JP2002217034A - 平面磁気素子 - Google Patents
平面磁気素子Info
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- JP2002217034A JP2002217034A JP2001011572A JP2001011572A JP2002217034A JP 2002217034 A JP2002217034 A JP 2002217034A JP 2001011572 A JP2001011572 A JP 2001011572A JP 2001011572 A JP2001011572 A JP 2001011572A JP 2002217034 A JP2002217034 A JP 2002217034A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 上下のフェライト磁性膜の間に平面コイルを
設けた平面磁気素子のコンタクトホールに外部電極を形
成する時、コンタクトホールに空隙が生じやすく接触不
良をおこしやすいという問題があった。 【解決手段】 コンタクトホール１４と平面コイル端子
１５の接触する部分１５の面積（Ｓｃ）とコンタクトホ
ール１４の開口部面積（Ｓｏ）との比が１．０を越える
ようにコンタクトホール１４を形成する。
設けた平面磁気素子のコンタクトホールに外部電極を形
成する時、コンタクトホールに空隙が生じやすく接触不
良をおこしやすいという問題があった。 【解決手段】 コンタクトホール１４と平面コイル端子
１５の接触する部分１５の面積（Ｓｃ）とコンタクトホ
ール１４の開口部面積（Ｓｏ）との比が１．０を越える
ようにコンタクトホール１４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面磁気素子に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話やノート型パソコンなど
のような、電池で駆動される携帯機器の利用が進んでい
る。これらの携帯機器に対しては、従来からさらなる小
型・軽量化の要求がある。最近はこれに加えて、マルチ
メディア化への対応、すなわち、通信機能や表示機能の
充実、あるいは画像データを含んだ大量情報の高速処理
化など高機能が求められている。これに伴い、電池から
の単一電圧を、ＣＰＵ、ＬＣＤモジュール、通信用パワ
ーアンプなどの様々な搭載デバイスが必要とする各々の
電圧レベルに変換できる電源の需要が増加してきた。そ
こで、携帯機器の小型・軽量化と高機能を両立させるた
めに、電源に搭載されるトランス、インダクタなどの磁
気素子の小型・薄型化を進めることが重要な課題となっ
ている。
のような、電池で駆動される携帯機器の利用が進んでい
る。これらの携帯機器に対しては、従来からさらなる小
型・軽量化の要求がある。最近はこれに加えて、マルチ
メディア化への対応、すなわち、通信機能や表示機能の
充実、あるいは画像データを含んだ大量情報の高速処理
化など高機能が求められている。これに伴い、電池から
の単一電圧を、ＣＰＵ、ＬＣＤモジュール、通信用パワ
ーアンプなどの様々な搭載デバイスが必要とする各々の
電圧レベルに変換できる電源の需要が増加してきた。そ
こで、携帯機器の小型・軽量化と高機能を両立させるた
めに、電源に搭載されるトランス、インダクタなどの磁
気素子の小型・薄型化を進めることが重要な課題となっ
ている。
【０００３】さらに小型・軽量化を図るためＳｉ基板上
に、金属磁性膜層／絶縁層／平面コイル層／絶縁層／金
属磁性膜層で構成された平面インダクタが、例えば、日
本応用磁気学会誌２０（１９９６）９２２頁や特開平４
−３６３００６号公報に開示されている。これら従来の
平面インダクタは製造コストと特性の面からの問題点が
ある。すなわち、平面インダクタは、６〜７μｍの金属
磁性膜をスパッタ法などで成膜することと、金属磁性膜
と平面コイルの間に絶縁層を形成する必要があること
で、従来の磁気素子に対して、コストアップが避けられ
ない。
に、金属磁性膜層／絶縁層／平面コイル層／絶縁層／金
属磁性膜層で構成された平面インダクタが、例えば、日
本応用磁気学会誌２０（１９９６）９２２頁や特開平４
−３６３００６号公報に開示されている。これら従来の
平面インダクタは製造コストと特性の面からの問題点が
ある。すなわち、平面インダクタは、６〜７μｍの金属
磁性膜をスパッタ法などで成膜することと、金属磁性膜
と平面コイルの間に絶縁層を形成する必要があること
で、従来の磁気素子に対して、コストアップが避けられ
ない。
【０００４】また、平面インダクタはＭＨｚ帯域の高周
波で駆動されるため、電気的に導体である金属磁性膜内
部での渦電流の発生により鉄損が増大する。また、上下
金属磁性膜がわずかな非磁性空間を介して対峙している
ため、垂直交番磁束が平面コイルに鎖交し、渦電流が発
生することによって損失が増大するという特性上の課題
がある。前者に対しては、金属磁性膜と同一の平面に高
抵抗領域を形成して渦電流を細分化すること（特開平６
−７７０５号公報）、後者に対しては、平面コイル導体
を複数に分割した導体ラインにすること（特開平９−１
３４８２０号公報）によって特性改善の対策をとってい
るが十分とはいえない。
波で駆動されるため、電気的に導体である金属磁性膜内
部での渦電流の発生により鉄損が増大する。また、上下
金属磁性膜がわずかな非磁性空間を介して対峙している
ため、垂直交番磁束が平面コイルに鎖交し、渦電流が発
生することによって損失が増大するという特性上の課題
がある。前者に対しては、金属磁性膜と同一の平面に高
抵抗領域を形成して渦電流を細分化すること（特開平６
−７７０５号公報）、後者に対しては、平面コイル導体
を複数に分割した導体ラインにすること（特開平９−１
３４８２０号公報）によって特性改善の対策をとってい
るが十分とはいえない。
【０００５】これらを解決するために、金属磁性膜の代
わりに印刷法やシート法で形成したフェライト磁性膜を
用いた平面型磁気素子が特開平１１−２６２３９号公報
に開示されている。これはフェライト粉にバインダを混
ぜた磁性ペーストをＳｉ基板上に印刷、焼成することに
よって高抵抗のフェライト磁性膜を形成し、この膜上に
コイルパターンをメッキ法などで形成した後、さらにそ
の上に磁性膜を構成して磁気素子とするものである。
わりに印刷法やシート法で形成したフェライト磁性膜を
用いた平面型磁気素子が特開平１１−２６２３９号公報
に開示されている。これはフェライト粉にバインダを混
ぜた磁性ペーストをＳｉ基板上に印刷、焼成することに
よって高抵抗のフェライト磁性膜を形成し、この膜上に
コイルパターンをメッキ法などで形成した後、さらにそ
の上に磁性膜を構成して磁気素子とするものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−２６２３９号公報の技術でも、コンタクトホール
に外部電極を形成しようとした時、コンタクトホールに
空隙が生じやすく接触不良をおこしやすいという問題が
あった。
１１−２６２３９号公報の技術でも、コンタクトホール
に外部電極を形成しようとした時、コンタクトホールに
空隙が生じやすく接触不良をおこしやすいという問題が
あった。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題を解決した
改善された平面磁気素子を提供することにある。
改善された平面磁気素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、フェライト
磁性膜を用いた平面型磁気素子の特性向上について検討
し、以下の手段を用いることによって上記目的を達成で
きることを知見し本発明を完成した。本発明は、上下の
フェライト磁性膜の間に平面コイルを設け、平面コイル
の端子上に導電物質が充填されたコンタクトホールを設
けた平面磁気素子において、前記コンタクトホールと平
面コイル端子の接触する部分の面積（Ｓｃ）と前記コン
タクトホールの開口部面積（Ｓｏ）との比が下記の
（１）式の関係を満足することを特徴とする平面磁気素
子である。
磁性膜を用いた平面型磁気素子の特性向上について検討
し、以下の手段を用いることによって上記目的を達成で
きることを知見し本発明を完成した。本発明は、上下の
フェライト磁性膜の間に平面コイルを設け、平面コイル
の端子上に導電物質が充填されたコンタクトホールを設
けた平面磁気素子において、前記コンタクトホールと平
面コイル端子の接触する部分の面積（Ｓｃ）と前記コン
タクトホールの開口部面積（Ｓｏ）との比が下記の
（１）式の関係を満足することを特徴とする平面磁気素
子である。
【０００９】 Ｓｏ／Ｓｃ＞１．０ ……（１） さらに好ましくは、４＞Ｓｏ／Ｓｃ＞１．０とするのが
よく、最も好ましくは、４＞Ｓｏ／Ｓｃ＞１．２とする
のがよい。
よく、最も好ましくは、４＞Ｓｏ／Ｓｃ＞１．２とする
のがよい。
【００１０】Ｓｏ／Ｓｃを１より大きい構造にするとク
リームハンダを印刷して外部電極を形成する場合にコン
タクトホール内の充填物内に気泡を残存することがな
く、端子不良を起こしにくい。このような形状は、必要
とする端子面より大きなパターンのスクリーンを用いて
上部フェライト層を印刷することによって得ることがで
きる。また、Ｓｏ／Ｓｃの比は４未満であることが好ま
しい。この比が４以上では、気泡残存性に関しては良好
となるが、端子に近いコイル上部のフェライト厚みが薄
くなるため、インダクタンスの低下などの特性の劣化を
招きやすくなる。
リームハンダを印刷して外部電極を形成する場合にコン
タクトホール内の充填物内に気泡を残存することがな
く、端子不良を起こしにくい。このような形状は、必要
とする端子面より大きなパターンのスクリーンを用いて
上部フェライト層を印刷することによって得ることがで
きる。また、Ｓｏ／Ｓｃの比は４未満であることが好ま
しい。この比が４以上では、気泡残存性に関しては良好
となるが、端子に近いコイル上部のフェライト厚みが薄
くなるため、インダクタンスの低下などの特性の劣化を
招きやすくなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のフェライト磁性膜はスピ
ネル構造を有するフェライトである。中でも以下に示す
組成のフェライトが好適である。フェライト磁性膜の平
均組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１
５〜３５ｍｏｌ％，ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ2
Ｏ3：０〜１０ｍｏｌ％、ＭｎＯ：０〜２０ｍｏｌ％、
ＭｇＯ：０〜２０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯおよび不可避
不純物からなると好適である。この組成は、磁気素子全
体を平均した場合の値であり、上部フェライト、下部フ
ェライト、フェライト／基板界面など、場所によって最
適な組成に違えてもかまわない。磁性膜の組成をこのよ
うにした理由は以下の通りである。
ネル構造を有するフェライトである。中でも以下に示す
組成のフェライトが好適である。フェライト磁性膜の平
均組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１
５〜３５ｍｏｌ％，ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ2
Ｏ3：０〜１０ｍｏｌ％、ＭｎＯ：０〜２０ｍｏｌ％、
ＭｇＯ：０〜２０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯおよび不可避
不純物からなると好適である。この組成は、磁気素子全
体を平均した場合の値であり、上部フェライト、下部フ
ェライト、フェライト／基板界面など、場所によって最
適な組成に違えてもかまわない。磁性膜の組成をこのよ
うにした理由は以下の通りである。
【００１２】Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０ｍｏｌ％ Ｆｅ2Ｏ3が５０ｍｏｌ％を越えるとＦｅ2+イオンの存在
により電気抵抗が急激に低下する。電気抵抗の低下は高
周波領域で使用するとき渦電流の発生でフェライトコア
の損失を急激させてしまう。また、４０ｍｏｌ％未満に
なるとフェライトの透磁率低下にともなうインダクタン
スの劣化が大きいため、４０〜５０ｍｏｌ％とした。
により電気抵抗が急激に低下する。電気抵抗の低下は高
周波領域で使用するとき渦電流の発生でフェライトコア
の損失を急激させてしまう。また、４０ｍｏｌ％未満に
なるとフェライトの透磁率低下にともなうインダクタン
スの劣化が大きいため、４０〜５０ｍｏｌ％とした。
【００１３】ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％ ＺｎＯはインダクタンスとキュリー温度に大きな影響を
与える。キュリー温度は磁気素子の耐熱性を求める重要
なパラメータである。１５ｍｏｌ％未満ではキュリー温
度は高いもののインダクタンスが低下する。一方、３５
ｍｏｌ％を越えるとインダクタンスは高いものの、キュ
リー温度が低下する。従ってＺｎＯは１５〜３５ｍｏｌ
％にした。
与える。キュリー温度は磁気素子の耐熱性を求める重要
なパラメータである。１５ｍｏｌ％未満ではキュリー温
度は高いもののインダクタンスが低下する。一方、３５
ｍｏｌ％を越えるとインダクタンスは高いものの、キュ
リー温度が低下する。従ってＺｎＯは１５〜３５ｍｏｌ
％にした。
【００１４】ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％ ＣｕＯは焼成温度を下げるために加える。２０ｍｏｌ％
を越えると焼成温度は低下するがインダクタンスが劣化
するため上限を２０ｍｏｌ％とした。
を越えると焼成温度は低下するがインダクタンスが劣化
するため上限を２０ｍｏｌ％とした。
【００１５】Ｂｉ2Ｏ3：０〜１０ｍｏｌ％ Ｂｉ2Ｏ3はＣｕＯと同じく焼成温度を低下する効果があ
る。１０ｍｏｌ％を越えると焼成温度は低下するがイン
ダクタンスが劣化するため上限を１０ｍｏｌ％とした。
る。１０ｍｏｌ％を越えると焼成温度は低下するがイン
ダクタンスが劣化するため上限を１０ｍｏｌ％とした。
【００１６】フェライト磁性膜は、上記組成を有するフ
ェライト粉末をバインダーを混ぜ、ペーストとし、印刷
法などで成膜後、焼成してもよい。またバインダーとし
てエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを用い、熱硬化さ
せたものでもよい。
ェライト粉末をバインダーを混ぜ、ペーストとし、印刷
法などで成膜後、焼成してもよい。またバインダーとし
てエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを用い、熱硬化さ
せたものでもよい。
【００１７】以下図面を参照して本発明の実施の形態を
説明する。図１は本発明の実施例の平面磁気素子１０を
示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図１（ｃ）は上部フェライ
ト磁性膜１２を除去して平面コイル１３を露出させた平
面図である。なお、図１では、外部電極を除いた状態で
示している。図１に示すように、平面磁気素子１０は上
下のフェライト磁性膜１１、１２の間に平面コイル１３
を設け、平面コイル１３の端子１５上に導電物質が充填
されるコンタクトホール１４を設けたものである。
説明する。図１は本発明の実施例の平面磁気素子１０を
示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図１（ｃ）は上部フェライ
ト磁性膜１２を除去して平面コイル１３を露出させた平
面図である。なお、図１では、外部電極を除いた状態で
示している。図１に示すように、平面磁気素子１０は上
下のフェライト磁性膜１１、１２の間に平面コイル１３
を設け、平面コイル１３の端子１５上に導電物質が充填
されるコンタクトホール１４を設けたものである。
【００１８】このコンタクトホール１４の上端と下端の
面積比、すなわち、コンタクトホール１４と平面コイル
端子１５の接触する部分の面積（Ｓｃ）とコンタクトホ
ール１４の上部開口部面積（Ｓｏ）との比、Ｓｏ／Ｓｃ
が１．０を越える値とする。すなわち上部開口部面積が
大きくなるように形成してある。
面積比、すなわち、コンタクトホール１４と平面コイル
端子１５の接触する部分の面積（Ｓｃ）とコンタクトホ
ール１４の上部開口部面積（Ｓｏ）との比、Ｓｏ／Ｓｃ
が１．０を越える値とする。すなわち上部開口部面積が
大きくなるように形成してある。
【００１９】本発明に係る平面磁気素子１０の製造工程
を図２〜図６に示した。図２〜図６において（ａ）図は
平面図、（ｂ）図はそれぞれＢ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ，
Ｅ−Ｅ，Ｆ−Ｆ矢視断面図である。図２に示すように、
Ｓｉ基板３１上に、Ｆｅ2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／ＮｉＯ
＝４９／２３／１２／１６（ｍｏｌ％）組成のフェライ
ト磁性粉を含んだペーストをスクリーン印刷法にて下部
フェライト３２として成膜し、引き続き大気中９５０℃
で焼成した。焼成後の膜厚は４０μｍである。次に、フ
ェライト膜上にポリイミド樹脂３３をスピンコートによ
り塗布して平滑層を形成した後、熱硬化させた。硬化後
の膜厚は３μｍである。引き続きこの上に、メッキ下地
３４として厚み０．５μｍのＣｕを無電解めっき法で成
膜した。メッキ下地３４の上にフォトレジストを塗布し
た後、フォトエッチングによりライン幅１００μｍ、ラ
イン間隔４０μｍ、厚み７０μｍ、５ターンのスパイラ
ルコイルのレジストフレーム３５を図２（ａ）に示すパ
ターンで形成した。
を図２〜図６に示した。図２〜図６において（ａ）図は
平面図、（ｂ）図はそれぞれＢ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ，
Ｅ−Ｅ，Ｆ−Ｆ矢視断面図である。図２に示すように、
Ｓｉ基板３１上に、Ｆｅ2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／ＮｉＯ
＝４９／２３／１２／１６（ｍｏｌ％）組成のフェライ
ト磁性粉を含んだペーストをスクリーン印刷法にて下部
フェライト３２として成膜し、引き続き大気中９５０℃
で焼成した。焼成後の膜厚は４０μｍである。次に、フ
ェライト膜上にポリイミド樹脂３３をスピンコートによ
り塗布して平滑層を形成した後、熱硬化させた。硬化後
の膜厚は３μｍである。引き続きこの上に、メッキ下地
３４として厚み０．５μｍのＣｕを無電解めっき法で成
膜した。メッキ下地３４の上にフォトレジストを塗布し
た後、フォトエッチングによりライン幅１００μｍ、ラ
イン間隔４０μｍ、厚み７０μｍ、５ターンのスパイラ
ルコイルのレジストフレーム３５を図２（ａ）に示すパ
ターンで形成した。
【００２０】次に、図３に示すように、電気メッキによ
り、レジストフレーム３５内に銅３６を析出させた後、
図４に示すように、レジストを剥離し、化学エッチング
でコイル間のメッキ下地３４を除去して平面コイル１３
とした。このとき、平面コイル端子１５も形成した。次
に、図５に示すように、Ｆｅ2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／Ｎ
ｉＯ＝４９／２３／１２／１６（ｍｏｌ％）組成のフェ
ライト磁性粉を含んだエポキシ樹脂ペーストをスクリー
ン印刷法にて上部フェライト３９として成膜し、１５０
℃で熱硬化した。最後に図６に示すように、クリームハ
ンダを電極のコンタクトホール４０に印刷・熱硬化させ
て外部電極４１を形成した。
り、レジストフレーム３５内に銅３６を析出させた後、
図４に示すように、レジストを剥離し、化学エッチング
でコイル間のメッキ下地３４を除去して平面コイル１３
とした。このとき、平面コイル端子１５も形成した。次
に、図５に示すように、Ｆｅ2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／Ｎ
ｉＯ＝４９／２３／１２／１６（ｍｏｌ％）組成のフェ
ライト磁性粉を含んだエポキシ樹脂ペーストをスクリー
ン印刷法にて上部フェライト３９として成膜し、１５０
℃で熱硬化した。最後に図６に示すように、クリームハ
ンダを電極のコンタクトホール４０に印刷・熱硬化させ
て外部電極４１を形成した。
【００２１】次に、実施例として、上部のフェライト磁
性膜を印刷するスクリーンのコンタクトホール寸法を変
えることによって、コンタクトホールの開放面積Ｓｏを
変化させてサンプルを作製した。それぞれの外部電極端
子断面を観察して空隙の有無を観察した。結果を表１に
まとめた。インダクタンスは５ＭＨｚにおける値であ
る。この結果から、コンタクトホール形状を、本発明の
ようにした場合には、クリームハンダの挿入不足や気泡
巻き込みによる空隙の発生が少ないことが明らかになっ
た。
性膜を印刷するスクリーンのコンタクトホール寸法を変
えることによって、コンタクトホールの開放面積Ｓｏを
変化させてサンプルを作製した。それぞれの外部電極端
子断面を観察して空隙の有無を観察した。結果を表１に
まとめた。インダクタンスは５ＭＨｚにおける値であ
る。この結果から、コンタクトホール形状を、本発明の
ようにした場合には、クリームハンダの挿入不足や気泡
巻き込みによる空隙の発生が少ないことが明らかになっ
た。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、コンタクトホールに空
隙のない磁気素子を得ることができる。
隙のない磁気素子を得ることができる。
【図１】本発明の平面磁気素子の（ａ）平面図、（ｂ）
Ａ−Ａ矢視断面図、（ｃ）上部フェライト磁性膜を除去
して平面コイルを露出させた平面図である。
Ａ−Ａ矢視断面図、（ｃ）上部フェライト磁性膜を除去
して平面コイルを露出させた平面図である。
【図２】本発明の平面磁気素子の下部フェライト磁性
膜、レジストフレーム製造工程の説明図である。
膜、レジストフレーム製造工程の説明図である。
【図３】本発明の平面磁気素子の銅析出工程の説明図で
ある。
ある。
【図４】本発明の平面磁気素子のレジスト剥離、化学エ
ッチング工程の説明図である。
ッチング工程の説明図である。
【図５】本発明の平面磁気素子の上部フェライト磁性膜
製造工程の説明図である。
製造工程の説明図である。
【図６】本発明の平面磁気素子の外部電極形成工程の説
明図である。
明図である。
【符号の説明】 １０ 平面磁気素子 １１ 下部フェライト磁性膜 １２ 上部フェライト磁性膜 １３ 平面コイル １４ コンタクトホール １５ 平面コイル端子 ３１ Ｓｉ基板 ３２ 下部フェライト ３３ ポリイミド樹脂 ３４ メッキ下地 ３５ レジストフレーム ３６ 銅 ３７ 平面コイル ３８ コンタクトホール下地 ３９ 上部フェライト ４０ コンタクトホール ４１ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 31/00 Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 上下のフェライト磁性膜の間に平面コイ
ルを設け、平面コイルの端子上に導電物質が充填された
コンタクトホールを設けた平面磁気素子において、前記
コンタクトホールと平面コイル端子の接触する部分の面
積（Ｓｃ）と前記コンタクトホールの開口部面積（Ｓ
ｏ）との比が下記の（１）式の関係を満足することを特
徴とする平面磁気素子。 Ｓｏ／Ｓｃ＞１．０ ……（１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001011572A JP2002217034A (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | 平面磁気素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001011572A JP2002217034A (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | 平面磁気素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217034A true JP2002217034A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18878697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001011572A Pending JP2002217034A (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | 平面磁気素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217034A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05205944A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-08-13 | Tdk Corp | 積層型インダクタおよび積層セラミック部品 |
| JPH05343262A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Tdk Corp | 高周波用多層薄膜電子部品 |
| JPH07122854A (ja) * | 1993-10-27 | 1995-05-12 | Kyocera Corp | 積層型セラミック回路基板の製造方法 |
| JPH0869919A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | T I F:Kk | インダクタ素子 |
| JPH09270332A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Tokin Corp | 電子部品 |
-
2001
- 2001-01-19 JP JP2001011572A patent/JP2002217034A/ja active Pending
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