JP2002231648A - Film-forming apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、真空雰囲気空間中，あ
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus for forming a thin film on a member to be formed by a gas phase or a chemical reaction in a vacuum atmosphere space or a space shielded from the atmosphere.
【０００２】[0002]
【従来の技術】絶縁体基板や半導体基板などの被成膜部
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。2. Description of the Related Art As a film forming apparatus of this kind for forming a required thin film on a surface of a film forming member (hereinafter, referred to as a substrate) such as an insulator substrate or a semiconductor substrate, there are a CVD apparatus and a plasma CV.
A vapor deposition device such as a D device or a vacuum sputtering device is known. 2. Description of the Related Art In recent years, a plasma CVD process has been frequently used in a thin film forming process in manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device.
【０００３】特に、プラズマＣＶＤは非平衡プラズマ中
で気体状の物質（処理ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で処理ガス（例えばシランガス）を高周
波（ＲＦ）電力あるいは直流電力エネルギーの印加で活
性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例えばアモルフ
ァスシリコン膜）を生成堆積させるものである。[0003] In particular, plasma CVD is a method in which a gaseous substance (processing gas) is reacted in non-equilibrium plasma to deposit new solid species on a substrate. (For example, silane gas) is activated (radicalized) by application of high frequency (RF) power or DC power energy to form and deposit a thin film (for example, an amorphous silicon film) on a substrate.
【０００４】図４は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する断面図であって、０１は成膜室、０２は基
板搬送予備室、０３は基板トレイ、０４，０５はそれぞ
れ処理ガスの導入，排出管、０６は高周波（ＲＦ）電
源、０７は基板である。同図において、被成膜部材であ
る基板０７は基板トレイ０３の基板電極０３２上に載置
され、真空雰囲気にある成膜室０１に導入管０４から処
理ガスを導入し、この処理ガスを高周波電源０６からＲ
Ｆ電極０３１に印加されるＲＦ電力エネルギーにより活
性化（ラジカル化）して基板０７の表面に化学反応を生
起させることによって所要の膜を生成させる。成膜に関
与後の処理ガスは排出管０５から排出される。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a schematic structure of a conventional plasma CVD apparatus, where 01 is a film forming chamber, 02 is a substrate transfer preliminary chamber, 03 is a substrate tray, and 04 and 05 are processing gas introductions, respectively. , A discharge pipe, 06 is a high frequency (RF) power supply, and 07 is a substrate. In the figure, a substrate 07 as a member to be deposited is placed on a substrate electrode 032 of a substrate tray 03, and a processing gas is introduced into a deposition chamber 01 in a vacuum atmosphere from an introduction pipe 04, and the processing gas is supplied to a high frequency. Power supply 06 to R
Activation (radicalization) by the RF power energy applied to the F electrode 031 causes a chemical reaction on the surface of the substrate 07 to generate a required film. The processing gas after participating in the film formation is exhausted from the exhaust pipe 05.
【０００５】基板トレイ０３はＲＦ電極０３１と基板電
極０３２を石英あるいはセラミックスの絶縁棒０３３で
対向保持した構造を持つ。この基板トレイ０３は、シャ
ッター０３４を解放して基板の交換時に基板搬送予備室
０２に移送可能とされており、成膜室０１と基板搬送用
予備室０２の真空雰囲気を破ることなしにシャッター０
３４とゲート０２２の開放／閉止を行ってゲート０２２
に隣接する搬送ステーションから搬送されてくる基板０
７を受け取り、また成膜済みの基板を搬送ステージに受
け渡す。[0005] The substrate tray 03 has a structure in which an RF electrode 031 and a substrate electrode 032 are opposed to each other by an insulating rod 033 of quartz or ceramics. The substrate tray 03 can be transferred to the substrate transfer spare chamber 02 when the substrate is replaced by releasing the shutter 034, and the shutter 0 can be moved without breaking the vacuum atmosphere in the film formation chamber 01 and the substrate transfer spare chamber 02.
34 and the gate 022 are opened / closed and the gate 022 is opened.
Substrate 0 transferred from the transfer station adjacent to
7 and transfer the film-formed substrate to the transfer stage.
【０００６】このような成膜室を用いて基板に表面に所
要の膜を形成する従来技術を開示したものとしては、特
開昭５９−１０２２４号公報、あるいは特開平２−２９
４０１８号公報等を挙げることができる。The prior art for forming a required film on a substrate by using such a film forming chamber is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-10224 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-29.
No. 4018, and the like.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、基板搬送トレイ０３はＲＦ電極０３１と基板電極０
３２とを絶縁棒０３３で支えこの絶縁棒０３３間から基
板を搬入／搬出する構造であり、成膜空間は単一の成膜
室０１で構成されている。そのため、成膜処理を継続す
ると、基板トレイ０３の構造体や成膜室０１の内壁に成
膜成分が堆積し、これが剥離したフレークが塵となって
基板０７の表面に付着し成膜品質を低下させる。特に、
面積の大きい成膜室０１の壁面に成膜成分が多く被着す
るため、成膜室０１は基板搬送トレイ０３と共に定期的
に成膜成分の堆積の除去作業をする必要がある。In the above-mentioned prior art, the substrate transport tray 03 includes the RF electrode 031 and the substrate electrode 0.
32 are supported by insulating rods 033, and the substrate is carried in / out from between the insulating rods 033. The film forming space is constituted by a single film forming chamber 01. Therefore, when the film forming process is continued, a film forming component is deposited on the structure of the substrate tray 03 and the inner wall of the film forming chamber 01, and the flakes that have been separated become dust and adhere to the surface of the substrate 07 to improve the film forming quality. Lower. In particular,
Since a large amount of film-forming components adhere to the wall surface of the film-forming chamber 01 having a large area, the film-forming chamber 01 needs to periodically remove the deposition of the film-forming components together with the substrate transport tray 03.
【０００８】また、導入管０４から入った処理ガスは、
成膜室０１の空間と基板トレイ０３に載置された基板０
７近傍を通って排出管０５に排出されるため、基板０７
の表面に均一に作用しない。そのため、基板０７に生成
される膜が不均一になるという問題がある。上記したよ
うに、従来の技術においては、被成膜部材である基板に
成膜処理を施す成膜室は単一の空間を形成するものであ
るため、成膜処理に伴って当該成膜室の内壁に成膜成分
が堆積し、このフレークが異物となって基板表面の成膜
状態に影響を与え、また、基板に生成する膜が均一にな
らず、成膜品質を劣化させてしまう。[0008] The processing gas entered from the introduction pipe 04 is
The space in the film forming chamber 01 and the substrate 0 placed on the substrate tray 03
7 is discharged to the discharge pipe 05 through the vicinity of the substrate 07.
Does not act evenly on the surface. Therefore, there is a problem that a film formed on the substrate 07 becomes non-uniform. As described above, in the related art, a film formation chamber for forming a film on a substrate as a film formation member forms a single space. The film-forming components accumulate on the inner wall of the substrate, and the flakes become foreign matter, which affects the film-forming state on the substrate surface, and the film formed on the substrate is not uniform, thereby deteriorating the film-forming quality.
【０００９】上記フレークによる悪影響を回避するため
には、成膜室０１を定期的に清掃あるいは分解清掃する
ことが必要となる。そして、この成膜チャンバーの清掃
作業は、基板トレイ０３の分解を含めた成膜室全体の清
掃であるため、多大の時間と労力を要する。そのため、
成膜装置の稼動率が大幅に低下するという問題があっ
た。In order to avoid the adverse effects of the flakes, it is necessary to periodically clean or disassemble the film forming chamber 01. Since the cleaning of the film forming chamber is to clean the entire film forming chamber including the disassembly of the substrate tray 03, a great deal of time and labor is required. for that reason,
There has been a problem that the operation rate of the film forming apparatus is significantly reduced.
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、成膜処理に伴うフレークや異物が付着する成膜室
の清掃作業を容易にし、その清掃に伴う成膜装置の休止
を時間を短縮して、稼動率を向上させ、かつ成膜品質を
向上させた成膜装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to facilitate the work of cleaning a film forming chamber to which flakes and foreign matter adhere during the film forming process, and to reduce the time of stopping the film forming apparatus due to the cleaning. It is an object of the present invention to provide a film forming apparatus which shortens the operation time, improves the operation rate, and improves the film forming quality.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、成膜室を二重構造として、成膜空間を限
定すると共に基板面におけるガス流を均一にするガス排
出構造を備えたことを特徴とする。すなわち、図１は本
発明による成膜装置の全体構造を説明するためのプラズ
マＣＶＤに係る成膜装置の要部のみを示す概略平面図で
あって、同図に示したように、真空雰囲気空間を保持す
るアウターチャンバー１１と、前記アウターチャンバー
１１で形成される真空雰囲気中で独立した成膜空間を形
成する如く前記アウターチャンバー１１の内部に固定さ
れたインナーチャンバー１２とからなり、前記インナー
チャンバー１２は、その内底から所定の間隔を持って配
置された基板電極１４と、前記内底の中央部でかつ前記
基板電極の直下に前記アウターチャンバー１１側に貫通
するガス排出口１３とを備えたことを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a gas discharge structure which has a double film-forming chamber, which limits the film-forming space and makes the gas flow on the substrate surface uniform. It is characterized by having. That is, FIG. 1 is a schematic plan view showing only a main part of a film forming apparatus relating to plasma CVD for explaining the entire structure of the film forming apparatus according to the present invention. As shown in FIG. And an inner chamber 12 fixed inside the outer chamber 11 so as to form an independent film-forming space in a vacuum atmosphere formed by the outer chamber 11. Has a substrate electrode 14 arranged at a predetermined interval from the inner bottom thereof, and a gas outlet 13 penetrating to the outer chamber 11 side at the center of the inner bottom and directly below the substrate electrode. It is characterized by the following.
【００１２】なお、図１はプラズマＣＶＤ方式の成膜装
置の概略構成図として本発明の構成を示しているが、本
発明はこのようなものに限るものではなく、常圧ＣＶ
Ｄ，減圧ＣＶＤ方式、あるいは真空スパッタ装置，その
他の蒸着装置全般に適用できるものである。FIG. 1 shows the configuration of the present invention as a schematic configuration diagram of a plasma CVD type film forming apparatus. However, the present invention is not limited to such a configuration, and the present invention is not limited thereto.
D, which can be applied to a reduced pressure CVD system, a vacuum sputtering apparatus, and other general vapor deposition apparatuses.
【００１３】[0013]
【作用】成膜室１０は、アウターチャンバー１１とこの
アウターチャンバー１１内に設けたインナーチャンバー
１２の二重構造とされ、インナーチャンバー１２が成膜
用の独立した空間を形成する。したがって、成膜処理に
伴う成膜成分はインナーチャンバー１２の内にのみ付着
することになり、フレークの除去のための清掃作業はこ
のインナーチャンバー１２のみに施すことで十分となっ
て、その清掃時間と労力が節約され、成膜装置の稼働率
の低下を回避できる。The film forming chamber 10 has a double structure of an outer chamber 11 and an inner chamber 12 provided in the outer chamber 11, and the inner chamber 12 forms an independent space for film formation. Therefore, the film-forming components accompanying the film-forming process adhere only to the inner chamber 12, and it is sufficient to perform the cleaning operation for removing the flakes only on the inner chamber 12, and the cleaning time is reduced. And labor can be saved, and a decrease in the operating rate of the film forming apparatus can be avoided.
【００１４】また、ガス排出口１３をインナーチャンバ
ー１２の底部中央かつ基板電極１４の直下に設けたた
め、基板の表面に作用するガス流が均一となって、生成
される膜厚が均一となる。あるいは、インナーチャンバ
ー１２の底部の四隅にガス排出口１３を設けることで、
上記と同様の効果を得ることができる。Further, since the gas outlet 13 is provided at the center of the bottom of the inner chamber 12 and immediately below the substrate electrode 14, the gas flow acting on the surface of the substrate becomes uniform, and the generated film thickness becomes uniform. Alternatively, by providing gas outlets 13 at the four corners at the bottom of the inner chamber 12,
The same effects as above can be obtained.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図２は本発明による成膜装置における成膜
室の１実施例を説明する縦断面図であって、１０は成膜
室、１１はアウターチャンバー、１２はインナーチャン
バー、１２−３は導電板、１２−４は基体容器、１２−
５はガス導入孔、１３はガス排出口、１２−８は絶縁
体、１４は基板電極、１５はＲＦ電極、１５−１は導電
性コンタクトバネ、１５−２はガス導入管、１５−３は
ガス放出孔、２０は基板である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining one embodiment of a film forming chamber in the film forming apparatus according to the present invention, wherein 10 is a film forming chamber, 11 is an outer chamber, 12 is an inner chamber, 12-3 is a conductive plate, 12-4 is a substrate container, 12-
5 is a gas inlet, 13 is a gas outlet, 12-8 is an insulator, 14 is a substrate electrode, 15 is an RF electrode, 15-1 is a conductive contact spring, 15-2 is a gas inlet tube, and 15-3 is a gas inlet tube. The gas discharge hole 20 is a substrate.
【００１６】同図において、成膜室１０はアウターチャ
ンバー１１とこのアウターチャンバー１１内に配置され
たインナーチャンバー１２とから構成される。アウター
チャンバー１１は導電性の基体容器１１−１とシールド
蓋体１１−２で真空雰囲気の処理空間を形成する。イン
ナーチャンバー１２は基体容器を構成する基体容器１２
−４と蓋体である導電板１２−３とから基本的に構成さ
れ、基体容器１２−４と有孔導電板１２−３との間は絶
縁体１２−８で電気的に絶縁されている。In FIG. 1, a film forming chamber 10 includes an outer chamber 11 and an inner chamber 12 arranged in the outer chamber 11. The outer chamber 11 forms a processing space in a vacuum atmosphere by the conductive base container 11-1 and the shield lid 11-2. The inner chamber 12 is a base container 12 constituting a base container.
-4 and a conductive plate 12-3 serving as a lid, and the base container 12-4 and the perforated conductive plate 12-3 are electrically insulated by an insulator 12-8. .
【００１７】導電板１２−３には多数のガス導入孔１２
−５が形成されており、アウターチャンバー１１の外部
からガス導入管１５−２を介して導入される処理ガスを
ＲＦ電極１５を通るガス放出孔１５−３からインナーチ
ャンバー１２内に導入する。導電板１２−３はステンレ
スあるいはアルミニウム等からなり、インナーチャンバ
ー１２の成膜処理空間に処理ガスを導入するための多数
のガス導入孔１２−５を有しており、基体容器１２−４
とは上記したように絶縁体１２−８で電気的に絶縁され
ている。この導電板１２−３にはＲＦ電極１５がコンタ
クトバネ１５−１を介して接続されており、この導電板
１２−３からインナーチャンバー１２の内部にＲＦ電力
エネルギーが供給される。A large number of gas introduction holes 12 are formed in the conductive plate 12-3.
-5 is formed, and a processing gas introduced from the outside of the outer chamber 11 via the gas introduction pipe 15-2 is introduced into the inner chamber 12 from the gas discharge hole 15-3 passing through the RF electrode 15. The conductive plate 12-3 is made of stainless steel, aluminum, or the like, has a large number of gas introduction holes 12-5 for introducing a processing gas into the film formation processing space of the inner chamber 12, and has a base container 12-4.
Are electrically insulated by the insulator 12-8 as described above. An RF electrode 15 is connected to the conductive plate 12-3 via a contact spring 15-1. RF power energy is supplied to the inside of the inner chamber 12 from the conductive plate 12-3.
【００１８】基体容器１２−４はインナーチャンバー１
２の下部容器を構成し、この下部容器の中央部にガス排
出口１３が設けてある。このガス排出口１３は、上記基
体容器１２−４の内底から所定の距離で設置された基板
電極１４の直下に位置されている。これにより、導入さ
れた処理ガスは基板２０の表面を均一に流れて、その周
囲からガス排出口１３に排出される。The base container 12-4 is the inner chamber 1
2 and a gas outlet 13 is provided at the center of the lower container. The gas outlet 13 is located immediately below the substrate electrode 14 provided at a predetermined distance from the inner bottom of the base container 12-4. As a result, the introduced processing gas flows uniformly on the surface of the substrate 20 and is discharged from the periphery thereof to the gas discharge port 13.
【００１９】ガス排出口１３からの処理ガスは、アウタ
ーチャンバー１１に設けた図示しない排出管を介してア
ウターチャンバー１１外に排出される。この構成によ
り、導電板１２−３のガス導入孔１２−５から導入され
た処理ガスは、ＲＦ電極１５から導電板１２−３を介し
て印加されるＲＦ電力エネルギーでプラズマ化し、基板
２０の表面上での化学反応により基板２０の表面に均一
に作用し、所要の膜を生成させる。The processing gas from the gas discharge port 13 is discharged out of the outer chamber 11 through a discharge pipe (not shown) provided in the outer chamber 11. With this configuration, the processing gas introduced from the gas introduction holes 12-5 of the conductive plate 12-3 is turned into plasma by RF power energy applied from the RF electrode 15 via the conductive plate 12-3, and the surface of the substrate 20 The above chemical reaction uniformly acts on the surface of the substrate 20 to form a required film.
【００２０】このような成膜処理を繰り返すことで、イ
ンナーチャンバー１２の内壁には成膜成分が堆積し、こ
れが剥離したフレークが塵となって成膜処理時の基板２
０の成膜表面に付着し、膜品質を劣化させる。そのた
め、ある程度の成膜処理回数を繰り返した後は、このイ
ンナーチャンバー１２の壁面等に堆積した成膜成分を除
去する清掃作業を施す。By repeating such a film forming process, a film forming component is deposited on the inner wall of the inner chamber 12, and the flakes that have separated therefrom become dust to form the substrate 2 during the film forming process.
No. 0 adheres to the film-forming surface and deteriorates film quality. Therefore, after a certain number of film forming processes are repeated, a cleaning operation for removing film forming components deposited on the wall surface of the inner chamber 12 is performed.
【００２１】この清掃作業が必要となった場合には、ア
ウターチャンバー１１のシールド蓋体１１−２をＲＦ電
極１５と共に取り去り、インナーチャンバー１２の内部
を清掃する。なお、インナーチャンバー１２はアウター
チャンバー１１から取外し可能に設置することも可能
で、それまで使用していたインナーチャンバー１２をア
ウターチャンバー１１から取り出した後、新しいインナ
ーチャンバーをアウターチャンバー１１内に装填し、成
膜処理を継続することもできる。When the cleaning operation is required, the shield lid 11-2 of the outer chamber 11 is removed together with the RF electrode 15, and the inside of the inner chamber 12 is cleaned. In addition, the inner chamber 12 can also be installed so as to be detachable from the outer chamber 11, and after taking out the inner chamber 12 used so far from the outer chamber 11, a new inner chamber is loaded into the outer chamber 11, The film forming process can be continued.
【００２２】これにより、取り出したインナーチャンバ
ーの清掃中にも成膜処理を継続することが可能となり、
成膜装置の稼働率を格段に向上させることができる。図
３は本発明による成膜装置のにおける成膜室の他の実施
例を説明する図２と同様の縦断面図であって、同一符号
は同一部分に対応する。同図においては、インナーチャ
ンバー１２の蓋体として石英板等の絶縁板４１を用いて
おり、この絶縁板４１を介してＲＦ電極１５からのＲＦ
エネルギーをインナーチャンバー１２内に印加するよう
に構成してある。この実施例は、インナーチャンバー１
２の蓋体を導電板に換えて絶縁板４１を用いた点を除い
て、前記図２の実施例と構造および動作は同一である。This makes it possible to continue the film forming process even while cleaning the inner chamber taken out.
The operation rate of the film forming apparatus can be significantly improved. FIG. 3 is a longitudinal sectional view similar to FIG. 2 for explaining another embodiment of the film forming chamber in the film forming apparatus according to the present invention, and the same reference numerals correspond to the same parts. In the figure, an insulating plate 41 such as a quartz plate is used as a lid of the inner chamber 12, and RF power from the RF electrode 15 is passed through the insulating plate 41.
It is configured to apply energy into the inner chamber 12. In this embodiment, the inner chamber 1
The structure and operation are the same as those of the embodiment of FIG. 2 except that an insulating plate 41 is used in place of the conductive member in place of the cover 2 of FIG.
【００２３】この絶縁板４１を用いることによって、こ
の絶縁板４１にＲＦ電極１５を近接または接触させてＲ
Ｆ電力を印加することにより、インナーチャンバー１２
内に均一な電界分布を形成することができ、異常放電を
抑制して、さらに均一な成膜を行うことができるもので
ある。The use of the insulating plate 41 allows the RF electrode 15 to approach or contact the insulating plate 41 and
By applying F power, the inner chamber 12
A uniform electric field distribution can be formed therein, abnormal discharge can be suppressed, and a more uniform film can be formed.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜室をアウターチャンバーとインナーチャンバーとか
らなる二重構造とすると共に、前記インナーチャンバー
の内底から所定の間隔を持って基板電極を配置し、前記
内底の中央部でかつ前記基板電極の直下に前記アウター
チャンバー側に貫通するガス排出口とを備えたことで、
成膜処理に伴う成膜物質の付着領域をインナーチャンバ
ー内部に限定することができ、成膜成分の堆積したイン
ナーチャンバーの清掃や分解掃除の作業を当該インナー
チャンバーのみの清掃で足りるため、成膜処理を長時間
にわたって休止する必要がなく、成膜装置の稼働率を格
段に向上することができると共に生成した膜厚を均一に
することができる。As described above, according to the present invention,
The film forming chamber has a double structure including an outer chamber and an inner chamber, and a substrate electrode is arranged at a predetermined interval from the inner bottom of the inner chamber, and a central portion of the inner bottom and the substrate electrode By having a gas outlet penetrating directly below the outer chamber side,
The deposition area of the film-forming substance during the film-forming process can be limited to the inside of the inner chamber, and the cleaning or disassembly cleaning of the inner chamber where the film-forming components are deposited can be performed only by cleaning the inner chamber. It is not necessary to suspend the processing for a long time, the operating rate of the film forming apparatus can be remarkably improved, and the generated film thickness can be made uniform.
【図１】本発明による成膜装置の全体構造を説明するた
めのプラズマＣＶＤに係る成膜装置の要部のみを示す概
略平面図であ。FIG. 1 is a schematic plan view showing only a main part of a film forming apparatus relating to plasma CVD for explaining the overall structure of a film forming apparatus according to the present invention.
【図２】本発明による成膜装置における成膜室の１実施
例を説明する縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view illustrating one embodiment of a film forming chamber in the film forming apparatus according to the present invention.
【図３】本発明による成膜装置における成膜室の他の実
施例を説明する図２と同様の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view similar to FIG. 2, illustrating another embodiment of a film forming chamber in a film forming apparatus according to the present invention.
【図４】従来技術によるのプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a schematic structure of a plasma CVD apparatus according to a conventional technique.
１０ 成膜室 １１ アウターチャンバー １２ インナーチャンバー １３ ガス排出口 １４ 基板電極 １５ ＲＦ電極 ２０ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Film-forming chamber 11 Outer chamber 12 Inner chamber 13 Gas outlet 14 Substrate electrode 15 RF electrode 20 Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳥塚 武美 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 青木 大也 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 株 式会社日立国際電気富山工場内 (72)発明者 村松 文雄 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 株 式会社日立国際電気富山工場内 (72)発明者 竹田 智彦 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 株 式会社日立国際電気富山工場内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA30 EA11 FA01 KA08 5F045 AA08 AB04 AC01 BB15 DP03 EB06 EC01 EH05 EH14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takemi Torizuka 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Inside the Mobara Plant of Hitachi, Ltd. (72) Inventor Daiya Aoki 2-1-1 Honai, Yao-cho, Federal District, Toyama Pref. Inside the Hitachi Kokusai Electric Toyama Plant (72) Inventor Fumio Muramatsu 2-1-1 Honai, Yao-cho, Fugaku-gun, Toyama Prefecture Inside the Hitachi Kokusai Electric Toyama Plant (72) Inventor Tomohiko Takeda 2-1-1 Honai, Yao-cho, Meguri-gun, Toyama Prefecture Address F-term in Hitachi Kokusai Electric Toyama Plant (reference) 4K030 AA06 BA30 EA11 FA01 KA08 5F045 AA08 AB04 AC01 BB15 DP03 EB06 EC01 EH05 EH14
Claims (1)
成膜室と、該成膜室に成膜ガスを供給するガス導入管
と、前記成膜室内雰囲気を排気するガス排気口とを有
し、前記ガス排気口は前記成膜室の四隅に設けたことを
特徴とする成膜装置。A rectangular film forming chamber for forming a film forming space in a vacuum atmosphere, a gas introduction pipe for supplying a film forming gas to the film forming chamber, and a gas exhaust port for exhausting the film forming chamber atmosphere. Wherein the gas exhaust ports are provided at four corners of the film forming chamber.
Priority Applications (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8460467B2 (en) | 2003-09-08 | 2013-06-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus |
-
2001
- 2001-12-13 JP JP2001380277A patent/JP2002231648A/en active Pending
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