JP2002234720A - 半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用 - Google Patents

半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用

Info

Publication number
JP2002234720A
JP2002234720A JP2002001054A JP2002001054A JP2002234720A JP 2002234720 A JP2002234720 A JP 2002234720A JP 2002001054 A JP2002001054 A JP 2002001054A JP 2002001054 A JP2002001054 A JP 2002001054A JP 2002234720 A JP2002234720 A JP 2002234720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon electrode
coefficient
thermal expansion
electrode
thermal conductivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002001054A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3909242B2 (ja
Inventor
Harald Hertlein
ヘルトライン ハラルト
Karl Hesse
ヘッセ カール
Axel Frauenknecht
フラウエンクネヒト アクセル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Publication of JP2002234720A publication Critical patent/JP2002234720A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3909242B2 publication Critical patent/JP3909242B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱した支持体に半導体材料を析出する装置
を提供する。 【解決手段】 析出装置の基板に導通され、固定された
電流通路と電極ホルダーを有し、この電極ホルダーは電
流通路の上に配置されている下面および炭素電極と接続
されている上面を有し、この炭素電極に支持体をはめ込
むことができる、加熱した支持体に半導体材料を析出す
る装置において、炭素電極が１４５Ｗ／ｍ・Ｋより大き
い熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合して
いる熱膨張率を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、決められた材料特
性を有する炭素電極を使用して多結晶シリコン棒を製造
する装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品および太陽電池を製造するため
の出発物質としての高純度多結晶シリコン（ポリシリコ
ン）は、一般に析出ガスの熱分解または水素還元により
得られる。その際析出ガスとして一般にクロロシラン、
例えばトリクロロシランを使用する。還元性水素が関与
するトリクロロシランの熱分解および引き続く薄いシリ
コン棒への高純度シリコンの析出は“ジーメンス法”の
名称で知られている。この方法によりポリシリコンは世
界的にポリシリコン析出装置で製造される。
【０００３】最も一般的に用いられる構成においては、
これらの装置は、主に金属の基板およびこの基板上に配
置される冷却可能な鐘状物からなり、鐘状物の内部に閉
鎖された反応空間が形成される。析出装置は気密に閉鎖
可能でなければならない、それというのも析出ガスは腐
食性に作用し、空気との混合物で自然発火する傾向があ
るからである。基板はホルダーを備えており、これによ
り支持体が反応空間内に保持される。支持体として一般
に薄いシリコン棒が用いられ、この棒は直接的な電流の
導通により必要な析出温度に加熱される。一般に２つの
隣接する棒が、保持される脚の端部と向かい合う自由な
端部に、橋により結合し、Ｕ形の支持体を形成する。電
流の供給は、Ｕ形の支持体の棒の脚部を保持するホルダ
ーの対により行う。
【０００４】ホルダーには電流通路が属し、この通路
は、基板に導通され、析出装置の外側で電源に接続して
いる。析出装置の内側で、電流通路は、電極ホルダーと
して形成されるか、または分離した電極ホルダーと強固
に結合している。電極ホルダー上に炭素電極が配置さ
れ、この炭素電極は反応空間に向かって配列されてい
る。炭素電極は一般に上方に間隙を有し、この間隙に支
持体の棒の脚部がはめ込まれている。ホルダーは、保持
された支持体が固定され、かつ動くことができないよう
に形成されている。電流通路および場合により電極ホル
ダーは冷却される。これにより半導体材料が支持体のホ
ルダーに析出することが回避される。
【０００５】大きな多結晶シリコン棒を製造する場合
は、析出の最終段階でまたは析出後の冷却段階の間にシ
リコン棒がホルダーから傾倒する（転倒する）および／
または棒の脚の端部の領域が損傷することを、かなり頻
繁に監視しなければならない。この現象は、主に電子工
業で必要な製品を生じる半導体の引き続く処理を遅らせ
るだけでなく、大きな経済的な損害を生じる、それとい
うのも傾倒したシリコン棒はもはや計画されたように引
き続き処理することができないからである。
【０００６】この問題を解決するために、米国特許第５
５９３４６５号明細書において、電流通路と電極ホルダ
ーの間に少なくとも１個のスプリング部材を配置し、こ
の部材により電流通路に対して相対的に電極ホルダーが
動き、この運動のクッションとなることが提案されてい
る。しかしながらこの解決手段は多くの技術的な費用、
従ってかなりの費用と結びついている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、通常
の析出装置での費用のかかる改造手段を使用せずに前記
の欠点を十分に阻止する、加熱した支持体に半導体材料
を析出する装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題は、析出装置の
基板に導通され、固定された電流通路と電極ホルダーを
有し、この電極ホルダーは電流通路の上に配置されてい
る下面および炭素電極と接続されている上面を有し、こ
の炭素電極に支持体をはめ込むことができる装置により
解決され、この装置は、炭素電極が１４５Ｗ／ｍ・Ｋよ
り大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適
合している熱膨張率を有することを特徴とする。
【０００９】炭素電極の熱伝導率は、生じる引張り応力
−圧縮応力が棒の脚部で減少するように、できるだけ大
きく選択する。有利には熱伝導率は１４５Ｗ／ｍ・Ｋよ
り大きい。特に熱伝導率は１６５Ｗ／ｍ・Ｋより大き
く、特に有利には熱伝導率は１７０Ｗ／ｍ・Ｋである。
１７０Ｗ／ｍ・Ｋの値は今まで試験できるすべての種類
の炭素のうち最も高い熱伝導率を有する炭素電極に相当
する。この炭素電極を使用して今まで最もよい結果が達
成された。しかしながら更に高い熱伝導率を有する炭素
電極を使用して更によい結果が達成できることが考えら
れる。
【００１０】熱膨張率はポリシリコンの熱膨張率に適合
している。従って熱膨張率は有利には２×１０−６〜６
×１０−６である。特に熱膨張率は３.０×１０−６〜
３.６×１０−６であり、特に有利には熱膨張率は３.３
×１０−６である。
【００１１】試験の際に、多くの場合に棒の脚の破砕に
よりポリシリコン棒が傾倒することが示された。一般的
な炭素電極と前記の材料特性を有する炭素電極との交換
によってのみ棒脚部の破砕の発生を著しく減少すること
ができた。破裂した棒の脚部による多結晶シリコン棒の
傾倒は本発明の装置により阻止される。
【００１２】本発明は、更に本発明の装置で自体公知の
形式および方法で実施する、多結晶シリコン棒の製造方
法に関する。
【００１３】この方法は、一般的なジーメンス法により
１４５Ｗ／ｍ・Ｋより大きい熱伝導率およびシリコンの
熱膨張率に適合している熱膨張率を有する炭素電極を使
用することを特徴とする。
【００１４】この方法は技術水準で一般的なように実施
する。支持体材料として、薄いシリコン棒が用いられ、
この棒は直接的な電流の導通により有利には９００〜１
２００℃の析出温度範囲に加熱する。クロロシランの量
は有利には１０〜１４００ｋｇ／ｈ以上であり、水素の
量は有利には１０〜８００ｍ３／ｈ以上である。使用す
る場合に棒の脚部が部分的に破砕する、熱伝導率７５Ｗ
／ｍ・Ｋおよび熱膨張率４×１０−６を有する従来の炭
素電極と異なり、本発明の熱伝導率および本発明の熱膨
張率を有する炭素電極は、棒の脚部での引張り応力−圧
縮応力を減少するために使用する。
【００１５】本発明の方法は以下の理由から従来のジー
メンス法より経済的である。
【００１６】時間の節約（より少ない人件費） 安全性の危険の回避（作業災害の減少） 生産量の向上（チャージ交換時間の減少） 収率の向上（ポリシリコン廃棄物の減少、ポリシリコン
の微細な破片の減少）。
【００１７】本発明は更に、すでに記載された材料特性
を有する炭素電極の多結晶シリコンを製造するための使
用に関する。
【００１８】これらの炭素電極は、例えばＳｃｈｕｎｋ
Ｋｏｈｌｅｎｓｔｏｆｆｔｅｃｈｎｉｋ社（Ｄ−３５
３３９、ギーセン）またはＳＧＬ Ｃａｒｂｏｎ グル
ープ（ＳＧＬ ＣＡＲＢＯＮ社、Ｗｅｒｋ Ｒｉｎｇｓ
ｄｏｒｆ、Ｄｒａｃｈｅｎｂｕｒｇｓｔｒａｓｓｅ
１，Ｄ−５３１７０、ボン）から入手できる。
【００１９】本発明は、特に１４５Ｗ／ｍ・Ｋより大き
い熱伝導率およびシリコンの熱膨張率に適合している熱
膨張率を有する炭素電極の、ジーメンス法により多結晶
シリコンを製造するための使用に関する。
【００２０】
【実施例】以下の実施例により本発明を詳細に説明す
る。
【００２１】実施例 多結晶シリコン棒を製造するために、従来の黒鉛電極お
よび熱伝導率１７０Ｗ／ｍ・Ｋおよび熱膨張率３.３×
１０−６を有する黒鉛電極を用いて、その他は同じ条件
で交互に１４回印加して運転した（析出温度範囲９００
〜１２００℃、クロロシランの量１０〜１４００ｋｇ／
ｈおよび水素の量１０〜８００ｍ３／ｈ）。通常の装置
を使用して生じた９８回のプロセスチャージの間に１５
回目のチャージで傾倒したが、本発明の装置を使用して
生じた９８回のプロセスチャージでは全く傾倒しなかっ
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カール ヘッセ ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ヘー ヒェンベルクシュトラーセ 46 (72)発明者 アクセル フラウエンクネヒト ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン エル ンスト−ロイター−シュトラーセ １ Ｆターム(参考） 4G072 AA02 BB03 BB12 GG01 GG03 GG04 GG05 HH01 MM21 NN01 NN14

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 析出装置の基板に導通され、固定された
    電流通路と電極ホルダーを有し、この電極ホルダーは電
    流通路の上に配置されている下面および炭素電極と接続
    されている上面を有し、この炭素電極に支持体をはめ込
    むことができる、加熱した支持体に半導体材料を析出す
    る装置において、炭素電極が１４５Ｗ／ｍ・Ｋより大き
    い熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合して
    いる熱膨張率を有することを特徴とする、半導体材料を
    析出する装置。
  2. 【請求項２】 炭素電極の熱伝導率が１４５Ｗ／ｍ・Ｋ
    より大きい請求項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 炭素電極の熱伝導率が１６５Ｗ／ｍ・Ｋ
    より大きい請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 炭素電極の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ
    である請求項１記載の装置。
  5. 【請求項５】 熱膨張率が２×１０−６〜６×１０−６
    である請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
  6. 【請求項６】 熱膨張率が３.０×１０−６〜３.６×１
    ０−６である請求項１から４までのいずれか１項記載の
    装置。
  7. 【請求項７】 熱膨張率が３.３×１０−６である請求
    項１から４までのいずれか１項記載の装置。
  8. 【請求項８】 一般的なジーメンス法で１４５Ｗ／ｍ・
    Ｋより大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率
    に適合している熱膨張率を有する炭素電極を使用するこ
    とを特徴とする多結晶シリコン棒の製造方法。
  9. 【請求項９】 １４５Ｗ／ｍ・Ｋより大きい熱伝導率を
    有し、かつシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率
    を有する炭素電極の、多結晶シリコンを製造するための
    使用。
JP2002001054A 2001-01-11 2002-01-08 半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用 Expired - Lifetime JP3909242B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10101040A DE10101040A1 (de) 2001-01-11 2001-01-11 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
DE10101040.0 2001-01-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002234720A true JP2002234720A (ja) 2002-08-23
JP3909242B2 JP3909242B2 (ja) 2007-04-25

Family

ID=7670275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002001054A Expired - Lifetime JP3909242B2 (ja) 2001-01-11 2002-01-08 半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6639192B2 (ja)
EP (1) EP1223146B1 (ja)
JP (1) JP3909242B2 (ja)
DE (2) DE10101040A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006240934A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokuyama Corp 多結晶シリコンの製造装置
JP2009221058A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
WO2011045881A1 (ja) 2009-10-14 2011-04-21 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
JP2011195438A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Wacker Chemie Ag 盛り上げられた縁部を有する円錐状黒鉛電極
JP2011195439A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Wacker Chemie Ag 黒鉛電極
WO2012153465A1 (ja) 2011-05-09 2012-11-15 信越化学工業株式会社 シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
JP2012232879A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
WO2014168116A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社トクヤマ シリコン製造用芯線ホルダ

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9683286B2 (en) 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
CN102027156A (zh) * 2008-03-26 2011-04-20 Gt太阳能公司 在化学气相沉积反应器中用于配气的***和方法
AU2009236678B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-27 Hemlock Semiconductor Corporation Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein
EP2265883A1 (en) * 2008-04-14 2010-12-29 Hemlock Semiconductor Corporation Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein
EP2266369B1 (en) * 2008-04-14 2017-11-22 Hemlock Semiconductor Operations LLC Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein
TWI458854B (zh) * 2008-06-23 2014-11-01 Gtat Corp 在化學氣相沉積反應器中用於管絲的夾頭及電橋之連接點
CN101570890B (zh) * 2009-01-06 2011-09-28 刘朝轩 可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法
US8840723B2 (en) * 2009-03-10 2014-09-23 Mitsubishi Materials Corporation Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon
DE102009044991A1 (de) 2009-09-24 2011-03-31 Wacker Chemie Ag Stabförmiges Polysilicium mit verbesserter Brucheigenschaft
WO2011044441A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Hemlock Semiconductor Corporation Cvd apparatus with electrode
DE102010040093A1 (de) 2010-09-01 2012-03-01 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
DE102011084372A1 (de) 2011-10-12 2012-02-09 Wacker Chemie Ag Vorrichtung für die Abscheidung von polykristallinem Silicium auf Dünnstäben
TW201531440A (zh) * 2013-12-30 2015-08-16 Hemlock Semiconductor Corp 用於耦合至設置在反應器內之電極上之插座以生長多晶矽的載體
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
DE102014201096A1 (de) * 2014-01-22 2015-07-23 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
US10450649B2 (en) 2014-01-29 2019-10-22 Gtat Corporation Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance
JP2016016999A (ja) 2014-07-04 2016-02-01 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒製造用のシリコン芯線および多結晶シリコン棒の製造装置
CN112203980B (zh) 2018-07-27 2023-04-21 瓦克化学股份公司 用于沉积多晶硅的电极
CN115583654B (zh) * 2022-10-18 2023-11-21 科大智能物联技术股份有限公司 一种基于模仿学习的多晶硅还原炉电流控制方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
NL251143A (ja) * 1959-05-04
DE1198787B (de) * 1960-12-17 1965-08-19 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium, Siliciumkarbid oder Germanium aus ihren gasfoermigen Verbindungen
DE2328303C3 (de) * 1973-06-04 1979-11-15 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumstäben
DE2618293A1 (de) * 1976-04-27 1977-11-17 Papst Motoren Kg Kollektorloser gleichstrommotor
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
US4248925A (en) * 1979-06-25 1981-02-03 Corning Glass Works Encapsulation in glass and glass-ceramic materials
JPS5787139A (en) * 1980-11-19 1982-05-31 Hitachi Ltd Semiconductor device
GB2315277B (en) * 1985-10-22 1998-05-13 Union Carbide Corp Carbon-carbon composites containing poorly graphitizing pitch as a binder and/or impregnant having a reduced coefficient of thermal expansion
JP2876095B2 (ja) * 1992-04-13 1999-03-31 イビデン株式会社 黒鉛製電解加工用電極
US6238454B1 (en) * 1993-04-14 2001-05-29 Frank J. Polese Isotropic carbon/copper composites
DE4424929C2 (de) * 1994-07-14 1997-02-13 Wacker Chemie Gmbh Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial
JPH08191096A (ja) * 1995-01-09 1996-07-23 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体用治具
KR100210261B1 (ko) * 1997-03-13 1999-07-15 이서봉 발열반응을 이용한 다결정 실리콘의 제조 방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006240934A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokuyama Corp 多結晶シリコンの製造装置
JP2009221058A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造装置
WO2011045881A1 (ja) 2009-10-14 2011-04-21 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
US8793853B2 (en) 2009-10-14 2014-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Core wire holder for producing polycrystalline silicon and method for producing polycrystalline silicon
JP2011195438A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Wacker Chemie Ag 盛り上げられた縁部を有する円錐状黒鉛電極
JP2011195439A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Wacker Chemie Ag 黒鉛電極
US8366892B2 (en) 2010-03-19 2013-02-05 Wacker Chemie Ag Graphite electrode
KR101265558B1 (ko) 2010-03-19 2013-05-20 와커 헤미 아게 흑연 전극
WO2012153465A1 (ja) 2011-05-09 2012-11-15 信越化学工業株式会社 シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
JP2012232879A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
WO2014168116A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社トクヤマ シリコン製造用芯線ホルダ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3909242B2 (ja) 2007-04-25
US6639192B2 (en) 2003-10-28
DE50200055D1 (de) 2003-11-06
EP1223146B1 (de) 2003-10-01
DE10101040A1 (de) 2002-07-25
EP1223146A1 (de) 2002-07-17
US20020088401A1 (en) 2002-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002234720A (ja) 半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用
Hobgood et al. Semi‐insulating 6H–SiC grown by physical vapor transport
EP3118158B1 (en) Carbon electrode and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon rod
KR101239869B1 (ko) 파단성이 개선된 봉형 폴리실리콘
JP2006240934A (ja) 多結晶シリコンの製造装置
TWI516444B (zh) 用以於沉積多晶矽之反應器中保護電極密封之裝置
EP1772429A1 (en) Method for producing polycrystalline silicon and polycrystalline silicon for solar cell produced by the method
JPH03120369A (ja) ばねにより張られた線条を有する合成ダイヤモンド蒸着装置
NO800822L (no) Fremgangsmaate til fremstilling av silisium med stor renhet av solcellekvalitet
JP2556397B2 (ja) 多結晶ケイ素の製造における始動フィラメント用黒鉛チャック及びその保護方法
JP2961694B2 (ja) 半導体材料を断片化するための装置および方法
JPH107488A (ja) 単結晶引上装置、高純度黒鉛材料及びその製造方法
WO2012144161A1 (ja) シリコン芯線の製造方法
JP2001257163A (ja) 炭化珪素部材、耐プラズマ部材及び半導体製造用装置
EP0990630B1 (en) Structural body comprising aluminum nitride and method of producing the same
CN112725903A (zh) 一种碳化硅原料合成炉的热场及合成炉
JP3410380B2 (ja) 単結晶引上装置及び高純度黒鉛材料
JP2020132443A (ja) 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコン
TWI530581B (zh) 於化學氣相沈積反應器外部點燃矽棒的方法與裝置
JPH11111628A (ja) シリコン製発熱体及びこれを用いた半導体製造装置
JP4907222B2 (ja) 半導体ウエハの加熱装置
AU2013251286B2 (en) Carbon electrode and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon rod
CN202107541U (zh) 石墨发热体用夹具及氢化炉
JPS62143814A (ja) クロロシランの製造方法
JPS6251240B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050706

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050930

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20051005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051227

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060905

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20061101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3909242

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140126

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term