JP2002249839A - Alloy composition for high-density longitudinal magnetic recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a nonmagnetic Co-Cr alloy thin film having hexagonal close-packed(hcp) structure by which an tough (10.0) texture can be spontaneously induced by adding a specified element even in the case of vapor deposition onto an amorphous substrate. SOLUTION: A thin-film material used in this method is composed of Co-Cr- Mn alloy, and, when a proper amount of Mn is added, the texture of the alloy thin film is changed from (0002) or random to (10.0). Owning to such a phenomenon where the c-axis of hcp is spontaneously arranged parallel to the thin-film surface, a magnetic recording medium can be manufactured using only a material having hcp structure when this material is applied to a longitudinal magnetic recording medium, and improvement in many characteristics can be expected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は高密度な水平磁気記
録媒体用の合金組成物に関し、より詳しくはＣｏＣｒ系
磁性層と同一な六方最密（ｈｃｐ）の結晶構造を有しな
がらも、ｃ軸が薄膜面に平行な特性を示すため高記録密
度を実現することができる磁気記録媒体用の合金組成物
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alloy composition for a high-density horizontal magnetic recording medium, and more particularly to a c-type alloy layer having the same hexagonal close-packed (hcp) crystal structure as a CoCr-based magnetic layer. The present invention relates to an alloy composition for a magnetic recording medium capable of realizing a high recording density because its axis is parallel to a thin film surface.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、代表的な磁気記録媒体材料として
用いられているＣｏＣｒ系合金は六方最密（ｈｃｐ）構
造を有し、水平記録方式では磁化容易軸であるｃ軸を薄
膜面上に平行によく配向させることが最も基本的な問題
だと言える。2. Description of the Related Art CoCr-based alloys currently used as typical magnetic recording medium materials have a hexagonal close-packed (hcp) structure. In the horizontal recording system, the c-axis, which is the axis of easy magnetization, is formed on the thin film surface. It can be said that the most basic problem is to orient parallel.

【０００３】そのため、現在に至るまで主として体心立
方構造（ｂｃｃ）を有する材料が下地層として用いられ
ている。しかし、たとえこれら下地層の材料がＣｏＣｒ
系磁性体のｃ軸配向や微細構造的な側面から多くの効果
を奏しているとしても、根本的に磁性層との結晶構造が
互いに異なるため、磁性層と下地層間の不一致や初期遷
移磁性層の存在など記録特性を更に向上させるために解
決せねばならない問題はたくさんある。特に、初期遷移
層の存在は磁性層の厚さが薄くなる場合その影響が更に
増大するため、高密度な磁気記録のための低Ｍｒｔ［Ｍ
ｒｔ；残留磁化（Ｍｒ）と媒体の磁性層厚さ（ｔ）との
積］領域にてその重要性が特に大きいものと言える。[0003] Therefore, a material having a body-centered cubic structure (bcc) has been used as an underlayer until now. However, even if the material of these underlayers is CoCr
Even if many effects are obtained from the c-axis orientation and microstructural aspects of the system magnetic material, the crystal structure of the magnetic layer is fundamentally different from that of the magnetic layer. There are many problems that need to be solved in order to further improve the recording characteristics, such as the presence of the image. In particular, the influence of the presence of the initial transition layer is further increased when the thickness of the magnetic layer is reduced, so that a low Mrt [M
rt; product of remanent magnetization (Mr) and magnetic layer thickness (t) of medium].

【０００４】ｈｃｐ系列の合金を磁気記録媒体の磁性層
の直ぐ下に蒸着させる場合、既存のｂｃｃ系列の合金と
比べて層間不一致が減り、磁性層のｃ軸配向度が向上さ
れ、相対的に磁性特性が劣悪な初期遷移層が減少し磁性
特性が更に向上されるということが一般的な報告であ
る。[0004] When an hcp series alloy is deposited immediately below a magnetic layer of a magnetic recording medium, interlayer mismatch is reduced as compared with an existing bcc series alloy, and the degree of c-axis orientation of the magnetic layer is improved. It is a general report that the initial transition layer having poor magnetic properties is reduced and the magnetic properties are further improved.

【０００５】従って、自発的にｃ軸が薄膜面に配向する
ｈｃｐ合金薄膜は、既存のｂｃｃ系列の下地層を用いず
とも記録メディアを作ることができるため、新たな下地
層又は根底材料として応用可能性が大きいと言える。Therefore, the hcp alloy thin film in which the c-axis is spontaneously oriented to the thin film surface can be used as a new underlayer or a new underlying material because a recording medium can be made without using an existing bcc-based underlayer. It can be said that the possibility is great.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そのためには非磁性ｈ
ｃｐ材料からｃ軸が薄膜面に平行に配向される材料を作
らねばならぬが、本発明者は、適正組成のＣｏＣｒＭｎ
合金によりｃ軸が薄膜面に平行に配向される強い（１
０．０）集合組織が形成され得ることを発見し、本発明
を完成した。ここで、（１０．０）とは（１０１０）
で、左から３番目の１の上にバーを付した結晶面を意味
する。For this purpose, a non-magnetic h
From the cp material, a material in which the c-axis is oriented parallel to the thin film surface must be made.
The c-axis is oriented parallel to the thin film surface by the alloy.
0.0) We discovered that a texture could be formed and completed the present invention. Here, (10.0) means (1010)
Means a crystal plane with a bar on the third 1 from the left.

【０００７】従って、本発明の目的は従来のｂｃｃ系列
下地層が有する問題点を改善するために案出されたもの
として、ＣｏＣｒ系磁性層と同一な六方最密（ｈｃｐ）
の結晶構造を有しながらも、ｃ軸が薄膜面に平行な特性
を示すため高記録密度を実現することができる磁気記録
媒体用の合金組成物を提供しようとするものである。Therefore, an object of the present invention was devised to improve the problems of the conventional bcc-based underlayer, and it was proposed that the same hexagonal closest packing (hcp) as that of the CoCr-based magnetic layer be used.
It is an object of the present invention to provide an alloy composition for a magnetic recording medium capable of realizing a high recording density because the c-axis shows a characteristic parallel to the thin film surface while having the crystal structure of the above.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明によると、一般式Ｃｏ_xＣｒ_yＭｎ_zとして表
示される磁気記録媒体用の合金組成物が提供される。前
記式の内、ｘは原子％で５５以上６４以下であり、ｙは
原子％で２６以上３７以下であり、ｚは原子％で５以上
１２以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。According to the present invention, in order to solve the problems] To achieve the above object, the alloy composition for a magnetic recording medium which is displayed as the general formula Co _x Cr _y Mn _z is provided. In the above formula, x is 55 to 64 in atomic%, y is 26 to 37 in atomic%, z is 5 to 12 in atomic%, and x + y + z = 100.

【０００９】前記ＣｏＣｒＭｎ合金薄膜は、ＳｉＯ₂の
ような非晶質基板上で基板温度を約１００℃以上に維持
したままスパッタリング蒸着させると蒸着パワーやアル
ゴンガスの圧力のような他の工程変数に大きく関わらず
（１０．０）集合組織を形成する。When the CoCrMn alloy thin film is sputter-deposited on an amorphous substrate such as SiO ₂ while maintaining the substrate temperature at about 100 ° C. or higher, other process variables such as the deposition power and the pressure of the argon gas are reduced. Regardless of the size, a (10.0) texture is formed.

【００１０】本発明による前記の組成領域の内、強い
（１０．０）集合組織が形成されるためのより望ましい
ＣｏＣｒＭｎ合金薄膜の組成領域は、前記式Ｃｏ_xＣｒ_y
Ｍｎ_zで、ｘは原子％で５７以上６３以下であり、ｙは
原子％で２８以上３４以下であり、ｚは原子％で７以上
１１以下の値を有する領域である。[0010] Among the composition region according to the present invention, a strong (10.0) composition region of more desirable CoCrMn alloy thin film for texture is formed, the formula Co _x Cr _y
In Mn _z, x is at least 57 63 or less in atomic%, y is at 28 or more 34 or less in atomic%, z is a region having 7 to 11 values in atomic%.

【００１１】[0011]

【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施例に基づい
てより具体的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on embodiments.

【００１２】（第１実施の形態）日本ＡＮＥＬＶＡ社の
モデル名ＳＰＦ−３１２Ｈ直流マグネトロンスパッタリ
ング装備を用いてＣｏＣｒＭｎ合金薄膜を製造した。基
板はコーニング社製のコーニンク７０５９ガラスと表面
に約２００ｎｍの熱酸化層のあるＳｉＯ₂／Ｓｉ（１０
０）を用いたが両基板とも同一な集合組織が観察され
た。(First Embodiment) A CoCrMn alloy thin film was manufactured by using a DC magnetron sputtering device of model name SPF-312H manufactured by Anelva Japan. The substrate was Corning 7059 glass manufactured by Corning and SiO ₂ / Si (10
Although 0) was used, the same texture was observed on both substrates.

【００１３】基板温度は２００℃にし、蒸着させる時の
パワーは１００Ｗ、アルゴンガスの圧力は１０ｍＴｏｒ
ｒであった。蒸着を始める前の初期真空度は５×１０^-7
ｏｒｒ以下に維持した。[0013] substrate temperature to 200 ° C., power is 100W, the pressure of the argon gas when depositing the 10mTor
r. Initial vacuum before starting deposition is 5 × 10 ^-7
orr.

【００１４】薄膜の組成は、Ｃｏ₇₃Ｃｒ₁₇ターゲットや
Ｃｏ₆₅Ｃｒ₃₅ターゲット上にＣｒとＭｎチップを用いて
変化させた。集合組織の分析のための薄膜試料は厚さ１
００ｎｍに固定し、成分分析はＩＣＰとＡＡＳ、集合組
織の分析はＸＲＤを用いて行った。The composition of the thin film was changed on a Co ₇₃ Cr ₁₇ target or a Co ₆₅ Cr ₃₅ target using Cr and Mn chips. The thin film sample for texture analysis has a thickness of 1
The sample was fixed at 00 nm, component analysis was performed using ICP and AAS, and texture analysis was performed using XRD.

【００１５】前記の如く製造されたＣｏＣｒＭｎ薄膜の
組成による集合組織の変化を図１に示した。図１にて分
かるように、Ｍｎの量が段々増加するに連れて最初のＣ
ｏＣｒの場合［図１の（ａ）］で示されていたランダム
集合組織が段々とｃ軸が薄膜面に平行に配向する方へと
発展されることが分かる［図１の（ｃ）図示］。FIG. 1 shows a change in texture according to the composition of the CoCrMn thin film manufactured as described above. As can be seen from FIG. 1, as the amount of Mn increases, the first C
In the case of oCr, it can be seen that the random texture shown in (a) of FIG. 1 is gradually developed so that the c-axis is oriented parallel to the thin film surface (shown in (c) of FIG. 1). .

【００１６】このようにＣｏＣｒＭｎの組成を体系的に
変化させながらｃ軸が薄膜面に平行に成長する組成領域
［強い（１０．０）集合組織を示す組成領域］を図２の
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ三元系状態図上に示した。図２の状態
図上の黒い点で表示した部分が強い（１０．０）集合組
織を示す領域だが比較的に狭い領域に渡っていることが
分かる。As described above, the composition region where the c-axis grows parallel to the thin film surface while the composition of CoCrMn is systematically changed [composition region showing a strong (10.0) texture] is shown in FIG. It is shown on the Mn ternary phase diagram. It can be seen that the portion indicated by a black dot on the state diagram of FIG. 2 is a region showing a strong (10.0) texture but extends over a relatively narrow region.

【００１７】（第２実施の形態）蒸着条件がＣｏＣｒＭ
ｎ薄膜に及ぼす影響を確かめるために、第１実施の形態
にて求めた組成の内、Ｃｏ₅₈Ｃｒ₃₃Ｍｎ₉［図１の
（ｃ）、以下別途の言及が無い場合、ＣｏＣｒＭｎはこ
の組成を意味する］を選択し蒸着パワーを１００−３０
０Ｗ、アルゴンガスの圧力を５−１０ｍＴｏｒｒに変化
させながら薄膜を製造した。薄膜の厚さは１００ｎｍに
固定し、基板の温度は２００℃で蒸着させた。(Second Embodiment) The deposition condition is CoCrM
In order to confirm the effect on the n-thin film, Co ₅₈ Cr ₃₃ Mn ₉ [(c) in FIG. 1, unless otherwise specified, CoCrMn has the same composition as the composition determined in the first embodiment. Means] and the deposition power is 100-30
A thin film was manufactured while changing the pressure of 0 W and argon gas to 5 to 10 mTorr. The thickness of the thin film was fixed at 100 nm, and the temperature of the substrate was deposited at 200 ° C.

【００１８】その結果を図３に示したが、ＣｏＣｒＭｎ
合金薄膜の集合組織は蒸着パワーやアルゴンガスの圧力
には大きな変化を受けないことが分かる。FIG. 3 shows the results.
It can be seen that the texture of the alloy thin film is not significantly changed by the deposition power or the pressure of the argon gas.

【００１９】図４は、蒸着パワーとアルゴンガスの圧力
をそれぞれ１００Ｗ、１０ｍＴｏｒｒに固定し基板温度
を上げながらＣｏＣｒＭｎを１００ｎｍ蒸着させた結果
である。常温にて蒸着させた時には弱い（０００２）ピ
ークが示されるが、基板温度が１００℃以上では（１
０．０）ピークが優勢に示されることが分かる。FIG. 4 shows the result of depositing 100 nm of CoCrMn while raising the substrate temperature while fixing the deposition power and the pressure of the argon gas at 100 W and 10 mTorr, respectively. A weak (0002) peak is shown when vapor deposition is performed at room temperature, but when the substrate temperature is 100 ° C or higher, (1)
0.0) It can be seen that the peak is predominantly shown.

【００２０】以上の実験結果からＣｏＣｒＭｎが比較的
に狭い組成範囲だけで（１０．０）集合組織を示すが製
造工程には大きな影響を受けないことが分かる。このよ
うな特性は、実際記録媒体用の多層薄膜を製造する時の
製造工程上、かなりの融通性を提供するものとして応用
側面において有利に作用するものと思われる。From the above experimental results, it can be seen that CoCrMn shows a (10.0) texture only in a relatively narrow composition range, but is not significantly affected by the manufacturing process. Such characteristics are considered to provide a great deal of flexibility in the production process when actually producing a multilayer thin film for a recording medium, and thus it is thought to advantageously work in application aspects.

【００２１】（第３実施の形態）本発明にて提案された
ＣｏＣｒＭｎ薄膜の実際の応用可能性を確かめるために
水平磁気記録方式にて用いられる代表的な下地層の材料
であるＣｒとその特性を比較した。(Third Embodiment) In order to confirm the practical applicability of the CoCrMn thin film proposed in the present invention, a typical underlayer material Cr used in a horizontal magnetic recording system and its characteristics are described. Were compared.

【００２２】磁性層はＣｏＣｒＰｔを用いて、磁性層の
厚さを３０ｎｍ、下地層の厚さを１０ｎｍにした。基板
はコーニング７０５９ガラスを用いた。The magnetic layer was made of CoCrPt, and the thickness of the magnetic layer was 30 nm and the thickness of the underlayer was 10 nm. The substrate used was Corning 7059 glass.

【００２３】製造したサンプルの磁気的特性変化を表１
に整理した。下記表１中のＨ_cは保磁力、Ｓ＊は保磁力
角形比、そしてＳは角形比を意味する。Table 1 shows changes in magnetic properties of the manufactured samples.
Organized. In Table 1 below, _Hc is the coercive force, S * is the coercive force squareness, and S is the squareness ratio.

【００２４】[0024]

【表１】 表１にて示されるとおり、下地層としてＣｏＣｒＭｎを
用いた場合、Ｃｒ下地層と比べて保磁力が約２４％程、
向上された。[Table 1] As shown in Table 1, when CoCrMn was used as the underlayer, the coercive force was about 24% lower than that of the Cr underlayer.
Improved.

【００２５】図５は透過電子顕微鏡を用いて下地層によ
る微細構造の変化を確かめたものである。一般的に磁性
層の微細構造は下地層により影響を大きく受けるが、高
密度な記録のためには磁性層の結晶粒サイズが小さく均
一でなければならない。図５から、ＣｏＣｒＭｎ下地層
を用いた場合の磁性層の平均結晶粒サイズは、Ｃｒ下地
層を用いた場合と似ているが、結晶粒のサイズ分布がＣ
ｒ下地層と比べて均一であることが分かる。このように
磁性層の結晶粒のサイズが均一であれば媒体のノイズ減
少に有利である。FIG. 5 shows changes in the fine structure caused by the underlayer using a transmission electron microscope. Generally, the fine structure of the magnetic layer is greatly affected by the underlayer, but for high-density recording, the magnetic layer must have a small and uniform crystal grain size. FIG. 5 shows that the average crystal grain size of the magnetic layer when the CoCrMn underlayer is used is similar to that when the Cr underlayer is used, but the crystal grain size distribution is C
It turns out that it is uniform compared with r underlayer. The uniform size of the crystal grains of the magnetic layer is advantageous for reducing noise of the medium.

【００２６】図６の（ａ），（ｂ）は、それぞれＣｒ薄
膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をＣｏＣｒＰｔ磁性層の下地
層として用いた場合のＣｏＣｒＰｔ磁性層と下地層間の
界面構造を示す写真である。Ｃｒ下地層の場合（図６の
（ａ））は、磁性層との間に薄い遷移層が存在するのと
比べて、ＣｏＣｒＭｎの場合（図６の（ｂ））にはＣｒ
下地層に比べて非常にきれいな界面を示している。FIGS. 6A and 6B are photographs showing the interface structure between the CoCrPt magnetic layer and the underlayer when the Cr thin film and the CoCrMn thin film are used as the underlayer of the CoCrPt magnetic layer, respectively. In the case of a Cr underlayer (FIG. 6 (a)), a thin transition layer exists between the magnetic underlayer and the CoCrMn (FIG. 6 (b)).
It shows a very clean interface compared to the underlayer.

【００２７】磁性層で遷移層の磁性特性は他の部分と比
べて相対的に劣悪なため遷移層の存在は全体的な記録特
性に悪影響を与えることになる。記録密度の向上のため
には磁性層の厚さが段々薄くならねばならないため、こ
のような遷移層の有無が実際記録媒体を製造する時かな
り重要なものとなる。Since the magnetic properties of the transition layer in the magnetic layer are relatively inferior to other parts, the presence of the transition layer adversely affects the overall recording characteristics. In order to improve the recording density, the thickness of the magnetic layer must be gradually reduced. Therefore, the presence or absence of such a transition layer is considerably important when actually manufacturing a recording medium.

【００２８】[0028]

【発明の効果】本発明により製造されたＣｏＣｒＭｎ薄
膜は、磁性層と同一なｈｃｐ構造を有しながらも、ｃ軸
が薄膜面に平行に配列する特性とＣｒ下地層のような既
存のｂｃｃ系列下地層と比べて磁性層の微細構造や層間
界面構造でも高記録密度を実現するのに有利な特性とを
示し、これからもその応用可能性が大きいものと思われ
る。The CoCrMn thin film manufactured according to the present invention has the same hcp structure as the magnetic layer, but the c-axis is arranged parallel to the thin film surface, and the existing bcc series such as Cr underlayer. Compared to the underlayer, the magnetic layer has a more advantageous characteristic for realizing a high recording density even in the fine structure and the interlayer interface structure of the magnetic layer, and it is considered that its application potential will be great in the future.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明によるＣｏＣｒＭｎ合金組成物の組成変
化による集合組織の変化を示すグラフ図。FIG. 1 is a graph showing a change in texture due to a change in the composition of a CoCrMn alloy composition according to the present invention.

【図２】基板温度２００℃で蒸着させる時の強い（１
０．０）集合組織を示すＣｏＣｒＭｎ合金組成領域を示
すグラフ図。FIG. 2 shows a strong (1)
0.0) A graph showing a CoCrMn alloy composition region showing a texture.

【図３】スパッタリングでＣｏ₅₈Ｃｒ₃₃Ｍｎ₁₉からなる
１００ｎｍの合金薄膜を製造する時蒸着パワーとアルゴ
ンガスの圧力変化が薄膜の集合組織に与える影響を示す
グラフ図。FIG. 3 is a graph showing the effect of changes in deposition power and argon gas pressure on the texture of the thin film when a 100 nm alloy thin film made of Co ₅₈ Cr ₃₃ Mn ₁₉ is produced by sputtering.

【図４】スパッタリングでＣｏ₅₈Ｃｒ₃₃Ｍｎ₁₉からなる
１００ｎｍの合金薄膜を製造する時の基板温度が薄膜の
集合組織に与える影響を示すグラフ図。FIG. 4 is a graph showing the effect of the substrate temperature on the texture of the thin film when producing a 100 nm alloy thin film made of Co ₅₈ Cr ₃₃ Mn _{19 by} sputtering.

【図５】Ｃｒ薄膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をそれぞれＣ
ｏＣｒＰｔ磁性層の下地層として用いた時のＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層の微細構造写真と結晶粒サイズ分布を示すグラ
フ図。FIG. 5 shows that a Cr thin film and a CoCrMn thin film
CoCrP when used as an underlayer of oCrPt magnetic layer
FIG. 4 is a graph showing a microstructure photograph and a crystal grain size distribution of a t-magnetic layer.

【図６】Ｃｒ薄膜およびＣｏＣｒＭｎ薄膜をそれぞれＣ
ｏＣｒＰｔ磁性層の下地層として用いた場合のＣｏＣｒ
Ｐｔ磁性層と下地層間の界面構造を示す写真。FIG. 6 shows that a Cr thin film and a CoCrMn thin film are respectively C
CoCr when used as an underlayer of oCrPt magnetic layer
4 is a photograph showing an interface structure between a Pt magnetic layer and an underlayer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 1/04 Ｓ (72)発明者 ハ・ジュン・ソン 大韓民国、クァンヨク−シ、クァンジュ、 ナム−ク、ボンスン−ドン、ライン・サー ド・アパートメント 302−603 (72)発明者 ソーン・ジュ・クォン 大韓民国、キョンブク、ポハン−シ、ナム −ク、ジゴク−ドン、プロフェッサー・ア パートメント ７−1303 (72)発明者 ソー・ヨル・ホン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94086、サニーベール、エム111、サウス・ フェア・オークス・アベニュー 655 Ｆターム(参考） 4K029 BA24 BC06 BD11 DC04 5D006 BB02 BB07 EA03 5E040 AA14 AA19 CA06 HB15 NN01 5E049 AA04 AA09 BA06 DB06 HC02──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) H01F 10/16 H01F 1/04 S (72) Inventor Ha Jun Sung In Korea, Gwangyoku-shi, Gwangju Nam-k, Bong-sung-Dong, Rhine-Sard Apartment 302-603 1303 (72) Inventor So Yoru Hong United States, 94086, California, Sunnyvale, M111, South Fair Oaks Avenue 655 F term (reference) 4K029 BA24 BC06 BD11 DC04 5D006 BB02 BB07 EA03 5E040 AA14 AA19 CA06 HB15 NN01 5E049 AA04 AA09 BA06 DB06 HC0 Two

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 一般式Ｃｏ_xＣｒ_yＭｎ_zとして表示さ
れ、前記式の内、ｘは原子％で５５以上６４以下であ
り、ｙは原子％で２６以上３７以下であり、ｚは原子％
で５以上１２以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体用の合金組成物。1. A appears as the general formula Co _x Cr _y Mn _z, of said formula, x is 55 or more 64 or less in atomic%, y is 26 or more 37 or less in atomic%, z is the atomic%
5 to 12 and x + y + z = 100. 【請求項２】 前記ｘは、原子％で５７以上６３以下で
あり、前記ｙは原子％で２８以上３４以下であり、前記
ｚは原子％で７以上１１以下であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体
用の合金組成物。2. The x is 57 to 63 in atomic%, the y is 28 to 34 in atomic%, the z is 7 to 11 in atomic%, and x + y + z = 10
The alloy composition for a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the composition is 0.