JP2002261261A - 撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

撮像素子及びその製造方法

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JP2002261261A JP2001054901A JP2001054901A JP2002261261A JP 2002261261 A JP2002261261 A JP 2002261261A JP 2001054901 A JP2001054901 A JP 2001054901A JP 2001054901 A JP2001054901 A JP 2001054901A JP 2002261261 A JP2002261261 A JP 2002261261A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】簡便な構成で、且つ有機樹脂の構成で反射防止
効果有するマイクロレンズを形成して、フレア、ゴース
ト及びノイズ防止に著しい効果のある撮像素子及びその
製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体基板11に光電変換素子21、遮光
部31、平坦化層41、カラーフィルタ51、平坦化層
42及びアンダーコート層61を形成し、さらに、樹脂
レンズ71a及び樹脂表面に光学的なボイド(空隙)が
形成されたポーラス層81からなるマイクロレンズ90
を形成し、ポーラス層81は、ボイド(空隙)及び厚み
を光の波長のおよそλ/4にする。また、マイクロレン
ズ間の凹部に光吸収層を形成している。さらにまた、ア
ンダーコート層61のドライエッチングのエッチングレ
ートを樹脂レンズ71aを構成する樹脂材料より高い値
に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、C−MOSやCC
D等の受光素子に代表される撮像素子及び撮像素子上に
形成されるマイクロレンズに関し、特に、マイクロレン
ズの実効的な開口率を上げることによる感度向上及びス
ミアを低減した撮像素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CCD等の受光素子の光電変換に寄与す
る領域(開口部)は、素子サイズや画素数にも依存する
が、その全面積に対し20〜40%程度に限られてしま
う。開口部が小さいことは、そのまま感度低下につなが
るため、これを補うために受光素子上に集光のためのマ
イクロレンズを形成することが一般的である。しかしな
がら、近年、200万画素を超える高精細CCD撮像素
子への要求が強くなり、これら高精細CCDに付随する
マイクロレンズの開口率低下(すなわち感度低下)、フ
レア、ゴーストなどのノイズ増加が大きな問題となって
きている。さらに、撮像素子デバイス表面(マイクロレ
ンズ表面など)とカバーガラス内面からの再反射光や散
乱光が、撮像素子へのノイズの一因となっており問題と
なっている。
【0003】かかるノイズを防止する技術として、マイ
クロレンズ表面に反射防止膜を形成する技術が提案され
ている。例えば、樹脂レンズ上にレンズ材との屈折率差
のある薄膜を積層する技術が、特開平4−223371
号公報に開示されている。ここでは、使用する材料名は
開示されていないものの、マイクロレンズ表面に形成す
る高屈折率と低屈折率の2層の反射防止膜として示され
ている。
【0004】また、凸レンズ状のマイクロレンズを形成
する手段として、熱フロー法と呼称される技術が開示さ
れている。熱フロー法を用いた際に生じる隣接するマイ
クロレンズ同士のくっつきを避けるための安定生産技
術、あるいは高開口率技術として、特開平6−1124
59号公報、特開平9−45884号公報等に、エッチ
ングを利用した“溝方式”と呼ばれる技術が開示されて
いる。高精細CCDに形成するマイクロレンズ間は、狭
ギャップとすることが必要である。しかし、これらの技
術はレンズ間にくっつき防止のための凹部の形成は可能
であるものの、凹部を小さくする狭ギャップ化手段には
なり難い。すなわち、マイクロレンズを母型としてドラ
イエッチなどによりエッチングして凹部を形成するた
め、基本的にレンズ形状がなだらかに同時に凹部も丸く
広がる傾向に加工されてしまう。等方性エッチング、異
方性エッチングのいずれの場合も母型パターンより基本
的には、より狭ギャップに加工するものでない。“溝方
式”は、特開平6−112459号公報に開示されてい
るように1μmレベルの広いギャップにて効果が出るも
ので、0.3μm以下の狭ギャップを再現できるもので
ない。上記公開されている技術は、基本的にレンズ間の
形状を滑らかに加工する技術である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】カバーガラス内面とマ
イクロレンズ表面との間での再反射光や散乱光を軽減す
るために、効果のある手法として、低屈折率弗化物(も
しくは低屈折率酸化物)と高屈折率酸化物とを積層した
無機多層膜を反射防止膜としてマイクロレンズ表面に形
成することが有効である。こうした酸化物や弗化物は屈
折率差を大きくとれるために高性能の反射防止膜を作製
できる。しかしながら、この類の反射防止膜は、蒸着機
などの真空機器を用いて成膜する必要があり、きわめて
コストのかかる手法である。
【0006】しかも、蒸着機などを用いると、真空槽内
部に付着した蒸着物の剥離に起因する異物付着が避けが
たく、半導体デバイス形成プロセスとしては収率低下の
大きいプロセスといえる。加えて、有機樹脂からなるマ
イクロレンズ表面に無機多層膜を形成することは、それ
ぞれの熱膨張率差や水分含有の程度の差などから信頼性
の点で劣るものである。また、従来構成ではマイクロレ
ンズ間の凹部へ斜め方向から入射してくる光が光電変換
素子へ入射するのを避け難く、フレア、ゴースト及びノ
イズの原因となり、画質低下につながっている。
【0007】撮像素子の高精細化は、5μmピッチ以下
のマイクロレンズの配列及び0.3μm以下のレンズパ
ターン間ギャップ(以下、狭ギャップと略称する)を要
求してきている。しかし、一般にマイクロレンズは、感
光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー法と熱フロー技
術を併用して形成しており、これら技術からくる制約
で、そのマイクロレンズの辺方向のギャップ寸法(レン
ズ間寸法)は1μmからせいぜい0.4μmである。レ
ンズ間寸法を0.3μm以下とすると、隣り合うマイク
ロレンズがそれぞれのパターンエッジでくっつき、ムラ
不良となることが多く、量産レベルの技術とはならな
い。こうした従来技術からくる制約は、高精細化に伴う
マイクロレンズの開口率低下、換言すると撮像素子の感
度低下につながるという問題を有する。
【0008】樹脂レンズ上に、等方的に無機膜や樹脂膜
を堆積形成して狭ギャップを達成しようとする技術は、
たとえば尿素樹脂を蒸着機を用いて合成蒸着する方法や
特開平5−48057号公報に開示されているように、
ECRプラズマ等のCVDを用いて堆積する方法などが
ある。しかし、これら技術は、高価な真空装置やCVD
装置を使用する必要があり、簡便な方式といえず大幅な
コストアップとなる方法である。
【0009】本発明は、上記問題点に鑑み考案されたも
ので、簡便な構成で、且つ有機樹脂の構成で反射防止効
果を有するマイクロレンズを有し、フレア、ゴースト及
びノイズ防止に著しい効果のある撮像素子及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず、請求項1においては、少なく
とも複数の光電変換素子と、平坦化層と、カラーフィル
ターと、アンダーコート層と、マイクロレンズとを備え
た撮像素子において、前記マイクロレンズが樹脂レンズ
と樹脂表面に光学的なボイド(空隙)を有するポーラス
層とからなることを特徴とする撮像素子としたものであ
る。
【0011】また、請求項2においては、前記ポーラス
層のボイド(空隙)及び厚みが、可視光領域の光波長の
およそλ/4になっていることを特徴とする請求項1記
載の撮像素子としたものである。
【0012】また、請求項3においては、前記マイクロ
レンズ間に凹部を形成し、且つ、前記凹部に光吸収層を
設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の撮
像素子としたものである。
【0013】また、請求項4においては、前記アンダー
コート層の材料が、前記樹脂レンズを構成する樹脂より
エッチングレートの高い樹脂からなることを特徴とする
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の撮像素子
としたものである。
【0014】また、請求項5においては、以下の工程を
少なくとも備えることを特徴とする撮像素子の製造方法
としたものである。 (a)半導体基板に光電変換素子、遮光部、平坦化層、
カラーフィルタ、平坦化層及びアンダーコート層を形成
した中間工程の撮像素子を作製する工程。 (b)前記アンダーコート層上に感光性材料を塗布し、
感光性樹脂層を形成し、露光、現像処理して樹脂パター
ンを形成する工程。 (c)前記樹脂パターンを熱フローさせて樹脂レンズを
形成する工程。 (d)前記樹脂レンズ間の露出した前記アンダーコート
層に凹部を形成する工程 (e)前記樹脂レンズ上に透明樹脂を塗布して、透明樹
脂層を形成し、前記透明樹脂層ドライエッチングするこ
とにより、樹脂表面のボイド(空隙)及び厚みが、光の
波長のおよそλ/4になるようなポーラス層を形成し、
撮像素子を作製する工程。
【0015】さらにまた、請求項6においては、以下の
工程を少なくとも備えることを特徴とする撮像素子の製
造方法としたものである。 (a)半導体基板に光電変換素子、遮光部、平坦化層、
カラーフィルタ、平坦化層及びアンダーコート層を形成
した中間工程の撮像素子を作製する工程。 (b)前記アンダーコート層上に感光性材料を塗布し、
感光性樹脂層を形成し、露光、現像処理して樹脂パター
ンを形成する工程。 (c)前記樹脂パターンを熱フローさせて樹脂レンズを
形成する工程。 (d)前記樹脂レンズ間の露出した前記アンダーコート
層に凹部を形成する工程 (e)前記樹脂レンズ及び前記樹脂レンズ間の凹部に光
吸収剤を含有する黒色樹脂を塗布し黒色樹脂層を形成し
た後、前記樹脂レンズ上の前記黒色樹脂層を除去し、前
記樹脂レンズ間の凹部に光吸収層を形成する工程。 (f)前記樹脂レンズ上に透明樹脂を塗布して、透明樹
脂層を形成し、前記透明樹脂層をドライエッチングする
ことにより、樹脂表面のボイド(空隙)及び厚みが、光
の波長のおよそλ/4になるようなポーラス層を形成
し、撮像素子を作製する工程。
【0016】なお、本発明で用いるマイクロレンズ関連
の用語について説明する。マイクロレンズ140は図6
(a)〜(c)に示すように、樹脂レンズ121と樹脂
レンズ121上に形成された透明樹脂層131とで構成
されたもので、樹脂レンズ121は、透明樹脂層131
が形成される前の樹脂レンズを意味する。レンズ間寸法
は、樹脂レンズ121の辺方向のパターンエッジ間寸法
を指す。ギャップ寸法は、マイクロレンズ140を構成
する透明樹脂層131表面の曲面から凹部141にかか
る変曲点の位置を目安として、その変曲点間の狭い方
(広い方はレンズ開口寸法)の寸法を指す。本発明での
ギャップ寸法(凹部寸法)は、光の波長以下となるので
光学的に凹レンズ効果を持つものではない。また、本発
明で用いる「凹部の深さ」は、大まかにはレンズ断面の
曲面の変曲点から凹部141の底までの深さを示すもの
である。凹部141は、マイクロレンズ140間の凹ん
だ部分を指す。
【0017】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図1(a)に、本発明の撮像素子の一実施例を
示す部分模式平面図を、図1(b)に、図1(a)の部
分模式平面図をA−A’線で切断した撮像素子の部分模
式構成断面図を、図2(a)〜(e)に、本発明の撮像
素子の請求項5に係わる撮像素子の製造法の一実施例を
工程順に示す撮像素子の部分模式構成断面図を、図3
(a)〜(f)に、本発明の撮像素子の請求項6に係わ
る製造法の一実施例を工程順に示す撮像素子の部分模式
構成断面図を、図4に、樹脂レンズ上に形成されたポー
ラス層の模式構成断面図を、それぞれ示す。
【0018】本発明の撮像素子の請求項1に係わる発明
は、図1(a)及び(b)に示すように半導体基板11
に光電変換素子21、遮光部31、平坦化層41、カラ
ーフィルタ51、平坦化層42及びアンダーコート層6
1を形成した中間工程の撮像素子を作製する。さらに、
樹脂レンズ71a及び樹脂表面に光学的なボイド(空
隙)が形成されたポーラス層81からなるマイクロレン
ズ90を形成した撮像素子を作製するものである。本発
明の撮像素子の請求項2に係わる発明は、樹脂レンズ上
に形成された光学的なボイド(空隙)を有するポーラス
層81において、ボイド(空隙)のピッチ及び厚みを可
視光領域の光波長のおよそλ/4にして、ポーラス層8
1での見かけ上の屈折率を下げることにより、樹脂レン
ズの反射防止効果を持たせたものである。本発明の請求
項3に係わる発明は、マイクロレンズ間の凹部に光吸収
層を形成して、マイクロレンズ間に入射する光を吸収
し、迷光による撮像素子のS/N比低下を防ぐものであ
る。本発明の撮像素子の請求項4に係わる発明は、ドラ
イエッチング等でエッチングする際のアンダーコート層
61のエッチングレートを樹脂レンズ71aを構成する
樹脂材料より高い値に設定してある。これは、後記する
アンダーコート層上に樹脂レンズ71aを形成した後樹
脂レンズ71a間に凹部62をドライエッチング等で形
成する際樹脂レンズの表面形状を保持するためである。
【0019】本発明の請求項5に係わる撮像素子の製造
法について説明する。まず、半導体基板11に光電変換
素子21、遮光部31、平坦化層41、カラーフィルタ
51、平坦化層42及びアンダーコート層61を形成し
た中間工程の撮像素子を作製する(図2(a)参照)。
次に、アンダーコート層61上に感光性樹脂溶液をスピ
ンコーター等により塗布し、感光性樹脂層を形成し、露
光、現像処理して樹脂パターン71を形成する(図2
(b)参照)。なお、図2(b)〜図2(d)において
は、半導体基板11から平坦化層42までの部位は図示
を省略している。感光性樹脂層の膜厚は0.3μm以下
の薄い膜厚で、樹脂パターン71形成後の樹脂レンズ形
状を保持し易く、レンズ間の狭ギャップを達成しやす
い。また、塗布性や分散性を向上させるために、感光性
樹脂溶液に界面活性剤を添加したり、複数の溶剤種を混
ぜたり、あるいは、樹脂の分子量や他樹脂の添加を行っ
ても良い。また、塗布の前処理としてアンダーコート層
を軽くエッチング処理、プラズマ処理、紫外線洗浄等を
実施しても良い。
【0020】次に、樹脂パターン71を熱フローさせ
て、樹脂レンズ71aを形成する(図2(c)参照)。
樹脂レンズ71aの形成に用いる樹脂材料は、後述する
ポーラス層を形成する透明樹脂、アンダーコート層を形
成する材料を含め、可視域での透明性(可視域透過率)
が高く、実用的な信頼性(耐熱性、耐光性、耐熱サイク
ル等)があれば良い。例えば、アクリル樹脂、エポキシ
樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹
脂、エリア樹脂などの尿素樹脂、フェノール樹脂あるい
はこれらの共重合物などが樹脂レンズの素材として使用
可能であり、一般には、フェノール系の感光性樹脂ある
いは低分子量のメラミンーエポキシ共重合物が用いられ
る。
【0021】次に、樹脂レンズ71a間の露出したアン
ダーコート層61をプラズマアッシング、ドライエッチ
ング処理を行って、凹部62を形成する(図2(d)参
照)。ここで、アンダーコート層61と樹脂レンズ71
aとの間でエッチングレートに差を付け、樹脂レンズ7
1aに対しアンダーコート層61のエッチングレートを
高く設定してあるので、樹脂レンズ71aの表面形状が
維持された状態で、凹部62を形成することができる。
凹部62の深さは6μmから0.05μmの範囲に設定
すればよいが、凹部62の深さが1.5μmを越えると
樹脂レンズ71a上に透明樹脂層形成する際塗布ムラが
発生するので、好ましくは、1.5〜0.05μmの範
囲である。。
【0022】次に、凹部62が形成された樹脂レンズ7
1a上に透明樹脂溶液をスピンコート等により塗布し、
透明樹脂層を形成する。透明樹脂溶液としてはエポキシ
樹脂あるいはアクリル樹脂に硬化剤を適量混入したもの
を使用する。さらに、透明樹脂層の樹脂表面を酸素プラ
ズマ雰囲気でドライエッチングすることにより、樹脂レ
ンズ71a上に柱状樹脂81aが並んだ光学的なボイド
(空隙)81bを有するポーラス層81を形成し、本発
明の撮像素子100を得る(図2(e)、図4参照)。
なお、柱状樹脂81aピッチあるいは大きさは0.03
〜0.3μmとすることが望ましい。
【0023】図4にポーラス層81の模式構成断面図を
示す。ポーラス層81は、図4に示すように、樹脂レン
ズ71a上に柱状樹脂81aとボイド(空隙)81bが
形成されている。一般的な樹脂膜では、膜中に微細な気
泡が多数存在し、密度が下がると、樹脂膜の屈折率は下
がる。ポーラス層81ではボイド(空隙)81bが上記
気泡の役目を有し、屈折率が下がり反射膜としての機能
を有することになる。すなはち、ポーラス層とすること
で、フッ素系樹脂等の低屈折率であっても、高価な樹脂
を用いることなく、低価な樹脂で反射防止膜を形成する
ことが可能となる。
【0024】ボイド(空隙)81bは柱状樹脂81a間
のピッチVPで表すことができ、可視光域の光波長のお
よそλ/4となるようにVP=0.1〜0.2μmにな
っている。ポーラス層81の厚みVtも可視光領域の光
波長のλ/4(0.1〜0.2μm)になるように設定
されている。このような構成にすることにより、ポーラ
ス層81に入射後ポーラス層81より反射する光は位相
がズレ、入射する光と反射する光がうち消し合うことに
なり、ポーラス層81は反射防止効果を有することにな
る。また、ポーラス層81と樹脂レンズ71aとの屈折
率差を小さくすれば、ポーラス層81と樹脂レンズ71
aとの界面における反射を防止できる。このように、マ
イクロレンズ表面の光の反射を抑制することにより、撮
像素子のカバーガラスから再反射 、再入射によるスミ
ア等の原因になるノイズ光を減少させ、撮像素子の特性
を劣化させることを防止している。
【0025】本発明の請求項6に係わる撮像素子の製造
法について説明する。まず、半導体基板11に光電変換
素子21、遮光部31、平坦化層41、カラーフィルタ
51、平坦化層42及びアンダーコート層61を形成し
た中間工程の撮像素子を作製する(図3(a)参照)。
次に、アンダーコート層61上に感光性樹脂溶液をスピ
ンコーター等により塗布し、感光性樹脂層を形成し、露
光、現像処理して樹脂パターン71を形成する(図3
(b)参照)。なお、図3(b)〜図3(e)において
は、半導体基板11から平坦化層42までの部位は図示
を省略している。感光性樹脂層の膜厚は0.3μm以下
の薄い膜厚とすれば、樹脂パターン71形成後の樹脂レ
ンズ形状を保持し易く、レンズ間の狭ギャップを達成し
やすい。また、塗布性や分散性を向上させるために、感
光性樹脂溶液に界面活性剤を添加したり、複数の溶剤種
を混ぜたり、あるいは、樹脂の分子量や他樹脂の添加を
行っても良い。また、塗布の前処理としてアンダーコー
ト層を軽くエッチング処理、プラズマ処理、紫外線洗浄
等を実施しても良い。
【0026】次に、樹脂パターン71を熱フローさせ
て、樹脂レンズ71aを形成する(図3(c)参照)。
樹脂レンズ71aの形成に用いる樹脂材料は、ポーラス
層を形成する透明樹脂、アンダーコート層を形成する材
料含め、可視域の透明性(可視域透過率)が高く、実用
的な信頼性(耐熱性、耐光性、耐熱サイクル等)があれ
ば良い。例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂
などの尿素樹脂、フェノール樹脂あるいはこれらの共重
合物などが樹脂レンズ素材として使用可能であり、一般
には、フェノール系の感光性樹脂あるいは低分子量のメ
ラミンーエポキシ共重合物が用いられる。
【0027】次に、樹脂レンズ71a間の露出したアン
ダーコート層61にプラズマアッシング、ドライエッチ
ング等を行って、凹部62を形成する(図3(d)参
照)。ここで、アンダーコート層61と樹脂レンズ71
aとの間でエッチングレートに差を付け、樹脂レンズ7
1aに対しアンダーコート層61のエッチングレートを
高く設定してあるので、樹脂レンズ71aの表面形状が
維持された状態で、凹部62を形成することができる。
凹部62の深さは6μmから0.05μmの範囲に設定
すればよいが、凹部62の深さが1.5μmを越えると
透明樹脂層形成時に塗布ムラが発生するので、好ましく
は、1.5〜0.05μmの範囲である。
【0028】次に、カーボン或いは着色剤等の光吸収剤
を含む着色樹脂溶液をスピンコーターにて塗布し、乾燥
後熱リフローさせて光吸収樹脂層を形成し、樹脂レンズ
71a上の薄膜光吸収樹脂層をプラズマアッシング等に
て除去し、凹部62に光吸収層63を形成する(図3
(e)参照)。この光吸収層63は、マイクロレンズ間
に入射する光を吸収し、迷光による撮像素子のS/N比
低下を防ぐものである。
【0029】次に、樹脂レンズ71a上に透明樹脂溶液
をスピンコート等により塗布し、透明樹脂層を形成す
る。透明樹脂溶液としてはエポキシ樹脂あるいはアクリ
ル樹脂に硬化剤を適量混入したものを使用する。さら
に、透明樹脂層の樹脂表面を酸素プラズマ雰囲気でドラ
イエッチングすることにより、樹脂レンズ71a上にピ
ッチ或いは大きさが0.03〜0.3μmの柱状樹脂8
1aが並んだ光学的なボイド(空隙)81bを有するポ
ーラス層81を形成し、本発明の撮像素子200を得る
(図3(f)、図4参照)。光吸収層及びポーラス層を
設けることにより、マイクロレンズ表面やマイクロレン
ズ間の凹部からの光の反射を抑制することにより、これ
ら非有効部からの反射が撮像素子のカバーガラスから再
反射 、再入射してスミア等の原因となるノイズ光を減
少させ、撮像素子の特性を劣化させることを防止し、迷
光による撮像素子のS/N比低下を防いでいる。
【0030】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 <実施例1>まず、公知の技術、方法にて、光電変換素
子21が形成された半導体基板11上に、遮光部31、
平坦化膜41、カラーフィルター51及び平坦化膜42
を順次形成し、平坦化層42上にエポキシ系の樹脂溶液
をスピンコートしてアンダーコート層61を形成し、中
間工程の撮像素子を作製した(図2(a)参照)。
【0031】次に、中間工程の撮像素子のアンダーコー
ト層61上にフェノール系の感光性樹脂溶液(商品名
「380H」:JSR社製)をスピンナーで塗布、乾燥
して、1.2μm厚の感光性樹脂層を形成し、感光性樹
脂層を所定のパターンを有するフォトマスクを用いて、
露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、アン
ダーコート層61上に光電変換素子31の配列に対応し
た5μmピッチ、0.6μmギャップの樹脂パターン7
1を形成した(図2(b)参照)。
【0032】次に、樹脂パターン71が形成された中間
工程の撮像素子をホットプレートで180℃3分間加熱
し、熱フロー処理を行い、アンダーコート層61上に辺
方向のギャップが0.4μm、レンズの高さ1.4μm
の樹脂レンズ71aを形成した(図2(c)参照)。
【0033】次に、ドライエッチング装置を用いて、O
2ガスを導入し、圧力:20Pa、RFパワー:1k
w、基板温度:常温(RT)、処理時間:25秒にて、
エッチング処理を行い、樹脂レンズ71a間のアンダー
コート層61に深さ0.3μmの凹部62を形成した
(図2(d)参照)。ここで、上記エッチング条件にお
いて、樹脂レンズ71aの形成に使用した感光性フェノ
ール系樹脂のエッチングレートはアンダーコート層61
の形成に使用したエポキシ樹脂のエッチングレートの1
/3であった。樹脂レンズの材料である感光性フェノー
ル系樹脂のエッチングレートが小さいため、深さ0.3
μmの凹部62が形成された後でも樹脂レンズのレンズ
形状が保持され、レンズ曲率の変化を少なくする効果と
マイクロレンズ間の対角方向の凹部を深く加工すること
が可能で、このことにより、樹脂レンズの狭ギャップを
実現することができる。
【0034】次に、透明なアクリル樹脂(商品名「TO
C」:富士薬品(株)社製)5部に酸系硬化剤(商品名
「TOHC−HA」)2部を混合したアクリル樹脂溶液
をスピンコートにて塗布し、樹脂レンズ71a及び凹部
62を覆うように、膜厚0.2μm弱の透明樹脂層を形
成した。結果、マイクロレンズ(樹脂レンズ+透明樹脂
層)間のギャップ寸法は、0.1μmと狭ギャップであ
った。さらに、ドライエッチング装置に酸素を50sc
cm導入して、圧力:20Pa、RFパワー:1kw、
基板温度:常温(RT)、処理時間:20秒にて、透明
樹脂層表面をエッチング処理し、ポーラス層81を形成
した。ポーラス層81は、およそ0.1μmの柱状樹脂
81aが、0.05〜0.15μmピッチで配置されて
いた。以上の工程により、樹脂レンズ71a上にポーラ
ス層81が形成されたマイクロレンズ90を有する撮像
素子100を得ることができた(図2(e)参照)。
【0035】本実施例1で得られた撮像素子100の樹
脂レンズ71a上にポーラス層81が形成されたマイク
ロレンズ90の反射率は、ポーラス層81を形成しない
ものと比較して1/4の低反射率を示した。図5に、実
施例1で得られたポーラス層81の表面のテクスチャー
を示す電子顕微鏡写真(6万倍)を示す。およそ0.1
μmの樹脂柱が形成されていることが確認できた。
【0036】<実施例2>まず、公知の技術、方法に
て、光電変換素子21が形成された半導体基板11上
に、遮光部31、平坦化膜41、カラーフィルター51
及び平坦化膜42を順次形成し、平坦化層42上にエポ
キシ系の樹脂溶液をスピンコートしてアンダーコート層
61を形成し、中間工程の撮像素子を作製した(図3
(a)参照)。
【0037】次に、中間工程の撮像素子のアンダーコー
ト層61上にフェノール系の感光性樹脂溶液(商品名
「380H」:JSR社製)をスピンナーで塗布、乾燥
して、1.2μm厚の感光性樹脂層を形成し、感光性樹
脂層を所定のパターンを有するフォトマスクを用いて、
露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、アン
ダーコート層61上に光電変換素子31の配列に対応し
た5μmピッチ、0.6μmギャップの樹脂パターン7
1を形成した(図3(b)参照)。
【0038】次に、樹脂パターン71が形成された中間
工程の撮像素子をホットプレートで180℃3分間加熱
し、熱フロー処理を行い、アンダーコート層61上に辺
方向のギャップが0.4μm、レンズの高さ1.5μm
の樹脂レンズ71aを形成した(図3(c)参照)。
【0039】次に、ドライエッチング装置を用いて、O
2ガスを導入し、圧力:20Pa、RFパワー:1k
w、基板温度:常温(RT)、処理時間:25秒にて、
エッチング処理を行い、樹脂レンズ71a間のアンダー
コート層61に深さ0.4μmの凹部62を形成した
(図3(d)参照)。
【0040】次に、樹脂レンズ71a及び凹部62を覆
うように、熱硬化フェノール樹脂に0.1μm以下の粒
径のカーボンを固形比にて8%含有させた光吸収樹脂溶
液をスピンナーにて塗布し、このあと、200℃のホッ
トプレート上で200℃迄一気に昇温し、樹脂を硬化さ
せ、光吸収樹脂層を形成し、樹脂レンズ71a上の薄膜
光吸収樹脂層をプラズマ処理にて除去し、凹部62に光
吸収層63を形成した(図3(e)参照)。光吸収樹脂
には熱フロー性を持たせているため、昇温時に樹脂がメ
ルトし、凹部62に流れ込み、約0.7μm厚の光吸収
層63が形成され、樹脂レンズ71a上にも約0.1μ
mの薄膜光吸収樹脂層が残存し、プラズマ処理にて除去
した。
【0041】次に、透明なアクリル樹脂(商品名「TO
C」:富士薬品(株)社製)5部に酸系硬化剤(商品名
「TOHC−HA」)2部を混合したアクリル樹脂溶液
をスピンコートにて塗布し、樹脂レンズ71aを覆うよ
うに、膜厚0.2μm弱の透明樹脂層を形成した。さら
に、ドライエッチング装置に酸素を50sccm導入し
て、圧力:20Pa、RFパワー:1kw、基板温度:
常温(RT)、処理時間:20秒にて、透明樹脂層表面
をエッチング処理して、ポーラス層81を形成した。ポ
ーラス層81は、およそ0.1μmの柱状樹脂81a
が、0.05〜0.15μmピッチで配置されていた。
以上の工程により、樹脂レンズ71a上にポーラス層8
1が形成されたマイクロレンズ90間に光吸収層63を
有する撮像素子200を得ることができた(図3(f)
参照)。
【0042】本実施例2で得られた撮像素子200の樹
脂レンズ71a上にポーラス層81が形成されたマイク
ロレンズ90の反射率は、ポーラス層81を形成しない
ものと比較して1/4の低反射率を示した。図5に、実
施例2で得られたポーラス層81の表面のテクスチャー
を示す電子顕微鏡写真(6万倍)を示す。およそ0.1
μmの樹脂柱が形成されていることが確認できた。
【0043】
【発明の効果】本発明は、樹脂レンズ上にポーラス層が
形成されたマイクロレンズを撮像素子エレメント上に設
けているため、マイクロレンズ上での光の反射・散乱が
抑制され、実質的な開口率を向上でき、S/N比の大幅
な改善を得ることができる撮像素子を低コストで提供で
きる。さらに、光吸収層をマイクロレンズ間に選択的
(セルフアライン)に形成しているため、光吸収層を位
置合わせ精度良く形成でき、斜め入射光や散乱光をカッ
トして、撮像素子のS/N比の大幅な改善を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の撮像素子の一実施例を示す
模式部分平面図である。(b)は、(a)の模式平面図
をA−A’線で切断した模式部分構成断面図である。
【図2】(a)〜(e)は、本発明の撮像素子の請求項
5に係わる撮像素子の製造方法の一実施例を工程順に示
す部分模式構成断面図である。
【図3】(a)〜(f)は、本発明の撮像素子の請求項
6に係わる撮像素子の製造方法の一実施例を工程順に示
す部分模式構成断面図である。
【図4】本発明の撮像素子の樹脂レンズ上に形成された
ポーラス層を模式的に示す説明図である。
【図5】本発明の撮像素子の樹脂レンズ上に形成された
ポーラス層の表面のテクスチャーの電子顕微鏡写真を示
す説明図である。
【図6】(a)は、マイクロレンズの模式部分平面図を
示す平面図である。(b)は、アンダーコート層上に形
成された樹脂レンズの構成を示す説明図である。(c)
は、アンダーコート層上に形成されたマイクロレンズの
構成を示す説明図である。
【符号の説明】
11……半導体基板 21……光電変換素子 31……遮光部 41、42……平坦化層 51……カラーフィルタ 61、111……アンダーコート層 62……凹部 63……光吸収層 71……樹脂パターン 71a、121……樹脂レンズ 81……ポーラス層 81a……柱状樹脂 81b……光学的なボイド(空隙) 90、140……マイクロレンズ 100、200……撮像素子 131……透明樹脂層 141……凹部 VP……ボイド(空隙)のピッチ Vt……ポーラス層の膜厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/335 G02B 1/10 A H01L 31/02 B Fターム(参考) 2H042 AA09 AA15 AA21 2K009 AA04 BB11 CC21 DD02 DD12 4M118 AA01 AA05 AB01 BA10 BA14 CA03 GC07 GD04 5C024 CX03 CX41 EX24 EX43 EX52 GX03 GY01 GY31 5F088 BA01 BB03 EA04 HA05 HA20

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも複数の光電変換素子と、平坦化
    層と、カラーフィルターと、アンダーコート層と、マイ
    クロレンズとを備えた撮像素子において、前記マイクロ
    レンズが樹脂レンズと樹脂表面に光学的なボイド(空
    隙)を有するポーラス層とからなることを特徴とする撮
    像素子。
  2. 【請求項2】前記ポーラス層のボイド(空隙)及び厚み
    が、可視光領域の光波長のおよそλ/4になっているこ
    とを特徴とする請求項1記載の撮像素子。
  3. 【請求項3】前記マイクロレンズ間に凹部を形成し、且
    つ、前記凹部に光吸収層を設けたことを特徴とする請求
    項1又は請求項2記載の撮像素子。
  4. 【請求項4】前記アンダーコート層の材料が、前記樹脂
    レンズを構成する樹脂よりエッチングレートの高い樹脂
    からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいず
    れか一項に記載の撮像素子。
  5. 【請求項5】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
    とする撮像素子の製造方法。 (a)半導体基板に光電変換素子、遮光部、平坦化層、
    カラーフィルタ、平坦化層及びアンダーコート層を形成
    した中間工程の撮像素子を作製する工程。 (b)前記アンダーコート層上に感光性材料を塗布し、
    感光性樹脂層を形成し、露光、現像処理して樹脂パター
    ンを形成する工程。 (c)前記樹脂パターンを熱フローさせて樹脂レンズを
    形成する工程。 (d)前記樹脂レンズ間の露出した前記アンダーコート
    層に凹部を形成する工程 (e)前記樹脂レンズ上に透明樹脂を塗布して、透明樹
    脂層を形成し、前記透明樹脂層をドライエッチングする
    ことにより、樹脂表面のボイド(空隙)及び厚みが、光
    の波長のおよそλ/4になるようなポーラス層を形成
    し、撮像素子を作製する工程。
  6. 【請求項6】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
    とする撮像素子の製造方法。 (a)半導体基板に光電変換素子、遮光部、平坦化層、
    カラーフィルタ、平坦化層及びアンダーコート層を形成
    した中間工程の撮像素子を作製する工程。 (b)前記アンダーコート層上に感光性材料を塗布し、
    感光性樹脂層を形成し、露光、現像処理して樹脂パター
    ンを形成する工程。 (c)前記樹脂パターンを熱フローさせて樹脂レンズを
    形成する工程。 (d)前記樹脂レンズ間の露出した前記アンダーコート
    層に凹部を形成する工程 (e)前記樹脂レンズ及び前記樹脂レンズ間の凹部に光
    吸収剤を含有する黒色樹脂を塗布し黒色樹脂層を形成し
    た後、前記樹脂レンズ上の前記黒色樹脂層を除去し、前
    記樹脂レンズ間の凹部に光吸収層を形成する工程。 (f)前記樹脂レンズ上に透明樹脂を塗布して、透明樹
    脂層を形成し、前記透明樹脂層をドライエッチングする
    ことにより、樹脂表面のボイド(空隙)及び厚みが、光
    の波長のおよそλ/4になるようなポーラス層を形成
    し、撮像素子を作製する工程。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134713A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Graphic Techno Japan Co Ltd イメージセンサ用半導体チップパッケージ及びその製造方法
WO2005013369A1 (ja) * 2003-08-01 2005-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ
JP2006053220A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Olympus Corp 反射防止部を有する部材、その成形型及び該成形型の製造方法
JP2006185947A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP2007101649A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd 光学レンズ,および,光学レンズの製造方法
JPWO2005109042A1 (ja) * 2004-05-12 2008-03-21 松下電器産業株式会社 光学素子及びその製造方法
WO2008072633A1 (ja) * 2006-12-14 2008-06-19 Panasonic Corporation レンズおよびその製造方法
EP2251715A1 (en) 2009-05-14 2010-11-17 Sony Corporation Solid-state image capture device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus
JP2012514238A (ja) * 2008-12-30 2012-06-21 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 反射防止物品及びこれを作製する方法
WO2013096264A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-27 First Solar, Inc. Photovoltaic device with an anti-reflective surface and methods of manufacturing the same
JP2016522452A (ja) * 2013-06-19 2016-07-28 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウFraunhofer−Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V. 反射防止層の製造法
US9502460B2 (en) 2014-04-18 2016-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element and method of manufacturing the same
US9908772B2 (en) 2008-12-30 2018-03-06 3M Innovative Properties Company Nanostructured articles and methods of making nanostructured articles
WO2018198886A1 (ja) * 2017-04-25 2018-11-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
JP2019080079A (ja) * 2019-02-06 2019-05-23 三菱電機株式会社 光電変換素子
CN110352490A (zh) * 2017-03-03 2019-10-18 索尼半导体解决方案公司 固态摄像元件、电子设备和半导体装置
JP2022145547A (ja) * 2021-03-18 2022-10-04 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 光学素子
JP2022189734A (ja) * 2021-06-10 2022-12-22 大立光電股▲ふん▼有限公司 カメラモジュール、電子装置及び車両工具

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201706097UA (en) 2015-01-30 2017-08-30 Toray Industries Resin composition, solid imaging element obtained using same, and process for producing same

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134713A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Graphic Techno Japan Co Ltd イメージセンサ用半導体チップパッケージ及びその製造方法
WO2005013369A1 (ja) * 2003-08-01 2005-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ
US8184373B2 (en) 2004-05-12 2012-05-22 Panasonic Corporation Optical element and method for producing the same
JPWO2005109042A1 (ja) * 2004-05-12 2008-03-21 松下電器産業株式会社 光学素子及びその製造方法
JP2006053220A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Olympus Corp 反射防止部を有する部材、その成形型及び該成形型の製造方法
JP4500667B2 (ja) * 2004-12-24 2010-07-14 富士フイルム株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JP2006185947A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP2007101649A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd 光学レンズ,および,光学レンズの製造方法
JPWO2008072633A1 (ja) * 2006-12-14 2010-04-02 パナソニック株式会社 レンズおよびその製造方法
WO2008072633A1 (ja) * 2006-12-14 2008-06-19 Panasonic Corporation レンズおよびその製造方法
KR101915868B1 (ko) * 2008-12-30 2018-11-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 반사방지 용품 및 이의 제조 방법
KR20160052746A (ko) * 2008-12-30 2016-05-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 반사방지 용품 및 이의 제조 방법
JP2012514238A (ja) * 2008-12-30 2012-06-21 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 反射防止物品及びこれを作製する方法
US9939557B2 (en) 2008-12-30 2018-04-10 3M Innovative Properties Company Antireflective articles and methods of making the same
US9908772B2 (en) 2008-12-30 2018-03-06 3M Innovative Properties Company Nanostructured articles and methods of making nanostructured articles
US9435916B2 (en) 2008-12-30 2016-09-06 3M Innovative Properties Company Antireflective articles and methods of making the same
EP2251715A1 (en) 2009-05-14 2010-11-17 Sony Corporation Solid-state image capture device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus
CN101888489A (zh) * 2009-05-14 2010-11-17 索尼公司 固体摄像器件、其制造方法以及电子装置
EP2251715B1 (en) * 2009-05-14 2013-12-11 Sony Corporation Solid-state image capture device and manufacturing method therefor
EP2662710A1 (en) 2009-05-14 2013-11-13 Sony Corporation Solid-state image capture device and manufacturing method therefor
US8355072B2 (en) 2009-05-14 2013-01-15 Sony Corporation Solid-state image capture device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus
US8902348B2 (en) 2009-05-14 2014-12-02 Sony Corporation Solid-state image capture device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus
WO2013096264A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-27 First Solar, Inc. Photovoltaic device with an anti-reflective surface and methods of manufacturing the same
JP2016522452A (ja) * 2013-06-19 2016-07-28 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウFraunhofer−Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V. 反射防止層の製造法
US9502460B2 (en) 2014-04-18 2016-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element and method of manufacturing the same
CN110352490A (zh) * 2017-03-03 2019-10-18 索尼半导体解决方案公司 固态摄像元件、电子设备和半导体装置
US11647890B2 (en) 2017-03-03 2023-05-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state image pickup element, electronic equipment, and semiconductor apparatus
WO2018198886A1 (ja) * 2017-04-25 2018-11-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
CN110419106A (zh) * 2017-04-25 2019-11-05 索尼半导体解决方案公司 成像元件和成像装置
US11482551B2 (en) 2017-04-25 2022-10-25 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging apparatus including incident light attenuating section between color filters
US11824074B2 (en) 2017-04-25 2023-11-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging apparatus including incident light attenuating section between color filters
CN110419106B (zh) * 2017-04-25 2024-03-22 索尼半导体解决方案公司 成像元件和成像装置
JP2019080079A (ja) * 2019-02-06 2019-05-23 三菱電機株式会社 光電変換素子
JP2022145547A (ja) * 2021-03-18 2022-10-04 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 光学素子
JP7395632B2 (ja) 2021-03-18 2023-12-11 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 光学素子
JP2022189734A (ja) * 2021-06-10 2022-12-22 大立光電股▲ふん▼有限公司 カメラモジュール、電子装置及び車両工具
JP7490706B2 (ja) 2021-06-10 2024-05-27 大立光電股▲ふん▼有限公司 カメラモジュール、電子装置及び車両工具

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