JP2002287391A - Electrophotographic device - Google Patents
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- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、像担持体である感
光体の表面を帯電し、その帯電した面に可視光またはラ
イン走査レーザー光により画像情報の書込をして、さら
にトナー像化し、トナーを転写材に転写して画像を形成
する電子写真装置に関し、転写工程後の感光体の表面を
クリーニングするクリーニング手段を有する電子写真用
装置に関する。特に、本発明は、感光体としてａ−Ｓｉ
（アモルファスシリコン）ドラムを用いたプリンタ、複
写機、ファクシミリ等の電子写真装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for charging a surface of a photoreceptor serving as an image carrier, writing image information on the charged surface with visible light or line scanning laser light, and further forming a toner image. The present invention relates to an electrophotographic apparatus for forming an image by transferring toner to a transfer material, and to an electrophotographic apparatus having cleaning means for cleaning the surface of a photoreceptor after a transfer step. In particular, the present invention relates to a photoconductor comprising a-Si
The present invention relates to an electrophotographic apparatus using a (amorphous silicon) drum, such as a printer, a copying machine, and a facsimile.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、感光体ドラムの外周面の近傍
に、露光、現像、転写、およびクリーニング（残留トナ
ーの除去）、除電、および帯電の各プロセスを行うため
の手段を配置し、所定の電子写真プロセスにより画像形
成を行なう、いわゆるカールソンプロセスに基づく電子
写真装置が周知である。特に、そのような電子写真装置
において画像の転写後に感光体上に残留したトナーを除
去するクリーニング装置では、ウレタンゴム等からなる
帯状弾性体がクリーニングブレードとして多く使われて
いる。このようなクリーニングブレードは、感光体上に
残る現像剤トナー等を除去する効果に優れており、転写
速度が低速から高速の電子写真装置においても広く使用
されている。2. Description of the Related Art Conventionally, means for performing respective processes of exposure, development, transfer, cleaning (removal of residual toner), charge elimination, and charging have been arranged near an outer peripheral surface of a photosensitive drum. An electrophotographic apparatus based on the so-called Carlson process for forming an image by the electrophotographic process described above is well known. Particularly in such an electrophotographic apparatus, in a cleaning apparatus for removing toner remaining on a photoreceptor after transferring an image, a band-shaped elastic body made of urethane rubber or the like is widely used as a cleaning blade. Such a cleaning blade has an excellent effect of removing developer toner and the like remaining on the photoreceptor, and is widely used in electrophotographic apparatuses having a low to high transfer speed.
【０００３】一方、電子写真装置に用いられる感光体ド
ラムとしては、近年、耐久性の向上とフリーメインテナ
ンス化を図るために、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）を母体としたａ−Ｓｉ感光体ドラムが用いられてい
る。ａ−Ｓｉ感光体ドラムは、ＯＰＣ（有機光導電体：
organic photoconductor）や、その他の有機感光体ドラ
ムと比較して硬質であるため、上記のようなクリーニン
グブレードによるクリーニングに対しても、感光体表面
の磨耗が非常に少なく、高耐久性を示し、高速の電子写
真装置においては非常に有効である。On the other hand, in recent years, as a photosensitive drum used in an electrophotographic apparatus, amorphous silicon (a-S) has been used in order to improve durability and achieve free maintenance.
An a-Si photosensitive drum having i) as a base is used. The a-Si photosensitive drum is made of OPC (organic photoconductor:
organic photoconductor) and other organic photoreceptor drums. Therefore, the surface of the photoreceptor has very little wear, high durability, This is very effective in the electrophotographic apparatus described above.
【０００４】近年のデジタル方式の電子写真方法におい
ては、感光体を均一に帯電させた後、レーザーまたはＬ
ＥＤ（発光ダイオード：light-emitting diode）アレイ
等によって感光体への潜像の書き込みが行われ、その潜
像に対して現像剤が現像手段によって感光体上の潜像に
顕著化される。この場合、レーザー等で潜像を書き込ん
だ部分に現像剤を顕像化する反転現像方式と、潜像を書
き込まない部分に現像剤を顕像化する正現像方式の２種
類の方法がある。アナログ方式の電子写真方法において
は、原稿台にある原稿からの反射光によって感光体への
潜像の書き込みを行うため、正現像方式が用いられる。
デジタル方式においては、正現像方式と反転現像方式の
どちらも利用することが容易であるが、レーザーやＬＥ
Ｄアレイの発光強度や寿命の観点から、レーザーやＬＥ
Ｄアレイの発光時間をできるだけ少なくしたほうが有利
であり、反転現像方式を用いる場合が多い。In a recent digital electrophotographic method, a photosensitive member is charged uniformly, and then a laser or a laser is charged.
A latent image is written on the photoreceptor by an ED (light-emitting diode) array or the like, and the developer becomes prominent in the latent image on the photoreceptor by the developing means. In this case, there are two types of methods: a reversal development method in which a developer is visualized in a portion where a latent image is written with a laser or the like, and a normal development method in which the developer is visualized in a portion where a latent image is not written. In an analog electrophotographic method, a normal development method is used because a latent image is written on a photoconductor by reflected light from a document on a document table.
In the digital system, it is easy to use both the normal development system and the reversal development system.
From the viewpoint of the light emission intensity and life of the D array,
It is advantageous to reduce the light emission time of the D array as much as possible, and in many cases, a reversal development method is used.
【０００５】近年の電子写真装置における複写速度の高
速化により、デジタル方式の電子写真装置においても従
来までの複写速度は、用紙サイズがＡ４判のシートを横
にした場合に毎分３０〜４０枚であったものが、毎分６
０枚（Ａ４横）以上のコピースピード（複写スピード）
を有するものまで現れている。このような場合におい
て、感光体の表面の移動速度すなわち面速度としては約
２６０[mm/sec]以上が必要となってくる。With the recent increase in copying speed in electrophotographic apparatuses, the copying speed of conventional digital electrophotographic apparatuses has been limited to 30 to 40 sheets per minute when an A4 size sheet is laid down. Was 6 per minute
0 sheets (A4 landscape) or higher copy speed (copy speed)
Have appeared. In such a case, the moving speed of the surface of the photoconductor, that is, the surface speed, needs to be about 260 [mm / sec] or more.
【０００６】電子写真装置に備えられるクリーニング手
段では、感光体に当接して設けられたクリーニングブレ
ードによって、感光体上に残留した現像剤を除去して感
光体の表面をクリーニングする方法が多く用いられてい
る。In a cleaning means provided in an electrophotographic apparatus, a method of removing a developer remaining on a photoreceptor and cleaning the surface of the photoreceptor by using a cleaning blade provided in contact with the photoreceptor is often used. ing.
【０００７】反転現像方式を用いた場合、現像剤の極性
が正、感光体の極性が正、または現像剤の極性が負、感
光体の極性が負といったように、感光体の帯電極性と現
像剤の帯電極性が同極である。この同極性の感光体と現
像剤のプロセスにおいて、高速移動する感光体表面をク
リーニングブレードによって現像剤を除去（クリーニン
グ）する場合、現像剤が感光体から剥ぎ取られる際に現
像剤の極性と反対の電荷を感光体表面に受け渡す現象
（静電放電現象）が発生する。すなわち、感光体表面か
ら現像剤を引き剥がす際に、剥離放電現象が起こる。When the reversal developing method is used, the charge polarity of the photoreceptor and the polarity of the photoreceptor are changed such that the polarity of the developer is positive, the polarity of the photoreceptor is positive, or the polarity of the developer is negative and the polarity of the photoreceptor is negative. The charge polarity of the agent is the same. In the process of the same polarity photoconductor and developer, when the surface of the photoconductor moving at high speed is removed (cleaned) by a cleaning blade, the polarity of the developer is opposite to the polarity of the developer when the developer is peeled off from the photoconductor. (Electrostatic discharge phenomenon) occurs in which the electric charge is transferred to the surface of the photoreceptor. That is, when the developer is peeled off from the photoreceptor surface, a peeling discharge phenomenon occurs.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】通常、ａ−Ｓｉ感光体
における印加電圧に対しての耐圧は、帯電極性方向には
高く、反極性方向に対しては低い。剥離放電が発生した
際に反対極性の放電が長期間継続的に発生すると、感光
体のその部分の表面層で、電荷を保持する能力（電荷保
持能力）が微細に破壊される。その結果、感光体の帯電
極性側で電荷保持能力の低下が発生する。このような剥
離放電は、現像剤を剥ぎ取るスピードが速いほど、すな
わち感光体表面の移動速度が速いほど、またクリーニン
グする現像剤が多いほどその発生頻度、および発生する
度合いが大きくなる。Normally, the withstand voltage of the a-Si photoreceptor with respect to the applied voltage is high in the charging polarity direction and low in the opposite polarity direction. When the discharge of the opposite polarity is continuously generated for a long period of time when the peeling discharge occurs, the ability to retain charges (charge retention ability) in the surface layer of that portion of the photoconductor is minutely destroyed. As a result, a reduction in charge holding ability occurs on the charging polarity side of the photoconductor. The frequency and degree of occurrence of such peeling discharge increase as the speed at which the developer is peeled off increases, that is, as the moving speed of the photoconductor surface increases, and as the amount of the developer to be cleaned increases.
【０００９】また、表面層の電荷保持能力が低下するこ
とによって感光体と同極性の電圧が感光体に印加された
時に、感光体の各層にかかる分圧が変化する。すなわ
ち、このような状態においては、基体上に設けられた電
荷注入阻止層に印加された電圧がより多くかかることに
なる。そして、その印加電圧が、より大きくなること
で、電荷注入阻止層の絶縁破壊が生じ、その絶縁破壊が
画像上の欠陥となって現れる。そのような画像欠陥は、
反転現像系においては黒い斑点として現れる（以下、黒
ポチと表記する）。高電圧が印加される原因としては、
帯電器等からのリークによる場合もあるが、反転現像系
では、クリーニング装置において感光体と同極性のトナ
ーがマグネットローラーと感光体との摩擦によって帯電
されるために感光体への高電圧の印加が発生する。Further, when a voltage having the same polarity as that of the photoreceptor is applied to the photoreceptor due to a decrease in the charge holding ability of the surface layer, the partial pressure applied to each layer of the photoreceptor changes. That is, in such a state, more voltage is applied to the charge injection blocking layer provided on the base. Then, when the applied voltage is further increased, dielectric breakdown of the charge injection blocking layer occurs, and the dielectric breakdown appears as a defect on an image. Such image defects are
In the reversal development system, it appears as black spots (hereinafter referred to as black spots). The reason why high voltage is applied is
In some reversal development systems, high voltage is applied to the photoreceptor because toner of the same polarity as the photoreceptor is charged by friction between the magnet roller and the photoreceptor in the reversal developing system, although this may be due to leakage from the charger. Occurs.
【００１０】上述したようにａ−Ｓｉ感光体ドラムは、
有機半導体ドラムと比較して硬質で耐久性が極めてよい
にも拘らず、上記のような問題が最近顕著化している。As described above, the a-Si photosensitive drum is
In spite of being hard and extremely durable as compared with organic semiconductor drums, the above-mentioned problems have recently become prominent.
【００１１】本発明の目的は、かかる問題点を鑑み、ａ
−Ｓｉ感光体ドラムを用いて反転現像方式により高速の
複写を行う電子写真装置において、ａ−Ｓｉ感光体ドラ
ムの耐久性が高く、高画質の複写が可能な電子写真装置
を提供するものである。In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a
An object of the present invention is to provide an electrophotographic apparatus in which high-speed copying is performed by a reversal development method using a Si photosensitive drum, in which the durability of the a-Si photosensitive drum is high and high-quality copying is possible. .
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、少なくとも表層が導電性を有する基体の
表面に積層されて、前記基体から一定の極性の電荷が注
入されることを阻止する電荷注入阻止層、該電荷注入阻
止層上に積層された、光導電性を有する光導電層、およ
び該光導電層上に積層された表面保護層を有する、アモ
ルファスシリコンを母体とした感光体と、前記感光体に
おける前記表面保護層側の表面の移動速度が３２０mm/s
ec以上となるように前記感光体を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段により駆動される前記感光体を均一に帯電
させる帯電手段と、前記帯電手段により帯電した前記感
光体に対して露光を行うことにより前記感光体に露光潜
像を書き込む潜像形成手段と、前記潜像形成手段により
前記露光潜像が書き込まれた前記感光体を、反転現像方
式を用いて現像剤により現像する現像手段と、前記現像
手段により現像された前記感光体上の画像を被転写材に
転写する画像転写手段と、前記画像転写手段による前記
被転写材への画像の転写後に前記感光体上に残留した現
像剤を前記感光体から除去するように前記感光体に当接
するクリーニング手段とを有する電子写真装置におい
て、前記感光体の電荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６
μｍ以下であることを特徴とする。Means for Solving the Problems In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a method in which at least a surface layer is laminated on a surface of a conductive substrate and a charge of a certain polarity is injected from the substrate. An amorphous silicon-based photosensitive material having a charge injection blocking layer for blocking, a photoconductive layer having photoconductivity laminated on the charge injection blocking layer, and a surface protective layer laminated on the photoconductive layer; And the moving speed of the surface of the photoconductor on the surface protective layer side is 320 mm / s
driving means for driving the photoconductor so as to be ec or more,
A charging unit that uniformly charges the photoconductor driven by the driving unit; a latent image forming unit that writes an exposure latent image on the photoconductor by performing exposure on the photoconductor charged by the charging unit; Developing means for developing the photosensitive body, on which the exposure latent image has been written by the latent image forming means, with a developer using a reversal developing method, and covering the image on the photosensitive body developed by the developing means. An image transfer unit that transfers the image to a transfer material; and a cleaning unit that abuts on the photoconductor so as to remove a developer remaining on the photoconductor after the image is transferred to the transfer material by the image transfer unit. Means, the thickness of the charge injection blocking layer of the photoreceptor is not less than 3 μm and not more than 6 μm.
μm or less.
【００１３】また、前記帯電手段が、前記現像手段によ
る現像時の前記感光体の表面における暗部の電位の絶対
値を、前記感光体における前記表面保護層側の表面の移
動速度の増大に応じて減少させるように前記感光体を帯
電させるものであることが好ましい。The charging means may determine the absolute value of the potential of the dark portion on the surface of the photoconductor at the time of development by the developing means in accordance with an increase in the moving speed of the surface of the photoconductor on the surface protective layer side. Preferably, the photosensitive member is charged so as to reduce the amount.
【００１４】さらに、前記感光体における前記表面保護
層側の表面の移動速度をＰＳ［mm/sec］とし、前記現像
手段による現像時の前記感光体の表面における暗部の電
位をＶd［V］とすると、前記速度ＰＳ［mm/sec］と前記
暗部の電位Ｖd［V］との関係が、Ｖd≧０の範囲におい
て、 Ｖd≦−０．３５×ＰＳ＋５３５ を満たしていることが好ましい。Further, the moving speed of the surface of the photoconductor on the side of the surface protective layer is PS [mm / sec], and the potential of a dark portion on the surface of the photoconductor at the time of development by the developing means is Vd [V]. Then, it is preferable that the relationship between the speed PS [mm / sec] and the potential Vd [V] of the dark portion satisfies Vd ≦ −0.35 × PS + 535 in the range of Vd ≧ 0.
【００１５】上記の通りの発明では、基体上に積層され
た電荷注入阻止層、光導電層、および表面保護層を有す
る、アモルファスシリコンを母体とした感光体を、表面
保護層側の表面の移動速度が３２０mm/secとなるように
駆動し、その感光体を用いて反転現像方式により被転写
体に画像を転写する電子写真装置において、感光体の電
荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６μｍ以下であること
により、感光体に当接して設けられたクリーニング手段
で、感光体上に残留した現像剤を引き剥がす際に、剥離
放電による感光体の表面保護層への損傷（ダメージ）に
よって、感光体の各層にかかる分圧の変化が生じた場合
でも、上記のように電荷注入阻止層の膜厚を適正化する
ことで電荷注入阻止層の絶縁破壊による画像欠陥を低減
させることができる。電荷注入阻止層の膜厚が３μｍよ
りも薄くなると、電荷注入阻止層の絶縁破壊が生じ、反
転現像方式において被転写材の画像に黒い斑点が現れて
しまう。逆に、電荷注入阻止層の膜厚が６μｍよりも厚
くなると、実質的な画像特性の向上よりも、感光体の作
製時間の延長による製造コストの増加が招かれてしま
う。したがって、電荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６
μｍ以下であることにより、複写速度が高速な電子写真
装置のコストの増加が抑えられると共に感光体の耐久性
が向上し、コストの増加が抑えられた感光体によって、
画像欠陥のない鮮明な画像を長期間に渡って得ることが
可能である。さらに、電子写真装置の複写速度の高速化
に付随する問題点、具体的には電荷注入阻止層の絶縁破
壊等の問題点が解決され、複写速度の高速化が容易にな
る。According to the invention as described above, the photosensitive member having amorphous silicon as a base and having a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface protective layer laminated on a substrate is moved on the surface on the surface protective layer side. In an electrophotographic apparatus in which a speed is driven to be 320 mm / sec and an image is transferred to a transferred body by a reversal development method using the photosensitive body, the thickness of the charge injection blocking layer of the photosensitive body is 3 μm or more and 6 μm or less. Therefore, when the developer remaining on the photoconductor is peeled off by the cleaning means provided in contact with the photoconductor, damage (damage) to the surface protection layer of the photoconductor due to peeling discharge is caused. Even if the partial pressure applied to each layer of the body changes, image defects due to dielectric breakdown of the charge injection blocking layer can be reduced by optimizing the thickness of the charge injection blocking layer as described above. If the thickness of the charge injection blocking layer is less than 3 μm, dielectric breakdown of the charge injection blocking layer occurs, and black spots appear on the image of the material to be transferred in the reversal developing method. Conversely, if the thickness of the charge injection blocking layer is greater than 6 μm, the production cost will be increased due to the extension of the photoconductor production time rather than the substantial improvement in image characteristics. Therefore, the thickness of the charge injection blocking layer is 3 μm or more and 6 μm or more.
When the thickness is less than μm, the increase in cost of the electrophotographic apparatus having a high copying speed is suppressed, and the durability of the photoconductor is improved.
It is possible to obtain a clear image without image defects over a long period of time. Further, the problems associated with the increase in the copying speed of the electrophotographic apparatus, specifically, the problems such as dielectric breakdown of the charge injection blocking layer are solved, and the copying speed can be easily increased.
【００１６】より具体的には、上記の電子写真装置で
は、感光体の表面が帯電手段により所定の表面電位Ｖd
［V］に均一に帯電した後、潜像形成手段により感光体
が露光されることにより、感光体の表面において光が照
射された所定の部分の電位、すなわち所定の明部の電位
が電位ＶL［V］まで下がり、その電位ＶL［V］の潜像電
位分布が感光体の表面に形成される。感光体の表面にお
いて露光工程で光が照射されなかった部分の電位、すな
わち暗部の電位は、電位ＶL［V］に保持されている。そ
して、現像手段において、感光体の露光が行われた部位
と現像手段との間に現像バイアスＶdc［V］が印加され
る。これにより、感光体の表面において現像バイアスＶ
dc［V］よりも電位の低い部分にトナー（現像剤）が付
着され、感光体の潜像をトナーによって可視化する現像
処理が行われる。ここで、感光体の表面にトナーが付着
する量は現像バイアスＶdc［V］の設定値によって制御
可能であるが、感光体の表面電位を変えずに現像バイア
スＶdc［V］を変化させると、潜像の鮮鋭度等、画質が
影響を受けやすい。そこで、本発明の電子写真装置にお
いては、上述したように現像工程における感光体の暗部
の電位Ｖd［V］を感光体の表面の移動速度（面速度）Ｐ
Ｓ［mm/sec］の増大に応じて減少させるように、帯電手
段によって感光体の表面を帯電させる際にその表面電位
を設定し、これにより、現像工程で感光体に付着するト
ナー（現像剤）の量を制御する。特に、本発明のように
感光体の面速度ＰＳ［mm/sec］が３２０mm/sec以上であ
る場合においては、面速度ＰＳ［mm/sec］と、現像工程
における暗部の電位Ｖd［V］との関係が、Ｖd≧０の範
囲において、 Ｖd≦−０．３５×ＰＳ＋５３５ を満たしていることが好ましい。More specifically, in the above electrophotographic apparatus, the surface of the photoreceptor is charged at a predetermined surface potential Vd by a charging means.
After being uniformly charged to [V], the photoconductor is exposed by the latent image forming means, so that the potential of a predetermined portion irradiated with light on the surface of the photoconductor, that is, the potential of a predetermined bright portion becomes the potential VL. [V], and a latent image potential distribution of the potential VL [V] is formed on the surface of the photoconductor. The potential of the portion of the surface of the photoconductor that has not been irradiated with light in the exposure step, that is, the potential of the dark portion is maintained at the potential VL [V]. Then, in the developing means, a developing bias Vdc [V] is applied between the exposed portion of the photoconductor and the developing means. As a result, the developing bias V
A toner (developer) is attached to a portion having a lower potential than dc [V], and a developing process for visualizing the latent image on the photoconductor with the toner is performed. Here, the amount of toner adhering to the surface of the photoconductor can be controlled by the set value of the developing bias Vdc [V]. However, if the developing bias Vdc [V] is changed without changing the surface potential of the photoconductor, The image quality, such as the sharpness of the latent image, is easily affected. Therefore, in the electrophotographic apparatus of the present invention, as described above, the potential Vd [V] of the dark portion of the photoconductor in the developing step is set to the moving speed (surface speed) P of the surface of the photoconductor.
The surface potential of the photoreceptor is set when the surface of the photoreceptor is charged by the charging means so as to decrease in accordance with an increase in S [mm / sec]. ) Control the amount. In particular, when the surface speed PS [mm / sec] of the photoreceptor is 320 mm / sec or more as in the present invention, the surface speed PS [mm / sec] and the potential Vd [V] of the dark part in the developing process are different. Preferably satisfies Vd ≦ −0.35 × PS + 535 in the range of Vd ≧ 0.
【００１７】さらに、前記感光体の表面保護層に直流電
圧を印加したときに前記感光体の絶縁性の破壊が開始す
る電圧値を絶縁破壊開始電圧Ｖpとすると、 ２．６ｋＶ≦ Ｖp ≦４．０ｋＶ の関係を満たしていることが好ましい。Further, assuming that a voltage value at which the dielectric breakdown of the photoreceptor starts when a DC voltage is applied to the surface protective layer of the photoreceptor is a dielectric breakdown start voltage Vp, 2.6 kV ≦ Vp ≦ 4. It is preferable that the relationship of 0 kV is satisfied.
【００１８】さらに、前記感光体の表面保護層の材質が
アモルファスカーボンであることが好ましい。Further, the material of the surface protective layer of the photoreceptor is preferably amorphous carbon.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】〔電子写真用光受容部材〕まず、本発明の
電子写真装置で用いる電子写真用光受容部材について図
１を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態の
電子写真装置において感光体ドラムとして用いられる光
受容部材の層構成を示す断面図であり、図１（ａ）およ
び図１（ｂ）では、本実施形態の電子写真装置における
光受容部材の好適な層構成の例が模式的に示されてい
る。[Electrophotographic Light Receiving Member] First, an electrophotographic light receiving member used in the electrophotographic apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a layer configuration of a light receiving member used as a photosensitive drum in an electrophotographic apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1A and FIG. 2 schematically shows an example of a preferred layer configuration of the light receiving member in the electrophotographic apparatus.
【００２１】（電子写真用光受容部材の層構成）図１
（ａ）に示す電子写真用の光受容部材２１は、その光受
容部材用の導電性支持体１の上に、光を取り入れる光受
容層２が電子写真感光体として形成されてなるものであ
る。光受容層２は、アモルファスシリコンを母体して構
成されたものであり、例えば、導電性支持体１の表面に
形成された電荷注入阻止層５と、電荷注入阻止層５の表
面に形成された光導電層３と、光導電層３の表面に形成
された表面保護層４とから構成されている。光導電層３
は、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有したアモルファスシリコン（以下では「ａ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）」と表記する）を有し、光導電性を有してい
る。表面保護層４はアモルファスシリコン系またはアモ
ルファスカーボン系のものであり、電荷注入阻止層５は
アモルファスシリコン系のものである。(Layer Structure of Electrophotographic Light Receiving Member) FIG. 1
The light receiving member 21 for electrophotography shown in (a) has a light receiving layer 2 for taking in light formed on a conductive support 1 for the light receiving member as an electrophotographic photosensitive member. . The light receiving layer 2 is made of amorphous silicon as a base material. For example, the light receiving layer 2 is formed on the surface of the conductive support 1 and the charge injection blocking layer 5 is formed on the surface of the charge injection blocking layer 5. It comprises a photoconductive layer 3 and a surface protective layer 4 formed on the surface of the photoconductive layer 3. Photoconductive layer 3
Is a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X)
Containing amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si
(H, X) "), and has photoconductivity. The surface protection layer 4 is made of amorphous silicon or amorphous carbon, and the charge injection blocking layer 5 is made of amorphous silicon.
【００２２】図１（ｂ）に示す電子写真用の光受容部材
２２は、光受容部材用の導電性支持体１の上に、アモル
ファスシリコンを母体した光受容層１２が感光体として
形成されてなるものである。光受容部材２２における光
受容層１２は例えば、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する電荷
発生層６および電荷輸送層７で構成された光導電層３
と、アモルファスシリコン系またはアモルファスカーボ
ン系の表面保護層４と、アモルファスシリコン系の電荷
注入阻止層５とを有している。この光受容部材２２にお
ける層構造としては、導電性支持体１の表面に、電荷注
入阻止層５、電荷輸送層７、電荷発生層６、および表面
保護層４がこの順番で積層されている。The light receiving member 22 for electrophotography shown in FIG. 1B has a light receiving layer 12 made of amorphous silicon formed as a photoreceptor on a conductive support 1 for a light receiving member. It becomes. The light receiving layer 12 of the light receiving member 22 is, for example, a photoconductive layer 3 including a charge generation layer 6 having a-Si (H, X) and a charge transport layer 7.
And an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based surface protection layer 4 and an amorphous silicon-based charge injection blocking layer 5. As a layer structure of the light receiving member 22, a charge injection blocking layer 5, a charge transport layer 7, a charge generation layer 6, and a surface protection layer 4 are laminated on the surface of the conductive support 1 in this order.
【００２３】（光受容部材の支持体）図１に示した光受
容部材２１，２２で使用される導電性支持体１として
は、例えばＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれ
らの合金、例えばステンレス等が挙げられる。あるい
は、導電性支持体１の代わりに、電気絶縁性支持体の少
なくとも電荷注入阻止層５側の表面を導電処理したもの
を支持体として用いることができる。(Support of Light Receiving Member) As the conductive support 1 used in the light receiving members 21 and 22 shown in FIG. 1, for example, Al, Cr, Mo, Au, In, Nb, T
Examples include metals such as e, V, Ti, Pt, Pd, and Fe, and alloys thereof, such as stainless steel. Alternatively, instead of the conductive support 1, an electrically insulating support obtained by conducting a conductive treatment on at least the surface on the charge injection blocking layer 5 side can be used as the support.
【００２４】（光導電層）本発明において、光受容部材
２１，２２の光導電層３，１３はそれぞれ、本発明の目
的を効果的に達成するために電荷注入阻止層５上に形成
されている。上述したように光受容層２，１２の少なく
とも一部を構成する光導電層３，１３は、例えば真空堆
積膜形成方法によって作製され、その成膜行程では、所
望の特性が得られるように成膜パラメーターの数値条件
が適宜設定され、また、使用される原料ガス等が選択さ
れる。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって光
導電層３，１３を形成することができる。これらの薄膜
堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷の程度、製
造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する電子写真用光受容部材を製造するに当
たってそれらの条件の制御が比較的容易であることか
ら、グロー放電法として、ＲＦ帯（13.56MHz）やＶＨＦ
帯としては50〜450MHzの電源周波数を用いた高周波グロ
ー放電法が光導電層３，１３の形成に好適である。(Photoconductive Layer) In the present invention, the photoconductive layers 3 and 13 of the light receiving members 21 and 22 are formed on the charge injection blocking layer 5 in order to effectively achieve the object of the present invention. I have. As described above, the photoconductive layers 3 and 13 constituting at least a part of the light receiving layers 2 and 12 are manufactured by, for example, a vacuum deposition film forming method, and are formed so that desired characteristics can be obtained in the film forming process. Numerical conditions of the membrane parameters are appropriately set, and a raw material gas and the like to be used are selected. Specifically, for example, a glow discharge method (low-frequency CVD
Methods, AC discharge CVD method such as high frequency CVD method or microwave CVD method, or DC discharge CVD method), sputtering, vacuum deposition, ion plating, photo CVD, thermal CVD, etc. The photoconductive layers 3 and 13 can be formed by the method. These thin film deposition methods are appropriately selected and adopted depending on factors such as manufacturing conditions, the degree of load under capital investment, the manufacturing scale, and the characteristics desired for the electrophotographic light-receiving member to be manufactured. Since it is relatively easy to control those conditions in producing an electrophotographic light-receiving member having the following characteristics, an RF band (13.56 MHz) or VHF
As the band, a high-frequency glow discharge method using a power supply frequency of 50 to 450 MHz is suitable for forming the photoconductive layers 3 and 13.
【００２５】グロー放電法によって光導電層３，１３を
形成するには、例えば基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）
を供給し得るＨ供給用の原料ガスおよび／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスとをそれ
ぞれ、内部が減圧された反応容器内に所望のガス状態で
導入する。そして、その反応容器内にグロー放電を生起
させ、反応容器内であらかじめ所定の位置に設置されて
ある所定の導電性支持体１上に、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）か
らなる層を形成すればよい。In order to form the photoconductive layers 3 and 13 by the glow discharge method, for example, silicon atoms (Si) are basically used.
Gas for supplying Si capable of supplying hydrogen and hydrogen atoms (H)
And / or an X supply source gas capable of supplying halogen atoms (X) in a desired gas state into a reaction vessel whose inside is reduced in pressure. Then, a glow discharge is generated in the reaction vessel, and a layer made of a-Si (H, X) is formed on a predetermined conductive support 1 which is previously set at a predetermined position in the reaction vessel. I just need.
【００２６】また、光導電層３，１３中に水素原子およ
び／またはハロゲン原子が含有されることは、それらの
層中でシリコン原子の未結合手を補償するためであり、
光導電層３，１３の品質の向上、特に光導電性および電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素
原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハ
ロゲン原子の含有量の和は、シリコン原子と水素原子お
よび／またはハロゲン原子の量の和に対して好ましくは
１０〜３０原子％、より好ましくは１５〜２５原子％と
される。The inclusion of hydrogen atoms and / or halogen atoms in the photoconductive layers 3 and 13 is to compensate for dangling bonds of silicon atoms in those layers.
It is indispensable to improve the quality of the photoconductive layers 3 and 13, particularly to improve the photoconductivity and the charge retention characteristics. The content of the hydrogen atom or the halogen atom, or the sum of the content of the hydrogen atom and the halogen atom is preferably 10 to 30 atomic%, more preferably the total of the content of the silicon atom and the hydrogen atom and / or the halogen atom. It is set to 15 to 25 atomic%.
【００２７】光導電層３，１３を形成する際にＳｉ供給
用ガスとして使用される物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等、ガス状態にある、または
ガス化し得る水素化珪素（シラン類）が、有効に使用さ
れるものとして挙げられ、さらには層形成時の取り扱い
易さ、Ｓｉを供給する効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓ
ｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。The materials used as the gas for supplying Si when forming the photoconductive layers 3 and 13 include SiH 4 and Si 2
Silicon hydrides (silanes) in a gaseous state or capable of being gasified, such as H 6 , Si 3 H 8 , and Si 4 H 10 , are mentioned as being effectively used. In terms of the efficiency of supplying Si, SiH 4 , S
i 2 H 6 is mentioned as a preferable example.
【００２８】そして、光導電層３，１３の成膜時には、
形成される光導電層３，１３中に水素原子を構造的に導
入し、水素原子を導入する割合の制御がいっそう容易に
なるように図り、Ｈ2および／またはＨｅ、あるいは水
素原子を含む珪素化合物のガスを所望の量だけ混合した
雰囲気で、層を形成することが必要である。また、各ガ
スは単独種のみでなく、複数種を所定の混合比で混合し
て用いても差し支えないものである。When forming the photoconductive layers 3 and 13,
Hydrogen atoms are structurally introduced into the formed photoconductive layers 3 and 13 so that the rate of introducing hydrogen atoms can be more easily controlled, and H 2 and / or He or silicon containing hydrogen atoms can be used. It is necessary to form a layer in an atmosphere in which a desired amount of a compound gas is mixed. Further, each gas is not limited to a single species, and a plurality of species may be mixed and used at a predetermined mixing ratio.
【００２９】また、光導電層３，１３を形成する際にハ
ロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なものは、例え
ばハロゲンガス、ハロゲン化物、光導電層３，１３内に
含有させるハロゲンを含んだハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等、ガス状にある、または
ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。さ
らに、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とし
た、ガス状にある、またはガス化し得る、ハロゲン原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。好適に使用し得るハロゲン化合物としては、
具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、Ｃｌ
Ｆ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間
化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素
化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体としては、具体的には例えばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の
弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。Further, a source gas effective for supplying halogen atoms when forming the photoconductive layers 3 and 13 includes, for example, a halogen gas, a halide, and a halogen contained in the photoconductive layers 3 and 13. Preference is given to halogenated compounds which are gaseous or can be gasified, such as interhalogen compounds, silane derivatives substituted with halogen. Further, a silicon hydride compound containing a halogen atom, which is a gaseous or gasifiable gas and has a silicon atom and a halogen atom as constituent elements, can also be mentioned as an effective compound. As the halogen compound that can be suitably used,
Specifically, fluorine gas (F 2 ), BrF, ClF, Cl
Inter-halogen compounds such as F 3 , BrF 3 , BrF 5 , IF 3 and IF 7 can be mentioned. As the silicon compound containing a halogen atom, that is, a silane derivative substituted with a so-called halogen atom, specifically, for example, silicon fluoride such as SiF 4 or Si 2 F 6 can be preferably mentioned.
【００３０】光導電層３，１３中に含有される水素原子
および／またはハロゲン原子の量を制御するには、例え
ば導電性支持体１の温度、水素原子および／またはハロ
ゲン原子を含有させるために使用される原料物質を反応
容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。In order to control the amount of hydrogen atoms and / or halogen atoms contained in the photoconductive layers 3 and 13, for example, to control the temperature of the conductive support 1 and to include hydrogen atoms and / or halogen atoms. What is necessary is just to control the amount of the used raw material to be introduced into the reaction vessel, the discharge power and the like.
【００３１】光導電層３，１３には、その伝導性を制御
する原子を必要に応じて含有させることが好ましい。伝
導性を制御する原子は、光導電層３，１３中に万遍なく
均一に分布した状態で含有されていてもよいし、あるい
はその原子が層の厚さ方向には不均一な分布状態で含有
している部分が光導電層３，１３内にあってもよい。こ
のような、光導電層３，１３の伝導性を制御する原子と
しては、半導体分野におけるいわゆる不純物を挙げるこ
とができ、元素の周期律表においては、ｐ型伝導特性を
与える第IIIｂ族に属する原子（以後「第IIIｂ族原子」
と略記する）、またはｎ型伝導特性を与える第Ｖｂ族に
属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用い
ることができる。第IIIｂ族原子としては、具体的に
は、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。It is preferable that the photoconductive layers 3 and 13 contain atoms for controlling the conductivity as necessary. The atoms controlling the conductivity may be contained in the photoconductive layers 3 and 13 in a state of being uniformly distributed, or the atoms may be distributed in a non-uniform state in the thickness direction of the layer. The contained portion may be in the photoconductive layers 3 and 13. Examples of such atoms that control the conductivity of the photoconductive layers 3 and 13 include so-called impurities in the field of semiconductors. In the periodic table of elements, the atoms belong to Group IIIb that gives p-type conductivity. Atom (hereinafter "Group IIIb atom")
Or an atom belonging to Group Vb that provides n-type conductivity (hereinafter abbreviated as “Vb group atom”). As the Group IIIb atom, specifically, boron (B), aluminum (Al), gallium (G
a), indium (In), thallium (Tl), and the like, and B, Al, and Ga are particularly preferable. Specific examples of group Vb atoms include phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi), and the like. In particular, P and As
Is preferred.
【００３２】光導電層３，１３に含有されてその層の伝
導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×
１０-2〜１×１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１
０-2〜５×１０2原子ｐｐｍ、さらに好ましくは１×１
０-1〜１×１０-2原子ｐｐｍとされるのが望ましい。The content of atoms contained in the photoconductive layers 3 and 13 for controlling the conductivity of the layers is preferably 1 ×
10 -2 to 1 × 10 3 atomic ppm, more preferably 5 × 1
0 -2 to 5 × 10 2 atomic ppm, more preferably 1 × 1
Desirably, it is 0 -1 to 1 × 10 -2 atomic ppm.
【００３３】光導電層３，１３の伝導性を制御する原
子、例えば第IIIｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を光導
電層３，１３内に構造的に導入するには、その層を形成
する際に第IIIｂ族原子を反応容器内に導入するために
用いられる原料物質、あるいは第Ｖｂ族原子を反応容器
内に導入するために用いられる原料物質をガス状態で、
光導電層３，１３を形成するための他のガスとともに反
応容器内に導入すればよい。第IIIｂ族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として
は、常温常圧でガス状にある、または、少なくとも層形
成条件の下で容易にガス化し得るものを採用することが
望ましい。In order to structurally introduce atoms for controlling the conductivity of the photoconductive layers 3 and 13, for example, Group IIIb atoms or Group Vb atoms into the photoconductive layers 3 and 13, it is necessary to form the layers. The raw material used to introduce the group IIIb atom into the reaction vessel, or the raw material used to introduce the group Vb atom into the reaction vessel in a gas state,
What is necessary is just to introduce | transduce into a reaction container with another gas for forming the photoconductive layer 3,13. As the raw material for introducing a Group IIIb atom or the raw material for introducing a Group Vb atom, a material that is in a gaseous state at normal temperature and normal pressure or that can be easily gasified at least under layer forming conditions should be used. Is desirable.
【００３４】正帯電用の光導電層においては、そのよう
な第IIIｂ族原子導入用の原料物質として、具体的には
硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、
Ｂ5Ｈ 11、Ｂ6Ｈ10等の水素化硼素、あるいはＢＦ3、Ｂ
Ｃｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3等も挙げることがで
きる。それらの中でもＢ2Ｈ6は、取扱いの面からも好ま
しい原料物質の一つである。In the photoconductive layer for positive charging, such a
As a raw material for introducing a Group IIIb atom, specifically,
For boron atom introduction, BTwoH6, BFourHTen, BFiveH9,
BFiveH 11, B6HTenBorohydride or BFThree, B
ClThree, BBrThreeAnd the like. This
And GaClThree, Ga (CHThree)ThreeAnd so on.
Wear. B among themTwoH6Is also preferred from the handling point of view.
It is one of the new raw materials.
【００３５】また、これら、光導電層３，１３の伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を、必要に応じてＨ2
および／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。Further, if necessary, the raw material for introducing atoms for controlling the conductivity of the photoconductive layers 3 and 13 may be replaced with H 2.
And / or diluted with He.
【００３６】本実施形態における光導電層３，１３の層
厚は、得ようとする特性、要求される特性に応じて適宜
決められ、通常は１０〜５０μｍであり、特に好ましく
は２０〜４０μｍとする。The thickness of the photoconductive layers 3 and 13 in the present embodiment is appropriately determined according to the characteristics to be obtained and required characteristics, and is usually 10 to 50 μm, particularly preferably 20 to 40 μm. I do.
【００３７】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層３を形成するためには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力、ならびに導電性支持体１の温度を適宜設定すること
が必要である。希釈ガスとして使用するＨ2および／ま
たはＨｅの流量は、層の設計にしたがって最適な範囲が
適宜選択されるが、Ｈ2および／またはＨｅの流量をＳ
ｉ供給用ガスに対して、好ましくは３〜２０倍の範囲内
に制御することが望ましい。また、その範囲内の値で一
定になるように制御することが好ましい。In order to achieve the object of the present invention and to form the photoconductive layer 3 having desired film characteristics, the mixing ratio of the gas for supplying Si and the diluent gas, the gas pressure in the reaction vessel, the discharge power It is necessary to appropriately set the temperature of the conductive support 1. The flow rate of H 2 and / or He used as a dilution gas is the optimum range is appropriately selected according to the design of the layer, the flow rates of H 2 and / or He S
It is desirable to control the gas for i supply within a range of preferably 3 to 20 times. Further, it is preferable to control so as to be constant at a value within the range.
【００３８】反応容器内のガス圧も同様に、層の設計に
したがって最適な範囲が適宜選択され、通常の場合、10
E-2Pa〜1.0E3Paであり、特に好ましくは1.0E-1Pa〜1.0E
2Paとする。放電電力もまた同様に、層の設計にしたが
って最適な範囲が適宜選択されるが、Ｓｉ供給用のガス
の流量に対する放電電力の比を、好ましくは１〜８の範
囲に設定する。Similarly, an optimum range of the gas pressure in the reaction vessel is appropriately selected according to the layer design.
E-2Pa to 1.0E3Pa, particularly preferably 1.0E-1Pa to 1.0E
2Pa. Similarly, the optimum range of the discharge power is appropriately selected according to the design of the layer. The ratio of the discharge power to the flow rate of the gas for supplying Si is preferably set to a range of 1 to 8.
【００３９】さらに、導電性支持体１の温度は、層の設
計にしたがって最適な範囲が適宜選択されるが、好まし
くは２００〜３５０℃とする。Further, the temperature of the conductive support 1 is appropriately selected in an optimum range according to the design of the layer, but is preferably 200 to 350 ° C.
【００４０】本実施形態においては、光導電層３，１３
を形成する際の導電性支持体１の温度、ガス圧の望まし
い数値範囲として、上述した範囲が挙げられるが、これ
らの条件は通常では独立的に別々に決められるものでは
なく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく、相
互的かつ有機的な関連性に基づいて最適値を決めること
が望ましい。In this embodiment, the photoconductive layers 3 and 13
Desirable numerical ranges of the temperature and the gas pressure of the conductive support 1 at the time of forming the above include the above-mentioned ranges. However, these conditions are not usually determined independently and independently, and desired characteristics are obtained. It is desirable to determine the optimum value based on mutual and organic relationships in order to form a light receiving member having the same.
【００４１】（表面保護層）本発明の電子写真装置で用
いられる光受容部材においては、上述のようにして導電
性支持体１上に形成された光導電層３，１３の上に、ア
モルファスシリコン系またはアモルファスカーボン系の
表面保護層４をさらに形成することが好ましい。この表
面保護層４は、導電性支持体１側とは反対側に自由表面
１０を有し、主に耐湿性、連続した繰り返し使用に対す
る特性、電気的な耐圧性、使用環境特性、耐久性におい
て本発明の目的を達成するために設けられる。(Surface Protective Layer) In the light receiving member used in the electrophotographic apparatus of the present invention, the photoconductive layers 3 and 13 formed on the conductive support 1 as described above are made of amorphous silicon. It is preferable to further form a surface protection layer 4 of a system or amorphous carbon system. The surface protective layer 4 has a free surface 10 on the side opposite to the conductive support 1 side, and mainly has a moisture resistance, a property against continuous repeated use, an electric pressure resistance, a use environment property, and durability. It is provided to achieve the object of the present invention.
【００４２】表面保護層４の材質としては、アモルファ
スシリコン系またはアモルファスカーボン系の材料であ
ればいずれのものを用いてもよいが、例えば、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さ
らに炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下で
は「ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さ
らに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（「ａ−
ＳｉＯ（Ｈ，Ｘ）」とも表記される）、水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒
素原子を含有するアモルファスシリコン（「ａ−ＳｉＮ
（Ｈ，Ｘ）」とも表記される）、水素原子（Ｈ）および
／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原
子、酸素原子、窒素原子のうち少なくとも一つを含有す
るアモルファスシリコン（「ａ−ＳｉＣＯＮ（Ｈ，
Ｘ）」とも表記される）等が好適に用いられる。As the material of the surface protective layer 4, any material may be used as long as it is an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based material. For example, a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X) may be used. Containing amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-SiC (H, X)”), a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X), and further containing an oxygen atom. Containing amorphous silicon ("a-
SiO (H, X) "), a hydrogen atom (H)
And / or amorphous silicon containing a halogen atom (X) and further containing a nitrogen atom (“a-SiN
(H, X)), amorphous silicon containing a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X), and further containing at least one of a carbon atom, an oxygen atom, and a nitrogen atom (“ a-SiCON (H,
X) ") are suitably used.
【００４３】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面保護層４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望の特性が得られるように成膜パラメーターの数
値条件が適宜設定されて作製される。具体的には、例え
ばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法また
はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは
直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
等の数々の薄膜堆積法によって表面保護層４を形成する
ことができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備
資本投資下の負荷の程度、製造規模、作成される電子写
真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜
選択されて採用されるが、表面保護層４の形成方法は、
光受容部材の生産性から光導電層３，１３と同等の堆積
法によることが好ましい。In the present invention, in order to effectively achieve the object, the surface protective layer 4 is manufactured by a vacuum deposition film forming method by appropriately setting numerical conditions of film forming parameters so as to obtain desired characteristics. Is done. Specifically, for example, a glow discharge method (an AC discharge CVD method such as a low-frequency CVD method, a high-frequency CVD method or a microwave CVD method, or a DC discharge CVD method), a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, The surface protective layer 4 can be formed by various thin film deposition methods such as a photo CVD method and a thermal CVD method. These thin film deposition methods are appropriately selected and employed depending on factors such as manufacturing conditions, the degree of load under capital investment, the manufacturing scale, and the characteristics desired for the electrophotographic light-receiving member to be produced. The method for forming the protective layer 4 is as follows.
It is preferable to use the same deposition method as that for the photoconductive layers 3 and 13 from the viewpoint of productivity of the light receiving member.
【００４４】例えば、ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）よりなる表
面保護層４をグロー放電法によって形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガスおよび／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得る
Ｘ供給用の原料ガスとを、内部が減圧された反応容器内
に所望のガス状態で導入する。そして、光導電層３が形
成された導電性支持体１を反応容器内の所定の位置に予
め設置した状態でその反応容器内にグロー放電を生起さ
せ、反応容器内にある導電性支持体１上の光導電層３の
表面にａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）層を形成すればよい。For example, in order to form the surface protective layer 4 made of a-SiC (H, X) by a glow discharge method, it is basically necessary to use a raw material gas for supplying Si capable of supplying silicon atoms (Si). , A raw material gas for supplying C that can supply carbon atoms (C), a raw material gas for supplying H that can supply hydrogen atoms (H), and / or a raw material for supplying X that can supply halogen atoms (X) A gas is introduced in a desired gas state into a reaction vessel whose inside is depressurized. In a state where the conductive support 1 on which the photoconductive layer 3 is formed is previously set at a predetermined position in the reaction vessel, a glow discharge is generated in the reaction vessel, and the conductive support 1 in the reaction vessel is generated. An a-SiC (H, X) layer may be formed on the surface of the upper photoconductive layer 3.
【００４５】表面保護層４を形成する際にシリコン（Ｓ
ｉ）供給用ガスとして使用される物質としては、ＳｉＨ
4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等、ガス状態にあ
る、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、さらに層形成時の取
り扱い易さ、Ｓｉを供給する効率の良さ等の点でＳｉＨ
4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、
これらのＳｉ供給用の原料ガスを、必要に応じてＨ2、
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。炭素供給用ガスまたはアモルファスカーボン系の供
給ガスとなり得る物質としては、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ
6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等、ガス状態にある、またはガス化
し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げら
れ、さらに層形成時の取り扱い易さ、Ｃを供給する効率
の良さ等の点でＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ 6が好ましいもの
として挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガス
を、必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。When forming the surface protection layer 4, silicon (S
i) The substance used as the supply gas is SiH
Four, SiTwoH6, SiThreeH8, SiFourHTenEtc.
Or hydrogenated silicon hydride (silanes) is effective
Used when forming a layer,
In terms of ease of handling and high efficiency of supplying Si.
Four, SiTwoH6Are preferred. Also,
The raw material gas for supplying Si may be replaced with H if necessary.Two,
It may be used after being diluted with a gas such as He, Ar, or Ne.
No. Supply of carbon supply gas or amorphous carbon
The substance that can serve as a gas supply is CHFour, CTwoHTwo, CTwoH
6, CThreeH8, CFourHTenEtc., in gaseous state or gasification
Hydrocarbons that can be used effectively
In addition, ease of handling during layer formation and efficiency of supplying C
CH in terms of goodness etc.Four, CTwoHTwo, CTwoH 6Is preferred
It is listed as. Also, the raw material gas for supplying C
To H if necessaryTwo, He, Ar, Ne, etc.
May be used after dilution.
【００４６】表面保護層４の層厚は、好ましくは０．０
１〜３μｍであり、より好ましくは０．１〜１μｍとさ
れる。表面保護層４の層厚が０．０１μｍより薄いと、
光受容部材の使用中に摩擦等の原因により表面保護層４
が失われてしまい易く、３μｍを越えると残留電位の増
加等、電子写真特性の低下がみられる場合がある。The thickness of the surface protective layer 4 is preferably 0.0
The thickness is 1 to 3 μm, and more preferably 0.1 to 1 μm. When the thickness of the surface protective layer 4 is less than 0.01 μm,
Surface protection layer 4 due to friction or the like during use of light receiving member
When the thickness exceeds 3 μm, a decrease in electrophotographic characteristics such as an increase in residual potential may be observed.
【００４７】表面保護層４は、その要求される特性が所
望の通りに与えられるように注意深く形成される。すな
わち、Ｓｉ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択された
少なくとも一つの元素と、Ｈおよび／またはＸを構成要
素とする物質は、その形成条件によって構造的には多結
晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの形態
（総称して非単結晶）を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的
性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すの
で、本実施形態においては、目的に応じた所望の特性を
有する化合物が形成されるように、その所望の特性に応
じて、表面保護層４の形成条件の選択が厳密になされ
る。The surface protective layer 4 is carefully formed so that the required characteristics are provided as desired. That is, at least one element selected from the group consisting of Si, C, N, and O, and a substance containing H and / or X as components are structurally different from polycrystals and microcrystals depending on their formation conditions. It takes a form from non-crystalline to amorphous (collectively non-single crystal), and in terms of electrical properties, properties from conductive to semiconductive and insulating, and from photoconductive to non-photoconductive Since the properties up to the properties are shown, in the present embodiment, the formation conditions of the surface protective layer 4 are changed according to the desired properties so that a compound having the desired properties according to the purpose is formed. The choices are made strictly.
【００４８】（電荷注入阻止層）本発明の電子写真装置
で用いられる光受容部材においては、導電性支持体１と
光導電層３，１３との間に、導電性支持体１側からの電
荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層５が設け
られている。すなわち、電荷注入阻止層５は、光受容層
２，１２が一定の極性の帯電処理をその自由表面１０に
受けた際、導電性支持体１側より光導電層３，１３側に
電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の
帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない
という、いわゆる極性依存性を有している。そのような
機能を電荷注入阻止層５に付与するために、電荷注入阻
止層５には、伝導性を制御する原子を光導電層３，１３
に比べて比較的多く含有させる。(Charge Injection Blocking Layer) In the light receiving member used in the electrophotographic apparatus of the present invention, the charge from the conductive support 1 side is provided between the conductive support 1 and the photoconductive layers 3 and 13. Is provided with a charge injection blocking layer 5 which has a function of blocking the injection of electrons. That is, when the photoreceptive layers 2 and 12 receive a charge treatment of a fixed polarity on their free surfaces 10, charges are injected from the conductive support 1 into the photoconductive layers 3 and 13. And a so-called polarity dependency that such a function is not exerted when subjected to a charging treatment of the opposite polarity. In order to provide such a function to the charge injection blocking layer 5, the charge injection blocking layer 5 is provided with atoms for controlling the conductivity.
Is contained in a relatively large amount.
【００４９】電荷注入阻止層５に含有されてその伝導性
を制御する原子としては、半導体分野におけるいわゆる
不純物を挙げることができ、上述したように元素の周期
律表においては、ｐ型伝導特性を与える第IIIｂ族原
子、またはｎ型伝導特性を与える第Ｖｂ族原子を用いる
ことができる。正帯電用の電荷注入阻止層５に含有する
第IIIｂ族原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａ
ｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジ
ウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇ
ａが好適である。As the atoms contained in the charge injection blocking layer 5 and controlling the conductivity thereof, there can be mentioned so-called impurities in the field of semiconductors. As described above, in the periodic table of elements, the p-type A Group IIIb atom that provides, or a Group Vb atom that provides n-type conductivity can be used. Specific examples of Group IIIb atoms contained in the charge injection blocking layer 5 for positive charging include B (boron) and A
1 (aluminum), Ga (gallium), In (indium), Ta (thallium), etc., and especially B, Al, G
a is preferred.
【００５０】電荷注入阻止層５中に含有されてその伝導
性を制御する原子の含有量は、本発明の目的が効果的に
達成できるように所望の値に適宜決定されるが、好まし
くは１０〜１×１０4原子ｐｐｍであり、より好適には
５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、最適には１×１０2〜１×
１０3原子ｐｐｍとされる。The content of atoms contained in the charge injection blocking layer 5 and controlling the conductivity thereof is appropriately determined to a desired value so that the object of the present invention can be effectively achieved. １1 × 10 4 atomic ppm, more preferably 50-5 × 10 3 atomic ppm, and most preferably 1 × 10 2 -1 ×
10 3 atomic ppm.
【００５１】さらに、電荷注入阻止層５には、炭素原
子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも一種を含
有させることによって、電荷注入阻止層５に直接接触し
て設けられる他の層との密着性の向上をよりいっそう図
ることができる。電荷注入阻止層５に含有される炭素原
子、窒素原子または酸素原子は層中に万遍なく均一に分
布されてもよいし、あるいは原子が層の厚さ方向には万
遍なく含有されてはいるが、不均一に分布した状態で含
有されている部分が電荷注入阻止層５にあってもよい。
しかしながらいずれの場合でも、導電性支持体１の表面
と平行な方向においてはその原子が均一な分布で電荷注
入阻止層５内に万遍なく含有されていることが、導電性
支持体１の表面内の方向において特性の均一化を図る点
からも必要である。Further, the charge injection blocking layer 5 contains at least one of carbon atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms, so that adhesion to other layers provided in direct contact with the charge injection blocking layer 5 is improved. Can be further improved. The carbon atoms, nitrogen atoms or oxygen atoms contained in the charge injection blocking layer 5 may be uniformly distributed in the layer, or the atoms may be uniformly distributed in the thickness direction of the layer. However, a portion contained in a non-uniformly distributed state may be present in the charge injection blocking layer 5.
However, in any case, it is considered that the atoms are uniformly contained in the charge injection blocking layer 5 in a uniform distribution in the direction parallel to the surface of the conductive support 1. It is also necessary from the viewpoint of making the characteristics uniform in the directions inside.
【００５２】電荷注入阻止層５の全ての領域に含有され
る炭素原子および／または窒素原子および／または酸素
原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるよ
うに適宜決定されるが、それの原子のうち含有される原
子が一種である場合にはその一種の原子の含有量とし
て、あるいは二種以上である場合には含有された原子の
総和として、好ましくは１×１０-3〜５０原子％であ
り、より好適には５×１０ -3〜３０原子％、最適には１
×１０-2〜１０原子％とされる。また、電荷注入阻止層
５に含有される水素原子および／またはハロゲン原子
は、層内に存在する未結合手を補償し、膜質の向上に対
して効果を奏する。電荷注入阻止層５中の水素原子また
はハロゲン原子の含有量、あるいは水素原子とハロゲン
原子の含有量の和は、好適には１〜５０原子％であり、
より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子
％とする。It is contained in all the regions of the charge injection blocking layer 5.
Carbon atom and / or nitrogen atom and / or oxygen
The atomic content is such that the object of the present invention is effectively achieved.
Is determined as appropriate, but the source
If the element is a kind, the content of that kind of atom
Or in the case of two or more,
Preferably, the sum is 1 × 10-3~ 50 atomic%
More preferably 5 × 10 -3~ 30 atomic%, optimally 1
× 10-2-10 at%. In addition, the charge injection blocking layer
Hydrogen atom and / or halogen atom contained in 5
Compensates for dangling bonds present in the layer and improves the film quality.
It works. Hydrogen atoms in the charge injection blocking layer 5
Is the halogen atom content, or hydrogen atom and halogen
The sum of the atomic contents is preferably 1 to 50 atomic%,
More preferably 5 to 40 atom%, optimally 10 to 30 atom
%.
【００５３】電荷注入阻止層５の層厚（膜厚）は３〜６
μｍとすることが望ましい。電荷注入阻止層５の層厚が
３μｍより薄くなると、前述の理由によりその阻止層の
絶縁破壊が生じ、電子写真装置の反転現像系においては
画像上に黒い斑点として現れる（以下、黒ポチと表記す
る）欠陥となってしまう。逆に、電荷注入阻止層５の層
厚を６μｍより厚くしても、実質的な画像特性の向上よ
りも、光受容部材の作製時間の延長による製造コストの
増加を招くことから、電荷注入阻止層５の膜厚は６μｍ
以下であることが望ましい。The thickness (thickness) of the charge injection blocking layer 5 is 3-6.
μm is desirable. When the thickness of the charge injection blocking layer 5 is less than 3 μm, dielectric breakdown of the blocking layer occurs for the above-mentioned reason, and appears as black spots on an image in a reversal developing system of an electrophotographic apparatus (hereinafter referred to as black spots). Will) be a defect. Conversely, even if the thickness of the charge injection blocking layer 5 is made larger than 6 μm, the manufacturing cost is increased due to the extension of the manufacturing time of the light receiving member rather than the substantial improvement in image characteristics. Layer 5 has a thickness of 6 μm
It is desirable that:
【００５４】電荷注入阻止層５を形成する際には、前述
のように光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が
採用される。本発明の目的を達成し得るような特性を有
する電荷注入阻止層５を形成するためには、Ｓｉ供給用
のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放
電電力、および支持体の温度を適宜設定することが必要
である。希釈ガスであるＨ2および／またはＨｅの流量
は、層の設計にしたがって最適な範囲が適宜選択される
が、Ｈ2および／またはＨｅをＳｉ供給用ガスに対し
て、通常の場合では０．５〜２０倍、好ましくは１〜１
５倍、最適には１．５〜１０倍の範囲に制御することが
望ましい。When the charge injection blocking layer 5 is formed, the same vacuum deposition method as that for forming the photoconductive layer is employed as described above. In order to form the charge injection blocking layer 5 having characteristics capable of achieving the object of the present invention, the mixing ratio of the gas for supplying Si and the diluting gas, the gas pressure in the reaction vessel, the discharge power, and the It is necessary to set the body temperature appropriately. The flow rate of a diluent gas H 2 and / or He is optimum range is appropriately selected according to the design of the layer, H 2 and / or He with respect to Si-feeding gas, in the case of usually 0. 5 to 20 times, preferably 1 to 1
It is desirable to control the range of 5 times, optimally 1.5 to 10 times.
【００５５】反応容器内のガス圧も同様に層の設計にし
たがって最適な範囲が適宜選択されるが、通常の場合、
好ましくは1.33×10-2Pa〜1330Paであり、より好ましく
は6.7×10-2Pa〜670Pa、最適には1.33×10-1Pa〜133Pa
とする。放電電力もまた同様に層の設計にしたがって最
適な範囲が適宜選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合０．１〜７倍、好まし
くは０．５〜６倍、最適には０．７〜５倍の範囲に設定
することが望ましい。さらに、導電性支持体１の温度
は、層の設計にしたがって最適な範囲が適宜選択される
が、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃であり、
より好ましくは２２０〜３３０℃、最適には２４０〜３
１０℃とする。Similarly, the optimum range of the gas pressure in the reaction vessel is appropriately selected according to the design of the layer.
It is preferably 1.33 × 10 -2 Pa to 1330 Pa, more preferably 6.7 × 10 -2 Pa to 670 Pa, and most preferably 1.33 × 10 -1 Pa to 133 Pa.
And Similarly, the optimum range of the discharge power is appropriately selected according to the design of the layer, but the discharge power with respect to the flow rate of the gas for supplying Si is usually 0.1 to 7 times, preferably 0.5 to 6 times. It is desirable to set the value in the range of 0.7 times to 5 times. Further, the temperature of the conductive support 1 is appropriately selected in an optimum range according to the design of the layer. In a normal case, the temperature is preferably 200 to 350 ° C.
More preferably 220-330 ° C, optimally 240-3.
10 ° C.
【００５６】本実施形態においては、電荷注入阻止層５
を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電
力、導電性支持体１の温度の望ましい数値範囲として、
上述した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常では
独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を
有する電荷注入阻止層５を形成すべく、相互的且つ有機
的な関連性に基づいて最適値を決めることが望ましい。In this embodiment, the charge injection blocking layer 5
As the desirable numerical ranges of the mixing ratio of the diluent gas, the gas pressure, the discharge power, and the temperature of the conductive support 1 for forming
Although the above-mentioned ranges are mentioned, these conditions are not usually independently determined separately, but are based on mutual and organic relations to form the charge injection blocking layer 5 having desired characteristics. It is desirable to determine the optimum value.
【００５７】（成膜装置） ＜高周波プラズマＣＶＤ＞次に、図１に示した光受容部
材２１，２２の光受容層２，１２を形成するための装
置、およびそれらの層の形成方法について図２を参照し
て詳述する。図２は、ＲＦ帯の周波数を用いた高周波プ
ラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ法」と略記す
る）によって電子写真用の光受容部材を製造する装置の
好適な一例を模式的に示す構成図である。(Film Forming Apparatus) <High Frequency Plasma CVD> Next, an apparatus for forming the light receiving layers 2 and 12 of the light receiving members 21 and 22 shown in FIG. 1 and a method of forming those layers will be described. This will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a preferred example of an apparatus for manufacturing a light-receiving member for electrophotography by a high-frequency plasma CVD method using an RF band frequency (hereinafter abbreviated as “RF-PCVD method”). It is.
【００５８】図２に示す製造装置は、大別すると、堆積
装置２１００と、堆積装置２１００への原料ガスの供給
装置２２００と、堆積装置２１００に備えられた反応容
器２１１１内を減圧するための排気装置（不図示）とか
ら構成されている。堆積装置２１００の反応容器２１１
１内には円筒状支持体２１１２、加熱用ヒーター２１１
３、および原料ガス導入管２１１４が設置され、反応容
器２１１１には高周波マッチングボックス２１１５が接
続されている。原料ガス供給装置２２００は、Ｓｉ
Ｈ4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガ
スを貯蔵したガスボンベ２２２１〜２２２６、ボンベバ
ルブ２２３１〜２２３６，２２４１〜２２４６，２２５
１〜２２５６、マスフローコントローラー２２１１〜２
２１６、および圧力調整器２２６１〜２２６６から構成
されている。各原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６
は、補助バルブ２２６０および原料ガス配管２１１６を
介して反応容器２１１１内の原料ガス導入管２１１４と
接続されている。The manufacturing apparatus shown in FIG. 2 is roughly divided into a deposition apparatus 2100, a source gas supply apparatus 2200 to the deposition apparatus 2100, and an exhaust gas for reducing the pressure in a reaction vessel 2111 provided in the deposition apparatus 2100. And a device (not shown). Reaction vessel 211 of deposition apparatus 2100
1 includes a cylindrical support 2112 and a heater 211 for heating.
3 and a source gas introduction pipe 2114 are installed, and a high-frequency matching box 2115 is connected to the reaction vessel 2111. The raw material gas supply device 2200 is made of Si
H 4, GeH 4, H 2 , CH 4, B 2 H 6, gas cylinder 2221 to 2226 were stored source gas PH 3, etc., the cylinder valve 2231～2236,2241～2246,225
1-2256, mass flow controller 2211-2
216 and pressure regulators 2261 to 2266. Cylinders 2221 to 2226 for each source gas
Is connected to a source gas introduction pipe 2114 in a reaction vessel 2111 via an auxiliary valve 2260 and a source gas pipe 2116.
【００５９】反応容器２１１１の底部には、配管部材を
介してメインバルブ２１１８が接続されており、そのメ
インバルブ２１１８に、反応容器２１１１内の気体を排
気する排気装置が配管部材を介して接続されている。メ
インバルブ２１１８とメインバルブ２１１８との間の配
管部材には、反応容器２１１１内の圧力を測定する真空
計２１１９、および反応容器２１１１内に気体を導入す
るためのリークバルブ２１１７が接続されている。A main valve 2118 is connected to the bottom of the reaction vessel 2111 via a piping member. An exhaust device for exhausting the gas in the reaction vessel 2111 is connected to the main valve 2118 via a piping member. ing. A vacuum gauge 2119 for measuring the pressure in the reaction vessel 2111 and a leak valve 2117 for introducing gas into the reaction vessel 2111 are connected to a piping member between the main valve 2118 and the main valve 2118.
【００６０】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。まず、反応容器２１１
１内に円筒状支持体２１１２を設置し、排気装置により
メインバルブ２１１８および配管部材を介して反応容器
２１１１内を排気する。続いて、加熱用ヒーター２１１
３により円筒状支持体２１１２の温度を例えば２００℃
〜３５０℃の所定の温度に制御する。堆積膜形成用の原
料ガスを反応容器２１１１に流入させるためには、ガス
ボンベのバルブ２２３１〜２２３７、およびリークバル
ブ２１１７が閉じられていることを確認し、また、流入
バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２
５６、および補助バルブ２２６０が開かれていることを
確認して、まず、メインバルブ２１１８を開いて反応容
器２１１１および原料ガス配管２１１６内を排気装置に
より排気する。次に、真空計２１１９の読みが約6.7×1
0-4Paになった時点で補助バルブ２２６０および流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。The formation of a deposited film using this apparatus can be performed, for example, as follows. First, the reaction vessel 211
1, a cylindrical support 2112 is provided, and the inside of the reaction vessel 2111 is evacuated by the exhaust device via the main valve 2118 and the piping member. Subsequently, the heating heater 211
3, the temperature of the cylindrical support 2112 is set to, for example, 200 ° C.
It is controlled to a predetermined temperature of ~ 350 ° C. In order to allow the source gas for forming the deposited film to flow into the reaction vessel 2111, it is confirmed that the valves 2231 to 2237 and the leak valve 2117 of the gas cylinder are closed, and the inflow valves 2241 to 2246 and the outflow valve 2251 ~ 22
After confirming that the valve 56 and the auxiliary valve 2260 are open, first, the main valve 2118 is opened, and the inside of the reaction vessel 2111 and the source gas pipe 2116 is exhausted by the exhaust device. Next, the reading of the vacuum gauge 2119 is approximately 6.7 × 1
When the pressure reaches 0 -4 Pa, the auxiliary valve 2260 and the outflow valves 2251 to 2256 are closed.
【００６１】その後、バルブ２２３１〜２２３６を開い
てガスボンベ２２２１〜２２２６より各ガスを導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
ｆ／ｃｍ2（１９．６Ｎ／ｃｍ2）に調整する。次に、流
入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスを
マスフローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入
する。Thereafter, the valves 2231 to 2236 are opened, and each gas is introduced from the gas cylinders 2221 to 2226.
Each gas pressure is adjusted to 2kg by pressure regulators 2261 to 2266.
Adjust to f / cm 2 (19.6 N / cm 2 ). Next, the inflow valves 2241 to 2246 are gradually opened to introduce each gas into the mass flow controllers 2211 to 2216.
【００６２】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。まず、円筒状支持
体２１１２の温度が所定の温度になったところで、流出
バルブ２２５１〜２２５６のうち必要なものおよび補助
バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１〜２
２２６からの所定のガスを、原料ガス導入管２１１４を
介して反応容器２１１１内に導入する。次に、マスフロ
ーコントローラー２２１１〜２２１６によって各原料ガ
スが所定の流量になるように調整する。その際、反応容
器２１１１内の圧力が約133Pa以下の所定の圧力になる
ように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８
の開口を調整する。反応容器２１１１の内圧が安定した
ところで、周波数13.56MHzのＲＦ電源（不図示）を所望
の電力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５
を通じてＲＦ電力をＲＦ電源から反応容器２１１１内に
導入し、反応容器２１１１内にグロー放電を生起させ
る。この放電エネルギーによって、反応容器２１１１内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体２１１
２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成され
る。所望の膜厚の堆積膜が円筒状支持体２１１２上に形
成された後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブ２２５
１〜２２５６を閉じて反応容器２１１１内へのガスの流
入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回
繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が円
筒状支持体２１１２上に形成される。After the preparation for film formation is completed as described above, each layer is formed in the following procedure. First, when the temperature of the cylindrical support 2112 reaches a predetermined temperature, necessary ones of the outflow valves 2251 to 2256 and the auxiliary valve 2260 are gradually opened, and the gas cylinders 2221-2.
The predetermined gas from 226 is introduced into the reaction vessel 2111 via the raw material gas introduction pipe 2114. Next, each source gas is adjusted by the mass flow controllers 2211 to 2216 so as to have a predetermined flow rate. At this time, the main valve 2118 is checked while watching the vacuum gauge 2119 so that the pressure in the reaction vessel 2111 becomes a predetermined pressure of about 133 Pa or less.
Adjust the opening of. When the internal pressure of the reaction vessel 2111 is stabilized, an RF power source (not shown) having a frequency of 13.56 MHz is set to a desired power, and a high-frequency matching box 2115 is set.
RF power is introduced into the reaction vessel 2111 from the RF power supply through the, and a glow discharge is generated in the reaction vessel 2111. The raw material gas introduced into the reaction vessel 2111 is decomposed by this discharge energy, and the cylindrical support 211 is decomposed.
A deposited film mainly composed of predetermined silicon is formed on the substrate 2. After a deposited film having a desired thickness is formed on the cylindrical support 2112, the supply of the RF power is stopped, and the outflow valve 225 is discharged.
By closing 1-2256, the flow of gas into the reaction vessel 2111 is stopped, and the formation of the deposited film is completed. By repeating the same operation a plurality of times, a light receiving layer having a desired multilayer structure is formed on the cylindrical support 2112.
【００６３】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、そ
れぞれのガスが反応容器２１１１内、流出バルブ２２５
１〜２２５６から反応容器２１１１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５
６を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバ
ルブ２１１８を全開にして系内を高真空に一旦排気する
操作を必要に応じて行う。また、膜形成の均一化を図る
ために、層の形成を行なっている間は、円筒状支持体２
１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転
させることも有効である。さらに、上述のガス種および
バルブの操作は各々の層の作製条件にしたがって変更が
加えられる。When forming each layer, all the outflow valves other than the necessary gas are closed, and each gas is supplied into the reaction vessel 2111 and outflow valve 225.
In order to avoid remaining in the piping from 1-2256 to the reaction vessel 2111, the outflow valves 2251-225
6 is closed, the auxiliary valve 2260 is opened, and the main valve 2118 is fully opened to temporarily exhaust the system to a high vacuum, if necessary. In order to make the film formation uniform, the cylindrical support 2 was formed while the layers were being formed.
It is also effective to rotate the 112 at a predetermined speed by a driving device (not shown). Furthermore, the above-mentioned gas types and valve operations are changed according to the production conditions of each layer.
【００６４】＜ＶＨＦ−プラズマＣＶＤ＞次に、ＶＨＦ
帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「Ｖ
ＨＦ−ＰＣＶＤ法」と略記する）によって電子写真用の
光受容部材を製造する方法について図３を参照して説明
する。図３は、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によって電子写真用
の光受容部材を製造する装置の好適な一例について説明
するための構成図である。<VHF-Plasma CVD> Next, VHF
High-frequency plasma CVD using the frequency of the band (hereinafter referred to as “V
A method of manufacturing a light receiving member for electrophotography by using the "HF-PCVD method" will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a configuration diagram for explaining a preferred example of an apparatus for manufacturing a light receiving member for electrophotography by a VHF-PCVD method.
【００６５】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ装置としては、図２に示
した製造装置においてＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積装置
２１００を、図３に示す堆積装置３１００に代えて原料
ガス供給装置２２００と接続することにより、ＶＨＦ−
ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を構
成することができる。As the VHF-PCVD apparatus, the deposition apparatus 2100 using the RF-PCVD method in the manufacturing apparatus shown in FIG. 2 is connected to a source gas supply apparatus 2200 instead of the deposition apparatus 3100 shown in FIG. −
An apparatus for manufacturing a light receiving member for electrophotography by the PCVD method can be configured.
【００６６】この製造装置は、大別すると、反応容器３
１１１を有する堆積装置３１００と、原料ガスの供給装
置２２００と、反応容器３１１１内を減圧するための排
気装置（不図示）とから構成されている。反応容器３１
１１内には円筒状支持体３１１２、加熱用ヒーター３１
１３、原料ガス導入管（不図示）、および電極３１１５
が設置され、電極３１１５には高周波マッチングボック
ス３１１６が接続されている。また、反応容器３１１１
には、それに設けられた排気管３１２１を介して前記排
気装置（例えば拡散ポンプ）が接続され、その排気装置
によって反応容器３１１１内が排気管３１２１を通じて
減圧される。This manufacturing apparatus is roughly classified into a reaction vessel 3
The apparatus includes a deposition apparatus 3100 having a gas chamber 111, a source gas supply apparatus 2200, and an exhaust apparatus (not shown) for reducing the pressure inside the reaction vessel 3111. Reaction vessel 31
11 has a cylindrical support 3112 and a heater 31 for heating.
13. Source gas introduction pipe (not shown) and electrode 3115
Is installed, and a high-frequency matching box 3116 is connected to the electrode 3115. Also, the reaction vessel 3111
Is connected to the exhaust device (for example, a diffusion pump) via an exhaust pipe 3121 provided therein, and the pressure in the reaction vessel 3111 is reduced through the exhaust pipe 3121 by the exhaust device.
【００６７】図２に示した原料ガス供給装置２２００の
各原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６は、補助バルブ
２２６０を介して反応容器３１１１内の原料ガス導入管
に接続されている。また、円筒状支持体３１１２によっ
て取り囲まれた空間が放電空間３１３０となっている。
反応容器３１１１の下部には、その容器の外側に位置す
る駆動装置３１２０が取り付けられている。各駆動装置
３１２０は、その容器内の円筒状支持体３１１２を回転
させるためのものであり、モーター３２１０ａと、その
回転軸に取り付けられたギア３１２０ｂと、円筒状支持
体３１１２を回転させるための回転軸に取り付けられて
ギア３１２０ｂと噛み合うギア３１２０ｃとから構成さ
れている。The source gas cylinders 2221 to 2226 of the source gas supply device 2200 shown in FIG. 2 are connected to the source gas introduction pipe in the reaction vessel 3111 via the auxiliary valve 2260. The space surrounded by the cylindrical support 3112 is a discharge space 3130.
At the lower part of the reaction vessel 3111, a driving device 3120 located outside the vessel is attached. Each driving device 3120 is for rotating the cylindrical support 3112 in the container, and includes a motor 3210a, a gear 3120b attached to the rotation shaft thereof, and a rotation for rotating the cylindrical support 3112. A gear 3120c is attached to the shaft and meshes with a gear 3120b.
【００６８】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの製造装置で
の堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体３１１２を設
置し、駆動装置３１２０の駆動によって円筒状支持体３
１１２を回転させ、前記排気装置により反応容器３１１
１内を排気管３１２１を介して排気し、反応容器３１１
１内の圧力を例えば約6.7×10-4Pa以下に調整する。続
いて、円筒状支持体３１１２を加熱用ヒーター３１１３
によって例えば２００℃〜３５０℃の所定の温度に加熱
してその温度を保持する。The formation of a deposited film in this manufacturing apparatus by the VHF-PCVD method can be performed as follows.
First, the cylindrical support 3112 is set in the reaction vessel 3111, and the cylindrical support 3112 is driven by the driving device 3120.
112, and the reaction vessel 311 is
1 is evacuated through an exhaust pipe 3121 to form a reaction vessel 311.
The pressure in 1 is adjusted to, for example, about 6.7 × 10 −4 Pa or less. Subsequently, the cylindrical support 3112 is moved to the heater 3113 for heating.
To a predetermined temperature of, for example, 200 ° C. to 350 ° C. to maintain that temperature.
【００６９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、および反応容器３１１１に取り付けられたリー
クバルブ（不図示）が閉じられていることを確認し、ま
た、流入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５
１〜２２５６、および補助バルブ２２６０が開かれてい
ることを確認して、まず、排気管３１２１と排気装置の
間に取り付けられたメインバルブ（不図示）を開いて反
応容器３１１１およびガス配管内を排気する。次に、反
応容器３１１１内の圧力を測定する真空計（不図示）の
読みが約6.7×10-4Paになった時点で補助バルブ２２６
０、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じる。A source gas for forming a deposited film is supplied to a reaction vessel 311.
In order to make the gas flow into the valve 1, the gas cylinder valves 2231 to 2231
236 and a leak valve (not shown) attached to the reaction vessel 3111 are closed, and the inflow valves 2241 to 2246 and the outflow valve 225 are checked.
After confirming that 1-2256 and the auxiliary valve 2260 are opened, first, a main valve (not shown) attached between the exhaust pipe 3121 and the exhaust device is opened to open the inside of the reaction vessel 3111 and the gas pipe. Exhaust. Next, when the reading of a vacuum gauge (not shown) for measuring the pressure in the reaction vessel 3111 becomes about 6.7 × 10 −4 Pa, the auxiliary valve 226 is turned on.
0, close outflow valves 2251 to 2256.
【００７０】その後、バルブ２２３１〜２２３６を開い
てガスボンベ２２２１〜２２２６より各ガスを導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
ｆ／ｃｍ2（１９．６Ｎ／ｃｍ2）に調整する。次に、流
入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスを
マスフローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入
する。Thereafter, the valves 2231 to 2236 are opened, and each gas is introduced from the gas cylinders 2221 to 2226.
Each gas pressure is adjusted to 2kg by pressure regulators 2261 to 2266.
Adjust to f / cm 2 (19.6 N / cm 2 ). Next, the inflow valves 2241 to 2246 are gradually opened to introduce each gas into the mass flow controllers 2211 to 2216.
【００７１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
形成を行う。まず、円筒状支持体３１１２の温度が所定
の温度になったところで、流出バルブ２２５１〜２２５
６のうち必要なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に
開き、ガスボンベ２２２１〜２２２６から所定のガス
を、原料ガス導入管を介して反応容器３１１１内の放電
空間３１３０に導入する。次に、マスフローコントロー
ラー２２１１〜２２１６によって各原料ガスが所定の流
量になるように調整する。その際、放電空間３１３０内
の圧力が約133Pa以下の所定の圧力になるように真空計
（不図示）を見ながらメインバルブ（不図示）の開口を
調整する。After the preparation for film formation is completed as described above, each layer is formed on the cylindrical support 3112 as follows. First, when the temperature of the cylindrical support 3112 reaches a predetermined temperature, the outflow valves 2251 to 225
6 and the auxiliary valve 2260 are gradually opened, and a predetermined gas is introduced from the gas cylinders 2221 to 2226 into the discharge space 3130 in the reaction vessel 3111 via the raw material gas introduction pipe. Next, each source gas is adjusted by the mass flow controllers 2211 to 2216 so as to have a predetermined flow rate. At this time, the opening of the main valve (not shown) is adjusted while watching the vacuum gauge (not shown) so that the pressure in the discharge space 3130 becomes a predetermined pressure of about 133 Pa or less.
【００７２】反応容器３１１１の圧力が安定したところ
で、例えば周波数105MHzのＶＨＦ電源（不図示）を所望
の電力に設定して、マッチングボックス３１１６を通じ
てＶＨＦ電力をＶＨＦ電源から放電空間３１３０に導入
し、放電空間３１３０にグロー放電を生起させる。この
ようにして、円筒状支持体３１１２により取り囲まれた
放電空間３１３０において、導入された原料ガスは放電
エネルギーにより励起されて解離し、円筒状支持体３１
１２上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形成の
均一化を図るために、駆動装置３１２０によって円筒状
支持体３１１２を所望の回転速度で回転させる。所望の
膜厚の堆積膜が円筒状支持体３１１２上に形成された
後、ＶＨＦ電力の供給を止め、流出バルブ２２５１〜２
２５６を閉じて反応容器３１１１内へのガスの流入を止
め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返
すことによって、所望の多層構造の光受容層が円筒状支
持体３１１２上に形成される。When the pressure in the reaction vessel 3111 is stabilized, for example, a VHF power supply (not shown) having a frequency of 105 MHz is set to a desired power, and the VHF power is introduced from the VHF power supply into the discharge space 3130 through the matching box 3116, and the discharge is performed. A glow discharge is generated in the space 3130. In this way, in the discharge space 3130 surrounded by the cylindrical support 3112, the introduced source gas is excited by the discharge energy to be dissociated, and the cylindrical support 3131 is dissociated.
A predetermined deposited film is formed on the substrate 12. At this time, in order to achieve uniform layer formation, the cylindrical support 3112 is rotated at a desired rotation speed by the driving device 3120. After a deposited film having a desired thickness is formed on the cylindrical support 3112, the supply of VHF power is stopped, and the outflow valves 2251 to 2251
By closing 256, the flow of gas into the reaction vessel 3111 is stopped, and the formation of the deposited film is completed. By repeating the same operation a plurality of times, a light receiving layer having a desired multilayer structure is formed on the cylindrical support 3112.
【００７３】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、そ
れぞれのガスが反応容器３１１１内、流出バルブ２２５
１〜２２５６から反応容器３１１１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５
６を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバ
ルブ（不図示）を全開にして系内を高真空に一旦排気す
る操作を必要に応じて行う。上述のガス種およびバルブ
操作は各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられ
る。When forming each layer, all the outflow valves other than the necessary gas are closed, and each gas is supplied into the reaction vessel 3111 and outflow valve 225.
In order to avoid remaining in the piping from 1-2256 to the reaction vessel 3111, the outflow valves 2251-225
6 is closed, the auxiliary valve 2260 is opened, and the main valve (not shown) is fully opened to temporarily exhaust the system to a high vacuum, if necessary. The above-mentioned gas types and valve operations are changed according to the production conditions of each layer.
【００７４】円筒状支持体３１１２を加熱する手段は、
その支持体を真空内で加熱することができるような真空
仕様である発熱体であればよく、例えばシース状ヒータ
ーの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒー
ター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ラン
プ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒（加熱
媒体）とした熱交換手段による発熱体等が挙げられる。
加熱手段の表面の材質としては、ステンレス、ニッケ
ル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱
性高分子樹脂等を使用することができる。それ以外に
も、反応容器３１１１以外の個所に加熱専用の容器を設
け、その加熱容器内で円筒状支持体３１１２を加熱した
後、反応容器３１１１内へと真空中で円筒状支持体３１
１２を搬送する等の方法を用いることができる。The means for heating the cylindrical support 3112 is as follows.
Any heating element having a vacuum specification capable of heating the support in a vacuum may be used, for example, an electric resistance heating element such as a winding heater of a sheath heater, a plate heater, or a ceramic heater, a halogen lamp, or an infrared ray. Examples include a heat radiation lamp heating element such as a lamp, and a heating element using a heat exchange means using a liquid, a gas, or the like as a heating medium (heating medium).
As the material of the surface of the heating means, metals such as stainless steel, nickel, aluminum, and copper, ceramics, heat-resistant polymer resins, and the like can be used. In addition, a container dedicated to heating is provided at a location other than the reaction vessel 3111, and after heating the cylindrical support 3112 in the heating vessel, the cylindrical support 31 is placed in the reaction vessel 3111 in a vacuum.
12 can be used.
【００７５】〔電子写真装置〕次に、本発明の電子写真
装置である複写機の画像形成プロセスの一例について図
４を参照して説明する。図４は、本発明に関わる複写機
の構成の一例を模式的に示す概略図である。[Electrophotographic Apparatus] Next, an example of an image forming process of a copying machine which is an electrophotographic apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic diagram schematically showing an example of the configuration of a copying machine according to the present invention.
【００７６】図４に示される複写機では、矢印Ｘ方向に
回転する電子写真用の円筒状感光体５０１の周辺に、耐
電手段としての主帯電器５０２、現像手段としての現像
器５０４、転写紙供給系５０５、画像転写手段としての
転写帯電器５０６ａ、分離帯電器５０６ｂ、搬送系５０
８、クリーニング手段としてのクリーニング装置５０
７、および前露光光源５０９等が、感光体５０１の円周
方向に沿って配設されている。感光体５０１における主
帯電器５０２と現像器５０４の間の部分が静電潜像形成
部位５０３となり、静電潜像形成部位５０３の近傍に潜
像形成手段としての画像露光付与手段（不図示）が配置
されている。感光体５０１の温度を、その内側に設けら
れた面状の内面ヒーター（不図示）によって必要に応じ
て制御してもよい。クリーニング装置５０７には、感光
体５０１の表面に当接して設けられたクリーニングブレ
ード５１０およびクリーニングローラー（またはブラ
シ）５１１等が備えられている。現像器５０４は、静電
潜像形成部位５０３で画像露光付与手段により光が照射
された感光体５０１において、その光照射で表面の電位
が低下した部分に現像剤トナーを付着させて現像する反
転現像方式のものである。In the copying machine shown in FIG. 4, a main charger 502 as a withstand means, a developing device 504 as a developing means, a transfer paper are provided around an electrophotographic cylindrical photoreceptor 501 rotating in the direction of arrow X. Supply system 505, transfer charger 506a as image transfer means, separation charger 506b, transport system 50
8. Cleaning device 50 as cleaning means
7 and a pre-exposure light source 509 are arranged along the circumferential direction of the photoconductor 501. A portion between the main charger 502 and the developing device 504 on the photoconductor 501 is an electrostatic latent image forming portion 503, and an image exposure applying device (not shown) as a latent image forming device is provided near the electrostatic latent image forming portion 503. Is arranged. The temperature of the photoconductor 501 may be controlled by a planar internal heater (not shown) provided inside the photoconductor 501 as necessary. The cleaning device 507 includes a cleaning blade 510 and a cleaning roller (or brush) 511 provided in contact with the surface of the photoconductor 501. The developing unit 504 is a reversing unit that applies a developer toner to a portion of the photosensitive member 501 to which the electrostatic latent image forming portion 503 has been irradiated with light by the image exposure applying unit and to which the surface of the photoreceptor has been reduced by the light irradiation to develop the image. It is a development type.
【００７７】感光体５０１は、円筒状の導電性基体の外
周面に形成されたものであり、上述したように少なくと
も電荷注入阻止層、光受容層、および表面保護層からな
る層構成を有している。この円筒状の感光体５０１は、
その中心線を回転軸として、モーター等の不図示の駆動
手段によって回転駆動させられる。その駆動手段によっ
て感光体５０１の外周面、すなわち表面保護層側の表面
が移動速度（面速度）３２０mm/sec以上で移動するよう
に感光体５０１が回転できる構成となっている。この感
光体５０１の電荷注入阻止層の膜厚は、上述したように
３μｍ以上６μｍ以下となっている。The photoreceptor 501 is formed on the outer peripheral surface of a cylindrical conductive substrate, and has a layer structure including at least a charge injection blocking layer, a light receiving layer, and a surface protection layer as described above. ing. This cylindrical photoconductor 501 is
The rotation is driven by a driving unit (not shown) such as a motor around the center line as a rotation axis. The driving unit rotates the photoconductor 501 so that the outer peripheral surface of the photoconductor 501, that is, the surface on the surface protective layer side moves at a moving speed (surface speed) of 320 mm / sec or more. The thickness of the charge injection blocking layer of the photoconductor 501 is 3 μm or more and 6 μm or less as described above.
【００７８】このような複写機では、感光体５０１が、
その外側表面が主帯電器５０２によって均一に帯電さ
れ、静電潜像形成部位５０３近傍の画像露光付与手段に
より静電潜像が感光体５０１に形成される。この静電潜
像は、現像器５０４による感光体５０１の現像工程にお
いて、現像剤（トナー）が塗布された現像器５０４の現
像スリーブによってトナー像として感光体５０１で顕像
画化される。In such a copying machine, the photoconductor 501 is
The outer surface is uniformly charged by the main charger 502, and an electrostatic latent image is formed on the photoconductor 501 by an image exposure applying unit near the electrostatic latent image forming portion 503. This electrostatic latent image is visualized as a toner image on the photoconductor 501 by a developing sleeve of the developing device 504 coated with a developer (toner) in a developing process of the photoconductor 501 by the developing device 504.
【００７９】一方、シート状の被転写材が感光体５０１
に向けて転写紙供給系５０５により供給されており、供
給された被転写材は、現像器５０４によって現像された
感光体５０１上のトナー画像をその転写材に転写するた
めに転写帯電器５０６ａによって帯電させられる。転写
紙供給系５０５を通って感光体５０１へと供給されると
共に転写帯電器５０６ａによって帯電した被転写材に、
感光体５０１上のトナー画像が転写される。トナー画像
が転写された被転写材は、分離帯電器５０６ｂまたは爪
等の分離手段により、あるいはそれらの併用により感光
体５０１から分離され、搬送系５０８を経由して定着器
（不図示）の定着ローラー（不図示）によって被転写材
の表面のトナー像が被転写材に定着した後、複写機（画
像形成装置）の外へ排出される。On the other hand, the sheet-shaped transfer material is the photosensitive member 501.
Is supplied by a transfer paper supply system 505, and the supplied transfer material is transferred by a transfer charger 506a to transfer the toner image on the photoconductor 501 developed by the developing device 504 to the transfer material. Charged. The transfer material supplied to the photoconductor 501 through the transfer paper supply system 505 and charged by the transfer charger 506 a
The toner image on the photoconductor 501 is transferred. The transfer material onto which the toner image has been transferred is separated from the photoconductor 501 by a separation unit such as a separation charger 506b or a nail, or a combination thereof, and fixed by a fixing unit (not shown) via a transport system 508. After the toner image on the surface of the transfer material is fixed on the transfer material by a roller (not shown), the toner image is discharged out of the copying machine (image forming apparatus).
【００８０】このようにトナー像を被転写材に転写した
後の感光体５０１の表面は、その表面に残留したトナー
や紙粉等の付着物がクリーニング装置５０７内のクリー
ニングブレード５１０およびクリーニングローラー（ま
たはブラシ）５１１等により除去され、感光体５０１が
次の画像形成に供される。そして、感光体５０１は、前
露光光源５０９によって最後に一様に露光されることで
静電潜像がイレース（消去）され、次の画像形成が行わ
れる。After the transfer of the toner image onto the material to be transferred, the surface of the photoreceptor 501 on the surface of the photoreceptor 501 is subjected to the cleaning blade 510 and cleaning roller ( Alternatively, the photosensitive member 501 is removed by a brush 511 or the like, and is used for the next image formation. The photoreceptor 501 is finally uniformly exposed by the pre-exposure light source 509, so that the electrostatic latent image is erased (erased), and the next image formation is performed.
【００８１】上述した複写機では、アモルファスシリコ
ンを母体とした感光体５０１を、表面保護層側の表面の
移動速度が３２０mm/secとなるように回転駆動し、その
感光体５０１を用いた反転現像方式により被転写体に画
像が転写される。このような複写機では、感光体５０１
の電荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６μｍ以下である
ことにより、感光体５０１に当接して設けられたクリー
ニング装置５０７で、感光体５０１に残留した現像剤を
引き剥がす際に、剥離放電による感光体５０１の表面保
護層への損傷（ダメージ）によって、感光体５０１の各
層にかかる分圧の変化が生じた場合でも、上記のように
電荷注入阻止層の膜厚を適正化することで電荷注入阻止
層の絶縁破壊による画像欠陥を低減させることができ
る。上述したように電荷注入阻止層の膜厚が３μｍより
も薄くなると、電荷注入阻止層の絶縁破壊が生じ、反転
現像方式において被転写材の画像に黒い斑点が現れてし
まう。逆に、電荷注入阻止層の膜厚が６μｍよりも厚く
なると、実質的な画像特性の向上よりも、感光体の作製
時間の延長による製造コストの増加が招かれてしまう。
したがって、電荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６μｍ
以下であることにより、複写速度が高速な電子写真装置
のコストの増加が抑えられると共に感光体の耐久性が向
上し、コストの増加が抑えられた感光体によって、画像
欠陥のない鮮明な画像を長期間に渡って得ることが可能
である。さらに、電子写真装置の複写速度の高速化に付
随する問題点、具体的には電荷注入阻止層の絶縁破壊等
の問題点が解決され、複写速度の高速化が容易になる。In the above-described copying machine, the photosensitive member 501 made of amorphous silicon as a matrix is rotationally driven so that the moving speed of the surface on the side of the surface protective layer becomes 320 mm / sec, and the reverse development using the photosensitive member 501 is performed. The image is transferred to the transfer object by the method. In such a copying machine, the photoconductor 501
When the thickness of the charge injection blocking layer is 3 μm or more and 6 μm or less, when the developer remaining on the photoconductor 501 is peeled off by the cleaning device 507 provided in contact with the photoconductor 501, the discharge discharge Even if the partial pressure applied to each layer of the photoconductor 501 changes due to damage to the surface protection layer of the photoconductor 501, the charge is prevented by optimizing the thickness of the charge injection blocking layer as described above. Image defects due to dielectric breakdown of the injection blocking layer can be reduced. As described above, when the thickness of the charge injection blocking layer is smaller than 3 μm, dielectric breakdown of the charge injection blocking layer occurs, and black spots appear on the image of the material to be transferred in the reversal developing method. Conversely, if the thickness of the charge injection blocking layer is greater than 6 μm, the production cost will be increased due to the extension of the photoconductor production time rather than the substantial improvement in image characteristics.
Therefore, the thickness of the charge injection blocking layer is 3 μm or more and 6 μm or more.
By the following, the increase in the cost of the electrophotographic apparatus with a high copying speed is suppressed, and the durability of the photoconductor is improved. The photoconductor with the suppressed increase in the cost enables clear images without image defects. It can be obtained over a long period of time. Further, the problems associated with the increase in the copying speed of the electrophotographic apparatus, specifically, the problems such as dielectric breakdown of the charge injection blocking layer are solved, and the copying speed can be easily increased.
【００８２】図５は、反転現像方式を用いた電子写真装
置における現像工程での感光体の電位レベルと、感光体
と現像器の間に加えられる現像バイアスレベルとの関係
を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the relationship between the potential level of the photosensitive member in the developing step and the developing bias level applied between the photosensitive member and the developing device in the electrophotographic apparatus using the reversal developing method. .
【００８３】図５において、感光体５０１の表面が主帯
電器５０２により所定の表面電位Ｖd［V］に均一に帯電
した後、静電潜像形成部位５０３において感光体５０１
に対して画像露光付与手段により露光が行われることに
より、感光体５０１の表面において光が照射された所定
の部分の電位、すなわち所定の明部の電位が電位ＶL
［V］まで下がり、その電位ＶL［V］の潜像電位分布が
感光体５０１の表面に形成される。感光体５０１の表面
において露光工程で光が照射された部分が明部であり、
露光工程で光が照射されなかった部分が暗部である。感
光体５０１の表面において露光工程で光が照射されなか
った部分の電位、すなわち暗部の電位は、電位ＶL［V］
に保持されている。In FIG. 5, after the surface of the photoconductor 501 is uniformly charged to a predetermined surface potential Vd [V] by the main charger 502, the photoconductor 501 is formed at the electrostatic latent image forming portion 503.
Is exposed to light by the image exposure applying means, the potential of a predetermined portion irradiated with light on the surface of the photoreceptor 501, that is, the potential of a predetermined bright portion becomes the potential VL.
[V], and a latent image potential distribution of the potential VL [V] is formed on the surface of the photoconductor 501. A portion irradiated with light in the exposure step on the surface of the photoconductor 501 is a bright portion,
The portion not irradiated with light in the exposure step is a dark portion. The potential of the portion of the surface of the photoconductor 501 to which light was not irradiated in the exposure step, that is, the potential of the dark portion is the potential VL [V].
Is held in.
【００８４】そして、感光体５０１においてそのような
潜像電位分布が形成された部位が現像器５０４の近傍に
達すると、電位Ｖd［V］とＶL［V］との間の現像バイア
スＶdc［V］が感光体５０１と現像器５０４との間に印
加される。これにより、感光体５０１の表面において現
像バイアスＶdc［V］よりも電位の低い部分にトナー
（現像剤）が付着され、感光体５０１の潜像をトナーに
よって可視化する現像処理が行われる。ここで、感光体
５０１の表面にトナーが付着する量は現像バイアスＶdc
［V］の設定値によって制御可能であるが、感光体５０
１の表面電位を変えずに現像バイアスＶdc［V］を変化
させると、潜像の鮮鋭度等、画質が影響を受けやすい。When the portion where the latent image potential distribution is formed on the photosensitive member 501 reaches the vicinity of the developing device 504, the developing bias Vdc [V] between the potentials Vd [V] and VL [V] is reached. ] Is applied between the photoconductor 501 and the developing device 504. As a result, toner (developer) is attached to a portion of the surface of the photoconductor 501 where the potential is lower than the developing bias Vdc [V], and a developing process of visualizing the latent image on the photoconductor 501 with the toner is performed. Here, the amount of toner adhering to the surface of the photoconductor 501 is determined by the developing bias Vdc.
It can be controlled by the set value of [V].
If the developing bias Vdc [V] is changed without changing the surface potential of No. 1, the image quality such as the sharpness of the latent image is easily affected.
【００８５】そこで、本発明の電子写真装置において
は、現像工程における感光体５０１の暗部の電位Ｖd
［V］を感光体５０１の表面の移動速度（面速度）ＰＳ
［mm/sec］の増大に応じて減少させるように、主帯電器
５０２によって感光体５０１の表面を帯電させる際にそ
の表面電位を設定し、これにより、現像工程で感光体５
０１に付着するトナー（現像剤）の量を制御する。特
に、後述する実験例から分かるように、感光体５０１の
面速度ＰＳ［mm/sec］が３２０mm/sec以上である場合に
おいては、面速度ＰＳ［mm/sec］と、現像工程における
暗部の電位Ｖd［V］との関係が、Ｖd≧０の範囲におい
て、 Ｖd≦−０．３５×ＰＳ＋５３５ を満たしていることが好ましい。Therefore, in the electrophotographic apparatus of the present invention, the potential Vd of the dark portion of the photosensitive member 501 in the developing step
[V] is the moving speed (surface speed) PS of the surface of the photoconductor 501.
The surface potential of the photoconductor 501 is set when the surface of the photoconductor 501 is charged by the main charger 502 so as to decrease as the [mm / sec] increases.
The amount of toner (developer) adhering to 01 is controlled. In particular, as will be understood from an experimental example described later, when the surface speed PS [mm / sec] of the photoconductor 501 is equal to or more than 320 mm / sec, the surface speed PS [mm / sec] and the potential of the dark portion in the developing process are set. It is preferable that the relationship with Vd [V] satisfies Vd ≦ −0.35 × PS + 535 in the range of Vd ≧ 0.
【００８６】また、後述する実験例から分かるように、
感光体５０１の表面保護層に直流電圧を印加したときに
感光体５０１の絶縁性の破壊が開始する電圧値を絶縁破
壊開始電圧Ｖpとすると、 ２．６ｋＶ≦ Ｖp ≦４．０ｋＶ の関係を満たしていることが好ましい。ここで、感光体
５０１の絶縁破壊開始電圧Ｖpとは、感光体５０１の電
荷注入阻止層、光導電層、および表面保護層を含む全層
の絶縁性の破壊が開始する電圧値である。As can be seen from an experimental example described later,
Assuming that a voltage value at which dielectric breakdown of the photoconductor 501 starts when a DC voltage is applied to the surface protective layer of the photoconductor 501 is a dielectric breakdown start voltage Vp, a relationship of 2.6 kV ≦ Vp ≦ 4.0 kV is satisfied. Is preferred. Here, the dielectric breakdown onset voltage Vp of the photoconductor 501 is a voltage value at which dielectric breakdown of all layers of the photoconductor 501 including the charge injection blocking layer, the photoconductive layer, and the surface protective layer starts.
【００８７】[0087]
【実験例】以下、実験例により本発明の作用について具
体的に説明する。なお、本発明はこれらの実験例に限定
されるものではない。[Experimental Examples] The operation of the present invention will be specifically described with reference to experimental examples. The present invention is not limited to these experimental examples.
【００８８】（実験例１）実施形態で説明したＲＦ−Ｐ
ＣＶＤ装置において、膜厚、基体温度、ガス種／流量、
反応容器内の圧力等を適宜変化させ、ＲＦ−ＰＣＶＤ
法、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によりモルファスシリコンを母
体とする円筒状の電子写真用感光体を作製した。光受容
部材の外形寸法は、直径が１０８ｍｍ、長さが３５８ｍ
ｍである。また、光受容部材の電荷注入阻止層膜の厚さ
は２．０μｍとした。これらの感光体を、図４に示した
構成の電子写真装置であるキヤノン株式会社製の電子写
真装置GP605に搭載し、次の表１に示す３種類の環境に
おいて100万枚の耐久試験を行った。耐久試験の条件
は、表１に示す通りである。なお、キヤノン株式会社製
の電子写真装置GP605は、各々の耐久条件において、感
光体の面速度ＰＳおよび帯電極性に応じて次の表２に示
すように改造している。(Experimental Example 1) RF-P explained in the embodiment
In CVD equipment, film thickness, substrate temperature, gas type / flow rate,
RF-PCVD by appropriately changing the pressure inside the reaction vessel
And a VHF-PCVD method to produce a cylindrical electrophotographic photosensitive member having morphous silicon as a base material. The external dimensions of the light receiving member are 108 mm in diameter and 358 m in length
m. The thickness of the charge injection blocking layer of the light receiving member was 2.0 μm. These photoconductors were mounted on an electrophotographic apparatus GP605 manufactured by Canon Inc., which is an electrophotographic apparatus having the configuration shown in FIG. 4, and subjected to a durability test of one million sheets under three kinds of environments shown in Table 1 below. Was. The conditions of the durability test are as shown in Table 1. The electrophotographic apparatus GP605 manufactured by Canon Inc. is modified as shown in Table 2 below according to the surface speed PS and the charging polarity of the photoreceptor under each endurance condition.
【００８９】[0089]
【表１】 [Table 1]
【００９０】[0090]
【表２】 [Table 2]
【００９１】耐久チャートとしては、図６に示すよう
に、ベタ黒画像部６１とベタ白画像部６２をコピー（複
写）進行方向に平行に入れたチャートを用いた。耐久後
の評価は、ＨＴ（ハーフトーン）画像（潜像密度50％）
において、ベタ黒画像部６１とベタ白画像部６２に相当
する部分の濃度変動と黒ポチについて目視観察による客
観的な画像欠陥の評価を行った。さらに、直接電圧印加
方式（電子写真学会誌第22巻 第１号(1983) 図７参
照）により測定し、電位は、印加電圧Ｖａ＝2000V時の
Ｖd電位とし、ベタ黒画像部６１の耐久前電位Ｖ0とベタ
黒画像部６１の耐久後電位Ｖ1の差分をΔＶ2（＝Ｖ0−
Ｖ1）を耐久前電位Ｖ0で割ったものを電位低下率として
評価のパラメーターとした。As the endurance chart, as shown in FIG. 6, a solid black image portion 61 and a solid white image portion 62 were inserted in parallel with the copying (copying) traveling direction. Evaluation after endurance is HT (halftone) image (latent image density 50%)
In, objective image defect evaluation was performed by visually observing density fluctuations and black spots in portions corresponding to the solid black image portion 61 and the solid white image portion 62. Further, the potential was measured by a direct voltage application method (see FIG. 7 of the Journal of the Electrophotographic Society, Vol. 22, No. 1, (1983)), and the potential was Vd potential at an applied voltage Va = 2000 V. The difference between the potential V0 and the post-durability potential V1 of the solid black image portion 61 is ΔV2 (= V0−
The value obtained by dividing V1) by the pre-endurance potential V0 was used as a parameter for evaluation as a potential reduction rate.
【００９２】本実験に用いた直接電圧印加方式の感光体
測定装置の詳細を以下に説明する。その装置の概要とし
ては図７に示すように、高圧電源は、ＤＣ／ＡＣコンバ
ーターからの出力を、レスポンスの早いオペアンプを使
用し増幅している。電源と感光体の間には必要に応じて
抵抗、コンデンサーが入れられるようになっており、そ
れにより帯電の時定数を変えられるようになっている。
Ｄ／Ａコンバーターは、コンピュータにより制御されて
いる。光源は前後左右に４個配置されており、電極の下
に配置された反射ミラーで露光されるようになってい
る。各光源とも感光体との間には各種フィルターをセッ
トできるようになっている。The details of the photoreceptor measuring apparatus of the direct voltage application type used in this experiment will be described below. As an outline of the device, as shown in FIG. 7, the high-voltage power supply amplifies the output from the DC / AC converter using an operational amplifier having a fast response. A resistor and a capacitor can be inserted between the power supply and the photosensitive member as necessary, so that the charging time constant can be changed.
The D / A converter is controlled by a computer. Four light sources are arranged in front, rear, left and right, and are exposed by a reflection mirror arranged below the electrodes. Various filters can be set between each light source and the photosensitive member.
【００９３】次に、測定シーケンスについて説明する。
本実験における測定は、感光体ドラムをコンデンサーと
みなしたコンデンサーモデルとして測定してある。図８
に測定シーケンスを、図９に測定回路の概要図を示す。
測定は、図８に示すように進められる。その詳細は、光
源により感光体の履歴を消去するためのイレース露光お
よび前露光を感光体に照射し、約10msec後に所定の印加
電圧Ｖaを感光体に印加する。その後、約0.2sec後に
（Ｖd＋Ｖc）分の電位を測定し、測定後、感光体をアー
スに落とし、次にＶc成分の電位測定を行い、これらの
結果から求めたＶdを感光体電位とした。Next, the measurement sequence will be described.
The measurement in this experiment was performed as a condenser model in which the photosensitive drum was regarded as a condenser. FIG.
9 shows a measurement sequence, and FIG. 9 shows a schematic diagram of a measurement circuit.
The measurement proceeds as shown in FIG. More specifically, the photosensitive body is irradiated with erase exposure and pre-exposure for erasing the history of the photosensitive body by a light source, and a predetermined applied voltage Va is applied to the photosensitive body after about 10 msec. Then, after about 0.2 sec, the potential of (Vd + Vc) was measured. After the measurement, the photoconductor was dropped to the ground, and then the potential of the Vc component was measured.
【００９４】測定結果の一例を図１０に示す。なお、電
位は、印加電圧Ｖａ＝2000Vの時のＶd電位としてある。
その結果を次の表３と図１０に示している。なお、表３
および図１０には、表１に示したN/L環境における結果
を示している。FIG. 10 shows an example of the measurement results. The potential is the Vd potential when the applied voltage Va = 2000V.
The results are shown in the following Table 3 and FIG. Table 3
FIG. 10 shows the results in the N / L environment shown in Table 1.
【００９５】[0095]
【表３】 [Table 3]
【００９６】表３に示すように、ＰＳ＝３２０[mm/sec]
以上において、電荷保持能力の破壊による帯電電位の低
下が生じることが確認できる。また、実画像において、
画像欠陥として顕著化するには、直接電圧印加方式にお
ける暗部電位の低下率が３０％以上必要であることが確
認できる。黒ポチにおいても、ＰＳ＝３２０[mm/sec]以
上において、実用上で問題の無いレベルではあるが、発
生が顕著化してくる。As shown in Table 3, PS = 320 [mm / sec]
As described above, it can be confirmed that the charge potential is reduced due to the destruction of the charge holding ability. Also, in the actual image,
It can be confirmed that, in order to make the image defect noticeable, the reduction rate of the dark portion potential in the direct voltage application method is required to be 30% or more. Black spots also have a remarkable level of practical use at PS = 320 [mm / sec] or more, but are more noticeable.
【００９７】なお、表１におけるN/N環境およびH/H環境
においては、後述する表４に示すN/L環境における結果
よりも電位低下率、画像欠陥のレベルは良かった。In the N / N environment and the H / H environment in Table 1, the potential reduction rate and the level of image defects were better than the results in the N / L environment shown in Table 4 described later.
【００９８】（実験例２）実施形態で説明したＲＦ−Ｐ
ＣＶＤ装置において、膜厚、基体温度、ガス種／流量、
成膜容器内圧力等を適宜に変化させ、ＲＦ−ＰＣＶＤ
法、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によりモルファスシリコンを母
体とする円筒状の電子写真用感光体を作製した。光受容
部材の外形寸法は、直径が１０８ｍｍ、長さが３５８ｍ
ｍである。作成時に、電荷注入阻止層の成膜における時
間を変化させて、電荷注入阻止層の膜厚を、図１１に示
す膜厚とした。これらの感光体を、実験例１における実
験１−３の条件でそれぞれ、N/L環境において実験例１
と同様の評価を行った。その結果を図１１に示す。(Experimental example 2) RF-P explained in the embodiment
In CVD equipment, film thickness, substrate temperature, gas type / flow rate,
RF-PCVD by appropriately changing the pressure inside the film forming vessel
And a VHF-PCVD method to produce a cylindrical electrophotographic photosensitive member having morphous silicon as a base material. The outer dimensions of the light receiving member are 108 mm in diameter and 358 m in length
m. At the time of formation, the time for forming the charge injection blocking layer was changed, and the thickness of the charge injection blocking layer was set to the thickness shown in FIG. Each of these photoconductors was used under the conditions of Experiments 1-3 in Experimental Example 1 in an N / L environment.
The same evaluation was performed. The result is shown in FIG.
【００９９】図１１に示すように、電荷注入阻止層の膜
厚が３．０[μｍ]以上であるならば、画像欠陥（黒ポ
チ）が発生せず、非常に良好な結果となった。逆に、電
荷注入阻止層の膜厚を６μｍより厚くしても、実質的な
画像特性の向上よりも作製時間の延長による製造コスト
増を招くことから、電荷注入阻止層の膜厚は６μｍ以下
であることが望ましい。また、６μｍを超えると、実用
上は全く問題は無いが、若干の帯電能の低下が見られ
た。As shown in FIG. 11, when the thickness of the charge injection blocking layer was 3.0 [μm] or more, image defects (black spots) did not occur, and very good results were obtained. Conversely, even if the thickness of the charge injection blocking layer is larger than 6 μm, the manufacturing cost is increased due to the extension of the manufacturing time rather than the substantial improvement in image characteristics. It is desirable that On the other hand, if it exceeds 6 μm, there is no practical problem at all, but a slight decrease in charging ability was observed.
【０１００】（実験例３）実験例２で作製した感光体2-
a〜2-mにおいて100万枚耐久前の耐圧測定を行った。測
定装置を、図１２に示す。測定は、感光体４００の基体
４０１を接地し、感光体４００の表面４０２に導電性の
針４０３を接触させ、針４０３を通してその表面４０２
に（＋）の高電圧を印加し、感光体４００の絶縁性の破
壊が開始する電圧値として絶縁破壊開始電圧（Ｖp）を
測定することにより行った。その測定結果を図１３に示
す。(Experimental Example 3) Photoconductor 2 prepared in Experimental Example 2
With respect to a to 2-m, the pressure resistance measurement before the durability of 1 million sheets was performed. The measuring device is shown in FIG. The measurement is performed by grounding the substrate 401 of the photoconductor 400, bringing a conductive needle 403 into contact with the surface 402 of the photoconductor 400, and passing the surface 402 through the needle 403.
A high voltage of (+) was applied to the photoconductor 400, and the dielectric breakdown onset voltage (Vp) was measured as a voltage value at which the dielectric breakdown of the photoconductor 400 started. FIG. 13 shows the measurement results.
【０１０１】図１３に示すように、実験例２で黒ポチが
良好であった感光体の耐電圧は、２．６ｋＶ以上であっ
た。また感光体の耐電圧は、４．０ｋＶ以上であっても
実質的には何ら問題はないが、本実験例の結果の通り、
電荷注入阻止層の膜厚が６μｍを超えても感光体の耐電
圧は大きく変わらないことと、電荷注入阻止層が前述の
実験例２と同様に６μｍを超える膜厚を有していても、
実質的な画像特性の向上は見られないことから、感光体
の耐電圧Ｖpは、２．６ｋＶ≦Ｖp≦４．０ｋＶとするこ
とが本発明には適している。As shown in FIG. 13, the photosensitive member having good black spots in Experimental Example 2 had a withstand voltage of 2.6 kV or more. The withstand voltage of the photoreceptor is substantially no problem even if it is 4.0 kV or more.
Even if the thickness of the charge injection blocking layer exceeds 6 μm, the withstand voltage of the photoreceptor does not change significantly. Even if the charge injection blocking layer has a thickness of more than 6 μm as in the above-described Experimental Example 2,
Since no substantial improvement in image characteristics is observed, it is suitable for the present invention that the withstand voltage Vp of the photoconductor is set to 2.6 kV ≦ Vp ≦ 4.0 kV.
【０１０２】（実験例４）実施形態で説明したＲＦ−Ｐ
ＣＶＤ装置において、膜厚、基体温度、ガス種／流量、
成膜容器内圧力等を適宜に変化させ、ＲＦ−ＰＣＶＤ
法、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によりモルファスシリコンを母
体とする電子写真用感光体を実験例１と同様の方法によ
り作製した。光受容部材の外形寸法は、直径が１０８ｍ
ｍ、長さが３５８ｍｍである。また、電荷注入阻止層の
膜厚は３．０μｍとした。これらの感光体について、実
験例１と同様の評価を行った。それらの結果を次の表４
に示す。(Experimental example 4) RF-P explained in the embodiment
In CVD equipment, film thickness, substrate temperature, gas type / flow rate,
RF-PCVD by appropriately changing the pressure inside the film forming vessel
A photoreceptor for electrophotography using morphous silicon as a mother body was produced by the same method as in Experimental Example 1 by the VHF-PCVD method. The external dimensions of the light receiving member are 108 m in diameter.
m, length is 358 mm. The thickness of the charge injection blocking layer was 3.0 μm. The same evaluation as in Experimental Example 1 was performed on these photoconductors. The results are shown in Table 4 below.
Shown in
【０１０３】[0103]
【表４】 [Table 4]
【０１０４】表４からも明らかなように、電荷注入阻止
層の膜厚を厚くすることで、黒ポチの発生が抑えられ
た。画像欠陥については、電荷注入阻止層の膜厚を厚く
しても効果は見られなかった。As is apparent from Table 4, the occurrence of black spots was suppressed by increasing the thickness of the charge injection blocking layer. Regarding image defects, no effect was observed even when the thickness of the charge injection blocking layer was increased.
【０１０５】なお、N/N環境およびH/H環境においては、
表４に示したN/L環境における結果よりも電位低下率、
画像欠陥のレベルは良かった。In the N / N environment and the H / H environment,
Potential drop rate than the result in the N / L environment shown in Table 4,
The level of image defects was good.
【０１０６】（実験例５）実験例１で使用したものと同
じ感光体を、電位設定を600Vから200Vまで変えて実験例
１と同様の耐久を行い、耐久後に直接電圧印加方式によ
る電位低下率の測定を行った。その測定結果を図１４に
示す。図１４に示すように、電位設定を下げることで高
速領域においても電位低下を防止できることが確認でき
る。(Experimental Example 5) The same photoreceptor as used in Experimental Example 1 was subjected to the same durability as in Experimental Example 1 by changing the potential setting from 600 V to 200 V. After the durability, the potential drop rate by the direct voltage application method was performed. Was measured. FIG. 14 shows the measurement results. As shown in FIG. 14, it can be confirmed that lowering the potential setting can prevent the lowering of the potential even in the high-speed region.
【０１０７】感光体の面速度ＰＳ［mm/sec］が３２０mm
/sec未満である場合においては、電位設定を上げても、
画像欠陥が発生せず、良好であった。すなわち、剥離放
電の度合いが、ＰＳが小さいために低く抑えられてお
り、帯電設定を上げても剥離放電による感光体の阻止能
力の低下が低く抑えられるためであると考えられる。さ
らに追試を行い、直接電圧印加方式による電位低下率が
３０％以下となる感光体面速度ＰＳと電位Ｖdの関係を
求めたところ、図１５の関係が得られた。すなわち、電
位の低下の発生する電位設定と、プロセススピードの関
係より、感光体の面速度ＰＳ［mm/sec］が３２０mm/sec
以上であり、感光体暗部電位Ｖd［V］との関係が、 Ｖd≧０ ， Ｖd≦−０．３５×ＰＳ＋５３５ であることが見出される。The surface speed PS [mm / sec] of the photosensitive member is 320 mm
/ sec or less, even if the potential setting is increased,
The image was good without any image defects. That is, it is considered that the degree of the peeling discharge is kept low because the PS is small, and even if the charging setting is increased, the decrease in the blocking ability of the photoconductor due to the peeling discharge is kept low. Further tests were performed to determine the relationship between the photoconductor surface speed PS and the potential Vd at which the potential reduction rate by the direct voltage application method was 30% or less, and the relationship shown in FIG. 15 was obtained. That is, the surface speed PS [mm / sec] of the photosensitive member is 320 mm / sec from the relationship between the potential setting at which the potential drop occurs and the process speed.
As described above, the relationship with the photoconductor dark portion potential Vd [V] is found to be Vd ≧ 0, Vd ≦ −0.35 × PS + 535.
【０１０８】（実験例６）実施形態で説明したＲＦ−Ｐ
ＣＶＤ装置において、膜厚、基体温度、ガス種／流量、
成膜容器内圧力等を適宜に変化させ、ＲＦ−ＰＣＶＤ
法、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によりモルファスシリコンを母
体とする電子写真用感光体を実験例１と同様の方法によ
り作製した。光受容部材の外形寸法は、直径が１０８ｍ
ｍ、長さが３５８ｍｍである。また、電荷注入阻止層の
膜厚は３．０μｍとした。これらの感光体について、実
験例１と同様の評価を行った。但し、耐久評価にあたっ
ては、実験例５で得られた関係式より感光体暗部電位
（Ｖd）を求め、得られた電位設定により耐久を行っ
た。それらの結果を次の表５に示す。(Experimental Example 6) RF-P explained in the embodiment
In CVD equipment, film thickness, substrate temperature, gas type / flow rate,
RF-PCVD by appropriately changing the pressure inside the film forming vessel
A photoreceptor for electrophotography using morphous silicon as a mother body was produced by the same method as in Experimental Example 1 by the VHF-PCVD method. The external dimensions of the light receiving member are 108 m in diameter.
m, length is 358 mm. The thickness of the charge injection blocking layer was 3.0 μm. The same evaluation as in Experimental Example 1 was performed on these photoconductors. However, in the evaluation of durability, the photoreceptor dark portion potential (Vd) was determined from the relational expression obtained in Experimental Example 5, and the durability was determined based on the obtained potential setting. The results are shown in Table 5 below.
【０１０９】[0109]
【表５】 [Table 5]
【０１１０】表５からも明らかなように、感光体の面速
度ＰＳが３２０mm/sec以上においても、感光体暗部電位
Ｖd［V］の設定値を下げることで、画像欠陥の発生が抑
えられた。また、黒ポチについては、感光体の面速度に
応じて感光体暗部電位Ｖd［V］の設定値を下げること
で、表面層の電荷保持能の低下が抑制され、感光体の面
速度が速い領域で黒ポチの改善が見られた。As is apparent from Table 5, even when the surface speed PS of the photosensitive member was 320 mm / sec or more, the occurrence of image defects was suppressed by lowering the set value of the photosensitive member dark portion potential Vd [V]. . For black dots, by lowering the set value of the photoconductor dark portion potential Vd [V] in accordance with the surface speed of the photoconductor, a decrease in the charge holding ability of the surface layer is suppressed, and the surface speed of the photoconductor is increased. Improvement of black spots was observed in the area.
【０１１１】[0111]
【実施例】以下に、本発明に係る感光体および電子写真
装置の実施例につてい具体的に説明する。なお、本発明
はこれらになんら制限されるものではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the photosensitive member and the electrophotographic apparatus according to the present invention will be specifically described below. The present invention is not limited to these.
【０１１２】（実施例１）キヤノン株式会社製の電子写
真装置GP605を改造し、感光体の面速度をＰＳ＝３２０m
m/secにしたものを用いた。実験例１と同様の方法によ
り作製された、帯電極性が「＋」の感光体をその電子写
真装置に装備し、現像剤として極性が「＋」のものを用
い、図６に示したチャートを用い、表１に示した３つの
環境において１００万枚の耐久試験を行った。現像位置
における電位設定は、＋４００[V]である。なお、感光
体の電荷注入阻止層の膜厚は３．０μｍとした。１００
枚の耐久試験後、ベタ白画像／ベタ黒画像／潜像密度５
０％のハーフトン画像の評価、および直接電圧印加方式
による電位測定を行ったが、全て良好であった。(Example 1) An electrophotographic apparatus GP605 manufactured by Canon Inc. was modified, and the surface speed of the photosensitive member was set to PS = 320 m.
m / sec. A photoreceptor having a charge polarity of “+” manufactured by the same method as in Experimental Example 1 was mounted on the electrophotographic apparatus, and a developer having a polarity of “+” was used as a developer. 1 million sheets were subjected to a durability test in the three environments shown in Table 1. The potential setting at the developing position is +400 [V]. The thickness of the charge injection blocking layer of the photosensitive member was 3.0 μm. 100
After the durability test of the sheets, a solid white image / solid black image / latent image density 5
Evaluation of the 0% halfton image and potential measurement by the direct voltage application method were performed, but all were good.
【０１１３】（実施例２）キヤノン株式会社製の電子写
真装置GP605を改造し、感光体の面速度をＰＳ＝４５０m
m/secにしたものを用いた。実験例１と同様の方法によ
り作製された、帯電極性が「＋」の感光体をその電子写
真装置に装備し、現像剤として極性が「＋」のものを用
い、図６に示したチャートを用い、表１に示した３つの
環境において１００万枚の耐久試験を行った。現像位置
における電位設定は、＋３４０[V]である。なお、感光
体の電荷注入阻止層の膜厚は３．０μｍとした．１００
枚の耐久試験後、ベタ白画像／ベタ黒画像／潜像密度５
０％のハーフトン画像の評価、および直接電圧印加方式
による電位測定を行ったが、全て良好であった。(Example 2) An electrophotographic apparatus GP605 manufactured by Canon Inc. was modified so that the surface speed of the photosensitive member was PS = 450 m.
m / sec. A photoreceptor having a charge polarity of “+” manufactured by the same method as in Experimental Example 1 was mounted on the electrophotographic apparatus, and a developer having a polarity of “+” was used as a developer. 1 million sheets were subjected to a durability test in the three environments shown in Table 1. The potential setting at the developing position is +340 [V]. The thickness of the charge injection blocking layer of the photosensitive member was 3.0 μm. 100
After the durability test of the sheets, a solid white image / solid black image / latent image density 5
Evaluation of the 0% halfton image and potential measurement by the direct voltage application method were performed, but all were good.
【０１１４】（実施例３）キヤノン株式会社製の電子写
真装置NP6250を改造し、感光体の面速度をＰＳ＝３４０
mm/secにしたものを用いた。実験例１と同様の方法によ
り作製された、帯電極性が「＋」の感光体をその電子写
真装置に装備し、現像剤として極性が「＋」のものを用
い、図６に示したチャートを用い、表１に示した３つの
環境において１００万枚の耐久試験を行った。現像位置
における電位設定は、＋４００[V]である。なお、感光
体の電荷注入阻止層の膜厚は３．０μｍとした。１００
枚耐久試験後、ベタ白画像／ベタ黒画像／潜像密度５０
％のハーフトン画像の評価、および直接電圧印加方式に
よる電位測定を行ったが、全て良好であった。(Example 3) An electrophotographic apparatus NP6250 manufactured by Canon Inc. was modified so that the surface speed of the photosensitive member was set to PS = 340.
mm / sec. A photoreceptor having a charge polarity of “+” manufactured by the same method as in Experimental Example 1 was mounted on the electrophotographic apparatus, and a developer having a polarity of “+” was used as a developer. 1 million sheets were subjected to a durability test in the three environments shown in Table 1. The potential setting at the developing position is +400 [V]. The thickness of the charge injection blocking layer of the photosensitive member was 3.0 μm. 100
After the sheet durability test, solid white image / solid black image / latent image density 50
% Of the halfton image and the potential measurement by the direct voltage application method were all good.
【０１１５】（実施例４）キヤノン株式会社製の電子写
真装置NP6250を改造し、感光体の面速度をＰＳ＝４５０
mm/secにしたものを用いた。実験例１と同様の方法によ
り作製された、帯電極性が「＋」の感光体をその電子写
真装置に装備し、現像剤として極性が「＋」のものを用
い、図６に示したチャートを用い、表１に示した３つの
環境において１００万枚の耐久試験を行った。現像位置
における電位設定は、＋４００[V]である。なお、感光
体の電荷注入阻止層の膜厚は４．０μｍとした。１００
枚の耐久試験後、ベタ白画像／ベタ黒画像／潜像密度５
０％のハーフトン画像の評価、および直接電圧印加方式
による電位測定を行ったが、全て良好であった。Example 4 An electrophotographic apparatus NP6250 manufactured by Canon Inc. was modified so that the surface speed of the photoreceptor was PS = 450.
mm / sec. A photoreceptor having a charge polarity of “+” manufactured by the same method as in Experimental Example 1 was mounted on the electrophotographic apparatus, and a developer having a polarity of “+” was used as a developer. 1 million sheets were subjected to a durability test in the three environments shown in Table 1. The potential setting at the developing position is +400 [V]. The thickness of the charge injection blocking layer of the photosensitive member was 4.0 μm. 100
After the durability test of the sheets, a solid white image / solid black image / latent image density 5
Evaluation of the 0% halfton image and potential measurement by the direct voltage application method were performed, but all were good.
【０１１６】（実施例５）キヤノン株式会社製の電子写
真装置GP605を改造し、感光体の面速度をＰＳ＝３４０m
m/secにしたものを用いた。帯電極性が「＋」の感光体
をその電子写真装置に装備し、現像剤として極性が
「＋」のものを用い、図６に示したチャートを用い、表
１に示した３つの環境において１００万枚の耐久試験を
行った。現像位置における電位設定は、−４５０[V]で
ある。なお、感光体の作製は、実施形態で説明したＶＨ
Ｆ−ＰＣＶＤ方法を用いて作製し、感光体の電荷注入阻
止層の膜厚は３．０μｍとした。１００枚の耐久試験
後、ベタ白画像／ベタ黒画像／潜像密度５０％のハーフ
トン画像の評価、および直接電圧印加方式による電位測
定を行ったが、全て良好であった。(Example 5) An electrophotographic apparatus GP605 manufactured by Canon Inc. was modified so that the surface speed of the photosensitive member was set to PS = 340 m.
m / sec. A photoreceptor having a charging polarity of "+" is provided in the electrophotographic apparatus, a developer having a polarity of "+" is used, and a chart shown in FIG. A durability test of 10,000 sheets was performed. The potential setting at the developing position is -450 [V]. Note that the photoconductor is manufactured by using the VH described in the embodiment.
The charge injection blocking layer of the photosensitive member was formed to have a thickness of 3.0 μm by using the F-PCVD method. After the durability test of 100 sheets, evaluation of a solid white image / solid black image / halftone image with a latent image density of 50% and potential measurement by a direct voltage application method were all good.
【０１１７】[0117]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
転現像方式を用いて現像剤により画像形成を行い、ま
た、表面の移動速度が３２０mm/secとなるように駆動さ
れる感光体に当接して、感光体上に残留した現像剤をク
リーニングする手段を有した電子写真装置において、感
光体の電荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６μｍ以下で
あることにより、クリーニング手段で感光体から現像剤
トナーを引き剥がす際に、剥離放電による感光体の表面
保護層へのダメージによって、感光体の各層にかかる分
圧の変化が生じた場合でも、電荷注入阻止層の絶縁破壊
による画像欠陥が低減し、画像欠陥のない鮮明な画像を
長期間にわたって得ることが可能になるという効果があ
る。さらに、電子写真装置の複写速度の高速化に付随す
る問題点、具体的には電荷注入阻止層の絶縁破壊等の問
題点が解決され、複写速度の高速化が容易になる。As described above, according to the present invention, an image is formed by a developer using a reversal developing method, and a photosensitive member driven to have a surface moving speed of 320 mm / sec. In an electrophotographic apparatus having a means for cleaning the developer remaining on the photoconductor in contact with the photoconductor, the charge injection blocking layer of the photoconductor has a thickness of 3 μm or more and 6 μm or less. When peeling off the developer toner, even if the partial pressure applied to each layer of the photoreceptor changes due to damage to the surface protection layer of the photoreceptor due to peeling discharge, image defects due to dielectric breakdown of the charge injection blocking layer may occur. There is an effect that it is possible to obtain a clear image free of image defects over a long period of time. Further, the problems associated with the increase in the copying speed of the electrophotographic apparatus, specifically, the problems such as dielectric breakdown of the charge injection blocking layer are solved, and the copying speed can be easily increased.
【図１】本発明の一実施形態の電子写真装置で用いられ
る光受容部材の層構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a layer configuration of a light receiving member used in an electrophotographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するた
めの装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電
法によって電子写真用光受容部材を製造する装置を模式
的に示す構成図である。FIG. 2 is an example of an apparatus for forming a light receiving layer of a light receiving member for electrophotography, schematically showing an apparatus for manufacturing a light receiving member for electrophotography by a glow discharge method using a high frequency in an RF band. It is a block diagram.
【図３】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するた
めの装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放
電法によって電子写真用光受容部材を製造する装置の一
部を模式的に示す構成図である。FIG. 3 is an example of an apparatus for forming a light receiving layer of a light receiving member for electrophotography, schematically showing a part of an apparatus for manufacturing a light receiving member for electrophotography by a glow discharge method using a VHF band high frequency. FIG.
【図４】電子写真装置の一例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of an electrophotographic apparatus.
【図５】反転現像方式を用いた電子写真装置における現
像工程での感光体の電位レベルと、感光体と現像器の間
に加えられる現像バイアスレベルとの関係を示す模式図
である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a relationship between a potential level of a photoconductor in a developing step and a developing bias level applied between the photoconductor and a developing device in an electrophotographic apparatus using a reversal developing method.
【図６】耐久チャートの一例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of an endurance chart.
【図７】直接電圧印加方式の感光体帯電特性の測定装置
を示す概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing a photoconductor charging characteristic measuring apparatus using a direct voltage application method.
【図８】直接電圧印加方式の感光体帯電特性の測定装置
における測定シーケンスの概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram of a measurement sequence in a direct voltage application type photoconductor charging characteristic measuring apparatus.
【図９】直接電圧印加方式の感光体帯電特性の測定装置
における測定回路図の一例を示す概要図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing an example of a measurement circuit diagram in a direct voltage application type photoconductor charging characteristic measuring apparatus.
【図１０】直接電圧印加方式の感光体帯電特性の測定結
果の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a measurement result of a charging characteristic of a photoconductor of a direct voltage application method.
【図１１】実験例２における電荷注入阻止層の膜厚、お
よび評価結果を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a film thickness of a charge injection blocking layer and an evaluation result in Experimental Example 2.
【図１２】実験例３で用いられる測定装置を示す図であ
る。FIG. 12 is a diagram showing a measuring device used in Experimental Example 3.
【図１３】実験例３の測定結果を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing measurement results of Experimental Example 3.
【図１４】本発明にかかわる感光体面速度と耐久後の電
位低下率の関係を示した図である。FIG. 14 is a diagram showing a relationship between a photosensitive member surface speed and a potential reduction rate after durability according to the present invention.
【図１５】本発明にかかわる感光体電位設定値と耐久後
の電位低下率の関係を示した図である。FIG. 15 is a diagram showing a relationship between a photoconductor potential setting value and a potential reduction rate after durability according to the present invention.
１ 導電性支持体 ２，１２ 光受容層 ３，１３ 光導電層 ４ 表面保護層 ５ 電荷注入阻止層 ６ 電荷発生層 ７ 電荷輸送層 １０ 自由表面 ２１，２２ 光受容部材 ６１ ベタ黒画像部 ６２ ベタ白画像部 ４００ 感光体 ４０１ 基体 ４０２ 表面 ４０３ 針 ５０１ 感光体 ５０２ 主帯電器 ５０３ 静電潜像形成部位 ５０４ 現像器 ５０５ 転写紙供給系 ５０６ａ 転写帯電器 ５０６ｂ 分離帯電器 ５０７ クリーニング装置 ５０８ 搬送系 ５０９ 前露光光源 ５１０ クリーニングブレード ５１１ クリーニングローラー ２１００，３１００ 堆積装置 ２１１１，３１１１ 反応容器 ２１１２，３１１２ 円筒状支持体 ２１１３，３１１３ 加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５，３１１６ マッチングボックス ２１１６ 原料ガス配管 ２１１７ リークバルブ ２１１８ メインバルブ ２１１９ 真空計 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ ボンベバルブ ２２４１〜２２４６ 流入バルブ ２２５１〜２２５６ 流出バルブ ２２６０ 補助バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３１１５ 電極 ３１２０ 駆動装置 ３１２０ａ モーター ３１２０ｂ，３１２０ｃ ギア ３１２１ 排気管 ３１３０ 放電空間 REFERENCE SIGNS LIST 1 conductive support 2, 12 light receiving layer 3, 13 photoconductive layer 4 surface protective layer 5 charge injection blocking layer 6 charge generating layer 7 charge transport layer 10 free surface 21, 22 light receiving member 61 solid black image area 62 solid White image portion 400 Photoconductor 401 Base 402 Surface 403 Needle 501 Photoconductor 502 Main charger 503 Electrostatic latent image forming portion 504 Developing device 505 Transfer paper supply system 506a Transfer charger 506b Separator charger 507 Cleaning device 508 Transport system 509 Before Exposure light source 510 Cleaning blade 511 Cleaning roller 2100, 3100 Deposition device 2111, 3111 Reaction vessel 2112, 3112 Cylindrical support 2113, 3113 Heating heater 2114 Source gas inlet tube 2115, 3116 Matching box 2116 Source gas pipe 2117 Valve 2118 Main valve 2119 Vacuum gauge 2200 Source gas supply device 2211 to 2216 Mass flow controller 2221 to 2226 Source gas cylinder 2231 to 2236 Cylinder valve 2224 to 2246 Inflow valve 2251 to 2256 Outflow valve 2260 Auxiliary valve 2261 to 2266 Pressure regulator 3115 Electrode 3120 Drive Device 3120a Motor 3120b, 3120c Gear 3121 Exhaust pipe 3130 Discharge space
フロントページの続き (72)発明者 唐木 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 松岡 秀彰 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 櫃石 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H027 EA01 ED02 ED03 EE07 EF09 2H068 CA03 DA12 DA37 DA51 2H200 FA18 FA19 GA13 GA18 GA23 GA28 GA59 HA12 HA28 HA29 HB03 HB41 NA09 PA05 Continuation of the front page (72) Inventor Tetsuya Karaki 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Hideaki Matsuoka 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Koji Hitsuishi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term within Canon Inc. (reference) 2H027 EA01 ED02 ED03 EE07 EF09 2H068 CA03 DA12 DA37 DA51 2H200 FA18 FA19 GA13 GA18 GA23 GA28 GA59 HA12 HA28 HA29 HB03 HB41 NA09 PA05
Claims (5)
表面に積層されて、前記基体から一定の極性の電荷が注
入されることを阻止する電荷注入阻止層、該電荷注入阻
止層上に積層された、光導電性を有する光導電層、およ
び該光導電層上に積層された表面保護層を有する、アモ
ルファスシリコンを母体とした感光体と、 前記感光体における前記表面保護層側の表面の移動速度
が３２０mm/sec以上となるように前記感光体を駆動する
駆動手段と、 前記駆動手段により駆動される前記感光体を均一に帯電
させる帯電手段と、 前記帯電手段により帯電した前記感光体に対して露光を
行うことにより前記感光体に露光潜像を書き込む潜像形
成手段と、 前記潜像形成手段により前記露光潜像が書き込まれた前
記感光体を、反転現像方式を用いて現像剤により現像す
る現像手段と、 前記現像手段により現像された前記感光体上の画像を被
転写材に転写する画像転写手段と、 前記画像転写手段による前記被転写材への画像の転写後
に前記感光体上に残留した現像剤を前記感光体から除去
するように前記感光体に当接するクリーニング手段とを
有する電子写真装置において、 前記感光体の電荷注入阻止層の膜厚が３μｍ以上６μｍ
以下であることを特徴とする電子写真装置。1. A charge injection blocking layer having at least a surface layer laminated on a surface of a substrate having conductivity and preventing injection of a charge of a predetermined polarity from the substrate, and being laminated on the charge injection blocking layer. An amorphous silicon-based photoconductor having a photoconductive layer having photoconductivity, and a surface protection layer laminated on the photoconductive layer; and movement of the surface of the photoconductor on the surface protection layer side. A driving unit that drives the photoconductor so that the speed is 320 mm / sec or more; a charging unit that uniformly charges the photoconductor driven by the driving unit; and a charging unit that is charged by the charging unit. Latent image forming means for writing an exposure latent image on the photoreceptor by performing exposure to light, and a photoreceptor on which the exposure latent image has been written by the latent image forming means, Developing means for further developing the image, image transfer means for transferring an image on the photoconductor developed by the developing means to a material to be transferred, and the photoconductor after the image is transferred to the material by the image transfer means An electrophotographic apparatus having cleaning means for contacting the photoreceptor so as to remove the developer remaining on the photoreceptor, wherein the thickness of the charge injection blocking layer of the photoreceptor is 3 μm or more and 6 μm or less.
An electrophotographic apparatus characterized by the following.
像時の前記感光体の表面における暗部の電位の絶対値
を、前記感光体における表面の移動速度の増大に応じて
減少させるように前記感光体を帯電させるものである請
求項１に記載の電子写真装置。2. The photoconductor according to claim 1, wherein the charging unit reduces an absolute value of a potential of a dark portion on the surface of the photoconductor at the time of development by the developing unit in accordance with an increase in a moving speed of the surface of the photoconductor. The electrophotographic apparatus according to claim 1, which charges a body.
表面の移動速度をＰＳ［mm/sec］とし、前記現像手段に
よる現像時の前記感光体の表面における暗部の電位をＶ
d［V］とすると、前記速度ＰＳ［mm/sec］と前記暗部の
電位Ｖd［V］との関係が、Ｖd≧０の範囲において、 Ｖd≦−０．３５×ＰＳ＋５３５ を満たしている請求項１または２に記載の電子写真装
置。3. The moving speed of the surface of the photoconductor on the side of the surface protective layer is PS [mm / sec], and the potential of a dark portion on the surface of the photoconductor at the time of development by the developing means is V.
The relationship between the speed PS [mm / sec] and the potential Vd [V] of the dark portion satisfies Vd ≦ −0.35 × PS + 535 in the range of Vd ≧ 0, where d [V]. 3. The electrophotographic apparatus according to 1 or 2.
加したときに前記感光体の絶縁性の破壊が開始する電圧
値を絶縁破壊開始電圧Ｖpとすると、 ２．６ｋＶ≦ Ｖp ≦４．０ｋＶ の関係を満たしている請求項１〜３のいずれか１項に記
載の電子写真装置。4. A voltage value at which a dielectric breakdown of the photoconductor starts when a DC voltage is applied to a surface protective layer of the photoconductor is defined as a breakdown start voltage Vp. 2.6 kV ≦ Vp ≦ 4. The electrophotographic apparatus according to any one of claims 1 to 3, which satisfies a relationship of 0 kV.
ファスカーボンである請求項１〜４のいずれか１項に記
載の電子写真装置。5. The electrophotographic apparatus according to claim 1, wherein the material of the surface protective layer of the photoreceptor is amorphous carbon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092902A JP2002287391A (en) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | Electrophotographic device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007078002A1 (en) | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Developing agent and method for image formation |
| JPWO2009028448A1 (en) * | 2007-08-29 | 2010-12-02 | 京セラ株式会社 | Electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus provided with the electrophotographic photosensitive member |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092902A patent/JP2002287391A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007078002A1 (en) | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Developing agent and method for image formation |
| JPWO2009028448A1 (en) * | 2007-08-29 | 2010-12-02 | 京セラ株式会社 | Electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus provided with the electrophotographic photosensitive member |
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