JP2002252083A - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】インクジェット方式で基板上に有機ＥＬ材料を
吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造
において、有効光学領域画素間および各画素内で有機Ｅ
Ｌ薄膜の膜厚を均一にする。 【解決手段】表示画素領域の周囲に、表示画素４２と同
じ形状、同ピッチのダミーバンク４３群を設け、表示画
素領域の周辺にも有機ＥＬ材料インク組成物４１を塗布
し、有機ＥＬ薄膜を形成する。
吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造
において、有効光学領域画素間および各画素内で有機Ｅ
Ｌ薄膜の膜厚を均一にする。 【解決手段】表示画素領域の周囲に、表示画素４２と同
じ形状、同ピッチのダミーバンク４３群を設け、表示画
素領域の周辺にも有機ＥＬ材料インク組成物４１を塗布
し、有機ＥＬ薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】有機エレクトロルミネッセン
ス（本明細書を通じてＥＬと記す）装置およびその製造
方法に関する。
ス（本明細書を通じてＥＬと記す）装置およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる自発発光
型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が
加速している。有機物を発光材料として用いた有機エレ
クトロルミネッセンス（本明細書を通じてＥＬと記す）
素子としては、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１
（１２）、２１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１
３ページから示されているように低分子の有機ＥＬ材料
（発光材料）を蒸着法で成膜する方法と、 Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１）、７ Ｊｕｌｙ１９９
７の３４ページから示されているように高分子の有機Ｅ
Ｌ材料を塗布する方法が主に報告されている。
型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が
加速している。有機物を発光材料として用いた有機エレ
クトロルミネッセンス（本明細書を通じてＥＬと記す）
素子としては、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１
（１２）、２１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１
３ページから示されているように低分子の有機ＥＬ材料
（発光材料）を蒸着法で成膜する方法と、 Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１）、７ Ｊｕｌｙ１９９
７の３４ページから示されているように高分子の有機Ｅ
Ｌ材料を塗布する方法が主に報告されている。
【０００３】カラー化の手段としては低分子系材料の場
合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着
し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料に
ついては、インクジェット法を用いた微細パターニング
によるカラー化が注目されている。インクジェット法に
よる有機ＥＬ素子の形成としては以下の公知例が知られ
ている。特開平７−２３５３７８、特開平１０−１２３
７７、特開平１０−１５３９６７、特開平１１−４０３
５８、特開平１１−５４２７０、特開平１１−３３９９
５７、ＵＳ００６０８７１９６である。
合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着
し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料に
ついては、インクジェット法を用いた微細パターニング
によるカラー化が注目されている。インクジェット法に
よる有機ＥＬ素子の形成としては以下の公知例が知られ
ている。特開平７−２３５３７８、特開平１０−１２３
７７、特開平１０−１５３９６７、特開平１１−４０３
５８、特開平１１−５４２７０、特開平１１−３３９９
５７、ＵＳ００６０８７１９６である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】インクジェット法は、
直径がμｍオーダーの液滴を高解像度で吐出、塗布する
ことができるため、有機ＥＬ材料の高精細パターニング
が可能である。しかしながら、基板上に塗布された微小
液体の乾燥は極めて速く、さらに、基板上の塗布領域に
おける端（上端、下端、右端、左端）では、画素領域に
塗布された微小液体から蒸発した溶媒分子分圧が低いた
め、一般的に速く乾きはじめる。また、ＴＦＴ素子によ
るアクティブ駆動を行う場合、ＴＦＴ素子領域や、配線
等の形状、配置の関係上、画素配置がＸ，Ｙ方向ともに
等間隔にできない場合があり、各画素上に塗布された液
滴の周囲で局所的な蒸発溶媒分子分圧差が生じる。この
ような画素上に塗布された有機材料液体の乾燥時間の差
は、画素内、画素間での有機薄膜の膜厚ムラを引き起こ
す。このような膜厚ムラは、輝度ムラ、発光色ムラ等の
表示ムラの原因となってしまう。
直径がμｍオーダーの液滴を高解像度で吐出、塗布する
ことができるため、有機ＥＬ材料の高精細パターニング
が可能である。しかしながら、基板上に塗布された微小
液体の乾燥は極めて速く、さらに、基板上の塗布領域に
おける端（上端、下端、右端、左端）では、画素領域に
塗布された微小液体から蒸発した溶媒分子分圧が低いた
め、一般的に速く乾きはじめる。また、ＴＦＴ素子によ
るアクティブ駆動を行う場合、ＴＦＴ素子領域や、配線
等の形状、配置の関係上、画素配置がＸ，Ｙ方向ともに
等間隔にできない場合があり、各画素上に塗布された液
滴の周囲で局所的な蒸発溶媒分子分圧差が生じる。この
ような画素上に塗布された有機材料液体の乾燥時間の差
は、画素内、画素間での有機薄膜の膜厚ムラを引き起こ
す。このような膜厚ムラは、輝度ムラ、発光色ムラ等の
表示ムラの原因となってしまう。
【０００５】そこで本発明の目的とするところは、電極
上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する
有機ＥＬ装置の製造において、画素領域に塗布された有
機ＥＬ材料溶液の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光
学領域における各画素間および画素内で輝度、発光色の
ムラの無い、均一な有機ＥＬ装置ならびに有機ＥＬ装置
の製造方法を提供することにある。
上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する
有機ＥＬ装置の製造において、画素領域に塗布された有
機ＥＬ材料溶液の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光
学領域における各画素間および画素内で輝度、発光色の
ムラの無い、均一な有機ＥＬ装置ならびに有機ＥＬ装置
の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機エレクト
ロルミネッセンス材料を含む組成物を複数の電極上に塗
布することにより各電極上に有機エレクトロルミネッセ
ンス層をそれぞれ形成する有機エレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法において、前記複数の電極によって形
成される有効光学有効光学領域が設けられ、有機エレク
トロルミネッセンス材料を含む組成物の塗布領域を前記
有効光学領域より大きくすることを特徴とする。
ロルミネッセンス材料を含む組成物を複数の電極上に塗
布することにより各電極上に有機エレクトロルミネッセ
ンス層をそれぞれ形成する有機エレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法において、前記複数の電極によって形
成される有効光学有効光学領域が設けられ、有機エレク
トロルミネッセンス材料を含む組成物の塗布領域を前記
有効光学領域より大きくすることを特徴とする。
【０００７】上記製造方法により、有効光学領域におい
て、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液体の周
囲の環境、乾燥を均一にし、各画素間及び画素内での膜
厚を均一にすることができる。なお、有機エレクトロル
ミネッセンス層とは、発光に寄与する層を指し、正孔注
入層や発光層、電子注入層などを含む。また、有効光学
領域とは、例えば有機ＥＬ装置が表示装置である場合は
有効光学領域、また有機ＥＬ装置が照明装置である場合
は照明に寄与する領域を示す。
て、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液体の周
囲の環境、乾燥を均一にし、各画素間及び画素内での膜
厚を均一にすることができる。なお、有機エレクトロル
ミネッセンス層とは、発光に寄与する層を指し、正孔注
入層や発光層、電子注入層などを含む。また、有効光学
領域とは、例えば有機ＥＬ装置が表示装置である場合は
有効光学領域、また有機ＥＬ装置が照明装置である場合
は照明に寄与する領域を示す。
【０００８】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、好ま
しくは、前記有効光学領域の周囲にも塗布領域を設ける
ことを特徴とする。
しくは、前記有効光学領域の周囲にも塗布領域を設ける
ことを特徴とする。
【０００９】上記製造方法により、有効光学領域におい
て、端の画素内液滴の乾燥が、内側の画素内液滴の乾燥
より極端に速くなることを抑えることができ、有効光学
画素間での膜厚を均一にすることができる。
て、端の画素内液滴の乾燥が、内側の画素内液滴の乾燥
より極端に速くなることを抑えることができ、有効光学
画素間での膜厚を均一にすることができる。
【００１０】また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法
は、好ましくは、前記有効光学領域の周囲に設けた塗布
領域がダミー領域であり、該ダミー領域にも有機ＥＬ材
料溶液を塗布して有機ＥＬ薄膜層を形成することを特徴
とする。
は、好ましくは、前記有効光学領域の周囲に設けた塗布
領域がダミー領域であり、該ダミー領域にも有機ＥＬ材
料溶液を塗布して有機ＥＬ薄膜層を形成することを特徴
とする。
【００１１】尚、前記ダミー領域に、前記電極と同一材
料からなる層を形成し、前記層上に、前記有機エレクト
ロルミネッセンス材料を含む組成物を塗布することが好
ましい。
料からなる層を形成し、前記層上に、前記有機エレクト
ロルミネッセンス材料を含む組成物を塗布することが好
ましい。
【００１２】上記製造方法により、有効光学領域の端の
画素においても、塗布された有機ＥＬ材料液体の周囲の
環境を均一にし、有効光学領域の端の画素内液滴の乾燥
が、内側の画素内液滴の乾燥より極端に速くなることを
抑えることができ、有効光学における各画素間での有機
ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることができる。
画素においても、塗布された有機ＥＬ材料液体の周囲の
環境を均一にし、有効光学領域の端の画素内液滴の乾燥
が、内側の画素内液滴の乾燥より極端に速くなることを
抑えることができ、有効光学における各画素間での有機
ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることができる。
【００１３】更に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法
は、好ましくは、基板上に２以上の前記有効光学領域か
らなる有効光学領域群を設け、各有効光学領域の周囲に
ダミー領域をそれぞれ設けるとともに、前記有効光学領
域群の周囲にも別のダミー領域を設けることを特徴とす
る。
は、好ましくは、基板上に２以上の前記有効光学領域か
らなる有効光学領域群を設け、各有効光学領域の周囲に
ダミー領域をそれぞれ設けるとともに、前記有効光学領
域群の周囲にも別のダミー領域を設けることを特徴とす
る。
【００１４】ここでダミー領域とは、表示や照明に関係
しない領域である。したがって、ダミー領域に形成され
る有機ＥＬ層は、発光しなくてもよいが、表示や照明に
影響を与えない程度であれば発光してもよい。
しない領域である。したがって、ダミー領域に形成され
る有機ＥＬ層は、発光しなくてもよいが、表示や照明に
影響を与えない程度であれば発光してもよい。
【００１５】上記製造方法によれば、１つの基板に２以
上の有効光学領域を設け、最終工程において各有効光学
領域を切り離して２以上の有機ＥＬ装置を製造する場合
にも、有効光学領域の端の画素に塗布された有機ＥＬ材
料液体の周囲の環境を、他の画素と同様に均一にし、端
の画素内液滴の乾燥が、内側の画素内液滴の乾燥より極
端に速くなることを抑えることができ、画素間での有機
ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることができる。これによ
り、各画素間および各画素内で輝度、発光色のムラの無
い複数個の有機ＥＬ装置を１つの基板から一度に製造す
ることができる。
上の有効光学領域を設け、最終工程において各有効光学
領域を切り離して２以上の有機ＥＬ装置を製造する場合
にも、有効光学領域の端の画素に塗布された有機ＥＬ材
料液体の周囲の環境を、他の画素と同様に均一にし、端
の画素内液滴の乾燥が、内側の画素内液滴の乾燥より極
端に速くなることを抑えることができ、画素間での有機
ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることができる。これによ
り、各画素間および各画素内で輝度、発光色のムラの無
い複数個の有機ＥＬ装置を１つの基板から一度に製造す
ることができる。
【００１６】また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法
は、好ましくは、前記有機エレクトロルミネッセンス材
料を含む組成物を塗布する場合において、塗布開始時に
はダミー領域に塗布してから有効光学領域に塗布を行
い、塗布終了時には有効光学領域に塗布した後にダミー
領域に塗布して終わることを特徴とする。
は、好ましくは、前記有機エレクトロルミネッセンス材
料を含む組成物を塗布する場合において、塗布開始時に
はダミー領域に塗布してから有効光学領域に塗布を行
い、塗布終了時には有効光学領域に塗布した後にダミー
領域に塗布して終わることを特徴とする。
【００１７】上記製造方法によれば、有機エレクトロル
ミネッセンス材料溶液の塗布を、ダミー領域から開始
し、ダミー領域で終了するので、その間の有効光学領域
における塗布を安定して行うことができる。
ミネッセンス材料溶液の塗布を、ダミー領域から開始
し、ダミー領域で終了するので、その間の有効光学領域
における塗布を安定して行うことができる。
【００１８】また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法
は、好ましくは、全塗布領域内における個々の塗布領域
が等間隔にあることを特徴とする。
は、好ましくは、全塗布領域内における個々の塗布領域
が等間隔にあることを特徴とする。
【００１９】上記製造方法により、有効光学領域におい
て、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液体の周
囲の環境、乾燥を均一にし、各画素間及び画素内での有
機ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることができる。
て、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液体の周
囲の環境、乾燥を均一にし、各画素間及び画素内での有
機ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることができる。
【００２０】また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法
は、好ましくは、隣接する前記電極を等間隔で配置する
ことを特徴とする。上記製造方法により、有効光学領域
において、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液
体の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光学画素間及び
各画素内での有機ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることが
できる。
は、好ましくは、隣接する前記電極を等間隔で配置する
ことを特徴とする。上記製造方法により、有効光学領域
において、有効光学領域内に塗布された有機ＥＬ材料液
体の周囲の環境、乾燥を均一にし、有効光学画素間及び
各画素内での有機ＥＬ薄膜層の膜厚を均一にすることが
できる。
【００２１】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、複数
の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミネッセン
ス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレクトロル
ミネッセンス装置の製造方法であって、前記有効光学領
域となるべき領域と、前記有効光学領域となるべき領域
外とに、前記エレクトロルミネッセンス層を形成するこ
とを特徴とする。
の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミネッセン
ス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレクトロル
ミネッセンス装置の製造方法であって、前記有効光学領
域となるべき領域と、前記有効光学領域となるべき領域
外とに、前記エレクトロルミネッセンス層を形成するこ
とを特徴とする。
【００２２】また本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、
複数の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミネッ
センス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記有効光
学領域となるべき領域における、前記電極が形成されて
いない領域に有機エレクトロルミネッセンス層を形成す
ることを特徴とする。
複数の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミネッ
センス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記有効光
学領域となるべき領域における、前記電極が形成されて
いない領域に有機エレクトロルミネッセンス層を形成す
ることを特徴とする。
【００２３】更に、本発明によれば、上記方法により製
造される有機ＥＬ装置が提供される。かかる有機ＥＬ装
置では、有効光学領域における各画素間および画素内で
輝度、発光色のムラの無い、均一なＥＬ表示が実現され
る。
造される有機ＥＬ装置が提供される。かかる有機ＥＬ装
置では、有効光学領域における各画素間および画素内で
輝度、発光色のムラの無い、均一なＥＬ表示が実現され
る。
【００２４】次に本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、複数の電極を有し、前記複数の電極上にそれぞれ有
機ＥＬ層が形成されてなる有機エレクトロルミネッセン
ス装置であって、前記複数の電極によって形成された有
効光学領域と、前記有効光学領域の周囲に、前記有機エ
レクトロルミネッセンス層が形成されてなるダミー領域
を含むことを特徴とする。
は、複数の電極を有し、前記複数の電極上にそれぞれ有
機ＥＬ層が形成されてなる有機エレクトロルミネッセン
ス装置であって、前記複数の電極によって形成された有
効光学領域と、前記有効光学領域の周囲に、前記有機エ
レクトロルミネッセンス層が形成されてなるダミー領域
を含むことを特徴とする。
【００２５】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記複数の電極の間にバンク層を有してなり、前記
ダミー領域において、前記有機ＥＬ層は前記バンク層と
同一材料からなる層の上方に配置されてなることを特徴
とする。
は、前記複数の電極の間にバンク層を有してなり、前記
ダミー領域において、前記有機ＥＬ層は前記バンク層と
同一材料からなる層の上方に配置されてなることを特徴
とする。
【００２６】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記バンク層は、無機物バンク層及び有機物バンク
層とを含み、前記ダミー領域において、前記有機ＥＬ層
は前記無機物バンク層と同一材料からなる層の上方に配
置されてなることを特徴とする。
は、前記バンク層は、無機物バンク層及び有機物バンク
層とを含み、前記ダミー領域において、前記有機ＥＬ層
は前記無機物バンク層と同一材料からなる層の上方に配
置されてなることを特徴とする。
【００２７】また、前記ダミー領域に形成された前記有
機エレクトロルミネッセンス層の間に、前記バンク層が
形成されてなることが好ましい。
機エレクトロルミネッセンス層の間に、前記バンク層が
形成されてなることが好ましい。
【００２８】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記ダミー領域において、前記有機ＥＬ層は前記有
機物バンク層と同一材料からなる層の上方に配置されて
なることを特徴とする。
は、前記ダミー領域において、前記有機ＥＬ層は前記有
機物バンク層と同一材料からなる層の上方に配置されて
なることを特徴とする。
【００２９】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記ダミー領域において、前記有機ＥＬ層は前記電
極と同一材料からなる層の上方に配置されてなることを
特徴とする。
は、前記ダミー領域において、前記有機ＥＬ層は前記電
極と同一材料からなる層の上方に配置されてなることを
特徴とする。
【００３０】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において、隣
接する前記有機ＥＬ層の間隔が等しいことを特徴とす
る。
は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において、隣
接する前記有機ＥＬ層の間隔が等しいことを特徴とす
る。
【００３１】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記ダミー領域に形成された有機エレクトロルミネ
ッセンス層の間には、前記バンク層が形成されてなるこ
とを特徴とする。
は、前記ダミー領域に形成された有機エレクトロルミネ
ッセンス層の間には、前記バンク層が形成されてなるこ
とを特徴とする。
【００３２】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において、隣
接する前記有機エレクトロルミネッセンス層の間隔が等
しいことを特徴とする。
は、前記有効光学領域及び前記ダミー領域において、隣
接する前記有機エレクトロルミネッセンス層の間隔が等
しいことを特徴とする。
【００３３】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、前記有効光学領域と前記ダミー領域との、前記基板
の上方の断面構造がほぼ等しいことを特徴とする。
は、前記有効光学領域と前記ダミー領域との、前記基板
の上方の断面構造がほぼ等しいことを特徴とする。
【００３４】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、複数の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミ
ネッセンス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレ
クトロルミネッセンス装置であって、前記有効光学領域
となるべき領域と、前記有効光学領域となるべき領域外
とに、前記エレクトロルミネッセンス層が形成されてな
ることを特徴とする。
は、複数の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミ
ネッセンス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレ
クトロルミネッセンス装置であって、前記有効光学領域
となるべき領域と、前記有効光学領域となるべき領域外
とに、前記エレクトロルミネッセンス層が形成されてな
ることを特徴とする。
【００３５】また本発明の有機ＥＬ装置は、好ましく
は、複数の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミ
ネッセンス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレ
クトロルミネッセンス装置であって、前記有効光学領域
となるべき領域における、前記電極が形成されていない
領域に有機エレクトロルミネッセンス層が形成されてな
ることを特徴とする。
は、複数の電極と、前記各電極上に有機エレクトロルミ
ネッセンス層とを含む有効光学領域、を有する有機エレ
クトロルミネッセンス装置であって、前記有効光学領域
となるべき領域における、前記電極が形成されていない
領域に有機エレクトロルミネッセンス層が形成されてな
ることを特徴とする。
【００３６】また本発明によれば、上記の有機ＥＬ装置
を具備してなる電子機器が提供される。かかる電子機器
によれば、各画素間および画素内で輝度、発光色のムラ
の無い、均一なＥＬ表示や照明が実現される。
を具備してなる電子機器が提供される。かかる電子機器
によれば、各画素間および画素内で輝度、発光色のムラ
の無い、均一なＥＬ表示や照明が実現される。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。なお、有機ＥＬ装置を表示装置として
用いた例を示す。
用いて説明する。なお、有機ＥＬ装置を表示装置として
用いた例を示す。
【００３８】インクジェット方式による有機ＥＬ装置の
製造方法とは、画素を形成する有機物からなる正孔注入
層材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させた
インク組成物を、インクジェットヘッドから吐出させて
透明電極上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層な
らびに発光層を形成する方法である。吐出されたインク
滴を精度よく所定の画素領域にパターニング塗布する為
に、画素領域を仕切る隔壁（以下バンク）を設けるのが
通常である。
製造方法とは、画素を形成する有機物からなる正孔注入
層材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させた
インク組成物を、インクジェットヘッドから吐出させて
透明電極上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層な
らびに発光層を形成する方法である。吐出されたインク
滴を精度よく所定の画素領域にパターニング塗布する為
に、画素領域を仕切る隔壁（以下バンク）を設けるのが
通常である。
【００３９】図１はインクジェット方式による有機ＥＬ
表示の製造に用いられる基板構造の一例の断面図を示し
たものである。ガラス基板１０上に薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１１を有する回路素子部１１’が形成され、
この回路素子部１１’上にＩＴＯからなる透明電極１２
がパターンニングされている。更に、透明電極１２を区
画する領域にＳｉＯ2バンク１３と撥インク性あるいは
撥インク化された有機物からなる有機物バンク１４とが
積層されている。バンクの形状つまり画素の開口形は、
円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わないが、イン
ク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸み
を帯びているほうが好ましい。有機物バンク１４の材料
は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地基板との密
着性にすぐれたものであれば、特に限定されるものでは
ない。有機物バンク１４は、元来撥液性を備えた材料、
例えば、フッ素系樹脂でなくても、通常用いられる、ア
クリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形
成し、ＣＦ4プラズマ処理等により表面を撥液化しても
よい。バンクは、上述したような無機物と有機物とが積
層されてなるものに限らないが、例えば透明電極１４が
ＩＴＯからなる場合は、透明電極１４との密着性を上げ
るために、ＳｉＯ2バンク１３がある方が好ましい。有
機物バンク１４の高さは、１〜２μｍ程度あれば十分で
ある。
表示の製造に用いられる基板構造の一例の断面図を示し
たものである。ガラス基板１０上に薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１１を有する回路素子部１１’が形成され、
この回路素子部１１’上にＩＴＯからなる透明電極１２
がパターンニングされている。更に、透明電極１２を区
画する領域にＳｉＯ2バンク１３と撥インク性あるいは
撥インク化された有機物からなる有機物バンク１４とが
積層されている。バンクの形状つまり画素の開口形は、
円形、楕円、四角、いずれの形状でも構わないが、イン
ク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸み
を帯びているほうが好ましい。有機物バンク１４の材料
は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地基板との密
着性にすぐれたものであれば、特に限定されるものでは
ない。有機物バンク１４は、元来撥液性を備えた材料、
例えば、フッ素系樹脂でなくても、通常用いられる、ア
クリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形
成し、ＣＦ4プラズマ処理等により表面を撥液化しても
よい。バンクは、上述したような無機物と有機物とが積
層されてなるものに限らないが、例えば透明電極１４が
ＩＴＯからなる場合は、透明電極１４との密着性を上げ
るために、ＳｉＯ2バンク１３がある方が好ましい。有
機物バンク１４の高さは、１〜２μｍ程度あれば十分で
ある。
【００４０】次に、図２を参照して、インクジェット方
式による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を各工程の断面
構造に沿って説明する。
式による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を各工程の断面
構造に沿って説明する。
【００４１】図２（Ａ）において、バンク構造を有する
画素基板にインクジェット方式により有機ＥＬ材料を含
む溶液（インク組成物）をパターン塗布し、有機ＥＬ薄
膜を形成する。有機ＥＬ材料インク組成物１５をインク
ジェットヘッド１６から吐出し、同図（Ｂ）に示すよう
に着弾させ、パターン塗布する。塗布後、真空およびま
たは熱処理あるいは窒素ガスなどのフローにより溶媒を
除去し、有機ＥＬ薄膜層１７を形成する（同図
（Ｃ））。この有機ＥＬ薄膜層１７は、例えば正孔注入
層及び発光層からなる積層膜である。
画素基板にインクジェット方式により有機ＥＬ材料を含
む溶液（インク組成物）をパターン塗布し、有機ＥＬ薄
膜を形成する。有機ＥＬ材料インク組成物１５をインク
ジェットヘッド１６から吐出し、同図（Ｂ）に示すよう
に着弾させ、パターン塗布する。塗布後、真空およびま
たは熱処理あるいは窒素ガスなどのフローにより溶媒を
除去し、有機ＥＬ薄膜層１７を形成する（同図
（Ｃ））。この有機ＥＬ薄膜層１７は、例えば正孔注入
層及び発光層からなる積層膜である。
【００４２】この際、有効光学領域（表示に関係する画
素が形成された領域）の端の表示画素では周囲にインク
滴が塗布されていないため、インク溶媒分子分圧が内側
の画素上より低くなって溶媒が速く乾燥し、例えば、図
２（Ｃ）に示したような、膜厚差が表示画素間で生じて
しまう場合がある。
素が形成された領域）の端の表示画素では周囲にインク
滴が塗布されていないため、インク溶媒分子分圧が内側
の画素上より低くなって溶媒が速く乾燥し、例えば、図
２（Ｃ）に示したような、膜厚差が表示画素間で生じて
しまう場合がある。
【００４３】そこで、各画素に塗布された液滴を均一に
乾燥するためには、有効光学領域の周囲にもインク組成
物を吐出、塗布し、有効光学領域に塗布された各液滴に
対して同じ環境をつくることが好ましい。より同じ環境
を構築するためには、インクジェットによる有機材料の
塗布領域を有効光学領域より大きくし、例えば、有効光
学領域の周囲に表示画素と同じ形状のバンク構造を有す
るダミー領域（表示に関係しないダミー画素が形成され
た領域）を設置することがより好ましい。
乾燥するためには、有効光学領域の周囲にもインク組成
物を吐出、塗布し、有効光学領域に塗布された各液滴に
対して同じ環境をつくることが好ましい。より同じ環境
を構築するためには、インクジェットによる有機材料の
塗布領域を有効光学領域より大きくし、例えば、有効光
学領域の周囲に表示画素と同じ形状のバンク構造を有す
るダミー領域（表示に関係しないダミー画素が形成され
た領域）を設置することがより好ましい。
【００４４】また、有効光学領域の画素間におけるイン
ク組成物の乾燥をより均一にするためには有効光学領域
での個々の塗布領域が等間隔であることが望ましい。そ
のためには画素も等間隔で配置されていることが好まし
い。ＴＦＴや配線等の設置により各画素間隔が、Ｘ方向
とＹ方向で異なる設計になる場合は、間隔のより広い画
素間に、塗布領域の間隔が等しくなるようにインク滴を
吐出すればよい。該画素間に画素部と同じ形状のバンク
構造を形成したダミー画素を設置できればより好まし
い。画素の形状は、円、正方形のような点対称の形状で
なくても、長方形、トラック形、楕円形でもよい。長方
形、トラック形のような画素が、Ｘ方向とＹ方向で異な
る間隔で配置されている場合は、画素部と同じ形状をも
たなくても、画素間隔の広い領域に、塗布領域が同間隔
になるように塗布領域を形成しても効果はある。
ク組成物の乾燥をより均一にするためには有効光学領域
での個々の塗布領域が等間隔であることが望ましい。そ
のためには画素も等間隔で配置されていることが好まし
い。ＴＦＴや配線等の設置により各画素間隔が、Ｘ方向
とＹ方向で異なる設計になる場合は、間隔のより広い画
素間に、塗布領域の間隔が等しくなるようにインク滴を
吐出すればよい。該画素間に画素部と同じ形状のバンク
構造を形成したダミー画素を設置できればより好まし
い。画素の形状は、円、正方形のような点対称の形状で
なくても、長方形、トラック形、楕円形でもよい。長方
形、トラック形のような画素が、Ｘ方向とＹ方向で異な
る間隔で配置されている場合は、画素部と同じ形状をも
たなくても、画素間隔の広い領域に、塗布領域が同間隔
になるように塗布領域を形成しても効果はある。
【００４５】尚、本発明は、有機ＥＬ装置の表示用途だ
けでなく、有機ＥＬ素子を発光源として用いる発光装
置、照明装置に適用することができる。
けでなく、有機ＥＬ素子を発光源として用いる発光装
置、照明装置に適用することができる。
【００４６】以下、実施例を参照して本発明を更に、具
体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるもので
はない。
体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるもので
はない。
【００４７】（実施例１）本実施例に用いた基板は、直
径３０μｍ径の円形画素が、Ｘ、Ｙ方向ともに７０．５
μｍピッチで配置された2インチＴＦＴ基板である。こ
のＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。図３（Ａ）にＴＦＴ基板右端側の一
部の断面図（Ｘ方向）を示す。回路素子部２６’上にＩ
ＴＯからなる透明電極２７が形成され、この透明電極２
７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバ
ンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に
形成されている。ＳｉＯ2バンク２８はＴＥＯＳ（tetra
ethylorthosilicate）をＣＶＤで１５０ｎｍ形成しフォ
トエッチングでパターン形成される。更にその上に感光
性ポリイミドを塗布し、露光、現像により、膜厚２μｍ
のポリイミドバンク２９が形成される。なお、このバン
クを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
径３０μｍ径の円形画素が、Ｘ、Ｙ方向ともに７０．５
μｍピッチで配置された2インチＴＦＴ基板である。こ
のＴＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。図３（Ａ）にＴＦＴ基板右端側の一
部の断面図（Ｘ方向）を示す。回路素子部２６’上にＩ
ＴＯからなる透明電極２７が形成され、この透明電極２
７を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバ
ンク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に
形成されている。ＳｉＯ2バンク２８はＴＥＯＳ（tetra
ethylorthosilicate）をＣＶＤで１５０ｎｍ形成しフォ
トエッチングでパターン形成される。更にその上に感光
性ポリイミドを塗布し、露光、現像により、膜厚２μｍ
のポリイミドバンク２９が形成される。なお、このバン
クを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
【００４８】また、図３において、透明電極２７が形成
されている領域が有効光学領域Ａであり、ＳｉＯ2バン
ク２８及びポリイミドバンク２９により透明電極２７が
区画されていない領域がダミー領域Ｂである。
されている領域が有効光学領域Ａであり、ＳｉＯ2バン
ク２８及びポリイミドバンク２９により透明電極２７が
区画されていない領域がダミー領域Ｂである。
【００４９】インクジェット塗布前に、大気圧プラズマ
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理する。
大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３０
０Ｗ、電極−基板間距離１ｍｍ、酸素プラズマ処理で
は、酸素ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流
量１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速度１０ｍｍ/ｓで行
い、続けてＣＦ4プラズマ処理では、 ＣＦ4ガス流量１
００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量１０ｌ／ｍｉｎ、
テーブル搬送速度３ｍｍ/ｓの往復で行う。
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理する。
大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３０
０Ｗ、電極−基板間距離１ｍｍ、酸素プラズマ処理で
は、酸素ガス流量１００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流
量１０ｌ／ｍｉｎ、テーブル搬送速度１０ｍｍ/ｓで行
い、続けてＣＦ4プラズマ処理では、 ＣＦ4ガス流量１
００ｍｌ／ｍｉｎ、ヘリウムガス流量１０ｌ／ｍｉｎ、
テーブル搬送速度３ｍｍ/ｓの往復で行う。
【００５０】正孔注入層材料としてバイエル社のバイト
ロン（登録商標）を用い、極性溶剤であるイソプロピル
アルコール，Ｎ−メチルピロリドン，１，３−ジメチル
ー２−イミダゾリジノンで分散させたインク組成物３０
を調製し、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチでインク
ジェットヘッド（エプソン製ＭＪ−９３０Ｃ）から吐
出、塗布する。その際、表示画素の周囲に上下、左右３
０ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。図３（Ｂ）
に正孔注入層材料インク組成物３０をパターン塗布した
後の、基板右端側の一部の断面図を示す。有効光学領域
Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２
７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材
料インク組成物３０がポリイミドバンク２９上に塗布さ
れている。次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐ
ａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、その
後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の
熱処理により、図３（Ｃ）に示すように正孔注入層３１
を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な
正孔注入層３１を形成することができる。
ロン（登録商標）を用い、極性溶剤であるイソプロピル
アルコール，Ｎ−メチルピロリドン，１，３−ジメチル
ー２−イミダゾリジノンで分散させたインク組成物３０
を調製し、Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチでインク
ジェットヘッド（エプソン製ＭＪ−９３０Ｃ）から吐
出、塗布する。その際、表示画素の周囲に上下、左右３
０ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。図３（Ｂ）
に正孔注入層材料インク組成物３０をパターン塗布した
後の、基板右端側の一部の断面図を示す。有効光学領域
Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電極２
７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材
料インク組成物３０がポリイミドバンク２９上に塗布さ
れている。次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐ
ａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、その
後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の
熱処理により、図３（Ｃ）に示すように正孔注入層３１
を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な
正孔注入層３１を形成することができる。
【００５１】次に、発光層として、赤色、緑色、青色に
発光するポリフルオレン系材料を用いて、赤色発光層用
インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青
色発光層用インク組成物３４を3種類調製する。インク
溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンを用いた。図３
（Ｃ）に示すように、これらのインク組成物３２、３
３、３４をインクジェットヘッドから吐出させ、Ｘ方向
に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッ
チでパターン塗布した。その際、ダミー領域Ｂに上下、
左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。
発光するポリフルオレン系材料を用いて、赤色発光層用
インク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青
色発光層用インク組成物３４を3種類調製する。インク
溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンを用いた。図３
（Ｃ）に示すように、これらのインク組成物３２、３
３、３４をインクジェットヘッドから吐出させ、Ｘ方向
に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッ
チでパターン塗布した。その際、ダミー領域Ｂに上下、
左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出する。
【００５２】次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７が
形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な
発光層３５、３６、３７を形成することができる。
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７が
形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な
発光層３５、３６、３７を形成することができる。
【００５３】発光層形成後、図３（Ｄ）に示すように、
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
【００５４】こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
た。
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
た。
【００５５】（実施例２）本実施例では、図４に示すよ
うに、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミ
ー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。このＴＦＴ基
板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成
されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成
されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる
透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切
るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９
の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成され
ている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４
２が形成されている。
うに、実施例１と同様に、有効光学領域Ａの周囲にダミ
ー領域Ｂを配置したＴＦＴ基板を用いた。このＴＦＴ基
板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上に形成
されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とから構成
されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯからなる
透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７を仕切
るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバンク２９
の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形成され
ている。このようにして、有効光学領域Ａに表示画素４
２が形成されている。
【００５６】また、ダミー領域Ｂには、ＳｉＯ2バンク
から延びるＳｉＯ2膜２８’が設けられるとともに、こ
のＳｉＯ2膜２８’上に表示画素４２と同じ形状、同ピ
ッチでポリイミドバンク４０が設けられてなるダミー画
素４３が形成されている。図４（Ａ）に基板右端側の一
部の断面図を示す。
から延びるＳｉＯ2膜２８’が設けられるとともに、こ
のＳｉＯ2膜２８’上に表示画素４２と同じ形状、同ピ
ッチでポリイミドバンク４０が設けられてなるダミー画
素４３が形成されている。図４（Ａ）に基板右端側の一
部の断面図を示す。
【００５７】実施例１と同じ、正孔注入層用インク組成
物４１を７０．５μｍピッチで、表示画素４２ならびに
ダミー画素４３にパターニング塗布した様子を図４
（Ｂ）に示す。実施例１と同様に乾燥、熱処理して形成
された表示画素４２の正孔注入層の膜厚は均一であっ
た。
物４１を７０．５μｍピッチで、表示画素４２ならびに
ダミー画素４３にパターニング塗布した様子を図４
（Ｂ）に示す。実施例１と同様に乾燥、熱処理して形成
された表示画素４２の正孔注入層の膜厚は均一であっ
た。
【００５８】次に、実施例１同様にポリフルオレン系材
料からなる発光層インク組成物を表示画素４２ならびに
ダミー画素４３にパターニング塗布し、乾燥により形成
された発光層膜厚は、表示画素４２内で均一であった。
陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、表
示画素４２を含む有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラの
ない表示の均一なものであった。
料からなる発光層インク組成物を表示画素４２ならびに
ダミー画素４３にパターニング塗布し、乾燥により形成
された発光層膜厚は、表示画素４２内で均一であった。
陰極形成、封止を行いできあがった有機ＥＬ装置は、表
示画素４２を含む有効光学領域Ａで輝度ムラ、色ムラの
ない表示の均一なものであった。
【００５９】（実施例３）本実施例では、実施例１と同
様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置した
ＴＦＴ基板を用いた。図５（Ａ）に示すように、このＴ
ＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯか
らなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７
を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバン
ク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形
成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示
画素４２が形成されている。また、ダミー領域Ｂにおけ
る回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、
同ピッチでポリイミドバンク２９のみが形成されなるダ
ミー画素４４が設けられている。図５（Ａ）は基板右端
側の一部の断面図である。
様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置した
ＴＦＴ基板を用いた。図５（Ａ）に示すように、このＴ
ＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯか
らなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７
を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバン
ク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形
成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示
画素４２が形成されている。また、ダミー領域Ｂにおけ
る回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、
同ピッチでポリイミドバンク２９のみが形成されなるダ
ミー画素４４が設けられている。図５（Ａ）は基板右端
側の一部の断面図である。
【００６０】次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理する。
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理する。
【００６１】次に、図５（Ｂ）に示すように、実施例１
と同様に、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を、
Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチで表示画素４２なら
びにダミー画素４４にパターニング塗布する。有効光学
領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電
極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布さ
れている。
と同様に、正孔注入層材料を含むインク組成物３０を、
Ｘ，Ｙ方向とも７０．５μｍピッチで表示画素４２なら
びにダミー画素４４にパターニング塗布する。有効光学
領域Ａでは、正孔注入層材料インク組成物３０が透明電
極２７上に塗布され、一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が回路素子部２６’上に塗布さ
れている。
【００６２】次に、真空中（１ｔｏｒｒ（133.3Ｐ
ａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、その
後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の
熱処理により、図５（Ｃ）に示すような正孔注入層３１
が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一
な正孔注入層３１を形成することができる。
ａ））、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、その
後、窒素中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の
熱処理により、図５（Ｃ）に示すような正孔注入層３１
が形成される。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一
な正孔注入層３１を形成することができる。
【００６３】次に、実施例１と同様に、赤色発光層用イ
ンク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色
発光層用インク組成物３４を３種類調製し、図５（Ｃ）
に示すように、これらのインク組成物３２、３３、３４
をインクジェットヘッドから吐出させ、それぞれＸ方向
に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッ
チでパターン塗布する。その際、ダミー領域Ｂに上下、
左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが
好ましい。
ンク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色
発光層用インク組成物３４を３種類調製し、図５（Ｃ）
に示すように、これらのインク組成物３２、３３、３４
をインクジェットヘッドから吐出させ、それぞれＸ方向
に２１１．５μｍピッチ、Ｙ方向には７０．５μｍピッ
チでパターン塗布する。その際、ダミー領域Ｂに上下、
左右２１ラインずつ余計に同じピッチで吐出することが
好ましい。
【００６４】次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を
形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発
光層３５、３６、３７を形成することができる。
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を
形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発
光層３５、３６、３７を形成することができる。
【００６５】発光層形成後、図５（Ｄ）に示すように、
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
【００６６】こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
【００６７】（実施例４）本実施例では、実施例１と同
様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置した
ＴＦＴ基板を用いた。図６（Ａ）に示すように、このＴ
ＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯか
らなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７
を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバン
ク２９の２層からなるバンクが形成されている。このよ
うにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されて
いる。
様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置した
ＴＦＴ基板を用いた。図６（Ａ）に示すように、このＴ
ＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯか
らなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７
を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバン
ク２９の２層からなるバンクが形成されている。このよ
うにして、有効光学領域Ａに表示画素４２が形成されて
いる。
【００６８】また、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２
６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピッチでＳｉ
Ｏ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層される
ことによりダミー画素４５が設けられている。図６
（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
６’上には、表示画素４２と同じ形状、同ピッチでＳｉ
Ｏ2バンク２８とポリイミドバンク２９とが積層される
ことによりダミー画素４５が設けられている。図６
（Ａ）は基板右端側の一部の断面図である。
【００６９】次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理し、更
に図６（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むイン
ク組成物３０を表示画素４２ならびにダミー画素４５に
パターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、
一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３
０が回路素子部２６’上に塗布される。
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理し、更
に図６（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むイン
ク組成物３０を表示画素４２ならびにダミー画素４５に
パターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、
一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３
０が回路素子部２６’上に塗布される。
【００７０】次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材
料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実施例１同じ
条件で熱処理を行い、図６（Ｃ）に示すような正孔注入
層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の
均一な正孔注入層３１を形成することができる。
料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実施例１同じ
条件で熱処理を行い、図６（Ｃ）に示すような正孔注入
層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の
均一な正孔注入層３１を形成することができる。
【００７１】次に、実施例１と同様に、赤色発光層用イ
ンク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色
発光層用インク組成物３４を調製し、図６（Ｃ）に示す
ように、各インク組成物３２、３３、３４をインクジェ
ットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピ
ッチで吐出する。
ンク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色
発光層用インク組成物３４を調製し、図６（Ｃ）に示す
ように、各インク組成物３２、３３、３４をインクジェ
ットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピ
ッチで吐出する。
【００７２】次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を
形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発
光層３５、３６、３７を形成することができる。
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を
形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発
光層３５、３６、３７を形成することができる。
【００７３】発光層形成後、図６（Ｄ）に示すように、
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
【００７４】こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
【００７５】（実施例５）本実施例では、実施例１と同
様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置した
ＴＦＴ基板を用いた。図７（Ａ）に示すように、このＴ
ＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯか
らなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７
を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバン
ク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形
成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示
画素４２が形成されている。また、ダミー領域Ｂにおけ
る回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、
同ピッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９
とが積層されることによりダミー画素４６が設けられて
いる。尚、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’には
ＴＦＴ２６が設けられていない。図７（Ａ）に基板右端
側の一部の断面図を示す。
様に、有効光学領域Ａの周囲にダミー領域Ｂを配置した
ＴＦＴ基板を用いた。図７（Ａ）に示すように、このＴ
ＦＴ基板は、ガラス基板２５と、このガラス基板２５上
に形成されたＴＦＴ２６を有する回路素子部２６’とか
ら構成されている。また回路素子部２６’上にＩＴＯか
らなる透明電極２７が形成され、更にこの透明電極２７
を仕切るようにＳｉＯ2バンク２８及びポリイミドバン
ク２９の２層からなるバンクが回路素子部２６’上に形
成されている。このようにして、有効光学領域Ａに表示
画素４２が形成されている。また、ダミー領域Ｂにおけ
る回路素子部２６’上には、表示画素４２と同じ形状、
同ピッチでＳｉＯ2バンク２８とポリイミドバンク２９
とが積層されることによりダミー画素４６が設けられて
いる。尚、ダミー領域Ｂにおける回路素子部２６’には
ＴＦＴ２６が設けられていない。図７（Ａ）に基板右端
側の一部の断面図を示す。
【００７６】次に、実施例１と同様に、大気圧プラズマ
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理し、更
に図７（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むイン
ク組成物３０を表示画素４２ならびにダミー画素４６に
パターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、
一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３
０が回路素子部２６’上に塗布されている。
処理によりポリイミドバンク２９を撥インク処理し、更
に図７（Ｂ）に示すように、正孔注入層材料を含むイン
ク組成物３０を表示画素４２ならびにダミー画素４６に
パターニング塗布する。有効光学領域Ａでは、正孔注入
層材料インク組成物３０が透明電極２７上に塗布され、
一方ダミー領域Ｂでは、正孔注入層材料インク組成物３
０が回路素子部２６’上に塗布されている。
【００７７】次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材
料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実施例１と同
じ条件で熱処理を行い、図７（Ｃ）に示すような正孔注
入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚
の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
料インク組成物３０の溶媒を除去し、更に実施例１と同
じ条件で熱処理を行い、図７（Ｃ）に示すような正孔注
入層３１を形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚
の均一な正孔注入層３１を形成することができる。
【００７８】次に、実施例１と同様に、赤色発光層用イ
ンク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色
発光層用インク組成物３４を調製し、図７（Ｃ）に示す
ように、各インク組成物３２、３３、３４をインクジェ
ットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピ
ッチで吐出することが好ましい。
ンク組成物３２、緑色発光層用インク組成物３３、青色
発光層用インク組成物３４を調製し、図７（Ｃ）に示す
ように、各インク組成物３２、３３、３４をインクジェ
ットヘッドから吐出させてパターン塗布する。その際、
ダミー領域Ｂに上下、左右２１ラインずつ余計に同じピ
ッチで吐出することが好ましい。
【００７９】次に、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を
形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発
光層３５、３６、３７を形成することができる。
０℃、５分での熱処理により発光層３５，３６，３７を
形成する。有効光学領域Ａにおいては、膜厚の均一な発
光層３５、３６、３７を形成することができる。
【００８０】発光層形成後、図７（Ｄ）に示すように、
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
陰極３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍのＣａ層
及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形成し、
最後にエポキシ樹脂３９により封止を行う。
【００８１】こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
【００８２】また、ダミー画素４６は、透明電極２７
と、この透明電極２７を区画するＳｉＯ2バンク２８及
びポリイミドバンク２９が設けられて構成されており、
ＴＦＴ２６が設けられない点を除いて表示画素４２と同
じ構成なので、ダミー画素４６に塗布した正孔注入層材
料インク組成物３０を、表示画素４２に塗布した場合と
同じ条件で乾燥させることができ、これにより有効光学
領域Ａには、膜厚がより均一な正孔注入層３１を形成す
ることができ、輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有
機ＥＬ装置を得ることができる。
と、この透明電極２７を区画するＳｉＯ2バンク２８及
びポリイミドバンク２９が設けられて構成されており、
ＴＦＴ２６が設けられない点を除いて表示画素４２と同
じ構成なので、ダミー画素４６に塗布した正孔注入層材
料インク組成物３０を、表示画素４２に塗布した場合と
同じ条件で乾燥させることができ、これにより有効光学
領域Ａには、膜厚がより均一な正孔注入層３１を形成す
ることができ、輝度ムラ、色ムラのない均一な表示の有
機ＥＬ装置を得ることができる。
【００８３】（実施例６）本実施例に用いた基板の表示
画素領域とダミー画素領域の一部を図８（Ａ）に示す。
図８（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子
は示してない。直径６０μｍの円形画素５０が横（Ｘ）
方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２４０μｍピッ
チで配列されている。縦方向ラインの表示画素間には、
８０μｍピッチで６０μｍ径のダミーバンク画素５１が
有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素
５２が、上下、左右、３０ライン分、同じく８０μｍピ
ッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、Ｓ
ｉＯ2バンク５３とポリイミドバンク５４との積層バン
クで区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断
面構造は、実施例１または２と同様である。
画素領域とダミー画素領域の一部を図８（Ａ）に示す。
図８（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子
は示してない。直径６０μｍの円形画素５０が横（Ｘ）
方向に８０μｍピッチで、縦(Ｙ)方向に２４０μｍピッ
チで配列されている。縦方向ラインの表示画素間には、
８０μｍピッチで６０μｍ径のダミーバンク画素５１が
有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素
５２が、上下、左右、３０ライン分、同じく８０μｍピ
ッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、Ｓ
ｉＯ2バンク５３とポリイミドバンク５４との積層バン
クで区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断
面構造は、実施例１または２と同様である。
【００８４】実施例１同様の正孔注入層材料インク組成
物５５を表示画素５０ならびにダミー画素５１，５２
に、すべて８０μｍピッチでパターン塗布した様子を図
８（Ｂ）に示す。実施例１同様に正孔注入層を形成し、
発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３
種類５６，５７，５８をそれぞれ縦８０μｍピッチ、横
２４０μｍピッチでパターン塗布し、乾燥により発光層
を積層成膜した。発光層インク組成物のパターン塗布の
様子を図８（Ｃ）に示す。陰極形成、封止を行いできあ
がった有機ＥＬ装置は、有効光学領域で輝度ムラ、色ム
ラのない表示の均一なものであった。
物５５を表示画素５０ならびにダミー画素５１，５２
に、すべて８０μｍピッチでパターン塗布した様子を図
８（Ｂ）に示す。実施例１同様に正孔注入層を形成し、
発光層においても、実施例１と同じ、発光層組成物を３
種類５６，５７，５８をそれぞれ縦８０μｍピッチ、横
２４０μｍピッチでパターン塗布し、乾燥により発光層
を積層成膜した。発光層インク組成物のパターン塗布の
様子を図８（Ｃ）に示す。陰極形成、封止を行いできあ
がった有機ＥＬ装置は、有効光学領域で輝度ムラ、色ム
ラのない表示の均一なものであった。
【００８５】（実施例７）本実施例に用いた基板の有効
光学領域とダミー領域の一部を図９（Ａ）に示す。図９
（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示
してない。横幅５０μｍ、縦幅２００μｍの長方（角は
丸み）形画素６０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、
縦(Ｙ)方向に２９０μｍピッチで配列されている。横方
向の画素間間隔は３０μｍ、縦方向の画素間間隔は９０
μｍである。表示画素６０…の周囲には、同じ形状のダ
ミー画素６１が、上下、左右、３０ライン分、同じく８
０μｍ、２９０μｍピッチで形成されている。表示画素
６０は、これまで同様、ＳｉＯ2６２，ポリイミド６３
の積層バンクにより区画されてなり、画素径、ピッチ以
外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様であ
る。
光学領域とダミー領域の一部を図９（Ａ）に示す。図９
（Ａ）は基板の平面図であり、ここではＴＦＴ素子は示
してない。横幅５０μｍ、縦幅２００μｍの長方（角は
丸み）形画素６０が横（Ｘ）方向に８０μｍピッチで、
縦(Ｙ)方向に２９０μｍピッチで配列されている。横方
向の画素間間隔は３０μｍ、縦方向の画素間間隔は９０
μｍである。表示画素６０…の周囲には、同じ形状のダ
ミー画素６１が、上下、左右、３０ライン分、同じく８
０μｍ、２９０μｍピッチで形成されている。表示画素
６０は、これまで同様、ＳｉＯ2６２，ポリイミド６３
の積層バンクにより区画されてなり、画素径、ピッチ以
外の基本的な断面構造は、実施例１または２と同様であ
る。
【００８６】実施例１同様の正孔注入層材料インク組成
物６４を表示画素６０ならびにダミー画素６１にすべて
パターン塗布し、更に、縦方向の画素間の中央にも図９
（Ｂ）に示すように組成物６４をパターン塗布した。乾
燥後、形成された画素内の正孔注入層は均一膜厚を示し
たが、縦方向の画素間の中央に塗布しなかった場合は、
画素の縦方向の両端で、極端に膜厚が厚くなってしまっ
た。
物６４を表示画素６０ならびにダミー画素６１にすべて
パターン塗布し、更に、縦方向の画素間の中央にも図９
（Ｂ）に示すように組成物６４をパターン塗布した。乾
燥後、形成された画素内の正孔注入層は均一膜厚を示し
たが、縦方向の画素間の中央に塗布しなかった場合は、
画素の縦方向の両端で、極端に膜厚が厚くなってしまっ
た。
【００８７】正孔注入層を形成後、発光層においても、
実施例１と同じ、発光層組成物を３種類６５、６６、６
７、それぞれ縦２４０μｍピッチ、横２９０μｍピッチ
でパターン塗布し、正孔注入層の場合と同様、縦方向の
画素間の中央にも図９（Ｃ）に示すように発光層用イン
ク組成物６５、６６、６７、をパターン塗布した。これ
により乾燥後られた発光層の膜厚は画素内、画素間で均
一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機Ｅ
Ｌ装置は、有効光学領域で輝度ムラ、色ムラのない表示
の均一なものであった。
実施例１と同じ、発光層組成物を３種類６５、６６、６
７、それぞれ縦２４０μｍピッチ、横２９０μｍピッチ
でパターン塗布し、正孔注入層の場合と同様、縦方向の
画素間の中央にも図９（Ｃ）に示すように発光層用イン
ク組成物６５、６６、６７、をパターン塗布した。これ
により乾燥後られた発光層の膜厚は画素内、画素間で均
一であった。陰極形成、封止を行いできあがった有機Ｅ
Ｌ装置は、有効光学領域で輝度ムラ、色ムラのない表示
の均一なものであった。
【００８８】（実施例８）図１０（Ａ）に、本実施例に
用いる基板の平面図を示す。図１０（Ｂ）は図１０
（Ａ）のＭＭ’線に沿う部分断面図である。図１０
（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、この基板１０１
は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラ
ス基板１０２上に形成された回路素子部１０３と、回路
素子部１０３上に形成された発光素子部１０４とから構
成されている。発光素子部１０４には、後述する表示画
素とダミー画素とが設けられており、更に発光素子部１
０４は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光
学領域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミ
ー領域Ｂとに区画されている。
用いる基板の平面図を示す。図１０（Ｂ）は図１０
（Ａ）のＭＭ’線に沿う部分断面図である。図１０
（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、この基板１０１
は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラ
ス基板１０２上に形成された回路素子部１０３と、回路
素子部１０３上に形成された発光素子部１０４とから構
成されている。発光素子部１０４には、後述する表示画
素とダミー画素とが設けられており、更に発光素子部１
０４は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光
学領域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミ
ー領域Ｂとに区画されている。
【００８９】回路素子部１０３は、ガラス基板１０２上
に形成された複数のＴＦＴ素子１０５…と、このＴＦＴ
素子１０５…を覆う第１，第２層間絶縁膜１０６，１０
７とから構成されている。ＴＦＴ素子１０５…はマトリ
ックス状に配置されており、各ＴＦＴ素子１０５…には
ＩＴＯからなる透明電極１０８…が接続されている。透
明電極１０８…は第２層間絶縁膜１０７上に形成される
と共に、ＴＦＴ素子１０５…に対応する位置に配置され
ている。なお透明電極１０８は、平面視において略円
形、矩形、あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形
成されていればよい。
に形成された複数のＴＦＴ素子１０５…と、このＴＦＴ
素子１０５…を覆う第１，第２層間絶縁膜１０６，１０
７とから構成されている。ＴＦＴ素子１０５…はマトリ
ックス状に配置されており、各ＴＦＴ素子１０５…には
ＩＴＯからなる透明電極１０８…が接続されている。透
明電極１０８…は第２層間絶縁膜１０７上に形成される
と共に、ＴＦＴ素子１０５…に対応する位置に配置され
ている。なお透明電極１０８は、平面視において略円
形、矩形、あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形
成されていればよい。
【００９０】尚、ＴＦＴ素子１０５と透明電極１０８
は、発光素子部１０４の有効光学領域Ａに対応する位置
のみに形成されている。
は、発光素子部１０４の有効光学領域Ａに対応する位置
のみに形成されている。
【００９１】次に、発光素子部１０４の有効光学領域Ａ
には、ＳｉＯ2バンク１０９とポリイミドバンク１１０
とが積層されている。ＳｉＯ2バンク１０９及びポリイ
ミドバンク１１０は、透明電極１０８…の間に設けられ
ており、これにより透明電極１０８を囲む開口部１１１
が設けられている。
には、ＳｉＯ2バンク１０９とポリイミドバンク１１０
とが積層されている。ＳｉＯ2バンク１０９及びポリイ
ミドバンク１１０は、透明電極１０８…の間に設けられ
ており、これにより透明電極１０８を囲む開口部１１１
が設けられている。
【００９２】また、発光素子部１０４のダミー領域Ｂに
は、第２層間絶縁膜１０７上に形成されたＳｉＯ2薄膜
１０９’と、ＳｉＯ2薄膜１０９’上に形成されたポリ
イミドバンク１１０’とが備えられている。ダミー領域
Ｂのポリイミドバンク１１０’により、表示画素領域Ａ
の表示画素１１１とほぼ同一形状のダミー画素１１１’
が設けられている。
は、第２層間絶縁膜１０７上に形成されたＳｉＯ2薄膜
１０９’と、ＳｉＯ2薄膜１０９’上に形成されたポリ
イミドバンク１１０’とが備えられている。ダミー領域
Ｂのポリイミドバンク１１０’により、表示画素領域Ａ
の表示画素１１１とほぼ同一形状のダミー画素１１１’
が設けられている。
【００９３】ダミー領域Ｂに設けられるダミー画素１１
１’の数については、図１０（Ａ）の図示Ｘ方向に沿う
幅Ｘ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる
組が１０組以上設けることが好ましい。また、図１０
（Ａ）の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの
多数のダミー画素からなる列が１０列以上設けることが
好ましい。さらに好ましくは、幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが
等しくなるようにダミー画素を配置する。こうすること
により、ダミー領域Ｂとの境界付近にある画素における
組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近
の画素における乾燥条件に、より一致させることができ
る。幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが等しくなるようにするに
は、例えば、各画素（表示画素、ダミー画素のいずれ
も）をＸ方向に７０．５μｍピッチ、Ｙ方向に２１１．
５μｍピッチで形成した場合、幅Ｘ'の間に、Ｙ方向に
平行に３０ライン（Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのダミー画素から
なる組が１０組分のライン）、且つ、幅Ｙ'の間に、Ｘ
方向に平行なラインが１０ライン、のダミー画素が形成
されればよい。これによって、Ｙ方向のピッチは、Ｘ方
向のピッチの３倍であるため、幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが
ほぼ等しくなる。ダミー画素の数はこれに限らないが、
ダミー画素１１１’の数が過剰になると、表示に関係し
ない額縁が大きくなり、すなわち表示モジュールが大き
くなるので好ましくない。
１’の数については、図１０（Ａ）の図示Ｘ方向に沿う
幅Ｘ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つのダミー画素からなる
組が１０組以上設けることが好ましい。また、図１０
（Ａ）の図示Ｙ方向に沿う幅Ｙ’の間に、Ｒ・Ｇ・Ｂの
多数のダミー画素からなる列が１０列以上設けることが
好ましい。さらに好ましくは、幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが
等しくなるようにダミー画素を配置する。こうすること
により、ダミー領域Ｂとの境界付近にある画素における
組成物インクの乾燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近
の画素における乾燥条件に、より一致させることができ
る。幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが等しくなるようにするに
は、例えば、各画素（表示画素、ダミー画素のいずれ
も）をＸ方向に７０．５μｍピッチ、Ｙ方向に２１１．
５μｍピッチで形成した場合、幅Ｘ'の間に、Ｙ方向に
平行に３０ライン（Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのダミー画素から
なる組が１０組分のライン）、且つ、幅Ｙ'の間に、Ｘ
方向に平行なラインが１０ライン、のダミー画素が形成
されればよい。これによって、Ｙ方向のピッチは、Ｘ方
向のピッチの３倍であるため、幅Ｘ'と幅Ｙ'の大きさが
ほぼ等しくなる。ダミー画素の数はこれに限らないが、
ダミー画素１１１’の数が過剰になると、表示に関係し
ない額縁が大きくなり、すなわち表示モジュールが大き
くなるので好ましくない。
【００９４】この基板１０１に対して、実施例１と同様
に大気圧プラズマ処理を施してポリイミドバンク１１
０，１１０’を撥インク処理し、正孔注入層材料を含む
インク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表
示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターニン
グ塗布する。表示画素１１１では、正孔注入層材料イン
ク組成物が透明電極１０８上に塗布され、一方ダミー１
１１’では、正孔注入層材料インク組成物がＳｉＯ2薄
膜１０９’上に塗布される。
に大気圧プラズマ処理を施してポリイミドバンク１１
０，１１０’を撥インク処理し、正孔注入層材料を含む
インク組成物をインクジェットヘッドから吐出させて表
示画素１１１ならびにダミー画素１１１’にパターニン
グ塗布する。表示画素１１１では、正孔注入層材料イン
ク組成物が透明電極１０８上に塗布され、一方ダミー１
１１’では、正孔注入層材料インク組成物がＳｉＯ2薄
膜１０９’上に塗布される。
【００９５】尚、正孔注入層材料を含むインク組成物を
インクジェットヘッドにより吐出させる際には、例え
ば、表示素子部１０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の
幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、
このインクジェットヘッドを、図１０（Ａ）の下側から
図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら
行うことが好ましい。これにより、インク組成物の吐出
順序が、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図
中上側のダミー領域Ｂの順となり、インク組成物の吐出
を、ダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終了させる
ことができる。ダミー領域Ｂで組成物インクを吐出させ
てから有効光学領域Ａで吐出するため、有効光学領域Ａ
でのインク組成物を均一に乾燥することができる。
インクジェットヘッドにより吐出させる際には、例え
ば、表示素子部１０４幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の
幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用意し、
このインクジェットヘッドを、図１０（Ａ）の下側から
図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動させながら
行うことが好ましい。これにより、インク組成物の吐出
順序が、図中下側のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図
中上側のダミー領域Ｂの順となり、インク組成物の吐出
を、ダミー領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終了させる
ことができる。ダミー領域Ｂで組成物インクを吐出させ
てから有効光学領域Ａで吐出するため、有効光学領域Ａ
でのインク組成物を均一に乾燥することができる。
【００９６】次に、実施例１と同じ条件で正孔注入層材
料インク組成物の溶媒を除去し、更に実施例１同じ条件
で熱処理を行い、図１１（Ａ）に示すような正孔注入層
１３１を形成する。
料インク組成物の溶媒を除去し、更に実施例１同じ条件
で熱処理を行い、図１１（Ａ）に示すような正孔注入層
１３１を形成する。
【００９７】有効光学領域Ａの外側にはダミー画素１１
１’が設けられており、このダミー画素１１１’に対し
ても表示画素１１１と同様に組成物インクの吐出、乾燥
を行うので、ダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素
１１１における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領
域Ａの中央付近の表示画素１１１における乾燥条件にほ
ぼ一致させることができ、これによりダミー領域Ｂとの
境界付近にある表示画素１１１でも均一な膜厚の正孔注
入層１３１を形成することができる。従って有効光学領
域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層１３１を
形成することができる。
１’が設けられており、このダミー画素１１１’に対し
ても表示画素１１１と同様に組成物インクの吐出、乾燥
を行うので、ダミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素
１１１における組成物インクの乾燥条件を、有効光学領
域Ａの中央付近の表示画素１１１における乾燥条件にほ
ぼ一致させることができ、これによりダミー領域Ｂとの
境界付近にある表示画素１１１でも均一な膜厚の正孔注
入層１３１を形成することができる。従って有効光学領
域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層１３１を
形成することができる。
【００９８】次に、実施例１と同様に、赤色、緑色、青
色の発光層用インク組成物をインクジェットヘッドから
吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’
にパターン塗布し、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８
０℃、５分での熱処理により発光層１３５，１３６，１
３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入
層１３１の場合と同様にして、膜厚の均一な発光層１３
５、１３６、１３７を形成することができる。
色の発光層用インク組成物をインクジェットヘッドから
吐出させて表示画素１１１ならびにダミー画素１１１’
にパターン塗布し、Ｎ2雰囲気中、ホットプレート上８
０℃、５分での熱処理により発光層１３５，１３６，１
３７を形成する。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入
層１３１の場合と同様にして、膜厚の均一な発光層１３
５、１３６、１３７を形成することができる。
【００９９】尚、発光層の形成の際には、正孔注入層の
場合と同様にしてインクジェットヘッドを図１０（Ａ）
の下側から図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動
させながら行い、インク組成物の吐出順序を、図中下側
のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミー領
域Ｂの順とし、これによりインク組成物の吐出をダミー
領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終了させるようにする
ことが好ましい。これにより、有効光学領域Ａの全体に
おいて、発光層を含むインク組成物の乾燥を均一に行う
ことができた。
場合と同様にしてインクジェットヘッドを図１０（Ａ）
の下側から図中矢印Ｙ方向に沿って基板１０１上に移動
させながら行い、インク組成物の吐出順序を、図中下側
のダミー領域Ｂ、有効光学領域Ａ、図中上側のダミー領
域Ｂの順とし、これによりインク組成物の吐出をダミー
領域Ｂから始めてダミー領域Ｂで終了させるようにする
ことが好ましい。これにより、有効光学領域Ａの全体に
おいて、発光層を含むインク組成物の乾燥を均一に行う
ことができた。
【０１００】発光層形成後、図１１（Ｂ）に示すよう
に、陰極１３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍの
Ｃａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形
成し、最後にエポキシ樹脂１３９により封止を行う。
に、陰極１３８として、２ｎｍのＬｉＦ層、２０ｎｍの
Ｃａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空加熱蒸着で積層形
成し、最後にエポキシ樹脂１３９により封止を行う。
【０１０１】こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
【０１０２】（実施例９）図１２に、本実施例に用いる
基板の平面図を示す。図１２に示すように、この基板２
０１は、ガラス基板２０２上に形成された図示略の回路
素子部と、この回路素子部上に形成された複数の発光素
子部２０４…とを主体として構成されている。図１２の
基板２０１には、１６個の発光素子部２０４…が４列４
行のマトリックス状に配置されている。各発光素子部２
０４には、実施例８と同様な図示略の表示画素及びダミ
ー画素が設けられており、更に各発光素子部２０４…
は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領
域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領
域Ｂとに区画されている。
基板の平面図を示す。図１２に示すように、この基板２
０１は、ガラス基板２０２上に形成された図示略の回路
素子部と、この回路素子部上に形成された複数の発光素
子部２０４…とを主体として構成されている。図１２の
基板２０１には、１６個の発光素子部２０４…が４列４
行のマトリックス状に配置されている。各発光素子部２
０４には、実施例８と同様な図示略の表示画素及びダミ
ー画素が設けられており、更に各発光素子部２０４…
は、表示画素群からなる有効光学領域Ａと、有効光学領
域Ａの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領
域Ｂとに区画されている。
【０１０３】有効光学領域Ａにおける表示画素と、ダミ
ー領域Ｂにおけるダミー画素の構成は、実施例８におい
て説明した表示画素１１１及びダミー画素１１１’の構
成と同じである。また、図示略の回路素子部の構成も、
実施例８の回路素子部１０３の構成と同じである。
ー領域Ｂにおけるダミー画素の構成は、実施例８におい
て説明した表示画素１１１及びダミー画素１１１’の構
成と同じである。また、図示略の回路素子部の構成も、
実施例８の回路素子部１０３の構成と同じである。
【０１０４】このようにして基板２０１には、複数の有
効光学領域Ａ…からなる有効光学領域群Ｃが形成されて
いる。
効光学領域Ａ…からなる有効光学領域群Ｃが形成されて
いる。
【０１０５】この基板２０１は最終的に、図中一点鎖線
に沿って切り離され、１６枚の小さな基板に切り分けら
れる。これにより、１つの基板から複数の有機ＥＬ装置
を同時に製造することができる。
に沿って切り離され、１６枚の小さな基板に切り分けら
れる。これにより、１つの基板から複数の有機ＥＬ装置
を同時に製造することができる。
【０１０６】更に基板２０１には、有効光学領域群Ｃの
周囲に別のダミー領域Ｄが形成されている。
周囲に別のダミー領域Ｄが形成されている。
【０１０７】ダミー領域Ｄに設けられるダミー画素の数
は、図１２の図示Ｘ方向に沿う幅Ｘ’の間には、Ｒ・Ｇ
・Ｂの３つのダミー画素からなる組を１０組以上設ける
ことが好ましい。また、図１２の図示Ｙ方向に沿う幅
Ｙ’の間には、Ｒ・Ｇ・Ｂの多数のダミー画素からなる
列を１０列以上設けることが好ましい。
は、図１２の図示Ｘ方向に沿う幅Ｘ’の間には、Ｒ・Ｇ
・Ｂの３つのダミー画素からなる組を１０組以上設ける
ことが好ましい。また、図１２の図示Ｙ方向に沿う幅
Ｙ’の間には、Ｒ・Ｇ・Ｂの多数のダミー画素からなる
列を１０列以上設けることが好ましい。
【０１０８】この基板２０１に対して、実施例８と同様
にしてポリイミドバンクを撥インク処理し、更に正孔注
入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドか
ら吐出させて表示画素ならびにダミー画素にパターニン
グ塗布する。
にしてポリイミドバンクを撥インク処理し、更に正孔注
入層材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドか
ら吐出させて表示画素ならびにダミー画素にパターニン
グ塗布する。
【０１０９】尚、正孔注入層材料を含むインク組成物を
インクジェットヘッドにより吐出させる際には、例え
ば、１つの表示素子部２０４幅方向（図示Ｘ方向）と同
程度の幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用
意し、このインクジェットヘッドを、図１２の図中下側
から表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中
上側まで移動させながら行うことが好ましい。インクジ
ェットヘッドの幅は、これに限らず、一つの表示素子部
２０４の幅の整数倍であればよい。
インクジェットヘッドにより吐出させる際には、例え
ば、１つの表示素子部２０４幅方向（図示Ｘ方向）と同
程度の幅のノズル列を有するインクジェットヘッドを用
意し、このインクジェットヘッドを、図１２の図中下側
から表示素子部２０４上を図中矢印Ｙ方向に沿って図中
上側まで移動させながら行うことが好ましい。インクジ
ェットヘッドの幅は、これに限らず、一つの表示素子部
２０４の幅の整数倍であればよい。
【０１１０】このときのインクジェットヘッドの軌跡
は、例えば図１３（Ａ）に示すように、インクジェット
ヘッドＨを図中上側に移動させた後に斜め下側まで空走
し、再度上側に向けて移動させるジグザグな軌跡や、図
１３（Ｂ）に示すように上側に移動してから横方向にス
ライド（空走）し、次に下側に移動させるつづら折れ状
の軌跡であっても良い。
は、例えば図１３（Ａ）に示すように、インクジェット
ヘッドＨを図中上側に移動させた後に斜め下側まで空走
し、再度上側に向けて移動させるジグザグな軌跡や、図
１３（Ｂ）に示すように上側に移動してから横方向にス
ライド（空走）し、次に下側に移動させるつづら折れ状
の軌跡であっても良い。
【０１１１】上記の場合はいずれも、インク組成物の吐
出順序が、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、ダミー
領域Ｂ、Ｄ、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、…、
ダミー領域Ｂ、Ｄの順となり、インク組成物の吐出を、
ダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させること
ができる。
出順序が、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、ダミー
領域Ｂ、Ｄ、ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、…、
ダミー領域Ｂ、Ｄの順となり、インク組成物の吐出を、
ダミー領域Ｄから始めてダミー領域Ｄで終了させること
ができる。
【０１１２】また、実施例８のように、有効光学領域群
Ｃの幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有
するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェッ
トヘッドを、図１２の図中下側から表示素子部２０４上
を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら
行ってもよい。この場合のインク組成物の吐出順序は、
ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄ
の順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから
始めてダミー領域Ｄで終了させることができる。
Ｃの幅方向（図示Ｘ方向）と同程度の幅のノズル列を有
するインクジェットヘッドを用意し、このインクジェッ
トヘッドを、図１２の図中下側から表示素子部２０４上
を図中矢印Ｙ方向に沿って図中上側まで移動させながら
行ってもよい。この場合のインク組成物の吐出順序は、
ダミー領域Ｄ、Ｂ、有効光学領域Ａ、ダミー領域Ｂ、Ｄ
の順となり、インク組成物の吐出を、ダミー領域Ｄから
始めてダミー領域Ｄで終了させることができる。
【０１１３】従っていずれの場合も、ダミー領域Ｄでイ
ンク組成物を吐出させてから有効光学領域Ａで吐出する
ため、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の
乾燥を均一に行うことができた。
ンク組成物を吐出させてから有効光学領域Ａで吐出する
ため、有効光学領域Ａの全体において、インク組成物の
乾燥を均一に行うことができた。
【０１１４】また、インクジェットヘッドがジグザグな
軌跡やつづら折れ状の軌跡をとる場合は、空走の後に必
ずダミー領域Ｄで吐出することになるので、空走中にイ
ンクジェットヘッドに充填されたインクの状態が変化し
た場合でも、ダミー領域Ｄで予備吐出してから有効光学
領域Ａで吐出することになり、有効光学領域Ａでの吐出
を安定して行うことができる。
軌跡やつづら折れ状の軌跡をとる場合は、空走の後に必
ずダミー領域Ｄで吐出することになるので、空走中にイ
ンクジェットヘッドに充填されたインクの状態が変化し
た場合でも、ダミー領域Ｄで予備吐出してから有効光学
領域Ａで吐出することになり、有効光学領域Ａでの吐出
を安定して行うことができる。
【０１１５】次に、実施例１と同様にして正孔注入層材
料インク組成物の溶媒の除去、熱処理を行い、正孔注入
層１３１を形成する。
料インク組成物の溶媒の除去、熱処理を行い、正孔注入
層１３１を形成する。
【０１１６】有効光学領域Ａの外側にはダミー領域Ｂの
ダミー画素が設けられ、更にその外側には別のダミー領
域Ｄのダミー画素が設けられているので、ダミー領域Ｂ
との境界付近にある表示画素における組成物インクの乾
燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の表示画素におけ
る乾燥条件にほぼ一致させることができ、これによりダ
ミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素でも均一な厚さ
の正孔注入層を形成することができる。従って有効光学
領域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層を形成
することができる。
ダミー画素が設けられ、更にその外側には別のダミー領
域Ｄのダミー画素が設けられているので、ダミー領域Ｂ
との境界付近にある表示画素における組成物インクの乾
燥条件を、有効光学領域Ａの中央付近の表示画素におけ
る乾燥条件にほぼ一致させることができ、これによりダ
ミー領域Ｂとの境界付近にある表示画素でも均一な厚さ
の正孔注入層を形成することができる。従って有効光学
領域Ａの全体に渡って、膜厚の均一な正孔注入層を形成
することができる。
【０１１７】特に、ダミー領域Ｄが有効光学領域群Ｃの
周囲に設けられているので、１つの基板から多数の表示
装置を製造する場合でも、膜厚の均一な正孔注入層を形
成できる。
周囲に設けられているので、１つの基板から多数の表示
装置を製造する場合でも、膜厚の均一な正孔注入層を形
成できる。
【０１１８】次に、実施例１と同様に、赤色、緑色、青
色の発光層用インク組成物をインクジェットヘッドから
吐出させて有効光学領域ならびにダミー領域にパターン
塗布して熱処理することでＲ・Ｇ・Ｂの発光層を形成す
る。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層の場合と同
様に、膜厚の均一な発光層を形成できる。
色の発光層用インク組成物をインクジェットヘッドから
吐出させて有効光学領域ならびにダミー領域にパターン
塗布して熱処理することでＲ・Ｇ・Ｂの発光層を形成す
る。有効光学領域Ａにおいては、正孔注入層の場合と同
様に、膜厚の均一な発光層を形成できる。
【０１１９】尚、発光層の形成の際には、正孔注入層の
場合と同様にしてインクジェットヘッドを図１３（Ａ）
または図１３（Ｂ）に示すように移動させながら行うこ
とで、インク組成物の吐出順序を正孔注入層の場合と同
様とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｄ
から始めてダミー領域Ｄで終了させるようにできる。こ
れにより、有効光学領域Ａの全体において、インク組成
物の乾燥を均一に行うことができた。
場合と同様にしてインクジェットヘッドを図１３（Ａ）
または図１３（Ｂ）に示すように移動させながら行うこ
とで、インク組成物の吐出順序を正孔注入層の場合と同
様とし、これによりインク組成物の吐出をダミー領域Ｄ
から始めてダミー領域Ｄで終了させるようにできる。こ
れにより、有効光学領域Ａの全体において、インク組成
物の乾燥を均一に行うことができた。
【０１２０】発光層形成後、陰極として、２ｎｍのＬｉ
Ｆ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空
加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂により封止
を行う。
Ｆ層、２０ｎｍのＣａ層及び２００ｎｍのＡｌ層を真空
加熱蒸着で積層形成し、最後にエポキシ樹脂により封止
を行う。
【０１２１】こうして、有効光学領域Ａで輝度ムラ、色
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
ムラのない均一な表示の有機ＥＬ装置を得ることができ
る。
【０１２２】なお、ここでは有機ＥＬ層として高分子材
料を用いたが、低分子材料を用いてもよい。低分子材料
を用いた場合は、図１４のようにマスク７１を用いた蒸
着法によって形成することが好ましい。このとき、有効
光学領域Ｅに対応する領域及び有効光学領域Ｅに対応す
る領域外（ダミー領域Ｆに対応する領域）が開口したマ
スクを用いて、材料を成膜することで本発明が実現でき
る。蒸着法を用いた場合も、ダミー領域を設けることに
よって、有効光学領域全体において均一な有機ＥＬ層を
形成することが可能になる。
料を用いたが、低分子材料を用いてもよい。低分子材料
を用いた場合は、図１４のようにマスク７１を用いた蒸
着法によって形成することが好ましい。このとき、有効
光学領域Ｅに対応する領域及び有効光学領域Ｅに対応す
る領域外（ダミー領域Ｆに対応する領域）が開口したマ
スクを用いて、材料を成膜することで本発明が実現でき
る。蒸着法を用いた場合も、ダミー領域を設けることに
よって、有効光学領域全体において均一な有機ＥＬ層を
形成することが可能になる。
【０１２３】（実施例１０）次に、前記の第１〜第９の
実施例により製造された有機ＥＬ装置のいずれかを備え
た電子機器の具体例について説明する。
実施例により製造された有機ＥＬ装置のいずれかを備え
た電子機器の具体例について説明する。
【０１２４】図１５（Ａ）は、携帯電話の一例を示した
斜視図である。図１５（Ａ）において、符号６００は携
帯電話本体を示し、符号６０１は前記の有機ＥＬ装置の
いずれかを用いた表示部を示している。
斜視図である。図１５（Ａ）において、符号６００は携
帯電話本体を示し、符号６０１は前記の有機ＥＬ装置の
いずれかを用いた表示部を示している。
【０１２５】図１５（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなど
の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図
１５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号
７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処
理装置本体、符号７０２は前記の有機ＥＬ装置のいずれ
かを用いた表示部を示している。
の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図
１５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号
７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処
理装置本体、符号７０２は前記の有機ＥＬ装置のいずれ
かを用いた表示部を示している。
【０１２６】図１５（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例
を示した斜視図である。図１５（Ｃ）において、符号８
００は時計本体を示し、符号８０１は前記の有機ＥＬ装
置のいずれかを用いた表示部を示している。
を示した斜視図である。図１５（Ｃ）において、符号８
００は時計本体を示し、符号８０１は前記の有機ＥＬ装
置のいずれかを用いた表示部を示している。
【０１２７】図１５（Ａ）〜（Ｃ）に示すそれぞれの電
子機器は、前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示
部を備えたものであり、先の実施例１〜９で製造した有
機ＥＬ装置の特徴を有するので、いずれの有機ＥＬ装置
を用いても表示品質に優れた効果を有する電子機器とな
る。
子機器は、前記の有機ＥＬ装置のいずれかを用いた表示
部を備えたものであり、先の実施例１〜９で製造した有
機ＥＬ装置の特徴を有するので、いずれの有機ＥＬ装置
を用いても表示品質に優れた効果を有する電子機器とな
る。
【０１２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、イ
ンクジェット方式で基板上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布
し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造において、
表示画素領域の周囲に、ダミー吐出、塗布領域を導入
し、有効光学領域において、塗布液滴を、同間隔で配置
することにより、画素領域に塗布された有機ＥＬ材料溶
液の乾燥を均一にし、有効光学領域画素間或いは各画素
内で輝度、発光色のムラの無い、均一な表示装置ならび
に表示装置の製造方法を提供することが出来る。
ンクジェット方式で基板上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布
し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造において、
表示画素領域の周囲に、ダミー吐出、塗布領域を導入
し、有効光学領域において、塗布液滴を、同間隔で配置
することにより、画素領域に塗布された有機ＥＬ材料溶
液の乾燥を均一にし、有効光学領域画素間或いは各画素
内で輝度、発光色のムラの無い、均一な表示装置ならび
に表示装置の製造方法を提供することが出来る。
【図１】 インクジェット方式による有機ＥＬ装置の製
造方法の一例を示す断面図。
造方法の一例を示す断面図。
【図２】 本発明に関わるインクジェット方式による有
機ＥＬ装置の製造方法の一例を示す断面図。
機ＥＬ装置の製造方法の一例を示す断面図。
【図３】 実施例１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図４】 実施例２の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図５】 実施例３の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図６】 実施例４の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図７】 実施例５の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図８】 実施例６の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図９】 実施例７の有機ＥＬ装置の製造方法を説明す
る工程図。
る工程図。
【図１０】 実施例８の有機ＥＬ装置の製造方法を説明
する図であって、（Ａ）は正孔注入層形成前の基板の平
面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＭＭ’線に沿う部分断面
図である。
する図であって、（Ａ）は正孔注入層形成前の基板の平
面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＭＭ’線に沿う部分断面
図である。
【図１１】 実施例８の有機ＥＬ装置の製造方法を説明
する工程図。
する工程図。
【図１２】 実施例９の有機ＥＬ装置の製造方法を説明
する図であって、正孔注入層形成前の基板の平面図であ
る。
する図であって、正孔注入層形成前の基板の平面図であ
る。
【図１３】 実施例９の有機ＥＬ装置の製造方法を説明
する図であって、インクジェットヘッドの軌跡を示す模
式図である。
する図であって、インクジェットヘッドの軌跡を示す模
式図である。
【図１４】 実施例９の有機ＥＬ装置の他の製造方法を
説明する図である。
説明する図である。
【図１５】 実施例１０の電子機器を示す斜視図であ
る。
る。
１０、２５、１０２、２０２ ガラス基板 １１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １２、２７、１０８ 透明電極 １３、２８、５３、６２、１０９ ＳｉＯ2バンク １４、２９，４０、５４、６３、１１０、１１０’有機
物（ポリイミド）バンク １５ 有機ＥＬ材料インク組成物 １６ インクジェットヘッド １７ 有機ＥＬ薄膜層 １７ 発光層用インク組成物 ２６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ３０、４１，５５、６４ 正孔注入層材料インク組成物 ３１ 正孔注入層 ３２、５６，６５ 赤色発光材料インク組成物 ３３、５７，６６ 緑色発光材料インク組成物 ３４、５８，６７ 青色発光材料インク組成物 ３５ 赤色発光層 ３６ 緑発光層 ３７ 青色発光層 ３８ 陰極 ４２ 表示画素 ４３、４４ ダミー画素 ５０ 表示画素 ５１ 表示画素領域内ダミー画素 ５２ 表示画素領域外ダミー画素 ６０ 表示画素 ６１ 表示画素領域外ダミー画素 １０１、２０１ 基板 １０３ 回路素子部 １０４，２０４ 表示素子部 １０５ ＴＦＴ素子 １０９’ ＳｉＯ2薄膜 １１１ 表示画素 １１１’ダミー画素 １３１ 正孔注入層 １３５，１３６，１３７ 発光層 Ａ 有効光学領域 Ｂ、Ｄ ダミー領域 Ｃ 有効光学領域群
物（ポリイミド）バンク １５ 有機ＥＬ材料インク組成物 １６ インクジェットヘッド １７ 有機ＥＬ薄膜層 １７ 発光層用インク組成物 ２６ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ３０、４１，５５、６４ 正孔注入層材料インク組成物 ３１ 正孔注入層 ３２、５６，６５ 赤色発光材料インク組成物 ３３、５７，６６ 緑色発光材料インク組成物 ３４、５８，６７ 青色発光材料インク組成物 ３５ 赤色発光層 ３６ 緑発光層 ３７ 青色発光層 ３８ 陰極 ４２ 表示画素 ４３、４４ ダミー画素 ５０ 表示画素 ５１ 表示画素領域内ダミー画素 ５２ 表示画素領域外ダミー画素 ６０ 表示画素 ６１ 表示画素領域外ダミー画素 １０１、２０１ 基板 １０３ 回路素子部 １０４，２０４ 表示素子部 １０５ ＴＦＴ素子 １０９’ ＳｉＯ2薄膜 １１１ 表示画素 １１１’ダミー画素 １３１ 正孔注入層 １３５，１３６，１３７ 発光層 Ａ 有効光学領域 Ｂ、Ｄ ダミー領域 Ｃ 有効光学領域群
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB18 DB03 FA01 5C094 AA03 AA08 AA43 AA48 AA55 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 EA04 FA01 FB01 FB20 GB10 5G435 AA01 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 HH01 HH20 KK05
Claims (23)
- 【請求項１】 有機エレクトロルミネッセンス材料を含
む組成物を複数の電極上に塗布することにより各電極上
に、有機エレクトロルミネッセンス層をそれぞれ形成す
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法におい
て、 前記複数の電極が形成される有効光学領域が設けられ、
有機エレクトロルミネッセンス材料を含む組成物の塗布
領域を前記有効光学領域より大きくすることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記有効光学領域の周囲に塗布領域を設
けることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記有効光学領域の周囲に設けた塗布領
域がダミー領域であり、該ダミー領域にも有機エレクト
ロルミネッセンス材料を含む組成物を塗布して有機エレ
クトロルミネッセンス層を形成することを特徴とする請
求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記ダミー領域に、前記電極と同一材料
からなる層を形成し、前記層上に、前記有機エレクトロ
ルミネッセンス材料を含む組成物を塗布することを特徴
とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス
装置の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に２以上の前記有効光学領域から
なる有効光学領域群を設け、各有効光学領域の周囲にダ
ミー領域をそれぞれ設けるとともに、前記有効光学領域
群の周囲に別のダミー領域を設けることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記有機エレクトロルミネッセンス材料
を含む組成物を塗布する場合において、塗布開始時には
ダミー領域に塗布してから有効光学領域に塗布を行い、
塗布終了時には有効光学領域に塗布した後にダミー領域
に塗布して終わることを特徴とする請求項３または請求
項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
方法。 - 【請求項７】 全塗布領域内における個々の塗布領域が
等間隔にあることを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方
法。 - 【請求項８】 隣接する前記電極を等間隔で配置するこ
とを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。 - 【請求項９】 複数の電極と、前記各電極上に有機エレ
クトロルミネッセンス層とを含む有効光学領域、を有す
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であっ
て、 前記有効光学領域となるべき領域と、前記有効光学領域
となるべき領域外とに、前記エレクトロルミネッセンス
層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス装置の製造方法。 - 【請求項１０】複数の電極と、前記各電極上に有機エレ
クトロルミネッセンス層とを含む有効光学領域、を有す
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であっ
て、 前記有効光学領域となるべき領域における、前記電極が
形成されていない領域に有機エレクトロルミネッセンス
層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至８のいずれかに記載の有
機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造
される有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１２】 複数の電極を有し、前記複数の電極上
にそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス層が形成され
てなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、 前記複数の電極が形成された有効光学領域と、 前記有効光学領域の周囲に、前記有機エレクトロルミネ
ッセンス層が形成されてなるダミー領域を含むことを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１３】前記複数の電極の間にバンク層を有して
なり、 前記ダミー領域において、前記有機エレクトロルミネッ
センス層は前記バンク層と同一材料からなる層の上方に
配置されてなることを特徴とする請求項１２に記載の有
機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１４】前記バンク層は、無機物バンク層及び有
機物バンク層とを含み、前記ダミー領域において、前記
有機エレクトロルミネッセンス層は前記無機物バンク層
と同一材料からなる層の上方に配置されてなることを特
徴とする請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置。 - 【請求項１５】前記ダミー領域に形成された前記有機エ
レクトロルミネッセンス層の間に、前記バンク層が形成
されてなることを特徴とする請求項１４に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１６】前記ダミー領域において、前記有機エレ
クトロルミネッセンス層は前記有機物バンク層と同一材
料からなる層の上方に配置されてなることを特徴とする
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置。 - 【請求項１７】前記ダミー領域において、前記有機エレ
クトロルミネッセンス層は前記電極と同一材料からなる
層の上方に配置されてなることを特徴とする請求項１２
に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１８】前記ダミー領域に形成された有機エレク
トロルミネッセンス層の間には、前記バンク層が形成さ
れてなることを特徴とする請求項１７に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１９】前記有効光学領域及び前記ダミー領域に
おいて、隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス層
の間隔が等しいことを特徴とする請求項１２から１８の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項２０】前記有効光学領域と前記ダミー領域と
の、前記基板の上方の断面構造がほぼ等しいことを特徴
とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス装置。 - 【請求項２１】 複数の電極と、前記各電極上に有機エ
レクトロルミネッセンス層とを含む有効光学領域、を有
する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、 前記有効光学領域となるべき領域と、前記有効光学領域
となるべき領域外とに、前記エレクトロルミネッセンス
層が形成されてなることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス装置。 - 【請求項２２】複数の電極と、前記各電極上に有機エレ
クトロルミネッセンス層とを含む有効光学領域、を有す
る有機エレクトロルミネッセンス装置であって、 前記有効光学領域となるべき領域における、前記電極が
形成されていない領域に有機エレクトロルミネッセンス
層が形成されてなることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス装置。 - 【請求項２３】 請求項１２ないし請求項２０，２１、
２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス
装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002002627A JP4042409B2 (ja) | 2000-11-27 | 2002-01-09 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359885 | 2000-11-27 | ||
| JP2000-359885 | 2000-11-27 | ||
| JP2002002627A JP4042409B2 (ja) | 2000-11-27 | 2002-01-09 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2005163954A Division JP4042762B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-03 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| JP2005163956A Division JP4086059B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-03 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| JP2005163952A Division JP4241669B2 (ja) | 2000-11-27 | 2005-06-03 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
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ID=26604642
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002002627A Expired - Lifetime JP4042409B2 (ja) | 2000-11-27 | 2002-01-09 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
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|---|---|
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2002
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