JP2002299051A - 半導体装置及び半導体装置製造用マスク - Google Patents
半導体装置及び半導体装置製造用マスクInfo
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬディスプレイにおいて、発光層の膜
厚を均一化し、また発光層形成用のマスク強度を増大さ
せる。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイの各画素毎に陽極
６１及び共通陰極が形成され、薄膜トランジスタ１３、
４２及び補助容量７０でスイッチングして陽極６１と陰
極間に通電し、有機ＥＬ素子を発光させる。有機ＥＬ素
子はホール輸送層、有機発光層及び電子輸送層から構成
され、隣接する２つの同色画素１ａ、１ｂについて有機
発光層を共通化する。隣接する２つの画素１ａ、１ｂの
陽極６１は互いに対向して近接配置され、その間にスイ
ッチング素子は介在しない。有機発光層を共通化するこ
とにより、蒸着時のシャドウマスクの端部における有機
発光層の膜厚減少を防ぎ、陽極６１上の有機発光層の膜
厚を均一化できる。
厚を均一化し、また発光層形成用のマスク強度を増大さ
せる。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイの各画素毎に陽極
６１及び共通陰極が形成され、薄膜トランジスタ１３、
４２及び補助容量７０でスイッチングして陽極６１と陰
極間に通電し、有機ＥＬ素子を発光させる。有機ＥＬ素
子はホール輸送層、有機発光層及び電子輸送層から構成
され、隣接する２つの同色画素１ａ、１ｂについて有機
発光層を共通化する。隣接する２つの画素１ａ、１ｂの
陽極６１は互いに対向して近接配置され、その間にスイ
ッチング素子は介在しない。有機発光層を共通化するこ
とにより、蒸着時のシャドウマスクの端部における有機
発光層の膜厚減少を防ぎ、陽極６１上の有機発光層の膜
厚を均一化できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び半導
体装置製造用マスクに関し、特に有効発光面積の増大に
関する。
体装置製造用マスクに関し、特に有効発光面積の増大に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フラットディスプレイパネル
として有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）素子を
用いた表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は陽極
と陰極との間に設けられた有機ＥＬ層に電流を供給する
ことで有機ＥＬ層を発光させる自然光ディスプレイであ
り、ＬＣＤのようにバックライトが不要であることか
ら、次のフラットディスプレイパネルの主流として期待
されている。特に、各画素にスイッチング素子を形成し
たアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイで
は、各画素毎に表示データを保持できるため大画面化、
高精細化が可能であり有望視されている。
として有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）素子を
用いた表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は陽極
と陰極との間に設けられた有機ＥＬ層に電流を供給する
ことで有機ＥＬ層を発光させる自然光ディスプレイであ
り、ＬＣＤのようにバックライトが不要であることか
ら、次のフラットディスプレイパネルの主流として期待
されている。特に、各画素にスイッチング素子を形成し
たアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイで
は、各画素毎に表示データを保持できるため大画面化、
高精細化が可能であり有望視されている。
【０００３】このような有機ＥＬディスプレイにおい
て、発光層である有機ＥＬ層は一般に回路基板上にシャ
ドウマスクを用いて蒸着法により形成されている。
て、発光層である有機ＥＬ層は一般に回路基板上にシャ
ドウマスクを用いて蒸着法により形成されている。
【０００４】図９には、従来のカラー有機ＥＬディスプ
レイ１の画素配列が模式的に示されている。有機ＥＬデ
ィスプレイ１は、複数の画素１ａがマトリクス状に配置
されて構成される。各画素１ａは薄膜トランジスタなど
のスイッチング素子を有し、各画素のスイッチング素子
を行に相当するゲートライン及び列に相当するデータラ
インで駆動し有機ＥＬ素子を発光させる。Ｒ画素、Ｇ画
素及びＢ画素の配列は任意であるが、例えば図に示され
るようにＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を直線状（列状）に配
置（ストライプ配列）することができる。
レイ１の画素配列が模式的に示されている。有機ＥＬデ
ィスプレイ１は、複数の画素１ａがマトリクス状に配置
されて構成される。各画素１ａは薄膜トランジスタなど
のスイッチング素子を有し、各画素のスイッチング素子
を行に相当するゲートライン及び列に相当するデータラ
インで駆動し有機ＥＬ素子を発光させる。Ｒ画素、Ｇ画
素及びＢ画素の配列は任意であるが、例えば図に示され
るようにＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を直線状（列状）に配
置（ストライプ配列）することができる。
【０００５】図１０には、図９における画素１ａの詳細
な平面図が示されており、図１１（ａ）、（ｂ）には、
それぞれ図１０におけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面が示
されている。両図において、行方向に延びるゲートライ
ン５１と列方向に延びるデータライン５２に囲まれた領
域が１つの画素領域１ａであり、この領域内にｎチャネ
ル薄膜トランジスタ１３、補助容量７０、ｐチャネル薄
膜トランジスタ４２が形成され、さらに薄膜トランジス
タ４２のドレインとドレイン電極４３ｄを介し接続され
た有機ＥＬ素子６５が設けられている。また、薄膜トラ
ンジスタ４２のソースはソ−ス電極４３ｓを介して電源
ライン５３に接続されている。
な平面図が示されており、図１１（ａ）、（ｂ）には、
それぞれ図１０におけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面が示
されている。両図において、行方向に延びるゲートライ
ン５１と列方向に延びるデータライン５２に囲まれた領
域が１つの画素領域１ａであり、この領域内にｎチャネ
ル薄膜トランジスタ１３、補助容量７０、ｐチャネル薄
膜トランジスタ４２が形成され、さらに薄膜トランジス
タ４２のドレインとドレイン電極４３ｄを介し接続され
た有機ＥＬ素子６５が設けられている。また、薄膜トラ
ンジスタ４２のソースはソ−ス電極４３ｓを介して電源
ライン５３に接続されている。
【０００６】薄膜トランジスタ１３の能動層９は、ゲー
トライン５１から突出したゲート電極１１を２回くぐる
パターンとなっており、ダブルゲート構造となってい
る。薄膜トランジスタ１３のドレインはドレイン電極１
６を介してデータライン５２に接続され、ソースは補助
容量７０及びブリッジ構造を介して薄膜トランジスタ４
２のゲート４１に接続される。補助容量７０は、電源Ｖ
ｓｃに接続されたＳＣライン５４と能動層９と一体の電
極５５から構成される。
トライン５１から突出したゲート電極１１を２回くぐる
パターンとなっており、ダブルゲート構造となってい
る。薄膜トランジスタ１３のドレインはドレイン電極１
６を介してデータライン５２に接続され、ソースは補助
容量７０及びブリッジ構造を介して薄膜トランジスタ４
２のゲート４１に接続される。補助容量７０は、電源Ｖ
ｓｃに接続されたＳＣライン５４と能動層９と一体の電
極５５から構成される。
【０００７】上述したように、薄膜トランジスタ４２の
ドレインは有機ＥＬ素子６０に接続される。有機ＥＬ素
子６０は、薄膜トランジスタ１３、４２上の平坦化絶縁
膜１７に画素毎に形成された陽極（透明電極）６１と、
最上層に各画素共通に形成された陰極（金属電極）６６
と、陽極６１及び陰極６６との間に積層された有機層６
５から構成される。陽極６１は、ＩＴＯなどから構成さ
れ、薄膜トランジスタ４２のドレインとドレイン電極４
３ｄを介して接続される。また、有機層６５は、陽極６
１側からホール輸送層６２、有機発光層６３、電子輸送
層６４を順次積層して構成される。有機発光層６３は、
Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素毎にその材料が異なるが、例え
ばキナクリドン誘導体を含むＢｅＢｑ２を含んで構成さ
れる。
ドレインは有機ＥＬ素子６０に接続される。有機ＥＬ素
子６０は、薄膜トランジスタ１３、４２上の平坦化絶縁
膜１７に画素毎に形成された陽極（透明電極）６１と、
最上層に各画素共通に形成された陰極（金属電極）６６
と、陽極６１及び陰極６６との間に積層された有機層６
５から構成される。陽極６１は、ＩＴＯなどから構成さ
れ、薄膜トランジスタ４２のドレインとドレイン電極４
３ｄを介して接続される。また、有機層６５は、陽極６
１側からホール輸送層６２、有機発光層６３、電子輸送
層６４を順次積層して構成される。有機発光層６３は、
Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素毎にその材料が異なるが、例え
ばキナクリドン誘導体を含むＢｅＢｑ２を含んで構成さ
れる。
【０００８】なお、上述した各画素の構成要素は、全て
基板３上に積層形成される。すなわち、基板３上に絶縁
層４が形成され、その上に半導体層９がパターン形成さ
れる。そして、半導体層９上にゲート酸化膜１２を介し
てゲート１１、４１が形成される。ゲート１１、４１上
には層間絶縁膜１５が形成され、この層間絶縁膜１５に
形成されたコンタクトホールを介して陽極６１と多結晶
シリコンなどからなる能動層９が接続される。
基板３上に積層形成される。すなわち、基板３上に絶縁
層４が形成され、その上に半導体層９がパターン形成さ
れる。そして、半導体層９上にゲート酸化膜１２を介し
てゲート１１、４１が形成される。ゲート１１、４１上
には層間絶縁膜１５が形成され、この層間絶縁膜１５に
形成されたコンタクトホールを介して陽極６１と多結晶
シリコンなどからなる能動層９が接続される。
【０００９】また、画素毎に形成された透明陽極６１の
上に有機ＥＬ素子６０を形成するためには、図１２に示
されるように各画素に対応した開口部２ａを有するシャ
ドウマスク２をＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素毎に用いて有機
発光層６３を蒸着すればよい。そして、陽極６１と陰極
６６で挟まれた領域に電流が主として供給されるため、
有機発光層６３は陽極６１に位置決めされて形成され
る。
上に有機ＥＬ素子６０を形成するためには、図１２に示
されるように各画素に対応した開口部２ａを有するシャ
ドウマスク２をＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素毎に用いて有機
発光層６３を蒸着すればよい。そして、陽極６１と陰極
６６で挟まれた領域に電流が主として供給されるため、
有機発光層６３は陽極６１に位置決めされて形成され
る。
【００１０】このような構成において、ゲートライン５
１に選択信号が出力されると薄膜トランジスタ１３がオ
ンし、そのときにデータライン５２に印加されているデ
ータ信号の電圧値に応じて補助容量７０が充電される。
薄膜トランジスタ４２のゲートは、この容量７０に充電
された電荷に応じた電圧を受け、電源ライン５３から有
機ＥＬ素子に供給される電流が制御され、素子は供給さ
れた電流に応じた輝度で発光する。
１に選択信号が出力されると薄膜トランジスタ１３がオ
ンし、そのときにデータライン５２に印加されているデ
ータ信号の電圧値に応じて補助容量７０が充電される。
薄膜トランジスタ４２のゲートは、この容量７０に充電
された電荷に応じた電圧を受け、電源ライン５３から有
機ＥＬ素子に供給される電流が制御され、素子は供給さ
れた電流に応じた輝度で発光する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いては各画素毎に有機発光層６３を形成するために図１
２に示されるような各画素に対応した開口部２ａを有す
るマスク２を用いており、開口部２ａと開口部２ａとの
間の距離、すなわち非開口部距離ｄが小さくマスク２の
強度が小さい問題があった。
いては各画素毎に有機発光層６３を形成するために図１
２に示されるような各画素に対応した開口部２ａを有す
るマスク２を用いており、開口部２ａと開口部２ａとの
間の距離、すなわち非開口部距離ｄが小さくマスク２の
強度が小さい問題があった。
【００１２】また、開口部２ａの端部で生じるシャドウ
イングにより、形成される有機発光層６３の膜厚が開口
部２ａの端部で小さくなり、膜厚が不均一化して発光む
らや膜の劣化、有効発光面積の減少などを招く問題があ
った。
イングにより、形成される有機発光層６３の膜厚が開口
部２ａの端部で小さくなり、膜厚が不均一化して発光む
らや膜の劣化、有効発光面積の減少などを招く問題があ
った。
【００１３】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、その目的は、発光層を形成する
ためのマスク強度を増大させること、また、発光むらを
なくし有効発光面積を増大させることができる装置及び
マスクを提供することにある。
みなされたものであり、その目的は、発光層を形成する
ためのマスク強度を増大させること、また、発光むらを
なくし有効発光面積を増大させることができる装置及び
マスクを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１電極及び第２電極との間に設けられ
た発光層とを有する画素を複数個配置して構成される半
導体装置であって、前記第１電極は、前記画素毎に設け
られ、前記発光層は、複数の前記画素のうち隣接する２
つの画素で共通化され、前記隣接する２つの画素の前記
第１電極は、前記画素内において互いに隣接する他の画
素の側に配置されることを特徴とする。
に、本発明は、第１電極及び第２電極との間に設けられ
た発光層とを有する画素を複数個配置して構成される半
導体装置であって、前記第１電極は、前記画素毎に設け
られ、前記発光層は、複数の前記画素のうち隣接する２
つの画素で共通化され、前記隣接する２つの画素の前記
第１電極は、前記画素内において互いに隣接する他の画
素の側に配置されることを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、第１電極及び第２電極
と、第１電極に接続されたスイッチング素子と、前記第
１電極と第２電極との間に設けられた発光層とを有する
画素を複数個配置して構成される半導体装置であって、
前記発光層は、複数の前記画素のうち隣接する２つの画
素で共通化され、前記隣接する２つの画素の前記第１電
極は、平面位置において前記スイッチング素子を介在さ
せずに互いに対向配置されることを特徴とする。
と、第１電極に接続されたスイッチング素子と、前記第
１電極と第２電極との間に設けられた発光層とを有する
画素を複数個配置して構成される半導体装置であって、
前記発光層は、複数の前記画素のうち隣接する２つの画
素で共通化され、前記隣接する２つの画素の前記第１電
極は、平面位置において前記スイッチング素子を介在さ
せずに互いに対向配置されることを特徴とする。
【００１６】ここで、前記隣接する２つの画素の前記ス
イッチング素子は、平面位置において前記対向配置され
た前記第１電極を挟むように前記第１電極の両端部にそ
れぞれ配置されることが好適である。
イッチング素子は、平面位置において前記対向配置され
た前記第１電極を挟むように前記第１電極の両端部にそ
れぞれ配置されることが好適である。
【００１７】また、前記隣接する２つの画素の前記第１
電極及びスイッチング素子は、前記対向配置の軸を中心
として線対称に配置することができる。
電極及びスイッチング素子は、前記対向配置の軸を中心
として線対称に配置することができる。
【００１８】また、前記第１電極は、前記対向配置の中
心軸を中心として点対称に配置することができる。
心軸を中心として点対称に配置することができる。
【００１９】本装置において、前記隣接する２つの画素
は、同色とすることが好適である。この場合、前記同色
の画素を列状に隣接配置し、前記発光層を前記列状の隣
接する２つの画素間で共通化することができる。また、
前記同色の画素をジグザグ状に配置し、前記発光層を前
記ジグザグ状の隣接する２つの画素間で共通化すること
もできる。前記同色の画素は、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素
の少なくともいずれかとすることができる。
は、同色とすることが好適である。この場合、前記同色
の画素を列状に隣接配置し、前記発光層を前記列状の隣
接する２つの画素間で共通化することができる。また、
前記同色の画素をジグザグ状に配置し、前記発光層を前
記ジグザグ状の隣接する２つの画素間で共通化すること
もできる。前記同色の画素は、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素
の少なくともいずれかとすることができる。
【００２０】本装置において、前記発光層は、有機ＥＬ
材を含むことができ、これにより有機ＥＬディスプレイ
を得ることができる。
材を含むことができ、これにより有機ＥＬディスプレイ
を得ることができる。
【００２１】このように、本発明では隣接する２つの画
素において発光層を共通化する。この際、隣接する２つ
の画素の陽極同士を近接して対向配置するため、発光層
を形成するためのマスクの開口部の間隔を増大させるこ
とができ、これによりマスク強度を上げることができ
る。また、隣接する２つの画素間で発光層を共通化する
ことで、開口部の端数を削減し、開口部端で生じるシャ
ドウイングによる発光層の膜厚減少を抑制して膜厚を均
一化することができる。
素において発光層を共通化する。この際、隣接する２つ
の画素の陽極同士を近接して対向配置するため、発光層
を形成するためのマスクの開口部の間隔を増大させるこ
とができ、これによりマスク強度を上げることができ
る。また、隣接する２つの画素間で発光層を共通化する
ことで、開口部の端数を削減し、開口部端で生じるシャ
ドウイングによる発光層の膜厚減少を抑制して膜厚を均
一化することができる。
【００２２】また、本発明は、上記の半導体装置を製造
するための前記発光層形成用マスクを提供する。このマ
スクは、前記隣接する２つの画素間で共通する開口部を
有し、前記開口部により前記発光層の材料を通過させて
前記発光層を形成することを特徴とする。
するための前記発光層形成用マスクを提供する。このマ
スクは、前記隣接する２つの画素間で共通する開口部を
有し、前記開口部により前記発光層の材料を通過させて
前記発光層を形成することを特徴とする。
【００２３】本発明のマスクにより、開口部の端数を減
少させ、シャドウイングを抑制して発光層を従来以上に
均一に形成することができる。また、隣接する２つの画
素間で開口部を共通化させることで、開口部間の長さも
確保でき、マスク強度を上げることができる。
少させ、シャドウイングを抑制して発光層を従来以上に
均一に形成することができる。また、隣接する２つの画
素間で開口部を共通化させることで、開口部間の長さも
確保でき、マスク強度を上げることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について、有機ＥＬディスプレイを例にとり説明す
る。
形態について、有機ＥＬディスプレイを例にとり説明す
る。
【００２５】図１には、本実施形態に係る有機発光層６
３形成用のシャドウマスク２が示されている。従来にお
いては、各画素に対応して離散的な開口部２ａを有して
いるが、本実施形態では隣接する２つの画素間で共通す
る開口部２ａを有している。具体的には、ある色、例え
ばＲ画素に着目すると、Ｒ画素群は列方向に直線上に配
置されており、Ｒ画素を形成するための開口部２ａも列
方向に直線上に配置されているから、隣接する２つの画
素間で開口部２ａを共通化させることで、結局図示のよ
うな細長い開口部２ａが得られる。開口部２ａの幅は従
来と同様であり、長さは従来の略２倍である。開口部２
ａの間隔Ｄ、すなわち非開口部の長さＤは、従来の開口
部間の長さｄよりも増大している。これについてはさら
に後述する。開口部２ａのピッチは、行方向の同色画素
ピッチに等しい。マスク２の厚さは、従来と同様に５０
μｍ程度とすることができる。Ｇ画素用のマスクあるい
はＢ画素用のマスクについても同様である。
３形成用のシャドウマスク２が示されている。従来にお
いては、各画素に対応して離散的な開口部２ａを有して
いるが、本実施形態では隣接する２つの画素間で共通す
る開口部２ａを有している。具体的には、ある色、例え
ばＲ画素に着目すると、Ｒ画素群は列方向に直線上に配
置されており、Ｒ画素を形成するための開口部２ａも列
方向に直線上に配置されているから、隣接する２つの画
素間で開口部２ａを共通化させることで、結局図示のよ
うな細長い開口部２ａが得られる。開口部２ａの幅は従
来と同様であり、長さは従来の略２倍である。開口部２
ａの間隔Ｄ、すなわち非開口部の長さＤは、従来の開口
部間の長さｄよりも増大している。これについてはさら
に後述する。開口部２ａのピッチは、行方向の同色画素
ピッチに等しい。マスク２の厚さは、従来と同様に５０
μｍ程度とすることができる。Ｇ画素用のマスクあるい
はＢ画素用のマスクについても同様である。
【００２６】このようなマスク２を用いて有機ＥＬ材を
蒸着することで、Ｒ画素用の有機発光層６３、Ｇ画素用
の有機発光層６３、Ｂ画素用の有機発光層６３をそれぞ
れ形成する。
蒸着することで、Ｒ画素用の有機発光層６３、Ｇ画素用
の有機発光層６３、Ｂ画素用の有機発光層６３をそれぞ
れ形成する。
【００２７】図２には、図１に示されたマスク２を用い
て有機発光層６３を形成した場合の有機ＥＬディスプレ
イの平面図が示されている。なお、図においては説明の
都合上、列方向に隣接する２つの同色画素１ａ、１ｂが
示されている。
て有機発光層６３を形成した場合の有機ＥＬディスプレ
イの平面図が示されている。なお、図においては説明の
都合上、列方向に隣接する２つの同色画素１ａ、１ｂが
示されている。
【００２８】各画素の構成要素は図１０と同様であり、
一つの画素には薄膜トランジスタ１３、４２及び補助容
量７０が形成される。これら薄膜トランジスタ１３、４
２及び補助容量７０をスイッチング素子と総称する。薄
膜トランジスタ１３のドレインはデータライン５２に接
続され、薄膜トランジスタ１３のソースは補助容量７０
の一方の電極に接続されるとともに薄膜トランジスタ４
２のゲートに接続され、薄膜トランジスタ１３のゲート
はゲートライン５１に接続される。また、薄膜トランジ
スタ４２のソースは電源ライン５３に接続され、ドレイ
ンは透明な陽極６１に接続される。
一つの画素には薄膜トランジスタ１３、４２及び補助容
量７０が形成される。これら薄膜トランジスタ１３、４
２及び補助容量７０をスイッチング素子と総称する。薄
膜トランジスタ１３のドレインはデータライン５２に接
続され、薄膜トランジスタ１３のソースは補助容量７０
の一方の電極に接続されるとともに薄膜トランジスタ４
２のゲートに接続され、薄膜トランジスタ１３のゲート
はゲートライン５１に接続される。また、薄膜トランジ
スタ４２のソースは電源ライン５３に接続され、ドレイ
ンは透明な陽極６１に接続される。
【００２９】しかしながら、本実施形態では、隣接する
２つの画素１ａ、１ｂにおいて陽極６１の形成位置が互
いに異なっている。すなわち、画素１ａにおける陽極６
１の配置は図１０と同一であるが、画素１ａに隣接する
画素１ｂにおいては、陽極６１は画素１ｂ内において画
素１ａ側に近接して形成される。そして、画素１ｂのス
イッチング素子、すなわち薄膜トランジスタ１３と補助
容量７０と薄膜トランジスタ４２は、画素１ｂ内におい
て画素１ａから離れた側に形成されて陽極６１に接続さ
れる。したがって、画素１ａの陽極６１と画素１ｂの陽
極６１は対向配置され、画素１ａのスイッチング素子と
画素１ｂのスイッチング素子で画素１ａの陽極６１と画
素１ｂの陽極６１を挟むような配置となる。より詳しく
は、画素１ａにおけるスイッチング素子と陽極６１の配
置と、画素１ｂにおけるスイッチング素子と陽極６１の
配置は、図中一点鎖線（画素の境界）を中心として線対
称の関係にある。２つの陽極６１間にはスイッチング素
子は介在していない。
２つの画素１ａ、１ｂにおいて陽極６１の形成位置が互
いに異なっている。すなわち、画素１ａにおける陽極６
１の配置は図１０と同一であるが、画素１ａに隣接する
画素１ｂにおいては、陽極６１は画素１ｂ内において画
素１ａ側に近接して形成される。そして、画素１ｂのス
イッチング素子、すなわち薄膜トランジスタ１３と補助
容量７０と薄膜トランジスタ４２は、画素１ｂ内におい
て画素１ａから離れた側に形成されて陽極６１に接続さ
れる。したがって、画素１ａの陽極６１と画素１ｂの陽
極６１は対向配置され、画素１ａのスイッチング素子と
画素１ｂのスイッチング素子で画素１ａの陽極６１と画
素１ｂの陽極６１を挟むような配置となる。より詳しく
は、画素１ａにおけるスイッチング素子と陽極６１の配
置と、画素１ｂにおけるスイッチング素子と陽極６１の
配置は、図中一点鎖線（画素の境界）を中心として線対
称の関係にある。２つの陽極６１間にはスイッチング素
子は介在していない。
【００３０】図３には、従来の隣接する２つの画素１
ａ、１ｂの配置が示されている。従来の画素１ａ、１ｂ
はともにスイッチング素子と陽極６１が同一の配置であ
り、画素１ｂに着目するとスイッチング素子が画素１ｂ
内において画素１ａ側に存在し、陽極６１が画素１ａか
ら離れた側にある。そして、画素１ａの陽極６１と画素
１ｂの陽極６１との間には画素１ｂの陽極６１に接続さ
れるスイッチング素子が介在している。本実施形態と従
来における陽極６１及びスイッチング素子の相違は明ら
かであろう。
ａ、１ｂの配置が示されている。従来の画素１ａ、１ｂ
はともにスイッチング素子と陽極６１が同一の配置であ
り、画素１ｂに着目するとスイッチング素子が画素１ｂ
内において画素１ａ側に存在し、陽極６１が画素１ａか
ら離れた側にある。そして、画素１ａの陽極６１と画素
１ｂの陽極６１との間には画素１ｂの陽極６１に接続さ
れるスイッチング素子が介在している。本実施形態と従
来における陽極６１及びスイッチング素子の相違は明ら
かであろう。
【００３１】このように、本実施形態では、隣接する２
つの画素１ａ、１ｂにおいて陽極６１同士が近接して配
置され、陽極６１に電圧を印加するそれぞれのスイッチ
ング素子が陽極６１の両端に配置されている。したがっ
て、本実施形態においては、隣接する２つの陽極６１同
士を従来以上に近接して配置することができ、近接配置
した２つの陽極６１上に共通に有機発光層６３を形成す
ることができる。なお、近接配置された２つの陽極６１
間には陽極は存在していないため、有機発光層６３が形
成されても発光せず、画素毎に発光する点に変わりはな
い。
つの画素１ａ、１ｂにおいて陽極６１同士が近接して配
置され、陽極６１に電圧を印加するそれぞれのスイッチ
ング素子が陽極６１の両端に配置されている。したがっ
て、本実施形態においては、隣接する２つの陽極６１同
士を従来以上に近接して配置することができ、近接配置
した２つの陽極６１上に共通に有機発光層６３を形成す
ることができる。なお、近接配置された２つの陽極６１
間には陽極は存在していないため、有機発光層６３が形
成されても発光せず、画素毎に発光する点に変わりはな
い。
【００３２】図４には、本実施形態及び従来における画
素の陽極配列と開口部２ａとの関係が示されている。図
４（ａ）は従来の関係であり、図４（ｂ）は本実施形態
の関係である。従来においては、図３に示されるように
隣接する２つの画素１ａ、１ｂにおける陽極６１は互い
に離間してその間にスイッチング素子が介在しているた
め、各陽極６１上に有機発光層６３を形成すべく開口部
２ａの間隔（非開口部長）をｄとしているが、本実施形
態では隣接する２つの画素１ａ、１ｂにおいて陽極６１
同士が対向配置（あるいは近接配置）されているため、
一つの開口部２ａで２つの陽極６１上に同時に有機発光
層６３を形成することができる。そして、隣接する２つ
の画素１ａ、１ｂを１組とし、隣接する組同士の距離は
従来以上に増大することになるから（図中矢印を参
照）、結局、本実施形態における開口部２ａ間の長さＤ
は、従来の開口部２ａ間の長さｄよりも増大することに
なる。これにより、本実施形態のマスク２は従来のマス
ク２よりも強度が大きくなる。また、隣接する２つの画
素１ａ、１ｂの２つの陽極６１に対して同一開口部２ａ
で有機発光層６３を共通形成するため、マスク２の開口
部端の数が半減し、シャドウイングによる膜厚減少を防
いで有機発光層６３の膜厚を均一化できる。したがっ
て、陽極６１と陰極６６に挟まれた領域において電流強
度も均一化されるため発光層の劣化も防止でき、また発
光面積を確保できる。
素の陽極配列と開口部２ａとの関係が示されている。図
４（ａ）は従来の関係であり、図４（ｂ）は本実施形態
の関係である。従来においては、図３に示されるように
隣接する２つの画素１ａ、１ｂにおける陽極６１は互い
に離間してその間にスイッチング素子が介在しているた
め、各陽極６１上に有機発光層６３を形成すべく開口部
２ａの間隔（非開口部長）をｄとしているが、本実施形
態では隣接する２つの画素１ａ、１ｂにおいて陽極６１
同士が対向配置（あるいは近接配置）されているため、
一つの開口部２ａで２つの陽極６１上に同時に有機発光
層６３を形成することができる。そして、隣接する２つ
の画素１ａ、１ｂを１組とし、隣接する組同士の距離は
従来以上に増大することになるから（図中矢印を参
照）、結局、本実施形態における開口部２ａ間の長さＤ
は、従来の開口部２ａ間の長さｄよりも増大することに
なる。これにより、本実施形態のマスク２は従来のマス
ク２よりも強度が大きくなる。また、隣接する２つの画
素１ａ、１ｂの２つの陽極６１に対して同一開口部２ａ
で有機発光層６３を共通形成するため、マスク２の開口
部端の数が半減し、シャドウイングによる膜厚減少を防
いで有機発光層６３の膜厚を均一化できる。したがっ
て、陽極６１と陰極６６に挟まれた領域において電流強
度も均一化されるため発光層の劣化も防止でき、また発
光面積を確保できる。
【００３３】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の変
更が可能である。
が、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の変
更が可能である。
【００３４】例えば、本実施形態では同色画素が列方向
に直線的に配置される場合について説明したが、同色画
素がジグザグ状に配置される例えばデルタ配列の場合に
ついても同様に適用することができる。以下、ジグザグ
配置の場合について説明する。
に直線的に配置される場合について説明したが、同色画
素がジグザグ状に配置される例えばデルタ配列の場合に
ついても同様に適用することができる。以下、ジグザグ
配置の場合について説明する。
【００３５】図５には、ジグザグ配置において有機発光
層６３を形成するための本実施形態のマスク２が示され
ている。なお、図６には比較のためジグザグ配置におけ
る従来のマスク２が示されている。図６に示されるよう
に、従来においてはジグザグ状の同色画素配置に対応し
て開口部も列方向にジグザグ状に形成されている。各開
口部を通過した有機ＥＬ材がジグザグ配置された同色画
素の陽極６１上に形成される。このマスク２の開口部間
の長さｄは図１２と同様に小さく、マスク２の強度も小
さい。
層６３を形成するための本実施形態のマスク２が示され
ている。なお、図６には比較のためジグザグ配置におけ
る従来のマスク２が示されている。図６に示されるよう
に、従来においてはジグザグ状の同色画素配置に対応し
て開口部も列方向にジグザグ状に形成されている。各開
口部を通過した有機ＥＬ材がジグザグ配置された同色画
素の陽極６１上に形成される。このマスク２の開口部間
の長さｄは図１２と同様に小さく、マスク２の強度も小
さい。
【００３６】一方、図５に示される本実施形態のマスク
２では、ジグザグ方向に隣接する２つの画素間で有機発
光層６３が共通化されるため、隣接する２つの画素に対
応する開口部も共通化され、細長い一つの開口部とな
る。これにより、図４と同様の原理で、開口部間の距離
Ｄを従来の長さｄ以上に確保することができ、マスク２
の強度を増大させることができる。なお、図５において
は、マスク２の開口部はジグザグ上ではなく一方向に斜
めに形成されているが、これは隣接する２つの画素の陽
極同士を互いに対向配置させたことによるものであり、
その詳細については後述する。
２では、ジグザグ方向に隣接する２つの画素間で有機発
光層６３が共通化されるため、隣接する２つの画素に対
応する開口部も共通化され、細長い一つの開口部とな
る。これにより、図４と同様の原理で、開口部間の距離
Ｄを従来の長さｄ以上に確保することができ、マスク２
の強度を増大させることができる。なお、図５において
は、マスク２の開口部はジグザグ上ではなく一方向に斜
めに形成されているが、これは隣接する２つの画素の陽
極同士を互いに対向配置させたことによるものであり、
その詳細については後述する。
【００３７】図７には、本実施形態におけるジグザグ状
に配置された隣接する２つの画素１ａ、１ｂの平面図が
示されている。画素１ａはスイッチング素子（薄膜トラ
ンジスタ１３、４２及び補助容量７０）及び陽極６１を
有し、画素１ｂについても同様である。薄膜トランジス
タ１３とデータライン５２及びゲートライン５１との接
続関係、薄膜トランジスタ４２と電源ライン５３及び陽
極６１との接続関係は上述した実施形態と同様であるた
め、図では薄膜トランジスタ１３及び４２を簡易的にＦ
ＥＴ記号で示している。画素１ａの陽極６１及び画素１
ｂの陽極６１はともに斜めに形成されており、画素１ｂ
に着目すると、画素１ｂの陽極６１は画素１ｂ内におい
て画素１ａの側に配置されて画素１ａの陽極６１と対向
配置される。また、画素１ａと１ｂの各陽極６１は画素
１ａと１ｂの境界部であって各陽極６１の対向部の中心
を中心軸として点対称になっている。さらに、両陽極６
１の間に画素１ａあるいは画素１ｂのスイッチング素子
は介在していない。このように、隣接する２つの画素１
ａと１ｂの陽極６１同士が対向して近接配置されている
ため、斜め方向の開口部を有するマスク２を用いて有機
発光層６３を一体的に形成することができる。そして、
隣接する２つの画素を組とし、隣接する組についても図
７と同様に２つの陽極６１が対向配置されて斜めに存在
するため、図５に示されるようなマスク２で有機発光層
６３を形成することができる。
に配置された隣接する２つの画素１ａ、１ｂの平面図が
示されている。画素１ａはスイッチング素子（薄膜トラ
ンジスタ１３、４２及び補助容量７０）及び陽極６１を
有し、画素１ｂについても同様である。薄膜トランジス
タ１３とデータライン５２及びゲートライン５１との接
続関係、薄膜トランジスタ４２と電源ライン５３及び陽
極６１との接続関係は上述した実施形態と同様であるた
め、図では薄膜トランジスタ１３及び４２を簡易的にＦ
ＥＴ記号で示している。画素１ａの陽極６１及び画素１
ｂの陽極６１はともに斜めに形成されており、画素１ｂ
に着目すると、画素１ｂの陽極６１は画素１ｂ内におい
て画素１ａの側に配置されて画素１ａの陽極６１と対向
配置される。また、画素１ａと１ｂの各陽極６１は画素
１ａと１ｂの境界部であって各陽極６１の対向部の中心
を中心軸として点対称になっている。さらに、両陽極６
１の間に画素１ａあるいは画素１ｂのスイッチング素子
は介在していない。このように、隣接する２つの画素１
ａと１ｂの陽極６１同士が対向して近接配置されている
ため、斜め方向の開口部を有するマスク２を用いて有機
発光層６３を一体的に形成することができる。そして、
隣接する２つの画素を組とし、隣接する組についても図
７と同様に２つの陽極６１が対向配置されて斜めに存在
するため、図５に示されるようなマスク２で有機発光層
６３を形成することができる。
【００３８】一方、図８には、従来におけるジグザグ状
に配置された隣接する２つの画素１ａ、１ｂの平面図が
示されている。画素１ａ及び１ｂはともにスイッチング
素子及び陽極６１を有し、画素１ｂに着目すると陽極６
１は画素１ｂ内において画素１ａから離れた側にある。
そして、画素１ａの陽極６１と画素１ｂの陽極６１間に
は画素１ｂのスイッチング素子が介在している。陽極６
１が離間して配置されており、その間にスイッチング素
子も介在しているため、陽極６１上に有機発光層６３を
形成するために図６に示されるようなマスク２が必要と
なる。
に配置された隣接する２つの画素１ａ、１ｂの平面図が
示されている。画素１ａ及び１ｂはともにスイッチング
素子及び陽極６１を有し、画素１ｂに着目すると陽極６
１は画素１ｂ内において画素１ａから離れた側にある。
そして、画素１ａの陽極６１と画素１ｂの陽極６１間に
は画素１ｂのスイッチング素子が介在している。陽極６
１が離間して配置されており、その間にスイッチング素
子も介在しているため、陽極６１上に有機発光層６３を
形成するために図６に示されるようなマスク２が必要と
なる。
【００３９】図７と図８とを対比することで、本実施形
態では陽極６１同士が近接して対向配置されているた
め、隣接する２つの画素を１組として隣接する組同士の
距離を従来よりも大きくとれ、したがって図５における
マスク２の開口部間の長さＤが従来のｄより増大するこ
とが理解されよう。これにより、図５におけるマスク強
度が図６におけるマスク強度よりも増大する。従って、
マスクの厚みを５０μｍ程度に薄くすることができる。
また、本実施形態においても、隣接する２つの画素１
ａ、１ｂで有機発光層６３が共通化されるため、マスク
２の開口部端の数が半減し、シャドウイングが抑制され
て有機発光層の膜厚が均一化される。
態では陽極６１同士が近接して対向配置されているた
め、隣接する２つの画素を１組として隣接する組同士の
距離を従来よりも大きくとれ、したがって図５における
マスク２の開口部間の長さＤが従来のｄより増大するこ
とが理解されよう。これにより、図５におけるマスク強
度が図６におけるマスク強度よりも増大する。従って、
マスクの厚みを５０μｍ程度に薄くすることができる。
また、本実施形態においても、隣接する２つの画素１
ａ、１ｂで有機発光層６３が共通化されるため、マスク
２の開口部端の数が半減し、シャドウイングが抑制され
て有機発光層の膜厚が均一化される。
【００４０】なお、本実施形態では蒸着により有機発光
層６３を形成する場合について説明したが、インクジェ
ット法により形成する場合でも同様に図１に示されたマ
スク２（この場合にはインクを限定領域に滴下するため
の枠として機能する）を用いて有機発光層６３を共通化
することができる。
層６３を形成する場合について説明したが、インクジェ
ット法により形成する場合でも同様に図１に示されたマ
スク２（この場合にはインクを限定領域に滴下するため
の枠として機能する）を用いて有機発光層６３を共通化
することができる。
【００４１】また、一枚の大型基板に同時に複数のパネ
ルを形成する多面取りの場合、各パネル毎に図１あるい
は図５に示すマスク２を用いることができる。
ルを形成する多面取りの場合、各パネル毎に図１あるい
は図５に示すマスク２を用いることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光層形成用のマスク強度を増大させることができる。
発光層形成用のマスク強度を増大させることができる。
【００４３】また、本発明によれば、発光層の膜厚を均
一化でき、これにより有効発光面積を増大させることが
できる。
一化でき、これにより有効発光面積を増大させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態のマスク平面図である。
【図２】 実施形態の画素平面図である。
【図３】 従来の画素平面図である。
【図４】 実施形態の画素配置と開口部との関係を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】 他の実施形態のマスク平面図である。
【図６】 従来のマスク平面図である。
【図７】 他の実施形態の画素平面図である。
【図８】 従来の画素平面図である。
【図９】 画素配置説明図である。
【図１０】 従来の画素平面図である。
【図１１】 図１０のＡ−Ａ断面図（ａ）及びＢ−Ｂ断
面図（ｂ）である。
面図（ｂ）である。
【図１２】 従来のマスク平面図である。
１ａ、１ｂ 画素、２ マスク、６１ 陽極、６３ 有
機発光層。
機発光層。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB04 AB17 AB18 BA06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA03 AA08 AA10 AA43 AA48 AA55 BA03 BA12 BA27 CA19 CA20 CA24 DA13 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 FA01 FB01 GB10
Claims (11)
- 【請求項１】 第１電極及び第２電極との間に設けられ
た発光層とを有する画素を複数個配置して構成される半
導体装置であって、 前記第１電極は、前記画素毎に設けられ、 前記発光層は、複数の前記画素のうち隣接する２つの画
素で共通化され、 前記隣接する２つの画素の前記第１電極は、前記画素内
において互いに隣接する他の画素の側に配置されること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 第１電極及び第２電極と、 第１電極に接続されたスイッチング素子と、 前記第１電極と第２電極との間に設けられた発光層と、 を有する画素を複数個配置して構成される半導体装置で
あって、 前記発光層は、複数の前記画素のうち隣接する２つの画
素で共通化され、 前記隣接する２つの画素の前記第１電極は、平面位置に
おいて前記スイッチング素子を介在させずに互いに対向
配置されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置において、 前記隣接する２つの画素の前記スイッチング素子は、平
面位置において前記対向配置された前記第１電極を挟む
ように前記第１電極の両端部にそれぞれ配置されること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体装置において、 前記隣接する２つの画素の前記第１電極及びスイッチン
グ素子は、前記対向配置の軸を中心として線対称に配置
されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体
装置において、 前記隣接する２つの画素は、同色であることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の半導体装置において、 前記同色の画素は、列状に隣接配置され、 前記発光層は、前記列状の隣接する２つの画素間で共通
化されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項５に記載の半導体装置において、 前記第１電極は、前記対向配置の中心軸を中心として点
対称に配置されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 請求項５に記載の半導体装置において、 前記同色の画素は、ジグザグ状に配置され、 前記発光層は、前記ジグザグ状の隣接する２つの画素間
で共通化されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 請求項５〜８のいずれかに記載の半導体
装置において、 前記同色の画素は、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の少なくと
もいずれかであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載の半導
体装置において、 前記発光層は、有機エレクトロルミネセンス材を含むこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の半
導体装置を製造するための前記発光層形成用マスクであ
って、 前記隣接する２つの画素間で共通する開口部を有し、 前記開口部により前記発光層の材料を通過させて前記発
光層を形成することを特徴とするマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001102385A JP4789340B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体装置及び半導体装置製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001102385A JP4789340B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体装置及び半導体装置製造用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299051A true JP2002299051A (ja) | 2002-10-11 |
| JP4789340B2 JP4789340B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=18955596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001102385A Expired - Lifetime JP4789340B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体装置及び半導体装置製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4789340B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035963A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2008111183A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Samsung Sdi Co Ltd | マスク、蒸着装置、有機電界発光表示装置 |
| US8013815B2 (en) | 2003-11-29 | 2011-09-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electro luminescence display device |
| KR101065314B1 (ko) | 2009-04-28 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| EP3293767A3 (en) * | 2016-09-13 | 2018-06-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having conductive patterns with reduced display element overlap |
| CN113832431A (zh) * | 2021-11-02 | 2021-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及掩膜板结构 |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH10289784A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001102385A patent/JP4789340B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH10289784A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
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