JP2002277281A - 磁気式エンコーダー - Google Patents
磁気式エンコーダーInfo
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- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗変化率が大きく且つ耐熱性に優れた
磁性積層膜を備える磁気式エンコーダーを提供する。 【解決手段】 ［（ＮｉｘＣｏ１−ｘ）ｙＦｅ１−ｙ］
ｚＢ１−ｚの組成の磁性薄膜層と非磁性薄膜層とが交互
に基板上に積層されており、０．６０≦ｘ≦１．００、
０．７０≦ｙ＜１．００、０．９０≦ｚ＜１．００であ
る磁性積層膜を設けた磁気センサーと、前記磁気センサ
ーを対向させる磁気媒体を備え、前記磁気センサーと磁
気媒体間の磁気ギャップｇが２μｍ以上且つ２ｍｍ以下
である磁気式エンコーダーを用いる。
磁性積層膜を備える磁気式エンコーダーを提供する。 【解決手段】 ［（ＮｉｘＣｏ１−ｘ）ｙＦｅ１−ｙ］
ｚＢ１−ｚの組成の磁性薄膜層と非磁性薄膜層とが交互
に基板上に積層されており、０．６０≦ｘ≦１．００、
０．７０≦ｙ＜１．００、０．９０≦ｚ＜１．００であ
る磁性積層膜を設けた磁気センサーと、前記磁気センサ
ーを対向させる磁気媒体を備え、前記磁気センサーと磁
気媒体間の磁気ギャップｇが２μｍ以上且つ２ｍｍ以下
である磁気式エンコーダーを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性積層膜を有す
る磁気センサーを用いた磁気式エンコーダーに関するも
のである。
る磁気センサーを用いた磁気式エンコーダーに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気式エンコーダーの分野におい
て、磁気センサーに用いる磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称する）には、異方性磁気抵抗効果を利用する
ＮｉＦｅ合金膜やＮｉＣｏ合金膜が用いられている。こ
れらの材料がもつ異方性磁気抵抗効果による磁気抵抗変
化率は２．５％程度である。従来のＭＲ素子を用いた磁
気式エンコーダーの出力（信号電圧）は４０〜５０ｍＶ
である。工作機械等に用いる磁気式エンコーダーで磁気
ギャップを大きくして用いると、出力が小さくなってし
まう。ギャップを大きくしても磁気センサーから十分な
出力を得るには、磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）を大きく
する必要がある。
て、磁気センサーに用いる磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称する）には、異方性磁気抵抗効果を利用する
ＮｉＦｅ合金膜やＮｉＣｏ合金膜が用いられている。こ
れらの材料がもつ異方性磁気抵抗効果による磁気抵抗変
化率は２．５％程度である。従来のＭＲ素子を用いた磁
気式エンコーダーの出力（信号電圧）は４０〜５０ｍＶ
である。工作機械等に用いる磁気式エンコーダーで磁気
ギャップを大きくして用いると、出力が小さくなってし
まう。ギャップを大きくしても磁気センサーから十分な
出力を得るには、磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）を大きく
する必要がある。
【０００３】近年では、磁気センサーとして磁気抵抗変
化率の大きい巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であ
る［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ］
の磁性積層膜が検討されている。例えば、特許第２８１
２０４２号公報にはＮｉＣｏＦｅと金属非磁性薄膜層を
積層した金属人工格子膜の磁気センサーが開示されてい
る。これらＧＭＲ素子は、異方性磁気抵抗効果を利用し
たＮｉ−Ｆｅ合金やＮｉ−Ｃｏ合金膜のＭＲ素子に比べ
て、２〜４倍の磁気抵抗変化率をもつ。磁気抵抗変化率
を大きくすると、磁気センサーの出力信号も大きくする
ことができる。ＧＭＲ素子を使用することで、ＭＲ素子
の２倍以上の出力（８０ｍＶ〜１００ｍＶ、またはそれ
以上）を得ることができる。出力が大きいと、磁気式エ
ンコーダーを組み立てるときに、磁気ギャップを大きく
して取り付けることができる。磁気ギャップが大きいと
組立て性が向上し、歩留まりが向上する。また、出力の
大きなＧＭＲ素子を適用することで、現在、ＭＲ素子で
組んでいるフルブリッジ回路をＧＭＲ素子で組んだハー
フブリッジ回路に置き換えることができ、磁気センサー
の寸法を小型化し得る。
化率の大きい巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であ
る［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ］
の磁性積層膜が検討されている。例えば、特許第２８１
２０４２号公報にはＮｉＣｏＦｅと金属非磁性薄膜層を
積層した金属人工格子膜の磁気センサーが開示されてい
る。これらＧＭＲ素子は、異方性磁気抵抗効果を利用し
たＮｉ−Ｆｅ合金やＮｉ−Ｃｏ合金膜のＭＲ素子に比べ
て、２〜４倍の磁気抵抗変化率をもつ。磁気抵抗変化率
を大きくすると、磁気センサーの出力信号も大きくする
ことができる。ＧＭＲ素子を使用することで、ＭＲ素子
の２倍以上の出力（８０ｍＶ〜１００ｍＶ、またはそれ
以上）を得ることができる。出力が大きいと、磁気式エ
ンコーダーを組み立てるときに、磁気ギャップを大きく
して取り付けることができる。磁気ギャップが大きいと
組立て性が向上し、歩留まりが向上する。また、出力の
大きなＧＭＲ素子を適用することで、現在、ＭＲ素子で
組んでいるフルブリッジ回路をＧＭＲ素子で組んだハー
フブリッジ回路に置き換えることができ、磁気センサー
の寸法を小型化し得る。
【０００４】
【発明の解決しようとする課題】磁気式エンコーダー用
の磁気センサーの製造工程では、磁性積層膜（ＧＭＲ素
子）を作製した後に、配線のハンダ付け工程や保護膜を
形成する工程等で磁気センサーが加熱されることがあ
る。例えば、ハンダ付け工程では磁気センサーの端子部
にハンダを盛ったり、端子部にフレキシブル配線基板を
ハンダ付けしたりする際に、その工程の熱が外乱として
磁気センサー中に伝わってしまう。従って、既に作製さ
れている磁性積層膜までも加熱されることになる。
の磁気センサーの製造工程では、磁性積層膜（ＧＭＲ素
子）を作製した後に、配線のハンダ付け工程や保護膜を
形成する工程等で磁気センサーが加熱されることがあ
る。例えば、ハンダ付け工程では磁気センサーの端子部
にハンダを盛ったり、端子部にフレキシブル配線基板を
ハンダ付けしたりする際に、その工程の熱が外乱として
磁気センサー中に伝わってしまう。従って、既に作製さ
れている磁性積層膜までも加熱されることになる。
【０００５】しかし、従来の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃ
ｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ］の磁性積層膜（ＧＭＲ素
子）はＭＲ素子に比べて耐熱性が十分でなく、磁性積層
膜を形成した後の他の工程において磁気センサーが加熱
されると、磁性積層膜の磁気抵抗変化率が減少する。従
来の磁性積層膜を磁気式エンコーダーに適用しても、磁
気式エンコーダーの製造工程を経ると、出力の大きい磁
気式エンコーダーを得ることが難しい。従来の［Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ］の磁性積層
膜は、２００℃以上の温度で加熱されると、抵抗変化率
が減少してしまう。例えば、２５０℃で１時間加熱する
と、磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）が２０％も減少してし
まう。そこで、本発明の目的は、磁気抵抗変化率が大き
く且つ耐熱性を向上させた磁性積層膜を備える磁気式エ
ンコーダーを提供することである。
ｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ］の磁性積層膜（ＧＭＲ素
子）はＭＲ素子に比べて耐熱性が十分でなく、磁性積層
膜を形成した後の他の工程において磁気センサーが加熱
されると、磁性積層膜の磁気抵抗変化率が減少する。従
来の磁性積層膜を磁気式エンコーダーに適用しても、磁
気式エンコーダーの製造工程を経ると、出力の大きい磁
気式エンコーダーを得ることが難しい。従来の［Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｕ］の磁性積層
膜は、２００℃以上の温度で加熱されると、抵抗変化率
が減少してしまう。例えば、２５０℃で１時間加熱する
と、磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）が２０％も減少してし
まう。そこで、本発明の目的は、磁気抵抗変化率が大き
く且つ耐熱性を向上させた磁性積層膜を備える磁気式エ
ンコーダーを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気式エンコー
ダーは、［（ＮｉｘＣｏ１−ｘ）ｙＦｅ１−ｙ］ｚＢ
１−ｚの組成の磁性薄膜層と非磁性薄膜層とが交互に基
板上に積層されており、０．６０≦ｘ≦１．００、０．
７０≦ｙ＜１．００、０．９０≦ｚ＜１．００である磁
性積層膜を設けた磁気センサーと、ピッチλで連続した
磁化パターンを記録した磁性体を有する磁気媒体を備
え、２μｍ以上且つ２ｍｍ以下の磁気ギャップを介して
前記磁気媒体に磁気センサーを対向させて、磁気媒体の
移動を検出することを特徴とする。
ダーは、［（ＮｉｘＣｏ１−ｘ）ｙＦｅ１−ｙ］ｚＢ
１−ｚの組成の磁性薄膜層と非磁性薄膜層とが交互に基
板上に積層されており、０．６０≦ｘ≦１．００、０．
７０≦ｙ＜１．００、０．９０≦ｚ＜１．００である磁
性積層膜を設けた磁気センサーと、ピッチλで連続した
磁化パターンを記録した磁性体を有する磁気媒体を備
え、２μｍ以上且つ２ｍｍ以下の磁気ギャップを介して
前記磁気媒体に磁気センサーを対向させて、磁気媒体の
移動を検出することを特徴とする。
【０００７】磁性積層膜をこの組成範囲とすることで、
磁気抵抗変化率が大きく耐熱性のよい磁気センサーを有
する磁気式エンコーダーを得ることができる。磁気抵抗
変化率と出力を大きくすることができるため、磁気ギャ
ップを２ｍｍの大きさまで広げられる。なお、磁性積層
膜の磁気媒体と対向する側には、磁性積層膜の腐食を防
止するために少なくとも２μｍ厚さの保護膜を有するす
ることが好ましい。そのため、磁性積層膜と磁気媒体間
の磁気ギャップは２μｍ以上とする。前記磁性積層膜は
耐熱性に優れているため、例えば、磁気式エンコーダー
を作製する際の他の製造工程において２５０℃の温度で
１時間加熱されたとしても、加熱される前に比べて磁気
抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）の減少が５％以下に抑制され
る。なお、上記磁性薄膜にはＮｉＣｏＦｅＢとＮｉＦｅ
Ｂが含まれる。ただし、ＮｉＦｅＢに比べてＮｉＣｏＦ
ｅＢの方が磁気抵抗変化率を大きくすることができるた
め、より望ましくは上記組成比について０．６０≦ｘ＜
１．００にするとよい。
磁気抵抗変化率が大きく耐熱性のよい磁気センサーを有
する磁気式エンコーダーを得ることができる。磁気抵抗
変化率と出力を大きくすることができるため、磁気ギャ
ップを２ｍｍの大きさまで広げられる。なお、磁性積層
膜の磁気媒体と対向する側には、磁性積層膜の腐食を防
止するために少なくとも２μｍ厚さの保護膜を有するす
ることが好ましい。そのため、磁性積層膜と磁気媒体間
の磁気ギャップは２μｍ以上とする。前記磁性積層膜は
耐熱性に優れているため、例えば、磁気式エンコーダー
を作製する際の他の製造工程において２５０℃の温度で
１時間加熱されたとしても、加熱される前に比べて磁気
抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）の減少が５％以下に抑制され
る。なお、上記磁性薄膜にはＮｉＣｏＦｅＢとＮｉＦｅ
Ｂが含まれる。ただし、ＮｉＦｅＢに比べてＮｉＣｏＦ
ｅＢの方が磁気抵抗変化率を大きくすることができるた
め、より望ましくは上記組成比について０．６０≦ｘ＜
１．００にするとよい。
【０００８】上記本発明の磁気式エンコーダーにおい
て、前記磁性薄膜層の厚さｄ１が５Å≦ｄ１≦３０Åで
あり、非磁性薄膜層の厚さｄ２が５Å≦ｄ２≦３０Åで
ある構成にすることが、磁気抵抗変化率を得る上で望ま
しい。特に、１０Å≦ｄ１≦２２Å、２０Å≦ｄ２≦２
５Åとすることで６％以上の高い磁気抵抗変化率を得る
ことができる。各々の膜厚の上限と下限を規定する理由
を延べる。磁性薄膜層の厚さが３０Å以上になると層間
の磁性元素間の距離が相対的に大きくなり、反強磁性的
結合が小さくなり、磁気抵抗変化率が小さくなる。ま
た、膜厚が５Å以下になると磁性薄膜の連続性が劣化し
て、強磁性を示さなくなる。非磁性薄膜層の厚さを３０
Å以上にすると、磁性薄膜間の距離が遠くなり、反強磁
性的結合が弱くなる。また、膜厚を５Å以下にすると膜
厚の均一性を保てなくなるのと同時に、磁性薄膜層間で
強磁性結合がおこり、磁気抵抗効果が得られなくなる。
て、前記磁性薄膜層の厚さｄ１が５Å≦ｄ１≦３０Åで
あり、非磁性薄膜層の厚さｄ２が５Å≦ｄ２≦３０Åで
ある構成にすることが、磁気抵抗変化率を得る上で望ま
しい。特に、１０Å≦ｄ１≦２２Å、２０Å≦ｄ２≦２
５Åとすることで６％以上の高い磁気抵抗変化率を得る
ことができる。各々の膜厚の上限と下限を規定する理由
を延べる。磁性薄膜層の厚さが３０Å以上になると層間
の磁性元素間の距離が相対的に大きくなり、反強磁性的
結合が小さくなり、磁気抵抗変化率が小さくなる。ま
た、膜厚が５Å以下になると磁性薄膜の連続性が劣化し
て、強磁性を示さなくなる。非磁性薄膜層の厚さを３０
Å以上にすると、磁性薄膜間の距離が遠くなり、反強磁
性的結合が弱くなる。また、膜厚を５Å以下にすると膜
厚の均一性を保てなくなるのと同時に、磁性薄膜層間で
強磁性結合がおこり、磁気抵抗効果が得られなくなる。
【０００９】本明細書で説明する組成比は、各々の比率
の和（全ての組成の和）が原子組成比の１００ａｔｍ％
に相当する。上記本発明の磁気式エンコーダーにおい
て、磁性薄膜の組成比の内、Ｎｉ（ニッケル）の組成比
をＣｏ（コバルト）よりも多くした。ＣｏをＮｉより多
くすると、外部磁界の変化に対する磁気抵抗変化率の変
化が小さくなって、磁気センサーの感度が低下してしま
う。このような感度低下を回避するため、ＮｉとＣｏの
比をｘで規定した。同様の磁気特性の観点から鉄に対し
て（Ｎｉ＋Ｃｏ）の比をｙで規定した。Ｂ（ボロン）の
比率は、０．１０（即ち、１０ａｔｍ％）以下、且つ０
（０ａｔｍ％）より大とする。Ｂは磁性積層膜の耐熱性
を向上させるために０より多く含有させる。ただし、Ｂ
を１０ａｔｍ％より多く含有させると、磁気式エンコー
ダーにおける他の製造工程で磁性積層膜が加熱されたと
きに磁気抵抗変化率が大きく低下して（加熱前に対して
２０％以上）十分な出力を得られなくなるため、上限を
０．１０にする。なお、上記非磁性薄膜は銅（Ｃｕ）で
構成することが望ましい。他にＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金
属で構成した非磁性薄膜を用いることもできるが、材料
のコストが高くなるため、銅を使うことが望ましい。
の和（全ての組成の和）が原子組成比の１００ａｔｍ％
に相当する。上記本発明の磁気式エンコーダーにおい
て、磁性薄膜の組成比の内、Ｎｉ（ニッケル）の組成比
をＣｏ（コバルト）よりも多くした。ＣｏをＮｉより多
くすると、外部磁界の変化に対する磁気抵抗変化率の変
化が小さくなって、磁気センサーの感度が低下してしま
う。このような感度低下を回避するため、ＮｉとＣｏの
比をｘで規定した。同様の磁気特性の観点から鉄に対し
て（Ｎｉ＋Ｃｏ）の比をｙで規定した。Ｂ（ボロン）の
比率は、０．１０（即ち、１０ａｔｍ％）以下、且つ０
（０ａｔｍ％）より大とする。Ｂは磁性積層膜の耐熱性
を向上させるために０より多く含有させる。ただし、Ｂ
を１０ａｔｍ％より多く含有させると、磁気式エンコー
ダーにおける他の製造工程で磁性積層膜が加熱されたと
きに磁気抵抗変化率が大きく低下して（加熱前に対して
２０％以上）十分な出力を得られなくなるため、上限を
０．１０にする。なお、上記非磁性薄膜は銅（Ｃｕ）で
構成することが望ましい。他にＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金
属で構成した非磁性薄膜を用いることもできるが、材料
のコストが高くなるため、銅を使うことが望ましい。
【００１０】本発明の他の磁気式エンコーダーは、上記
本発明において、前記基板と前記磁性積層膜の間に下地
膜として（ＮｉａＦｅ１−ａ）ｂＣｒ１−ｂの組成の合
金薄膜であって組成範囲が０．４≦ａ≦１．０、０．４
≦ｂ≦０．８である薄膜を設けることを特徴とする。前
記組成比は、全ての成分を足した状態で原子組成比の１
００ａｔｍ％に相当する。この下地膜を設けることで、
磁性積層膜の磁気抵抗変化率をさらに増大させることが
できる。前記下地膜の厚さｄ３は、１０Å≦ｄ３≦１０
０Åであることが望ましい。１０Åより小さくすると抵
抗変化率を増大させる効果が大きくないため、下限を１
０Åとする。磁気抵抗変化率と耐熱性のさらに向上させ
るには下限を５０Åとすることが望ましい。下地膜の膜
厚が大きすぎると、磁性積層膜の膜質が劣化して磁気抵
抗変化率が小さくなるため、下地膜の膜厚の上限を１０
０Åとする。なお、上記下地膜にはＮｉＦｅＣｒとＮｉ
Ｃｒが含まれる。ただし、ＮｉＣｒに比べてＮｉＦｅＣ
ｒを用いる方が、磁性多層膜の磁気抵抗変化率を増大さ
せる効果が大きいため、望ましくは上記組成比について
０．４≦ａ＜１．０にするとよい。
本発明において、前記基板と前記磁性積層膜の間に下地
膜として（ＮｉａＦｅ１−ａ）ｂＣｒ１−ｂの組成の合
金薄膜であって組成範囲が０．４≦ａ≦１．０、０．４
≦ｂ≦０．８である薄膜を設けることを特徴とする。前
記組成比は、全ての成分を足した状態で原子組成比の１
００ａｔｍ％に相当する。この下地膜を設けることで、
磁性積層膜の磁気抵抗変化率をさらに増大させることが
できる。前記下地膜の厚さｄ３は、１０Å≦ｄ３≦１０
０Åであることが望ましい。１０Åより小さくすると抵
抗変化率を増大させる効果が大きくないため、下限を１
０Åとする。磁気抵抗変化率と耐熱性のさらに向上させ
るには下限を５０Åとすることが望ましい。下地膜の膜
厚が大きすぎると、磁性積層膜の膜質が劣化して磁気抵
抗変化率が小さくなるため、下地膜の膜厚の上限を１０
０Åとする。なお、上記下地膜にはＮｉＦｅＣｒとＮｉ
Ｃｒが含まれる。ただし、ＮｉＣｒに比べてＮｉＦｅＣ
ｒを用いる方が、磁性多層膜の磁気抵抗変化率を増大さ
せる効果が大きいため、望ましくは上記組成比について
０．４≦ａ＜１．０にするとよい。
【００１１】上記本発明のいずれかにおいて、前記磁性
積層膜は一組の磁性薄膜層と非磁性薄膜層を１ユニット
とするとき、積層するユニットの数が５個以上且つ２５
個以下であることが望ましい。より好ましくは１０個以
上且つ２４個以下にするとよい。ユニットの数が小さい
と自由電子が散乱される割合が少なく、十分な磁気抵抗
変化率が得られないため、ユニットを５個以上とする。
これに対して、ユニットの数が多すぎると、磁性積層膜
で膜厚が不均一になり始め、磁気抵抗変化率が小さくな
る。各々の膜の厚さはその膜面内で完全に同一でなく、
わずかに膜厚分布を有することがある。ユニット数が小
さいと、これらの膜厚分布があっても磁性積層膜の磁気
抵抗変化率が低下することはない。しかし、ユニット数
を多くするとそれらの膜厚分布が積算される結果、磁性
積層膜全体の膜厚が不均一になり、磁気抵抗変化率が低
下する。そこで、ユニットを２５個以下とする。
積層膜は一組の磁性薄膜層と非磁性薄膜層を１ユニット
とするとき、積層するユニットの数が５個以上且つ２５
個以下であることが望ましい。より好ましくは１０個以
上且つ２４個以下にするとよい。ユニットの数が小さい
と自由電子が散乱される割合が少なく、十分な磁気抵抗
変化率が得られないため、ユニットを５個以上とする。
これに対して、ユニットの数が多すぎると、磁性積層膜
で膜厚が不均一になり始め、磁気抵抗変化率が小さくな
る。各々の膜の厚さはその膜面内で完全に同一でなく、
わずかに膜厚分布を有することがある。ユニット数が小
さいと、これらの膜厚分布があっても磁性積層膜の磁気
抵抗変化率が低下することはない。しかし、ユニット数
を多くするとそれらの膜厚分布が積算される結果、磁性
積層膜全体の膜厚が不均一になり、磁気抵抗変化率が低
下する。そこで、ユニットを２５個以下とする。
【００１２】将来、磁気センサーの端子に設けるハンダ
に鉛フリーハンダ（Ｐｂを含まない組成）が使用される
ようになる。鉛ハンダの共晶点がＳｎ−Ｐｔ系ハンダで
１８０℃であるのに対して、鉛フリーハンダの共晶点は
Ｓｎ−Ａｇ共晶ハンダで２２１℃となり、高温である。
従来の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃ
ｕ］の磁性積層膜では２３０℃の温度で加熱されるとｄ
Ｒ／Ｒが１０％程度減少してしまうため、鉛フリーハン
ダを使うことが難しい。これに対して、本発明に係る磁
性積層膜を用いると、２３０℃で1時間加熱しても、加
熱の前後で磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）はほとんど変化
しない。特に、ハンダ付け工程にリフロー炉を用いる場
合、磁気センサー中の磁性積層膜も十分に加熱される。
従って、鉛フリーハンダを用いる際には、磁性積層膜を
本発明の構成とすることが望ましい。
に鉛フリーハンダ（Ｐｂを含まない組成）が使用される
ようになる。鉛ハンダの共晶点がＳｎ−Ｐｔ系ハンダで
１８０℃であるのに対して、鉛フリーハンダの共晶点は
Ｓｎ−Ａｇ共晶ハンダで２２１℃となり、高温である。
従来の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｃｕ］や［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃ
ｕ］の磁性積層膜では２３０℃の温度で加熱されるとｄ
Ｒ／Ｒが１０％程度減少してしまうため、鉛フリーハン
ダを使うことが難しい。これに対して、本発明に係る磁
性積層膜を用いると、２３０℃で1時間加熱しても、加
熱の前後で磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）はほとんど変化
しない。特に、ハンダ付け工程にリフロー炉を用いる場
合、磁気センサー中の磁性積層膜も十分に加熱される。
従って、鉛フリーハンダを用いる際には、磁性積層膜を
本発明の構成とすることが望ましい。
【００１３】本発明の磁気式エンコーダーは、工作機械
用途以外に精密機械や光化学機器用途にも用いることが
できる。精密機械や光化学機器用途では磁気センサーの
小型化が特に要求される。小型化のための一つの手段と
してガラス基板を従来よりも薄くする場合、本願の磁気
式エンコーダーを適用するとよい。この理由を説明す
る。本願の構成では、保護膜の少なくとも一部に酸化ア
ルミニウム（アルミナ）膜もしくは酸化シリコン膜を用
いており、スパッター法により作製している。ガラス基
板を用いると保護膜を成膜する時に基板温度は１８０〜
１９０℃まで上昇する。小型化するためにガラス基板を
薄くすると、基板からスパッター装置に熱が逃げにくく
なるため、基板温度の上昇は２００℃以上に達すると考
えられる。このため、磁性積層膜を形成した後に、２０
０℃で加熱されても優れた耐熱性を示す本発明の磁性積
層膜を小型化した磁気式エンコーダーに用いることが有
効である。
用途以外に精密機械や光化学機器用途にも用いることが
できる。精密機械や光化学機器用途では磁気センサーの
小型化が特に要求される。小型化のための一つの手段と
してガラス基板を従来よりも薄くする場合、本願の磁気
式エンコーダーを適用するとよい。この理由を説明す
る。本願の構成では、保護膜の少なくとも一部に酸化ア
ルミニウム（アルミナ）膜もしくは酸化シリコン膜を用
いており、スパッター法により作製している。ガラス基
板を用いると保護膜を成膜する時に基板温度は１８０〜
１９０℃まで上昇する。小型化するためにガラス基板を
薄くすると、基板からスパッター装置に熱が逃げにくく
なるため、基板温度の上昇は２００℃以上に達すると考
えられる。このため、磁性積層膜を形成した後に、２０
０℃で加熱されても優れた耐熱性を示す本発明の磁性積
層膜を小型化した磁気式エンコーダーに用いることが有
効である。
【００１４】
【発明の実施の形態】（実施例１）図１は本発明に係る
磁性積層膜の断面図である。ガラス基板１上に下地膜２
として３０ÅのＴａ薄膜をスパッターで成膜し、この下
地膜２上にＮｉ０．７９，Ｆｅ０．１５５，Ｃｏ０．０
５，Ｂ０．００５の組成比の磁性薄膜３と、非磁性薄膜
４であるＣｕ薄膜とを交互にスパッター成膜し、一対の
磁性薄膜３と非磁性薄膜４を1ユニットとして、このユ
ニットを１４回積層し、さらにＮｉ０．７９，Ｆｅ０．
１５５，Ｃｏ０．０５，Ｂ０．００５の組成比の磁性薄
膜３をスパッター成膜し、最上層にキャップ膜５として
３０ÅのＴａ薄膜をスパッター成膜して、磁性積層膜を
得た。図１中、６回目のから１１回目までのユニット７
は、積層構造の図示を簡略化して１層で示したが、１回
目から５回目までの積層構造と同様に、磁性薄膜３と非
磁性薄膜４を交互に積層したものである。非磁性薄膜４
の膜厚は２３Åとし、磁性薄膜３の膜厚は１６Åとし
た。以下、このような場合を［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ
（１６）／Ｃｕ（２３）］１４と表示する。（）内の数
字は膜厚であり、［］外の数字はユニットの積層回数を
示す。
磁性積層膜の断面図である。ガラス基板１上に下地膜２
として３０ÅのＴａ薄膜をスパッターで成膜し、この下
地膜２上にＮｉ０．７９，Ｆｅ０．１５５，Ｃｏ０．０
５，Ｂ０．００５の組成比の磁性薄膜３と、非磁性薄膜
４であるＣｕ薄膜とを交互にスパッター成膜し、一対の
磁性薄膜３と非磁性薄膜４を1ユニットとして、このユ
ニットを１４回積層し、さらにＮｉ０．７９，Ｆｅ０．
１５５，Ｃｏ０．０５，Ｂ０．００５の組成比の磁性薄
膜３をスパッター成膜し、最上層にキャップ膜５として
３０ÅのＴａ薄膜をスパッター成膜して、磁性積層膜を
得た。図１中、６回目のから１１回目までのユニット７
は、積層構造の図示を簡略化して１層で示したが、１回
目から５回目までの積層構造と同様に、磁性薄膜３と非
磁性薄膜４を交互に積層したものである。非磁性薄膜４
の膜厚は２３Åとし、磁性薄膜３の膜厚は１６Åとし
た。以下、このような場合を［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ
（１６）／Ｃｕ（２３）］１４と表示する。（）内の数
字は膜厚であり、［］外の数字はユニットの積層回数を
示す。
【００１５】各々の薄膜の成膜は、装置内の圧力＝１．
２×１０−５Ｐａ（約９．０×１０−８Ｔｏｒｒ）以下
の真空中で、基板を回転させながら、多元型ＤＣマグネ
トロンスパッター装置により行なった。実施例１の［Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサ
ンプルを作製する際に用いた磁性薄膜のターゲットに
は、Ｎｉ０．７９，Ｆｅ０．１６，Ｃｏ０．０５の組成
のターゲットに５ｍｍ×５ｍｍのボロンチップ（Ｂチッ
プ）を貼付けたものを用いた。実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルを作製す
る際に用いた磁性薄膜のターゲットにはＮｉ０．８３Ｆ
ｅ０．１７の組成のターゲットに５ｍｍ×５ｍｍのボロ
ンチップを貼付けたものを用いた。各サンプルの熱処理
は真空磁場中熱処理炉にて２５０℃、１時間、磁場印加
無しで行なった。基板の一方の面上に一様に成膜した磁
性積層膜について、磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）の測定
は、室温で４端子法により最大で７９ｋＡ／ｍ（即ち、
１０００（Ｏｅ）に相当）の磁界を印加して測定した。
磁性薄膜の膜厚を変えて複数のサンプルを作製し、最大
の磁気抵抗変化率をプロットして図２に示す。
２×１０−５Ｐａ（約９．０×１０−８Ｔｏｒｒ）以下
の真空中で、基板を回転させながら、多元型ＤＣマグネ
トロンスパッター装置により行なった。実施例１の［Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサ
ンプルを作製する際に用いた磁性薄膜のターゲットに
は、Ｎｉ０．７９，Ｆｅ０．１６，Ｃｏ０．０５の組成
のターゲットに５ｍｍ×５ｍｍのボロンチップ（Ｂチッ
プ）を貼付けたものを用いた。実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルを作製す
る際に用いた磁性薄膜のターゲットにはＮｉ０．８３Ｆ
ｅ０．１７の組成のターゲットに５ｍｍ×５ｍｍのボロ
ンチップを貼付けたものを用いた。各サンプルの熱処理
は真空磁場中熱処理炉にて２５０℃、１時間、磁場印加
無しで行なった。基板の一方の面上に一様に成膜した磁
性積層膜について、磁気抵抗変化率（ｄＲ／Ｒ）の測定
は、室温で４端子法により最大で７９ｋＡ／ｍ（即ち、
１０００（Ｏｅ）に相当）の磁界を印加して測定した。
磁性薄膜の膜厚を変えて複数のサンプルを作製し、最大
の磁気抵抗変化率をプロットして図２に示す。
【００１６】（実施例２）実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルとし
て、磁性薄膜の組成比をＮｉ０．８２５，Ｆｅ０．１７
０，Ｂ０．００５とする他は実施例１と同様にした磁性
積層膜をガラス基板上に作製した。この実施例２の磁性
積層膜を［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１
４と表示する。
ｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルとし
て、磁性薄膜の組成比をＮｉ０．８２５，Ｆｅ０．１７
０，Ｂ０．００５とする他は実施例１と同様にした磁性
積層膜をガラス基板上に作製した。この実施例２の磁性
積層膜を［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１
４と表示する。
【００１７】図２は、磁気抵抗変化率が磁性薄膜の膜厚
に依存する様子を説明するグラフである。実施例１およ
び２の各々について、磁性薄膜の厚さを８〜２４Åの範
囲で変えて複数のサンプルを作製し、磁気抵抗変化率の
最大値を測定した。図２に示すように［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ（８〜２４）／Ｃｕ（２３）］１４で表すＣｏを
含むサンプルも、［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（８〜２４）／Ｃｕ
（２３）］１４で表すＣｏを含まないサンプルも、磁性
薄膜の膜厚が１６Åのとき最大の磁気抵抗変化率（ｄＲ
／Ｒ）を示した。［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃ
ｕ（２３）］１４のサンプルでｄＲ／Ｒ＝９．６％にな
った。［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４
のサンプルでｄＲ／Ｒ＝６．５％を達成した。なお、Ｃ
ｏを含むサンプルで磁気抵抗変化率を６％以上にするた
めには、磁性薄膜の膜厚を１０Å以上且つ２２Å以下の
範囲内にすればよいことがわかった。また、Ｃｏを含ま
ないサンプルで磁気抵抗変化率を６％以上にするために
は、磁性薄膜の膜厚を１４Å以上且つ１８Å以下の範囲
内にすべきことがわかった。
に依存する様子を説明するグラフである。実施例１およ
び２の各々について、磁性薄膜の厚さを８〜２４Åの範
囲で変えて複数のサンプルを作製し、磁気抵抗変化率の
最大値を測定した。図２に示すように［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ（８〜２４）／Ｃｕ（２３）］１４で表すＣｏを
含むサンプルも、［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（８〜２４）／Ｃｕ
（２３）］１４で表すＣｏを含まないサンプルも、磁性
薄膜の膜厚が１６Åのとき最大の磁気抵抗変化率（ｄＲ
／Ｒ）を示した。［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃ
ｕ（２３）］１４のサンプルでｄＲ／Ｒ＝９．６％にな
った。［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４
のサンプルでｄＲ／Ｒ＝６．５％を達成した。なお、Ｃ
ｏを含むサンプルで磁気抵抗変化率を６％以上にするた
めには、磁性薄膜の膜厚を１０Å以上且つ２２Å以下の
範囲内にすればよいことがわかった。また、Ｃｏを含ま
ないサンプルで磁気抵抗変化率を６％以上にするために
は、磁性薄膜の膜厚を１４Å以上且つ１８Å以下の範囲
内にすべきことがわかった。
【００１８】図３は、磁性積層膜の熱処理条件と磁気抵
抗変化率の関係を示すグラフである。以下、図１〜図５
に関係する実施例で説明する熱処理とは、磁性積層膜を
形成した後に行なう他の工程による外乱の熱に磁性多層
膜がさらされる状態に相当するものとして行なった。実
施例１及び２と同様の構成を複数準備して、熱処理を施
さないサンプル、温度２００℃で１時間熱処理したサン
プル、温度２５０℃で１時間熱処理したサンプル、温度
３００℃で１時間熱処理したサンプルを作製し、各々の
磁気抵抗変化率の最大値を測定した。その結果、実施例
１の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］
１４のサンプルも、実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１
６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルも２００℃以上且
つ２５０℃以下の熱処理（外乱）に対して磁気抵抗変化
率をほぼ一定に維持することができ、耐熱性が良好であ
ることを確認することができた。これに対して、 組成
比がＮｉ０．７９，Ｆｅ０．１６，Ｃｏ０．０５の磁性
薄膜で［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ（１６）／Ｃｕ（２３）］１
４の磁性積層膜を構成した比較例のサンプルは、熱処理
温度が２００℃から２５０℃になると磁気抵抗変化率が
低下し、２５０℃を超えるとより急激に低下した。ただ
し、３００℃の熱処理を行なうと、実施例１及び２の構
成においても共にｄＲ／Ｒが著しく減少した。
抗変化率の関係を示すグラフである。以下、図１〜図５
に関係する実施例で説明する熱処理とは、磁性積層膜を
形成した後に行なう他の工程による外乱の熱に磁性多層
膜がさらされる状態に相当するものとして行なった。実
施例１及び２と同様の構成を複数準備して、熱処理を施
さないサンプル、温度２００℃で１時間熱処理したサン
プル、温度２５０℃で１時間熱処理したサンプル、温度
３００℃で１時間熱処理したサンプルを作製し、各々の
磁気抵抗変化率の最大値を測定した。その結果、実施例
１の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］
１４のサンプルも、実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１
６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルも２００℃以上且
つ２５０℃以下の熱処理（外乱）に対して磁気抵抗変化
率をほぼ一定に維持することができ、耐熱性が良好であ
ることを確認することができた。これに対して、 組成
比がＮｉ０．７９，Ｆｅ０．１６，Ｃｏ０．０５の磁性
薄膜で［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ（１６）／Ｃｕ（２３）］１
４の磁性積層膜を構成した比較例のサンプルは、熱処理
温度が２００℃から２５０℃になると磁気抵抗変化率が
低下し、２５０℃を超えるとより急激に低下した。ただ
し、３００℃の熱処理を行なうと、実施例１及び２の構
成においても共にｄＲ／Ｒが著しく減少した。
【００１９】（実施例３）実施例１の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４と同様の構成にお
いて、下地膜であるＴａ薄膜をＮｉ０．５０，Ｆｅ０．
１１，Ｃｒ０．３９の組成比である合金薄膜に変更して
サンプルを作製した。下地膜の厚さを１０〜１００Åの
範囲で変えて、複数のサンプルを用意した。これらのサ
ンプルをＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１０〜１００）／［Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４と表示す
る。また、実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ
（２３）］１４と同様の構成において、下地膜であるＴ
ａ薄膜をＮｉ０．５０，Ｆｅ０．１１，Ｃｒ０．３９の
組成比である合金薄膜に変更してサンプルを作製した。
下地膜の厚さを１０〜１００Åの範囲で変えて、複数の
サンプルを用意した。これらのサンプルをＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｒ（１０〜１００）／［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃ
ｕ（２３）］１４と表示する。双方のサンプルについ
て、熱処理方法および磁気抵抗変化率の測定は、［Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４および
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサン
プルと同様にした。これらのサンプルについて、磁性薄
膜の膜厚をパラメーターにして磁気抵抗変化率の最大値
を調べた結果を図４に示す。
ｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４と同様の構成にお
いて、下地膜であるＴａ薄膜をＮｉ０．５０，Ｆｅ０．
１１，Ｃｒ０．３９の組成比である合金薄膜に変更して
サンプルを作製した。下地膜の厚さを１０〜１００Åの
範囲で変えて、複数のサンプルを用意した。これらのサ
ンプルをＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１０〜１００）／［Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４と表示す
る。また、実施例２の［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ
（２３）］１４と同様の構成において、下地膜であるＴ
ａ薄膜をＮｉ０．５０，Ｆｅ０．１１，Ｃｒ０．３９の
組成比である合金薄膜に変更してサンプルを作製した。
下地膜の厚さを１０〜１００Åの範囲で変えて、複数の
サンプルを用意した。これらのサンプルをＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｒ（１０〜１００）／［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃ
ｕ（２３）］１４と表示する。双方のサンプルについ
て、熱処理方法および磁気抵抗変化率の測定は、［Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４および
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサン
プルと同様にした。これらのサンプルについて、磁性薄
膜の膜厚をパラメーターにして磁気抵抗変化率の最大値
を調べた結果を図４に示す。
【００２０】図４は、ＮｉＦｅＣｒ下地膜を組合わせた
磁性積層膜の下地膜の厚さと磁気抵抗変化率の関係を示
すグラフである。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１０〜１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４
のサンプルと、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１０〜１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサン
プルの双方について、Ｎｉ０．５０，Ｆｅ０．１１，Ｃ
ｒ０．３９の組成比の下地膜の膜厚が大きくなるとｄＲ
／Ｒが大きくなった。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４
では最大１６％となり、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４では最
大１３％のｄＲ／Ｒを得た。これらの磁性積層膜を用い
て磁気センサーを作製したところ、出力が大きく且つ十
分な耐熱性を有する磁気式エンコーダーを構成すること
ができた。
磁性積層膜の下地膜の厚さと磁気抵抗変化率の関係を示
すグラフである。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１０〜１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４
のサンプルと、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１０〜１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサン
プルの双方について、Ｎｉ０．５０，Ｆｅ０．１１，Ｃ
ｒ０．３９の組成比の下地膜の膜厚が大きくなるとｄＲ
／Ｒが大きくなった。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４
では最大１６％となり、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（１００）／
［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４では最
大１３％のｄＲ／Ｒを得た。これらの磁性積層膜を用い
て磁気センサーを作製したところ、出力が大きく且つ十
分な耐熱性を有する磁気式エンコーダーを構成すること
ができた。
【００２１】図５はＮｉＦｅＣｒ下地膜と磁性積層膜と
を組合わせたサンプルを２５０℃、１時間で熱処理した
ときの磁気抵抗変化率の変化を示すグラフである。図４
と同様の構成で下地膜の膜厚を３０〜７０Åの範囲で３
通り用意した。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（３０〜７０）／［Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプ
ルと、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（３０〜７０）／［Ｎｉ−Ｆｅ
（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルを作製し、熱
処理の前後で評価した。磁性薄膜組成におけるＣｏの有
無に関わらず、ＮｉＦｅＣｒ下地膜の膜厚が５０Å以上
のときに、２５０℃で1時間の熱処理を施したときの磁
気抵抗変化率の減少が抑制され、優れた耐熱性を有する
ことがわかった。
を組合わせたサンプルを２５０℃、１時間で熱処理した
ときの磁気抵抗変化率の変化を示すグラフである。図４
と同様の構成で下地膜の膜厚を３０〜７０Åの範囲で３
通り用意した。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（３０〜７０）／［Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプ
ルと、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ（３０〜７０）／［Ｎｉ−Ｆｅ
（１６）／Ｃｕ（２３）］１４のサンプルを作製し、熱
処理の前後で評価した。磁性薄膜組成におけるＣｏの有
無に関わらず、ＮｉＦｅＣｒ下地膜の膜厚が５０Å以上
のときに、２５０℃で1時間の熱処理を施したときの磁
気抵抗変化率の減少が抑制され、優れた耐熱性を有する
ことがわかった。
【００２２】図６は、図２で説明した磁性積層膜を用い
た磁気センサーの斜視図である。以下、磁気センサーの
概略について説明する。非磁性基板１１上に設けた４個
の磁性積層膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄで感磁部
を構成しており、それぞれの磁性積層膜の両端には配線
膜１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅを接続し
た。配線膜１３ａ〜１３ｅの終端には端子Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅを形成しており、各端子は、配線膜の端に補助配
線膜１７ｂを積層して端子部を構成した。端子Ａ、Ｅは
それぞれ配線膜１３ａ、１３ｂを通して磁性積層膜１２
ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに接続している。端子Ｂは
配線膜１３ｃを通して磁性積層膜１２ａに接続して、端
子Ｄは配線膜１３ｄを通して磁性積層膜１２ｂ、１２ｄ
に接続している。端子Ｃは配線１３ｅを通して磁性積層
膜１２ｃに接続しているが、途中、配線膜１３ｄと交差
する個所を補助配線膜１７ａで迂回させている。
た磁気センサーの斜視図である。以下、磁気センサーの
概略について説明する。非磁性基板１１上に設けた４個
の磁性積層膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄで感磁部
を構成しており、それぞれの磁性積層膜の両端には配線
膜１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅを接続し
た。配線膜１３ａ〜１３ｅの終端には端子Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅを形成しており、各端子は、配線膜の端に補助配
線膜１７ｂを積層して端子部を構成した。端子Ａ、Ｅは
それぞれ配線膜１３ａ、１３ｂを通して磁性積層膜１２
ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに接続している。端子Ｂは
配線膜１３ｃを通して磁性積層膜１２ａに接続して、端
子Ｄは配線膜１３ｄを通して磁性積層膜１２ｂ、１２ｄ
に接続している。端子Ｃは配線１３ｅを通して磁性積層
膜１２ｃに接続しているが、途中、配線膜１３ｄと交差
する個所を補助配線膜１７ａで迂回させている。
【００２３】なお、図６で補助配線膜１７ｂは立体交差
部を構成するものでなく端子部を構成する部材である
が、補助配線膜１７ａと同時に成膜するため、本実施例
では便宜上補助配線膜１７ｂと呼ぶ。立体交差とは、配
線膜をつなぐ補助配線膜が他の配線膜の上に絶縁膜を介
して積層されていることを示す。立体交差している領域
（立体交差部）において、補助配線膜の両端は、絶縁膜
に設けたスルーホールを介して配線膜に接続させた。補
助配線膜の中央近傍は絶縁膜によって他の配線膜と分離
させた。なお、配線の状態を見易くするため、絶縁膜の
図示は省略した。
部を構成するものでなく端子部を構成する部材である
が、補助配線膜１７ａと同時に成膜するため、本実施例
では便宜上補助配線膜１７ｂと呼ぶ。立体交差とは、配
線膜をつなぐ補助配線膜が他の配線膜の上に絶縁膜を介
して積層されていることを示す。立体交差している領域
（立体交差部）において、補助配線膜の両端は、絶縁膜
に設けたスルーホールを介して配線膜に接続させた。補
助配線膜の中央近傍は絶縁膜によって他の配線膜と分離
させた。なお、配線の状態を見易くするため、絶縁膜の
図示は省略した。
【００２４】図６の構成を電気回路としてみると、磁性
積層膜と配線膜はブリッジ回路を構成している。端子
Ａ、Ｅは電源端子であり、端子Ａには電源電圧Ｖｃｃを
印加し、端子Ｅには接地（ＧＮＤ）電位を接続した。ま
た、端子Ｂ、Ｃをリード線等で接続して、そのリード線
と端子Ｄを出力端子とした。そして、各磁性積層膜に作
用する磁界の変化によって磁性積層膜の抵抗変化が生
じ、それに応じて出力電圧が出力端子である端子Ｄとリ
ード線間から得られた。なお、配線膜１３ｅを配線膜１
３ｂに接続する構成にすると、端子Ｂで端子Ｃを兼ねる
ため、端子Ｂと端子Ｄ間を出力端子とすることができ
る。
積層膜と配線膜はブリッジ回路を構成している。端子
Ａ、Ｅは電源端子であり、端子Ａには電源電圧Ｖｃｃを
印加し、端子Ｅには接地（ＧＮＤ）電位を接続した。ま
た、端子Ｂ、Ｃをリード線等で接続して、そのリード線
と端子Ｄを出力端子とした。そして、各磁性積層膜に作
用する磁界の変化によって磁性積層膜の抵抗変化が生
じ、それに応じて出力電圧が出力端子である端子Ｄとリ
ード線間から得られた。なお、配線膜１３ｅを配線膜１
３ｂに接続する構成にすると、端子Ｂで端子Ｃを兼ねる
ため、端子Ｂと端子Ｄ間を出力端子とすることができ
る。
【００２５】図７は、図６をＡ−Ａ´断面でみた断面に
ついて、本発明の実施例のプロセスフローを（ａ）〜
（ｆ）で説明するものである。以下に本発明に係る磁気
センサーを製造する工程を説明する。（ａ）まず、非磁
性基板１上にアルミナ下地膜２１をスパッターで膜厚
０．０８μｍに形成した後、［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ（１
６）／Ｃｕ（２３）］１４で表される磁性積層膜を成膜
した。従来は非磁性基板上に直接に下地膜と磁性積層膜
を形成しており、基板表面に微小なキズがあったり、面
粗さが粗かったりすると磁性積層膜の磁気特性が変動す
るという現象が見られた。アルミナ下地膜２１を設ける
ことによって微小なキズが埋められるため、本願の構成
は基板の表面状態を無視できるようになった。続けて、
基板上に一様に成膜した磁性積層膜上にマスクとなるレ
ジストのパターンを成膜し、マスクに覆われていない部
分をイオンミリングで除去して、４個の磁性積層膜（Ｇ
ＭＲ素子）からなる感磁部をパターニングした（磁性積
層膜１２ａ〜１２ｄに相当）。
ついて、本発明の実施例のプロセスフローを（ａ）〜
（ｆ）で説明するものである。以下に本発明に係る磁気
センサーを製造する工程を説明する。（ａ）まず、非磁
性基板１上にアルミナ下地膜２１をスパッターで膜厚
０．０８μｍに形成した後、［Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ（１
６）／Ｃｕ（２３）］１４で表される磁性積層膜を成膜
した。従来は非磁性基板上に直接に下地膜と磁性積層膜
を形成しており、基板表面に微小なキズがあったり、面
粗さが粗かったりすると磁性積層膜の磁気特性が変動す
るという現象が見られた。アルミナ下地膜２１を設ける
ことによって微小なキズが埋められるため、本願の構成
は基板の表面状態を無視できるようになった。続けて、
基板上に一様に成膜した磁性積層膜上にマスクとなるレ
ジストのパターンを成膜し、マスクに覆われていない部
分をイオンミリングで除去して、４個の磁性積層膜（Ｇ
ＭＲ素子）からなる感磁部をパターニングした（磁性積
層膜１２ａ〜１２ｄに相当）。
【００２６】（ｂ）つぎに、感磁部の端部に接続する配
線膜１３ｄ、１３ｅをリフトオフで形成した。先ず、配
線膜を配置しない部分に予めレジストのパターンを形成
しておいた。その上から配線膜をスパッタリングにより
成膜して、レジスト剥離処理にてレジストとレジスト上
に堆積した配線膜を除去することで、最終的に配線膜を
形成した。配線膜はＣｒ下地膜０．０２μｍの上にＣｕ
膜０．４μｍという２層膜で構成した。リフトオフに用
いるレジストは、その断面形状をキノコ型にして用い
た。これは、通常の矩形断面のレジストにした場合に
は、スパッタリングで成膜した膜が側面を完全にカバー
してしまい、レジスト剥離液が侵入できなくなるためで
ある。キノコ型レジストは次の方法で形成した。まず、
現像速度の速いレジストを下層に、遅いレジストを上層
に塗布した。この２層レジストを同時に露光して現像す
ると、下層のレジストが上層レジストの側面より奥の方
まで現像され、下層レジストのパターン幅が上層より小
さくなり、断面がキノコ型のレジストが得られる。
線膜１３ｄ、１３ｅをリフトオフで形成した。先ず、配
線膜を配置しない部分に予めレジストのパターンを形成
しておいた。その上から配線膜をスパッタリングにより
成膜して、レジスト剥離処理にてレジストとレジスト上
に堆積した配線膜を除去することで、最終的に配線膜を
形成した。配線膜はＣｒ下地膜０．０２μｍの上にＣｕ
膜０．４μｍという２層膜で構成した。リフトオフに用
いるレジストは、その断面形状をキノコ型にして用い
た。これは、通常の矩形断面のレジストにした場合に
は、スパッタリングで成膜した膜が側面を完全にカバー
してしまい、レジスト剥離液が侵入できなくなるためで
ある。キノコ型レジストは次の方法で形成した。まず、
現像速度の速いレジストを下層に、遅いレジストを上層
に塗布した。この２層レジストを同時に露光して現像す
ると、下層のレジストが上層レジストの側面より奥の方
まで現像され、下層レジストのパターン幅が上層より小
さくなり、断面がキノコ型のレジストが得られる。
【００２７】（ｃ）次に、絶縁膜１４を成膜した。これ
は、配線膜１３ｄと補助配線膜１７ａの立体交差部で双
方の配線膜の絶縁を保持するためである。ただし、配線
膜１３ｅと補助配線膜１７ａが接続する個所には予めス
ルーホール１５ａを形成しておいた。また、端子部では
配線膜１３ｅ上に補助配線膜１７ｂを積層させるため、
端子部にもスルーホール１５ｂを形成しておいた。この
スルーホール１５ａ及び１５ｂの形成には前記配線膜と
同様にリフトオフを用いた。この場合のリフトオフは、
スルーホールになる部分にキノコ型レジストを形成して
おき、絶縁膜を成膜後、レジスト剥離処理を行ってスル
ーホールにする部分の絶縁膜を除去した。本実施例で絶
縁膜１４は膜厚０．６μｍのアルミナ膜で構成した。
は、配線膜１３ｄと補助配線膜１７ａの立体交差部で双
方の配線膜の絶縁を保持するためである。ただし、配線
膜１３ｅと補助配線膜１７ａが接続する個所には予めス
ルーホール１５ａを形成しておいた。また、端子部では
配線膜１３ｅ上に補助配線膜１７ｂを積層させるため、
端子部にもスルーホール１５ｂを形成しておいた。この
スルーホール１５ａ及び１５ｂの形成には前記配線膜と
同様にリフトオフを用いた。この場合のリフトオフは、
スルーホールになる部分にキノコ型レジストを形成して
おき、絶縁膜を成膜後、レジスト剥離処理を行ってスル
ーホールにする部分の絶縁膜を除去した。本実施例で絶
縁膜１４は膜厚０．６μｍのアルミナ膜で構成した。
【００２８】（ｄ）次に、補助配線膜１７ａを配線１３
ｄと立体交差部で交差させ、スルーホール１５ａで配線
膜１３ｅと接続する様に配置した。また、端子部では、
補助配線膜１７ｂを配線膜１３ｅ上に積層した。この工
程も配線膜１３ｅおよび１３ｄと同様にリフトオフで形
成した。補助配線膜１７ａおよび７ｂはＣｒ下地膜０．
０２μｍ上にＣｕ膜０．４μｍを積層して、その上にＮ
ｉＦｅ膜０．１μｍを積層した３層で構成した。
ｄと立体交差部で交差させ、スルーホール１５ａで配線
膜１３ｅと接続する様に配置した。また、端子部では、
補助配線膜１７ｂを配線膜１３ｅ上に積層した。この工
程も配線膜１３ｅおよび１３ｄと同様にリフトオフで形
成した。補助配線膜１７ａおよび７ｂはＣｒ下地膜０．
０２μｍ上にＣｕ膜０．４μｍを積層して、その上にＮ
ｉＦｅ膜０．１μｍを積層した３層で構成した。
【００２９】（ｅ）次に、全面にアルミナ膜２．０μｍ
をスパッタリングで成膜して下層保護膜１８ａとした。
さらに、下層保護膜１８ａ上に熱硬化型レジストを２．
０μｍ厚さで塗布し、電極取り出し孔を形成する部分を
フォトリソグラフィー技術によって除去して、２５０℃
に加熱することで硬化させて上層保護膜１８ｂとした。
（ｆ）上層保護膜１８ｂを除去した箇所に露出した下層
保護膜１８ａについて、ドライエッチングで電極取り出
し穴１９を形成して、補助配線膜１７ｂを露出させた。
ドライエッチングのエッチャントには三塩化ボロン（Ｂ
Ｃｌ３）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスを用いた。電極取
り出し穴１９の形成には、炭酸水素ナトリウムと水酸化
ナトリウム混合液によるウェットエッチを用いてもよ
い。何れのエッチングでも、配線膜の表面がＣｕである
と、配線膜の腐食やエッチングが発生した。本実施例で
は、補助配線膜１７ｂの表面をＮｉＦｅで構成してお
り、配線膜の腐食は発生しなかった。エッチング後にマ
スクレジストをレジスト剥離液により除去した。最後
に、電極取り出し穴１９を通して端子部にハンダを盛っ
て、磁気センサーを作製した。さらに、磁気センサーの
端子部に鉛フリーハンダ（Ｓｎ−Ａｇ共晶ハンダ）を介
してフレキシブル配線基板をハンダ接合させる工程も行
なって図８に示す磁気式エンコーダーを構成した。その
結果、磁性積層膜の耐熱性により磁気抵抗変化率が低下
することなく、出力の大きい磁気式エンコーダーを得る
ことができた。この磁気式エンコーダーの構成を図８に
説明する。
をスパッタリングで成膜して下層保護膜１８ａとした。
さらに、下層保護膜１８ａ上に熱硬化型レジストを２．
０μｍ厚さで塗布し、電極取り出し孔を形成する部分を
フォトリソグラフィー技術によって除去して、２５０℃
に加熱することで硬化させて上層保護膜１８ｂとした。
（ｆ）上層保護膜１８ｂを除去した箇所に露出した下層
保護膜１８ａについて、ドライエッチングで電極取り出
し穴１９を形成して、補助配線膜１７ｂを露出させた。
ドライエッチングのエッチャントには三塩化ボロン（Ｂ
Ｃｌ３）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスを用いた。電極取
り出し穴１９の形成には、炭酸水素ナトリウムと水酸化
ナトリウム混合液によるウェットエッチを用いてもよ
い。何れのエッチングでも、配線膜の表面がＣｕである
と、配線膜の腐食やエッチングが発生した。本実施例で
は、補助配線膜１７ｂの表面をＮｉＦｅで構成してお
り、配線膜の腐食は発生しなかった。エッチング後にマ
スクレジストをレジスト剥離液により除去した。最後
に、電極取り出し穴１９を通して端子部にハンダを盛っ
て、磁気センサーを作製した。さらに、磁気センサーの
端子部に鉛フリーハンダ（Ｓｎ−Ａｇ共晶ハンダ）を介
してフレキシブル配線基板をハンダ接合させる工程も行
なって図８に示す磁気式エンコーダーを構成した。その
結果、磁性積層膜の耐熱性により磁気抵抗変化率が低下
することなく、出力の大きい磁気式エンコーダーを得る
ことができた。この磁気式エンコーダーの構成を図８に
説明する。
【００３０】図８は、図６の磁気センサーを用いた磁気
式ロータリーエンコーダーの概略斜視図である。円筒状
の磁気媒体７５の外周に設けた磁性体７１には所定のピ
ッチλで連続した磁化パターンを形成している。この磁
気媒体７５に対して所定のギャップｇを介して磁気セン
サー７２を対向させた。この磁気式ロータリーエンコー
ダーは、磁性積層膜を設けた磁気センサー７２で磁化パ
ターンの移動を検出することで磁気媒体７５の回転数や
回転位置を認識する。磁気式センサー７２の出力信号
は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）７３を経由して波
形整形回路７４に入力され、増幅等の信号処理を行なっ
た後、モーターの制御部に出力されて工作機械のモータ
ーの制御に利用することができた。モーターは、シャフ
ト７６を介して磁気媒体７５と接続させた。同図では、
モーターとその制御部、工作機械等の図示を省略した。
式ロータリーエンコーダーの概略斜視図である。円筒状
の磁気媒体７５の外周に設けた磁性体７１には所定のピ
ッチλで連続した磁化パターンを形成している。この磁
気媒体７５に対して所定のギャップｇを介して磁気セン
サー７２を対向させた。この磁気式ロータリーエンコー
ダーは、磁性積層膜を設けた磁気センサー７２で磁化パ
ターンの移動を検出することで磁気媒体７５の回転数や
回転位置を認識する。磁気式センサー７２の出力信号
は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）７３を経由して波
形整形回路７４に入力され、増幅等の信号処理を行なっ
た後、モーターの制御部に出力されて工作機械のモータ
ーの制御に利用することができた。モーターは、シャフ
ト７６を介して磁気媒体７５と接続させた。同図では、
モーターとその制御部、工作機械等の図示を省略した。
【００３１】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明に係るＮ
ｉＣｏＦｅＢあるいはＮｉＦｅＢ組成の磁性薄膜層と非
磁性薄膜層とが交互に基板上に積層されている磁性積層
膜を有する磁気センサーと、前記磁気センサーと２μｍ
以上且つ２ｍｍ以下のギャップを介して対向する磁気媒
体を有する磁気式エンコーダーを用いることにより、磁
性積層膜の耐熱性が良く且つ磁気抵抗変化率（出力）の
大きい磁気式エンコーダーを得ることができる。さら
に、基板と磁性積層膜間にＮｉＦｅＣｒあるいはＮｉＣ
ｒ組成の下地膜を設けることで、磁性積層膜の耐熱性と
磁気抵抗変化率（出力）をより向上させた磁気式エンコ
ーダーを得ることができる。
ｉＣｏＦｅＢあるいはＮｉＦｅＢ組成の磁性薄膜層と非
磁性薄膜層とが交互に基板上に積層されている磁性積層
膜を有する磁気センサーと、前記磁気センサーと２μｍ
以上且つ２ｍｍ以下のギャップを介して対向する磁気媒
体を有する磁気式エンコーダーを用いることにより、磁
性積層膜の耐熱性が良く且つ磁気抵抗変化率（出力）の
大きい磁気式エンコーダーを得ることができる。さら
に、基板と磁性積層膜間にＮｉＦｅＣｒあるいはＮｉＣ
ｒ組成の下地膜を設けることで、磁性積層膜の耐熱性と
磁気抵抗変化率（出力）をより向上させた磁気式エンコ
ーダーを得ることができる。
【図１】本発明に係る磁性積層膜の断面図である。
【図２】磁性薄膜の膜厚と磁気抵抗変化率との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】磁性積層膜の熱処理条件と磁気抵抗変化率の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図４】ＮｉＦｅＣｒ下地膜の厚さと磁性積層膜の磁気
抵抗変化率の関係を示すグラフである。
抵抗変化率の関係を示すグラフである。
【図５】ＮｉＦｅＣｒ下地膜を組合わせた磁性積層体の
熱処理（２５０℃、1時間）による磁気抵抗変化率の変
化を示すグラフである。
熱処理（２５０℃、1時間）による磁気抵抗変化率の変
化を示すグラフである。
【図６】磁気センサーの斜視図である。
【図７】図６の磁気センサーの断面図である。
【図８】磁気式エンコーダーの斜視図である。
１ ガラス基板、２ 下地膜、３ 磁性薄膜、４ 非磁
性薄膜、５ キャップ膜、７ ６回目から１１回目まで
のユニット、１０ 磁性積層膜、１１ 非磁性基板、１
２ 磁性積層膜、１３ 配線膜、１２ａ １２ｂ １２
ｃ １２ｄ 磁性積層膜、１３ａ １３ｂ １３ｃ １
３ｄ １３ｅ 配線膜、１４ 絶縁膜、 １４ｂ 絶縁
膜、１５ スルーホール、１５ａ スルーホール、１６
ポリイミド系樹脂膜、１７ 補助配線膜、１７ａ 補
助配線膜、１８ａ 下層保護膜、１８ｂ 上層保護膜、
１９ 電極取り出し穴、２１ アルミナ下地膜、７１
磁性体、７２ 磁気センサー、７３ フレキシブル配線
基板、７４ 波形整形回路、７５ 磁気媒体、７６ シ
ャフト
性薄膜、５ キャップ膜、７ ６回目から１１回目まで
のユニット、１０ 磁性積層膜、１１ 非磁性基板、１
２ 磁性積層膜、１３ 配線膜、１２ａ １２ｂ １２
ｃ １２ｄ 磁性積層膜、１３ａ １３ｂ １３ｃ １
３ｄ １３ｅ 配線膜、１４ 絶縁膜、 １４ｂ 絶縁
膜、１５ スルーホール、１５ａ スルーホール、１６
ポリイミド系樹脂膜、１７ 補助配線膜、１７ａ 補
助配線膜、１８ａ 下層保護膜、１８ｂ 上層保護膜、
１９ 電極取り出し穴、２１ アルミナ下地膜、７１
磁性体、７２ 磁気センサー、７３ フレキシブル配線
基板、７４ 波形整形回路、７５ 磁気媒体、７６ シ
ャフト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板橋 弘光 栃木県真岡市松山町18番地 株式会社電子 テック内 Ｆターム(参考） 2F077 AA41 NN04 NN26 PP14 5E049 AA07 AC05 BA16 BA30
Claims (5)
- 【請求項１】 ［（ＮｉｘＣｏ１−ｘ）ｙＦｅ１−ｙ］
ｚＢ１−ｚの組成の磁性薄膜層と非磁性薄膜層とが交互
に基板上に積層されており、０．６０≦ｘ≦１．００、
０．７０≦ｙ＜１．００、０．９０≦ｚ＜１．００であ
る磁性積層膜を設けた磁気センサーと、ピッチλで連続
した磁化パターンを記録した磁性体を有する磁気媒体を
備え、２μｍ以上且つ２ｍｍ以下の磁気ギャップを介し
て前記磁気媒体に磁気センサーを対向させて、磁気媒体
の移動を検出することを特徴とする磁気式エンコーダ
ー。 - 【請求項２】 前記磁性薄膜層の厚さｄ１が５Å≦ｄ１
≦３０Åであり、非磁性薄膜層の厚さｄ２が５Å≦ｄ２
≦３０Åであることを特徴とする請求項１に記載の磁気
式エンコーダー。 - 【請求項３】 前記基板と前記磁性積層膜の間に下地膜
として（ＮｉａＦｅ１−ａ）ｂＣｒ１−ｂの組成の合金
薄膜であって組成範囲が０．４≦ａ≦１．０、０．４≦
ｂ≦０．８である薄膜を設けることを特徴とする請求項
１または２のいずれかに記載の磁気式エンコーダー。 - 【請求項４】 前記下地膜の厚さｄ３が、１０Å≦ｄ３
≦１００Åであることを特徴とする請求項３に記載の磁
気式エンコーダー。 - 【請求項５】 前記磁性積層膜は、一組の磁性薄膜層と
非磁性薄膜層を１ユニットとするとき、積層するユニッ
トの数が５個以上且つ２５個以下であることを特徴とす
る請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気式エンコー
ダー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001025977A JP3456204B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-02-01 | 磁気式エンコーダー |
| US10/020,946 US6692847B2 (en) | 1920-02-01 | 2001-12-19 | Magneto resistive sensor |
| EP02000177A EP1221622A3 (en) | 2001-01-09 | 2002-01-09 | Magneto resistive sensor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001000965 | 2001-01-09 | ||
| JP2001-965 | 2001-01-09 | ||
| JP2001025977A JP3456204B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-02-01 | 磁気式エンコーダー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277281A true JP2002277281A (ja) | 2002-09-25 |
| JP3456204B2 JP3456204B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=26607380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001025977A Expired - Fee Related JP3456204B2 (ja) | 1920-02-01 | 2001-02-01 | 磁気式エンコーダー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6692847B2 (ja) |
| EP (1) | EP1221622A3 (ja) |
| JP (1) | JP3456204B2 (ja) |
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| US7786726B2 (en) | 2005-08-05 | 2010-08-31 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Sensor |
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| KR101200938B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2012-11-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
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| JP2812042B2 (ja) | 1992-03-13 | 1998-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗センサー |
| US5750230A (en) * | 1992-11-20 | 1998-05-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
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| FR2742571B1 (fr) * | 1995-12-15 | 1998-01-16 | Commissariat Energie Atomique | Structure et capteur multicouches et procede de realisation |
| US5731936A (en) * | 1996-09-26 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive (MR) sensor with coefficient enhancing that promotes thermal stability |
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-
2001
- 2001-02-01 JP JP2001025977A patent/JP3456204B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-19 US US10/020,946 patent/US6692847B2/en not_active Expired - Fee Related
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2002
- 2002-01-09 EP EP02000177A patent/EP1221622A3/en not_active Withdrawn
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|---|---|
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| EP1221622A3 (en) | 2003-12-17 |
| JP3456204B2 (ja) | 2003-10-14 |
| US6692847B2 (en) | 2004-02-17 |
| EP1221622A2 (en) | 2002-07-10 |
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