JP2002222994A - Led装置 - Google Patents
Led装置Info
- Publication number
- JP2002222994A JP2002222994A JP2001015481A JP2001015481A JP2002222994A JP 2002222994 A JP2002222994 A JP 2002222994A JP 2001015481 A JP2001015481 A JP 2001015481A JP 2001015481 A JP2001015481 A JP 2001015481A JP 2002222994 A JP2002222994 A JP 2002222994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- light
- resin
- added
- additive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 LEDを封止する合成樹脂に拡散材料を添加
したLED装置(LEDランプ)において、前記拡散材
料によりLEDの過熱を防止する。 【解決手段】 LED1の透明な封止樹脂6中に拡散材
料として放熱特性の優れたBN添加剤8を添加して、L
ED1からの光を拡散するとともにLEDの発光時に発
生する熱を放熱する。
したLED装置(LEDランプ)において、前記拡散材
料によりLEDの過熱を防止する。 【解決手段】 LED1の透明な封止樹脂6中に拡散材
料として放熱特性の優れたBN添加剤8を添加して、L
ED1からの光を拡散するとともにLEDの発光時に発
生する熱を放熱する。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は透明な封止樹脂中に
拡散樹脂を使用したLED装置、とくにBN添加材を使
用したLEDランプ、チップLED等のLED装置に関
するものである。
拡散樹脂を使用したLED装置、とくにBN添加材を使
用したLEDランプ、チップLED等のLED装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のLED装置、例えばLEDランプ
やチップLED等において、拡散樹脂を使用してLED
(発光素子)が発光する光を拡散させる機能を備えたL
ED装置では、光の拡散材料として封止樹脂中にシリカ
粒子を添加したものが知られている。図1はLED装置
の一例としてLEDランプを説明するための図であっ
て、LED1はLEDに電力を供給する一方の端子であ
るリードフレーム2の上端部に形成された凹部(パラボ
ラ)4中にその底面電極を接続した状態で保持され、か
つ、LED1の上面電極は他方の端子であるリードフレ
ーム3に対しボンディングワイヤ5によって接続されて
いる。
やチップLED等において、拡散樹脂を使用してLED
(発光素子)が発光する光を拡散させる機能を備えたL
ED装置では、光の拡散材料として封止樹脂中にシリカ
粒子を添加したものが知られている。図1はLED装置
の一例としてLEDランプを説明するための図であっ
て、LED1はLEDに電力を供給する一方の端子であ
るリードフレーム2の上端部に形成された凹部(パラボ
ラ)4中にその底面電極を接続した状態で保持され、か
つ、LED1の上面電極は他方の端子であるリードフレ
ーム3に対しボンディングワイヤ5によって接続されて
いる。
【0003】LED1、ボンディングワイヤ5を含むL
EDランプの要部は、図示のように透明なアクリル樹脂
5等で樹脂封止されており、前記透明樹脂6中にはシリ
カ粒子7が光の拡散材料として添加されている。LED
の発光層から出た指向性の高い光は透明樹脂中のシリカ
粒子7によって散乱されてその指向性が緩和され、拡散
されるようになっている。
EDランプの要部は、図示のように透明なアクリル樹脂
5等で樹脂封止されており、前記透明樹脂6中にはシリ
カ粒子7が光の拡散材料として添加されている。LED
の発光層から出た指向性の高い光は透明樹脂中のシリカ
粒子7によって散乱されてその指向性が緩和され、拡散
されるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のLEDランプの
透明樹脂中に添加されたシリカ粒子は、LEDの光を拡
散するが、他方LEDの発光時に発生する熱を蓄積する
傾向があるため、樹脂から効率よく放熱することができ
ずLED発光を続けると過熱することがあり、LEDの
劣化等のトラブルの原因となることがある。
透明樹脂中に添加されたシリカ粒子は、LEDの光を拡
散するが、他方LEDの発光時に発生する熱を蓄積する
傾向があるため、樹脂から効率よく放熱することができ
ずLED発光を続けると過熱することがあり、LEDの
劣化等のトラブルの原因となることがある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は前記従来の問題
を解決すべくなされたものであって、請求項1の発明
は、LED装置のLEDを封止する透明樹脂中に、LE
Dからの光を拡散するための拡散材料としてBN(窒化
硼素)添加剤を添加したことを特徴とするLED装置で
ある。
を解決すべくなされたものであって、請求項1の発明
は、LED装置のLEDを封止する透明樹脂中に、LE
Dからの光を拡散するための拡散材料としてBN(窒化
硼素)添加剤を添加したことを特徴とするLED装置で
ある。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明のLED装置の1実施形態
であるLEDランプを図1を参照して説明する。LED
1は従来装置と同様に、リードフレーム2の上端部に形
成された凹部(パラボラ)4中にその底面電極を接続し
た状態で保持され、かつ、LED1の上面電極はリード
フレーム3に対し金線からなるボンディングワイヤ5に
よって接続されている。LED1を発光させる電力はリ
ードフレーム2,3より供給される。LEDランプの要
部は図示のように例えばアクリル樹脂等の透明樹脂6で
封止され、かつ、前記封止樹脂6中にはLEDからの光
を拡散させるための拡散材料としてここではBN添加剤
8が用いられている。透明樹脂5中に添加されたBN添
加剤8は光を乱反射させると同時に熱も放射させること
ができるため、LED1の発光による発熱を前記封止樹
脂6を通じて効率よく放熱することができる。ところ
で、BN添加剤は放熱性は良好であるが、その含有率を
高くすると粘度が高くなるため、透明樹脂中へのBN添
加剤の添加に際しては、エステル系の例えばエトキシエ
トキシアセテート等の溶剤を用いるか、又は添加剤、溶
剤、樹脂の温度を上げてその粘度を下げることで樹脂中
へのBN添加剤の添加を円滑に行うことができる。
であるLEDランプを図1を参照して説明する。LED
1は従来装置と同様に、リードフレーム2の上端部に形
成された凹部(パラボラ)4中にその底面電極を接続し
た状態で保持され、かつ、LED1の上面電極はリード
フレーム3に対し金線からなるボンディングワイヤ5に
よって接続されている。LED1を発光させる電力はリ
ードフレーム2,3より供給される。LEDランプの要
部は図示のように例えばアクリル樹脂等の透明樹脂6で
封止され、かつ、前記封止樹脂6中にはLEDからの光
を拡散させるための拡散材料としてここではBN添加剤
8が用いられている。透明樹脂5中に添加されたBN添
加剤8は光を乱反射させると同時に熱も放射させること
ができるため、LED1の発光による発熱を前記封止樹
脂6を通じて効率よく放熱することができる。ところ
で、BN添加剤は放熱性は良好であるが、その含有率を
高くすると粘度が高くなるため、透明樹脂中へのBN添
加剤の添加に際しては、エステル系の例えばエトキシエ
トキシアセテート等の溶剤を用いるか、又は添加剤、溶
剤、樹脂の温度を上げてその粘度を下げることで樹脂中
へのBN添加剤の添加を円滑に行うことができる。
【0007】
【発明の効果】本発明によれば、LED装置において、
透明封止樹脂中に光の拡散材料としてBN添加剤を用い
たため、LEDで発生した熱を効率よく放熱することが
でき、従来のように過熱によるLEDの劣化等のトラブ
ルを未然に防止することができる。
透明封止樹脂中に光の拡散材料としてBN添加剤を用い
たため、LEDで発生した熱を効率よく放熱することが
でき、従来のように過熱によるLEDの劣化等のトラブ
ルを未然に防止することができる。
【図1】封止樹脂に拡散材料を添加したLED装置(L
EDランプ)を示す図である。
EDランプ)を示す図である。
1・・・LED、2、3・・・リードフレーム、4・・
・凹部(パラボラ)5・・・ボンディングワイヤー、6
・・・透明な封止樹脂、7,8・・・拡散材料
・凹部(パラボラ)5・・・ボンディングワイヤー、6
・・・透明な封止樹脂、7,8・・・拡散材料
Claims (1)
- 【請求項1】 LED装置のLEDを封止する透明樹脂
中に、LEDからの光を拡散するための拡散材料として
BN添加材を添加したことを特徴とするLED装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001015481A JP2002222994A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | Led装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001015481A JP2002222994A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | Led装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002222994A true JP2002222994A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18882023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001015481A Pending JP2002222994A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | Led装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002222994A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260111A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
JP2005079578A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Agilent Technol Inc | 熱伝導率を向上させた発光デバイス・アセンブリ、それを含むシステム及び熱伝導率を向上する方法 |
JP2006344810A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用アルミニウム焼結体 |
WO2008023797A1 (fr) | 2006-08-25 | 2008-02-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Dispositif d'éclairage |
JP2008270144A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ライトボックス |
JP2009038334A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Lighthouse Technology Co Ltd | 発光ダイオードパッケージとダイレクト型バックライトモジュールおよびエッジ型バックライトモジュール |
KR100886784B1 (ko) | 2007-06-04 | 2009-03-04 | 박기운 | 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드 |
JP2011501464A (ja) * | 2007-10-24 | 2011-01-06 | テオス・インコーポレイテッド | Led光源用拡散器 |
JP2013030598A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発熱デバイス |
-
2001
- 2001-01-24 JP JP2001015481A patent/JP2002222994A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260111A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
JP2005079578A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Agilent Technol Inc | 熱伝導率を向上させた発光デバイス・アセンブリ、それを含むシステム及び熱伝導率を向上する方法 |
JP2006344810A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用アルミニウム焼結体 |
WO2008023797A1 (fr) | 2006-08-25 | 2008-02-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Dispositif d'éclairage |
US8061876B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-11-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Illumination device |
JP2008270144A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ライトボックス |
KR100886784B1 (ko) | 2007-06-04 | 2009-03-04 | 박기운 | 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드 |
JP2009038334A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Lighthouse Technology Co Ltd | 発光ダイオードパッケージとダイレクト型バックライトモジュールおよびエッジ型バックライトモジュール |
JP2011249855A (ja) * | 2007-08-02 | 2011-12-08 | Lextar Electronics Corp | 発光ダイオードパッケージ |
JP2011501464A (ja) * | 2007-10-24 | 2011-01-06 | テオス・インコーポレイテッド | Led光源用拡散器 |
JP2013030598A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発熱デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7872277B2 (en) | Light emitting diode device | |
JP2002252373A (ja) | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 | |
US7615799B2 (en) | Light-emitting diode package structure | |
JP2002299694A (ja) | 照明用led光源デバイス及び照明器具 | |
JP5209969B2 (ja) | 照明システム | |
JP3900848B2 (ja) | 発光ダイオード | |
TWI606616B (zh) | 發光裝置封裝件 | |
JP2003197972A (ja) | 高輝度発光ダイオード | |
JP2007035802A (ja) | 発光装置 | |
TW200807740A (en) | A light emitting device | |
WO2010123052A1 (ja) | 発光装置 | |
US8939611B2 (en) | Lighting apparatus having improved light output uniformity and thermal dissipation | |
KR20090017346A (ko) | 산란수단을 갖는 led 패키지 | |
JP3770192B2 (ja) | チップ型led用リードフレーム | |
JP2006245084A (ja) | 発光装置 | |
JP2003100110A (ja) | 照明装置および電球形ledランプ | |
JP2002222994A (ja) | Led装置 | |
JP2006310568A (ja) | 発光装置 | |
TWI313072B (en) | Light emitting diode package | |
JP2007043074A (ja) | 照明装置 | |
JP2007299775A (ja) | 発光ユニット及び照明装置 | |
JP2004342791A (ja) | Ledランプおよびled照明具 | |
JP4679917B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2007266246A (ja) | Ledモジュール | |
JP4221649B2 (ja) | 波長変換素子並びにその製造方法 |