JP2002270378A - Electroluminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
ー等に用いられるエレクトロルミネッセンス素子に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence device used for a flat panel display, a projection display, a printer, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、フラットパネル対応の自発光型デ
バイスが注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to self-luminous devices compatible with flat panels.
【０００３】このような自発光型デバイスとしては、プ
ラズマ発光表示素子やフィールドエミッション素子やエ
レクトロルミネッセンス素子（以下、適宜“ＥＬ素子”
とする）等がある。[0003] Such a self-luminous device includes a plasma light emitting display element, a field emission element, and an electroluminescence element (hereinafter referred to as an “EL element” as appropriate).
And so on).
【０００４】この中で、特に、有機エレクトロルミネッ
センス素子（以下“有機ＥＬ素子”とする）に関して
は、「蛍光性金属キレート錯体とジアミン系分子の薄膜
を積層した構造を利用して、低電圧ＤＣ駆動で高輝度な
発光が得られること」が1987年にT.W.Tangらにより実証
され、その後も精力的に研究開発が進められている。な
お、これら低分子系の有機ＥＬ素子については、緑単色
や、青、赤等の色を加えたエリアカラータイプのディス
プレイが既に製品化されており、現在はフルカラー化へ
の開発が活発化している。Among these, in particular, with respect to an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as an “organic EL device”), “a low-voltage DC device utilizing a structure in which a thin film of a fluorescent metal chelate complex and a diamine-based molecule is laminated is used. It was demonstrated by TWTang et al. In 1987 that high-intensity light emission can be obtained by driving, and research and development have been vigorously pursued since then. As for these low-molecular organic EL elements, area color type displays having a single color of green, blue, red, etc. have already been commercialized, and the development to full color is now active. I have.
【０００５】ここで、有機ＥＬ素子の具体的構成につい
て、図７を参照して説明する。有機ＥＬ素子は、発光層
に到達した電子と正孔が再結合する際に生じる発光を利
用した、キャリア注入型の自発光デバイスである。Here, a specific configuration of the organic EL element will be described with reference to FIG. The organic EL element is a carrier-injection-type self-luminous device that utilizes light emission generated when electrons and holes that reach the light-emitting layer recombine.
【０００６】図７は、従来の有機ＥＬ素子の一般的構成
を示す断面図である。この有機ＥＬ素子Ａ３は、金属電
極からなる陰極１０３ａ、有機化合物層１０４、及び陽
極１０３ｂを図示のように備えている。FIG. 7 is a sectional view showing a general structure of a conventional organic EL device. The organic EL device A 3, the cathode 103a made of a metal electrode, and includes an organic compound layer 104, and the anode 103b as shown.
【０００７】このうち、陽極１０３ｂには透明電極を用
い、発光した光を取り出すことができるようになってい
る。Among them, a transparent electrode is used for the anode 103b so that emitted light can be extracted.
【０００８】また、図示の有機化合物層１０４は発光層
１０４ａ及び正孔輸送層１０４ｂの２層構造であるが、
図８に示すような、電子輸送層１１４ａ、発光層１１４
ｂ及び正孔輸送層１１４ｃの３層構造のものも用いられ
ている。なお、正孔輸送層１０４ｂ，１１４ｃは、陽極
１０３ｂからの正孔を効率よく発光層１０４ａ，１１４
ｂに注入させるための機能を有するものであり、電子輸
送層１１４ａは、陰極１０３ａからの電子を効率よく発
光層１１４ｂに注入させる機能を有するものである。ま
た、同時に正孔輸送層１０４ｂ，１１４ｃは電子を、電
子輸送層１１４ａは正孔を発光層１１４ｂに閉じこめる
（キャリアブロック）機能を有し、発光効率を高める効
果がある。The illustrated organic compound layer 104 has a two-layer structure of a light emitting layer 104a and a hole transport layer 104b.
As shown in FIG. 8, the electron transport layer 114a and the light emitting layer 114
A three-layer structure of b and the hole transport layer 114c is also used. Note that the hole transport layers 104b and 114c efficiently transfer holes from the anode 103b to the light emitting layers 104a and 114c.
The electron transport layer 114a has a function of efficiently injecting electrons from the cathode 103a into the light emitting layer 114b. At the same time, the hole transport layers 104b and 114c have a function of confining electrons in the electron transport layer 114a, and the electron transport layer 114a has a function of confining holes in the light emitting layer 114b (carrier blocking).
【０００９】なお、各有機層は数十nm程度の膜厚が一般
的である。また、陰極１０３ａとしては、一般に、アル
ミニウムやアルミニウム・リチウムの合金、マグネシウ
ム・銀の合金など仕事関数の小さな金属が用いられてい
る。さらに、陽極１０３ｂには、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）等の仕事関数の大きな透明導電性材料が用い
られる。The thickness of each organic layer is generally about several tens of nm. Further, as the cathode 103a, generally, a metal having a small work function such as aluminum, an alloy of aluminum and lithium, and an alloy of magnesium and silver is used. Further, for the anode 103b, a transparent conductive material having a large work function such as indium tin oxide (ITO) is used.
【００１０】ところで、フルカラー液晶ディスプレイ
が、カラーフィルター等を用いてフルカラー化を実現し
ているのに対して、上述の有機ＥＬ素子は、発光層を構
成する材料を適切に選ぶことより赤、緑、青の３原色を
自発光させる方式を採るため、液晶ディスプレイよりも
高速応答、広視野角と優れた特長を有している。By the way, the full-color liquid crystal display realizes full-color display using a color filter or the like, whereas the above-mentioned organic EL device has a red and green color by appropriately selecting a material constituting a light-emitting layer. Since it adopts a method of emitting light of the three primary colors of blue, it has excellent characteristics such as a high-speed response, a wide viewing angle and excellent characteristics as compared with a liquid crystal display.
【００１１】一方、十分な実用性をもったフルカラーデ
ィスプレイを実現するためには、赤、緑、青、各色の発
光素子の輝度、色度、発光効率に優れた素子を実現する
ことが必要である。On the other hand, in order to realize a full-color display having sufficient practicality, it is necessary to realize light-emitting elements of red, green, and blue, which have excellent luminance, chromaticity, and luminous efficiency. is there.
【００１２】一般に、赤、緑、青、各色の輝度や色度を
単独の発光材料からなる発光層によって、十分な特性を
得ることが難しい。この問題に対して、ホスト材料に蛍
光色素をドーピングした色素ドープ型有機ＥＬ素子が利
用されている。これは、図７や図８の正孔輸送層や電子
輸送層あるいは発光層を構成する材料をホストとして、
その層の中にごく少量の蛍光色素をドープすることによ
り、その蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として
取り出す手法である。この方法の特長としては、蛍光収
率の高い色素が利用できるため効率の向上が期待できる
こと、発光色の選択が大幅に向上することである。In general, it is difficult to obtain sufficient characteristics by using a light-emitting layer made of a single light-emitting material for the luminance and chromaticity of each color of red, green, and blue. To solve this problem, a dye-doped organic EL device in which a host material is doped with a fluorescent dye has been used. This is achieved by using the material constituting the hole transport layer, the electron transport layer, or the light emitting layer shown in FIGS. 7 and 8 as a host.
In this method, a very small amount of a fluorescent dye is doped into the layer, and the luminescence from the fluorescent dye is extracted as an emission color. The features of this method are that improvement in efficiency can be expected because a dye having a high fluorescence yield can be used, and that the selection of emission colors is greatly improved.
【００１３】このような状況で、キャリア輸送層を形成
する有機化合物に液晶性を付与することで高移動度を達
成しようとする動きがある。一般的に有機ＥＬ素子に用
いられる有機薄膜はアモルファス状態にあり、分子の配
列に規則性はない。これに対して、分子配列に一定の秩
序をもった液晶性有機化合物において高移動度の材料が
見いだされ、注目されている。例えば、Haarerらは、代
表的なディスコティック液晶である長鎖トリフェニレン
系化合物のメソフェーズにおいて10-1cm2/Vsecという高
速な正孔の移動度を観測している（Nature,Vol.371,p.1
41(1994)）。また、Haarerらは一連のトリフェニレン系
ディスコティック液晶におけるカラムナー相の分子配列
の秩序度と正孔移動度の関係について検討しており、秩
序度が高くなるほど、正孔移動度が大きくなることを報
告している。（Adv.Mater.,Vol.8,p.815(1996)）Under these circumstances, there is a movement to achieve high mobility by imparting liquid crystallinity to the organic compound forming the carrier transport layer. Generally, an organic thin film used for an organic EL element is in an amorphous state, and the arrangement of molecules is not regular. On the other hand, a high-mobility material has been found in a liquid crystalline organic compound having a certain order in the molecular arrangement, and is attracting attention. For example, Haarer et al. Have observed high-speed hole mobilities of 10 -1 cm 2 / Vsec in the mesophase of a long-chain triphenylene compound, which is a typical discotic liquid crystal (Nature, Vol. 371, p. .1
41 (1994)). Haarer et al. Also studied the relationship between the molecular arrangement of the columnar phase and the hole mobility in a series of triphenylene discotic liquid crystals, and reported that the higher the degree of order, the larger the hole mobility. are doing. (Adv. Mater., Vol. 8, p. 815 (1996))
【００１４】また、半那らはフェニルナフタレン骨格を
有する棒状液晶がスメクティックＥ(SmE)相において10
-2cm2/Vsecという非常に高いキャリア移動度を示し、ま
たこれが電子・正孔ともに高速な両極性の電子伝導性で
あることを報告している（Appl.Phys.Lett,Vol.73,No.2
5,p3733(1998)）。Further, Hanna et al. Reported that a rod-like liquid crystal having a phenylnaphthalene skeleton has a 10% smectic E (SmE) phase.
It shows a very high carrier mobility of -2 cm 2 / Vsec, and reports that it has a fast ambipolar electron conductivity for both electrons and holes (Appl. Phys. Lett, Vol. 73, No.2
5, p3733 (1998)).
【００１５】上記のように液晶性有機化合物の自発的な
配向によって、キャリア輸送に有利な分子配列制御を行
うことが出来る可能性、それにより、優れたキャリア輸
送材料が実現できる可能性がある。As described above, the spontaneous orientation of the liquid crystalline organic compound can control the molecular arrangement which is advantageous for carrier transport, and thus can realize an excellent carrier transport material.
【００１６】ところで、上述した有機発光素子を表示パ
ネルとして用いる場合、寿命や駆動するドライバーの制
約等の問題からできるだけ低電流、低電圧で駆動する事
が求められている。そのために、ＴＦＴ等のスイッチン
グ素子を用いたエレクトロルミネッセンス素子が提案さ
れている（特開平8-241057号公報、10th FineProcess
Technology for Flat-Panel Display Conference Proce
eding E2）。When the above-mentioned organic light-emitting device is used as a display panel, it is required to drive the organic light-emitting device with as low a current and a low voltage as possible due to problems such as life and restrictions on a driver to be driven. Therefore, electroluminescence devices using switching elements such as TFT are proposed (JP-A-8-241057 discloses, 10 th FineProcess
Technology for Flat-Panel Display Conference Proce
eding E2).
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のエレ
クトロルミネッセンス素子では、２枚の基板を用いたり
せずに、基板を１枚だけ用いて、スイッチング素子や電
極や有機化合物等はその１枚の基板に支持させる構成が
一般的であった。なお、エレクトロルミネッセンス素子
は酸素や水分に非常に弱いために、一枚の基板に電極や
有機層を積層した基板を金属の缶等で封止するのが一般
的であった。By the way, in the conventional electroluminescent element, only one substrate is used without using two substrates, and the switching element, the electrode, the organic compound, and the like are used in one of the substrates. A configuration in which the substrate is supported is common. In addition, since the electroluminescent element is very weak to oxygen and moisture, it is common to seal a substrate obtained by laminating electrodes and organic layers on one substrate with a metal can or the like.
【００１８】しかしながら、 ・ 透明電極の形成には高温プロセスが必要とされ、 ・ 有機化合物は耐熱性に欠けるという問題があった、
ことから、有機化合物を形成する前に透明電極を形成し
ておく必要があった。一方、透明電極及び金属電極は有
機化合物を挟み込むように配置しなければならないこと
から、 ・ スイッチング素子を有する基板に、まず、透明電極
を形成し、 ・ 次に、透明電極の表面に有機化合物を蒸着させ、 ・ 最後に、仕事関数の小さいAL等を真空蒸着したりし
て金属電極を形成する、 という方法で製造されていた。However, the formation of the transparent electrode requires a high-temperature process, and the organic compound has a problem of lacking heat resistance.
Therefore, it was necessary to form a transparent electrode before forming an organic compound. On the other hand, since the transparent electrode and the metal electrode must be arranged so as to sandwich the organic compound, first, a transparent electrode is formed on the substrate having the switching element. Finally, a metal electrode is formed by vacuum-depositing AL or the like with a low work function.
【００１９】一方、発光光の取り出しは、当然ながら、
金属電極が形成されている側からではなくて透明電極が
形成されている側から行う必要があるが、上述のような
手順で製造される素子においてはその部分にスイッチン
グ素子や配線等が配置されることになるため、それらが
開口率を低下させてしまうという問題があった。On the other hand, the emission of the emitted light is, of course,
It is necessary to perform the process not from the side where the metal electrode is formed but from the side where the transparent electrode is formed, but in an element manufactured by the above-described procedure, a switching element, a wiring, and the like are arranged in that part. Therefore, there is a problem that they lower the aperture ratio.
【００２０】なお、上述のような有機化合物と透明電極
との熱的問題を仮に解決できて、基板の側に（透明電極
ではなくて）金属電極を形成し、その金属電極の表面に
有機化合物を形成し、該有機化合物を覆うように透明電
極を形成できたとしても、別の問題を生ずる。すなわ
ち、かかる構造の場合、 ・ 外部からの水分や酸素が侵入し易く、 ・ 有機化合物（有機薄膜）は極薄膜であるためメカニ
カルな接触によって簡単に破壊されてしまう、 等の問題があった。Incidentally, the thermal problem between the organic compound and the transparent electrode as described above can be temporarily solved, a metal electrode is formed on the side of the substrate (instead of the transparent electrode), and the surface of the metal compound is covered with the organic compound. However, even if a transparent electrode can be formed so as to cover the organic compound, another problem occurs. That is, in the case of such a structure, there are problems such as:-moisture and oxygen from the outside easily enter;-organic compounds (organic thin films) are extremely thin and are easily destroyed by mechanical contact.
【００２１】別の方法としては、基板を１枚ではなく２
枚用い、一方の基板にスイッチング素子を形成し、他方
の基板に陽極や有機化合物層や陰極を形成し、それら２
枚の基板を貼り合わせるという方法もある（特開平10-3
33601号公報、特開平11-003048号公報、特開2001-35663
号公報）。この方法だと、スイッチング素子を形成しな
い方の基板に透明電極を形成することが可能となり、ス
イッチング素子による上述のような開口率低下という問
題を回避できる。しかしながら、上記構成においては、
有機化合物層と基板との間に何ら緩衝物が配置されてい
なかったため、メカニカルな接触により、製造時（基板
貼り合わせ時）や製造後（基板が外部から押圧されたよ
うな場合）にメカニカルな接触（陽極（ITO）/有機層/
陰極を形成した後に陰極とスイッチング素子のドレイン
を接続させるような場合には、有機化合物層上の金属が
スイッチング素子の電極と接触）により素子を破壊した
り、また電気的な接続が不安定になる（つまり、単なる
押し当てや導電性接着剤による接続の場合、製造後に素
子が湾曲されたり素子に衝撃が加えられただけで接続が
不安定になる）等の問題点があった。Another method is to use two substrates instead of one.
A switching element is formed on one substrate, and an anode, an organic compound layer, and a cathode are formed on the other substrate.
There is also a method of bonding two substrates (Japanese Unexamined Patent Application Publication
No. 33601, JP-A-11-003048, JP-A-2001-35663
No.). According to this method, it is possible to form a transparent electrode on the substrate on which the switching element is not formed, and it is possible to avoid the above-described problem of a decrease in aperture ratio due to the switching element. However, in the above configuration,
Because no buffer was placed between the organic compound layer and the substrate, mechanical contact caused the mechanical contact during manufacturing (when bonding the substrate) or after manufacturing (such as when the substrate was pressed from outside). Contact (anode (ITO) / organic layer /
In the case where the cathode is connected to the drain of the switching element after the cathode is formed, the metal on the organic compound layer contacts the electrode of the switching element to destroy the element, or the electrical connection becomes unstable. (I.e., in the case of connection by simple pressing or a conductive adhesive, the connection becomes unstable just by bending the element or applying an impact to the element after manufacturing).
【００２２】なお、上述のような素子の破壊について
は、スイッチング素子を有さないエレクトロルミネッセ
ンス素子についても生じうる課題である。The destruction of the element as described above is a problem that can occur in an electroluminescence element having no switching element.
【００２３】そこで、本発明は、開口率の低下を防止す
るエレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的
とするものである。Accordingly, an object of the present invention is to provide an electroluminescent device that prevents a decrease in aperture ratio.
【００２４】また、本発明は、水分等の浸入及び有機化
合物層の破壊等を防止するエレクトロルミネッセンス素
子を提供することを目的とするものである。Another object of the present invention is to provide an electroluminescent element which prevents intrusion of moisture and the like and destruction of an organic compound layer.
【００２５】[0025]
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に配置
された第１基板及び第２基板と、これらの基板の間に配
置された有機化合物層と、該有機化合物層を挟み込むよ
うに配置された第１電極及び透明な第２電極と、を備
え、かつ、前記第１及び第２電極から注入された電子と
正孔とを前記有機化合物層にて再結合させて光を発光さ
せるエレクトロルミネッセンス素子において、前記第１
基板に前記第１電極が形成され、前記第２基板に透明な
前記第２電極が形成され、導電性を有する粘性物質が、
いずれか一方の基板と前記有機化合物層との間に充填さ
れ、かつ、前記第１基板及び第２基板の間には、これら
の基板の間隙を規定するための間隙規定部材が配置され
た、ことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a first substrate and a second substrate arranged with a predetermined gap therebetween, and an arrangement between these substrates. And an organic compound layer, a first electrode and a transparent second electrode disposed so as to sandwich the organic compound layer, and electrons and holes injected from the first and second electrodes. Is recombined in the organic compound layer to emit light.
The first electrode is formed on a substrate, the transparent second electrode is formed on the second substrate, and the conductive viscous substance is
Filled between any one of the substrates and the organic compound layer, and, between the first substrate and the second substrate, a gap defining member for defining a gap between these substrates is disposed. It is characterized by the following.
【００２６】また、本発明は、所定間隙を開けた状態に
配置された第１基板及び第２基板と、これらの基板の間
に配置された有機化合物層と、該有機化合物層を挟み込
むように配置された第１電極及び透明な第２電極と、を
備え、かつ、前記第１及び第２電極から注入された電子
と正孔とを前記有機化合物層にて再結合させて光を発光
させるエレクトロルミネッセンス素子において、前記第
１基板にスイッチング素子及び前記第１電極が形成さ
れ、前記第２基板に透明な前記第２電極が形成され、導
電性を有する粘性物質が、いずれか一方の基板と前記有
機化合物層との間に充填され、かつ、前記第１基板及び
第２基板の間には、これらの基板の間隙を規定するため
の間隙規定部材が配置された、ことを特徴とする。Further, according to the present invention, there are provided a first substrate and a second substrate disposed with a predetermined gap therebetween, an organic compound layer disposed between these substrates, and an organic compound layer interposed therebetween. A first electrode and a transparent second electrode disposed, and light is emitted by recombining electrons and holes injected from the first and second electrodes in the organic compound layer. In the electroluminescence element, a switching element and the first electrode are formed on the first substrate, the transparent second electrode is formed on the second substrate, and a viscous substance having conductivity is formed on one of the substrates. A gap defining member is provided between the first substrate and the second substrate, the gap defining member being provided between the first substrate and the second substrate to define a gap between the substrates.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、図１乃至図６を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS.
An embodiment of the present invention will be described.
【００２８】本発明に係るエレクトロルミネッセンス素
子Ａ１は、図１に例示するように、所定間隙を開けた状
態に配置された第１基板１ａ及び第２基板１ｂを備えて
おり、第１基板１ａにはスイッチング素子（図４の符号
２参照）や第１電極３ａが形成され、第２基板１ｂには
透明な第２電極３ｂが形成されている。また、これらの
基板１ａ，１ｂの間であって電極３ａ，３ｂの間には、
前記電極３ａ，３ｂから注入された電子と正孔とを再結
合させる有機化合物層４や、いずれか一方の基板３ａ又
は３ｂと有機化合物層４との間に充填された導電性を有
する粘性物質５や、基板１ａ，１ｂの間隙を規定するた
めの間隙規定部材６が配置されている。そして、前記電
極３ａ，３ｂから注入された電子及び正孔が前記有機化
合物層４にて再結合されることにより、光を発光し、各
画素毎に光の発光を制御することによって画像を表示す
るように構成されている。なお、スイッチング素子２は
設けなくとも良い。その場合には、上述したような開口
率の低下（スイッチング素子や配線等に起因するところ
の開口率の低下）は無く、しかも、第１及び第２電極３
ａ，３ｂ、さらには第１及び第２基板１ａ，１ｂを透明
にして、エレクトロルミネッセンス素子の片側だけから
ではなく両側から発光光を視認するようにできる（実施
例４，５参照）。The electroluminescent device A 1 according to the present invention, as illustrated in FIG. 1, comprises a first substrate 1a and a second substrate 1b which is disposed with a predetermined spacing, the first substrate 1a A switching element (see reference numeral 2 in FIG. 4) and a first electrode 3a are formed on the second substrate, and a transparent second electrode 3b is formed on the second substrate 1b. Further, between the substrates 1a and 1b and between the electrodes 3a and 3b,
An organic compound layer 4 for recombining electrons and holes injected from the electrodes 3a and 3b, or a conductive viscous substance filled between one of the substrates 3a or 3b and the organic compound layer 4; 5 and a gap defining member 6 for defining the gap between the substrates 1a and 1b. The electrons and holes injected from the electrodes 3a and 3b are recombined in the organic compound layer 4 to emit light, and an image is displayed by controlling the light emission for each pixel. It is configured to Note that the switching element 2 may not be provided. In that case, there is no decrease in the aperture ratio as described above (the decrease in the aperture ratio caused by the switching element, the wiring, and the like), and the first and second electrodes 3
a, 3b, and furthermore, the first and second substrates 1a, 1b can be made transparent so that the emitted light can be viewed not only from one side of the electroluminescent element but also from both sides (see Examples 4 and 5).
【００２９】次に、各構成部品の材質等について説明す
る。Next, the material and the like of each component will be described.
【００３０】第１及び第２基板１ａ，１ｂにはガラス基
板やプラスチック基板を用いると良い。本発明において
は両方の基板１ａ，１ｂを透明にする必要はなく、透明
な第２電極３ｂが形成される方の第２基板１ｂを少なく
とも透明にすると良い。スイッチング素子２としては、
poly-Si等を用いたＴＦＴや、単結晶シリコン基板やMIM
素子、a-Si型等のものを用いると良く、シリコンウエハ
ー上に形成しても良い。A glass substrate or a plastic substrate may be used as the first and second substrates 1a and 1b. In the present invention, it is not necessary to make both substrates 1a and 1b transparent, and it is preferable that at least the second substrate 1b on which the transparent second electrode 3b is formed be made transparent. As the switching element 2,
TFT using poly-Si etc., single crystal silicon substrate and MIM
An element, an a-Si type or the like may be used, and may be formed on a silicon wafer.
【００３１】第１基板１ａに形成する方の第１電極３ａ
には、陰極の金属材料、例えばアルミニウムやアルミニ
ウム・リチウムの合金、マグネシウム・銀の合金など仕
事関数の小さな金属を用いると良い。また、第２基板１
ｂに形成する方の第２電極３ｂには、陽極材料としてイ
ンジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等、仕事関数の大きな材料
を用いると良い。The first electrode 3a formed on the first substrate 1a
It is preferable to use a metal material having a small work function such as a metal material for the cathode, for example, aluminum, an alloy of aluminum and lithium, and an alloy of magnesium and silver. Also, the second substrate 1
It is preferable to use a material having a large work function, such as indium tin oxide (ITO), as an anode material for the second electrode 3b formed on the side b.
【００３２】有機化合物層４は、発光層や正孔輸送層や
電子輸送層等を適時組み合わせて形成すれば良い。この
うち、発光層としては低分子系の有機ＥＬ材料が好まし
いがそれに限るものではない。また、ホスト材料に色素
をドープしたタイプなどが適時用いられる。The organic compound layer 4 may be formed by appropriately combining a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like. Among them, the light emitting layer is preferably a low molecular organic EL material, but is not limited thereto. In addition, a type in which a host material is doped with a dye is appropriately used.
【００３３】導電性を有する粘性物質５は、図１に示す
ように、有機化合物層４と一方の基板３ａ又は３ｂとの
間に配置されて用いられるが、基板貼り合わせ時に形状
が変化されて有機化合物層４と一方の基板３ａ又は３ｂ
との間に（空隙部を生じさせることなく）充填されるよ
うな材料であって、少なくとも一方のキャリア（正孔、
電子）に対して導電性を有する材料（粘性物質５を陽極
と有機化合物層４との間に配置する場合にはホール輸送
性を有する材料であり、陰極と有機化合物層４との間に
配置する場合には電子輸送性を有する材料）である必要
がある。具体的なものとしては、導電性液晶化合物や導
電性高分子等を挙げることができる。As shown in FIG. 1, the conductive viscous substance 5 is used between the organic compound layer 4 and one of the substrates 3a or 3b. Organic compound layer 4 and one substrate 3a or 3b
And (without creating a void), and at least one of the carriers (holes,
In the case where a material having conductivity with respect to electrons (the viscous substance 5 is disposed between the anode and the organic compound layer 4), the material has a hole transporting property and is disposed between the cathode and the organic compound layer 4. In this case, the material must have an electron transporting property. Specific examples include a conductive liquid crystal compound and a conductive polymer.
【００３４】上述した間隙規定部材６は、有機化合物層
４が配置されていない部分であって、画素と画素との境
界部分に配置すると良い。具体的には、図２に示すよう
に線状に配置したり、格子状に配置したり、図３に示す
ようにドット状に配置すると良い。そのため、この間隙
規定部材６としては、そのような任意の形状に正確かつ
簡単に形成できるような材料（すなわち、基板上の任意
位置に簡単に形成できるような材料）を用いると良い。
さらには、エレクトロルミネッセンス素子のいずれの部
分においても均一な基板間隙を実現できるような材料を
用いると良い。また、この間隙規定部材６と各基板１
ａ，１ｂ（或いは、各基板１ａ，１ｂの表面に形成され
ているところの電極等）とを接着しても良い。その方法
としては、 ・ 間隙規定部材６として接着性を有するものを用いる
方法、 ・ 間隙規定部材６と各基板１ａ，１ｂ等とを接着剤に
より接着する方法 があるが、いずれの場合であっても素子の強度を高める
ことができ、湾曲や押圧に強い素子を得ることができ
る。The above-described gap defining member 6 is a portion where the organic compound layer 4 is not disposed, and is preferably disposed at a boundary portion between pixels. Specifically, they may be arranged in a line as shown in FIG. 2, arranged in a lattice, or arranged in a dot as shown in FIG. Therefore, as the gap defining member 6, a material that can be accurately and easily formed in such an arbitrary shape (that is, a material that can be easily formed in an arbitrary position on the substrate) may be used.
Furthermore, it is preferable to use a material that can realize a uniform substrate gap in any part of the electroluminescence element. The gap defining member 6 and each substrate 1
a, 1b (or an electrode or the like formed on the surface of each substrate 1a, 1b). As the method, there are a method of using an adhesive as the gap defining member 6, and a method of bonding the gap defining member 6 to each of the substrates 1a and 1b with an adhesive. Also, the strength of the element can be increased, and an element resistant to bending and pressing can be obtained.
【００３５】なお、基板間隙には支持構造物を設けても
良い。この支持構造物には、 ・ 上述した間隙規定部材６の形状及び機能を持たせる
だけでなく、 ・ 粘性物質５が画素から画素へ自由に移動しないよう
に、隔壁部材として（或いは粘性物質の移動阻止部材又
は仕切り部材として）の機能 を持たせると良い。かかる支持構造物によって粘性物質
５の自由な移動が阻止された場合、粘性物質５が有機化
合物層４の表面から完全に無くなってしまったりするこ
とがなく、有機化合物層４の保護をより完璧にすること
ができる。なお、この支持構造物の配置形状をドット状
にするか線状にするか格子状にするかは、粘性物質５の
粘性との関係で定まるものである。例えば、粘性物質５
の粘性が低い場合には格子状にする必要があり、高い場
合には線状さらにはドット状にすれば足りる。また、格
子状に形成しておいて、粘性物質５の移動経路として貫
通孔を格子状粘性物質５に設けても良い。なお、基板１
ａ，１ｂに加えられた圧力は粘性物質５を介して支持構
造物自体に作用し得るので、支持構造物は、そのような
圧力に対抗し得る強度にする必要もある。また、粘性物
質５を基板貼り合わせ後に注入するような場合（詳細は
後述）、支持構造物は、粘性物質５の注入を阻害しない
ような形状（例えば、ドット状や線状）にする必要があ
る。Note that a support structure may be provided in the gap between the substrates. This support structure not only has the shape and function of the gap defining member 6 described above, but also serves as a partition member (or the movement of the viscous substance) so that the viscous substance 5 does not move freely from pixel to pixel. Function as a blocking member or a partition member). When the free movement of the viscous substance 5 is prevented by such a support structure, the viscous substance 5 does not completely disappear from the surface of the organic compound layer 4 and the protection of the organic compound layer 4 is more completely protected. can do. It should be noted that whether to arrange the support structure in a dot shape, a linear shape, or a lattice shape is determined by the relationship with the viscosity of the viscous substance 5. For example, viscous substance 5
When the viscosity is low, it is necessary to form a grid, and when the viscosity is high, it is sufficient to form a line or even a dot. Further, the viscous substance 5 may be formed in a lattice shape, and a through hole may be provided in the lattice-like viscous substance 5 as a moving path of the viscous substance 5. The substrate 1
Since the pressure applied to a, 1b can act on the support structure itself via the viscous substance 5, the support structure also needs to be strong enough to resist such pressure. In the case where the viscous substance 5 is injected after bonding to the substrate (details will be described later), the support structure needs to have a shape (for example, a dot shape or a linear shape) that does not hinder the injection of the viscous material 5. is there.
【００３６】次に、図４乃至図６を参照して、各画素に
２つのスイッチング素子２Ａ，２Ｂを有するエレクトロ
ルミネッセンス素子Ａ２について説明する。Next, with reference to FIGS. 4 to 6, the two switching elements 2A, the electroluminescent device A 2 having a 2B will be described in each pixel.
【００３７】上述した第１電極３ａは、図５に示すよう
に各画素にドット状に形成すると良く、各画素の第１電
極３ａには、図４に詳示するようにＴＦＴ（スイッチン
グ素子）２Ａ，２Ｂを接続すると良い。具体的には、第
１の基板１ｂにはp-Si層１０が設けられ、チャネル、ド
レイン、ソース領域にはそれぞれ必要な不純物がドープ
されている。この上にゲート絶縁膜１１を介してゲート
電極２Ｂｇが設けられると共に、上記ドレイン領域、ソ
ース領域に接続するドレイン電極２Ｂｄ、ソース電極２
Ｂｓが形成されている。これらの上に絶縁層１３及び第
１電極３ａを積層し、コンタクトホールにより第１電極
３ａとドレイン電極２Ｂｄとが接続されている。The above-mentioned first electrode 3a is preferably formed in a dot shape for each pixel as shown in FIG. 5, and the first electrode 3a of each pixel is provided with a TFT (switching element) as shown in detail in FIG. It is preferable to connect 2A and 2B. Specifically, the p-Si layer 10 is provided on the first substrate 1b, and the channel, the drain, and the source region are respectively doped with necessary impurities. A gate electrode 2Bg is provided thereon via a gate insulating film 11, and a drain electrode 2Bd connected to the drain region and the source region, and a source electrode 2Bg.
Bs is formed. The insulating layer 13 and the first electrode 3a are stacked thereon, and the first electrode 3a and the drain electrode 2Bd are connected by a contact hole.
【００３８】一方、第１基板１ａには、図５に示すよう
に、複数のゲート走査線G1、G2、G3……Gnや複数の電流
供給線E1、E2、E3……Elを図示のようにｘ方向に配置す
ると良く、複数のゲート選択線S1、S2、S3……Smを図示
のようにｙ方向に配置すると良い。そして、ゲート走査
線G1、G2、G3……Gnや情報線S1、S2、S3……Smや電流供
給線E1、E2、E3……Elは、図６に詳示するように各ＴＦ
Ｔ２Ａ，２Ｂに接続すると良い。さらに、エレクトロル
ミネッセンス素子Ａ２の周囲に走査信号ドライバー７や
情報信号ドライバー８や電流供給源９を配置し、ゲート
走査線G1、G2、G3……Gnは走査信号ドライバー７に接続
し、情報線S1、S2、S3……Smは情報信号ドライバー８に
接続し、電流供給線E1、E2、E3……Elは電流供給源９に
接続すると良い。On the other hand, as shown in FIG. 5, a plurality of gate scanning lines G1, G2, G3... Gn and a plurality of current supply lines E1, E2, E3. , And a plurality of gate selection lines S1, S2, S3... Sm are preferably arranged in the y direction as shown in the figure. The gate scanning lines G1, G2, G3... Gn, the information lines S1, S2, S3... Sm, and the current supply lines E1, E2, E3.
It is good to connect to T2A and 2B. Furthermore, to place the scanning signal driver 7 and information signal driver 8 and a current source 9 to the periphery of the electroluminescent element A 2, gate scanning lines G1, G2, G3 ...... Gn is connected to the scan signal driver 7, the information lines .. Sm are connected to the information signal driver 8 and the current supply lines E1, E2, E3.
【００３９】いま、走査信号ドライバー７からゲート走
査線G1、G2、G3．．．Gnに選択信号が印加されて走査線
が順次選択され、これに同期して情報信号ドライバー８
から情報線S1、S2、S3……Smには画像信号が印加され
る。選択信号が印加されるとＴＦＴ２Ａがオンとなり、
情報線S1、S2、S3……SmからCaddに画像信号が供給さ
れ、ＴＦＴ２Ｂのゲート電位を決定する。これにより、
第１電極３ａには、ＴＦＴ２Ｂのゲート電位に応じた電
流が電流供給線E1、E2、E3……Elより供給される。ＴＦ
Ｔ２Ｂのゲート電位は、ＴＦＴ２Ａが次に走査選択され
るまでCaddに保持されるため、該電流は次の走査が行わ
れるまで流れつづける。これにより、1フレーム期間の
間中継続してその画素を発光させることが可能となる。Now, the scanning signal driver 7 supplies the gate scanning lines G1, G2, G3. . . The selection signal is applied to Gn, and the scanning lines are sequentially selected.
The image signals are applied to the information lines S1, S2, S3,. When the selection signal is applied, the TFT 2A turns on,
An image signal is supplied from the information lines S1, S2, S3... Sm to Cadd, and determines the gate potential of the TFT 2B. This allows
A current corresponding to the gate potential of the TFT 2B is supplied to the first electrode 3a from current supply lines E1, E2, E3,. TF
Since the gate potential of T2B is held at Cadd until the next scan of TFT 2A is selected, the current continues to flow until the next scan is performed. As a result, the pixel can emit light continuously during one frame period.
【００４０】次に、上述したエレクトロルミネッセンス
素子Ａ１の製造方法について説明する。Next, a method for manufacturing the electroluminescent device A 1 described above.
【００４１】エレクトロルミネッセンス素子Ａ１を製造
するに際しては、第１基板１ａにスイッチング素子２や
第１電極３ａを形成し、他方の第２基板１ｂには第２電
極３ｂを形成する。また、間隙規定部材６は第１基板１
ａ又は第２基板１ｂのいずれかに形成する。ここで、第
１電極３ａの形成には、マスクを介して任意の位置に上
記金属材料を蒸着する方法を用いると良く、間隙規定部
材６の形成にはフォトリソ法によるパターニングを用い
ると良い。[0041] In the production of electroluminescent device A 1 is the first substrate 1a to form a switching element 2 and the first electrode 3a, the other of the second substrate 1b to form the second electrode 3b. The gap defining member 6 is provided on the first substrate 1.
a or the second substrate 1b. Here, the first electrode 3a may be formed by a method of depositing the metal material at an arbitrary position via a mask, and the gap defining member 6 may be formed by patterning by a photolithography method.
【００４２】ところで、有機化合物層４は第１電極３ａ
の表面に蒸着法等によって形成すると良く、導電性粘性
物質５は第２基板１ｂの側に形成すると良い。Incidentally, the organic compound layer 4 is formed on the first electrode 3a.
And the conductive viscous substance 5 is preferably formed on the side of the second substrate 1b.
【００４３】その後、第１電極３ａ等を形成した状態の
第１基板１ａと、第２電極３ｂ等を形成した状態の第２
基板１ｂと、を貼り合わせる。この基板貼り合わせは、
いずれか一方の基板１ａ又は１ｂに接着剤を塗布した状
態で行うと良く、真空中で行うと良い。Thereafter, the first substrate 1a with the first electrode 3a and the like formed thereon and the second substrate 1a with the second electrode 3b and the like formed thereon are formed.
The substrate 1b is bonded. This substrate bonding
It is good to carry out in a state where an adhesive is applied to either one of the substrates 1a or 1b, and it is good to carry out in a vacuum.
【００４４】ところで、導電性粘性物質５として液晶性
化合物を用いた場合には、その液晶化合物が等方相にな
るように基板貼り合わせの際に加熱すると良く、基板張
り合わせ後に液晶を再配向してその導電性を向上させる
と良い。When a liquid crystalline compound is used as the conductive viscous substance 5, it is preferable to heat the liquid crystal compound when bonding the substrates so that the liquid crystal compound becomes an isotropic phase. It is good to improve the conductivity.
【００４５】なお、導電性粘性物質５を上述のように基
板貼り合わせ前に配置する替わりに、導電性粘性物質５
が配置されていない状態で２枚の基板１ａ，１ｂ（すな
わち、スイッチング素子２や第１電極３ａ等を形成した
第１基板１ａと、第２電極３ｂ等を形成した第２基板１
ｂ）を貼り合わせ、その後、基板間隙に、導電性粘性物
質としての導電性液晶化合物を等方相まで加熱した状態
で注入するという手法を用いても良い。It should be noted that the conductive viscous substance 5 is replaced with the conductive viscous substance 5 instead of being arranged before bonding the substrates as described above.
Are not arranged, the two substrates 1a and 1b (that is, the first substrate 1a on which the switching element 2 and the first electrode 3a and the like are formed, and the second substrate 1 on which the second electrode 3b and the like are formed)
Alternatively, a method may be used in which b) is bonded, and then a conductive liquid crystal compound as a conductive viscous substance is injected into the gap between the substrates while being heated to an isotropic phase.
【００４６】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。Next, the effect of the present embodiment will be described.
【００４７】本実施の形態によれば、エレクトロルミネ
ッセンス素子Ａ１においては、基板１ａ，１ｂの枚数を
１枚ではなくて２枚としたため、有機化合物層４を基準
とした場合の別々の側に、スイッチング素子２と第２電
極３ｂとを振り分けることができる（つまり、スイッチ
ング素子２は有機化合物層４の一側に配置し、第２電極
３ｂを有機化合物層４の他側に配置することができ
る）。その結果、スイッチング素子２が配置されていな
い側（図１の上側）から光を取り出すことができ、スイ
ッチング素子２や配線等による開口率低下の問題を回避
することができ、画像の輝度を高めることができる。According to the present embodiment, in the electroluminescent device A 1, a substrate 1a, since the two sheets rather than one the number 1b, the on separate sides of the case relative to the organic compound layer 4 The switching element 2 and the second electrode 3b can be separated (that is, the switching element 2 is arranged on one side of the organic compound layer 4 and the second electrode 3b is arranged on the other side of the organic compound layer 4). it can). As a result, light can be extracted from the side where the switching element 2 is not disposed (the upper side in FIG. 1), and the problem of a decrease in aperture ratio due to the switching element 2 and wiring can be avoided, and the luminance of an image can be increased. be able to.
【００４８】また本実施の形態によれば、有機化合物層
４等は２枚の基板１ａ，１ｂの間に配置されて保護され
ているため、水分や酸素の素子内部への侵入を阻止で
き、有機化合物層４へのメカニカルな接触やそれに伴う
破壊も阻止できる。According to the present embodiment, since the organic compound layer 4 and the like are disposed between the two substrates 1a and 1b and protected, it is possible to prevent moisture and oxygen from entering the inside of the device. Mechanical contact with the organic compound layer 4 and associated destruction can also be prevented.
【００４９】さらに本実施の形態によれば、上下基板間
に配置された導電性粘性物質５がその形状を変化させる
ことにより、有機化合物層４にダメージ（メカニカルな
接触によるダメージ）を与えず、電極間との接合を安定
に実現することができる。Further, according to the present embodiment, the conductive viscous substance 5 disposed between the upper and lower substrates changes its shape, thereby not damaging the organic compound layer 4 (damage due to mechanical contact). Bonding between the electrodes can be stably realized.
【００５０】またさらに本実施の形態によれば、間隙規
定部材６によって基板１ａ，１ｂの間隙が表示面内で均
一になるようにされている。したがって、有機化合物層
４に印加される電界を一定にでき（すなわち、どの画素
においても、電極３ａ，３ｂに一定の電圧を印加した場
合には、有機化合物層４に印加される電圧も等しくなる
ようにでき）、発光の面内均一性が向上され、表示品質
も向上される。Further, according to the present embodiment, the gap between the substrates 1a and 1b is made uniform within the display surface by the gap defining member 6. Therefore, the electric field applied to the organic compound layer 4 can be made constant (that is, when a constant voltage is applied to the electrodes 3a and 3b in any pixel, the voltage applied to the organic compound layer 4 becomes equal). As a result, the in-plane uniformity of light emission is improved, and the display quality is also improved.
【００５１】そして、本実施の形態によれば、信頼性に
優れ、面内の均一性が高く、且つ輝度の高いディスプレ
イを提供することができる。According to the present embodiment, it is possible to provide a display having excellent reliability, high in-plane uniformity, and high luminance.
【００５２】[0052]
【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。The present invention will be described below in more detail with reference to examples.
【００５３】（実施例１）本実施例では、エレクトロル
ミネッセンス素子を次のように作製した。Example 1 In this example, an electroluminescent device was manufactured as follows.
【００５４】第１及び第２基板１ａ，１ｂとしては1. 1
mm厚のガラス基板を用いた。そして、一方の基板１ａに
はＴＦＴ（スイッチング素子）を形成した（ＴＦＴを形
成した後において基板表面の凹凸は±２ｎｍ程度であっ
た）。The first and second substrates 1a and 1b are 1.1
A glass substrate having a thickness of mm was used. Then, a TFT (switching element) was formed on one of the substrates 1a (the irregularities on the substrate surface were about ± 2 nm after the TFT was formed).
【００５５】次に、この基板１ａの表面には、アクリル
系感光性材料（製品名JNPC-43/日本合成ゴム社製）を使
用して、図３に示すように様にドット状にスペーサ（間
隙規定部材）６を厚さ150nmに形成した。スペーサ６の
製造方法は次の通りである。すなわち、上述したアクリ
ル系感光材料を基板１ａの表面にスピンコートし、90℃
で180secプリベークした。その後、室温まで冷却した
後、超高圧水銀ランプによりマスクを介して250mJ/cm
2(@365nm)の紫外線を照射した。次に専用アルカリ現像
液（CD-902/N-メチルピペリジン１％水溶液）で30sec現
像後、純水でリンスし、クリーンオーブンで200℃で、6
0mimポストベークを行った。Next, an acrylic photosensitive material (product name: JNPC-43 / manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) was used on the surface of the substrate 1a to form spacers (dots) as shown in FIG. The gap defining member 6 was formed to a thickness of 150 nm. The manufacturing method of the spacer 6 is as follows. That is, the above-mentioned acrylic photosensitive material is spin-coated on the surface of the substrate 1a,
And pre-baked for 180 seconds. Then, after cooling to room temperature, 250mJ / cm through a mask with an ultra-high pressure mercury lamp
Irradiated with 2 (@ 365nm) ultraviolet rays. Next, after developing with a dedicated alkaline developer (CD-902 / N-methylpiperidine 1% aqueous solution) for 30 seconds, rinse with pure water, and in a clean oven at 200 ° C for 6 seconds.
0mim post bake was performed.
【００５６】次に、第１電極としての陰極側金属電極３
ａを基板１ａの側に形成した。この金属電極３ａには、
Al-Li合金（Li： 1. 3wt％）を用い、真空度2×10-5Tor
rの条件下の真空蒸着法を用い、膜厚を10nmとした。Next, the cathode side metal electrode 3 as the first electrode
a was formed on the side of the substrate 1a. This metal electrode 3a has
Al-Li alloy (Li: 1.3wt%), degree of vacuum 2 × 10 -5 Tor
Using a vacuum evaporation method under the condition of r, the film thickness was set to 10 nm.
【００５７】次に、アルミキノリノール錯体（Alq3）を
20nmの膜厚となるように真空度2×10-5Torrの条件下で
真空蒸着法にて成膜した。Next, the aluminum quinolinol complex (Alq3) was
The film was formed by a vacuum deposition method under a condition of a degree of vacuum of 2 × 10 −5 Torr so as to have a film thickness of 20 nm.
【００５８】[0058]
【化１】 Embedded image
【００５９】さらに、正孔輸送層として下記構造を有す
るαNPD（同仁化学社製）を60nmの膜厚となるように真
空度2×10-5Torrの条件下で真空蒸着法にて成膜した。Further, as a hole transport layer, αNPD having the following structure (manufactured by Dojin Kagaku) was formed into a film having a thickness of 60 nm by a vacuum evaporation method under a condition of a degree of vacuum of 2 × 10 −5 Torr. .
【００６０】[0060]
【化２】 Embedded image
【００６１】他方のガラス基板（第２基板）１ｂには、
スパッタ法にてITO膜を約70nm厚に成膜し、第２電極と
しての透明電極３ｂを形成した。On the other glass substrate (second substrate) 1b,
An ITO film was formed to a thickness of about 70 nm by a sputtering method to form a transparent electrode 3b as a second electrode.
【００６２】次に、HHOTを50nm膜厚で真空度2×10-5Tor
rの条件下で真空蒸着法にて成膜した。HHOTをクロロホ
ルム溶液としスピンコート法を用いて50nmの膜厚となる
ように調整し、100℃で乾燥した。Next, HHOT was applied to a thickness of 50 nm and a degree of vacuum of 2 × 10 −5 Tor
Films were formed by vacuum evaporation under the conditions of r. HHOT was prepared as a chloroform solution, adjusted to a film thickness of 50 nm by spin coating, and dried at 100 ° C.
【００６３】[0063]
【化３】 Embedded image
【００６４】表示エリア周辺部のみにシール塗布した第
２基板１ｂを、HHOTが液晶相となる温度まで加熱し、減
圧下で第１基板１ａと密着させた。さらに、UVを用いて
シール剤を硬化させエレクトロルミネッセンス素子を得
た。The second substrate 1b applied with a seal only to the periphery of the display area was heated to a temperature at which HHOT became a liquid crystal phase, and was brought into close contact with the first substrate 1a under reduced pressure. Further, the sealant was cured using UV to obtain an electroluminescent device.
【００６５】そして、図５に示すような回路構成とし、
電流供給源９の電圧を９から１２Vとし、ＴＦＴ２Ｂが
完全にONとなるような情報信号を印加して駆動し、その
表示特性を観察したところ、面内で均一な発光が見ら
れ、素子を光取り出し側から軽く押してもその発光特性
に変化は無かった。Then, a circuit configuration as shown in FIG.
When the voltage of the current supply source 9 is changed from 9 to 12 V, an information signal is applied so that the TFT 2B is completely turned on, and driving is performed. When the display characteristics are observed, uniform light emission is observed in a plane. There was no change in the light emission characteristics even when pressed lightly from the light extraction side.
【００６６】また、素子の表面を指で押したり、２０Ｇ
の衝撃を加えたりしたが、画質に変化は見られず、１０
０Ｇの衝撃で、周辺部で輝度ムラが発生した程度であっ
た。Further, the surface of the element is pressed with a finger,
However, there was no change in the image quality.
The impact of 0 G was such that luminance unevenness occurred in the peripheral portion.
【００６７】（比較例１）本比較例では、実施例１とほ
ぼ同様のエレクトロルミネッセンス素子を作製したが、
スペーサ６は形成しなかった。(Comparative Example 1) In this comparative example, an electroluminescent element substantially similar to that of Example 1 was manufactured.
The spacer 6 was not formed.
【００６８】本比較例では、間隙の不均一性に起因する
と思われる輝度ムラが観測された。In this comparative example, luminance unevenness which was considered to be caused by the non-uniformity of the gap was observed.
【００６９】また素子を軽く押すと輝度ムラの状態が変
化し、２０Ｇの衝撃を加えると輝度ムラが大きくなり、
１００Ｇの衝撃では点灯しない画素が発生した。When the element is pressed lightly, the state of the uneven brightness changes, and when a shock of 20 G is applied, the uneven brightness increases.
Some pixels were not turned on by the impact of 100 G.
【００７０】（比較例２）本比較例では、実施例１とほ
ぼ同様のエレクトロルミネッセンス素子を作製したが、
スペーサ６や液晶性化合物は配置しなかった。その結
果、面内で部分的に発光しない画素が観測された。(Comparative Example 2) In this comparative example, an electroluminescent element substantially similar to that of Example 1 was manufactured.
The spacer 6 and the liquid crystal compound were not arranged. As a result, pixels that did not emit light partially in the plane were observed.
【００７１】（実施例２）第１基板１ａには、実施例１
と同様の金属電極３ａやAlq3(20nm)やαNPD(60nm)を形
成し、第２基板１ｂには、ＩＴＯからなる透明電極３ｂ
を形成した。ただ、粘性物質５としては、導電性高分子
であるPDFA(50nm)を用いた。具体的には、PDFAをクロロ
ホルム溶液としスピンコート法を用いて50nmの膜厚とな
るように調整し、100℃で乾燥した。その他の構成及び
製造条件は実施例１と同様にした。(Embodiment 2) The first substrate 1a has the first embodiment
A metal electrode 3a, Alq3 (20 nm) and αNPD (60 nm) are formed in the same manner as described above, and a transparent electrode 3b made of ITO is formed on the second substrate 1b.
Was formed. However, as the viscous substance 5, PDFA (50 nm) which is a conductive polymer was used. Specifically, PDFA was made into a chloroform solution, adjusted to a film thickness of 50 nm by a spin coating method, and dried at 100 ° C. Other configurations and manufacturing conditions were the same as in Example 1.
【００７２】[0072]
【化４】 Embedded image
【００７３】本実施例では、均一な発光が得られた。In this embodiment, uniform light emission was obtained.
【００７４】（実施例３）第１基板１ａには、実施例１
と同様の金属電極３ａを形成し、その表面には、電子注
入性を有するQQ-77a（導電性粘性物質）を真空蒸着によ
り５０ｎｍの厚さに形成した。第２基板１ｂには、ＩＴ
Ｏからなる透明電極３ｂや、αNPD(60nm) やAlq3(20nm)
を形成した。その他の構成及び製造条件は実施例１と同
様にした。(Embodiment 3) The first substrate 1a has the first embodiment
A metal electrode 3a similar to the above was formed, and on its surface, QQ-77a (conductive viscous substance) having an electron injecting property was formed to a thickness of 50 nm by vacuum evaporation. The second substrate 1b has an IT
O transparent electrode 3b, αNPD (60nm), Alq3 (20nm)
Was formed. Other configurations and manufacturing conditions were the same as in Example 1.
【００７５】[0075]
【化５】 Embedded image
【００７６】本実施例では、均一な発光が得られた。In this embodiment, uniform light emission was obtained.
【００７７】（実施例４）本実施例では基板１ａ，１ｂ
にはPET基板を用いた。第１基板１ａには、第１電極３
ａとしてのIn2O3を形成し、その表面には実施例１と同
様のAlq3(20nm)やαNPD(60nm)を形成した。また、第２
基板１ｂには、実施例１と同様のＩＴＯやHHOT(50nm)を
形成した。(Embodiment 4) In this embodiment, the substrates 1a and 1b
A PET substrate was used. The first electrode 3 is provided on the first substrate 1a.
In 2 O 3 as a was formed, and Alq3 (20 nm) and αNPD (60 nm) similar to those in Example 1 were formed on the surface thereof. Also, the second
The same ITO and HHOT (50 nm) as in Example 1 were formed on the substrate 1b.
【００７８】なお、In2O3は、Ion Beam sputtering法を
用いてほぼ室温で20nmとなるように蒸着した。また、Ｉ
ＴＯは、Electron Beam 蒸着法を用いて20nmとなるよう
に蒸着した。その他の構成及び製造条件は実施例１と同
様にした。Note that In 2 O 3 was deposited at about room temperature to a thickness of 20 nm by using the Ion Beam sputtering method. Also, I
TO was deposited so as to have a thickness of 20 nm using an electron beam deposition method. Other configurations and manufacturing conditions were the same as in Example 1.
【００７９】本実施例では、均一な発光が得られた。ま
た、素子の両側から発光を視認できた。In this embodiment, uniform light emission was obtained. Light emission could be visually recognized from both sides of the device.
【００８０】（実施例５）本実施例では基板１ａ，１ｂ
にはPET基板を用いた。第１基板１ａには、第１電極３
ａとしてのSnO2を形成し、その表面には実施例１と同様
のAlq3(20nm)やαNPD(60nm)を形成した。また、第２基
板１ｂには、実施例１と同様のＩＴＯやHHOT(50nm)を形
成した。(Embodiment 5) In this embodiment, the substrates 1a and 1b
A PET substrate was used. The first electrode 3 is provided on the first substrate 1a.
SnO 2 as a was formed, and Alq3 (20 nm) and αNPD (60 nm) similar to those in Example 1 were formed on the surface thereof. On the second substrate 1b, the same ITO or HHOT (50 nm) as in Example 1 was formed.
【００８１】なお、SnO2は、Ion Beam sputtering法を
用いてほぼ室温で20nmとなるように蒸着した。また、Ｉ
ＴＯは、Electron Beam 蒸着法を用いて20nmとなるよう
に蒸着した。その他の構成及び製造条件は実施例１と同
様にした。Note that SnO 2 was deposited at about room temperature to a thickness of 20 nm by using the Ion Beam sputtering method. Also, I
TO was deposited so as to have a thickness of 20 nm using an electron beam deposition method. Other configurations and manufacturing conditions were the same as in Example 1.
【００８２】本実施例では、均一な発光が得られた。ま
た、素子の両側から発光を視認できた。In this embodiment, uniform light emission was obtained. Light emission could be visually recognized from both sides of the device.
【００８３】（実施例６）実施例１と同様のエレクトロ
ルミネッセンス素子を作製したが、HHOTは、基板貼り合
わせ前にＩＴＯ上に配置するのではなく、基板貼り合わ
せ後に、真空中において等方相まで過熱したHHOTを毛細
管注入した。(Example 6) An electroluminescent device similar to that of Example 1 was produced. However, the HHOT was not placed on ITO before the substrates were bonded, but after the substrates were bonded, the HHOT was placed in an isotropic phase in vacuum. HHOT was heated by capillary injection.
【００８４】本実施例では、均一な発光が得られた。In this embodiment, uniform light emission was obtained.
【００８５】（実施例７）本実施例では、スペーサ６は
図２に示すような線状とした。その他は、実施例６と同
じ構造のエレクトロルミネッセンス素子を同じ方法（す
なわち、基板貼り合わせ後にＨＨＯＴを注入）によって
作製した。(Embodiment 7) In this embodiment, the spacers 6 were linear as shown in FIG. Otherwise, an electroluminescent element having the same structure as in Example 6 was manufactured by the same method (that is, HHOT was injected after bonding the substrates).
【００８６】本実施例では、均一な発光が得られた。In this embodiment, uniform light emission was obtained.
【００８７】（実施例８）スペーサ６を作製する時のポ
ストベークの条件を200℃、10minとする以外は、実施例
１と同様の方法で作製した。ただ、HHOTは、基板貼り合
わせ前にＩＴＯ上に配置するのではなく、基板貼り合わ
せ後に、真空中において等方相まで過熱したHHOTを毛細
管注入した。なお、ポストベーク条件を上記の如くする
ことで、支持構造物に接着性を付与することができた。(Example 8) A spacer 6 was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the post-baking conditions were 200 ° C and 10 minutes. However, the HHOT was not placed on the ITO before bonding the substrates, but the HHOT heated to an isotropic phase in a vacuum was injected into the capillary after bonding the substrates. By setting the post-baking conditions as described above, it was possible to impart adhesiveness to the support structure.
【００８８】本実施例では輝度ムラが無く、素子表面を
指で押した程度でも輝度変化はなく、１００Ｇの衝撃に
対しても輝度変化は無かった．In this example, there was no brightness unevenness, no change in brightness even when the surface of the element was pressed with a finger, and no change in brightness even with an impact of 100 G.
【００８９】[0089]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
エレクトロルミネッセンス素子においては、基板の枚数
を１枚ではなくて２枚としたため、有機化合物層を基準
とした場合の別々の側に、スイッチング素子と第２電極
とを振り分けることができる（つまり、スイッチング素
子は有機化合物層の一側に配置し、第２電極を有機化合
物層の他側に配置することができる）。その結果、スイ
ッチング素子が配置されていない側から光を取り出すこ
とができ、スイッチング素子や配線等による開口率低下
の問題を回避することができ、画像の輝度を高めること
ができる。As described above, according to the present invention,
In the electroluminescent element, since the number of substrates is two instead of one, the switching element and the second electrode can be distributed to different sides based on the organic compound layer (that is, the switching is performed). The element can be arranged on one side of the organic compound layer and the second electrode can be arranged on the other side of the organic compound layer). As a result, light can be extracted from the side where the switching element is not provided, and the problem of a decrease in aperture ratio due to the switching element, the wiring, and the like can be avoided, and the luminance of an image can be increased.
【００９０】また本発明によれば、有機化合物層等は２
枚の基板の間に配置されて保護されているため、水分や
酸素の素子内部への侵入を阻止でき、有機化合物層への
メカニカルな接触やそれに伴う破壊も阻止できる。Further, according to the present invention, the organic compound layer etc.
Since it is arranged and protected between the substrates, it is possible to prevent moisture and oxygen from entering the inside of the device, and also to prevent mechanical contact with the organic compound layer and the accompanying destruction.
【００９１】さらに本発明によれば、上下基板間に配置
された導電性粘性物質がその形状を変化させることによ
り、有機化合物層にダメージを与えず、電極間との接合
を安定に実現することができる。Further, according to the present invention, the conductive viscous substance disposed between the upper and lower substrates changes its shape, so that the bonding between the electrodes can be stably realized without damaging the organic compound layer. Can be.
【００９２】またさらに本発明によれば、間隙規定部材
によって基板の間隙が表示面内で均一になるようにされ
ている。したがって、有機化合物層に印加される電界を
一定にでき（すなわち、どの画素においても、電極に一
定の電圧を印加した場合には、有機化合物層に印加され
る電圧も等しくなるようにでき）、発光の面内均一性が
向上され、表示品質も向上される。Further, according to the present invention, the gap between the substrates is made uniform within the display surface by the gap defining member. Therefore, the electric field applied to the organic compound layer can be made constant (that is, when a constant voltage is applied to the electrode in any pixel, the voltage applied to the organic compound layer can be made equal). The in-plane uniformity of light emission is improved, and the display quality is also improved.
【００９３】そして、本発明によれば、信頼性に優れ、
面内の均一性が高く、且つ輝度の高いディスプレイを提
供することができる。According to the present invention, excellent reliability is obtained.
A display with high in-plane uniformity and high luminance can be provided.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の
構造の一例を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the structure of an electroluminescent element according to the present invention.
【図２】間隙規定部材の形状の一例を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a shape of a gap defining member.
【図３】間隙規定部材の形状の他の例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing another example of the shape of the gap defining member.
【図４】本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の
構造の他の例を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing another example of the structure of the electroluminescent element according to the present invention.
【図５】本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の
構造の他の例を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing another example of the structure of the electroluminescent element according to the present invention.
【図６】本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の
構造を示す等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing the structure of the electroluminescent element according to the present invention.
【図７】従来の有機ＥＬ素子の一般的構成を示す断面
図。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a general configuration of a conventional organic EL element.
【図８】従来の有機ＥＬ素子の一般的構成を示す断面
図。FIG. 8 is a sectional view showing a general configuration of a conventional organic EL element.
１ａ 第１基板 １ｂ 第２基板 ２ ＴＦＴ（スイッチング素子） ３ａ 第１電極 ３ｂ 第２電極 ４ 有機化合物層 ５ 導電性を有する粘性物質 ６ 間隙規定部材 Ａ１ エレクトロルミネッセンス素子 Ａ２ エレクトロルミネッセンス素子Reference Signs List 1a first substrate 1b second substrate 2 TFT (switching element) 3a first electrode 3b second electrode 4 organic compound layer 5 conductive viscous substance 6 gap defining member A 1 electroluminescence element A 2 electroluminescence element
フロントページの続き (72)発明者 坪山 明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森山 孝志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 古郡 学 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 滝口 隆雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鎌谷 淳 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB18 BA06 BB07 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EA00 EB00 5C094 AA03 AA36 AA47 BA03 BA27 CA19 DA12 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 EC03 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15Continuation of the front page (72) Inventor Akira Tsuboyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Takashi Moriyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Manabu Furugo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Takao Takiguchi 3-30-2 Shimomaruko 3-chome, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Invention Person Jun Kamiya 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 3K007 AB00 AB02 AB18 BA06 BB07 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EA00 EB00 5C094 AA03 AA36 AA47 BA03 BA27 CA19 DA12 DA13 DB01 DB04 EA04 EA04 EA04 EA04 EA10 EB02 EC03 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15
Claims (11)
基板及び第２基板と、これらの基板の間に配置された有
機化合物層と、該有機化合物層を挟み込むように配置さ
れた第１電極及び透明な第２電極と、を備え、かつ、前
記第１及び第２電極から注入された電子と正孔とを前記
有機化合物層にて再結合させて光を発光させるエレクト
ロルミネッセンス素子において、 前記第１基板に前記第１電極が形成され、 前記第２基板に透明な前記第２電極が形成され、 導電性を有する粘性物質が、いずれか一方の基板と前記
有機化合物層との間に充填され、かつ、 前記第１基板及び第２基板の間には、これらの基板の間
隙を規定するための間隙規定部材が配置された、 ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。1. A method according to claim 1, further comprising the step of:
A substrate and a second substrate, an organic compound layer disposed between these substrates, and a first electrode and a transparent second electrode disposed so as to sandwich the organic compound layer; and An electroluminescent element that emits light by recombining electrons and holes injected from the first and second electrodes in the organic compound layer, wherein the first electrode is formed on the first substrate; A transparent second electrode is formed on a substrate, and a viscous substance having conductivity is filled between one of the substrates and the organic compound layer, and between the first substrate and the second substrate. An electroluminescent element, wherein a gap defining member for defining a gap between these substrates is arranged.
基板及び第２基板と、これらの基板の間に配置された有
機化合物層と、該有機化合物層を挟み込むように配置さ
れた第１電極及び透明な第２電極と、を備え、かつ、前
記第１及び第２電極から注入された電子と正孔とを前記
有機化合物層にて再結合させて光を発光させるエレクト
ロルミネッセンス素子において、 前記第１基板にスイッチング素子及び前記第１電極が形
成され、 前記第２基板に透明な前記第２電極が形成され、 導電性を有する粘性物質が、いずれか一方の基板と前記
有機化合物層との間に充填され、かつ、 前記第１基板及び第２基板の間には、これらの基板の間
隙を規定するための間隙規定部材が配置された、 ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。2. A first device arranged with a predetermined gap therebetween.
A substrate and a second substrate, an organic compound layer disposed between the substrates, a first electrode and a transparent second electrode disposed so as to sandwich the organic compound layer, and An electroluminescence element that emits light by recombining electrons and holes injected from the first and second electrodes in the organic compound layer, wherein a switching element and the first electrode are formed on the first substrate, A transparent second electrode is formed on the second substrate, a conductive viscous substance is filled between one of the substrates and the organic compound layer, and the first substrate and the second substrate An electroluminescent element, wherein a gap defining member for defining a gap between the substrates is disposed between the substrates.
センス素子。3. The electroluminescence device according to claim 2, wherein the switching device is a TFT.
のエレクトロルミネッセンス素子。4. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the second substrate is transparent.
一方がプラスチック基板である、 ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。5. The electroluminescent device according to claim 1, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is a plastic substrate.
た、 ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。6. The electroluminescent element according to claim 1, wherein the gap defining member is formed in a dot shape.
のエレクトロルミネッセンス素子。7. The electroluminescent element according to claim 1, wherein the gap defining member is formed in a linear shape.
た、 ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。8. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the gap defining member is formed in a lattice shape.
た、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。9. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the gap defining member is adhered to the substrate.
る、 ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載
のエレクトロルミネッセンス素子。10. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the viscous substance is a liquid crystalline organic molecule.
のエレクトロルミネッセンス素子。11. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the viscous substance is a conductive polymer.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004060029A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method for manufacturing same |
| JP2004311305A (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Sti Technology Kk | Method for manufacturing color filter and organic el display element |
| JP2006221875A (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment |
-
2001
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004060029A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method for manufacturing same |
| JPWO2004060029A1 (en) * | 2002-12-25 | 2006-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7045822B2 (en) | 2002-12-25 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having electrode formed by laminate of at least first inorganic film, organic film, and second inorganic film and method for manufacturing the same |
| US7488985B2 (en) | 2002-12-25 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| JP4628104B2 (en) * | 2002-12-25 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7932667B2 (en) | 2002-12-25 | 2011-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| US8450924B2 (en) | 2002-12-25 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| US8740664B2 (en) | 2002-12-25 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2004311305A (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Sti Technology Kk | Method for manufacturing color filter and organic el display element |
| JP2006221875A (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment |
| JP4655266B2 (en) * | 2005-02-08 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and electronic apparatus |
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