JP2001312814A - Magnetic recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic recording medium which has a Co-Cr intermediate layer having a hcp crystal structure where a structural defect hardly occurs by suppressing the formation of a Co-Cr intermetallic compound and which has improved SNR. SOLUTION: The magnetic recording medium has a laminated structure of four or more thin film layers in which at least a non-magnetic base layer, a non-magnetic intermediate layer having the hcp structure, a magnetic recording layer and a protective layer is formed on a non-magnetic substrate. In the case, the non-magnetic intermediate layer is an alloy containing three elements of Co, Cr and Mn, having 37 to 50 atom % sum of the Cr and the Mn, and 0 to 10 atom % Mn based on the total atoms of the non-magnetic intermediate layer respectively and the non-magnetic intermediate layer has 0.5 to 5 nm film thickness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ等情報
機器用記憶装置等に使用される磁気記録媒体に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium used for a storage device for information equipment such as a computer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】コンピュータを始めとする情報機器用記
憶装置の高度化が、日々進んでいる。磁気記録装置にお
いても、情報を読み書きする磁気ヘッドの高度化、およ
び情報が読み書きされる磁気記録媒体の高記録密度化が
進められている。2. Description of the Related Art Storage devices for information devices such as computers are becoming more sophisticated every day. Also in magnetic recording devices, the advancement of magnetic heads for reading and writing information and the increase in recording density of magnetic recording media on which information is read and written are being promoted.

【０００３】磁気記録媒体の高記録密度化のためには、
実際に情報信号の記録再生を行う際の再生信号と媒体ノ
イズとの比率であるＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）を高める必要が
ある。In order to increase the recording density of a magnetic recording medium,
It is necessary to increase the SNR (S / N ratio), which is the ratio between the reproduced signal and the medium noise when actually recording and reproducing the information signal.

【０００４】―般に磁気記録媒体はアルミ合金やガラス
など非磁性基体上に、その上に成膜される磁性記録層の
結晶配向性を制御するための非磁性下地層、情報が記録
される磁性記録層、磁気ヘッドとの摺動から磁性記録層
を保護するための保護層を順次成膜することにより製造
される。図１に一般的な磁気記録媒体の層構成模式図を
示す。通常下地層材料にはＣｒないしＣｒ合金薄膜、磁
性記録層にはＣｏとＣｒとの合金を主体としこれに数種
類の元素を添加した磁性薄膜、保護層にはカーボンを主
体とする薄膜が使用される。成膜方法には、薄膜特性の
制御が容易で、かつ高品質の薄膜が得られることから、
一般にスパッタ法が用いられる。Generally, a magnetic recording medium has a non-magnetic base layer for controlling the crystal orientation of a magnetic recording layer formed thereon and information on a non-magnetic substrate such as an aluminum alloy or glass. The magnetic recording layer is manufactured by sequentially forming a protective layer for protecting the magnetic recording layer from sliding with the magnetic head. FIG. 1 shows a schematic diagram of a layer configuration of a general magnetic recording medium. Usually, a Cr or Cr alloy thin film is used for the underlayer material, a magnetic recording layer is mainly made of an alloy of Co and Cr and a magnetic thin film to which several kinds of elements are added, and a thin film mainly containing carbon is used for the protective layer. You. In the film formation method, since the thin film characteristics can be easily controlled and a high quality thin film can be obtained,
Generally, a sputtering method is used.

【０００５】ＣｒもしくはＣｒ合金を用いた下地層の結
晶系はｂｃｃ（体心立方構造）であり、Ｃｏを基とする
磁性層の結晶系はｈｃｐ（六方最密構造）と異なってい
る。そのためＣｒ系下地層上にエピタキシャル成長を行
うＣｏ系磁性層の初期結晶成長層はわずかながら乱れた
結晶格子となる。この乱れは媒体特性の劣化、とくにノ
イズが増加する原因となり、ＳＮＲを低減させるため、
従来から様様な方法により対策がなされてきた。特開平
８−３２９４４４号公報では、Ｃｒ系下地層とＣｏ系磁
性層との間にＣｏ−Ｃｒを基とし比較的磁性の小さいｈ
ｃｐ構造を有する中間層を挿入することによりこの問題
を改善しようとしている。The crystal system of the underlayer using Cr or Cr alloy is bcc (body-centered cubic structure), and the crystal system of the magnetic layer based on Co is different from hcp (hexagonal close-packed structure). Therefore, the initial crystal growth layer of the Co-based magnetic layer that is epitaxially grown on the Cr-based underlayer has a slightly distorted crystal lattice. This disturbance causes deterioration of the medium characteristics, particularly noise, and reduces the SNR.
Conventionally, various measures have been taken. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-329444, a Co-Cr-based h having a relatively small magnetic property is provided between a Cr-based underlayer and a Co-based magnetic layer.
An attempt is made to improve this problem by inserting an intermediate layer having a cp structure.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】Ｃｏに対するＣｒの添
加量を増加させていくと、金属相中には多数の金属間化
合物やｈｃｐとは異なる結晶構造を有する合金相が形成
される。これらは中間層の結晶格子がｈｃｐ構造を形成
するための妨げとなる。一方、Ｃｏ−Ｃｒ中間層は非磁
性であることが好ましいため、ＣｏへのＣｒの添加量は
３５原子％以上になる場合が通常である。そのためＣｏ
−Ｃｒ中間層の結晶構造は、マクロ的にはｈｃｐ構造を
保ちながら、ミクロ的にはｈｃｐ以外の相が形成されて
いることになる。このことは、Ｃｒ系下地層とＣｏ系磁
性層の間のエピタキシャル成長性を阻害し、ＣｏＣｒ中
間層を使用する主目的であるＳＮＲ改善効果を弱めてし
まうことになる。またターゲット材の製造過程におい
て、金属間化合物の形成は加工を困難なものとする。こ
のことはターゲット材品質のバラツキを誘発することに
なり、そのまま磁気記録媒体品質の劣化にもつながる。As the amount of Cr added to Co is increased, a number of intermetallic compounds and an alloy phase having a crystal structure different from hcp are formed in the metal phase. These hinder the crystal lattice of the intermediate layer from forming the hcp structure. On the other hand, since the Co—Cr intermediate layer is preferably non-magnetic, the amount of Cr added to Co is usually 35 atomic% or more. Therefore Co
As for the crystal structure of the -Cr intermediate layer, a phase other than hcp is formed microscopically while maintaining the hcp structure macroscopically. This impairs the epitaxial growth between the Cr-based underlayer and the Co-based magnetic layer, and weakens the SNR improvement effect, which is the main purpose of using the CoCr intermediate layer. In the process of manufacturing the target material, formation of an intermetallic compound makes processing difficult. This leads to variation in the quality of the target material, which in turn leads to the deterioration of the quality of the magnetic recording medium.

【０００７】本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ金属間化合物の形成
を抑制し、より構造欠陥の少ないｈｃｐ結晶構造を有す
るＣｏ−Ｃｒ中間層を提供し、磁気記録媒体のＳＮＲを
改善することを目的とする。An object of the present invention is to provide a Co-Cr intermediate layer having an hcp crystal structure with less structural defects by suppressing the formation of Co-Cr intermetallic compounds, and to improve the SNR of a magnetic recording medium. I do.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基体上にスパッタリング法により少なくとも
非磁性下地層、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間層、磁性
記録層が順次形成され、さらに継続してスパッタリング
法もしくはＣＶＤ法により保護層が形成された４層以上
の薄膜の積層構造を有する磁気記録媒体において、非磁
性中間層がＣｏ，Ｃｒ，Ｍｎの３つの元素を含む合金で
あり、前記Ｃｒと前記Ｍｎの合計が前記非磁性中間層の
全原子を基準として３７原子％以上５０原子％以下であ
り、前記Ｍｎは前記非磁性中間層の全原子を基準として
０原子％超１０原子％以下であり、かつ前記非磁性中間
層の膜厚が０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴
とする。According to the magnetic recording medium of the present invention, at least a nonmagnetic underlayer, a nonmagnetic intermediate layer having an hcp structure, and a magnetic recording layer are sequentially formed on a nonmagnetic substrate by a sputtering method. In a magnetic recording medium having a laminated structure of four or more thin films on which a protective layer is formed by a sputtering method or a CVD method, the nonmagnetic intermediate layer is an alloy containing three elements of Co, Cr, and Mn. The sum of Cr and the Mn is 37 atomic% or more and 50 atomic% or less based on all atoms of the non-magnetic intermediate layer, and the Mn is more than 0 atomic% and 10 atomic% based on all the atoms of the non-magnetic intermediate layer. And the thickness of the non-magnetic intermediate layer is 0.5 nm or more and 5 nm or less.

【０００９】また、本発明の磁気記録媒体は、非磁性中
間層にＭｏ、Ｗ、Ｔａ、ＴｉおよびＶからなる群から選
択される１つまたは複数の元素をさらに含んでもよい。[0009] The magnetic recording medium of the present invention may further include one or more elements selected from the group consisting of Mo, W, Ta, Ti and V in the non-magnetic intermediate layer.

【００１０】好ましくは、前記のＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
およびＶからなる群から選択される１つまたは複数の元
素は、非磁性中間層の全原子を基準として２原子％以下
であってもよい。Preferably, Mo, W, Ta, Ti
And one or more elements selected from the group consisting of V and 2% by atom or less based on all atoms of the nonmagnetic intermediate layer.

【００１１】[0011]

【発明の実施の形態】図２に、本発明の磁気記録媒体の
概略の断面図を示す。本発明の非磁性基体１１として
は、アルミニウムまたはガラス製の基板を用いることが
でき、それら基板の表面をＮｉ−Ｐなどによりメッキし
てもよい。非磁性下地層１２は、ＣｒｍたはＣｒを主と
する非磁性合金を用いて形成することができる。磁性記
録層１４は、ＣｏとＣｒとの合金を主とする磁性合金か
らなる層である。前述の磁性合金に対して、その特性を
損なわない限りにおいて他の金属元素を添加することが
できる。非磁性下地層１２および磁性記録層１４は、均
一な薄膜を製造することができる任意の成膜方法を用い
て形成することができるが、高品質の薄膜を得るために
スパッタ法を用いて形成することが好ましい。また、保
護層１５は、カーボン（たとえば、ダイアモンド様カー
ボン（ＤＬＣ）など）を用いることができる。保護層１
５の形成においては、均一な薄膜を製造することができ
る任意の成膜方法を用いることができるが、中でもスパ
ッタ法およびＣＶＤ法が好ましい。FIG. 2 is a schematic sectional view of a magnetic recording medium according to the present invention. As the nonmagnetic substrate 11 of the present invention, substrates made of aluminum or glass can be used, and the surfaces of those substrates may be plated with Ni-P or the like. The non-magnetic underlayer 12 can be formed using Crm or a non-magnetic alloy mainly containing Cr. The magnetic recording layer 14 is a layer made of a magnetic alloy mainly containing an alloy of Co and Cr. Other metal elements can be added to the above-mentioned magnetic alloys as long as their properties are not impaired. The non-magnetic underlayer 12 and the magnetic recording layer 14 can be formed by any film forming method capable of manufacturing a uniform thin film, but are formed by sputtering to obtain a high-quality thin film. Is preferred. In addition, carbon (for example, diamond-like carbon (DLC) or the like) can be used for the protective layer 15. Protective layer 1
In the formation of 5, any film forming method capable of producing a uniform thin film can be used, and among them, a sputtering method and a CVD method are preferable.

【００１２】本発明において、非磁性下地層と磁性記録
層との間に設けられる非磁性中間層は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍ
ｎの３つの元素を含む合金で構成される。Ｍｎは比較的
広い組成範囲でＣｏに固溶するため、Ｃｏを非磁性化す
るために添加するＣｒの一部をこれで置換えることによ
り金属間化合物の形成を抑制し、Ｃｏのｈｃｐ構造の結
晶格子欠陥を低減させることが可能である。Ｍｎの添加
量はＣｒ系合金の非磁性下地層やＣｏ合金の磁性記録層
の組成に応じて適宜選択される。In the present invention, the non-magnetic intermediate layer provided between the non-magnetic underlayer and the magnetic recording layer is made of Co, Cr, M
It is composed of an alloy containing three elements of n. Since Mn forms a solid solution with Co in a relatively wide composition range, formation of an intermetallic compound is suppressed by substituting a part of Cr added for demagnetizing Co with Co, so that Co has a hcp structure. It is possible to reduce crystal lattice defects. The addition amount of Mn is appropriately selected according to the composition of the nonmagnetic underlayer of the Cr-based alloy and the composition of the magnetic recording layer of the Co alloy.

【００１３】ただしＭｎは金属結合半径が０．１１２ｎ
ｍ（１．１２Å）とＣｏと比較して小さいため、ＣｏＣ
ｒ中間層の格子間隔を減少させてしまう。この格子間隔
の減少は、中間層の上層に形成されるＣｏ合金の磁性記
録層におけるエピタキシャル成長を行ううえで不利とな
る。このことからＭｎ添加量には上限が必要となる。す
なわち、本発明における非磁性中間層に対するＭｎの添
加量は、好ましくは前記非磁性中間層の全原子を基準と
して０原子％超１０原子％以下であり、より好ましくは
２原子％以上８原子％以下である。また、Ｃｒ＋Ｍｎ量
は中間層を非磁性化させるのに必要な最低量とＣｏのｈ
ｃｐ構造を維持しうる最大量との間に設定する必要があ
る。ＣｒとＭｎとの合計は、非磁性中間層の全原子を基
準として３７原子％以上５０原子％以下であることが好
ましく、より好ましくは４０原子％以上４７原子％以下
である。However, Mn has a metal bond radius of 0.112 n.
m (1.12Å) is smaller than Co, so that CoC
r The lattice spacing of the intermediate layer is reduced. This decrease in the lattice spacing is disadvantageous in performing epitaxial growth on the magnetic recording layer of the Co alloy formed on the intermediate layer. For this reason, an upper limit is required for the amount of added Mn. That is, the amount of Mn added to the non-magnetic intermediate layer in the present invention is preferably more than 0 atomic% and 10 atomic% or less, more preferably 2 atomic% to 8 atomic%, based on all atoms of the non-magnetic intermediate layer. It is as follows. Further, the amount of Cr + Mn is the minimum amount required to demagnetize the intermediate layer and h of Co.
It is necessary to set it between the maximum amount that can maintain the cp structure. The total of Cr and Mn is preferably at least 37 at.% And at most 50 at.%, More preferably at least 40 at.% And at most 47 at.%, Based on all atoms of the nonmagnetic intermediate layer.

【００１４】非磁性中間層の膜厚は、非磁性中間層がそ
の下層にあるＣｒ系非磁性下地層を被覆するのに必要十
分な膜厚である必要がある。また同時に、非磁性中間層
は、Ｃｒ系非磁性下地層の結晶配向性が失われずに、Ｃ
ｏ合金磁性記録層がエピタキシャル成長をしうる膜厚で
なければならない。本発明において好ましい非磁性中間
層の膜厚は、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好
ましく、より好ましくは１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下
である。The thickness of the non-magnetic intermediate layer must be sufficient and sufficient for the non-magnetic intermediate layer to cover the underlying Cr-based non-magnetic underlayer. At the same time, the nonmagnetic intermediate layer has a C
The o-alloy magnetic recording layer must be thick enough to allow epitaxial growth. In the present invention, the thickness of the nonmagnetic intermediate layer is preferably 0.5 nm or more and 5 nm or less, more preferably 1.0 nm or more and 3.0 nm or less.

【００１５】本発明の非磁性中間層１３は、非磁性下地
層１２および磁性記録層１４と同様に、均一な薄膜を製
造することができる任意の成膜方法を用いて形成するこ
とができるが、高品質の薄膜を得るためにスパッタ法を
用いて形成することが好ましい。The non-magnetic intermediate layer 13 of the present invention can be formed by any film forming method capable of producing a uniform thin film, similarly to the non-magnetic underlayer 12 and the magnetic recording layer 14. In order to obtain a high-quality thin film, it is preferable to use a sputtering method.

【００１６】また、本発明の磁気記録媒体の製造におい
て、非磁性下地層１２、非磁性中間層１３，磁性記録層
１４は、真空を破ることなく連続して成膜される必要が
ある。これは、各層の間のエピタキシャル成長性を損な
わないためである。保護層１５も、前記各層の形成の後
に真空を破ることなく連続して成膜されることが好まし
いが、状況に応じて別個の装置において形成することも
できる。In the manufacture of the magnetic recording medium of the present invention, the non-magnetic underlayer 12, the non-magnetic intermediate layer 13, and the magnetic recording layer 14 need to be continuously formed without breaking vacuum. This is because the epitaxial growth between the layers is not impaired. The protective layer 15 is also preferably formed continuously after forming each of the above layers without breaking the vacuum, but may be formed in a separate device depending on the situation.

【００１７】以下に、本発明の実施例を説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

【００１８】図２に、実施例の磁気記録媒体の断面図を
示す。非磁性基体１１として、外径φ９５ｍｍ内径φ２
５ｍｍのドーナツ状で、厚さ０．８ｍｍを有するアルミ
合金基板を用いた。その基板は、円周方向にテクスチャ
ー加工が施され、およびＮｉ−Ｐメッキ層を有する。こ
の非磁性基体１１上に、非磁性下地層１２、非磁性中間
層１３、磁性記録層１４、保護層１５を、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により、真空を破ることなく順次成膜し
た。FIG. 2 is a sectional view of the magnetic recording medium of the embodiment. As the non-magnetic substrate 11, outer diameter φ95 mm inner diameter φ2
An aluminum alloy substrate having a donut shape of 5 mm and a thickness of 0.8 mm was used. The substrate is circumferentially textured and has a Ni-P plating layer. On this non-magnetic substrate 11, a non-magnetic underlayer 12, a non-magnetic intermediate layer 13, a magnetic recording layer 14, and a protective layer 15 were sequentially formed by a DC magnetron sputtering method without breaking vacuum.

【００１９】非磁性下地層１２を、Ｃｒ₈₀Ｍｏ₂₀の組成
を有するＣｒ合金をターゲットとして用いて、膜厚２０
ｎｍになるように成膜した。磁性記録層１３を、Ｃｏ₆₈
Ｃｒ ₂₀Ｐｔ₈Ｔａ₃Ｂ₁の組成を有するＣｏ合金をターゲ
ットとして用いて、膜厚２０ｎｍになるように成膜し
た。上記のスパッタ成膜によって得られる薄膜の組成
は、ターゲット組成にほば等しいことが確認されてい
る。保護層１５は、カーボンから成り、その膜厚は１０
ｎｍである。各層のスパッタ成膜時のアルゴン圧力は
０．６６Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）一定とした。スパッタ成
膜前には、非磁性下地層の成膜直前の基板温度が約２５
０℃になるように真空中基板加熱を行っている。The nonmagnetic underlayer 12 is made of Cr₈₀Mo₂₀Composition of
Using a Cr alloy having
nm. The magnetic recording layer 13 is made of Co₆₈
Cr ₂₀Pt₈Ta_ThreeB₁Target Co alloy having the following composition:
To form a film with a thickness of 20 nm.
Was. Composition of thin film obtained by the above-mentioned sputter deposition
Has been confirmed to be approximately equal to the target composition.
You. The protective layer 15 is made of carbon and has a thickness of 10
nm. The argon pressure during sputter deposition of each layer is
0.66 Pa (5 mTorr) was fixed. Sputtering
Before the film formation, the substrate temperature immediately before the formation of the nonmagnetic underlayer is about 25.
The substrate is heated in a vacuum so as to reach 0 ° C.

【００２０】非磁性中間層１３は、非磁性下地層１２と
磁性記録層１４との間に成膜され、表１に示す組成およ
び膜厚を有した。The nonmagnetic intermediate layer 13 was formed between the nonmagnetic underlayer 12 and the magnetic recording layer 14 and had the composition and thickness shown in Table 1.

【００２１】表１に、非磁性中間層の組成および膜厚、
ならびにそれを有する磁気記録媒体のＲ／Ｗ特性値（Ｓ
ＮＲ）を示した。Table 1 shows the composition and thickness of the nonmagnetic intermediate layer,
And the R / W characteristic value (S
NR).

【００２２】[0022]

【表１】 [Table 1]

【００２３】実施例１〜３、５および６と比較例１との
比較において、本発明によるＣｏＣｒＭｎ非磁性中間層
を有する磁気記録媒体のＳＮＲ値は、従来技術であるＣ
ｏ₅₈Ｃｒ₄₂非磁性中間層を有する磁気記録媒体（比較例
１）のＳＮＲ値を上回っており、中間層へのＭｎ添加が
ＳＮＲ向上に効果があることが分かる。In comparison between Examples 1 to 3, 5 and 6 and Comparative Example 1, the SNR value of the magnetic recording medium having the CoCrMn non-magnetic intermediate layer according to the present invention was higher than that of the prior art.
The SNR value of the magnetic recording medium having the o ₅₈ Cr ₄₂ nonmagnetic intermediate layer (Comparative Example 1) was higher than that of the magnetic recording medium, indicating that the addition of Mn to the intermediate layer was effective in improving the SNR.

【００２４】実施例２〜４において、Ｃｏ₅₆Ｃｒ₄₀Ｍｎ
₄の組成を有する非磁性中間層の膜厚を変化させた。非
磁性中間層の膜厚が５ｎｍより厚くなるとその効果が減
少し始め、１０ｎｍでは従来媒体のＳＮＲを下回ってい
る。このことから非磁性中間層の膜厚を５ｎｍ以下とす
ることが望ましいことが分かる。In Examples 2 to 4, Co ₅₆ Cr ₄₀ Mn
The thickness of the nonmagnetic intermediate layer having the composition of No. ₄ was changed. When the thickness of the non-magnetic intermediate layer is larger than 5 nm, the effect starts to decrease, and at 10 nm, the SNR of the conventional medium is lower. This indicates that the thickness of the non-magnetic intermediate layer is desirably 5 nm or less.

【００２５】実施例２、５および６において、膜厚を一
定として、非磁性中間層に対するＭｎ添加量を変化させ
た。Ｍｎ添加量は１０原子％まではＳＮＲの改善効果が
見られているが、１２％まで添加量を増やすとＳＮＲの
低下が見られる。これはＭｎ添加による格子間隔の減少
によるものと考えられ、Ｍｎの添加量は１０原子％以下
であることが望ましい。In Examples 2, 5, and 6, the amount of Mn added to the non-magnetic intermediate layer was changed while keeping the film thickness constant. Although the effect of improving the SNR is seen up to the addition amount of Mn of 10 at%, the SNR is decreased when the addition amount is increased up to 12%. This is considered to be due to a decrease in the lattice spacing due to the addition of Mn, and the amount of Mn added is desirably 10 atomic% or less.

【００２６】従来技術（特開平８−３２９４４４号公報
など）によるＭｏを添加した例では、２原子％のＭｏ添
加（比較例２）で比較例１よりもＳＮＲが若干向上して
いる。これはＭｏがＣｏ，Ｃｒより大きな金属結合半径
を有するが故にＣｏ−Ｃｒ中間層の格子間隔を拡大し、
その上層に形成されるＣｏ磁性層との格子整合性が高ま
ることによるものである。しかしＭｏはＣｏ，Ｃｒに対
する固溶限が小さく、容易に金属間化合物やｈｃｐ以外
の合金相を形成することが予想される。Ｍｏを５ａｔ％
添加した比較例３では比較例１よりもＳＮＲが減少して
いるが、この影響によるものと考えられる。このよう
に、より金属結合半径の大きい金属元素を添加すること
は格子間隔のうえでＳＮＲの改善を行うことが可能であ
るが、その添加量に大きな制限があり、十分な効果をも
たらすことができない。In the example in which Mo is added according to the conventional technique (Japanese Patent Laid-Open No. 8-329444), the SNR is slightly improved as compared with Comparative Example 1 by adding 2 atomic% of Mo (Comparative Example 2). This increases the lattice spacing of the Co—Cr interlayer because Mo has a larger metal bonding radius than Co and Cr,
This is because the lattice matching with the Co magnetic layer formed thereover is enhanced. However, Mo has a small solubility limit in Co and Cr, and is expected to easily form an intermetallic compound or an alloy phase other than hcp. 5 at% Mo
In Comparative Example 3 in which SNR was added, the SNR was lower than that in Comparative Example 1, which is considered to be due to this effect. As described above, the addition of a metal element having a larger metal bonding radius can improve the SNR on the lattice spacing, but the addition amount is greatly limited, and a sufficient effect can be obtained. Can not.

【００２７】非磁性下地層の組成としては、Ｃｒ₈₀Ｍｏ
₂₀の他に純Ｃｒ、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀、Ｃｒ₈₄Ｗ₁₆の場合で同
様のＳＮＲ改善効果が確認されている。磁性記録層組成
としては、Ｃｏ₆₈Ｃｒ₂₀Ｐｔ₈Ｔａ₃Ｂ₁の他にＣｏ₇₄Ｃ
ｒ₁₉Ｐｔ₄Ｔａ₃、Ｃｏ₆₂Ｃｒ_{2 4}Ｐｔ₁₀Ｂ₄、Ｃｏ₆₉Ｃｒ
₂₃Ｐｔ₈の場合で同様のＳＮＲ改善効果が確認されてい
る。表２に、非磁性下地層としてＣｒ₈₄Ｗ₁₆、および磁
性記録層としてＣｏ₆₈Ｃｒ₂₀Ｐｔ₈Ｔａ₃Ｂ₁およびＣｏ
₆₈Ｃｒ₂₀Ｐｔ₁₀Ｔａ₂を用いた場合の結果を示す。The composition of the nonmagnetic underlayer is Cr ₈₀ Mo.
Similar SNR improvement effects have been confirmed in the case of pure Cr, Cr ₉₀ Mo ₁₀ , and Cr ₈₄ W ₁₆ other than ₂₀ . As the composition of the magnetic recording layer, Co ₆₈ Cr ₂₀ Pt ₈ Ta ₃ B ₁ and Co ₇₄ C
_{r 19 Pt 4 Ta 3, Co} 62 Cr 2 4 Pt 10 B 4, Co 69 Cr
_A similar SNR improvement effect was confirmed in the case of ₂₃ Pt ₈ . Table 2 shows that Cr ₈₄ W ₁₆ as the non-magnetic underlayer and Co ₆₈ Cr ₂₀ Pt ₈ Ta ₃ B ₁ and Co as the magnetic recording layer.
The results when ₆₈ Cr ₂₀ Pt ₁₀ Ta ₂ is used are shown.

【００２８】[0028]

【表２】 [Table 2]

【００２９】表２のＳＮＲは、表１中の実施例および比
較例とは異なる磁気ヘッドを用いて測定したために、表
１中の実施例および比較例とその絶対値を比較すること
はできない。しかし、比較例４と実施例７、および比較
例５と実施例８との比較において、Ｍｎを含む中間層を
用いた実施例７および８においてＳＮＲが約０．５〜
０．６ｄＢ向上しており、これらの非磁性下地層および
磁性記録層を用いた場合においても、本発明の中間層が
大きな効果を示すことは明らかである。Since the SNRs in Table 2 were measured using magnetic heads different from those in Examples and Comparative Examples in Table 1, their SNRs cannot be compared with those in Examples and Comparative Examples in Table 1. However, in comparison between Comparative Example 4 and Example 7 and Comparative Example 5 and Example 8, the SNR was about 0.5 to 0.5 in Examples 7 and 8 using the intermediate layer containing Mn.
It is clear that the intermediate layer of the present invention shows a great effect even when these nonmagnetic underlayer and magnetic recording layer are used.

【００３０】ＣｏＣｒＭｎ中間層は、Ｃｏ、Ｃｒおよび
Ｍｎから成る合金であってもよい。しかしながら、Ｃｏ
ＣｒＭｎ中間層に対して、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉおよび
ＶなどのＣｏよりも金属結合半径が大きな金属元素を添
加することは、中間層の格子間隔を拡大させる効果があ
り、ＳＮＲ改善に有効である。ただし、前述の従来技術
の非磁性中間層に対するＭｏ添加（比較例２および３）
と同じ理由から、その添加量は２原子％以下に制限され
る。The CoCrMn intermediate layer may be an alloy composed of Co, Cr and Mn. However, Co
The addition of a metal element having a larger metal bonding radius than Co, such as Mo, W, Ta, Ti, and V, to the CrMn intermediate layer has an effect of increasing the lattice spacing of the intermediate layer and is effective in improving the SNR. It is. However, Mo was added to the above-mentioned conventional non-magnetic intermediate layer (Comparative Examples 2 and 3).
For the same reason as above, the addition amount is limited to 2 atomic% or less.

【００３１】以上のように、本発明により磁気記録媒体
のＳＮＲを高め、記録密度を改善することが可能であ
る。As described above, according to the present invention, it is possible to increase the SNR of a magnetic recording medium and improve the recording density.

【００３２】[0032]

【発明の効果】以上のように、本発明は非磁性基体上に
スパッタリング法により少なくとも非磁性下地層、磁性
記録層が順次形成され、さらに継続してスパッタリング
法もしくはＣＶＤ法により保護層が形成された３層以上
の薄膜の積層構造を有する磁気記録媒体において、非磁
性下地層と磁性記録層との間にＣｏＣｒＭｎ合金中間層
を設けその組成および膜厚を規定の範囲に限定すること
により、従来媒体よりもＳＮＲを増加させ記録密度を改
善できる。As described above, according to the present invention, at least a non-magnetic underlayer and a magnetic recording layer are sequentially formed on a non-magnetic substrate by a sputtering method, and further a protective layer is formed by a sputtering method or a CVD method. In a magnetic recording medium having a laminated structure of three or more thin films, a CoCrMn alloy intermediate layer is provided between the non-magnetic underlayer and the magnetic recording layer to limit the composition and the film thickness to the specified ranges. The recording density can be improved by increasing the SNR as compared with the medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】一般的な磁気記録媒体の層構成を示す概略の断
面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a layer configuration of a general magnetic recording medium.

【図２】本発明の磁気記録媒体の層構成を示す概略の断
面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a layer configuration of a magnetic recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 非磁性基体 ２ 非磁性下地層 ３ 磁性記録層 ４ 保護層 １１ 非磁性基体 １２ 非磁性下地層 １３ 非磁性中間層 １４ 磁性記録層 １５ 保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-magnetic base 2 Non-magnetic base layer 3 Magnetic recording layer 4 Protective layer 11 Non-magnetic base 12 Non-magnetic base layer 13 Non-magnetic intermediate layer 14 Magnetic recording layer 15 Protective layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 趙 南哲 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CA04 CA05 CA06 DA03 FA09  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Zhao Nan-Setsu 1-1-1, Tanabe-Nitta, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture F-term in Fuji Electric Co., Ltd. (reference) 5D006 BB02 CA01 CA04 CA05 CA06 DA03 FA09

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 非磁性基体上に少なくとも非磁性下地
層、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間層、磁性記録層、お
よび保護層が順次形成された４層以上の薄膜の積層構造
を有する磁気記録媒体において、非磁性中間層がＣｏ，
Ｃｒ，Ｍｎの３つの元素を含む合金であり、前記Ｃｒと
前記Ｍｎの合計が前記非磁性中間層の全原子を基準とし
て３７原子％以上５０原子％以下であり、前記Ｍｎは前
記非磁性中間層の全原子を基準として０原子％超１０原
子％以下であり、かつ前記非磁性中間層の膜厚が０．５
ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒
体。1. A magnetic recording medium having a laminated structure of four or more thin films in which at least a nonmagnetic underlayer, a nonmagnetic intermediate layer having an hcp structure, a magnetic recording layer, and a protective layer are sequentially formed on a nonmagnetic substrate. Wherein the nonmagnetic intermediate layer is made of Co,
An alloy containing three elements of Cr and Mn, wherein the total of Cr and Mn is 37 atomic% or more and 50 atomic% or less based on all atoms of the nonmagnetic intermediate layer, and Mn is the nonmagnetic intermediate More than 0 atomic% and 10 atomic% or less based on all atoms of the layer, and the thickness of the non-magnetic intermediate layer is 0.5
A magnetic recording medium having a thickness of not less than 5 nm and not more than 5 nm. 【請求項２】 前記非磁性中間層が、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、
ＴｉおよびＶからなる群から選択される１つまたは複数
の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の
磁気記録媒体。2. The method according to claim 1, wherein the nonmagnetic intermediate layer is formed of Mo, W, Ta,
The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising one or more elements selected from the group consisting of Ti and V. 【請求項３】 前記Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、ＴｉおよびＶから
なる群から選択される１つまたは複数の元素は、前記非
磁性中間層の全原子を基準として２原子％以下であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。3. The method according to claim 1, wherein the at least one element selected from the group consisting of Mo, W, Ta, Ti and V is 2 atomic% or less based on all atoms of the non-magnetic intermediate layer. The magnetic recording medium according to claim 2, wherein