JP2002273649A - ドレッサ−を有する研磨装置 - Google Patents
ドレッサ−を有する研磨装置Info
- Publication number
- JP2002273649A JP2002273649A JP2001073550A JP2001073550A JP2002273649A JP 2002273649 A JP2002273649 A JP 2002273649A JP 2001073550 A JP2001073550 A JP 2001073550A JP 2001073550 A JP2001073550 A JP 2001073550A JP 2002273649 A JP2002273649 A JP 2002273649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- dresser
- grinding
- particle surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 138
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 abstract 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 13
- 208000030853 Asthma-Chronic Obstructive Pulmonary Disease Overlap Syndrome Diseases 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
を減少させ、研磨パッドの交換周期を長くすることがで
き、そして、研磨装置の稼働率の向上させる。 【構成】 本発明は、ドレッサーの研磨粒子面に勾配を
もたせるようにし、また、ドレッサーの研磨面に加える
圧力に勾配を持たせるようにする。
Description
装置における、化学機械的研磨(Chemical Mechanical
Polish:CMP)装置に関するものであり、特にドレッサ
ーによる研磨パッドの研磨調整に関する。
である。研磨パッド102をパッドドレッシングする様
子を示している。定盤101の上に貼られた研磨パッド
102に、ドレッサ−103が配置されている。ドレッ
サ−103に圧力が加えられ、ドレッサ−103の周囲
に形成されたダイヤモンド粒子面103Aにより、研磨
パッド102の表面が研削され、研磨パッド102表面
は常に磨かれた研磨面を得ることができる(図9
(a))。一般的に、ドレッシング時は、研磨パッドに
研磨剤または純水が供給される。半導体素子の製造にお
ける、平坦化工程等において研磨が実施されるが、研磨
の際、研磨パッド102の表面は研磨剤や研磨屑などで
目詰まりが起こり、安定した研磨ができなくなる。その
ため、ドレッサ−103により研磨パッド102をドレ
ッシングして研削することは、研磨が安定して可能であ
るために必要となる。
従来技術では、以下に述べる問題点がある。図9(b)
において、定盤の回転中心からの距離Rtにおける、研磨
パッド102が研削される量は、ドレッサ−103のダ
イヤモンド粒子面103Aに接触する長さに比例する
が、その長さLは、簡単な計算により (数1)L=2*Rt*(ACOS((Rt2+Rx2−R12)/(2*Rt*Rx))−ACO
S((Rt2+Rx2−R22)/(2*Rt*Rx))) で与えられる。ここで,図9(b)に示されているよう
に、 Rx:ドレッサ−103中心の定盤101中心からの距離 R1:ドレッサ−ダイヤモンド粒子面103A 外周の直径 R2:ドレッサ−ダイヤモンド粒子面103A 内周の直径 である。
時、各直径における、研磨パッド表面がダイヤモンド粒
子面103Aに接触する長さLの、定盤中心からの距離に
対する依存性を図11に示す。長さLは研磨パッド内部
の範囲において大きくばらついていることが分かる。つ
まり、研磨パッドが研削される量は、長さLに比例する
から、研磨パッド102が研削される量がばらつくこと
になり、その結果として、研磨に必要な研磨パッドの平
坦な表面が得られないことになる。良好な研磨の状態を
得るために必要な最低限のパッドの研削量は決まってい
るため、前述のLの最低地点でも、その必要最低限の研
削量は確保しなければならない。したがって、その作用
として、Lが大きい地点では、必要以上に研磨パッドが
研削されることになる。
ら29.0cmの地点)と内側(定盤 中心から1.5cmの地点)
でLが大きくなり、研磨パッドの研削量も大きくなる。
定盤の外側で研磨パッドの研削量が大きくなる問題につ
いては、ドレッサ−103の直径を大きくすることによっ
て回避できる。図12にドレッサ−103の直径を大きく
したときの長さLを示す。Rx=20cm、R1=19cm、R2=18.5cm
とした場合、この図12からわかるように、定盤の中心
から29cmの地点では長さLが1.47cmとなり、図11にお
ける2.1cmより少なくなっている。しかしながら、有効
範囲の内側では、定盤の中心から1.5cmの地点で最高と
なり、長さLは、2.44cmで図11の場合と殆ど変化せ
ず、全く改善されない。
と、研磨パッドの使用寿命に重大な影響を与える。これ
を模式化したものが図10である。研磨パッドのドレッ
シングは、半導体ウエハの研磨枚数に対応して実施さ
れ、これにより、研削されるが、この研削の様子を示し
ている。図10において、研磨定盤101の上に貼付され
た研磨パッド102の研削表面102Aを示しており、上記に
示した、最も研削量が多い箇所(定盤中心から1.5cmの
地点)を102A1、最も研削量が少ない箇所(定盤中心か
ら6.9cmの地点)を102A2、及び研磨有効範囲の最も外側
(定盤中心から29.0cmの地点)を102A3として示してい
る。
するには、ドレッシングにおける必要最低限の研磨パッ
ド研削量は確保しなければならない。これは、研削量が
最も少ない地点102A2(定盤中心から6.9cmの地点)で
も、もちろん同様であり、本条件の場合、ウエハ1枚あ
たり、0.67μmである。しかし、結局この作用として最
も研削量が多い地点102A1(定盤中心から1.5cmの地点)
では、ウエハ1枚あたり1.63μm研削されることにな
る。研磨パッド102の寿命は、ドレッシングによる研削
量により左右されるので、研磨パッド102を過剰にドレ
ッシングしてしまうと、研磨定盤101表面まで研削しま
いかねず、研磨定盤表面を傷つけてしまい、研磨定盤10
1を交換しなければならなくなることも起こり得る。
ッド102の厚さは十分に残っているにもかかわらず、そ
の有効範囲の内側で研削量が大きくなるため、半導体製
造における必要部材の中では比較的高価な研磨パッド10
2を早期に交換しなければならなくなってしまう。この
ことは、半導体製造コストにおける観点から大きな損失
となる。また、研磨パッドの交換時には、通常1時間〜
1.5時間を要する。この時間においては、CMP装置は半導
体を製造することができず、すなわち稼働率を低下させ
ることになる。研磨パッド102の寿命が短くなること
は、交換頻度が大きくなることであり、これがそのまま
装置稼働率を低減させることにつながる。
ドと研磨パッドを研磨調整するための研磨粒子面を備え
たドレッサーを有する研磨装置において、研磨粒子面に
勾配をもたせるようにする。また、第2の発明において
は、研磨粒子面に研磨調整用の圧力が加えられるように
した。
図1(a)に示したドレッサ−リング3が、従来技術 と同
様に配置され、ドレッシングが実施される。本発明にお
けるドレッサ−リング3の図1(a)における断面 A−A′
を示す断面図を、図1(b)、図1(c)にそれぞれ示
す。図1(a)は図1(b)の拡大断面図である。第1の
実施例の形態では、図1(b)、及び図1(c)に示すよ
うに、ドレッサ−リング3におけるダイヤモンド粒子面3
Aの表面を、研磨パッド表面に対して、勾配をもたせて
いる。このように勾配を持たせたために、ドレッサ−リ
ング3を一定の力で研磨パッドに押し付けた場合、図1
(c)の3A1〜3A2において、押し付けられた研磨パッド
の変位量が異なり、その作用としてそれぞれの点での押
し付け圧力が異なる。
グによる研削速度が異なることになる。すなわち、ドレ
ッサ−リングの直径方向に、研削速度の制御された分布
を持つことになる。本実施の形態では、図1(c)3A2の
直径における研磨パッド研削速度が、3A1の直径におけ
る研削速度の5倍になるように図1(c)のDを求めて、
前述の勾配を決定した。具体的には、従来技術と同様の
ドレッサ−リング103(図9)を使用して、ドレッサ−
リング103の研磨パッド102に対する押し付け圧力と、そ
の圧力に対する研削速度との関係を求める。これで得ら
れた、圧力と研削速度の関係が、例えば図2のようにな
ったとすれば、所望している5倍の研削速度の違いが得
られ、圧力P1、P2が求められる。
ッドの変位量の関係を求める。例えば、図3のようであ
れば。図3から圧力P1、P2に対する研磨パッドの変位量
D1、D2を求めて、前記 Dの値はD=D2−D1として決定す
る。ここにおいて、研磨パッドの押し付け圧力と研磨パ
ッドの変位量の関係は以下のようにして求められる。図
4の研磨装置において、研磨パッド2上に第1の荷重負
荷4及び第2の荷重負荷5が載せられ、この時の研磨パ
ッドの変位量dを第1の荷重負荷4 表面の位置fの変化
を調べることにより求める。位置fは、レ−ザ−変位計
6によって容易に測定される。同様に、第2の荷重負荷5
の重さを変えることにより、圧力と研磨パッド変位量d
の関係が図3のように得られる。
ドレッサ−リング3を押し付け圧力P0=(P1+P2)/2で研
磨パッド2に押し付けてドレッシングを実行する。この
ようにすると図1(c) 3A1でP1、3A2でP2の圧力でそれ
ぞれ研磨パッドに押し付けられて、3A2における研磨パ
ッド研削速度は3A1のそれの5倍のものが得られる。本実
施の形態における、研磨パッド2がドレッシングにより
研削速度は、従来技術のそれと異なり、研磨パッドとド
レッサ−の接触長さLだけに依存せず、各接触点で押し
付け圧力が異なるため、各点での圧力の関数となってい
る。
心から距離Rtのところの研磨パッド研削速度は、 (数2)∫K(r)*Rt*dθ (r:ドレッサ−リング中心よ
りの距離) をθ2(直径RtがR2を横切る箇所のθ)からθ1(直径RtがR
1を横切る箇所のθ)まで積分した値である。ここでK(r)
は、図2、図3より (数3)K(r)=k((r−R2)*4/(R1−R2)+1) (k:定
数) であり、rはθの関数であるから (数4)K(r)=K(θ)=k((((Rt*COSθ−Rx)2+Rt2*SIN2θ)
0.5−R2)*4/(R1−R2)+1) である。そして、定盤中心から距離Rtの箇所の研磨パッ
ドの研削速度V(Rt)は、 (数5)∫θ2θ1k((((Rt*COSθ−Rx)2+Rt2*SIN2θ)0.5
−R2)*4/(R1−R2)+1)*Rt*dθ で与えられる。ここに Rx:ドレッサ−3中心の定盤1中心からの距離 R1:ドレッサ−ダイヤモンド粒子面3A 外周の直径 R2:ドレッサ−ダイヤモンド粒子面3A内周の直径であ
る。
したときの、各直径Rtにおける、研磨パッド表面研削速
度V(Rt)を図6に示す。この図において、従来技術の研削
速度と比較しやすいように、研削速度がもっとも低い地
点が、従来技術と本実施の形態とで同じになるように定
数kを決めている。図6からわかるように、研磨有効範
囲の内側で、最も研磨パッド2の研削速度が大きい地点
では、従来技術の研削速度は2.44(相対値)であるのに
対して、本実施の形態では2.03(相対値)となってい
る。以上のように、本実施の形態では、研削速度を制御
することができるため、研磨パッド費用が削減され、そ
して、CMP装置の稼働率が向上する。
は、第1の実施の形態と同様に、図1(a)のA−A′断面
を示している。この図7に示すように、第2の実施の形
態では、ドレッサ−リングのダイヤモンド粒子面とそれ
を保持する部分とを3B1,3B2、3B3、3B4、3B5に5分割
している。さらに、そのそれぞれの箇所にP1、P2、P3、
P4、P5と別々の圧力を加えている。圧力の大きさは、以
下のようにして決められている。3B2では、3B1の研削速
度の74%になるようにP1に対するP2を図2より求め、同
様に3B3、3B4、3B5では、それぞれ研削速度が3B1の48
%、39%、30%となるように、P3、P4、P5が決められて
いる。 このように、ドレッサ−リングを分割し、それ
ぞれ研削速度に勾配を持たせるように圧力を加えている
ので、そのときの研磨定盤中心からRtの地点での、研磨
パッドの研削速度V(Rt)(相対値)は、以下のように
(数6)のように与えられる。
と外形は、従来技術と同一であり、 R11:図7 SB1の外形=19.0cm、R21:図7 SB1の内径=1
8.91cm R12:図7 SB2の外形=18.89cm、R22:図7 SB2の内径=1
8.81cm R13:図7 SB3の外形=19.79cm、R23:図7 SB3の内径=1
8.71cm R14:図7 SB4の外形=19.69cm、R24:図7 SB4の内径=1
8.61cm R15:図7 SB5の外形=19.59cm、R25:図7 SB5の内径=1
8.50cm 上記を計算した結果を図8に示す。従来技術との比較が
分かりやすいように、研磨速度がもっとも遅くなる箇所
の研磨速度を、従来技術のそれと一致させている。
ち側で、研削速度がもっとも大きな箇所は、従来技術の
2.44(相対値)に対して、本実施例では、2.03であり、
第1の実施の形態と殆ど同じである。したがって、研磨
パッド費用の削減効果も、CMP装置の稼働率向上も、同
じ効果が得られる。本発明によれば、従来技術で使用す
るドレッサ−103において、研磨パッド102に加える圧力
がドレッサ−103の直径方向に、勾配をもてるようにし
たため、研磨有効範囲の研磨パッド研削量に対する、最
大研削量が小さくなる。この結果、半導体ウエハ枚数に
対する研磨パッド102の寿命が長くなり、半導体ウエハ
1枚研磨あたりの、研磨パッド費用が安価になり、CMP装
置の稼働率を向上させることができる。
子面に勾配をもたせるようにし、また、ドレッサーの研
磨面に加える圧力に勾配を持たせるようにしたため、研
磨パッドの研磨量を均一に制御することができる。その
結果、研磨パッドの交換周期を長くすることができ、C
MP装置の稼働率の向上が実現できる。
の平面図及び断面図を示す。
の押し付け圧力と研磨パッドの研削速度との関係を表す
グラフである。
と研磨パッドの変位量との関係を表すグラフである。
量を計測するための研磨装置の断面図を示す。
図を示す。
速度の関係を表すグラフである。
の断面図を示す。
速度の関係を表すグラフである。
及び断面図を示す。
面図を示す。
との接触強度を示すグラフである。
場合の、ドレッサーと研磨パッドとの接触強度を示すグ
ラフである。
Claims (6)
- 【請求項1】 研磨パッドと研磨パッドを研磨調整する
ための研磨粒子面を備えたドレッサーを有する研磨装置
において、前記研磨粒子面を傾斜させてあることを特徴
とする研磨装置。 - 【請求項2】 前記傾斜は前記研磨粒子面の研磨が一定
になるように形成されていることを特徴とする請求項1
記載の研磨装置。 - 【請求項3】 前記傾斜は直線であることを特徴とする
請求項1記載の研磨装置。 - 【請求項4】 研磨パッドと研磨パッドを研磨調整する
ための研磨粒子面を備えたドレッサーを有する研磨装置
において、前記研磨粒子面に研磨調整用の圧力が加えら
れていることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項5】 前記研磨調整用の圧力は前記研磨粒子面
の研磨が一定になるように加えられていることを特徴と
する請求項4記載の研磨装置。 - 【請求項6】 前記研磨調整用の圧力は前記研磨粒子面
の複数点に加えられている特徴とする請求項4記載の研
磨装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001073550A JP2002273649A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | ドレッサ−を有する研磨装置 |
US09/906,799 US6682405B2 (en) | 2001-03-15 | 2001-07-18 | Polishing apparatus having a dresser and dresser adjusting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001073550A JP2002273649A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | ドレッサ−を有する研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002273649A true JP2002273649A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18930959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001073550A Pending JP2002273649A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | ドレッサ−を有する研磨装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6682405B2 (ja) |
JP (1) | JP2002273649A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005262341A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Noritake Super Abrasive:Kk | Cmpパッドコンディショナー |
US20060068691A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-30 | Kinik Company | Abrading tools with individually controllable grit and method of making the same |
DE102012206708A1 (de) | 2012-04-24 | 2013-10-24 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
DE102013201663B4 (de) | 2012-12-04 | 2020-04-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
USD795315S1 (en) * | 2014-12-12 | 2017-08-22 | Ebara Corporation | Dresser disk |
US10600634B2 (en) | 2015-12-21 | 2020-03-24 | Globalwafers Co., Ltd. | Semiconductor substrate polishing methods with dynamic control |
DE102016222063A1 (de) | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
DE102017217490A1 (de) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
DE102018202059A1 (de) | 2018-02-09 | 2019-08-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
US11081359B2 (en) | 2018-09-10 | 2021-08-03 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for polishing semiconductor substrates that adjust for pad-to-pad variance |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0355168A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面研削加工機のカップ型砥石 |
JPH11300600A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-02 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ |
JP2000000753A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨パッドのドレッサー及び研磨パッドのドレッシング方法 |
JP2000141206A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-23 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ |
JP2001038637A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-13 | Mitsubishi Materials Corp | 電着砥石 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
JP2914166B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
JPH07297195A (ja) | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Speedfam Co Ltd | 半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置 |
DE69516035T2 (de) * | 1994-05-23 | 2000-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfharen zum Herstellen eines mit hartem Material bedeckten Halbleiters |
JPH08281550A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-10-29 | Sony Corp | 研磨装置及びその補正方法 |
KR100540367B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2006-01-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마장치 및 연마방법 |
US6354918B1 (en) * | 1998-06-19 | 2002-03-12 | Ebara Corporation | Apparatus and method for polishing workpiece |
US6169931B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-01-02 | Southwest Research Institute | Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life |
US6220936B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-04-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | In-site roller dresser |
US6302772B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-10-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for dressing a wafer polishing pad |
US6159075A (en) | 1999-10-13 | 2000-12-12 | Vlsi Technology, Inc. | Method and system for in-situ optimization for semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing process |
US6443815B1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001073550A patent/JP2002273649A/ja active Pending
- 2001-07-18 US US09/906,799 patent/US6682405B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0355168A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面研削加工機のカップ型砥石 |
JPH11300600A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-02 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ |
JP2000000753A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨パッドのドレッサー及び研磨パッドのドレッシング方法 |
JP2000141206A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-23 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | ケミカルマシンポリッシャの研磨盤用研磨ドレッサ |
JP2001038637A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-13 | Mitsubishi Materials Corp | 電着砥石 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6682405B2 (en) | 2004-01-27 |
US20020132562A1 (en) | 2002-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4568015B2 (ja) | 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法 | |
KR100693251B1 (ko) | 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치 | |
KR0147144B1 (ko) | 경질 물질로 코팅된 웨이퍼, 그 제조 방법, 경질 물질로 코팅된 웨이퍼의 연마 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4216025B2 (ja) | 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法 | |
JP2002273649A (ja) | ドレッサ−を有する研磨装置 | |
JP2005262341A (ja) | Cmpパッドコンディショナー | |
KR100275241B1 (ko) | 표면 평탄화 장치 및 워크 측정 방법 | |
TW201206632A (en) | Ethod and apparatus for trimming the working layers of a double-side grinding apparatus | |
US6419553B2 (en) | Methods for break-in and conditioning a fixed abrasive polishing pad | |
JP2001062734A (ja) | 単層砥石 | |
TWI580523B (zh) | 具有最佳磨料露出率之化學機械研磨修整器 | |
TWM513087U (zh) | 平坦化之組合式化學機械研磨修整器 | |
US20170008146A1 (en) | Chemical mechanical planarization conditioner | |
US10173297B2 (en) | Chemical mechanical polishing conditioner and method for manufacturing same | |
JP2006218577A (ja) | 研磨布用ドレッサー | |
JP3759399B2 (ja) | 研磨布用ドレッサーおよびその製造方法 | |
TWI806466B (zh) | 拋光墊修整器及其製造方法 | |
KR100869934B1 (ko) | 경사면이 구비된 다이아몬드 연마구의 제조방법 | |
JP2010264567A (ja) | パッドコンディショナ | |
CN107900909A (zh) | 一种延长研磨垫修整盘使用寿命的方法及研磨垫修整盘 | |
KR20200084485A (ko) | 연마패드 컨디셔닝 장치 | |
JP2011235435A (ja) | 研磨布用ドレッサー | |
JP4194563B2 (ja) | Cmpパッドコンディショナー | |
KR20120004615U (ko) | 연마패드 연마구 | |
KR100552912B1 (ko) | 다이아몬드 공구 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060923 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060929 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061013 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080730 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100406 |