JP2002246173A - 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 - Google Patents
有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法Info
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストをあまり増加させることなく、シ
ョート欠陥の発生を抑制できるようにする。 【解決手段】 ＩＴＯがエッチングされると同時にアモ
ルファスカーボンを堆積し、ＩＴＯ膜がエッチングされ
た部分、すなわち形成される下部電極１０１ａの間に、
アモルファスカーボンの膜１０３を形成する。
ョート欠陥の発生を抑制できるようにする。 【解決手段】 ＩＴＯがエッチングされると同時にアモ
ルファスカーボンを堆積し、ＩＴＯ膜がエッチングされ
た部分、すなわち形成される下部電極１０１ａの間に、
アモルファスカーボンの膜１０３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬデバイス
およびこの製造方法に関する。
およびこの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、電界を印加することに
より、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電
子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理
を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック
社の「Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ」らによる積層型素子による低
電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ、Ｓ．
Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ、アプライドフィジックスレター
ズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）、５１巻、９１３頁、１９８７年 など）がなされ
て以来、有機材料を構成材料とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子に関する研究が盛んに行われている。
より、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電
子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理
を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック
社の「Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ」らによる積層型素子による低
電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ、Ｓ．
Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ、アプライドフィジックスレター
ズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）、５１巻、９１３頁、１９８７年 など）がなされ
て以来、有機材料を構成材料とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子に関する研究が盛んに行われている。
【０００３】「Ｔａｎｇ」らは、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン
誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点とし
ては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極よ
り注入された電子をブロックして再結合により生成する
励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励
起子を閉じこめることなどが挙げられる。この例のよう
に、有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注
入）層、電子輸送性発光層の２層型、または正孔輸送
（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型など
が良く知られている。こうした積層型構造素子では注入
された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造
や形成方法の工夫がなされている。
ール）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン
誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点とし
ては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極よ
り注入された電子をブロックして再結合により生成する
励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励
起子を閉じこめることなどが挙げられる。この例のよう
に、有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注
入）層、電子輸送性発光層の２層型、または正孔輸送
（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型など
が良く知られている。こうした積層型構造素子では注入
された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造
や形成方法の工夫がなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子は通常、
基板上に下部電極、有機層、上部電極の順に成膜するこ
とによりデバイスを形成する。通常、下部電極と上部電
極とを交差させる構造にすることにより電極を取り出し
ているが、この構造では下部電極のエッジ部分で上部電
極とショートしやすくなってしまうという問題があっ
た。この問題は、有機ＥＬ素子は、下部電極の膜厚１０
０ｎｍ前後と比較して、下部電極と上部電極とに挟まれ
た有機層の膜厚が数１００ｎｍと非常に薄く、下部電極
のエッジ部分に段差ができることに起因している。
基板上に下部電極、有機層、上部電極の順に成膜するこ
とによりデバイスを形成する。通常、下部電極と上部電
極とを交差させる構造にすることにより電極を取り出し
ているが、この構造では下部電極のエッジ部分で上部電
極とショートしやすくなってしまうという問題があっ
た。この問題は、有機ＥＬ素子は、下部電極の膜厚１０
０ｎｍ前後と比較して、下部電極と上部電極とに挟まれ
た有機層の膜厚が数１００ｎｍと非常に薄く、下部電極
のエッジ部分に段差ができることに起因している。
【０００５】上記問題を解消するものとして、特開平３
−２５０５８３号公報、特開平３−２７４６９４号公
報、特開平４−５１４９４号公報では、開口部のある絶
縁膜を下部電極と上部電極との間に挿入する技術が開示
されている。この方法によれば下部電極のエッジ部分で
のショートが起きにくくなるものの、絶縁膜を形成する
工程とパターニングするためのフォトリソグラフィ工程
とが必要なため、製造コストが高くなってしまう。
−２５０５８３号公報、特開平３−２７４６９４号公
報、特開平４−５１４９４号公報では、開口部のある絶
縁膜を下部電極と上部電極との間に挿入する技術が開示
されている。この方法によれば下部電極のエッジ部分で
のショートが起きにくくなるものの、絶縁膜を形成する
工程とパターニングするためのフォトリソグラフィ工程
とが必要なため、製造コストが高くなってしまう。
【０００６】また、特開２０００−１２３９７８号公報
には、下部電極をパターニングするときのレジストパタ
ーンを利用して絶縁膜を形成する方法が開示されてい
る。この方法においても、絶縁膜を形成する工程が増え
てしまう。以上説明したように、積層構造とした有機Ｅ
Ｌ素子において、下部電極のエッジ部分で上部電極とシ
ョートしやすくなってしまうという問題（ショート欠
陥）を、従来では、製造コストを増加させることなく解
消する技術がなかった。
には、下部電極をパターニングするときのレジストパタ
ーンを利用して絶縁膜を形成する方法が開示されてい
る。この方法においても、絶縁膜を形成する工程が増え
てしまう。以上説明したように、積層構造とした有機Ｅ
Ｌ素子において、下部電極のエッジ部分で上部電極とシ
ョートしやすくなってしまうという問題（ショート欠
陥）を、従来では、製造コストを増加させることなく解
消する技術がなかった。
【０００７】本発明は、以上のような問題点を解消する
ためになされたものであり、製造コストをあまり増加さ
せることなく、ショート欠陥の発生を抑制できるように
することを目的とする。
ためになされたものであり、製造コストをあまり増加さ
せることなく、ショート欠陥の発生を抑制できるように
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬデバイ
スは、絶縁性の基板上に形成されたストライプ状の複数
の下部電極と、この下部電極間を充填するように基板上
に形成されたアモルファスカーボンからなる複数の充填
パターンと、下部電極および充填パターンからなる層上
に形成された発光層と、この発光層上に形成されて下部
電極とは異なる方向に延在するストライプ状の複数の上
部電極とを備えたものである。この発明によれば、充填
パターンにより下部電極上が平坦化されている。
スは、絶縁性の基板上に形成されたストライプ状の複数
の下部電極と、この下部電極間を充填するように基板上
に形成されたアモルファスカーボンからなる複数の充填
パターンと、下部電極および充填パターンからなる層上
に形成された発光層と、この発光層上に形成されて下部
電極とは異なる方向に延在するストライプ状の複数の上
部電極とを備えたものである。この発明によれば、充填
パターンにより下部電極上が平坦化されている。
【０００９】上記発明において、下部電極は正極であ
り、上部電極は陰極であり、下部電極の層と発光層との
間には正孔輸送層を備える。また、発光層と上部電極と
の間には、電子輸送層を備える。また、下部電極は、透
明な導電部材から構成されたものである。また、下部電
極は、インジウム錫酸化物から構成されたものである。
り、上部電極は陰極であり、下部電極の層と発光層との
間には正孔輸送層を備える。また、発光層と上部電極と
の間には、電子輸送層を備える。また、下部電極は、透
明な導電部材から構成されたものである。また、下部電
極は、インジウム錫酸化物から構成されたものである。
【００１０】本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、
絶縁性の基板上に、下部電極となる導電性膜を形成し、
導電性膜上にレジストパターンを形成し、基板をエッチ
ング処理を行う処理容器内に載置し、この処理容器内に
導電性膜をエッチングする第１のガスのプラズマを生成
し、レジストパターンをマスクとして導電性膜をエッチ
ングして基板上にストライプ状の複数の下部電極を形成
し、引き続き、処理容器内に第２のガスのプラズマを生
成し、レジストパターン上および基板の下部電極間に絶
縁物を堆積し、レジストパターンを除去して下部電極間
に絶縁物からなる充填パターンを形成し、下部電極およ
び充填パターン上に発光層を形成し、発光層上に下部電
極とは異なる方向に延在するストライプ状の複数の上部
電極を形成しようとしたものである。この発明によれ
ば、下部電極が形成されると共に、これを平坦化する充
填パターンが形成される。上記発明において、第２のガ
スは、例えば、炭素から構成されたものである。また、
例えば、第１のガスと第２のガスは、同一の成分から構
成され、各成分の組成比が異なるものである。
絶縁性の基板上に、下部電極となる導電性膜を形成し、
導電性膜上にレジストパターンを形成し、基板をエッチ
ング処理を行う処理容器内に載置し、この処理容器内に
導電性膜をエッチングする第１のガスのプラズマを生成
し、レジストパターンをマスクとして導電性膜をエッチ
ングして基板上にストライプ状の複数の下部電極を形成
し、引き続き、処理容器内に第２のガスのプラズマを生
成し、レジストパターン上および基板の下部電極間に絶
縁物を堆積し、レジストパターンを除去して下部電極間
に絶縁物からなる充填パターンを形成し、下部電極およ
び充填パターン上に発光層を形成し、発光層上に下部電
極とは異なる方向に延在するストライプ状の複数の上部
電極を形成しようとしたものである。この発明によれ
ば、下部電極が形成されると共に、これを平坦化する充
填パターンが形成される。上記発明において、第２のガ
スは、例えば、炭素から構成されたものである。また、
例えば、第１のガスと第２のガスは、同一の成分から構
成され、各成分の組成比が異なるものである。
【００１１】本発明の他の形態における有機ＥＬデバイ
スの製造方法は、絶縁性の基板上に、下部電極となる導
電性膜を形成し、導電性膜上にレジストパターンを形成
し、基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に導電性膜をエッチングするガスのプラ
ズマを生成し、レジストパターンをマスクとして導電性
膜をエッチングして基板上にストライプ状の複数の下部
電極を形成すると共に、レジストパターン上および基板
の下部電極間に絶縁物を堆積し、レジストパターンを除
去して下部電極間に絶縁物からなる充填パターンを形成
し、下部電極および充填パターン上に発光層を形成し、
発光層上に下部電極とは異なる方向に延在するストライ
プ状の複数の上部電極を形成しようとしたものである。
この発明によれば、下部電極が形成されると共に、これ
を平坦化する充填パターンが形成される。上記発明にお
いて、導電性膜をエッチングするガスは、例えば炭素か
ら構成されたものである。
スの製造方法は、絶縁性の基板上に、下部電極となる導
電性膜を形成し、導電性膜上にレジストパターンを形成
し、基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に導電性膜をエッチングするガスのプラ
ズマを生成し、レジストパターンをマスクとして導電性
膜をエッチングして基板上にストライプ状の複数の下部
電極を形成すると共に、レジストパターン上および基板
の下部電極間に絶縁物を堆積し、レジストパターンを除
去して下部電極間に絶縁物からなる充填パターンを形成
し、下部電極および充填パターン上に発光層を形成し、
発光層上に下部電極とは異なる方向に延在するストライ
プ状の複数の上部電極を形成しようとしたものである。
この発明によれば、下部電極が形成されると共に、これ
を平坦化する充填パターンが形成される。上記発明にお
いて、導電性膜をエッチングするガスは、例えば炭素か
ら構成されたものである。
【００１２】本発明の他の形態における有機ＥＬデバイ
スの製造方法は、絶縁性の基板上に、下部電極となる導
電性膜を形成し、導電性膜上にレジストパターンを形成
し、基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に導電性膜をエッチングするガスのプラ
ズマを生成し、レジストパターンをマスクとして導電性
膜をエッチングして基板上にストライプ状の複数の下部
電極を形成し、引き続き、処理容器内に第３の工程とは
異なる条件でガスのプラズマを生成し、レジストパター
ン上および基板の下部電極間に絶縁物を堆積し、レジス
トパターンを除去して下部電極間に絶縁物からなる充填
パターンを形成し、下部電極および充填パターン上に発
光層を形成し、発光層上に下部電極とは異なる方向に延
在するストライプ状の複数の上部電極を形成しようとし
たものである。この発明によれば、下部電極が形成され
ると共に、これを平坦化する充填パターンが形成され
る。上記発明において、導電性膜をエッチングするガス
は、例えば、炭素から構成されたものである。また、上
述した発明において、充填パターンを構成する絶縁物
は、例えばアモルファスカーボンである。
スの製造方法は、絶縁性の基板上に、下部電極となる導
電性膜を形成し、導電性膜上にレジストパターンを形成
し、基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に導電性膜をエッチングするガスのプラ
ズマを生成し、レジストパターンをマスクとして導電性
膜をエッチングして基板上にストライプ状の複数の下部
電極を形成し、引き続き、処理容器内に第３の工程とは
異なる条件でガスのプラズマを生成し、レジストパター
ン上および基板の下部電極間に絶縁物を堆積し、レジス
トパターンを除去して下部電極間に絶縁物からなる充填
パターンを形成し、下部電極および充填パターン上に発
光層を形成し、発光層上に下部電極とは異なる方向に延
在するストライプ状の複数の上部電極を形成しようとし
たものである。この発明によれば、下部電極が形成され
ると共に、これを平坦化する充填パターンが形成され
る。上記発明において、導電性膜をエッチングするガス
は、例えば、炭素から構成されたものである。また、上
述した発明において、充填パターンを構成する絶縁物
は、例えばアモルファスカーボンである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。有機ＥＬ素子における下部電
極は、通常、基板上に電極膜を成膜する工程、電極膜上
にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン
にしたがって電極膜をエッチングする工程によって形成
している。有機ＥＬ素子においては、素子のサイズが数
１０μｍ以上であることから、従来から下部電極のエッ
チングにはウェットエッチングが用いられてきた。
て図を参照して説明する。有機ＥＬ素子における下部電
極は、通常、基板上に電極膜を成膜する工程、電極膜上
にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン
にしたがって電極膜をエッチングする工程によって形成
している。有機ＥＬ素子においては、素子のサイズが数
１０μｍ以上であることから、従来から下部電極のエッ
チングにはウェットエッチングが用いられてきた。
【００１４】一方、有機ＥＬ素子では下部電極のエッジ
部分でのショートという問題があるため、下部電極のエ
ッジ部分の段差を小さくする必要があった。このため、
従来では、上述したように下部電極を形成した後、下部
電極間に絶縁物を充填するなどにより、平坦化を行うよ
うにしていた。このため、平坦化のために工程数が増加
し、コストを上昇させていた。
部分でのショートという問題があるため、下部電極のエ
ッジ部分の段差を小さくする必要があった。このため、
従来では、上述したように下部電極を形成した後、下部
電極間に絶縁物を充填するなどにより、平坦化を行うよ
うにしていた。このため、平坦化のために工程数が増加
し、コストを上昇させていた。
【００１５】本発明においては、マスクパターンを用い
て電極膜を選択的にエッチングして下部電極を形成する
ときに、所定の反応性ガスを用いたドライエッチングを
用い、このドライエッチングを行った同一の処理容器内
で、マスクパターンを残したまま、エッチングされた部
分に絶縁膜を堆積させるようにした。
て電極膜を選択的にエッチングして下部電極を形成する
ときに、所定の反応性ガスを用いたドライエッチングを
用い、このドライエッチングを行った同一の処理容器内
で、マスクパターンを残したまま、エッチングされた部
分に絶縁膜を堆積させるようにした。
【００１６】これによれば、電極膜がエッチングされた
部分には、絶縁膜が堆積されるが、エッチングにより形
成される下部電極上部には、マスクパターンが存在し、
絶縁膜はマスクパターン上に形成された状態となる。し
たがって、マスクパターンを除去すれば、下部電極上に
は絶縁膜が存在しない状態となり、上記エッチングによ
れば、形成した下部電極間の凹部に自己整合的に絶縁膜
を形成できることになる。
部分には、絶縁膜が堆積されるが、エッチングにより形
成される下部電極上部には、マスクパターンが存在し、
絶縁膜はマスクパターン上に形成された状態となる。し
たがって、マスクパターンを除去すれば、下部電極上に
は絶縁膜が存在しない状態となり、上記エッチングによ
れば、形成した下部電極間の凹部に自己整合的に絶縁膜
を形成できることになる。
【００１７】上記ドライエッチングでは、処理容器内へ
の処理ガスの導入条件を適宜選択することにより、電極
膜のエッチングと絶縁膜の堆積とを同時に行うことが可
能である。ここでいう導入ガスの条件とは、ガスの種
類、圧力、流量、混合ガスの場合の混合比、プラズマを
生成するための電力などの条件を指す。この場合、プロ
セスがより簡便化されるというメリットがある。
の処理ガスの導入条件を適宜選択することにより、電極
膜のエッチングと絶縁膜の堆積とを同時に行うことが可
能である。ここでいう導入ガスの条件とは、ガスの種
類、圧力、流量、混合ガスの場合の混合比、プラズマを
生成するための電力などの条件を指す。この場合、プロ
セスがより簡便化されるというメリットがある。
【００１８】また、初めに電極膜のエッチングのみを行
い、引き続いて導入ガスの条件を変えて絶縁物の堆積を
行うようにしてもよい。このようにすることで、電極膜
のエッチングと絶縁物の堆積とに各々適切な条件を用い
ることが可能となる。例えば、導入ガスに混合ガスを用
いる場合に、電極膜のエッチング、絶縁物の堆積の各々
に適切な混合比になるようにエッチング時と堆積時とで
混合比と変えることができる。また、同一のガスを用
い、電極膜のエッチングと、絶縁物の堆積各々でガスの
圧力、流量、プラズマを生成するための電力などの処理
条件を変えるようにしても良い。
い、引き続いて導入ガスの条件を変えて絶縁物の堆積を
行うようにしてもよい。このようにすることで、電極膜
のエッチングと絶縁物の堆積とに各々適切な条件を用い
ることが可能となる。例えば、導入ガスに混合ガスを用
いる場合に、電極膜のエッチング、絶縁物の堆積の各々
に適切な混合比になるようにエッチング時と堆積時とで
混合比と変えることができる。また、同一のガスを用
い、電極膜のエッチングと、絶縁物の堆積各々でガスの
圧力、流量、プラズマを生成するための電力などの処理
条件を変えるようにしても良い。
【００１９】電極膜をエッチングして下部電極を形成す
るドライエッチングの方法は、公知の方法から適宜選択
できる。例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）、プラズマエッチングなどが挙げられる。ＲＩＥで
使用する導入ガスは、公知のものが使用できる。例え
ば、ＣＦ4などのハロゲン系ガス、ＣＨ4などの炭化水素
系ガス、Ａｒなどの不活性ガス、Ｈ2などが挙げられ
る。これらのガスは、混合して用いることが可能であ
る。
るドライエッチングの方法は、公知の方法から適宜選択
できる。例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）、プラズマエッチングなどが挙げられる。ＲＩＥで
使用する導入ガスは、公知のものが使用できる。例え
ば、ＣＦ4などのハロゲン系ガス、ＣＨ4などの炭化水素
系ガス、Ａｒなどの不活性ガス、Ｈ2などが挙げられ
る。これらのガスは、混合して用いることが可能であ
る。
【００２０】また、絶縁膜の堆積を行うときの導入ガス
には、公知のものが使用できるが、例えばＣＨ4および
この混合ガスなどを用いればよい。堆積により形成する
絶縁膜の膜厚は、下部電極のエッジ部分の段差を小さく
するように選択する。薄すぎると段差を小さくする効果
が十分に得られず、また、厚すぎると上部電極が段差切
れしてしまう。通常は、５ｎｍ〜１μｍが好ましい。よ
り好ましくは、２０ｎｍ〜３００ｎｍである。
には、公知のものが使用できるが、例えばＣＨ4および
この混合ガスなどを用いればよい。堆積により形成する
絶縁膜の膜厚は、下部電極のエッジ部分の段差を小さく
するように選択する。薄すぎると段差を小さくする効果
が十分に得られず、また、厚すぎると上部電極が段差切
れしてしまう。通常は、５ｎｍ〜１μｍが好ましい。よ
り好ましくは、２０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２１】本発明に使用するマスクパターンは、公知
のレジストから適宜選択して形成すればよい。塗布タイ
プのレジストはもちろん使用可能であるが、ドライフィ
ルムを加工することで、マスクパターンを形成するよう
にしても良い。マスクパターンは、この上に絶縁膜が堆
積されるので、薄すぎると剥離がしにくくなる。したが
って、マスクパターンの厚さは１００ｎｍ以上が好まし
く、より好ましくは５００ｎｍ以上がよい。一方、マス
クパターンが厚すぎると、電極膜のエッチングに影響が
出るため、マスクパターンの膜厚は５００μｍ以下が好
ましい。
のレジストから適宜選択して形成すればよい。塗布タイ
プのレジストはもちろん使用可能であるが、ドライフィ
ルムを加工することで、マスクパターンを形成するよう
にしても良い。マスクパターンは、この上に絶縁膜が堆
積されるので、薄すぎると剥離がしにくくなる。したが
って、マスクパターンの厚さは１００ｎｍ以上が好まし
く、より好ましくは５００ｎｍ以上がよい。一方、マス
クパターンが厚すぎると、電極膜のエッチングに影響が
出るため、マスクパターンの膜厚は５００μｍ以下が好
ましい。
【００２２】以下、より詳細に本発明の製造方法につい
て説明する。 ＜実施例１＞まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板１００上にＩＴＯ（インジウム錫酸化膜）膜１０１を
スパッタリングにより膜厚８０ｎｍ形成した。つぎに、
図１（ｂ）に示すように、レジストをスピンコートによ
り成膜し、露光、現像によってパターニングを行ってレ
ジストパターン１０２を形成した。
て説明する。 ＜実施例１＞まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板１００上にＩＴＯ（インジウム錫酸化膜）膜１０１を
スパッタリングにより膜厚８０ｎｍ形成した。つぎに、
図１（ｂ）に示すように、レジストをスピンコートによ
り成膜し、露光、現像によってパターニングを行ってレ
ジストパターン１０２を形成した。
【００２３】つぎに、ガラス基板１０１をＲＩＥのチャ
ンバーに入れ、ＣＨ4／Ｈ2の混合ガスによりエッチング
を行った。ＩＴＯがエッチングされると同時にアモルフ
ァスカーボンが堆積させるため、図２（ｂ）に示すよう
に、ＩＴＯ膜がエッチングされた部分、すなわち形成さ
れる下部電極１０１ａの間に、アモルファスカーボンの
膜１０３が形成された。この処理は、アモルファスカー
ボンが約８０ｎｍ程度堆積したところで停止した。この
後、レジストパターン１０２を剥離した。この結果、図
２（ｂ）に示すように、間にアモルファスカーボンから
なる充填パターン１０３ａを有する下部電極１０１ａの
パターンが形成された。
ンバーに入れ、ＣＨ4／Ｈ2の混合ガスによりエッチング
を行った。ＩＴＯがエッチングされると同時にアモルフ
ァスカーボンが堆積させるため、図２（ｂ）に示すよう
に、ＩＴＯ膜がエッチングされた部分、すなわち形成さ
れる下部電極１０１ａの間に、アモルファスカーボンの
膜１０３が形成された。この処理は、アモルファスカー
ボンが約８０ｎｍ程度堆積したところで停止した。この
後、レジストパターン１０２を剥離した。この結果、図
２（ｂ）に示すように、間にアモルファスカーボンから
なる充填パターン１０３ａを有する下部電極１０１ａの
パターンが形成された。
【００２４】次いで、図３に示すように、充填パターン
１０３ａにより平坦化された下部電極１０１ａ上に、ま
ず正孔輸送層１０４として、以下の化３に示す化合物
［０３］を真空蒸着法にて５０ｎｍ形成した。つぎに、
発光層１０５として化合物［１１］を真空蒸着法にて７
０ｎｍ形成した。つぎに、陰極としてマグネシウム−銀
合金を蒸着速度比１０：１で真空蒸着法にて共蒸着した
膜を１５０ｎｍ形成し、これを加工して上部電極１０６
を形成して有機ＥＬデバイスを作製した。図３に示す有
機ＥＬデバイスの整流特性を調べたところ、順バイアス
と逆バイアスとで整流比は１０4以上となり、良好な整
流特性を示すことが確認された。
１０３ａにより平坦化された下部電極１０１ａ上に、ま
ず正孔輸送層１０４として、以下の化３に示す化合物
［０３］を真空蒸着法にて５０ｎｍ形成した。つぎに、
発光層１０５として化合物［１１］を真空蒸着法にて７
０ｎｍ形成した。つぎに、陰極としてマグネシウム−銀
合金を蒸着速度比１０：１で真空蒸着法にて共蒸着した
膜を１５０ｎｍ形成し、これを加工して上部電極１０６
を形成して有機ＥＬデバイスを作製した。図３に示す有
機ＥＬデバイスの整流特性を調べたところ、順バイアス
と逆バイアスとで整流比は１０4以上となり、良好な整
流特性を示すことが確認された。
【００２５】＜実施例２＞つぎに、本実施例の下部電極
の製造方法を説明する。まず、図４（ａ）に示すよう
に、ガラス基板４００上にＩＴＯ膜４０１をスパッタリ
ングにより膜厚８０ｎｍ形成した。つぎに、レジストを
スピンコートにより成膜し、露光、現像によってパター
ニングを行い、図４（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜４０
１上にレジストパターン４０２を形成した。
の製造方法を説明する。まず、図４（ａ）に示すよう
に、ガラス基板４００上にＩＴＯ膜４０１をスパッタリ
ングにより膜厚８０ｎｍ形成した。つぎに、レジストを
スピンコートにより成膜し、露光、現像によってパター
ニングを行い、図４（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜４０
１上にレジストパターン４０２を形成した。
【００２６】つぎに、基板をＲＩＥのチャンバーに入
れ、ＨＩ／Ａｒの混合ガスによりエッチングを行い、図
５（ｂ）に示すように、下部電極４０１ａを形成した。
引き続き、同一のチャンバー内で、導入ガスをＣＨ4／
Ｈ2の混合ガスに変更し、アモルファスカーボンの膜４
０３を約８０ｎｍ程度堆積した。この後、レジストパタ
ーン１０２を除去することで、図６（ｂ）に示すよう
に、間にアモルファスカーボンの充填パターン４０３ａ
を有する下部電極４０１ａのパターンを形成した。
れ、ＨＩ／Ａｒの混合ガスによりエッチングを行い、図
５（ｂ）に示すように、下部電極４０１ａを形成した。
引き続き、同一のチャンバー内で、導入ガスをＣＨ4／
Ｈ2の混合ガスに変更し、アモルファスカーボンの膜４
０３を約８０ｎｍ程度堆積した。この後、レジストパタ
ーン１０２を除去することで、図６（ｂ）に示すよう
に、間にアモルファスカーボンの充填パターン４０３ａ
を有する下部電極４０１ａのパターンを形成した。
【００２７】この後、前述した実施例１と同様にして正
孔輸送層４０４，発光層４０５，上部電極４０６を形成
し、図５（ｂ）に示すような有機ＥＬデバイスを作製し
た。以上説明したように形成した図５（ｂ）の有機ＥＬ
デバイスの整流特性を調べたところ、順バイアスと逆バ
イアスとで整流比は１０4以上となり良好な整流特性を
示すことが確認された。なお、上述では、アモルファス
カーボンを堆積させるようにしたが、これに限るもので
はなく、他のガスを用いるなどのことにより酸化シリコ
ンや窒化シリコンを堆積させるようにしても良い。
孔輸送層４０４，発光層４０５，上部電極４０６を形成
し、図５（ｂ）に示すような有機ＥＬデバイスを作製し
た。以上説明したように形成した図５（ｂ）の有機ＥＬ
デバイスの整流特性を調べたところ、順バイアスと逆バ
イアスとで整流比は１０4以上となり良好な整流特性を
示すことが確認された。なお、上述では、アモルファス
カーボンを堆積させるようにしたが、これに限るもので
はなく、他のガスを用いるなどのことにより酸化シリコ
ンや窒化シリコンを堆積させるようにしても良い。
【００２８】以上実施例１，２をもって説明した本発明
に係る有機ＥＬ素子の素子構造は、電極間に有機層を１
層あるいは２層以上積層した構造であり、この例とし
て、陽極／発光層／陰極からなる構造、陽極／正孔輸送
層／発光層／電子輸送層／陰極からなる構造、陽極／正
孔輸送層／発光層／陰極からなる構造、陽極／発光層／
電子輸送層／陰極からなる構造などの構造が挙げられ
る。
に係る有機ＥＬ素子の素子構造は、電極間に有機層を１
層あるいは２層以上積層した構造であり、この例とし
て、陽極／発光層／陰極からなる構造、陽極／正孔輸送
層／発光層／電子輸送層／陰極からなる構造、陽極／正
孔輸送層／発光層／陰極からなる構造、陽極／発光層／
電子輸送層／陰極からなる構造などの構造が挙げられ
る。
【００２９】本発明に用いられる正孔輸送材料は特に限
定されず、正孔輸送材料として通常使用されている化合
物であれば何を使用してもよい。正孔輸送材料の具体例
としては、例えば、下記のビス（ジ（ｐ−トリル）アミ
ノフェニル）−１，１−シクロヘキサン［０１］、Ｎ，
Ｎ’―ジフェニル−Ｎ，Ｎ’―ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１’―ビフェニル−４，４’―ジアミン［０
２］、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフ
チル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
［０３］などのトリフェニルジアミン類や、スターバー
スト型分子（［０４］〜［０６］等）、ポリパラフェニ
レンビニレン誘導体やポリアニリン誘導体やポリチオフ
ェン誘導体などの導電性高分子などが挙げられる。
定されず、正孔輸送材料として通常使用されている化合
物であれば何を使用してもよい。正孔輸送材料の具体例
としては、例えば、下記のビス（ジ（ｐ−トリル）アミ
ノフェニル）−１，１−シクロヘキサン［０１］、Ｎ，
Ｎ’―ジフェニル−Ｎ，Ｎ’―ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１’―ビフェニル−４，４’―ジアミン［０
２］、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフ
チル）−１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
［０３］などのトリフェニルジアミン類や、スターバー
スト型分子（［０４］〜［０６］等）、ポリパラフェニ
レンビニレン誘導体やポリアニリン誘導体やポリチオフ
ェン誘導体などの導電性高分子などが挙げられる。
【００３０】
【化１】
【００３１】
【化２】
【００３２】
【化３】
【００３３】
【化４】
【００３４】
【化５】
【００３５】
【化６】
【００３６】また、導電性高分子も適用可能である。ま
た、ＦｅＣｌ3などのルイス酸と正孔輸送材料との混合
膜も適用可能である。本発明に用いられる電子輸送材料
は特に限定されず、電子輸送材料として通常使用されて
いる化合物であれば何を使用してもよい。電子輸送材料
の具体例としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）
−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール［０７］、ビス｛２−（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール｝−ｍ−フェ
ニレン［０８］などのオキサジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体（［０９］、［１０］等）、キノリノール
系の金属錯体（［１１］〜［１４］等）、バソフェナン
トロリン［１５］、バソクプロイン［１６］、などが挙
げられる。
た、ＦｅＣｌ3などのルイス酸と正孔輸送材料との混合
膜も適用可能である。本発明に用いられる電子輸送材料
は特に限定されず、電子輸送材料として通常使用されて
いる化合物であれば何を使用してもよい。電子輸送材料
の具体例としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）
−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール［０７］、ビス｛２−（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール｝−ｍ−フェ
ニレン［０８］などのオキサジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体（［０９］、［１０］等）、キノリノール
系の金属錯体（［１１］〜［１４］等）、バソフェナン
トロリン［１５］、バソクプロイン［１６］、などが挙
げられる。
【００３７】
【化７】
【００３８】
【化８】
【００３９】
【化９】
【００４０】
【化１０】
【００４１】
【化１１】
【００４２】
【化１２】
【００４３】
【化１３】
【００４４】
【化１４】
【００４５】
【化１５】
【００４６】
【化１６】
【００４７】また、電子輸送材料と金属との混合膜も適
用可能である。この場合、電子輸送材料としては、公知
の電子輸送材料から適宜選択することができる。また金
属としては、公知の金属から適宜選択することができる
が、電子輸送性を持たせるためにイオン化ポテンシャル
の小さい金属を用いることが好ましい。例えば、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｌｉ、Ｃｓ、Ａｌ、などが挙げられる。
用可能である。この場合、電子輸送材料としては、公知
の電子輸送材料から適宜選択することができる。また金
属としては、公知の金属から適宜選択することができる
が、電子輸送性を持たせるためにイオン化ポテンシャル
の小さい金属を用いることが好ましい。例えば、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｌｉ、Ｃｓ、Ａｌ、などが挙げられる。
【００４８】本発明に用いられる発光材料は特に限定さ
れず、発光材料として通常使用されている化合物であれ
ば何を使用してもよい。例えば、ジスチリルアリーレン
誘導体（特開平２−２４７２７８号公報、特開平５−１
７７６５号公報）、クマリン誘導体、ジシアノメチレン
ピラン誘導体、ペリレン誘導体（特開昭６３−２６４６
９２号公報）、また、芳香環系材料（特開平８−２９８
１８６、特開平９−２６８２８４号公報）やアントラセ
ン系化合物（特開平９−１５７６４３号公報、特開平９
−２６８２８３号公報、特開平１０−７２５８１号公
報）、キナクリドン誘導体（特開平５−７０７７３号公
報）、などが挙げられる。
れず、発光材料として通常使用されている化合物であれ
ば何を使用してもよい。例えば、ジスチリルアリーレン
誘導体（特開平２−２４７２７８号公報、特開平５−１
７７６５号公報）、クマリン誘導体、ジシアノメチレン
ピラン誘導体、ペリレン誘導体（特開昭６３−２６４６
９２号公報）、また、芳香環系材料（特開平８−２９８
１８６、特開平９−２６８２８４号公報）やアントラセ
ン系化合物（特開平９−１５７６４３号公報、特開平９
−２６８２８３号公報、特開平１０−７２５８１号公
報）、キナクリドン誘導体（特開平５−７０７７３号公
報）、などが挙げられる。
【００４９】有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層
に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕
事関数を有することが効果的である。本発明に用いられ
る陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金
（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金などが挙げられ
る。また、陰極としては、電子輸送帯または発光層に電
子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好まし
い。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジ
ウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−イ
ンジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アル
ミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム
−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等を使用でき
る。
に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕
事関数を有することが効果的である。本発明に用いられ
る陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金
（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金などが挙げられ
る。また、陰極としては、電子輸送帯または発光層に電
子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好まし
い。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジ
ウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−イ
ンジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アル
ミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム
−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等を使用でき
る。
【００５０】本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は
特に限定されず、公知の方法を適宜選択できる。例え
ば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶
媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティン
グ法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート
法などの塗布法、などが挙げられる。
特に限定されず、公知の方法を適宜選択できる。例え
ば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶
媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティン
グ法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート
法などの塗布法、などが挙げられる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
自己整合的に充填パターンが形成できるので、製造コス
トをあまり増加させることなく、下部電極のショート欠
陥の発生を抑制できるという優れた効果が得られる。
自己整合的に充填パターンが形成できるので、製造コス
トをあまり増加させることなく、下部電極のショート欠
陥の発生を抑制できるという優れた効果が得られる。
【図１】 本発明の実施の形態における有機ＥＬデバイ
スの製造方法を説明する工程図である。
スの製造方法を説明する工程図である。
【図２】 図１に続く、有機ＥＬデバイスの製造方法を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
【図３】 図２に続く、有機ＥＬデバイスの製造方法を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
【図４】 本発明の他の形態における有機ＥＬデバイス
の製造方法を説明する工程図である。
の製造方法を説明する工程図である。
【図５】 図４に続く、有機ＥＬデバイスの製造方法を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
【図６】 図５に続く、有機ＥＬデバイスの製造方法を
説明する工程図である。
説明する工程図である。
１００…ガラス基板、１０１…ＩＴＯ（インジウム錫酸
化膜）膜、１０１ａ…下部電極、１０２…レジストパタ
ーン、１０３…膜、１０３ａ…充填パターン１０３ａ、
１０４…正孔輸送層、１０５…発光層、１０６…上部電
極。
化膜）膜、１０１ａ…下部電極、１０２…レジストパタ
ーン、１０３…膜、１０３ａ…充填パターン１０３ａ、
１０４…正孔輸送層、１０５…発光層、１０６…上部電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｊ (72)発明者 石川 仁志 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 東口 達 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5F004 AA16 BA04 DA00 DA01 DA23 DA24 DB31 EA13 EB02
Claims (14)
- 【請求項１】 絶縁性の基板上に形成されたストライプ
状の複数の下部電極と、 この下部電極間を充填するように前記基板上に形成され
たアモルファスカーボンからなる複数の充填パターン
と、 前記下部電極および充填パターンからなる層の上に形成
された発光層と、 この発光層上に形成されて前記下部電極とは異なる方向
に延在するストライプ状の複数の上部電極とを備えたこ
とを特徴とする有機ＥＬデバイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の有機ＥＬデバイスにおい
て、 前記下部電極は正極であり、前記上部電極は陰極である
ことを特徴とする有機ＥＬデバイス。 - 【請求項３】 請求項２記載の有機ＥＬデバイスにおい
て、前記下部電極および充填パターンからなる層と前記
発光層との間に形成された正孔輸送層を備えたことを特
徴とする有機ＥＬデバイス。 - 【請求項４】 請求項２記載の有機ＥＬデバイスにおい
て、前記発光層と前記上部電極との間に形成された電子
輸送層を備えたことを特徴とする有機ＥＬデバイス。 - 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項に記載の有機
ＥＬデバイスにおいて、 前記下部電極は、透明な導電部材から構成されたことを
特徴とする有機ＥＬデバイス。 - 【請求項６】 請求項５記載の有機ＥＬデバイスにおい
て、 前記下部電極は、インジウム錫酸化物から構成されたこ
とを特徴とする有機ＥＬデバイス。 - 【請求項７】 絶縁性の基板上に、下部電極となる導電
性膜を形成する第１の工程と、 前記導電性膜上にレジストパターンを形成する第２の工
程と、 前記基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に前記導電性膜をエッチングする第１の
ガスのプラズマを生成し、前記レジストパターンをマス
クとして前記導電性膜をエッチングして前記基板上にス
トライプ状の複数の下部電極を形成する第３の工程と、 引き続き、前記処理容器内に第２のガスのプラズマを生
成し、前記レジストパターン上および前記基板の前記下
部電極間に絶縁物を堆積させる第４の工程と、 前記レジストパターンを除去して前記下部電極間に前記
絶縁物からなる充填パターンを形成する第５の工程と、 前記下部電極および充填パターン上に発光層を形成する
第６の工程と、 前記発光層上に前記下部電極とは異なる方向に延在する
ストライプ状の複数の上部電極を形成する第７の工程と
を備えたことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方
法。 - 【請求項８】 請求項７記載の有機ＥＬデバイスの製造
方法において、 前記第２のガスは、炭素から構成されたものであること
を特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。 - 【請求項９】 請求項７記載の有機ＥＬデバイスの製造
方法において、 前記第１のガスと前記第２のガスは、同一の成分から構
成され、各成分の組成比が異なるものであることを特徴
とする有機ＥＬデバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 絶縁性の基板上に、下部電極となる導
電性膜を形成する第１の工程と、 前記導電性膜上にレジストパターンを形成する第２の工
程と、 前記基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に前記導電性膜をエッチングするガスの
プラズマを生成し、前記レジストパターンをマスクとし
て前記導電性膜をエッチングして前記基板上にストライ
プ状の複数の下部電極を形成すると共に、前記レジスト
パターン上および前記基板の前記下部電極間に絶縁物を
堆積させる第３の工程と、 前記レジストパターンを除去して前記下部電極間に前記
絶縁物からなる充填パターンを形成する第４の工程と、 前記下部電極および充填パターン上に発光層を形成する
第５の工程と、 前記発光層上に前記下部電極とは異なる方向に延在する
ストライプ状の複数の上部電極を形成する第６の工程と
を備えたことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の有機ＥＬデバイスの
製造方法において、 前記導電性膜をエッチングするガスは、炭素から構成さ
れたものであることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製
造方法。 - 【請求項１２】 絶縁性の基板上に、下部電極となる導
電性膜を形成する第１の工程と、 前記導電性膜上にレジストパターンを形成する第２の工
程と、 前記基板をエッチング処理を行う処理容器内に載置し、
この処理容器内に前記導電性膜をエッチングするガスの
プラズマを生成し、前記レジストパターンをマスクとし
て前記導電性膜をエッチングして前記基板上にストライ
プ状の複数の下部電極を形成する第３の工程と、 引き続き、前記処理容器内に前記第３の工程とは異なる
条件で前記ガスのプラズマを生成し、前記レジストパタ
ーン上および前記基板の前記下部電極間に絶縁物を堆積
させる第４の工程と、 前記レジストパターンを除去して前記下部電極間に前記
絶縁物からなる充填パターンを形成する第５の工程と、 前記下部電極および充填パターン上に発光層を形成する
第６の工程と、 前記発光層上に前記下部電極とは異なる方向に延在する
ストライプ状の複数の上部電極を形成する第７の工程と
を備えたことを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方
法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の有機ＥＬデバイスの
製造方法において、 前記導電性膜をエッチングするガスは、炭素から構成さ
れたものであることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製
造方法。 - 【請求項１４】 請求項７，１０，１２記載の有機ＥＬ
デバイスの製造方法において、 前記堆積物は、アモルファスカーボンから構成されたも
のであることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038808A JP4139085B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 |
| KR10-2002-0008133A KR100462865B1 (ko) | 2001-02-15 | 2002-02-15 | 자기정렬된 절연 충전체를 갖는 유기 전계발광장치 및그의 제조방법 |
| US10/075,761 US20020110703A1 (en) | 2001-02-15 | 2002-02-15 | Organic electroluminescent device with self-aligned insulating fillers and method for manufacturing the same |
| US10/697,050 US6921627B2 (en) | 2001-02-15 | 2003-10-31 | Organic electroluminescent device with self-aligned insulating fillers and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038808A JP4139085B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246173A true JP2002246173A (ja) | 2002-08-30 |
| JP4139085B2 JP4139085B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=18901723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001038808A Expired - Lifetime JP4139085B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 |
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| KR (1) | KR100462865B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006221916A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2006331685A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Fujifilm Holdings Corp | 電極付き基板及びその製造方法、電気光学装置、エレクトロルミネッセント（ｅｌ）装置 |
| US8946751B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-02-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005116193A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス |
| KR100573132B1 (ko) | 2004-02-14 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CA2620528A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | The University Of Toledo | Methods and compositions for identifying biomarkers useful in diagnosis and/or treatment of biological states |
| CN101667544B (zh) * | 2005-11-15 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| JP4464370B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2010-05-19 | 株式会社日立製作所 | 照明装置及び表示装置 |
| JP2008004865A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
| FR2924274B1 (fr) * | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4769292A (en) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
| JP2814435B2 (ja) | 1987-03-02 | 1998-10-22 | イーストマン・コダック・カンパニー | 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス |
| JPH07119407B2 (ja) | 1989-03-20 | 1995-12-20 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2734464B2 (ja) | 1990-02-28 | 1998-03-30 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JPH03274694A (ja) | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP2911552B2 (ja) | 1990-06-18 | 1999-06-23 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JPH0517765A (ja) | 1991-07-16 | 1993-01-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| JP2974835B2 (ja) | 1991-09-12 | 1999-11-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH08298186A (ja) | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH1072581A (ja) | 1995-09-25 | 1998-03-17 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3666086B2 (ja) | 1995-12-11 | 2005-06-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3511825B2 (ja) | 1996-01-29 | 2004-03-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3564859B2 (ja) | 1996-04-01 | 2004-09-15 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
| JP3189781B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2001-07-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000123978A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Chisso Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2000252078A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Toyota Motor Corp | Ｅｌ表示素子およびその製造方法 |
| JP4030722B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2008-01-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこの製造方法 |
-
2001
- 2001-02-15 JP JP2001038808A patent/JP4139085B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-15 KR KR10-2002-0008133A patent/KR100462865B1/ko active IP Right Grant
- 2002-02-15 US US10/075,761 patent/US20020110703A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-10-31 US US10/697,050 patent/US6921627B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006221916A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 |
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| US6921627B2 (en) | 2005-07-26 |
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| US20040091819A1 (en) | 2004-05-13 |
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