JP2002296402A - Radiation-sensitive variable refractive index composition and method for varying refractive index - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive variable refractive index composition for an optical material so that the refractive index of the material can be varied by an easy method, the difference in the varied refractive indices is sufficiently large, and a stable refractive index pattern and optical material can be obtained without depending on the succeeding use conditions. SOLUTION: The radiation-sensitive variable refractive index composition contains (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposing compound having the refractive index lower than that of the decomposable compound (A), (C) a radiation-sensitive decomposing agent and (D) a stabilizer. By irradiating the composition with radiation through a pattern mask, the above component (C) and the component (A) in the irradiated part are decomposed to produce a difference in the refractive index between the irradiated part and the non- irradiated part to form a pattern having different refractive indices.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性屈折率
変化性組成物、屈折率パターンの形成方法、屈折率パタ
ーンおよび光学材料に関する。さらに詳しくは光エレク
トロニクスやディスプレイ分野に応用される新規な感放
射線性屈折率変化性組成物、屈折率パターン形成方法、
屈折率パターンおよび光学材料に関する。The present invention relates to a radiation-sensitive refractive index changing composition, a method for forming a refractive index pattern, a refractive index pattern, and an optical material. More specifically, a novel radiation-sensitive refractive index changing composition applied to optoelectronics and display fields, a method of forming a refractive index pattern,
It relates to a refractive index pattern and an optical material.

【０００２】[0002]

【従来の技術】マルチメディア社会といわれる現在、異
なる屈折率領域から構成される屈折率分布型光学成形体
の需要は極めて大きい。そのような例として情報伝達を
担う光ファイバーは勿論、周期的な屈折率変化を有する
光回折格子、屈折率の異なる部位によって情報が書き込
まれた光メモリ、微細な屈折率パターンを有する光集積
回路等の光結合素子、光制御素子、光変調素子および光
伝送素子が挙げられる。なお、ここで屈折率分布型光学
成形体とは、ＧＩ型光ファイバー等のような成形体中で
屈折率が連続的に分布している場合（以下、ＧＲＩＮ光
学成形体という）と、光回折格子、ＳＩ型光導波路等の
ように屈折率の分布形状が不連続的な場合の両方をい
う。2. Description of the Related Art At present, which is referred to as a multimedia society, there is a great demand for a refractive index distribution type optical molded product composed of different refractive index regions. Such examples include optical fibers that carry information transmission, as well as optical diffraction gratings with periodic refractive index changes, optical memories in which information is written by portions with different refractive indexes, and optical integrated circuits with fine refractive index patterns. An optical coupling element, an optical control element, an optical modulation element, and an optical transmission element can be used. Here, the refractive index distribution type optical molded body refers to a case where a refractive index is continuously distributed in a molded body such as a GI optical fiber (hereinafter, referred to as a GRIN optical molded body) and an optical diffraction grating. , And the case where the distribution of the refractive index is discontinuous as in the case of the SI type optical waveguide.

【０００３】ＧＲＩＮ光学成形体は、次世代の光学成形
体として注目されている。例えば、光ファイバーのコア
の中心軸から周辺部へ放物線状に屈折率を減少させたＧ
Ｉ型光ファイバーは大容量の情報伝送を可能とし、ま
た、レンズ中で屈折率が連続的に変化したＧＲＩＮレン
ズは、平面でも屈折力を持つことや、球面収差を生じな
い等の特長を生かし、コピー機などに用いる読み取りレ
ンズ、ファイバー同士をつなぐ球状レンズ、あるいはマ
イクロレンズなどに応用される。[0003] The GRIN optical molded article has received attention as a next-generation optical molded article. For example, G in which the refractive index is reduced in a parabolic manner from the central axis of the core of the optical fiber to the peripheral portion.
The I-type optical fiber enables large-capacity information transmission, and the GRIN lens whose refractive index continuously changes in the lens takes advantage of its features such as having refractive power even on a flat surface and not causing spherical aberration. It is applied to a reading lens used in a copier, a spherical lens connecting fibers, or a micro lens.

【０００４】上述のようなＧＲＩＮ光学成形体の製造方
法としては、これまで数多くの提案がなされている。例
えば低分子あるいはモノマーをポリマー中に分散させ、
その濃度を連続的に分布させることによってＧＩ型光フ
ァイバーを得る方法が特開平９−１３３８１３号公報、
特開平８−３３６９１１号公報、特開平８−３３７６０
９号公報、特開平３−１９２３１０号公報、特開平５−
６０９３１号公報、ＷＯ９３／１９５０５国際公開特許
公報およびＷＯ９４／０４９４９国際公開特許公報に開
示されている。また、特開昭６２−２５７０５号は屈折
率および反応比の異なる２種類以上のビニルモノマーを
光で共重合させることによりＧＩ型のロッド状光学成形
体あるいは光ファイバーを得ることを開示している。さ
らに特開平７−５６０２６号公報は光反応性の官能基を
有する重合体Ａを形成し、Ａより低屈折率である化合物
ＢをＡの中に拡散させ、Ｂの濃度分布を形成した後、光
でＡとＢを反応させ屈折率分布を得る方法を開示してい
る。[0004] A number of proposals have been made for the above-mentioned method for producing a GRIN optical molded article. For example, a low molecule or monomer is dispersed in a polymer,
A method of obtaining a GI optical fiber by continuously distributing the concentration is disclosed in JP-A-9-1333813,
JP-A-8-336911, JP-A-8-33760
9, JP-A-3-192310 and JP-A-5-192.
No. 60931, WO 93/19505 and WO 94/04949. JP-A-62-25705 discloses that a GI rod-shaped optical molded product or an optical fiber is obtained by copolymerizing two or more kinds of vinyl monomers having different refractive indexes and reaction ratios with light. Furthermore, JP-A-7-56026 discloses a method of forming a polymer A having a photoreactive functional group, diffusing a compound B having a lower refractive index than A into A, and forming a concentration distribution of B. A method of reacting A and B with light to obtain a refractive index distribution is disclosed.

【０００５】また無機材料についてのＧＲＩＮ光学成形
体の製造方法もいくつか提案されており、例えばケイ素
や鉛などを主成分とするロッド状のガラスに高屈折率の
タリウムを加え、低屈折率のカリウムを含む溶融液に浸
漬し、イオン交換によりカリウムの濃度分布を形成させ
てＧＩ型ロッドとする方法である。There have also been proposed several methods for producing a GRIN optical molded body of an inorganic material. For example, a high refractive index thallium is added to a rod-shaped glass containing silicon or lead as a main component, and a low refractive index glass is formed. This is a method of immersing in a melt containing potassium to form a concentration distribution of potassium by ion exchange to obtain a GI rod.

【０００６】ＧＲＩＮレンズは、上述の方法を、短いロ
ッドつまりレンズ状の光学成形体について適用すれば同
様に得ることができる。あるいは上述の方法で作成した
ＧＩ型ロッドを輪切りにしてもよい。A GRIN lens can be obtained similarly by applying the above-described method to a short rod, that is, a lens-shaped optical molded body. Alternatively, the GI rod created by the above-described method may be sliced.

【０００７】また前述した光回折格子、光集積回路等の
ような屈折率の微細なパターンを有する光学成形体の製
造方法としては、光照射により成形体中に光化学反応を
誘起させ、それに伴う屈折率変化を得るという技術が知
られている。例えば、無機材料の場合、ゲルマニウムを
ドープしたガラスに光照射し、屈折率を変化させて光回
折格子を作製する方法などが挙げられる。また、有機材
料においては、フォトクロミック反応あるいはフォトブ
リーチングとして知られており、光化学反応活性な低分
子をポリマー中に分散させた材料にレーザー光を照射す
ることによって屈折率変化を誘起し、光回折格子とする
技術が特開平７−９２３１３号公報などで開示されてい
る。さらに最近では、この技術をＧＲＩＮ光学成形体の
製造に応用することが特開平９−１７８９０１号公報に
よって提案されている。この方法は成形体に照射した光
が吸収されて強度が弱くなるのを利用し、照射に対して
深さ方向に連続的な屈折率分布を付与するものである。Further, as a method for manufacturing an optical molded body having a fine pattern of a refractive index, such as the above-mentioned optical diffraction grating, optical integrated circuit, etc., a photochemical reaction is induced in the molded body by irradiation with light, and refraction accompanying the photochemical reaction is induced. A technique for obtaining a rate change is known. For example, in the case of an inorganic material, a method of irradiating germanium-doped glass with light and changing the refractive index to produce an optical diffraction grating can be used. In organic materials, it is also known as photochromic reaction or photobleaching, in which a material in which low-molecules having photochemical reaction activity are dispersed in a polymer is irradiated with laser light to induce a change in the refractive index, resulting in light diffraction. A technique for forming a lattice is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-92313. More recently, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-178901 has proposed that this technique be applied to the production of a GRIN optical molded article. This method makes use of the fact that the light irradiated on the molded body is absorbed and the intensity is weakened, and gives a continuous refractive index distribution in the depth direction to the irradiation.

【０００８】しかしながら、上記した従来の材料で得ら
れる屈折率分布は、その最大屈折率差がせいぜい０．０
０１〜０．０２程度であり、光学損失の防止や回路の誤
作動の抑制といった目的に対して、さらに大幅な屈折率
分布を持たせることを達成することは難しい。また、一
旦屈折率分布を形成した後、屈折率を変化させるために
使用した波長付近の光が通過する条件下で使用すると、
徐々に屈折率の変化を引き起こし劣化してしまう現象を
防止することはできなかった。However, the refractive index distribution obtained from the above-mentioned conventional material has a maximum refractive index difference of at most 0.0.
It is about 0.01 to 0.02, and it is difficult to achieve a further large refractive index distribution for the purpose of preventing optical loss and suppressing malfunction of the circuit. Also, once formed a refractive index distribution, when used under conditions where light near the wavelength used to change the refractive index passes,
It was not possible to prevent the phenomenon that the refractive index gradually changed and deteriorated.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における上記した実情に鑑みてなされたものである。す
なわち、本発明の目的は、材料の屈折率変化を簡易な方
法で行うとともに、その変化した屈折率差が十分大きな
値となり、しかもその後の使用条件によらずに安定な屈
折率パターンや光学材料を与えることができる感放射線
性、屈折率変化性組成物を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances in the prior art. That is, an object of the present invention is to change the refractive index of a material by a simple method, and to obtain a sufficiently large difference in the changed refractive index, and furthermore, to obtain a stable refractive index pattern or optical material regardless of subsequent use conditions. It is an object of the present invention to provide a radiation-sensitive, refractive-index-changing composition that can provide the following.

【００１０】本発明の他の目的は、放射線照射により微
細な空孔を形成ししかも形成された微細な空孔を安定に
保持し且つ微細な空孔を多数有するにもかかわらず強い
膜強度を備えた屈折率パターンを与える感放射線性屈折
率変化性組成物を提供することにある。本発明の他の目
的は、本発明の上記組成物から屈折率パターンを形成す
る方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、本発明の上記方法により製造した屈折率パターンあ
るいは光学材料を提供することにある。本発明のさらに
他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。Another object of the present invention is to form fine pores by irradiating radiation, stably retain the formed fine pores, and obtain a strong film strength despite having many fine pores. An object of the present invention is to provide a radiation-sensitive refractive index changing composition which provides a provided refractive index pattern. It is another object of the present invention to provide a method for forming a refractive index pattern from the composition of the present invention. Still another object of the present invention is to provide a refractive index pattern or an optical material manufactured by the above method of the present invention. Still other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、第１に、（Ａ）分解性化合
物、（Ｂ）分解性化合物（Ａ）よりも屈折率が低い非分
解性化合物、（Ｃ）感放射線分解剤および（Ｄ）安定化
剤を含有することを特徴とする、感放射線性屈折率変化
性組成物により達成される。According to the present invention, the above objects and advantages of the present invention are as follows. First, (A) a decomposable compound and (B) a decomposable compound having a lower refractive index than (A). This is achieved by a radiation-sensitive refractive index changing composition comprising a non-decomposable compound, (C) a radiation-sensitive decomposer and (D) a stabilizer.

【００１２】本発明の上記目的および利点は、第２に、
（Ａ）分解性化合物、（Ｂ）分解性化合物（Ａ）よりも
屈折率が低い非分解性化合物、（Ｃ）感放射線分解剤お
よび（Ｄ）安定化剤を含有する、感放射線性屈折率変化
性組成物に放射線を照射し、次いで加熱して未露光部の
安定化剤（Ｄ）と分解性化合物（Ａ）を反応せしめるこ
とを特徴とする、屈折率パターン形成方法によって達成
される。The above objects and advantages of the present invention are, second,
(A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound having a lower refractive index than the decomposable compound (A), (C) a radiation-sensitive decomposer, and (D) a stabilizer. This is achieved by a method of forming a refractive index pattern, which comprises irradiating the variable composition with radiation and then heating the same so as to react the stabilizer (D) in the unexposed area with the decomposable compound (A).

【００１３】本発明の上記目的および利点は、第３に、
（Ａ）分解性化合物、（Ｂ）分解性化合物（Ａ）よりも
屈折率が低い非分解性化合物および（Ｃ）感放射線分解
剤を含有する屈折率変化性組成物にパターンマスクを介
して放射線を照射した後、（Ｄ）安定化剤で処理して未
露光部の（Ａ）分解性化合物を（Ｄ）安定化剤と反応せ
しめることを特徴とする屈折率パターン形成方法によっ
て達成される。[0013] The above objects and advantages of the present invention are:
Radiation is applied to a refractive index changing composition containing (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound having a lower refractive index than the decomposable compound (A), and (C) a radiation-sensitive decomposer through a pattern mask. And then reacting with (D) a stabilizer to react the (A) decomposable compound in the unexposed portion with the (D) stabilizer, thereby achieving a refractive index pattern forming method.

【００１４】本発明の上記目的および利点は、第４に、
（Ａ）分解性化合物、（Ｂ）分解性化合物（Ａ）よりも
屈折率が低い非分解性化合物および（Ｃ）感放射線分解
剤を含有する屈折率変化性組成物にパターンマスクを介
して放射線を照射した後、加熱処理して未露光部の分解
性重合体を分解せしめることを特徴とする屈折率パター
ン形成方法によって達成される。The above objects and advantages of the present invention are:
Radiation is applied to a refractive index changing composition containing (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound having a lower refractive index than the decomposable compound (A) and (C) a radiation-sensitive decomposer via a pattern mask. And a heat treatment to decompose the decomposable polymer in the unexposed portions, thereby achieving a refractive index pattern forming method.

【００１５】本発明の上記目的および利点は、第５に、
上記屈折率パターン形成方法によって形成された屈折率
パターンによって達成される。[0015] Fifth, the objects and advantages of the present invention are as follows.
This is achieved by the refractive index pattern formed by the above-described method of forming a refractive index pattern.

【００１６】本発明の上記目的および利点は、第６に、
上記屈折率パターン形成方法によって形成された光学材
料によって達成される。Sixth, the above objects and advantages of the present invention are as follows.
This is achieved by the optical material formed by the above-described refractive index pattern forming method.

【００１７】なお、本発明において、「屈折率パター
ン」とは、屈折率の異なる領域から構成される屈折率分
布型材料を意味する。In the present invention, the “refractive index pattern” means a gradient index material composed of regions having different refractive indexes.

【００１８】以下、本発明の屈折率パターン形成方法に
使用する屈折率変化材料の各成分について詳細に説明す
る。Hereinafter, each component of the refractive index changing material used in the refractive index pattern forming method of the present invention will be described in detail.

【００１９】（Ａ）分解性化合物 本発明で使用する（Ａ）分解性化合物は、酸分解性化合
物または塩基分解性化合物であることができ、その屈折
率は、好ましくは１．５〜１．９である。また、分解性
化合物（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは１００〜
５００，０００、さらに好ましくは１００〜３００，０
００である。 (A) Decomposable Compound The (A) decomposable compound used in the present invention can be an acid-decomposable compound or a base-decomposable compound, and its refractive index is preferably 1.5 to 1. 9 The weight average molecular weight of the decomposable compound (A) is preferably 100 to
500,000, more preferably 100 to 300,0
00.

【００２０】酸分解性化合物としては、下記式（１）〜
（８）で表される構造よりなる群から選ばれる少なくと
も一種の構造を有する化合物を挙げることができる。こ
れらの化合物は単独で、あるいは２種以上を一緒に用い
ることができる。The acid-decomposable compound is represented by the following formula (1)
Compounds having at least one structure selected from the group consisting of structures represented by (8) can be mentioned. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

【００２１】[0021]

【化１６】 Embedded image

【００２２】（式（１）において、Ｒ¹はアルキレン
基、アルキレンアリーレンアルキレン基またはアリーレ
ン基でありそしてＲ²はアルキレン基、アルキレンアリ
ーレンアルキレン基、アリーレン基、アルキルシリレン
基またはアルキルゲルミレン基である。）(In the formula (1), R ¹ is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group or an arylene group, and R ² is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group. .)

【００２３】[0023]

【化１７】 Embedded image

【００２４】（式（２）において、ＭはＳｉまたはＧｅ
であり、Ｒ³はアルキレン基、アルキレンアリーレンア
ルキレン基、アリーレン基、アルキルシリレン基または
アルキルゲルミレン基であり、Ｒ⁴は酸素原子、アルキ
レン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アリーレ
ン基または単結合であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそ
れぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アル
コキシ基またはチオアルキル基でありそしてｍは０から
２までの整数である。）(In the formula (2), M is Si or Ge
R ³ is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group, R ⁴ is an oxygen atom, an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group or a single bond, R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ and R ⁸ are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or a thioalkyl group, and m is an integer from 0 to 2. )

【００２５】[0025]

【化１８】 Embedded image

【００２６】（式（３）において、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそ
れぞれ独立に、アルキレン基、アルキレンアリーレンア
ルキレン基、アリーレン基、アルキルシリレン基または
アルキルゲルミレン基である。）(In the formula (3), R ⁹ and R ¹⁰ are each independently an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group.)

【００２７】[0027]

【化１９】 Embedded image

【００２８】（式（４）において、Ｒ¹¹はオキシアルキ
レン基または単結合でありそしてＲ¹²は水素原子、アル
キル基、アルキレンアリーレンアルキレン基またはアリ
ール基である。）(In the formula (4), R ¹¹ is an oxyalkylene group or a single bond, and R ¹² is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkylene arylene alkylene group or an aryl group.)

【００２９】[0029]

【化２０】 Embedded image

【００３０】（式（５）において、Ｒ¹³は水素原子、ア
ルキル基またはアリール基である。）(In the formula (5), R ¹³ is a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group.)

【００３１】[0031]

【化２１】 Embedded image

【００３２】（式（６）において、Ｒ¹⁴は、アルキレン
基または下記式（６）−１、（６）−２または（６）−
３で表される構造である。）(In the formula (6), R ¹⁴ represents an alkylene group or the following formula (6) -1, (6) -2 or (6)-
This is the structure represented by 3. )

【００３３】[0033]

【化２２】 Embedded image

【００３４】（式（６）−１において、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ
¹⁷およびＲ¹⁸は互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の
鎖状アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水
酸基、メルカプト基、カルボキシル基、炭素数１〜６の
アルコキシル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素
数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロ
ゲン化アルコキシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アル
キルチオ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭
素数１〜６のメルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒ
ドロキシアルコキシル基、炭素数１〜６のメルカプトア
ルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素
数７〜１１のアラルキル基である。）(In the formula (6) -1, R ¹⁵ , R ¹⁶ , R
¹⁷ and R ¹⁸ each independently represent a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a carboxyl group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, An alkylthio group having 1 to 6, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, It is a mercaptoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a mercaptoalkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 11 carbon atoms. )

【００３５】[0035]

【化２３】 Embedded image

【００３６】（式（６）−２において、Ｒ¹⁹はアルキレ
ン基である。）(In the formula (6) -2, R ¹⁹ is an alkylene group.)

【００３７】[0037]

【化２４】 Embedded image

【００３８】（式（６）−３において、Ｒ²⁰はアルキレ
ン基である。）(In the formula (6) -3, R ²⁰ is an alkylene group.)

【００３９】[0039]

【化２５】 Embedded image

【００４０】（式（７）において、Ｒ²¹はアルキレン
基、アルキレンアリーレンアルキレン基、またはアリー
レン基である。）(In the formula (7), R ²¹ is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, or an arylene group.)

【００４１】[0041]

【化２６】 Embedded image

【００４２】（ここで、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴およびＲ²⁵は
互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル
基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、メルカ
プト基、カルボキシル基、炭素数１〜６のアルコキシル
基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のハ
ロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルコ
キシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基、
炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６の
メルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアル
コキシル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ
基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１１
のアラルキル基である。）(Wherein R ²² , R ²³ , R ²⁴ and R ²⁵ each independently represent a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, Carboxyl group, alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, halogenated alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, halogen having 1 to 6 carbon atoms Alkylthio group,
C1-C6 hydroxyalkyl group, C1-C6 mercaptoalkyl group, C1-C6 hydroxyalkoxyl group, C1-C6 mercaptoalkylthio group, C6-C10 aryl group or carbon Numbers 7 to 11
Is an aralkyl group. )

【００４３】また、塩基分解性化合物としては、下記式
（９）〜（１２）のいずれかで表される構造よりなる群
から選ばれる少なくとも一種の構造を有する化合物を挙
げることができる。これらの化合物は単独で、あるいは
２種以上を一緒に用いることができる。Examples of the base decomposable compound include compounds having at least one structure selected from the group consisting of structures represented by any of the following formulas (9) to (12). These compounds can be used alone or in combination of two or more.

【００４４】[0044]

【化２７】 Embedded image

【００４５】（式（９）において、Ｒ²⁶はアルキレン
基、アラルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒ²⁷は
アルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキ
レンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基また
はアルキルゲルミレン基であり、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰およ
びＲ³¹はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基またはチオアルキル基でありそし
てｉおよびｊはそれぞれ独立に０または１である。）(In the formula (9), R ²⁶ is an alkylene group, an aralkylene group or an arylene group, and R ²⁷ is an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group. R ²⁸ , R ²⁹ , R ³⁰ and R ³¹ are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or a thioalkyl group, and i and j are each independently 0 or 1.)

【００４６】[0046]

【化２８】 Embedded image

【００４７】（式（１０）において、Ｒ³²はアルキレン
基、アラルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒ³³は
アルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキ
レンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基また
はアルキルゲルミレン基である。）(In the formula (10), R ³² is an alkylene group, an aralkylene group or an arylene group, and R ³³ is an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group. is there.)

【００４８】[0048]

【化２９】 Embedded image

【００４９】（式（１１）において、Ｒ³⁴およびＲ³⁵は
それぞれ独立にアルキレン基、アラルキレン基、アリー
レン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アルキル
シリレン基、またはアルキルゲルミレン基である。）(In the formula (11), R ³⁴ and R ³⁵ are each independently an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylenearylenealkylene group, an alkylsilylene group, or an alkylgermylene group.)

【００５０】[0050]

【化３０】 Embedded image

【００５１】（式（１２）において、Ｒ³⁶およびＲ³⁷は
それぞれ独立に、アルキレン基、アラルキレン基、アリ
ーレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、アルキ
ルシリレン基またはアルキルゲルミレン基である。） 上記全てのアルキレンアリーレンアルキレン基として
は、それぞれ独立に、例えば下記式（１３）または（１
４）で示される構造が挙げられる。(In the formula (12), R ³⁶ and R ³⁷ are each independently an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group, or an alkylgermylene group.) As the arylenealkylene group, each independently represents, for example, the following formula (13) or (1)
4).

【００５２】[0052]

【化３１】 Embedded image

【００５３】（（１３）式中、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰および
Ｒ⁴¹は互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アル
キル基または６〜１０のアリール基を示しそしてＲ⁴²、
Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴およびＲ⁴⁵は互いに独立に水素原子、塩素原
子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、
チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエ
ステル基、アリール基、シアノ基またはニトロ基であ
る。）[0053] ((13) where, indicates R ^38, R ^39, R ⁴⁰ and R ⁴¹ are each independently a hydrogen atom, chain alkyl group or 6-10 aryl group having 1 to 6 carbon atoms and R ⁴² ,
R ⁴³ , R ⁴⁴ and R ⁴⁵ each independently represent a hydrogen atom, a chlorine atom, a bromine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, an alkoxy group,
A thioalkyl group, an alkylester group, an alkylthioester group, an aryl group, a cyano group or a nitro group. )

【００５４】[0054]

【化３２】 Embedded image

【００５５】（（１４）式中、Ｒ⁴⁶、Ｒ⁴⁷、Ｒ⁴⁸および
Ｒ⁴⁹は互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アル
キル基または６〜１０のアリール基を示し、Ｒ⁵⁰、
Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶およびＲ⁵⁷は互い
に独立に水素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、メル
カプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエ
ステル基、アルキルチオエステル基、アリール基、シア
ノ基またはニトロ基を示し、Ａ¹は−Ｓ−、−Ｏ−、−
ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−Ｃ
Ｈ₂−または−Ｃ（Ｒ⁵⁸）₂−を示しそしてＲ⁵⁸は炭素数
１〜６の鎖状アルキル基である。）[0055] ((14) ^{wherein, R 46, R 47, R} 48 and R ⁴⁹ are each independently a hydrogen atom, a linear alkyl group or 6-10 aryl group having 1 to 6 carbon atoms, R ⁵⁰ ,
R ⁵¹ , R ⁵² , R ⁵³ , R ⁵⁴ , R ⁵⁵ , R ⁵⁶ and R ⁵⁷ each independently represent a hydrogen atom, chlorine atom, bromine atom, hydroxyl group, mercapto group, alkoxy group, thioalkyl group, alkyl ester group, alkyl thioester A group, an aryl group, a cyano group or a nitro group, and A ¹ represents -S-, -O-,-
SO _2- , -CO-, -COO-, -OCOO-, -C
It represents H ₂ — or —C (R ⁵⁸ ) ₂ — and R ⁵⁸ is a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. )

【００５６】上記全てのアリーレン基としては、それぞ
れ独立に、例えば下記式（１５）で示される構造が挙げ
られる。All of the above arylene groups each independently include, for example, a structure represented by the following formula (15).

【００５７】[0057]

【化３３】 Embedded image

【００５８】（ここで、Ｒ⁵⁹〜Ｒ⁶⁶は互いに独立に水素
原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、ア
ルコキシ基、チオアルキル基、アルキルエステル基、ア
ルキルチオエステル基、アリール基、シアノ基またはニ
トロ基を示し、Ａ²は−Ｓ−、−Ｏ−、−ＳＯ₂−、−Ｃ
Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＨ₂−または−
Ｃ（Ｒ⁶⁷）₂−を示しそしてＲ⁶⁷は炭素数１〜６の鎖状
アルキル基である。）(Wherein R ^{59 to} R ⁶⁶ independently represent a hydrogen atom, a chlorine atom, a bromine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, an alkoxy group, a thioalkyl group, an alkylester group, an alkylthioester group, an aryl group, a cyano group or A ² represents a nitro group, and A ² represents —S—, —O—, —SO ₂ —, —C
O -, - COO -, - OCOO -, - CH 2 - or -
Represents C (R ⁶⁷ ) ₂ — and R ⁶⁷ is a linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. )

【００５９】上記全てのアルキルシリレン基としては、
互いに独立に、例えば下記式（１６）に示す構造が挙げ
られる。As all the above alkylsilylene groups,
Independently of each other, for example, a structure represented by the following formula (16) can be given.

【００６０】[0060]

【化３４】 Embedded image

【００６１】（ここで、Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰およびＲ⁷¹は
互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基
または６〜１０のアリール基を示し、Ａ³は−Ｏ−、ア
ルキレン基またはアリーレン基を示しそしてａは０か１
の整数を表わす。）(Where R ⁶⁸ , R ⁶⁹ , R ⁷⁰ and R ⁷¹ each independently represent a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and A ³ represents —O -Represents an alkylene group or an arylene group and a is 0 or 1
Represents an integer. )

【００６２】上記全てのアルキルゲルミレン基として
は、互いに独立に、例えば下記式（１７）に示す構造が
挙げられる。As the above-mentioned all alkylgermylene groups, independently of each other, for example, a structure represented by the following formula (17) can be mentioned.

【００６３】[0063]

【化３５】 Embedded image

【００６４】（ここで、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³、Ｒ⁷⁴およびＲ⁷⁵は
互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基
または６〜１０のアリール基を示し、Ａ⁴は−Ｏ−、ア
ルキレン基またはアリーレン基を示しそしてｂは０か１
の整数を表わす。）(Wherein R ⁷² , R ⁷³ , R ⁷⁴ and R ⁷⁵ each independently represent a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and A ⁴ represents —O -Represents an alkylene group or an arylene group, and b represents 0 or 1.
Represents an integer. )

【００６５】上記式（１６）および（１７）におけるア
ルキレン基は、それぞれ独立に、炭素数が１〜１０まで
の直鎖、分岐または環状のアルキレン基が好ましく、例
えばメチレン、１，２−エチレン、１，３−トリメチレ
ン、１，１０−デカメチレン等を挙げることができ、さ
らにこれらの水素原子が例えば塩素原子、臭素原子、水
酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオアルキル基、
アルキルエステル基、アルキルチオエステル基、アリー
ル基またはシアノ基で置換されていてもよい。The alkylene groups in the above formulas (16) and (17) are each independently preferably a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methylene, 1,2-ethylene, Examples thereof include 1,3-trimethylene and 1,10-decamethylene, and further, these hydrogen atoms are, for example, chlorine atom, bromine atom, hydroxyl group, mercapto group, alkoxy group, thioalkyl group,
It may be substituted with an alkylester group, an alkylthioester group, an aryl group or a cyano group.

【００６６】上記全てのアルキル基、アルコキシ基、チ
オアルキル基、アルキルエステル基およびアルキルチオ
エステル基のアルキル基としては、互いに独立に、例え
ば炭素数が１〜１０までの直鎖、分岐または環状のアル
キル基が好ましく、またこれらの水素原子が塩素原子、
臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、チオ
アルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエステ
ル基、アリール基またはシアノ基で置換されていてもよ
い。The alkyl groups of all the above-mentioned alkyl groups, alkoxy groups, thioalkyl groups, alkyl ester groups and alkyl thioester groups are, independently of each other, for example, linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms. Are preferred, and these hydrogen atoms are chlorine atoms,
It may be substituted with a bromine atom, hydroxyl group, mercapto group, alkoxy group, thioalkyl group, alkyl ester group, alkyl thioester group, aryl group or cyano group.

【００６７】上記全てのアリール基としては、互いに独
立に、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル
基またはビフェニル基およびこれらの水素原子が塩素原
子、臭素原子、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、
チオアルキル基、アルキルエステル基、アルキルチオエ
ステル基、シアノ基またはニトロ基で置換されたものを
挙げることができる。All the above-mentioned aryl groups are, independently of each other, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group or a biphenyl group and a hydrogen atom of these groups is a chlorine atom, a bromine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, an alkoxy group,
Those substituted with a thioalkyl group, an alkylester group, an alkylthioester group, a cyano group or a nitro group can be mentioned.

【００６８】上記（６）−１および（８）における炭素
数１〜６の鎖状アルキル基は、直鎖状であっても分岐し
ていてもよく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネ
オペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、等を挙げ
ることができる。The chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in the above (6) -1 and (8) may be linear or branched, for example, methyl, ethyl, n-propyl Group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group,
Examples thereof include a sec-butyl group, a t-butyl group, an n-pentyl group, a neopentyl group, an n-hexyl group, and a texyl group.

【００６９】炭素数１〜６のアルコキシル基は、直鎖状
であっても分岐していてもよく、例えばメトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ
−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオ
キシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、テキシルオキシ基等を
挙げることができる。The alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms may be linear or branched, for example, methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-propoxy.
Butoxy group, i-butoxy group, sec-butoxy group, t
-Butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, texyloxy group and the like.

【００７０】炭素数１〜６のアルキルチオ基は、直鎖状
であっても分岐鎖状であってもよく、例えばメチルチオ
基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピル
チオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓｅｃ
−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ
基、ネオペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、テキシ
ルチオ基等を挙げることができる。The alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms may be linear or branched, for example, methylthio, ethylthio, n-propylthio, i-propylthio, n-butylthio. , I-butylthio group, sec
-Butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, neopentylthio group, n-hexylthio group, texylthio group and the like.

【００７１】炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基とし
ては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、ヘプタフルオロプロピル基、クロロメチル基、
２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、１−クロ
ロメチルエチル基、４−クロロブチル基、２−クロロメ
チルプロピル基、５−クロロペンチル基、３−クロロメ
チルブチル基、２−クロロエチルプロピル基、６−クロ
ロヘキシル基、３−クロロメチルペンチル基、４−クロ
ロメチルペンチル基、２−クロロエチルブチル基、ブロ
モメチル基、２−ブロモエチル基、３−ブロモプロピル
基、１−ブロモメチルエチル基、４−ブロモブチル基、
２−ブロモメチルプロピル基、５−ブロモペンチル基、
３−ブロモメチルブチル基、２−ブロモエチルプロピル
基、６−ブロモヘキシル基、３−ブロモメチルペンチル
基、４−ブロモメチルペンチル基、２−ブロモエチルブ
チル基等を挙げることができる。Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, a chloromethyl group,
2-chloroethyl group, 3-chloropropyl group, 1-chloromethylethyl group, 4-chlorobutyl group, 2-chloromethylpropyl group, 5-chloropentyl group, 3-chloromethylbutyl group, 2-chloroethylpropyl group, 6-chlorohexyl group, 3-chloromethylpentyl group, 4-chloromethylpentyl group, 2-chloroethylbutyl group, bromomethyl group, 2-bromoethyl group, 3-bromopropyl group, 1-bromomethylethyl group, 4- Bromobutyl group,
2-bromomethylpropyl group, 5-bromopentyl group,
Examples thereof include a 3-bromomethylbutyl group, a 2-bromoethylpropyl group, a 6-bromohexyl group, a 3-bromomethylpentyl group, a 4-bromomethylpentyl group, and a 2-bromoethylbutyl group.

【００７２】炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基
としては、例えばトリフルオロメトキシ基、ペンタフル
オロエトキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、クロロ
メトキシ基、２−クロロエトキシ基、３−クロロプロポ
キシ基、１−クロロメチルエトキシ基、４−クロロブト
キシ基、２−クロロメチルプロポキシ基、５−クロロペ
ンチルオキシ基、３−クロロメチルブトキシ基、２−ク
ロロエチルプロポキシ基、６−クロロヘキシルオキシ
基、３−クロロメチルペンチルオキシ基、４−クロロメ
チルペンチルオキシ基、２−クロロエチルブトキシ基、
ブロモメトキシ基、２−ブロモエトキシ基、３−ブロモ
プロポキシ基、１−ブロモメチルエトキシ基、４−ブロ
モブトキシ基、２−ブロモメチルプロポキシ基、５−ブ
ロモペンチルオキシ基、３−ブロモメチルブトキシ基、
２−ブロモエチルプロポキシ基、６−ブロモヘキシルオ
キシ基、３−ブロモメチルペンチルオキシ基、４−ブロ
モメチルペンチルオキシ基、２−ブロモエチルブトキシ
基等を挙げることができる。The halogenated alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms includes, for example, trifluoromethoxy, pentafluoroethoxy, heptafluoropropoxy, chloromethoxy, 2-chloroethoxy, 3-chloropropoxy, 1-chloropropoxy, Chloromethylethoxy, 4-chlorobutoxy, 2-chloromethylpropoxy, 5-chloropentyloxy, 3-chloromethylbutoxy, 2-chloroethylpropoxy, 6-chlorohexyloxy, 3-chloromethyl A pentyloxy group, a 4-chloromethylpentyloxy group, a 2-chloroethylbutoxy group,
Bromomethoxy group, 2-bromoethoxy group, 3-bromopropoxy group, 1-bromomethylethoxy group, 4-bromobutoxy group, 2-bromomethylpropoxy group, 5-bromopentyloxy group, 3-bromomethylbutoxy group,
Examples thereof include a 2-bromoethylpropoxy group, a 6-bromohexyloxy group, a 3-bromomethylpentyloxy group, a 4-bromomethylpentyloxy group, and a 2-bromoethylbutoxy group.

【００７３】炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基
としては、例えばトリフルオロメチルチオ基、ペンタフ
ルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロプロピルチオ基、
クロロメチルチオ基、２−クロロエチルチオ基、３−ク
ロロプロピルチオ基、１−クロロメチルエチルチオ基、
４−クロロブチルチオ基、２−クロロメチルプロピルチ
オ基、５−クロロペンチルチオ基、３−クロロメチルブ
チルチオ基、２−クロロエチルプロピルチオ基、６−ク
ロロヘキシルチオ基、３−クロロメチルペンチルチオ
基、４−クロロメチルペンチルチオ基、２−クロロエチ
ルブチルチオ基、ブロモメチルチオ基、２−ブロモエチ
ルチオ基、３−ブロモプロピルチオ基、１−ブロモメチ
ルエチルチオ基、４−ブロモブチルチオ基、２−ブロモ
メチルプロピルチオ基、５−ブロモペンチルチオ基、３
−ブロモメチルブチルチオ基、２−ブロモエチルプロピ
ルチオ基、６−ブロモヘキシルチオ基、３−ブロモメチ
ルペンチルチオ基、４−ブロモメチルペンチルチオ基、
２−ブロモエチルブチルチオ基等を挙げることができ
る。Examples of the halogenated alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms include trifluoromethylthio, pentafluoroethylthio, heptafluoropropylthio,
Chloromethylthio group, 2-chloroethylthio group, 3-chloropropylthio group, 1-chloromethylethylthio group,
4-chlorobutylthio, 2-chloromethylpropylthio, 5-chloropentylthio, 3-chloromethylbutylthio, 2-chloroethylpropylthio, 6-chlorohexylthio, 3-chloromethylpent Luthio, 4-chloromethylpentylthio, 2-chloroethylbutylthio, bromomethylthio, 2-bromoethylthio, 3-bromopropylthio, 1-bromomethylethylthio, 4-bromobutylthio Group, 2-bromomethylpropylthio group, 5-bromopentylthio group, 3
-Bromomethylbutylthio group, 2-bromoethylpropylthio group, 6-bromohexylthio group, 3-bromomethylpentylthio group, 4-bromomethylpentylthio group,
Examples thereof include a 2-bromoethylbutylthio group.

【００７４】炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基とし
ては、例えばヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチ
ル基、３−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシメチ
ルエチル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ
メチルプロピル基、５−ヒドロキシペンチル基、３−ヒ
ドロキシメチルブチル基、２−ヒドロキシエチルプロピ
ル基、６−ヒドロキシヘキシル基、３−ヒドロキシメチ
ルペンチル基、４−ヒドロキシメチルペンチル基、２−
ヒドロキシエチルブチル基等を挙げることができる。The hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms includes, for example, hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxymethylethyl group, 4-hydroxybutyl group, 2-hydroxymethylpropyl Group, 5-hydroxypentyl group, 3-hydroxymethylbutyl group, 2-hydroxyethylpropyl group, 6-hydroxyhexyl group, 3-hydroxymethylpentyl group, 4-hydroxymethylpentyl group, 2-
A hydroxyethylbutyl group and the like can be mentioned.

【００７５】炭素数１〜６のメルカプトアルキル基とし
ては、例えばメルカプトメチル基、２−メルカプトエチ
ル基、３−メルカプトプロピル基、１−メルカプトメチ
ルエチル基、４−メルカプトブチル基、２−メルカプト
メチルプロピル基、５−メルカプトペンチル基、３−メ
ルカプトメチルブチル基、２−メルカプトエチルプロピ
ル基、６−メルカプトヘキシル基、３−メルカプトメチ
ルペンチル基、４−メルカプトメチルペンチル基、２−
メルカプトエチルブチル基等を挙げることができる。The mercaptoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms includes, for example, mercaptomethyl group, 2-mercaptoethyl group, 3-mercaptopropyl group, 1-mercaptomethylethyl group, 4-mercaptobutyl group, 2-mercaptomethylpropyl Group, 5-mercaptopentyl group, 3-mercaptomethylbutyl group, 2-mercaptoethylpropyl group, 6-mercaptohexyl group, 3-mercaptomethylpentyl group, 4-mercaptomethylpentyl group, 2-
A mercaptoethylbutyl group and the like can be mentioned.

【００７６】炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシル基
としては、例えばヒドロキシメトキシ基、２−ヒドロキ
シエトキシ基、３−ヒドロキシプロポキシ基、１−ヒド
ロキシメチルエトキシ基、４−ヒドロキシブトキシ基、
２−ヒドロキシメチルプロポキシ基、５−ヒドロキシペ
ンチルオキシ基、３−ヒドロキシメチルブトキシ基、２
−ヒドロキシエチルプロポキシ基、６−ヒドロキシヘキ
シルオキシ基、３−ヒドロキシメチルペンチルオキシ
基、４−ヒドロキシメチルペンチルオキシ基、２−ヒド
ロキシエチルブトキシ基等を挙げることができる。Examples of the hydroxyalkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include a hydroxymethoxy group, a 2-hydroxyethoxy group, a 3-hydroxypropoxy group, a 1-hydroxymethylethoxy group, a 4-hydroxybutoxy group,
2-hydroxymethylpropoxy group, 5-hydroxypentyloxy group, 3-hydroxymethylbutoxy group, 2
-Hydroxyethylpropoxy group, 6-hydroxyhexyloxy group, 3-hydroxymethylpentyloxy group, 4-hydroxymethylpentyloxy group, 2-hydroxyethylbutoxy group, and the like.

【００７７】炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ基
としては、例えばメルカプトメチルチオ基、２−メルカ
プトエチルチオ基、３−メルカプトプロピルチオ基、１
−メルカプトメチルエチルチオ基、４−メルカプトブチ
ルチオ基、２−メルカプトメチルプロピルチオ基、５−
メルカプトペンチルチオ基、３−メルカプトメチルブチ
ルチオ基、２−メルカプトエチルプロピルチオ基、６−
メルカプトヘキシルチオ基、３−メルカプトメチルペン
チルチオ基、４−メルカプトメチルペンチルチオ基、２
−メルカプトエチルブチルチオ基等を挙げることができ
る。Examples of the mercaptoalkylthio group having 1 to 6 carbon atoms include a mercaptomethylthio group, a 2-mercaptoethylthio group, a 3-mercaptopropylthio group,
-Mercaptomethylethylthio group, 4-mercaptobutylthio group, 2-mercaptomethylpropylthio group, 5-
Mercaptopentylthio, 3-mercaptomethylbutylthio, 2-mercaptoethylpropylthio, 6-
Mercaptohexylthio group, 3-mercaptomethylpentylthio group, 4-mercaptomethylpentylthio group, 2
-Mercaptoethylbutylthio group and the like.

【００７８】炭素数６〜１０のアリール基としては、例
えばフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、
１−ナフチル基等を挙げることができる。炭素数７〜１
１のアラルキル基としては、例えばベンジル、α−メチ
ルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙
げることができる。Examples of the aryl group having 6 to 10 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group,
Examples thereof include a 1-naphthyl group and the like. Carbon number 7-1
Examples of the 1 aralkyl group include benzyl, α-methylbenzyl, phenethyl, and naphthylmethyl.

【００７９】本発明における上記式（１）〜（７）で表
される構造を例えば繰り返し単位として有する酸分解性
化合物の製造方法は公知である。A method for producing an acid-decomposable compound having the structure represented by the above formulas (1) to (7) in the present invention, for example, as a repeating unit is known.

【００８０】上記式（１）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、ＰｏｌｙｍｅｒＢｕｌｌ．，１．１
９９（１９７８）、特開昭６２−１３６６３８号公報、
ＥＰ２２５，４５４、ＵＳ８０６，５９７、特開平４−
３０３８４３号公報、特開平７−５６３５４号公報等に
開示されている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (1) is described in Polymer Bull. , 1.1
99 (1978), JP-A-62-136638,
EP 225,454; US 806,597;
No. 303843 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-56354.

【００８１】上記式（２）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２
９，５５２９（１９９６）、Ｐｏｌｙｍｅｒ １７，１
０８６（１９７６）および特開昭６０−３７５４９号公
報等に開示されている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (2) is described in Macromolecules 2
9,5529 (1996), Polymer 17,1
086 (1976) and JP-A-60-37549.

【００８２】上記式（３）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．，１３３（１）１８１（１９８６）、Ｊ．Ｉｍａｇ
ｉｎｇ Ｓｃｉ．，３０（２）５９（１９８６）および
Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍ
ｕｎ．，７，１２１（１９８６）等に開示されている。A method for producing a compound having a structure represented by the above formula (3) is described in Electrochem. So
c. , Solid State Sci. Techno
l. , 133 (1) 181 (1986); Imag
ing Sci. , 30 (2) 59 (1986) and Macromol. Chem. , Rapid Comm
un. , 7, 121 (1986).

【００８３】上記式（４）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、米国特許第３，８９４，２５３号明
細書、特開昭６２−１９０２１１号公報、特開平２−１
４６５４４号公報、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２
３，１６（１９５７）、特開昭６３−９７９４５号公
報、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ａ−１，８，２３７５
（１９７０）、米国特許第４，２４７，６１１号明細
書、ＥＰ４１，６５７、特開昭５７−３１６７４号公
報、特開昭６４−３６４７号公報および特開昭５６−１
７３４５号公報等に開示されている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (4) is described in US Pat. No. 3,894,253, JP-A-62-190211, and JP-A-2-1-1.
No. 46544, Macromol. Chem. , 2
3, 16 (1957), JP-A-63-97945, Polymer Sci. , A-1,8,2375
(1970), U.S. Pat. No. 4,247,611, EP 41,657, JP-A-57-31677, JP-A-64-3647, and JP-A-56-1.
No. 7345, and the like.

【００８４】上記式（５）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、Ｐｒｅｐｒ．Ｅｕｒ．Ｄｉｓｃ Ｍ
ｅｅｔ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｓｔｒａｓｂｏｕ
ｒｇ，ｐ１０６（１９７８）およびＭａｃｒｏｍｏｌ．
Ｃｈｅｍ．，１７９，１６８９（１９７８）等に開示さ
れている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (5) is described in Prepr. Eur. Disc M
eet. Polymer Sci. , Strasbour
rg, p106 (1978) and Macromol.
Chem. 179, 1689 (1978).

【００８５】上記式（６）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、米国特許第３，８９４，２５３号明
細書、米国特許第３，９４０，５０７号明細書および特
開昭６２−１９０２１１号公報等に開示されている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (6) is described in US Pat. No. 3,894,253, US Pat. No. 3,940,507 and JP-A-62-190211. No. 6,009,036.

【００８６】上記式（７）で表わされる構造を有する化
合物の製造方法は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，５
４，１５７９（１９３２）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃ
ｉ．，２９，３４３（１９５８）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓ
ｃｉ．，ＰａｒｔＡ，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．，２５，
３３７３（１９５８）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅ
ｓ，２５，１２，（１９９２）、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃ
ｕｌｅｓ，２０，７０５，（１９９７）、Ｍａｃｒｏｍ
ｏｌｅｃｕｌｅｓ，２１，１９２５，（１９９８）、Ｍ
ａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕ
ｎ．，１１，８３（１９９０）等に開示されている。A method for producing a compound having a structure represented by the above formula (7) is described in J. Am. Am. Chem. Soc. , 5
4, 1579 (1932); Polym. Sc
i. , 29, 343 (1958); Polym. S
ci. , Part A, Polym. Chem. , 25,
3373 (1958), Macromolecule
s, 25, 12, (1992), Macromolec
ules, 20, 705, (1997), Macrom
olecules, 21, 1925, (1998), M
acromol. Chem. , Rapid Commu
n. , 11, 83 (1990).

【００８７】上記式（８）で表される構造を有する化合
物は、下記式（８）−１で表される化合物を、必要に応
じて分子量調節剤の存在下、溶媒中でカチオン重合また
はアニオン重合することによって製造することができ
る。The compound having the structure represented by the above formula (8) can be prepared by subjecting the compound represented by the following formula (8) -1 to cationic polymerization or anionic polymerization in a solvent, if necessary, in the presence of a molecular weight modifier. It can be produced by polymerization.

【００８８】[0088]

【化３６】 Embedded image

【００８９】（ここで、Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²、Ｒ²⁰³およびＲ
²⁰⁴の定義は式（８）のＲ²²、Ｒ²³、Ｒ ²⁴およびＲ²⁵で
定義される基と同じ基から選ばれる基である。）(Where R²⁰¹, R²⁰², R²⁰³And R
²⁰⁴Is defined by R in formula (8)^{twenty two}, R^{twenty three}, R ^{twenty four}And R^{twenty five}so
It is a group selected from the same groups as defined groups. )

【００９０】また、上記式（８）で表される化合物は、
下記式（８）−２で表される化合物、下記式（８）−３
で表される化合物、およびそれ以外の他の単量体よりな
る群から選ばれる１種以上の化合物と、上記式（８）−
１で表される化合物との共重合体であってもよい。この
場合、下記式（８）−２で表される化合物、下記式
（８）−３で表される化合物、およびそれ以外の他の単
量体よりなる群から選ばれる１種以上の化合物の合計量
は、上記式（８）−１で表される化合物１００重量部に
対して、１００重量部以下の割合とすることができる。The compound represented by the above formula (8)
A compound represented by the following formula (8) -2;
And one or more compounds selected from the group consisting of other monomers other than the compound represented by the formula (8)-
It may be a copolymer with the compound represented by 1. In this case, one or more compounds selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (8) -2, a compound represented by the following formula (8) -3, and other monomers The total amount can be 100 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the compound represented by the formula (8) -1.

【００９１】[0091]

【化３７】 Embedded image

【００９２】（ここで、Ｒ²⁰⁵は水素原子または炭素数
１〜１０のアルキル基を、Ｒ²⁰⁶、Ｒ^{20 7}、Ｒ²⁰⁸、Ｒ²⁰⁹
およびＲ²¹⁰は互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の
鎖状アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水
酸基、メルカプト基、カルボキシル基、炭素数１〜６の
アルコキシル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素
数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロ
ゲン化アルコキシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アル
キルチオ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭
素数１〜６のメルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒ
ドロキシアルコキシル基、炭素数１〜６のメルカプトア
ルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７
〜１１のアラルキル基を示すか、あるいは、Ｒ²⁰⁶、Ｒ
²⁰⁷、Ｒ²⁰⁸、Ｒ²⁰⁹およびＲ²¹⁰のいずれか２つは互いに
結合してそれらが結合している炭素原子と一緒になって
４〜７員環を形成していてもよい。）[0092] (wherein, the R ²⁰⁵ is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon ^{atoms, R 206, R 20 7,} R 208, R 209
And R ²¹⁰ each independently represent a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a carboxyl group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, To 6 alkylthio groups, halogenated alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, halogenated alkoxyl groups having 1 to 6 carbon atoms, halogenated alkylthio groups having 1 to 6 carbon atoms, hydroxyalkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, carbon atoms A mercaptoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a mercaptoalkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and 7 carbon atoms
Represents an aralkyl group of 1 to 11, or R ²⁰⁶ , R
Any two of ²⁰⁷ , ^R208 , ^R209 and ^R210 may be bonded to each other to form a 4- to 7-membered ring together with the carbon atom to which they are bonded. )

【００９３】[0093]

【化３８】 Embedded image

【００９４】（ここで、Ｒ²¹¹およびＲ²¹²は互いに独立
に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜
１０のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜１０のヒドロ
キシアルキル基、炭素数１〜１０のメルカプトアルキル
基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１のア
ラルキル基、エチレンオキシ繰り返し単位が１〜５の
（ポリエチレングリコール）エチル基、プロピレンオキ
シ繰り返し単位が１〜５の（ポリプロピレングリコー
ル）プロピル基、繰り返し単位が１〜５の（ポリエチレ
ンスルフィド）エチル基、繰り返し単位が１〜５の（ポ
リプロピレンスルフィド）プロピル基等が挙げられ
る。）(Wherein R ²¹¹ and R ²¹² each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
10, a halogenated alkyl group, a hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a mercaptoalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 11 carbon atoms, and an ethyleneoxy repeating unit. 1 to 5 (polyethylene glycol) ethyl groups, 1 to 5 (polypropylene glycol) propyl groups having propyleneoxy repeating units, 1 to 5 (polyethylene sulfide) ethyl groups, 1 to 5 repeating units (polypropylene) Sulfide) propyl group and the like. )

【００９５】それ以外の他の単量体としては、例えばグ
リオキザール、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒ
ド、マレアルデヒド、１，８−オクタンジアルデヒド、
ｍ−フタルアルデヒド、ｐ−フタルアルデヒド、２，３
−ナフタレンジカルボキサルデヒド、２，３−アントラ
センジカルボキサルデヒド、９，１０−アントラセンジ
カルボキサルデヒド、４，４’−ビスベンズアルデヒ
ド、２，５−ジメトキシ−１，４−ジカルボキサルデヒ
ド、２，２’−（エチレンジオキシ）ジベンズアルデヒ
ド、２，２’−ビフェニルジカルボキサルデヒド、ビス
（２−ホルミルフェニル）エーテル、６，６’−ジヒド
ロキシ−５，５’−ジメトキシ−［１，１’−ビフェニ
ル］−３，３’−ジカルボキサルデヒドの如き一分子中
に２個のアルデヒド基を有する化合物、サリシルアルデ
ヒドクロミウム錯体、アルミニウムホルミルアセテー
ト、（１，１’，３’，１”）ターフェニル−２，６，
２”，６”−テトラカルバルデヒド、２−ヒドロキシベ
ンゼン−１，３，５−トリカルバルデヒド、１，２，
４，５−テトラ（ｐ−ホルミルフェニル）ベンゼンの如
き一分子中に３個以上のアルデヒド基を有する化合物が
挙げられる。Other monomers include, for example, glyoxal, succinaldehyde, glutaraldehyde, malealdehyde, 1,8-octanedialdehyde,
m-phthalaldehyde, p-phthalaldehyde, 2,3
-Naphthalene dicarboxaldehyde, 2,3-anthracene dicarboxaldehyde, 9,10-anthracene dicarboxaldehyde, 4,4'-bisbenzaldehyde, 2,5-dimethoxy-1,4-dicarboxaldehyde, 2,2 ′-(ethylenedioxy) dibenzaldehyde, 2,2′-biphenyldicarboxaldehyde, bis (2-formylphenyl) ether, 6,6′-dihydroxy-5,5′-dimethoxy- [1, 1′-biphenyl] -3,3′-dicarboxaldehyde, compound having two aldehyde groups in one molecule, salicylaldehyde chromium complex, aluminum formyl acetate, (1,1 ′, 3 ′, 1 ") Terphenyl-2,6
2 ", 6" -tetracarbaldehyde, 2-hydroxybenzene-1,3,5-tricarbaldehyde, 1,2,2
Examples include compounds having three or more aldehyde groups in one molecule, such as 4,5-tetra (p-formylphenyl) benzene.

【００９６】またこれらの化合物の水素原子を炭素数１
〜１０のアルコキシル基、炭素数１〜１０のハロゲン化
アルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルコキシル
基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキルチオ基、炭素
数１〜１０のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜１０の
メルカプトアルキル基、炭素数１〜１０のヒドロキシア
ルコキシル基、炭素数１〜１０のメルカプトアルキルチ
オ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１１の
アラルキル基、繰り返し単位が１〜５の（ポリエチレン
グリコール）エチル基、繰り返し単位が１〜５の（ポリ
プロピレングリコール）プロピル基等で置換した化合物
を使用することもできる。The hydrogen atoms of these compounds have 1 carbon atom.
10 to 10 alkoxyl groups, C1 to C10 halogenated alkyl groups, C1 to C10 halogenated alkoxyl groups, C1 to C10 halogenated alkylthio groups, C1 to C10 hydroxyalkyl groups, carbon A mercaptoalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, a mercaptoalkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 11 carbon atoms, and a repeating unit Compounds substituted with 1 to 5 (polyethylene glycol) ethyl groups, repeating units with 1 to 5 (polypropylene glycol) propyl groups, or the like can also be used.

【００９７】上記式（８）で表される構造を有する化合
物を製造するためのカチオン重合および／またはアニオ
ン重合は、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、
またはカチオン重合触媒を用いて行うことができる。ア
ニオン重合触媒または配位アニオン重合触媒の代表例と
しては、ナトリウム、リチウムの如きアルカリ金属；ｓ
−ブチルリチウムの如きアルキル金属化合物；ナトリウ
ム／ナフタレンの如きアルカリ金属錯化合物；ナトリウ
ムメトキシドの如きアルカリ金属アルコキシド；ｎ−ブ
チルアミン、ジエチルアミンの如きアミン；アンモニウ
ムステアレート、テトラブチルアンモニウムアセテート
の如き４級アンモニウム塩；ジブチルスズジラウレー
ト、トリブチルスズクロライド、ジエチルスズジラウレ
ートの如き４価有機スズ化合物が挙げられる。The cation polymerization and / or anion polymerization for producing the compound having the structure represented by the above formula (8) includes an anion polymerization catalyst, a coordination anion polymerization catalyst,
Alternatively, the reaction can be performed using a cationic polymerization catalyst. Representative examples of the anionic polymerization catalyst or the coordination anion polymerization catalyst include alkali metals such as sodium and lithium;
Alkyl metal compounds such as -butyllithium; alkali metal complex compounds such as sodium / naphthalene; alkali metal alkoxides such as sodium methoxide; amines such as n-butylamine and diethylamine; quaternary ammonium such as ammonium stearate and tetrabutylammonium acetate. Salts: Tetravalent organotin compounds such as dibutyltin dilaurate, tributyltin chloride and diethyltin dilaurate.

【００９８】また、カチオン重合触媒の代表例として
は、四塩化スズ、四臭化スズ、四塩化チタン、三塩化ア
ルミニウム、塩化亜鉛、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ
素ジエチルエーテレート、過塩素酸、アセチルパークロ
レート、ｐ−トルエンスルホン酸、トリエチルオキソニ
ウムテトラフルオロボレート、トリエチルアルミニウ
ム、ジエチルアルミニウムクロリド等が挙げられる。Representative examples of the cationic polymerization catalyst include tin tetrachloride, tin tetrabromide, titanium tetrachloride, aluminum trichloride, zinc chloride, boron trifluoride, boron trifluoride diethyl etherate, and perchloric acid. Acetyl perchlorate, p-toluenesulfonic acid, triethyloxonium tetrafluoroborate, triethylaluminum, diethylaluminum chloride and the like.

【００９９】重合溶媒としては、例えばヘキサン、ヘプ
タン、シクロヘキサンの如き脂肪族炭化水素；ベンゼ
ン、トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素；塩化メ
チレン、塩化エチレン、四塩化炭素の如きハロゲン化脂
肪族炭化水素；クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼ
ンの如きハロゲン化芳香族炭化水素などを用いることが
できる。これらの有機溶媒は１種類のみでも、あるいは
２種類以上を混合して用いてもよい。これらの有機溶媒
は、十分に脱水精製されていることが好ましい。Examples of the polymerization solvent include aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane and cyclohexane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; halogenated aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, ethylene chloride and carbon tetrachloride. A halogenated aromatic hydrocarbon such as chlorobenzene and orthodichlorobenzene can be used. These organic solvents may be used alone or as a mixture of two or more. These organic solvents are preferably sufficiently dehydrated and purified.

【０１００】この重合体を製造する際に任意的に共存さ
せる分子量調節剤は、反応系中に均一に溶解もしくは分
散させて用いるのがよく、アルコール、カルボン酸等を
使用することができる。The molecular weight regulator optionally coexisting in the production of the polymer is preferably used by uniformly dissolving or dispersing it in the reaction system, and alcohols, carboxylic acids and the like can be used.

【０１０１】アルコールとしては、例えばメチルアルコ
ール、エチルアルコール、ヘキシルアルコール、シクロ
ヘキシルアルコール、ベンジルアルコール等を用いるこ
とができ、またカルボン酸としては、例えばギ酸、酢
酸、プロピオン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、安息香
酸等を用いることができる。分子量調節剤の使用量は、
目的とする重合体の分子量等に応じて調節され、実験的
に容易に決定することができる。Examples of the alcohol include methyl alcohol, ethyl alcohol, hexyl alcohol, cyclohexyl alcohol, and benzyl alcohol. Examples of the carboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, lauric acid, palmitic acid, and benzoic acid. An acid or the like can be used. The amount of the molecular weight regulator used is
It is adjusted according to the molecular weight of the target polymer and the like, and can be easily determined experimentally.

【０１０２】反応温度は、好ましくは−２００℃〜５０
℃の間の温度に設定されるが、有機溶媒の凝固点および
沸点を考慮すれば、多くの場合、−１００℃〜３０℃の
間の温度であるのがさらに好ましい。反応時間は、特に
制限されないが、通常、１００時間以内の範囲で適宜設
定することができる。所定重合時間を経た後、例えば、
得られた反応混合物をろ過し、得られた固形物をイオン
交換水で洗浄した後、真空乾燥することにより、目的と
する上記式（８）で表される構造を有する化合物を取得
することができる。なお、上記の重合反応によって形成
されたヘミアセタール型の分子末端における水酸基は熱
的な安定性をやや欠くため、必要に応じて、エステル
化、エーテル化、ウレタン化等の、ポリアセタール系重
合体の封鎖方法として知られている方法に従って分子末
端を封鎖することにより、安定性を向上させることがで
きる。また、上記式（９）〜（１２）で表される構造を
例えば繰り返し単位として有する塩基分解性化合物の製
造方法もまた公知である。The reaction temperature is preferably -200 ° C to 50 ° C.
The temperature is set at a temperature between -100 ° C and, in many cases, a temperature between -100 ° C and 30 ° C is more preferable in consideration of the freezing point and boiling point of the organic solvent. The reaction time is not particularly limited, but can usually be set appropriately within a range of 100 hours or less. After a predetermined polymerization time, for example,
The obtained reaction mixture is filtered, the obtained solid is washed with ion-exchanged water, and then dried under vacuum to obtain the desired compound having the structure represented by the above formula (8). it can. In addition, the hydroxyl group at the molecular terminal of the hemiacetal type formed by the above polymerization reaction slightly lacks thermal stability, so that, if necessary, esterification, etherification, urethaneation, etc., of the polyacetal-based polymer. Stability can be improved by blocking the molecular ends according to a method known as a blocking method. In addition, a method for producing a base-decomposable compound having a structure represented by any one of the above formulas (9) to (12) as a repeating unit is also known.

【０１０３】上記式（９）で表される構造を有する化合
物の製造方法は、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａ
ｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．，５，１５１（１９８４）、Ｍ
ａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１８９，２２２９（１９
８８）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１８７，２５
２５（１９８６）、Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．，２２，８０３
（１９９０）等に開示されている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (9) is described in Macromol. Chem. , Ra
pid Commun. , 5,151 (1984), M
acromol. Chem. , 189, 2229 (19
88), Macromol. Chem. , 187,25
25 (1986), Polym. J. , 22,803
(1990).

【０１０４】上記式（１０）で表される構造を有する化
合物の製造方法は、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，４７，
１５２３（１９９３）、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓ
ｃｉ．，３５，８５（１９８５）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓ
ｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２２，１５７
９（１９８４）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１４，６５５（１９７６）、
Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅ
ｄ．，１７，２４２９（１９７９）等に開示されてい
る。A method for producing a compound having a structure represented by the above formula (10) is described in J. Org. Polym. Sci. , 47,
1523 (1993); Appl. Polym. S
ci. , 35, 85 (1985); Polym. S
ci. , Polym. Chem. Ed. , 22,157
9 (1984); Polym. Sci. , Poly
m. Chem. Ed. , 14,655 (1976),
J. Polym. Sci. , Polym. Chem. E
d. , 17, 2429 (1979).

【０１０５】上記式（１１）で表される構造を有する化
合物の製造方法は、Ｊ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ．−
Ｃｈｅｍ．，Ａ９，１２６５（１９７５）等に開示され
ている。A method for producing a compound having a structure represented by the above formula (11) is described in J. Am. Macromol. Sci. −
Chem. , A9, 1265 (1975).

【０１０６】上記式（１２）で表される構造を有する化
合物の製造方法はＰｏｌｙｍ．Ｂｕｌｌ．，１４，８５
（１９８５）、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１８
９，１３２３（１９８８）等に開示されている。The method for producing the compound having the structure represented by the above formula (12) is described in Polym. Bull. , 14,85
(1985), Macromol. Chem. , 18
9, 1323 (1988).

【０１０７】（Ｂ）非分解性化合物 本発明に用いられる（Ｂ）非分解性化合物は、酸または
塩基に対して安定でありそして、好ましくは光学的に透
明性が高い材料である。（Ｂ）成分の屈折率は、用途に
より好ましい値に任意に設定および調節することができ
る。化合物（Ｂ）の屈折率ｎ_Bは、重合体Ａの屈折率ｎ_A
より小さく、特に下記数式（１）の関係を満たすものが
特に好ましい。 ｎ_A−ｎ_B≧０．０５ ．．．（１） 非分解性化合物（Ｂ）は非分解性重合体であることがで
きる。 (B) Non-Decomposable Compound The (B) non-decomposable compound used in the present invention is a material that is stable to an acid or a base and preferably has high optical transparency. The refractive index of the component (B) can be arbitrarily set and adjusted to a preferable value depending on the application. The refractive index n _B of the compound (B) is the refractive index n A of the polymer _A.
Those smaller than the above, particularly satisfying the relationship of the following formula (1), are particularly preferable. n _A −n _B ≧ 0.05. . . (1) The non-degradable compound (B) can be a non-degradable polymer.

【０１０８】（Ｂ）非分解性重合体としては、アクリル
系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカ
ーボネート系樹脂、ノルボルネン系樹脂、スチレン系樹
脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、シリコン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリシロキサン系樹脂、
フッ素系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ビニルエーテル
系樹脂、ビニルエステル系樹脂などが挙げられる。使用
する（Ａ）分解性重合体の屈折率に依存して、用いられ
る好ましい（Ｂ）非分解性重合体を任意に選択すること
ができる。特に（Ａ）分解性重合体との屈折率差を大き
くする目的や、光路長の長いものの伝達損失を低減する
目的において、上記樹脂類の水素原子をフッ素原子に置
換した（Ｂ）非分解性重合体が好適に用いられる場合が
ある。(B) Examples of the non-degradable polymer include acrylic resins, urethane resins, polyester resins, polycarbonate resins, norbornene resins, styrene resins, polyethersulfone resins, silicone resins, polyamide resins, Polyimide resin, polysiloxane resin,
Fluorine-based resins, polybutadiene-based resins, vinyl ether-based resins, vinyl ester-based resins, and the like are included. The preferred (B) non-degradable polymer to be used can be arbitrarily selected depending on the refractive index of the (A) degradable polymer used. In particular, for the purpose of (A) increasing the refractive index difference from the decomposable polymer or reducing the transmission loss even though the optical path length is long, hydrogen atoms of the above resins are replaced with fluorine atoms. In some cases, a polymer is suitably used.

【０１０９】（Ｂ）非分解性重合体のさらなる具体例と
しては、下記重合体を挙げることができる。なお、カッ
コ内の数字はｄ線による屈折率の値である。Further specific examples of (B) the non-decomposable polymer include the following polymers. The numbers in parentheses are the values of the refractive index at the d-line.

【０１１０】例えば、ポリビニリデンフルオライド
（１．４２）、ポリジメチルシロキサン（１．４３）、
ポリトリフルオロエチルメタクリレート（１．４４）、
ポリオキシプロピレン（１．４５）、ポリビニルイソブ
チルエーテル（１．４５）、ポリビニルエチルエーテル
（１．４５）、ポリオキシエチレン（１．４６）、ポリ
ビニルブチルエーテル（１．４６）、ポリビニルペンチ
ルエーテル（１．４６）、ポリビニルヘキシルエーテル
（１．４６）、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）
（１．４６〜１．４７）、セルロースアセテートブチレ
ート（１．４６〜１．４９）、ポリ（４−フルオロ−２
−トリフルオロメチルスチレン）（１．４６）、ポリビ
ニルオクチルエーテル（１．４６）、ポリ（ビニル２−
エチルヘキシルエーテル）（１．４６）、ポリビニルデ
シルエーテル（１．４６）、ポリ（２−メトキシエチル
アクリレート）（１．４６）、ポリブチルアクリレート
（１．４６）、ポリブチルアクリレート（１．４７）、
ポリ（ｔ−ブチルメタクリレート）（１．４６）、ポリ
ビニルドデシルエーテル（１．４６）、ポリ（３−エト
キシプロピルアクリレート）（１．４７）、ポリオキシ
カルボニルテトラメチレン（１．４７）、ポリビニルプ
ロピオネート（１．４７）、ポリビニルアセテート
（１．４７）、ポリビニルメチルエーテル（１．４
７）、ポリエチルアクリレート（１．４７）、For example, polyvinylidene fluoride (1.42), polydimethylsiloxane (1.43),
Polytrifluoroethyl methacrylate (1.44),
Polyoxypropylene (1.45), polyvinyl isobutyl ether (1.45), polyvinyl ethyl ether (1.45), polyoxyethylene (1.46), polyvinyl butyl ether (1.46), polyvinyl pentyl ether (1. 46), polyvinyl hexyl ether (1.46), poly (4-methyl-1-pentene)
(1.46-1.47), cellulose acetate butyrate (1.46-1.49), poly (4-fluoro-2)
-Trifluoromethylstyrene) (1.46), polyvinyl octyl ether (1.46), poly (vinyl 2-
Ethylhexyl ether) (1.46), polyvinyl decyl ether (1.46), poly (2-methoxyethyl acrylate) (1.46), polybutyl acrylate (1.46), polybutyl acrylate (1.47),
Poly (t-butyl methacrylate) (1.46), polyvinyl dodecyl ether (1.46), poly (3-ethoxypropyl acrylate) (1.47), polyoxycarbonyltetramethylene (1.47), polyvinyl propio Nate (1.47), polyvinyl acetate (1.47), polyvinyl methyl ether (1.4)
7), polyethyl acrylate (1.47),

【０１１１】エチレン−ビニルアセテート共重合体
（１．４７〜１．５０）、（８０％〜２０％ビニルアセ
テート）セルロースプロピオネート（１．４７〜１．４
９）、セルロースアセテートプロピオネート（１．４
７）、ベンジルセルロース（１．４７〜１．５８）、フ
ェノール−フォルムアルデヒド樹脂（１．４７〜１．７
０）、セルローストリアセテート（１．４７〜１．４
８）、ポリビニルメチルエーテル（アイソタクティッ
ク）（１．４７）、ポリ（３−メトキシプロピルアクリ
レート）（１．４７）、ポリ（２−エトキシエチルアク
リレート）（１．４７）、ポリメチルアクリレート
（１．４７〜１．４８）、ポリイソプロピルメタクリレ
ート（１．４７）、ポリ（１−デセン）（１．４７）、
ポリプロピレン（アタクティック，密度０．８５７５ｇ
／ｃｍ³）（１．４７）、ポリ（ビニルｓｅｃ−ブチル
エーテル）（アイソタクティック）（１．４７）、ポリ
ドデシルメタクリレート（１．４７）、ポリオキシエチ
レンオキシスクシノイル（１．４７）、（ポリエチレン
スクシネート）ポリテトラデシルメタクリレート（１．
４７）、エチレン−プロピレン共重合体（ＥＰＲ−ゴ
ム）（１．４７〜１．４８）、ポリヘキサデシルメタク
リレート（１．４８）、ポリビニルフォルメート（１．
４８）、ポリ（２−フルオロエチルメタクリレート）
（１．４８）、ポリイソブチルメタクリレート（１．４
８）、エチルセルロース（１．４８）、ポリビニルアセ
タール（１．４８〜１．５０）、セルロースアセテート
（１．４８〜１．５０）、セルローストリプロピオネー
ト（１．４８〜１．４９）、ポリオキシメチレン（１．
４８）、ポリビニルブチラール（１．４８〜１．４
９）、ポリ（ｎ−ヘキシルメタクリレート）（１．４
８）、ポリ（ｎ−ブチルメタクリレート）（１．４
８）、ポリエチリデンジメタクリレート（１．４８）、
ポリ（２−エトキシエチルメタクリレート）（１．４
８）、ポリオキシエチレンオキシマレオイル（１．４
８）、（ポリエチレンマレート）ポリ（ｎ−プロピルメ
タクリレート）（１．４８）、ポリ（３，３，５−トリ
メチルシクロヘキシルメタクリレート）（１．４９）、
ポリエチルメタクリレート（１．４９）、ポリ（２−ニ
トロ−２−メチルプロピルメタクリレート）（１．４
９）、ポリトリエチルカルビニルメタクリレート（１．
４９）、ポリ（１，１−ジエチルプロピルメタクリレー
ト）（１．４９）、ポリメチルメタクリレート（１．４
９）、ポリ（２−デシル−１，３−ブタジエン）（１．
４９）、ポリビニルアルコール（１．４９〜１．５
３）、Ethylene-vinyl acetate copolymer (1.47-1.50), (80% -20% vinyl acetate) cellulose propionate (1.47-1.4)
9), cellulose acetate propionate (1.4)
7), benzyl cellulose (1.47 to 1.58), phenol-formaldehyde resin (1.47 to 1.7)
0), cellulose triacetate (1.47 to 1.4)
8), polyvinyl methyl ether (isotactic) (1.47), poly (3-methoxypropyl acrylate) (1.47), poly (2-ethoxyethyl acrylate) (1.47), polymethyl acrylate (1 47-1.48), polyisopropyl methacrylate (1.47), poly (1-decene) (1.47),
Polypropylene (Atactic, density 0.8575g
/ Cm ³ ) (1.47), poly (vinyl sec-butyl ether) (isotactic) (1.47), polydodecyl methacrylate (1.47), polyoxyethyleneoxysuccinoyl (1.47), (Polyethylene succinate) polytetradecyl methacrylate (1.
47), ethylene-propylene copolymer (EPR-rubber) (1.47-1.48), polyhexadecyl methacrylate (1.48), polyvinyl formate (1.47).
48), poly (2-fluoroethyl methacrylate)
(1.48), polyisobutyl methacrylate (1.4
8), ethyl cellulose (1.48), polyvinyl acetal (1.48 to 1.50), cellulose acetate (1.48 to 1.50), cellulose tripropionate (1.48 to 1.49), polyoxy Methylene (1.
48), polyvinyl butyral (1.48 to 1.4)
9), poly (n-hexyl methacrylate) (1.4)
8), poly (n-butyl methacrylate) (1.4)
8), polyethylidene dimethacrylate (1.48),
Poly (2-ethoxyethyl methacrylate) (1.4
8), polyoxyethylene oxymale oil (1.4
8), (polyethylene malate) poly (n-propyl methacrylate) (1.48), poly (3,3,5-trimethylcyclohexyl methacrylate) (1.49),
Polyethyl methacrylate (1.49), poly (2-nitro-2-methylpropyl methacrylate) (1.4
9), polytriethylcarbinyl methacrylate (1.
49), poly (1,1-diethylpropyl methacrylate) (1.49), polymethyl methacrylate (1.4)
9), poly (2-decyl-1,3-butadiene) (1.
49), polyvinyl alcohol (1.49 to 1.5)
3),

【０１１２】ポリエチルグリコレートメタクリレート
（１．４９）、ポリ（３−メチルシクロヘキシルメタク
リレート）（１．４９）、ポリ（シクロヘキシルα−エ
トキシアクリレート）（１．５０）、メチルセルロース
（低粘度）（１．５０）、ポリ（４−メチルシクロヘキ
シルメタクリレート）（１．５０）、ポリデカメチレン
グリコールジメタクリレート（１．５０）、ポリウレタ
ン（１．５０〜１．６０）、ポリ（１，２−ブタジエ
ン）（１．５０）、ポリビニルフォルマール（１．５
０）、ポリ（２−ブロモ−４−トリフルオロメチルスチ
レン）（１．５０）、セルロースニトレート（１．５０
〜１．５１）、ポリ（ｓｅｃ−ブチルα−クロロアクリ
レート）（１．５０）、ポリ（２−ヘプチル−１，３−
ブタジエン）（１．５０）、ポリ（エチルα−クロロア
クリレート）（１．５０）、ポリ（２−イソプロピル−
１，３ブタジエン（１．５０）、ポリ（２−メチルシク
ロヘキシルメタクリレート）（１．５０）、ポリプロピ
レン（密度０．９０７５ｇ／ｃｍ³）（１．５０）、ポ
リイソブテン（１．５１）、ポリボルニルメタクリレー
ト（１．５１）、ポリ（２−ｔ−ブチル−１，３−ブタ
ジエン）（１．５１）、ポリエチレングリコールジメタ
クリレート（１．５１）、ポリシクロヘキシルメタクリ
レート（１．５１）、ポリ（シクロヘキサンジオール−
１，４−ジメタクリレート）（１．５１）、Polyethyl glycolate methacrylate (1.49), poly (3-methylcyclohexyl methacrylate) (1.49), poly (cyclohexyl α-ethoxy acrylate) (1.50), methyl cellulose (low viscosity) (1. 50), poly (4-methylcyclohexyl methacrylate) (1.50), polydecamethylene glycol dimethacrylate (1.50), polyurethane (1.50 to 1.60), poly (1,2-butadiene) (1 .50), polyvinyl formal (1.5
0), poly (2-bromo-4-trifluoromethylstyrene) (1.50), cellulose nitrate (1.50)
1.51), poly (sec-butyl α-chloroacrylate) (1.50), poly (2-heptyl-1,3-
(Butadiene) (1.50), poly (ethyl α-chloroacrylate) (1.50), poly (2-isopropyl-
1,3 butadiene (1.50), poly (2-methylcyclohexyl methacrylate) (1.50), polypropylene (density 0.9075 g / cm ³ ) (1.50), polyisobutene (1.51), polybornyl Methacrylate (1.51), poly (2-t-butyl-1,3-butadiene) (1.51), polyethylene glycol dimethacrylate (1.51), polycyclohexyl methacrylate (1.51), poly (cyclohexanediol) −
1,4-dimethacrylate) (1.51),

【０１１３】ブチルゴム（未加硫）（１．５１）、ポリ
テトラハイドロフルフリルメタクリレート）（１．５
１）、グッタペルカ（β）（１．５１）、ポリエチレン
アイオノマー（１．５１）、ポリオキシエチレン（高分
子量）（１．５１〜１．５４）、ポリエチレン（密度
０．９１４ｇ／ｃｍ³）（１．５１）、（密度０．９４
〜０．９４５ｇ／ｃｍ³）（１．５２〜１．５３）、
（密度０．９６５ｇ／ｃｍ³）（１．５５）、ポリ（１
−メチルシクロヘキシルメタクリレート）（１．５
１）、ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）
（１．５１）、ポリビニルクロロアセテート（１．５
１）、ポリブテン（アイソタクティック）（１．５
１）、ポリビニルメタクリレート（１．５１）、ポリ
（Ｎ−ブチル−メタクリルアミド）（１．５１）、グッ
タペルカ（α）（１．５１）、テルペン樹脂（１．５
２）、ポリ（１，３−ブタジエン）（１．５２）、セラ
ック（１．５１〜１．５３）、ポリ（メチルα−クロロ
アクリレート）（１．５２）、ポリ（２−クロロエチル
メタクリレート）（１．５２）、ポリ（２−ジエチルア
ミノエチルメタクリレート）（１．５２）、ポリ（２−
クロロシクロヘキシルメタクリレート）（１．５２）、
ポリ（１，３−ブタジエン）（３５％シス；５６％トラ
ンス １．５１８０；７％１，２−含有量）、天然ゴム
（１．５２）、ポリアリルメタクリレート（１．５
２）、Butyl rubber (unvulcanized) (1.51), polytetrahydrofurfuryl methacrylate) (1.5
1), Gutta percha (β) (1.51), polyethylene ionomer (1.51), polyoxyethylene (high molecular weight) (1.51 to 1.54), polyethylene (density 0.914 g / cm ³ ) (1) .51), (density 0.94
0.945 g / cm ³ ) (1.52 to 1.53),
(Density 0.965 g / cm ³ ) (1.55), poly (1
-Methylcyclohexyl methacrylate) (1.5
1), poly (2-hydroxyethyl methacrylate)
(1.51), polyvinyl chloroacetate (1.5
1), polybutene (isotactic) (1.5
1), polyvinyl methacrylate (1.51), poly (N-butyl-methacrylamide) (1.51), gutta percha (α) (1.51), terpene resin (1.5
2), poly (1,3-butadiene) (1.52), shellac (1.51 to 1.53), poly (methyl α-chloroacrylate) (1.52), poly (2-chloroethyl methacrylate) (1.52), poly (2-diethylaminoethyl methacrylate) (1.52), poly (2-
Chlorocyclohexyl methacrylate) (1.52),
Poly (1,3-butadiene) (35% cis; 56% trans 1.5180; 7% 1,2-content), natural rubber (1.52), polyallyl methacrylate (1.5
2),

【０１１４】ポリビニルクロライド＋４０％ジオクチル
フタテート（１．５２）、ポリアクリロニトリル（１．
５２）、ポリメタクリロニトリル（１．５２）、ポリ
（１，３−ブタジエン）（シス型リッチ）（１．５
２）、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体（１．５
２）、ポリメチルイソプロペニルケトン（１．５２）、
ポリイソプレン（１．５２）、ポリエステル樹脂リジッ
ド（約５０％スチレン）（１．５２〜１．５４）、ポリ
（Ｎ−（２−メトキシエチル）メタクリルアミド）
（１．５２）、ポリ（２，３−ジメチルブタジエン）
（メチルゴム）（１．５３）、ビニルクロライド−ビニ
ルアセテート共重合体（９５／５〜９０／１０）（１．
５３〜１．５４）、ポリアクリックアシド（１．５
３）、ポリ（１，３−ジクロロプロピルメタクリレー
ト）（１．５３）、ポリ（２−クロロ−１−（クロロメ
チル）エチルメタクリレート）（１．５３）、ポリアク
ロレイン（１．５３）、ポリ（１−ビニル−２−ピロリ
ドン）（１．５３）、塩酸化ゴム（１．５３〜１．５
５）、ナイロン６；ナイロン６，６；ナイロン６，１０
（成型体）（１．５３）、ブタジエン−スチレン共重合
体（約３０％スチレン）（１．５３）、ブロック共重合
体ポリ（シクロヘキシルα−クロロアクリレート）
（１．５３）、ポリ（２−クロロエチルα−クロロアク
リレート）（１．５３）、ブタジエン−スチレン共重合
体（約７５／２５）（１．５４）、Polyvinyl chloride + 40% dioctylphthalate (1.52), polyacrylonitrile (1.
52), polymethacrylonitrile (1.52), poly (1,3-butadiene) (cis-type rich) (1.5
2), butadiene-acrylonitrile copolymer (1.5
2), polymethylisopropenyl ketone (1.52),
Polyisoprene (1.52), polyester resin rigid (about 50% styrene) (1.52 to 1.54), poly (N- (2-methoxyethyl) methacrylamide)
(1.52), poly (2,3-dimethylbutadiene)
(Methyl rubber) (1.53), vinyl chloride-vinyl acetate copolymer (95/5 to 90/10) (1.
53 to 1.54), polyacrylic acid (1.5
3), poly (1,3-dichloropropyl methacrylate) (1.53), poly (2-chloro-1- (chloromethyl) ethyl methacrylate) (1.53), polyacrolein (1.53), poly ( 1-vinyl-2-pyrrolidone) (1.53), chlorinated rubber (1.53-1.5)
5), nylon 6; nylon 6,6; nylon 6,10
(Molded product) (1.53), butadiene-styrene copolymer (about 30% styrene) (1.53), block copolymer poly (cyclohexyl α-chloroacrylate)
(1.53), poly (2-chloroethyl α-chloroacrylate) (1.53), butadiene-styrene copolymer (about 75/25) (1.54),

【０１１５】ポリ（２−アミノエチルメタクリレート）
（１．５４）、ポリフルフリルメタクリレート（１．５
４）、ポリブチルメルカプチルメタクリレート（１．５
４）、ポリ（１−フェニル−ｎ−アミルメタクリレー
ト）（１．５４）、ポリ（Ｎ−メチル−メタクリルアミ
ド）（１．５４）、セルロース（１．５４）、ポリビニ
ルクロライド（１．５４〜１．５５）、ウレアフォルム
アルデヒド樹脂（１．５４〜１．５６）、ポリ（ｓｅｃ
−ブチルα−ブロモアクリレート）（１．５４）、ポリ
（シクロヘキシルα−ブロモアクリレート）（１．５
４）、ポリ（２−ブロモエチルメタクリレート）（１．
５４）、ポリジヒドロアビエチン酸（１．５４）、ポリ
アビエチン酸（１．５４６）、ポリエチルメルカプチル
メタクリレート（１．５５）、ポリ（Ｎ−アリルメタク
リルアミド）（１．５５）、ポリ（１−フェニルエチル
メタクリレート）（１．５５）、ポリビニルフラン
（１．５５）、ポリ（２−ビニルテトラヒドロフラン）
（１．５５）、ポリ（ビニルクロライド）＋４０％トリ
クレジルフォスフェート（１．５５）、ポリ（ｐ−メト
キシベンジルメタクリレート）（１．５５）、ポリイソ
プロピルメタクリレート（１．５５）、ポリ（ｐ−イソ
プロピルスチレン）（１．５５）、ポリクロロプレン
（１．５５〜１．５６）、ポリ（オキシエチレン−α−
ベンゾエート−ω−メタクリレート）（１．５６）、ポ
リ（ｐ，ｐ’−キシリレニルジメタクリレート）（１．
５６）、ポリ（１−フェニルアリルメタクリレート）
（１．５６）、ポリ（ｐ−シクロヘキシルフェニルメタ
クリレート）（１．５６）、ポリ（２−フェニルエチル
メタクリレート）（１．５６）、ポリ（オキシカルボニ
ロキシ−１，４−フェニレン−１−プロピル（１．５
６）、ポリ（１−（ｏ−クロロフェニル）エチルメタク
リレート）（１．５６）、Poly (2-aminoethyl methacrylate)
(1.54), polyfurfuryl methacrylate (1.5
4), polybutyl mercaptyl methacrylate (1.5
4), poly (1-phenyl-n-amyl methacrylate) (1.54), poly (N-methyl-methacrylamide) (1.54), cellulose (1.54), polyvinyl chloride (1.54-1) .55), urea formaldehyde resin (1.54 to 1.56), poly (sec)
-Butyl α-bromoacrylate) (1.54), poly (cyclohexyl α-bromoacrylate) (1.5
4), poly (2-bromoethyl methacrylate) (1.
54), polydihydroabietic acid (1.54), polyabietic acid (1.546), polyethylmercaptyl methacrylate (1.55), poly (N-allyl methacrylamide) (1.55), poly (1 -Phenylethyl methacrylate) (1.55), polyvinylfuran (1.55), poly (2-vinyltetrahydrofuran)
(1.55), poly (vinyl chloride) + 40% tricresyl phosphate (1.55), poly (p-methoxybenzyl methacrylate) (1.55), polyisopropyl methacrylate (1.55), poly (p -Isopropylstyrene) (1.55), polychloroprene (1.55 to 1.56), poly (oxyethylene-α-
Benzoate-ω-methacrylate) (1.56), poly (p, p′-xylenyldimethacrylate) (1.
56), poly (1-phenylallyl methacrylate)
(1.56), poly (p-cyclohexylphenyl methacrylate) (1.56), poly (2-phenylethyl methacrylate) (1.56), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenylene-1-propyl) (1.5
6), poly (1- (o-chlorophenyl) ethyl methacrylate) (1.56),

【０１１６】スチレン−無水マレイン酸共重合体（１．
５６）、ポリ（１−フェニルシクロヘキシルメタクリレ
ート）（１．５６）、ポリ（オキシカルボニロキシ−
１，４−フェニレン−１，３−ジメチル−ブチリデン−
１，４−フェニレン）（１．５７）、ポリ（メチルα−
ブロモアクリレート）（１．５７）、ポリベンジルメタ
クリレート（１．５７）、ポリ（２−（フェニルスルフ
ォニル）エチルメタクリレート）（１．５７）、ポリ
（ｍ−クレジルメタクリレート）（１．５７）、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体（約７５／２５）（１．
５７）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニ
レンイソブチリデン−１，４−フェニレン）（１．５
７）、ポリ（ｏ−メトキシフェニルメタクリレート）
（１．５７）、ポリフェニルメタクリレート（１．５
７）、ポリ（ｏ−クレジルメタクリレート）（１．５
７）、ポリジアリルフタレート（１．５７）、ポリ
（２，３−ジブロモプロピルメタクリレート）（１．５
７）、ポリ（オキシカルボニロキシ−１，４−フェニレ
ン−１−メチル−ブチリデン−１，４−フェニレン）
（１．５７）、ポリ（オキシ−２，６−ジメチルフェニ
レン）（１．５８）、ポリオキシエチレンオキシテレフ
タロイル（アモルファス）（１．５８）、ポリエチレン
テレフタレート（１．５１〜１．６４）、ポリビニルベ
ンゾエート（１．５８）、ポリ（オキシカルボニロキシ
−１，４−フェニレンブチリデン−１，４−フェニレ
ン）（１．５８）、Styrene-maleic anhydride copolymer (1.
56), poly (1-phenylcyclohexyl methacrylate) (1.56), poly (oxycarbonyloxy)
1,4-phenylene-1,3-dimethyl-butylidene-
1,4-phenylene) (1.57), poly (methyl α-
Bromoacrylate) (1.57), polybenzyl methacrylate (1.57), poly (2- (phenylsulfonyl) ethyl methacrylate) (1.57), poly (m-cresyl methacrylate) (1.57), styrene Acrylonitrile copolymer (about 75/25) (1.
57), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenyleneisobutylidene-1,4-phenylene) (1.5
7), poly (o-methoxyphenyl methacrylate)
(1.57), polyphenyl methacrylate (1.5
7), poly (o-cresyl methacrylate) (1.5
7), polydiallyl phthalate (1.57), poly (2,3-dibromopropyl methacrylate) (1.5
7), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenylene-1-methyl-butylidene-1,4-phenylene)
(1.57), poly (oxy-2,6-dimethylphenylene) (1.58), polyoxyethyleneoxyterephthaloyl (amorphous) (1.58), polyethylene terephthalate (1.51 to 1.64) , Polyvinyl benzoate (1.58), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenylenebutylidene-1,4-phenylene) (1.58),

【０１１７】ポリ（１，２−ジフェニルエチルメタクリ
レート）（１．５８）、ポリ（ｏ−クロロベンジルメタ
クリレート）（１．５８）、ポリ（オキシカルボニロキ
シ−１，４−フェニレン−ｓｅｃ−ブチリデン−１，４
−フェニレン）（１．５８）、ポリオキシペンタエリス
リトロキシフタロイル）（１．５８）、ポリ（ｍ−ニト
ロベンジルメタクリレート）（１．５８）、ポリ（オキ
シカルボニロキシ−１，４−フェニレンイソプロピリデ
ン−１，４−フェニレン）（１．５９）、ポリ（Ｎ−
（２−フェニルエチル）メタクリルアミド）（１．５
９）、ポリ（４−メトキシ−２−メチルスチレン）
（１．５９）、ポリ（ｏ−メチルスチレン）（１．５
９）、ポリスチレン（１．５９）、ポリ（オキシカルボ
ニロキシ−１，４−フェニレンシクロヘキシリデン−
１，４−フェニレン）（１．５９）、ポリ（ｏ−メトキ
シスチレン）（１．５９）、ポリジフェニルメチルメタ
クリレート（１．５９）、ポリ（オキシカルボニロキシ
−１，４−フェニレンエチリデン−１，４−フェニレ
ン）（１．５９）、ポリ（ｐ−ブロモフェニルメタクリ
レート）（１．６０）、ポリ（Ｎ−ベンジルメタクリル
アミド）（１．６０）、ポリ（ｐ−メトキシスチレン）
（１．６０）、ポリビニリデンクロライド（１．６０〜
１．６３）、ポリスルフィド（“Ｔｈｉｏｋｏｌ”）
（１．６〜１．７）、ポリ（ｏ−クロロジフェニルメチ
ルメタクリレート）（１．６０）、ポリ（オキシカルボ
ニロキシ−１，４−（２，６−ジクロロ）フェニレン−
イソプロピリデン−１，４−（２，６−ジクロロ）フェ
ニレン）（１．６１）、ポリ（オキシカルボニロキシビ
ス（１，４−（３，５−ジクロロフェニレン）））ポリ
ペンタクロロフェニルメタクリレート（１．６１）、ポ
リ（ｏ−クロロスチレン）（１．６１）、ポリ（フェニ
ルα−ブロモアクリレート）（１．６１）、Poly (1,2-diphenylethyl methacrylate) (1.58), poly (o-chlorobenzyl methacrylate) (1.58), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenylene-sec-butylidene- 1,4
-Phenylene) (1.58), polyoxypentaerythritroxyphthaloyl) (1.58), poly (m-nitrobenzyl methacrylate) (1.58), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenylene) Isopropylidene-1,4-phenylene) (1.59), poly (N-
(2-phenylethyl) methacrylamide) (1.5
9), poly (4-methoxy-2-methylstyrene)
(1.59), poly (o-methylstyrene) (1.5
9), polystyrene (1.59), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenylenecyclohexylidene-
1,4-phenylene) (1.59), poly (o-methoxystyrene) (1.59), polydiphenylmethyl methacrylate (1.59), poly (oxycarbonyloxy-1,4-phenyleneethylidene-1) , 4-phenylene) (1.59), poly (p-bromophenylmethacrylate) (1.60), poly (N-benzylmethacrylamide) (1.60), poly (p-methoxystyrene)
(1.60), polyvinylidene chloride (1.60-
1.63), polysulfides ("Thiokol")
(1.6-1.7), poly (o-chlorodiphenylmethyl methacrylate) (1.60), poly (oxycarbonyloxy-1,4- (2,6-dichloro) phenylene-
Isopropylidene-1,4- (2,6-dichloro) phenylene) (1.61), poly (oxycarbonyloxybis (1,4- (3,5-dichlorophenylene))) polypentachlorophenyl methacrylate (1 .61), poly (o-chlorostyrene) (1.61), poly (phenyl α-bromoacrylate) (1.61),

【０１１８】ポリ（ｐ−ジビニルベンゼン）（１．６
２）、ポリ（Ｎ−ビニルフタルイミド）（１．６２）、
ポリ（２，６−ジクロロスチレン）（１．６２）、ポリ
（β−ナフチルメタクリレート）（１．６３）、ポリ
（α−ナフチルカルビニルメタクリレート）（１．６
３）、ポリサルホン（１．６３）、ポリ（２−ビニルチ
オフェン）（１．６４）、ポリ（α−ナフチルメタクリ
レート）（１．６４）、ポリ（オキシカルボニロキシ−
１，４−フェニレンジフェニル−メチレン−１，４−フ
ェニレン）（１．６５）、ポリビニルフェニルスルフィ
ド（１．６６）、ブチルフェノールフォルムアルデヒド
樹脂（１．６６）、ウレア−チオウレア−フォルムアル
デヒド樹脂（１．６６）、ポリビニルナフタレン（１．
６８）、ポリビニルカルバゾール（１．６８）、ナフタ
レン−フォルムアルデヒド樹脂（１．７０）、フェノー
ル−フォルムアルデヒド樹脂（１．７０）、ポリペンタ
ブロモフェニルメタクリレート（１．７１）等が挙げら
れる。Poly (p-divinylbenzene) (1.6)
2), poly (N-vinylphthalimide) (1.62),
Poly (2,6-dichlorostyrene) (1.62), poly (β-naphthyl methacrylate) (1.63), poly (α-naphthyl vinyl methacrylate) (1.6)
3), polysulfone (1.63), poly (2-vinylthiophene) (1.64), poly (α-naphthyl methacrylate) (1.64), poly (oxycarbonyloxy)
1,4-phenylenediphenyl-methylene-1,4-phenylene) (1.65), polyvinylphenyl sulfide (1.66), butylphenol formaldehyde resin (1.66), urea-thiourea-formaldehyde resin (1. 66), polyvinyl naphthalene (1.
68), polyvinyl carbazole (1.68), naphthalene-formaldehyde resin (1.70), phenol-formaldehyde resin (1.70), polypentabromophenyl methacrylate (1.71) and the like.

【０１１９】これらのうち、ｄ線屈折率が１．６以下で
あるものが好ましく、１．５以下であるものがさらに好
ましい。Of these, those having a d-line refractive index of 1.6 or less are preferable, and those having a d-line refractive index of 1.5 or less are more preferable.

【０１２０】（Ｂ）非分解性化合物の重量平均分子量
は、好ましくは１００〜５００，０００であり、より好
ましくは１００〜２００，０００である。非分解性化合
物（Ｂ）としては、さらに下記式（１８）で表される化
合物、その加水分解物またはその縮合物が同様に用いら
れる。 Ｒ²¹³ _nＳｉ（ＯＲ²¹⁴）_4-n ・・・・・・（１８） （Ｒ²¹³およびＲ²¹⁴は、同一でも異なっていてもよく、
それぞれ１価の有機基でありそして、ｎは０〜２の整数
である。）(B) The weight average molecular weight of the non-decomposable compound is preferably from 100 to 500,000, more preferably from 100 to 200,000. As the non-decomposable compound (B), a compound represented by the following formula (18), a hydrolyzate thereof or a condensate thereof is similarly used. R ²¹³ _n Si (OR ²¹⁴ ) _4-n (18) (R ²¹³ and R ²¹⁴ may be the same or different,
Each is a monovalent organic group, and n is an integer of 0 to 2. )

【０１２１】上記式（１８）において１価の有機基とし
ては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル
基などを挙げることができる。ここで、アルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
が挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、これらの
アルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水
素原子がフッ素原子などのハロゲン原子で置換されてい
てもよい。上記式（１８）においてアリール基としては
フェニル基、ナフチル基などを挙げることができる。ま
た、上記式（１８）においてｎが１または２のものを使
用することが好ましい。In the above formula (18), examples of the monovalent organic group include an alkyl group, an aryl group, an allyl group and a glycidyl group. Here, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group and the like, preferably having 1 to 5 carbon atoms, and these alkyl groups may be chain-like or branched, Further, a hydrogen atom may be substituted with a halogen atom such as a fluorine atom. In the above formula (18), examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group. In addition, it is preferable to use one in which n is 1 or 2 in the above formula (18).

【０１２２】上記式（１８）で表されるアルキルアルコ
キシシランの具体例としては、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチ
ルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシ
シラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−
プロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、
エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリ
メトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ
−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピル
トリイソプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、イソプロピルトリ
メトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、イ
ソプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、イソプロピル
トリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、イソプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、イソプロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
イソプロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブ
チルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリイソ
プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブ
チルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ
フェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラ
ン、ｓｅｃ−ブチルイソトリエトキシシラン、ｓｅｃ−
ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルト
リイソプロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ｓｅｃ−ブチルトリフェノキシシラン、ｔｅｒｔ−
ブチルトリメトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエト
キシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルト−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｔｅｒｔ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｔｅ
ｒｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブ
チルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルト
リフェノキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラ
ン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシ
ルトリ−ｎ−プロポキシシラン、シクロヘキシルトリイ
ソプロポキシシラン、シクロヘキシルトリ−ｎ−ブトキ
シシラン、シクロヘキシルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、シクロヘキシルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
シクロヘキシルトリフェノキシシラン、ノルボルニルト
リメトキシシラン、ノルボルニルトリエトキシシラン、
ノルボルニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ノルボルニ
ルトリイソプロポキシシラン、ノルボルニルトリ−ｎ−
ブトキシシラン、ノルボルニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、ノルボルニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ノルボルニルトリフェノキシシラン、フェニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニ
ルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリイソプロ
ポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フ
ェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−
ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシ
ラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシ
シラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチル
ジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチル
ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシ
シラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキ
シシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチ
ルジイソプロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチ
ルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ
−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジイソプロポキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プ
ロピルジフェノキシシラン、ジイソプロピルジメトキシ
シラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソプロ
ピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソ
プロポキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジイソプロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ
イソプロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジイソプ
ロピルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブ
チルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジイソ
プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチ
ルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジフェノキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジイソプロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ
−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジシク
ロヘキシルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
−ｎ−プロポキシシラン、ジシクロヘキシルジイソプロ
ポキシシラン、ジシクロヘキシルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジシクロヘキシルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ
シクロヘキシルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジシク
ロヘキシルジフェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメトキシシラン、ジノルボルニルジエトキシシラン、
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジノ
ルボルニルジイソプロポキシシラン、ジノルボルニルジ
−ｎ−ブトキシシラン、ジノルボルニルジ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、ジノルボルニルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジノルボルニルジフェノキシシラン、ジフェニ
ルジメトキシシラン、ジフェニルジ−エトキシシラン、
ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジイ
ソプロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニ
ルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノ
キシシラン、ジビニルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン等
を挙げることができる。また、これらの水素原子の一部
または全部がフッ素原子に置換された化合物が挙げられ
る。これらのアルキルアルコキシシランは１種または２
種以上で用いられる。Specific examples of the alkylalkoxysilane represented by the above formula (18) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltri-n-butoxysilane , Methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-
Propoxysilane, ethyltriisopropoxysilane,
Ethyl tri-n-butoxysilane, ethyl tri-sec
-Butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane, ethyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n
-Propyltri-n-propoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec-butoxysilane, n-propyltri-tert-butoxysilane,
n-propyltriphenoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, isopropyltriethoxysilane, isopropyltri-n-propoxysilane, isopropyltriisopropoxysilane, isopropyltri-n-butoxysilane, isopropyltri-sec-butoxysilane, isopropyltri- tert-butoxysilane,
Isopropyl triphenoxy silane, n-butyl trimethoxy silane, n-butyl triethoxy silane, n-butyl tri-n-propoxy silane, n-butyl triisopropoxy silane, n-butyl tri-n-butoxy silane, n-butyl tri-sec -Butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, sec-butyltrimethoxysilane, sec-butylisotriethoxysilane, sec-
Butyltri-n-propoxysilane, sec-butyltriisopropoxysilane, sec-butyltri-n-butoxysilane, sec-butyltri-sec-butoxysilane, sec-butyltri-tert-butoxysilane, sec-butyltriphenoxysilane, tert −
Butyltrimethoxysilane, tert-butyltriethoxysilane, tert-butylto-n-propoxysilane, tert-butyltriisopropoxysilane, te
rt-butyltri-n-butoxysilane, tert-butyltri-sec-butoxysilane, tert-butyltri-tert-butoxysilane, tert-butyltriphenoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, cyclohexyltri-n-propoxy Silane, cyclohexyltriisopropoxysilane, cyclohexyltri-n-butoxysilane, cyclohexyltri-sec-butoxysilane, cyclohexyltri-tert-butoxysilane,
Cyclohexyltriphenoxysilane, norbornyltrimethoxysilane, norbornyltriethoxysilane,
Norbornyltri-n-propoxysilane, norbornyltriisopropoxysilane, norbornyltri-n-
Butoxysilane, norbornyltri-sec-butoxysilane, norbornyltri-tert-butoxysilane, norbornyltriphenoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltriisopropoxysilane, phenyltri -N-butoxysilane, phenyltri-sec-butoxysilane, phenyltri-
tert-butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldi-n-propoxysilane, dimethyldiisopropoxysilane, dimethyldi-n-butoxysilane, dimethyldi-sec-butoxysilane, dimethyldi-tert- Butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldi-n-propoxysilane, diethyldiisopropoxysilane, diethyldi-n-butoxysilane, diethyldi-sec-butoxysilane, diethyldi-tert-butoxysilane , Diethyldiphenoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n
-Propyldiethoxysilane, di-n-propyldi-n
-Propoxysilane, di-n-propyldiisopropoxysilane, di-n-propyldi-n-butoxysilane,
Di-n-propyldi-sec-butoxysilane, di-n
-Propyldi-tert-butoxysilane, di-n-propyldiphenoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, diisopropyldiethoxysilane, diisopropyldi-n-propoxysilane, diisopropyldiisopropoxysilane, diisopropyldi-n-butoxysilane, diisopropyldi -Sec-butoxysilane, diisopropyldi-tert-butoxysilane, diisopropyldiphenoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n-butyldi-n-propoxysilane, di-n -Butyldiisopropoxysilane, di-n-butyldi-n-butoxysilane, di-n-butyldi-sec-butoxysilane, di-n-butyldi-tert-butoxysilane, di-n-
Butyldiphenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyldi-n-propoxysilane, di-se
c-butyldiisopropoxysilane, di-sec-butyldi-n-butoxysilane, di-sec-butyldi-s
ec-butoxysilane, di-sec-butyldi-ter
t-butoxysilane, di-sec-butyldiphenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-
tert-butyldiethoxysilane, di-tert-butyldi-n-propoxysilane, di-tert-butyldiisopropoxysilane, di-tert-butyldi-n
-Butoxysilane, di-tert-butyldi-sec-
Butoxysilane, di-tert-butyldi-tert-
Butoxysilane, di-tert-butyldiphenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, dicyclohexyldiethoxysilane, di-tert-butyldi-n-propoxysilane, dicyclohexyldiisopropoxysilane, dicyclohexyldi-n-butoxysilane, Dicyclohexyldi-sec-butoxysilane, dicyclohexyldi-tert-butoxysilane, dicyclohexyldiphenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, dinorbornyldiethoxysilane,
Di-tert-butyldi-n-propoxysilane, dinorbornyldiisopropoxysilane, dinorbornyldi-n-butoxysilane, dinorbornyldi-sec-butoxysilane, dinorbornyldi-tert-butoxysilane, dinorbornyldiphenoxysilane, diphenyl Dimethoxysilane, diphenyldi-ethoxysilane,
Diphenyldi-n-propoxysilane, diphenyldiisopropoxysilane, diphenyldi-n-butoxysilane, diphenyldi-sec-butoxysilane, diphenyldi-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane, γ- Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidyloxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltriethoxysilane, etc. Can be mentioned. In addition, compounds in which part or all of these hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms can be given. These alkylalkoxysilanes are used alone or in combination.
Used in more than species.

【０１２３】上記式（１８）で表される化合物のうち、
ｎ＝１のアルキルトリアルコキシシランを使用すること
が特に好ましい。このうち、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシランを使用することが好まし
く、さらに、メチルトリメトキシシランおよび／または
メチルトリエトキシシランを全アルキルアルコキシシラ
ンの７０ｍｏｌ％以上の割合で使用することは、より耐
熱性と屈折率のバランスがとれた硬化物が得られるので
好ましい。上記式（１８）で表される化合物よりも、そ
の加水分解物および縮合物が好ましい。また、（Ｂ）成
分が上記式（１８）で表される化合物の縮合物である場
合には、ポリスチレン換算重量平均分子量が５００〜１
００，０００であるものが好ましい。Of the compounds represented by the above formula (18),
It is particularly preferred to use n = 1 alkyltrialkoxysilanes. Of these, it is preferable to use methyltrimethoxysilane and methyltriethoxysilane. Further, it is more preferable to use methyltrimethoxysilane and / or methyltriethoxysilane in a proportion of 70 mol% or more of the total alkylalkoxysilane. It is preferable because a cured product having a good balance between heat resistance and refractive index can be obtained. Hydrolysates and condensates thereof are preferable to the compounds represented by the above formula (18). When the component (B) is a condensate of the compound represented by the formula (18), the weight average molecular weight in terms of polystyrene is 500 to 1
A value of 00,000 is preferred.

【０１２４】（Ｂ）成分として、上記式（１８）で示さ
れる化合物の加水分解物および／または縮合物を用いる
場合の加水分解反応、縮合反応は、下記の如く、水およ
び適宜の触媒の存在下で行われる。When the hydrolyzate and / or condensate of the compound represented by the above formula (18) is used as the component (B), the hydrolysis reaction and the condensation reaction are carried out in the presence of water and an appropriate catalyst as described below. Done below.

【０１２５】具体的には、上記式（１８）で表される化
合物を適当な有機溶媒中に溶解し、この溶液中に水を断
続的にあるいは連続的に添加する。このとき、触媒は、
予め有機溶媒中に溶解または分散しておいてもよく、添
加される水中に溶解または分散しておいてもよい。ま
た、加水分解反応および／または縮合反応を行うための
温度は、通常０〜１００℃、好ましくは１５〜８０℃で
ある。More specifically, the compound represented by the above formula (18) is dissolved in a suitable organic solvent, and water is added intermittently or continuously to this solution. At this time, the catalyst is
It may be dissolved or dispersed in an organic solvent in advance, or may be dissolved or dispersed in water to be added. Further, the temperature for performing the hydrolysis reaction and / or the condensation reaction is usually 0 to 100 ° C, preferably 15 to 80 ° C.

【０１２６】上記式（１８）で表される化合物につい
て、加水分解および／または縮合を行うための水として
は、特に限定されないが、イオン交換水を用いることが
好ましい。また、水の使用量は、上記式（１８）で表さ
れる化合物が有するＲ²¹⁴Ｏ−で表される基の合計１モ
ル当たり、０．２５〜３モルとなる量、特に０．３〜
２．５モルとなる量であることが好ましい。上記式（１
８）で表される化合物の加水分解および／または縮合を
行うための触媒としては、金属キレート化合物、有機
酸、無機酸、有機塩基、無機塩基などを用いることがで
きる。Water for hydrolyzing and / or condensing the compound represented by the above formula (18) is not particularly limited, but it is preferable to use ion-exchanged water. The amount of water used is 0.25 to 3 mol, preferably 0.3 to 3 mol, per 1 mol of the total of the group represented by R ²¹⁴ O— in the compound represented by the above formula (18).
The amount is preferably 2.5 mol. The above equation (1
As a catalyst for hydrolyzing and / or condensing the compound represented by 8), a metal chelate compound, an organic acid, an inorganic acid, an organic base, an inorganic base, or the like can be used.

【０１２７】触媒として用いられる金属キレート化合物
の具体例としては、トリエトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モ
ノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、
トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チ
タン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタ
ン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセ
トナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス
（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・
トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プ
ロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モ
ノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）
チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（ア
セチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・ト
リス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（ア
セチルアセトナート）チタン、Specific examples of the metal chelate compound used as a catalyst include triethoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonate) titanium, and tri-i-propoxy mono (acetylacetonate). Nate) titanium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-se
c-butoxy mono (acetylacetonate) titanium,
Tri-t-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, diethoxybis (acetylacetonato) titanium, di-n-propoxybis (acetylacetonato) titanium, di-i-propoxybis (acetylacetonate) Titanium, di-n-butoxybis (acetylacetonato) titanium, di-sec-butoxybis (acetylacetonato) titanium, di-t-butoxy.
Bis (acetylacetonate) titanium, monoethoxy
Tris (acetylacetonate) titanium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-i-propoxy tris (acetylacetonate)
Titanium, mono-n-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-sec-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-t-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, tetrakis (acetylacetonate) Titanium,

【０１２８】トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテ
ート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルア
セトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキ
シ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタ
ン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセト
アセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブト
キシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、
モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ
−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテ
ート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）
チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチル
アセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナー
ト）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタン等のチタンキレート化合物；Triethoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-i-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl) Acetoacetate) titanium, tri-s
ec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, Di-i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-t
-Butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium,
Monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) ) Titanium, mono-sec
-Butoxy-tris (ethylacetoacetate) titanium, mono-t-butoxy-tris (ethylacetoacetate) titanium, tetrakis (ethylacetoacetate)
Titanium chelate compounds such as titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) titanium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) titanium;

【０１２９】トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセ
チルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキ
シ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ
−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセ
トナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−
ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・
トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−
ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルア
セトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリ
ス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、Triethoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-i-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-butoxy mono (acetyl) (Acetonato) zirconium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-t-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, diethoxy.
Bis (acetylacetonate) zirconium, di-n-
Propoxy bis (acetylacetonate) zirconium, di-i-propoxy bis (acetylacetonate) zirconium, di-n-butoxybis (acetylacetonate) zirconium, di-sec-butoxy.
Bis (acetylacetonate) zirconium, di-t-
Butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, monoethoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-i-propoxy.
Tris (acetylacetonate) zirconium, mono-
n-butoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-sec-butoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-t-butoxy tris (acetylacetonato) zirconium, tetrakis (acetylacetonato) zirconium,

【０１３０】トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロ
ポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エ
チルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブト
キシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニ
ウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ
・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−
ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジ
ルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチ
ルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポ
キシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅ
ｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナー
ト）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、
ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセ
テート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナー
ト）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム等の
ジルコニウムキレート化合物；Triethoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-i-propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n-butoxy mono (ethyl) Acetoacetate) zirconium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium,
Diethoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) Zirconium, di-
sec-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-t-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, monoethoxytris (ethylacetoacetate) zirconium, mono-n-propoxytris (ethylacetoacetate) zirconium Mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-se
c-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-t-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, tetrakis (ethyl acetoacetate) zirconium, mono (acetyl acetonate) tris (ethyl acetoacetate) zirconium,
Zirconium chelate compounds such as bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) zirconium and tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) zirconium;

【０１３１】トリス（アセチルアセトナート）アルミニ
ウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム
等のアルミニウムキレート化合物などを挙げることがで
きる。Aluminum chelate compounds such as aluminum tris (acetylacetonate) and aluminum tris (ethylacetoacetate).

【０１３２】触媒として用いられる有機酸の具体例とし
ては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン
酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、
デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、ア
ジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、
アラキドン酸、ミキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレ
イン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サ
リチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、
ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ
酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエ
ン酸、酒石酸等を挙げることができる。触媒として用い
られる無機酸の具体例としては、例えば塩酸、硝酸、硫
酸、フッ酸、リン酸等を挙げることができる。Specific examples of the organic acid used as a catalyst include, for example, acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, and the like.
Decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid, gallic acid, butyric acid, melitic acid,
Arachidonic acid, mykimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linoleic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid,
Examples thereof include dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid, malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, and tartaric acid. Specific examples of the inorganic acid used as the catalyst include, for example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid and the like.

【０１３３】触媒として用いられる有機塩基の具体例と
しては、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロ
リジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジ
エタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシ
クロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロ
ウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド等を挙げることができる。触媒として用いられる無
機塩基としては、例えばアンモニア、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウ
ム等を挙げることができる。Specific examples of the organic base used as a catalyst include, for example, pyridine, pyrrole, piperazine, pyrrolidine, piperidine, picoline, trimethylamine, triethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, triethanolamine, Examples thereof include diazabicyclooctane, diazabicyclononane, diazabicycloundecene, and tetramethylammonium hydroxide. Examples of the inorganic base used as the catalyst include ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, barium hydroxide, calcium hydroxide and the like.

【０１３４】これらの中では、金属キレート化合物、有
機酸または無機酸を触媒として用いることが好ましく、
より好ましくはチタンキレート化合物または有機酸であ
る。これらの化合物は１種単独であるいは２種以上組み
合わせて触媒として用いることができる。また、触媒の
使用量は、ＳｉＯ₂に換算した上記式（１８）で表され
る化合物１００重量部に対して、通常、０．００１〜１
０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部の範囲であ
る。Among them, it is preferable to use a metal chelate compound, an organic acid or an inorganic acid as a catalyst.
More preferred are titanium chelate compounds and organic acids. These compounds can be used alone or in combination of two or more as a catalyst. The amount of the catalyst is usually 0.001 to 1 with respect to 100 parts by weight of the compound represented by the above formula (18) in terms of SiO _2.
0 parts by weight, preferably in the range of 0.01 to 10 parts by weight.

【０１３５】さらに、上記式（１８）で表される化合物
の加水分解および／または縮合を行った後、残存する水
分、および、反応副生成物として生ずるアルコール類の
除去処理を行うことが好ましい。Further, after the compound represented by the above formula (18) is hydrolyzed and / or condensed, it is preferable to remove remaining water and alcohols generated as a reaction by-product.

【０１３６】（Ｂ）成分は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の
合計１００重量部に対して、１０重量部から９５重量部
であることが好ましく、１０重量部から９０重量部であ
ることがより好ましく、２０重量部から９０重量部であ
ることがさらに好ましく、２０重量部から７０重量部で
あるのが特に好ましい。（Ｂ）成分が１０重量部以下の
場合、屈折率変化材料が脆くなりやすく、９０重量部以
上の場合では得られる屈折率差が小さくなりやすい。The component (B) is preferably from 10 to 95 parts by weight, and more preferably from 10 to 90 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). Is more preferably 20 to 90 parts by weight, particularly preferably 20 to 70 parts by weight. When the component (B) is 10 parts by weight or less, the refractive index changing material tends to be brittle, and when it is 90 parts by weight or more, the obtained refractive index difference tends to be small.

【０１３７】（Ｃ）感放射線性分解剤 本発明に用いられる（Ｃ）感放射線性分解剤は、感放射
線性酸発生剤または感放射線性塩基発生剤であることが
できる。この場合、（Ａ）分解性重合体として酸分解性
重合体を使用するときには（Ｃ）感放射線性分解剤とし
ては感放射線性酸発生剤を使用し、（Ａ）分解性重合体
として塩基分解性重合体を使用するときには（Ｃ）感放
射線性分解剤としては感放射線性塩基発生剤を使用する
ことが好ましい。上記感放射線性酸発生剤としては、例
えばトリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアリール
ヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、第
四アンモニウム塩類、スルホン酸エステル類等を用いる
ことができる。 (C) Radiation-Sensitive Decomposer The (C) radiation-sensitive decomposer used in the present invention can be a radiation-sensitive acid generator or a radiation-sensitive base generator. In this case, when (A) an acid-decomposable polymer is used as the decomposable polymer, (C) a radiation-sensitive acid generator is used as the radiation-sensitive decomposer, and (A) base decomposition is used as the decomposable polymer. When a hydrophilic polymer is used, it is preferable to use a radiation-sensitive base generator as the radiation-sensitive decomposer (C). As the radiation-sensitive acid generator, for example, trichloromethyl-s-triazines, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts, sulfonic acid esters and the like can be used.

【０１３８】上記トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類
としては、例えば２，４，６−トリス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ク
ロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、２−（３−クロロフェニル）−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（２−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニ
ル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（３−メトキシフェニル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メ
トキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、
２−（３−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メチルチ
オフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ
−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−
（３−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシナフチ
ル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３
−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシ−β
−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ
−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシ−β−
スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン、２−（４−メチルチオ−β−スチリル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、
２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メ
チルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２
−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−
メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニ
ル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン等が挙げられる。Examples of the above trichloromethyl-s-triazines include 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, -(4-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl)-
s-triazine, 2- (3-chlorophenyl) -4,6
-Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(2-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methoxyphenyl) ) -4,6-Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl)
-S-triazine, 2- (4-methylthiophenyl)-
4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,
2- (3-methylthiophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methylthiophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s
-Triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6
-Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(3-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy -Β-styryl) -4,6-
Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3
-Methoxy-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxy-β
-Styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s
-Triazine, 2- (3,4,5-trimethoxy-β-
Styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-
Triazine, 2- (4-methylthio-β-styryl)-
4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,
2- (3-methylthio-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methylthio-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s- Triazine, 2-piperonyl-4,6-
Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2
-(Furan-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-
Methylfuran-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2-
(4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine and the like.

【０１３９】上記ジアリールヨードニウム塩類として
は、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレ
ート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネ
ート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテ
ート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナ
ート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−
ジフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウ
ムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ジ
フェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオ
ロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフ
ェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メト
キシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホス
ホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルフ
ェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオ
ロアセテート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニ
ウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニ
ルフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフル
オロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニ
ルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）
ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム
ヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボ
レート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセ
テート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムブチルトリス（２，
６−ジフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（ｐ
−クロロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（３−トリ
フルオロメチルフェニル）ボレート等が挙げられる。Examples of the diaryliodonium salts include, for example, diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate. Nath, diphenyliodonium butyl tris (2,6-
Difluorophenyl) borate, diphenyliodonium hexyl tris (p-chlorophenyl) borate, diphenyliodonium hexyl tris (3-trifluoromethylphenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate,
4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenylphenyliodonium-p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexyl tris ( p-chlorophenyl)
Borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexyl tris (3-trifluoromethylphenyl) borate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-tert-
Butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-te
rt-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-ter
t-butylphenyl) iodoniumbutyltris (2,
6-difluorophenyl) borate, bis (4-ter
t-butylphenyl) iodonium hexitolis (p
-Chlorophenyl) borate, bis (4-tert-butylphenyl) iodoniumhexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate and the like.

【０１４０】上記トリアリールスルホニウム塩類として
は、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボ
レート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホス
ホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフル
オロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トル
エンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルト
リス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、トリフ
ェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニ
ル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリ
ス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−
メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオ
ロボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニ
ルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジ
フェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メ
トキシフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエン
スルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホ
ニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボ
レート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム
ヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−
メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリ
ス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−
フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフ
ルオロボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニル
スルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−フェニ
ルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−フェ
ニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロ
アセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスル
ホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−フェニルチ
オフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，
６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−フェニルチオ
フェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−
クロロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニル
ジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフル
オロメチルフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−
ナフタレニル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボ
レート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチル
スルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−ヒドロ
キシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレ
ニル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチル
スルホニウムトリフルオロアセテート、４−ヒドロキシ
−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トル
エンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニ
ル）ジメチルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフ
ルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフ
タレニル）ジメチルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−
クロロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフ
タレニル）ジメチルスルホニウムヘキシルトリス（３−
トリフルオロメチルフェニル）ボレート等が挙げられ
る。The above triarylsulfonium salts include, for example, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluorophosphonate, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, Phenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenylsulfoniumbutyltris (2,6-difluorophenyl) borate, triphenylsulfoniumhexyltris (p-chlorophenyl) borate, triphenylsulfoniumhexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate , 4-
Methoxyphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfoniumbutyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfoniumhexyltris (p-chlorophenyl) borate,
Methoxyphenyldiphenylsulfoniumhexyl tris (3-trifluoromethylphenyl) borate, 4-
Phenylthiophenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium butyl tris (2,
6-difluorophenyl) borate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfoniumhexyl tris (p-
Chlorophenyl) borate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfoniumhexyl tris (3-trifluoromethylphenyl) borate, 4-hydroxy-1-
Naphthalenyl) dimethylsulfonium tetrafluoroborate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate Nato, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfonium trifluoroacetate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfoniumbutyltris (2,6- Difluorophenyl) borate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfoniumhexyltris (p-
Chlorophenyl) borate, 4-hydroxy-1-naphthalenyl) dimethylsulfoniumhexyltris (3-
Trifluoromethylphenyl) borate and the like.

【０１４１】上記第四アンモニウム塩類としては、例え
ばテトラメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、
テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネー
ト、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロメタンス
ルホナート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロア
セテート、テトラメチルアンモニウム−ｐ−トルエンス
ルホナート、テトラメチルアンモニウムブチルトリス
（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチ
ルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）
ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス
（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラ
ブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブ
チルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラ
ブチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テト
ラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナー
ト、テトラブチルアンモニウムトリフルオロアセテー
ト、テトラブチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナ
ート、テトラブチルアンモニウムブチルトリス（２，６
−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモ
ニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレー
ト、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（３−ト
リフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルトリメ
チルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルト
リメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベ
ンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロメ
タンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムト
リフルオロアセテート、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルトリメチルア
ンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニ
ル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシ
ルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルト
リメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオ
ロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニ
ルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルジメ
チルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネー
ト、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフル
オロアルセネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニ
ウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルジメチ
ルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベン
ジルジメチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスル
ホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチ
ルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベ
ンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス
（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフ
ェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロ
メチルフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチル
フェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−シ
ンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオ
ロホスホネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルア
ンモニウムヘキサフルオロアルセネート、Ｎ−シンナミ
リデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタン
スルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアン
モニウムトリフルオロアセテート、Ｎ−シンナミリデン
エチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナー
ト、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムブ
チルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシ
ルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、Ｎーシンナ
ミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス
（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート等が挙げ
られる。Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium tetrafluoroborate,
Tetramethylammonium hexafluorophosphonate, tetramethylammonium hexafluoroarsenate, tetramethylammonium trifluoromethanesulfonate, tetramethylammonium trifluoroacetate, tetramethylammonium-p-toluenesulfonate, tetramethylammonium butyl tris (2,6- Difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexitolis (p-chlorophenyl)
Borate, tetramethylammonium hexyl tris (3-trifluoromethylphenyl) borate, tetrabutylammonium tetrafluoroborate, tetrabutylammonium hexafluorophosphonate, tetrabutylammonium hexafluoroarsenate, tetrabutylammonium trifluoromethanesulfonate, tetrabutylammonium Trifluoroacetate, tetrabutylammonium-p-toluenesulfonate, tetrabutylammoniumbutyltris (2,6
-Difluorophenyl) borate, tetrabutylammonium hexitolis (p-chlorophenyl) borate, tetrabutylammonium hexitolis (3-trifluoromethylphenyl) borate, benzyltrimethylammonium tetrafluoroborate, benzyltrimethylammonium hexafluorophosphonate, benzyltrimethylammonium Hexafluoroarsenate, benzyltrimethylammonium trifluoromethanesulfonate, benzyltrimethylammonium trifluoroacetate, benzyltrimethylammonium-p-toluenesulfonate, benzyltrimethylammonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyltrimethylammonium hexyltris (P-chloro Benzyl) borate, benzyltrimethylammonium hexitolis (3-trifluoromethylphenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium tetrafluoroborate, benzyldimethylphenylammonium hexafluorophosphonate, benzyldimethylphenylammonium hexafluoroarsenate, benzyldimethylphenylammonium trifluoromethane Sulfonate, benzyldimethylphenylammonium trifluoroacetate, benzyldimethylphenylammonium-p-toluenesulfonate, benzyldimethylphenylammonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexitolris (p-chlorophenyl) borate , Benzyl Methylphenylammonium hexyl tris (3-trifluoromethylphenyl) borate, N-cinnamylideneethylphenylammonium tetrafluoroborate, N-cinnamylideneethylphenylammonium hexafluorophosphonate, N-cinnamylideneethylphenylammonium hexafluoroarcete N-cinnamylideneethylphenylammonium trifluoromethanesulfonate, N-cinnamylideneethylphenylammonium trifluoroacetate, N-cinnamylideneethylphenylammonium-p-toluenesulfonate, N-cinnamylideneethylphenylphenylammonium Butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate,
N-cinnamylideneethylphenylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, N-cinnamylideneethylphenylammoniumhexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate and the like can be mentioned.

【０１４２】上記スルホン酸エステル類としては、例え
ばα−ヒドロキシメチルベンゾイン−ｐ−トルエンスル
ホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−ト
リフルオロメタンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシ
メチルベンゾイン−メタンスルホン酸エステル、ピロガ
ロール−トリ（ｐ−トルエンスルホン酸）エステル、ピ
ロガロール−トリ（トリフルオロメタンスルホン酸）エ
ステル、ピロガロール−トリメタンスルホン酸エステ
ル、２，４−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン
酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−トリフルオロ
メタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル
−メタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジ
ル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスル
ホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフル
オロメタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベン
ジル−メタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベ
ンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホ
ン酸エステル、２−ニトロベンジル−トリフルオロメタ
ンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−メタンス
ルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、４−ニト
ロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、４−ニ
トロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、４−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、
４−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミ
ド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ
ナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−メタンスルホン酸
エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３
−ジカルボキシイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボキシイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボキシイミド−メタンスルホン酸エステル、２，４，
６，３’，４’，５’，−ヘキサヒドロキシベンゾフェ
ノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル等が挙げられる。Examples of the sulfonic acid esters include α-hydroxymethylbenzoin-p-toluenesulfonic acid ester, α-hydroxymethylbenzoin-trifluoromethanesulfonic acid ester, α-hydroxymethylbenzoin-methanesulfonic acid ester, and pyrogallol- Tri (p-toluenesulfonic acid) ester, pyrogallol-tri (trifluoromethanesulfonic acid) ester, pyrogallol-trimethanesulfonic acid ester, 2,4-dinitrobenzyl-p-toluenesulfonic acid ester, 2,4-dinitrobenzyl- Trifluoromethanesulfonic acid ester, 2,4-dinitrobenzyl-methanesulfonic acid ester, 2,4-dinitrobenzyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,6-dini Robenzyl-p-toluenesulfonic acid ester, 2,6-dinitrobenzyl-trifluoromethanesulfonic acid ester, 2,6-dinitrobenzyl-methanesulfonic acid ester, 2,6-dinitrobenzyl-1,2-naphthoquinonediazide-5 Sulfonic acid ester, 2-nitrobenzyl-p-toluenesulfonic acid ester, 2-nitrobenzyl-trifluoromethanesulfonic acid ester, 2-nitrobenzyl-methanesulfonic acid ester, 2-nitrobenzyl-1,2-naphthoquinonediazide-5 -Sulfonic acid ester, 4-nitrobenzyl-p-toluenesulfonic acid ester, 4-nitrobenzyl-trifluoromethanesulfonic acid ester, 4-nitrobenzyl-methanesulfonic acid ester,
4-nitrobenzyl-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide-p-toluenesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide-methanesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene- Two, three
-Dicarboxyimide-p-toluenesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide-trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide- Methanesulfonic acid ester, 2,4
6,3 ′, 4 ′, 5 ′,-Hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide -4-sulfonic acid ester and the like.

【０１４３】これらの化合物のうち、トリクロロメチル
−ｓ−トリアジン類としては、２−（３−クロロフェニ
ル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（４−メトキシフェニル）−ビス（４，６−
トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチ
ルチオフェニル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリ
ル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−ピペロニル−ビス（４，６−トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イ
ル）エテニル］−ビス（４，６−トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−
イル）エテニル］−ビス（４，６−トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−
２−メチルフェニル）エテニル］−ビス（４，６−トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジンまたは２−（４−メト
キシナフチル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン；ジアリールヨードニウム塩類として
は、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナー
ト、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホナートまたは４−メトキシフェニル
フェニルヨードニウムトリフルオロアセテート；トリア
リールスルホニウム塩類としては、トリフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニル
スルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフ
ェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウ
ムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニル
ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナー
トまたは４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニ
ウムトリフルオロアセテート；Among these compounds, trichloromethyl-s-triazines include 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and 2- (4-methoxyphenyl)- Screw (4,6-
Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl)
-S-triazine, 2- (4-methoxy-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, -[2- (furan-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl)-
s-Triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-
Yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl)
-S-triazine, 2- [2- (4-diethylamino-
2-methylphenyl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine or 2- (4-methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl)-
s-triazine; diaryliodonium salts such as diphenyliodonium trifluoroacetate;
Diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate; as triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate;

【０１４４】第四アンモニウム塩類としては、テトラメ
チルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフ
ェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシル
トリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチル
アンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチル
フェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモ
ニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボ
レート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシ
ルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジ
メチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリ
フルオロメチルフェニル）ボレート；Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexitris (p-chlorophenyl) borate, and tetramethylammonium hexitris (3-trifluoromethylphenyl) Borate, benzyl dimethyl phenyl ammonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyl dimethyl phenyl ammonium hexyl tris (p-chlorophenyl) borate, benzyl dimethyl phenyl ammonium hexyl tris (3-trifluoromethyl phenyl) borate;

【０１４５】スルホン酸エステル類としては、２，６−
ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、
２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホ
ン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−ト
ルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイ
ミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルをそれぞ
れ好ましいものとして挙げることができる。As the sulfonic acid esters, 2,6-
Dinitrobenzyl-p-toluenesulfonic acid ester,
2,6-dinitrobenzyl-trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxynaphthalimide-p-toluenesulfonic acid ester, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester can each be mentioned as preferable ones.

【０１４６】上記感放射線性塩基発生剤としては、特開
平４−３３０４４４号公報、「高分子」ｐ２４２−２４
８、４６巻６号（１９９７年）、米国特許第５，６２
７，０１０号公報等に記載されているものが好適に用い
られる。しかしながら、機能として放射線の照射により
塩基が発生すればこれらに限定されない。As the above-mentioned radiation-sensitive base generator, JP-A-4-330444, "Polymer" p242-24
8, 46, 6 (1997); U.S. Pat.
What is described in 7,010 gazette etc. is used suitably. However, the function is not limited thereto as long as the base is generated by irradiation with radiation.

【０１４７】本発明における好ましい感放射線性塩基発
生剤としては、例えばトリフェニルメタノール、ベンジ
ルカルバメートおよびベンゾインカルバメート等の光活
性なカルバメート；Ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミ
ド、Ｏ−カルバモイルオキシム、アロマティックスルホ
ンアミド、アルファーラクタムおよびＮ−（２−アリル
エチニル）アミド等のアミドならびにその他のアミド；
オキシムエステル、α−アミノアセトフェノン、コバル
ト錯体等を挙げることができる。Preferred examples of the radiation-sensitive base generator in the present invention include photoactive carbamates such as triphenylmethanol, benzyl carbamate and benzoin carbamate; O-carbamoylhydroxylamide, O-carbamoyloxime, aromatic sulfonamide, alpha- Amides such as lactams and N- (2-allylethynyl) amide and other amides;
Oxime esters, α-aminoacetophenone, cobalt complexes and the like can be mentioned.

【０１４８】感放射線性塩基発生剤の例としては、例え
ば下記式（１９）〜（２９）で表される化合物が挙げら
れる。Examples of the radiation-sensitive base generator include compounds represented by the following formulas (19) to (29).

【０１４９】[0149]

【化３９】 Embedded image

【０１５０】（ここでＲ⁷⁶は、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオ
アルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペ
リジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ア
リール基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子であ
り、ｋは０〜３の整数であり、Ｒ⁷⁷は水素原子、炭素数
１〜６のアルキル基またはアリール基でありそしてＲ⁷⁸
およびＲ⁷⁹はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、アリール基もしくはベンジル基であるかあ
るいはＲ⁷⁸とＲ⁷⁹は互いに結合してそれらが結合してい
る窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形
成してもよい。）(Where R ⁷⁶ is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a thioalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, a piperidyl group, A nitro group, a hydroxy group, a mercapto group, an aryl group, a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, k is an integer of 0 to 3, R ⁷⁷ is a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group having 1 to 6 carbon atoms And R ⁷⁸
And R ⁷⁹ are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group or a benzyl group, or R ⁷⁸ and R ⁷⁹ are bonded to each other to form a nitrogen atom to which they are bonded. To form a cyclic structure having 5 to 6 carbon atoms. )

【０１５１】[0151]

【化４０】 Embedded image

【０１５２】（ここでＲ⁸⁰は、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオ
アルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペ
リジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基また
はアリール基であり、Ｒ⁸¹は水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基またはアリール基でありそしてＲ⁸²およびＲ
⁸³はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、アリール基もしくはベンジル基であるかあるいはＲ
⁸²とＲ⁸³は互いに結合してそれらが結合している窒素原
子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成しても
よい。）(Where R⁸⁰Is an alkyl having 1 to 6 carbons
Group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a thio group having 1 to 6 carbon atoms
Alkyl group, dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, pipet
Lysyl group, nitro group, hydroxy group, mercapto group or
Is an aryl group;⁸¹Is a hydrogen atom, having 1 to 6 carbon atoms
An alkyl or aryl group and R⁸²And R
⁸³Are each independently a hydrogen atom, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms
Group, an aryl group or a benzyl group, or R
⁸²And R⁸³Are nitrogen sources that are linked to each other
Even if it forms a cyclic structure having 5 to 6 carbon atoms
Good. )

【０１５３】[0153]

【化４１】 Embedded image

【０１５４】（ここでＲ⁸⁴は炭素数１〜６のアルキル基
またはアリール基でありそしてＲ⁸⁵およびＲ⁸⁶はそれぞ
れ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、アリー
ル基もしくはベンジル基であるかあるいはＲ⁸⁵とＲ⁸⁶は
互いに結合してそれらが結合している窒素原子と一緒に
なって炭素数５〜６の環状構造を形成していてもよ
い。）(Wherein R ⁸⁴ is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group, and R ⁸⁵ and R ⁸⁶ are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group or a benzyl group. Or R ⁸⁵ and R ⁸⁶ may be linked together to form a cyclic structure having 5 to 6 carbon atoms together with the nitrogen atom to which they are attached.)

【０１５５】[0155]

【化４２】 Embedded image

【０１５６】（ここでＲ⁸⁷およびＲ⁸⁸はそれぞれ独立に
炭素数１〜６のアルキル基またはアリール基である。）(Here, R ⁸⁷ and R ⁸⁸ are each independently an alkyl or aryl group having 1 to 6 carbon atoms.)

【０１５７】[0157]

【化４３】 Embedded image

【０１５８】（ここでＲ⁸⁹、Ｒ⁹⁰およびＲ⁹¹は、それぞ
れ独立に炭素数１〜６のアルキル基またはアリール基で
ある。）(Here, R ⁸⁹ , R ⁹⁰ and R ⁹¹ are each independently an alkyl group or aryl group having 1 to 6 carbon atoms.)

【０１５９】[0159]

【化４４】 Embedded image

【０１６０】（ここでＲ⁹²は、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオ
アルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペ
リジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基また
はアリール基であり、Ｒ⁹³は水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基またはアリール基でありそしてＲ⁹⁴、Ｒ⁹⁵お
よびＲ⁹⁶はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のア
ルキル基、アリール基またはベンジル基である。）(Where R ⁹² is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a thioalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, a piperidyl group, A nitro group, a hydroxy group, a mercapto group or an aryl group, R ⁹³ is a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ⁹⁴ , R ⁹⁵ and R ⁹⁶ are each independently a hydrogen atom, It is an alkyl group, an aryl group or a benzyl group of the formulas 1 to 6.)

【０１６１】[0161]

【化４５】 Embedded image

【０１６２】（ここでＲ⁹⁷は、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のチオ
アルキル基、炭素数１〜６のジアルキルアミノ基、ピペ
リジル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基また
はアリール基であり、Ｒ⁹⁸およびＲ⁹⁹はそれぞれ独立に
水素原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、フェノキ
シ基、炭素数１〜６のアルキル基、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子またはアリール基でありそしてＲ¹⁰⁰およ
びＲ¹⁰¹はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のア
ルキル基、アリール基もしくはベンジル基であるかある
いはＲ¹⁰⁰とＲ¹⁰¹は互いに結合してそれらが結合してい
る窒素原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形
成していてもよい。）(Where R ⁹⁷ is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a thioalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, a piperidyl group, R ⁹⁸ and R ⁹⁹ are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a cyano group, a phenoxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorine atom, a chlorine atom, R ¹⁰⁰ and R ¹⁰¹ are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group or a benzyl group, or R ¹⁰⁰ and R ¹⁰¹ are bonded to each other. They may form a cyclic structure having 5 to 6 carbon atoms together with the nitrogen atom to which they are bonded.)

【０１６３】[0163]

【化４６】 Embedded image

【０１６４】（ここでＲ¹⁰²およびＲ¹⁰³はそれぞれ独立
に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキ
シ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６の
ジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロ
キシ基、メルカプト基またはアリール基であり、Ｒ¹⁰⁴
〜Ｒ¹⁰⁷はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、メルカプ
ト基、シアノ基、フェノキシ基、炭素数１〜６のアルキ
ル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはアリール
基でありそしてＡ⁵はモノアルキルアミン、ピペラジ
ン、芳香族ジアミンまたは脂肪族ジアミンの１個または
２個の窒素原子に結合する２個の水素原子を除いて生ず
る二価の原子団である。）(Wherein R ¹⁰² and R ¹⁰³ are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a thioalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a dialkylamino having 1 to 6 carbon atoms. group, a piperidyl group, a nitro group, hydroxy group, mercapto group or aryl group, R ¹⁰⁴
To R ¹⁰⁷ are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a cyano group, a phenoxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an aryl group, and A ⁵ is a monoalkylamine , Piperazine, aromatic diamines or aliphatic diamines, except for two hydrogen atoms bonded to one or two nitrogen atoms. )

【０１６５】[0165]

【化４７】 Embedded image

【０１６６】（ここでＲ¹⁰⁸およびＲ¹⁰⁹はそれぞれ独立
に炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキ
シ基、炭素数１〜６のチオアルキル基、炭素数１〜６の
ジアルキルアミノ基、ピペリジル基、ニトロ基、ヒドロ
キシ基、メルカプト基またはアリール基であり、Ｒ¹¹⁰
およびＲ¹¹¹はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、メル
カプト基、シアノ基、フェノキシ基、炭素数１〜６のア
ルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはアリ
ール基であり、Ｒ¹¹²〜Ｒ¹¹⁵はそれぞれ独立に水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基もしくはベ
ンジル基であるかあるいはＲ¹¹²とＲ¹¹³およびＲ¹¹⁴と
Ｒ¹¹⁵とは、互いに結合してそれらが結合している窒素
原子と一緒になって炭素数５〜６の環状構造を形成して
いても良く、Ａ⁶は炭素数１〜６のアルキレン基、シク
ロヘキシレン基、フェニレン基または単結合である。）(Wherein R ¹⁰⁸ and R ¹⁰⁹ are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a thioalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a dialkylamino having 1 to 6 carbon atoms. R ¹¹⁰ , a piperidyl group, a nitro group, a hydroxy group, a mercapto group or an aryl group;
And R ¹¹¹ are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a cyano group, a phenoxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an aryl group, and R ^{112 to} R ¹¹⁵ are Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group or a benzyl group, or R ¹¹² and R ¹¹³ and R ¹¹⁴ and R ¹¹⁵ are bonded to each other to form a nitrogen atom to which they are bonded; May form a cyclic structure having 5 to ⁶ carbon atoms, and A ⁶ is an alkylene group having 1 to ⁶ carbon atoms, a cyclohexylene group, a phenylene group or a single bond. )

【０１６７】[0167]

【化４８】 Embedded image

【０１６８】（ここでＲ¹¹⁶〜Ｒ¹¹⁸はそれぞれ独立に水
素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜
６のアルキル基、炭素数１〜６のアルケニル基、炭素数
１〜６のアルキニル基、炭素数１〜６のアルコキシ基ま
たはアリール基である。）(Wherein R ^{116 to} R ¹¹⁸ each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom,
A C6 alkyl group, a C1-6 alkenyl group, a C1-6 alkynyl group, a C1-6 alkoxy group or an aryl group. )

【０１６９】[0169]

【化４９】 Embedded image

【０１７０】（ここでＬは、アンモニア、ピリジン、イ
ミダゾール、エチレンジアミン、トリメチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、プロピレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミンおよびジエチ
レントリアミンよりなる群から選ばれる少なくとも一種
の配位子であり、ｍは２〜６の整数であり、Ｒ¹¹⁹はア
リール基でありそしてＲ¹²⁰は炭素数１〜１８のアルキ
ル基である。）(Where L is a group consisting of ammonia, pyridine, imidazole, ethylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, propylenediamine, 1,2-cyclohexanediamine, N, N-diethylethylenediamine and diethylenetriamine. Wherein m is an integer of 2 to 6, R ¹¹⁹ is an aryl group, and R ¹²⁰ is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.

【０１７１】上記式（１９）〜（２９）の全てにおい
て、アルキル基とは直鎖状、分岐鎖状、環状であること
ができる。またアリール基とは、ビニル基、プロピレニ
ル基などのアルケニル基；アセチレニル基などのアルキ
ニル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基を
も包括しており、またこれらの水素原子がフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、
カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、
アジド基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基またはチ
オアルキル基に置換されたものも含むものとする。In all of the above formulas (19) to (29), the alkyl group may be linear, branched or cyclic. The aryl group also includes an alkenyl group such as a vinyl group and a propylenyl group; an alkynyl group such as an acetylenyl group; a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group.
Chlorine atom, bromine atom, halogenated alkyl group, hydroxyl group,
Carboxyl group, mercapto group, cyano group, nitro group,
It also includes those substituted with an azide group, dialkylamino group, alkoxy group or thioalkyl group.

【０１７２】これらの感放射線性塩基発生剤のうち、２
−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、トリフ
ェニルメタノール、ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミ
ド、ｏ−カルバモイルオキシム、［［（２，６−ジニト
ロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］ヘキサン１，６−ジアミン、４−（メチルチオベン
ゾイル）−１−メチル−１−モルホリノエタン、（４−
モルホリノベンゾイル）−１−ベンジル−１−ジメチル
アミノプロパン、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカル
ボニル）ピロリジン、ヘキサアンミンコバルト（ＩＩ
Ｉ）トリス（トリフェニルメチルボレート）、２−ベン
ジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェ
ニル）−ブタノン等が好ましいものとして挙げられる。Of these radiation-sensitive base generators, 2
-Nitrobenzylcyclohexylcarbamate, triphenylmethanol, o-carbamoylhydroxylamide, o-carbamoyloxime, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl Hexane 1,6-diamine, 4- (methylthiobenzoyl) -1-methyl-1-morpholinoethane,
Morpholinobenzoyl) -1-benzyl-1-dimethylaminopropane, N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidine, hexaamminecobalt (II
I) Tris (triphenylmethyl borate), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone and the like are preferred.

【０１７３】上記（Ｃ）感放射線性分解剤は、（Ａ）分
解性重合体と（Ｂ）非分解性化合物の合計１００重量部
に対して、０．０１重量部以上用いることが好ましく、
０．０５重量部以上用いることがさらに好ましい。
（Ｃ）成分が０．０１重量部以下の場合、照射光に対す
る感度が低下しやすくなる。上限値は好ましくは３０重
量部、より好ましくは２０重量部である。The radiation-sensitive decomposer (C) is preferably used in an amount of 0.01 part by weight or more based on 100 parts by weight of the total of (A) the decomposable polymer and (B) the non-decomposable compound.
It is more preferable to use 0.05 parts by weight or more.
When the amount of the component (C) is 0.01 parts by weight or less, the sensitivity to irradiation light tends to decrease. The upper limit is preferably 30 parts by weight, more preferably 20 parts by weight.

【０１７４】（Ｄ）安定化剤 本発明で使用される（Ｄ）安定化剤は、放射線照射後の
屈折率変化材料に残存する（Ａ）分解性重合体を安定化
し、酸または塩基に対する安定性を付与する機能を有す
る。この安定化処理により、本発明の方法により形成さ
れた屈折率パターンは、屈折率を変化させるために使用
した波長付近の光が通過する条件下で使用しても、屈折
率の変化が引き起こされることがなく、劣化することが
ない。 (D) Stabilizer The (D) stabilizer used in the present invention stabilizes the (A) degradable polymer remaining in the refractive index changing material after irradiation, and stabilizes it against acid or base. Has the function of imparting properties. Due to this stabilization treatment, the refractive index pattern formed by the method of the present invention causes a change in the refractive index even when used under conditions in which light near the wavelength used to change the refractive index passes. And no deterioration.

【０１７５】上記（Ｄ）安定化剤としては、例えばアミ
ノ化合物、エポキシ化合物、チイラン化合物、オキセタ
ン化合物、アルコキシメチル化メラミン化合物、アルコ
キシメチル化グリコールウリル化合物、アルコキシメチ
ル化ベンゾグアナミン化合物、アルコキシメチル化尿素
化合物、イソシアネート化合物、シアネート化合物、オ
キサゾリン化合物、オキサジン化合物およびシリル化合
物（ハロゲン化シリル化合物、その他のシリル化合物）
等を挙げることができる。Examples of the stabilizer (D) include amino compounds, epoxy compounds, thiirane compounds, oxetane compounds, alkoxymethylated melamine compounds, alkoxymethylated glycoluril compounds, alkoxymethylated benzoguanamine compounds, and alkoxymethylated urea compounds. , Isocyanate compounds, cyanate compounds, oxazoline compounds, oxazine compounds and silyl compounds (silyl halide compounds, other silyl compounds)
And the like.

【０１７６】上記アミノ化合物としては、アンモニア、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘ
キシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリフェニ
ルアミン、トリベンジルアミン、アニリン、エチレンジ
アミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミ
ン、テトラエチレンペンタミン、１，３−ジアミノプロ
パン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペン
タン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘ
プタン、１，８−ジアミノオンタン、１，９−ジアミノ
ノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミ
ノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，４−
ジアミノシクロヘキサン、１，３−シクロヘキサンビス
（メチルアミン）、１，３−プロパン−２−オール、
２，２’，２”−トリアミノトリエチルアミン、１，４
−ジアミノ−２，２，３，３−テトラフロロペンタン、
１，５−ジアミノ−２，２，３，３，４，４−ヘキサフ
ロロペンタン、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグ
アナミン、アクリログアナミン、パラミン、アミドー
ル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、ｐ，ｐ’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルスルフォン、１，８−ジアミノナフタレン、
３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、２−ク
ロロ−４，６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２、６−ジ
アミノピリジン、３，３’−ジアミノベンジジン、ビス
（４−アミノフェニル）エーテル、ｍ−キシリレンジア
ミン、ｐ−キシリレンジアミン、１，２，４，５−ベン
ゼンテトラミン、２，４−ジアミノ−１，３，５−トリ
アジン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，
３’，４，４’−テトラアミノベンゾフェノン、トリア
ミノベンゼン、４，４’−チオジアニリン、２，３，
５，６−テトラブロモ−ｐ−キシリレンジアミン、２，
３，５，６−テトラクロロ−ｐ−キシリレンジアミン、
４，５−メチレンジオキシ−１，２−フェニレンジアミ
ン、２，２’−ビス（５−アミノピリジル）サルファイ
ド等を挙げることができる。Examples of the amino compound include ammonia,
Trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine, triphenylamine, tribenzylamine, aniline, ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, 1,3- Diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminoontan, 1,9-diaminononane, 1,10-diamino Decane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,4-
Diaminocyclohexane, 1,3-cyclohexanebis (methylamine), 1,3-propan-2-ol,
2,2 ′, 2 ″ -triaminotriethylamine, 1,4
-Diamino-2,2,3,3-tetrafluoropentane,
1,5-diamino-2,2,3,3,4,4-hexafluoropentane, melamine, benzoguanamine, acetoguanamine, acryloganamin, paraamine, amidol, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, p, p '-Diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, 1,8-diaminonaphthalene,
3,5-diamino-1,2,4-triazole, 2-chloro-4,6-diamino-S-triazine, 2,6-diaminopyridine, 3,3′-diaminobenzidine, bis (4-aminophenyl) Ether, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 1,2,4,5-benzenetetramine, 2,4-diamino-1,3,5-triazine, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,
3 ', 4,4'-tetraaminobenzophenone, triaminobenzene, 4,4'-thiodianiline, 2,3
5,6-tetrabromo-p-xylylenediamine, 2,
3,5,6-tetrachloro-p-xylylenediamine,
4,5-methylenedioxy-1,2-phenylenediamine, 2,2'-bis (5-aminopyridyl) sulfide and the like can be mentioned.

【０１７７】上記エポキシ化合物としては、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、
の市販品を示せば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合
物、脂肪族ポリグリシジルエーテル等を挙げることがで
きる。Examples of the epoxy compound include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin,
The commercially available products include bisphenol A type epoxy compounds and aliphatic polyglycidyl ethers.

【０１７８】これらの市販品として、以下のものを例示
することができる。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と
しては、エピコート１００１、同１００２、同１００
３、同１００４、同１００７、同１００９、同１０１
０、同８２８（以上、油化シェルエポキシ（株）製）等
を、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、エピコ
ート８０７（油化シェルエポキシ（株）製）等を、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂としては、エピコート
１５２、同１５４（以上、油化シェルエポキシ（株）
製）、ＥＰＰＮ２０１、同２０２（以上、日本化薬
（株）製）等を、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
としては、ＥＯＣＮ−１０２、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、Ｅ
ＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１
０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（以上、日本化薬（株）
製）、エピコート１８０Ｓ７５（油化シェルエポキシ
（株）製）等を、環式脂肪族エポキシ樹脂としては、Ｃ
Ｙ１７５、ＣＹ１７７、ＣＹ１７９（以上、ＣＩＢＡ−
ＧＥＩＧＹ Ａ．Ｇ製）、ＥＲＬ−４２３４、ＥＲＬ−
４２９９、ＥＲＬ−４２２１、ＥＲＬ−４２０６（以
上、Ｕ．Ｃ．Ｃ社製）、ショーダイン５０９（昭和電工
（株）製）、アラルダイトＣＹ−１８２、同ＣＹ−１９
２、同ＣＹ−１８４（以上、ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ
Ａ．Ｇ製）、エピクロン２００、同４００（以上、大日
本インキ工業（株）製）、エピコート８７１、同８７２
（以上、油化シェルエポキシ（株）製）、ＥＤ−５６６
１、ＥＤ−５６６２（以上、セラニーズコーティング
（株）製）等を、脂肪族ポリグリシジルエーテルとして
は、エポライト１００ＭＦ（共栄社化学（株）製）、エ
ピオールＴＭＰ（日本油脂（株）製）等を挙げることが
できる。The following are examples of these commercially available products. As the bisphenol A type epoxy resin, Epicoat 1001, 1002, 100
3, 1004, 1007, 1009, 101
Nos. 0 and 828 (both manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and the like; Bisphenol F type epoxy resin; Epicoat 807 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co.); Epikote 152, Epicoat 154 (above, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
), EPPN201 and EPPN201 (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc., and EOCN-102, EOCN-103S, E
OCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1
025, EOCN-1027 (Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Co., Ltd.), Epicoat 180S75 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and the like.
Y175, CY177, CY179 (above, CIBA-
GEIGY A. G), ERL-4234, ERL-
4299, ERL-4221, ERL-4206 (above, manufactured by UCC), Shodyne 509 (manufactured by Showa Denko KK), Araldite CY-182, CY-19
2, CY-184 (above, CIBA-GEIGY
A. G), Epicron 200, 400 (all manufactured by Dainippon Ink Industries, Ltd.), Epicoat 871, 872
(The above are manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), ED-566
1, ED-5662 (the above, manufactured by Celanese Coatings Co., Ltd.), etc., and as the aliphatic polyglycidyl ether, Epolite 100MF (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Epiol TMP (manufactured by NOF CORPORATION), etc. Can be mentioned.

【０１７９】上記以外にもフェニルグリシジルエーテ
ル、ブチルグリシジルエーテル、３，３，３−トリフロ
ロメチルプロピレンオキシド、スチレンオキシド、ヘキ
サフロロプロピレンオキシド、シクロヘキセンオキシ
ド、Ｎ−グリシジルフタルイミド、（ノナフロロ−Ｎ−
ブチル）エポキシド、パーフロロエチルグリシジルエー
テル、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、Ｎ，
Ｎ−ジグリシジルアニリン、３−［２−（パーフロロヘ
キシル）エトキシ］−１，２−エポキシプロパン等がエ
ポキシ化合物として好適に使用できる。In addition to the above, phenyl glycidyl ether, butyl glycidyl ether, 3,3,3-trifluoromethylpropylene oxide, styrene oxide, hexafluoropropylene oxide, cyclohexene oxide, N-glycidyl phthalimide, (nonafluoro-N-
Butyl) epoxide, perfluoroethyl glycidyl ether, epichlorohydrin, epibromohydrin, N,
N-diglycidylaniline, 3- [2- (perfluorohexyl) ethoxy] -1,2-epoxypropane and the like can be suitably used as the epoxy compound.

【０１８０】上記チイラン化合物としては、上記エポキ
シ化合物のエポキシ基を、例えばＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅ
ｍ．，２８，２２９（１９６３）に示されるようにして
エチレンスルフィド基に置換したものを使用することが
できる。As the thiirane compound, the epoxy group of the above epoxy compound can be used, for example, as described in J. Am. Org. Che
m. , 28, 229 (1963), substituted with an ethylene sulfide group.

【０１８１】上記オキセタン化合物としては、ビス
〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル〕
ベンゼン（商品名「ＸＤＯ」、東亞合成（株）製）、ビ
ス〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル
−フェニル〕メタン、ビス〔（３−エチル−３−オキセ
タニルメトキシ）メチル−フェニル〕エーテル、ビス
〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−
フェニル〕プロパン、ビス〔（３−エチル−３−オキセ
タニルメトキシ）メチル−フェニル〕スルホン、ビス
〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル−
フェニル〕ケトン、ビス〔（３−エチル−３−オキセタ
ニルメトキシ）メチル−フェニル〕ヘキサフロロプロパ
ン、トリ〔（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）
メチル〕ベンゼン、テトラ〔（３−エチル−３−オキセ
タニルメトキシ）メチル〕ベンゼン等を挙げることがで
きる。As the oxetane compound, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl]
Benzene (trade name “XDO”, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-phenyl] methane, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-phenyl] Ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-
Phenyl] propane, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-phenyl] sulfone, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-
Phenyl] ketone, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-phenyl] hexafluoropropane, tri [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)
Methyl] benzene, tetra [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene and the like.

【０１８２】上記アルコキシメチル化メラミン化合物、
アルコキシメチル化ベンゾグアナミン化合物、アルコキ
シメチル化グリコールウリル化合物およびアルコキシメ
チル化尿素化合物は、それぞれメチロール化メラミン化
合物、メチロール化ベンゾグアナミン化合物、メチロー
ル化グリコールウリル化合物およびメチロール化尿素化
合物のメチロール基をアルコキシメチル基に変換するこ
とにより得られる。このアルコキシメチル基の種類につ
いては特に限定されるものではなく、例えばメトキシメ
チル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブト
キシメチル基等とすることができる。The above alkoxymethylated melamine compound,
Alkoxymethylated benzoguanamine compounds, alkoxymethylated glycoluril compounds and alkoxymethylated urea compounds convert the methylol groups of methylolated melamine compounds, methylolated benzoguanamine compounds, methylolated glycoluril compounds and methylolated urea compounds into alkoxymethyl groups, respectively. It is obtained by doing. The type of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and may be, for example, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group, or the like.

【０１８３】これらの市販品としては、例えばサイメル
３００、同３０１、同３０３、同３７０、同３２５、同
３２７、同７０１、同２６６、同２６７、同２３８、同
１１４１、同２７２、同２０２、同１１５６、同１１５
８、同１１２３、同１１７０、同１１７４、同ＵＦＲ６
５、同３００（以上、三井サイアナミッド（株）製）、
ニカラックＭｘ−７５０、同Ｍｘ−０３２、同Ｍｘ−７
０６、同Ｍｘ−７０８、同Ｍｘ−４０、同Ｍｘ−３１、
同Ｍｓ−１１、同Ｍｗ−３０（以上、三和ケミカル
（株）製）等を挙げることができる。Examples of these commercially available products include Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 115
8, 1123, 1170, 1174, UFR6
5, 300 (all made by Mitsui Cyanamid Co., Ltd.)
Nicaraq Mx-750, Mx-032, Mx-7
06, Mx-708, Mx-40, Mx-31,
Ms-11 and Mw-30 (all manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and the like.

【０１８４】上記イソシアネート化合物としては、例え
ばフェニレン−１，３−ジイソシアネート、フェニレン
−１，４−ジイソシアネート、１−メトキシフェニレン
−２，４−ジイソシアネート、１−メチルフェニレン−
２，４−ジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシ
アネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３
−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジ
イソシアネート、ビフェニレン−４，４’−ジイソシア
ネート、３，３’−ジメトキシビフェニレン−４，４’
−ジイソシアネート、Examples of the isocyanate compound include phenylene-1,3-diisocyanate, phenylene-1,4-diisocyanate, 1-methoxyphenylene-2,4-diisocyanate, and 1-methylphenylene-
2,4-diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3
-Xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, biphenylene-4,4'-diisocyanate, 3,3'-dimethoxybiphenylene-4,4 '
-Diisocyanate,

【０１８５】３，３’−ジメチルビフェニレン−４，
４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’
−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジ
イソシアネート、３，３’−ジメトキシジフェニルメタ
ン−４，４’−ジイソシアネート、３，３’−ジメチル
ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ナフ
チレン−１，５−ジイソシアネート、シクロブチレン−
１，３−ジイソシアネート、シクロペンチレン−１，３
−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，３−ジイ
ソシアネート、シクロヘキシレン−１，４−ジイソシア
ネート、１−メチルシクロヘキシレン−２，４−ジイソ
シアネート、１−メチルシクロヘキシレン−２，６−ジ
イソシアネート、１−イソシアネート−３，３，５−ト
リメチル−５−イソシアネートメチルシクロヘキサン、
シクロヘキサン−１，３−ビス（メチルイソシアネー
ト）、シクロヘキサン−１，４−ビス（メチルイソシア
ネート）、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキ
シルメタン−２，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘ
キシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、エチレン
ジイソシアネート、テトラメチレン−１，４−ジイソシ
アネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネー
ト、ドデカメチレン−１，１２−ジイソシアネート、リ
ジンジイソシアネートメチルエステル等や、これらの有
機ジイソシアネートの化学量論的過剰量と２官能性活性
水素含有化合物との反応により得られる両末端イソシア
ネートプレポリマー等を挙げることができる。3,3′-dimethylbiphenylene-4,
4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4 '
-Diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, 3,3'-dimethoxydiphenylmethane-4,4'-diisocyanate, 3,3'-dimethyldiphenylmethane-4,4'-diisocyanate, naphthylene-1,5-diisocyanate, Cyclobutylene-
1,3-diisocyanate, cyclopentylene-1,3
-Diisocyanate, cyclohexylene-1,3-diisocyanate, cyclohexylene-1,4-diisocyanate, 1-methylcyclohexylene-2,4-diisocyanate, 1-methylcyclohexylene-2,6-diisocyanate, 1-isocyanate-3 , 3,5-trimethyl-5-isocyanatomethylcyclohexane,
Cyclohexane-1,3-bis (methyl isocyanate), cyclohexane-1,4-bis (methyl isocyanate), isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4′-diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate, ethylene diisocyanate, Tetramethylene-1,4-diisocyanate, hexamethylene-1,6-diisocyanate, dodecamethylene-1,12-diisocyanate, lysine diisocyanate methyl ester and the like, and a stoichiometric excess of these organic diisocyanates and bifunctional activity Both terminal isocyanate prepolymers obtained by reaction with a hydrogen-containing compound can be exemplified.

【０１８６】また、場合により上記ジイソシアネートと
ともに、例えばフェニル−１，３，５−トリイソシアネ
ート、ジフェニルメタン−２，４，４’−トリイソシア
ネート、ジフェニルメタン−２，５，４’−トリイソシ
アネート、トリフェニルメタン−２，４’，４”−トリ
イソシアネート、トリフェニルメタン−４，４’，４”
−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４，
２’，４’−テトライソシアネート、ジフェニルメタン
−２，５，２’，５’−テトライソシアネート、シクロ
ヘキサン−１，３，５−トリイソシアネート、シクロヘ
キサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネー
ト）、３，５−ジメチルシクロヘキサン−１，３，５−
トリス（メチルイソシアネート）、１，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソ
シアネート）、ジシクロヘキシルメタン−２，４，２’
−トリイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，
４，４’−トリイソシアネート等の３官能以上の有機ポ
リイソシアネートや、これらの３官能以上の有機ポリイ
ソシアネートの化学量論的過剰量と２官能以上の多官能
性活性水素含有化合物との反応により得られる末端イソ
シアネートプレポリマー等を併用してもよい。In some cases, together with the above diisocyanates, for example, phenyl-1,3,5-triisocyanate, diphenylmethane-2,4,4′-triisocyanate, diphenylmethane-2,5,4′-triisocyanate, triphenylmethane -2,4 ', 4 "-triisocyanate, triphenylmethane-4,4', 4"
Triisocyanates, diphenylmethane-2,4
2 ', 4'-tetraisocyanate, diphenylmethane-2,5,2', 5'-tetraisocyanate, cyclohexane-1,3,5-triisocyanate, cyclohexane-1,3,5-tris (methylisocyanate), 3 , 5-Dimethylcyclohexane-1,3,5-
Tris (methyl isocyanate), 1,3,5-trimethylcyclohexane-1,3,5-tris (methyl isocyanate), dicyclohexylmethane-2,4,2 ′
Triisocyanate, dicyclohexylmethane-2,
By reaction of a trifunctional or higher organic polyisocyanate such as 4,4'-triisocyanate or a stoichiometric excess of the trifunctional or higher organic polyisocyanate with a bifunctional or higher polyfunctional active hydrogen-containing compound The resulting terminal isocyanate prepolymer may be used in combination.

【０１８７】上記シアネート化合物としては、１，３−
ジシアナートベンゼン、１，４−ジシアナートベンゼ
ン、１，３，５−トリシアナートベンゼン、１，３−、
１，４−、１，６−、１．８−、２．６−、または２，
７−ジシアナートナフタレン、１，３，６−トリシアナ
ートナフタレン、２，２’−または４，４’−ジシアナ
ートビフェニル、ビス（４−シアナートフェニル）メタ
ン、２，２−ビス（４−シアナートフェニル）プロパ
ン、２，２’−ビス（３，５−ジクロロ−４−シアナー
トフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−シアナート
フェニル）エタン、ビス（４−シアナートフェニル）エ
ーテル、ビス（４−シアナートフェニル）チオエーテ
ル、ビス（４−シアナートフェニル）スルホン、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス
（４−シアナートフェニル）プロパン、トリス（４−シ
アナートフェニル）ホスファイト、トリス（４−シアナ
ートフェニル）ホスフェート、およびフェノール樹脂と
ハロゲン化シアンの反応より得られるベンゼン多核体の
ポリイソシアネート化合物（例えば、特公昭４５−１１
７１２号および５５−９４３３号公報）などを挙げるこ
とができる。入手が容易でありかつ、成形性および最終
硬化物に良好な性質を与えるという点から、２，２−ビ
ス（４−シアナートフェニル）プロパンのようなビスフ
ェノールから誘導された２価のシアン酸エステル化合物
は、特に良好に使用される。また、フェノールとホルム
アルデヒドとの初期縮合物にハロゲン化シアンを反応さ
せて得られるポリシアナートも有用である。As the cyanate compound, 1,3-
Dicyanatobenzene, 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-,
1,4-, 1,6-, 1.8-, 2.6-, or 2,
7-dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 2,2′- or 4,4′-dicyanatobiphenyl, bis (4-cyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4 -Cyanatophenyl) propane, 2,2'-bis (3,5-dichloro-4-cyanatophenyl) propane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) ethane, bis (4-cyanatophenyl) Ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, 1,
1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, tris (4-cyanatophenyl) phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and phenol Polynuclear benzene polyisocyanate compound obtained by the reaction of a resin with a cyanogen halide (for example, Japanese Patent Publication No. 45-11
712 and 55-9433). Divalent cyanate esters derived from bisphenols such as 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane because they are readily available and give good properties to the moldability and the final cured product The compounds are used particularly well. Further, polycyanates obtained by reacting a cyanogen halide with an initial condensate of phenol and formaldehyde are also useful.

【０１８８】上記オキサゾリン化合物としては、２，
２’−ビス（２−オキサゾリン）、４−フラン−２−イ
ルメチレン−２−フェニル−４Ｈ−オキサゾール−５−
オン、１，４−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサゾ
リル）ベンゼン、１，３−ビス（４，５−ジヒドロ−２
−オキサゾリル）ベンゼン、２，３−ビス（４−イソプ
ロペニル−２−オキサゾリン−２−イル）ブタン、２，
２’−ビス−４−ベンジル−２−オキサゾリン、２，６
−ビス（イソプロピル−２−オキサゾリン−２−イル）
ピリジン、２，２’−イソプロピリデンビス（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−２−オキサゾリン）、２，２’−イソプ
ロピリデンビス（４−フェニル−２−オキサゾリン）、
２，２’−メチレンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２−
オキサゾリン）、２，２’−メチレンビス（４−フェニ
ル−２−オキサゾリン）等が挙げられる。The oxazoline compound includes 2,2
2'-bis (2-oxazoline), 4-furan-2-ylmethylene-2-phenyl-4H-oxazole-5
On, 1,4-bis (4,5-dihydro-2-oxazolyl) benzene, 1,3-bis (4,5-dihydro-2)
-Oxazolyl) benzene, 2,3-bis (4-isopropenyl-2-oxazolin-2-yl) butane, 2,
2'-bis-4-benzyl-2-oxazoline, 2,6
-Bis (isopropyl-2-oxazolin-2-yl)
Pyridine, 2,2′-isopropylidenebis (4-te
rt-butyl-2-oxazoline), 2,2′-isopropylidenebis (4-phenyl-2-oxazoline),
2,2′-methylenebis (4-tert-butyl-2-
Oxazoline), 2,2′-methylenebis (4-phenyl-2-oxazoline) and the like.

【０１８９】上記オキサジン化合物としては、２，２’
−ビス（２−オキサジン）、４−フラン−２−イルメチ
レン−２−フェニル−４Ｈ−オキサジル−５−オン、
１，４−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサジル）ベ
ンゼン、１，３−ビス（４，５−ジヒドロ−２−オキサ
ジル）ベンゼン、２，３−ビス（４−イソプロペニル−
２−オキサジン−２−イル）ブタン、２，２’−ビス−
４−ベンジル−２−オキサジン、２，６−ビス（イソプ
ロピル−２−オキサジン−２−イル）ピリジン、２，
２’−イソプロピリデンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−
２−オキサジン）、２，２’−イソプロピリデンビス
（４−フェニル−２−オキサジン）、２，２’−メチレ
ンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２−オキサジン）、
２，２’−メチレンビス（４−フェニル−２−オキサジ
ン）等が挙げられる。As the oxazine compound, 2,2 ′
-Bis (2-oxazine), 4-furan-2-ylmethylene-2-phenyl-4H-oxazyl-5-one,
1,4-bis (4,5-dihydro-2-oxadyl) benzene, 1,3-bis (4,5-dihydro-2-oxadyl) benzene, 2,3-bis (4-isopropenyl-)
2-oxazin-2-yl) butane, 2,2'-bis-
4-benzyl-2-oxazine, 2,6-bis (isopropyl-2-oxazin-2-yl) pyridine, 2,
2′-isopropylidenebis (4-tert-butyl-
2-oxazine), 2,2′-isopropylidenebis (4-phenyl-2-oxazine), 2,2′-methylenebis (4-tert-butyl-2-oxazine),
2,2′-methylenebis (4-phenyl-2-oxazine) and the like.

【０１９０】上記ハロゲン化シリル化合物としては、テ
トラクロロシラン、テトラブロモシラン、テトラヨード
シラン、トリクロロブロモシラン、ジクロロジブロモシ
ラン等のテトラハロゲノシラン類、メチルトリクロロシ
ラン、メチルジクロロブロモシラン、シクロヘキシルト
リクロロシラン等のモノアルキルトリハロゲノシラン
類、フェニルトリクロロシラン、ナフチルトリクロロシ
ラン、４−クロロフェニルトリクロロシラン、フェニル
ジクロロブロモシラン等のモノアリールトリハロゲノシ
ラン類、フェノキシトリクロロシラン、フェノキシジク
ロロブロモシラン等のモノアリールオキシトリハロゲノ
シラン類、メトキシトリクロロシラン、エトキシトリク
ロロシラン等のモノアルコキシトリハロゲノシラン類、
ジメチルジクロロシラン、メチル（エチル）ジクロロシ
ラン、メチル（シクロヘキシル）ジクロロシラン等のジ
アルキルジハロゲノシラン類、メチル（フェニル）ジク
ロロシラン等のモノアルキルモノアリールジハロゲノシ
ラン類、ジフェニルジクロロシラン等のジアリールジハ
ロゲノシラン類、ジフェノキシジクロロシラン等のジア
リールオキシジハロゲノシラン類、メチル（フェノキ
シ）ジクロロシラン等のモノアルキルモノアリールオキ
シジハロゲノシラン類、フェニル（フェノキシ）ジクロ
ロシラン等のモノアリールモノアリールオキシジハロゲ
ノシラン類、ジエトキシジクロロシラン等のジアルコキ
シジハロゲノシラン類、メチル（エトキシ）ジクロロシ
ラン等のモノアルキルモノアルコキシジクロロシラン
類、フェニル（エトキシ）ジクロロシラン等のモノアリ
ールモノエトキシジクロロシラン類、トリメチルクロロ
シラン、ジメチル（エチル）クロロシラン、ジメチル
（シクロヘキシル）クロロシラン等のトリアルキルモノ
ハロゲノシラン類、ジメチル（フェニル）クロロシラン
等のジアルキルモノアリールモノハロゲノシラン類、メ
チル（ジフェニル）クロロシラン等のモノアルキルジア
リールモノハロゲノシラン類、トリフェノキシクロロシ
ラン等のトリアリールオキシモノハロゲノシラン類、メ
チル（ジフェノキシ）クロロシラン等のモノアルキルジ
アリールオキシモノハロゲノシラン類、フェニル（ジフ
ェノキシ）クロロシラン等のモノアリールジアリールオ
キシモノハロゲノシラン類、ジメチル（フェノキシ）ク
ロロシラン等のジアルキルモノアリールオキシモノハロ
ゲノシラン類、ジフェニル（フェノキシ）クロロシラン
等のジアリールモノアリールオキシモノハロゲノシラン
類、メチル（フェニル）（フェノキシ）クロロシラン等
のモノアルキルモノアリールモノアリールオキシモノハ
ロゲノシラン類、トリエトキシクロロシラン等のトリエ
トキシモノハロゲノシラン類、およびテトラクロロシラ
ンの２〜５量体等の上記化合物のオリゴマー等が挙げら
れる。Examples of the halogenated silyl compounds include tetrahalogenosilanes such as tetrachlorosilane, tetrabromosilane, tetraiodosilane, trichlorobromosilane, and dichlorodibromosilane; methyltrichlorosilane, methyldichlorobromosilane, and cyclohexyltrichlorosilane. Monoalkyltrihalogenosilanes, phenyltrichlorosilane, naphthyltrichlorosilane, 4-chlorophenyltrichlorosilane, phenyldichlorobromosilane, etc., monoaryltrihalogenosilanes, phenoxytrichlorosilane, phenoxydichlorobromosilane, etc., monoaryloxytrihalogenosilane , Trimethoxysilane, monoalkoxytrihalogenosilanes such as ethoxytrichlorosilane,
Dialkyldihalogenosilanes such as dimethyldichlorosilane, methyl (ethyl) dichlorosilane, methyl (cyclohexyl) dichlorosilane, monoalkylmonoaryldihalogenosilanes such as methyl (phenyl) dichlorosilane, and diaryldihalogeno such as diphenyldichlorosilane Silanes, diaryloxydihalogenosilanes such as diphenoxydichlorosilane, monoalkylmonoaryloxydihalogenosilanes such as methyl (phenoxy) dichlorosilane, and monoarylmonoaryloxydihalogenosilanes such as phenyl (phenoxy) dichlorosilane , Dialkoxydihalogenosilanes such as diethoxydichlorosilane, monoalkylmonoalkoxydichlorosilanes such as methyl (ethoxy) dichlorosilane, phenyl (ethoxy) ) Monoarylmonoethoxydichlorosilanes such as dichlorosilane, trialkylmonohalogenosilanes such as trimethylchlorosilane, dimethyl (ethyl) chlorosilane, dimethyl (cyclohexyl) chlorosilane, and dialkylmonoarylmonohalogenosilanes such as dimethyl (phenyl) chlorosilane , Monoalkyldiarylmonohalogenosilanes such as methyl (diphenyl) chlorosilane, triaryloxymonohalogenosilanes such as triphenoxychlorosilane, monoalkyldiaryloxymonohalogenosilanes such as methyl (diphenoxy) chlorosilane, phenyl (diphenoxy) chlorosilane Monoaryldiaryloxymonohalogenosilanes, such as dimethyl (phenoxy) chlorosilane, etc. Triarylhalogenosilanes, diarylmonoaryloxymonohalogenosilanes such as diphenyl (phenoxy) chlorosilane, monoalkylmonoarylmonoaryloxymonohalogenosilanes such as methyl (phenyl) (phenoxy) chlorosilane, and triethoxy such as triethoxychlorosilane Monohalogenosilanes and oligomers of the above compounds such as dimer to pentamer of tetrachlorosilane are exemplified.

【０１９１】上記その他のシリル化合物としては、ヘキ
サメチルジシラザン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラ
ン、ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミ
ド、ジエチルアミノトリメチルシラン、トリメチルシラ
ノール、ヘキサメチルジシロキサン、クロルメチルジメ
チルエトキシシラン、アセチルトリフェニルシラン、エ
トキシトリフェニルシラン、トリフェニルシラノール、
トリエチルシラノール、トリプロピルシラノール、トリ
ブチルシラノール、ヘキサエチルジシロキサン、トリメ
チルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリ
エチルメトキシシラン、トリエチルエトキシラン、アセ
トキシエチルジメチルクロロシラン、１，３−ビス（ヒ
ドロキシブチル）テトラメチルジシロキサン、１，３−
ビス（ヒドロキシプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン、γ−アミノプロピルメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、
Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ジ
ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイ
ドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベ
ンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン・塩酸塩、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキ
シシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス
（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメト
キシシラン、トリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジ
シラザン、Ｎ−トリメチルシリルイミダゾール、ビス
（トリメチルシリル）ウレア、トリメチルシリルアセト
アミド、ビストリメチルシリルアセトアミド、トリメチ
ルシリルイソシアネート、トリメチルメトキシシラン、
トリメチルエトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、ジメチルジエトキシシラン、ｔ−ブチルジメチル
クロロシラン、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、ト
リイソプロピルクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキ
シシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシ
ルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラ
ン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、１，６−ビ
ス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ジメチルシリルジ
イソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、フ
ェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラ
ン、およびフェニルシリルトリイソシアネート等が挙げ
られる。Examples of the other silyl compounds include hexamethyldisilazane, t-butyldimethylchlorosilane, bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide, diethylaminotrimethylsilane, trimethylsilanol, hexamethyldisiloxane, chloromethyldimethylethoxysilane, and acetyltrichlorosilane. Phenylsilane, ethoxytriphenylsilane, triphenylsilanol,
Triethylsilanol, tripropylsilanol, tributylsilanol, hexaethyldisiloxane, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, triethylmethoxysilane, triethylethoxysilane, acetoxyethyldimethylchlorosilane, 1,3-bis (hydroxybutyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-
Bis (hydroxypropyl) tetramethyldisiloxane, γ-aminopropylmethoxysilane, γ-aminopropylethoxysilane, N-β (aminoethyl) -γ-
Aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane,
N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-dibutylaminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, N-β (N-vinylbenzylaminoethyl)- γ-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) Silane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysila , .Gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane, .gamma.-chloropropyl trimethoxy silane, trimethylchlorosilane, hexamethyldisilazane, N- trimethylsilyl imidazole, bis (trimethylsilyl) urea, trimethylsilylacetamide, bistrimethylsilylacetamide, trimethylsilylisocyanate, trimethylmethoxysilane,
Trimethylethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, t-butyldimethylchlorosilane, t-butyldiphenylchlorosilane, triisopropylchlorosilane, n-propyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane N-hexyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, dimethylsilyl diisocyanate, methylsilyl triisocyanate, phenyltrimethoxysilane, diphenyl Examples include dimethoxysilane and phenylsilyl triisocyanate.

【０１９２】本発明に用いられる（Ｄ）安定化剤として
は、上記のうち、アミノ化合物、エポキシ化合物、チイ
ラン化合物、オキセタン化合物、オキサゾリン化合物、
オキサジン化合物、シリル化合物、イソシアネート化合
物およびシアネート化合物が好ましく、その中でもアミ
ノ化合物、エポキシ化合物、チイラン化合物、オキセタ
ン化合物、オキサゾリン化合物およびオキサジン化合物
がさらに好ましく用いられる。そのうちでも特に、エチ
レンジアミン、フェニルグリシジルエーテル、３−フェ
ノキシプロピレンスルフィド、３，３，３，−トリフロ
ロプロピレンオキシド、ヘキサメチルジシラザン、γ−
アミノプロピルメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、メチルシリルトリイソシアネ
ート等が好ましく用いられる。The (D) stabilizer used in the present invention includes, among the above, amino compounds, epoxy compounds, thiirane compounds, oxetane compounds, oxazoline compounds,
Oxazine compounds, silyl compounds, isocyanate compounds and cyanate compounds are preferred, and among them, amino compounds, epoxy compounds, thiirane compounds, oxetane compounds, oxazoline compounds and oxazine compounds are more preferably used. Among them, particularly, ethylenediamine, phenylglycidyl ether, 3-phenoxypropylene sulfide, 3,3,3-trifluoropropylene oxide, hexamethyldisilazane, γ-
Aminopropylmethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, methylsilyltriisocyanate and the like are preferably used.

【０１９３】これらの（Ｄ）安定化剤は、単独でまたは
２種類以上を組み合わせて用いることができる。また
（Ｄ）成分の使用割合は、（Ａ）分解性重合体の残存部
が十分に反応するように過剰に用いることができるが、
通常（Ａ）成分１００重量部に対して１０重量部以上、
好ましくは３０重量部以上を使用することができる。
（Ｄ）成分の量が１０重量部未満であると、反応が不十
分となり、屈折率変化材料の安定性が不足することがあ
る。また（Ｄ）安定化剤とともに触媒を使用することが
できる。触媒の使用により、（Ｄ）成分と（Ａ）分解性
重合体の残存部との反応が促進される。このような触媒
としては、例えば酸触媒、塩基触媒、第四オニウム塩類
などが挙げられる。These stabilizers (D) can be used alone or in combination of two or more. The proportion of the component (D) can be excessively used so that the remaining portion of the decomposable polymer (A) sufficiently reacts.
Usually, 10 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the component (A),
Preferably, 30 parts by weight or more can be used.
When the amount of the component (D) is less than 10 parts by weight, the reaction becomes insufficient, and the stability of the refractive index changing material may be insufficient. Further, a catalyst can be used together with the stabilizer (D). The use of the catalyst promotes the reaction between the component (D) and the remaining portion of the decomposable polymer (A). Examples of such a catalyst include an acid catalyst, a base catalyst, and quaternary onium salts.

【０１９４】上記酸触媒としては、酢酸、メタンスルホ
ン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、ト
リフルオロメタンスルホン酸のような有機酸や、塩酸、
硫酸、硝酸のような無機酸が、上記塩基触媒としては、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは炭酸リチウムのよ
うなアルカリ金属炭酸塩類；炭酸水素ナトリウム、炭酸
水素カリウムまたは炭酸水素リチウムのようなアルカリ
金属重炭酸塩類；酢酸ナトリウムのようなアルカリ金属
酢酸塩類；水素化リチウム、水素化ナトリウムまたは水
素化カリウムのようなアルカリ金属水素化物類；水酸化
ナトリウム、水酸化カリウムまたは水酸化リチウムのよ
うなアルカリ金属水酸化物類；ナトリウムメトキシド、
ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシドまたは
リチウムメトキシドのようなアルカリ金属アルコキシド
類；メチルメルカプタンナトリウムまたはエチルメルカ
プタンナトリウムのようなメルカプタンアルカリ金属
類；トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロ
ピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、ピリジン、
４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、１，５−
ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，４
−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣ
Ｏ）または１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウン
デク−７−エン（ＤＢＵ）のような有機アミン類；メチ
ルリチウム、エチルリチウムまたはブチルリチウムのよ
うなアルキルリチウム類；リチウムジイソプロピルアミ
ドまたはリチウムジシクロヘキシルアミドのようなリチ
ウムアルキルアミド類などが、さらに上記第四オニウム
塩類としては、例えばテトラブチルアンモニウムクロラ
イド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチ
ルアンモニウムヨード、テトラブチルアンモニウムアセ
テート、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラ
ブチルホスホニウムブロミド、セチルトリメチルアンモ
ニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムブロミ
ド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、その
他を挙げることができる。また、１８−クラウン−６−
エーテルと、塩化カリウム、臭化カリウム、沃化カリウ
ム、塩化セシウム、カリウムフェノキシド、ナトリウム
フェノキシド、安息香酸カリウムなどの塩類とを組み合
わせて触媒として用いることもできる。Examples of the acid catalyst include organic acids such as acetic acid, methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, trifluoroacetic acid, and trifluoromethanesulfonic acid;
Sulfuric acid, inorganic acids such as nitric acid, as the base catalyst,
Alkali metal carbonates such as sodium carbonate, potassium carbonate or lithium carbonate; alkali metal bicarbonates such as sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate or lithium hydrogen carbonate; alkali metal acetates such as sodium acetate; lithium hydride; Alkali metal hydrides such as sodium or potassium hydride; alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or lithium hydroxide; sodium methoxide;
Alkali metal alkoxides such as sodium ethoxide, potassium t-butoxide or lithium methoxide; mercaptan alkali metals such as sodium methyl mercaptan or sodium ethyl mercaptan; triethylamine, tributylamine, diisopropylethylamine, N-methylmorpholine, pyridine,
4- (N, N-dimethylamino) pyridine, N, N-dimethylaniline, N, N-diethylaniline, 1,5-
Diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, 1,4
-Diazabicyclo [2.2.2] octane (DABC
O) or organic amines such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene (DBU); alkyllithiums such as methyllithium, ethyllithium or butyllithium; lithium diisopropylamide or lithium Lithium alkylamides such as dicyclohexylamide and the like, further as the quaternary onium salts, for example, tetrabutylammonium chloride, tetrabutylammonium bromide, tetrabutylammonium iodide, tetrabutylammonium acetate, tetrabutylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium Bromide, cetyltrimethylammonium bromide, tetrapropylammonium bromide, benzyltriethylammonium chloride, and the like. That. Also, 18-crown-6
The catalyst can also be used in combination with ethers and salts such as potassium chloride, potassium bromide, potassium iodide, cesium chloride, potassium phenoxide, sodium phenoxide, and potassium benzoate.

【０１９５】これらの中で好ましい触媒としては、ｐ−
トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、水酸化ナトリウム、
カリウムｔ−ブトキシド、トリエチルアミン、ＤＢＵ、
テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチルホス
ホニウムブロミド、１８−クラウン−６−エーテル／カ
リウムフェノキシドを挙げることができる。これらの触
媒の使用量は、（Ｄ）成分としてアミノ化合物、アルコ
キシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化グリ
コールウリル化合物、アルコキシメチル化ベンゾグアナ
ミン化合物、アルコキシメチル化尿素化合物、およびハ
ロゲン化シリル化合物を用いるときは、（Ｄ）成分１当
量に対して、２モル以下の使用量が好ましく用いられ
る。Among these, preferred catalysts include p-
Toluenesulfonic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, sodium hydroxide,
Potassium t-butoxide, triethylamine, DBU,
Examples include tetrabutylammonium bromide, tetrabutylphosphonium bromide, 18-crown-6-ether / potassium phenoxide. The amount of the catalyst used is such that when an amino compound, an alkoxymethylated melamine compound, an alkoxymethylated glycoluril compound, an alkoxymethylated benzoguanamine compound, an alkoxymethylated urea compound, and a silyl halide compound are used as the component (D), The use amount of not more than 2 mol per 1 equivalent of the component (D) is preferably used.

【０１９６】また、（Ｄ）成分としてエポキシ化合物、
チイラン化合物、オキセタン化合物、イソシアネート化
合物、シアネート化合物、オキサゾリン化合物、オキサ
ジン化合物、その他のシリル化合物を用いるときは、
（Ｄ）成分１当量に対して、０．２モル以下の使用量が
好ましく用いられる。なおここで（Ｄ）成分の使用当量
数は、（Ｄ）成分の使用量（モル）に当該（Ｄ）成分中
に含まれる反応性基の数を乗じて得られる値であり、反
応性基の数とは、（Ｄ）成分の種類により下記のように
定義される。An epoxy compound as component (D),
When using thiirane compounds, oxetane compounds, isocyanate compounds, cyanate compounds, oxazoline compounds, oxazine compounds, and other silyl compounds,
The use amount of 0.2 mol or less per 1 equivalent of the component (D) is preferably used. Here, the number of equivalents of the component (D) is a value obtained by multiplying the amount (mol) of the component (D) used by the number of reactive groups contained in the component (D). Is defined as follows depending on the type of the component (D).

【０１９７】アミノ化合物の場合；窒素原子の数 エポキシ化合物の場合；エポキシ基の数 チイラン化合物の場合；エチレンスルフィド基の数 オキセタン化合物の場合；オキセタニル基の数 アルコキシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル
化グリコールウリル化合物、アルコキシメチル化ベンゾ
グアナミン化合物およびアルコキシメチル化尿素化合物
の場合；アルコキシメチル基の数 イソシアネート化合物の場合；イソシアネート基の数 シアネート化合物の場合；シアネート基の数 オキサゾリン化合物の場合；オキサゾリル基の数 オキサジン化合物の場合；オキサジル基の数 ハロゲン化シリル化合物；ケイ素原子に結合しているハ
ロゲン原子の数 その他のシリル化合物；ケイ素原子の数In the case of an amino compound; the number of nitrogen atoms; in the case of an epoxy compound; the number of epoxy groups; in the case of a thiirane compound; the number of ethylene sulfide groups; in the case of an oxetane compound; the number of oxetanyl groups. Uryl compounds, alkoxymethylated benzoguanamine compounds and alkoxymethylated urea compounds; number of alkoxymethyl groups; isocyanate compound; number of isocyanate groups; cyanate compound; number of cyanate groups; oxazoline compound; number of oxazolyl groups. In the case of a compound; the number of oxazyl groups; a silyl halide compound; the number of halogen atoms bonded to a silicon atom; and the other silyl compound; the number of silicon atoms.

【０１９８】＜その他の成分＞本発明で使用する屈折率
変化性組成物には、本発明の目的を損なわない限りにお
いて、その他の添加剤が含有されていてもよい。このよ
うな添加剤としては、紫外線吸収剤、増感剤、界面活性
剤、耐熱性改良剤、接着助剤等が挙げられる。<Other Components> The refractive index changing composition used in the present invention may contain other additives as long as the object of the present invention is not impaired. Examples of such additives include an ultraviolet absorber, a sensitizer, a surfactant, a heat resistance improver, and an adhesion aid.

【０１９９】上記紫外線吸収剤としては、例えば、ベン
ゾトリアゾ−ル類、サリシレ−ト類、ベンゾフェノン
類、置換アクリロニトリル類、キサンテン類、クマリン
類、フラボン類、カルコン類化合物等の紫外線吸収剤が
挙げられる。具体的にはチバ・スペシャルティ−・ケミ
カルズ社製のチヌビン２３４（２−（２−ヒドロキシ−
３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル）
−２Ｈ−ベンゾトリアゾ−ル）、チヌビン５７１（ヒド
ロキシフェニルベンゾトリアゾ−ル誘導体）、チヌビン
１１３０（メチル−３−（３−ｔ−ブチル−５−（２Ｈ
−ベンゾトリアゾ−ル−２−イル）−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネ−ト−ポリエチレングリコ−ル（分
子量３００）との縮合物）、１，７−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−メトキシフェニ）−１，６−ヘプタジエン−
３，５−ジオン、ジベンジリデンアセトンなどがある。Examples of the ultraviolet absorber include ultraviolet absorbers such as benzotriazoles, salicylates, benzophenones, substituted acrylonitriles, xanthenes, coumarins, flavones, and chalcone compounds. Specifically, Tinuvin 234 (2- (2-hydroxy-) manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Inc.
3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl
-2H-benzotriazole), tinuvin 571 (hydroxyphenylbenzotriazole derivative), tinuvin 1130 (methyl-3- (3-t-butyl-5- (2H
-Benzotriazol-2-yl) -4-hydroxyphenyl) propionate-condensate with polyethylene glycol (molecular weight 300), 1,7-bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) -1 , 6-heptadiene-
3,5-dione, dibenzylideneacetone and the like.

【０２００】紫外線吸収剤を添加することにより、本発
明の屈折率変化性組成物における放射線照射部の表面か
らの深さが深くなるにつれ（Ｃ）成分からの酸または塩
基発生量を徐々に減少させることができ、ＧＲＩＮ形成
手段として有用である。これらの紫外線吸収剤の使用割
合は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対
して、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは２０
重量部以下である。By adding an ultraviolet absorber, the amount of acid or base generated from the component (C) is gradually reduced as the depth from the surface of the radiation-irradiated portion in the refractive index changing composition of the present invention becomes deeper. And is useful as a GRIN forming means. The use ratio of these ultraviolet absorbers is preferably 30 parts by weight or less, more preferably 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B).
Not more than parts by weight.

【０２０１】上記増感剤としては、例えば３−位および
／または７−位に置換基を有するクマリン類、フラボン
類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン
類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポ
ルフィリン類、フタロシアニン類、アクリジン類、アン
トラセン類等を用いることができる。増感剤の使用割合
は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対し
て、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは２０重
量部以下である。また、上記界面活性剤は、塗布性の改
善例えばストリエーションの防止や、現像性の改良を行
うために添加することができる。Examples of the sensitizer include coumarins, flavones, dibenzalacetones, dibenzacyclohexanes, chalcones, xanthenes, and thiones having a substituent at the 3- and / or 7-position. Xanthenes, porphyrins, phthalocyanines, acridines, anthracenes and the like can be used. The use ratio of the sensitizer is preferably 30 parts by weight or less, more preferably 20 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). The surfactant can be added to improve coating properties, for example, to prevent striation and to improve developing properties.

【０２０２】界面活性剤としては、例えばポリオキシエ
チレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエ
チレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリー
ルエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレ
ングリコールジアルキルエステル類の如きノニオン系界
面活性剤；エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同Ｅ
Ｆ３５２（以上、新秋田化成（株）製）、メガファック
Ｆ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３（以上、大日本イン
キ工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３
１（以上、住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡ
Ｇ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ
−１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０
５、ＳＣ−１０６（以上、旭硝子（株）製）等の商品名
で市販されている弗素系界面活性剤；オルガノシロキサ
ンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アク
リル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフロー
Ｎｏ．５７、９５（共栄社化学（株）製）等の商品名で
市販されているその他の界面活性剤を用いることができ
る。Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether and the like. Polyoxyethylene aryl ethers, polyethylene glycol dilaurate,
Nonionic surfactants such as polyethylene glycol dialkyl esters such as polyethylene glycol distearate; F-Top EF301, EF303, and E
F352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F172, F173 (above, manufactured by Dainippon Ink Industries, Ltd.), Florard FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard A
G710, Surflon S-382, SC-101, SC
-102, SC-103, SC-104, SC-10
5. Fluorinated surfactants commercially available under trade names such as SC-106 (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.); organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid-based or methacrylic acid-based (Co) polymer polyflow no. Other surfactants commercially available under trade names such as 57 and 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) can be used.

【０２０３】これらの界面活性剤の使用割合は、（Ａ）
成分と（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して、好ま
しくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下であ
る。また、上記接着助剤は、基板との密着性を改良する
ために添加することができ、シランカップリング剤等が
好ましく用いられる。上記耐熱性改良剤としては、多価
アクリレート等の不飽和化合物などを添加することがで
きる。さらに、本発明で使用する屈折率変化材料におい
ては、必要に応じて、帯電防止剤、保存安定剤、ハレー
ション防止剤、消泡剤、顔料、熱酸発生剤等を添加する
こともできる。The proportion of these surfactants used is (A)
It is preferably at most 2 parts by weight, more preferably at most 1 part by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the component and the component (B). Further, the above-mentioned adhesion aid can be added to improve the adhesion to the substrate, and a silane coupling agent or the like is preferably used. As the heat resistance improver, an unsaturated compound such as a polyvalent acrylate may be added. Further, in the refractive index changing material used in the present invention, if necessary, an antistatic agent, a storage stabilizer, an antihalation agent, an antifoaming agent, a pigment, a thermal acid generator, and the like can be added.

【０２０４】＜屈折率パターンの形成＞本発明におい
て、上記の屈折率変化性組成物を用いることにより、例
えば次のようにして屈折率パターンを形成することがで
きる。先ず、屈折率変化性組成物を、例えばその固形分
の濃度が５〜７０重量％となるよう溶剤に溶解または分
散し、組成物を調製する。必要に応じて孔径０．１〜１
０μｍ程度のフィルターで濾過した後に使用してもよ
い。その後、この組成物をシリコンウェハー等の基板の
表面に塗布し、プレベークを行うことにより溶剤を除去
して屈折率変化性組成物の塗膜を形成する。次いで、形
成された塗膜に、例えばパターンマスクを介して、その
一部に対して放射線照射処理を行い、次いで加熱を行う
ことにより屈折率変化性組成物の放射線照射部と放射線
未照射部での屈折率差が形成される。<Formation of Refractive Index Pattern> In the present invention, a refractive index pattern can be formed, for example, as follows by using the above-mentioned refractive index changing composition. First, the composition is prepared by dissolving or dispersing the refractive index changing composition in a solvent so that the concentration of the solid content is, for example, 5 to 70% by weight. 0.1 to 1 pore size as required
It may be used after filtering with a filter of about 0 μm. Thereafter, the composition is applied to the surface of a substrate such as a silicon wafer and the like, and the solvent is removed by pre-baking to form a coating film of the refractive index changing composition. Next, on the formed coating film, for example, through a pattern mask, a part thereof is subjected to a radiation irradiation treatment, and then heated to thereby perform irradiation with a radiation-irradiated portion and a non-radiation-irradiated portion of the refractive index changing composition. Is formed.

【０２０５】放射線の照射により（Ｃ）成分の感放射線
性分解剤から酸または塩基が生成され、この酸または塩
基が（Ａ）成分に作用して（Ａ）成分を分解する。この
分解物は主に放射線照射後の加熱時に逃散する。その結
果、放射線照射部と放射線未照射部との間に屈折率の差
が生じることになる。また、上記加熱時に、酸または塩
基と反応せずに残存する（Ａ）成分と（Ｄ）成分が反応
して、形成された屈折率パターンを安定化する。本発明
に使用される屈折率変化性組成物を含有する溶液を調製
するための溶媒としては、上記（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）および任意に添加されるその他の添加剤
の各成分を均一に溶解し、各成分と反応しないものが用
いられる。Upon irradiation, an acid or a base is generated from the radiation-sensitive decomposer of the component (C), and the acid or base acts on the component (A) to decompose the component (A). This decomposition product escapes mainly at the time of heating after irradiation. As a result, a difference in refractive index occurs between the radiation-irradiated portion and the non-radiation-irradiated portion. Further, at the time of the heating, the components (A) and (D) remaining without reacting with the acid or the base react to stabilize the formed refractive index pattern. Examples of the solvent for preparing the solution containing the refractive index changing composition used in the present invention include the above (A), (B),
Those which uniformly dissolve each component of (C), (D) and other additives optionally added and do not react with each component are used.

【０２０６】具体的には、例えばメタノール、エタノー
ル、プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ブタノー
ル、エチレングリコール、プロピレングリコールなどの
アルコール類；テトラヒドロフランなどのエーテル類；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル
類；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブア
セテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルア
セテート類；ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルエチルメチルエーテルなどのジエチレングリコール
類；プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレン
グリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロ
ピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテルな
どのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プ
ロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールプロピルエーテルアセテートプロピレングリ
コールブチルエーテルアセテート、などのプロピレング
リコールアルキルエーテルアセテート類；プロピレング
リコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレング
リコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレング
リコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレン
グリコールブチルエーテルプロピオネートなどのプロピ
レングリコールアルキルエーテルアセテート類；トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル
−２−ペンタノンなどのケトン類；Specifically, for example, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, iso-propanol, butanol, ethylene glycol and propylene glycol; ethers such as tetrahydrofuran;
Glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate; diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like Diethylene glycols; propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether, and propylene glycol butyl ether; propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether Propylene glycol alkyl ether acetates such as teracetate, propylene glycol propyl ether acetate propylene glycol butyl ether acetate; propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate, propylene glycol butyl ether pro Propylene glycol alkyl ether acetates such as pionate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone;

【０２０７】および酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチ
ル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、
２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒド
ロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ
酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、
乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−
ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピ
オン酸プロチル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、
２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ
酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピ
ル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキ
シ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブ
チル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、
プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブト
キシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プ
ロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン
酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メト
キシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸
ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキ
シプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロ
ピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシ
プロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチ
ル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシ
プロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチ
ル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプ
ロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピ
ル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシ
プロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチ
ル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポ
キシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メ
チル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシ
プロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチ
ル、などのエステル類；トリフルオロメチルベンゼン、
１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ヘキサ
フルオロベンゼン、ヘキサフルオロシクロヘキサン、ペ
ルフルオロジメチルシクロヘキサン、ペルフルオロメチ
ルシクロヘキサン、オクタフルオロデカリン、１，１，
２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタンなど
のフッ素原子含有溶媒が挙げられる。And methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate,
Ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate,
Butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, 3-
Ethyl hydroxypropionate, protyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate,
Methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate,
Propyl propyl acetate, butyl propoxy acetate, methyl butoxy acetate, ethyl butoxy acetate, propyl butoxy acetate, butyl butoxy acetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionic acid Butyl, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, propyl 2-butoxypropionate Butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, 3-ethoxypropionate Methyl ester, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, propyl 3-propoxypropionate, 3-propoxypropion Esters such as butyl acid, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate; trifluoromethylbenzene;
1,3-bis (trifluoromethyl) benzene, hexafluorobenzene, hexafluorocyclohexane, perfluorodimethylcyclohexane, perfluoromethylcyclohexane, octafluorodecalin, 1,1,
Fluorine atom-containing solvents such as 2-trichloro-1,2,2-trifluoroethane are exemplified.

【０２０８】これらの溶剤の中で、溶解性、各成分との
反応性および塗膜の形成のしやすさから、アルコール
類、グリコールエーテル類、エチレングリコールアルキ
ルエーテルアセテート類、プロピレングリコールアルキ
ルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類および
ジエチレングリコール類が好ましく用いられる。Among these solvents, alcohols, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, and propylene glycol alkyl ether acetates are preferred because of their solubility, reactivity with each component, and ease of forming a coating film. , Ketones, esters and diethylene glycols are preferably used.

【０２０９】さらに前記溶媒とともに高沸点溶媒を併用
することもできる。併用できる高沸点溶媒としては、例
えばＮ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエー
テル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソ
ホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、
１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、
安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチ
ル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、フェニルセロソルブアセテートなどが挙げられる。Further, a high boiling point solvent can be used in combination with the above-mentioned solvent. Examples of the high boiling point solvent that can be used in combination include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, and benzylethyl ether. , Dihexyl ether, acetonylacetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol,
1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate,
Examples include ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate.

【０２１０】本発明で使用される屈折率変化性組成物
は、放射線を照射するにあたり、用途を考慮した上で各
種形状に成形される。例えばロッド状、ファイバー状、
長板状、球状、フィルム状、レンズ状などが挙げられる
がこれに限定されるものではない。その成形方法につい
ても通常用いられる方法を用いることができる。例えば
射出成形、圧縮成形、ブロー成形、押し出し、箱枠内重
合法、削り出し法、引き延ばし法、加熱冷却法、ＣＶＤ
蒸着法、焼結法、スキャン法などが挙げられる。また光
学成形体の用途によってはスピンコート法、スリット
法、バーコート法、溶媒キャスト法、ＬＢ法、スプレー
法、ロールコート法、凸版印刷法、スクリーン印刷法等
も用いることができる。The refractive index changing composition used in the present invention is formed into various shapes in consideration of the application when irradiating radiation. For example, rod shape, fiber shape,
Examples include, but are not limited to, long plates, spheres, films, lenses, and the like. As the molding method, a method generally used can be used. For example, injection molding, compression molding, blow molding, extrusion, polymerization in a box frame, shaving, stretching, heating and cooling, CVD
Examples include a vapor deposition method, a sintering method, and a scanning method. Depending on the use of the optical molded article, a spin coating method, a slit method, a bar coating method, a solvent casting method, an LB method, a spray method, a roll coating method, a relief printing method, a screen printing method, or the like can be used.

【０２１１】この成形処理において加熱処理（以下、
「プレベーク」という。）を行なうのが好ましい。その
加熱条件は、本発明の材料の配合組成、各添加剤の種類
等により変わるが、好ましくは３０〜２００℃、より好
ましくは４０〜１５０℃であり、ホットプレートやオー
ブン、赤外線などを使用して加熱することができる。In this molding process, a heat treatment (hereinafter, referred to as a heat treatment)
It is called "pre-bake". ) Is preferred. The heating conditions vary depending on the composition of the material of the present invention, the type of each additive, and the like, but are preferably 30 to 200 ° C, more preferably 40 to 150 ° C, using a hot plate, an oven, infrared rays, or the like. Can be heated.

【０２１２】放射線照射処理に使用される放射線として
は、波長３６５ｎｍのｉ線、４０４ｎｍのｈ線、４３６
ｎｍのｇ線、キセノンランプ等の広域波長光源等の紫外
線、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長１
９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シン
クロトロン放射線等のＸ線あるいは電子線等の荷電粒子
線、可視光およびこれらの混合線等が挙げられる。これ
らのうち、紫外光および可視光が好ましい。照度として
は照射波長などにもよるが、０．１ｍＷ／ｃｍ ²〜１０
０ｍＷ／ｃｍ²とすることが最も反応効率が良く好まし
い。これらの放射線は、パターンマスクを介して照射す
ることで、感放射線性屈折率変化材料をパターニングす
ることが可能である。パターニング精度としては、使用
する光源などにも影響を受けるが、０．２μｍ程度の解
像性をもつ屈折率変化分布の光学部品の製造が可能であ
る。As radiation used in radiation irradiation treatment
Are i-line at 365 nm wavelength, h-line at 404 nm, 436
Ultraviolet light such as g-line of nm, wide wavelength light source such as xenon lamp
Line, KrF excimer laser of wavelength 248 nm, wavelength 1
Deep ultraviolet rays such as 93 nm ArF excimer laser
Charged particles such as X-rays or electron beams such as crotron radiation
Line, visible light, and a mixed line thereof. this
Among them, ultraviolet light and visible light are preferred. As illuminance
Is 0.1 mW / cm, depending on the irradiation wavelength, etc. ^Two-10
0mW / cm^TwoIs preferred because it has the highest reaction efficiency
No. These radiations are applied through a pattern mask.
Patterning the radiation-sensitive refractive index changing material
It is possible to Use as patterning accuracy
Is affected by the light source, etc.
It is possible to manufacture optical components with refractive index change distribution with imageability.
You.

【０２１３】本発明では、露光後に加熱処理（放射線照
射後ベーク（ＰＥＢ））を行うのが好ましい。その加熱
には、上記プレベークと同様な装置が使用でき、その条
件は任意に設定することができる。好ましい加熱温度は
３０〜１５０℃であり、より好ましくは３０〜１３０℃
である。また、放射線照射後ベークと連続してあるいは
別個に、残存する（Ａ）成分と（Ｄ）成分とを反応させ
る安定化のための加熱処理を行うのが好ましい。安定化
のための加熱処理は３５〜２００℃が好ましく、より好
ましくはＰＥＢの温度より１０℃以上高い温度であり、
さらに好ましくはＰＥＢの温度より２０℃以上高い温度
である。In the present invention, it is preferable to perform a heat treatment (bake after irradiation (PEB)) after exposure. For the heating, an apparatus similar to the above-described pre-bake can be used, and the conditions can be set arbitrarily. Preferred heating temperature is 30 to 150 ° C, more preferably 30 to 130 ° C.
It is. Further, it is preferable to carry out a heat treatment for stabilizing the remaining components (A) and (D) so that the remaining components (A) and (D) are reacted continuously or separately from the baking after the irradiation. The heat treatment for stabilization is preferably 35 to 200 ° C, more preferably a temperature 10 ° C or more higher than the temperature of PEB,
More preferably, the temperature is at least 20 ° C. higher than the temperature of PEB.

【０２１４】さらに、放射線未照射部に残存する（Ｃ）
成分などを分解し、材料の安定性をさらに高めるために
再露光処理を行うことができる。再露光処理は、例え
ば、屈折率を変化させる工程で用いた放射線と同様の波
長の放射線を、同様の露光量にてパターン全面に照射す
ることで実施できる。所望によりさらに加熱処理を行う
ことにより材料の安定性をさらに高めることができる。
このときの加熱には材料成形時のプレベ−クと同様な装
置が使用でき、その条件は任意に設定することができ
る。また、本発明によれば、本発明の屈折率パターン形
成法は、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分
からなる屈折率変化性組成物にパターンマスクを介して
放射線を照射し、次いで（Ｄ）安定化剤で処理すること
によっても実施することができる。Further, (C) remains in the non-irradiated portion.
Re-exposure treatment can be performed to decompose components and the like and further increase the stability of the material. The re-exposure process can be performed, for example, by irradiating the entire pattern with radiation having the same wavelength as the radiation used in the step of changing the refractive index. If desired, a further heat treatment can further increase the stability of the material.
For the heating at this time, the same apparatus as that used for prebaking at the time of material molding can be used, and the conditions can be set arbitrarily. Further, according to the present invention, the method of forming a refractive index pattern of the present invention includes irradiating the refractive index changing composition comprising the components (A), (B) and (C) with a radiation through a pattern mask. And then (D) treatment with a stabilizer.

【０２１５】安定化剤（Ｄ）による処理は、露光後ベー
クを実施した後に行うのが好ましい。（Ｄ）安定化剤
は、放射線照射後の屈折率変化材料に残存する（Ａ）分
解性化合物を安定化し、酸または塩基に対する安定性を
付与する機能を有する。この安定化処理により、本発明
の方法により形成された屈折率パターンは、屈折率を変
化させるために使用した波長付近の光が通過する条件下
で使用しても、屈折率の変化が引き起こされることがな
く、劣化することがない。（Ｄ）安定化剤としては、前
記具体例の他に、さらにアンモニアやトリエチルアミン
の如き低沸点化合物を使用することができる。The treatment with the stabilizer (D) is preferably carried out after baking after exposure. The (D) stabilizer has a function of stabilizing the (A) decomposable compound remaining in the refractive index changing material after irradiation with radiation and imparting stability to an acid or a base. Due to this stabilization treatment, the refractive index pattern formed by the method of the present invention causes a change in the refractive index even when used under conditions in which light near the wavelength used to change the refractive index passes. And no deterioration. (D) In addition to the above specific examples, low-boiling compounds such as ammonia and triethylamine can be used as the stabilizer.

【０２１６】安定化処理における放射線照射後の屈折率
変化性組成物と（Ｄ）安定化剤との接触には、適宜の方
法を採用できるが、例えば（Ｄ）成分および場合により
触媒を適当な溶媒に溶解して溶液状態で屈折率変化性組
成物と接触することができ、あるいは、（Ｄ）成分が接
触条件下で液体または気体の場合には（Ｄ）成分１００
％の状態でそのまま接触させることもできる。The contact between the refractive index changing composition after irradiation with the stabilizing agent and the (D) stabilizer in the stabilization treatment can be carried out by an appropriate method. For example, the component (D) and optionally a catalyst may be suitably used. It can be dissolved in a solvent and brought into contact with the refractive index changing composition in a solution state, or, if the component (D) is a liquid or gas under the contact conditions, the component (D) 100
% Can be contacted as they are.

【０２１７】上記（Ｄ）安定化剤と（Ａ）成分との反応
において溶媒を使用する場合の溶媒は、（Ｄ）成分およ
び任意に添加される触媒を溶解し、（Ａ）成分を溶解し
ないものが好ましい。このような溶媒を選択すれば、得
られる屈折率パターンの表面に荒れが生ずることがな
い。In the case where a solvent is used in the reaction between the stabilizer (D) and the component (A), the solvent dissolves the component (D) and optionally added catalyst, but does not dissolve the component (A). Are preferred. If such a solvent is selected, the surface of the obtained refractive index pattern will not be roughened.

【０２１８】このような溶媒としては、例えば水；メタ
ノール、エタノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−プロ
パノール、ｎ−ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール、ｔｅ
ｒｔ−ブタノール、シクロヘキサノール、エチレングリ
コール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール
等のアルコール類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のグ
リコールエーテル類；メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアル
キルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のジエ
チレングリコール類；プロピレングリコールメチルエー
テル、プロピレングリコールエチルエーテル等のプロピ
レングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレング
リコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコー
ルアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコー
ルメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコー
ルエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコー
ルプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコ
ールブチルエーテルプロピオネート等のプロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテート類；トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類；ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタ
ン、ｎ−オクタンなどの脂肪族炭化水素類；メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケト
ン、メチルアミルケトン、４−ヒドロキシ−４−メチル
−２−ペンタノンなどのケトン類；および酢酸エチル、
酢酸プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン
酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、
乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキ
シプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブ
タン酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチ
ル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプ
ロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、
２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピ
オン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−
プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオ
ン酸ブチルなどのエステル類；トリフルオロメチルベン
ゼン、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、
ヘキサフルオロベンゼン、ヘキサフルオロシクロヘキサ
ン、ペルフルオロジメチルシクロヘキサン、ペルフルオ
ロメチルシクロヘキサン、オクタフルオロデカリン、
１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエ
タンなどのフッ素原子含有溶媒が挙げられる。Examples of such a solvent include water; methanol, ethanol, iso-propanol, n-propanol, n-butanol, iso-butanol and te.
alcohols such as rt-butanol, cyclohexanol, ethylene glycol, propylene glycol and diethylene glycol; ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve Ethylene glycol alkyl ether acetates such as acetate; diethylene glycols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol dimethyl ether; propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol methyl ether and propylene glycol ethyl ether; propylene glycol methyl ether Propylene glycol alkyl ether acetates such as teracetate and propylene glycol ethyl ether acetate; propylene such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate, and propylene glycol butyl ether propionate Glycol alkyl ether acetates; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; aliphatic hydrocarbons such as n-hexane, n-heptane and n-octane; methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone; Ketones such as hydroxy-4-methyl-2-pentanone; and ethyl acetate;
Propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate,
Ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, 2- Butyl ethoxypropionate,
Butyl 2-butoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate,
Esters such as butyl propoxypropionate and butyl 3-butoxypropionate; trifluoromethylbenzene, 1,3-bis (trifluoromethyl) benzene,
Hexafluorobenzene, hexafluorocyclohexane, perfluorodimethylcyclohexane, perfluoromethylcyclohexane, octafluorodecalin,
Fluorine atom-containing solvents such as 1,1,2-trichloro-1,2,2-trifluoroethane are exemplified.

【０２１９】これらの溶剤の中で、水、アルコール類、
グリコールエーテル類、エチレングリコールアルキルエ
ーテルアセテート類、およびフッ素原子含有溶媒が好ま
しく用いられる。Among these solvents, water, alcohols,
Glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, and fluorine atom-containing solvents are preferably used.

【０２２０】（Ｄ）安定化剤と（Ａ）分解性化合物の残
存部との反応を行う際の反応温度は通常０〜１３０℃と
することができ、反応時間は通常１０秒〜１時間とする
ことができる。さらに、放射線未照射部に残存する
（Ｃ）成分などを分解し、材料の安定性をさらに高める
ために再露光処理を行うことができる。なお、上記安定
化処理を含む屈折率パターン形成法について記載のない
事項は、前述の屈折率パターン形成法について記載の事
項がそのままあるいは当業者に自明の変更の下で適用さ
れると理解されるべきである。The reaction temperature of the reaction between the stabilizer (D) and the remaining part of the decomposable compound (A) can be usually from 0 to 130 ° C., and the reaction time is usually from 10 seconds to 1 hour. can do. Further, a re-exposure process can be performed to decompose the component (C) remaining in the unirradiated portion and further increase the stability of the material. It should be noted that items not described in the method of forming a refractive index pattern including the above stabilization treatment are understood to be applied as they are in the description of the method of forming a refractive index pattern described above as they are or with obvious modifications to those skilled in the art. Should.

【０２２１】さらに、本発明によれば、本発明の屈折率
パターン形成法は、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および
（Ｃ）成分からなる屈折率変化性組成物にパターンを介
して放射線を照射し、次いで加熱して未露光部の（Ａ）
分解性化合物を分解せしめることによって実施すること
もできる。上記加熱は、好ましくは放射線照射後ベーク
の温度より１０℃以上高い温度で実施するのが好まし
い。例えば１７０℃以上の温度が好ましく、２００℃以
上の温度がさらに好ましい。上記加熱により、未露光部
に残存していた（Ａ）分解性化合物は分解や昇華により
除去され、好ましくは空孔を実質的に形成しない。な
お、（Ｄ）成分を含まない場合の上記屈折率パターン形
成法について記載のない事項は、前述のパターン形成法
について記載の事項のうち関連のある事項がそのままあ
るいは当業者に自明の変更の下で適用されると理解され
るべきである。Further, according to the present invention, the method of forming a refractive index pattern of the present invention comprises the steps of: And then heated to obtain the unexposed portion (A)
It can also be carried out by decomposing the decomposable compound. The heating is preferably performed at a temperature higher than the baking temperature after irradiation by 10 ° C. or more. For example, a temperature of 170 ° C. or higher is preferable, and a temperature of 200 ° C. or higher is more preferable. By the heating, the decomposable compound (A) remaining in the unexposed portion is removed by decomposition or sublimation, and preferably does not substantially form pores. In the case where the component (D) is not contained, the items which are not described in the above-mentioned refractive index pattern formation method are the same as the items described in the above-mentioned pattern formation method, or under a change obvious to those skilled in the art. It should be understood that it applies in.

【０２２２】上記のようにして種々の方法により形成さ
れた本発明の屈折率パターンは、好ましくは放射線照射
部（第１領域）の屈折率の方が放射線未照射部（第２領
域）の屈折率より小さくなる。この差は、本発明に用い
る屈折率変化性組成物中の（Ａ）成分と（Ｂ）成分の種
類と含有量を調整することにより、任意に調整でき、例
えば屈折率差の最大値を０．０２より大きい値とするこ
とができる。In the refractive index pattern of the present invention formed by various methods as described above, the refractive index of the radiation-irradiated portion (first region) is preferably smaller than that of the non-irradiated portion (second region). Smaller than the rate. This difference can be arbitrarily adjusted by adjusting the types and contents of the component (A) and the component (B) in the refractive index changing composition used in the present invention. .02.

【０２２３】本発明の屈折率パターンは、放射線照射部
に空隙を有しているかあるいは有していない。また、放
射線照射部が空隙を有する場合には、その空隙率は好ま
しくは１０〜９９．９％、より好ましくは１５〜９９．
９％、特に好ましくは２０〜９９．９％である。さら
に、放射線照射部および未照射部の弾性率は、好ましく
はそれぞれ０．３ＧＰａ以上および１ＧＰａ以上であ
り、さらに好ましくはそれぞれ０．５ＧＰａ以上および
３ＧＰａ以上である。The refractive index pattern of the present invention has or does not have a void in the radiation irradiation part. When the radiation-irradiated portion has a void, the void ratio is preferably 10 to 99.9%, more preferably 15 to 99.
9%, particularly preferably 20 to 99.9%. Furthermore, the elastic modulus of the irradiated part and the unirradiated part is preferably 0.3 GPa or more and 1 GPa or more, respectively, and more preferably 0.5 GPa or more and 3 GPa or more, respectively.

【０２２４】放射線照射部の弾性率は、好ましくは放射
線未照射部のそれより小さい。また、本発明の屈折率パ
ターンは、前述のように屈折率を変化させるために使用
した波長付近の光が通過する条件下で使用しても、屈折
率の変化が引き起こされることがなく、劣化することが
ないため、光エレクトロニクスやディスプレイ分野に使
用される光学材料として極めて有用である。The elastic modulus of the irradiated portion is preferably smaller than that of the unirradiated portion. In addition, the refractive index pattern of the present invention does not cause a change in the refractive index even when used under conditions in which light near the wavelength used to change the refractive index passes, as described above, and causes deterioration. Therefore, it is extremely useful as an optical material used in the field of optoelectronics and displays.

【０２２５】本発明の屈折率パターンは、充分に大きな
屈折率差を有し、しかも形成された屈折率差は光、熱に
対して安定であることから、光エレクトロニクスやディ
スプレイ分野に使用される光学材料として極めて有用で
ある。本発明の屈折率パターンは、その他フォトアレ
イ、レンズ各種、フォトカプラ、フォトインタラプタ、
偏光ビームスプリッタ、ホログラム、シングルモード／
マルチモード等光ファイバ、バンドルファイバ、ライト
ガイド各種、単芯／多芯／光電気結合等光コネクタ、光
アイソレータ、偏光子、フォトダイオード／フォトトラ
ンジスタ／フォトＩＣ／ＣＣＤイメージセンサ／ＣＭＯ
Ｓイメージセンサ／光ファイバセンサ、光ファイバジャ
イロ等光センサ各種、ＣＤ／ＬＤ／ＰＤ／ＤＶＤ等光デ
ィスク各種、光スイッチ各種、導波路、光学式タッチパ
ネル、回折格子、導光板、光拡散板、反射防止板、光学
封止材等の光学部品に用いられる。The refractive index pattern of the present invention has a sufficiently large refractive index difference, and the formed refractive index difference is stable against light and heat, so that it is used in the field of optoelectronics and displays. It is extremely useful as an optical material. The refractive index pattern of the present invention, other photo array, various lenses, photo coupler, photo interrupter,
Polarizing beam splitter, hologram, single mode /
Optical fiber such as multi-mode, bundle fiber, various types of light guides, optical connectors such as single-core / multi-core / photoelectric coupling, optical isolator, polarizer, photodiode / phototransistor / photo IC / CCD image sensor / CMO
S image sensor / optical fiber sensor, optical sensor such as optical fiber gyro, optical disk such as CD / LD / PD / DVD, optical switch, waveguide, optical touch panel, diffraction grating, light guide plate, light diffusion plate, anti-reflection Used for optical components such as plates and optical sealing materials.

【０２２６】＜光学部品の製造方法＞感光性屈折率変化
性組成物は光を照射するにあたり、用途を考慮した上で
各種形状に成形される。<Method for Producing Optical Components> The photosensitive refractive index changing composition is formed into various shapes in consideration of the application when irradiating light.

【０２２７】例えばロッド状、ファイバー状、長板状、
球状、フィルム状、レンズ状などが挙げられるがこれに
限定されるものではない。その成形方法についても通常
用いられる方法を用いることができ、例えば射出成形、
圧縮成形、ブロー成形、押し出し、箱枠内重合法、削り
出し法、引き延ばし法、加熱冷却法、ＣＶＤ蒸着法、焼
結法、スキャン法などが挙げられる。また光学成形体の
用途によってはスピンコート法、スリット法、バーコー
ト法、溶媒キャスト法、ＬＢ法、スプレー法、ロールコ
ート法、凸版印刷法、スクリーン印刷法等も用いること
ができる。For example, rod shape, fiber shape, long plate shape,
Examples include, but are not limited to, spheres, films, and lenses. As for the molding method, a commonly used method can be used, for example, injection molding,
Examples include compression molding, blow molding, extrusion, polymerization in a box frame, shaving, stretching, heating and cooling, CVD deposition, sintering, and scanning. Depending on the use of the optical molded article, a spin coating method, a slit method, a bar coating method, a solvent casting method, an LB method, a spray method, a roll coating method, a relief printing method, a screen printing method, or the like can be used.

【０２２８】光照射処理に使用される光としては、波長
３６５ｎｍのｉ線、４０４ｎｍのｈ線、４３６ｎｍのｇ
線、キセノンランプ等の広域波長光源等の紫外線、波長
２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍ
のＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロ
ン放射線等のＸ線あるいは電子線等の荷電粒子線、可視
光およびこれらの混合線等が挙げられる。これらのう
ち、紫外光および可視光が好ましい。照度としては照射
波長などにもよるが、０．１ｍＷ／ｃｍ²〜１００ｍＷ
／ｃｍ²とすることが最も反応効率が良く好ましい。こ
れらの放射線は、パターンマスクを介して照射すること
で、感放射線性屈折率変化性組成物をパターニングする
ことが可能である。パターニング精度としては、使用す
る光源など影響を受けるが、０．２μｍ程度の解像性を
もつ屈折率変化分布の光学部品の製造が可能である。The light used for the light irradiation treatment includes an i-line having a wavelength of 365 nm, an h-line having a wavelength of 404 nm, and a g-line having a wavelength of 436 nm.
UV light such as a broadband light source such as X-ray and xenon lamps, KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm, and 193 nm
Far-ultraviolet rays such as ArF excimer lasers, charged particle beams such as X-rays or electron beams such as synchrotron radiation, visible light, and mixed rays thereof. Of these, ultraviolet light and visible light are preferred. The illuminance depends on the irradiation wavelength and the like, but is 0.1 mW / cm ^{2 to} 100 mW.
/ Cm ² is most preferable because of the highest reaction efficiency. By irradiating these radiations through a pattern mask, it is possible to pattern the radiation-sensitive refractive index changing composition. Although the patterning accuracy is affected by the light source used and the like, it is possible to manufacture an optical component having a refractive index change distribution having a resolution of about 0.2 μm.

【０２２９】本発明においては、露光後に加熱処理（以
下、「露光後ベーク」という。）を行なうのが好まし
い。その加熱条件は、本発明の材料の配合組成、各添加
剤の種類等により変わるが、好ましくは３０〜２００
℃、より好ましくは４０〜１５０℃であり、ホットプレ
ートやオーブン、赤外線などを使用して加熱することが
できる。In the present invention, it is preferable to perform a heat treatment after exposure (hereinafter, referred to as “post-exposure bake”). The heating conditions vary depending on the composition of the material of the present invention, the type of each additive, and the like, but are preferably 30 to 200.
° C, more preferably 40 to 150 ° C, and can be heated using a hot plate, an oven, infrared rays, or the like.

【０２３０】本発明の光学部品の屈折率分布における最
大屈折率と最小屈折率の差は、前述のようにその用途に
応じて任意に設定することができるが、例えば０．０２
以上とすることができ、必要に応じて０．０３以上、さ
らに０．０５以上、０．０８以上とすることができる。
次に具体的な例として、光ファイバー、レンズ、光導波
路、回折格子、ホログラム素子および記録媒体の形成方
法について詳述する。The difference between the maximum refractive index and the minimum refractive index in the refractive index distribution of the optical component of the present invention can be arbitrarily set according to the application as described above.
It can be made to be 0.03 or more, further 0.05 or more, and 0.08 or more as needed.
Next, as a specific example, a method of forming an optical fiber, a lens, an optical waveguide, a diffraction grating, a hologram element, and a recording medium will be described in detail.

【０２３１】＜光ファイバーの形成方法＞光ファイバー
は適宜の方法により形成することができるが、例えば、
以下の方法によることができる。光ファイバーを形成す
るための感光性屈折率変化性組成物は、適当な溶媒に溶
解させた状態で使用することができる。このとき使用す
る溶媒としては、沸点が５０℃〜２００℃の溶媒を使用
することができ、溶液中の固形分濃度は５０〜８０％と
することができる。この溶液をファイバーの原液として
用い、脱泡後、加熱延伸、レーザー照射延伸、押し出し
等でファイバー形状を形成する。このときの孔径として
は０．１〜１．０ｍｍ、延伸速度としては０．１〜１，
０００ｍ／ｍｉｎ程度の値を採用することができる。<Method of Forming Optical Fiber> The optical fiber can be formed by an appropriate method.
The following method can be used. The photosensitive refractive index changing composition for forming the optical fiber can be used after being dissolved in an appropriate solvent. As the solvent used at this time, a solvent having a boiling point of 50 ° C to 200 ° C can be used, and the solid concentration in the solution can be 50 to 80%. This solution is used as a fiber stock solution, and after defoaming, a fiber shape is formed by heating stretching, laser irradiation stretching, extrusion, or the like. At this time, the pore diameter is 0.1 to 1.0 mm, and the stretching speed is 0.1 to 1,
A value of about 000 m / min can be adopted.

【０２３２】次に、上記のように形成したファイバーに
対し、光源をリング状に光ファイバーや反射板などを用
いてファイバーの周囲から中心に向かって均一に光照射
を行い、その後、露光後ベークを行うことにより、本発
明の光ファイバーを形成することができる。このときの
露光後ベーク温度は５０℃〜２００℃、ベーク時間とし
て１秒〜３０分程度の加熱条件とすることができる。加
熱熱源としては、赤外線ランプ等の適宜の熱源を使用す
ることができる。Next, the fiber formed as described above is uniformly irradiated with light from the periphery to the center of the fiber by using a light source such as an optical fiber or a reflection plate as a light source. By doing so, the optical fiber of the present invention can be formed. At this time, the heating conditions may be such that the post-exposure bake temperature is 50 ° C. to 200 ° C. and the bake time is about 1 second to 30 minutes. As a heating heat source, an appropriate heat source such as an infrared lamp can be used.

【０２３３】この際、光の照射量の調整や波長の選択、
また紫外線吸収剤の利用により、中心軸から周囲にかけ
て放物線状に屈折率が減少する分布のＧＩ型光ファイバ
ーを形成することができる。以上述べた、ファイバーの
延伸装置、放射線照射装置、加熱装置は連続した工程と
することができる。これにより連続してＧＩ型光ファイ
バーなどを製造することが可能である。At this time, adjustment of light irradiation amount, selection of wavelength,
Also, by using an ultraviolet absorber, a GI optical fiber having a distribution in which the refractive index decreases in a parabolic manner from the central axis to the periphery can be formed. The above-described fiber drawing device, radiation irradiation device, and heating device can be a continuous process. This makes it possible to continuously manufacture GI optical fibers and the like.

【０２３４】＜レンズの形成方法＞本発明のレンズは適
宜の方法で形成することができるが、例えば以下の方法
によることができる。<Method of Forming Lens> The lens of the present invention can be formed by an appropriate method. For example, the following method can be used.

【０２３５】凹レンズ能を持つＧＲＩＮレンズの形成
方法 レンズの形成に用いる感光性屈折率変化性組成物は、適
当な溶媒に溶解させた状態で使用することができる。こ
のとき使用する溶媒としては、沸点が５０℃〜２００℃
の溶媒を使用することができ、溶液中の固形分濃度は５
０〜８０％とすることができる。この溶液をホットプレ
ス等により所望の形状の円板状に成形する。次いで、円
板の中心部の露光量が大きく、円周部に行くに連れて露
光量が減少するように光照射を行い、その後露光後ベー
クを施すことにより、凹レンズ能を持つＧＲＩＮレンズ
を形成することができる。このときの照射装置は、例え
ば図１に示すようなものを用いることができる。図１の
照射装置は、円板状の試料１の前に開閉自在な絞り２を
取り付け、上記光源の平行光のみを絞り２を閉めた状態
から徐々に開きながら照射を行い、１秒〜５分間で完全
に絞り２が開放されるようにシャッター速度を調節する
ことにより、前記の露光状態を実現するものである。露
光後ベークの加熱条件としては、５０〜２００℃にて１
秒〜３０分程度を採用することができる。 Formation of GRIN lens having concave lens ability
Method The photosensitive refractive index changing composition used for forming the lens can be used after being dissolved in an appropriate solvent. The solvent used at this time has a boiling point of 50 ° C to 200 ° C.
Solvent can be used, and the solid concentration in the solution is 5
It can be 0 to 80%. This solution is formed into a disk having a desired shape by hot pressing or the like. Next, a GRIN lens having concave lens capability is formed by irradiating light so that the exposure amount at the center of the disk is large and the exposure amount decreases toward the circumference, and then baked after exposure. can do. At this time, for example, the irradiation device shown in FIG. 1 can be used. The irradiation apparatus shown in FIG. 1 is provided with an openable / closable stop 2 in front of a disk-shaped sample 1, and irradiates only parallel light of the light source while gradually opening the stop 2 with the stop 2 closed. The above-described exposure state is realized by adjusting the shutter speed so that the aperture 2 is completely opened in a minute. The heating conditions for the post-exposure bake are as follows:
Seconds to about 30 minutes can be employed.

【０２３６】凸レンズ能を持つＧＲＩＮレンズの形成
方法 上記と同様の円板状の試料に対し、円板の円周部の露
光量が大きく、中心部に行くにつれて露光量が少なくな
るように光照射を行った後、露光後ベークをすることに
より、凸レンズ能を有するＧＲＩＮレンズを得ることが
できる。このような露光状態は、例えば円筒上下部を遮
光した状態で、側面からのみ光が均一に入射するように
すれば実現できる。側面からの均一な光照射には、光フ
ァイバーや反射板等を利用することができる。露光後ベ
ークは、上記と同様の条件を採用することができる。 Formation of GRIN lens having convex lens ability
To a method similar to the above disc-shaped sample, a large amount of exposure circumference of the disc, after the light irradiation so that the exposure amount decreases as goes to the center, to a post-exposure bake Thereby, a GRIN lens having a convex lens ability can be obtained. Such an exposure state can be realized, for example, in a state where the upper and lower portions of the cylinder are shielded from light and light is uniformly incident only from the side surfaces. For uniform light irradiation from the side, an optical fiber, a reflection plate, or the like can be used. For the post-exposure bake, the same conditions as described above can be employed.

【０２３７】＜光導波路の形成方法＞本発明の光導波路
は適宜の方法で形成することができるが、例えば以下の
方法によることができる。光導波路を形成するための感
光性屈折率変化性組成物は、適当な溶媒に溶解させた状
態で使用することができる（Ａ液）。このとき使用する
溶媒としては、沸点が５０℃〜２００℃の溶媒を使用す
ることができ、溶液中の固形分濃度は２０〜６０％とす
ることができる。この溶液とは別に、（Ｂ）成分に熱酸
発生剤および／または光酸発生剤を加えた組成物溶液を
調整する（Ｂ液）。この溶液中の固形分濃度は２０〜６
０％とすることができ、溶媒としては沸点が５０℃〜２
００℃程度のものを使用できる。<Method of Forming Optical Waveguide> The optical waveguide of the present invention can be formed by an appropriate method. For example, the following method can be used. The photosensitive refractive index changing composition for forming the optical waveguide can be used after being dissolved in a suitable solvent (Solution A). As the solvent used at this time, a solvent having a boiling point of 50 ° C to 200 ° C can be used, and the solid concentration in the solution can be 20 to 60%. Separately from this solution, a composition solution is prepared by adding a thermal acid generator and / or a photoacid generator to the component (B) (Solution B). The solid concentration in this solution is 20-6.
0%, and the solvent has a boiling point of 50 ° C to 2 ° C.
Those having a temperature of about 00 ° C. can be used.

【０２３８】まずシリコンやガラスなどの適宜の基板上
に、Ｂ液を塗布し、溶媒を除去することにより、厚み１
〜５０μｍ程度の塗膜を形成する。この塗膜が、下部ク
ラッド層となる。このときの塗布方法としては、スピン
コータやスリットコータ等の適宜の方法が採用でき、溶
媒除去の条件としては、５０℃〜１５０℃で１分〜３０
分程度の加熱を行うことができる。First, a liquid B is applied onto an appropriate substrate such as silicon or glass, and the solvent is removed to obtain a film having a thickness of 1%.
A coating film of about 50 μm is formed. This coating film becomes the lower cladding layer. As a coating method at this time, an appropriate method such as a spin coater or a slit coater can be employed.
Heating for about a minute can be performed.

【０２３９】次に、Ａ液を上記で形成した下部クラッド
層の上に塗布、溶媒を除去し、厚み１〜５０μｍ程度の
中間層を形成する。塗布方法および溶媒除去の条件とし
ては、上記と同様とすることができる。次いで、導波路
のパターンがコア部分において遮光されたフォトマスク
を用いて、光を照射した後、露光後ベークを実施する。
この際に、未露光部がコア部分となり、露光部が側部ク
ラッド層となる。露光後ベークの条件としては、５０℃
〜２００℃で１秒〜３０分程度とすることができる。Next, the solution A is applied on the lower clad layer formed as described above, and the solvent is removed to form an intermediate layer having a thickness of about 1 to 50 μm. The application method and the conditions for removing the solvent can be the same as described above. Next, after irradiating with light using a photomask in which the pattern of the waveguide is shielded at the core portion, post-exposure bake is performed.
At this time, the unexposed portion becomes the core portion, and the exposed portion becomes the side clad layer. The condition of the post-exposure bake is 50 ° C.
The temperature can be set at about 200 ° C. for about 1 second to 30 minutes.

【０２４０】この上に次いで再度Ｂ液を塗布、溶媒を除
去し、厚み１〜５０μｍ程度の上部クラッド層を形成す
ることで光導波路を形成することができる。ここで得ら
れた光導波路は、上部、下部に熱酸発生剤を含ませてあ
るため、コア層と上下のクラッド層の界面は若干発生し
た酸の拡散が生じる。これにより上部、側部、下部とも
コア層とクラッド層との界面は屈折率が徐々に変化する
構造を取ることができ、得られる光導波路はＧＩ型とな
る。The optical waveguide can be formed by applying the solution B again thereon, removing the solvent, and forming an upper clad layer having a thickness of about 1 to 50 μm. Since the optical waveguide obtained here contains a thermal acid generator in the upper part and the lower part, the generated acid slightly diffuses at the interface between the core layer and the upper and lower clad layers. Thereby, the interface between the core layer and the clad layer can have a structure in which the refractive index changes gradually in the upper, side and lower portions, and the obtained optical waveguide is of the GI type.

【０２４１】＜記録媒体の形成方法＞本発明の記録媒体
は適宜の方法で形成することができるが、例えば以下の
方法によることができる。記録媒体を形成するための感
光性屈折率変化性組成物は、適当な溶媒に溶解させた状
態で使用することができるこのとき使用する溶媒として
は、沸点が５０℃〜２００℃の溶媒を使用することがで
き、溶液中の固形分濃度は５〜５０％とすることができ
る。<Method of Forming Recording Medium> The recording medium of the present invention can be formed by an appropriate method. For example, the following method can be used. The photosensitive refractive index changing composition for forming the recording medium can be used in a state of being dissolved in an appropriate solvent. As the solvent used at this time, a solvent having a boiling point of 50 ° C to 200 ° C is used. The solid concentration in the solution can be 5 to 50%.

【０２４２】この溶液を、アルミ等の適当な金属を６０
ｎｍ程度の厚みで堆積した、平坦なプラスチック等の基
板上に塗布、溶媒を除去して厚さ０．１〜１０μｍ程度
の塗膜を形成する。このときの塗布方法としては、スピ
ンコータやスリットコータ等の適宜の方法を使用するこ
とができ、溶媒除去に当たっては、５０℃〜１５０℃で
１分〜３０分程度の加熱によることができる。その後、
ピッチ幅０．２μｍ〜０．５μｍ程度でトラックピッチ
１．６μｍのフォトマスクを介し、光を照射した後、露
光後ベークを実施することにより、光記録媒体を形成す
ることができる。このときの露光後ベークの条件として
は、例えば５０℃〜２００℃で１秒〜３０分とすること
ができる。This solution was prepared by adding a suitable metal such as aluminum to 60
A coating film having a thickness of about 0.1 to 10 μm is formed on a flat plastic or other substrate deposited with a thickness of about nm by coating and removing the solvent. As a coating method at this time, an appropriate method such as a spin coater or a slit coater can be used, and the solvent can be removed by heating at 50 ° C. to 150 ° C. for about 1 minute to 30 minutes. afterwards,
An optical recording medium can be formed by irradiating light through a photomask having a pitch width of about 0.2 μm to 0.5 μm and a track pitch of 1.6 μm, and then performing a post-exposure bake. The conditions for the post-exposure bake at this time may be, for example, 50 ° C. to 200 ° C. for 1 second to 30 minutes.

【０２４３】＜回折格子の形成方法＞本発明の回折格子
は適宜の方法で形成することができるが、例えば以下の
方法によることができる。回折格子を形成するための感
光性屈折率変化性組成物は、適当な溶媒に溶解させた状
態で使用することができる。このとき使用する溶媒とし
ては、沸点が５０℃〜２００℃の溶媒を使用することが
でき、溶液中の固形分濃度は２０〜６０％とすることが
できる。<Method of Forming Diffraction Grating> The diffraction grating of the present invention can be formed by an appropriate method. For example, the following method can be used. The photosensitive refractive index changing composition for forming the diffraction grating can be used after being dissolved in an appropriate solvent. As the solvent used at this time, a solvent having a boiling point of 50 ° C to 200 ° C can be used, and the solid concentration in the solution can be 20 to 60%.

【０２４４】この溶液をガラス等適宜の基板の表面上に
塗布、溶媒を除去して厚み１〜５０μｍ程度の薄膜を形
成した。塗布方法としては、スピンコータやスリットコ
ータ等適宜の方法を採用することができ、溶媒の除去方
法としては、５０℃〜１５０℃で１分〜３０分程度の加
熱によることができる。This solution was applied on the surface of an appropriate substrate such as glass, and the solvent was removed to form a thin film having a thickness of about 1 to 50 μm. An appropriate method such as a spin coater or a slit coater can be adopted as a coating method, and a method of removing the solvent can be heating at 50 ° C. to 150 ° C. for about 1 minute to 30 minutes.

【０２４５】この塗膜に光をスリット状に照射したの
ち、露光後ベークすることにより、回折格子を形成する
ことができる。スリット状の光を照射する方法として
は、例えば図２に示すような方法を使用することができ
る。図２は、平行の照射光を斜めに置いた反射板で反射
させてフィルム状の塗膜に照射する方法を示している。
塗膜には直接光と反射光から形成される干渉パターンが
照射されることになる。照射とともに図の矢印方向に
０．１〜１００μｍ／ｍｉｎ程度の速度で試料を移動さ
せることにより、結果として０．３μｍ以上で任意の周
期を持つ回折格子を形成することができる。この方法に
よると、緻密な屈折率分布を与えることができる。After irradiating the coating film with light in the form of slits and baking after exposure, a diffraction grating can be formed. As a method of irradiating slit-shaped light, for example, a method as shown in FIG. 2 can be used. FIG. 2 shows a method of irradiating a parallel coating light on a film-like coating film by reflecting the light with an obliquely placed reflector.
The coating film is irradiated with an interference pattern formed from direct light and reflected light. By moving the sample at a speed of about 0.1 to 100 μm / min in the direction of the arrow in FIG. According to this method, a dense refractive index distribution can be provided.

【０２４６】スリット状の光を照射する別の方法とし
て、上記と同様に形成した塗膜に、複数の放射線を異な
る方向から照射し干渉させる方法や、スリットを介して
光を照射する方法などを用いることもできる。いずれの
方法も光の照射角度や鏡の角度を変化させることによ
り、所望の周期を有する回折格子を形成することが可能
となる。上記露光後ベークの条件としては、例えば５０
℃〜２００℃で１秒〜３０分の加熱を行うことができ
る。Other methods of irradiating slit-like light include a method of irradiating a coating film formed in the same manner as described above with a plurality of radiations from different directions to cause interference, and a method of irradiating light through a slit. It can also be used. In any method, a diffraction grating having a desired period can be formed by changing the light irradiation angle and the angle of the mirror. The condition of the post-exposure bake is, for example, 50
The heating can be performed at a temperature of from 200C to 200C for 1 second to 30 minutes.

【０２４７】＜ホログラム素子の形成方法＞本発明のホ
ログラム素子は適宜の方法で形成することができるが、
例えば以下の方法によることができる。ホログラム素子
を形成するための感光性屈折率変化性組成物は、適当な
溶媒に溶解させた状態で使用することができる。このと
き使用する溶媒としては、沸点が５０℃〜２００℃の溶
媒を使用することができ、溶液中の固形分濃度は２０〜
６０％とすることができる。<Method of Forming Hologram Element> The hologram element of the present invention can be formed by an appropriate method.
For example, the following method can be used. The photosensitive refractive index changing composition for forming the hologram element can be used after being dissolved in an appropriate solvent. As the solvent used at this time, a solvent having a boiling point of 50 ° C to 200 ° C can be used, and the solid concentration in the solution is 20 to
It can be 60%.

【０２４８】この溶液をガラス等適宜の基板の表面上に
塗布、溶媒を除去して厚み１〜５０μｍ程度の薄膜を形
成した。塗布方法としては、スピンコータやスリットコ
ータ等適宜の方法を採用することができ、溶媒の除去方
法としては、５０℃〜１５０℃で１分〜３０分程度の加
熱によることができる。この塗膜に干渉パターンを照射
した後、露光後ベークを行うことにより、ホログラフィ
ー技術における記録媒体（ホログラム）とすることがで
きる。すなわち記録したい物体を透過させた信号光と、
同じ光源から直接得られた参照光を干渉させて塗膜に照
射し、屈折率を変化させることにより物体の像を塗膜に
記録できる。上記露光後ベークの条件としては、例えば
５０℃〜２００℃で１秒〜３０分の加熱を行うことがで
きる。This solution was applied on the surface of an appropriate substrate such as glass, and the solvent was removed to form a thin film having a thickness of about 1 to 50 μm. An appropriate method such as a spin coater or a slit coater can be adopted as a coating method, and a method of removing the solvent can be heating at 50 ° C. to 150 ° C. for about 1 minute to 30 minutes. By irradiating the coating film with an interference pattern and then performing post-exposure baking, a recording medium (hologram) in holographic technology can be obtained. That is, the signal light transmitted through the object to be recorded,
An image of an object can be recorded on the coating film by irradiating the coating film with interference with reference light obtained directly from the same light source and changing the refractive index. As the conditions for the post-exposure bake, for example, heating at 50 ° C. to 200 ° C. for 1 second to 30 minutes can be performed.

【０２４９】[0249]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。また、以下
において、重合体のポリスチレン換算重量平均分子量
は、昭和電工（株）製のＧＰＣクロマトグラフＳＹＳＴ
ＥＭ−２１を用いて測定した。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited to these. In the following, the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer is determined by using a GPC chromatograph SYST manufactured by Showa Denko KK
It was measured using EM-21.

【０２５０】（Ａ）成分の合成例 合成例１ １Ｌのフラスコに単量体としてｏ−フタルアルデヒド５
０重量部とテトラヒドロフラン５００重量部を、窒素置
換した反応容器に仕込み、−７８℃に冷却した。これ
に、ｎ−ブチルリチウム（１．５モル／ｌ）のｎ−ヘキ
サン溶液１．０重量部を加え、窒素雰囲気下において−
７８℃で４８時間冷却下で撹拌した。得られた反応溶液
に無水酢酸０．８重量部とピリジン０．６重量部を冷却
した状態で加え、引き続き−７８℃で２時間攪拌を行っ
た。反応液を減圧下、６０℃の加熱により１００ｍｌに
濃縮後、５Ｌのイオン交換水に１０分間で投入した。析
出物をテトラヒドロフラン５０重量部で再溶解させ、５
Ｌのイオン交換水で再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を
行い４５重量部の化合物（Ａ−１）を得た。得られた化
合物の重量平均分子量は２６，０００であった。 (Synthesis Example of Component (A)) Synthesis Example 1 o-phthalaldehyde 5 was used as a monomer in a 1 L flask.
0 parts by weight and 500 parts by weight of tetrahydrofuran were charged into a reaction vessel purged with nitrogen, and cooled to -78 ° C. To this, 1.0 part by weight of an n-hexane solution of n-butyllithium (1.5 mol / l) was added, and under a nitrogen atmosphere,
The mixture was stirred at 78 ° C for 48 hours under cooling. To the obtained reaction solution, 0.8 parts by weight of acetic anhydride and 0.6 parts by weight of pyridine were added in a cooled state, followed by stirring at −78 ° C. for 2 hours. The reaction solution was concentrated to 100 ml by heating at 60 ° C. under reduced pressure, and then poured into 5 L of ion-exchanged water for 10 minutes. The precipitate was redissolved in 50 parts by weight of tetrahydrofuran,
The precipitate was purified by reprecipitation with L of ion-exchanged water and vacuum dried at 50 ° C. to obtain 45 parts by weight of a compound (A-1). The weight average molecular weight of the obtained compound was 26,000.

【０２５１】合成例２ １Ｌのフラスコに単量体としてｏ−フタルアルデヒド４
５重量部とベンズアルデヒド５重量部、およびテトラヒ
ドロフラン５００重量部を、窒素置換した反応容器に仕
込み、−７８℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウ
ム（１．５モル／ｌ）のｎ−ヘキサン溶液１．０重量部
を加え、窒素雰囲気下において−７８℃で４８時間冷却
下で撹拌した。得られた反応溶液に無水酢酸０．８重量
部とピリジン０．６重量部を冷却した状態で加え、引き
続き−７８℃で２時間攪拌を行った。反応液を減圧下、
６０℃の加熱により全量を１００ｍｌに濃縮後、５Ｌの
イオン交換水に１０分間で連続的に投入した。析出物を
テトラヒドロフラン５０重量部で再溶解させ、５Ｌのイ
オン交換水で再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い４
３重量部の化合物（Ａ−２）を得た。得られた化合物の
重量平均分子量は１５，０００であった。Synthesis Example 2 o-phthalaldehyde 4 as a monomer in a 1 L flask
5 parts by weight, 5 parts by weight of benzaldehyde, and 500 parts by weight of tetrahydrofuran were charged into a reaction vessel purged with nitrogen, and cooled to -78 ° C. To this, 1.0 part by weight of an n-hexane solution of n-butyllithium (1.5 mol / l) was added, and the mixture was stirred under cooling at −78 ° C. for 48 hours under a nitrogen atmosphere. To the obtained reaction solution, 0.8 parts by weight of acetic anhydride and 0.6 parts by weight of pyridine were added in a cooled state, followed by stirring at −78 ° C. for 2 hours. The reaction solution is placed under reduced pressure,
The mixture was concentrated to 100 ml by heating at 60 ° C., and then continuously added to 5 L of ion-exchanged water for 10 minutes. The precipitate was redissolved in 50 parts by weight of tetrahydrofuran, purified by reprecipitation with 5 L of ion-exchanged water, and dried in vacuum at 50 ° C.
3 parts by weight of the compound (A-2) were obtained. The weight average molecular weight of the obtained compound was 15,000.

【０２５２】合成例３ １Ｌのフラスコに単量体としてｏ−フタルアルデヒド４
５重量部とグルタルアルデヒド ５重量部、およびテト
ラヒドロフラン５００重量部を、窒素置換した反応容器
に仕込み、−７８℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリ
チウム（１．５モル／ｌ）のｎ−ヘキサン溶液１．０重
量部を加え、窒素雰囲気下において−７８℃で４８時間
冷却下で撹拌した。得られた反応溶液に無水酢酸０．８
重量部とピリジン０．６重量部を冷却した状態で加え、
引き続き−７８℃で２時間攪拌を行った。反応液を減圧
下、６０℃の加熱により全量を１００ｍｌに濃縮後、５
Ｌのイオン交換水に１０分間で連続的に投入した。析出
物をテトラヒドロフラン５０重量部で再溶解させ、５Ｌ
のイオン交換水で再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行
い４５重量部の化合物（Ａ−３）を得た。得られた化合
物の重量平均分子量は２０，０００であった。Synthesis Example 3 o-phthalaldehyde 4 as a monomer in a 1 L flask
5 parts by weight, 5 parts by weight of glutaraldehyde, and 500 parts by weight of tetrahydrofuran were charged into a reaction vessel purged with nitrogen, and cooled to -78 ° C. To this, 1.0 part by weight of an n-hexane solution of n-butyllithium (1.5 mol / l) was added, and the mixture was stirred under cooling at −78 ° C. for 48 hours under a nitrogen atmosphere. Acetic anhydride 0.8 was added to the obtained reaction solution.
Parts by weight and 0.6 parts by weight of pyridine are added in a cooled state,
Subsequently, the mixture was stirred at -78 ° C for 2 hours. The reaction solution was concentrated under reduced pressure by heating at 60 ° C. to a total volume of 100 ml, and then concentrated.
It was continuously charged into L ion-exchanged water for 10 minutes. The precipitate was redissolved in 50 parts by weight of tetrahydrofuran, and 5 L
Was purified by reprecipitation with ion-exchanged water, and vacuum dried at 50 ° C. to obtain 45 parts by weight of a compound (A-3). The weight average molecular weight of the obtained compound was 20,000.

【０２５３】合成例４ １Ｌのフラスコに単量体として４−クロロ−ｏ−フタル
アルデヒド２５重量部と塩化メチレン５００重量部を、
窒素置換した反応容器に仕込み、−７８℃に冷却した。
これに、三フッ化ホウ素エーテル錯体０．１重量部を加
え、窒素雰囲気下において−７８℃で４８時間冷却下で
撹拌した。得られた反応溶液に無水酢酸０．８重量部と
ピリジン０．６重量部を冷却した状態で加え、引き続き
−７８℃で２時間攪拌を行った。反応液を減圧下、６０
℃の加熱により全量を５０ｍｌに濃縮後、３Ｌのイオン
交換水に５分間で連続的に投入した。析出物をテトラヒ
ドロフラン３０重量部で再溶解させ、３Ｌのイオン交換
水で再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い４６重量部
の化合物（Ａ−４）を得た。得られた化合物の重量平均
分子量は４８，０００であった。Synthesis Example 4 25 parts by weight of 4-chloro-o-phthalaldehyde and 500 parts by weight of methylene chloride as monomers were placed in a 1 L flask.
The reaction vessel was charged with nitrogen and cooled to -78 ° C.
To this, 0.1 part by weight of a boron trifluoride etherate was added, and the mixture was stirred under cooling at −78 ° C. for 48 hours under a nitrogen atmosphere. To the obtained reaction solution, 0.8 parts by weight of acetic anhydride and 0.6 parts by weight of pyridine were added in a cooled state, followed by stirring at −78 ° C. for 2 hours. The reaction solution was reduced pressure to 60
The mixture was concentrated to a total volume of 50 ml by heating at 50 ° C., and then continuously added to 3 L of ion-exchanged water for 5 minutes. The precipitate was redissolved in 30 parts by weight of tetrahydrofuran, purified by reprecipitation with 3 L of ion-exchanged water, and vacuum-dried at 50 ° C. to obtain 46 parts by weight of compound (A-4). The weight average molecular weight of the obtained compound was 48,000.

【０２５４】合成例５ １Ｌのフラスコに単量体として４−ブロモ−ｏ−フタル
アルデヒド２５重量部と塩化メチレン５００重量部を、
窒素置換した反応容器に仕込み、−７８℃に冷却した。
これに、三フッ化ホウ素エーテル錯体０．１重量部を加
え、窒素雰囲気下において−７８℃で４８時間冷却下で
撹拌した。得られた反応溶液に無水酢酸０．８重量部と
ピリジン０．６重量部を冷却した状態で加え、引き続き
−７８℃で２時間攪拌を行った。反応液を減圧下、６０
℃の加熱により全量を５０ｍｌに濃縮後、３Ｌのイオン
交換水に５分間で連続的に投入した。析出物をテトラヒ
ドロフラン３０重量部で再溶解させ、３Ｌのイオン交換
水で再沈精製し、５０℃にて真空乾燥を行い４７重量部
の化合物（Ａ−５）を得た。得られた化合物の重量平均
分子量は５３，０００であった。Synthesis Example 5 A 1 L flask was charged with 25 parts by weight of 4-bromo-o-phthalaldehyde and 500 parts by weight of methylene chloride as monomers.
The reaction vessel was charged with nitrogen and cooled to -78 ° C.
To this, 0.1 part by weight of a boron trifluoride etherate was added, and the mixture was stirred under cooling at −78 ° C. for 48 hours under a nitrogen atmosphere. To the obtained reaction solution, 0.8 parts by weight of acetic anhydride and 0.6 parts by weight of pyridine were added in a cooled state, followed by stirring at −78 ° C. for 2 hours. The reaction solution was reduced pressure to 60
The mixture was concentrated to a total volume of 50 ml by heating at 50 ° C., and then continuously added to 3 L of ion-exchanged water for 5 minutes. The precipitate was redissolved in 30 parts by weight of tetrahydrofuran, purified by reprecipitation with 3 L of ion-exchanged water, and vacuum-dried at 50 ° C. to obtain 47 parts by weight of compound (A-5). The weight average molecular weight of the obtained compound was 53,000.

【０２５５】合成例６ １Ｌのフラスコに単量体としてｏ−フタルアルデヒド５
０部、およびテトラヒドロフラン５００部を、窒素置換
した反応容器に仕込み、−７８℃に冷却した。これに、
ｎ−ブチルリチウム（１．５モル／ｌ）のｎ−ヘキサン
溶液 ０．２部を加え、窒素雰囲気下において−７８℃
で４８時間冷却下で撹拌した。得られた反応溶液に無水
酢酸０．８重量部とピリジン０．６重量部を冷却した状
態で加え、引き続き−７８℃で２時間攪拌を行った。反
応液を減圧下、６０℃の加熱により全量を１００ｍｌに
濃縮後、５Ｌのイオン交換水に１０分間で連続的に投入
した。析出物をテトラヒドロフラン５０重量部で再溶解
させ、５Ｌのイオン交換水で再沈精製し、５０℃にて真
空乾燥を行い４５ｇの化合物（Ａ−６）を得た。得られ
た化合物の重量平均分子量は１１０，０００であった。Synthesis Example 6 o-phthalaldehyde 5 was used as a monomer in a 1 L flask.
0 parts and 500 parts of tetrahydrofuran were charged into a reaction vessel purged with nitrogen, and cooled to -78 ° C. to this,
0.2 parts of an n-hexane solution of n-butyllithium (1.5 mol / l) was added, and the mixture was added at -78 ° C under a nitrogen atmosphere.
For 48 hours under cooling. To the obtained reaction solution, 0.8 parts by weight of acetic anhydride and 0.6 parts by weight of pyridine were added in a cooled state, followed by stirring at −78 ° C. for 2 hours. The reaction solution was concentrated under reduced pressure by heating at 60 ° C. to a total volume of 100 ml, and then continuously added to 5 L of ion exchanged water for 10 minutes. The precipitate was redissolved in 50 parts by weight of tetrahydrofuran, purified by reprecipitation with 5 L of ion-exchanged water, and dried in vacuo at 50 ° C. to obtain 45 g of a compound (A-6). The weight average molecular weight of the obtained compound was 110,000.

【０２５６】合成例７ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコに１，
４−ベンゼンチオール３３．０５ｇと１，４−ジ（２−
ニトロビニル）ベンゼン６６．０６ｇをＮ−メチルピロ
リドン１００ｇに溶解させた。これに、Ｎ−メチルモル
ホリン１．５５ｇをＮ−メチルピロリドン１０ｇに溶解
させた溶液を、攪拌しながら氷冷下で１時間かけて投入
した。投入終了後、反応液を室温で放置し、２４時間か
けて重合を行った。重合終了後、テトラヒドロフラン−
メタノールで２度再沈精製を行った。析出した重合体を
ろ別後、５０℃にて真空乾燥を行い７２．８０ｇの化合
物（Ａ−７）を得た。得られた化合物の重量平均分子量
は５，８００であった。Synthesis Example 7 A 500 ml three-necked flask was charged with 1, under an argon atmosphere.
33.05 g of 4-benzenethiol and 1,4-di (2-
(Nitrovinyl) benzene 66.06 g was dissolved in N-methylpyrrolidone 100 g. A solution in which 1.55 g of N-methylmorpholine was dissolved in 10 g of N-methylpyrrolidone was added thereto over 1 hour under ice cooling with stirring. After completion of the charging, the reaction solution was left at room temperature, and polymerization was performed over 24 hours. After the polymerization, tetrahydrofuran
The precipitate was purified twice with methanol. After the precipitated polymer was separated by filtration, vacuum drying was performed at 50 ° C. to obtain 72.80 g of a compound (A-7). The weight average molecular weight of the obtained compound was 5,800.

【０２５７】合成例８ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコにテレ
フタル酸クロリド４９．８４ｇを１５０ｍｌのクロロホ
ルムに溶解させ、そこに１，４−ベンゼンチオール３
３．０５ｇと水酸化カリウム１６．８３ｇを１５０ｍｌ
のイオン交換水に溶解させたものを加えて攪拌し界面重
縮合を行った。反応を６時間行ったあと、テトラヒドロ
フラン−メタノールで２度再沈精製を行った。析出した
重合体をろ別後、５０℃にて真空乾燥を行い６１．２８
ｇの化合物（Ａ−８）を得た。得られた化合物の重量平
均分子量は２７，６００であった。Synthesis Example 8 In a 500 ml three-necked flask, 49.84 g of terephthalic acid chloride was dissolved in 150 ml of chloroform under an argon atmosphere, and 1,4-benzenethiol 3 was added thereto.
150 ml of 3.05 g and 16.83 g of potassium hydroxide
Was dissolved in ion-exchanged water, and the mixture was stirred to perform interfacial polycondensation. After performing the reaction for 6 hours, reprecipitation purification was performed twice with tetrahydrofuran-methanol. After the precipitated polymer was separated by filtration, the polymer was vacuum-dried at 50 ° C.
g of compound (A-8) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained compound was 27,600.

【０２５８】合成例９ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコに１，
４−ベンゼンチオール３３．０５ｇとｐ−フェニレンジ
イソシアネート４８．０４ｇおよび触媒としてジブチル
チンジクロリド０．１２ｇをジメチルスルホキシド２０
０ｇに溶解させた。投入終了後、反応液を６０℃になる
ように加熱し、２４時間かけて重合を行った。重合終了
後、テトラヒドロフラン−メタノールで２度再沈精製を
行った。析出した重合体をろ別後、５０℃にて真空乾燥
を行い６６．５０ｇの化合物（Ａ−９）を得た。得られ
た化合物の重量平均分子量は１５，０００であった。Synthesis Example 9 1, 500 ml of a three-necked flask was placed under an argon atmosphere.
33.05 g of 4-benzenethiol, 48.04 g of p-phenylene diisocyanate and 0.12 g of dibutyltin dichloride as a catalyst were added to dimethyl sulfoxide 20.
0 g was dissolved. After completion of the charging, the reaction solution was heated to 60 ° C., and polymerization was performed for 24 hours. After completion of the polymerization, reprecipitation purification was performed twice with tetrahydrofuran-methanol. After the precipitated polymer was separated by filtration, vacuum drying was performed at 50 ° C. to obtain 66.50 g of a compound (A-9). The weight average molecular weight of the obtained compound was 15,000.

【０２５９】合成例１０ アルゴン雰囲気下で１Ｌの三つ口フラスコに４−ニトロ
−１，３−フェニリレンジクロロホルメート９２．４２
ｇを４００ｍｌのクロロホルムに溶解させ、そこに１，
４−ベンゼンチオール３３．０５ｇと水酸化カリウム１
６．８３ｇを２００ｍｌのイオン交換水に溶解させたも
のを加えて攪拌し界面重縮合を行った。反応を６時間行
ったあと、テトラヒドロフラン−メタノールで２度再沈
精製を行った。析出した重合体をろ別後、５０℃にて真
空乾燥を行い８３．６１ｇの化合物（Ａ−１０）を得
た。得られた化合物の重量平均分子量は３２，０００で
あった。Synthesis Example 10 In a 1 L three-necked flask, 4-nitro-1,3-phenylene dichloroformate 92.42 was placed in an argon atmosphere.
g in 400 ml of chloroform.
33.05 g of 4-benzenethiol and potassium hydroxide 1
A solution obtained by dissolving 6.83 g in 200 ml of ion-exchanged water was added and stirred to perform interfacial polycondensation. After performing the reaction for 6 hours, reprecipitation purification was performed twice with tetrahydrofuran-methanol. After the precipitated polymer was separated by filtration, vacuum drying was performed at 50 ° C. to obtain 83.61 g of a compound (A-10). The weight average molecular weight of the obtained compound was 32,000.

【０２６０】合成例１１ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコにテレ
フタル酸４９．８４ｇとフェニルメチルジクロロシラン
５７．３４ｇをＮ−メチルピロリドン２００ｇに溶解さ
せた。これに、ピリジン２３．７３ｇをＮ−メチルピロ
リドン５０ｇに溶解させた溶液を、攪拌しながら氷冷下
で１時間かけて投入した。投入終了後、反応液を６０℃
に加熱し、２４時間かけて重合を行った。重合終了後、
反応液を２Ｌのメタノールに注ぎ込んで沈殿させ、再度
２００ｍｌのＮ−メチルピロリドンに溶解させ２Ｌのメ
タノールに投入して再沈精製を行った。析出した重合体
をろ別後、５０℃にて真空乾燥を行い７０．８０ｇの化
合物（Ａ−１１）を得た。得られた化合物の重量平均分
子量は２６，０００であった。Synthesis Example 11 In a 500-ml three-necked flask, 49.84 g of terephthalic acid and 57.34 g of phenylmethyldichlorosilane were dissolved in 200 g of N-methylpyrrolidone under an argon atmosphere. A solution prepared by dissolving 23.73 g of pyridine in 50 g of N-methylpyrrolidone was added thereto with stirring over 1 hour under ice cooling. After completion of the charging, the reaction solution is heated to 60 ° C.
And polymerized for 24 hours. After polymerization,
The reaction solution was poured into 2 L of methanol for precipitation, dissolved again in 200 ml of N-methylpyrrolidone, and poured into 2 L of methanol for reprecipitation purification. After the precipitated polymer was separated by filtration, vacuum drying was performed at 50 ° C. to obtain 70.80 g of a compound (A-11). The weight average molecular weight of the obtained compound was 26,000.

【０２６１】合成例１２ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコにベン
ズアルデヒドジメチルアセタール４５．６６ｇ、メトキ
シハイドロキノン４２．０４ｇをジエチレングリコール
エチルメチルエーテル１００ｇに溶解させた。ここにｐ
−トルエンスルホン酸０．０６ｇをジエチレングリコー
ルエチルメチルエーテル１０ｇに溶解させて添加し、攪
拌しながら１００℃で８時間、次いで１３０℃で１時間
重合を行った。このとき、反応により生じたメタノール
は、減圧下で留去しながら重合を行った。重合終了後、
反応液を２Ｌのメタノールに注ぎ込んで沈殿させ、再度
１００ｍｌのジエチレングリコールエチルメチルエーテ
ルに溶解させ２Ｌのメタノールに投入して再沈精製を行
った。析出した重合体をろ別後、５０℃にて真空乾燥を
行い４７．９３ｇの化合物（Ａ−１２）を得た。得られ
た化合物の重量平均分子量は５，８００であった。Synthesis Example 12 Benzaldehyde dimethyl acetal (45.66 g) and methoxyhydroquinone (42.04 g) were dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether (100 g) in a 500 ml three-necked flask under an argon atmosphere. Where p
-0.06 g of toluenesulfonic acid was dissolved in 10 g of diethylene glycol ethyl methyl ether and added, and polymerization was carried out at 100 ° C for 8 hours with stirring and then at 130 ° C for 1 hour. At this time, polymerization was performed while methanol generated by the reaction was distilled off under reduced pressure. After polymerization,
The reaction solution was poured into 2 L of methanol for precipitation, dissolved again in 100 ml of diethylene glycol ethyl methyl ether, and poured into 2 L of methanol for reprecipitation purification. After the precipitated polymer was separated by filtration, vacuum drying was performed at 50 ° C. to obtain 47.93 g of a compound (A-12). The weight average molecular weight of the obtained compound was 5,800.

【０２６２】合成例１３ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコにテレ
フタル酸４９．８４ｇとフェニルメチルジクロロシラン
５７．３４ｇをＮ−メチルピロリドン２００ｇに溶解さ
せた。これに、ピリジン４７．４６ｇをＮ−メチルピロ
リドン５０ｇに溶解させた溶液を、攪拌しながら氷冷下
で１時間かけて投入した。投入終了後、反応液を６０℃
に加熱し、２４時間かけて重合を行った。重合終了後、
反応液を２Ｌのメタノールに注ぎ込んで沈殿させ、再度
２００ｍｌのＮ−メチルピロリドンに溶解させ２Ｌのメ
タノールに投入して再沈精製を行った。析出した重合体
をろ別後、５０℃にて真空乾燥を行い８０．０１ｇの化
合物（Ａ−１３）を得た。得られた化合物の重量平均分
子量は３１，２００であった。Synthesis Example 13 Under an argon atmosphere, 49.84 g of terephthalic acid and 57.34 g of phenylmethyldichlorosilane were dissolved in 200 g of N-methylpyrrolidone in a 500 ml three-necked flask. A solution prepared by dissolving 47.46 g of pyridine in 50 g of N-methylpyrrolidone was added thereto over 1 hour under ice cooling with stirring. After completion of the charging, the reaction solution
And polymerized for 24 hours. After polymerization,
The reaction solution was poured into 2 L of methanol for precipitation, dissolved again in 200 ml of N-methylpyrrolidone, and poured into 2 L of methanol for reprecipitation purification. The precipitated polymer was separated by filtration and dried in a vacuum at 50 ° C. to obtain 80.01 g of a compound (A-13). The weight average molecular weight of the obtained compound was 31,200.

【０２６３】合成例１４ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコにテレ
フタル酸クロリド６１．５１ｇを１５０ｍｌのクロロホ
ルムに溶解させ、そこに１，４−ベンゼンチオール３
３．０５ｇと水酸化カリウム３３．６６ｇを１５０ｍｌ
のイオン交換水に溶解させたものを加えて攪拌し界面重
縮合を行った。反応を６時間行ったあと、テトラヒドロ
フラン−メタノールで２度再沈精製を行った。析出した
重合体をろ別後、５０℃にて真空乾燥を行い７５．９８
ｇの化合物（Ａ−１４）を得た。得られた化合物の重量
平均分子量は３３，６００であった。Synthesis Example 14 In an argon atmosphere, in a 500 ml three-necked flask, 61.51 g of terephthalic acid chloride was dissolved in 150 ml of chloroform, and 1,4-benzenethiol 3
150 ml of 3.05 g and 33.66 g of potassium hydroxide
Was dissolved in ion-exchanged water, and the mixture was stirred to perform interfacial polycondensation. After performing the reaction for 6 hours, reprecipitation purification was performed twice with tetrahydrofuran-methanol. After the precipitated polymer was separated by filtration, it was vacuum-dried at 50 ° C.
g of compound (A-14) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained compound was 33,600.

【０２６４】合成例１５ １Ｌのフラスコに単量体としてｏ−フタルアルデヒド５
０ｇとテトラヒドロフラン５００ｇを、窒素置換した反
応容器に仕込み、−７８℃に冷却した。これに、ｔｅｒ
ｔ−ブトキシカリウム４１．８３ｇを加え、窒素雰囲気
下において−７８℃で４８時間冷却下で撹拌した。得ら
れた反応溶液に無水酢酸４５．６７ｇとピリジン３５．
３８ｇを冷却した状態で加え、引き続き−７８℃で２時
間攪拌を行った。反応液を減圧下、６０℃の加熱により
１００ｍｌに濃縮後、１Ｌの酢酸エチルに溶解させ、イ
オン交換水で３回洗浄を行い、酢酸エチルを濃縮後、５
０℃にて真空乾燥を行い４５ｇの化合物（Ａ−１５）を
得た。得られた化合物（Ａ−１５）は、１Ｈ−ＮＭＲに
おいて、１．２−１．３ｐｐｍのｔｅｒｔ−ブチル基由
来のプロトンと、７．２−７．７ｐｐｍの芳香族由来の
プロトンとの積分比から、開始剤とモノマーの比率が１
対１のものであった。Synthesis Example 15 o-phthalaldehyde 5 as a monomer in a 1 L flask
0 g and 500 g of tetrahydrofuran were charged into a reaction vessel purged with nitrogen, and cooled to -78 ° C. In addition, ter
41.83 g of potassium t-butoxide was added, and the mixture was stirred under cooling at −78 ° C. for 48 hours under a nitrogen atmosphere. 45.67 g of acetic anhydride and 35.35 g of pyridine were added to the obtained reaction solution.
38 g was added in a cooled state, followed by stirring at -78 ° C for 2 hours. The reaction solution was concentrated to 100 ml by heating at 60 ° C. under reduced pressure, dissolved in 1 L of ethyl acetate, washed three times with ion-exchanged water, and concentrated, and then concentrated.
Vacuum drying was performed at 0 ° C. to obtain 45 g of a compound (A-15). In 1H-NMR, the obtained compound (A-15) had an integral ratio of 1.2 to 1.3 ppm of a tert-butyl group-derived proton to 7.2 to 7.7 ppm of an aromatic-based proton. From that the ratio of initiator to monomer is 1
It was one to one.

【０２６５】合成例１６ アルゴン雰囲気下で５００ｍｌの三つ口フラスコにテレ
フタル酸クロリド４９．８４ｇを１５０ｍｌのクロロホ
ルムに溶解させ、そこに１，４−ベンゼンチオール３
３．０５ｇと水酸化カリウム１６．８３ｇを１５０ｍｌ
のイオン交換水に溶解させたものを加えて攪拌し界面重
縮合を行った。反応を４時間行ったあと、テトラヒドロ
フラン−メタノールで２度再沈精製を行った。析出した
化合物をろ別後、５０℃にて真空乾燥を行い５６．５５
ｇの化合物（Ａ−１６）を得た。得られた化合物の重量
平均分子量は７，６００であった。Synthesis Example 16 In an argon atmosphere, 49.84 g of terephthalic acid chloride was dissolved in 150 ml of chloroform in a 500 ml three-necked flask, and 1,4-benzenethiol 3 was added thereto.
150 ml of 3.05 g and 16.83 g of potassium hydroxide
Was dissolved in ion-exchanged water, and the mixture was stirred to perform interfacial polycondensation. After performing the reaction for 4 hours, reprecipitation purification was performed twice with tetrahydrofuran-methanol. After the precipitated compound was separated by filtration, vacuum drying was performed at 50 ° C. to obtain 56.55.
g of compound (A-16) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained compound was 7,600.

【０２６６】（Ｂ）成分の合成例 合成例１ １Ｌの三つ口フラスコにテトラメトキシシラン１５．２
２ｇ、メチルトリメトキシラン２７．２４ｇをエチレン
グリコールエチルメチルエーテル１００ｇに入れて溶解
させ、得られた混合溶液をマグネチックスターラにより
撹拌しながら６０℃に加温した。これに、イオン交換水
５．２０ｇを混合溶液に１時間かけて連続的に添加し
た。そして、６０℃で４時間反応させた後、得られた反
応液を室温まで冷却した。その後、反応副生成物である
メタノール９．２０ｇを反応液から減圧留去した。得ら
れた重合体（Ｂ−１）の溶液の固形分濃度は３３．２％
であり、重合体の重量平均分子量は２，２００であっ
た。 Synthesis Example of Component (B) Synthesis Example 1 In a 1 L three-necked flask, tetramethoxysilane 15.2 was added.
2 g and 27.24 g of methyltrimethoxysilane were dissolved in 100 g of ethylene glycol ethyl methyl ether, and the resulting mixed solution was heated to 60 ° C. while stirring with a magnetic stirrer. To this, 5.20 g of ion-exchanged water was continuously added to the mixed solution over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 4 hours, the obtained reaction solution was cooled to room temperature. Thereafter, 9.20 g of methanol as a reaction by-product was distilled off from the reaction solution under reduced pressure. The solid concentration of the solution of the obtained polymer (B-1) is 33.2%.
And the weight average molecular weight of the polymer was 2,200.

【０２６７】合成例２ 内容積１．５Ｌの電磁撹拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル５００
ｇ、エチルビニルエーテル（ＥＶＥ）５７．２ｇ、ヒド
ロキシブチルビニルエーテル（ＨＢＶＥ）１０．２ｇお
よび過酸化ラウロイル３ｇを仕込み、ドライアイスーメ
タノールで−５０℃まで冷却した後、再度窒素ガスで系
内の酸素を除去した。次いでヘキサフルオロプロピレン
（ＨＦＰ）１４６ｇを仕込み、昇温を開始した。オート
クレーブ内の温度が６０℃に達した時点での圧力は５．
３ｋｇｆ／ｃｍ²を示した。その後、６０℃で２０時間
撹拌下に反応を継続し、圧力が１．５ｋｇｆ／ｃｍ²に
低下した時点でオートクレーブを水冷し、反応を停止さ
せた。室温に達した後、未反応モノマーを放出しオート
クレーブを開放、固形分濃度２８．１％のポリマー溶液
を得た。得られたポリマー溶液をメタノールに投入しポ
リマーを析出させた後、メタノールにて洗浄、５０℃に
て真空乾燥を行い１９３ｇの含フッ素共重合体を得た。
得られた重合体（Ｂ−２）の重量平均分子量は１７，０
００であった。Synthesis Example 2 A stainless autoclave with an electromagnetic stirrer having an internal volume of 1.5 L was sufficiently replaced with nitrogen gas, and then ethyl acetate 500
g, 57.2 g of ethyl vinyl ether (EVE), 10.2 g of hydroxybutyl vinyl ether (HBVE) and 3 g of lauroyl peroxide, cooled to −50 ° C. with dry ice-methanol, and again removed oxygen in the system with nitrogen gas. did. Next, 146 g of hexafluoropropylene (HFP) was charged, and the temperature was raised. When the temperature in the autoclave reaches 60 ° C., the pressure is 5.
3 kgf / cm ² was shown. Thereafter, the reaction was continued under stirring at 60 ° C. for 20 hours, and when the pressure dropped to 1.5 kgf / cm ² , the autoclave was cooled with water to stop the reaction. After reaching room temperature, unreacted monomers were released and the autoclave was opened to obtain a polymer solution having a solid content of 28.1%. The obtained polymer solution was poured into methanol to precipitate a polymer, followed by washing with methanol and vacuum drying at 50 ° C. to obtain 193 g of a fluorine-containing copolymer.
The weight average molecular weight of the obtained polymer (B-2) is 17,0
00.

【０２６８】合成例３ ５００ｍｌの三つ口フラスコに、２，２’−アゾビス
（２，４−ジメチルバレロニトリル）８ｇ、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル２００ｇを仕込んだ。引き
続きメタクリル酸２０ｇ、メタクリル酸グリシジル３０
ｇ、メタクリル酸ペンタフロロエチル５０ｇを仕込み窒
素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を
７０℃に上昇させ、この温度を３時間保持し重合体（Ｂ
−３）の溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度
は３１．０％であり、重合体の重量平均分子量は１２，
０００であった。Synthesis Example 3 A 500 ml three-neck flask was charged with 8 g of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 g of diethylene glycol dimethyl ether. Subsequently, 20 g of methacrylic acid, 30 glycidyl methacrylate
g and 50 g of pentafluoroethyl methacrylate were charged and replaced with nitrogen, and then stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 3 hours to obtain the polymer (B)
-3) was obtained. The solid concentration of the obtained polymer solution was 31.0%, and the weight average molecular weight of the polymer was 12,12.
000.

【０２６９】合成例４ １Ｌの三つ口フラスコにメチルトリメトキシラン５０ｇ
をとり、１−エトキシ−２−プロパノール１００ｇを加
えて溶解させ、得られた混合溶液をマグネチックスター
ラにより撹拌しながら６０℃に加温した。これに、イオ
ン交換水１９．８５ｇを１時間かけて連続的に添加し
た。そして、６０℃で４時間反応させた後、得られた反
応液を室温まで冷却した。その後、反応副生成物である
メタノールを反応液から減圧留去し、溶液の固形分濃度
が２０重量％となるまで濃縮し、化合物（Ｂ−４）を含
有する溶液を得た。この化合物（Ｂ−４）の重量平均分
子量は８，０００であった。Synthesis Example 4 50 g of methyltrimethoxysilane was placed in a 1 L three-necked flask.
Then, 100 g of 1-ethoxy-2-propanol was added and dissolved, and the obtained mixed solution was heated to 60 ° C. while stirring with a magnetic stirrer. To this, 19.85 g of ion-exchanged water was continuously added over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 4 hours, the obtained reaction solution was cooled to room temperature. Thereafter, methanol as a reaction by-product was distilled off from the reaction solution under reduced pressure, and the solution was concentrated until the solid content concentration of the solution became 20% by weight to obtain a solution containing the compound (B-4). The weight average molecular weight of this compound (B-4) was 8,000.

【０２７０】実施例１ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１）４０重量部と、
（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランとテトラメ
トキシシランの混合物（重量比５５：５）の共縮合物
（分子量２，０００）６０重量部と、（Ｃ）成分として
２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリク
ロロメチル）−ｓ−トリアジン１重量部とを全体の固形
分濃度が２０重量％になるようにジエチレングリコール
エチルメチルエーテルに溶解させた後、孔径０．２μｍ
のメンブランフィルターで濾過し、感光性屈折率変化性
組成物を含有する溶液を調製した。 ＜塗膜の形成＞シリコン基板上にスピンナーを用いて、
上記溶液を塗布した後、９０℃で２分間ホットプレート
上でプリベークして膜厚１．０μｍの塗膜を形成した。 ＜光照射処理＞得られた塗膜に、ＮＳＲ１５０５ｉ６Ａ
縮小投影露光機（（株）ニコン製、ＮＡ＝０．４５，λ
＝３６５ｎｍ）により最適焦点深度で露光量２０ｍＪ／
ｃｍ²にて光照射処理を行い、屈折率変化性組成物の露
光部と未露光部での屈折率差を形成した。ついで、ホッ
トプレート上で、１２０℃で２分間露光後ベークを実施
した。 ＜屈折率の測定＞室温におけるシリコン基板上での露光
部、未露光部の屈折率を、Ａｕｔｏ ＥＬ IV ＮＩＲ
ＩＩＩ（ルドルフリサーチ社製）エリプソメーターを
用いて６３３ｎｍで測定した。結果を表１に示す。 ＜透明性の評価＞シリコン基板の代わりにガラス基板
「コーニング１７３７（コーニング社製）」を用いた以
外は上記と同様に実施し、表面に感光性屈折率変化性組
成物を形成したガラス基板を得た。Example 1 As the component (A), 40 parts by weight of the compound (A-1)
60 parts by weight of a co-condensate (molecular weight: 2,000) of a mixture of methyltrimethoxysilane and tetramethoxysilane (weight ratio: 55: 5) as the component (B) and 2- (4-methoxyphenyl) as the component (C) After dissolving 1 part by weight of -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid concentration becomes 20% by weight, the pore diameter is 0.2 μm.
To prepare a solution containing the photosensitive refractive index changing composition. <Formation of coating film> Using a spinner on a silicon substrate,
After applying the above solution, it was prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 1.0 μm. <Light irradiation treatment> NSR1505i6A
Reduction projection exposure machine (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.45, λ)
= 365 nm) and an optimum exposure depth of 20 mJ /
A light irradiation treatment was performed in cm ² to form a difference in refractive index between the exposed part and the unexposed part of the refractive index changing composition. Then, a post-exposure bake was performed at 120 ° C. for 2 minutes on a hot plate. <Measurement of Refractive Index> The refractive index of an exposed portion and an unexposed portion on a silicon substrate at room temperature was measured by Auto EL IV NIR.
It was measured at 633 nm using an Ellipsometer III (manufactured by Rudol Research). Table 1 shows the results. <Evaluation of Transparency> The same procedure as described above was carried out except that a glass substrate “Corning 1737 (manufactured by Corning)” was used instead of the silicon substrate. Obtained.

【０２７１】次いで、得られたガラス基板の透過率を分
光光度計「１５０−２０型ダブルビーム（日立製作所
製）」を用いて４００〜８００ｎｍの波長で測定した。
このとき最低透過率が９５％を超える場合、透過率は良
好であり、それ以下の場合は不良といえる。結果を表１
に示す。Next, the transmittance of the obtained glass substrate was measured at a wavelength of 400 to 800 nm using a spectrophotometer “150-20 double beam (manufactured by Hitachi, Ltd.)”.
At this time, when the minimum transmittance exceeds 95%, the transmittance is good, and when the minimum transmittance is less than 95%, the transmittance is poor. Table 1 shows the results
Shown in

【０２７２】実施例２ 光照射処理における露光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした
他は実施例１と同様に実施し、屈折率と透明性を評価し
た。結果を表１に示す。Example 2 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the exposure amount in the light irradiation treatment was set to 300 mJ / cm ^2, and the refractive index and the transparency were evaluated. Table 1 shows the results.

【０２７３】実施例３ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１）７０重量部を用
い、（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの縮合
物（分子量２，０００）３０重量部を用いた以外は実施
例１と同様にして評価を行った。結果は表１にまとめ
た。Example 3 Except that 70 parts by weight of the compound (A-1) was used as the component (A) and 30 parts by weight of a condensate (molecular weight: 2,000) of methyltrimethoxysilane was used as the component (B). Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are summarized in Table 1.

【０２７４】実施例４ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１）１５重量部を用
い、（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの縮合
物（分子量２，０００）８５重量部を用いた以外は実施
例１と同様にして評価を行った。結果は表１にまとめ
た。Example 4 A compound (A-1) of 15 parts by weight was used as the component (A), and a methyltrimethoxysilane condensate (molecular weight: 2,000) of 85 parts by weight was used as the component (B). Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are summarized in Table 1.

【０２７５】実施例５ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−２）４０重量部を用い
た以外は実施例１と同様にして評価を行った。結果は表
１にまとめた。Example 5 Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that 40 parts by weight of the compound (A-2) was used as the component (A). The results are summarized in Table 1.

【０２７６】実施例６ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−３）４０重量部を用い
た以外は実施例１と同様にして評価を行った。結果は表
１にまとめた。Example 6 Evaluation was conducted in the same manner as in Example 1 except that 40 parts by weight of the compound (A-3) was used as the component (A). The results are summarized in Table 1.

【０２７７】実施例７ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−４）４０重量部を用い
た以外は実施例１と同様にして評価を行った。結果は表
１にまとめた。Example 7 Evaluation was made in the same manner as in Example 1 except that 40 parts by weight of the compound (A-4) was used as the component (A). The results are summarized in Table 1.

【０２７８】実施例８ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−５）４０重量部を用い
た以外は実施例１と同様にして評価を行った。結果は表
１にまとめた。Example 8 Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that 40 parts by weight of the compound (A-5) was used as the component (A). The results are summarized in Table 1.

【０２７９】実施例９ （Ｃ）成分として、４−フェニルチオフェニルジフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート１重量
部を用いた以外は実施例１と同様にして評価を行った。
結果は表１にまとめた。Example 9 Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate was used as the component (C).
The results are summarized in Table 1.

【０２８０】実施例１０ （Ｃ）成分として、ジフェニルヨードニウムトリフルオ
ロアセテート１重量部を用いた以外は実施例１と同様に
して評価を行った。結果は表１にまとめた。Example 10 Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that 1 part by weight of diphenyliodonium trifluoroacetate was used as the component (C). The results are summarized in Table 1.

【０２８１】[0281]

【表１】 [Table 1]

【０２８２】実施例１１ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−７）を５０重量部と、
（Ｂ）成分として、重合体（Ｂ−１）を５０重量部と、
（Ｃ）成分として２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−
１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン５
重量部とを全体の固形分濃度が２０％になるようにジエ
チレングリコールエチルメチルエーテルに溶解させた
後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、
組成物溶液を調製した。Example 11 As the component (A), 50 parts by weight of the compound (A-7) was added.
As the component (B), 50 parts by weight of the polymer (B-1);
(C) Component 2-benzyl-2-dimethylamino-
1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one 5
Parts by weight was dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid content concentration became 20%, and then filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm.
A composition solution was prepared.

【０２８３】＜塗膜の形成＞＜屈折率の測定＞および＜
透明性の評価＞はいずれも実施例１と同様に行った。 ＜放射線照射処理、およびＰＥＢ処理＞得られた塗膜
に、ＮＳＲ１５０５ｉ６Ａ縮小投影放射線照射機
（（株）ニコン製、ＮＡ＝０．４５，λ＝３６５ｎｍ）
により最適焦点深度で放射線照射処理を行った。次い
で、ＰＥＢ処理を２分間行うことにより屈折率変化性組
成物の放射線照射部と放射線未照射部での屈折率差を形
成した。放射線照射量およびＰＥＢ処理温度は表２に記
載した。<Formation of Coating Film><Measurement of Refractive Index> and <
Evaluation of Transparency> was performed in the same manner as in Example 1. <Radiation irradiation treatment and PEB treatment> An NSR1505i6A reduced projection radiation irradiation machine (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.45, λ = 365 nm) is applied to the obtained coating film.
Irradiation treatment was performed at the optimum depth of focus. Next, by performing PEB treatment for 2 minutes, a difference in refractive index between the irradiated part and the non-irradiated part of the refractive index changing composition was formed. The radiation dose and PEB treatment temperature are shown in Table 2.

【０２８４】実施例１２ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−８）を５０重量部用い
た以外は実施例１１と同様にして評価を行った。結果に
ついては表２にまとめた。Example 12 Evaluation was made in the same manner as in Example 11 except that 50 parts by weight of the compound (A-8) was used as the component (A). Table 2 summarizes the results.

【０２８５】実施例１３ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−９）を５０重量部用い
た以外は実施例１１と同様にして評価を行った。結果に
ついては表２にまとめた。Example 13 Evaluation was performed in the same manner as in Example 11 except that 50 parts by weight of the compound (A-9) was used as the component (A). Table 2 summarizes the results.

【０２８６】実施例１４ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１０）を５０重量部用
いた以外は実施例１１と同様にして評価を行った。結果
については表２にまとめた。Example 14 Evaluation was carried out in the same manner as in Example 11 except that 50 parts by weight of the compound (A-10) was used as the component (A). Table 2 summarizes the results.

【０２８７】実施例１５ （Ｂ）成分として、化合物（Ｂ−２）を５０重量部を用
いた以外は実施例１１と同様にして評価を行った。結果
については表２にまとめた。Example 15 Evaluation was made in the same manner as in Example 11 except that 50 parts by weight of the compound (B-2) was used as the component (B). Table 2 summarizes the results.

【０２８８】実施例１６ （Ｂ）成分として、化合物（Ｂ−３）を５０重量部用い
た以外は実施例１１と同様にして評価を行った。結果に
ついては表２にまとめた。Example 16 Evaluation was carried out in the same manner as in Example 11 except that 50 parts by weight of the compound (B-3) was used as the component (B). Table 2 summarizes the results.

【０２８９】[0289]

【表２】 [Table 2]

【０２９０】実施例１７ （Ａ）成分として化合物（Ａ−１１）を５０重量部、
（Ｂ）成分として重合体（Ｂ−１）を含有する溶液（重
合体（Ｂ−１）５０重量部（固形分）に相当）、および
（Ｃ）成分として２−（４−メトキシフェニル）−４，
６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン１重量
部を、全体の固形分濃度が２０％になるようにジエチレ
ングリコールエチルメチルエーテルに溶解させた後、孔
径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、屈折率
変化性組成物の溶液を調製した。Example 17 Compound (A-11) was added as a component (A) in an amount of 50 parts by weight.
A solution containing the polymer (B-1) as the component (B) (corresponding to 50 parts by weight (solid content) of the polymer (B-1)), and 2- (4-methoxyphenyl)-as the component (C) 4,
After dissolving 1 part by weight of 6-bis (trichloromethyl) -s-triazine in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid concentration becomes 20%, the solution is filtered through a membrane filter having a pore diameter of 0.2 μm and refracted. A solution of the rate changing composition was prepared.

【０２９１】＜塗膜の形成＞シリコン基板上にスピン
ナーを用いて、上記の溶液を塗布した後、９０℃で２分
間ホットプレート上でプリベークして膜厚１．０μｍの
塗膜を形成した。 ＜屈折率パターンの形成＞上記のようにして得られた
塗膜に、ＮＳＲ１５０５ｉ６Ａ縮小投影放射線照射機
（（株）ニコン製、ＮＡ＝０．４５，λ＝３６５ｎｍ）
により最適焦点深度にて、露光量５０ｍＪ／ｃｍ²で放
射線照射処理を行った。次いで、１３０℃にて２分間の
露光後ベーク処理を行うことにより、放射線照射部と放
射線未照射部で屈折率差を有する屈折率パターンを形成
した。以下、ここで形成された屈折率パターンについ
て、放射線照射部を「低屈折率部」、放射線未照射部を
「高屈折率部」という。 ＜屈折率の測定＞上記で形成した屈折率パターンの低
屈折率部、高屈折率部のそれぞれの屈折率を、Ａｕｔｏ
ＥＬ ＩＶ ＮＩＲ ＩＩＩ（ルドルフリサーチ社
製）エリプソメーターを用いて６３３ｎｍで測定した。
結果を表３に示す。<Formation of Coating Film> The above solution was applied on a silicon substrate using a spinner, and prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 1.0 μm. <Formation of Refractive Index Pattern> An NSR1505i6A reduced projection radiation irradiator (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.45, λ = 365 nm) is applied to the coating film obtained as described above.
, A radiation irradiation treatment was performed at an optimum depth of focus with an exposure amount of 50 mJ / cm ² . Next, a baking treatment after exposure at 130 ° C. for 2 minutes was performed to form a refractive index pattern having a difference in refractive index between the irradiated portion and the non-irradiated portion. Hereinafter, in the refractive index pattern formed here, the radiation-irradiated portion is referred to as a “low-refractive-index portion”, and the non-radiated portion is referred to as a “high-refractive-index portion”. <Measurement of Refractive Index> The refractive indices of the low refractive index portion and the high refractive index portion of the refractive index pattern formed above were determined by Auto
It measured at 633 nm using ELIV NIR III (made by Rudol Research) ellipsometer.
Table 3 shows the results.

【０２９２】＜透明性の評価＞シリコン基板の代わり
にガラス基板「コーニング１７３７（コーニング社
製）」を用いた以外は上記およびと同様にしてガラ
ス基板上に屈折率パターンを形成した。以下、ここで形
成されたガラス基板上の屈折率パターンについても、放
射線照射部を「低屈折率部」、放射線未照射部を「高屈
折率部」という。次いで、この屈折率パターンを有する
ガラス基板につき、低屈折率部、高屈折率部のそれぞれ
の透過率を分光光度計「１５０−２０型ダブルビーム
（日立製作所製）」を用いて４００〜８００ｎｍの波長
で測定した。このとき最低透過率が９５％を超える場
合、透過率は良好であり、それ以下の場合は不良といえ
る。結果を表３に示す。<Evaluation of Transparency> A refractive index pattern was formed on a glass substrate in the same manner as described above except that a glass substrate “Corning 1737 (manufactured by Corning)” was used instead of the silicon substrate. Hereinafter, also regarding the refractive index pattern on the glass substrate formed here, the radiation-irradiated portion is referred to as “low-refractive-index portion”, and the non-irradiated portion is referred to as “high-refractive-index portion”. Next, with respect to the glass substrate having the refractive index pattern, the transmittance of each of the low refractive index portion and the high refractive index portion was measured at 400 to 800 nm using a spectrophotometer “150-20 double beam (manufactured by Hitachi, Ltd.)”. Measured in wavelength. At this time, when the minimum transmittance exceeds 95%, the transmittance is good, and when the minimum transmittance is less than 95%, the transmittance is poor. Table 3 shows the results.

【０２９３】＜安定化処理＞（Ｄ）成分としてフェニ
ルグリシジルエーテル１５０ｍｌ（反応触媒としてのテ
トラブチルアンモニウムブロミドを０．１ｍｍｏｌ含
有）を１００℃に加熱して、ここに上記のようにして形
成したシリコン基板上、およびガラス基板上の屈折率パ
ターンを１００℃にて２分間、浸漬した後、超純水で１
分間洗浄した。ついで、Ｃａｎｏｎ ＰＬＡ−５０１Ｆ
でフィルターを用いずパターン全面に対して４．５ｍＷ
／ｃｍ²にて１分間の再露光処理を行い、さらにオーブ
ンにて２００℃で１０分間加熱し、屈折率パターンの安
定化処理を行った。<Stabilization Treatment> As the component (D), 150 ml of phenylglycidyl ether (containing 0.1 mmol of tetrabutylammonium bromide as a reaction catalyst) was heated to 100 ° C., and the silicon formed as described above was added thereto. After immersing the refractive index patterns on the substrate and the glass substrate for 2 minutes at 100 ° C.,
Washed for minutes. Then, Canon PLA-501F
4.5mW over the entire pattern without using a filter
/ Cm ^{2 for} 1 minute and then heated in an oven at 200 ° C. for 10 minutes to stabilize the refractive index pattern.

【０２９４】＜屈折率、および透明性の評価＞上記で
安定化処理を行ったシリコン基板上の屈折率パターンに
ついて、上記と同様にして、低屈折率部および高屈折
率部の屈折率の測定を行った。結果を表４に示す。ま
た、安定化処理を行ったガラス基板上の屈折率パターン
について、上記と同様にして、低屈折率部および高屈
折率部の透明性の測定を行った。結果を表４に示す。<Evaluation of Refractive Index and Transparency> Measurement of the refractive index of the low refractive index portion and the high refractive index portion of the refractive index pattern on the silicon substrate subjected to the stabilization treatment in the same manner as described above. Was done. Table 4 shows the results. Further, for the refractive index pattern on the glass substrate subjected to the stabilization treatment, the transparency of the low refractive index portion and the high refractive index portion were measured in the same manner as described above. Table 4 shows the results.

【０２９５】＜屈折率パターンの安定性評価＞上記で
安定化処理を行ったシリコン基板上の屈折率パターン、
およびガラス基板上の屈折率パターンについて、Ｃａｎ
ｏｎ ＰＬＡ−５０１Ｆでフィルターを用いずパターン
全面に対して４．５ｍＷ／ｃｍ²にて３０分間の露光処
理を行い、放射線照射の加速処理を実施した。<Evaluation of Stability of Refractive Index Pattern> The refractive index pattern on the silicon substrate subjected to the stabilization process described above,
And the refractive index pattern on the glass substrate, Can
On PLA-501F, the entire surface of the pattern was exposed to light at 4.5 mW / cm ^{2 for} 30 minutes without using a filter, to accelerate the irradiation of radiation.

【０２９６】この処理を行ったシリコン基板上の屈折率
パターンについて、上記と同様にして、低屈折率部お
よび高屈折率部の屈折率の測定を行った。結果を表４に
示す。また、安定化処理を行ったガラス基板上の屈折率
パターンについて、上記と同様にして、低屈折率部お
よび高屈折率部の透明性の測定を行った。結果を表４に
示す。With respect to the refractive index pattern on the silicon substrate subjected to this treatment, the refractive indices of the low refractive index portion and the high refractive index portion were measured in the same manner as described above. Table 4 shows the results. Further, for the refractive index pattern on the glass substrate subjected to the stabilization treatment, the transparency of the low refractive index portion and the high refractive index portion were measured in the same manner as described above. Table 4 shows the results.

【０２９７】実施例１８ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１２）を５０重量部用
い、工程（屈折率パターンの形成）における露光後ベ
ークの温度を表３に記載の通りとし、工程（安定化処
理）における（Ｄ）成分の種類および安定化処理温度を
表４に記載の通りとした以外は実施例１７と同様にして
評価を行った。結果については表３および表４にまとめ
た。Example 18 The compound (A-12) was used as a component (A) in an amount of 50 parts by weight, the post-exposure bake temperature in the step (formation of a refractive index pattern) was as shown in Table 3, and the step (stable) was carried out. The evaluation was performed in the same manner as in Example 17 except that the type of the component (D) and the stabilization temperature in (Chemical treatment) were as shown in Table 4. The results are summarized in Tables 3 and 4.

【０２９８】実施例１９ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１）を５０重量部用
い、工程（屈折率パターンの形成）における放射線照
射量を表３に記載の通りとし、工程（安定化処理）に
おける（Ｄ）成分の種類および安定化処理温度を表４に
記載の通りとした以外は実施例１７と同様にして評価を
行った。結果については表３および表４にまとめた。Example 19 The compound (A-1) was used as a component (A) in an amount of 50 parts by weight, and the irradiation dose in the step (formation of a refractive index pattern) was as shown in Table 3; The evaluation was performed in the same manner as in Example 17 except that the type of the component (D) and the stabilization temperature in the above were changed as shown in Table 4. The results are summarized in Tables 3 and 4.

【０２９９】実施例２０ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−８）を５０重量部、
（Ｃ）成分として、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル）ピロリジンを５重量部用い、工程（屈折率
パターンの形成）における放射線照射量を表３に記載の
通りとし、工程（安定化処理）における（Ｄ）成分の
種類を表４に記載の通りとした以外は実施例１７と同様
にして評価を行った。結果については表３および表４に
まとめた。Example 20 As the component (A), 50 parts by weight of a compound (A-8) was added.
As the component (C), 5 parts by weight of N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidine was used, and the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 3; The evaluation was performed in the same manner as in Example 17 except that the type of the component (D) was as shown in Table 4. The results are summarized in Tables 3 and 4.

【０３００】実施例２１ （Ｂ）成分として重合体（Ｂ−２）を含有する溶液（重
合体（Ｂ−２）５０重量部（固形分）に相当）を用いた
以外は実施例１７と同様にして評価を行った。結果につ
いては表３および表４にまとめた。Example 21 The same as Example 17 except that a solution containing the polymer (B-2) was used as the component (B) (corresponding to 50 parts by weight (solid content) of the polymer (B-2)). Was evaluated. The results are summarized in Tables 3 and 4.

【０３０１】実施例２２ （Ｃ）成分として、４−フェニルチオフェニルジフェニ
ルスルホニウムトリフロロメタンスルホナート１重量部
を用い、工程（屈折率パターンの形成）における放射
線照射量を表３に記載の通りとした以外は実施例１７と
同様にして評価を行った。結果については表３および表
４にまとめた。Example 22 Using 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as the component (C), the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 3. Evaluation was performed in the same manner as in Example 17 except that the evaluation was performed. The results are summarized in Tables 3 and 4.

【０３０２】実施例２３ 工程（屈折率パターンの形成）における放射線照射量
を表３に記載の通りとした以外は実施例２０と同様にし
て評価を行った。結果については表３および表４にまと
めた。Example 23 Evaluation was carried out in the same manner as in Example 20, except that the irradiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 3. The results are summarized in Tables 3 and 4.

【０３０３】[0303]

【表３】 [Table 3]

【０３０４】[0304]

【表４】 [Table 4]

【０３０５】ただし、表４において、（Ｄ）成分の記号
は、それぞれ以下のものを表す。 Ｄ−１；フェニルグリシジルエーテル（１０ｍｏｌ％テ
トラブチルアンモニウムブロミド添加） Ｄ−２；ｐ−キシリレンジアミンの１％水溶液 Ｄ−３；３−フェノキシプロピレンスルフィド（１０ｍ
ｏｌ％テトラブチルアンモニウムブロミド添加）However, in Table 4, the symbols of the component (D) represent the following, respectively. D-1; phenylglycidyl ether (10 mol% tetrabutylammonium bromide added) D-2; 1% aqueous solution of p-xylylenediamine D-3; 3-phenoxypropylene sulfide (10 m
ol% tetrabutylammonium bromide)

【０３０６】実施例２４ （Ａ）成分として化合物（Ａ−１１）を５０重量部、
（Ｂ）成分として重合体（Ｂ−１）を含有する溶液（重
合体（Ｂ−１）５０重量部（固形分）に相当）、（Ｃ）
成分として２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンを１重量部、
および（Ｄ）成分としてビスフェノールＡジグリシジル
エーテル１０重量部を、全体の固形分濃度が２０％にな
るようにジエチレングリコールエチルメチルエーテルに
溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルター
で濾過し、屈折率変化性組成物の溶液を調製した。塗膜
の形成、屈折率パターンの形成、屈折率の測定、透明性
の評価、並びに屈折率および透明性の評価はいずれも実
施例１７と同様に行った。Example 24 50 parts by weight of compound (A-11) as component (A)
A solution containing the polymer (B-1) as the component (B) (corresponding to 50 parts by weight (solid content) of the polymer (B-1)), (C)
1 part by weight of 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine as a component,
And 10 parts by weight of diglycidyl ether of bisphenol A as a component (D) are dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid concentration becomes 20%, and the solution is filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm. A solution of the rate changing composition was prepared. The formation of the coating film, the formation of the refractive index pattern, the measurement of the refractive index, the evaluation of the transparency, and the evaluation of the refractive index and the transparency were all performed in the same manner as in Example 17.

【０３０７】＜安定化処理＞上記のようにして形成し
たシリコン基板上、およびガラス基板上の屈折率パター
ンを１５０℃（（Ａ）成分が分解などを起こさずかつ
（Ａ）成分と（Ｄ）成分が反応する温度）にて２分間加
熱処理した。次いで、Ｃａｎｏｎ ＰＬＡ−５０１Ｆで
フィルターを用いずパターン全面に対して４．５ｍＷ／
ｃｍ²にて１分間の再露光処理を行い、さらにオーブン
にて２００℃で１０分間加熱し、屈折率パターンの安定
化処理を行った。<Stabilization Treatment> The refractive index patterns on the silicon substrate and the glass substrate formed as described above were measured at 150 ° C. (component (A) did not cause decomposition, etc., and component (A) and component (D) (A temperature at which the components react) for 2 minutes. Next, 4.5 mW / cm for the entire pattern without using a filter with Canon PLA-501F.
The film was subjected to a re-exposure process at 1 cm ^{2 for} 1 minute, and further heated at 200 ° C. for 10 minutes in an oven to stabilize the refractive index pattern.

【０３０８】＜再露光および加熱処理＞上記で安定化
処理を施したそれぞれの屈折率パターンについて、Ｃａ
ｎｏｎＰＬＡ−５０１Ｆでフィルターを用いずパターン
全面に対して４．５ｍＷ／ｃｍ ²にて１分間の放射線照
射を行い、さらにオーブンにて２００℃で１０分間加熱
した。<Re-exposure and heat treatment> Stabilization as described above
For each of the treated refractive index patterns, Ca
Pattern without filter on nonPLA-501F
4.5 mW / cm for the whole surface ^TwoIrradiation for 1 minute at
And then heated in an oven at 200 ° C for 10 minutes
did.

【０３０９】＜再露光、加熱処理後の安定性評価＞再
露光および加熱処理したシリコン基板上の屈折率パター
ンについて、上記＜屈折率の測定＞と同様にして、低
屈折率部および高屈折率部の屈折率の測定を行い、再露
光、加熱に対する屈折率の安定性を評価した。また、再
露光および加熱処理したガラス基板上の屈折率パターン
について、上記＜透明性の評価＞と同様にして、低屈
折率部および高屈折率部の透明性の測定を行い、再露
光、加熱に対する透明性の安定性を評価した。結果を表
５および表６に示す。<Evaluation of stability after re-exposure and heat treatment> Regarding the refractive index pattern on the re-exposed and heat-treated silicon substrate, a low refractive index portion and a high refractive index portion were measured in the same manner as in <Measurement of refractive index> described above. The refractive index of each part was measured, and the stability of the refractive index against re-exposure and heating was evaluated. Further, for the refractive index pattern on the glass substrate subjected to the re-exposure and heat treatment, the transparency of the low-refractive-index part and the high-refractive-index part was measured in the same manner as in <Evaluation of Transparency>, and the re-exposure and heating The stability of transparency to was evaluated. The results are shown in Tables 5 and 6.

【０３１０】実施例２５ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１２）を５０重量部用
い、工程（屈折率パターンの形成）における露光後ベ
ークの温度を表５に記載の通りとし、工程（安定化処
理）における加熱温度を表６に記載の通りとした以外は
実施例２４と同様にして評価を行った。結果については
表５および表６にまとめた。Example 25 Compound (A-12) was used as a component (A) in an amount of 50 parts by weight, and the temperature of the post-exposure bake in the step (formation of a refractive index pattern) was as shown in Table 5; Evaluation was performed in the same manner as in Example 24, except that the heating temperature in (Chemical treatment) was as shown in Table 6. The results are summarized in Tables 5 and 6.

【０３１１】実施例２６ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１５）を５０重量部用
い、工程（屈折率パターンの形成）における放射線照
射量を表５に記載の通りとした以外は実施例２４と同様
にして評価を行った。結果については表５および表６に
まとめた。Example 26 Example 24 was repeated except that 50 parts by weight of the compound (A-15) was used as the component (A), and the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 5. The evaluation was performed in the same manner as described above. The results are summarized in Tables 5 and 6.

【０３１２】実施例２７ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１６）を５０重量部、
（Ｃ）成分として、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル）ピロリジンを５重量部用い、工程（屈折率
パターンの形成）における放射線照射量を表５に記載の
通りとした以外は実施例２４と同様にして評価を行っ
た。結果については表５および表６にまとめた。Example 27 As the component (A), 50 parts by weight of the compound (A-16) was added.
Example 24 was repeated except that 5 parts by weight of N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidine was used as the component (C) and the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 5. Evaluation was performed in the same manner. The results are summarized in Tables 5 and 6.

【０３１３】実施例２８ （Ｂ）成分として重合体（Ｂ−２）を含有する溶液（重
合体（Ｂ−２）５０重量部（固形分）に相当）を用いた
以外は実施例２４と同様にして評価を行った。結果につ
いては表５および表６にまとめた。Example 28 The same as Example 24 except that a solution containing the polymer (B-2) as the component (B) (corresponding to 50 parts by weight (solid content) of the polymer (B-2)) was used. Was evaluated. The results are summarized in Tables 5 and 6.

【０３１４】実施例２９ （Ｄ）成分として、１，４−ビス（４，５−ジヒドロ−
２−オキサゾリル）ベンゼン １０重量部を用い、工程
（屈折率パターンの形成）における放射線照射量を表
５に記載の通りとした以外は実施例２４と同様にして評
価を行った。結果については表５および表６にまとめ
た。Example 29 As component (D), 1,4-bis (4,5-dihydro-
Evaluation was performed in the same manner as in Example 24, except that 10 parts by weight of 2-oxazolyl) benzene was used and the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 5. The results are summarized in Tables 5 and 6.

【０３１５】実施例３０ （Ｄ）成分として、１，４−ビス（４，５−ジヒドロ−
２−オキサゾリル）ベンゼン １０重量部を用い、工程
（屈折率パターンの形成）における放射線照射量を表
５に記載の通りとした以外は実施例２７と同様にして評
価を行った。結果については表５および表６にまとめ
た。Example 30 As component (D), 1,4-bis (4,5-dihydro-
Evaluation was performed in the same manner as in Example 27 except that 10 parts by weight of 2-oxazolyl) benzene was used and the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was as shown in Table 5. The results are summarized in Tables 5 and 6.

【０３１６】[0316]

【表５】 [Table 5]

【０３１７】[0317]

【表６】 [Table 6]

【０３１８】実施例３１ （Ａ）成分として化合物（Ａ−１１）を５０重量部、
（Ｂ）成分として化合物（Ｂ−４）を含有する溶液（化
合物（Ｂ−４）５０重量部（固形分）に相当）、および
（Ｃ）成分として４−フェニルチオフェニルジフェニル
スルホニウムトリフロロメタンスルホナート１重量部
を、全体の固形分濃度が２０％になるようにジエチレン
グリコールエチルメチルエーテルに溶解させた後、孔径
０.２μｍのメンブランフィルターで濾過し、屈折率変
化性組成物を調製した。Example 31 As a component (A), 50 parts by weight of a compound (A-11)
A solution containing the compound (B-4) as the component (B) (corresponding to 50 parts by weight (solid content) of the compound (B-4)), and 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as the component (C) One part by weight of the natto was dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid content became 20%, and then filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a refractive index changing composition.

【０３１９】＜塗膜の形成＞シリコン基板上にスピンナ
ーを用いて、上記の溶液を塗布した後、１００℃で２分
間ホットプレート上でプリベークして膜厚１．０μｍの
塗膜を形成した。＜屈折率パターンの形成＞、＜安定化
処理＞、＜屈折率の測定＞および＜透明性の評価＞は実
施例１７と同様に行った。 ＜水銀ポロシメーターによる空隙率の測定＞上記で形成
した屈折率パターンの低屈折率部、高屈折率部のそれぞ
れの空隙率を水銀ポロシメーター（島津製オートポア９
２００、最小測定可能孔径３４Å）を用いて測定した。<Formation of Coating Film> The above solution was applied on a silicon substrate using a spinner, and prebaked on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 1.0 μm. <Formation of Refractive Index Pattern>, <Stabilization Treatment>, <Measurement of Refractive Index>, and <Evaluation of Transparency> were performed in the same manner as in Example 17. <Measurement of porosity using mercury porosimeter> The porosity of each of the low refractive index portion and the high refractive index portion of the refractive index pattern formed above was measured using a mercury porosimeter (Autopore 9 manufactured by Shimadzu Corporation).
200, minimum measurable pore diameter 34 °).

【０３２０】＜ＢＪＨ法による空孔分布測定＞上記で形
成した屈折率パターンの低屈折率部の空孔分布をＣＯＵ
ＬＴＥＲ社製、ＯＭＮＩＳＯＲＰ １００／３６０ Ｓ
ＥＲＩＥＳを用いて、ＢＪＨ法で測定した。１００ｎｍ
以上の細孔の数を表８に示す。 ＜電子顕微鏡観察による空孔径測定＞上記で形成した屈
折率パターンの低屈折率部、高屈折率部のそれぞれの空
孔径測定を透過型電子顕微鏡観察において、任意の観察
範囲における１０μｍ²あたりの直径１００ｎｍ以上の
空孔の数を測定した。<Measurement of Void Distribution by BJH Method> The pore distribution of the low refractive index portion of the refractive index pattern formed above was determined by COU.
OMNISORP 100/360 S manufactured by LTER
It was measured by the BJH method using ERIES. 100nm
Table 8 shows the number of the above pores. <Measurement of Pore Diameter by Observation with Electron Microscope> Measurement of the pore diameter of each of the low refractive index part and the high refractive index part of the refractive index pattern formed above was performed using a transmission electron microscope, and the diameter per 10 μm ² in an arbitrary observation range was measured. The number of holes having a size of 100 nm or more was measured.

【０３２１】実施例３２ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１２）を５０重量部用
い、工程（屈折率パターンの形成）における露光後ベ
ークの温度を表７に記載の通りとし、工程（安定化処
理）における（Ｄ）成分の種類および安定化処理温度を
表８に記載の通りとした以外は実施例３１と同様にして
評価を行った。結果については表７および表８にまとめ
た。Example 32 The compound (A-12) was used as a component (A) in an amount of 50 parts by weight, and the temperature of the post-exposure bake in the step (formation of a refractive index pattern) was as shown in Table 7; The evaluation was performed in the same manner as in Example 31 except that the type of the component (D) and the stabilization temperature in (Chem. The results are summarized in Tables 7 and 8.

【０３２２】実施例３３ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１５）を５０重量部用
い、工程（屈折率パターンの形成）における放射線照
射量を表７に記載の通りとし、工程（安定化処理）に
おける（Ｄ）成分の種類および安定化処理温度を表８に
記載の通りとした以外は実施例３１と同様にして評価を
行った。結果については表７および表８にまとめた。Example 33 The compound (A-15) was used as a component (A) in an amount of 50 parts by weight, and the irradiation dose in the step (formation of a refractive index pattern) was as shown in Table 7; ) Was evaluated in the same manner as in Example 31 except that the type of the component (D) and the stabilization temperature were as shown in Table 8. The results are summarized in Tables 7 and 8.

【０３２３】実施例３４ （Ａ）成分として、化合物（Ａ−１６）を５０重量部、
（Ｃ）成分として、Ｎ−（２−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル）ピロリジンを５重量部用い、工程（屈折率
パターンの形成）における放射線照射量を表７に記載の
通りとし、工程（安定化処理）における（Ｄ）成分の
種類を表８に記載の通りとした以外は実施例３１と同様
にして評価を行った。結果については表７および表８に
まとめた。Example 34 As the component (A), 50 parts by weight of a compound (A-16) was added.
As the component (C), N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidine was used in an amount of 5 parts by weight, and the radiation dose in the step (formation of the refractive index pattern) was set as shown in Table 7; The evaluation was performed in the same manner as in Example 31, except that the type of the component (D) in Table 8 was as shown in Table 8. The results are summarized in Tables 7 and 8.

【０３２４】実施例３５ （Ｂ）成分として化合物（Ｂ−３）を含有する溶液（化
合物（Ｂ−３）５０重量部（固形分）に相当）を用いた
以外は実施例３１と同様にして評価を行った。結果につ
いては表７および表８にまとめた。Example 35 The procedure of Example 31 was repeated except that a solution containing the compound (B-3) as the component (B) (corresponding to 50 parts by weight (solid content) of the compound (B-3)) was used. An evaluation was performed. The results are summarized in Tables 7 and 8.

【０３２５】[0325]

【表７】 [Table 7]

【０３２６】ただし、表７において、（Ｄ）成分の記号
は、それぞれ以下のものを表す。 Ｄ−１；フェニルグリシジルエーテル（１０ｍｏｌ％テ
トラブチルアンモニウムブロミド添加） Ｄ−２；ｐ−キシリレンジアミンの１％水溶液However, in Table 7, the symbols of component (D) represent the following, respectively. D-1: phenylglycidyl ether (10 mol% tetrabutylammonium bromide added) D-2: 1% aqueous solution of p-xylylenediamine

【０３２７】[0327]

【表８】 [Table 8]

【０３２８】実施例３６ （ＧＩ型光ファイバーの作製
（１）） （Ａ）成分として、化合物（Ａ−６）を５０重量部と、
（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの縮合物
（重量平均分子量＝１８，０００）５０重量部と、
（Ｃ）成分として４−フェニルチオフェニルジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート１重量
部、さらに紫外線吸収剤として２−（２−ヒドロキシ−
３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル）
−２Ｈ−ベンゾトリアゾ−ル１．５重量部とを全体の固
形分濃度が７０％になるようにメチルエチルケトンに溶
解させた。この溶液をファイバーの原液として用い、脱
泡後、孔径が１．０ｍｍの射出口より１ｍ／ｍｉｎにて
押し出し、射出されるファイバーに２５０ｍＷ超高圧水
銀灯（ウシオ電機（株）製スポットキュア、ｉ線照度：
６．７ｍＷ／ｃｍ²）を日本ピー・アイ（株）製リング
型ライトガイド（内径５５ｍｍ）を用いて、繊維の周囲
から繊維に均一に光照射を行い、その後ファイバーが２
００℃において５秒間加熱されるように、赤外線ランプ
の照射幅を１０ｃｍとしてファイバーを加熱した。Example 36 (Preparation of GI Optical Fiber (1)) As the component (A), 50 parts by weight of a compound (A-6) was added.
(B) 50 parts by weight of a condensate of methyltrimethoxysilane (weight average molecular weight = 18,000) as a component;
(C) 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as a component, and 2- (2-hydroxy-
3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl
1.5 parts by weight of -2H-benzotriazole were dissolved in methyl ethyl ketone so that the total solid concentration became 70%. This solution was used as a stock solution of the fiber, and after defoaming, it was extruded at 1 m / min from an injection port having a hole diameter of 1.0 mm, and a 250 mW ultrahigh-pressure mercury lamp (Spot Cure, Ushio Inc. Illuminance:
6.7 mW / cm ² ) using a ring light guide (inner diameter 55 mm) manufactured by Nippon PI Co., Ltd. to uniformly irradiate the fiber from around the fiber.
The fiber was heated with an irradiation width of an infrared lamp of 10 cm so as to be heated at 00 ° C. for 5 seconds.

【０３２９】光照射を周囲から行うことで、（Ｃ）成分
から発生する酸は繊維表面付近に多く分布し、さらに加
熱により（Ａ）成分の分解が表面付近から内部にかけて
徐々に減少することにより、中心軸から周囲にかけて放
物線状に屈折率が減少する分布のＧＩ型光ファイバーを
作製した。干渉屈折計で測定したところ、中心部と周囲
の最大屈折率差Δｎが０．０９であった。By irradiating light from the periphery, the acid generated from the component (C) is distributed in large amounts near the fiber surface, and the decomposition of the component (A) is gradually reduced from near the surface to inside by heating. A GI optical fiber having a distribution in which the refractive index decreases parabolically from the central axis to the periphery was manufactured. When measured with an interference refractometer, the maximum refractive index difference Δn between the center and the periphery was 0.09.

【０３３０】実施例３７ （ＧＩ型光ファイバーの作製
（２）） （Ａ）成分として、化合物（Ａ−５）を５０重量部用い
た以外は、実施例３６と同様にしてＧＩ型光ファイバー
を作製した。干渉屈折計で測定したところ、中心部と周
囲の最大屈折率差Δｎが０．１１であった。Example 37 (Preparation of GI type optical fiber (2)) A GI type optical fiber was prepared in the same manner as in Example 36 except that 50 parts by weight of the compound (A-5) was used as the component (A). . When measured with an interference refractometer, the maximum refractive index difference Δn between the center and the periphery was 0.11.

【０３３１】実施例３８ （ＧＩ型光ファイバーの作製
（３）） （Ｃ）成分として、２−（４−メトキシフェニル）−ビ
ス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン１重
量部を用いた以外は、実施例３６と同様にしてＧＩ型光
ファイバーを作製した。干渉屈折計で測定したところ、
中心部と周囲の最大屈折率差Δｎが０．０９であった。Example 38 (Production of GI type optical fiber (3)) As the component (C), 1 part by weight of 2- (4-methoxyphenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine was used. Except for the above, a GI optical fiber was produced in the same manner as in Example 36. When measured with an interference refractometer,
The maximum refractive index difference Δn between the center and the periphery was 0.09.

【０３３２】実施例３９ （ＧＲＩＮレンズの作製
（１）） 実施例３６〜３８で作製したＧＩ型光ファイバーを、短
く切断することにより中心から周囲にかけて屈折率が連
続的に分布したＧＲＩＮレンズが得られた。Example 39 (Production of GRIN lens (1)) The GI optical fiber produced in Examples 36 to 38 was cut short to obtain a GRIN lens having a refractive index continuously distributed from the center to the periphery. Was.

【０３３３】実施例４０ （ＧＲＩＮレンズの作製
（２）） （Ａ）成分として、化合物（Ａ−２）を５０重量部と、
（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの縮合物
（重量平均分子量＝１８，０００）５０重量部と、
（Ｃ）成分として４−フェニルチオフェニルジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート１重量
部、さらに紫外線吸収剤として２−（２−ヒドロキシ−
３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル）
−２Ｈ−ベンゾトリアゾ−ル１．５重量部とを全体の固
形分濃度が７０％になるようにメチルエチルケトンに溶
解した後、減圧下でホットプレスにより直径２ｃｍ、厚
さ５ｍｍの円板状の試料とした。照射装置は、図１に示
すように円板状の試料１の前に開閉自在な絞り２を取り
付け、照射装置３から照射される波長３６５ｎｍ、照度
３０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線４を絞り２を閉めた状態から
徐々に開きながら照射を行い、５秒間で完全に絞り２が
開放されるようにシャッター速度を調節し、５秒後に照
射を終了した後、１２０℃で２分間露光後ベークを実施
した。これによって中心部から周辺部へ屈折率が連続的
に高くなる円板状の光学成形体が得られた。その屈折率
差は０．０８であり、凹レンズ能を持つＧＲＩＮレンズ
となり近視用眼鏡用レンズとしての可能性を示した。Example 40 (Production of GRIN lens (2)) As a component (A), 50 parts by weight of a compound (A-2) was added.
(B) 50 parts by weight of a condensate of methyltrimethoxysilane (weight average molecular weight = 18,000) as a component;
(C) 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as a component, and 2- (2-hydroxy-
3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl
After dissolving 1.5 parts by weight of -2H-benzotriazole in methyl ethyl ketone so that the total solid concentration becomes 70%, a disc-shaped sample having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm was obtained by hot pressing under reduced pressure. did. As shown in FIG. 1, the irradiation device is provided with an openable / closable stop 2 in front of a disk-shaped sample 1, and closes the stop 2 with ultraviolet light 4 emitted from the irradiation device 3 at a wavelength of 365 nm and an illuminance of 30 mW / cm ^2. Irradiation was performed while gradually opening from the state where the shutter was opened, the shutter speed was adjusted such that the aperture 2 was completely opened in 5 seconds, and after 5 seconds, the irradiation was completed, and a post-exposure bake was performed at 120 ° C. for 2 minutes. . As a result, a disk-shaped optical molded body whose refractive index continuously increased from the central portion to the peripheral portion was obtained. The difference in the refractive index was 0.08, indicating that the lens was a GRIN lens having a concave lens ability, and showed a possibility as a lens for myopic glasses.

【０３３４】実施例４１ （ＧＲＩＮレンズの作製
（３）） 実施例４０前段と同様に実施して円板状の試料を得た。
これに円筒上下部を遮光した状態で、側面からのみ光が
入射する構造にして、２５０ｍＷ超高圧水銀灯（ウシオ
電機（株）製スポットキュア、ｉ線照度：６．７ｍＷ／
ｃｍ²）を日本ピー・アイ（株）製リング型ライトガイ
ド（内径５５ｍｍ）を用いて、２０秒間照射を行い、１
２０℃で２分間露光後ベークを実施した。これによって
中心部から周辺部へ屈折率が連続的に低くなる円板状の
光学成形体が得られた。その屈折率差は０．０８であ
り、凸レンズ能を有するＧＲＩＮレンズを得た。Example 41 (Production of GRIN lens (3)) Example 40 A disk-shaped sample was obtained in the same manner as in the preceding paragraph.
In this state, light is incident only from the side while the upper and lower portions of the cylinder are shielded from light, and a 250 mW ultra-high pressure mercury lamp (Spot Cure manufactured by Ushio Inc., i-line illuminance: 6.7 mW /
cm ² ) using a ring light guide (inner diameter 55 mm) manufactured by PI Japan Co., Ltd. for 20 seconds.
A post-exposure bake was performed at 20 ° C. for 2 minutes. As a result, a disc-shaped optical molded body whose refractive index continuously decreased from the central portion to the peripheral portion was obtained. The refractive index difference was 0.08, and a GRIN lens having a convex lens ability was obtained.

【０３３５】実施例４２ （ＧＩ型光導波路の作製） （Ａ）成分として、化合物（Ａ−２）を５０重量部と、
（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの縮合物
（重量平均分子量＝２，０００）５０重量部と、（Ｃ）
成分として４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホナート１重量部とを全
体の固形分濃度が４０％になるようにジエチレングリコ
ールエチルメチルエーテルに溶解させた後、孔径１．０
μｍのメンブランフィルターで濾過し、感光性屈折率変
化性組成物を含有する溶液（Ｓ−１）を調製した。また
（Ｂ）成分で使用しているメチルトリメトキシシランの
の縮合物（重量平均分子量＝２，０００）１００重量部
と、熱酸発生剤としてＳＩ−Ｌ１５０（三新化学（株）
製）１重量部とを全体の固形分濃度が４０％になるよう
にジエチレングリコールエチルメチルエーテルに溶解さ
せた溶液（Ｓ−２）を調製した。Example 42 (Production of GI Optical Waveguide) As the component (A), 50 parts by weight of the compound (A-2) was added.
(B) 50 parts by weight of a condensate of methyltrimethoxysilane (weight average molecular weight = 2,000) as a component;
After dissolving 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as a component in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid concentration becomes 40%, a pore size of 1.0
The solution was filtered through a μm membrane filter to prepare a solution (S-1) containing the photosensitive refractive index changing composition. Further, 100 parts by weight of a condensate (weight average molecular weight = 2,000) of methyltrimethoxysilane used as the component (B) and SI-L150 (Sanshin Chemical Co., Ltd.) as a thermal acid generator
(S-2) was dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether so as to obtain a solid concentration of 40%.

【０３３６】まず溶液（Ｓ−２）をシリコン基板の表面
上にスピンコータで塗布し、７０℃で１０分間乾燥させ
た後、波長３６５ｎｍ、照度４．０ｍＷ／ｃｍ²の紫外
線を全面に５秒間照射を行い、厚み１０μｍの下部クラ
ッド層を形成した。次に、溶液（Ｓ−１）を下部クラッ
ド層の上にスピンコータで塗布し、７０℃で１０分間乾
燥させ、厚み１０μｍの中間層を形成した後、幅４〜２
０μｍの光導波路パターンを刻んだフォトマスクを用い
て、波長３６５ｎｍ、照度４．０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線
を１０秒間照射した。その後、１２０℃で２分間露光後
ベークを実施した。この際に、未露光部がコア部分とな
り、露光部が側部クラッド層となる。この上に次いで溶
液（Ｓ−２）をスピンコータで塗布し、７０℃で１０分
間乾燥させ、厚み１０μｍの上部クラッド層を形成した
後、波長３６５ｎｍ、照度４．０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線
を全面に５秒間照射した後、１２０℃で２分間露光後ベ
ークを実施することで光導波路を製造した。形成された
上部、側部、下部のクラッド層の波長１５５０ｎｍの光
の屈折率は１．４２であった。これに対し、コア層の波
長１，５５０ｎｍの光の屈折率は１．５０であり、最大
屈折率差Δｎが０．０８であった。ここで得られた光導
波路は、上部、下部にも光酸発生剤を含ませることで、
コア層と上下のクラッド層の界面は若干発生した酸の拡
散が生じる。これにより上部、側部、下部ともコア層と
クラッド層との界面は屈折率分布が生じており、得られ
る光導波路はＧＩ型となる。このようにして得られた光
導波路について、波長１，３００ｎｍの光を導波路の一
端から入射させたときに他端から出射する光量を測定す
ることにより、導波路損失を求めたところ、０．１ｄＢ
／ｃｍ以下であった。[0336] First solution (S-2) was applied by a spin coater on the surface of the silicon substrate, dried for 10 minutes at 70 ° C., wavelength 365 nm, the entire surface irradiated for 5 seconds with ultraviolet rays at an illuminance 4.0 mW / cm ² Was performed to form a lower cladding layer having a thickness of 10 μm. Next, the solution (S-1) is applied on the lower clad layer by a spin coater, and dried at 70 ° C. for 10 minutes to form an intermediate layer having a thickness of 10 μm.
Ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm and an illuminance of 4.0 mW / cm ² were irradiated for 10 seconds using a photomask engraved with an optical waveguide pattern of 0 μm. Thereafter, a post-exposure bake was performed at 120 ° C. for 2 minutes. At this time, the unexposed portion becomes the core portion, and the exposed portion becomes the side clad layer. Then, the solution (S-2) was applied thereon by a spin coater and dried at 70 ° C. for 10 minutes to form an upper clad layer having a thickness of 10 μm. Then, ultraviolet light having a wavelength of 365 nm and an illuminance of 4.0 mW / cm ² was applied to the entire surface. After irradiating for 5 seconds, an optical waveguide was manufactured by performing post-exposure bake at 120 ° C. for 2 minutes. The refractive index of light having a wavelength of 1550 nm of the formed upper, side and lower cladding layers was 1.42. On the other hand, the refractive index of light having a wavelength of 1,550 nm in the core layer was 1.50, and the maximum refractive index difference Δn was 0.08. The optical waveguide obtained here, by including a photoacid generator also in the upper and lower,
At the interface between the core layer and the upper and lower cladding layers, the generated acid slightly diffuses. As a result, the refractive index distribution occurs at the interface between the core layer and the clad layer in all of the upper, side, and lower portions, and the obtained optical waveguide is a GI type. With respect to the optical waveguide thus obtained, the waveguide loss was determined by measuring the amount of light emitted from the other end when light having a wavelength of 1,300 nm was incident from one end of the waveguide. 1dB
/ Cm or less.

【０３３７】実施例４３ （光記録媒体の作製） （Ａ）成分として、化合物（Ａ−２）を５０重量部と、
（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの分子量が
２，０００の縮合物を５０重量部と、（Ｃ）成分として
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホナート１重量部とを全体の固形分
濃度が２０％になるようにジエチレングリコールエチル
メチルエーテルに溶解させた後、孔径０．２μｍのメン
ブランフィルターで濾過し、感光性屈折率変化性組成物
を含有する溶液を調製した。これをアルミ反射膜をスパ
ッタリング法により６０ｎｍの厚みで堆積した、平坦な
ポリカーボネート基板上に、スピンコータで塗布し、８
０℃で２分間乾燥させ、厚み１．０μｍの屈折率変化層
を形成した。その後、トラックピッチ１．６μｍでピッ
チ幅０．５μｍのマスクを介し、波長３６５ｎｍで照度
４０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線照射を５秒間行い、１２０℃
で２分間露光後ベークを実施した。これにより露光部と
未露光部との間に得られる屈折率差は６３３ｎｍにおい
て０．０８であり、光記録媒体として十分に読み取り可
能であった。Example 43 (Preparation of Optical Recording Medium) As the component (A), 50 parts by weight of the compound (A-2) was added.
50 parts by weight of a condensate of methyltrimethoxysilane having a molecular weight of 2,000 as a component (B) and 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as a component (C) Was dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether so as to be 20%, and then filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a solution containing the photosensitive refractive index changing composition. This was coated on a flat polycarbonate substrate on which an aluminum reflective film was deposited to a thickness of 60 nm by a sputtering method using a spin coater.
After drying at 0 ° C. for 2 minutes, a refractive index changing layer having a thickness of 1.0 μm was formed. After that, ultraviolet irradiation with a wavelength of 365 nm and an illuminance of 40 mW / cm ² was performed for 5 seconds through a mask having a track pitch of 1.6 μm and a pitch width of 0.5 μm, and a temperature of 120 ° C.
And baking was performed for 2 minutes after exposure. As a result, the difference in the refractive index obtained between the exposed and unexposed portions was 0.08 at 633 nm, and was sufficiently readable as an optical recording medium.

【０３３８】実施例４４ （光集積回路の作製） （Ａ）成分として、化合物（Ａ−２）を５０重量部と、
（Ｂ）成分としてメチルトリメトキシシランの縮合物
（重量平均分子量＝２，０００）５０重量部と、（Ｃ）
成分として４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホナート１重量部とを全
体の固形分濃度が３３％になるようにジエチレングリコ
ールエチルメチルエーテルに溶解させた後、孔径１．０
μｍのメンブランフィルターで濾過し、感光性屈折率変
化性組成物を含有する溶液を調製した。これをガラス基
板の表面上にスピンコータで塗布し、７０℃で１０分間
乾燥させた後、１００μｍ幅のマスクを通して、波長３
６５ｎｍ、照度４．０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を５秒間照
射を行い、１２０℃で２分間露光後ベークを実施した。
その結果、１００μｍの屈折率パターンを有する光集積
回路を得ることができた。Example 44 (Production of Optical Integrated Circuit) As the component (A), 50 parts by weight of the compound (A-2) was added.
(B) 50 parts by weight of a condensate of methyltrimethoxysilane (weight average molecular weight = 2,000) as a component;
After dissolving 1 part by weight of 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as a component in diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid concentration becomes 33%, the pore diameter is adjusted to 1.0%.
The solution was filtered through a μm membrane filter to prepare a solution containing the photosensitive refractive index changing composition. This was applied on the surface of a glass substrate with a spin coater, dried at 70 ° C. for 10 minutes, and then passed through a mask having a width of 100 μm to a wavelength of 3 μm.
Irradiation with ultraviolet rays of 65 nm and illuminance of 4.0 mW / cm ² was performed for 5 seconds, and baking was performed after exposure at 120 ° C. for 2 minutes.
As a result, an optical integrated circuit having a 100 μm refractive index pattern could be obtained.

【０３３９】実施例４５ （光回折格子の作製） 実施例４２で調製した溶液を用いて、２ｃｍ×１ｃｍ×
１０μｍのフィルム状の試料を作製した。この試料に波
長３６５ｎｍ、照度４．０ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を照射
した。照射の方法としては、図２に示すように照射装置
８から照射光を平行光９として、４５°に置いた反射板
７で反射させてステージ６上のフィルム状の試料５に照
射した。試料には反射光と直接照射された光から形成さ
れる干渉パターンが照射される。照射とともに図の矢印
方向に１μｍ／ｍｉｎの速度で試料を移動させ、結果と
して０．５μｍの周期を持つ光回折格子を得た。Example 45 (Preparation of Optical Diffraction Grating) Using the solution prepared in Example 42, 2 cm × 1 cm ×
A 10 μm film sample was prepared. The sample was irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm and an illuminance of 4.0 mW / cm ² . As a method of irradiation, as shown in FIG. 2, irradiation light from an irradiation device 8 was reflected as a parallel light 9 by a reflecting plate 7 placed at 45 °, and irradiated onto a film-shaped sample 5 on a stage 6. The sample is irradiated with an interference pattern formed from the reflected light and the directly irradiated light. Along with the irradiation, the sample was moved at a speed of 1 μm / min in the direction of the arrow in the figure, and as a result, an optical diffraction grating having a period of 0.5 μm was obtained.

【０３４０】実施例４６ （ホログラムの作製） 波長３６５ｎｍ、照度４．０ｍＷ／ｃｍ²の平行光をハ
ーフミラーで２つの光路に分け、ひとつは透明な物体を
通過させ信号光とし、もうひとつの参照光と干渉させ、
その干渉パターンを実施例４５と同じ光学成形体に照射
した。得られた光学成形体に再生照明光をあてることに
より、高い分解能で記録された物体像が確認できた。Example 46 (Production of hologram) Parallel light having a wavelength of 365 nm and an illuminance of 4.0 mW / cm ² was divided into two optical paths by a half mirror, one of which passed through a transparent object and was used as signal light, and the other was referred to. Interfere with light,
The same optical molded body as in Example 45 was irradiated with the interference pattern. By applying reproduction illumination light to the obtained optical molded body, an object image recorded with high resolution could be confirmed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の屈折率変化性組成物からレンズを形成
する際に光照射を行うための装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for irradiating light when forming a lens from the refractive index changing composition of the present invention.

【図２】本発明の屈折率変化性組成物から回折格子を形
成する際の光照射を行うための装置の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of an apparatus for irradiating light when forming a diffraction grating from the refractive index changing composition of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 3/00 Ｇ０２Ｂ 3/00 Ｂ 5/18 5/18 // Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０２ ５２１ ５２１ 7/039 ６０１ 7/039 ６０１ 7/38 ５１１ 7/38 ５１１ Ｇ０３Ｈ 1/02 Ｇ０３Ｈ 1/02 1/04 1/04 (31)優先権主張番号 特願2000−345764(P2000−345764) (32)優先日 平成12年11月13日(2000．11．13) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−360075(P2000−360075) (32)優先日 平成12年11月27日(2000．11．27) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2001−18765(P2001−18765) (32)優先日 平成13年１月26日(2001．1．26) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 熊野 厚司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山田 憲司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA11 AB14 AB20 AC01 AD03 BE00 BE10 BG00 BH05 CB19 CB20 CB21 CB32 CB41 CB51 CC01 CC20 FA12 2H049 AA12 AA33 AA43 AA55 AA61 2H096 AA28 AA30 BA11 EA02 FA01 2K008 DD11 HH01 HH18 4J002 AC022 BC022 BD122 BE042 BG002 BK002 CA002 CF001 CF002 CF111 CG002 CG011 CH001 CJ001 CK022 CL002 CL091 CM042 CN001 CN011 CN012 CP032 EB006 EL007 EN007 EN136 ET007 EU186 EV246 EV296 FD03 GP00 GP01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02B 3/00 G02B 3/00 B 5/18 5/18 // G03F 7/004 502 G03F 7/004 502 521 521 7/039 601 7/039 601 7/38 511 7/38 511 G03H 1/02 G03H 1/02 1/04 1/04 (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 2000-345764 (P2000-345764) ( 32) Priority date November 13, 2000 (November 13, 2000) (33) Priority claiming country Japan (JP) (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 2000-360075 (P2000-360075) (32) Priority Date November 27, 2000 (November 27, 2000) (33) Priority claiming country Japan (JP) (31) Priority claim number Japanese Patent Application 2001-18765 (P2001-18765) (32) Priority date 2001 January 26, 2001 (Jan. 26, 2001) (33) Countries claiming priority Japan (JP) (72) Inventor Atsushi Kumano Tokyo 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Japan JSR Co., Ltd. No.11-24, JSR Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA02 AA11 AB14 AB20 AC01 AD03 BE00 BE10 BG00 BH05 CB19 CB20 CB21 CB32 CB41 CB51 CC01 CC20 FA12 2H049 AA12 AA33 AA43 AA55 AA11A02AH HH18 4J002 AC022 BC022 BD122 BE042 BG002 BK002 CA002 CF001 CF002 CF111 CG002 CG011 CH001 CJ001 CK022 CL002 CL091 CM042 CN001 CN011 CN012 CP032 EB006 EL007 EN007 EN136 ET007 EU186 EV246 EV296 FD03 GP00 GP01

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 （Ａ）分解性化合物、（Ｂ）分解性化合
物（Ａ）よりも屈折率が低い非分解性化合物、（Ｃ）感
放射線分解剤および（Ｄ）安定化剤を含有することを特
徴とする、感放射線性屈折率変化性組成物。1. A composition comprising (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound having a lower refractive index than the decomposable compound (A), (C) a radiation-sensitive decomposer, and (D) a stabilizer. A radiation-sensitive refractive index changing composition comprising: 【請求項２】 放射線照射部の屈折率が放射線未照射部
の屈折率と最大差で０．０２以上となる、請求項１に記
載の組成物。2. The composition according to claim 1, wherein the refractive index of the radiation-irradiated portion is at most 0.02 or more than the refractive index of the non-radiation-irradiated portion. 【請求項３】 非分解性化合物（Ｂ）の屈折率ｎ_Bが、
分解性化合物（Ａ）の屈折率ｎ_Aと下記式（１）： ｎ_A−ｎ_B≧０．０５・・・・・・（１） の関係にある、請求項１または２に記載の組成物。Refractive index n _B of 3. A non-decomposable compound (B) is,
The composition according to claim 1, wherein the refractive index n _{A of the} decomposable compound (A) and the following formula (1): n _A −n _B ≧ 0.05 (1). object. 【請求項４】 （Ａ）分解性化合物が酸分解性化合物で
あり、（Ｂ）非分解性化合物が酸非分解性重合体であり
そして（Ｃ）感放射線性分解剤が感放射線性酸発生剤で
ある、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。4. The method according to claim 1, wherein (A) the decomposable compound is an acid-decomposable compound, (B) the non-decomposable compound is an acid-non-decomposable polymer, and (C) the radiation-sensitive decomposer is a radiation-sensitive acid generator. The composition according to any one of claims 1 to 3, which is an agent. 【請求項５】 （Ａ）酸分解性化合物が下記式（１）〜
（８） 【化１】 （式（１）において、Ｒ¹はアルキレン基、アルキレン
アリーレンアルキレン基またはアリーレン基でありそし
てＲ²はアルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレ
ン基、アリーレン基、アルキルシリレン基またはアルキ
ルゲルミレン基である。） 【化２】 （式（２）において、ＭはＳｉまたはＧｅであり、Ｒ³
はアルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基、
アリーレン基、アルキルシリレン基またはアルキルゲル
ミレン基であり、Ｒ⁴は酸素原子、アルキレン基、アル
キレンアリーレンアルキレン基、アリーレン基または単
結合であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に
水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基また
はチオアルキル基でありそしてｍは０から２までの整数
である。） 【化３】 （式（３）において、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立
に、アルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン
基、アリーレン基、アルキルシリレン基またはアルキル
ゲルミレン基である。） 【化４】 （式（４）において、Ｒ¹¹はオキシアルキレン基または
単結合でありそしてＲ¹²は水素原子、アルキル基、アル
キレンアリーレンアルキレン基またはアリール基であ
る。） 【化５】 （式（５）において、Ｒ¹³は水素原子、アルキル基また
はアリール基である。） 【化６】 （式（６）において、Ｒ¹⁴は、アルキレン基、下記式
（６）−１、（６）−２または（６）−３で表される構
造である。） 【化７】 （式（６）−１において、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸
は互いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル
基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、メルカ
プト基、カルボキシル基、炭素数１〜６のアルコキシル
基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のハ
ロゲン化アルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルコ
キシル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基、
炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６の
メルカプトアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアル
コキシル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ
基、炭素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１１
のアラルキル基である。） 【化８】 （式（６）−２において、Ｒ¹⁹はアルキレン基であ
る。） 【化９】 （式（６）−３において、Ｒ²⁰はアルキレン基であ
る。） 【化１０】 （式（７）において、Ｒ²¹はアルキレン基、アルキレン
アリーレンアルキレン基またはアリーレン基である。） 【化１１】 （式（８）において、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴およびＲ²⁵は互
いに独立に水素原子、炭素数１〜６の鎖状アルキル基、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、メルカプト
基、カルボキシル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、
炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のハロゲ
ン化アルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシ
ル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキルチオ基、炭素
数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のメル
カプトアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルコキ
シル基、炭素数１〜６のメルカプトアルキルチオ基、炭
素数６〜１０のアリール基または炭素数７〜１１のアラ
ルキル基である。）のいずれかで表される構造よりなる
群から選ばれる少なくとも一種の構造を有する化合物
を、少なくとも一種含有する、請求項４に記載の組成
物。5. The method according to claim 1, wherein (A) the acid-decomposable compound is represented by the following formula (1):
(8) (In the formula (1), R ¹ is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group or an arylene group, and R ² is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group.) Formula 2 (In the formula (2), M is Si or Ge, and R ³
Is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group,
R ⁴ is an oxygen atom, an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group or a single bond, and R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ and R ⁸ are each independently an arylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group; Is a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or a thioalkyl group, and m is an integer from 0 to 2. ) (In the formula (3), R ⁹ and R ¹⁰ are each independently an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group, an arylene group, an alkylsilylene group, or an alkylgermylene group.) (In the formula (4), R ¹¹ is an oxyalkylene group or a single bond, and R ¹² is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkylene arylene alkylene group or an aryl group.) (In the formula (5), R ¹³ is a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group.) (In the formula (6), R ¹⁴ is an alkylene group or a structure represented by the following formula (6) -1, (6) -2 or (6) -3.) (In the formula (6) -1, R ¹⁵ , R ¹⁶ , R ¹⁷ and R ¹⁸
Are each independently a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a carboxyl group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, An alkylthio group, a halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms,
C1-C6 hydroxyalkyl group, C1-C6 mercaptoalkyl group, C1-C6 hydroxyalkoxyl group, C1-C6 mercaptoalkylthio group, C6-C10 aryl group or carbon Numbers 7 to 11
Is an aralkyl group. ) (In the formula (6) -2, R ¹⁹ is an alkylene group.) (In the formula (6) -3, R ²⁰ is an alkylene group.) (In the formula (7), R ²¹ is an alkylene group, an alkylene arylene alkylene group or an arylene group.) (In the formula (8), R ²² , R ²³ , R ²⁴ and R ²⁵ each independently represent a hydrogen atom, a chain alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
Chlorine atom, bromine atom, iodine atom, hydroxyl group, mercapto group, carboxyl group, alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms,
C1-6 alkylthio group, C1-6 halogenated alkyl group, C1-6 halogenated alkoxyl group, C1-6 halogenated alkylthio group, C1-6 hydroxyalkyl Group, a C1-6 mercaptoalkyl group, a C1-6 hydroxyalkoxyl group, a C1-6 mercaptoalkylthio group, a C6-10 aryl group or a C7-11 aralkyl group is there. The composition according to claim 4, comprising at least one compound having at least one structure selected from the group consisting of structures represented by any of the above. 【請求項６】 （Ａ）分解性化合物が塩基分解性化合物
であり、（Ｂ）非分解性化合物が塩基非分解性重合体で
あり、（Ｃ）感放射線性分解剤が感放射線性塩基発生剤
である、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。6. The (A) decomposable compound is a base-decomposable compound, (B) the non-decomposable compound is a non-base decomposable polymer, and (C) the radiation-sensitive decomposer is a radiation-sensitive base generator. The composition according to any one of claims 1 to 3, which is an agent. 【請求項７】 （Ａ）分解性化合物が下記式（９）〜
（１２） 【化１２】 （式（９）において、Ｒ²⁶はアルキレン基、アラルキレ
ン基またはアリーレン基であり、Ｒ²⁷はアルキレン基、
アラルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン
アルキレン基、アルキルシリレン基またはアルキルゲル
ミレン基であり、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰およびＲ³¹はそれぞ
れ独立して水素原子、アルキル基、アリール基、アルコ
キシル基またはチオアルキル基でありそしてｉおよびｊ
はそれぞれ独立に０または１である。） 【化１３】 （式（１０）において、Ｒ³²はアルキレン基、アラルキ
レン基またはアリーレン基であり、Ｒ³³はアルキレン
基、アラルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリー
レンアルキレン基、アルキルシリレン基またはアルキル
ゲルミレン基である。） 【化１４】 （式（１１）において、Ｒ³⁴およびＲ³⁵はそれぞれ独立
にアルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、アル
キレンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基ま
たはアルキルゲルミレン基である。） 【化１５】 （式（１２）において、Ｒ³⁶およびＲ³⁷はそれぞれ独立
に、アルキレン基、アラルキレン基、アリーレン基、ア
ルキレンアリーレンアルキレン基、アルキルシリレン基
またはアルキルゲルミレン基である。）で表される構造
よりなる群から選ばれる少なくとも一種の構造を有する
化合物を、少なくとも一種含有する、請求項６に記載の
組成物。7. The method according to claim 1, wherein (A) the decomposable compound is represented by the following formula (9):
(12) (In the formula (9), R ²⁶ is an alkylene group, an aralkylene group or an arylene group, R ²⁷ is an alkylene group,
An aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group or an alkylgermylene group, wherein R ²⁸ , R ²⁹ , R ³⁰ and R ³¹ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxyl group or A thioalkyl group and i and j
Is each independently 0 or 1. ) (In the formula (10), R ³² is an alkylene group, an aralkylene group, or an arylene group, and R ³³ is an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group, or an alkylgermylene group.) Embedded image (In the formula (11), R ³⁴ and R ³⁵ are each independently an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group, or an alkylgermylene group.) (In the formula (12), R ³⁶ and R ³⁷ each independently represent an alkylene group, an aralkylene group, an arylene group, an alkylene arylene alkylene group, an alkylsilylene group, or an alkylgermylene group.) 7. The composition according to claim 6, comprising at least one compound having at least one structure selected from the group. 【請求項８】 （Ｄ）安定化剤がアミノ化合物、エポキ
シ化合物、チイラン化合物、オキセタン化合物、アルコ
キシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化グリ
コールウリル化合物、アルコキシメチル化ベンゾグアナ
ミン化合物、アルコキシメチル化尿素化合物、イソシア
ネート化合物、シアネート化合物、オキサゾリン化合
物、オキサジン化合物およびシリル化合物よりなる群か
ら選ばれる少なくとも一種である、請求項１〜７のいず
れかに記載の組成物。8. (D) The stabilizer is an amino compound, an epoxy compound, a thiirane compound, an oxetane compound, an alkoxymethylated melamine compound, an alkoxymethylated glycoluril compound, an alkoxymethylated benzoguanamine compound, an alkoxymethylated urea compound, or an isocyanate. The composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the composition is at least one selected from the group consisting of a compound, a cyanate compound, an oxazoline compound, an oxazine compound, and a silyl compound. 【請求項９】 （Ｄ）安定剤を含有しそして（Ａ）分解
性化合物と（Ｄ）安定化剤の反応のための触媒をさらに
含有する請求項１に記載の組成物。9. The composition according to claim 1, comprising (D) a stabilizer and further comprising a catalyst for the reaction of (A) the degradable compound and (D) the stabilizer. 【請求項１０】 （Ａ）分解性化合物、（Ｂ）非分解性
化合物、（Ｃ）感放射線分解剤および（Ｄ）安定化剤を
含有する、感放射線性屈折率変化性組成物に放射線を照
射し、次いで加熱して未露光部の安定化剤（Ｄ）と分解
性化合物（Ａ）を反応せしめることを特徴とする、屈折
率パターン形成方法。10. A radiation-sensitive refractive index changing composition comprising (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound, (C) a radiation-sensitive decomposer and (D) a stabilizer. A method of forming a refractive index pattern, comprising irradiating and then heating to react the unexposed portion of the stabilizer (D) with the decomposable compound (A). 【請求項１１】 （Ａ）分解性化合物、（Ｂ）分解性化
合物（Ａ）よりも屈折率が低い非分解性化合物および
（Ｃ）感放射線分解剤を含有する屈折率変化性組成物に
パターンマスクを介して放射線を照射した後、（Ｄ）安
定化剤で処理して未露光部の（Ａ）分解性化合物を
（Ｄ）安定化剤と反応せしめることを特徴とする屈折率
パターン形成方法。11. A pattern formed on a refractive index changing composition containing (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound having a lower refractive index than the decomposable compound (A), and (C) a radiation-sensitive decomposer. A method of forming a refractive index pattern, comprising irradiating radiation through a mask and then treating with a stabilizer (D) to react the (A) decomposable compound in the unexposed portion with the stabilizer (D). . 【請求項１２】 （Ａ）分解性化合物、（Ｂ）分解性化
合物（Ａ）よりも屈折率が低い非分解性化合物および
（Ｃ）感放射線分解剤を含有する屈折率変化性組成物に
パターンマスクを介して放射線を照射した後、加熱処理
して未露光部の分解性重合体を分解せしめることを特徴
とする屈折率パターン形成方法。12. A pattern formed on a refractive index changing composition containing (A) a decomposable compound, (B) a non-decomposable compound having a lower refractive index than the decomposable compound (A), and (C) a radiation-sensitive decomposer. A method for forming a refractive index pattern, comprising irradiating radiation through a mask and then performing a heat treatment to decompose a decomposable polymer in an unexposed portion. 【請求項１３】 生成される屈折率パターンが露光部に
空隙を有しているかあるいは有していない請求項１０、
１１または１２に記載の方法。13. The method according to claim 10, wherein the generated refractive index pattern has or does not have a void in the exposed portion.
13. The method according to 11 or 12. 【請求項１４】 請求項１０、１１、１２または１３に
記載の方法により形成された屈折率パターン。14. A refractive index pattern formed by the method according to claim 10, 11, 12, or 13. 【請求項１５】 空隙を有しているかあるいは有してい
ない第１領域と、空隙を有していず且つ第１領域よりも
屈折率が高い第２領域からなる請求項１４に記載の屈折
率パターン。15. The refractive index according to claim 14, comprising a first region having or not having a void and a second region having no void and having a higher refractive index than the first region. pattern. 【請求項１６】 第１領域が第２領域よりも小さい弾性
率を示す請求項１５に記載の屈折率パターン。16. The refractive index pattern according to claim 15, wherein the first region has a lower elastic modulus than the second region. 【請求項１７】 請求項１０、１１、１２または１３に
記載の方法により形成された屈折率パターンを有する光
学材料。17. An optical material having a refractive index pattern formed by the method according to claim 10, 11, 12, or 13.