JP2002290202A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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- JP2002290202A JP2002290202A JP2001091331A JP2001091331A JP2002290202A JP 2002290202 A JP2002290202 A JP 2002290202A JP 2001091331 A JP2001091331 A JP 2001091331A JP 2001091331 A JP2001091331 A JP 2001091331A JP 2002290202 A JP2002290202 A JP 2002290202A
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Abstract
る弾性表面波装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板11と、基板11の一面側11aに
実装された弾性表面波素子20と、基板11の他面側1
1bに実装されていて、弾性表面波素子20と電気的に
接続された電子部品30とを備えており、基板11の平
面上には、弾性表面波素子20を実装する素子実装領域
10Aと、素子実装領域10Aと異なる領域であって、
電子部品30のみを実装する部品実装領域10Bとが形
成される。
Description
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品をパ
ッケージングした弾性表面波装置に関するものである。
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置(以下「SAW(Surface A
custic Wave)デバイス」という)が使用さ
れている。SAWデバイスは、SAW素子をパッケージ
ングした構造を有しており、SAW素子は、たとえば図
6に示すような構造を有している。図6において、SA
W素子は、圧電基板の表面にすだれ状電極(IDT:I
nterDigital Transducer)と反
射器を有している。そして、すだれ状電極に駆動電圧が
入力されると、弾性表面波が励振され、共振による特定
の周波数の電気信号が出力され、もしくはフィルタリン
グ機能による特定の周波数帯域の電気信号が出力され
る。
す構成図であり、図7を参照してSAWデバイス1につ
いて説明する。図7のSAWデバイス1は、基板2、蓋
3、ICチップ等からなる電子部品5、SAW素子6等
を有している。基板2には中空部2aが形成されてお
り、中空部2aに電子部品5及びSAW素子6が収容さ
れている。中空部2aの開口部には蓋3が配置されてい
て、蓋3は、封止材により基板2と接合されている。従
って、基板2と蓋3により電子部品5及びSAW素子6
は気密封止された状態となっている。
子6の駆動制御を行う半導体チップ等の電子部品5が並
んで配置されている。基板2の底面部には、所定のパタ
ーンの配線4が形成されており、電子部品5とSAW素
子6は、たとえばワイヤボンディング等により電極配線
4と電気的に接続されている。これにより、電子部品5
とSAW素子6は、電気的に接続される。
造方法の一例を示す工程図であり、図8を参照してSA
Wデバイスの製造方法について説明する。まず、図8
(A)に示すように、基板2における中空部2aの底面
部に、所定のパターンで配線4が形成される。そして、
図8(B)に示すように、電子部品5が底面部に実装さ
れ、たとえばワイヤボンディング等により配線4と電気
的に接続される。次に、図8(C)に示すように、SA
W素子6が底面部に実装され、たとえばワイヤボンディ
ング等により配線4と電気的に接続される。
素子6の周波数調整が行われる。具体的には、SAW素
子6が、基板2の開口部2bからたとえばプラズマ等が
SAW素子6に照射され、SAW素子6の圧電基板もし
くは圧電基板に形成された電極がエッチングされる。こ
の周波数調整は、SAW素子6を電子部品5により駆動
しながら行い、所望のSAW素子6の周波数特性が得ら
れるようになる。次に、図8(E)に示すように、基板
2の開口部の上に蓋3が配置され、封止材により基板と
蓋3が接合される。これにより、中空部2a内が気密封
止され、SAWデバイス1が完成する。
1において、電子部品5とSAW素子6は並んで配置さ
れている。すなわち、電子部品5とSAW素子6は、中
空部2a内という同一空間に配置されている。従って、
電子部品5とSAW素子6が動作したときに、高周波結
合が発生し、SAWデバイス1の動作に不具合が発生す
るという問題がある。また、電子部品5とSAW素子6
は、互いに影響を及ぼし合うため、電子部品4もしくは
SAW素子6を個別に測定、評価を正確に行うことがで
きないという問題がある。
子部品5は熱を放出する。電子部品5から放出された熱
は、基板2の中空部2a内の雰囲気及び底面部を通じて
直接SAW素子6に伝達してしまう。この熱がSAW素
子6の温度特性に大きく影響し、SAW素子6が所望の
周波数特性を発揮することができないという問題があ
る。このような不具合を防止するためには、電子部品5
とSAW素子6を離して実装しなければならず、SAW
デバイス1の大きさが非常に大きくなってしまう。
程において、プラズマ等がSAW素子6に照射される。
このとき、基板2にはSAW素子6ばかりでなく、電子
部品5も実装された状態で行われている。よって、電子
部品5が、プラズマにさらされることによるたとえば動
作不良等の不具合を発生することがあるという問題があ
る。具体的には、電子部品5のパッケージをエッチング
すると、電子部品5のパッシベーション膜がエッチング
され、電子部品5もしくはSAW素子6に金属ショート
が発生してしまう場合がある。
空間に実装する方法として、いわゆるH型構造の基板を
用いること等が提案されている。すなわち、基板2が、
たとえば上下に2つの中空部を有しており、その2つの
中空部にそれぞれ電子部品5とSAW素子6が収容され
た構造を有するものである。しかし、このような構造の
SAWデバイスであっても、電子部品5とSAW素子6
とが、基板2の表裏に形成されているため、電子部品5
が動作することにより熱を放出したとき、基板2を通じ
て直接SAW素子6に伝播してしまうという問題があ
る。
及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面波装置
及びその製造方法を提供することを目的としている。
と、前記基板の一面側に実装された弾性表面波素子と、
前記基板の他面側に実装されていて、前記弾性表面波素
子と電気的に接続された電子部品とを備えており、前記
基板の平面上には、前記弾性表面波素子を実装する素子
実装領域と、前記素子実装領域と異なる領域であって、
前記電子部品のみを実装する部品実装領域とが形成され
ることを特徴とする弾性表面波装置を特徴とする。
は、基板の一面側であって、素子実装領域に実装されて
いる。一方、電子部品は、基板の他面側であって、素子
実装領域とは異なる領域である部品実装領域に実装され
ている。このように、基板において弾性表面波素子と電
子部品を異なる領域に実装することで、電子部品から発
生する熱及び電磁波が基板を伝導し、弾性表面波素子に
影響を及ぼすのを低減することができる。すなわち、基
板を挟んで弾性表面波素子と電子部品を同一の領域に実
装する場合に比べて、弾性表面波素子における熱及び電
磁波による特性変化を低減させることができる。
て、前記基板の一面側には、前記弾性表面波素子を収容
するための第1中空部を有する第1枠体が取り付けられ
ていて、前記基板の他面側には、前記電子部品を収容す
るための第2中空部を有する第2枠体が取り付けられて
いる弾性表面波装置を特徴とする。請求項2の構成によ
れば、前記弾性表面波素子は、第1枠体の第1中空部内
に収容され、電子部品は、第2枠体の第2中空部内に収
容されることとなる。従って、弾性表面波素子及び電子
部品は、それぞれ第1枠体及び第2枠体によって保護さ
れることになる。
は、請求項2の構成において、前記第1枠体の前記第1
中空部に配置されたリッドによって気密封止されている
弾性表面波装置を特徴とする。請求項3の構成によれ
ば、弾性表面波素子を収容した第1中空部には、リッド
が配置されていて、このリッドによって弾性表面波素子
が気密封止されることになる。
のいずれかの構成において、前記電子部品は、前記第2
中空部に充填された封止材によって封止されている弾性
表面波装置を特徴とする。請求項4の構成によれば、第
2中空部に封止材を充填することで、電子部品が気密封
止された状態となっている。ここで、たとえば周波数調
整工程を行うときに、弾性表面波装置にプラズマが照射
されることがある。このとき、電子部品を気密封止する
ことによって、プラズマによる電子部品への不具合の発
生を確実に防止することができるようになる。
のいずれかの構成において、前記基板の一面側もしくは
他面側のいずれかの面には、グランド電極が形成されて
いる弾性表面波装置を特徴とする。請求項5の構成によ
れば、グランド電極によって、電子部品から発生する電
磁波をシールドする事ができ、電磁波による弾性表面波
素子の特性変化を低減させることができるようになる。
のいずれかの構成において、前記基板は、前記弾性表面
波素子を実装する素子基板と、前記電子部品を実装する
部品基板とを有しており、これら素子基板と部品基板と
は基板平面の位置が互いに異なる位置に配置され、これ
ら素子基板と部品基板とは、中継基板によって機械的及
び電気的に接続されていることを特徴とする。
は素子基板に実装され、電子部品は部品基板に実装され
る。そして、素子基板と部品基板は中継基板によって機
械的及び電気的に接続されるようになっている。このと
き、中継基板が弾性表面波素子及び電子部品を収容する
のに必要な高さを有するようにすれば、弾性表面波装置
の厚さ方向において、弾性表面波素子の厚さ方向と、電
子部品の厚さ方向とが重なり合うように実装すること
で、弾性表面波装置を薄くすることができる。また、中
継基板により電磁波をシールドできる。
のいずれかの構成において、前記第2枠体には、前記弾
性表面波素子及び前記電子部品と電気的に接続された外
部端子が設けられている弾性表面波装置を特徴とする。
請求項7の構成によれば、外部端子は、基板の他面側に
取り付けられた第2枠体に設けられている。従って、外
部端子は、一面側に設けられた弾性表面波素子とは、反
対の面に設けられていることになる。ここで、たとえば
周波数調整でSAW素子にプラズマを照射するとき、S
AW素子が駆動制御されながら行われる。このとき、外
部端子が他面側にあることで、一面側のSAW素子には
プラズマが照射され、他面側の電子部品には外部端子と
接続したたとえばフィクスチャーによりシールドされ、
プラズマに晒されることがなくなる。
記弾性表面波素子を駆動制御する電子部品を実装した弾
性表面波装置の製造方法において、基板の一面側であっ
て、前記基板の平面上に設けられた素子実装領域に第1
中空部を形成するような第1枠体を取り付けるととも
に、前記基板の他面側であって、前記素子実装領域とは
異なる前記基板の平面上に設けられた部品実装領域に、
前記第2中空部を形成するような第2枠体を取り付け、
前記第1中空部に第1前記弾性表面波素子を実装すると
ともに、前記第2中空部に前記電子部品を実装し、前記
第1中空部上から前記弾性表面波素子にプラズマを照射
することで周波数調整を行い、前記第1中空部をリッド
により気密封止する弾性表面波装置の製造方法を特徴と
する。
素子を実装し、他面側に電子部品を実装した状態で、S
AW素子に対してプラズマを照射することで周波数調整
が行われる。ここで、SAW素子の周波数調整を行うと
き、一面側に実装されたSAW素子に対して電子部品は
他面側に実装されているため、SAW素子に照射される
プラズマが、電子部品に照射されることがない。従っ
て、プラズマによる電子部品の不具合の発生を防止する
ことができるようになる。
て、前記電子部品を実装するときには、前記第2中空部
を封止材によって封止する弾性表面波装置の製造方法を
特徴とする。請求項9の構成によれば、第2中空部に封
止材を充填することで、電子部品が気密封止された状態
となっている。ここで、たとえば周波数調整工程を行う
ときに、弾性表面波装置にプラズマが照射されることが
ある。このとき、電子部品を気密封止することによっ
て、プラズマによる電子部品への不具合の発生を確実に
防止することができるようになる。
9のいずれかの構成において、前記基板の一面側もしく
は他面側のいずれか一面に、グランド電極を形成する弾
性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項10の構
成によれば、グランド電極によって、電子部品から発生
する電磁波をシールドする事ができ、電磁波による弾性
表面波素子の特性変化を低減させることができるように
なる。
10のいずれかの構成において、前記弾性表面波素子を
実装する素子基板と、前記電子部品を実装する部品基板
とを、中継基板によって機械的及び電気的に接続したも
のを基板として用いる弾性表面波装置の製造方法を特徴
とする。請求項11の構成によれば、弾性表面波素子は
素子基板に実装され、電子部品は部品基板に実装され
る。そして、素子基板と部品基板は中継基板によって機
械的及び電気的に接続されるようになっている。このと
き、中継基板が弾性表面波素子及び電子部品を収容する
のに必要な高さを有するようにすれば、弾性表面波装置
の厚さ方向において、弾性表面波素子の厚さ方向と、電
子部品の厚さ方向とが重なり合うように実装すること
で、弾性表面波装置を薄くすることができる。
11のいずれかの構成において、前記基板の他面側に前
記弾性表面波素子及び前記電子部品と電気的に接続され
た外部端子を設けることを特徴とする請求項8から請求
項11のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法を
特徴とする。請求項12の構成によれば、外部端子は、
基板の他面側に取り付けられた第2枠体に設けられてい
る。従って、外部端子は、一面側に設けられた弾性表面
波素子とは、反対の面に設けられていることになる。こ
こで、たとえば周波数調整でSAW素子にプラズマを照
射するとき、SAW素子が駆動制御されながら行われ
る。このとき、外部端子が他面側にあることで、一面側
のSAW素子にはプラズマが照射され、他面側の電子部
品は外部端子と接続したたとえばフィクスチャーにより
保護されるようになる。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1と図2は本
発明のSAWデバイスの好ましい実施の形態を示す構成
図であり、図1と図2を参照してSAWデバイス10に
ついて説明する。図1のSAWデバイス10は、基板1
1、SAW素子20、電子部品30等を有している。基
板11は、たとえば板状のセラミック等からなってい
て、一面側11aに所定パターンを有する配線40を有
しており、他面側11bにグランド電極50を有した構
造になっている。基板11にはビアホール(VIA H
OLE)11cが形成されていて、一面側11aの配線
40と他面側11bの電子部品30が電気的に接続可能
な状態になっている。このように、グランド電極50を
設けることで、電子部品30から発生する電磁波からS
AW素子20をシールドし、SAW素子20の電磁波に
よる特性変化を低減することができるようになる。な
お、このグランド電極50は、シールド効果を高めるた
め、接地されていることが好ましい。
だれ状電極(IDT:InterDigital Tr
ansducer)や反射器を形成したSAWデバイス
や水晶発振器等であって、第1中空部12a内にたとえ
ば接着剤等を用いて実装されている。SAW素子20
は、たとえばAuワイヤーもしくはAlワイヤー等と用
いたワイヤボンディング等により配線40と電気的に接
続されている。また、SAW素子20は、第1枠体12
に取り付けられるリッド60を用いてたとえば窒素等に
よりシーム封止またはAu/Sn共晶で封止される。
御するものであって、たとえばICチップ31とインダ
クタ32を有している。電子部品30は、第2中空部1
3aに収容されていて、基板11の他面側11bにたと
えばフリップチップ実装されている。また、電子部品3
0は、基板11に形成されたビアホール11cを介して
配線40と電気的に接続されていて、SAW素子20と
電子部品30は、電気的に接続された状態になってい
る。また、図1において、電子部品30は、第2中空部
13aに充填された封止材80により封止された状態に
なっている。
側11bには、それぞれたとえばセラミック等からなる
第1枠体12と第2枠体13が取り付けられている。第
1枠体12は、SAW素子20を収容する空間である第
1中空部12aを有している。この第1中空部12a
は、第1枠体12が基板11に取り付けられたとき、S
AW素子20を実装する素子実装領域10Aを形成して
いる。一方、第2枠体13は、他面側11bに電子部品
30を実装するための空間である第2中空部13aを有
している。この第2中空部13aは、第2枠体13が基
板11に取り付けられたとき、電子部品30を実装する
部品実装領域10Bを形成している。
に接続された外部端子70が設けられている。この外部
端子70によってSAWデバイス10は、フレキシブル
配線板等の実装基板と電気的に接続されるようになる。
このように、外部端子70を基板11の他面側11bに
設けることにより、後述する周波数調整工程において、
SAW素子20にプラズマが照射されたときに、外部端
子70と接続されるフィクスチャー262によって、電
子部品30がプラズマから保護されるようになる。
域10Bは、互いに異なる領域に形成されている。すな
わち、SAW素子20と電子部品30は、基板11の異
なる面であって別々の空間である第1中空部12a及び
第2中空部13aにそれぞれに実装されており、さら
に、基板11の平面上においても異なる領域に実装され
た状態になっている。このように、SAW素子20と電
子部品30を別々の空間に実装することで、SAW素子
20と電子部品30における高周波結合を防止すること
ができる。そして、電子部品30が動作したときに発生
する熱及び電磁波がSAW素子20に及ぼす影響を低減
することができるようになる。従って、SAWデバイス
10の信頼性を向上させることができとともに、SAW
素子20と電子部品30の距離を広げる必要がなくな
り、SAWデバイス10の小型化を図ることができる。
また、SAW素子20を一面側11aに実装し、電子部
品30を他面側11bに実装することで、後述する周波
数調整工程において、電子部品30へのダメージを防止
し、歩留まりの向上を図ることができる。
それぞれ基板11の平面上における異なる領域に実装す
ることにより、電子部品30からの熱が基板11を介し
てSAW素子20に伝達するのを低減することができる
とともに、電子部品30から発生する電磁波によるSA
W素子20の影響を低減することができるようになる。
特に、基板11の他面側11bに形成されたグランド電
極50によって電子部品30から発生する電磁波がシー
ルドされ、SAW素子20の電磁波による周波数特性の
変化を低減することができるようになる。
法の好ましい実施の形態を示す図であり、図2を参照し
てSAWデバイスの製造方法について説明する。最初
に、図2(A)において、たとえばセラミック等からな
る板状の基板11に所定のパターンが形成される。具体
的には、たとえばフォトリソグラフィー技術等により、
基板11の一面側11aには、配線40が形成され、他
面側11bにはグランド電極50が形成される。
の一面側11aに第1枠体12が接着剤等により実装さ
れ、他面側11bに第2枠体13が接着剤等により実装
される。このとき、素子実装領域10Aを形成する第1
中空部12aと、部品実装領域10Bを形成する第2中
空部13aが、異なる領域に形成されるように、第1枠
体12及び第2枠体13が基板11に取り付けられる。
素子20及び電子部品30が、それぞれ第1中空部12
a内及び第2中空部13a内に実装される。このとき、
SAW素子20は、たとえばワイヤボンディング等によ
り配線40と電気的に接続される。また、電子部品30
は、基板11に形成されたビアホール11cに対してフ
リップチップ実装される。ここで、電子部品30が、封
止材80によって封止されるようにしても良い。次に、
図2(D)に示すように、SAW素子20に向かってプ
ラズマが照射され、周波数調整が行われる。そして、第
1中空部12aの上にリッド60が配置され、SAW素
子20がたとえば窒素によりシーム封止又はAu/SM
共晶で封止される。これにより、SAWデバイス10が
完成する。
照射による周波数調整は、図3と図4に示すような周波
数調整装置200により行われる。図3の周波数調整装
置200の真空チャンバー201には、メカニカルブー
スターポンプ202を介してロータリポンプ203が接
続されていて、たとえば0.03Pa〜0.06Pa程
度の真空度に真空排出されるようになっている。真空チ
ャンバー201内には搬送手段230が設けられてお
り、搬送手段230は矢印Aの方向に沿って、リッド6
0による封止前のSAWデバイス10を1つずつ搬送す
るようになっている。また、搬送手段230は、SAW
デバイス10を搭載し、もしくは取り除くため、双方向
にSAWデバイス10を搬送するようになっている。
部が真空チャンバー201内に収容されている。周波数
調整源240にはバルブ242を介してガスボンベ24
3が接続されており、このガスボンベ243には不活性
ガスであるたとえばアルゴンガス(Arガス)が収容さ
れている。一方、真空チャンバー201はバルブ224
を介してガスボンベ225と接続されていて、ガスボン
ベ225にはCF4 ガスが収容されている。そして、真
空チャンバー201内のCF4 ガスとガスボンベ243
から送られるアルゴンガスの混合ガスをプラズマ放電に
よりイオン化する。そして、周波数調整源240は、こ
のイオン化された粒子をSAW素子20に照射すること
で圧電基板をエッチングし、周波数の調整を行う。ここ
で、SAW素子20は、圧電基板をエッチングすると周
波数が下がることが知られている。
にはシャッター252が配置されており、シャッター2
52はシャッター駆動機構251により開閉可能に設け
られている。シャッター252の動作制御は、外部演算
装置260によってシャッター駆動機構251を制御す
ることにより行われる。フィクスチャー262は、搬送
手段230の下側であって図4に示すように矢印Z方向
に移動可能に配置されている。このフィクスチャー26
2は、SAWデバイス10に形成された外部端子70に
接触可能な針262aを有している。そして、フィクス
チャー262が図4に示すように矢印Z1方向に移動す
ることによって、針262aが外部端子70と接触可能
になる。
外部端子70が第2枠体13側に形成されているため、
SAW素子20と周波数調整源240が対向し、電子部
品30は、フィクスチャー262によってシールドされ
ることになる。従って、電子部品30がプラズマに晒さ
れることがなくなり、電子部品30の不具合の発生を防
止し、歩留まりの低下を低減することができる。
0に対して駆動電源を供給するものであって、送られた
電気出力の周波数を検出するネットワークアナライザ2
61が接続されている。駆動電源がネットワークアナラ
イザ261から針262aを介してSAW素子20に供
給されると、共振現象により所定の周波数の電気出力が
フィクスチャー262を介してネットワークアナライザ
261に送られる。そして、ネットワークアナライザ2
61が電気出力の周波数を検出する。ネットワークアナ
ライザ261には外部演算装置260が接続されてい
る。外部演算装置260は予め調整目標の周波数データ
を有しており、ネットワークアナライザ261から送ら
れる検出周波数と比較する機能を有している。また、外
部演算装置260は、比較された結果に基づいて、搬送
手段230、シャッター252等の動作を制御する機能
を有している。
法の一例について説明する。まず、図3のメカニカルブ
ースターポンプ202及びロータリーポンプ203が作
動することにより、真空チャンバー201内が真空引き
される。その後、バルブ224が開かれ、真空チャンバ
ー201内にCF4 ガスが供給される。一方、搬送手段
230には複数のSAWデバイス10が配置されてお
り、周波数調整をすべきSAWデバイス10が周波数調
整源240の下側に位置決めされる。そして、外部演算
部260及びシャッター駆動機構251を介してシャッ
ター252が開かれる。この状態で、周波数調整源24
0が交流電源241により作動すると、アルゴンガスと
CF4 ガスの混合ガスがプラズマ放電によりイオン化さ
れ、イオン化された混合ガスがSAWデバイス10に照
射される。すると、圧電基板及びすだれ状電極が所定の
エッチング速度でエッチングされる。
われているとき、針262aからSAWデバイス10に
駆動電源が供給される。そして、SAW素子20からの
電気出力がネットワークアナライザ261を介して外部
演算装置260に送られる。外部演算装置260におい
て、送られたSAWデバイス10の周波数と設定周波数
が比較され、SAWデバイス10が所望の周波数になる
まで、周波数調整源240によるプラズマエッチングが
行われる。その後、SAWデバイス10が所定の周波数
になると、シャッター252が閉じて周波数調整が終了
する。そして、搬送手段230が作動して、次のSAW
デバイス10の周波数調整が行われる。
11の一面側11aにはSAW素子20のみが実装され
ていて、電子部品30は実装されていないため、電子部
品30にプラズマが照射されることがなくなる。従っ
て、電子部品30のプラズマによる動作不良等の不具合
の発生を回避し、歩留まりを向上させることができる。
また、外部端子70を基板11の他面側11bに設ける
ことにより、SAW素子20にプラズマが照射されたと
きに、外部端子70と接続されるフィクスチャー262
によって、電子部品30がプラズマから保護されるよう
になる。
の形態を示す構成図であり、図5を参照してSAWデバ
イス300について説明する。なお、図5のSAWデバ
イス300において、図1のSAWデバイス10と同一
の構成を有する部位には同一の符号を付してその説明を
省略する。図5のSAWデバイス300において、基板
311は、素子基板312と部品基板313を有してい
る。素子基板312と部品基板313は、それぞれ素子
実装領域10Aと部品実装領域10Bを形成している。
これら素子基板312と部品基板313は、図5におい
て、各基板面の位置が縦方向にずれるように異なる位置
に配置されている。具体的には、この素子基板312と
部品基板313は、それぞれ所定の長さHを有する中継
基板314をスペーサとして、図5に示すように、長さ
H分だけずれた位置に配置することができる。しかもこ
の素子基板312と部品基板313は、中継基板314
によって機械的に接続されている。これにより、基板3
11は、全体として高さHの段差を有した構造になって
いる。
枠体321が取り付けられていて、素子基板312、中
継基板314及び第1枠体321で第1中空部12aが
形成されている。そして、この第1中空部12aにSA
W素子20が実装されることになる。一方、部品基板3
13の他面側313bには第2枠体322が接続されて
いて、部品基板313、中継基板314及び第2枠体3
22によって第2中空部13aが形成されている。そし
て、この第2中空部13aに電子部品30が実装される
ことになる。このように、中継基板314を用いて第1
中空部12aと第2中空部13aを形成することによ
り、第1中空部12aと第2中空部13aをそれぞれ別
々に形成するよりも、薄くすることができるようにな
る。すなわち、SAW素子20の厚さ方向と、電子部品
30の厚さ方向とが重なり合うように実装することで、
SAWデバイス300の厚さを薄くすることができる。
これにより、SAWデバイス300はその分小型に形成
することができる。
0は、リッド60によってシーム封止もしくはAu/S
n共晶により封止されるようになっている。また、素子
基板312の一面側312aには、素子配線350が形
成されていて、SAW素子20は、素子配線350とた
とえばワイヤボンディング等により電気的に接続されて
いる。一方、部品基板313の他面側313bには、部
品配線360が形成されていて、電子部品30は、部品
配線360と電気的に接続されている。そして、素子配
線350と部品配線360は、中継基板314内に設け
られた中継配線370とそれぞれ電気的に接続されてい
て、SAW素子20と電子部品30が電気的に接続され
た状態になっている。
は素子配線350と電気的に接続された外部端子70が
設けられている。一方、第2枠体322には部品配線3
60と電気的に接続された外部端子70が設けられてい
る。すなわち、外部端子70は、基板311の他面側3
12b、313bに設けられた状態になっている。従っ
て、SAWデバイス300は、外部端子70を介して実
装基板に実装されるとともに、図4に示すような周波数
調整装置200で周波数調整を行うとき、フィクスチャ
ー262が外部端子70と接続するようになる。よっ
て、SAW素子20にプラズマが照射されているときに
は、電子部品30はフィクスチャー262によって保護
された状態になり、プラズマによる電子部品30の不具
合の発生を防止することができるようになる。
てSAW素子20と電子部品を異なる領域に実装するこ
とで、電子部品から発生する熱及び電磁波がSAW素子
20に影響を及ぼすのを低減することができる。また、
SAW素子20の周波数調整を行うとき、SAW素子2
0に照射されるプラズマが、電子部品30に照射される
ことがなくなる。従って、プラズマによる電子部品30
の不具合の発生を防止することができるようになる。ま
た、第2中空部13aに封止材を充填することで、電子
部品30が気密封止されることで、周波数調整工程での
プラズマによる電子部品30での不具合の発生を確実に
防止することができるようになる。
成することで、電子部品30から発生する電磁波をシー
ルドし、電磁波によるSAW素子20の特性変化を低減
させることができるようになる。また中継配線370も
電磁波をシールドすることができる。また、基板11を
SAW素子20を実装する素子基板311と、電子部品
30を実装する部品基板312に分けて形成するととも
に、所定の高さを有する中継基板313によって素子基
板311と部品基板312を機械的及び電気的に接続す
ることで、弾性表面波装置の厚さを薄くすることができ
る。
形態に限定されない。たとえば、図1において、基板1
1の一面側11aに配線40が形成されていて、他面側
11bにグランド電極50が形成されているが、一面側
11aにグランド電極50を形成し、他面側11bに配
線40を形成するようにしても良い。このとき、SAW
素子20は、配線40とビアホール11cを介して電気
的に接続されるようになる。
信頼性及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することができる。
を示す構成図。
実施の形態を示す工程図。
波数調整装置の一例を示す図。
波数調整装置の一例を示す図。
示す構成図。
工程図。
Claims (12)
- 【請求項1】 基板と、 前記基板の一面側に実装された弾性表面波素子と、 前記基板の他面側に実装されていて、前記弾性表面波素
子と電気的に接続された電子部品とを備えており、 前記基板の平面上には、 前記弾性表面波素子を実装する素子実装領域と、前記素
子実装領域と異なる領域であって、前記電子部品のみを
実装する部品実装領域とが形成されることを特徴とする
弾性表面波装置。 - 【請求項2】 前記基板の一面側には、前記弾性表面波
素子を収容するための第1中空部を有する第1枠体が取
り付けられていて、前記基板の他面側には、前記電子部
品を収容するための第2中空部を有する第2枠体が取り
付けられていることを特徴とする請求項1に記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項3】 前記弾性表面波素子は、前記第1枠体の
前記第1中空部に配置されたリッドによって気密封止さ
れていることを特徴とする請求項2に記載の弾性表面波
装置。 - 【請求項4】 前記電子部品は、前記第2中空部に充填
された封止材によって封止されていることを特徴とする
請求項2又は請求項3のいずれかに記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項5】 前記基板の一面側もしくは他面側のいず
れかの面には、グランド電極が形成されていることを特
徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項6】 前記基板は、前記弾性表面波素子を実装
する素子基板と、前記電子部品を実装する部品基板とを
有しており、これら素子基板と部品基板とは基板平面の
位置が互いに異なる位置に配置され、これら素子基板と
部品基板とは、中継基板によって機械的及び電気的に接
続されていることを特徴とする請求項1から請求項5の
いずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項7】 前記第2枠体には、前記弾性表面波素子
及び前記電子部品と電気的に接続された外部端子が設け
られていることを特徴とする請求項1から請求項6のい
ずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項8】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
を駆動制御する電子部品を実装した弾性表面波装置の製
造方法において、 基板の一面側であって、前記基板の平面上に設けられた
素子実装領域に第1中空部を形成するような第1枠体を
取り付けるとともに、前記基板の他面側であって、前記
素子実装領域とは異なる前記基板の平面上に設けられた
部品実装領域に、前記第2中空部を形成するような第2
枠体を取り付け、前記第1中空部に第1前記弾性表面波
素子を実装するとともに、前記第2中空部に前記電子部
品を実装し、 前記第1中空部上から前記弾性表面波素子にプラズマを
照射することで周波数調整を行い、 前記第1中空部をリッドにより気密封止することを特徴
とする弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項9】 前記電子部品を実装するときには、前記
第2中空部を封止材によって封止することを特徴とする
請求項8に記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項10】 前記基板の一面側もしくは他面側のい
ずれか一面に、グランド電極を形成することを特徴とす
る請求項8又は請求項9のいずれかに記載の弾性表面波
装置の製造方法。 - 【請求項11】 前記弾性表面波素子を実装する素子基
板と、前記電子部品を実装する部品基板とを、中継基板
によって機械的及び電気的に接続したものを基板として
用いることを特徴とする請求項8から請求項10のいず
れかに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記基板の他面側に前記弾性表面波素
子及び前記電子部品と電気的に接続された外部端子を設
けることを特徴とする請求項8から請求項11のいずれ
かに記載の弾性表面波装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2003085739A1 (fr) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module de circuits et procede permettant de produire ce module |
EP1592124A2 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Radio-frequency circuit module and radio communication apparatus |
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- 2001-03-27 JP JP2001091331A patent/JP3915421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
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---|---|---|---|---|
WO2003085739A1 (fr) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module de circuits et procede permettant de produire ce module |
EP1592124A2 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Radio-frequency circuit module and radio communication apparatus |
EP1592124A3 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Radio-frequency circuit module and radio communication apparatus |
US7409190B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-08-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Radio-frequency circuit module and radio communication apparatus |
US7679153B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Sealed surface acoustic wave element package |
EP1635457B1 (en) * | 2004-09-13 | 2011-06-15 | Seiko Epson Corporation | Electronic component, circuit board, electronic apparatus, and method for manufacturing the electronic component |
US8227878B2 (en) | 2004-09-13 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Sealed surface acoustic wave element package |
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