニルカルバゾ
ールを３重量％以上の割合で溶解させ、そこに有機電界
発光材料を分散させ、得られた分散液を基板上に湿式法
により塗布し発光層を設ける工程を有する光書込み用有
機電界発光素子の製造方法であって、前記光書込み用有
機電界発光素子の発光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以
下であることを特徴としているので、平滑で絶縁性に優
れた素子を製造することができる。請求項７の発明は、
溶媒としてトルエンを用い、前記トルエンにポリビニル
カルバゾールを３重量％以上の割合で溶解させ、そこに
有機電界発光材料を分散させ、得られた分散液を基板上
に湿式法により塗布し、１００℃未満で乾燥することに
より発光層を設けることを特徴としているので、平滑で
絶縁性に優れた素子を容易に製造することができる。請
求項８の発明は、乾燥温度が５０℃以下であることを特
徴とする前記の製造方法であるので、平滑で絶縁性に優
れた素子を容易に製造することができる。請求項９の発
明は、湿式法による塗布が、スピンコートまたはディッ
プコートであることを特徴としているので、平滑で絶縁
性に優れた素子を容易に製造することができる。請求項
１０の発明は、分散液中にホール移動剤および／または
電子移動剤を含有させることを特徴とする前記の製造方
法であるので、発光効率が向上した素子を容易に製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機ＥＬ素子を用いた光書込みの機構の一例を
説明するための図である。

【図２】本発明の光書込み用有機ＥＬ素子の一例を説明
するための断面図である。

【図３】本発明の光書込み用有機ＥＬ素子の別の例を説
明するための断面図である。

【図４】本発明の光書込み用有機ＥＬ素子の別の例を説
明するための断面図である。

【符号の説明】

１有機ＥＬ素子２波長分布ロッドレンズ３感光体４基板５陽極６発光層７陰極８発光層９ホール移動剤および／または電子移動剤を含む発
光層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｆターム(参考） 2C162 AE02 AE28 FA04 FA16 FA23 3K007 AB03 AB04 AB11 AB18 BA01 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に形成されかつ有機
電界発光材料を含む発光層とを少なくとも有する光書込
み用有機電界発光素子において、前記光書込み用有機電
界発光素子の発光スペクトルの半値幅が３０ｎｍ以下で
あることを特徴とする光書込み用有機電界発光素子。
【請求項２】有機電界発光材料を構成する成分とし
て、金属が含まれることを特徴とする請求項１に記載の
有機電界発光素子。
【請求項３】有機電界発光材料の発光中心が金属であ
り、かつ前記有機電界発光材料が、前記金属に有機配位
子が配位した構造を有することを特徴とする請求項２に
記載の光書込み用有機電界発光素子。
【請求項４】金属が希土類金属であることを特徴とす
る請求項２または３に記載の光書込み用有機電界発光素
子。
【請求項５】発光層が、有機電界発光材料の分散した
ポリビニルカルバゾール薄膜である請求項１ないし４の
いずれか１項に記載の光書込み用有機電界発光素子。
【請求項６】ベンゼンまたはベンゼン誘導体を含む溶
媒に、ポリビニルカルバゾールを３重量％以上の割合で
溶解させ、そこに有機電界発光材料を分散させ、得られ
た分散液を基板上に湿式法により塗布し発光層を設ける
工程を有する光書込み用有機電界発光素子の製造方法で
あって、前記光書込み用有機電界発光素子の発光スペク
トルの半値幅が３０ｎｍ以下であることを特徴とする光
書込み用有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】溶媒としてトルエンを用い、前記トルエ
ンにポリビニルカルバゾールを３重量％以上の割合で溶
解させ、そこに有機電界発光材料を分散させ、得られた
分散液を基板上に湿式法により塗布し、１００℃未満で
乾燥することにより発光層を設けることを特徴とする請
求項６に記載の光書込み用有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項８】乾燥温度が５０℃以下であることを特徴
とする請求項７に記載の光書込み用有機電界発光素子の
製造方法。
【請求項９】湿式法による塗布が、スピンコートまた
はディップコートであることを特徴とする請求項６ない
し８のいずれか１項に記載の光書込み用有機電界発光素
子の製造方法。
【請求項１０】分散液中にホール移動剤および／また
は電子移動剤を含有させることを特徴とする請求項６な
いし９のいずれか１項に記載の光書込み用有機電界発光
素子の製造方法。