JP2002250922A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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Abstract
ができ、視角特性や高速応答性に優れた表示特性を有す
る液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 所定形状の溝部が形成され、溝部の長手
方向である第1のラビング方向にラビング処理が施され
た後、第1のラビング方向とは異なる第2のラビング方
向にラビング処理が施された第1の基板と、第2のラビ
ング方向と同じ方向にラビング処理が施された第2の基
板との間に液晶が充填されたパネルを含む液晶表示装置
であって、溝部が第2のラビング方向に施されるラビン
グ処理によりラビングされることがなく、第1のラビン
グ方向と第2のラビング方向のなす角が45°よりも大
きく135°よりも小さい。
Description
晶表示装置、特に応答特性の優れた液晶表示装置及びそ
の製造方法に関する。
高い画像表示を行うために、近年薄膜トランジスタをス
イッチング素子として用いたアクティブマトリクス駆動
方式の表示装置の開発が活発に行われている。これは、
スイッチング素子を用いない単純マトリクス駆動方式の
表示装置に比べて、走査電極数に関係なく高いコントラ
スト比が得ることができ、高い解像度が要求される大容
量表示においても、鮮明な画像を得ることができるから
である。
表示パネルにおいて、広く用いられている液晶表示モー
ドに、TN(Twisted Nematic)方式がある。TN方式
は、液晶層を挟持する電極基板間において、液晶分子が
90゜捻れた構造を有して配置されているパネルを、2
枚の偏光板により挟んだ構成となっている。そして、2
枚の偏光板は互いの偏光軸方向が直交しており、一方の
偏光板はその偏光軸が一方の基板に接している液晶分子
の長軸方向と平行あるいは垂直になるように配置されて
いる。
圧が印加されていない場合は白表示であるが、2枚の基
板間に、すなわち液晶表示パネルに対して垂直方向に電
圧を印加していくと、次第に光透過率が低下していき、
最後には黒表示となる。このような表示特性が得られる
のは、液晶表示パネルに電圧を印加すると液晶分子が捻
れ構造を解きながら電界の向きに配列しようとするから
であり、かかる液晶分子の配列状態に応じて、液晶表示
パネルを透過してくる光の偏光状態が変動し、光の透過
率が変調されることになるからである。
晶表示パネルに入射してくる光の入射方向によって透過
光の偏光状態は変化する。したがって、入射方向に応じ
て光の透過率は異なってくることになる。すなわち、液
晶表示パネルの表示特性は視角依存性を有することにな
る。
角方向(液晶層の中間層における液晶分子の長軸方向)
に対して視点を斜めに傾けることにより輝度の逆転現象
を引き起こすおそれも残されており、液晶表示パネルの
表示品質を高品質に維持する必要上、いかに視覚依存性
を克服するかが重要な課題の1つとなっている。
が盛んに行われている。かかる改善方法としては、例え
ば液晶の配向としては上述したようなTN方式を用いな
がら、位相補償板を積層する方式や、一つの画素にその
液晶のTN配向の向きを2つ以上持たせる配向分割方式
等が考えられている。また、液晶の配向そのものを変え
て視角特性を改善する方式として、電圧印加状態でベン
ド配向させた液晶表示パネルに光学補償フィルムを設け
たOCB(Optical Compensated Bend)方式や、IP
S(In-Plane-Switching)方式、VA(Vertical Aligne
d)方式等が考えられている。これらの中でも、OCB方
式は、視角特性による輝度の逆転現象や、コントラスト
低下の生じない高品位な画質を維持する上で優れた方式
であると同時に、応答速度が速いというメリットを合わ
せ持った非常に効果的な方式であると考えられている。
方式では、図4(a)に示すように、液晶層中心部にお
ける液晶分子が基板に垂直に配向するベンド配向状態で
画像表示をする必要があるものの、一般的に使用される
配向膜をラビング処理しただけでは、図4(b)に示す
ように、液晶層中心部における液晶分子が基板に水平に
配向するスプレイ配向にしかならず、ベンド配向状態を
実現することが困難であるという問題点があった。
レチルト角はせいぜい10°程度にしかならないので、
電圧が印加されない場合には、液晶層中心部における液
晶分子は基板に水平な方向に配向する方がより安定する
ことになる。したがって、スプレイ配向となってしまう
ものである。
液晶表示パネルの両基板間に電圧を印加すると、液晶層
中心部における液晶分子は基板に垂直な方向に配向する
が、必ずしもベンド配向になるとは限らない。すなわ
ち、図4(c)又は図4(d)に示すように、どちらか
の基板界面付近にスプレイ歪が残留するような配向状態
となってしまうおそれが残されている。
件によってはスプレイ歪の大きい配向状態となってしま
い、ベンド配向が有する対称な視角特性や高速応答性を
発揮することができない表示特性を有する液晶表示パネ
ルとなってしまうおそれがあるのである。
容易に液晶分子をベンド配向状態とすることができ、視
角特性や高速応答性に優れた表示特性を有する液晶表示
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
に本発明にかかる液晶表示装置は、所定形状の溝部が形
成され、溝部の長手方向である第1のラビング方向にラ
ビング処理が施された後、第1のラビング方向とは異な
る第2のラビング方向にラビング処理が施された第1の
基板と、第2のラビング方向と同じ方向にラビング処理
が施された第2の基板との間に液晶が充填されたパネル
を含む液晶表示装置であって、溝部が第2のラビング方
向に施されるラビング処理によりラビングされることが
なく、第1のラビング方向と第2のラビング方向のなす
角が45°よりも大きく135°よりも小さいことを特
徴とする。
ことによって、溝部が形成されていない領域においても
液晶分子をベンド配向へと容易に転移させることがで
き、視角特性と高速応答性に優れたOCB方式を採用し
た液晶表示装置を提供することが可能となる。なお、当
該溝部は、表示画素ごとに形成されていることが好まし
い。
かかる液晶表示装置は、所定の大きさを有する複数の凸
状形成物が所定の間隔で表示画素上に形成され、凸状形
成物で挟まれた隙間の長手方向である第1のラビング方
向にラビング処理が施された後、第1のラビング方向と
は異なる第2のラビング方向にラビング処理が施された
第1の基板と、第2のラビング方向と同じ方向にラビン
グ処理が施された第2の基板との間に液晶が充填された
パネルを含む液晶表示装置であって、凸状形成物で挟ま
れた隙間が第2のラビング方向に施されるラビング処理
によりラビングされることがなく、第1のラビング方向
と第2のラビング方向のなす角が45°よりも大きく1
35°よりも小さいことを特徴とする。
することによって、凸状形成物が形成されている領域に
おいても液晶分子をベンド配向へと容易に転移させるこ
とができ、視角特性と高速応答性に優れたOCB方式を
採用した液晶表示装置を提供することが可能となる。な
お、2つの凸状形成物が表示画素ごとに配置されること
が好ましい。
かかる液晶表示装置は、表示画素上において、電圧を印
加しない時に液晶分子の配向状態がスプレイ配向である
第1の液晶層と、液晶分子の配向状態がツイスト配向で
ある第2の液晶層とが接する領域を有することを特徴と
する。
印加することによって、表示画素上の全領域において液
晶分子をベンド配向へと容易に転移させることができ、
視角特性と高速応答性に優れたOCB方式を採用した液
晶表示装置を提供することが可能となる。
1の基板又は第2の基板にアクティブマトリクス素子が
形成されていることが好ましい。
かかる液晶表示装置の製造方法は、第1の基板の一主面
上に所定形状の溝部を形成する工程と、一主面上に配向
膜を形成する工程と、第1の基板の一主面に、第1のラ
ビング方向にラビング処理を施す工程と、第1のラビン
グ方向と異なる第2のラビング方向にラビング処理を施
す工程と、第2の基板の一主面に第2のラビング方向と
同じ方向にラビング処理を施す工程と、第1の基板と第
2の基板とを、ラビング処理を施した面同士を対向さ
せ、かつ第1の基板における第2のラビング方向と第2
の基板におけるラビング方向とが同じになるように貼り
合わせる工程とを含み、溝部が第2のラビング方向に施
されるラビング処理によりラビングされることがなく、
第1のラビング方向と第2のラビング方向のなす角が4
5°よりも大きく135°よりも小さいことを特徴とす
る。
ことによって、溝部が形成されていない領域においても
液晶分子をベンド配向へと容易に転移させることがで
き、視角特性と高速応答性に優れたOCB方式を採用し
た液晶表示装置を提供することが可能となる。
かかる液晶表示装置の製造方法は、第1の基板の一主面
上における表示画素ごとに複数の凸状形成物を所定の間
隙をもって形成する工程と、一主面上に配向膜を形成す
る工程と、第1の基板の一主面に第1のラビング方向に
ラビング処理を施す工程と、第1のラビング方向と異な
る第2のラビング方向にラビング処理を施す工程と、第
2の基板の一主面に、第2のラビング方向と同じ方向に
ラビング処理を施す工程と、第1の基板と第2の基板と
を、ラビング処理を施した面同士を対向させ、かつ第1
の基板における第2のラビング方向と第2の基板におけ
るラビング方向とが同じになるように貼り合わせる工程
とを含み、凸状形成物で挟まれた隙間が第2のラビング
方向に施されるラビング処理によりラビングされること
がなく、第1のラビング方向と第2のラビング方向のな
す角が45°よりも大きく135°よりも小さいことを
特徴とする。
ことによって、凸状形成物が形成されている領域におい
ても液晶分子をベンド配向へと容易に転移させることが
でき、視角特性と高速応答性に優れたOCB方式を採用
した液晶表示装置を提供することが可能となる。
表示装置においては、第1の基板において凹凸を有する
部分を設けることで、第2の基板におけるラビング方向
と異なる方向にラビング処理が施されている部分と、第
2の基板におけるラビング方向と同じ方向にラビング処
理が施されている部分とが存在することを特徴としてい
る。
ング方向にラビング処理が施されている部分における液
晶分子の配向方向が、当該部分の真上にある第2の基板
におけるラビング方向にラビング処理が施されている部
分における液晶分子の配向方向と異なることから、かか
る部分においては、両基板間において液晶分子が捻れた
配向方向を有するツイスト配向となる。
方向にラビング処理が施されている部分における液晶分
子の配向方向は、その部分の真上にある第2の基板にお
けるラビング方向にラビング処理が施されている部分に
おける液晶分子の配向方向と同一となることから、かか
る部分においては、両基板間において液晶分子が捻れた
配向方向を有さないスプレイ配向となる。
分が、互いに隣接して存在し、その境界においては、デ
ィスクリネーションと呼ばれる配向の不連続線が生じる
ことになる。
隣接している状態で、液晶表示パネルに電圧を印加する
と、所定の電圧を超えるとツイスト配向を有する部分と
接しているスプレイ配向を有する部分において、ベンド
配向へと転移していくことが確認されている。
晶材料や配向膜のプレチルト角、あるいはパネルギャッ
プに依存しているが、おおよそ液晶表示パネルの有する
配向エネルギが、スプレイ配向となる配向エネルギより
もベンド配向となる配向エネルギが低くなる電圧に等し
くなり、実際にはそれほど高い電圧を必要とすることは
なく、約5V以下で十分である。
への転移が生じることがなく、少なくとも45度以上の
角度を必要とすることが確認されている。これは、ツイ
スト角が小さすぎると、スプレイ配向と区別できず、当
該ツイスト配向をベンド配向へと転移することを促進す
ることに寄与しないためと考えられる。
イ配向をベンド配向へ転移させようとすると、たとえ配
向エネルギがベンド配向の方が低くなる電圧以上であっ
ても転移は容易には生じることなく、スプレイ歪の残留
した配向のままとなってしまう。これは、スプレイ歪の
残留した配向からベンド配向へ転移するときに、所定の
エネルギ障壁が存在することを意味している。本実施の
形態のように、スプレイ配向とツイスト配向を隣接させ
ることによって、この転移におけるエネルギ障壁を低く
する作用があるものと考えられる。
配向状態は、図4(c)及び図4(d)のいずれかのよ
うに基板界面付近にスプレイ配向歪が残った状態とな
る。しかし、スプレイ歪の残っている部分の液晶分子
は、ベンド配向と180度反対方向となるチルトを有し
ていることがわかる。
晶分子をベンド配向へ再配列させる場合、図4の紙面法
線方向を軸として回転させるような、チルト角方向に回
転させる場合と、上下方向の直線を軸として回転させる
ような、ツイスト方向に回転させる場合の2つが考えら
れる。
歪の力が働いている向きであると同時に、液晶分子の弾
性定数もスプレイ弾性定数K11となることから比較的
大きく、ベンド配向への転移を引き起こすことは容易で
はない。
液晶分子の弾性定数もツイスト弾性定数K22となるこ
とからスプレイ弾性定数K11と比べて小さく、かつス
プレイ歪の働いている方向と直交していることから、ベ
ンド配向への転移は比較的容易であることがわかる。
の実施の形態においてベンド配向を容易に実現すること
が可能となる。
態1にかかる液晶表示装置について、図面を参照しなが
ら説明する。図1は本発明の実施の形態1にかかる液晶
表示装置の構成図であり、図1(a)は本発明の実施の
形態1にかかる液晶表示装置の断面図を、図1(b)及
び図1(c)は、それぞれ第1の基板101と第2の基
板102の平面図を示している。なお、図1(b)及び
図1(c)においては、各々の基板へ施したラビング処
理の方向を矢印で示している。
板を擦っている概念を示した図である。本実施の形態1
では、第1の基板101及び第2の基板102として、
ガラス基板を用いた場合について説明する。
レジストを塗布し、幅20μmで線状の開口部ができる
ようなパターンをフォトリソグラフィ法により形成す
る。次に、フッ酸を用いてガラス基板を2μmの深さに
なるまでエッチングを行い、幅20μmで深さ2μmの
溝部5を形成する。その後、全面に透明電極膜であるI
TO2をスパッタにより形成する。なお、かかる溝部5
の形成方法としては特に上述した方法に限定されるもの
ではなく、例えばガラス基板上に光感光性のアクリル樹
脂を2μm形成し、この樹脂をフォトリソグラフィ法で
部分的に除去することにより同様の溝部5を形成するも
のであっても良い。
表示素子として用いられるアクティブマトリクス素子の
製造工程において得ることも可能である。この場合、ア
クティブマトリクス素子は、マトリクス状の表示画素に
各々1個ずつ形成されているが、溝部5についても各表
示画素ごとに1本ずつ形成されていることが望ましい。
101の全面に、日産化学(株)製の配向膜3SE79
92を印刷塗布する。
って、第1のラビング方向6の方向にラビング処理を施
す。ラビング処理には、ラビング布における各々1本の
毛9の長さが平均1.4mmで、平均直径が18μmで
あるレーヨン布を用いている。また、ラビング処理時に
おけるラビング布の押し込み量は0.3mm以上とし、
図2に示すように毛9の側面で基板を擦るようなラビン
グ条件としている。
グ布、同じラビング条件で、第1のラビング方向6とは
90度の角度をなす第2のラビング方向7にラビング処
理を施す。
ビングすると、毛9の直径は溝部5の幅より小さく、ま
た溝部5の線方向に沿って毛9が進むことから、溝部5
の内部は第1のラビング方向6に擦られる。一方、第2
のラビング処理を施したときには、溝部5以外の部分
は、第1のラビング処理6が施されていても、その後に
擦られる第2のラビング方向7に液晶の配向方向は決定
されることは周知である。しかしながら溝部5の内部
は、第2のラビング処理では溝部5の線方向に直交する
方向で擦ることになることから、20μmの幅では毛9
が溝部5の内部に入り込むことができず、結果として第
2のラビング方向7には擦られないまま第1のラビング
方向6に擦られた状態で保持されることになる。
のラビング方向6におけるラビング処理で溝部5の内部
を擦り、第2のラビング方向7におけるラビング処理で
は溝部5の内部にラビング布の毛9を入り込ませないよ
うにする点にある。これを満たす条件は、溝部5の幅、
溝部5の深さ、溝部5の形状、第1のラビング方向6、
第2のラビング方向7、ラビング布の毛9の長さ、毛9
の直径、ラビング布の押し込み量等のパラメタの相関関
係に依存する。
ビング処理で溝部5の内部を擦り、第2のラビング方向
7におけるラビング処理で溝部5の内部にラビング布の
毛9が入り込むことができないという条件を満たすパラ
メタであれば、上述した実施例に示すパラメタの数値で
ある必要はない。
溝部5の幅より細い毛9を用いて溝部5の線方向に第1
のラビング処理を行い、可能な限り押し込み量を多くし
て、毛9の側面で第2のラビング処理を行うことが望ま
しい。
基板102にも、第1の基板101と同じ配向膜3を印
刷して形成した後、第1の基板101と同じラビング布
を用いて、同じラビング条件で第2の基板におけるラビ
ング方向8、すなわち第1の基板101における第2の
ラビング方向7と同じ方向にラビング処理を施す。
とを、ラビング処理を施した面同士を対向させ、かつ第
1の基板101における第2のラビング方向7と第2の
基板102におけるラビング方向8とが同じになるよう
な向きでギャップが5μmとなるように貼り合わせた
後、基板間にチッソファインケミカル(株)製の液晶M
T5583を注入する。
配向は、溝部5の部分では第1のラビング方向6が保持
されている結果、90度のツイスト配向となっており、
溝部5以外の部分においては第2のラビング方向7が保
持されており、ツイストのないスプレイ配向となってい
ることが、偏光顕微鏡観察で確認できている。
圧を印加していったところ、電圧が3V付近で溝部5に
おけるツイスト配向とスプレイ配向との境界部分からベ
ンド配向へと転移が生じ、さらに電圧が5V以上となる
と急速にベンド配向がスプレイ配向領域に広がってい
き、ついには電圧を印加しない状態ではスプレイ配向領
域だった部分の全ての領域がベンド配向へと転移してい
った。したがって、本実施の形態1の手順によって、確
実かつ容易にベンド配向へと転移できることが確認でき
た。
定の電圧を印加することによって、溝部が形成されてい
ない領域においても液晶分子をベンド配向へと容易に転
移させることができ、視角特性と高速応答性に優れたO
CB方式を採用した液晶表示装置を提供することが可能
となる。
態2にかかる液晶表示装置について、図3を用いて説明
する。図3は本発明の実施の形態2にかかる液晶表示装
置の構成図であり、図3(a)は本発明の実施の形態1
にかかる液晶表示装置の断面図を、図3(b)及び図3
(c)は、それぞれ第1の基板101と第2の基板10
2の平面図を示している。なお、図3(b)及び図3
(c)においては、各々の基板へ施したラビング処理の
方向を矢印で示している。
リソグラフィ法を用いてアクティブマトリクス素子を形
成する。同時にこのプロセスを用いて、マトリクス状に
形成された各々の表示画素の一部に成膜した部分を残し
た凸部11を形成する。
幅30μm、高さ1.5μmであり、平面形状としては
平行四辺形をしており、この平行四辺形の鋭角側の角度
は80度となるようにしている。このような形状の凸部
11を20μmの間隙をもって2個形成している。
おいて、配向膜3SE7992を印刷塗布した後、第1
のラビング方向6の方向、すなわち凸部11の平行四辺
形における一辺の長さ方向に沿って、実施の形態1と同
じラビング布、ラビング条件でラビング処理を施す。続
けて、同じラビング布、ラビング条件で、第1のラビン
グ方向6と100度の角度をなすようにして、第2のラ
ビング方向7の方向にラビング処理を施す。
のラビング処理において2つの凸部11の間隙部を擦
り、第2のラビング処理で毛9を間隙部に入り込ませな
いようにする点にある。かかる条件を具備するパラメタ
であれば、上記以外のラビング条件であっても良い。
02にも、第1の基板101と同じ配向膜3を印刷して
形成した後、第1の基板101と同じラビング布を用い
て、同じラビング条件で第2の基板におけるラビング方
向8に、すなわち第1の基板における第2のラビング方
向7と同じ方向にラビング処理を施す。
とを、ラビング処理を施した面同士を対向させ、かつ第
1の基板101における第2のラビング方向7と第2の
基板102におけるラビング方向とが同じになるような
向きでギャップが5μmとなるように貼り合わせた後、
基板間にチッソファインケミカル(株)製の液晶MT5
583を注入する。
配向は、2つの凸部11の間隙部分では第1のラビング
方向6が保持されている結果、80度のツイスト配向と
なっており、それ以外のところでは第2のラビング方向
7が保持されている結果、ツイストのないスプレイ配向
となっていることが、偏光顕微鏡観察で確認されてい
る。
を印加していったところ、電圧が3.5V付近で凸部1
1の間隙部分におけるツイスト配向とスプレイ配向との
境界部分からベンド配向への転移が生じ、さらに電圧が
6V以上で急速にベンド配向がスプレイ配向領域に広が
っていき、ついには電圧が印加されていない状態ではス
プレイ配向領域だった部分がすべてベンド配向へと転移
する結果となった。以上のことから、本実施の形態2に
よっても確実かつ容易にベンド配向を実現することがで
きることが確認できた。
定の電圧を印加することによって、凸状形成物が形成さ
れている領域においても液晶分子をベンド配向へと容易
に転移させることができ、視角特性と高速応答性に優れ
たOCB方式を採用した液晶表示装置を提供することが
可能となる。
置によれば、部分的にツイスト配向とスプレイ配向が隣
接する状態を設けることで、比較的低い電圧で容易にベ
ンド配向へと転移させることができ、視角特性と高速応
答性に優れたOCB方式を採用した液晶表示装置を提供
することが可能となる。
の構成断面図と平面図
におけるラビング布の毛で基板を擦っている概念を示し
た図
の構成断面図と平面図
Claims (8)
- 【請求項1】 所定形状の溝部が形成され、前記溝部の
長手方向である第1のラビング方向にラビング処理が施
された後、前記第1のラビング方向とは異なる第2のラ
ビング方向にラビング処理が施された第1の基板と、前
記第2のラビング方向と同じ方向にラビング処理が施さ
れた第2の基板との間に液晶が充填されたパネルを含む
液晶表示装置であって、 前記溝部が前記第2のラビング方向に施されるラビング
処理によりラビングされることがなく、前記第1のラビ
ング方向と前記第2のラビング方向のなす角が45°よ
りも大きく135°よりも小さいことを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項2】 前記溝部が表示画素ごとに形成されてい
る請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 所定の大きさを有する複数の凸状形成物
が所定の間隔で表示画素上に形成され、前記凸状形成物
で挟まれた隙間の長手方向である第1のラビング方向に
ラビング処理が施された後、前記第1のラビング方向と
は異なる第2のラビング方向にラビング処理が施された
第1の基板と、前記第2のラビング方向と同じ方向にラ
ビング処理が施された第2の基板との間に液晶が充填さ
れたパネルを含む液晶表示装置であって、 前記凸状形成物で挟まれた隙間が前記第2のラビング方
向に施されるラビング処理によりラビングされることが
なく、前記第1のラビング方向と前記第2のラビング方
向のなす角が45°よりも大きく135°よりも小さい
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】 2つの前記凸状形成物が表示画素ごとに
配置される請求項3記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 表示画素上において、電圧を印加しない
時に液晶分子の配向状態がスプレイ配向である第1の液
晶層と、液晶分子の配向状態がツイスト配向である第2
の液晶層とが接する領域を有することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項6】 前記第1の基板又は前記第2の基板にア
クティブマトリクス素子が形成されている請求項1から
5のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項7】 第1の基板の一主面上に所定形状の溝部
を形成する工程と、 前記一主面上に配向膜を形成する工程と、 前記第1の基板の前記一主面に、第1のラビング方向に
ラビング処理を施す工程と、 前記第1のラビング方向と異なる第2のラビング方向に
ラビング処理を施す工程と、 第2の基板の一主面に前記第2のラビング方向と同じ方
向にラビング処理を施す工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記ラビング処
理を施した面同士を対向させ、かつ前記第1の基板にお
ける前記第2のラビング方向と前記第2の基板における
ラビング方向とが同じになるように貼り合わせる工程と
を含み、 前記溝部が前記第2のラビング方向に施されるラビング
処理によりラビングされることがなく、前記第1のラビ
ング方向と前記第2のラビング方向のなす角が45°よ
りも大きく135°よりも小さいことを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項8】 第1の基板の一主面上における表示画素
ごとに複数の凸状形成物を所定の間隙をもって形成する
工程と、 前記一主面上に配向膜を形成する工程と、 前記第1の基板の前記一主面に第1のラビング方向にラ
ビング処理を施す工程と、 前記第1のラビング方向と異なる第2のラビング方向に
ラビング処理を施す工程と、 第2の基板の一主面に、前記第2のラビング方向と同じ
方向にラビング処理を施す工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記ラビング処
理を施した面同士を対向させ、かつ前記第1の基板にお
ける前記第2のラビング方向と前記第2の基板における
ラビング方向とが同じになるように貼り合わせる工程と
を含み、 前記凸状形成物で挟まれた隙間が前記第2のラビング方
向に施されるラビング処理によりラビングされることが
なく、前記第1のラビング方向と前記第2のラビング方
向のなす角が45°よりも大きく135°よりも小さい
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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KR101874424B1 (ko) * | 2011-09-05 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 배향막, 표시 장치용 배향막을 포함하는 액정 표시 장치, 표시 장치용 배향막 처리 방법 및 처리 장치 |
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