JP2002241929A - Method for producing luminescent material, luminescent material and display device - Google Patents
Method for producing luminescent material, luminescent material and display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発光体の製造方法
及び発光体並びに表示装置に関し、より詳しくは、ナノ
構造結晶を有する発光体の製造方法及びこの製造方法に
より作成した発光体並びにこの発光体を有する表示装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a luminous body, a luminous body, and a display device. The present invention relates to a display device having a body.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＳｉやＧｅ等に代表される超微粒
子、ポーラスシリコン等の２−６族半導体において、そ
のナノ構造結晶が特異的な光学特性を示すことが注目さ
れている。ここで、ナノ構造結晶とは、数ｎｍ程度の粒
径を有する結晶粒のことを言い、一般的にナノクリスタ
ルとも呼ばれている。２−６族半導体において、ナノ構
造結晶を有する場合とバルク状構造結晶を有する場合と
を比較すると、ナノ構造結晶を有する場合の方が、良好
な光吸収特性及び発光特性を示す。これはナノ構造結晶
を有する２−６族半導体では、量子サイズ効果が発現す
るため、バルク状構造結晶の場合より大きなバンドギャ
ップを有するためと考えられる。即ち、ナノ構造結晶を
有する２−６族半導体においては、量子サイズ効果によ
りバンドギャップが広げられるのではないかと考えられ
ている。そして、このようなナノ構造結晶を得る手法と
して、レーザーアブレーション法が公知（特開平９ー２
７５０７５号公報）であるが、発光母体に付活剤をドー
プすることによる自発光型の発光体の詳細な製造方法ま
では論及されていない。2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to the fact that nanostructure crystals exhibit specific optical characteristics in Group 2-6 semiconductors such as ultrafine particles represented by Si and Ge, porous silicon and the like. Here, the nanostructured crystal refers to a crystal grain having a particle size of about several nm, and is generally called a nanocrystal. When the group 2-6 semiconductor has a nanostructure crystal and a bulk structure crystal, the nanostructure crystal has better light absorption and emission characteristics. This is presumably because a group 2-6 semiconductor having a nanostructured crystal exhibits a quantum size effect, and thus has a larger bandgap than that of a bulk-structured crystal. That is, it is considered that the band gap of the group 2-6 semiconductor having a nanostructure crystal may be widened by the quantum size effect. As a technique for obtaining such a nanostructured crystal, a laser ablation method is known (Japanese Patent Laid-Open No. 9-2).
No. 75075), but there is no reference to a detailed method for producing a self-luminous luminous body by doping a luminous host with an activator.
【０００３】一方、テレビジョン等の分野において、デ
ィスプレイの薄型化が望まれており、軽量なフラットデ
ィスプレイであるプラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰ
という。）やフィールド・エミッション・ディスプレイ
（以下、ＦＥＤという。）等が注目されている。なかで
もＦＥＤの場合、電子ビームの電圧は陰極線管（ＣＲ
Ｔ）等に比べて遥かに低い。従って、これを更に薄型化
しようとすると、電子ビームの電圧を低くする必要があ
るが、従来の数μｍオーダーの粒径の蛍光体の場合に
は、電圧が低いと十分に発光しなくなるという問題が発
生する。これは、このような大きな粒径の蛍光体におい
ては、照射された電子ビームが蛍光体の発光する部分ま
で到達することができないためと考えられる。[0003] On the other hand, in the field of television and the like, thinning of displays is desired, and plasma displays (hereinafter referred to as PDPs) which are lightweight flat displays are required.
That. ) And field emission displays (hereinafter referred to as FEDs). Above all, in the case of FED, the voltage of the electron beam is controlled by the cathode ray tube (CR
T) and much lower. Therefore, in order to further reduce the thickness, it is necessary to lower the voltage of the electron beam. However, in the case of a conventional phosphor having a particle diameter of the order of several μm, the problem is that light emission does not sufficiently occur when the voltage is low. Occurs. This is considered to be because the irradiated electron beam cannot reach the light emitting portion of the phosphor in the phosphor having such a large particle diameter.
【０００４】現在、低電圧で発光する蛍光体としては、
緑青色発光する酸化亜鉛（以下、ＺｎＯ：Ｚｎと表記す
る。）を挙げることができる。実際に、ＺｎＯ：Ｚｎ
は、ＦＥＤにおいて用いられており、数百Ｖから数ｋＶ
程度の低電圧で励起することができる。このＺｎＯ：Ｚ
ｎは、ミクロンサイズの結晶構造を有し、導電性を有し
ており、低電圧でもチャージアップすることなく発光す
る。At present, phosphors that emit light at a low voltage include:
Zinc oxide that emits green-blue light (hereinafter referred to as ZnO: Zn) can be given. In fact, ZnO: Zn
Are used in FEDs, and are several hundred volts to several kV
It can be excited at a low voltage. This ZnO: Z
n has a micron-sized crystal structure, has conductivity, and emits light without being charged up even at a low voltage.
【０００５】このような蛍光体は、固相反応を利用する
方法によって作成されるが、例えば、材料を高温で焼成
処理する固相反応を利用する方法においては、材料の組
成が処理中に変化することがあり、材料の持つ固有の性
質を維持するのに難点がある、作成された蛍光体の粒径
は、３〜１０μｍ程度である等から将来の薄型ディスプ
レイ用の蛍光体の製造方法としては限界点に達してい
た。[0005] Such a phosphor is produced by a method utilizing a solid phase reaction. For example, in a method utilizing a solid phase reaction in which a material is calcined at a high temperature, the composition of the material changes during the treatment. There is a difficulty in maintaining the inherent properties of the material, the particle size of the prepared phosphor is about 3 to 10 μm, and so as a method for manufacturing a phosphor for a thin display in the future. Had reached the limit.
【０００６】前記蛍光体に対して、ナノ構造結晶を有す
る発光体では、低電圧で照射された電子ビームでも発光
体の発光する部分に到達することができるので、薄型化
されたディスプレイ、更には超高精細ＣＲＴディスプレ
イに用いられて好適である。[0006] In contrast to the phosphor, a light-emitting body having a nanostructure crystal can reach a light-emitting portion of the light-emitting body even with an electron beam irradiated at a low voltage. It is suitable for use in ultra-high definition CRT displays.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、ナノ
構造結晶により構成され、低電圧電子ビームによっても
十分な発光強度が得られ、延いてはディスプレイの薄型
化を可能にする発光体の製造方法及びこの方法により作
成された発光体並びにこの発光体を有する表示装置を提
供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a light emitting device which is made of a nanostructured crystal and has a sufficient light emission intensity even by a low-voltage electron beam. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a luminous body which enables a display to be made thinner, a luminous body produced by this method, and a display device having this luminous body.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、発光
母体と付活剤から構成されたターゲット材をガス雰囲気
の真空室に配置する工程と、該真空室の内部に基板を配
置する工程と、前記ターゲット材にレーザー光を照射し
てターゲット材構成物質を溶融、蒸発させるアブレーシ
ョン工程と、該前記アブレーション工程で溶融、蒸発し
たターゲット材構成物質を真空々間内で会合させる工程
と、該工程で会合したターゲット材構成物質の超微粒子
を前記基板に堆積させる工程とを有する発光体の製造方
法である。According to the first aspect of the present invention, there is provided a step of arranging a target material composed of a light-emitting matrix and an activator in a vacuum chamber in a gas atmosphere, and arranging a substrate inside the vacuum chamber. Step, an ablation step of irradiating the target material with a laser beam to melt the target material constituent material, and evaporating, and a step of associating the target material constituent material melted and evaporated in the ablation step within a vacuum, Depositing ultrafine particles of a target material constituent material associated in the step on the substrate.
【０００９】請求項２の発明は、請求項１記載の発明に
おいて、真空室の真空度を制御する工程を有し、超微粒
子の平均粒径を制御するものである。A second aspect of the present invention is the invention according to the first aspect, further comprising a step of controlling the degree of vacuum in the vacuum chamber, and controlling the average particle size of the ultrafine particles.
【００１０】請求項３の発明は、請求項２記載の発明に
おいて、真空室の真空度を超微粒子の平均粒径が１〜１
０ｎｍになるよう制御するものである。According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the degree of vacuum in the vacuum chamber is adjusted such that the average particle diameter of the ultrafine particles is 1 to 1
It is controlled to be 0 nm.
【００１１】請求項４の発明は、発光母体と付活剤から
構成されたターゲット材をガス雰囲気の真空室に配置す
る工程と、該真空室の内部に基板を配置する工程と、前
記ターゲット材にレーザー光を照射してターゲット材構
成物質を溶融、蒸発させるアブレーション工程と、該ア
ブレーション工程で溶融、蒸発したターゲット材構成物
質を真空々間内で会合させる工程と、該工程で会合した
ターゲット材構成物質の超微粒子を前記基板に堆積させ
る工程により製造された発光体である。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a step of arranging a target material composed of a light emitting matrix and an activator in a vacuum chamber in a gas atmosphere, arranging a substrate inside the vacuum chamber, An ablation step of irradiating the target with a laser beam to melt and evaporate the target material constituent material; a step of associating the target material constituent material melted and evaporated in the ablation step within a vacuum; A luminous body manufactured by a process of depositing ultrafine particles of a constituent material on the substrate.
【００１２】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、前記母体が硫化亜鉛、又は窒化ガリウム、又は燐化
ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活剤がテルビウ
ムである発光体である。A fifth aspect of the present invention is the luminous body according to the fourth aspect, wherein the base is zinc sulfide, or gallium nitride, or gallium phosphide, or indium phosphide, and the activator is terbium.
【００１３】請求項６の発明は、請求項４の発明におい
て、前記母体が硫化亜鉛、又は窒化ガリウム、又は燐化
ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活剤がユーロピ
ウムである発光体である。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the luminous body according to the fourth aspect, wherein the matrix is zinc sulfide, or gallium nitride, or gallium phosphide, or indium phosphide, and the activator is europium.
【００１４】請求項７の発明は、請求項４の発明におい
て、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銅とアルミニウ
ムである発光体である。A seventh aspect of the present invention is the luminous body according to the fourth aspect of the present invention, wherein the base is zinc sulfide, and the activators are copper and aluminum.
【００１５】請求項８の発明は、請求項４の発明におい
て、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銀と塩素である
発光体である。An eighth aspect of the present invention is the luminous body according to the fourth aspect, wherein the base is zinc sulfide, and the activators are silver and chlorine.
【００１６】請求項９の発明は、請求項４の発明におい
て、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銀とアルミニウ
ムである発光体である。A ninth aspect of the present invention is the luminous body according to the fourth aspect, wherein the base is zinc sulfide, and the activators are silver and aluminum.
【００１７】請求項１０の発明は、請求項４の発明にお
いて、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤がマンガンであ
る発光体である。A tenth aspect of the present invention is the illuminant according to the fourth aspect, wherein the base is zinc sulfide, and the activator is manganese.
【００１８】請求項１１の発明は、発光母体と付活剤か
ら構成されたターゲット材をガス雰囲気の真空室に配置
する工程と、該真空室の内部に基板を配置する工程と、
前記ターゲット材にレーザー光を照射してターゲット材
構成物質を溶融、蒸発させるアブレーション工程と、該
アブレーション工程で溶融、蒸発したターゲット材構成
物質を真空々間内で会合させる工程と、該工程で会合し
たターゲット材構成物質の超微粒子を前記基板に堆積さ
せる工程により製造された発光体を有する表示装置であ
る。An eleventh aspect of the present invention provides a step of arranging a target material composed of a luminous host and an activator in a vacuum chamber in a gas atmosphere, and a step of arranging a substrate inside the vacuum chamber.
An ablation step of irradiating the target material with a laser beam to melt and evaporate the target material constituent material; a process of associating the target material constituent material melted and evaporated in the ablation process within a vacuum; A display device having a luminous body manufactured by a step of depositing ultrafine particles of a target material constituent material on the substrate.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
発光体の製造方法について説明する。まず、発光母体を
硫化亜鉛（ＺｎＳ）とし、付活剤（発光センター）とし
て塩もしくは酸化物をドープする場合について説明す
る。本発明においては、レーザーアブレーション法を使
用する。そのために、前工程として、ターゲットの作成
を行なう。即ち、硫化亜鉛（ＺｎＳ）の粉末（純度：９
９．９９％）と付活剤となる原子を有する塩（好ましく
は硫酸塩）もしくは酸化物（純度：９９．９９％）粉末
を、機械的に均一分散するよう混合し、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）と塩もしくは酸化物の混合粉体を作成する。次に、
この混合粉体を、図示しないプレス機に封入し、圧縮成
形することにより、例えば、直径２ｃｍ、厚さ５ｍｍの
ペレット状のターゲットを作成する。この時、必要に応
じて所定の温度に加熱しながら圧縮成形を行なうことが
ある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a luminous body according to an embodiment of the present invention will be described. First, a case where zinc sulfide (ZnS) is used as a light emitting matrix and a salt or an oxide is doped as an activator (light emitting center) will be described. In the present invention, a laser ablation method is used. For this purpose, a target is created as a pre-process. That is, powder of zinc sulfide (ZnS) (purity: 9
9.9%) and a salt (preferably a sulfate) or an oxide (purity: 99.99%) having an atom serving as an activator are mixed so as to be mechanically and uniformly dispersed, and zinc sulfide (Zn)
A mixed powder of S) and a salt or oxide is prepared. next,
The mixed powder is sealed in a press (not shown) and compression-molded to produce a pellet-shaped target having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm, for example. At this time, compression molding may be performed while heating to a predetermined temperature as needed.
【００２０】前記付活剤として、テルビウム（Ｔｂ）、
ユーロピウム（Ｅｕ）を使用すると、Ｔｂは緑色の発光
を示し、Ｅｕは赤色の発光を示す。又、他の付活剤とし
て銅（Ｃｕ）とアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）と塩
素（Ｃｌ）、銀（Ａｇ）とアルミニウム（Ａｌ）をドー
プしても固有の発光性を持たせることができる。Ｃｕと
Ａｌは緑色の発光を示し、ＡｇとＣｌ及び、ＡｇとＡｌ
は青色の発光を示す。更に他の付活剤としてマンガン
（Ｍｎ）をドープしても固有の発光性を持たせることが
できる。Ｍｎは、オレンジ色の発光を示す。As the activator, terbium (Tb),
When europium (Eu) is used, Tb emits green light and Eu emits red light. In addition, even if copper (Cu) and aluminum (Al), silver (Ag) and chlorine (Cl), or silver (Ag) and aluminum (Al) are doped as other activators, they have inherent luminescence. Can be. Cu and Al emit green light, Ag and Cl, and Ag and Al
Indicates blue light emission. Furthermore, even if manganese (Mn) is doped as another activator, it can have intrinsic light emission. Mn shows orange light emission.
【００２１】図１は、本発明の実施形態に係るナノ構造
結晶を有する発光体の製造装置の概略構成図であり、Ｙ
ＡＧレーザー（波長：２６６ｎｍ）又はフッ化クリプト
ンレーザー（波長：２４８ｎｍ）１からのレーザー光
を、スリット２、集光レンズ３、反射ミラー４、真空反
応室５の光導入窓６を経て、真空反応室５内のターゲッ
トホルダー７に載置された、上述のようにして作成した
ペレット状（発光母体ＺｎＳ）のターゲット８の表面に
集光照射する。又、ターゲット８表面の法線方向に所定
距離離れた位置で、かつターゲット８表面に平行にガラ
ス等のサブストレート９を配置する。そして真空反応室
５は、真空排気系１０、差動排気系１１及び、流量制御
部１２を備えた雰囲気ガス供給系１３に接続する。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for manufacturing a luminous body having a nanostructure crystal according to an embodiment of the present invention.
A laser beam from an AG laser (wavelength: 266 nm) or a krypton fluoride laser (wavelength: 248 nm) 1 passes through a slit 2, a condenser lens 3, a reflection mirror 4, and a light introduction window 6 of a vacuum reaction chamber 5 to form a vacuum reaction. The surface of the pellet-shaped (light emitting base ZnS) target 8 placed on the target holder 7 in the chamber 5 and formed as described above is irradiated. A substrate 9 made of glass or the like is arranged at a position separated by a predetermined distance in the normal direction of the surface of the target 8 and parallel to the surface of the target 8. The vacuum reaction chamber 5 is connected to an evacuation system 10, a differential evacuation system 11, and an atmosphere gas supply system 13 having a flow control unit 12.
【００２２】上記の装置において、真空反応室５の真空
度を、真空排気系１０の図示しない真空ポンプの稼動に
より、好ましくは１．９９×１０３Ｐａ（パスカル）乃
至６．６６Ｐａ（ＺｎＳの場合、最適値１．９９×１０
Ｐａ）に保持し、又雰囲気ガス供給系１３から供給する
雰囲気ガスは、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオ
ン（Ｎｅ）等のいずれかとして、雰囲気ガス供給系１３
から流量制御部１２と差動排気系１１の差動排気により
一定圧力のガス雰囲気を出現する。本実施形態において
は、窒素ガスを使用する。そして、レーザーのエネルギ
ー密度を、好ましくは１〜５Ｊ／ｃｍ２（ＺｎＳの場
合、最適値３Ｊ／ｃｍ２）としてターゲット８に照射す
ると、照射部分が超高温となり、ターゲット８表面にて
溶融、蒸発を生じる。蒸発物質は、ターゲット８の原
子、分子、イオン、クラスターである。蒸発物質の運動
エネルギーは、窒素ガス原子に散逸するため、真空中で
の会合と成長が促進され、サブストレート９に到達時点
では、粒径が１ｎｍから１０ｎｍ程度の超微粒子（ナノ
クリスタル）に成長して堆積することになる。従って、
発光母体である硫化亜鉛（ＺｎＳ）に塩もしくは酸化物
がドープされたナノ構造結晶の発光体を作成することが
できる。より具体的には、上記Ｔｂ、Ｅｕ、ＣｕとＡｌ
等がドープされたナノ構造結晶の発光体を作成すること
ができる。In the above apparatus, the degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 is preferably adjusted to 1.99 × 10 3 Pa (Pascal) to 6.66 Pa (in the case of ZnS) by operating a vacuum pump (not shown) of the vacuum evacuation system 10. , Optimal value 1.99 × 10
Pa), and the atmosphere gas supplied from the atmosphere gas supply system 13 is any one of nitrogen (N 2 ), helium (He), neon (Ne), and the like.
Then, a gas atmosphere of a constant pressure appears due to the flow control unit 12 and the differential exhaust of the differential exhaust system 11. In the present embodiment, nitrogen gas is used. When the target 8 is irradiated with a laser having an energy density of preferably 1 to 5 J / cm 2 (in the case of ZnS, the optimum value is 3 J / cm 2 ), the irradiated portion becomes extremely hot, and the target 8 is melted and evaporated on the surface of the target 8. Is generated. Evaporated substances are atoms, molecules, ions, and clusters of the target 8. Since the kinetic energy of the evaporating substance is dissipated into nitrogen gas atoms, association and growth in a vacuum are promoted, and when reaching the substrate 9, the particles grow into ultrafine particles (nanocrystals) having a particle size of about 1 nm to 10 nm. Will be deposited. Therefore,
A nanostructure crystal luminous body in which zinc sulfide (ZnS) as a luminous host is doped with a salt or an oxide can be produced. More specifically, the above Tb, Eu, Cu and Al
It is possible to produce a nanostructure crystal light emitter doped with, for example,.
【００２３】レーザー光の照射時間は、必要とされる蛍
光体の堆積量に応じて変化させればよい。照射時間によ
って粒径が変化することはなく、ターゲット８に対向し
て設置してあるサブストレート９上に作成される超微粒
子の堆積量が変化するだけである。基本的には１５〜６
０分が好ましい。The irradiation time of the laser beam may be changed according to the required amount of the deposited phosphor. The particle size does not change depending on the irradiation time, but only the deposition amount of the ultrafine particles formed on the substrate 9 installed facing the target 8. Basically 15-6
0 minutes is preferred.
【００２４】上記超微粒子の粒径は、真空排気系１０の
図示しない真空ポンプの稼動により、真空反応室５の真
空度を変えることにより制御する。真空度の高低により
溶融・蒸発した原子、分子、イオン、クラスターのぶつ
かり合いの多少が生じる。このため真空々中での蒸発物
質の会合と成長の度合いが異なり、従って、真空度を変
えることにより、粒径をコントロールすることができ
る。The diameter of the ultrafine particles is controlled by changing the degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 by operating a vacuum pump (not shown) of the vacuum exhaust system 10. Depending on the degree of vacuum, some collision of the melted and evaporated atoms, molecules, ions, and clusters occurs. For this reason, the degree of association and growth of the evaporant in a vacuum is different. Therefore, the particle diameter can be controlled by changing the degree of vacuum.
【００２５】このようにレーザーアブレーション法を用
いることによって、粒径１ｎｍ〜１０ｎｍのナノクリス
タル蛍光体を製造することができる。この蛍光体は、励
起子、電子・正孔対を数ｎｍの範囲に閉じ込めることが
できる量子サイズ効果が起こる結果、広いバンドギャッ
プを有するものとなる。従って、光吸収特性及び発光特
性の向上が達成された発光体となる。As described above, by using the laser ablation method, a nanocrystal phosphor having a particle size of 1 nm to 10 nm can be manufactured. This phosphor has a wide band gap as a result of a quantum size effect that can confine excitons and electron-hole pairs in a range of several nm. Therefore, a luminous body having improved light absorption characteristics and luminescence characteristics is obtained.
【００２６】次に、図１に示した発光体製造装置を使用
して、本発明に係る発光体の製造方法により、ナノクリ
スタル蛍光体を作成した実施例を示す。 （実施例１）発光母体を硫化亜鉛（ＺｎＳ）、付活剤を
テルビウム（Ｔｂ）とし、ナノクリスタル蛍光体Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂを作成した。Ｔｂは３価の陽イオンとしてＺｎ
Ｓにドープされる。ターゲットは、９９．９９％のＺｎ
Ｓと９９．９９％の酸化テルビウムを均一に分散するよ
う良く混合し、プレス機で直径２ｃｍ、厚さ５ｍｍのペ
レット状に作成した。酸化テルビウムの代わりに硫酸テ
ルビウムを用いてもよい。ともにＺｎＳ１に対して１〜
５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が最適であった。Next, an embodiment in which a nanocrystal phosphor is produced by the method for producing a luminous body according to the present invention using the luminous body producing apparatus shown in FIG. (Example 1) A nanocrystal phosphor Zn was used as a light-emitting matrix, zinc sulfide (ZnS) and an activator was terbium (Tb).
S: Tb was prepared. Tb is Zn as a trivalent cation
S is doped. The target was 99.99% Zn
S and 99.99% terbium oxide were mixed well so as to be uniformly dispersed, and formed into a pellet having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm by a press. Terbium sulfate may be used instead of terbium oxide. Both are 1 to ZnS1.
5 mol% was preferred, and 3 mol% was optimal.
【００２７】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜６．６６Ｐａが好ましく、１．
９９×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー光照射時
における雰囲気ガスは、窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザー光照射において、レーザーエネルギー密度は、
１〜５Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set to 10 cm, and the laser light was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 during laser beam irradiation is preferably from 1.99 × 10 3 Pa to 6.66 Pa.
99 × 10 Pa was optimal. Atmosphere gas at the time of laser light irradiation was nitrogen (N 2 ) gas.
In laser light irradiation, the laser energy density is
1 to 5 J / cm 2 was optimal.
【００２８】このようにして作成されたＺｎＳ：Ｔｂナ
ノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）評価を実施したところ、真空度１．
９９×１０２Ｐａでは約９ｎｍのナノクリスタル蛍光体
を作成できた。これは、真空中でターゲット８表面から
の蒸発物質のぶつかり合いが多いためである。更に、真
空度１．９９×１０Ｐａでは約３ｎｍのナノクリスタル
蛍光体を作成できた。これは逆に、そのぶつかり合いが
少なくなるためである。このように真空度を変化させる
ことにより、粒径の制御を行なうことができた。In order to observe the particle size of the ZnS: Tb nanocrystal phosphor prepared as described above, a transmission electron microscope (TEM) was evaluated.
At 99 × 10 2 Pa, a nanocrystal phosphor of about 9 nm could be formed. This is because there are many collisions of the evaporated substance from the surface of the target 8 in a vacuum. Further, at a vacuum degree of 1.99 × 10 Pa, a nanocrystal phosphor of about 3 nm could be formed. On the contrary, the collision is reduced. By changing the degree of vacuum in this way, the particle size could be controlled.
【００２９】更に、このようにして作成されたＺｎＳ：
Ｔｂナノクリスタル蛍光体における発光特性を測定する
ために、その光励起発光強度（ＰＬ強度）を測定した。
図２は、光励起発光の測定結果を示す図であり、縦軸は
ＰＬ強度（相対値）、横軸は波長（ｎｍ）を表す。な
お、真空度は最適値である１．９９×１０Ｐａの場合で
ある。図２から明らかなように、波長５４０ｎｍ付近
（実測値では５４３ｎｍ）において３価のテルビウム
（Ｔｂ３＋）に起因する５Ｄ４→７Ｆ５の緑色発光を示
した。これは、波長４８０ｎｍ付近の５Ｄ４→７Ｆ６、
波長５９０ｎｍ付近の５Ｄ ４→７Ｆ４の発光強度に比較
して相対的に強い発光強度となっている。Further, the ZnS thus prepared:
Measuring luminescence properties of Tb nanocrystal phosphor
For this purpose, the photoexcitation emission intensity (PL intensity) was measured.
FIG. 2 is a diagram showing a measurement result of photoexcitation light emission, and the vertical axis indicates
The PL intensity (relative value) and the horizontal axis represents the wavelength (nm). What
Note that the degree of vacuum is the optimum value of 1.99 × 10 Pa.
is there. As is clear from FIG. 2, the wavelength is around 540 nm.
(Measured value is 543 nm)
(Tb3+)caused by5D4→7F5Green light emission
did. This is because the wavelength around 480 nm5D4→7F6,
Around 590 nm wavelength5D 4→7F4Comparison with the emission intensity of
As a result, the emission intensity is relatively strong.
【００３０】前記ナノクリスタル蛍光体ＺｎＳ：Ｔｂの
作成と同じ条件により、ターゲットの組成を異ならしめ
るだけで、他の発光色を有するナノクリスタル蛍光体を
作成することができた。Under the same conditions as in the preparation of the nanocrystal phosphor ZnS: Tb, a nanocrystal phosphor having another emission color could be prepared only by changing the composition of the target.
【００３１】（実施例２）赤色発光を示すＺｎＳ：Ｅｕ
においては、９９．９９％の硫化亜鉛と、９９．９９％
の酸化ユーロピウムを良く混合し、プレス機でペレット
状のターゲットを作成した。酸化ユーロピウムの代わり
に硫酸ユーロピウムを用いてもよい。この時、硫化亜鉛
１に対し、ともに１〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ
％が最適であった。(Example 2) ZnS: Eu which emits red light
, 99.99% zinc sulfide and 99.99%
Was mixed well and a pellet-shaped target was prepared with a press machine. Europium sulfate may be used instead of europium oxide. At this time, the content is preferably 1 to 5 mol% with respect to zinc sulfide 1 and 3 mol.
% Was optimal.
【００３２】（実施例３）緑色発光を示すＺｎＳ：Ｃ
ｕ、Ａｌにおいては、９９．９９％の硫化亜鉛と、９
９．９％の硫酸銅及び９９．９％の硫酸アルミニウムを
良く混合し、ＺｎＳ：Ｔｂの場合と同様、プレス機でペ
レット状のターゲットを作成した。この時、硫化亜鉛１
に対し、ともに１００〜１０００ｐｐｍが好ましく、５
００ｐｐｍが最適であった。Example 3 ZnS: C which emits green light
For u and Al, 99.99% of zinc sulfide and 9
9.9% of copper sulfate and 99.9% of aluminum sulfate were mixed well, and a pellet-shaped target was prepared with a press as in the case of ZnS: Tb. At this time, zinc sulfide 1
And preferably 100 to 1000 ppm,
00 ppm was optimal.
【００３３】（実施例４）青色発光を示すＺｎＳ：Ａ
ｇ、Ｃｌにおいては、９９．９９％の硫化亜鉛と、９
９．９％の塩化銀を良く混合し、プレス機でペレット状
のターゲットを作成した。この時、硫化亜鉛１に対し、
ともに１００〜１０００ｐｐｍが好ましく、６００ｐｐ
ｍが最適であった。(Example 4) ZnS: A which emits blue light
g, Cl, 99.99% zinc sulfide and 9
9.9% of silver chloride was mixed well, and a pellet-shaped target was prepared with a press. At this time, for zinc sulfide 1,
Both are preferably 100 to 1000 ppm, and 600 pp
m was optimal.
【００３４】（実施例５）青色発光を示すＺｎＳ：Ａ
ｇ、Ａｌにおいては、９９．９９％の硫化亜鉛と、９
９．９％の硫酸銀及び９９．９％の硫酸アルミニウムを
良く混合し、プレス機でペレット状のターゲットを作成
した。この時、硫化亜鉛１に対し、ともに１００ｐｐｍ
〜１０００ｐｐｍが好ましく、６００ｐｐｍが最適であ
った。Example 5 ZnS: A showing blue light emission
g, Al, 99.99% zinc sulfide and 9
9.9% of silver sulfate and 99.9% of aluminum sulfate were mixed well, and a pellet-shaped target was prepared with a press. At this time, 100 ppm for both zinc sulfide 1
-1000 ppm was preferred, and 600 ppm was optimal.
【００３５】（実施例６）オレンジ色発光を示すＺｎ
Ｓ：Ｍｎにおいては、９９．９９％の硫化亜鉛と、９
９．９％の硫酸マンガンを良く混合し、ＺｎＳ：Ｔｂの
場合と同様、プレス機でペレット状のターゲットを作成
した。この時、硫化亜鉛１に対し、０．５〜３ｍｏｌ％
が好ましく、１ｍｏｌ％が最適であった。Example 6 Zn exhibiting orange emission
S: In Mn, 99.99% of zinc sulfide and 9
9.9% of manganese sulfate was mixed well, and a pellet-shaped target was prepared with a press as in the case of ZnS: Tb. At this time, 0.5 to 3 mol% with respect to zinc sulfide 1
, Preferably 1 mol%.
【００３６】次に、発光母体を窒化ガリウム（ＧａＮ）
とし、付活剤（発光センター）として酸化物をドープす
る場合について説明する。この場合においてもレーザー
アブレーション法を使用する前工程として、ターゲット
の作成を行なう。即ち、窒化ガリウム（ＧａＮ）粉末
（純度：９９．９９９％）と付活剤となる原子を有する
酸化物（純度：９９．９９％）粉末を、機械的に均一分
散するよう混合し、窒化ガリウム（ＧａＮ）と酸化物の
混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図示しな
いプレス機に封入し、圧縮成形することにより、例え
ば、直径２ｃｍ、厚さ５ｍｍのペレット状のターゲット
を作成する。前記付活剤（発光センター）として、テル
ビウム（Ｔｂ）、ユーロピウム（Ｅｕ）を使用する。Ｔ
ｂは緑色の発光を示し、Ｅｕは赤色の発光を示す。Next, the light emitting base material is gallium nitride (GaN).
The case where an oxide is doped as an activator (light emission center) will be described. Also in this case, a target is prepared as a pre-process using the laser ablation method. That is, gallium nitride (GaN) powder (purity: 99.999%) and an oxide having an atom serving as an activator (purity: 99.99%) are mixed so as to be mechanically and uniformly dispersed. A mixed powder of (GaN) and an oxide is prepared. Next, the mixed powder is sealed in a press machine (not shown) and compression-molded to produce a pellet-shaped target having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm, for example. Terbium (Tb) and europium (Eu) are used as the activator (light emission center). T
b indicates green light emission, and Eu indicates red light emission.
【００３７】上記ターゲットを図１の装置のターゲット
ホルダー７に載置し、レーザーアブレーションを行う。
照射するレーザーとしてＹＡＧレーザー（２６６ｎｍ）
又はＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）が好ましい。レーザ
ー照射時の雰囲気ガスとして、窒素（Ｎ２）、ヘリウム
（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）を使用することができる。レ
ーザー照射時の真空度としては、１．９９×１０３Ｐａ
〜１．３３Ｐａが好ましいが、ＧａＮでは１．３３×１
０Ｐａが最適である。レーザーエネルギー密度は、Ｇａ
Ｎでは１〜５Ｊ／ｃｍ２が好ましいが、３Ｊ／ｃｍ２が
最適である。The target is placed on the target holder 7 of the apparatus shown in FIG. 1 and laser ablation is performed.
YAG laser (266 nm) as the laser for irradiation
Alternatively, a KrF laser (248 nm) is preferable. Nitrogen (N 2 ), helium (He), or neon (Ne) can be used as an atmosphere gas at the time of laser irradiation. The degree of vacuum at the time of laser irradiation is 1.99 × 10 3 Pa
~ 1.33 Pa is preferable, but 1.33 × 1
0 Pa is optimal. The laser energy density is Ga
For N, 1 to 5 J / cm 2 is preferable, but 3 J / cm 2 is optimal.
【００３８】レーザー照射時の照射時間は、必要とされ
る蛍光体の量によって変化させればよい。照射時間によ
って粒径は変化せず、対向して設置してあるガラス基板
９上に作成される粒子の量が変化する。基本的には、１
５〜６０分が好ましい。The irradiation time at the time of laser irradiation may be changed according to the required amount of phosphor. The particle size does not change depending on the irradiation time, and the amount of particles formed on the glass substrate 9 installed oppositely changes. Basically, 1
Preferably 5 to 60 minutes.
【００３９】（実施例７）発光母体を窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ）、付活剤をテルビウム（Ｔｂ）とし、ナノクリス
タル蛍光体ＧａＮ：Ｔｂを作成した。Ｔｂは３価の陽イ
オンとしてＧａＮにドープされる。ターゲットは、９
９．９９９％の窒化ガリウムと９９．９９％の酸化テル
ビウムをよく混合し、プレス機で直径２ｃｍ、厚さ５ｍ
ｍのペレット状に作成した。窒化ガリウム１に対して１
〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が最適であった。(Example 7) Gallium nitride (G
aN) and terbium (Tb) as the activator to prepare a nanocrystal phosphor GaN: Tb. Tb is doped into GaN as a trivalent cation. The target is 9
9.999% gallium nitride and 99.99% terbium oxide are mixed well, and the diameter is 2 cm and the thickness is 5 m by a press machine.
m pellets. 1 for gallium nitride
５5 mol% was preferable, and 3 mol% was optimal.
【００４０】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜１．３３Ｐａが好ましく、１．
３３×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー照射時に
おける雰囲気ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザーエネルギー密度は、１〜５Ｊ／ｃｍ２が好まし
く、３Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set to 10 cm, and the laser light was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 at the time of laser light irradiation is preferably 1.99 × 10 3 Pa to 1.33 Pa.
33 × 10 Pa was optimal. Nitrogen (N 2 ) gas was used as an atmosphere gas during laser irradiation.
Laser energy density is preferably 1~5J / cm 2, 3J / cm 2 was optimal.
【００４１】このようにして作成されたＧａＮ：Ｔｂナ
ノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）評価を実施したところ、真空度１．
３３×１０２Ｐａでは約８ｎｍ、１．３３×１０Ｐａで
は約３ｎｍのナノクリスタル蛍光体を作成できた。In order to observe the particle size of the GaN: Tb nanocrystal phosphor prepared in this manner, a transmission electron microscope (TEM) was evaluated.
A nanocrystal phosphor of about 8 nm at 33 × 10 2 Pa and about 3 nm at 1.33 × 10 Pa could be produced.
【００４２】このようにして作成されたＧａＮ：Ｔｂナ
ノクリスタル蛍光体における発光特性を測定するため
に、その光励起発光強度（ＰＬ強度）を測定した。図３
は、光励起発光の測定結果を示す図であり、縦軸はＰＬ
強度（相対値）、横軸は波長（ｎｍ）を表す。なお、真
空度は最適値である１．３３×１０Ｐａの場合である。
図３から明らかなように、波長５４０ｎｍ付近（実測値
では５４３ｎｍ）において３価のテルビウム（Ｔ
ｂ３＋）に起因する５Ｄ４→７Ｆ５の緑色発光を示し
た。本ナノクリスタル蛍光体は、ＺｎＳ：Ｔｂナノクリ
スタル蛍光体に比較して発光強度としては劣るが劣化に
強いものになっている。In order to measure the light emission characteristics of the GaN: Tb nanocrystal phosphor thus prepared, the light excitation light emission intensity (PL intensity) was measured. FIG.
Is a diagram showing the measurement results of photoexcitation emission, the vertical axis is PL
The intensity (relative value) and the horizontal axis represent the wavelength (nm). In addition, the degree of vacuum is a case where the optimum value is 1.33 × 10 Pa.
As is clear from FIG. 3, trivalent terbium (Tb) around a wavelength of 540 nm (measured value is 543 nm).
b 3+ ), and emitted green light of 5 D 4 → 7 F 5 . The present nanocrystal phosphor is inferior to the ZnS: Tb nanocrystal phosphor in light emission intensity but resistant to deterioration.
【００４３】（実施例８）発光母体を窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ）、付活剤をユーロピウム（Ｅｕ）とし、ナノクリ
スタル蛍光体ＧａＮ：Ｅｕを作成した。ターゲットは、
９９．９９９％の窒化ガリウムと９９．９９％の酸化ユ
ーロピウムをよく混合し、プレス機で直径２ｃｍ、厚さ
５ｍｍのペレット状に作成した。窒化ガリウム１に対し
て１〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が最適であっ
た。(Embodiment 8) Gallium nitride (G
aN) and the activator was europium (Eu) to prepare a nanocrystal phosphor GaN: Eu. The target is
99.999% gallium nitride and 99.99% europium oxide were mixed well and formed into a pellet having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm with a press. The content was preferably 1 to 5 mol%, and more preferably 3 mol%, based on 1 gallium nitride.
【００４４】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜１．３３Ｐａが好ましく、１．
３３×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー照射時に
おける雰囲気ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザーエネルギー密度は、１〜５Ｊ／ｃｍ２が好まし
く、３Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set to 10 cm, and the laser light was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 at the time of laser light irradiation is preferably 1.99 × 10 3 Pa to 1.33 Pa.
33 × 10 Pa was optimal. Nitrogen (N 2 ) gas was used as an atmosphere gas during laser irradiation.
Laser energy density is preferably 1~5J / cm 2, 3J / cm 2 was optimal.
【００４５】更に、発光母体を燐化ガリウム（ＧａＰ）
とし、付活剤（発光センター）として酸化物をドープす
る場合について説明する。この場合においてもレーザー
アブレーション法を使用する前工程として、ターゲット
の作成を行なう。即ち、燐化ガリウム（ＧａＰ）粉末
（純度：９９．９９９％）と付活剤となる原子を有する
酸化物（純度：９９．９９％）粉末を、機械的に均一分
散するよう混合し、燐化ガリウム（ＧａＰ）と酸化物の
混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図示しな
いプレス機に封入し、圧縮成形することにより、例え
ば、直径２ｃｍ、厚さ５ｍｍのペレット状のターゲット
を作成する。前記付活剤（発光センター）として、テル
ビウム（Ｔｂ）、ユーロピウム（Ｅｕ）を使用する。Ｔ
ｂは緑色の発光を示し、Ｅｕは赤色の発光を示す。Further, the light-emitting base is made of gallium phosphide (GaP).
The case where an oxide is doped as an activator (light emission center) will be described. Also in this case, a target is prepared as a pre-process using the laser ablation method. That is, gallium phosphide (GaP) powder (purity: 99.999%) and an oxide having an atom serving as an activator (purity: 99.99%) are mixed so as to be mechanically and uniformly dispersed. A mixed powder of gallium oxide (GaP) and oxide is prepared. Next, the mixed powder is sealed in a press machine (not shown) and compression-molded to produce a pellet-shaped target having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm, for example. Terbium (Tb) and europium (Eu) are used as the activator (light emission center). T
b indicates green light emission, and Eu indicates red light emission.
【００４６】上記ターゲットを図１の装置のターゲット
ホルダー７に載置し、レーザーアブレーションを行う。
照射するレーザーとしてＹＡＧレーザー（２６６ｎｍ）
又はＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）が好ましい。レーザ
ー照射時の雰囲気ガスとして、窒素（Ｎ２）、ヘリウム
（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）を使用することができる。レ
ーザー照射時の真空度としては、１．９９×１０３Ｐａ
〜１．３３Ｐａが好ましいが、ＧａＰでは１．３３×１
０Ｐａが最適である。レーザーエネルギー密度は、Ｇａ
Ｐでは１〜５Ｊ／ｃｍ２が好ましいが、３Ｊ／ｃｍ２が
最適である。The target is placed on the target holder 7 of the apparatus shown in FIG. 1 and laser ablation is performed.
YAG laser (266 nm) as the laser for irradiation
Alternatively, a KrF laser (248 nm) is preferable. Nitrogen (N 2 ), helium (He), or neon (Ne) can be used as an atmosphere gas at the time of laser irradiation. The degree of vacuum at the time of laser irradiation is 1.99 × 10 3 Pa
１1.33 Pa is preferable, but for GaP, 1.33 × 1
0 Pa is optimal. The laser energy density is Ga
For P, 1 to 5 J / cm 2 is preferable, but 3 J / cm 2 is optimal.
【００４７】レーザー照射時の照射時間は、必要とされ
る蛍光体の量によって変化させればよい。照射時間によ
って粒径は変化せず、対向して設置してあるガラス基板
９上に作成される粒子の量が変化する。基本的には、１
５〜６０分が好ましい。The irradiation time at the time of laser irradiation may be changed according to the required amount of the phosphor. The particle size does not change depending on the irradiation time, and the amount of particles formed on the glass substrate 9 installed oppositely changes. Basically, 1
Preferably 5 to 60 minutes.
【００４８】（実施例９）発光母体を燐化ガリウム（Ｇ
ａＰ）、付活剤をテルビウム（Ｔｂ）とし、ナノクリス
タル蛍光体ＧａＰ：Ｔｂを作成した。Ｔｂは３価の陽イ
オンとしてＧａＰにドープされる。ターゲットは、９
９．９９９％の燐化ガリウムと９９．９９％の酸化テル
ビウムをよく混合し、プレス機で直径２ｃｍ、厚さ５ｍ
ｍのペレット状に作成した。燐化ガリウム１に対して１
〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が最適であった。(Example 9) A gallium phosphide (G
aP), terbium (Tb) was used as an activator to prepare a nanocrystal phosphor GaP: Tb. Tb is doped into GaP as a trivalent cation. The target is 9
9.999% gallium phosphide and 99.99% terbium oxide are mixed well, and the diameter is 2 cm and the thickness is 5 m by a press machine.
m pellets. 1 for gallium phosphide
５5 mol% was preferable, and 3 mol% was optimal.
【００４９】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜１．３３Ｐａが好ましく、１．
３３×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー照射時に
おける雰囲気ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザーエネルギー密度は、１〜５Ｊ／ｃｍ２が好まし
く、３Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set at 10 cm, and the laser light was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 at the time of laser light irradiation is preferably 1.99 × 10 3 Pa to 1.33 Pa.
33 × 10 Pa was optimal. Nitrogen (N 2 ) gas was used as an atmosphere gas during laser irradiation.
Laser energy density is preferably 1~5J / cm 2, 3J / cm 2 was optimal.
【００５０】このようにして作成されたＧａＰ：Ｔｂナ
ノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）評価を実施したところ、真空度１．
３３×１０２Ｐａでは約８ｎｍ、１．３３×１０Ｐａで
は約３ｎｍのナノクリスタル蛍光体を作成できた。In order to observe the particle size of the GaP: Tb nanocrystal phosphor prepared as described above, a transmission electron microscope (TEM) was evaluated.
A nanocrystal phosphor of about 8 nm at 33 × 10 2 Pa and about 3 nm at 1.33 × 10 Pa could be produced.
【００５１】図４は、このようにして作成されたＧａ
Ｐ：Ｔｂナノクリスタル蛍光体における光励起発光の測
定結果を示す図であり、縦軸はＰＬ強度（相対値）、横
軸は波長（ｎｍ）を表す。なお、真空度は最適値である
１．３３×１０Ｐａの場合である。図４から明らかなよ
うに、波長５４０ｎｍ付近（実測値では５４３ｎｍ）に
おいて３価のテルビウム（Ｔｂ３＋）に起因する５Ｄ４
→７Ｆ５の緑色発光を示した。本ナノクリスタル蛍光体
は、ＺｎＳ：Ｔｂナノクリスタル蛍光体に比較して１．
２倍上回る発光強度を示した。FIG. 4 shows the Ga thus formed.
It is a figure which shows the measurement result of the photoexcitation light emission in P: Tb nanocrystal fluorescent substance, a vertical axis | shaft represents PL intensity (relative value), and a horizontal axis | shaft represents a wavelength (nm). In addition, the degree of vacuum is a case where the optimum value is 1.33 × 10 Pa. Figure 4 As is clear from, 5 D 4 resulting from trivalent terbium (Tb 3+) in the vicinity of a wavelength of 540 nm (543 nm in the measured value)
→ 7 showed a green light emission of the F 5. The present nanocrystal phosphor is 1.
The emission intensity was more than doubled.
【００５２】（実施例１０）発光母体を燐化ガリウム
（ＧａＰ）、付活剤をユーロピウム（Ｅｕ）とし、ナノ
クリスタル蛍光体ＧａＰ：Ｅｕを作成した。ターゲット
は、９９．９９９％の燐化ガリウムと９９．９９％の酸
化ユーロピウムをよく混合し、プレス機で直径２ｃｍ、
厚さ５ｍｍのペレット状に作成した。燐化ガリウム１に
対して１〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が最適で
あった。Example 10 A nanocrystal phosphor GaP: Eu was prepared using gallium phosphide (GaP) as a light-emitting matrix and europium (Eu) as an activator. The target was a well-mixed 99.999% gallium phosphide and 99.99% europium oxide.
It was formed into a pellet having a thickness of 5 mm. The content was preferably 1 to 5 mol%, and more preferably 3 mol%, based on 1 gallium phosphide.
【００５３】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜１．３３Ｐａが好ましく、１．
３３×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー照射時に
おける雰囲気ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザーエネルギー密度は、１〜５Ｊ／ｃｍ２が好まし
く、３Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set to 10 cm, and the laser light was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 at the time of laser light irradiation is preferably 1.99 × 10 3 Pa to 1.33 Pa.
33 × 10 Pa was optimal. Nitrogen (N 2 ) gas was used as an atmosphere gas during laser irradiation.
Laser energy density is preferably 1~5J / cm 2, 3J / cm 2 was optimal.
【００５４】このようにして作成されたＧａＰ：Ｅｕナ
ノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）評価を実施したところ、真空度１．
３３×１０２Ｐａでは約８ｎｍ、１．３３×１０Ｐａで
は約３ｎｍのナノクリスタル蛍光体を作成できた。In order to observe the particle size of the GaP: Eu nanocrystal phosphor prepared in this manner, a transmission electron microscope (TEM) was evaluated.
A nanocrystal phosphor of about 8 nm at 33 × 10 2 Pa and about 3 nm at 1.33 × 10 Pa could be produced.
【００５５】このようにして作成されたＧａＰ：Ｅｕナ
ノクリスタル蛍光体における光励起発光の測定結果は、
図示を省略しているが、波長６２０ｎｍ付近（実測値で
は６１６ｎｍ）において３価のユーロピウム（Ｅ
ｕ３＋）に起因する５Ｄ０→７Ｆ２の赤色発光を示し
た。本ナノクリスタル蛍光体は、ＺｎＳ：Ｅｕナノクリ
スタル蛍光体に比較して１．２５倍上回る発光強度を示
した。The measurement result of the photoexcitation light emission of the GaP: Eu nanocrystal phosphor thus prepared is as follows.
Although not shown, trivalent europium (E) is observed around a wavelength of 620 nm (actually measured value is 616 nm).
u 3+ ) and emitted red light of 5 D 0 → 7 F 2 . This nanocrystal phosphor showed a luminescence intensity 1.25 times higher than that of the ZnS: Eu nanocrystal phosphor.
【００５６】更に又、発光母体を燐化インジウム（Ｉｎ
Ｐ）とし、付活剤（発光センター）として酸化物をドー
プする場合について説明する。この場合においてもレー
ザーアブレーション法を使用する前工程として、ターゲ
ットの作成を行なう。即ち、燐化インジウム（ＩｎＰ）
粉末（純度：９９．９９９％）と付活剤となる原子を有
する酸化物（純度：９９．９９％）粉末を、機械的に均
一分散するよう混合し、燐化インジウム（ＩｎＰ）と酸
化物の混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図
示しないプレス機に封入し、圧縮成形することにより、
例えば、直径２ｃｍ、厚さ５ｍｍのペレット状のターゲ
ットを作成する。前記付活剤（発光センター）として、
テルビウム（Ｔｂ）、ユーロピウム（Ｅｕ）を使用す
る。Ｔｂは緑色の発光を示し、Ｅｕは赤色の発光を示
す。Further, the light-emitting host is formed of indium phosphide (In).
P) and doping with an oxide as an activator (light emission center) will be described. Also in this case, a target is prepared as a pre-process using the laser ablation method. That is, indium phosphide (InP)
Powder (purity: 99.999%) and an oxide having an activator atom (purity: 99.99%) are mixed so as to be mechanically and uniformly dispersed, and indium phosphide (InP) and the oxide are mixed. To make a mixed powder of Next, the mixed powder is sealed in a press machine (not shown) and compression-molded.
For example, a pellet-shaped target having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm is prepared. As the activator (light emission center),
Terbium (Tb) and europium (Eu) are used. Tb indicates green light emission, and Eu indicates red light emission.
【００５７】上記ターゲットを図１の装置のターゲット
ホルダー７に載置し、レーザーアブレーションを行う。
照射するレーザーとしてＹＡＧレーザー（２６６ｎｍ）
又はＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）が好ましい。レーザ
ー照射時の雰囲気ガスとして、窒素（Ｎ２）、ヘリウム
（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）を使用することができる。レ
ーザー照射時の真空度としては、１．９９×１０３Ｐａ
〜１．３３Ｐａが好ましいが、ＩｎＰでは１．３３×１
０Ｐａが最適である。レーザーエネルギー密度は、Ｉｎ
Ｐでは１〜５Ｊ／ｃｍ２が好ましいが、３Ｊ／ｃｍ２が
最適である。The target is placed on the target holder 7 of the apparatus shown in FIG. 1 and laser ablation is performed.
YAG laser (266 nm) as the laser for irradiation
Alternatively, a KrF laser (248 nm) is preferable. Nitrogen (N 2 ), helium (He), or neon (Ne) can be used as an atmosphere gas at the time of laser irradiation. The degree of vacuum at the time of laser irradiation is 1.99 × 10 3 Pa
１1.33 Pa is preferable, but 1.33 × 1 for InP.
0 Pa is optimal. The laser energy density is In
For P, 1 to 5 J / cm 2 is preferable, but 3 J / cm 2 is optimal.
【００５８】レーザー照射時の照射時間は、必要とされ
る蛍光体の量によって変化させればよい。照射時間によ
って粒径は変化せず、対向して設置してあるガラス基板
９上に作成される粒子の量が変化する。基本的には、１
５〜６０分が好ましい。The irradiation time at the time of laser irradiation may be changed according to the required amount of phosphor. The particle size does not change depending on the irradiation time, and the amount of particles formed on the glass substrate 9 installed oppositely changes. Basically, 1
Preferably 5 to 60 minutes.
【００５９】（実施例１１）発光母体を燐化インジウム
（ＩｎＰ）、付活剤をテルビウム（Ｔｂ）とし、ナノク
リスタル蛍光体ＩｎＰ：Ｔｂを作成した。Ｔｂは３価の
陽イオンとしてＩｎＰにドープされる。ターゲットは、
９９．９９９％の燐化インジウムと９９．９９％の酸化
テルビウムをよく混合し、プレス機で直径２ｃｍ、厚さ
５ｍｍのペレット状に作成した。燐化インジウム１に対
して１〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が最適であ
った。(Example 11) A nanocrystal phosphor InP: Tb was prepared by using indium phosphide (InP) as a light-emitting matrix and terbium (Tb) as an activator. Tb is doped into InP as a trivalent cation. The target is
99.999% of indium phosphide and 99.99% of terbium oxide were mixed well and formed into a pellet having a diameter of 2 cm and a thickness of 5 mm by a press. The amount was preferably 1 to 5 mol%, and more preferably 3 mol%, based on indium phosphide 1.
【００６０】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜１．３３Ｐａが好ましく、１．
３３×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー照射時に
おける雰囲気ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザーエネルギー密度は、１〜５Ｊ／ｃｍ２が好まし
く、３Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set at 10 cm, and the laser light was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 at the time of laser light irradiation is preferably 1.99 × 10 3 Pa to 1.33 Pa.
33 × 10 Pa was optimal. Nitrogen (N 2 ) gas was used as an atmosphere gas during laser irradiation.
Laser energy density is preferably 1~5J / cm 2, 3J / cm 2 was optimal.
【００６１】このようにして作成されたＩｎＰ：Ｔｂナ
ノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）評価を実施したところ、真空度１．
３３×１０２Ｐａでは約８ｎｍ、１．３３×１０Ｐａで
は約３ｎｍのナノクリスタル蛍光体を作成できた。In order to observe the particle size of the InP: Tb nanocrystal phosphor prepared in this manner, a transmission electron microscope (TEM) was evaluated.
A nanocrystal phosphor of about 8 nm at 33 × 10 2 Pa and about 3 nm at 1.33 × 10 Pa could be produced.
【００６２】図５は、このようにして作成されたＩｎ
Ｐ：Ｔｂナノクリスタル蛍光体における光励起発光の測
定結果を示す図であり、縦軸はＰＬ強度（相対値）、横
軸は波長（ｎｍ）を表す。なお、真空度は最適値である
１．３３×１０Ｐａの場合である。図５から明らかなよ
うに、波長５４０ｎｍ付近（実測値では５４３ｎｍ）に
おいて３価のテルビウム（Ｔｂ３＋）に起因する５Ｄ４
→７Ｆ５の緑色発光を示した。本ＩｎＰ：Ｔｂナノクリ
スタル蛍光体は、ＺｎＳ：Ｔｂナノクリスタル蛍光体に
比較して１．３５倍、ＧａＰ：Ｔｂナノクリスタル蛍光
体に比較して１．１２５倍上回る発光強度を示した。FIG. 5 shows the In which is thus formed.
It is a figure which shows the measurement result of the photoexcitation light emission in P: Tb nanocrystal fluorescent substance, a vertical axis | shaft represents PL intensity (relative value), and a horizontal axis | shaft represents a wavelength (nm). In addition, the degree of vacuum is a case where the optimum value is 1.33 × 10 Pa. As is clear from FIG. 5, 5 D 4 due to trivalent terbium (Tb 3+ ) around a wavelength of 540 nm (measured value is 543 nm).
→ 7 showed a green light emission of the F 5. The present InP: Tb nanocrystal phosphor exhibited an emission intensity 1.35 times higher than the ZnS: Tb nanocrystal phosphor and 1.125 times higher than the GaP: Tb nanocrystal phosphor.
【００６３】（実施例１２）発光母体を燐化インジウム
（ＩｎＰ）、付活剤をユーロピウム（Ｅｕ）とし、ナノ
クリスタル蛍光体ＩｎＰ：Ｅｕを作成した。ターゲット
は、９９．９９９％の燐化インジウムと９９．９９％の
酸化ユーロピウムをよく混合し、プレス機で直径２ｃ
ｍ、厚さ５ｍｍのペレット状に作成した。燐化インジウ
ム１に対して１〜５ｍｏｌ％が好ましく、３ｍｏｌ％が
最適であった。Example 12 A nanocrystal phosphor InP: Eu was prepared by using indium phosphide (InP) as a light-emitting matrix and europium (Eu) as an activator. The target was a well-mixed 99.999% indium phosphide and 99.99% europium oxide.
m, 5 mm thick pellets. The amount was preferably 1 to 5 mol%, and more preferably 3 mol%, based on indium phosphide 1.
【００６４】ターゲットホルダー７に載置したターゲッ
ト８と、サブストレート９として使用したガラス基板と
の間は、１０ｃｍ間隔とし、１５分間レーザー光を照射
した。レーザー光照射時の真空反応室５内の真空度は
１．９９×１０３Ｐａ〜１．３３Ｐａが好ましく、１．
３３×１０Ｐａが最適であった。又、レーザー照射時に
おける雰囲気ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを使用した。
レーザーエネルギー密度は、１〜５Ｊ／ｃｍ２が好まし
く、３Ｊ／ｃｍ２が最適であった。The distance between the target 8 placed on the target holder 7 and the glass substrate used as the substrate 9 was set at an interval of 10 cm, and a laser beam was irradiated for 15 minutes. The degree of vacuum in the vacuum reaction chamber 5 at the time of laser light irradiation is preferably 1.99 × 10 3 Pa to 1.33 Pa.
33 × 10 Pa was optimal. Nitrogen (N 2 ) gas was used as an atmosphere gas during laser irradiation.
Laser energy density is preferably 1~5J / cm 2, 3J / cm 2 was optimal.
【００６５】このようにして作成されたＩｎＰ：Ｅｕナ
ノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）評価を実施したところ、真空度１．
３３×１０２Ｐａでは約８ｎｍ、１．３３×１０Ｐａで
は約３ｎｍのナノクリスタル蛍光体を作成できた。In order to observe the particle size of the InP: Eu nanocrystal phosphor prepared in this manner, a transmission electron microscope (TEM) was evaluated.
A nanocrystal phosphor of about 8 nm at 33 × 10 2 Pa and about 3 nm at 1.33 × 10 Pa could be produced.
【００６６】このようにして作成されたＩｎＰ：Ｅｕナ
ノクリスタル蛍光体における光励起発光の測定結果は、
図示を省略しているが、波長６２０ｎｍ付近（実測値で
は６１６ｎｍ）において３価のユーロピウム（Ｅ
ｕ３＋）に起因する５Ｄ０→７Ｆ２の赤色発光を示し
た。本ナノクリスタル蛍光体は、ＺｎＳ：Ｅｕナノクリ
スタル蛍光体に比較して１．３８倍、ＧａＰ：Ｅｕナノ
クリスタル蛍光体に比較して１．１倍上回る発光強度を
示した。The measurement result of the photoexcitation light emission of the InP: Eu nanocrystal phosphor thus prepared is as follows.
Although not shown, trivalent europium (E) is observed around a wavelength of 620 nm (actually measured value is 616 nm).
u 3+ ) and emitted red light of 5 D 0 → 7 F 2 . The present nanocrystal phosphor exhibited an emission intensity 1.38 times higher than the ZnS: Eu nanocrystal phosphor and 1.1 times higher than the GaP: Eu nanocrystal phosphor.
【００６７】以上説明したように、いずれの実施例にお
いてもレーザーアブレーション法を用いることにより、
様々な発色が可能な粒径が１〜１０ｎｍのナノクリスタ
ル蛍光体を作成することができる。この発光体は、励起
子、電子・正孔対を数ｎｍの範囲に閉じ込めることがで
きる量子サイズ効果が起る結果、広いバンドギャップを
有するものとなる。従って、光吸収特性及び発光特性が
向上する。As described above, in any of the embodiments, by using the laser ablation method,
Nanocrystal phosphors having a particle size of 1 to 10 nm capable of various colors can be produced. This luminous body has a wide band gap as a result of the quantum size effect that can confine excitons and electron-hole pairs in a range of several nm. Therefore, light absorption characteristics and light emission characteristics are improved.
【００６８】次ぎに、このようなナノクリスタル蛍光体
をガラス基板上に作成してＦＥＤやＰＤＰを製作する。
この場合、図１のガラス基板９をＦＥＤやＰＤＰの基板
とすることによりＦＥＤやＰＤＰを製作することができ
る。前述のように低電圧の電子ビームにより発光が可能
となるので、ＦＥＤやＰＤＰ等のディスプレイを薄型化
することができる。Next, such a nanocrystal phosphor is formed on a glass substrate to manufacture an FED or a PDP.
In this case, an FED or PDP can be manufactured by using the glass substrate 9 of FIG. 1 as a substrate of FED or PDP. As described above, light can be emitted by a low-voltage electron beam, so that a display such as an FED or a PDP can be thinned.
【００６９】[0069]
【発明の効果】本発明によれば、発光母体と付活剤（発
光センター）から構成されたターゲット材をアブレーシ
ョンする工程により、基板上にｎｍオーダーの母体と付
活剤（発光センター）からなる超微粒子で構成された発
光体を作成することができる。超微粒子の平均粒径は、
アブレーション工程における真空度の調節により容易に
制御することができる。この発光体は、ｎｍオーダーの
超微粒子で構成されているため低電圧の電子ビームで十
分に発光させることが可能となる。したがって、このよ
うな発光体を使用したディスプレイにおいては薄型化を
図ることができる。According to the present invention, a substrate composed of a nanometer-order base material and an activator (emission center) is formed on a substrate by a process of ablating a target material composed of a light-emitting base material and an activator (emission center). A luminous body composed of ultrafine particles can be produced. The average particle size of the ultrafine particles is
It can be easily controlled by adjusting the degree of vacuum in the ablation step. Since this luminous body is composed of ultrafine particles on the order of nm, it is possible to emit light sufficiently with a low-voltage electron beam. Therefore, a display using such a light-emitting body can be made thinner.
【図１】本発明の実施形態に係るナノ構造結晶を有する
発光体の製造装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for manufacturing a luminous body having a nanostructure crystal according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing emission excitation characteristics of a luminous body according to the present invention.
【図３】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing emission excitation characteristics of a luminous body according to the present invention.
【図４】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing emission excitation characteristics of a luminous body according to the present invention.
【図５】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図で
ある。FIG. 5 is a diagram showing emission excitation characteristics of a luminous body according to the present invention.
１…レーザー、５…真空反応室、７…ターゲットホルダ
ー、８…ターゲット、９…サブストレート、１０…真空
排気系、１１…差動排気系、１３…雰囲気ガス供給系DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser, 5 ... Vacuum reaction chamber, 7 ... Target holder, 8 ... Target, 9 ... Substrate, 10 ... Vacuum exhaust system, 11 ... Differential exhaust system, 13 ... Atmospheric gas supply system
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/20 Ｈ０１Ｊ 29/20 Ｈ０１Ｌ 21/363 Ｈ０１Ｌ 21/363 (72)発明者 大野 勝利 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内 Ｆターム(参考） 4H001 XA07 XA15 XA16 XA30 XA31 XA49 YA13 YA17 YA25 YA29 YA47 YA63 YA65 4K029 AA09 BA51 BA58 BD00 CA01 DB20 5C040 GG08 5F103 AA10 BB23 BB27 DD01 DD07 DD11 DD30 GG02 GG10 HH04 KK10 LL01 NN04 NN05 RR10 5G435 AA03 AA04 AA17 BB02 BB04 BB05 BB06 FF11 KK05 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 29/20 H01J 29/20 H01L 21/363 H01L 21/363 (72) Inventor Katsutoshi Ohno Shinagawa-ku, Tokyo 6-73 Kita-Shinagawa F-term in Sony Corporation (Reference) 4H001 XA07 XA15 XA16 XA30 XA31 XA49 YA13 YA17 YA25 YA29 YA47 YA63 YA65 4K029 AA09 BA51 BA58 BD00 CA01 DB20 5C040 GG08 5F103 AA10 BB23 DD10 HH04 KK10 LL01 NN04 NN05 RR10 5G435 AA03 AA04 AA17 BB02 BB04 BB05 BB06 FF11 KK05
Claims (11)
ット材をガス雰囲気の真空室に配置する工程と、該真空
室の内部に基板を配置する工程と、前記ターゲット材に
レーザー光を照射してターゲット材構成物質を溶融、蒸
発させるアブレーション工程と、該前記アブレーション
工程で溶融、蒸発したターゲット材構成物質を真空々間
内で会合させる工程と、該工程で会合したターゲット材
構成物質の超微粒子を前記基板に堆積させる工程とを有
することを特徴とする発光体の製造方法。1. A step of arranging a target material composed of a light-emitting matrix and an activator in a vacuum chamber in a gas atmosphere, a step of arranging a substrate inside the vacuum chamber, and irradiating the target material with laser light. An ablation step of melting and evaporating the target material constituent material, and a step of associating the target material constituent material melted and evaporated in the ablation step within a vacuum; Depositing the fine particles on the substrate.
し、前記超微粒子の平均粒径を制御することを特徴とす
る請求項１記載の発光体の製造方法。2. The method according to claim 1, further comprising the step of controlling the degree of vacuum in the vacuum chamber, and controlling the average particle size of the ultrafine particles.
均粒径が１〜１０ｎｍになるよう制御することを特徴と
する請求項２記載の発光体の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the degree of vacuum in the vacuum chamber is controlled so that the average particle size of the ultrafine particles is 1 to 10 nm.
ット材をガス雰囲気の真空室に配置する工程と、該真空
室の内部に基板を配置する工程と、前記ターゲット材に
レーザー光を照射してターゲット材構成物質を溶融、蒸
発させるアブレーション工程と、該アブレーション工程
で溶融、蒸発したターゲット材構成物質を真空々間内で
会合させる工程と、該工程で会合したターゲット材構成
物質の超微粒子を前記基板に堆積させる工程により製造
されたことを特徴とする発光体。4. A step of arranging a target material composed of a light-emitting matrix and an activator in a vacuum chamber in a gas atmosphere, a step of arranging a substrate inside the vacuum chamber, and irradiating the target material with laser light. An ablation step of melting and evaporating the target material constituent material by performing the above, a step of associating the target material constituent material melted and evaporated in the ablation step within a vacuum, and ultrafine particles of the target material constituent material associated in the step A luminous body manufactured by a step of depositing the luminous substance on the substrate.
ム、又は燐化ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活
剤がテルビウムであることを特徴とする請求項４記載の
発光体。5. The luminous body according to claim 4, wherein said matrix is zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide, or indium phosphide, and said activator is terbium.
ム、又は燐化ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活
剤がユーロピウムであることを特徴とする請求項４記載
の発光体。6. The luminous body according to claim 4, wherein said matrix is zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide, or indium phosphide, and said activator is europium.
アルミニウムであることを特徴とする請求項４記載の発
光体。7. The luminous body according to claim 4, wherein said base is zinc sulfide, and said activator is copper and aluminum.
塩素であることを特徴とする請求項４記載の発光体。8. The luminous body according to claim 4, wherein said base is zinc sulfide, and said activator is silver and chlorine.
アルミニウムであることを特徴とする請求項４記載の発
光体。9. The luminous body according to claim 4, wherein said base is zinc sulfide, and said activator is silver and aluminum.
ンガンであることを特徴とする請求項４記載の発光体。10. The luminous body according to claim 4, wherein said base is zinc sulfide, and said activator is manganese.
ゲット材をガス雰囲気の真空室に配置する工程と、該真
空室の内部に基板を配置する工程と、前記ターゲット材
にレーザー光を照射してターゲット材構成物質を溶融、
蒸発させるアブレーション工程と、該アブレーション工
程で溶融、蒸発したターゲット材構成物質を真空々間内
で会合させる工程と、該工程で会合したターゲット材構
成物質の超微粒子を前記基板に堆積させる工程により製
造された発光体を有することを特徴とする表示装置。11. A step of arranging a target material composed of a light-emitting matrix and an activator in a vacuum chamber in a gas atmosphere, a step of arranging a substrate inside the vacuum chamber, and irradiating the target material with laser light. To melt the target material constituents,
Manufactured by an ablation step of evaporating, a step of associating the target material constituents melted and evaporated in the ablation step within a vacuum, and a step of depositing ultrafine particles of the target material constituents associated in the step on the substrate A display device, comprising: a light emitting body.
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- 2001-02-13 JP JP2001035315A patent/JP4329270B2/en not_active Expired - Fee Related
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