JP2002270987A - 電子部品、これを備えた配線基板、及びはんだ付け方法、並びにはんだ付け装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだ付け直後に発生するクラックや引け巣
等の不具合が発生しても、熱疲労により亀裂が発生しな
いようにすることを課題とする。 【解決手段】 リード端子１４に、はんだＨが凝固時に
ランド１８内へ引き込まれことを抑制する突起物１６を
設けた。この突起物１６により、はんだＨの凝固時にラ
ンド１８の中心部へはんだＨが引き込まれることが抑制
される。これによって、はんだの凝固時に応力が発生し
ないため、亀裂へと成長するクラックや引け巣が生じな
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＰＵ等の電子部
品、この電子部品が実装される配線基板、配線基板へ電
子部品を固定するためのはんだ付け方法、及びはんだ付
け装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】環境問題に対する関心の高まりを受け
て、電子機器の製造に使用されるはんだから有害な鉛を
なくす活動（以下「鉛フリー」と略す）が活発化してい
る。そして、鉛を含まない代替はんだがいくつか提案さ
れているが、従来のＳｎＰｂ共晶はんだに比べて種々の
問題を抱えている。

【０００３】鉛を含まない代替はんだは、ＳｎＰｂ共晶
はんだ以上の特性を出すために、添加元素を加えている
ものが多く、融点に幅を持っている。その中でもっとも
実用性が高いと言われているのが、ＳｎＡｇＣｕ系のは
んだである。

【０００４】しかし、ＳｎＡｇＣｕ系のはんだを用い
て、図１９及び図２０に示すように、プリント配線基板
１０へ実装した電子部品１２をフローはんだ槽９６では
んだ付けすると、図２１に示すように、凝固時にフィレ
ット部Ｆにクラックまたは引け巣が発生するという、従
来のＳｎＰｂ共晶はんだにない不具合が生じる。

【０００５】はんだ付け直後にこのような不具合が発生
すると、長時間の熱疲労により、クラックがさらに成長
して亀裂となり、電子機器を長期間使用している間に、
はんだの継手が破断して、電子機器が故障する恐れがあ
る。

【０００６】これに対処すべく、はんだ付けの条件を変
更する方法もあるが、完全に熱疲労による亀裂の発生を
抑えることはできない。また、多層配線基板の設計条件
を変えるという方法も考えられるが、電子部品の種類毎
に基板設計を変える必要があり、現実的ではない。

【０００７】一方、はんだ付けの直後に冷却水や液体窒
素等をプリント配線基板に噴射して急速冷却すること
で、はんだを強制的に均一に冷却させる方法もある。こ
れにより、凝固の時差がなくなり、はんだ凝固時に応力
が生じない。

【０００８】しかし、配線基板及び電子部品を急激に冷
却することで、電子部品や配線基板が熱衝撃を受け、信
頼性を損なう恐れがあり、実施が困難となっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事実を考
慮して、はんだ付け直後に発生するクラックや引け巣等
の不具合が発生しても、熱疲労により亀裂が発生しない
ようにして致命的な欠陥が生じないようにすることを課
題とする。

【００１０】また、はんだ付け直後に発生するクラック
や引け巣等の発生そのものを防止することを課題とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、配線基板の配線に電気的に導通された挿入孔へリー
ド端子を挿入して実装されはんだ付けされる電子部品に
おいて、前記リード端子に、はんだが凝固時に前記挿入
孔内へ引き込まれることを抑制する抑制手段を設けたこ
とを特徴としている。

【００１２】請求項１の構成では、リード端子に抑制手
段が設けられている。このリード端子を挿入孔へ挿入し
て電子部品を実装した後、例えば、下面よりはんだ噴流
によりはんだ付けを行なう（用途に応じてはんだ付け工
程は異なり、リフローはんだの場合もある）。このと
き、挿入孔にはんだが引き込まれようとするが、抑制手
段によって挿入孔の中心部へはんだが引き込まれること
が抑制される。これによって、はんだの凝固時に応力が
発生しないため、亀裂へと成長するクラックや引け巣が
生じない。

【００１３】なお、亀裂へと成長するクラックや引け巣
が生じないメカニズムを、本発明者は以下のように理解
している。

【００１４】例えば、ＳｎＡｇＣｕ系はんだを使用した
場合、ＳｎＡｇＣｕ系はんだは、３元系の非共晶組成で
あり、融点に幅を持っている。従って、固体と液体の共
存温度範囲が存在する。加えて、高い熱伝導性を有する
挿入孔の壁面やリード端子の付近は、冷却の際に熱が逃
げやすく早く冷却して、他の個所に比べて早く凝固す
る。

【００１５】一方、挿入孔の壁面、及びリード端子から
遠い個所は冷却が遅いので、早く冷却する個所が凝固し
たとき、冷却が遅い個所は、液体もしくは固液が共存し
ている状態にある。そして、はんだは、凝固する際に体
積が小さくなるので、冷却が遅い個所は早く冷却した個
所に引っ張られる。

【００１６】このため、挿入孔の壁面、すなわち挿入孔
内へはんだが引っ張られ、配線基板の表面のはんだが陥
没して裂け目のきっかけをつくると同時に、リード端子
の軸方向へもはんだが引っ張られて応力が加わるので亀
裂の原因となる。

【００１７】そこで、本発明では、このようなメカニズ
ムを踏まえて、抑制手段をリード端子に設けることで、
挿入孔内のはんだを一応に冷却させ、凝固時の挿入孔の
中心部へのはんだんの引き込みを防止した。これによ
り、凝固時に発生する応力をなくし、亀裂へと成長する
クラックや引け巣の原因を取り除いている。

【００１８】請求項２に記載の発明では、前記抑制手段
が、前記リード端子に設けられ前記挿入孔の隙間を減少
させる突起物であることを特徴としている。

【００１９】請求項２に記載の発明では、抑制手段が、
リード端子に設けられた突起物で構成されている。突起
物を設ける位置は、配線基板の実装面側、裏面側、ある
いは挿入孔の中央部等、電子部品の種類や用途に応じて
変えることが好ましい。また、突起物の外径は、挿入孔
の内径より小さくして、毛細管現象ではんだが電子部品
が実装された実装面側へ流れるようにする必要がある。

【００２０】突起物は、電子部品のリード端子を加工す
るときに設けてもよいし、電子部品を配線基板に実装す
るときに設けてもよい。

【００２１】請求項３に記載の発明は、前記突起物が、
はんだの融解温度で溶けない部材で構成されたことを特
徴としている。

【００２２】請求項３に記載の発明は、突起物をはんだ
の融解温度で溶けない部材で構成することで、凝固した
後、はんだに生じる熱応力を吸収して、連続熱疲労によ
る亀裂の発生を防止することができる。

【００２３】請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求
項３に記載の電子部品のリード端子を配線基板の挿入孔
へ挿入して、リフローはんだ或は噴流はんだで電子部品
をはんだ付けしたことを特徴としている。

【００２４】請求項５に記載の発明は、配線基板の配線
に電気的に導通された挿入孔へ電子部品のリード端子を
挿入し、前記配線基板の裏面を溶融させたはんだ噴流へ
接触させて電子部品のはんだ付けを行なうはんだ付け方
法において、はんだ噴流によりはんだ付けを行なった
後、前記挿入孔から前記配線基板の裏面側へ突出した前
記リード端子を加熱することを特徴としている。

【００２５】請求項５に記載の発明では、配線基板の配
線に電気的に導通された挿入孔へ電子部品のリード端子
を挿入して実装した後、配線基板の裏面を溶融させたは
んだ噴流へ接触させて、電子部品のはんだ付けを行な
う。

【００２６】そして、はんだ噴流によりはんだ付けを行
なった後、挿入孔から配線基板の裏面側へ突出したリー
ド端子を加熱する。

【００２７】これにより、リード端子付近のはんだがも
っとも遅く冷却することとなり、はんだ凝固時のはんだ
体積減少による影響をなくすことができる。このため、
クラック発生の原因となるフィレット表面におけるスル
ーホール内（挿入孔）へのはんだ引き込みによる陥没の
発生を防止することができ、はんだ付け直後に発生する
クラックをなくすことができる。

【００２８】なお、この発明は、最後に凝固する個所が
フィレットの中央部であるため、スルーホール内部には
んだが引っ張られ体積が減少して、内部に陥没するとい
うメカニズムに着目したもので、リード端子付近のはん
だを最後に凝固させことで、クラックの発生を防止でき
る。

【００２９】請求項６に記載の発明は、配線基板の配線
に電気的に導通された挿入孔へ電子部品のリード端子を
挿入し、前記配線基板の裏面を溶融させたはんだ噴流へ
接触させて電子部品のはんだ付けを行なうはんだ付け方
法において、はんだ噴流によりはんだ付けを行なった
後、はんだの溶融点より高い温度で、はんだ付け根のフ
ィレット表面を再溶融させることを特徴としている。

【００３０】請求項６に記載の発明では、はんだ付けを
行なった後、はんだの溶融点より高い温度で、はんだ付
け根のフィレット表面を再溶融させてクラックをなくす
ことができる。このとき、スルーホール内部のはんだは
溶融しないので、フィレット表面のはんだがスルーホー
ル内部に引き込まれてクラックのきっかけとなる陥没部
が生じない。

【００３１】このため、ランド付近とリード端子付近方
向への応力が加わっても、クラックが発生するまでには
至らずにはんだが凝固するので、一旦生じたクラックを
なくすことが可能となる。クラックをなくすことで、そ
の後の熱疲労があっても、クラックが成長せず、はんだ
の信頼性を保つことができる。

【００３２】なお、再溶融の対象個所としては、リード
端子のはんだフィレットや、電子部品のはんだフィレッ
トでもよい。

【００３３】請求項７に記載の発明は、配線基板の配線
に電気的に導通された挿入孔へ電子部品のリード端子を
挿入し、前記配線基板の裏面を溶融させたはんだ噴流へ
接触させて電子部品のはんだ付けを行なうはんだ付け方
法において、はんだ噴流によりはんだ付けを行なった
後、はんだの溶融点より低い溶融点を持つ材料で、はん
だ付け根のフィレット表面に被覆層を形成することを特
徴としている。

【００３４】請求項７に記載の発明では、はんだ噴流に
よりはんだ付けを行なった後、はんだの溶融点より低い
溶融点を持つ材料で、はんだ付け根のフィレット表面に
被覆層を形成する。

【００３５】このように、被覆層でクラックを充填して
覆うことにより、長時間の熱疲労が加わってもクラック
が成長してはんだが破断することがない。

【００３６】請求項８に記載の発明は、電子部品が実装
された配線基板をはんだ付け工程に沿って搬送する搬送
手段と、溶融したはんだが噴流するはんだ槽と、前記配
線基板の裏面側へ突出した前記電子部品のリード端子を
加熱する加熱手段と、を備え、前記搬送手段で前記配線
基板を搬送してはんだ噴流により電子部品のはんだ付け
を行なった後、前記加熱手段に向かって前記配線基板を
搬送し前記リード端子だけを加熱することを特徴として
いる。

【００３７】請求項８に記載の発明では、搬送手段で配
線基板を搬送しながら、はんだ噴流により電子部品のは
んだ付けを行ない、その後、加熱手段へ搬送してリード
端子だけを加熱する。リード端子付近のはんだを最後に
凝固させることで、クラックの発生を防止できる。

【００３８】請求項９に記載の発明は、電子部品が実装
された配線基板をはんだ付け工程に沿って搬送する搬送
手段と、溶融したはんだが噴流するはんだ槽と、前記配
線基板の裏面側のはんだを溶融可能な溶融手段と、を備
え、前記搬送手段で配線基板を搬送してはんだ噴流によ
り電子部品のはんだ付けを行なった後、前記溶融手段に
向かって前記配線基板を搬送してはんだの溶融点より高
い温度で、はんだ付け根のフィレット表面を再溶融させ
ることを特徴としている。

【００３９】請求項９に記載の発明は、搬送手段で配線
基板を搬送しながら、はんだ噴流により電子部品のはん
だ付けを行ない、その後、溶融手段へ搬送してはんだの
溶融点より高い温度で、はんだ付け根のフィレット表面
を再溶融させる。フィレット表面に一旦生じたクラック
をなくすことで、その後の熱疲労があっても、クラック
が成長せず、はんだの信頼性を保つことができる。

【００４０】請求項１０に記載の発明は、電子部品が実
装された配線基板をはんだ付け工程に沿って搬送する搬
送手段と、溶融したはんだが噴流するはんだ槽と、はん
だの溶融点より低い溶融点を持つ材料で、はんだ付け根
のフィレット表面に被覆層を形成させる被覆形成手段
と、を備え、前記搬送手段で配線基板を搬送してはんだ
噴流により電子部品のはんだ付けを行なった後、前記被
覆形成手段に向かって配線基板を搬送してはんだ付け根
のフィレット表面に被覆層を形成することを特徴として
いる。

【００４１】請求項１０に記載の発明では、搬送手段で
配線基板を搬送しながら、はんだ噴流により電子部品の
はんだ付けを行ない、その後、被覆形成手段へ搬送して
はんだ付け根のフィレット表面に被覆層を形成する。被
覆層で一旦発生したクラックを充填して覆うことによ
り、長時間の熱疲労が加わってもクラックが成長しては
んだが破断することがない。

【００４２】請求項１１に記載の発明は、溶融したはん
だが噴流するはんだ槽と、電子部品が実装された配線基
板とはんだ槽との相対距離を変える昇降手段と、前記配
線基板の裏面側へ突出した前記電子部品のリード端子を
加熱する加熱手段と、を備え、前記昇降手段で配線基板
とはんだ槽との相対距離を短くしてはんだ噴流により電
子部品のはんだ付けを行なった後、配線基板とはんだ槽
との相対距離を長くしてはんだ噴流面から配線基板を離
し、加熱手段でリード端子だけを加熱することを特徴と
している。

【００４３】請求項１１に記載の発明では、いわゆるバ
ッチ式のはんだ付けであり、昇降手段で配線基板とはん
だ槽との相対距離を変え、配線基板とはんだ噴流との距
離及びはんだとの接触時間を制御することで、電子部品
のはんだ付けを行なっている。その後、配線基板とはん
だ槽との相対距離を長くして、はんだ噴流面から配線基
板を離し、加熱手段でリード端子だけを加熱する。

【００４４】このようにして、リード端子付近以外のは
んだが凝固するまで一定時間保った後、配線基板を移動
させはんだを冷却させる。これにより、クラック発生の
原因となるフィレット表面におけるスルーホール内への
はんだ引き込みによる陥没の発生を防止することがで
き、はんだ付け直後に発生するクラックをなくすことが
できる。

【００４５】請求項１２に記載の発明は、溶融したはん
だが噴流するはんだ槽と、電子部品が実装された配線基
板とはんだ槽との相対距離を変える昇降手段と、を備
え、前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距離を
短くしてはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを行な
った後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くしてリ
ード端子だけをはんだ噴流に浸けることを特徴としてい
る。

【００４６】請求項１２に記載の発明では、請求項１１
と同様にバッチ式のはんだ付けであり、電子部品のはん
だ付けを行った後、配線基板とはんだ槽との相対距離を
長くし、電子部品のリード端子だけをはんだ槽に漬浸さ
せ、リード端子だけを加熱する。リード端子付近のはん
だを最後に凝固させことで、クラックの発生を防止でき
る。

【００４７】請求項１３に記載の発明は、溶融したはん
だが噴流するはんだ槽と、電子部品が実装された配線基
板とはんだ槽との相対距離を変える昇降手段と、前記配
線基板の裏面側のはんだを溶融可能な溶融手段と、を備
え、前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距離を
短くしてはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを行な
った後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くしては
んだ噴流面から配線基板を離し、前記溶融手段ではんだ
の溶融点より高い温度で、はんだ付け根のフィレット表
面を再溶融させることを特徴としている。

【００４８】請求項１３に記載の発明では、請求項１１
と同様にバッチ式のはんだ付けであり、はんだ噴流によ
り電子部品のはんだ付けを行なった後、配線基板とはん
だ槽との相対距離を長くして、はんだ噴流面から配線基
板を離し、溶融手段ではんだの溶融点より高い温度で、
はんだ付け根のフィレット表面を再溶融させる。フィレ
ット表面に一旦生じたクラックをなくすことで、その後
の熱疲労があっても、クラックが成長せず、はんだの信
頼性を保つことができる。

【００４９】請求項１４に記載の発明は、溶融したはん
だが噴流するはんだ槽と、電子部品が実装された配線基
板とはんだ槽との相対距離を変える昇降手段と、はんだ
の溶融点より低い溶融点を持つ材料で、はんだ付け根の
フィレット表面に被覆層を形成させる被覆形成手段と、
を備え、前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距
離を短くしてはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを
行なった後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くし
てはんだ噴流面から配線基板を離し、前記被覆形成手段
ではんだ付け根のフィレット表面に被覆層を形成するこ
とを特徴としている。

【００５０】請求項１４に記載の発明では、請求項１１
と同様にバッチ式のはんだ付けであり、はんだ噴流によ
り電子部品のはんだ付けを行なった後、被覆形成手段に
よって、はんだの溶融点より低い溶融点を持つ材料で、
はんだ付け根のフィレット表面に被覆層を形成させる。
被覆層で一旦発生したクラックを充填して覆うことによ
り、長時間の熱疲労が加わってもクラックが成長しては
んだが破断することがない。

【００５１】請求項１５に記載の発明は、前記配線基板
に形成されたはんだを撮像する撮像手段と、前記撮像手
段で撮像された映像に基づきはんだの良否を判定する判
定手段と、前記判定手段で欠陥とされたはんだの部位を
特定する位置検出手段と、前記位置検出手段からの情報
に基づき、欠陥とされたはんだの部位だけを修復させる
修復手段と、を有することを特徴としている。

【００５２】請求項１５に記載の発明では、撮像手段に
よって、配線基板に形成されたはんだを撮像し、この映
像に基づき、判定手段がはんだの良否を判定する。欠陥
とされたはんだの部位は位置検出手段によって特定さ
れ、この位置情報に基づき、修復手段が欠陥とされたは
んだの部位だけを修復させる。

【００５３】このように、クラック等の欠陥が生じた部
位だけを修復することで、はんだ付け工程の迅速化を図
ることができる。

【００５４】請求項１６に記載の発明では、加熱手段
が、リード端子に非接触で熱を伝達する非接触加熱装置
であり、例えば、光ビーム、ＣＯ₂レーザ、マクロウエ
ーブ等が考えられる。

【００５５】請求項１７に記載の発明では、加熱手段
が、リード端子に接触してで熱を伝達する接触加熱装置
であり、例えば、面ヒータ、はんだコテ、ホットプレー
ト，赤外線、熱風、等が考えられる。

【００５６】請求項１８に記載の発明では、溶融手段
が、配線基板のスルーホール又はビアに非接触で熱を伝
達する非接触加熱装置であり、例えば、光ビーム、ＣＯ
₂レーザ、マクロウエーブ等が考えられる。

【００５７】請求項１９に記載発明は、溶融手段が、配
線基板のスルーホール又はビアに接触して熱を伝達する
接触加熱装置であり、例えば、面ヒータ、はんだコテ、
ホットプレート、赤外線、熱風、等が考えられる。

【００５８】請求項２０に記載の発明では、被覆形成手
段は、はんだより融点が低い被覆用はんだが噴流してい
る。

【００５９】請求項２１に記載の発明では、被覆用はん
だが、少なくもとＳｎとＺｎ、又はＳｎとＢｉを含む材
料であることを特徴としている。

【００６０】請求項２２に記載の発明では、被覆形成手
段が、導電性を有する５〜１００ミクロンの粒子を熱硬
化性樹脂中に分散させた熱硬化性又は熱可塑性の導電性
接着剤をフィレット表面に塗布して被覆層を形成するこ
とを特徴としている。

【００６１】請求項２３に記載の発明では、被覆形成手
段が、金属粒子を含まない熱硬化性又は熱可塑性の接着
剤をフィレット表面に塗布して被覆層を形成することを
特徴としている。

【００６２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、第１形態
に係る電子部品及びプリント配線基板を説明する。

【００６３】図１及び図３に示すように、プリント配線
基板１０は、実装面１０Ａ（電子部品としてデジタルＩ
Ｃ１２を実装する面）に信号層が構成され、内層として
銅箔により構成された電源層及びグランド層が絶縁層を
介して積層された多層構造となっている。

【００６４】実装面１０Ａには、デジタルＩＣ１２等の
複数の電子部品が実装され、デジタル信号の授受を行な
う。デジタルＩＣ１２のリード端子１４は、スルーホー
ル２０に取付けられたランド１８へ挿入され、導体層相
互の電気的な接続を実現している。

【００６５】ここで、図３に示すように、デジタルＩＣ
１２のリード端子１４には、球状の突起物１６が設けら
れている。この突起物１６の外径は、ランド１８の内径
より小さくされており、突起物１６とランド１８の隙間
から毛細管現象ではんだＨが実装面１０Ａ側へ流れるよ
うに考慮されている。

【００６６】また、突起物１６の材料としては、はんだ
付け時の熱にも溶けない銅ペーストの高融点はんだを使
用している。そして、突起物１６の形成方法としては、
図１（Ａ）に示すように、リード端子１４にはんだＨを
楕円状に付着させ、図１（Ｂ）に示すように、はんだの
収縮特性を利用し硬化した後の突起物１６の形状が球形
となるようにしている。

【００６７】次に、はんだ付けの手順を説明する。

【００６８】プリント配線基板１０のランド１８へリー
ド端子１４を挿入してデジタルＩＣ１２を実装した後、
図２に示すように、はんだ槽２２の上へ搬送して、裏面
からはんだ噴流Ｈ１によりはんだ付けを行なう。なお、
このはんだＨは、鉛を含まない、且つ融点に幅を持った
ＳｎＡｇＣｕ系のはんだである。また、ここでは、はん
だ噴流ではんだ付けしたする方法で説明するが、はんだ
付け方法は、リフローはんだであっても構わない。

【００６９】ここで、ＳｎＡｇＣｕ系のはんだは融点に
幅があるため、凝固するとランド１８内へ凝固していな
いはんだを引き込もうとするが、ランド１８内へ突起物
１６を配置することで、ランド１８内のはんだが一応に
冷却して凝固するため、ランド１８の中へのはんだんの
引き込みが防止される。このため、はんだの凝固時に収
縮応力が発生することなく、亀裂へと成長するクラック
や引け巣の原因を取り除くことができる。

【００７０】また、上記例では、リード端子１４の中央
部に突起物１６を設けたものを図示したが、突起物を設
ける位置は、図４に示すように、プリント配線基板１０
の実装面１０Ａ側、図５に示すように、プリント配線基
板１０の裏面１０Ｂ側のように、電子部品の種類や用途
に応じて変えることができる。

【００７１】さらに、突起物は、電子部品のリード端子
を加工するときに設けてもよいし、電子部品をプリント
配線基板に実装するときに設けてもよい。

【００７２】また、突起物をはんだの融解温度では溶け
ない弾性力を備えた樹脂材で構成することで、凝固した
後、はんだに生じる熱応力を吸収して、連続熱疲労によ
る亀裂の発生を防止することができる。

【００７３】次に、第２形態に係るはんだ付け装置につ
いて説明する。

【００７４】図６及び図７に示すように、第２形態に係
るはんだ装置２６は、デジタルＩＣ１２（リード端子が
ランドに挿入されるもの）が表面側に実装され、チップ
部品４２（リード端子がないもの）が裏面側に表面実装
されたプリント配線基板１０を搬送する搬送コンベア２
４を備えている。この搬送コンベア２４には、駆動ロー
ル３０に巻き掛けられた２条のコンベア２８が設けられ
ており、コンベア２８がプリント配線基板１０の端部を
支持し裏面を露出させた状態で横方向へ搬送する。

【００７５】コンベア２８の間には、搬送方向の上流側
から順に、フラクサ３２、予備加熱ヒータ３４、はんだ
槽３６、レーザー装置３８、冷却ファン４０が配置され
ている。

【００７６】フラクサ３２は、ロジン系の液状フラクッ
スＲを発砲又は霧状にしてプリント配線基板１０の裏面
に塗布する。フラックスＲが塗布されたプリント配線基
板１０は、予備加熱ヒータ３４で予備加熱され、はんだ
付けの準備がされる。

【００７７】はんだ槽３６には、溶融したＳｎＡｇＣｕ
系のはんだＨが満たされており、一次噴流Ｈ１にチップ
部品４２が接触してはんだ付けされ、二次噴流Ｈ２にリ
ード端子１４（このリード端子１４には、突起物１６は
設けられていないが、突起物を設けたものでもよい）が
接触してはんだ付けされる。なお、本形態では、２つの
はんだ噴流があるはんだ槽を用いたが、１つのはんだ噴
流のはんだ槽であってもよい。

【００７８】このはんだ槽３６でプリント配線基板１０
の裏面から突出したリード端子１４がはんだ付けられ二
次噴流Ｈ２から出た直後に、レーザー装置３８から光レ
ーザＬをリード端子１４だけに当て、リード端子１４を
加熱する。

【００７９】リード端子１４は、プリント配線基板１０
の裏面から、通常、３ｍｍから７ｍｍ程度突出してお
り、一方、プリント配線基板１０の裏面に表面実装され
たチップ部品４２やＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の厚みは１ｍｍ以下である。

【００８０】このため、リード端子１４だけを加熱する
ためには、光レーザＬがつくる面が搬送コンベア２４に
よって搬送されるプリント配線基板１０の裏面に対して
平行となるように設定し、且つ、プリント配線基板１０
の裏面から少なくとも１ｍｍから７ｍｍ離れた位置を加
熱するようにする必要がある。また、加熱する温度とし
ては、少なくともリード端子１４の温度が接合に使用し
たＳｎＡｇＣｕ系のはんだの融点より高い温度となるよ
うに設定する。

【００８１】なお、本形態では、非接触加熱方式として
光ビームを使用したが、ＣＯ₂レーザ、マイクロウエー
ブを利用する方式であってもよい。

【００８２】以上のようにして、リード端子１４付近
（フィレットの中央部）のはんだＨがもっとも遅く冷却
するようにすることで、図１５に示すように、はんだ凝
固時のはんだ体積減少をリード端子１４部分の高さの減
少（ｈ１→ｈ２）に変えることができる。このため、ク
ラック発生の原因となるフィレットＦの表面におけるラ
ンド１８内のスルーホールへのはんだ引き込みによる陥
没の発生を防止することができ、はんだ付け直後に発生
するクラックをなくすことができる。

【００８３】最後に、冷却ファン４０でプリント配線基
板１０が冷却され、はんだ全体が完全に凝固する。

【００８４】次に、第３形態に係るはんだ付け装置につ
いて説明する。

【００８５】図８に示すように、本形態に係るはんだ装
置４６は、第２形態に係るはんだ装置２６と基本的な構
成は同一であるが、リード端子１４だけを加熱する方式
が接触加熱方式を採用している点で異なる。

【００８６】すなわち、はんだ槽３６から出たリード端
子１４が直ぐに加熱できるように、はんだ槽３６の下流
側には、シリコンオイル槽４４が配置されている。この
シリコンオイルＯは加熱されており、リード端子１４の
先端部だけが直接浸漬され加熱される。なお、シリコン
オイルは、チップ部品４２等に付着しても特に問題はな
いが、高圧エアで吹き飛ばす工程を加えてもよい。

【００８７】また、接触加熱方式としてシリコンオイル
を使用したが、面ヒータ、はんだコテ、ホットプレー
ト，赤外線、熱風を用いてリード端子１４を加熱する方
法でももよい。さらに、指向性に優れているという点を
考慮すれば、赤外線、熱風が好ましい。

【００８８】次に、第４形態に係るはんだ付け装置につ
いて説明する。

【００８９】本形態に係るはんだ装置４８は、図９から
図１１に示すように、プリント配線基板１０を支持した
コンベア２８を昇降させることにより、プリント配線基
板１０とはんだ噴流面との相対距離を変えることで、は
んだ付けを行ういわゆるバッチ式はんだ付けである。

【００９０】ここでは、昇降手段としてのエアシリンダ
ー６０のロッド６２からは、コンベア２８を横切る方向
に梁材６６が張り出している。この梁材６６の両端部に
は、二股状のアーム６８が吊下されており、アーム６８
の下端部には、コンベア２８の下面を持ち上げるコロ７
０が取り付けられている。

【００９１】そして、はんだ槽３６の両側にレーザ装置
５０が設けられており、リード端子１４を光ビームによ
って非接触方式で加熱するようになっている。レーザ装
置５０から発する光ビームは、プリント配線基板１０の
全幅をカバーできる範囲に広がり、どのリード端子１４
にも漏れなく光ビームを照射できる構成となっている。

【００９２】次に、本形態に係るはんだ付け装置４８の
作用を説明する。

【００９３】図１０に示すように、エアシリンダー６０
のロッド６２を伸張させ、はんだＨが噴流しているはん
だ槽３６へプリント配線基板１０を一定時間接触させ
て、はんだ付けを行う。その後、エアシリンダー６０の
ロッド６２を収縮させコンベア２８と共にプリント配線
基板１０を持ち上げ、リード端子１４をはんだ噴流から
所定距離引き上げた位置でプリント配線基板１０を停止
させる。

【００９４】ここで、図１１に示すように、リード端子
１４がはんだ噴流から出た瞬間から、光ビームがリード
端子１４に当たって加熱し、リード端子１４周辺以外の
はんだを先に凝固させる。リード端子１４周辺以外のは
んだが凝固すると、光ビームの照射を止め、最終的にリ
ード端子１４周辺のはんだを凝固させる。

【００９５】これにより、クラック発生の原因となるフ
ィレットＦの表面におけるランド内のスルーホールへの
はんだ引き込みによる陥没の発生を防止することがで
き、はんだ付け直後に発生するクラックをなくすことが
できる。

【００９６】なお、プリント配線基板１０の昇降量は、
以下の関係を考慮して決定される。すなわち、プリント
配線基板の裏面に実装された最も厚いチップ部品の高さ
＜加熱面の高さ＜プリント配線基板裏面から突出するリ
ード端子下端の高さで決定される。

【００９７】また、リード端子１４を加熱する手段は、
瞬間的に所望の温度に達する方式が望ましいため、光ビ
ームの他に、温風、レーザ、マイクロウエーブ等が適し
ている。

【００９８】さらに、本形態では、プリント配線基板１
０を昇降させるようにしたが、はんだ槽３６を昇降させ
ることで、プリント配線基板１０とはんだ噴流面との相
対距離を変える方法でもよい。

【００９９】次に、第５形態に係るはんだ付け装置につ
いて説明する。

【０１００】本形態に係るはんだ装置７４は、図１２か
ら図１３に示すように、プリント配線基板１０を支持し
たコンベア２８を昇降させることにより、プリント配線
基板１０とはんだ噴流面との相対距離を変えてはんだ付
けを行う、いわゆるバッチ式はんだ付けである点で、第
４形態に係るはんだ装置４８と同じである。

【０１０１】第４形態に係るはんだ装置４８と異なる点
は、リード端子１４を加熱する加熱手段を別途設けてい
ない点である。

【０１０２】すなわち、エアシリンダー６０のロッド６
２を伸張させ、はんだＨが噴流しているはんだ槽３６へ
プリント配線基板１０を一定時間接触させて、はんだ付
けを行う。その後、エアシリンダー６０のロッド６２を
収縮させコンベア２８と共にプリント配線基板１０を持
ち上げ、リード端子１４がはんだ噴流に漬浸した位置で
プリント配線基板１０を停止させる。

【０１０３】ここで、プリント配線基板１０を引き上げ
る上昇量は、パラメータとして記録されているリード端
子１４の長さに基づき、或いははんだ付けの直前に測定
したデータに基づき、プリント配線基板１０ははんだ噴
流に接触しないが、リード端子１４だけがはんだ噴流に
接触するように設定されている。

【０１０４】すなわち、プリント配線基板の裏面に実装
された最も厚いチップ部品の高さ＜はんだ噴流面の高さ
＜プリント配線基板裏面から突出するリード端子下端の
高さで決定される。

【０１０５】この状態で、リード端子１４の周辺以外の
はんだを冷却・凝固させた後、リード端子１４がはんだ
噴流面から離れる位置まで上昇させて、はんだ全体を完
全に凝固させる。

【０１０６】これにより、はんだ凝固時のはんだ体積減
少をリード端子１４部分の高さの減少に変えることがで
きる。このため、クラック発生の原因となるフィレット
Ｆの表面におけるランド１８内のスルーホールへのはん
だ引き込みによる陥没の発生を防止することができ、は
んだ付け直後に発生するクラックをなくすことができ
る。

【０１０７】次に、第６形態に係るはんだ付け装置７６
について説明する。

【０１０８】図１４に示すように、第６形態に係るはん
だ付け装置７６は、基本的な構成において、第２形態に
係るはんだ付け装置２６と同一であるが、はんだ槽３６
の下流側にはんだを再溶融させる溶融手段としての面ヒ
ータ７４が配置されている点で異なる。

【０１０９】この面ヒータ７４の設定温度は、少なくと
もはんだＨの融点以上の温度とする必要があり、例え
ば、Ｓｎ９６．５Ａｇ３．０Ｃｕ０．５のはんだでは、
融点が２１７〜２１９℃であるため、設定温度を２３０
℃とする必要がある。

【０１１０】このような面ヒータ７４で、コンベア２８
で搬送されてきたプリント配線基板１０の裏面にある、
はんだ付け根のフィレットＦの表面を再溶融させて、図
１５に示すように、はんだ凝固時のはんだ体積減少をリ
ード端子１４部分の高さの減少（ｈ１→ｈ２）に変える
ことができる。

【０１１１】また、スルーホール内部のはんだは溶融し
ないので、フィレット表面のはんだがスルーホール内部
に引き込まれてクラックのきっかけとなる陥没部が生じ
ない。

【０１１２】このため、ランド１８付近とリード端子１
４付近方向への応力が加わっても、クラックが発生する
までには至らずにはんだが凝固するので、一旦生じたク
ラックをなくすことが可能となる。クラックをなくすこ
とで、その後の熱疲労があっても、クラックが成長せ
ず、はんだの信頼性を保つことができる。

【０１１３】なお、再溶融の対象個所としては、リード
端子のはんだフィレットや、チップ部品等の表面実装部
品のはんだフィレットを同時に再溶融しても構わない。

【０１１４】また、はんだを再溶融するための加熱手段
としては、赤外線、熱風、はんだこて、ホットプレート
のような接触加熱方式と、光ビーム、ＣＯ₂レーザー、
マイクロウエーブ等の非接触方式が考えられるが、局所
的に表面を溶融させるという点では、はんだこて、ホッ
トプレートのような接触加熱方式や、光ビーム、ＣＯ ₂
レーザー、マイクロウエーブのように高パワーで瞬間的
に加熱が行なえる加熱方式が適している。

【０１１５】なお、本形態では、はんだ付け装置内に再
溶融手段を設けたが、はんだ付けの後工程として、同様
の機能を持った再溶融手段を設けてもよい。

【０１１６】次に、第７形態に係るはんだ付け装置７６
について説明する。

【０１１７】図１６に示すように、第７形態に係るはん
だ付け装置７８は、基本的な構成において、第２形態に
係るはんだ付け装置２６と同一であるが、はんだ槽３６
の下流側にはんだＨより融点が低いはんだＨ_Lが充填さ
れた第２はんだ槽８０が配置されている点で異なる。

【０１１８】この第２はんだ槽８０に充填されているは
んだＨ_Lは、はんだＨがＳｎ９６．５Ａｇ３．０Ｃｕ
０．５であれば、融点が２１７〜２１９℃であるため、
これよりも融点が低い材料として、例えば、Ｓｎ４９Ｂ
ｉ５１：融点１３９℃、Ｓｎ８９．５Ｚｎ７．５Ｂｉ
３．０：融点１８９〜１９９℃、Ｓｎ８２．２Ａｇ２．
８Ｂｉ１５：融点１３６〜１９７℃が考えられる。

【０１１９】このはんだＨ_Lの噴流面に、図１７（Ａ）
に示すフィレットＦのクラック部Ｃに接触させること
で、はんだＨ_Lの被覆層を形成する。

【０１２０】このとき、はんだＨ_Lは、既にはんだＨに
よってはんだ付けがされているスルーホールやランド１
８にはんだを盛り上げる必要がないので、Ｚｎを含む濡
れが比較的悪い材料でも、また、Ｂｉを含むリフトオフ
が発生しやすいと懸念される材料であっても使用するこ
とができる。

【０１２１】また、はんだＨ_Lで既に形成されているフ
ィレットＦを溶融させずに、その上から被覆層を形成す
るため、はんだＨの組成を変化させてしまうという不具
合も防止できる。

【０１２２】以上のように、被覆層でクラックを充填し
て覆うことにより、長時間の熱疲労が加わってもクラッ
クが成長してはんだが破断することがない。

【０１２３】また、本形態では、第２はんだ槽８０を設
けてクラックを充填被覆する例を説明したが、すでに形
成されているはんだの融点より低く、且つクラックを充
填して、使用中の熱ストレスによる応力を緩和できる材
料であればはんだに限らない。

【０１２４】例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ等の導電性を有
する５〜１００ミクロンの粒子をエポキシ等の熱硬化性
樹脂中に分散させた熱硬化性又は熱可塑性の導電性接着
剤をフィレット表面に塗布して被覆層を形成してもよ
い。

【０１２５】また、フィレットにプローブをあって電気
的な検査をするという点では、不利となるが、導電性を
有しない熱硬化性の樹脂（例えば：エポキシ樹脂）を塗
布して熱硬化させる方法もある。また、ポリエチレン、
ポリアミド等の熱可塑性樹脂を一旦加熱して溶融させ、
クラック中に充填させた後、冷却する方法でもよい。

【０１２６】次に、第８形態に係るはんだ付け装置８２
について説明する。

【０１２７】図１８に示すように、第８形態に係るはん
だ付け装置８２は、従来のはんだ噴流によるはんだ付け
装置８４に、はんだのクラック部分を自動修復する修復
装置８６との組み合せによって構成されている。

【０１２８】修復装置８６は、はんだ噴流ではんだ付け
され、コンベア２８から受け渡されたプリント配線基板
１０を反転させ、はんだ付けされた面を上方に向ける反
転装置８８を備えている。反転されたプリント配線基板
１０は、右方向へ搬送され、ＣＣＤカメラ９０によって
はんだ付け面が撮像される。

【０１２９】ＣＣＤカメラ９０には、ＣＣＤセンサには
んだ面の像を結像させるレンズが設けられている。ＣＣ
Ｄセンサは、プリント配線基板１０の幅方向（搬送方向
と直交する方向）に受光素子を複数個備えており、受光
素子と対応する位置でクラックの位置を検出する。

【０１３０】ＣＣＤセンサから出力された信号は、制御
部９２へ送られ、Ａ／Ｄ変換器でデジタルに変換されて
２値化される。すなわち、クラックで光が乱反射した個
所は黒くなり、正常に反射した部分は白くなる。

【０１３１】ここで、予め２値化されたクラック判定基
準（ＬＳ判定）と撮像された画像とを比較することによ
り、クラックの有無と位置が検出される。このデータに
基づき、制御部９２が再溶融用ヒータ９４を作動させ、
再溶融させる位置へ移動させ、所定の温度でクラックを
修復させる。

【０１３２】このように、クラック等の欠陥が生じた部
位だけを修復することで、はんだ付け工程の迅速化を図
ることができる。

【０１３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、は
んだ付け直後に発生するクラックや引け巣等の不具合が
発生しても、熱疲労により亀裂が発生しないようにして
致命的な欠陥が生じないようにすることができる。

【０１３４】また、はんだ付け直後に発生するクラック
や引け巣等の発生そのものを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１形態に係る電子部品の斜視図で
ある。

【図２】 本発明の第１形態に係る電子部品をはんだ付
けしている様子を示す斜視図である。

【図３】 本発明の第１形態に係る電子部品の取付状態
を示す断面図である。

【図４】 本発明の第１形態に係る電子部品の変形例で
ある電子部品の取付状態を示す断面図である。

【図５】 本発明の第１形態に係る電子部品の変形例で
ある電子部品の取付状態を示す断面図である。

【図６】 本発明の第２形態に係るはんだ付け装置の斜
視図である。

【図７】 本発明の第２形態に係るはんだ付け装置の側
面図である。

【図８】 本発明の第３形態に係るはんだ付け装置の側
面図である。

【図９】 本発明の第４形態に係るはんだ付け装置の斜
視図である。

【図１０】 本発明の第４形態に係るはんだ付け装置の
正面図である。

【図１１】 本発明の第４形態に係るはんだ付け装置の
正面図である。

【図１２】 本発明の第５形態に係るはんだ付け装置の
正面図である。

【図１３】 本発明の第５形態に係るはんだ付け装置の
正面図である。

【図１４】 本発明の第６形態に係るはんだ付け装置の
側面図である。

【図１５】 電子部品の取付状態を示す断面図である。

【図１６】 本発明の第７形態に係るはんだ付け装置の
側面図である。

【図１７】 電子部品の取付状態を示す断面図である。

【図１８】 本発明の第８形態に係るはんだ付け装置の
側面図である。

【図１９】 プリント配線基板と電子部品との関係を示
した分解斜視図である。

【図２０】 従来のはんだ噴流槽ではんだ付けを行なっ
ている状態を示す概念図である。

【図２１】 従来の電子部品の取付状態を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１０ プリント配線基板（配線基板） １２ 電子部品 １４ リード端子 １８ ランド（挿入孔） １６ 突起物（抑制手段） ２６ 搬送コンベア（搬送手段） ３６ はんだ槽（加熱手段） ３８ レーザ装置（加熱手段） ４４ シリコンオイル槽（加熱手段） ５０ レーザ装置（加熱手段） ６０ シリンダー（昇降手段） ７４ 面ヒータ（溶融手段） ８０ 第２はんだ槽（被覆形成手段） ９０ ＣＣＤカメラ（撮像手段） ９２ 制御部（判定手段、位置検出手段） ９４ 再溶融ヒータ（修復手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０６ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０６Ｂ ５０６Ｇ ５０６Ｋ ５１１ ５１１ ５１２ ５１２Ｂ // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｆターム(参考） 4E080 AA01 AB03 DB04 5E319 AA02 AB01 AC01 CC24 CD36 CD39 CD53 CD60 GG03 5E336 AA01 AA11 BB02 CC03 CC05 EE02 GG06

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線基板の配線に電気的に導通された挿
   入孔へリード端子を挿入して実装されはんだ付けされる
   電子部品において、 前記リード端子に、はんだが凝固時に前記挿入孔内へ引
   き込まれることを抑制する抑制手段を設けたことを特徴
   とする電子部品。
2. 【請求項２】 前記抑制手段が、前記リード端子に設け
   られ前記挿入孔の隙間を減少させる突起物であることを
   特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 【請求項３】 前記突起物が、はんだの融解温度で溶け
   ない部材で構成されたことを特徴とする請求項２に記載
   の電子部品。
4. 【請求項４】 請求項１〜請求項３に記載の電子部品の
   リード端子を配線基板の挿入孔へ挿入して、リフローは
   んだ或は噴流はんだで電子部品をはんだ付けしたことを
   特徴とする配線基板。
5. 【請求項５】 配線基板の配線に電気的に導通された挿
   入孔へ電子部品のリード端子を挿入し、前記配線基板の
   裏面を溶融させたはんだ噴流へ接触させて電子部品のは
   んだ付けを行なうはんだ付け方法において、 はんだ噴流によりはんだ付けを行なった後、前記挿入孔
   から前記配線基板の裏面側へ突出した前記リード端子を
   加熱することを特徴とするはんだ付け方法。
6. 【請求項６】 配線基板の配線に電気的に導通された挿
   入孔へ電子部品のリード端子を挿入し、前記配線基板の
   裏面を溶融させたはんだ噴流へ接触させて電子部品のは
   んだ付けを行なうはんだ付け方法において、 はんだ噴流によりはんだ付けを行なった後、はんだの溶
   融点より高い温度で、はんだ付け根のフィレット表面を
   再溶融させることを特徴とするはんだ付け方法。
7. 【請求項７】 配線基板の配線に電気的に導通された挿
   入孔へ電子部品のリード端子を挿入し、前記配線基板の
   裏面を溶融させたはんだ噴流へ接触させて電子部品のは
   んだ付けを行なうはんだ付け方法において、 はんだ噴流によりはんだ付けを行なった後、はんだの溶
   融点より低い溶融点を持つ材料で、はんだ付け根のフィ
   レット表面に被覆層を形成することを特徴とするはんだ
   付け方法。
8. 【請求項８】 電子部品が実装された配線基板をはんだ
   付け工程に沿って搬送する搬送手段と、溶融したはんだ
   が噴流するはんだ槽と、前記配線基板の裏面側へ突出し
   た前記電子部品のリード端子を加熱する加熱手段と、を
   備え、 前記搬送手段で前記配線基板を搬送してはんだ噴流によ
   り電子部品のはんだ付けを行なった後、前記加熱手段に
   向かって前記配線基板を搬送し前記リード端子だけを加
   熱することを特徴とするはんだ付け装置。
9. 【請求項９】 電子部品が実装された配線基板をはんだ
   付け工程に沿って搬送する搬送手段と、溶融したはんだ
   が噴流するはんだ槽と、前記配線基板の裏面側のはんだ
   を溶融可能な溶融手段と、を備え、 前記搬送手段で配線基板を搬送してはんだ噴流により電
   子部品のはんだ付けを行なった後、前記溶融手段に向か
   って前記配線基板を搬送してはんだの溶融点より高い温
   度で、はんだ付け根のフィレット表面を再溶融させるこ
   とを特徴とするはんだ付け装置。
10. 【請求項１０】 電子部品が実装された配線基板をはん
    だ付け工程に沿って搬送する搬送手段と、溶融したはん
    だが噴流するはんだ槽と、はんだの溶融点より低い溶融
    点を持つ材料で、はんだ付け根のフィレット表面に被覆
    層を形成させる被覆形成手段と、を備え、 前記搬送手段で配線基板を搬送してはんだ噴流により電
    子部品のはんだ付けを行なった後、前記被覆形成手段に
    向かって配線基板を搬送してはんだ付け根のフィレット
    表面に被覆層を形成することを特徴とするはんだ付け装
    置。
11. 【請求項１１】 溶融したはんだが噴流するはんだ槽
    と、電子部品が実装された配線基板とはんだ槽との相対
    距離を変える昇降手段と、前記配線基板の裏面側へ突出
    した前記電子部品のリード端子を加熱する加熱手段と、
    を備え、 前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距離を短く
    してはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを行なった
    後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くしてはんだ
    噴流面から配線基板を離し、加熱手段でリード端子だけ
    を加熱することを特徴とするはんだ付け装置。
12. 【請求項１２】 溶融したはんだが噴流するはんだ槽
    と、電子部品が実装された配線基板とはんだ槽との相対
    距離を変える昇降手段と、を備え、 前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距離を短く
    してはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを行なった
    後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くしてリード
    端子だけをはんだ噴流に浸けることを特徴とするはんだ
    付け装置。
13. 【請求項１３】 溶融したはんだが噴流するはんだ槽
    と、電子部品が実装された配線基板とはんだ槽との相対
    距離を変える昇降手段と、前記配線基板の裏面側のはん
    だを溶融可能な溶融手段と、を備え、 前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距離を短く
    してはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを行なった
    後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くしてはんだ
    噴流面から配線基板を離し、前記溶融手段ではんだの溶
    融点より高い温度で、はんだ付け根のフィレット表面を
    再溶融させることを特徴とするはんだ付け装置。
14. 【請求項１４】 溶融したはんだが噴流するはんだ槽
    と、電子部品が実装された配線基板とはんだ槽との相対
    距離を変える昇降手段と、はんだの溶融点より低い溶融
    点を持つ材料で、はんだ付け根のフィレット表面に被覆
    層を形成させる被覆形成手段と、を備え、 前記昇降手段で配線基板とはんだ槽との相対距離を短く
    してはんだ噴流により電子部品のはんだ付けを行なった
    後、配線基板とはんだ槽との相対距離を長くしてはんだ
    噴流面から配線基板を離し、前記被覆形成手段ではんだ
    付け根のフィレット表面に被覆層を形成することを特徴
    とするはんだ付け装置。
15. 【請求項１５】 前記配線基板に形成されたはんだを撮
    像する撮像手段と、前記撮像手段で撮像された映像に基
    づきはんだの良否を判定する判定手段と、前記判定手段
    で欠陥とされたはんだの部位を特定する位置検出手段
    と、前記位置検出手段からの情報に基づき、欠陥とされ
    たはんだの部位だけを修復させる修復手段と、を有する
    ことを特徴とする請求項９、１０、１３又は１４の何れ
    かに記載のはんだ付け装置。
16. 【請求項１６】 前記加熱手段が、前記リード端子に非
    接触で熱を伝達する非接触加熱装置であることを特徴と
    する請求項８又は１１に記載のはんだ付け装置。
17. 【請求項１７】 前記加熱手段が、前記リード端子に接
    触して熱を伝達する接触加熱装置であることを特徴とす
    る請求項８又は１１に記載のはんだ付け装置。
18. 【請求項１８】 前記溶融手段が、前記配線基板のスル
    ーホール又はビアに非接触で熱を伝達する非接触加熱装
    置であることを特徴とする請求項９又は１３に記載のは
    んだ付け装置。
19. 【請求項１９】 前記溶融手段が、前記配線基板のスル
    ーホール又はビアに接触して熱を伝達する接触加熱装置
    であることを特徴とする請求項９又は１３に記載のはん
    だ付け装置。
20. 【請求項２０】 前記被覆形成手段では、前記はんだよ
    り融点が低い被覆用はんだが噴流していることを特徴と
    する請求項１０又は１４に記載のはんだ付け装置。
21. 【請求項２１】 前記被覆用はんだは、少なくもとＳｎ
    とＺｎ、又はＳｎとＢｉを含む材料であることを特徴と
    する請求項２０に記載のはんだ付け装置。
22. 【請求項２２】 前記被覆形成手段は、導電性を有する
    ５〜１００ミクロンの粒子を熱硬化性樹脂中に分散させ
    た熱硬化性又は熱可塑性の導電性接着剤をフィレット表
    面に塗布して被覆層を形成することを特徴とする請求項
    ２０に記載のはんだ付け装置。
23. 【請求項２３】 前記被覆形成手段は、金属粒子を含ま
    ない熱硬化性又は熱可塑性の接着剤をフィレット表面に
    塗布して被覆層を形成することを特徴とする請求項２０
    に記載のはんだ付け装置。