JP2003066871A - 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置及びその製造方法Info
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- JP2003066871A JP2003066871A JP2001258427A JP2001258427A JP2003066871A JP 2003066871 A JP2003066871 A JP 2003066871A JP 2001258427 A JP2001258427 A JP 2001258427A JP 2001258427 A JP2001258427 A JP 2001258427A JP 2003066871 A JP2003066871 A JP 2003066871A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 いわゆる単純マトリクス駆動方式において
も、有機ＥＬ素子の性能に依存することなく高コントラ
ストと高精細化とを実現する。 【解決手段】 基板１０と、基板１０の一主面上に形成
された第１の配線１と、上記第１の配線１と交差して形
成された第２の配線３と、上記第１の配線１と上記第２
の配線３との交点に対応して配された複数の画素５とを
有し、上記画素５は、上記第１の配線１が選択されたと
きに導通して上記第２の配線３から供給された信号電流
を流すスイッチング素子８と、上記スイッチング素子８
からの信号電流を受け入れて発光する有機ＥＬ素子９と
を有する。
も、有機ＥＬ素子の性能に依存することなく高コントラ
ストと高精細化とを実現する。 【解決手段】 基板１０と、基板１０の一主面上に形成
された第１の配線１と、上記第１の配線１と交差して形
成された第２の配線３と、上記第１の配線１と上記第２
の配線３との交点に対応して配された複数の画素５とを
有し、上記画素５は、上記第１の配線１が選択されたと
きに導通して上記第２の配線３から供給された信号電流
を流すスイッチング素子８と、上記スイッチング素子８
からの信号電流を受け入れて発光する有機ＥＬ素子９と
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板と、基板の一
主面上に形成された第１の配線と、上記第１の配線と交
差して形成された第２の配線と、上記第１の配線と上記
第２の配線との交点に対応して配された複数の画素とを
有する単純マトリクス駆動型の有機ＥＬ表示装置及びそ
の製造方法に関する。
主面上に形成された第１の配線と、上記第１の配線と交
差して形成された第２の配線と、上記第１の配線と上記
第２の配線との交点に対応して配された複数の画素とを
有する単純マトリクス駆動型の有機ＥＬ表示装置及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、図７に示すような有機電界発光素
子（以下、有機ＥＬ素子と称する。）１００を発光素子
として用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。
子（以下、有機ＥＬ素子と称する。）１００を発光素子
として用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００３】有機ＥＬ素子１００は、例えば透明なガラ
ス基板１０１上に、ＩＴＯ（indiumtin oxide）等の透
明材料からなるアノード１０２が形成され、このアノー
ド１０２上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層等からな
る有機ＥＬ発光層１０３が形成され、この有機ＥＬ発光
層１０３上に低仕事関数材料等からなるカソード１０４
が形成されてなり、カソード１０４は引き出し電極１０
５と電気的に接続されている。
ス基板１０１上に、ＩＴＯ（indiumtin oxide）等の透
明材料からなるアノード１０２が形成され、このアノー
ド１０２上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層等からな
る有機ＥＬ発光層１０３が形成され、この有機ＥＬ発光
層１０３上に低仕事関数材料等からなるカソード１０４
が形成されてなり、カソード１０４は引き出し電極１０
５と電気的に接続されている。
【０００４】この有機ＥＬ素子１００を発光させる際に
は、アノード１０２に対して正の電圧を印加し、カソー
ド１０４に対して負の電圧を印加すること、すなわちア
ノード１０２とカソード１０４との間に直流電流を流す
ことにより、アノード１０２から注入された正孔及びカ
ソード１０４から注入された電子がそれぞれ有機ＥＬ発
光層１０３に到達し、ここで正孔と電子との再結合が生
じる。これにより、所定の波長を持った光が発生して、
透明なガラス基板１０１側からその光が外部へ出射す
る。
は、アノード１０２に対して正の電圧を印加し、カソー
ド１０４に対して負の電圧を印加すること、すなわちア
ノード１０２とカソード１０４との間に直流電流を流す
ことにより、アノード１０２から注入された正孔及びカ
ソード１０４から注入された電子がそれぞれ有機ＥＬ発
光層１０３に到達し、ここで正孔と電子との再結合が生
じる。これにより、所定の波長を持った光が発生して、
透明なガラス基板１０１側からその光が外部へ出射す
る。
【０００５】この有機ＥＬ素子は、本来、アノード１０
２からカソード１０４へ順方向の電圧を印加された場合
には大電流を流して発光する一方で、逆方向の電圧を印
加された場合には電流が殆ど流れないような整流特性を
有する。逆バイアス特性の良好な有機ＥＬ素子の電流電
圧特性を、図８に示す。
２からカソード１０４へ順方向の電圧を印加された場合
には大電流を流して発光する一方で、逆方向の電圧を印
加された場合には電流が殆ど流れないような整流特性を
有する。逆バイアス特性の良好な有機ＥＬ素子の電流電
圧特性を、図８に示す。
【０００６】このような逆バイアス特性に優れた有機Ｅ
Ｌ素子を用いて、いわゆる単純マトリクス駆動方式の有
機ＥＬ表示装置を構成した例について、図９に示す。こ
の有機ＥＬ表示装置１１０は、３×３ドットの単純マト
リクス駆動方式であり、スキャンライン１１１としてス
キャンライン１１１Ａ、スキャンライン１１１Ｂ及びス
キャンライン１１１Ｃと、データライン１１２としてデ
ータライン１１２Ａ、データライン１１２Ｂ及びデータ
ライン１１２Ｃとを有し、これらスキャンライン１１１
とデータライン１１２の交点毎に有機ＥＬ素子１１３が
接続されて画素を構成している。画素が有する有機ＥＬ
素子１１３は、アノードがデータライン１１２に、カソ
ードがスキャンライン１１１にそれぞれ接続されてい
る。なお、図９中においては、有機ＥＬ素子１１３をダ
イオードで表すこととする。また、画素の位置を、デー
タライン１１２とスキャンライン１１１とのマトリクス
で表すこととする。
Ｌ素子を用いて、いわゆる単純マトリクス駆動方式の有
機ＥＬ表示装置を構成した例について、図９に示す。こ
の有機ＥＬ表示装置１１０は、３×３ドットの単純マト
リクス駆動方式であり、スキャンライン１１１としてス
キャンライン１１１Ａ、スキャンライン１１１Ｂ及びス
キャンライン１１１Ｃと、データライン１１２としてデ
ータライン１１２Ａ、データライン１１２Ｂ及びデータ
ライン１１２Ｃとを有し、これらスキャンライン１１１
とデータライン１１２の交点毎に有機ＥＬ素子１１３が
接続されて画素を構成している。画素が有する有機ＥＬ
素子１１３は、アノードがデータライン１１２に、カソ
ードがスキャンライン１１１にそれぞれ接続されてい
る。なお、図９中においては、有機ＥＬ素子１１３をダ
イオードで表すこととする。また、画素の位置を、デー
タライン１１２とスキャンライン１１１とのマトリクス
で表すこととする。
【０００７】この有機ＥＬ表示装置において、｛スキャ
ンライン１１１Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の有機ＥＬ
素子１１３を発光させるためには、図示しないスキャン
ライン駆動回路によってスキャンライン１１１Ｂを選択
するとともに図示しないデータライン駆動回路によって
データライン１１２Ｂを選択する。これにより、｛スキ
ャンライン１１１Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の画素の
有機ＥＬ素子１１３に所定の電流が流れ込み、所望の画
素を発光させることができる。一方で、その他の画素
は、データライン１１２又はスキャンライン１１１の少
なくとも一方が非選択状態とされているため、電流が流
れずに非発光とされる。
ンライン１１１Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の有機ＥＬ
素子１１３を発光させるためには、図示しないスキャン
ライン駆動回路によってスキャンライン１１１Ｂを選択
するとともに図示しないデータライン駆動回路によって
データライン１１２Ｂを選択する。これにより、｛スキ
ャンライン１１１Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の画素の
有機ＥＬ素子１１３に所定の電流が流れ込み、所望の画
素を発光させることができる。一方で、その他の画素
は、データライン１１２又はスキャンライン１１１の少
なくとも一方が非選択状態とされているため、電流が流
れずに非発光とされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子のバイアス特性は、有機ＥＬ素子を構成する材料や成
膜条件によって変動する。このため、例えば図１０に示
すように逆バイアス特性に劣る有機ＥＬ素子も存在す
る。
子のバイアス特性は、有機ＥＬ素子を構成する材料や成
膜条件によって変動する。このため、例えば図１０に示
すように逆バイアス特性に劣る有機ＥＬ素子も存在す
る。
【０００９】そして、上述した有機ＥＬ表示装置に逆バ
イアス特性に劣る有機ＥＬ素子が用いられた場合、図１
１に示すように、不良な有機ＥＬ素子に逆方向に電流
（リーク電流）が流れてしまう。この結果、本来の選択
画素である｛スキャンライン１１１Ｂ，データライン１
１２Ｂ｝が発光する以外に、非選択の画素である例えば
｛スキャンライン１１Ｂ，データライン１１２Ｃ｝にも
電圧がかかり、この非選択画素が誤発光するため、コン
トラストが低下して表示品質が損なわれる。
イアス特性に劣る有機ＥＬ素子が用いられた場合、図１
１に示すように、不良な有機ＥＬ素子に逆方向に電流
（リーク電流）が流れてしまう。この結果、本来の選択
画素である｛スキャンライン１１１Ｂ，データライン１
１２Ｂ｝が発光する以外に、非選択の画素である例えば
｛スキャンライン１１Ｂ，データライン１１２Ｃ｝にも
電圧がかかり、この非選択画素が誤発光するため、コン
トラストが低下して表示品質が損なわれる。
【００１０】このため、コントラストの良好な単純マト
リクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置を構成するために
は、図９に示すような理想的な逆バイアス特性を示す有
機ＥＬ素子を採用することが要求される。
リクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置を構成するために
は、図９に示すような理想的な逆バイアス特性を示す有
機ＥＬ素子を採用することが要求される。
【００１１】しかしながら、このような有機ＥＬ素子
は、成膜条件の厳密な制御が必要となること、材料選択
の幅が狭まること等により、生産性の低下やコストの上
昇を招くため、製造が困難であるという問題がある。
は、成膜条件の厳密な制御が必要となること、材料選択
の幅が狭まること等により、生産性の低下やコストの上
昇を招くため、製造が困難であるという問題がある。
【００１２】したがって、単純マトリクス駆動方式の有
機ＥＬ表示装置においては、逆バイアス特性等の有機Ｅ
Ｌ素子の性能に依存することなく、コントラストを向上
させるための根本的な解決策が望まれている。
機ＥＬ表示装置においては、逆バイアス特性等の有機Ｅ
Ｌ素子の性能に依存することなく、コントラストを向上
させるための根本的な解決策が望まれている。
【００１３】また、従来の有機ＥＬ表示装置において
は、有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置するために、有
機ＥＬ発光層を挟み込むアノード及びカソードのそれぞ
れを、例えばストライプ状の所定の形状にパターニング
する必要がある。例えば図７に示す有機ＥＬ素子を例に
取ると、有機ＥＬ発光層の成膜後に、カソードを成膜
し、パターニングする必要がある。
は、有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置するために、有
機ＥＬ発光層を挟み込むアノード及びカソードのそれぞ
れを、例えばストライプ状の所定の形状にパターニング
する必要がある。例えば図７に示す有機ＥＬ素子を例に
取ると、有機ＥＬ発光層の成膜後に、カソードを成膜
し、パターニングする必要がある。
【００１４】しかしながら、有機ＥＬ発光層に用いられ
る有機材料は、熱、水分、酸素、溶剤等に対して非常に
弱いため、有機ＥＬ発光層にダメージを与えることなく
有機ＥＬ発光層上に微細なパターンのカソードを成膜す
ることは極めて困難である。
る有機材料は、熱、水分、酸素、溶剤等に対して非常に
弱いため、有機ＥＬ発光層にダメージを与えることなく
有機ＥＬ発光層上に微細なパターンのカソードを成膜す
ることは極めて困難である。
【００１５】例えばフォトリソグラフィ法等によってカ
ソードのパターニングを行うと、有機ＥＬ発光層がダメ
ージを受けて有機ＥＬ素子の発光機能が損なわれるとい
う問題が生じる。また、有機ＥＬ発光層に極力影響を与
えないカソードの成膜方法として、メタルマスクを用い
たスパッタ法や蒸着法等が挙げられるが、この方法では
カソードの微細化が困難であり、有機ＥＬ表示装置の高
精細化を妨げてしまう。さらに、有機ＥＬ発光層にダメ
ージを与えることなく微細なカソードを成膜する方法に
ついても、様々な研究がなされているが、何れの方法も
有機ＥＬ表示装置の製造工程を複雑とし、製造コストの
上昇を招く虞がある。
ソードのパターニングを行うと、有機ＥＬ発光層がダメ
ージを受けて有機ＥＬ素子の発光機能が損なわれるとい
う問題が生じる。また、有機ＥＬ発光層に極力影響を与
えないカソードの成膜方法として、メタルマスクを用い
たスパッタ法や蒸着法等が挙げられるが、この方法では
カソードの微細化が困難であり、有機ＥＬ表示装置の高
精細化を妨げてしまう。さらに、有機ＥＬ発光層にダメ
ージを与えることなく微細なカソードを成膜する方法に
ついても、様々な研究がなされているが、何れの方法も
有機ＥＬ表示装置の製造工程を複雑とし、製造コストの
上昇を招く虞がある。
【００１６】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、いわゆる単純マトリクス駆
動方式においても、有機ＥＬ素子の性能に依存すること
なく高コントラストと高精細化とを実現する有機ＥＬ表
示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
みて提案されたものであり、いわゆる単純マトリクス駆
動方式においても、有機ＥＬ素子の性能に依存すること
なく高コントラストと高精細化とを実現する有機ＥＬ表
示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板
の一主面上に形成された第１の配線と、上記第１の配線
と交差して形成された第２の配線と、上記第１の配線と
上記第２の配線との交点に対応して配された複数の画素
とを有し、上記画素は、上記第１の配線が選択されたと
きに導通して上記第２の配線から供給された信号電流を
流すスイッチング素子と、上記スイッチング素子からの
信号電流を受け入れて発光する有機ＥＬ素子とを有する
ことを特徴とする。
めに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板
の一主面上に形成された第１の配線と、上記第１の配線
と交差して形成された第２の配線と、上記第１の配線と
上記第２の配線との交点に対応して配された複数の画素
とを有し、上記画素は、上記第１の配線が選択されたと
きに導通して上記第２の配線から供給された信号電流を
流すスイッチング素子と、上記スイッチング素子からの
信号電流を受け入れて発光する有機ＥＬ素子とを有する
ことを特徴とする。
【００１８】有機ＥＬ素子は、本来、発光機能を有する
とともに、単純マトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置
においては逆バイアス特性によるリーク電流防止機能を
担うものである。本発明は、有機ＥＬ素子からリーク電
流防止機能を分離し、このリーク電流防止機能を別の素
子に担わせることを基本的な考え方とする。
とともに、単純マトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置
においては逆バイアス特性によるリーク電流防止機能を
担うものである。本発明は、有機ＥＬ素子からリーク電
流防止機能を分離し、このリーク電流防止機能を別の素
子に担わせることを基本的な考え方とする。
【００１９】すなわち、本発明に係る有機ＥＬ表示装置
においては、各画素が有機ＥＬ素子とスイッチング素子
とを有し、有機ＥＬ素子に対して発光機能のみを持た
せ、リーク電流防止機能については各画素に配置したス
イッチング素子に担わせている。
においては、各画素が有機ＥＬ素子とスイッチング素子
とを有し、有機ＥＬ素子に対して発光機能のみを持た
せ、リーク電流防止機能については各画素に配置したス
イッチング素子に担わせている。
【００２０】このため、単純マトリクス駆動方式の有機
ＥＬ表示装置において、不良な有機ＥＬ素子が用いられ
たとしても、各画素にスイッチング素子が配されている
ため、この有機ＥＬ素子のリーク電流に起因する非選択
画素の誤発光が防止される。
ＥＬ表示装置において、不良な有機ＥＬ素子が用いられ
たとしても、各画素にスイッチング素子が配されている
ため、この有機ＥＬ素子のリーク電流に起因する非選択
画素の誤発光が防止される。
【００２１】また、有機ＥＬ素子のカソード側を接地電
位に接続するため、有機ＥＬ素子のカソードのパターニ
ングが不要となる。
位に接続するため、有機ＥＬ素子のカソードのパターニ
ングが不要となる。
【００２２】また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製
造方法は、基板の一主面上に第１の配線と、第２の配線
と、上記第１の配線と上記第２の配線との交点に対応し
た位置にスイッチング素子とを形成する第１の工程と、
上記第１の工程で形成された上記スイッチング素子から
の信号電流を受け入れて発光することが可能な有機ＥＬ
素子を形成する第２の工程とを有することを特徴とす
る。
造方法は、基板の一主面上に第１の配線と、第２の配線
と、上記第１の配線と上記第２の配線との交点に対応し
た位置にスイッチング素子とを形成する第１の工程と、
上記第１の工程で形成された上記スイッチング素子から
の信号電流を受け入れて発光することが可能な有機ＥＬ
素子を形成する第２の工程とを有することを特徴とす
る。
【００２３】以上のような有機ＥＬ表示装置の製造方法
では、熱や溶剤等に弱い有機ＥＬ素子を成膜する前に、
予め基板上に第１の配線、第２の配線及びスイッチング
素子を形成するため、有機ＥＬ素子の構成材料の劣化に
配慮することなく、第１の配線、第２の配線及びスイッ
チング素子の微細化が可能である。また、有機ＥＬ素子
の成膜に際して、カソードの成膜後のパターニングが不
要である。
では、熱や溶剤等に弱い有機ＥＬ素子を成膜する前に、
予め基板上に第１の配線、第２の配線及びスイッチング
素子を形成するため、有機ＥＬ素子の構成材料の劣化に
配慮することなく、第１の配線、第２の配線及びスイッ
チング素子の微細化が可能である。また、有機ＥＬ素子
の成膜に際して、カソードの成膜後のパターニングが不
要である。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した有機ＥＬ
表示装置として、３×３ドットの小規模な有機ＥＬ表示
装置を例に挙げて説明する。この有機ＥＬ表示装置は、
図１に示すように、スキャンライン１としてスキャンラ
イン１Ａ、スキャンライン１Ｂ及びスキャンライン１Ｃ
と、これらスキャンライン１を駆動するスキャンライン
駆動回路２と、これらスキャンライン１とマトリクス状
に交差してなるデータライン３としてデータライン３
Ａ、データライン３Ｂ及びデータライン３Ｃと、これら
データライン３を駆動するデータライン駆動回路４と、
スキャンライン１とデータライン３とが交差する点に対
応して設けられ、これらスキャンライン１及びデータラ
イン３と電気的に接続された複数の画素５を有してい
る。
表示装置として、３×３ドットの小規模な有機ＥＬ表示
装置を例に挙げて説明する。この有機ＥＬ表示装置は、
図１に示すように、スキャンライン１としてスキャンラ
イン１Ａ、スキャンライン１Ｂ及びスキャンライン１Ｃ
と、これらスキャンライン１を駆動するスキャンライン
駆動回路２と、これらスキャンライン１とマトリクス状
に交差してなるデータライン３としてデータライン３
Ａ、データライン３Ｂ及びデータライン３Ｃと、これら
データライン３を駆動するデータライン駆動回路４と、
スキャンライン１とデータライン３とが交差する点に対
応して設けられ、これらスキャンライン１及びデータラ
イン３と電気的に接続された複数の画素５を有してい
る。
【００２５】また、有機ＥＬ表示装置は、データライン
駆動回路４からの画像データ信号によってＯＮ／ＯＦＦ
し、データライン３Ａ、データライン３Ｂ及びデータラ
イン３Ｃとそれぞれ接続されたＦＥＴ（field-effect t
ransistor）６Ａ、６Ｂ及び６Ｃと、ＦＥＴ６Ａ、６Ｂ
及び６Ｃを介してデータライン３に電源を供給する電源
電圧Ｖｄｄと、電源電圧Ｖｄｄからの電流を定電流に変
換して各データライン３に供給する定電流回路７Ａ、７
Ｂ及び７Ｃとを有している。
駆動回路４からの画像データ信号によってＯＮ／ＯＦＦ
し、データライン３Ａ、データライン３Ｂ及びデータラ
イン３Ｃとそれぞれ接続されたＦＥＴ（field-effect t
ransistor）６Ａ、６Ｂ及び６Ｃと、ＦＥＴ６Ａ、６Ｂ
及び６Ｃを介してデータライン３に電源を供給する電源
電圧Ｖｄｄと、電源電圧Ｖｄｄからの電流を定電流に変
換して各データライン３に供給する定電流回路７Ａ、７
Ｂ及び７Ｃとを有している。
【００２６】画素５は、スキャンライン１からの駆動信
号によりスイッチングを行い、ＯＮ状態のとき、すなわ
ちスキャンライン１が選択されたときにデータライン３
からの画像信号に基づく電流を流すスイッチング素子と
してＴＦＴ（thin-film transistor）８と、アノード側
がＴＦＴ８に接続されるとともに、カソード側が接地電
位に接続されている有機ＥＬ素子９とを有している。
号によりスイッチングを行い、ＯＮ状態のとき、すなわ
ちスキャンライン１が選択されたときにデータライン３
からの画像信号に基づく電流を流すスイッチング素子と
してＴＦＴ（thin-film transistor）８と、アノード側
がＴＦＴ８に接続されるとともに、カソード側が接地電
位に接続されている有機ＥＬ素子９とを有している。
【００２７】ＴＦＴ８のソースはデータライン３に接続
され、データライン３を介して電源電圧Ｖｄｄに接続さ
れている。また、ＴＦＴ８のドレインは、有機ＥＬ素子
９のアノードに接続され、有機ＥＬ素子９を介して接地
電位に接続されている。また、ＴＦＴ８のゲートは、ス
キャンライン１に接続されて、スキャンライン駆動回路
２によりＯＮ／ＯＦＦを制御される。
され、データライン３を介して電源電圧Ｖｄｄに接続さ
れている。また、ＴＦＴ８のドレインは、有機ＥＬ素子
９のアノードに接続され、有機ＥＬ素子９を介して接地
電位に接続されている。また、ＴＦＴ８のゲートは、ス
キャンライン１に接続されて、スキャンライン駆動回路
２によりＯＮ／ＯＦＦを制御される。
【００２８】なお、画素５が有するスイッチング素子と
しては、上述したＴＦＴに限定されることなく、電極間
に絶縁物を挟んでなる、いわゆるＭＩＭ（metal-insula
tor-metal）構造の薄膜スイッチング素子を用いること
もできる。また、スイッチング素子としては、薄膜スイ
ッチング素子の他に、ＭＥＭＳ（micro electro-mechan
ical system）技術を利用した機械的なスイッチング素
子等を用いることもできる。
しては、上述したＴＦＴに限定されることなく、電極間
に絶縁物を挟んでなる、いわゆるＭＩＭ（metal-insula
tor-metal）構造の薄膜スイッチング素子を用いること
もできる。また、スイッチング素子としては、薄膜スイ
ッチング素子の他に、ＭＥＭＳ（micro electro-mechan
ical system）技術を利用した機械的なスイッチング素
子等を用いることもできる。
【００２９】ここで、画素５の断面構造を図２に示す。
画素５は、ガラス等の透明材料からなる基板１０上に、
ＴＦＴ８と、基板１０及びＴＦＴ８を被覆するように形
成された第１の層間絶縁膜１１と、ＴＦＴ８から引き出
されたソース電極１２及びドレイン電極１３を被覆する
ように第１の層間絶縁膜１１上に形成された第２の層間
絶縁膜１４と、この第２の層間絶縁膜１４上に形成され
た有機ＥＬ素子９とを有している。
画素５は、ガラス等の透明材料からなる基板１０上に、
ＴＦＴ８と、基板１０及びＴＦＴ８を被覆するように形
成された第１の層間絶縁膜１１と、ＴＦＴ８から引き出
されたソース電極１２及びドレイン電極１３を被覆する
ように第１の層間絶縁膜１１上に形成された第２の層間
絶縁膜１４と、この第２の層間絶縁膜１４上に形成され
た有機ＥＬ素子９とを有している。
【００３０】ＴＦＴ８は、ガラス等からなる基板１０上
に形成されたゲート電極１５と、その上面に重ねられた
ゲート絶縁膜１６と、このゲート絶縁膜１６を介してゲ
ート電極１５の上方に重ねられた半導体薄膜１７とから
なる。図２に示すＴＦＴ８は、いわゆるボトムゲート構
造のＴＦＴであり、有機ＥＬ素子９に供給される電流の
通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤを備
えている。ソースＳは、直上の第１の層間絶縁膜１１が
開口して、ソース電極１２を介して図示しないデータラ
イン３と接続されている。また、ドレインＤは、直上の
第１の層間絶縁膜１１が開口して、ドレイン電極１３を
介して有機ＥＬ素子９のアノードと接続されている。ま
た、チャネルＣｈは、ちょうどゲート電極１５の直上に
位置する。
に形成されたゲート電極１５と、その上面に重ねられた
ゲート絶縁膜１６と、このゲート絶縁膜１６を介してゲ
ート電極１５の上方に重ねられた半導体薄膜１７とから
なる。図２に示すＴＦＴ８は、いわゆるボトムゲート構
造のＴＦＴであり、有機ＥＬ素子９に供給される電流の
通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤを備
えている。ソースＳは、直上の第１の層間絶縁膜１１が
開口して、ソース電極１２を介して図示しないデータラ
イン３と接続されている。また、ドレインＤは、直上の
第１の層間絶縁膜１１が開口して、ドレイン電極１３を
介して有機ＥＬ素子９のアノードと接続されている。ま
た、チャネルＣｈは、ちょうどゲート電極１５の直上に
位置する。
【００３１】有機ＥＬ素子９は、第２の層間絶縁膜１４
上に、透明電極１８と、有機ＥＬ発光層１９と、金属電
極２０とが順次積層されてなる。
上に、透明電極１８と、有機ＥＬ発光層１９と、金属電
極２０とが順次積層されてなる。
【００３２】透明電極１８は、ＴＦＴ８のドレイン電極
１３と接続されるため有機ＥＬ素子９のアノードとして
機能し、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる。
１３と接続されるため有機ＥＬ素子９のアノードとして
機能し、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる。
【００３３】有機ＥＬ発光層１９は、例えば正孔輸送層
と発光層と電子輸送層とがこの順に積層されてなる。こ
の有機ＥＬ発光層１９の構造は特に限定されるものでは
なく、正孔輸送層と発光層との積層構造、発光層と電子
輸送層との積層構造、発光層の単層構造等、如何なる構
造であっても構わない。
と発光層と電子輸送層とがこの順に積層されてなる。こ
の有機ＥＬ発光層１９の構造は特に限定されるものでは
なく、正孔輸送層と発光層との積層構造、発光層と電子
輸送層との積層構造、発光層の単層構造等、如何なる構
造であっても構わない。
【００３４】金属電極２０は、有機ＥＬ素子９のカソー
ドとして機能し、基板１０の略全面に亘って、画素５毎
に分離されることなく１枚の平面状に形成されている。
なお、第２の層間絶縁膜１４及び透明電極１８は、第３
の層間絶縁膜２１によって被覆され、この第３の層間絶
縁膜２１上に金属電極２０が平面上に形成される。これ
により、金属電極２０と透明電極１８とが絶縁される。
ドとして機能し、基板１０の略全面に亘って、画素５毎
に分離されることなく１枚の平面状に形成されている。
なお、第２の層間絶縁膜１４及び透明電極１８は、第３
の層間絶縁膜２１によって被覆され、この第３の層間絶
縁膜２１上に金属電極２０が平面上に形成される。これ
により、金属電極２０と透明電極１８とが絶縁される。
【００３５】上述のような構成の有機ＥＬ表示装置にお
いては、スキャンライン駆動回路２及びデータライン駆
動回路４によって、時系列的にスキャンライン１及びデ
ータライン３に信号電圧を印加することにより、選択さ
れたスキャンライン１と選択されたデータライン３との
交点に対応した画素５を発光させる。
いては、スキャンライン駆動回路２及びデータライン駆
動回路４によって、時系列的にスキャンライン１及びデ
ータライン３に信号電圧を印加することにより、選択さ
れたスキャンライン１と選択されたデータライン３との
交点に対応した画素５を発光させる。
【００３６】ここで、スキャンライン１Ｂとデータライ
ン３Ｂとの交点に対応して設けられた画素５を発光させ
る場合を例に挙げて説明する。なお、図１においては、
画素５の位置をデータライン３とスキャンライン１との
マトリクスで表すこととする。
ン３Ｂとの交点に対応して設けられた画素５を発光させ
る場合を例に挙げて説明する。なお、図１においては、
画素５の位置をデータライン３とスキャンライン１との
マトリクスで表すこととする。
【００３７】先ず、データライン駆動回路４を駆動する
ことにより、データライン３Ｂに対して画像データに対
応した信号電流を供給し、データライン３Ｂを選択状態
とする。すなわち、データライン駆動回路４からＦＥＴ
６Ｂのゲート電極間に所定の電圧を印加することによ
り、ＦＥＴ６ＢをＯＮ状態とし、ＦＥＴ６Ｂのソース−
ドレイン間に、例えば２０Ｖの電圧を供給可能な電源電
圧Ｖｄｄからこの電圧に対応した電流を流す。ＦＥＴ６
Ｂを通過した信号電流は、定電流回路７Ｂを通過するこ
とにより、一定の電流値に揃えられる。この定電流回路
７Ｂより、発光輝度に必要な電流がデータライン３Ｂに
流れ込む。一方で、データライン３Ａ及びデータライン
３Ｃは非選択状態とされている。
ことにより、データライン３Ｂに対して画像データに対
応した信号電流を供給し、データライン３Ｂを選択状態
とする。すなわち、データライン駆動回路４からＦＥＴ
６Ｂのゲート電極間に所定の電圧を印加することによ
り、ＦＥＴ６ＢをＯＮ状態とし、ＦＥＴ６Ｂのソース−
ドレイン間に、例えば２０Ｖの電圧を供給可能な電源電
圧Ｖｄｄからこの電圧に対応した電流を流す。ＦＥＴ６
Ｂを通過した信号電流は、定電流回路７Ｂを通過するこ
とにより、一定の電流値に揃えられる。この定電流回路
７Ｂより、発光輝度に必要な電流がデータライン３Ｂに
流れ込む。一方で、データライン３Ａ及びデータライン
３Ｃは非選択状態とされている。
【００３８】この状態で、スキャンライン駆動回路２を
駆動することによりスキャンライン１Ｂに対して走査信
号を供給する。これにより、｛スキャンライン１Ｂ，デ
ータライン３Ｂ｝の画素５が特定され、この画素５が有
するＴＦＴ８のゲート電極間にスキャンライン１Ｂから
所定の電圧が印加されてＴＦＴ８がＯＮ状態となる。こ
の結果、データライン３Ｂからの信号電流がＴＦＴ８の
ソース−ドレイン間を流れ、さらにＴＦＴ８のドレイン
に接続された有機ＥＬ素子９に流れ込む。この結果、有
機ＥＬ素子９の有機ＥＬ発光層１９において正孔と電子
との再結合が生じることによって光を生じ、所望の｛ス
キャンライン１Ｂ，データライン３Ｂ｝の画素５を発光
させることができる。
駆動することによりスキャンライン１Ｂに対して走査信
号を供給する。これにより、｛スキャンライン１Ｂ，デ
ータライン３Ｂ｝の画素５が特定され、この画素５が有
するＴＦＴ８のゲート電極間にスキャンライン１Ｂから
所定の電圧が印加されてＴＦＴ８がＯＮ状態となる。こ
の結果、データライン３Ｂからの信号電流がＴＦＴ８の
ソース−ドレイン間を流れ、さらにＴＦＴ８のドレイン
に接続された有機ＥＬ素子９に流れ込む。この結果、有
機ＥＬ素子９の有機ＥＬ発光層１９において正孔と電子
との再結合が生じることによって光を生じ、所望の｛ス
キャンライン１Ｂ，データライン３Ｂ｝の画素５を発光
させることができる。
【００３９】このとき、｛スキャンライン１Ｂ，データ
ライン３Ｂ｝の画素５以外の非選択画素においては、画
像データに対応した信号電流がデータライン３に供給さ
れないか、又は、スキャンライン１が選択されないこと
によりＴＦＴ８がＯＦＦ状態とされているために、有機
ＥＬ素子９への電流の供給が遮断され非発光とされる。
ライン３Ｂ｝の画素５以外の非選択画素においては、画
像データに対応した信号電流がデータライン３に供給さ
れないか、又は、スキャンライン１が選択されないこと
によりＴＦＴ８がＯＦＦ状態とされているために、有機
ＥＬ素子９への電流の供給が遮断され非発光とされる。
【００４０】この有機ＥＬ表示装置は、各画素５に配さ
れたＴＦＴ８によってスキャンライン１とデータライン
３とが絶縁されるとともに、選択されたスキャンライン
１と選択されたデータライン３との交点に対応したＴＦ
Ｔ８のみのソース−ドレイン間に信号電流が流れるよう
になされている。すなわち、本発明を適用した有機ＥＬ
表示装置は、所望の画素５の有機ＥＬ素子９にのみ順方
向の電流を流し、発光させる。これに対して、非選択画
素の有機ＥＬ素子９には、順方向及び逆方向の電流をと
もに流さない構成とされているため、従来の単純マトリ
クス駆動方式の有機ＥＬ表示装置のように、逆バイアス
特性の悪い有機ＥＬ素子にリーク電流が流れることによ
り、非選択状態のスキャンライン及び／又はデータライ
ンに電流が回り込むことが防止される。
れたＴＦＴ８によってスキャンライン１とデータライン
３とが絶縁されるとともに、選択されたスキャンライン
１と選択されたデータライン３との交点に対応したＴＦ
Ｔ８のみのソース−ドレイン間に信号電流が流れるよう
になされている。すなわち、本発明を適用した有機ＥＬ
表示装置は、所望の画素５の有機ＥＬ素子９にのみ順方
向の電流を流し、発光させる。これに対して、非選択画
素の有機ＥＬ素子９には、順方向及び逆方向の電流をと
もに流さない構成とされているため、従来の単純マトリ
クス駆動方式の有機ＥＬ表示装置のように、逆バイアス
特性の悪い有機ＥＬ素子にリーク電流が流れることによ
り、非選択状態のスキャンライン及び／又はデータライ
ンに電流が回り込むことが防止される。
【００４１】したがって、逆バイアス特性に劣る有機Ｅ
Ｌ素子を用いた場合であってもリーク電流に起因する非
選択画素の誤発光が防止されるため、有機ＥＬ素子の逆
バイアス特性の良否に依存することなく、高コントラス
トの有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
Ｌ素子を用いた場合であってもリーク電流に起因する非
選択画素の誤発光が防止されるため、有機ＥＬ素子の逆
バイアス特性の良否に依存することなく、高コントラス
トの有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【００４２】また、有機ＥＬ素子には厳密な逆バイアス
特性が要求されないため、有機ＥＬ素子の成膜条件の緩
和が可能となる。この結果、有機ＥＬ素子の製造、ひい
ては有機ＥＬ表示装置の製造が容易となり、有機ＥＬ表
示装置の低コスト化を図ることができる。
特性が要求されないため、有機ＥＬ素子の成膜条件の緩
和が可能となる。この結果、有機ＥＬ素子の製造、ひい
ては有機ＥＬ表示装置の製造が容易となり、有機ＥＬ表
示装置の低コスト化を図ることができる。
【００４３】また、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置
は、図１に示すように、有機ＥＬ素子９のアノードをＴ
ＦＴ８に接続する一方で、カソードを接地電位に接続し
ている。このため、図２に示すように、カソードである
金属電極２０は、従来の有機ＥＬ表示装置のようにスト
ライプ状にパターニングされる必要がなく、有機ＥＬ表
示装置の全体に亘って１枚の平板状とされていれば良
い。すなわち、有機ＥＬ発光層１９上に成膜される金属
電極２０のパターニングが不要となる。したがって、本
発明を適用した有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子９を
構成する有機材料にダメージを与えることなく高精細化
を実現できる。
は、図１に示すように、有機ＥＬ素子９のアノードをＴ
ＦＴ８に接続する一方で、カソードを接地電位に接続し
ている。このため、図２に示すように、カソードである
金属電極２０は、従来の有機ＥＬ表示装置のようにスト
ライプ状にパターニングされる必要がなく、有機ＥＬ表
示装置の全体に亘って１枚の平板状とされていれば良
い。すなわち、有機ＥＬ発光層１９上に成膜される金属
電極２０のパターニングが不要となる。したがって、本
発明を適用した有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子９を
構成する有機材料にダメージを与えることなく高精細化
を実現できる。
【００４４】以下、上述したような有機ＥＬ表示装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００４５】先ず、図３に示すように、例えば透明なガ
ラス基板からなる基板１０上に、データライン３及びス
キャンライン１を互いに直交するようにストライプ状に
形成する。データライン３及びスキャンライン１は、例
えばＡｌ、Ａｌ合金等からなる。
ラス基板からなる基板１０上に、データライン３及びス
キャンライン１を互いに直交するようにストライプ状に
形成する。データライン３及びスキャンライン１は、例
えばＡｌ、Ａｌ合金等からなる。
【００４６】次に、図４に示すように、基板１０上に、
ゲート電極１５、ゲート絶縁膜１６、及び半導体薄膜１
７を順次堆積・パターニングし、ＴＦＴ８を形成する。
また、半導体薄膜１７のゲート電極１３の両脇の領域に
不純物導入し、ソースＳ及びドレインＤを形成する。ま
た、ＴＦＴ８を被覆するように、基板１０の上方に第１
の層間絶縁膜１１を形成する。
ゲート電極１５、ゲート絶縁膜１６、及び半導体薄膜１
７を順次堆積・パターニングし、ＴＦＴ８を形成する。
また、半導体薄膜１７のゲート電極１３の両脇の領域に
不純物導入し、ソースＳ及びドレインＤを形成する。ま
た、ＴＦＴ８を被覆するように、基板１０の上方に第１
の層間絶縁膜１１を形成する。
【００４７】次に、第１の層間絶縁膜１１のソースＳ及
びドレインＤに対応する箇所を例えばエッチングにより
開口して、開口部を形成する。この開口部を介してソー
スＳと接続するソース電極１２及びドレインＤと接続す
るドレイン電極１３を、所定の形状にパターニングして
形成する。
びドレインＤに対応する箇所を例えばエッチングにより
開口して、開口部を形成する。この開口部を介してソー
スＳと接続するソース電極１２及びドレインＤと接続す
るドレイン電極１３を、所定の形状にパターニングして
形成する。
【００４８】次に、ＴＦＴ８、ソース電極１２及びドレ
イン電極１３を被覆するように、基板１０の上方に第２
の層間絶縁膜１４を形成する。この第２の層間絶縁膜１
４の、ドレイン電極１３に対応する箇所を、例えばエッ
チングにより開口して、開口部を形成する。
イン電極１３を被覆するように、基板１０の上方に第２
の層間絶縁膜１４を形成する。この第２の層間絶縁膜１
４の、ドレイン電極１３に対応する箇所を、例えばエッ
チングにより開口して、開口部を形成する。
【００４９】なお、ここまでの工程には、例えばフォト
リソグラフィ法等の薄膜形成プロセスを使用可能であ
る。
リソグラフィ法等の薄膜形成プロセスを使用可能であ
る。
【００５０】次に、図５に示すように、画素５に対応す
る領域において、第２の層間絶縁膜１４上に透明電極１
８及び有機ＥＬ発光層１９を順次所定の形状に形成す
る。
る領域において、第２の層間絶縁膜１４上に透明電極１
８及び有機ＥＬ発光層１９を順次所定の形状に形成す
る。
【００５１】具体的には、ＩＴＯをスパッタ法等により
成膜してなる透明電極１８上に、画素５毎に赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色がストライプ状となるよう
に、マスクをかけながら例えば蒸着法等により有機ＥＬ
発光層１９を成膜する。
成膜してなる透明電極１８上に、画素５毎に赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色がストライプ状となるよう
に、マスクをかけながら例えば蒸着法等により有機ＥＬ
発光層１９を成膜する。
【００５２】次に、図６に示すように、基板１０の上方
の略全面に亘って、例えばＡｌを蒸着することにより、
カソードとなる金属電極２０を成膜する。
の略全面に亘って、例えばＡｌを蒸着することにより、
カソードとなる金属電極２０を成膜する。
【００５３】なお、図４、図５及び図６においては、説
明を容易にするためにゲート絶縁膜１６、第１の層間絶
縁膜１１、及び第２の層間絶縁膜１４の図示を省略して
いる。
明を容易にするためにゲート絶縁膜１６、第１の層間絶
縁膜１１、及び第２の層間絶縁膜１４の図示を省略して
いる。
【００５４】以上のような製造方法では、熱や溶剤等に
弱い有機ＥＬ発光層１９を成膜する前に、予めスキャン
ライン１、データライン３及びスイッチング素子である
ＴＦＴ８を形成しておく。このため、有機ＥＬ発光層１
９の構成材料の劣化に配慮することなく、フォトレジス
トによる露光現像エッチング等、薄膜形成プロセスを使
用して、極めて微細なスキャンライン１、データライン
３及びＴＦＴ８を形成できる。
弱い有機ＥＬ発光層１９を成膜する前に、予めスキャン
ライン１、データライン３及びスイッチング素子である
ＴＦＴ８を形成しておく。このため、有機ＥＬ発光層１
９の構成材料の劣化に配慮することなく、フォトレジス
トによる露光現像エッチング等、薄膜形成プロセスを使
用して、極めて微細なスキャンライン１、データライン
３及びＴＦＴ８を形成できる。
【００５５】また、マスク等を用いた蒸着等によって有
機ＥＬ発光層１９を形成した後は、金属電極２０をパタ
ーニングすることなく基板１０の上方に堆積させるだけ
で、有機ＥＬ素子９が完成する。すなわち、従来の単純
マトリクス駆動方式の表示装置では、有機ＥＬ発光層の
成膜後にカソードとなる金属電極をそれぞれ独立に成膜
しなければならないが、本発明においては、全ての有機
ＥＬ素子のカソードを接地電位に接続するため、カソー
ドのパターニングが不要となる。
機ＥＬ発光層１９を形成した後は、金属電極２０をパタ
ーニングすることなく基板１０の上方に堆積させるだけ
で、有機ＥＬ素子９が完成する。すなわち、従来の単純
マトリクス駆動方式の表示装置では、有機ＥＬ発光層の
成膜後にカソードとなる金属電極をそれぞれ独立に成膜
しなければならないが、本発明においては、全ての有機
ＥＬ素子のカソードを接地電位に接続するため、カソー
ドのパターニングが不要となる。
【００５６】したがって、有機ＥＬ発光層１９に与える
ダメージを最小限に抑えつつ、高精細な有機ＥＬ表示装
置を簡単に製造することができる。
ダメージを最小限に抑えつつ、高精細な有機ＥＬ表示装
置を簡単に製造することができる。
【００５７】また、比較的逆バイアス特性に劣る有機Ｅ
Ｌ素子であっても高コントラスト化が可能であるため、
有機ＥＬ素子の成膜条件を緩和できる。
Ｌ素子であっても高コントラスト化が可能であるため、
有機ＥＬ素子の成膜条件を緩和できる。
【００５８】なお、上述の説明では、３×３ドットの有
機ＥＬ表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、データライン３及びスキャンライン
１の本数を増減することにより、ｍ×ｎドットの任意の
大きさとすることができる。
機ＥＬ表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、データライン３及びスキャンライン
１の本数を増減することにより、ｍ×ｎドットの任意の
大きさとすることができる。
【００５９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る有機ＥＬ表示装置は、逆バイアス特性に劣る有
機ＥＬ素子が存在したとしても、各画素にスイッチング
素子が配されているため、この有機ＥＬ素子のリーク電
流に起因する非選択画素の誤発光が防止され、所望の画
素のみを発光させられる。また、本発明に係る有機ＥＬ
表示装置は、有機ＥＬ素子のカソードのパターニングが
不要である。
明に係る有機ＥＬ表示装置は、逆バイアス特性に劣る有
機ＥＬ素子が存在したとしても、各画素にスイッチング
素子が配されているため、この有機ＥＬ素子のリーク電
流に起因する非選択画素の誤発光が防止され、所望の画
素のみを発光させられる。また、本発明に係る有機ＥＬ
表示装置は、有機ＥＬ素子のカソードのパターニングが
不要である。
【００６０】したがって、本発明によれば、有機ＥＬ素
子の逆バイアス特性に依存することなく高コントラスト
を実現するとともに、有機ＥＬ素子へのダメージを抑え
つつ高精細な単純マトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装
置を提供できる。
子の逆バイアス特性に依存することなく高コントラスト
を実現するとともに、有機ＥＬ素子へのダメージを抑え
つつ高精細な単純マトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装
置を提供できる。
【００６１】また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製
造方法は、熱や溶剤等に弱い有機ＥＬ素子を成膜する前
に、予め基板上に第１の配線、第２の配線及びスイッチ
ング素子を形成するため、有機ＥＬ素子の構成材料の劣
化に配慮することなく、第１の配線、第２の配線及びス
イッチング素子の微細化が可能である。また、有機ＥＬ
素子の成膜に際して、カソードの成膜後のパターニング
が不要である。したがって、本発明によれば、有機ＥＬ
素子にダメージを与えることなく、高精細な有機ＥＬ表
示装置を製造可能である。また、本発明によれば、有機
ＥＬ素子の逆バイアス特性に依存することなく高コント
ラストを実現する有機ＥＬ表示装置を製造可能である。
造方法は、熱や溶剤等に弱い有機ＥＬ素子を成膜する前
に、予め基板上に第１の配線、第２の配線及びスイッチ
ング素子を形成するため、有機ＥＬ素子の構成材料の劣
化に配慮することなく、第１の配線、第２の配線及びス
イッチング素子の微細化が可能である。また、有機ＥＬ
素子の成膜に際して、カソードの成膜後のパターニング
が不要である。したがって、本発明によれば、有機ＥＬ
素子にダメージを与えることなく、高精細な有機ＥＬ表
示装置を製造可能である。また、本発明によれば、有機
ＥＬ素子の逆バイアス特性に依存することなく高コント
ラストを実現する有機ＥＬ表示装置を製造可能である。
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の回路図で
ある。
ある。
【図２】画素の断面図である。
【図３】基板上にデータライン３及びスキャンライン１
を形成した状態を示す斜視図である。
を形成した状態を示す斜視図である。
【図４】基板上にＴＦＴを形成した状態を示す斜視図で
ある。
ある。
【図５】基板上に有機ＥＬ発光層を成膜した状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】基板の上方にカソードとして金属電極を成膜し
た状態を示す分解斜視図である。
た状態を示す分解斜視図である。
【図７】有機ＥＬ素子の要部概略断面図である。
【図８】理想的な逆バイアス特性を示す有機ＥＬ素子の
電流電圧特性図である。
電流電圧特性図である。
【図９】図８に示すような逆バイアス特性を示す有機Ｅ
Ｌ素子を用いて構成した、従来の単純マトリクス駆動方
式の有機ＥＬ表示装置において、｛スキャンライン１１
Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の画素を発光させた状態の
回路図である。
Ｌ素子を用いて構成した、従来の単純マトリクス駆動方
式の有機ＥＬ表示装置において、｛スキャンライン１１
Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の画素を発光させた状態の
回路図である。
【図１０】逆バイアス特性に劣る有機ＥＬ素子の電流電
圧特性図である。
圧特性図である。
【図１１】図１０に示すような逆バイアス特性を示す有
機ＥＬ素子を用いて構成した、従来の単純マトリクス駆
動方式の有機ＥＬ表示装置において、｛スキャンライン
１１Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の画素を発光させた状
態の回路図である。
機ＥＬ素子を用いて構成した、従来の単純マトリクス駆
動方式の有機ＥＬ表示装置において、｛スキャンライン
１１Ｂ，データライン１１２Ｂ｝の画素を発光させた状
態の回路図である。
１ スキャンライン、２ スキャンライン駆動回路、３
データライン、４データライン駆動回路、５ 画素、
６ ＦＥＴ、７ 定電流回路、８ ＴＦＴ、９ 有機Ｅ
Ｌ素子、１０ 基板、１１ 第１の層間絶縁膜、１２
ソース電極、１３ ドレイン電極、１４ 第２の層間絶
縁膜、１５ ゲート電極、１６ ゲート絶縁膜、１７
半導体薄膜、１８ 透明電極、１９ 有機ＥＬ発光層、
２０金属電極、２１ 第３の層間絶縁膜
データライン、４データライン駆動回路、５ 画素、
６ ＦＥＴ、７ 定電流回路、８ ＴＦＴ、９ 有機Ｅ
Ｌ素子、１０ 基板、１１ 第１の層間絶縁膜、１２
ソース電極、１３ ドレイン電極、１４ 第２の層間絶
縁膜、１５ ゲート電極、１６ ゲート絶縁膜、１７
半導体薄膜、１８ 透明電極、１９ 有機ＥＬ発光層、
２０金属電極、２１ 第３の層間絶縁膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｊ
Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０５Ｂ 33/10
Ｈ０５Ｂ 33/10 33/14 Ａ
33/14 33/26 Ｚ
33/26 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１４
Ｆターム(参考） 3K007 AB17 AB18 BA06 CA01 CB01
DA00 DB03 EB00 FA01
5C080 AA06 BB05 DD09 DD30 FF10
FF11 JJ02 JJ05 JJ06
5C094 AA06 AA31 AA43 BA03 BA29
CA19 DA14 DB04 EA04 EA07
5F110 AA27 BB20 CC08 DD02 NN71
Claims (15)
- 【請求項１】 基板と、基板の一主面上に形成された第
１の配線と、上記第１の配線と交差して形成された第２
の配線と、上記第１の配線と上記第２の配線との交点に
対応して配された複数の画素とを有し、 上記画素は、 上記第１の配線が選択されたときに導通して上記第２の
配線から供給された信号電流を流すスイッチング素子
と、 上記スイッチング素子からの信号電流を受け入れて発光
する有機ＥＬ素子とを有することを特徴とする有機ＥＬ
表示装置。 - 【請求項２】 上記スイッチング素子は、薄膜スイッチ
ング素子であることを特徴とする請求項１記載の有機Ｅ
Ｌ表示装置。 - 【請求項３】 上記スイッチング素子は、ＭＥＭＳ技術
を利用した機械的なスイッチング素子であることを特徴
とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項４】 上記有機ＥＬ素子は、少なくともアノー
ドと有機ＥＬ発光層とカソードとがこの順に積層されて
なり、 上記アノードは上記スイッチング素子と接続されるとと
もに、上記カソードは接地電位と接続されていることを
特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項５】 上記カソードは、上記基板の一主面の全
体に亘って形成されていることを特徴とする請求項４記
載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項６】 上記第１の配線は、スキャン信号が供給
されるスキャンラインであり、 上記第２の配線は、画像データ信号が供給されるデータ
ラインであることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ
表示装置。 - 【請求項７】 上記データラインには定電流回路が接続
されていることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ表
示装置。 - 【請求項８】 単純マトリクス駆動型であることを特徴
とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項９】 基板の一主面上に第１の配線と、第２の
配線と、上記第１の配線と上記第２の配線との交点に対
応した位置にスイッチング素子とを形成する第１の工程
と、 上記第１の工程で形成された上記スイッチング素子から
の信号電流を受け入れて発光することが可能な有機ＥＬ
素子を形成する第２の工程とを有することを特徴とする
有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 上記第１の工程において、上記第１の
配線、上記第２の配線、及び上記スイッチング素子を、
薄膜形成プロセスにより形成することを特徴とする請求
項９記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 上記スイッチング素子は、薄膜スイッ
チング素子であることを特徴とする請求項１０記載の有
機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 上記第２の工程において、アノードと
有機ＥＬ発光層とカソードとをこの順に積層して上記有
機ＥＬ素子を形成することを特徴とする請求項９記載の
有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】 上記基板の一主面の全体に亘って、上
記カソードを形成することを特徴とする請求項１２記載
の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 上記第１の配線は、スキャン信号が供
給されるスキャンラインであり、 上記第２の配線は、画像データ信号が供給されるデータ
ラインであることを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬ
表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 上記データラインに定電流回路を接続
することを特徴とする請求項１４記載の有機ＥＬ表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001258427A JP2003066871A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001258427A JP2003066871A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003066871A true JP2003066871A (ja) | 2003-03-05 |
Family
ID=19085954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001258427A Withdrawn JP2003066871A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003066871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009211035A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その駆動方法、電子機器 |
| JP2012014020A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001258427A patent/JP2003066871A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009211035A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その駆動方法、電子機器 |
| US8610644B2 (en) | 2008-02-06 | 2013-12-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2012014020A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
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