JP2002277899A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】透過率を低減させることなくカラーフィルタや
ブラックマトリクスを保護し、スペーサを別途設けなく
てもＴＦＴ基板と対向基板のギャップを高精度かつ簡便
に規定することができるアクティブマトリクス型液晶表
示装置及びその製造方法の提供。 【解決手段】ゲート線５とデータ線７とを有するＴＦＴ
基板に、カラーフィルタ（ＣＦ）１０とＴＦＴ上層及び
データ線７上層のブラックマトリクス（ＢＭ）１１と画
素電極とが設けられたＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装
置であって、ＢＭ１１上には厚膜の第１のオーバーコー
ト層と薄膜の第２のオーバーコート層とが配設され、表
示領域のＣＦ１０上には薄膜の第２のオーバーコート層
のみが配設され、第１のオーバーコート層によりＢＭ１
１が確実に保護され、第２のオーバーコート層により入
射光の減衰が抑制されて実効的な開口率が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、Ｔ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）などのスイッチング素子とＣ
Ｆ（カラーフィルタ）を同一基板上に形成したＣＦオン
ＴＦＴ構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄膜トランジスタ等をスイッチン
グ素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装
置の開発が進められている。この液晶表示装置は、薄膜
トランジスタ等のスイッチング素子が形成されるＴＦＴ
基板と対向電極が形成される対向基板と両基板間に狭持
される液晶とからなり、ＴＦＴ基板は、ゲート電極、ゲ
ート絶縁膜、半導体層、ソース／ドレイン電極からなる
薄膜トランジスタ、画素毎に形成される画素電極、これ
らを覆うパッシベーション膜、配向膜、外部回路と接続
するための端子等を有し、対向基板は、薄膜トランジス
タ領域及び配線層に入射する光を遮断するブラックマト
リクス、カラー表示を行うＲＧＢの各色のカラーフィル
タ、ＩＴＯなどの透明電極、配向膜等を有し、両基板間
にはギャップを所定の距離に保つスペーサが挟み込まれ
ている。

【０００３】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、表示品位を向上させるために高精細化が求
められており、そのためには画素の高密度化を達成する
必要があるが、上述したようなカラーフィルタ及びブラ
ックマトリクスが対向基板側に配置された構造の液晶表
示装置では、組立工程における両基板間の位置合わせに
誤差が生じることから、カラーフィルタ及びブラックマ
トリクスをあらかじめマージンを見込んで形成する必要
があり、画素開口部の面積（開口率）を最大限に確保す
ることが困難であり、高密度化の妨げになっていた。

【０００４】そこで、カラーフィルタ及びブラックマト
リクスのマージンを減らし開口率を向上させるために、
薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が形成される
ＴＦＴ基板側にカラーフィルタ及びブラックマトリクス
を形成する方法、いわゆるＣＦオンＴＦＴが提案されて
おり、特開平２−５４２１７号公報、特開平３−２３７
４３２号公報等にその構造が記載されている。

【０００５】ＣＦオンＴＦＴ構造では、ＴＦＴ基板側に
カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されるた
めに、ＴＦＴ基板と対向基板の位置合わせマージンを考
慮する必要がなく、製造工程が簡略化できると同時に、
画素開口率の拡大を達成することができるが、一方、カ
ラーフィルタ上に画素電極を形成するために、カラーフ
ィルタ等の凹凸を反映して画素電極に段差が生じ、この
段差によって液晶の配向に乱れが生じ、ディスクリネー
ションやリバースチルトドメイン等を引き起こすという
問題が生じる。

【０００６】この問題に対し、特開平８−１２２８２４
号公報では、カラーフィルタ及びブラックマトリクスの
凹凸を埋めるために、カラーフィルタ及びブラックマト
リクスをパターニングした後に平坦化膜を形成する方法
が開示されている。上記公報に記載された平坦化膜を有
する液晶表示装置について、図１７を参照して説明す
る。なお、特開平８−１２２８２４号公報では多結晶シ
リコンＴＦＴ（ｐ−ＳｉＴＦＴ）をスイッチング素子と
して用いる技術を開示しているが、ここでは説明の都合
上、スイッチング素子としてチャネルエッチ型アモルフ
ァスシリコンＴＦＴ（ａ−ＳｉＴＦＴ）を用いたものと
して説明を行う。

【０００７】図１７に示すように、上記公報記載の液晶
表示装置は、透明絶縁性基板４上に、ゲート電極５ｂが
形成され、ゲート電極５ｂを覆うようにゲート絶縁膜６
が形成されている。その上には、ゲート電極５ｂと重畳
するように半導体層１５が形成され、その中央部上で隔
てられたソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミッ
クコンタクト層（図示せず）を介して半導体層１５に接
続され、薄膜トランジスタが形成されている。そして、
この薄膜トランジスタを覆うようにパッシベーション膜
９が形成されている。

【０００８】ここで、ＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装
置では、このパッシベーション膜９の上に、カラーフィ
ルタ１０およびブラックマトリクス１１が形成され、そ
の上にオーバーコート層を介して画素電極１４が形成さ
れるが、上記公報では、カラーフィルタ１０およびブラ
ックマトリクス１１の段差を平坦化するために厚膜の平
坦化膜２４を設け、カラーフィルタ１０およびブラック
マトリクス１１を完全に埋め込むことを特徴としてい
る。そして、平坦化膜２４およびパッシベーション膜９
を貫くコンタクトホール１９を形成した後に画素電極１
４となる透明導電膜を形成し、ソース電極８ｂと接続し
ている。

【０００９】なお、ＣＦオンＴＦＴ基板の形成工程にお
いては、薄膜トランジスタの遮光膜としてＯｐｔｉｃａ
ｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ（ＯＤ）＝３程度（ＢＭに入射する
光量をＴ０、出射する光量をＴ１としたとき、ＯＤ＝−
ｌｏｇ１０（Ｔ１／Ｔ０）と定義）の感光性樹脂ブラッ
クマトリクス層の微細パターンを形成することが必要と
なるが、特願２０００−０１３５７１号公報には、感光
性樹脂ブラックマトリクスを下地カラーフィルタ１０上
に設けて露光することにより微細なパターンを形成する
技術が開示されている。この方法によれば、高ＯＤのブ
ラックマトリクス１１が表面のみしか露光されなくて
も、下地カラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１
の密着性が良いため、下地カラーフィルタ１０から剥れ
ることなく微細なパターンを形成することができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記平坦化技術では、
ＴＦＴ基板に形成される段差を覆うように平坦化膜２４
が塗布されるが、一般に、ブラックマトリクス１１及び
カラーフィルタ１０の膜厚は１〜２μｍ程度であり、そ
れらを重ねあわせた場合には２〜３μｍ程度の段差が生
じる。従って、この段差を平坦化膜２４で被覆しようと
する場合、段差の１．５倍程度の膜厚が必要となり、平
坦化膜２４として３〜４．５μｍ程度の膜厚が必要とさ
れ、カラーフィルタ１０上の平坦化膜２４の膜厚は厚く
なってしまう。

【００１１】ここで、平坦化膜２４として感光性のアク
リル樹脂、特に、ポジ型の感光性のアクリル樹脂を用い
る場合には、波長４００〜５００ｎｍ付近の光の透過率
は膜厚１μｍ当り９５％程度であり、３μｍ厚の平坦化
膜２４全体では透過光量は８５％程度となってしまい、
液晶表示装置の透過率が悪くなったり、ホワイトバラン
スが崩れる等の問題が生じてしまう。このように厚膜の
平坦化膜２４により実効的な透過率が低くなるために、
カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１の段差を
完全に平坦化することなく、段差によって生じるディス
クリネーションをブラックマトリクスで遮光した方が、
却って実効的に透過率が高くなる場合も生じる。

【００１２】一方、平坦化膜２４を全く設けない場合に
は、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１はそ
の後のパターニング工程で使用する剥離液などにより膨
潤し、その端部から剥れが生じることがわかった。ま
た、カラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１上に
平坦化膜２４と同じアクリルなどの材料を薄膜状に形成
し、オーバーコート層としてのみ使う場合、一般にオー
バーコート層はスピンコートによって塗布されるが、カ
ラーフィルタ１０やブラックマトリクス１１の段差が大
きすぎるために、カラーフィルタ１０やブラックマトリ
クス１１の段差の大きな部分の表面にはほとんど塗布で
きず、オーバーコート層形成後の工程の、例えば画素電
極形成工程中のレジスト剥離工程でブラックマトリクス
が膨潤して膜はがれが生じるなどの不具合が生じること
がわかった。

【００１３】このように、ＣＦオンＴＦＴ構造を用いれ
ば、ＴＦＴ基板と対向基板の位置合わせのマージンを減
らして開口率を向上させることはできるが、カラーフィ
ルタ１０やブラックマトリクス１１により大きな段差が
生じてしまい、この段差を埋めるために厚膜の平坦化膜
２４を形成すると、今度は平坦化膜２４による光吸収に
より透過率が低下してしまい、開口率向上の効果が相殺
されてしまうという問題がある。

【００１４】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、透過率を低減させるこ
となく、カラーフィルタやブラックマトリクスを確実に
保護することができるＣＦオンＴＦＴ構造のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供する
ことにある。

【００１５】また、本発明の他の目的は、スペーサを別
途設けることなく、ＴＦＴ基板と対向基板のギャップを
高精度かつ簡便に規定することができるアクティブマト
リクス型液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
にある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、対向配置された一対の基板間に液晶が狭
持され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線
及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差
領域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート
線と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設される
カラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラ
ーフィルタを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコ
ート層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置
であって、前記オーバーコート層が、前記カラーフィル
タ上の膜厚が前記カラーフィルタを除く領域上の膜厚よ
りも薄くなるように形成されている、という基本構成を
有する。本発明の基本構成のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、次のような好適な適用形態を有する。

【００１７】まず第１に、前記オーバーコート層が、前
記カラーフィルタを除く領域上において、複数のオーバ
ーコート層を積層した構造をなす。

【００１８】次に、第２に、対向配置された一対の基板
間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複
数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記デ
ータ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタ
と、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素に
配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ及
び前記カラーフィルタを含む前記一側の基板表面を覆う
オーバーコート層とを有するアクティブマトリクス型液
晶表示装置であって、前記オーバーコート層が、第１の
オーバーコート層と第２のオーバーコート層とからな
り、前記カラーフィルタ上には前記第２のオーバーコー
ト層のみが配設されている。

【００１９】次に、第３に、対向配置された一対の基板
間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複
数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記デ
ータ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタ
と、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領
域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジス
タ及び前記カラーフィルタを含む前記一側の基板表面を
覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス
型液晶表示装置であって、前記オーバーコート層が、第
１のオーバーコート層と第２のオーバーコート層とから
なり、前記カラーフィルタ上には前記第２のオーバーコ
ート層のみが配設されている。

【００２０】次に、第４に、対向配置された一対の基板
間に液晶が狭持され、一側の基板に、互いに交差する複
数のゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記デ
ータ線の交差領域近傍に設けられる薄膜トランジスタ
と、前記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領
域に配設されるカラーフィルタと、前記薄膜トランジス
タ及び前記カラーフィルタを含む前記一側の基板表面を
覆うオーバーコート層とを有するアクティブマトリクス
型液晶表示装置であって、 前記オーバーコート層が、
第１のオーバーコート層と第２のオーバーコート層とを
有し、前記カラーフィルタは、前記第１のオーバーコー
ト層の間に形成され、前記第２のオーバーコート層は、
前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコート層を
含む前記一側の基板表面を覆う形に形成されていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。

【００２１】次に、第５に、前記薄膜トランジスタと前
記オーバーコート層とを含んで形成される凸部上にスペ
ーサが形成され、前記凸部と前記スペーサとにより対向
する基板間のギャップが規定される、或いは、前記薄膜
トランジスタと前記オーバーコート層とを含んで形成さ
れる凸部が対向する基板に当接するように、前記オーバ
ーコート層の膜厚が設定され、前記凸部により対向する
基板間のギャップが規定される。

【００２２】次に、第６に、前記薄膜トランジスタ領域
の上にはブラックマトリクスが形成され、前記薄膜トラ
ンジスタ領域の上には前記カラーフィルタが形成されて
いる。

【００２３】次に、第７に、前記データ線上にはブラッ
クマトリクスが形成される。

【００２４】次に、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、第１の基板に互いに交差する
複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前
記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタ
を形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前記
ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラ
ーフィルタを配設する工程と、前記カラーフィルタを含
む前記一側の基板表面を覆うようにオーバーコート層を
形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極を
形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配
置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程
と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
造方法であって、 前記オーバーコート層を形成するに
際し、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層を他の
領域のオーバーコート層よりも薄く形成する、という基
本構成を有する。本発明の基本構成のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の製造方法は、次のような好適な適
用形態を有する。

【００２５】まず、第１に、前記オーバーコート層は、
複数のオーバーコート層をスピン塗布することにより形
成され、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層に他
の領域のオーバーコート層よりも粘度の低いオーバーコ
ート層を用いる、或いは、前記オーバーコート層は、複
数のオーバーコート層をスピン塗布することにより形成
され、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層を他の
領域のオーバーコート層よりも回転数が高いスピン塗布
により形成する。

【００２６】次に、第２に、第１の基板に互いに交差す
る複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と
前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジス
タを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前
記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にカ
ラーフィルタを配設する工程と、前記カラーフィルタを
含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層
を形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極
を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向
配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工
程と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法であって、 前記オーバーコート層を形成する
工程が、第１のオーバーコート層及び第２のオーバーコ
ート層を順次形成することにより行われ、前記カラーフ
ィルタ上を前記第２のオーバーコート層が覆う形に形成
される。

【００２７】次に、第３に、第１の基板に互いに交差す
る複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と
前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジス
タを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前
記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にカ
ラーフィルタを配設する工程と、前記カラーフィルタを
含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層
を形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極
を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向
配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工
程と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法であって、 前記オーバーコート層を形成する
工程が、前記カラーフィルタを除く前記第１の基板表面
に第１のオーバーコート層を形成し、前記カラーフィル
タ上に前記第１のオーバーコート層よりも薄い第２のオ
ーバーコート層を形成することにより行われ、前記第１
のオーバーコート層と前記第２のオーバーコート層を、
各オーバーコート層部分の露光量を異ならせることによ
り一の工程で行い、前記露光量の調整は、遮光部と半透
過部と透過部とから構成されるグレートーンマスクを用
いて一の工程で行う。

【００２８】次に、第４に、第１の基板に互いに交差す
る複数のゲート線及びデータ線と共に、前記ゲート線と
前記データ線とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジス
タを形成する工程と、パッシベーション膜を介して、前
記ゲート線と前記データ線とで囲まれる各画素領域にカ
ラーフィルタを配設する工程と、前記カラーフィルタを
含む前記第１の基板表面を覆うようにオーバーコート層
を形成する工程と、前記オーバーコート層上に画素電極
を形成する工程と、前記第１の基板に第２の基板を対向
配置し、前記第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工
程と、を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法であって、 前記オーバーコート層を形成する
工程が、第１のオーバーコート層を形成する工程と第２
のオーバーコート層を形成する工程とを含み、前記第１
のオーバーコート層を形成する工程は、前記薄膜トラン
ジスタを形成する工程と、前記カラーフィルタを形成す
る工程との間にあって、前記カラーフィルタの形成領域
を除く前記第１の基板表面に第１のオーバーコート層を
形成することにより行われ、前記カラーフィルタを形成
する工程は、前記第１のオーバーコート層の間にカラー
フィルタを形成することにより行われ、前記第２のオー
バーコート層を形成する工程は、前記カラーフィルタを
形成する工程と、前記画素電極を形成する工程との間に
あって、前記カラーフィルタ及び前記第１のオーバーコ
ート層を含む前記第１の基板表面を第２のオーバーコー
ト層で覆うことにより行われる。

【００２９】次に、第５に、前記薄膜トランジスタと前
記オーバーコート層とを含む凸部を形成後、前記凸部上
に、前記第１及び第２の基板間のギャップを規定するス
ペーサを形成する、或いは、前記薄膜トランジスタと前
記オーバーコート層とを含む凸部を形成するに際し、前
記凸部が前記第２の基板に当接して前記第１及び第２の
基板間のギャップを規定するように、前記オーバーコー
ト層の膜厚を調整する。

【００３０】次に、第６に、前記薄膜トランジスタ領域
の上にはブラックマトリクスが形成され、前記薄膜トラ
ンジスタ領域の上には前記カラーフィルタが形成され
る。

【００３１】次に、第７に、前記データ線の上にはブラ
ックマトリクスが形成される。

【００３２】

【発明の実施の形態】本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、その好ましい一実施の形態におい
て、ゲート線とデータ線とＴＦＴとが形成されるＴＦＴ
基板に、カラーフィルタと、ＴＦＴ上層及びデータ線上
層に形成されるブラックマトリクスと、画素電極とが設
けられたＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置であって、
ブラックマトリクス上には厚膜の第１のオーバーコート
層と薄膜の第２のオーバーコート層とが配設され、表示
領域のカラーフィルタ上には薄膜の第２のオーバーコー
ト層のみが配設され、厚膜の第１のオーバーコート層に
よりブラックマトリクスが確実に保護されると共に、薄
膜の第２のオーバーコート層により入射光の減衰が抑制
され、実効的な開口率の向上を図ることができる。

【００３３】

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。

【００３４】［実施例１］ まず、本発明の第１の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図１乃至図５を参照して説明する。
図１は、液晶表示装置の構成を示す回路図であり、図２
及び図３は、カラーフィルタとブラックマトリクスと本
実施例の特徴部分であるオーバーコート層との位置関係
を模式的に示す平面図である。また、図４は、本実施例
の液晶表示装置の構造を示す断面図であり、図５は、そ
の製法方法を示す工程断面図である。

【００３５】図１に示すように、アクティブマトリクス
型液晶表示装置は、透明絶縁性基板の上にゲート線５、
データ線７が互いに直交するように配置され、これらの
配線の交差部分に対応するようにＴＦＴ１７が形成され
る。ゲート線５はＴＦＴ１７のゲート電極に接続され、
ゲート線５からゲート電極に入力される走査信号によっ
て画素に対応するＴＦＴ１７が駆動される。また、デー
タ線７はＴＦＴ１７のドレイン電極に接続され、ドレイ
ン電極にデータ信号を入力する。ＴＦＴ１７のソース電
極には画素電極が接続され、画素電極と対向基板上に形
成された対向電極との間の液晶層３により画素容量１８
が形成される。

【００３６】次に、図２及び図３を参照して、本実施例
の液晶表示装置におけるカラーフィルタ１０とブラック
マトリクス１１と第１及び第２のオーバーコート層１
２、１３との位置関係について説明する。なお、図２及
び図３は画素部分の構成を示したものであり、各層を同
一図面に表すと重なり関係が不明瞭になるため、図２に
は、ゲート線５、データ線７とブラックマトリクス１
１、第１及び第２のオーバーコート層１２、１３の位置
関係を記載し、図３には、ゲート線５、データ線７とカ
ラーフィルタ１０とブラックマトリクス１１の位置関係
を記載する。

【００３７】図２及び図３に示すように、ＴＦＴ１７、
データ線７上にはブラックマトリクス１１が形成され、
ＴＦＴ１７の遮光および配線まわりの光漏れの遮光を行
っている。そして、これらブラックマトリクス１１を覆
うようにして第１のオーバーコート層１２が設けられ、
ブラックマトリクス１１を保護している。さらにブラッ
クマトリクス１１、カラーフィルタ１０、第１のオーバ
ーコート層１２を覆うようにして第２のオーバーコート
層１３が設けられている。なお、画素電極は、第２のオ
ーバーコート層１３のコンタクトホール１９を介してソ
ース電極８ｂに接続されている。

【００３８】ここで、本実施例で設ける第１及び第２の
オーバーコート層１２、１３は平坦化を目的とするもの
ではなく、むしろ、ＴＦＴ基板の凸部となるブラックマ
トリクス１１上で厚く、カラーフィルタ１０上で薄く形
成され、ブラックマトリクス１１やカラーフィルタ１０
の段差は、該オーバーコート層１２、１３によって平坦
化されていないため、液晶の配向乱れによって生じるデ
ィスクリネーションを隠す必要があり、ブラックマトリ
クス１１と画素電極とのオーバーラップ幅は２〜５μｍ
程度確保することが好ましい。

【００３９】次に、図４を参照して、本実施例のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の構造について説明す
る。図４に示すように、本実施例のＴＦＴ基板１は、透
明絶縁性基板４上にゲート電極５ｂが設けられ、それら
を覆うようにゲート絶縁膜６が形成される。その上にゲ
ート電極５ｂと重畳するように半導体層１５が設けら
れ、その半導体層１５の中央部上で隔てられたソース電
極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタクト層
（図示せず）を介して半導体層１５に接続されている。
また、ソース電極８ｂとドレイン電極８ａとの間のオー
ミックコンタクト層はエッチング除去されてチャネル部
が設けられ、ＴＦＴ１７が形成されている。そして、こ
のＴＦＴ１７を覆うようにパッシベーション膜９が形成
され、各画素の表示領域及びＴＦＴ領域にはＲＧＢ各色
のカラーフィルタ１０が配設され、更に、ＴＦＴ領域の
半導体層１５上層及びデータ線７の上層には遮光のため
のブラックマトリクス１１が形成されている。

【００４０】そして、ブラックマトリクス１１上には、
それを被覆するための厚膜の第１のオーバーコート層１
２がブラックマトリクス１１の外形に沿って設けられて
いる。この第１のオーバーコート層１２は、第２のオー
バーコート層１３によって覆いきれない部分に形成する
ものであり、その膜厚は、ブラックマトリクス１１を覆
うことができる厚さ、例えば１μｍから３μｍ程度であ
ればよいが、第２の実施例で示すように、第１のオーバ
ーコート層１２によって基板間のギャップを調整する場
合には更に厚く形成しても良い。

【００４１】そして、カラーフィルタ１０およびブラッ
クマトリクス１１上に設けられた第１のオーバーコート
層１２を覆うように薄膜の第２のオーバーコート層１３
が設けられ、カラーフィルタ１０が保護される。この第
２のオーバーコート層１３の膜厚は、カラーフィルタ１
０の透過率の低下を抑制するために薄い方がよく、０．
５μｍであることが好ましい。

【００４２】なお、ＴＦＴ１７をスイッチング素子とし
て用いる場合は、ソース電極８ｂが画素電極１４との接
続のための引出し電極として働き、第２のオーバーコー
ト層１３とパッシベーション膜９を貫通して設けられた
コンタクトホール１９を通してソース電極８ｂと画素電
極１４とが接続されている。また、パッシベーション膜
９上にはＲ、Ｇ、Ｂの各色層のカラーフィルタ１０が画
素表示領域に対応した部分に設けられているが、このコ
ンタクトホール１９の周囲にはカラーフィルタ１０が形
成されていない。

【００４３】また、図４では、ＴＦＴ形成領域にもカラ
ーフィルタ１０を形成しているが、これはブラックマト
リクスの密着性を高めるためのものであり、ＨＭＤＳ処
理などのその他の手段によりパッシベーション膜との密
着性を高めた場合にはブラックマトリクス下のカラーフ
ィルタ１０はあってもなくても良い。また、図４では、
データ線７上にもブラックマトリクス１１を形成してい
るが、このブラックマトリクス１１によって、データ線
７の電位の影響で配向方向が乱れた領域への光の入射を
防止し、表示品位を向上させることができるが、このデ
ータ線７上のブラックマトリクス１１は必ずしも設ける
必要はない。

【００４４】次に、図５を参照して、上記ＴＦＴ基板１
の製造方法について説明する。まず、図５（ａ）に示す
ように、透明絶縁性基板４上にチャネルエッチ型ＴＦＴ
を形成する。具体的には、ガラス等からなる透明絶縁性
基板４上に、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、クロム（Ｃｒ）等の金属からなる材料をスパッタ
法等により１００〜４００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、公
知のフォトリソグラフィ法により所望のゲート電極５ｂ
及びゲート線５をパターニングする。

【００４５】次に、ゲート電極５ｂ及び透明絶縁性基板
４上にゲート絶縁膜６となるシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜、これらの積層膜等の絶縁膜をＣＶＤ法等により
１００〜２００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。次に、アモ
ルファスシリコンをＣＶＤ法等により膜厚４００ｎｍ程
度成膜し、所望の形状にパターニングして半導体層１５
を形成する。そして、ソース電極８ｂ、ドレイン電極８
ａとなるＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属からなる材料をスパ
ッタ法等により１００〜４００ｎｍ程度の膜厚で成膜
し、フォトリソグラフィ法により所望の電極形状にパタ
ーニングするとともに、ソース電極８ｂ、ドレイン電極
８ａの間の不要なオーミックコンタクト層を除去してＴ
ＦＴ１７のチャネル部を形成する。

【００４６】更に、これらを覆うようにシリコン窒化膜
等のパッシベーション膜９を１００〜２００ｎｍ程度の
膜厚で堆積し、パターニングを行って画素電極１４とソ
ース電極８ｂとを接続するためのコンタクトホール１９
を形成する。なお、パッシベーション膜９としてはシリ
コン窒化膜などの無機材料の他、エポキシ系樹脂、アク
リル系樹脂などの透明な樹脂材料を使用することもでき
る。

【００４７】次に、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基
板１にカラーフィルタ１０及びブラックマトリクス１１
を形成する。まず、赤色顔料をアクリル系樹脂に分散さ
せたネガ型光硬化性カラーレジストを、スピンコート法
で基板上に塗布する。その際、膜厚が約１．６μｍ程度
となるようにスピン回転数を調整する。次に、ホットプ
レートで８０℃／２分間プリベークを行い、露光した
後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサ
イド）０．０４％溶液で現像し、２３０℃／１時間焼成
して、対応する部分に赤色カラーフィルタ１０を形成す
る。同様に、緑色、青色カラーフィルタ１０、ブラック
マトリクス１１を形成する。

【００４８】次に、図５（ｃ）に示すように、各色カラ
ーフィルタ１０上に設けられたブラックマトリクス１１
の表面を保護するための厚膜の第１のオーバーコート層
１２を形成する。第１のオーバーコート層１２の形成
は、例えば、粘度１５ｃｐ程度のアクリル系のポジ型感
光性樹脂を回転数８００ｒｐｍ／１０ｓでスピンコート
塗布する。その後、ＴＭＡＨ０．４％溶液で現像したの
ち、２２０℃／１時間焼成する。これにより、ブラック
マトリクス１１上に１μｍ程度の厚さの第１のオーバー
コート層１２が形成される。

【００４９】続いて、図５（ｄ）に示すように、カラー
フィルタ１０を保護するための薄膜の第２のオーバーコ
ート層１３を形成する。第２のオーバーコート層１３の
形成は、例えば、粘度５ｃｐ程度のアクリル系のポジ型
感光性樹脂を回転数１０００ｒｐｍ／１０ｓ程度の条件
でスピンコート塗布し、その後、ＴＭＡＨ０．４％溶液
で現像することにより行う。その際、画素電極１４とソ
ース電極８ｂとを接続するためのコンタクトホール１９
を形成する。その後、更にポジ型感光性樹脂を透明にす
るために、ｇｈｉ線混合のＵＶ光を４〜８Ｊ程度の照度
で全面露光することにより光架橋を行い、第２のオーバ
ーコート層１３を透明化する。その後、２２０℃／１時
間程度焼成する。これにより、カラーフィルタ１０上の
第２のオーバーコート層１３の膜厚は０．５μｍ〜１．
５μｍ程度となる。

【００５０】なお、本実施例では、第１及び第２のオー
バーコート層１２、１３を形成するに際し、粘度の異な
るポジ型感光性樹脂を用い、更にスピン塗布の回転数を
変えてその膜厚を変化させているが、粘度が等しい感光
性樹脂を用い、スピン塗布の回転数のみを変えて膜厚を
変化させることもできる。また、厚膜の第１のオーバー
コート層１２を形成した後、薄膜の第２のオーバーコー
ト層１３を形成しているが、その順序を逆にして、先に
薄膜のオーバーコート層を形成した後、厚膜のオーバー
コート層を形成しても良い。更に、パッシベーション膜
９のコンタクトホールを形成した後、第２のオーバーコ
ート層１３のコンタクトホールを形成したが、その順序
を逆にして、第２のオーバーコート層１３のコンタクト
ホールを形成した後にパッシベーション膜９のコンタク
トホールをパターニングすることも可能である。

【００５１】そして、図５（ｅ）に示すように、スパッ
タ法等によりＩＴＯ等の透明導電膜を成膜してパターニ
ングすることにより、画素電極１４を形成する。このと
き、画素電極１４の膜厚は厚い程良好なカバレッジが得
られるが、ＩＴＯの透明性を保つためには膜厚は４０〜
１００ｎｍ程度が適当である。その後、通常の方法に従
って、ＴＦＴ基板１とＩＴＯ等の対向電極１６を配置し
た対向基板２に配向膜を形成した後、両基板を重ね合わ
せ、液晶を注入してＣＦオンＴＦＴ構造の液晶表示装置
が形成される。

【００５２】このように、ＴＦＴ基板１にカラーフィル
タ１０とブラックマトリクス１１とを形成するＣＦオン
ＴＦＴ構造の液晶表示装置では、カラーフィルタ１０及
びブラックマトリクス１１による基板の段差は大きくな
るが、本実施例では、ブラックマトリクス１１上には粘
度の大きい厚膜の第１のオーバーコート層１２を設け、
カラーフィルタ１０上には粘度の小さい薄膜の第２のオ
ーバーコート層１３を形成することにより、ブラックマ
トリクス１１の表面を十分に被覆・保護すると共に、カ
ラーフィルタ１０に入射する光の透過率の低下を抑制す
ることができる。

【００５３】具体的には、本実施例の方法で形成した液
晶表示装置では、基板の透過率は４００〜４５０ｎｍの
波長領域で９７％程度となり、従来のような平坦化膜２
４を設ける構造に比べて、透過率の低下を大幅に改善す
ることができた。なお、本実施例では、平坦性を犠牲に
して、ブラックマトリクス１１上の第１のオーバーコー
ト層１２を厚く形成しており、その上に形成される画素
電極１４の凹凸に起因するディスクリネーションを防止
するために、ブラックマトリクス１１と画素電極１４の
オーバーラップ幅を、完全平坦化した場合（Ｗ＝１．５
μｍ程度）に比べて２〜５μｍと大きくとっているため
に開口率は小さくなるが、透過率がそれ以上に向上して
いるため、実効的なパネルの透過率は平坦化構造の液晶
表示装置よりも大きくなっている。

【００５４】又、本実施例の構造では、データ線７上に
も厚膜の第１のオーバーコート層１２が形成されている
ため、データ線７と画素電極１４との距離を大きくする
ことができ、これによりデータ線７と画素電極１４との
カップリング容量を低減することができ、表示品位の向
上が可能となる。

【００５５】なお、上記した実施例では、第１及び第２
のオーバーコート層１２、１３は、アクリル系のポジ型
感光性樹脂を用いてスピンコートにより形成する例につ
いて説明したが、第１及び第２のオーバーコート層１
２、１３は上記材料に限定されるものではなく、第１の
オーバーコート層１２としては粘度の調整が容易でパタ
ーン形成が可能な材料、第２のオーバーコート層１３と
しては、更に透過率が高い材料であれば良く、両者を異
なる材料を用いて形成しても良い。また、形成する方法
は塗布法に限られず、例えば、絶縁膜等をスパッタ法や
ＣＶＤ法等で形成しても良い。

【００５６】また、本発明は、画素電極とスイッチング
素子との接続が、カラーフィルタ１０またはブラックマ
トリクス１１を貫通して行われるような液晶表示装置で
あれば適用することが可能であり、スイッチング素子と
しては特に制限はなく、ＴＦＴに限らずＭＩＭ、ダイオ
ードなどであってもよく、また、ＴＦＴも逆スタガー・
順スタガー型のａ−ＳｉＴＦＴ１７であっても、プレー
ナー型のｐ−ＳｉＴＦＴ１７であってもよい。

【００５７】また、本発明の液晶表示装置では、上記以
外の構成については特に制限はなく、例えば、液晶材
料、配向膜、対向基板、対向電極などはアクティブマト
リックス型液晶表示装置に一般に用いられるように構成
すればよい。また、各色カラーフィルタはフルカラー表
示のために一般的には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の
３色で構成するが、適宜変更することも可能である。

【００５８】［実施例２］ 次に、本発明の第２の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図６を参照して説明する。図６は、
本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。な
お、本実施例は、データ線上のブラックマトリクスをカ
ラーフィルタに埋め込むことによりデータ線上の段差を
減らし、データ線上の第１のオーバーコート層を省略す
ることを特徴とするものであり、他の部分の構造、製造
方法に関しては前記した第１の実施例と同様である。

【００５９】図６に示すように、本実施例のＴＦＴ基板
１は、透明絶縁性基板４上にゲート電極５ｂ、ゲート絶
縁膜６が形成され、その上にゲート電極５ｂと重畳する
ように半導体層１５が設けられ、その半導体層１５にソ
ース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタク
ト層を介して接続されてＴＦＴ１７が形成されている。
そして、このＴＦＴ１７を覆うようにパッシベーション
膜９が設けられている。

【００６０】そして、パッシベーション膜９上にはＲ、
Ｇ、Ｂの各色層のカラーフィルタ１０が画素表示領域に
対応した部分に設けられ、その上に、遮光のためのブラ
ックマトリクス１１が設けられている。ここで前記した
第１の実施例では、密着性を向上させるためにブラック
マトリクス１１はカラーフィルタ１０上に設けたが、本
実施例では、隣り合うカラーフィルタ１０の間に隙間を
設け、その隙間にブラックマトリクス１１を埋設してい
る。

【００６１】そして、ブラックマトリクス１１を被覆す
るための厚膜の第１のオーバーコート層１２が設けられ
るが、本実施例では、データ線７上のブラックマトリク
ス１１はカラーフィルタ１０に埋め込まれているために
段差は小さくなり、この部分に第１のオーバーコート層
１２を設ける必要がなくなる。そして、カラーフィルタ
１０およびブラックマトリクス１１上に設けられた第１
のオーバーコート層１２を覆うように薄膜の第２のオー
バーコート層１３が設けられている。

【００６２】このように、本実施例の液晶表示装置で
は、ＴＦＴ１７上には大きな段差（０．５〜１μｍ）が
形成されているために、カラーフィルタ１０上に形成さ
れたブラックマトリクス１１を保護するための第１のオ
ーバーコート層１２が必要であるが、データ線７上は段
差が０．１〜０．２μｍと小さいので、第１のオーバー
コート層１２を省略することができる。

【００６３】そして、データ線７上の第１のオーバーコ
ート層１２をなくすことにより、データ線７近傍におけ
る段差が小さくなり、画素電極１４の競り上がりを防
ぎ、ディスクリネーション等を抑制することができる。
これにより、ブラックマトリクス１１と画素電極１４と
のオーバーラップ幅を小さくすることができ、前記した
第１の実施例よりも開口率を大きくすることができる。
また、カラーフィルタ１０端部のブラックマトリクス１
１による段差が小さくなるために、第２のオーバーコー
ト層１３を形成する際に液溜まりが生じにくく、カラー
フィルタ１０上の第２のオーバーコート層１３を薄く、
かつ均一に形成することができる。

【００６４】［実施例３］ 次に、本発明の第３の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図７を参照して説明する。図７は、
本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。な
お、本実施例では、データ線上のブラックマトリクスを
カラーフィルタの間に配置するところは第２の実施例と
同じであるが、カラーフィルタを第１のオーバーコート
層の後に形成し、かつ、第１のオーバーコート層の開口
部で形状が規定され、その上に第２のオーバーコート層
を形成することを特徴とするものである。従って、ブラ
ックマトリクス、カラーフィルタ、第１のオーバーコー
ト層、第２のオーバーコート層以外の構造、製造方法に
関しては前記した第１の実施例と同様である。

【００６５】図７に示すように、本実施例のＴＦＴ基板
１は、透明絶縁性基板４上にゲート電極５ｂ、ゲート絶
縁膜６が形成され、その上にゲート電極５ｂと重畳する
ように半導体層１５が設けられ、その半導体層１５にソ
ース電極８ｂ、ドレイン電極８ａがオーミックコンタク
ト層を介して接続されてＴＦＴ１７が形成されている。
そして、このＴＦＴ１７を覆うようにパッシベーション
膜９が設けられている。この半導体層１５上には、ブラ
ックマトリクス１１が設けられ、さらにその上には第１
のオーバーコート層１２が形成されている。またコンタ
クトホール１９を介して画素電極１４の下には、第２の
オーバーコート層１３、カラーフィルタ１０が形成され
ている。そして、本実施例に従って、カラーフィルタ１
０は先に形成されている第１のオーバーコート層１２の
内側に形成されている。この実施例で第１及び第２のオ
ーバーコート層には、感光性アクリル系樹脂を用いてい
る。

【００６６】かかる構成おいてドレイン電極８ａ（信号
電極を兼ねる）上のオーバーコート層の膜厚合計は第１
のオーバーコート層１２と第２のオーバーコート層１３
の和となり、ドレイン電極８ａと画素電極１４が互いに
影響を起こさない距離を保つことが出来ると同時に、コ
ンタクトホール１９部分のオーバーコート層は第２のオ
ーバーコート層だけで構成されることになり、動作時の
バックライトの光を減衰することなく充分な透過率を保
つことが出来る。

【００６７】本実施例のＣＦｏｎＴＦＴ基板は、以下に
示す方法によって形成される。ＴＦＴ基板１側の透明絶
縁性基板４上に、ゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６、半
導体層１５、ドレイン電極８ａ、パッシベーション膜
９、ブラックマトリクス１１をフォトレジスト法などを
用いて順次成膜パターンニングする。その後、第１のオ
ーバーコート層１２をフォトレジスト法を用いて形成す
る。この時用いられるオーバーコート材料は、アクリル
系樹脂などで構成される光感光型のレジストを用いる。
この光感光型のレジストをスピンコート法あるいは印刷
法など均一な膜厚が得られる塗布方法で塗布し露光、現
像、焼成を行い第１のオーバーコート層１２を形成す
る。このとき、第１のオーバーコート層１２には、次の
工程で形成されるカラーフィルタを収容する開口２９が
形成される。また、第１のオーバーコート層１２はドレ
イン電極８ａ上或いはドレイン電極８ａ上及びゲート電
極５ｂ上に用いられる膜の誘電率に応じて数μｍの厚さ
に形成される。

【００６８】次に、光感光性のアクリル系樹脂レジスト
であるカラーフィルタ１０を印刷法を用いて基板表面に
塗布し、露光、現像、焼成を続けて行って前の工程で形
成した第１のオーバーコート層１２の開口２９にカラー
フィルタ１０を埋め込む。このとき、コンタクトホール
１９の形成される領域にはカラーフィルタが形成されな
いようにカラーフィルタを開口しておく。

【００６９】この後、第１のオーバーコート層１２と同
様にアクリル系樹脂などで構成される光感光型のレジス
トで平坦化膜としての第２のオーバーコート層１３をス
ピンコート法、印刷法など均一な膜厚が得られる塗布方
法で塗布し露光、現像、焼成を行い形成する。その後、
コンタクトホール１９を形成するために、開口２９に露
出するパッシベーション膜９をフォトレジスト法を用い
て除去してパッシベーション膜９にコンタクトホール１
９を形成する。

【００７０】次に、第２のオーバーコート層１３上にコ
ンタクトホール１９を通してソース電極８ｂと接続され
る画素電極１４を形成する。

【００７１】以上のようにして、ドレイン電極８ａ（信
号電極）、データ線７等の配線上とカラーフィルタ１０
上でオーバーコート層の膜厚を異ならせたＣＦｏｎＴＦ
Ｔ基板を得ることが出来る。

【００７２】［実施例４］ 次に、本発明の第４の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図８を参照して説明する。図８は、
本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図である。な
お、本実施例は、第２の実施例とはブラックマトリクス
と第１のオーバーコート層の上下関係のみが異なる。従
って、ブラックマトリクス、第１のオーバーコート層以
外の構造、製造方法に関しては第３の実施例と同様であ
る。

【００７３】ＴＦＴ基板１側の透明絶縁性基板４上に、
ゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６、半導体層１５、ドレ
イン電極８ａ、パッシベーション膜９が形成されてい
る。この半導体層１５上には、第１のオーバーコート層
１２が設けられ、さらにその上にブラックマトリクス１
１が形成されている。またコンタクトホール１９を介し
て画素電極１４の下には、第２のオーバーコート層１
３、カラーフィルタ１０が形成されている。そして、本
実施例においても第３の実施例と同様に、カラーフィル
タ１０は先に形成されている第１のオーバーコート層１
２の内側に形成されている。この実施例では、第１及び
第２のオーバーコート層は、感光性アクリル系樹脂を用
いている。

【００７４】本実施例においても、第３の実施例と同様
に、ドレイン電極８ａと画素電極１４が互いに影響を起
こさない距離を保つことが出来ると同時に、コンタクト
ホール１９部分のオーバーコート層は第２のオーバーコ
ート層だけで構成されることになり、動作時のバックラ
イトの光を減衰することなく充分な透過率を保つことが
出来る。

【００７５】本実施例のＣＦｏｎＴＦＴ基板は、以下に
示す方法によって形成される。ＴＦＴ基板１側の透明絶
縁性基板４上に、ゲート電極５ｂ、ゲート絶縁膜６、半
導体層１５、ドレイン電極８ａ、パッシベーション膜
９、第１のオーバーコート層１２をフをフォトレジスト
法などを用いて順次成膜パターンニングする。この時用
いられるオーバーコート層は、アクリル系樹脂などで構
成される光感光型のレジストで、スピンコート法あるい
は印刷法など均一な膜厚が得られる塗布方法で塗布し露
光、現像、焼成を行い形成する。

【００７６】その後、ブラックマトリクス１１をフォト
レジスト法で形成する。ここで、第１のオーバーコート
層１２及びブラックマトリクス１１は、概略同一平面パ
ターンを有するように形成され、カラーフィルタ１０を
収容するための開口２９が形成されている。

【００７７】次に、光感光性のアクリル系樹脂レジスト
であるカラーフィルタ１０を第１のオーバーコート層１
２と同様に印刷法を用いて塗布し、露光、現像、焼成を
行って、第１のオーバーコート層１２及びブラックマト
リクス１１の開口２９に埋め込む。このとき、カラーフ
ィルタ１０は、コンタクトホール１９部分には形成され
ず、開口２９が形成されている。

【００７８】続いて、第１のオーバーコート層１２と同
様にアクリル系樹脂などで構成される光感光型のレジス
トで平坦化膜としての第２のオーバーコート層１３をや
はりスピンコート法あるいは印刷法など均一な膜厚が得
られる塗布方法で塗布し、露光、現像、焼成を行い形成
する。このとき、カラーフィルタ１０と同様に、第２の
オーバーコート層１３はコンタクトホール１９部分には
形成されず、開口２９が形成されている。

【００７９】その後、開口２９に露出するパッシベーシ
ョン膜９をフォトレジスト法を用いて除去してパッシベ
ーション膜９にコンタクトホール１９を形成する。その
上にＴＦＴ側透明画素電極３０１を形成して配線上と開
口部上でオーバーコートの膜厚を異ならせたＣＦｏｎＴ
ＦＴ基板を得ることが出来る。

【００８０】次に、第２のオーバーコート層１３上にコ
ンタクトホール１９を通してソース電極８ｂと接続され
る画素電極１４を形成する。

【００８１】以上のようにして、ドレイン電極８ａ（信
号電極）、データ線７等の配線上とカラーフィルタ１０
上でオーバーコート層の膜厚を異ならせたＣＦｏｎＴＦ
Ｔ基板を得ることが出来る。

【００８２】［実施例５］ 次に、本発明の第５の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図９及び図１０を参照して説明す
る。図９は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面
図であり、図１０は基板間のギャップ形成のためのスペ
ーサの位置を示す平面図である。なお、本実施例は、第
１のオーバーコート層形成による生じる段差を積極的に
利用して、ギャップ調整のためのスペーサの形成を容易
にすることを特徴とするものである。

【００８３】一般に、液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１
と対向基板２との間隔を保持するために、通常は球状の
スペーサボールを散布して、３〜４．５μｍ程度のギャ
ップを形成している。しかし、スペーサボールを用いて
ギャップを形成すると、スペーサボールが配置される部
分の基板の凹凸により、ギャップの均一性が損なわれて
しまう。従って、ギャップの制御を正確に行うために
は、基板の所定の場所にパターニングにより柱状スペー
サ２０を形成する必要がある。

【００８４】この場合、ネガ型の感光性アクリル樹脂等
を３〜５μｍ程度の厚さで塗布し、露光、現像、焼成す
ることにより柱状スペーサ２０を形成するが、塗布する
樹脂の膜厚が厚く、特にｇｈｉ混合線やｇｈ混合線で露
光した場合に、各ｇ線やｉ線の波長で焦点深度が異なる
ために正確にパターン形成ができず、柱状スペーサ２０
の形状が不均一になり、場合によっては柱状スペーサ２
０が崩れてしまい、ギャップが不均一になるという不良
が生じる場合がある。

【００８５】しかしながら、本実施例の液晶表示装置で
は、前記した第１及び第２の実施例に示したように、Ｔ
ＦＴ部分には厚膜の第１のオーバーコート層１２が形成
されているために、従来に比べてＴＦＴ部分は高くなっ
ており、この第１のオーバーコート層１２によってＴＦ
Ｔ上に生じる段差を積極的に利用して、その上に形成す
る柱状スペーサ２０の高さを低くすることができる。

【００８６】具体的には、第１のオーバーコート層１２
によってＴＦＴ上に１〜２μｍの段差が形成されている
ため、柱状スペーサ２０形成のための樹脂の膜厚は１〜
２μｍ程度に抑えることができる。従って、ｇｈｉ混合
線やｇｈ混合線で露光した場合であっても正確な形状に
パターニングすることができ、柱状スペーサ２０が崩れ
てしまうという不具合を防止することができる。なお、
本実施例の構造の場合、第１のオーバーコート層１２の
段差を利用するため、柱状スペーサ２０は図１０に示す
位置に形成されることになる。

【００８７】［実施例６］ 次に、本発明の第６の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図１１及び図１２を参照して説明す
る。図１１及び図１２は、本実施例の液晶表示装置の構
造を示す断面図である。なお、本実施例は、ＴＦＴ上の
第１のオーバーコート層を更に高く形成して、ギャップ
形成のためのスペーサとして用いることにより柱状スペ
ーサ形成工程をなくし、工程の簡略化を図るものであ
る。

【００８８】本実施例の液晶表示装置は、前記した第２
の実施例と同様に、透明絶縁性基板４上にＴＦＴ１７等
のスイッチング素子を形成し、その上にパッシベーショ
ン膜９を介してカラーフィルタ１０とブラックマトリク
ス１１を形成する。そして、ＴＦＴ１７部のブラックマ
トリクス１１を覆うように第１のオーバーコート層１２
を形成するが、その際、第１のオーバーコート層１２と
して用いるアクリル系のポジ型感光性樹脂等の粘度を高
くする。

【００８９】そして、その上に第２のオーバーコート層
１３を形成し、図１１に示すように、第１及び第２のオ
ーバーコート層１２、１３を足し合わせた厚さが、所望
のギャップと略等しくなるように第１のオーバーコート
層１２の厚さを調整し、対向基板２を貼り合わせる際
に、第２のオーバーコート層１３を対向基板２に当接さ
せることにより、柱状スペーサ２０を別途形成しなくて
も、ギャップを正確に制御することができる。

【００９０】また、第１のオーバーコート層１２のパタ
ーン形成をより確実に行うためには、第１のオーバーコ
ート層１２の膜厚があまり厚くならないようにする必要
がある。そこで、図１２に示すように、ブラックマトリ
クス１１の下層にカラーフィルタ１０を２〜３層重ねて
膜厚をかせぐことにより、第１のオーバーコート層１２
の膜厚を小さくすることも可能である。なお、この場合
には第１のオーバーコート層１２がカラーフィルタ１０
の側面を覆うように形成し、カラーフィルタ１０を保護
することが好ましい。

【００９１】［実施例７］ 次に、本発明の第７の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図１３乃至図１５を参照して説明す
る。図１３は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断
面図であり、図１４及び図１５は、その製造方法を示す
工程断面図である。なお、本実施例は、前記した第１の
実施例の構造を少ない工程で実現するための製造方法を
提供するものである。 すなわち、前記した実施例で
は、第１のオーバーコート層１２と第２のオーバーコー
ト層１３とを別個に形成するため、樹脂の塗布、露光、
現像等の処理が各々２回必要であるが、工程の削減を図
るために、以下のような製法により第１及び第２のオー
バーコート層１２、１３を一体形成することも可能であ
る。以下にその方法について説明する。

【００９２】まず、前記した第１の実施例と同様に、透
明絶縁性基板４上にＴＦＴ１７等のスイッチング素子を
形成し、その上にパッシベーション膜９を介してカラー
フィルタ１０とブラックマトリクス１１を形成する（図
１４（ａ）、（ｂ）参照）。次に、オーバーコート層２
５を形成するが、本実施例では、１種類のオーバーコー
ト層で厚膜の部分と薄膜の部分を形成するため、例え
ば、粘度１５ｃｐ程度のアクリル系のポジ型感光性樹脂
を回転数８００ｒｐｍ／１０ｓ程度で塗布し、膜厚を１
μｍ程度としている。

【００９３】そして、本実施例では、工程簡略化のため
に、図１４（ｃ）に示すような方法を用いて露光を行
う。すなわち、ブラックマトリクス１１上の厚膜のオー
バーコート層２５ａを残す部分には完全に光を遮光する
遮光膜２２を有し、カラーフィルタ１０上などの薄膜の
オーバーコート層２５ｂを残す部分には半透過膜２３を
有し、コンタクトホール１９上等のオーバーコート層２
５を完全に除去する部分は透明に形成されたグレートー
ンマスク２１を用いることにより、各部に照射されるＵ
Ｖ光の程度を制御し、現像液に対する各部のエッチング
レートを変えることで、各部の所定の膜厚を得ることが
可能となる。

【００９４】具体的には、半透過膜２３として５０％透
過させることで、ＵＶ光を１Ｊ照射した後、ＴＭＡＨ
０．４％溶液で現像し、２２０℃／１時間焼成すると、
ブラックマトリクス１１上でオーバーコート層２５ａが
１μｍ程度、カラーフィルタ１０上でオーバーコート層
２５ｂが０．５μｍ程度となる（図１５（ｄ）参照）。
その後、図１５（ｅ）に示すように、ＩＴＯ等からなる
画素電極を形成し、ＴＦＴ基板１が形成される。

【００９５】このように、グレートーンマスク２１を用
いて露光量を場所によって変えることによって、１回の
露光、現像で、ＴＦＴ１７部分で厚く、画素領域のカラ
ーフィルタ１０上で薄くオーバーコート層を形成するこ
とができるため、前記各実施例に比べて工程の削減を図
ることができる。なお、本実施例では、グレートーンマ
スク２１を用いて露光量を調整したが、露光を２回にし
て、それぞれの露光量を変えることにより、膜厚の異な
るオーバーコート層を１回のオーバーコート樹脂の塗布
・現像により形成することも可能である。

【００９６】［実施例８］ 次に、本発明の第８の実施
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法について、図１６を参照して説明する。図１６
は、本実施例の液晶表示装置の構造を示す断面図であ
る。なお、本実施例は、第２のオーバーコート層１３を
省略し、第１のオーバーコート層１２のみを用いること
を特徴とするものである。

【００９７】すなわち、前記した第１の実施例と同様
に、透明絶縁性基板４上にＴＦＴ１７を形成し、その上
にパッシベーション膜９を介してカラーフィルタ１０及
びブラックマトリクス１１を形成する。そして、第１の
オーバーコート層１２を塗布し、露光・現像によってＴ
ＦＴ１７部とデータ線７部のブラックマトリクス１１上
に第１のオーバーコート層１２を形成するが、その際、
露光量及び現像時間を調整することにより、カラーフィ
ルタ１０の平坦部の第１のオーバーコート層１２を除去
し、段差部（ＴＦＴ１７部、データ線７部、カラーフィ
ルタ１０のエッジ部）に第１のオーバーコート層１２が
残るようにする。

【００９８】このような方法により、ブラックマトリク
ス１１を保護すると共に、カラーフィルタ１０のエッジ
部にも第１のオーバーコート層１２を残すことができる
ため、第２のオーバーコート層１３が無くても画素電極
１４の断線を防止することができる。なお、この場合
は、カラーフィルタ１０がＩＴＯを介して液晶層３にさ
らされ、カラーフィルタ１０の不純物が液晶に混入しや
すくなるため、配向膜の厚膜化等により不純物が液晶層
３にでなくなるような工夫が必要となる。

【００９９】なお、上記各実施例では、ＣＦオンＴＦＴ
構造の液晶表示装置について記載したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、カラーフィルタ１０
及びブラックマトリクス１１が対向基板側に形成される
構造にも適用することはできる。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法によれ
ば、ブラックマトリクス上には粘度の大きい厚膜の第１
のオーバーコート層を設け、カラーフィルタ上には粘度
の小さい薄膜の第２のオーバーコート層を形成すること
により、ブラックマトリクスの表面を十分に被覆・保護
すると共に、カラーフィルタ上の第２のオーバーコート
層による透過率の減少を抑制することができる。

【０１０１】又、データ線上にも厚膜の第１のオーバー
コート層を形成することにより、データ線と画素電極と
の距離を大きくすることができ、これによりデータ線と
画素電極とのカップリング容量を低減することができ、
表示品位の向上を図ることができる。

【０１０２】更に、ＴＦＴ部分に形成する厚膜の第１の
オーバーコート層を積極的に利用することにより、その
上に形成する柱状スペーサの高さを低くしたり、オーバ
ーコート層自体をスペーサとして用いることができる。
これにより、柱状スペーサが崩れてしまうという不具合
を防止することができ、また、柱状スペーサを別途形成
する工程を省略することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の構成を示す回路図であ
る。

【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構
成を示す平面図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構
成を示す平面図である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板１の製造方法を示す工程断面図である。

【図６】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す断面図である。

【図８】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す断面図である。

【図９】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す断面図である。

【図１０】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の
構成を示す平面図である。

【図１１】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す断面図である。

【図１２】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す断面図である。

【図１３】本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す断面図である。

【図１４】本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の
ＴＦＴ基板１の製造方法を示す工程断面図である。

【図１５】本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の
ＴＦＴ基板１の製造方法を示す工程断面図である。

【図１６】本発明の第８の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す断面図である。

【図１７】従来の液晶表示装置の構造を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ ＴＦＴ基板 ２ 対向基板 ３ 液晶層 ４ 透明絶縁性基板 ５ ゲート線 ５ａ ゲート端子 ５ｂ ゲート電極 ６ ゲート絶縁膜 ７ データ線 ７ａ データ端子 ８ａ ドレイン電極 ８ｂ ソース電極 ９ パッシベーション膜 １０ カラーフィルタ １１ ブラックマトリクス １２ 第１のオーバーコート層 １３ 第２のオーバーコート層 １４ 画素電極 １５ 半導体層 １６ 対向電極 １７ ＴＦＴ １８ 画素容量 １９ コンタクトホール ２０ 柱状スペーサ ２１ グレートーンマスク ２２ 遮光膜 ２３ 半透過膜 ２４ 平坦化膜 ２５ オーバーコート層 ２５ａ 厚膜のオーバーコート層 ２５ｂ 薄膜のオーバーコート層 ２９ 開口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ５Ｇ４３５ ３４９ ３４９Ｂ ３４９Ｃ 9/35 9/35 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 49/02 29/786 29/78 ６１２Ｄ 49/02 ６１９Ａ ６１９Ｂ (72)発明者 石野 隆行 鹿児島県出水市大野原町2080 鹿児島日本 電気株式会社内 (72)発明者 山本 勇司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 岡本 守 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 木村 茂 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 中田 慎一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 秀平 昌信 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 堀江 由高 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 黒羽 昇一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA11 LA12 NA05 NA14 QA14 QA16 2H090 HA04 HA05 HB03X HB07X HC05 HC11 HD03 HD06 2H092 JB51 JB57 JB58 KB22 KB24 KB25 KB26 NA07 NA19 NA27 5C094 AA08 AA09 AA10 AA13 AA43 AA47 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 CA24 DA09 DA13 DB01 DB04 EA04 EB02 EC03 ED03 ED15 FA01 FA02 GB10 5F110 AA21 BB01 CC01 CC05 CC07 DD02 EE03 EE04 EE44 FF02 FF03 FF09 FF29 GG02 GG15 GG24 GG44 HK03 HK04 HK33 HL07 HL23 NN04 NN24 NN27 NN32 NN33 NN34 NN35 NN36 NN45 NN52 NN73 QQ02 QQ06 5G435 AA03 AA04 AA07 AA17 BB12 CC09 CC12 FF13 GG12 HH18 HH20 KK05

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】対向配置された一対の基板間に液晶が狭持
   され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及
   びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領
   域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線
   と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカ
   ラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラー
   フィルタを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコー
   ト層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置で
   あって、 前記オーバーコート層が、前記カラーフィルタ上の膜厚
   が前記カラーフィルタを除く領域上の膜厚よりも薄くな
   るように形成されていることを特徴とするアクティブマ
   トリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記オーバーコート層が、前記カラーフィ
   ルタを除く領域上において、複数のオーバーコート層を
   積層した構造をなすことを特徴とする請求項１記載のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】対向配置された一対の基板間に液晶が狭持
   され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及
   びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領
   域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線
   と前記データ線とで囲まれる各画素に配設されるカラー
   フィルタと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィ
   ルタを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコート層
   とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であっ
   て、 前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層と第
   ２のオーバーコート層とからなり、前記カラーフィルタ
   上には前記第２のオーバーコート層のみが配設されてい
   ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
4. 【請求項４】対向配置された一対の基板間に液晶が狭持
   され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及
   びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領
   域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線
   と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカ
   ラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラー
   フィルタを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコー
   ト層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置で
   あって、 前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層と第
   ２のオーバーコート層とからなり、前記カラーフィルタ
   上には前記第２のオーバーコート層のみが配設されてい
   ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
   置。
5. 【請求項５】対向配置された一対の基板間に液晶が狭持
   され、一側の基板に、互いに交差する複数のゲート線及
   びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線の交差領
   域近傍に設けられる薄膜トランジスタと、前記ゲート線
   と前記データ線とで囲まれる各画素領域に配設されるカ
   ラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ及び前記カラー
   フィルタを含む前記一側の基板表面を覆うオーバーコー
   ト層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置で
   あって、 前記オーバーコート層が、第１のオーバーコート層と第
   ２のオーバーコート層とを有し、前記カラーフィルタ
   は、前記第１のオーバーコート層の間に形成され、前記
   第２のオーバーコート層は、前記カラーフィルタ及び前
   記第１のオーバーコート層を含む前記一側の基板表面を
   覆う形に形成されていることを特徴とするアクティブマ
   トリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】前記薄膜トランジスタと前記オーバーコー
   ト層とを含んで形成される凸部上にスペーサが形成さ
   れ、前記凸部と前記スペーサとにより対向する基板間の
   ギャップが規定される請求項１乃至５のいずれか一に記
   載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. 【請求項７】前記薄膜トランジスタと前記オーバーコー
   ト層とを含んで形成される凸部が対向する基板に当接す
   るように、前記オーバーコート層の膜厚が設定され、前
   記凸部により対向する基板間のギャップが規定される請
   求項１乃至５のいずれか一に記載のアクティブマトリク
   ス型液晶表示装置。
8. 【請求項８】前記薄膜トランジスタ領域の上にはブラッ
   クマトリクスが形成されている請求項１乃至７のいずれ
   か一に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
9. 【請求項９】前記薄膜トランジスタ領域の上には前記カ
   ラーフィルタが形成されている請求項８記載のアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置。
10. 【請求項１０】前記データ線上にはブラックマトリクス
    が形成される請求項１乃至９のいずれか一に記載のアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置。
11. 【請求項１１】第１の基板に互いに交差する複数のゲー
    ト線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線
    とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する
    工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と
    前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラーフィルタ
    を配設する工程と、前記カラーフィルタを含む前記一側
    の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工
    程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工
    程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記
    第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有す
    るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であ
    って、 前記オーバーコート層を形成するに際し、前記カラーフ
    ィルタ上のオーバーコート層を他の領域のオーバーコー
    ト層よりも薄く形成することを特徴とするアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置の製造方法。
12. 【請求項１２】前記オーバーコート層は、複数のオーバ
    ーコート層をスピン塗布することにより形成され、前記
    カラーフィルタ上のオーバーコート層に他の領域のオー
    バーコート層よりも粘度の低いオーバーコート層を用い
    る請求項１１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
13. 【請求項１３】前記オーバーコート層は、複数のオーバ
    ーコート層をスピン塗布することにより形成され、前記
    カラーフィルタ上のオーバーコート層を他の領域のオー
    バーコート層よりも回転数が高いスピン塗布により形成
    する請求項１１又は１２記載のアクティブマトリクス型
    液晶表示装置。
14. 【請求項１４】第１の基板に互いに交差する複数のゲー
    ト線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線
    とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する
    工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と
    前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラーフィルタ
    を配設する工程と、前記カラーフィルタを含む前記第１
    の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工
    程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工
    程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記
    第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有す
    るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であ
    って、 前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバ
    ーコート層及び第２のオーバーコート層を順次形成する
    ことにより行われ、前記カラーフィルタ上を前記第２の
    オーバーコート層が覆う形に形成されることを特徴とす
    るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
15. 【請求項１５】第１の基板に互いに交差する複数のゲー
    ト線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線
    とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する
    工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と
    前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラーフィルタ
    を配設する工程と、前記カラーフィルタを含む前記第１
    の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工
    程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工
    程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記
    第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有す
    るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であ
    って、 前記オーバーコート層を形成する工程が、前記カラーフ
    ィルタを除く前記第１の基板表面に第１のオーバーコー
    ト層を形成し、前記カラーフィルタ上に前記第１のオー
    バーコート層よりも薄い第２のオーバーコート層を形成
    することにより行われることを特徴とするアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置の製造方法。
16. 【請求項１６】前記第１のオーバーコート層と前記第２
    のオーバーコート層を、各オーバーコート層部分の露光
    量を異ならせることにより一の工程で行う請求項１５記
    載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
17. 【請求項１７】前記露光量の調整は、遮光部と半透過部
    と透過部とから構成されるグレートーンマスクを用いて
    一の工程で行う請求項１６記載のアクティブマトリクス
    型液晶表示装置の製造方法。
18. 【請求項１８】第１の基板に互いに交差する複数のゲー
    ト線及びデータ線と共に、前記ゲート線と前記データ線
    とで囲まれる各画素領域に薄膜トランジスタを形成する
    工程と、パッシベーション膜を介して、前記ゲート線と
    前記データ線とで囲まれる各画素領域にカラーフィルタ
    を配設する工程と、前記カラーフィルタを含む前記第１
    の基板表面を覆うようにオーバーコート層を形成する工
    程と、前記オーバーコート層上に画素電極を形成する工
    程と、前記第１の基板に第２の基板を対向配置し、前記
    第１及び第２の基板間に液晶を狭持する工程と、を有す
    るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法であ
    って、 前記オーバーコート層を形成する工程が、第１のオーバ
    ーコート層を形成する工程と第２のオーバーコート層を
    形成する工程とを含み、前記第１のオーバーコート層を
    形成する工程は、前記薄膜トランジスタを形成する工程
    と、前記カラーフィルタを形成する工程との間にあっ
    て、前記カラーフィルタの形成領域を除く前記第１の基
    板表面に第１のオーバーコート層を形成することにより
    行われ、前記カラーフィルタを形成する工程は、前記第
    １のオーバーコート層の間にカラーフィルタを形成する
    ことにより行われ、前記第２のオーバーコート層を形成
    する工程は、前記カラーフィルタを形成する工程と、前
    記画素電極を形成する工程との間にあって、前記カラー
    フィルタ及び前記第１のオーバーコート層を含む前記第
    １の基板表面を第２のオーバーコート層で覆うことによ
    り行われることを特徴とするアクティブマトリクス型液
    晶表示装置の製造方法。
19. 【請求項１９】前記薄膜トランジスタと前記オーバーコ
    ート層とを含む凸部を形成後、前記凸部上に、前記第１
    及び第２の基板間のギャップを規定するスペーサを形成
    することを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか一
    に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
    法。
20. 【請求項２０】前記薄膜トランジスタと前記オーバーコ
    ート層とを含む凸部を形成するに際し、前記凸部が前記
    第２の基板に当接して前記第１及び第２の基板間のギャ
    ップを規定するように、前記オーバーコート層の膜厚を
    調整する請求項１１乃至１８のいずれか一記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
21. 【請求項２１】前記薄膜トランジスタ領域の上にはブラ
    ックマトリクスが形成される請求項１１乃至２０のいず
    れか一に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
    製造方法。
22. 【請求項２２】前記薄膜トランジスタ領域の上には前記
    カラーフィルタが形成される請求項２１記載のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
23. 【請求項２３】前記データ線の上にはブラックマトリク
    スが形成される請求項１１乃至２２のいずれか一に記載
    のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。