JP2002293689A - 原料シリコンの融解方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＺ法によって単結晶引上げを行う際に、塊
状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内で融解をするにあ
たって、原料シリコン融解時における液ハネを防止する
ことができる原料シリコンの融解方法を提供する。 【解決手段】 るつぼ１６の円筒部１６ａにおいて、塊
状又は粒状の原料シリコン１２を充填して一般原料層を
形成してから、当該一般原料層の上に板状の原料シリコ
ン２１からなる板状原料層を形成し、更に当該板状原料
層の上に一般原料層を形成していくという工程を含むよ
うな原料シリコンの充填方法をとる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法（チョクラ
ルスキー法）によって単結晶引上げを行うにあたり、原
料シリコンをるつぼ内で融解する方法に関し、詳しく
は、原料シリコン融解時における液ハネを防止すること
ができ、ひいては、液ハネに起因する単結晶の多結晶化
を抑制し、単結晶歩留まりを向上させることが可能な融
解方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＺ法は、塊状又は粒状の原料シリコン
をるつぼ内で加熱融解して原料融液とし、当該原料融液
に浸した種結晶を当該種結晶又はるつぼを回転させなが
ら上方に引上げて単結晶インゴットを作製する方法であ
る。ＣＺ法は、大口径で、均質かつ高品質の単結晶を連
続的に作製することができるため、工業的な単結晶イン
ゴット作製法として最も多く利用されている。

【０００３】しかしながら、ＣＺ法は、単結晶の引上げ
時において、原料融液の液ハネに起因する単結晶の多結
晶化（しばしば「ポリ不良」と称される）が発生するお
それがあるという問題があった。

【０００４】この多結晶化は、原料シリコンの融解時に
おいて液ハネの飛沫が引上げ装置内に付着し、当該飛沫
が、引上げ中の単結晶の表面または成長界面に落下し、
付着することによって当該付着部分から下方の引上げ部
分が多結晶化してしまう不良であり、単結晶の歩留まり
を低下させる点において好ましくない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、原
料シリコン融解時における液ハネを防止すること、ひい
ては、液ハネに起因する単結晶の多結晶化を抑制し、単
結晶歩留まりを向上させることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、原料シリ
コンをるつぼ内に充填をする方法に工夫を加えることに
よって液ハネを防止することができ、ひいては、液ハネ
による単結晶の多結晶化が抑制され、単結晶歩留まりの
向上が可能となることを見出して、本発明を完成するに
至った。

【０００７】すなわち、本発明は、既述の課題を解決す
るために、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内に充
填をする際に、板状原料からなる板状原料層を介在させ
たものであり、これによって、原料シリコン融解時にお
ける液ハネを防止したものである。

【０００８】本発明は、より具体的には以下のようなも
のを提供する。

【０００９】（１） ＣＺ法によって単結晶引上げを行
う際に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内に充填
をするにあたって、るつぼの円筒部において、塊状又は
粒状の原料シリコンを充填して一般原料層を形成してか
ら、当該一般原料層の上に板状の原料シリコンからなる
板状原料層を形成し、更に当該板状原料層の上に一般原
料層を形成していくという工程を含むことを特徴とする
原料シリコンの充填方法。

【００１０】本発明においては板状の原料シリコンから
なる板状原料層を、るつぼの円筒部に配置する。板状原
料層を設けることによって原料融液の液ハネを封じ込め
ることができ、単結晶の多結晶化の抑制、ひいては単結
晶歩留まりの向上が可能となる。

【００１１】本明細書で言う「板状の原料シリコン」の
「板状」とは、その上に一般的なナゲット状シリコンが
載ることが可能なように二次元方向の広がりを有してい
る一般的な形状を意味し、いわゆる平板状のみならず、
例えば曲面を備える曲面状のもの等も含まれる。このよ
うな形状のものも液ハネを封じ込めることが可能であ
り、本発明の効果を得ることができるからである。

【００１２】上記「板状の原料シリコン」は１枚乃至複
数枚で板状原料層を形成することによって液ハネを封じ
込めるものである。板状原料層は、少なくとも一層あれ
ば足りるが、複数層あることが好ましい。いずれの場合
でも、当該板状原料層と塊状又は粒状の原料シリコンか
らなる一般原料層とが、交互に積層された状態でるつぼ
内に充填されることになる。

【００１３】なお、「板状原料層」は必ずしも全体が平
坦となるように形成する必要はなく、例えば中央部が落
ち込むようなすり鉢状に形成してもよい。「板状原料
層」をすり鉢状に形成すると、最上層となる一般原料層
を山積し易いという利点がある。

【００１４】「原料シリコン」とは、一般的にその融液
が単結晶製造用の原料となるものを広く包含する意味で
ある。即ち、原料シリコンは、多結晶であると単結晶で
あるとを問わない。但し、単結晶のうち既にドーパント
が含まれているものについては、引き上げるべき単結晶
（製品）との関係でドーパントの種類や量を適宜選択す
べき点に留意する必要がある。

【００１５】「塊状」とは、通常、原料シリコンに用い
られるナゲット状のもの（こぶし大程度）、或いはこれ
より大きいブロック状のものを意味する。「粒状」と
は、前記「塊状」のものより細かい小片状のもの（平均
粒径１５ｍｍ程度）を意味する。

【００１６】（２） 前記板状の原料シリコンが、筒状
の多結晶シリコンから切り出された円盤体または短冊体
のものである上記（１）に記載の充填方法。

【００１７】「原料シリコン」は、既述の如く、多結晶
であっても単結晶であってもよい。例えば、円筒状の多
結晶体を用いる場合であれば、中心軸と垂直方向にスラ
イスすることにより円盤体のものを得ることができ、軸
と水平方向にスライスすることにより短冊体を得ること
ができる。円盤体のサイズは直径が約７０〜１５０ｍｍ
φのもの、短冊体のサイズは長辺が約１００〜１５０ｍ
ｍで、短辺が約５０〜１５０ｍｍのものが好ましい。

【００１８】（３） 前記板状の原料シリコンの厚さが
２から２０ｍｍの範囲内である上記（１）又は（２）に
記載の充填方法。

【００１９】本発明においては、板状原料層の上面に、
更に、一般原料層を積層・充填する方法をとる。従っ
て、「板状の原料シリコン」の破損を防止するべく、そ
の厚さを２から２０ｍｍの範囲内とすることが好まし
い。即ち、通常のウェハの厚み（約０．５〜０．８ｍｍ
程度）では薄過ぎるため、破損のおそれがある。

【００２０】（４） 前記板状原料層の上下に、粒状の
原料シリコンを充填する上記（１）〜（３）のいずれか
に記載の充填方法。

【００２１】板状の原料シリコンを使用すると、板状の
原料シリコンの近傍、即ち、板状の原料シリコンと塊状
の原料シリコンとの境界面で空隙を生じ、るつぼ内にお
ける原料シリコンの充填率が低下する難点がある。かか
る難点は、板状の原料シリコンの近傍に粒状の原料シリ
コンを充填することにより回避可能である。粒状の原料
シリコンが前記空隙を埋めるからである。

【００２２】（５） ＣＺ法によって単結晶引上げを行
う際に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内で融解
をするにあたって、上記（１）〜（４）のいずれかに記
載の充填方法によって前記るつぼ内に原料シリコンの充
填を行った後、当該るつぼをその側方及び／又は下方か
ら加熱して原料シリコンを融解することを特徴とする原
料シリコンの融解方法。

【００２３】ここで、以下のような方法も本発明の範囲
に含まれる。

【００２４】（６） 原料シリコンがＣＺ法単結晶引上
げ装置に使用されるるつぼ内に積層された積層体であっ
て、前記るつぼの円筒部において、塊状又は粒状の原料
シリコンからなる一般原料層と、板状の原料シリコンか
らなる板状原料層と、が交互に積層された積層部分を有
する原料シリコンの積層体。

【００２５】本発明は、別の側面から見れば、下記のよ
うなものと捉えることもできる。

【００２６】（７） ＣＺ法によって単結晶引上げを行
う際に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内に充填
をするにあたって、前記るつぼの円筒部に板状の原料か
らなる板状原料層を形成しつつ塊状又は粒状の原料を充
填することにより、原料シリコン融解時の液ハネが防止
されるようにする方法。

【００２７】（８） 原料シリコンが充填されたＣＺ法
単結晶引上げ装置に使用されるるつぼ内における液ハネ
防止用部材としての板状の原料シリコンの使用。

【００２８】

【発明を実施するための形態】以下、本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。

【００２９】図１は本発明の充填方法の第１の実施態様
を示す工程図である。

【００３０】ＣＺ法単結晶引上げ装置に使用されるるつ
ぼは、図２に示す如く、開口端面から連続する中空の円
筒部１６ａと、当該円筒部１６ａ縁端のＲが始まる部分
から下側の曲面状に構成された底面Ｒ部１６ｂと、から
なる。

【００３１】図２（ａ）に示す如くるつぼ１６内に塊状
又は粒状の原料シリコン１２を充填し加熱すると、図２
（ｂ）に示す如くるつぼ１６の底面Ｒ部１６ｂから融解
が開始され、るつぼ１６の底面Ｒ部１６ｂに原料シリコ
ン１２によるブリッジ１３が形成される。更に融解が進
行すると、図２（ｃ）に示す如く当該ブリッジ１３の一
部が崩落することにより、塊状又は粒状の原料シリコン
１２が原料融液１７中に落下して液ハネ２０が発生す
る。

【００３２】なお、るつぼの底面Ｒ部から融解が開始さ
れるのは、一般に加熱用ヒータはるつぼの側方乃至下方
に配置されるところ当該部分が融解し易い一方、るつぼ
の上方は放熱があるために融解が進行し難いためであ
る。

【００３３】以上のような現象を考慮し、本発明におい
ては、るつぼの底面Ｒ部より上方、即ち、るつぼの円筒
部に板状原料層を配置し、当該板状原料層によって液ハ
ネを封じ込めることとした。このような構成によれば、
たとえブリッジが崩落しても液ハネの飛沫がるつぼ外部
に飛散することはなく、単結晶引上げ時に落下すること
もなくなるため、単結晶の多結晶化が抑制され、ひいて
は単結晶歩留まりの向上が可能となる。一方、板状原料
層をるつぼの底面Ｒ部に配置した場合には、板状原料層
が一般原料層とともに融解してしまうため、液ハネを封
じ込める効果が得られなくなる。

【００３４】第１の実施態様では、まず、図１（ａ）に
示す如くるつぼ１６の円筒部１６ａの任意の位置まで、
塊状又は粒状の原料シリコン１２を充填して一般原料層
を形成する（第１層）。塊状又は粒状の原料シリコン１
２としては、通常、原料シリコンに用いられるナゲット
状のものを使用する。

【００３５】次いで、図１（ｂ）に示す如く前記一般原
料層の上に、板状の原料シリコン２１からなる板状原料
層を形成する（第２層）。この際、板状原料層は、板状
の原料シリコン２１のるつぼ１６外への滑落を防止する
ため、るつぼ１６の開口端面より下方に配置する。

【００３６】原料シリコンの融解は、生産効率を向上さ
せることを目的として、るつぼ１６の開口端面を超えて
原料シリコン１２を山積することが一般的である。この
ような場合に、板状の原料シリコン２１を一般原料層の
最上部に配置しようとすると、るつぼ１６外に滑落する
おそれがある。板状原料層をるつぼ１６の開口端面より
下方に配置すれば、板状の原料シリコン２１はるつぼ１
６の開口部縁端で係止され、るつぼ１６外に滑落するこ
とはない。

【００３７】板状の原料シリコン２１としては、筒状の
多結晶体から切り出された円盤体のものを使用する。円
盤体は、円筒状の多結晶体を中心軸と垂直方向にスライ
スすることによって得る。

【００３８】更に、図１（ｃ）に示す如く当該板状原料
層の上に、一般原料層を形成する（第３層）。塊状又は
粒状の原料シリコン１２は、第１層と同様のナゲット状
のものを用いる。この際、生産効率を向上させるため、
るつぼ１６の開口端面を超えて塊状又は粒状の原料シリ
コン１２を山積する。

【００３９】図３は本発明の充填方法の第２の実施態様
を示す工程図である。

【００４０】まず、第１の実施態様と同様に、図３
（ａ）に示す如くるつぼ１６の円筒部１６ａの任意の位
置まで、塊状又は粒状の原料シリコン１２を充填して一
般原料層を形成し（第１層）、当該一般原料層の上に、
板状の原料シリコン２１からなる板状原料層を形成する
（第２層）。

【００４１】同様にして、図３（ｂ）に示す如く当該板
状原料層の上に、一般原料層を形成し（第３層）、当該
一般原料層の上に、板状原料層を形成する（第４層）。
この際、第４層を形成する板状の原料シリコン２１は、
第１の実施態様と同様に、るつぼ１６の開口端面より下
方に配置する。

【００４２】更に、図３（ｃ）に示す如く当該板状原料
層の上に、一般原料層を形成する（第５層）。この際、
第１の実施態様と同様に、るつぼ１６の開口端面を超え
て塊状又は粒状の原料シリコン１２を山積する。

【００４３】図４は本発明の充填方法の第３の実施態様
を示す工程図である。

【００４４】まず、第１の実施態様と同様に、図４
（ａ）に示す如くるつぼ１６の円筒部１６ａの任意の位
置まで、塊状又は粒状の原料シリコン１２を充填して一
般原料層を形成する（第１層）。

【００４５】次いで、図４（ｂ）に示す如く当該一般原
料層の上に、板状の原料シリコン２１からなる板状原料
層を形成する（第２層）。この際、第２層は、板状の原
料シリコン２１を２層に重層して構成する。即ち、板状
の原料シリコン２１が互いに重なり合うようにして、当
該層より下方に存する塊状又は粒状の原料シリコン１２
がより被覆されるように配置する。液ハネを封じ込める
効果を向上させるためには、板状原料層は、可能な限
り、当該層より下方に存する塊状又は粒状の原料シリコ
ン１２を被覆するように配置することが好ましいからで
ある。

【００４６】最後に、第１の実施態様と同様に、図４
（ｃ）に示す如く当該板状原料層の上に、一般原料層を
形成する（第３層）。

【００４７】次に、本発明の充填方法の第４の実施態様
について説明する。

【００４８】まず、第１の実施態様と同様に、るつぼの
円筒部の任意の位置まで、塊状又は粒状の原料シリコン
を充填して一般原料層を形成し（第１層）、当該一般原
料層の上に、粒状の原料シリコンを充填する。

【００４９】この際、粒状の原料シリコンは板状の原料
シリコンとの接触面ができる限り平坦となるように充填
する。このようにすることで、板状原料層と一般原料層
との間の空隙が埋められ、るつぼ内の原料シリコンの充
填率が向上する。

【００５０】次いで、粒状の原料シリコンの上面に、板
状原料層を積層し（第２層）、当該板状原料層の上に、
再び、粒状の原料シリコンを充填する。この際も、粒状
の原料シリコンは板状の原料シリコンとの接触面ができ
る限り平坦となるように充填する。

【００５１】最後に、当該粒状の原料シリコンの上面
に、一般原料層を積層する（第３層）。

【００５２】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。本実施例は、図５に示すＣＺ法単結晶引上げ装置
を用いて行った。まず、図５に示すＣＺ法単結晶引上げ
装置について概説する。

【００５３】図５に示すＣＺ法単結晶引上げ装置は、通
常のＣＺ法単結晶引上げ装置と同様に、密閉容器たるチ
ャンバ１１内に、シリコン融液１７の製造・貯蔵のため
のるつぼ１６と、このるつぼ１６を加熱するためのヒー
タ１８と、を備えている。そして、この他にも適宜、通
常のＣＺ法単結晶引上げ装置と同様に、ヒータ１８に電
力を供給する電極、るつぼ１６を支持するるつぼ受け、
るつぼ１６を回転させるペディスタル１４、断熱材１
９、メルトレシーブ、内筒などが備え付けられる。ま
た、この装置には、シリコン融液１７及びヒータ１８か
ら引上げ単結晶２４への熱の輻射を遮蔽するための熱遮
蔽体２３と、この熱遮蔽体２３の内側に配置されたクー
ラーと、が備え付けられている。

【００５４】このようなＣＺ法単結晶引上げ装置は、通
常のＣＺ法単結晶引上げ装置と同様に、引上げ単結晶２
４とるつぼ１６が逆方向に回転しながら単結晶の引上げ
が行われる。ここで、るつぼ１６は、るつぼ１６の下部
に設けられている図示しないリフタによってるつぼ１６
が上下に移動する。るつぼ１６の上下移動は、特に断わ
らない場合には、シリコン単結晶インゴットの引き上げ
に伴うシリコン融液液面の下降に応じてるつぼ１６が上
昇する、というような形態で行われる。

【００５５】本実施例においては、図５に示すＣＺ法単
結晶引上げ装置を用いて実際に原料シリコンの融解を行
い、この際、熱遮蔽体２３に付着する液ハネの飛沫をカ
ウントすることにより液ハネの防止効果を評価した。

【００５６】（実施例１）実施例１として、板状原料層
を１層形成した例を示す。

【００５７】まず、るつぼの円筒部の開口端面から１５
ｍｍ低い位置まで、ナゲット状（こぶし大）の原料シリ
コンを充填して一般原料層を形成し（第１層）、その上
面ができる限り平坦となるように、粒状（粒径約２〜１
５ｍｍ程度）の原料シリコンを充填した。

【００５８】次いで、図６（ａ）に示す如く前記粒状の
原料シリコンの上面に、多結晶シリコンの円筒体から切
り出した、直径１３０ｍｍφ、厚さ１０ｍｍの円盤体２
２を８枚載置して、板状原料層を積層した（第２層）。
そして、その上面ができる限り平坦となるように、粒状
の原料シリコンを充填した。

【００５９】更に、粒状の原料シリコンの上面に、第１
層と同様のナゲット状の原料シリコンを積層して一般原
料層を形成した（第３層）。この際、生産効率を向上さ
せるため、るつぼの開口端面を超えてナゲット状の原料
シリコンを山積した。

【００６０】（実施例２）実施例２として、板状原料層
を２層形成した例を示す。

【００６１】実施例２では、実施例１と同様の構成にお
いて、るつぼの円筒部の開口端面から３０ｍｍ低い位
置、開口端面から１５ｍｍ低い位置の２箇所に板状原料
層を形成した。

【００６２】（実施例３）実施例３として、板状原料層
を３層形成した例を示す。

【００６３】実施例３では、実施例１と同様の構成にお
いて、るつぼの円筒部の開口端面から１７５ｍｍ低い位
置、開口端面から１００ｍｍ低い位置、開口端面から１
５ｍｍ低い位置の３箇所に板状原料層を形成した。

【００６４】（実施例４）実施例４として、１層の板状
原料層を、円盤体を重層して構成した例を示す。

【００６５】実施例４では、実施例１と同様の構成にお
いて、板状原料層を形成する際に、図６（ｂ）に示す如
く多結晶シリコンの円筒体から切り出した、直径１３０
ｍｍφ、厚さ５ｍｍの円盤体２２を８枚載置した後、当
該円盤体２２同士の隙間を塞ぐように、更に前記円盤体
２２を８枚重層して板状原料層を形成した。

【００６６】（比較例１）従来通り、るつぼ内に全てナ
ゲット状（こぶし大）の原料シリコンを充填した例を比
較例１とした。比較例１においても、生産効率を向上さ
せるため、るつぼの開口端面を超えて塊状又は粒状の原
料シリコンを山積した。

【００６７】上記実施例１〜４、比較例１の積層体を、
各々のるつぼ１６をヒータ１８で加熱することにより融
解に供した。その結果、比較例１については熱遮蔽体２
３に直径１〜２ｍｍ程度の液ハネの飛沫が１５箇所観察
されたが、実施例１〜４のいずれも熱遮蔽体２３に付着
する液ハネの飛沫は全く認められず、液ハネが完全に防
止された。

【００６８】また、比較例１では、単結晶引上げ時の多
結晶化により４％歩留まりが低下したが、実施例１〜４
では多結晶化が抑制され、実施例１で１％、実施例２で
２．５％、実施例３で３％、実施例４で３．５％の歩留
まりの向上が認められた。即ち、多結晶化が、それぞれ
２５％、６３％、７５％、８２％抑制された。

【００６９】更に、原料シリコンの融解時間が、比較例
１と比較して、実施例１では９０％、実施例２では８３
％、実施例３では８０％、実施例４では７８％に短縮さ
れた。即ち、本発明は液ハネの防止の他、輻射熱の放散
を抑制することによって原料シリコンの融解時間を短縮
する効果をも奏する。当該効果は、板状原料層の数が増
加するほど向上する。

【００７０】

【発明の効果】以上のような本発明に係る原料シリコン
の融解方法においては、原料シリコン融解時における液
ハネを防止することが可能となる。従って、液ハネに起
因する単結晶の多結晶化が抑制され、単結晶歩留まりが
向上する。

【００７１】また、本発明に係る原料シリコンの融解方
法は、輻射熱の放散が抑制されるため、原料シリコンの
融解時間を短縮する効果をも奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る融解方法の一の実施形態を示す
工程図である。

【図２】 従来の融解方法の一の実施形態を示す工程図
である。

【図３】 本発明に係る融解方法の別の実施形態を示す
工程図である。

【図４】 本発明に係る融解方法の更に別の実施形態を
示す工程図である。

【図５】 本発明の実施例にて使用したＣＺ法単結晶引
上げ装置を示す正面断面図である。

【図６】 本発明の実施例における板状原料層の構成を
説明するための斜視図である。

【符号の説明】

１１ チャンバ １２ 原料シリコン（塊状又は粒状） １３ ブリッジ １４ ペディスタル １６ るつぼ １６ａ 円筒部 １６ｂ 底面Ｒ部 １７ シリコン融液 １８ ヒータ １９ 断熱材 ２０ 液ハネ ２１ 原料シリコン（板状） ２２ 円盤体 ２３ 熱遮蔽体 ２４ 引上げ単結晶

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣＺ法によって単結晶引上げを行う際
   に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内に充填をす
   るにあたって、 るつぼの円筒部において、塊状又は粒状の原料シリコン
   を充填して一般原料層を形成してから、当該一般原料層
   の上に板状の原料シリコンからなる板状原料層を形成
   し、更に当該板状原料層の上に一般原料層を形成してい
   くという工程を含むことを特徴とする原料シリコンの充
   填方法。
2. 【請求項２】 前記板状の原料シリコンが、筒状の多結
   晶シリコンから切り出された円盤体または短冊体のもの
   である請求項１に記載の充填方法。
3. 【請求項３】 前記板状の原料シリコンの厚さが２から
   ２０ｍｍの範囲内である請求項１又は２に記載の充填方
   法。
4. 【請求項４】 前記板状原料層の上下に、粒状の原料シ
   リコンを充填する請求項１から３のいずれか一項に記載
   の充填方法。
5. 【請求項５】 ＣＺ法によって単結晶引上げを行う際
   に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内で融解をす
   るにあたって、 請求項１から４のいずれか一項に記載の充填方法によっ
   て前記るつぼ内に原料シリコンの充填を行った後、当該
   るつぼをその側方及び／又は下方から加熱して原料シリ
   コンを融解することを特徴とする原料シリコンの融解方
   法。
6. 【請求項６】 原料シリコンがＣＺ法単結晶引上げ装置
   に使用されるるつぼ内に積層された積層体であって、 前記るつぼの円筒部において、塊状又は粒状の原料シリ
   コンからなる一般原料層と、板状の原料シリコンからな
   る板状原料層と、が交互に積層された積層部分を有する
   原料シリコンの積層体。
7. 【請求項７】 ＣＺ法によって単結晶引上げを行う際
   に、塊状又は粒状の原料シリコンをるつぼ内に充填をす
   るにあたって、 前記るつぼの円筒部に板状の原料からなる板状原料層を
   形成しつつ塊状又は粒状の原料を充填することにより、
   原料シリコン融解時の液ハネが防止されるようにする方
   法。
8. 【請求項８】 原料シリコンが充填されたＣＺ法単結晶
   引上げ装置に使用されるるつぼ内における液ハネ防止用
   部材としての板状の原料シリコンの使用。