JP3535664B2 - Electrophotographic equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は円筒状感光体を用い
これを回転させて帯電・露光・現像・転写・クリーニン
グを連続して行う電子写真装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic apparatus which uses a cylindrical photosensitive member and rotates it to continuously perform charging, exposure, development, transfer and cleaning.

【０００２】より詳しくはクリーニングブレードの自由
長と厚さを規定し、新規な感光体を用いることで全環境
下での良好な画質と、安定したクリーニング性を可能に
する高品質電子写真装置に関する。More specifically, the present invention relates to a high quality electrophotographic apparatus which defines a free length and a thickness of a cleaning blade, and by using a novel photoconductor, enables a good image quality in all environments and a stable cleaning property. .

【０００３】[0003]

【従来の技術】従来、電子写真法としては、米国特許第
２２９７６９２号明細書、特公昭４２−２３９１０号公
報及び特公昭４３−２４７４８号公報に記載されている
如く、多数の方法が知られている。一般には光導電性物
質を利用し、種々の手段により感光体上に電気的潜像を
形成し、ついで該潜像をトナー（現像剤）を用いて現像
し、必要に応じて紙等の転写材にトナー画像を転写した
後、加熱、圧力、加熱加圧あるいは溶剤蒸気などにより
定着し複写物を得るものである。この上記工程におい
て、転写材へトナー画像を転写した後でも感光体上に
は、未転写のトナーが残るため、これまではクリーニン
グ工程により該未転写トナーを回収し、いわゆる廃トナ
ーとして系外に排出していた。2. Description of the Related Art Conventionally, a large number of electrophotographic methods are known, as described in US Pat. No. 2,297,692, Japanese Patent Publication No. 42-23910 and Japanese Patent Publication No. 43-24748. There is. Generally, a photoconductive substance is used to form an electrical latent image on a photoconductor by various means, and then the latent image is developed with a toner (developer), and if necessary, transferred to paper or the like. After the toner image is transferred onto the material, it is fixed by heating, pressure, heating and pressurizing, solvent vapor or the like to obtain a copy. In this step, since the untransferred toner remains on the photoconductor even after the toner image is transferred to the transfer material, the untransferred toner is collected by the cleaning step so far, and is taken out of the system as so-called waste toner. Had been discharged.

【０００４】近年の情報処理量の増大にともない、コピ
ーボリュームの大きな複写機やレーザービームプリンタ
ー等の電子写真装置（すなわち大型の高速機）の需要が
さらに大きくなりつつある。With the increase in the amount of information processing in recent years, the demand for electrophotographic apparatuses (that is, large-sized high-speed machines) such as copying machines and laser beam printers having a large copy volume is increasing.

【０００５】電子写真において、感光体における感光層
を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光
電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること等の特性が
要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される
画像形成装置内に組み込まれる電子写真用感光体の場合
には、上記の使用時における無公害性は重要な点であ
る。このような点に優れた性質を示す光導電材料に水素
化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表
記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９号公
報には電子写真用感光体としての応用が記載されてい
る。In electrophotography, a photoconductive material for forming a photosensitive layer of a photoconductor has high sensitivity and a high SN ratio [photocurrent (Ip) / dark current (Id)], and has a spectral characteristic of an electromagnetic wave to be irradiated. Having a suitable absorption spectrum, having a fast photoresponsiveness, and having a desired dark resistance value,
Characteristics such as being harmless to the human body when used are required. In particular, in the case of an electrophotographic photoreceptor incorporated in an image forming apparatus used in an office as an office machine, the pollution-free property at the time of use is an important point. Hydrogenated amorphous silicon (hereinafter referred to as "a-Si: H") is a photoconductive material exhibiting excellent properties in this respect. For example, Japanese Patent Publication No. 60-35059 discloses a photosensitive material for electrophotography. Body applications are described.

【０００６】ａ−Ｓｉ：Ｈを用いた電子写真用感光体
は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加
熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電
層を形成する。中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原
料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放
電によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成す
る方法が好適なものとして実用に付されている。An electrophotographic photosensitive member using a-Si: H is generally prepared by heating a conductive support at 50 ° C. to 400 ° C., and subjecting the support to a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion method. A photoconductive layer made of a-Si is formed by a film forming method such as a plating method, a thermal CVD method, a photo CVD method or a plasma CVD method. Among them, the plasma CVD method, that is, the method of decomposing the raw material gas by direct current or high frequency or microwave glow discharge to form the a-Si deposited film on the support is put to practical use as a suitable one.

【０００７】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特
性を得ることができるとしている。Further, in JP-A-54-83746, a conductive support and a-Si containing a halogen atom as a constituent element (hereinafter referred to as "a-Si: X").
Electrophotographic photoreceptors comprising a photoconductive layer have been proposed.
In this publication, by containing 1 to 40 atom% of halogen atoms in a-Si, heat resistance is high, and good electrical and optical characteristics can be obtained as a photoconductive layer of an electrophotographic photoreceptor. I am trying.

【０００８】また、特開昭５７−１１５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時安定性について改善を図るため、シリコン原子
を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上
に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモ
ルファス材料で構成された表面層を設ける技術が記載さ
れている。Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-11556, a photoconductive member having a photoconductive layer formed of an a-Si deposited film is electrically and darkly applied, such as dark resistance, photosensitivity and photoresponsiveness. In order to improve the use environment characteristics such as optical and photoconductive characteristics and moisture resistance, and further the stability over time, silicon atoms and carbon atoms are formed on the photoconductive layer composed of an amorphous material with silicon atoms as a base material. A technique for providing a surface layer composed of a non-photoconductive amorphous material containing is described.

【０００９】さらに、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。Further, Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-67951 discloses a technique for a photoconductor in which a translucent insulating overcoat layer containing amorphous silicon, carbon, oxygen and fluorine is laminated. 62-168161
The publication describes a technique of using, as the surface layer, an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and 41 to 70 atomic% hydrogen atoms as constituent elements.

【００１０】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの
吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導
電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感
光体が得られることが記載されている。Furthermore, in JP-A-57-158650, hydrogen containing 10 to 40 atomic%, 0.2 absorption coefficient ratio of the absorption peak of 2100 cm ^-1 and 2000 cm ^-1 in the infrared absorption spectrum It is described that by using a-Si: H of 1.7 in the photoconductive layer, an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity and high resistance can be obtained.

【００１１】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像及び転写といった画像形成工程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。On the other hand, in JP-A-60-95551, in order to improve the image quality of an amorphous silicon photoconductor, charging, exposure, development and transfer are performed while maintaining the temperature near the photoconductor surface at 30 to 40 ° C. By performing such an image forming process, there is disclosed a technique for preventing a decrease in surface resistance due to the adsorption of water on the surface of the photoconductor and a resulting image deletion.

【００１２】これらの技術により、電子写真用感光体の
電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上
し、それに伴って画像品質も向上してきた。These techniques have improved the electrical, optical and photoconductive characteristics of the electrophotographic photoconductor and the use environment characteristics, and the image quality has been improved accordingly.

【００１３】一方、高速に対応した電子写真特性の向上
と、より精彩な画質を要求される昨今においては、感光
体特性の改善と共に、トナーの小粒径化が進められてお
り、コールターカウンター等による重量平均粒径が０．
００５〜０．００８ｍｍであるものが多く使われてい
る。On the other hand, in recent years, when electrophotographic characteristics corresponding to high speed and improved image quality are required, the toner characteristics are improved and the toner particle size is reduced. Has a weight average particle size of 0.
The one having a diameter of 005 to 0.008 mm is often used.

【００１４】転写材にトナー画像を定着させる能力は、
定着器内で転写材のトナー画像にいかに加熱するかに掛
かっており、高速化に当たって、転写材が定着器内を通
過する時間が短くなると、定着器の温度をさらに上昇さ
せる必要が生じ、電子写真装置全体の消費電力の約８割
を占める定着器の消費電力をさらに増加させざるを得な
い。The ability to fix a toner image on a transfer material is
It depends on how the toner image on the transfer material is heated in the fixing device, and when the transfer material passes through the fixing device for a short time, the temperature of the fixing device needs to be further raised. There is no choice but to further increase the power consumption of the fixing device, which accounts for about 80% of the power consumption of the entire photographic apparatus.

【００１５】しかし、市場ニーズとしての消費電力低減
は重要な課題であり、これを解決すべくトナー自体の定
着性向上が進められている。ところが、定着性を向上さ
せるとトナーが感光体表面に融着を起こしやすくなる。
また、粒径が小さいことも、融着に対してはさらに不利
な方向である。However, reducing the power consumption as a market need is an important issue, and the fixing property of the toner itself is being improved to solve this problem. However, when the fixing property is improved, the toner is likely to be fused to the surface of the photoconductor.
In addition, the small particle size is also a disadvantage to fusion.

【００１６】そのため、感光体にトナーが付着しにくく
したり、付着したトナーを削りとる能力を高めるために
ブレード硬度を高めるなどの対策が必要であるが、ブレ
ードの硬度を高めることは、ブレードの特性としてはゴ
ム的状態からガラス状態に近づく為、材質としては脆く
なる方向である。Therefore, it is necessary to take measures such as making the toner less likely to adhere to the photosensitive member and increasing the blade hardness in order to enhance the ability to scrape the adhered toner. As a characteristic, since it approaches a glass state from a rubber state, the material tends to be brittle.

【００１７】ａ−Ｓｉ感光体は、表面硬度が高く、繰り
返し使用により感光体表面が削れる等の画像品質低下を
引き起こすことはないが、ａ−Ｓｉ感光体の表面にはそ
の製法上、通常多数の突起を有している。突起の高さは
概ね２〜３μｍのものがほとんどであるが、稀に１０μ
ｍを越えるものもあり、そのような突起はブレードにダ
メージを与えることがある。特に上記のような硬度を高
めたブレードは脆いため、プロセススピードが４００ｍ
ｍ／ｓｅｃ以上でダメージを受けると欠けが生じ、クリ
ーニング性能を維持できなくなることがあった。The a-Si photoconductor has a high surface hardness and does not cause deterioration of image quality such as abrasion of the photoconductor surface by repeated use. However, the surface of the a-Si photoconductor is usually large in number due to its manufacturing method. It has a protrusion. Most of the protrusions have a height of 2-3 μm, but rarely 10 μm.
Some are larger than m, and such protrusions can damage the blade. In particular, the blades with increased hardness as described above are brittle, so the process speed is 400 m.
When damaged at m / sec or more, chipping may occur and cleaning performance may not be maintained.

【００１８】従って、クリーニング性能を維持する唯一
の手段は、突起の高さを５〜６μｍ以下に制限する事で
あったが、製造工程においてダスト管理や成膜プロセス
中に発生する微粉等の管理を徹底し、かつできあがった
感光体の表面を検査して、突起の高さを確認するといっ
た配慮が必要であり、ドラム製造工程における歩留まり
の低減とコストの増大を招いていた。Therefore, the only means for maintaining the cleaning performance was to limit the height of the protrusions to 5 to 6 μm or less. However, in the manufacturing process, dust control and control of fine powder and the like generated during the film forming process are performed. In addition, it is necessary to check the height of the protrusions by thoroughly inspecting the surface of the completed photoreceptor and reducing the yield and increasing the cost in the drum manufacturing process.

【００１９】一方、クリーニング性を向上する為に、特
開昭５４−１４３１４９に記載されている様な溝付きブ
レードや、特開昭５７−１２４７７７に記載されている
様な突起付きブレード等が考案されているが、プロセス
スピードが４００ｍｍ／ｓｅｃ以上で、定着性の向上し
た微粒子トナーとａ−Ｓｉ感光体からなる電子写真装置
に好適なクリーニングシステムについては解決手段が示
されていない。On the other hand, in order to improve the cleaning property, a blade with a groove as described in JP-A-54-143149 and a blade with a protrusion as described in JP-A-57-124777 are devised. However, no solution has been disclosed for a cleaning system suitable for an electrophotographic apparatus having a process speed of 400 mm / sec or more and comprising fine particle toner having an improved fixing property and an a-Si photoconductor.

【００２０】こうした状況から、高画質対応の高速電子
写真装置に好適なクリーニングシステムが求められてい
る。Under such circumstances, there is a demand for a cleaning system suitable for a high-speed electrophotographic apparatus capable of high image quality.

【００２１】図１は複写機の画像形成プロセスの一例を
示す概略図であって、矢印Ｘ方向に回転する、面状内面
ヒータ１２３によって温度コントロールされた、感光体
１０１の周辺には、主帯電器１０２、静電潜像形成部位
１０３、現像器１０４、転写紙供給系１０５、転写帯電
器１０６（ａ）、分離帯電器１０６（ｂ）、クリーナー
１０７、搬送系１０８、除電光源１０９などが配設され
ている。FIG. 1 is a schematic view showing an example of an image forming process of a copying machine, in which the main charging is performed around the photosensitive member 101, which is rotated in the direction of arrow X and whose temperature is controlled by the planar inner surface heater 123. The device 102, the electrostatic latent image forming portion 103, the developing device 104, the transfer paper supply system 105, the transfer charger 106 (a), the separation charger 106 (b), the cleaner 107, the transport system 108, the static elimination light source 109 and the like are arranged. It is set up.

【００２２】以下、さらに具体例を以て画像形成プロセ
スを説明すると、感光体１０１は＋６〜８ｋＶの高電圧
を印加した主帯電器１０２により一様に帯電され、これ
に静電潜像形成部位、すなわちランプ１１０から発した
光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原稿１１２に反射
し、ミラー１１３、１１４、１１５を経由し、レンズユ
ニット１１７のレンズ１１８によって結像され、ミラー
１１６を経由し、導かれ投影された静電潜像が形成され
る。この潜像に現像器１０４からトナーが供給されてト
ナー像となる。The image forming process will be described below with reference to a specific example. The photosensitive member 101 is uniformly charged by the main charger 102 to which a high voltage of +6 to 8 kV is applied, and the electrostatic latent image forming portion, that is, the electrostatic latent image forming portion, The light emitted from the lamp 110 is reflected on the original 112 placed on the original table glass 111, passes through the mirrors 113, 114 and 115, is imaged by the lens 118 of the lens unit 117, passes through the mirror 116, and is guided. The projected electrostatic latent image is formed. Toner is supplied to the latent image from the developing device 104 to form a toner image.

【００２３】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラ１２２によって先端タイミングを調整され、
感光体方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電
圧を印加した転写帯電器１０６（ａ）と感光体１０１の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の電界を与
えられ、これによって感光体表面のトナー像は転写材Ｐ
に転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００〜６００Ｈ
ｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器１０６（ｂ）に
より、転写材Ｐは転写紙搬送系１０８を通って定着装置
（不図示）に至り、トナー像は定着されて装置外に排出
される。On the other hand, the leading edge timing is adjusted by the registration roller 122 through the transfer paper supply system 105,
The transfer material P supplied in the direction of the photosensitive member is given an electric field having a polarity opposite to that of the toner from the back surface in the gap between the transfer charger 106 (a) to which a high voltage of +7 to 8 kV is applied and the photosensitive member 101, and thereby The toner image on the surface of the photoconductor is the transfer material P.
Transfer to. 12-14kVp-p, 300-600H
The transfer material P reaches the fixing device (not shown) through the transfer paper conveying system 108 by the separation charger 106 (b) to which a high AC voltage of z is applied, and the toner image is fixed and discharged to the outside of the device. .

【００２４】感光体１０１上に残留するトナーはクリー
ナーユニット１０７のクリーニングブレード１２１によ
ってかき落とされ、残留する静電潜像は除電光源１０９
によって消去される。The toner remaining on the photosensitive member 101 is scraped off by the cleaning blade 121 of the cleaner unit 107, and the remaining electrostatic latent image is removed by the discharging light source 109.
Erased by.

【００２５】[0025]

【発明が解決しようとする課題】前述の様に、高速で、
より高画質が要求される中で、トナーの定着性向上、小
粒径化が進められてきたが、プロセススピードが４００
ｍｍ／ｓｅｃ以上でも良好な特性を示す新規なａ−Ｓｉ
感光体に好適なクリーニングシステムを成立させるに
は、融着とクリーニング性維持の観点から、硬度の高い
ブレードを用いて、コスト高であっても表面の突起の高
さを制限したａ−Ｓｉ感光体を用いるしかなかった。As mentioned above, at high speed,
With the demand for higher image quality, improvements in toner fixability and reduction in particle size have been pursued, but the process speed is 400
Novel a-Si showing good characteristics even at mm / sec or more
In order to establish a suitable cleaning system for a photoreceptor, a blade having high hardness is used from the viewpoint of fusing and maintenance of the cleaning property, and the height of the protrusions on the surface is limited even if the cost is high. I had no choice but to use my body.

【００２６】本発明は、高画質対応の高速電子写真装置
に好適なクリーニングシステムによって、定着性の向上
した微粒子トナーと新規な感光体からなる高画質対応の
高速電子写真装置を用いた場合であっても、ドラム表面
へのトナー融着を発生させることなくクリーニング性能
を維持し、感光体の製造コストを増大させることのない
電子写真装置を提供することを目的とするものである。The present invention is a case of using a high-quality electrophotographic device composed of fine particle toner having improved fixability and a novel photoconductor by a cleaning system suitable for the high-speed electrophotographic device compatible with high image quality. Even so, it is an object of the present invention to provide an electrophotographic apparatus that maintains the cleaning performance without causing toner fusion on the drum surface and does not increase the manufacturing cost of the photoconductor.

【００２７】即ち、本発明によれば、高画質対応の高速
電子写真装置の系においても融着発生のない高品質な画
像が得られ、また、高速機にもかかわらず、消費電力を
抑えて、省エネルギー問題を解決する事ができる。That is, according to the present invention, it is possible to obtain a high-quality image free from fusion in a high-speed electrophotographic apparatus system capable of high image quality. It can solve the energy saving problem.

【００２８】[0028]

【課題を解決するための手段】 本発明は、円筒状感光
体、該感光体が回転する間に該感光体の表面を帯電させ
る帯電器、帯電した感光体表面を露光して静電潜像を形
成する手段、静電潜像にトナーを供給し現像してトナー
像を形成する手段、トナー像を転写する手段、およびト
ナー像を転写した後に感光体上に残留するトナーをブレ
ードによってクリーニングするクリーニング機構を有す
る電子写真装置において、前記感光体が、導電性支持体
と、シリコン原子を母体として水素原子および／または
ハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電性
を示す光導電層を有する感光層で構成され、該光導電層
が、少なくとも光の入射する部分において、サブバンド
ギャップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特
性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ伝導帯端下０．
４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態密度が１×１０¹⁴
〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であり、前記感光体の表面の突起
が、感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１５ｍｍ
を越える突起の個数が１個以下であって、前記トナーの
平均粒径が０．００５〜０．００８ｍｍであり、前記ブ
レードが、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．０ （３）１．５ ≦ Ｄ ≦ ３ （４）４００ ≦ Ｐ ≦ １０００ （但し、Ｌはブレードの自由長（ｍｍ）、Ｄはブレード
の厚さ（ｍｍ）、Ｐはブレードの押しつけ総圧力（ｇ）
を示す。）を満足するものであることを特徴とする電子
写真装置に関する。Means for Solving the Problems The present invention relates to a cylindrical photosensitive member, a charger that charges the surface of the photosensitive member while the photosensitive member rotates, and an electrostatic latent image by exposing the charged surface of the photosensitive member. Forming means, means for supplying toner to the electrostatic latent image to develop the latent image to form a toner image, means for transferring the toner image, and toner remaining on the photoconductor after the toner image is transferred is cleaned by a blade. In an electrophotographic apparatus having a cleaning mechanism, the photoconductor comprises a conductive support and a photoconductive layer having a photoconductive property and made of a non-single-crystal material containing silicon atoms as a base material and containing hydrogen atoms and / or halogen atoms. And a photoconductive layer having a characteristic energy of an exponential tail obtained from a sub-bandgap optical absorption spectrum of 50 at least in a portion where light is incident. ~ 60 meV, and below the conduction band edge of 0.
The localized density of states at 45 to 0.95 eV is 1 × 10 ¹⁴
˜1 × 10 ¹⁶ cm ⁻³ , and the protrusion on the surface of the photoconductor is 0.015 mm in height per 100 cm ^{2 of} the photoconductor surface.
The number of protrusions exceeding 1 is less than 1, the average particle diameter of the toner is 0.005 to 0.008 mm, and the blade has (1) JIS hardness of 68 degrees or more and 76 degrees or less (2) 0. 2 ≤ L / D ≤ 1.0 (3) 1.5 ≤ D ≤ 3 (4) 400 ≤ P ≤ 1000 (where L is the free length of the blade (mm), D is the thickness of the blade (mm), and P is the total pressing force of the blade. Pressure (g)
Indicates. ) Is satisfied, the present invention relates to an electrophotographic apparatus.

【００２９】[0029]

【発明の実施の形態】以下に図面を参照しながら、本発
明に用いられるクリーニング機構およびブレードについ
て説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A cleaning mechanism and a blade used in the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００３０】図４は本発明にかかわるクリーナーの一例
を示す概略図であって、矢印Ｘ方向に回転する感光体４
０１の周辺には、本発明の特徴であるブレード４０２、
背板４０３、ブレード押さえ板４０４、支持台４０５な
どが配設されている。FIG. 4 is a schematic view showing an example of the cleaner according to the present invention, in which the photosensitive member 4 rotating in the arrow X direction is shown.
Around the area 01, the blade 402, which is a feature of the present invention,
A back plate 403, a blade pressing plate 404, a support base 405 and the like are arranged.

【００３１】ブレード４０２は、ＪＩＳ硬度は通常６８
度以上７６度以下の材質で板状の形態を有しており、背
板４０３およびブレード押さえ板４０４によって挟み込
まれた状態で支持台４０５に固定されている。ＪＩＳ硬
度は、７０度以上７５度以下であることがさらに好まし
い。ブレードの材質は通常ウレタン等のゴムである。The blade 402 normally has a JIS hardness of 68.
It has a plate-like shape with a material of not less than 76 degrees and not more than 76 degrees, and is fixed to the support base 405 while being sandwiched by the back plate 403 and the blade pressing plate 404. The JIS hardness is more preferably 70 degrees or more and 75 degrees or less. The blade is usually made of rubber such as urethane.

【００３２】Ｄはブレードの厚さで、０．５ ≦ Ｄ（ｍ
ｍ） ≦ ５、好ましくは１ ≦ Ｄ（ｍｍ） ≦ ４、最も
好ましくは２ ≦ Ｄ（ｍｍ） ≦ ３である。D is the thickness of the blade, and 0.5 ≤ D (m
m) ≤ 5, preferably 1 ≤ D (mm) ≤ 4, and most preferably 2 ≤ D (mm) ≤ 3.

【００３３】ａはブレードの幅で、通常２〜４０ｍｍ程
度であり、例えば２０ｍｍ程度に設定される。ｂはブレ
ード押さえ板４０４からブレード先端までの長さで、通
常１〜３０ｍｍ程度であり、例えば６ｍｍ程度に設定さ
れる。A is the width of the blade, which is usually about 2 to 40 mm, and is set to about 20 mm, for example. b is the length from the blade pressing plate 404 to the tip of the blade, which is usually about 1 to 30 mm, and is set to about 6 mm, for example.

【００３４】Ｌは背板４０３からブレード先端までの長
さ（以下、自由長という）で、０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦
１．２、好ましくは０．３ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １、最も好ま
しくは０．４ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ ０．８である。Ｌ／Ｄが１
であるとすると、Ｄを３ｍｍに設定したときは、Ｌは３
ｍｍである。L is the length from the back plate 403 to the tip of the blade (hereinafter referred to as free length), and 0.2 ≤ L / D ≤
1.2, preferably 0.3 ≤ L / D ≤ 1, and most preferably 0.4 ≤ L / D ≤ 0.8. L / D is 1
And when D is set to 3 mm, L is 3
mm.

【００３５】また、ブレードの長さ（感光体の軸方向の
長さ）は、感光体の横幅（軸方向長さ）と通常同程度で
ある。Further, the length of the blade (length in the axial direction of the photoconductor) is usually about the same as the lateral width (length in the axial direction) of the photoconductor.

【００３６】以上の構成でブレードは感光体に押しつけ
られ、感光体接触部でブレードは変形し、厳密には面接
触となる。上記条件において、接触部に掛ける総圧力Ｐ
は、３００ ≦ Ｐ （ｇ）≦ １０００、好ましくは３５
０ ≦ Ｐ （ｇ）≦ ８００、最も好ましくは４００ ≦
Ｐ （ｇ）≦ ６００である。With the above construction, the blade is pressed against the photosensitive member, and the blade is deformed at the contact portion of the photosensitive member, and strictly speaking, the surface contact is made. Under the above conditions, the total pressure P applied to the contact part
Is 300 ≤ P (g) ≤ 1000, preferably 35
0 ≤ P (g) ≤ 800, most preferably 400 ≤
P (g) ≦ 600.

【００３７】画像形成プロセスを説明すると、感光体１
０１は矢印Ｘ方向に所定のプロセススピード（感光体表
面の移動速度をいう。以下同じ。）で回転し、＋６〜８
ｋＶの高電圧を印加した主帯電器１０２により一様に帯
電され、これに静電潜像形成部位、すなわちランプ１１
０から発した光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原稿
１１２に反射し、ミラー１１３、１１４、１１５を経由
し、レンズユニット１１７のレンズ１１８によって結像
され、ミラー１１６を経由し、導かれ投影された静電潜
像が形成される。この潜像に現像器１０４からトナーが
供給されてトナー像となる。The image forming process will be described below.
01 rotates in the direction of arrow X at a predetermined process speed (moving speed of the surface of the photoconductor, the same applies hereinafter), and +6 to 8
It is uniformly charged by the main charger 102 to which a high voltage of kV is applied.
The light emitted from 0 is reflected on the original 112 placed on the original table glass 111, passes through mirrors 113, 114 and 115, is imaged by the lens 118 of the lens unit 117, and is guided via the mirror 116. A projected electrostatic latent image is formed. Toner is supplied to the latent image from the developing device 104 to form a toner image.

【００３８】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラ１２２によって先端タイミングを調整され、
感光体方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電
圧を印加した転写帯電器１０６（ａ）と感光体１０１の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の電界を与
えられ、これによって感光体表面のトナー像は転写材Ｐ
に転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００〜６００Ｈ
ｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器１０６（ｂ）に
より、転写材Ｐは、転写紙搬送系１０８を通って定着装
置（不図示）に至り、トナー像は定着されて装置外に排
出される。On the other hand, the leading edge timing is adjusted by the registration roller 122 through the transfer paper supply system 105,
The transfer material P supplied in the direction of the photosensitive member is given an electric field having a polarity opposite to that of the toner from the back surface in the gap between the transfer charger 106 (a) to which a high voltage of +7 to 8 kV is applied and the photosensitive member 101, and thereby The toner image on the surface of the photoconductor is the transfer material P.
Transfer to. 12-14kVp-p, 300-600H
The transfer material P reaches the fixing device (not shown) through the transfer paper conveying system 108 by the separation charger 106 (b) to which a high AC voltage of z is applied, and the toner image is fixed and discharged to the outside of the device. It

【００３９】感光体１０１上に残留するトナーはクリー
ナーユニット１０７のクリーニングブレード１２１によ
ってかき落とされ、残留する静電潜像は除電光源１０９
によって消去される。The toner remaining on the photosensitive member 101 is scraped off by the cleaning blade 121 of the cleaner unit 107, and the remaining electrostatic latent image is removed by the discharging light source 109.
Erased by.

【００４０】本発明では、ブレードを感光体の軸方向に
周期的に往復運動をさせる機構を設けることもできる。
例えば、ブレードを固定したブレード支持台４０５を、
感光体の軸方向にスライドする機構を介して固定し、適
当な動力手段によりブレード支持台を往復させることで
達成することができる。In the present invention, a mechanism for periodically reciprocating the blade in the axial direction of the photoconductor can be provided.
For example, the blade support 405 with the blade fixed,
This can be achieved by fixing the photoconductor through a mechanism that slides in the axial direction and reciprocating the blade support base by an appropriate power means.

【００４１】これにより、ブレードに異物が挟まった場
合にも外れやすくなり、また感光体に突起があってブレ
ードにダメージを与えるような場合であっても、ダメー
ジが軸方向に分散されるので、１部分にだけ集中して大
きなダメージとならない効果がある。As a result, even if foreign matter is caught in the blade, it easily comes off, and even if there is a protrusion on the photosensitive member to damage the blade, the damage is dispersed in the axial direction. This has the effect of concentrating only on one part and not causing significant damage.

【００４２】本発明で用いられるトナーは、特に制限は
ないが、より精彩な画質を得るために小粒径のトナーが
好ましく、特に、コールターカウンター等による重量平
均粒径が０．００５〜０．００８ｍｍであるものが好ま
しい。小粒子のトナーは、感光体に融着を起こしやすい
が、本願によれば、小粒子のトナーを用いても前記ブレ
ードを用いることで融着を起こすことなく、精細な画質
を得ることができる。The toner used in the present invention is not particularly limited, but a toner having a small particle diameter is preferable in order to obtain more vivid image quality, and particularly, a weight average particle diameter measured by a Coulter counter is 0.005 to 0. It is preferably 008 mm. The small particle toner is apt to cause fusion on the photoconductor, but according to the present application, a fine image quality can be obtained by using the blade even if the small particle toner is used without causing fusion. .

【００４３】また、トナーの定着性は、２０％以下、好
ましくは１０％以下のものが用いられる。転写材にトナ
ー画像を定着させる能力は、定着器内で転写材のトナー
画像にいかに加熱するかに掛かっており、高速化に伴
い、転写材が定着器内を通過する時間が短くなると、定
着器の温度を上昇させる必要が生じている。しかし、装
置全体の約８割をも占める定着器での消費電力を、でき
るだけ増加させないために、トナー自体の定着性向上が
進められている。しかし、定着性が向上すると感光体に
対してトナーが融着し易くなる問題がある。本発明によ
れば、定着性の高い５％以下のトナーを用いても融着を
起こすことなく、鮮明な画質を得ることができる。尚、
定着性は、室温１０℃における定着後の画像をシルボン
紙で擦り取った際の擦り取れ率で定義し、画像濃度をＤ
０、擦り後濃度をＤ１としたとき、（Ｄ０−Ｄ１）／Ｄ
０×１００（％）で表す量で、数値が大きいほど定着性
が悪いことを意味する。The fixing property of the toner is 20% or less, preferably 10% or less. The ability to fix the toner image on the transfer material depends on how the toner image on the transfer material is heated in the fixing device. There is a need to raise the temperature of the vessel. However, in order to prevent the power consumption of the fixing device, which accounts for about 80% of the entire apparatus, from increasing as much as possible, the fixing property of the toner itself is being improved. However, when the fixing property is improved, there is a problem that the toner is likely to be fused to the photoconductor. According to the present invention, even if a toner having a high fixability of 5% or less is used, clear image quality can be obtained without causing fusion. still,
The fixability is defined by the scraping rate when the image after fixing at room temperature of 10 ° C. is scraped off with sillbon paper, and the image density is D
0, when the density after rubbing is D1, (D0-D1) / D
The amount is expressed by 0 × 100 (%), and the larger the value, the poorer the fixability.

【００４４】また、プロセススピードは、適宜設定する
ことができ、低速に設定しても良いが、装置の高速化の
ためには４００ｍｍ／ｓｅｃ以上とすることが好まし
い。プロセススピードを高速にすると、通常ブレードの
ダメージが問題となるが前記のブレード条件を用いるこ
とで、本願によれば４００ｍｍ／ｓｅｃ以上の高速にお
いてもブレードのダメージが問題にならない。但し、高
速過ぎるのも現実的ではないので通常は８００ｍｍ／ｓ
ｅｃ以下である。The process speed can be set appropriately and may be set to a low speed, but it is preferably 400 mm / sec or more in order to speed up the apparatus. When the process speed is high, the damage of the blade usually becomes a problem, but by using the above blade conditions, according to the present application, the damage of the blade does not become a problem even at a high speed of 400 mm / sec or more. However, it is not realistic to go too fast, so it is usually 800 mm / s.
ec or less.

【００４５】本発明で用いる感光体としては、高速化し
ても帯電能が低下せず、温度依存性が小さく、光メモリ
ーが少なく、画像流れの生じない感光体が好ましい。The photoconductor used in the present invention is preferably a photoconductor in which the chargeability does not decrease even when the speed is increased, the temperature dependence is small, the optical memory is small, and the image deletion does not occur.

【００４６】好ましい感光体としては、導電性支持体
と、シリコン原子を母体として水素原子および／または
ハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電性
を示す光導電層を有する感光層で構成され、該光導電層
が、少なくとも光の入射する部分において、サブバンド
ギャップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特
性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ伝導帯端下０．
４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態密度が１×１０¹⁴
〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であるものが挙げられる。A preferred photoconductor is composed of a conductive support and a photoconductive layer having a photoconductive layer having a photoconductive property and made of a non-single crystal material containing silicon atoms as a matrix and containing hydrogen atoms and / or halogen atoms. In the photoconductive layer, the characteristic energy of the exponential tail obtained from the subband gap optical absorption spectrum is 50 to 60 meV and the conduction band edge below 0.
The localized density of states at 45 to 0.95 eV is 1 × 10 ¹⁴
Those having a particle size of up to 1 × 10 ¹⁶ cm ⁻³ are included.

【００４７】感光体の表面の突起の高さは、感光体表面
１００ｃｍ²あたり高さ（表面の平均面に対して）０．
０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下であるが好ま
しい。特に上記の特性を有する感光体は表面硬度が高
く、突起が高いとブレードにダメージを与えやすいが、
本願のブレード条件によれば、高さ０．０１５ｍｍ程度
の突起がある感光体であっても使用することができるの
で、感光体製造の歩留まりを向上し、コストを低減する
ことができる。さらに、感光体表面１００ｃｍ²あたり
高さ（表面の平均面に対して）０．０１０ｍｍを越える
突起の個数を１個以下とするとさらにブレードのダメー
ジを少なくすることができる。The height of the protrusions on the surface of the photosensitive member is 0. 0 per 100 cm ² of the surface of the photosensitive member (relative to the average surface of the surface).
It is preferable that the number of protrusions exceeding 015 mm is 1 or less. In particular, the photoreceptor having the above characteristics has a high surface hardness, and if the protrusions are high, the blade is easily damaged,
According to the blade conditions of the present application, even a photoconductor having a protrusion with a height of about 0.015 mm can be used, so that the yield of photoconductor production can be improved and the cost can be reduced. Further, if the number of protrusions having a height (relative to the average surface of the surface) of 0.010 mm per 100 cm ² of the surface of the photosensitive member is 1 or less, damage to the blade can be further reduced.

【００４８】このような突起の高さの低い感光体を製造
するには、後述する製造工程で、突起成長の核となる粒
子を極力排除することで達成することができる。例え
ば、基板保管時に付着したダストを極力取り除くための
に洗浄条件を管理したり、搬送時の基板へのダスト付着
を極力減らすために室内クリーン度およびメカ部品から
のダスト発生を管理したり、さらに成膜時に感光体以外
に付いた膜が剥がれて感光体に付着するのを避けるため
に密着性を向上させるとよい。The production of such a photosensitive member having a low height of protrusions can be achieved by eliminating particles, which become nuclei for the growth of protrusions, as much as possible in a manufacturing process described later. For example, control the cleaning conditions to remove the dust adhering to the substrate during storage as much as possible, and control the indoor cleanliness and the generation of dust from mechanical parts to reduce the dust adhering to the substrate during transfer. It is advisable to improve the adhesiveness in order to prevent the film attached to other than the photoconductor from being peeled off and attached to the photoconductor during film formation.

【００４９】また本発明では、得られた感光体の表面を
研磨することで、感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ
０．０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下、好まし
くは感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１０ｍｍ
を越える突起の個数が１個以下としても良い。[0049] In the present invention, by polishing the surface of the obtained photosensitive member, the number of projections exceeding the photoreceptor surface 100 cm ² per height 0.015mm is one or less, preferably per photoconductor surface 100 cm ² Height 0.010 mm
The number of protrusions exceeding 1 may be 1 or less.

【００５０】前記の好ましい感光体について以下にさら
に詳細に説明する。The above-mentioned preferable photoreceptor will be described in more detail below.

【００５１】本発明に用いる好適なアモルファスシリコ
ン感光体について以下に述べる。Amorphous silicon photoconductors suitable for the present invention will be described below.

【００５２】本発明者らは、アモルファスシリコン感光
体の光導電層のキャリアの挙動に着目し、バンドギャッ
プ内の局在状態分布と帯電能の温度依存性や光メモリー
との関係について鋭意検討した結果、シリコン原子を母
体とし、水素原子（または水素原子およびハロゲン原
子）を含有する非単結晶材料で構成された光導電層を有
する感光体において、その層構造を特定化するように設
計されて作製された感光体は、実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、あらゆる点において従来の感光体
を凌駕し、特に画像形成装置用の感光体として優れた特
性を有していることを見いだした。The present inventors have paid attention to the behavior of carriers in the photoconductive layer of the amorphous silicon photoconductor, and have earnestly studied the relationship between the localized state distribution in the band gap and the temperature dependence of the charging ability and the optical memory. As a result, in a photoreceptor having a photoconductive layer composed of a non-single-crystal material containing hydrogen atoms (or hydrogen atoms and halogen atoms) as a base material of a silicon atom, it is designed to specify its layer structure. It was found that the produced photoconductor not only exhibits remarkably excellent properties in practical use, but also surpasses the conventional photoconductor in every respect, and particularly has excellent properties as a photoconductor for an image forming apparatus. It was

【００５３】前述のように本発明で用いる感光体として
は、導電性支持体と、シリコン原子を母体として水素原
子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料
からなる光導電性を示す光導電層を有する感光層で構成
され、該光導電層が、少なくとも光の入射する部分にお
いて、サブバンドギャップ光吸収スペクトルから得られ
る指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、か
つ伝導帯端下０．４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態
密度が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であるものが好ま
しく、この中でも、光導電層が１０〜３０原子％の水素
を含み、赤外吸収スペクトルから得られるＳｉ−Ｈ₂ ／
Ｓｉ−Ｈ強度比が０．１〜０．５であり、かつ伝導帯端
下０．４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態密度が３×
１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3であることがさらに好まし
い。As described above, the photoconductor used in the present invention is a photoconductive material having a photoconductive property, which is composed of a conductive support and a non-single crystalline material containing silicon atoms as a matrix and containing hydrogen atoms and / or halogen atoms. The photoconductive layer has a characteristic energy of 50 to 60 meV at the exponential tail obtained from the sub-bandgap optical absorption spectrum and at least 0. It is preferable that the localized state density at 45 to 0.95 eV is 1 × 10 ¹⁴ to 1 × 10 ¹⁶ cm ⁻³ , and among these, the photoconductive layer contains 10 to 30 atom% of hydrogen, and the infrared absorption spectrum Obtained from Si-H ₂ /
The Si-H intensity ratio is 0.1 to 0.5, and the localized density of states at the conduction band edge 0.45 to 0.95 eV is 3 ×.
More preferably, it is 10 ^{14 to} 5 × 10 ¹⁵ cm ⁻³ .

【００５４】このような構成をとるように設計された電
子写真用感光体は、帯電能の温度依存性や光メモリーの
問題を解決し、極めて優れた電気的、光学的、光導電的
特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。The electrophotographic photoconductor designed to have such a structure solves the problems of temperature dependency of charging ability and optical memory, and has extremely excellent electrical, optical and photoconductive characteristics. It shows image quality, durability, and use environment characteristics.

【００５５】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。Generally, in the band gap of a-Si: H, a tail level due to structural disorder of Si-Si bond and a dangling bond of Si (dangling bond).
There are deep levels due to structural defects such as. It is known that these levels act as traps for electrons and holes and as a recombination center to cause deterioration of the device characteristics.

【００５６】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。なかでも一定光電流法［Constant Photo
current Method: 以後、「ＣＰＭ」と略記する］は、ａ
−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収スペ
クトルを簡便に測定する方法として有用である。As a method of measuring the state of such a localized level in the band gap, generally, deep level spectroscopy, isothermal capacitance transient spectroscopy, photothermal deflection spectroscopy, constant photocurrent method, etc. are used. . Among them, the constant photocurrent method [Constant Photo
current Method: Hereinafter, abbreviated as “CPM”] is a
This is useful as a method for simply measuring the subgap optical absorption spectrum based on the localized level of —Si: H.

【００５７】本発明者らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記す
る）や局在状態密度（以下、「Ｄ．Ｏ．Ｓ．」と略記す
る）と感光体特性との相関を種々の条件にわたって調べ
た結果、Ｅｕ及びＤ．Ｏ．Ｓ．がａ−Ｓｉ感光体の温度
特性や光メモリーと密接な関係にあることを見いだし
た。The present inventors have found that the characteristic energy (hereinafter abbreviated as “Eu”) of the exponential tail (Urback tail) obtained from the light absorption spectrum measured by CPM and the localized state density (hereinafter “Eu”). Abbreviated as “D.O.S.”) and the characteristics of the photoconductor under various conditions. O. S. Have a close relationship with the temperature characteristics of the a-Si photoconductor and the optical memory.

【００５８】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
（以下、熱励起キャリアと呼ぶ）が帯電時の電界に引か
れてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局在
準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面に走行し、表
面電荷を打ち消してしまうことが挙げられる。このと
き、帯電器を通過する間に表面に到達する熱励起キャリ
アについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、
深い準位に捕獲された熱励起キャリアは、帯電器を通過
した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度
特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱
励起された熱励起キャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領
域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつ該熱
励起キャリアの走行性を向上させることが温度特性の向
上のために必要である。The reason why the charging ability is lowered when the photosensitive member is heated by a drum heater or the like is that thermally excited carriers (hereinafter referred to as thermally excited carriers) are attracted to the electric field at the time of charging and the band hem is localized. It can be mentioned that the trapping and emission to the deep localized level in the level or the band gap repeatedly travels to the surface to cancel the surface charge. At this time, for the thermally excited carriers reaching the surface while passing through the charger, there is almost no effect on the decrease in charging ability,
The thermally excited carriers trapped in the deep level reach the surface after passing through the charger and are observed as a temperature characteristic because they cancel the surface charge. Also, the thermally excited carriers that are thermally excited after passing through the charger cancel the surface charge and cause a decrease in charging ability. Therefore, in order to improve the temperature characteristics, it is necessary to suppress the generation of thermally excited carriers in the operating temperature range of the photoconductor and improve the running property of the thermally excited carriers.

【００５９】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内に該光キャリアが残留する
ことによって生じる。すなわち、ある複写工程において
生じた光キャリアのうち光導電層内に残留した光キャリ
アが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による
電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が
他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じ
る。したがって、光キャリアが光導電層内に残留するこ
となく、１回の複写工程で走行するように、光キャリア
の走行性を改善しなければならない。Further, the optical memory is generated when the photo carriers generated by blank exposure or image exposure are trapped in the localized level in the band gap and the photo carriers remain in the photoconductive layer. That is, among the photocarriers generated in a certain copying process, the photocarriers remaining in the photoconductive layer are swept out by the electric field due to the surface charge at the time of the next charging or thereafter, and the potential of the portion irradiated with light is changed to another. Is lower than that of the image, and as a result, shading occurs on the image. Therefore, it is necessary to improve the traveling property of the photocarrier so that the photocarrier can travel in one copying process without remaining in the photoconductive layer.

【００６０】したがって、上記の感光体のごとくＥｕ及
び特定のエネルギー範囲のＤ．Ｏ．Ｓ．を制御すること
により、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱
励起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合
を小さくすることができるために上記キャリア（以下、
電荷キャリアと呼ぶ）の走行性が著しく改善される。そ
の結果、感光体の使用温度領域での温度特性が飛躍的に
改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することがで
きるために、感光体の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる。Therefore, as in the above-mentioned photoreceptor, Eu and D. O. S. By controlling the above, the generation of thermally excited carriers is suppressed, and the ratio at which thermally excited carriers and photocarriers are trapped in localized levels can be reduced, so that the carrier (hereinafter,
The mobility of charge carriers) is significantly improved. As a result, the temperature characteristics of the photoconductor in the operating temperature range are dramatically improved, and at the same time, the generation of optical memory can be suppressed, so that the stability of the photoconductor in the usage environment is improved and the halftone is clear. It is possible to stably obtain a high-quality image with high resolution and high resolution.

【００６１】以下、図面にしたがって本発明に用いられ
る感光体について詳細に説明する。The photosensitive member used in the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【００６２】図９は、本発明に用いられる電子写真用感
光体の層構成を説明するための模式的構成図である。FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the layer structure of the electrophotographic photosensitive member used in the present invention.

【００６３】図９（ａ）に示す電子写真用感光体１１０
０は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層
１１０２が設けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１０３
で構成されている。The electrophotographic photoconductor 110 shown in FIG. 9A.
In No. 0, the photosensitive layer 1102 is provided on the support 1101 for the photosensitive body. The photosensitive layer 1102 is aS
i: a photoconductive layer 1103 made of H and X and having photoconductivity
It is composed of.

【００６４】図９（ｂ）は、本発明の電子写真用感光体
の他の層を説明するための模式的構成図である。図９
（ｂ）に示す電子写真用感光体１１００は、感光体用と
しての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設けら
れている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからな
り光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルファス
シリコン系表面層１１０４とから構成されている。FIG. 9B is a schematic constitutional view for explaining another layer of the electrophotographic photosensitive member of the present invention. Figure 9
In the electrophotographic photoreceptor 1100 shown in (b), a photosensitive layer 1102 is provided on a support 1101 for the photoreceptor. The photosensitive layer 1102 is composed of a photoconductive layer 1103 made of a-Si: H, X and having photoconductivity, and an amorphous silicon-based surface layer 1104.

【００６５】図９（ｃ）は、本発明の電子写真用感光体
の他の層構成を説明するための模式的構成図である。図
９（ｃ）に示す電子写真用感光体１１００は、感光体用
としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設け
られている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルファ
スシリコン系表面層１１０４と、アモルファスシリコン
系電荷注入阻止層１１０５とから構成されている。FIG. 9C is a schematic structural view for explaining another layer structure of the electrophotographic photosensitive member of the present invention. In the electrophotographic photoreceptor 1100 shown in FIG. 9C, a photosensitive layer 1102 is provided on a support 1101 for the photoreceptor. The photosensitive layer 1102 is composed of a photoconductive layer 1103 made of a-Si: H, X and having photoconductivity, an amorphous silicon based surface layer 1104, and an amorphous silicon based charge injection blocking layer 1105.

【００６６】図９（ｄ）は、本発明の電子写真用感光体
のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図９（ｄ）に示す電子写真用感光体１１００は、感
光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２
が設けられている。該感光層１１０２は光導電層１１０
３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層１１
０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルファスシリ
コン系表面層１１０４とから構成されている。FIG. 9D is a schematic structural view for explaining still another layer structure of the electrophotographic photosensitive member of the present invention. An electrophotographic photoreceptor 1100 shown in FIG. 9D has a photosensitive layer 1102 on a support 1101 for the photoreceptor.
Is provided. The photosensitive layer 1102 is a photoconductive layer 110.
3, a charge generation layer 11 made of a-Si: H, X
06 and charge transport layer 1107, and an amorphous silicon-based surface layer 1104.

【００６７】本発明において使用される支持体として
は、導電性支持体が好ましい。導電性支持体の材料とし
ては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、及びこれらの合
金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性材料の少なくと
も感光層を形成する側の表面を導電処理したものも用い
ることができる。The support used in the present invention is preferably a conductive support. As the material of the conductive support, Al, Cr, Mo, Au, In, Nb, Te,
Examples thereof include metals such as V, Ti, Pt, Pd, and Fe, and alloys thereof such as stainless steel. Further, at least the surface of the electrically insulating material such as a film or sheet of synthetic resin such as polyester, polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyamide, etc., such as glass or ceramic, on which the photosensitive layer is formed, is made conductive. Treated products can also be used.

【００６８】本発明において使用される支持体１１０１
の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状
無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通り
の電子写真用感光体１１００を形成し得るように適宜決
定するが、電子写真用感光体１１００としての可撓性が
要求される場合には、支持体１１０１としての機能が充
分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体１１０１は製造上及び取り扱
い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上が好ま
しい。また、必要に応じてバックアップローラーで保持
することも可能である。Support 1101 used in the present invention
May have a cylindrical shape or a plate-shaped endless belt having a smooth surface or an uneven surface, and its thickness is appropriately determined so that the electrophotographic photoreceptor 1100 can be formed as desired. When the flexibility of the photoconductor 1100 is required, it can be made as thin as possible within a range in which the function of the support 1101 can be sufficiently exerted. However, the support 1101 is usually preferably 10 μm or more in terms of mechanical strength in terms of manufacturing and handling. Further, it can be held by a backup roller if necessary.

【００６９】特にレーザー光等の可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現れる、いわゆ
る干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消するた
めに、帯電キャリアの減少が実質的にない範囲で支持体
１１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１１０１
の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６
号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５
８５４号公報等に記載された公知の方法により作製され
る。In particular, when image recording is performed using coherent light such as laser light, the charge carriers are reduced in order to more effectively eliminate the image defect due to the so-called interference fringe pattern that appears in a visible image. Concavities and convexities may be provided on the surface of the support 1101 within a substantially nonexistent range. Support 1101
The unevenness provided on the surface of the surface is disclosed in JP-A-60-168156.
No. 60-178457, No. 60-225.
It is produced by a known method described in Japanese Patent Publication No. 854.

【００７０】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、帯電キャリアの減少が実質的にない範
囲で支持体１１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体１１０１の
表面が電子写真用感光体１１００に要求される解像力よ
りも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕
跡窪みによるものである。支持体１１０１の表面に設け
られる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−
２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作製
される。Further, as another method of more effectively eliminating the image defect due to the interference fringe pattern when the coherent light such as the laser light is used, the carrier 1101 can be removed within a range in which the charge carrier is not substantially reduced. You may provide the surface with the uneven | corrugated shape by several spherical trace dents. That is, the surface of the support 1101 has irregularities that are smaller than the resolving power required for the electrophotographic photoreceptor 1100, and the irregularities are due to a plurality of spherical trace depressions. The unevenness due to a plurality of spherical trace depressions provided on the surface of the support 1101 is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-
It is produced by the known method described in Japanese Patent No. 231561.

【００７１】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
さらに別の方法として、感光層１１０２内、あるいは該
層１１０２の下側に光吸収層等の干渉防止層あるいは領
域を設けてもよい。Further, as still another method of more effectively eliminating the image defect due to the interference fringe pattern when the coherent light such as the laser light is used, the light is provided inside the photosensitive layer 1102 or below the layer 1102. An interference prevention layer such as an absorption layer or a region may be provided.

【００７２】次に光導電層１１０３を、支持体１１０１
上、または必要に応じてして下引き層（不図示）を支持
体上に形成した上に、真空堆積膜形成方法によって、所
望の特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値
条件を設定して作製する。具体的には、例えばグロー放
電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ
波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電Ｃ
ＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の種々の薄
膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜
堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造
規模、作製される電子写真用感光体に必要とされる特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の
特性を有する電子写真用感光体を製造するに当たっての
条件の制御が比較的容易であることからグロー放電法、
特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波
グロー放電法が好適である。Next, the photoconductive layer 1103 is formed on the support 1101.
Numerical conditions of film forming parameters are appropriately set so that desired characteristics can be obtained by a vacuum deposition film forming method after forming an undercoat layer (not shown) on a support as needed. To produce. Specifically, for example, glow discharge method (AC discharge CVD method such as low frequency CVD method, high frequency CVD method or microwave CVD method, or DC discharge C
VD method), sputtering method, vacuum deposition method, ion plating method, photo CVD method, thermal CVD method, and other various thin film deposition methods. These thin film deposition methods are appropriately selected and adopted depending on factors such as manufacturing conditions, load level under capital investment, manufacturing scale, and characteristics required for the electrophotographic photoreceptor to be manufactured. Since it is relatively easy to control the conditions for producing the electrophotographic photoreceptor having the characteristics, the glow discharge method,
Particularly, a high frequency glow discharge method using a power source frequency in the RF band or the VHF band is suitable.

【００７３】グロー放電法によって光電導層１１０３を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。In order to form the photoconductive layer 1103 by the glow discharge method, basically, a source gas for supplying Si, which can supply silicon atoms (Si), and a gas for supplying H, which can supply hydrogen atoms (H). Of the raw material gas and / or the raw material gas for supplying X, which can supply the halogen atom (X), is introduced in a desired gas state into a reaction vessel in which the inside can be decompressed, and a glow discharge is generated in the reaction vessel. Then, aS is placed on a predetermined support 1101 which is installed at a predetermined position in advance.
i: H, X may be formed as a layer.

【００７４】また、この光導電層１１０３中には、好ま
しくは水素原子（または水素原子およびハロゲン原子）
を含有することが必要であるが、これはシリコン原子の
未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性及び電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからで
ある。よって水素原子の含有量は、シリコン原子と水素
原子の和（または、さらにハロゲン原子を加えた量）に
対して好ましくは１０〜３０原子％、より好ましくは１
５〜２５原子％とするのが望ましい。In the photoconductive layer 1103, hydrogen atoms (or hydrogen atoms and halogen atoms) are preferably used.
Is necessary because it is essential for compensating dangling bonds of silicon atoms and improving the layer quality, especially the photoconductivity and the charge retention property. Therefore, the content of hydrogen atoms is preferably 10 to 30 atom%, and more preferably 1 with respect to the sum of silicon atoms and hydrogen atoms (or the amount of halogen atoms added).
It is desirable to be 5 to 25 atomic%.

【００７５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃
Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいも
のとして挙げられる。The substances that can be used as the Si supply gas in the present invention include SiH ₄ , Si ₂ H ₆ , and Si _3.
Gaseous or gasifiable silicon hydrides (silanes) such as H ₈ and Si ₄ H ₁₀ are mentioned as being effectively used. Further, they are easy to handle during layer formation, have good Si supply efficiency, etc. In this respect, SiH ₄ and Si ₂ H ₆ are preferable.

【００７６】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
をいっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ₂ 及
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えない。Then, hydrogen atoms are structurally introduced into the photoconductive layer 1103 to be formed so as to make it easier to control the introduction ratio of hydrogen atoms, and obtain the film characteristics for achieving the object of the present invention. Therefore, it is necessary to further mix a desired amount of H ₂ and / or He or a silicon compound gas containing a hydrogen atom with these gases to form a layer. Further, each gas may be mixed not only with one kind but also with plural kinds at a predetermined mixing ratio.

【００７７】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましくは挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、
ＩＦ₇ 等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えば
ＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。The halogen source used in the present invention
For example, halogen is effective as a raw material gas for child supply.
Interhalogen compounds containing gases, halides and halogens
Compounds, gaseous silane derivatives such as halogen-substituted silane derivatives, etc.
Or halogenated compounds that can be gasified are preferred.
It Further, a silicon atom and a halogen atom are further composed.
Gaseous or gasifiable halogen source as a component
Silicon hydride compounds containing a child are also listed as effective ones.
You can Halogen that can be preferably used in the present invention
As the compound, specifically, fluorine gas (F₂ ), Br
F, ClF, ClF ₃ , BrF₃ , BrF_Five , IF₃ ,
IF₇ Interhalogen compounds such as Ha
Silicon compounds containing a rogen atom, so-called halogen atoms
As the substituted silane derivative, specifically, for example,
SiF_Four , Si₂ F₆ And silicon fluoride is preferred.
Can be listed.

【００７８】光導電層１１０３中に含有される水素原子
（または水素原子およびハロゲン原子）の量を制御する
には、例えば支持体１１０１の温度、水素原子（または
水素原子およびハロゲン原子）を含有させるために使用
される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等
を制御すればよい。To control the amount of hydrogen atoms (or hydrogen atoms and halogen atoms) contained in the photoconductive layer 1103, for example, the temperature of the support 1101 and the hydrogen atoms (or hydrogen atoms and halogen atoms) are contained. The amount of raw material used for that purpose to be introduced into the reaction vessel, discharge power, etc. may be controlled.

【００７９】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。In the present invention, it is preferable that the photoconductive layer 1103 contains an atom whose conductivity is controlled, if necessary. Atoms that control conductivity are photoconductive layer 1103.
It may be contained in a state where it is evenly and evenly distributed, or there may be a portion where it is contained in an unevenly distributed state in the layer thickness direction.

【００８０】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原子
（以後「第IIIb族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖ
ｂ族原子」と略記する）を用いることができる。Examples of the atoms that control the conductivity include so-called impurities in the field of semiconductors,
An atom belonging to Group IIIb of the Periodic Table giving p-type conduction characteristics (hereinafter abbreviated as “Group IIIb atom”) or an atom belonging to Group Vb of the Periodic Table giving n-type conduction characteristics (hereinafter “V
(abbreviated as “group b atom”) can be used.

【００８１】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。Specific examples of the group IIIb atom include boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In) and thallium (Tl), and B, Al and Ga are particularly preferable. It is suitable. As the group Vb atom,
Specifically, phosphorus (P), arsenic (As), antimony (S)
b), bismuth (Bi), etc., and P and As are particularly preferable.

【００８２】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜
１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５
×１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³
原子ｐｐｍである。The content of atoms controlling the conductivity contained in the photoconductive layer 1103 is preferably 1 × 10 ^-2 to
1 × 10 ⁴ atomic ppm, more preferably 5 × 10 ^{−2 to} 5
× 10 ³ atom ppm, optimally 1 × 10 ^-1 to 1 × 10 ³
It is atomic ppm.

【００８３】伝導性を制御する原子、例えば第IIIb族原
子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形
成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ
ｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、
光導電層１１０３を形成するための他のガスと共に導入
してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものを採用するのが望ましい。In order to structurally introduce a conductivity controlling atom, for example, a Group IIIb atom or a Group Vb atom, a raw material for introducing a Group IIIb atom or a Group V atom during layer formation is used.
A raw material for introducing a group b atom is put in a gas state in a reaction vessel,
It may be introduced together with another gas for forming the photoconductive layer 1103. As the raw material for introducing the group IIIb atom or the raw material for introducing the group Vb atom, it is preferable to employ a gaseous substance at room temperature and atmospheric pressure or a substance that can be easily gasified under at least the layer forming conditions. desirable.

【００８４】そのような第IIIb族原子導入用の原料物質
としては具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢ
ｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃、
ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。As a raw material for introducing such a group IIIb atom, specifically, for introducing a boron atom, B ₂ H
_{6, B 4 H 10, B} 5 H 9, B 5 H 11, B 6 H 10, B 6 H
₁₂ , borohydride such as B ₆ H ₁₄ , BF ₃ , BCl ₃ , BB
Examples thereof include boron halides such as r ₃ . In addition to this, Al
Cl ₃ , GaCl ₃ , Ga (CH ₃ ) ₃ , InCl ₃ ,
TlCl _{3 and the} like can also be mentioned.

【００８５】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、
ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ
₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、Ｂ
ｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。As a raw material for introducing a Group Vb atom, PH ₃ and P are effectively used for introducing a phosphorus atom.
₂ H ₄ etc. Phosphorus hydride, PH ₄ I, PF ₃ , PF ₅ , PC
Examples thereof include phosphorus halides such as l ₃ , PCl ₅ , PBr ₃ , PBr ₅ , and PI ₃ . In addition, AsH ₃ , AsF ₃ ,
AsCl ₃ , AsBr ₃ , AsF ₅ , SbH ₃ , SbF
₃ , SbF ₅ , SbCl ₃ , SbCl ₅ , BiH ₃ , B
iCl ₃ , BiBr _{3 and the} like can also be mentioned as effective starting materials for introducing a Group Vb atom.

【００８６】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 及び／またはＨｅによ
り希釈して使用してもよい。Further, these raw materials for atom introduction for controlling conductivity may be diluted with H ₂ and / or He, if necessary, and used.

【００８７】さらに本発明においては、光導電層１１０
３に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原
子を含有させることも有効である。炭素原子及び／また
は酸素原子及び／または窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されてもよい
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があってもよい。Further, in the present invention, the photoconductive layer 110
It is also effective that 3 contains a carbon atom and / or an oxygen atom and / or a nitrogen atom. The content of carbon atoms and / or oxygen atoms and / or nitrogen atoms is preferably 1 × 10 ⁻⁵ to 10 atom%, more preferably 1 × 1 with respect to the sum of silicon atoms, carbon atoms, oxygen atoms and nitrogen atoms.
0 ^-4 to 8 atom%, optimally 1 x 10 ^{-3 to} 5 atom% is desirable. The carbon atom and / or the oxygen atom and / or the nitrogen atom may be uniformly contained in the photoconductive layer, or may be non-uniformly distributed such that the content changes in the layer thickness direction of the photoconductive layer. There may be a part that has.

【００８８】本発明において、光導電層１１０３の層厚
は所望の電子写真特性及び経済的効果等を考慮し設定す
ることができるが、好ましくは２０〜５０μｍ、より好
ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍであ
る。In the present invention, the layer thickness of the photoconductive layer 1103 can be set in consideration of desired electrophotographic characteristics and economic effects, but is preferably 20 to 50 μm, more preferably 23 to 45 μm, most preferably. Is 25 to 40 μm.

【００８９】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要であ
る。In order to achieve the object of the present invention and form the photoconductive layer 1103 having desired film characteristics, the mixing ratio of the gas for supplying Si and the diluting gas, the gas pressure in the reaction vessel, the discharge power and It is necessary to set the support temperature appropriately.

【００９０】希釈ガスとして使用するＨ₂ 及び／または
Ｈｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、Ｓｉ供給用ガスに対してＨ₂ 及び／またはＨ
ｅを、通常３〜３０倍、好ましくは４〜１５倍、最適に
は５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。[0090] The flow rate of H ₂ and / or He used as a dilution gas is properly selected within an optimum range in accordance with the layer design, H with respect to Si-feeding gas ₂ and / or H
It is desirable to control e in the range of usually 3 to 30 times, preferably 4 to 15 times, and most preferably 5 to 10 times.

【００９１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。Similarly, the gas pressure inside the reaction vessel is appropriately selected in accordance with the layer design, but in the usual case, it is 1 × 1.
0 ^{−4 to} 10 Torr, preferably 5 × 10 ^{−4 to} 5 Torr
r, optimally 1 × 10 ^{−3 to} 1 Torr is preferable.

【００９２】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
（単位：ｓｃｃｍ（標準状態の気体の１分間の流量（ｃ
ｃ）））に対する放電電力（単位：Ｗ）を、通常の場合
２〜７倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）、好ましくは２．５〜６倍
（Ｗ／ｓｃｃｍ）、最適には３〜５倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）
の範囲に設定することが望ましい。Similarly, the discharge power is also appropriately selected in an optimum range according to the layer design, but the flow rate of the gas for supplying Si (unit: sccm (flow rate of gas in standard state for 1 minute (c
The discharge power (unit: W) for c))) is usually 2 to 7 times (W / sccm), preferably 2.5 to 6 times (W / sccm), and most preferably 3 to 5 times (W). / Sccm)
It is desirable to set within the range.

【００９３】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。Further, the temperature of the support 1101 is appropriately selected in accordance with the layer design, but is preferably 200 to 350 ° C, more preferably 230 to 330 ° C.
Optimally, the temperature is preferably 250 to 310 ° C.

【００９４】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。In the present invention, the above-mentioned ranges are mentioned as desirable numerical ranges of the temperature and gas pressure of the support for forming the photoconductive layer, but the conditions are not usually independently determined separately. It is desirable to determine the optimum value based on the mutual and organic relationships to form a light receiving member having the desired properties.

【００９５】本発明においては、上述のようにして支持
体１１０１上に形成された光導電層１１０３の上に、さ
らにアモルファスシリコン系の表面層１１０４を形成す
ることが好ましい。この表面層１１０４は自由表面１１
１０を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性を向上させるために設
けられる。In the present invention, it is preferable to further form an amorphous silicon type surface layer 1104 on the photoconductive layer 1103 formed on the support 1101 as described above. This surface layer 1104 has a free surface 11
10 is provided mainly for improving moisture resistance, continuous repeated use characteristics, electrical pressure resistance, use environment characteristics, and durability.

【００９６】また、この構成では、感光層１１０２を構
成する光導電層１１０３と表面層１１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分なされている。Further, in this structure, since each of the amorphous materials forming the photoconductive layer 1103 and the surface layer 1104 forming the photosensitive layer 1102 has a common constituent element of silicon atom, the lamination interface is formed. The chemical stability is sufficiently secured in.

【００９７】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であれば特に制限はないが、例えば、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さら
に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ
−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び
／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに酸素原子
を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＯ：
Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハ
ロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原子を含有する
アモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と
表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原子、窒素原子
の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材料を
用いることができる。The surface layer 1104 is not particularly limited as long as it is an amorphous silicon type material. For example, amorphous silicon containing hydrogen atoms (H) and / or halogen atoms (X) and further containing carbon atoms ( Hereinafter, "a
-SiC: H, X "), amorphous silicon containing a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X) and further containing an oxygen atom (hereinafter referred to as" a-SiO: ").
H, X ”), amorphous silicon containing a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X) and further containing a nitrogen atom (hereinafter referred to as“ a-SiN: H, X ”), Amorphous silicon containing a hydrogen atom (H) and / or a halogen atom (X) and further containing at least one of a carbon atom, an oxygen atom and a nitrogen atom (hereinafter referred to as “a-SiCON: H, X”). Materials such as can be used.

【００９８】この中でも、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ、およ
び、少なくとも炭素原子を含有するａ−ＳｉＣ，Ｏ，
Ｎ：Ｈ，Ｘ等のａ−ＳｉＣを主成分とするものが好まし
い。Among these, a-SiC: H, X, and a-SiC, O containing at least carbon atoms,
Those containing a-SiC as a main component such as N: H and X are preferable.

【００９９】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーター
の数値条件が設定されて作製される。具体的には、例え
ばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法また
はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは
直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
等の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負
荷程度、製造規模、作製される電子写真用感光体に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法による
ことが好ましい。In the present invention, in order to effectively achieve the object, the surface layer 1104 is produced by a vacuum deposition film forming method, by appropriately setting numerical conditions of film forming parameters so as to obtain desired characteristics. . Specifically, for example, glow discharge method (low-frequency CVD method, high-frequency CVD method, alternating-current discharge CVD method such as microwave CVD method, or direct-current discharge CVD method), sputtering method, vacuum deposition method, ion plating method, It can be formed by various thin film deposition methods such as a photo CVD method and a thermal CVD method.
These thin film deposition methods are appropriately selected and adopted depending on factors such as manufacturing conditions, load level under capital investment, manufacturing scale, and desired characteristics of the electrophotographic photoreceptor to be manufactured. From the viewpoint of productivity, it is preferable to use the same deposition method as for the photoconductive layer.

【０１００】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガス、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電が
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
１１０３を形成した支持体１１０１上にａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。For example, a-Si is formed by the glow discharge method.
In order to form the surface layer 1104 made of C: H, X, basically, a source gas for supplying Si, which can supply silicon atoms (Si), and a source for supplying C, which can supply carbon atoms (C). A gas and a source gas for supplying H, which can supply hydrogen atoms (H), and / or a source gas for supplying X, which can supply halogen atoms (X), are contained in a desired gas in a reaction vessel in which the inside pressure can be reduced. A-SiC: on the support 1101 on which the photoconductive layer 1103 previously placed at a predetermined position has been formed by introducing glow discharge in the reaction vessel to cause glow discharge.
A layer made of H and X may be formed.

【０１０１】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。When the surface layer is composed mainly of a-SiC, the amount of carbon is preferably in the range of 30% to 90% with respect to the sum of silicon atoms and carbon atoms.

【０１０２】また、本発明において表面層１１０４中に
水素原子及び／またはハロゲン（好ましくはフッ素）原
子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原
子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特
性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であ
る。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合
３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適に
は４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、ハロゲ
ン原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原
子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜
４原子％とするのが望ましい。Further, in the present invention, it is necessary that the surface layer 1104 contains hydrogen atoms and / or halogen (preferably fluorine) atoms, which compensates for dangling bonds of silicon atoms and improves the layer quality. Is essential to improve the photoconductive property and the charge retention property. The hydrogen content is usually 30 to 70 atom%, preferably 35 to 65 atom%, and most preferably 40 to 60 atom% with respect to the total amount of the constituent atoms. The content of halogen atoms is usually 0.01 to 15 atom%, preferably 0.1 to 10 atom%, and most preferably 0.6 to 10 atom%.
It is desirable to set it to 4 atom%.

【０１０３】水素及び／またはハロゲン原子含有量がこ
の範囲内で形成される感光体は、従来に比べ格段に優れ
ている。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリ
コン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真
用感光体の特性に悪影響を及ぼすことが知られている。
この悪影響としては、例えば自由表面から光導電層への
電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高
い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性
の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光導電層によ
り表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷
がトラップされることにより繰り返し使用時の残像現象
の発生等が挙げられる。A photoreceptor having a hydrogen and / or halogen atom content within this range is remarkably superior to conventional ones. That is, it is known that defects existing in the surface layer (mainly dangling bonds of silicon atoms and carbon atoms) adversely affect the characteristics of the electrophotographic photoreceptor.
The adverse effects include, for example, deterioration of charging characteristics due to injection of charges from the free surface to the photoconductive layer, fluctuations of charging characteristics due to changes in surface structure under use environment, for example, high humidity, and during corona charging. Charges are injected into the surface layer by the photoconductive layer at the time of light irradiation, and the charges are trapped in the defects in the surface layer, so that an afterimage phenomenon occurs during repeated use.

【０１０４】しかしながら表面層内の水素含有量を３０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性及び高速連続
使用性が飛躍的に向上する。However, if the hydrogen content in the surface layer is 30
By controlling the content to be atomic% or more, the defects in the surface layer are significantly reduced, and as a result, the electrical characteristics and high-speed continuous usability are dramatically improved as compared with the conventional one.

【０１０５】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる場合がある。したがって、
表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが
格段に優れた電子写真特性を得る上で非常に重要な因子
の１つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ₂ ガスの流
量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し
得る。On the other hand, when the hydrogen content in the surface layer is 71 atomic% or more, the hardness of the surface layer is lowered, and repeated use may not be possible. Therefore,
Controlling the hydrogen content in the surface layer within the above-mentioned range is one of the very important factors in obtaining remarkably excellent electrophotographic characteristics. The hydrogen content in the surface layer can be controlled by the flow rate of H ₂ gas, the temperature of the support, the discharge power, the gas pressure and the like.

【０１０６】また、表面層中のハロゲン原子含有量を
０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内の
シリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達
成することが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン
原子は、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素
原子の結合の切断を効果的に防止する働きもある。Further, by controlling the halogen atom content in the surface layer to be in the range of 0.01 atom% or more, it is possible to more effectively achieve the generation of the bond between the silicon atom and the carbon atom in the surface layer. Becomes Furthermore, the halogen atom in the surface layer also has a function of effectively preventing the breaking of the bond between the silicon atom and the carbon atom due to damage such as corona.

【０１０７】一方、表面層中のハロゲン原子含有量が１
５原子％を越えると表面層内のシリコン原子と炭素原子
の結合の発生の効果及びシリコン原子と炭素原子の結合
の切断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さ
らに、過剰のハロゲン原子が表面層中のキャリアの走行
性を阻害するため、残留電位や光メモリーが顕著に現れ
てくる。したがって、表面層中のハロゲン含有量を前記
範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で
重要な因子の一つである。表面層中のハロゲン含有量
は、水素含有量と同様にＨ₂ ガスの流量、支持体温度、
放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。On the other hand, the content of halogen atoms in the surface layer is 1
If it exceeds 5 atomic%, the effect of generating a bond between a silicon atom and a carbon atom in the surface layer and the effect of preventing the breakage of the bond between a silicon atom and a carbon atom are hardly recognized. Furthermore, the excess halogen atoms impede the mobility of the carriers in the surface layer, so that the residual potential and the optical memory become prominent. Therefore, controlling the halogen content in the surface layer within the above range is one of the important factors for obtaining desired electrophotographic characteristics. The halogen content in the surface layer is the same as the hydrogen content, such as the flow rate of H ₂ gas, the support temperature,
It can be controlled by discharge power, gas pressure and the like.

【０１０８】表面層の形成において使用されるシリコン
（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ
₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取
り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓ
ｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。As a substance which can be used as a gas for supplying silicon (Si) used in the formation of the surface layer, SiH
_{4, Si 2 H 6, Si} 3 H 8, Si 4 gas state of H _10, etc., or silicon hydride can be gasified (silanes) can be mentioned as being effectively used, further handling during layer produced SiH ₄ , S in terms of easiness and good Si supply efficiency
i ₂ H ₆ is preferred. In addition, if necessary, the raw material gas for supplying Si may be H ₂ , He,
It may be diluted with a gas such as Ar or Ne before use.

【０１０９】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ 、Ｃ₃ Ｈ₈ 、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ が好ましい
ものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用してもよい。As a substance that can be a gas for supplying carbon,
CH_Four , C₂ H₆ , C₃ H₈ , C_FourH_TenGas state such as
, Or gasifiable hydrocarbons are effectively used
And the easiness of handling during layer preparation, S
i In terms of good supply efficiency, CH _Four , C₂ H₆ Is preferred
It is mentioned as a thing. In addition, these raw materials for supplying C
Gas as needed H₂ For gases such as He, Ar, Ne, etc.
You may use it after diluting it more.

【０１１０】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ 、Ｈ₂ Ｏ、Ｏ
₂ 、ＣＯ、ＣＯ₂ 、Ｎ₂ 等のガス状態の、またはガス化
し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。Examples of substances that can be used as a gas for supplying nitrogen or oxygen include NH ₃ , NO, N ₂ O, NO ₂ , H ₂ O and O.
_The compounds in the gas state such as ₂ , CO, CO ₂ , N ₂ or the like, which can be gasified, are mentioned as being effectively used. In addition, these raw material gases for supplying nitrogen and oxygen may be diluted with a gas such as H ₂ , He, Ar, and Ne as needed before use.

【０１１１】また、形成される表面層１１０４中に導入
される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易にする
ために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子
を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成するこ
とが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の
混合比で複数種混合しても差し支えないものである。Further, in order to further facilitate control of the introduction ratio of hydrogen atoms introduced into the surface layer 1104 to be formed, hydrogen gas or a silicon compound gas containing hydrogen atoms may be added in a desired amount. It is preferable to mix and form a layer. Further, each gas may be mixed not only with one kind but also with plural kinds at a predetermined mixing ratio.

【０１１２】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。As a raw material gas for supplying halogen atoms, for example, a halogen gas, a halide, an interhalogen compound containing halogen, a halogen-substituted silane derivative, or the like, or a gaseous or gasifiable halogen compound is preferably used. . Further, a gaseous or gasifiable silicon hydride compound containing a halogen atom, which contains silicon atoms and a halogen atom as constituent elements, can also be cited as an effective one.

【０１１３】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、
ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えば
ＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。Halogen compounds that can be preferably used in the present invention include fluorine gas (F ₂ ), Br.
F, ClF, ClF ₃ , BrF ₃ , BrF ₅ , IF ₃ ,
Interhalogen compounds such as IF ₇ can be mentioned. As a silicon compound containing a halogen atom, a so-called silane derivative substituted with a halogen atom, specifically, silicon fluorides such as SiF ₄ and Si ₂ F ₆ can be mentioned as preferable examples.

【０１１４】表面層１１０４中に含有される水素原子及
び／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１１０１の温度、水素原子及び／またはハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。In order to control the amount of hydrogen atoms and / or halogen atoms contained in the surface layer 1104, for example, the temperature of the support 1101, the raw material used for containing hydrogen atoms and / or halogen atoms. The amount to be introduced into the reaction container, the discharge power, and the like may be controlled.

【０１１５】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されてい
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。The carbon atoms and / or oxygen atoms and / or nitrogen atoms may be uniformly contained in the surface layer, or may be nonuniform so that the content changes in the thickness direction of the surface layer. There may be a portion having a different distribution.

【０１１６】さらに本発明においては、表面層１１０４
には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させるこ
とが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１０
４中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向には不均一な状態で含有している
部分があってもよい。Further, in the present invention, the surface layer 1104
It is preferable to contain an atom for controlling conductivity as necessary. Atoms that control conductivity are surface layer 110.
4 may be contained in a state of being evenly distributed evenly in 4, or there may be a portion containing in an uneven state in the layer thickness direction.

【０１１７】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族原子または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族原子を用いるこ
とができる。Examples of the atoms for controlling the conductivity include so-called impurities in the field of semiconductors, which are group IIIb atoms of the periodic table giving the p-type conductivity or the periodic table elements giving the n-type conductivity. Group Vb atoms can be used.

【０１１８】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。Specific examples of the group IIIb atom include boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In) and thallium (Tl), and B, Al and Ga are particularly preferable. It is suitable. As the group Vb atom,
Specifically, phosphorus (P), arsenic (As), antimony (S)
b), bismuth (Bi), etc., and P and As are particularly preferable.

【０１１９】表面層１１０４に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１
×１０³ 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×
１０ ² 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原
子ｐｐｍである。伝導性を制御する原子、例えば第IIIb
族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、
層形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、表面層１１０４を形成するための他のガスと共に導
入してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものを採用するのが望まし
い。そのような第IIIb族原子導入用の原料物質としては
具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄
Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆
Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ 、
ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、ＴｌＣｌ
₃ 等も挙げることができる。Control the conductivity contained in the surface layer 1104
The content of atoms contained is preferably 1 × 10^-3~ 1
× 10³ Atomic ppm, more preferably 1 × 10^-2~ 5x
10 ² Atomic ppm, optimally 1 x 10^-1~ 1 x 10² original
Ppm of child. Atoms that control conductivity, eg IIIb
To introduce a group atom or a group Vb atom structurally,
At the time of layer formation, a raw material for introducing a Group IIIb atom or
A raw material for introducing a Group Vb atom in a gas state in a reaction vessel
With other gases to form the surface layer 1104.
Just put it in. Raw material for introducing Group IIIb atoms
Or as a raw material for introducing a Group Vb atom
Is a gas at room temperature and pressure, or at least a layer-forming strip.
It is desirable to adopt one that can be easily gasified under the circumstances.
Yes. As a raw material for introducing such a Group IIIb atom,
Specifically, for introducing a boron atom, B₂ H₆ , B_Four 
H_Ten, B_Five H₉ , B_Five H₁₁, B₆ H_Ten, B₆ H₁₂, B₆ 
H₁₄Borohydride, BF, etc.₃ , BCl₃ , BBr₃ Etc.
Examples thereof include boron halide. In addition, AlCl₃ ,
GaCl₃ , Ga (CH₃ )₃ , InCl₃ , TlCl
₃ Etc. can also be mentioned.

【０１２０】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、
ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ
₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、Ｂ
ｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。As a raw material for introducing a group Vb atom, it is effective to use PH ₃ , P for introducing a phosphorus atom.
₂ H ₄ etc. Phosphorus hydride, PH ₄ I, PF ₃ , PF ₅ , PC
Examples thereof include phosphorus halides such as l ₃ , PCl ₅ , PBr ₃ , PBr ₅ , and PI ₃ . In addition, AsH ₃ , AsF ₃ ,
AsCl ₃ , AsBr ₃ , AsF ₅ , SbH ₃ , SbF
₃ , SbF ₅ , SbCl ₃ , SbCl ₅ , BiH ₃ , B
iCl ₃ , BiBr _{3 and the} like can also be mentioned as effective starting materials for introducing a Group Vb atom.

【０１２１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。Further, these raw materials for atom introduction for controlling the conductivity may be diluted with a gas such as H ₂ , He, Ar, Ne or the like, if necessary.

【０１２２】表面層１１０４の層厚としては、通常０．
０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には
０．１〜１μｍとされるのが望ましいものである。層厚
が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用中に摩耗等の
理由により表面層が失われてしまい、３μｍを越えると
残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる。The surface layer 1104 usually has a thickness of 0.
It is desirable that the thickness is in the range of 0.01 to 3 μm, preferably 0.05 to 2 μm, and most preferably 0.1 to 1 μm. If the layer thickness is less than 0.01 μm, the surface layer is lost due to abrasion or the like during use of the photoconductor, and if it exceeds 3 μm, electrophotographic properties such as increase in residual potential are deteriorated.

【０１２３】表面層１１０４は、その要求される特性が
所望通りに得られるように注意深く形成される。すなわ
ち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、Ｈ及び／
またはハロゲンを構成要素とする表面層は、その形成条
件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態
を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性ま
での間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、
目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成されるよ
うに、その形成条件の選択が厳密になされる。The surface layer 1104 is carefully formed so that its required properties are obtained as desired. That is, Si, C and / or N and / or O, H and /
Alternatively, the surface layer containing halogen as a structural element structurally takes a form from crystalline to amorphous depending on the forming conditions, and has electrical properties such as conductivity, conductivity, semiconductivity, and insulation. Since each of the properties from the photoconductive property to the non-photoconductive property is shown, in the present invention,
The formation conditions are selected strictly so that a compound having desired properties depending on the purpose is formed.

【０１２４】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。For example, in order to provide the surface layer 1104 mainly for the purpose of improving the pressure resistance, it is manufactured as a non-single-crystal material having a remarkable electric insulating behavior in the use environment.

【０１２５】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１１０４を設ける場
合には、上記の電気絶縁性の度合いはある程度緩和さ
れ、照射される光に対してある程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。Further, when the surface layer 1104 is provided mainly for the purpose of improving continuous repeated use characteristics and use environment characteristics, the above-mentioned degree of electrical insulation is alleviated to some extent, and sensitivity to irradiation light is made to some extent. Is formed as a non-single crystal material having.

【０１２６】さらに、表面層の低抵抗による画像流れを
防止し、あるいは残留電位等の影響を防止するために、
一方では帯電効率を良好にするために、層作製に際し
て、その抵抗値が１×１０¹⁰〜１×¹⁵Ωｃｍとなるよう
に適宜に制御することが好ましい。Further, in order to prevent the image deletion due to the low resistance of the surface layer or the influence of the residual potential,
On the other hand, in order to improve the charging efficiency, it is preferable to appropriately control the resistance of the layer so as to be 1 × 10 ¹⁰ to 1 × ¹⁵ Ωcm when the layer is formed.

【０１２７】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を、適宜設定する必要がある。In order to form the surface layer 1104 having the characteristics capable of achieving the object of the present invention, the temperature of the support 1101
It is necessary to set the gas pressure in the reaction container appropriately.

【０１２８】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。The temperature (Ts) of the support 1101 is appropriately selected according to the layer design, but is preferably 200 to 350 ° C, more preferably 230 to 330 ° C.
Optimally, the temperature is preferably 250 to 300 ° C.

【０１２９】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ ^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。The gas pressure in the reaction vessel was also designed to be a layer.
Therefore, the optimum range is appropriately selected, but in the normal case, it is preferable.
It is 1 × 10^-Four10 Torr, more preferably 5 ×
10 ^-Four~ 5 Torr, optimally 1 x 10^-3~ 1 Torr
Is preferred.

【０１３０】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成
すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決め
るのが望ましい。In the present invention, the above-mentioned ranges are mentioned as desirable numerical ranges of the temperature of the support and the gas pressure for forming the surface layer, but the conditions are not usually decided independently and independently, It is desirable to determine the optimum value on the basis of mutual and organic relationships so as to form a photoreceptor having characteristics.

【０１３１】さらに本発明においては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有
効である。Further, in the present invention, it is also possible to provide a blocking layer (lower surface layer) having a lower content of carbon atoms, oxygen atoms and nitrogen atoms than the surface layer between the photoconductive layer and the surface layer (charging ability, etc.). It is effective for further improving the characteristics of.

【０１３２】また表面層１１０４と光導電層１１０３と
の間に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少するよ
うに変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と
光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射による
干渉の影響をより少なくすることができる。Further, a region where the content of carbon atoms and / or oxygen atoms and / or nitrogen atoms changes so as to decrease toward the photoconductive layer 1103 is provided between the surface layer 1104 and the photoconductive layer 1103. Good. This can improve the adhesion between the surface layer and the photoconductive layer, and further reduce the influence of interference due to the reflection of light at the interface.

【０１３３】本発明で用いる電子写真用感光体において
は、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側
からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層
を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注
入阻止層は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面
に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入され
るのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受け
た際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性
依存性を有している。そのような機能を付与するため
に、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電
層に比べ比較的多く含有させる。In the electrophotographic photoreceptor used in the present invention, a charge injection blocking layer having a function of blocking charge injection from the conductive support side is provided between the conductive support and the photoconductive layer. Is more effective. That is, the charge injection blocking layer has a function of blocking the injection of charges from the support side to the photoconductive layer side when the photosensitive layer receives a charging treatment of a constant polarity on its free surface, and has a reverse polarity. Such a function is not exhibited when it is subjected to a charging treatment, and it has so-called polarity dependence. In order to impart such a function, the charge injection blocking layer contains a relatively large number of atoms for controlling conductivity as compared with the photoconductive layer.

【０１３４】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、ある
いは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。The conductivity-controlling atoms contained in the layer may be evenly distributed in the layer, or they may be uniformly distributed in the layer thickness direction, but not There may be a portion that contains it in a uniformly distributed state. When the distribution concentration is non-uniform, it is preferable that the content is so distributed as to be distributed more on the support side.

【０１３５】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。However, in any case, it is necessary that the particles are uniformly distributed in the in-plane direction parallel to the surface of the support in order to make the characteristics uniform in the in-plane direction. .

【０１３６】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIb族原子またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ
ｂ族原子を用いることができる。The atoms contained in the charge injection blocking layer for controlling the conductivity include so-called impurities in the field of semiconductors, and the group IIIb atom of the periodic table or the n-type conductivity characteristic giving the p-type conductivity. Periodic table giving V
Group b atoms can be used.

【０１３７】第IIIb族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。As the group IIIb atom, specifically, B
There are (boron), Al (aluminum), Ga (gallium), In (indium), Ta (thallium), etc., and B, Al, and Ga are particularly preferable. Specific examples of the group Vb atom include P (phosphorus), As (arsenic), and Sb.
(Antimony), Bi (bismuth), etc., especially P,
As is preferred.

【０１３８】電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、
好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好適には
５０〜５×１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０² 〜１
×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。The content of the atoms for controlling the conductivity contained in the charge injection blocking layer is appropriately determined as desired so that the object of the present invention can be effectively achieved.
Preferably 10 to 1 × 10 ⁴ atomic ppm, more preferably 50 to 5 × 10 ³ atomic ppm, optimally 1 × 10 ² to 1
It is desirable that the concentration be × 10 ³ atomic ppm.

【０１３９】さらに電荷注入阻止層に、炭素原子、窒素
原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させることに
よって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他
の層との間の密着性を向上させることができる。Further, by incorporating at least one of carbon atom, nitrogen atom and oxygen atom into the charge injection blocking layer, the adhesion with other layers provided in direct contact with the charge injection blocking layer is improved. Can be made.

【０１４０】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されても
よいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含
有されることが面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。The carbon atoms, nitrogen atoms or oxygen atoms contained in the layer may be evenly distributed in the layer or may be contained evenly in the layer thickness direction. There may be a portion containing the non-uniformly distributed state. However, in any case, in the in-plane direction parallel to the surface of the support, it is necessary that the content be evenly distributed so that the characteristics in the in-plane direction can be made uniform.

【０１４１】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／また
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定することができるが、一種の場合は
その量として、二種以上の場合はその総和として、好ま
しくは１×１０^-3〜５０原子％、より好適には５×１０
^-3〜３０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とす
るのが望ましい。The content of carbon atoms and / or nitrogen atoms and / or oxygen atoms contained in the entire layer region of the charge injection blocking layer in the present invention is appropriately determined so that the object of the present invention can be effectively achieved. However, it is preferably 1 × 10 ⁻³ to 50 atom%, more preferably 5 × 10 ³ as the amount in the case of one kind and the total amount in the case of two or more kinds.
^-3 to 30 atom%, optimally 1 × 10 ^-2 to 10 atom% is desirable.

【０１４２】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質を向上させる効果がある。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。The hydrogen atoms and / or halogen atoms contained in the charge injection blocking layer of the present invention have the effect of compensating for dangling bonds existing in the layer and improving the film quality.
The content of hydrogen atoms or halogen atoms or the sum of hydrogen atoms and halogen atoms in the charge injection blocking layer is preferably 1
It is desirable that the content is -50 atom%, more preferably 5-40 atom%, and most preferably 10-30 atom%.

【０１４３】電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特
性、及び経済的効果等を考慮し、好ましくは０．１〜５
μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５
〜３μｍとするのが望ましい。The layer thickness of the charge injection blocking layer is preferably 0.1 to 5 in consideration of desired electrophotographic characteristics and economic effects.
μm, more preferably 0.3 to 4 μm, optimally 0.5
It is desirable that the thickness is ˜3 μm.

【０１４４】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。To form the charge injection blocking layer in the present invention, a vacuum deposition method similar to the method for forming the photoconductive layer described above is employed.

【０１４５】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１１０３
と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反
応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１の
温度を適宜設定することが必要である。To form the charge injection blocking layer 105 having the characteristics capable of achieving the object of the present invention, the photoconductive layer 1103 is formed.
Similarly, it is necessary to appropriately set the mixing ratio of the gas for supplying Si and the diluent gas, the gas pressure in the reaction vessel, the discharge power, and the temperature of the support 1101.

【０１４６】希釈ガスであるＨ₂ 及び／またはＨｅの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ 及び／またはＨｅを、通
常１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５〜１
０倍の範囲に制御することが望ましい。The flow rate of the diluting gas H ₂ and / or He is appropriately selected in accordance with the layer design, but H ₂ and / or He is usually 1 to 20 times the Si supply gas, Preferably 3 to 15 times, optimally 5 to 1
It is desirable to control in the range of 0 times.

【０１４７】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。Similarly, the gas pressure in the reaction vessel is appropriately selected according to the layer design, but in the usual case, it is 1 × 1.
0 ^{−4 to} 10 Torr, preferably 5 × 10 ^{−4 to} 5 Torr
r, optimally 1 × 10 ^{−3 to} 1 Torr is preferable.

【０１４８】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
（ｓｃｃｍ）に対する放電電力（Ｗ）を、通常の場合１
〜７倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）、好ましくは２〜６倍（Ｗ／ｓ
ｃｃｍ）、最適には３〜５倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）の範囲に
設定することが望ましい。Similarly, the discharge power is appropriately selected in accordance with the layer design, and the optimum range is selected. The discharge power (W) with respect to the flow rate (sccm) of the gas for supplying Si is usually 1
~ 7 times (W / sccm), preferably 2 to 6 times (W / s)
ccm), and optimally 3 to 5 times (W / sccm).

【０１４９】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望
ましい。Further, the temperature of the support 1101 is appropriately selected in accordance with the layer design, but in the usual case, it is preferably 200 to 350 ° C., more preferably 23 ° C.
It is desirable that the temperature is 0 to 330 ° C., and optimally 250 to 300 ° C.

【０１５０】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層
作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。In the present invention, the desirable ranges of the mixing ratio of the diluent gas for forming the charge injection blocking layer, the gas pressure, the discharge power and the temperature of the support include the ranges described above. Are usually not independently determined separately, but it is desirable to determine the optimum value for each layer making factor based on mutual and organic relevance to form a surface layer having the desired properties.

【０１５１】この他に、本発明で用いる電子写真用感光
体においては、感光層１１０２の前記支持体１１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子まは／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布
状態で含有する層領域を有することが望ましい。In addition to this, in the electrophotographic photoreceptor used in the present invention, at least aluminum atoms, silicon atoms, hydrogen atoms or / and halogen atoms are provided in the layer thickness direction on the side of the support 1101 of the photosensitive layer 1102. It is desirable to have the layer regions contained in a non-uniform distribution.

【０１５２】また、電子写真用感光体の支持体１１０１
と光導電層１１０３あるいは電荷注入阻止層１１０５と
の間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ
₃ Ｎ ₄ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、あるいはシリコン原子を母
体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、炭素原
子及び／または酸素原子及び／または窒素原子とを含む
非晶質材料等で構成される密着層を設けてもよい。さら
に、前述のごとく、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。Further, the support 1101 of the electrophotographic photoconductor.
And a photoconductive layer 1103 or a charge injection blocking layer 1105
For the purpose of further improving the adhesiveness between
₃ N _Four , SiO₂ , SiO, or silicon atom
Body, hydrogen atom and / or halogen atom, carbon source
Containing a child and / or an oxygen atom and / or a nitrogen atom
An adhesion layer composed of an amorphous material or the like may be provided. Furthermore
As described above, the interference pattern due to the reflected light from the support
You may provide the light absorption layer for preventing the generation of.

【０１５３】次に、感光層を形成するための装置及び膜
形成方法について詳述する。Next, the apparatus and film forming method for forming the photosensitive layer will be described in detail.

【０１５４】図２は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による電子写真用感光体の製造装置の一例を示す
模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は以
下の通りである。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a high frequency plasma CVD method (hereinafter abbreviated as "RF-PCVD") using an RF band as a power supply frequency. The structure of the manufacturing apparatus shown in FIG. 2 is as follows.

【０１５５】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には
円筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒーター２１１
３、原料ガス導入管２１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス２１１５が接続されている。This apparatus is roughly classified into a deposition apparatus 210.
0, a source gas supply device 2200, and an exhaust device (not shown) for reducing the pressure inside the reaction vessel 2111. A cylindrical support 2112 and a support heating heater 211 are provided in a reaction vessel 2111 in the deposition apparatus 2100.
3, the source gas introduction pipe 2114 is installed, and the high frequency matching box 2115 is further connected.

【０１５６】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマ
スフローコントローラ２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応
容器２１１１内のガス導入管２１１４に接続されてい
る。The source gas supply device 2200 is made of SiH ₄ ,
Source gas cylinders 2221 to 2226 such as GeH ₄ , H ₂ , CH ₄ , B ₂ H ₆ , and PH ₃ and valves 2231 to 22
36, 2241 to 2246, 2251 to 2256, and mass flow controllers 2211 to 2216, and each source gas cylinder is connected to a gas introduction pipe 2114 in the reaction vessel 2111 via a valve 2260.

【０１５７】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。The deposited film can be formed using this apparatus, for example, as follows.

【０１５８】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置例えば（真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター２１１３により、円筒状支持体２１
１２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御
する。First, a cylindrical support 2112 is installed in the reaction vessel 2111 and the reaction vessel 2111 is evacuated by an exhaust device (not shown) such as a (vacuum pump). Then, the cylindrical support 21 is heated by the heater 2113 for heating the support.
The temperature of 12 is controlled to a predetermined temperature of 200 ° C to 350 ° C.

【０１５９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１及びガス配管２１１６
内を排気する。The source gas for forming the deposited film is supplied to the reaction vessel 211.
In order to make it flow into 1, the gas cylinder valves 2231-2
236, make sure that the leak valve 2117 of the reaction vessel is closed, and check the inflow valves 2241 to 224.
6, outflow valves 2251 to 2256, auxiliary valve 226
Make sure 0 is open, then first open main valve 2
118 is opened and the reaction vessel 2111 and the gas pipe 2116 are opened.
Exhaust the inside.

【０１６０】次に真空計２１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。Next, the reading of the vacuum gauge 2119 is about 5 × 10 ^-6.
When it becomes Torr, the auxiliary valve 2260 and the outflow valves 2251 to 2256 are closed.

【０１６１】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ² 調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー
２２１１〜２２１６内に導入する。Thereafter, the gases are introduced from the gas cylinders 2221 to 2226 by opening the valves 2231 to 2236,
Each pressure of 2kg by pressure regulators 2261 to 2266
/ Cm ² Adjust. Next, inflow valves 2241 to 224
6 is gradually opened to introduce each gas into the mass flow controllers 2211 to 2216.

【０１６２】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。After the preparation for film formation is completed as described above, each layer is formed by the following procedure.

【０１６３】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１
１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次にマス
フローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５を通
じて反応容器３１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放
電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器
内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体２１
１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成さ
れるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、Ｒ
Ｆ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器への
ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。When the cylindrical support 2112 reaches a predetermined temperature, the necessary ones of the outflow valves 2251 to 2256 and the auxiliary valve 2260 are gradually opened to supply a predetermined gas from the gas cylinders 2221 to 2226 to the gas introduction pipe 21.
It is introduced into the reaction vessel 2111 via 14. Next, the mass flow controllers 2211 to 2216 are adjusted so that each raw material gas has a predetermined flow rate. At that time, while watching the vacuum gauge 2119, the main valve 2 is adjusted so that the pressure in the reaction vessel 2111 becomes a predetermined pressure of 1 Torr or less.
Adjust the opening at 118. When the internal pressure is stable, an RF power supply (not shown) having a frequency of 13.56 MHz is set to a desired power, and RF power is introduced into the reaction vessel 3111 through the high frequency matching box 2115 to cause glow discharge. The raw material gas introduced into the reaction vessel is decomposed by this discharge energy, and the cylindrical support 21
This is where a predetermined deposited film containing silicon as a main component is formed on 12. After forming a desired film thickness, R
The supply of F electric power is stopped, the outflow valve is closed to stop the gas from flowing into the reaction vessel, and the formation of the deposited film is completed.

【０１６４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。By repeating the same operation a plurality of times, a desired light-receiving layer having a multilayer structure is formed.

【０１６５】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられている。また、それぞ
れのガスが反応容器２１１１内、流出バルブ２２５１〜
２２５６から反応容器２１１１に至る配管内に残留する
ことを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５６を
閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ
２１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作
を必要に応じて行う。When forming each layer, all the outflow valves except the gas required are closed. In addition, each gas is discharged into the reaction vessel 2111 and the outflow valves 2251 to 2251.
In order to avoid remaining in the pipe extending from 2256 to the reaction vessel 2111, the outflow valves 2251 to 2256 are closed, the auxiliary valve 2260 is opened, and the main valve 2118 is fully opened to once exhaust the system to a high vacuum. Do as needed.

【０１６６】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、支持体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。Further, in order to make the film formation uniform, it is also effective to rotate the support 2112 at a predetermined speed by a driving device (not shown) while forming the layers.

【０１６７】さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各
々の層の作製条件にしたがって適宜変更が加えられる。Further, the above-mentioned gas species and valve operation may be appropriately changed according to the production conditions of each layer.

【０１６８】次に電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高周
波プラズマＣＶＤ法（以後「ＶＦＨ−ＰＣＶＤ」と略記
する）法によって形成される画像形成応用感光体の製造
方法について説明する。Next, a method of manufacturing an image forming application photosensitive member formed by a high frequency plasma CVD method (hereinafter abbreviated as “VFH-PCVD”) using a VHF band frequency as a power source will be described.

【０１６９】図２の堆積装置２１００部分を、図３に示
す堆積装置３１００に交換して原料ガス供給装置２２０
０と接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電
子写真用感光体製造装置とすることができる。The portion of the deposition apparatus 2100 of FIG. 2 is replaced with the deposition apparatus 3100 shown in FIG.
By connecting to 0, the electrophotographic photosensitive member manufacturing apparatus by the VHF-PCVD method can be obtained.

【０１７０】この装置は大別すると、真空気密化構造の
反応容器３１１１、原料ガスの供給装置２２００、及び
反応容器内を減圧にするための排気装置（不図示）から
構成されている。反応容器３１１１内には円筒状支持体
３１１２、支持体加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導
入管（不図示）、電極３１１５が設置され、電極にはさ
らに高周波マッチングボックス３１１６が接続されてい
る。また、反応容器３１１１内は排気管３１２１を通じ
て不図示の拡散ポンプに接続されている。This apparatus is roughly divided into a reaction vessel 3111 having a vacuum-tight structure, a source gas supply apparatus 2200, and an exhaust apparatus (not shown) for reducing the pressure inside the reaction vessel. A cylindrical support 3112, a heater 3113 for heating the support, a source gas introduction pipe (not shown), and an electrode 3115 are installed in the reaction vessel 3111, and a high-frequency matching box 3116 is further connected to the electrode. Further, the inside of the reaction container 3111 is connected to a diffusion pump (not shown) through an exhaust pipe 3121.

【０１７１】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄、 Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマ
スフローコントローラー２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応
容器３１１１内のガス導入管（不図示）に接続されてい
る。また、円筒状支持体３１１２によって取り囲まれた
空間３１３０が放電空間を形成している。The source gas supply device 2200 is made of SiH ₄ ,
_{GeH 4, H 2, CH 4} , B 2 H 6, a cylinder of the source gas PH _3, etc. 2221-2226 and valve 2231-22
36, 2241 to 2246, 2251 to 2256, and mass flow controllers 2211 to 2216, and the cylinders of the source gases are connected to a gas introduction pipe (not shown) in the reaction vessel 3111 via a valve 2260. A space 3130 surrounded by the cylindrical support 3112 forms a discharge space.

【０１７２】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。The deposition film formation by this apparatus by the VHF-PCVD method can be performed as follows.

【０１７３】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって支持体３
１１２を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１を介し
て排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター３
１１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００℃乃
至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。First, the cylindrical support 3112 is installed in the reaction vessel 3111, and the support 3 is driven by the drive unit 3120.
112 is rotated and the inside of the reaction container 3111 is exhausted through an exhaust pipe 3121 by an exhaust device (not shown) (for example, a vacuum pump), and the pressure inside the reaction container 3111 is 1 × 10 ⁻⁷ To.
Adjust to rr or less. Then, the heater 3 for heating the support.
The temperature of the cylindrical support 3112 is heated and maintained at a predetermined temperature of 200 ° C. to 350 ° C. by 113.

【０１７４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２
４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３１１１及びガス配管（不
図示）内を排気する。The source gas for forming the deposited film is supplied to the reaction vessel 311.
In order to make it flow into 1, the gas cylinder valves 2231-2
236, make sure that the leak valve (not shown) of the reaction vessel is closed, and check the inflow valves 2241-22
46, outflow valves 2251 to 2256, auxiliary valve 22
After confirming that 60 is open, first, the main valve (not shown) is opened to evacuate the reaction vessel 3111 and the gas pipe (not shown).

【０１７５】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。Next, the reading of the vacuum gauge (not shown) is about 5 × 10.
At the time of ^-6 Torr, the auxiliary valve 2260 and the outflow valves 2251 to 2256 are closed.

【０１７６】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ² に調整する。次に流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー
２２１１〜２２１６内に導入する。Thereafter, the gases are introduced from the gas cylinders 2221 to 2226 by opening the valves 2231 to 2236,
Each pressure of 2kg by pressure regulators 2261 to 2266
Adjust to / cm ² . Next, inflow valves 2241 to 224
6 is gradually opened to introduce each gas into the mass flow controllers 2211 to 2216.

【０１７７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１５上に各層の
形成を行う。After the preparation for film formation is completed as described above, each layer is formed on the cylindrical support 3115 as follows.

【０１７８】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管（不
図示）を介して反応容器３１１１内の放電空間３１３０
に導入する。次にマスフローコントローラー２２１１〜
２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔ
ｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）
を見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。When the cylindrical support 3112 reaches a predetermined temperature, necessary ones of the outflow valves 2251 to 2256 and the auxiliary valve 2260 are gradually opened, and a predetermined gas is supplied from the gas cylinders 2221 to 2226 to the gas introduction pipe (not connected). Discharge space 3130 in the reaction vessel 3111 via
To introduce. Next, mass flow controller 2211
2216), each raw material gas is adjusted to have a predetermined flow rate. At that time, the pressure in the discharge space 3130 is 1T.
Vacuum gauge (not shown) so that the specified pressure is less than orr
While watching, adjust the opening of the main valve (not shown).

【０１７９】圧力が安定したところで、例えば周波数５
００ＭＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定
して、マッチングボックス３１１６を通じて放電空間３
１３０にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させ
る。かくして支持体３１１２により取り囲まれた放電空
間３１３０において、導入された原料ガスは、放電エネ
ルギーにより励起され解離し、円筒状支持体３１１２上
に所定の堆積膜が形成される。このとき、層形成の均一
化を図るため支持体回転用モーター３１２０によって、
所望の回転速度で回転させる。When the pressure becomes stable, for example, frequency 5
The VHF power supply (not shown) of 00 MHz is set to a desired power, and the discharge space 3 is supplied through the matching box 3116.
VHF power is introduced into 130 to cause glow discharge. Thus, in the discharge space 3130 surrounded by the support 3112, the introduced source gas is excited by discharge energy and dissociated, so that a predetermined deposited film is formed on the cylindrical support 3112. At this time, in order to make the layer formation uniform, by the support rotation motor 3120,
Rotate at desired rotation speed.

【０１８０】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。After the desired film thickness is formed, the supply of VHF power is stopped, the outflow valve is closed to stop the gas from flowing into the reaction vessel, and the formation of the deposited film is completed.

【０１８１】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。By repeating the same operation a plurality of times, a photosensitive layer having a desired multilayer structure is formed.

【０１８２】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられている。また、それぞ
れのガスが反応容器３１１１内、流出バルブ２２５１〜
２２５６から反応容器３１１１に至る配管内に残留する
ことを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５６を
閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ
（不図示）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操
作を必要に応じて行う。When forming each layer, all the outflow valves except the gas required are closed. In addition, each gas flows into the reaction vessel 3111 and the outflow valves 2251 to 2251.
In order to avoid remaining in the pipe from 2256 to the reaction vessel 3111, the outflow valves 2251 to 2256 are closed, the auxiliary valve 2260 is opened, and the main valve (not shown) is fully opened to once bring the system into a high vacuum. Evacuate if necessary.

【０１８３】上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の
作製条件にしたがって変更が加えられる。The above-mentioned gas species and valve operation are changed according to the production conditions of each layer.

【０１８４】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下が好ましい。In either method, the temperature of the support during the formation of the deposited film is particularly 200 ° C. or higher and 350 ° C. or lower, preferably 230 ° C. or higher and 330 ° C. or lower, and more preferably 250.
C. or higher and 300.degree. C. or lower are preferable.

【０１８５】支持体加熱用ヒーターは、真空仕様である
発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーター
の巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒータ
ー等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ
等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交
換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材
質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金
属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用するこ
とができる。The heater for heating the support may be any heating element having a vacuum specification, and more specifically, electric resistance heating elements such as a wound heater of a sheath heater, a plate heater, a ceramic heater, a halogen lamp, an infrared ray. Examples include a heat-radiating lamp heating element such as a lamp, and a heating element using a heat exchange means with a liquid, gas or the like as a heating medium. As the surface material of the heating means, metals such as stainless steel, nickel, aluminum and copper, ceramics, heat resistant polymer resin and the like can be used.

【０１８６】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。In addition to the above, there is used a method in which a container for heating is provided in addition to the reaction container, and after heating, the support is conveyed into the reaction container in a vacuum.

【０１８７】また、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放電空
間の圧力は、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏ
ｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３００ｍＴ
ｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下に設定することが望ましい。The pressure in the discharge space in the VHF-PCVD method is preferably 1 mTorr or more and 500 mTo.
rr or less, more preferably 3 mTorr or more and 300 mT
orr or less, most preferably 5 mTorr or more and 100 m
It is desirable to set it to less than Torr.

【０１８８】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないなら
ばいずれのものでもよいが、実用上は直径１ｍｍ以上１
０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。このとき、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。In the VHF-PCVD method, the size and shape of the electrodes provided in the discharge space may be any as long as they do not disturb the discharge, but in practical use the diameter is 1 mm or more and 1 mm or more.
A cylindrical shape of 0 cm or less is preferable. At this time, the length of the electrode can also be arbitrarily set as long as the electric field is uniformly applied to the support.

【０１８９】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならば何れのものでもよく、例えばステンレス、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を
導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等が通
常使用される。The material of the electrode may be any as long as it has a conductive surface, for example, stainless steel, A
l, Cr, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Ti,
Metals such as Pt, Pb, and Fe, alloys of these, and glass, ceramics, and plastics whose surface is subjected to a conductive treatment are usually used.

【０１９０】[0190]

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

【０１９１】［実施例１］図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用感光体の製造装置を用い、直径１０８
ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、
表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層か
らなる感光体を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ₄ と
Ｈ₂ との混合比、Ｂ₂ Ｈ₆ 導入量ならびに放電電力を変
えることによって、種々の感光体を作製した。[Embodiment 1] A diameter of 108 was obtained by using the apparatus for producing an electrophotographic photosensitive member by the RF-PCVD method shown in FIG.
On an aluminum cylinder with a mirror-finished surface of mm,
Under the conditions shown in Table 1, a photoreceptor having a charge injection blocking layer, a photoconductive layer and a surface layer was prepared. Further, various photoconductors were prepared by changing the mixing ratio of SiH ₄ and H _{2 in the} photoconductive layer, the amount of B ₂ H ₆ introduced and the discharge power.

【０１９２】[0192]

【表１】 一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板
（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上
に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を
堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌのくし型電極
を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー
（Ｅｕ）と局在状態密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）を測定し、Ｓ
ｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外吸
収スペクトル）により含有水素量を測定した。[Table 1] On the other hand, an a-Si film having a thickness of about 1 μm was deposited on a glass substrate (Corning 7059) and a Si wafer placed on a cylindrical sample holder under the conditions for producing a photoconductive layer. A comb-shaped electrode of Al was vapor-deposited on the deposited film on the glass substrate, the characteristic energy (Eu) of the exponential tail and the localized density of states (DOS) were measured by CPM, and S
The amount of hydrogen contained in the deposited film on the i-wafer was measured by FTIR (Fourier transform infrared absorption spectrum).

【０１９３】そして、プロセススピード、ブレードの自
由長Ｌ、厚さＤ及び押しつけ総圧力Ｐを変化できるよう
に改造した図１に示すような電子写真装置（キヤノン製
ＮＰ６０６０をテスト用に改造）に、作製した感光体を
セットして、帯電能、温度特性、メモリー、画像流れを
評価した。Then, the electrophotographic apparatus as shown in FIG. 1 (Canon NP6060 was modified for testing) was modified so that the process speed, the free length L of the blade, the thickness D and the total pressing pressure P could be changed. The prepared photoconductor was set, and the charging ability, temperature characteristics, memory, and image deletion were evaluated.

【０１９４】このときのＥｕと温度特性との関係を図５
に、Ｄ．Ｏ．Ｓ．とメモリー、画像流れとの関係を図
６、図７に示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０
〜３０原子％の間であった。FIG. 5 shows the relationship between Eu and the temperature characteristic at this time.
D. O. S. 6 and FIG. 7 show the relationship between the image and the memory and image flow. The hydrogen content of each sample is 10
Was between ~ 30 atomic%.

【０１９５】この結果から、Ｅｕが５０〜６０ｍｅＶ、
かつＤ．Ｏ．Ｓ．が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であ
る感光体が、好ましい特性を有することがわかった。From this result, Eu is 50-60 meV,
And D. O. S. It has been found that a photoreceptor having a value of 1 × 10 ¹⁴ to 1 × 10 ¹⁶ cm ⁻³ has preferable characteristics.

【０１９６】また、ＥｕおよびＤ．Ｏ．Ｓ．が上記範囲
にある感光体ａと範囲外の感光体ｂの帯電能のプロセス
スピード依存性を比較した結果を図８に示す。ここで、
図８の感光体ａは、Ｅｕが５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ．が
１×１０¹⁵ｃｍ^-3、感光体ｂは、Ｅｕが７０ｍｅＶ、
Ｄ．Ｏ．Ｓ．が１×１０¹⁷ｃｍ^-3である。測定は、帯電
能は感光体の温度を約４５℃、帯電器に流れる総電流を
約１ｍＡにしたときの現像器位置での暗部電位として、
プロセススピード依存性を測定した。In addition, Eu and D. O. S. FIG. 8 shows the result of comparing the process speed dependence of the charging ability of the photoconductor a having the above range with that of the photoconductor b outside the range. here,
The photoconductor a in FIG. 8 has Eu of 55 meV, D.I. O. S. Is 1 × 10 ¹⁵ cm ⁻³ , the photoconductor b has Eu of 70 meV,
D. O. S. Is 1 × 10 ¹⁷ cm ⁻³ . The measurement was carried out by measuring the chargeability as the dark part potential at the developing device position when the temperature of the photoconductor was about 45 ° C. and the total current flowing through the charger was about 1 mA.
The process speed dependence was measured.

【０１９７】また、感光体ａおよび感光体ｂについて帯
電能、メモリーに関して、Ｂ₂ Ｈ₆量依存性を測定し、
◎：非常に優れている、○：優れている、△：実用上問
題ない、×：劣るの基準で判定した結果を表２に示す。The chargeability of the photoconductors a and b and the B ₂ H ₆ amount dependency of the memory were measured,
⊚: Very good, ◯: Excellent, Δ: No problem in practical use, ×: Inferior.

【０１９８】[0198]

【表２】 図８および表２の結果から、プロセススピードの増加と
共に帯電能は減少するが、上記範囲の特性を有する感光
体ａは、範囲外の感光体ｂと比べ、帯電能そのものが高
いばかりでなく、プロセススピード依存性が小さいこと
がわかった。そのため、Ｂ₂ Ｈ₆ 量を多少多めに仕込ん
で帯電能が低下しても実使用上は問題にならない。ま
た、感光体ａにおいては、そもそもメモリーがほとんど
ないほど改善されているが、Ｂ₂ Ｈ₆ 量を多少多めに仕
込むことで、全くメモリーをなくしてしまうことも可能
である事がわかった。[Table 2] From the results of FIG. 8 and Table 2, the charging ability decreases as the process speed increases, but the photoconductor a having the characteristics in the above range is not only higher in charging ability itself than the photoconductor b outside the range, It was found that the process speed dependence was small. Therefore, even if the amount of B ₂ H ₆ is added a little more and the charging ability is lowered, there is no problem in practical use. Further, it has been found that the photosensitive member a is improved to the extent that there is almost no memory in the first place, but it is possible to eliminate the memory altogether by charging a slightly larger amount of B ₂ H ₆ .

【０１９９】［実施例２］実施例１の表１の条件で作製
した感光体で表面の突起の高さが０．０１ｍｍのもの
（感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１ｍｍを越
える突起の個数が１個以下であるものをいう。以下同様
に、例えば突起高さ０．０１５ｍｍの感光体とは、感光
体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１５ｍｍを越える
突起の個数が１個以下であるものをいう。）を用い、図
４に示すようなブレードにて、自由長Ｌ、厚さＤ、押し
つけ総圧力Ｐ及び硬度を変化させ、融着、クリーニング
性について評価した。その結果を図１２、図１３、図１
４、図１５、図１６に示す。[Example 2] A photosensitive member manufactured under the conditions shown in Table 1 of Example 1 having a surface protrusion height of 0.01 mm (a protrusion exceeding a height of 0.01 mm per 100 cm ² of the surface of the photosensitive member). Similarly, for example, a photoreceptor having a protrusion height of 0.015 mm means that the number of protrusions having a height of 0.015 mm or more per 100 cm ^{2 of} the photoreceptor surface is 1 or less. The free length L, the thickness D, the total pressing pressure P and the hardness were changed with a blade as shown in FIG. 4 to evaluate the fusing and cleaning properties. The results are shown in FIG. 12, FIG. 13, and FIG.
4, FIG. 15 and FIG.

【０２００】感光体表面の突起の高さの測定は、オリン
パス社製ディジタル式小型高倍率測定顕微鏡を用いて、
感光体表面と突起の先端にピントを合わせた際の対物レ
ンズの位置の差を測定して行った。The height of the protrusions on the surface of the photoconductor was measured using a digital small high-magnification measuring microscope manufactured by Olympus Corporation.
The difference in the position of the objective lens when the surface of the photoconductor and the tip of the protrusion were brought into focus was measured.

【０２０１】この結果から、ブレードの自由長をＬ（ｍ
ｍ）、厚さをＤ（ｍｍ）、押しつけ総圧力をＰ（ｇ）と
し、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．２ （３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５ （４）３００ ≦ Ｐ ≦ １０００ の条件を満たすときに融着、クリーニング性が良好であ
ることがわかった。ここで、Ｐ≧４００であっても、Ｌ
／Ｄ＞１であると、作用点がズレるなどの理由により、
融着レベルは悪い結果となっている。From this result, the free length of the blade is L (m
m), thickness is D (mm), total pressing pressure is P (g), (1) JIS hardness 68 degrees or more and 76 degrees or less (2) 0.2 ≤ L / D ≤ 1.2 (3) 0 .5 ≤ D ≤ 5 (4) It was found that when the conditions of 300 ≤ P ≤ 1000 are satisfied, the fusing and cleaning properties are good. Here, even if P ≧ 400, L
When / D> 1, due to a difference in the point of action,
The fusion level is poor.

【０２０２】［実施例３］感光体の表面の突起の高さを
異なるものを数種類用意し、図４に示すようなブレード
にて、表３のような設定Ａ（従来の設定範囲）と設定Ｂ
（本発明の設定範囲、但し硬度は不定）に対して、融
着、クリーニング性について評価した結果を図１０、図
１１に示す。[Embodiment 3] Several types of photosensitive drums having different heights of protrusions were prepared, and a blade as shown in FIG. 4 was used to set setting A (conventional setting range) as shown in Table 3. B
FIG. 10 and FIG. 11 show the results of evaluation of the fusing and cleaning properties for the (setting range of the present invention, but the hardness is indefinite).

【０２０３】[0203]

【表３】 図１０、図１１の結果から、ＪＩＳ硬度が高いブレード
は、融着に効果があるが、感光体表面の平均面に対する
突起部の高さが高い感光体を使用すると、ブレード欠け
によるクリーニング不良が発生しやすい。一方、ＪＩＳ
硬度が７３度のブレードは表面突起の高さが０．０１５
ｍｍ以下であれば、ブレード欠けによるクリーニング不
良は問題ないが、従来設定Ａでは融着に関して不満足の
結果である。一方、本発明の設定Ｂにおいては融着に関
しても問題のない事がわかった。即ち、本発明のブレー
ド条件を採用すると、表面突起の高さが０．０１５ｍｍ
の感光体に対しても、融着の問題と、欠けによるクリー
ニング不良の問題を同時に解決でき、従って、感光体製
造の歩留まりを向上できることがわかった。[Table 3] From the results of FIG. 10 and FIG. 11, a blade having a high JIS hardness is effective for fusing, but when a photoconductor having a high height of protrusions with respect to the average surface of the photoconductor surface is used, cleaning failure due to blade breakage occurs. Likely to happen. On the other hand, JIS
A blade with a hardness of 73 degrees has a surface projection height of 0.015
If the thickness is equal to or less than mm, there is no problem in cleaning failure due to blade breakage, but the conventional setting A results in unsatisfactory fusion. On the other hand, in the setting B of the present invention, it was found that there was no problem regarding fusion. That is, when the blade condition of the present invention is adopted, the height of the surface protrusion is 0.015 mm.
It was found that the problem of fusion bonding and the problem of defective cleaning due to chipping can be solved for the photoconductor of (1) at the same time, and thus the yield of photoconductor production can be improved.

【０２０４】［実施例４］次に、粒径、定着性の異なる
種々のトナーを用意し、突起部の高さが０．０１ｍｍの
感光体を用い、ブレードの設定を変えたものに対して、
融着の評価を行った結果を図１７、図１８に示す。定着
性とは、定着後の画像をシルボン紙で擦り取った際の擦
り取れ率で定義し、画像濃度をＤ０、擦り後濃度をＤ１
としたとき、（Ｄ０−Ｄ１）／Ｄ０×１００（％）で表
す量で、数値が大きいほど定着性が悪いことを意味す
る。[Embodiment 4] Next, various toners having different particle diameters and fixability were prepared, and a photosensitive member having a protrusion height of 0.01 mm was used and blade settings were changed. ,
The results of evaluation of fusion bonding are shown in FIGS. 17 and 18. Fixability is defined as the scraping rate when the image after fixing is scraped off with sillbon paper. The image density is D0, and the density after rubbing is D1.
Is the amount represented by (D0-D1) / D0 × 100 (%), and the larger the value, the poorer the fixability.

【０２０５】この結果から、トナー粒径が小さくなる
と、従来設定Ａでは融着に関して非常に不利であるが、
粒径０．００４ｍｍ以上のものでは、本発明の設定Ｂに
することで、融着に関して問題がなくなる。一方、トナ
ー粒径を大きくすると画質が低下するため、粒径は０．
００４〜０．００８ｍｍが良いことがわかった。また、
トナーの定着性が良くなると、従来設定Ａでは融着に関
して非常に不利であるが、本発明の設定Ｂにすること
で、融着に関して問題のない事がわかった。From this result, when the toner particle size becomes small, the conventional setting A is very disadvantageous in terms of fusion.
When the particle size is 0.004 mm or more, the setting B of the present invention eliminates the problem regarding fusion. On the other hand, if the toner particle size is increased, the image quality deteriorates.
It was found that 004 to 0.008 mm is preferable. Also,
It has been found that when the fixing property of the toner is improved, the conventional setting A is very disadvantageous with respect to the fusing, but the setting B of the present invention has no problem with the fusing.

【０２０６】［実施例５］ブレードを感光体の軸方向
（母線方向）に周期的に往復運動をさせる機構（レシプ
ロ機構ともいう）を設け、ＪＩＳ硬度７３度のブレード
を用い、ブレードの自由長Ｌを３ｍｍ、厚さＤを３ｍ
ｍ、押しつけ総圧力Ｐを４００ｇに設定し、実施例１と
同様に作製した感光体（Ｅｕが５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．
Ｓ．が１×１０¹⁵ｃｍ^-3、突起部の高さが０．０１ｍｍ
である感光体）を用い、粒径０．００７ｍｍ、定着性が
１０％であるトナーを用い、プロセススピード４００ｍ
ｍ／ｓｅｃで使用したところ、良好な電子写真特性が得
られた。即ち、レシプロ機構を設けることで、融着の問
題がさらに改善され、クリーニング性が向上する効果が
あった。[Embodiment 5] A mechanism (also referred to as a reciprocating mechanism) for periodically reciprocating the blade in the axial direction (generic direction) of the photosensitive member is provided, and a blade having a JIS hardness of 73 degrees is used. L is 3 mm, thickness D is 3 m
m, the total pressure P for pressing was set to 400 g, and a photoreceptor (Eu of 55 meV, D.O.
S. Is 1 × 10 ¹⁵ cm ^-3 and the height of the protrusion is 0.01 mm
, A toner having a particle size of 0.007 mm and a fixing property of 10%, and a process speed of 400 m
When used at m / sec, good electrophotographic characteristics were obtained. That is, the provision of the reciprocating mechanism has the effect of further improving the problem of fusion and improving the cleaning property.

【０２０７】［実施例６］実施例１と同様に作製した、
Ｅｕが５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ．が１×１０¹⁵ｃｍ^-3、
突起の高さが０．０２ｍｍである感光体の表面をラッピ
ングテープで研磨し、突起の高さを０．０１ｍｍにし
た。この感光体を用い、粒径０．００７ｍｍ、定着性が
１０％であるトナーを用い、ＪＩＳ硬度７３度のブレー
ドでブレードの自由長を３ｍｍ、厚さを３ｍｍ、押しつ
け総圧力を４００ｇに設定し、プロセススピード４００
ｍｍ／ｓｅｃで使用したところ、未研磨で突起部の高さ
が０．０１ｍｍであるものと同様に良好な電子写真特性
が得られた。[Embodiment 6] Fabrication was carried out in the same manner as in Embodiment 1,
Eu is 55 meV, D.I. O. S. Is 1 × 10 ¹⁵ cm ^-3 ,
The surface of the photoreceptor having a protrusion height of 0.02 mm was polished with a wrapping tape so that the protrusion height was 0.01 mm. Using this photoreceptor, a toner having a particle size of 0.007 mm and a fixing property of 10% is used, and a blade having a JIS hardness of 73 degrees has a free length of 3 mm, a thickness of 3 mm, and a total pressing pressure of 400 g. , Process speed 400
When used at mm / sec, good electrophotographic characteristics were obtained as in the case where the height of the protrusion was 0.01 mm without polishing.

【０２０８】［実施例７］図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ
法による電子写真用感光体の製造装置を用い、直径１０
８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上
に、表４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる感光体を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ
₄ とＨ₂ との混合比、Ｂ₂ Ｈ₆ 導入量ならびに放電電力
を変えることによって、種々の感光体を作製した。[Embodiment 7] VHF-PCVD shown in FIG.
With an electrophotographic photoconductor manufacturing apparatus by the method
A photoreceptor having a charge injection blocking layer, a photoconductive layer, and a surface layer was prepared under the conditions shown in Table 4 on an aluminum cylinder having a mirror finish of 8 mm. Furthermore, SiH of the photoconductive layer
Various photoconductors were prepared by changing the mixing ratio of ₄ and H ₂ , the amount of B ₂ H ₆ introduced, and the discharge power.

【０２０９】[0209]

【表４】 一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板
（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上
に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を
堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌのくし型電極
を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー
（Ｅｕ）と局在状態密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）を測定し、Ｓ
ｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量を測
定した。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原
子％の間であった。[Table 4] On the other hand, an a-Si film having a thickness of about 1 μm was deposited on a glass substrate (Corning 7059) and a Si wafer placed on a cylindrical sample holder under the conditions for producing a photoconductive layer. A comb-shaped electrode of Al was vapor-deposited on the deposited film on the glass substrate, the characteristic energy (Eu) of the exponential tail and the localized density of states (DOS) were measured by CPM, and S
The amount of hydrogen contained in the deposited film on the i-wafer was measured by FTIR. The hydrogen content of all samples was between 10 and 30 atomic%.

【０２１０】その結果、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による感光
体製造法でも、Ｅｕが５０〜６０ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ．
が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3の感光体を容易に製造
することができ、本発明のブレード条件を適用すること
により、帯電能、温度特性、メモリー、画像流れ、融着
ならびにクリーニング性に優れた品質の高い画像を得る
ことができた。As a result, even in the photoconductor manufacturing method by the VHF-PCVD method, Eu was 50 to 60 meV, and D.I. O. S.
Of 1 × 10 ¹⁴ to 1 × 10 ¹⁶ cm ⁻³ can be easily produced. By applying the blade conditions of the present invention, charging ability, temperature characteristics, memory, image deletion, fusion and It was possible to obtain a high-quality image excellent in cleaning property.

【０２１１】［比較例］ブレードの条件が、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．２ （３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５ （４）３００ ≦ Ｐ ≦ １０００ の範囲を満足しないものは、すでに図１０〜図１８に示
したように、融着やクリーニング性の点で十分でないこ
とが明らかになった。[Comparative Example] The blade conditions are: (1) JIS hardness 68 degrees or more and 76 degrees or less (2) 0.2 ≤ L / D ≤ 1.2 (3) 0.5 ≤ D ≤ 5 (4) As shown in FIGS. 10 to 18, it has been revealed that those which do not satisfy the range of 300 ≦ P ≦ 1000 are not sufficient in terms of fusion bonding and cleaning properties.

【０２１２】以上の実施例、比較例の代表的結果につい
て表５および表６にまとめて示す。Representative results of the above Examples and Comparative Examples are summarized in Tables 5 and 6.

【０２１３】[0213]

【表５】 [Table 5]

【０２１４】[0214]

【表６】 [Table 6]

【０２１５】[0215]

【発明の効果】本発明によれば、定着性の向上した微粒
子トナーと新規な感光体からなる高画質対応の高速電子
写真装置を用いた場合であっても、ドラム表面へのトナ
ー融着を発生させることなくクリーニング性能を維持
し、感光体の製造コストを増大させることのない電子写
真装置を提供することができる。According to the present invention, even when a high-speed electrophotographic apparatus corresponding to high image quality, which is composed of a fine particle toner having an improved fixing property and a novel photoconductor, is used, the toner fusion to the drum surface is prevented. It is possible to provide an electrophotographic apparatus in which cleaning performance is maintained without generating and the manufacturing cost of the photoconductor is not increased.

【０２１６】即ち、本発明によれば、高画質対応の高速
電子写真装置の系においても融着発生のない高品質な画
像を得られ、また、高速機にもかかわらず、消費電力を
抑えて、省エネルギー問題を解決する事ができる。That is, according to the present invention, it is possible to obtain a high-quality image in which no fusion occurs even in the system of a high-speed electrophotographic apparatus compatible with high image quality. It can solve the energy saving problem.

【０２１７】また、本願によれば、電子写真装置の高速
化における諸問題を解決することができ、上記クリーニ
ングシステムとの組み合わせにより、きわめて優れた電
気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性
および使用環境特性を引き出す事が可能になった。Further, according to the present application, various problems in speeding up of the electrophotographic apparatus can be solved, and by combining with the above cleaning system, extremely excellent electric characteristics, optical characteristics, photoconductive characteristics, image It has become possible to bring out the characteristics, durability and operating environment characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】一般的な電子写真装置を説明するための模式的
断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a general electrophotographic apparatus.

【図２】本発明に用いられる電子写真用感光体の光受容
層を形成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用
いたグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の
模式的説明図である。FIG. 2 is an example of an apparatus for forming a light-receiving layer of an electrophotographic photosensitive member used in the present invention, which is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a glow discharge method using a high frequency in an RF band. FIG.

【図３】本発明に用いられる電子写真用感光体の光受容
層を形成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を
用いたグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置
の模式的説明図である。FIG. 3 is an example of an apparatus for forming a light-receiving layer of an electrophotographic photosensitive member used in the present invention, which is a schematic view of an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member by a glow discharge method using a VHF band high frequency. FIG.

【図４】本発明の一形態である電子写真装置を説明する
ためのブレード周辺の模式的断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the periphery of a blade for explaining an electrophotographic apparatus which is an embodiment of the present invention.

【図５】電子写真用感光体における光導電層のアーバッ
クテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the characteristic energy (Eu) of the arback tail of the photoconductive layer in the electrophotographic photosensitive member and the temperature characteristic.

【図６】電子写真用感光体における光導電層の局在状態
密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）と光メモリーとの関係を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the localized density of states (DOS) of the photoconductive layer and the optical memory in the electrophotographic photoreceptor.

【図７】電子写真用感光体における光導電層の局在状態
密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）と画像流れとの関係を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the localized density of states (DOS) of the photoconductive layer and the image deletion in the electrophotographic photoreceptor.

【図８】帯電能のプロセススピード依存性を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a process speed dependency of charging ability.

【図９】本発明に用いられるアモルファスシリコン感光
体の層構成を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a layer structure of an amorphous silicon photoconductor used in the present invention.

【図１０】電子写真用感光体の突起高さと融着との関係
を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the protrusion height and the fusion of the electrophotographic photosensitive member.

【図１１】電子写真用感光体の突起高さとブレード欠け
によるクリーニング不良との関係を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the height of protrusions on the electrophotographic photoconductor and cleaning failure due to blade breakage.

【図１２】ブレードの（自由長／厚さ）と融着との関係
を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a relationship between (free length / thickness) of a blade and fusion.

【図１３】ブレードの（自由長／厚さ）と融着との関係
を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a relationship between (free length / thickness) of a blade and fusion.

【図１４】ブレードの押しつけ圧と融着、ブレード寿命
との関係を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a relationship between a pressing pressure of a blade, fusion, and a blade life.

【図１５】ブレードの厚さと融着、クリーニング性との
関係を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the blade thickness and the fusing and cleaning properties.

【図１６】ブレードのＪＩＳ硬度と融着、ブレード欠け
によるクリーニング不良との関係を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the JIS hardness of a blade and defective cleaning due to fusion bonding and chipping of the blade.

【図１７】トナー粒径と融着、画質との関係を示す図で
ある。FIG. 17 is a diagram showing the relationship between toner particle size, fusion, and image quality.

【図１８】トナーの定着性と融着との関係を示す図であ
る。FIG. 18 is a diagram showing the relationship between toner fixability and fusing.

【符号の説明】 １０１ 感光体 １０２ 主帯電器 １０３ 静電潜像形成部位 １０４ 現像器 １０７ クリーナーユニット １２３ 熱源（内面ヒータ） ４０１ 感光体 ４０２ ブレード ４０３ 背板 ４０４ ブレード押さえ板 ４０５ 支持台 Ｄ ブレードの厚さ Ｌ 自由長 ａ ブレードの幅 ｂ ブレード押さえ板４０４からブレード先端までの
長さ １１０１ 支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ アモルファスシリコン系表面層 １１０５ アモルファスシリコン系電荷注入阻止層 １１０６ 電荷発生層 １１０７ 電荷輸送層 ２１００ 堆積装置 ２１１１ 反応容器 ２１１２ 円筒状支持体 ２１１３ 支持体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５ マッチングボックス ２１１６ 原料ガス配管 ２１１７ 反応容器リークバルブ ２１１８ メイン排気バルブ ２１１９ 真空計 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ ２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ ２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 円筒状支持体 ３１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス配管 ３１１６ マッチングボックス[Explanation of reference numerals] 101 photoconductor 102 main charger 103 electrostatic latent image forming part 104 developing device 107 cleaner unit 123 heat source (inner heater) 401 photoconductor 402 blade 403 back plate 404 blade pressing plate 405 support base D blade thickness Length L Free length a Blade width b Length from blade pressing plate 404 to blade tip 1101 Support 1102 Photosensitive layer 1103 Photoconductive layer 1104 Amorphous silicon-based surface layer 1105 Amorphous silicon-based charge injection blocking layer 1106 Charge generation layer 1107 Charge Transport layer 2100 Deposition apparatus 2111 Reaction vessel 2112 Cylindrical support 2113 Support heating heater 2114 Raw material gas introduction pipe 2115 Matching box 2116 Raw material gas pipe 2117 Reaction vessel leak valve 2118 Main exhaust valve 21 9 Vacuum gauge 2200 Source gas supply devices 2211 to 2216 Mass flow controllers 2221 to 2226 Source gas cylinders 2231 to 2236 Source gas cylinder valves 2241 to 2246 Gas inflow valves 2251 to 2256 Gas outflow valves 2261 to 2266 Pressure regulator 3100 Deposition device 3111 Reaction vessel 3112 Cylindrical Support 3113 Support heating heater 3114 Raw material gas pipe 3116 Matching box

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−211183（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−160821（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−194894（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−122969（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 21/00 G03G 21/00 - 21/12 G03G 5/00 - 5/16 Continuation of the front page (56) Reference JP-A-57-211183 (JP, A) JP-A-8-160821 (JP, A) JP-A-6-194894 (JP, A) Actual development Sho-60-122969 (JP , U) (58) Fields surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) G03G 21/00 G03G 21/00-21/12 G03G 5/00-5/16

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 円筒状感光体、該感光体が回転する間に
該感光体の表面を帯電させる帯電器、帯電した感光体表
面を露光して静電潜像を形成する手段、静電潜像にトナ
ーを供給し現像してトナー像を形成する手段、トナー像
を転写する手段、およびトナー像を転写した後に感光体
上に残留するトナーをブレードによってクリーニングす
るクリーニング機構を有する電子写真装置において、 前記感光体が、導電性支持体と、シリコン原子を母体と
して水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非
単結晶材料からなる光導電性を示す光導電層を有する感
光層で構成され、該光導電層が、少なくとも光の入射す
る部分において、サブバンドギャップ光吸収スペクトル
から得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６０
ｍｅＶ、かつ伝導帯端下０．４５〜０．９５ｅＶにおけ
る局在状態密度が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であ
り、 前記感光体の表面の突起が、感光体表面１００ｃｍ²あ
たり高さ０．０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下
であって、 前記トナーの平均粒径が０．００５〜０．００８ｍｍで
あり、 前記ブレードが、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．０ （３）１．５ ≦ Ｄ ≦ ３ （４）４００ ≦ Ｐ ≦ １０００ （但し、Ｌはブレードの自由長（ｍｍ）、Ｄはブレード
の厚さ（ｍｍ）、Ｐはブレードの押しつけ総圧力（ｇ）
を示す。）を満足するものであることを特徴とする電子
写真装置。1. A cylindrical photoconductor, a charger for charging the surface of the photoconductor while the photoconductor rotates, means for exposing the charged photoconductor surface to form an electrostatic latent image, and an electrostatic latent image. In an electrophotographic apparatus having a means for supplying a toner to an image and developing the toner image to form a toner image, a means for transferring the toner image, and a cleaning mechanism for cleaning the toner remaining on the photoconductor after the toner image is transferred by a blade. The photosensitive member is composed of a conductive support and a photosensitive layer having a photoconductive layer having photoconductivity and made of a non-single-crystal material containing hydrogen atoms and / or halogen atoms with a silicon atom as a base, The characteristic energy of the exponential tail obtained from the sub-bandgap optical absorption spectrum of the photoconductive layer is 50 to 60 at least in the portion where the light enters.
The localized state density at meV and 0.45 to 0.95 eV below the conduction band edge is 1 × 10 ¹⁴ to 1 × 10 ¹⁶ cm ⁻³ , and the protrusions on the surface of the photoconductor are per 100 cm ^{2 of} the photoconductor surface. The number of protrusions having a height of more than 0.015 mm is 1 or less, the average particle diameter of the toner is 0.005 to 0.008 mm, and the blade is (1) JIS hardness 68 degrees or more and 76 degrees or less. (2) 0.2 ≤ L / D ≤ 1.0 (3) 1.5 ≤ D ≤ 3 (4) 400 ≤ P ≤ 1000 (where L is the free length of the blade (mm), D is the thickness of the blade (mm), and P is the total pressing force of the blade. Pressure (g)
Indicates. ) Is satisfied, the electrophotographic apparatus characterized by the above. 【請求項２】 前記感光体が、表面を研磨することによ
り表面の突起が、感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ
０．０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下となった
ものであることを特徴とする請求項１記載の電子写真装
置。2. The surface of the photoconductor is polished so that the number of the projections on the surface is less than 1 per 100 cm ² of the surface of the photoconductor. The electrophotographic apparatus according to claim 1. 【請求項３】 前記感光体表面のプロセススピードが４
００ｍｍ／ｓｅｃ以上である請求項１または２に記載の
電子写真装置。3. The process speed of the surface of the photoreceptor is 4
The electrophotographic apparatus according to claim 1, wherein the electrophotographic apparatus has a speed of 00 mm / sec or more. 【請求項４】 前記ブレードを前記感光体の軸方向に周
期的に往復運動をさせる機構を有している請求項１〜３
のいずれかに記載の電子写真装置。4. A claim has a mechanism for periodically reciprocating the blade in an axial direction of the photosensitive member 1 to 3
The electrophotographic apparatus according to any one of 1.