JP2002214777A - 反射防止膜形成組成物 - Google Patents
反射防止膜形成組成物Info
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- JP2002214777A JP2002214777A JP2001344388A JP2001344388A JP2002214777A JP 2002214777 A JP2002214777 A JP 2002214777A JP 2001344388 A JP2001344388 A JP 2001344388A JP 2001344388 A JP2001344388 A JP 2001344388A JP 2002214777 A JP2002214777 A JP 2002214777A
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Abstract
生じることがなく、解像度及び精度等に優れたレジスト
パターンを形成しうる反射防止膜形成組成物を提供す
る。 【解決手段】 下記式(1)で示される構造単位を有す
る重合体及び溶剤を含有する反射防止膜形成組成物。 【化1】 [式中、R1は水素原子以外の一価の原子又は基であ
り、nは0〜4の整数である。ただし、nが2〜4のと
きには複数のR1は同一でも異なっていてもよい。R2及
びR3は独立に一価の原子もしくは基である。Xは二価
の基である。]
Description
いるリソグラフィープロセスにおける微細加工に有用
で、特に集積回路素子の製造に好適な反射防止膜形成組
成物に関する。
り高い集積度を得るために、リソグラフィープロセスに
おける加工サイズの微細化が進んでいる。このリソグラ
フィープロセスにおいては、レジスト組成物溶液を基板
上に塗布し、縮小投影露光装置(ステッパー)によって
マスクパターンを転写し、適当な現像液で現像すること
によって、所望のパターンを得ている。しかしながら、
このプロセスに用いられる反射率の高いアルミニウム、
アルミニウム−シリコン合金やアルミニウム−シリコン
−銅合金、ポリシリコン、タングステンシリサイド等の
基板は、照射した放射線を表面で反射してしまう。その
影響で、レジストパターンにハレーションが生じ、微細
なレジストパターンが正確に再現できないという問題が
あった。
べきレジスト膜の下に基板から反射した放射線を吸収す
る性質のある反射防止膜を設けることが提案されてい
る。このような反射防止膜としては、真空蒸着、CV
D、スパッタリング等の方法により形成されるチタン
膜、二酸化チタン膜、チッ化チタン膜、酸化クロム膜、
カーボン膜、α−シリコン膜等の無機膜が知られている
が、これらの無機系反射防止膜は、導電性を有するた
め、集積回路の製造には使用できなかったり、反射防止
膜の形成に真空蒸着装置、CVD装置、スパッタリング
装置等の特別の装置を必要とする等の欠点があった。こ
の無機系反射防止膜の欠点を解決するために、特開昭5
9−93448号公報には、ポリアミド酸(共)重合体
又はポリスルホン(共)重合体と染料からなる有機系反
射防止膜が提案されている。この反射防止膜は電導性が
無く、またこの反射防止膜を構成している組成物は適当
な溶剤に溶解するので、特別の装置を必要としないで、
レジストと同様に溶液状態で基板上に塗布できる。
ミド酸(共)重合体又はポリスルホン(共)重合体と染
料からなる反射防止膜は、染料の添加量が制約されるた
めにハレーションや定在波を十分に防止できず、またレ
ジストと僅かながら混じり合う(これは、インターミキ
シングと呼ばれる)ため、抜け不良、裾引きといったレ
ジストパターン断面形状(パターンプロファイル)の劣
化を招くという問題があった。そこで本発明の課題は、
前記従来の諸問題を克服し、反射防止効果が高く、イン
ターミキシングを生じることがなく、解像度及び精度等
に優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜形成
組成物を提供することにある。
重ねることにより、アセナフチレンをモノマー単位とし
て含有する重合体が、エキシマレーザー光に対する高い
吸光度と、従来の下層反射防止膜と比較して高い屈折率
を有することを発見し、本発明に至った。すなわち、本
発明は、下記式(1)で示される構造単位を有する重合
体及び溶剤を含有することを特徴とする反射防止膜形成
組成物を提供するものである。
り、nは0〜4の整数である。ただし、nが2〜4のと
きには複数のR1は同一でも異なっていてもよい。R2及
びR3は独立に一価の原子もしくは基である。Xは二価
の基である。]
を有する重合体(以下、重合体(A)という)は、本発
明の組成物の基本的成分である。一般式(1)におい
て、R1は一価の原子(但し、水素原子を除く)又は基
であり、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルケニル
基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フェニル
基、アシル基、カルボキシル基、スルホン酸基、メルカ
プト基等を挙げることができる。前記アルキル基として
は炭素原子数1〜6の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が
好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル等が挙げ
られる。アルケニル基としては炭素原子数2〜6の直鎖
状又は分岐鎖状アルケニル基が好ましく、例えばビニ
ル、アリル等が挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ
素、塩素、臭素を好ましいものとして挙げることができ
る。また、前記アシル基としては炭素原子数1〜6の脂
肪族又は芳香族アシル基が好ましく、例えばアセチル基
等が挙げられる。前記アミノ基としては第一級アミノ基
が好ましい。
であり、一価の原子及び基としては、水素原子及び上記
でR1に関して例示したものと同様のものを例示するこ
とができる。また、Xは二価の基であり、例えば、−C
O−、−NH−、−SO2−、−S−、−O−、−CO
O−、−CONH−、−O−CO−O−、−NH−CO
−NH−、−Si(R)2−(ここで、Rは炭素原子数
1〜6の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、炭素原子
数2〜6の直鎖状または分岐鎖状のアルケニル基、炭素
原子数4〜10の脂環式基、炭素原子数6〜12の芳香
族炭化水素、4〜10員環等である。)、−Si(R)
2−O−(ここで、Rは前記のとおり。)等があげら
れ、中でも好ましくは、−CO−、−O−、−COO
−、−CONH−等があげられる。
記一般式(2)で示される構造を有する重合体が挙げら
れる。
は、水素原子又は1価の有機基を示す。]
ては、例えば炭素原子数1〜6の直鎖状又は分岐鎖状の
アルキル基、炭素原子数2〜6の直鎖状又は分岐鎖状の
アルケニル基、炭素原子数4〜10を有する脂環式基、
炭素原子数6〜12の芳香族炭化水素基、4〜10員の
ヘテロ環式基等が挙げられる。
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチル等が挙げられる。前記ア
ルケニル基としては、例えばビニル基、プロぺニル基、
1−ブテニル基、2−ブテニル基等が挙げられる。前記
脂環式基としては、例えばシクロヘキシル基等が挙げら
れる。前記芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル
基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。前記ヘ
テロ環式基としては、例えばフルフリル基が挙げられ
る。なお、重合体(A)における上記一般式(2)で示さ
れる構造単位は、一般式(1)で表される構造単位全体
に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは
60モル%以上、さらに好ましくは70モル%以上であ
る。
(A)は、例えば、次に述べる方法によって得ることが
できる。ここでは、2通りの合成方法を挙げたが、これ
らの方法に限るものではない。
共重合可能なモノマーと共重合して、下記式(3)に示
すような構造単位を有する前駆重合体を得、 (b)工程:さらに、この前駆重合体とアルデヒド類を酸
触媒の存在下単独縮合して、あるいは他の共縮合可能な
成分と共縮合して、重合体(A)を得る、という方法で
ある。
単位を有する前駆重合体を、アセナフチレン類を単独重
合、あるいは他の共重合可能なモノマーと共重合して得
る。
ナフチレン類としては、例えば、アセナフチレン;1−
メチルアセナフチレン、3−メチルアセナフチレン、4
−メチルアセナフチレン、5−メチルアセナフチレン、
1−エチルアセナフチレン、3−エチルアセナフチレ
ン、4−エチルアセナフチレン、5−エチルアセナフチ
レン等のアルキルアセナフチレン類;1−クロロアセナ
フチレン、3−クロロアセナフチレン、4−クロロアセ
ナフチレン、5−クロロアセナフチレン、1−ブロモア
セナフチレン、3−ブロモアセナフチレン、4−ブロモ
アセナフチレン、5−ブロモアセナフチレン等のハロゲ
ン化アセナフチレン類;1−ニトロアセナフチレン、3
−ニトロアセナフチレン、4−ニトロアセナフチレン、
5−ニトロアセナフチレン等のニトロアセナフチレン
類;1−アミノアセナフチレン、3−アミノアセナフチ
レン、4−アミノアセナフチレン、5−アミノアセナフ
チレン等のアミノアセナフチレン類;1−フェニルアセ
ナフチレン、3−フェニルアセナフチレン、4−フェニ
ルアセナフチレン、5−フェニルアセナフチレン等のフ
ェニルアセナフチレン類;1−メルカプトアセナフチレ
ン、3−メルカプトアセナフチレン、4−メルカプトア
セナフチレン、5−メルカプトアセナフチレン等のメル
カプトアセナフチレン類;1−ヒドロキシアセナフチレ
ン、3−ヒドロキシアセナフチレン、4−ヒドロキシア
セナフチレン、5−ヒドロキシアセナフチレン等のヒド
ロキシアセナフチレン類;アセナフチレン−1−カルボ
ン酸、アセナフチレン−3−カルボン酸、アセナフチレ
ン−4−カルボン酸、アセナフチレン−5−カルボン酸
等のアセナフチレンカルボン酸類等が挙げられる。これ
らは一種単独であるいは2種類以上を混合して使用する
ことができる。
類と共重合可能なモノマーとしては、例えば、スチレ
ン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メ
チルスチレン、p−メチルスチレン、o−ヒドロキシス
チレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチ
レン、o−アセトキシスチレン、m−アセトキシスチレ
ン、p−アセトキシスチレン、p−t−ブトキシスチレ
ン等の置換スチレン系化合物;酢酸ビニル、プロピオン
酸ビニル、カプロン酸ビニル等のカルボン酸ビニルエス
テル系化合物;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロ
アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物;メチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
n−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メ
タ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレー
ト、グリシジル(メタ)アクリレート等の不飽和カルボ
ン酸エステル系化合物;エチレングリコールジ(メタ)
アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリ
レート、(メタ)アクリル酸ビニル、ジメチルビニルメ
タクリロイルオキシメチルシラン等の不飽和基含有不飽
和カルボン酸エステル;2−クロロエチルビニルエーテ
ル、クロロ酢酸ビニル、クロロ酢酸アリル等のハロゲン
含有ビニル系化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ
ート、(メタ)アリルアルコール等の水酸基含有ビニル
系化合物;(メタ)アクリルアミド、クロトン酸アミド
等のアミド基含有ビニル系化合物;2−メタクロイルオ
キシエチルコハク酸、2−メタクロイルオキシエチルマ
レイン酸等のカルボキシル基含有ビニル系化合物;1−
ビニルナフタレン、2−ビニルナフタレン、9−ビニル
アントラセン、9−ビニルカルバゾール等のビニルアリ
ール系化合物等が挙げられる。これらのモノマーは、1
種単独で又は2種以上を混合して使用することができ
る。
類と共重合可能なモノマーとの構成比率は、双方の総モ
ル量に対して、アセナフチレン類が5〜100モル%含
有することが好ましく、より好ましくは10〜100モ
ル%、さらに好ましくは、20〜100モル%含有す
る。
所望の特性に応じて適宜選択されるが、ポリスチレン換
算の重量平均分子量(以下、「Mw」という)で、通
常、500〜10,000、好ましくは1,000〜
5,000である。
アニオン重合、カチオン重合等の適宜の方法により、溶
液重合等の重合形態で製造することができる。 (b)工程:次いで前駆重合体とアルデヒド類とを縮合反
応させて、式(1)で示す構造単位を有する重合体
(A)を得る。
は、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド等の飽和脂
肪族アルデヒド類;アクロレイン、メタクロレイン等の
不飽和脂肪族アルデヒド類;フルフラール等のヘテロ環
式アルデヒド類;ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒ
ド、アントラアルデヒド等の芳香族アルデヒド類等が挙
げられ、特に好ましくはホルムアルデヒド及びパラホル
ムアルデヒドである。これらは一種単独であるいは2種
以上を混合して使用することができる。
は上記前駆重合体100重量部に対し通常1〜10,0
00重量部である。
成分として芳香族炭化水素類を添加してもよい。この場
合、前駆重合体とともに当該芳香族類を反応成分として
使用する。この場合の縮合反応は、上記前駆重合体類、
芳香族類及びアルデヒド類を混合し、酸触媒の存在下、
無溶剤あるいは溶剤中で加熱することにより行われる。
縮合重合しうる芳香族類ならばいずれも用いることがで
きる。例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、
フェナントレン、アセナフテン等の無置換芳香族炭化水
素類;トルエン、m−キシレン、p−キシレン、1−メ
チルナフタレン等のアルキル置換芳香族炭化水素類;フ
ェノール、クレゾール、1−ナフトール、ビスフェノー
ル類、多価フェノール類等のヒドロキシ置換芳香族炭化
水素類;安息香酸、1−ナフタレンカルボン酸、9−ア
ントラセンカルボン酸等のカルボキシル置換芳香族炭化
水素類;アニリン等のアミノ置換芳香族炭化水素類;ク
ロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化芳香族炭
化水素類等が挙げられる。これらは一種単独であるいは
2種以上を混合して使用することができる。
の使用量は、前駆重合体類100重量部に対し、通常芳
香族類が10,000重量部以下、アルデヒド類1〜
1,000重量部である。
は、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類;p−
トルエンスルホン酸等の有機スルホン酸類;蟻酸、シュ
ウ酸等のカルボン酸類が使用される。酸触媒の使用量
は、使用する酸類の種類によって種々選択される。通
常、アセナフチレン類100重量部に対して、0.00
1〜10,000重量部、好ましくは、0.01〜1,0
00重量部である。
が、通常溶剤を用いて行われる。溶剤としては、反応を
阻害しないものであれば全て使用することができる。例
えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アミノ系樹脂等
のアルデヒド類を原料とする樹脂に使用されている溶剤
が使用できる。具体的には、後述する本発明の組成物に
使用する溶剤の他、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の環状エーテル類が挙げられる。また、使用する酸触媒
が例えば蟻酸のような液状のものであるならば、溶剤と
しての役割を兼ねさせることもできる。
0℃である。反応時間は、反応温度によって種々選択さ
れるが、通常、30分〜72時間である。以上のように
して得られる重合体(A)のMwは、通常、1,000
〜100,000、好ましくは5,000〜50,00
0、である。
の存在下共縮合、あるいは他の共縮合可能な成分と共縮
合して、下記式(4)で示す構造単位を有する前駆縮合
体を得、 (b)工程:この前駆縮合体を単独で、あるいは他の共重
合可能なモノマーと共重合して得る、方法である。
単位を有する前駆縮合体を、アセナフチレン類とアルデ
ヒド類とを単独縮合して、あるいは他の共縮合可能な芳
香族類を加えて共縮合して得る。前駆縮合体の合成に用
いられるアセナフチレン類、アルデヒド類及び芳香族類
は、上記合成方法1で挙げたものと同様のものが挙げら
れる。前駆縮合体の縮合条件は、上記した前駆重合体を
縮合するときの条件と同様である。
望の特性に応じて適宜選択されるが、通常、100〜1
0,000、好ましくは2,000〜5,000であ
る。 (b)工程:次いで、前駆縮合体を単独重合、あるいは他
の共重合可能なモノマーと共重合させて重合体(A)を
得る。重合反応に用いられるモノマー類は、前記合成方
法1で挙げたものと同様のものが挙げられる。前駆縮合
体の重合条件は、上記したアセナフチレン類を重合する
ときの条件と同様である。
の他に溶剤が含まれる。この溶剤としては、前述及び後
述する組成物の成分を溶解しうる溶剤、例えばエチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエ
チレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコ
ールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコ
ールモノアルキルエーテルアセテート類;ジエチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチ
レングリコールジアルキルエーテル類;トリエチレング
リコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジ
エチルエーテル等のトリエチレングリコールジアルキル
エーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリ
コールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチル
エーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プ
ロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレング
リコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジ
アルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノエテル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチ
ルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチ
ル、乳酸−n−プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸−n
−ブチル、乳酸−n−イソブチル等の乳酸エステル類;
ピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸−n−ブチル、ギ酸イソ
ブチル、ギ酸−n−アミル、ギ酸イソアミル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、酢酸
イソアミル、酢酸−n−ヘキシル、プロピオン酸メチ
ル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸−n−プロピ
ル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸−n−ブ
チル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチ
ル、酪酸−n−プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸−n
−ブチル、酪酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステ
ル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メ
チルプロピオン酸エチル、3−メトキシ−2−メチルプ
ロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メ
チル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−
メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン
酸エチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メト
キシプロピルアセテート、3−メトキシブチルアセテー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−
メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチ
ル−3−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエス
テル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メ
チルエチルケトン、メチル−n−アミルケトン、メチル
プロピルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノ
ン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノ
ン等のケトン類;N−メチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のア
ミド類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を適宜選
択して使用する。これらのうち、好ましい溶剤として
は、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、乳酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3
−メトキシプロピオン酸メチル、メチル−n−アミルケ
トン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン等が挙げられ
る。これらの溶剤は、1種単独で又は2種類以上を混合
して使用される。
濃度が、通常0.01〜70重量%程度、好ましくは
0.05〜60重量%、さらに好ましくは0.1〜50
重量%となる範囲である。
発明の所望の効果を損なわない限り、必要に応じて架橋
剤、バインダー樹脂及び各種添加剤を配合することがで
きる。 (架橋剤)架橋剤は、例えば、本発明の組成物を半導体
基板に塗布して得られる反射防止膜と、その上に塗布、
形成されるレジスト膜との間でインターミキシングが起
こることを防止する役割を果たす。また、塗布後のクラ
ックを防止する役割も果たす。
々の市販のいわゆる硬化剤を使用することができる。多
核フェノール類としては、例えば、(1,1'−ビフェニ
ル)−4,4'−ジオール、メチレンビスフェノール、
4,4'−エチリデンビスフェノール等の2核フェノー
ル類;4,4',4''−メチリデントリスフェノール、
4,4'−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−
1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノー
ル等の3核フェノール類;ノボラック等のポリフェノー
ル類等が挙げられ、これら多核フェノール類のなかで、
特に4,4'−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェ
ノール及びノボラックが好適に用いられる。
シアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキ
サメチレンジイソシアナート、シクロヘキサンジイソシ
アナート等のジイソシアナート類;エピコート812、
同815、同826、同828、同834、同836、
同871、同1001、同1004、同1007、同1
009、同1031(商品名、油化シェルエポキシ
製)、アラルダイト6600、同6700、同680
0、同502、同6071、同6084、同6097、
同6099(商品名、チバガイギー製)、DER331、
同332、同333、同661、同644、同667
(商品名、ダウ製)等のエポキシ化合物類;サイメル3
00、同301、同303、同350、同370、同7
71、同325、同327、同703、同712、同7
01、同272、同202、マイコート506、同50
8(商品名、三井サイアナミッド製)等のメラミン系硬
化剤、サイメル1123、同1123−10、同112
8、マイコート102、同105、同106、同130
(商品名、三井サイアナミッド製)等のベンゾグアナミ
ン系硬化剤;サイメル1170、同1172(商品名、
三井サイアナミッド製)、ニカラックN−2702(商
品名、三和ケミカル社製)等のグリコールウリル系硬化
剤等が挙げられる。
形分100重量部当たり、通常、5,000重量部以
下、好ましくは、1,000重量部以下である。
は、種々の熱可塑性及び熱硬化性の合成樹脂を使用する
ことができる。熱可塑性樹脂の例としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ−1−ブテン、ポリ−1−ペ
ンテン、ポリ−1−ヘキセン、ポリ−1−ヘプテン、ポ
リ−1−オクテン、ポリ−1−デセン、ポリ−1−ドデ
セン、ポリ−1−テトラデセン、ポリ−1−ヘキサデセ
ン、ポリ−1−オクタデセン、ポリビニルシクロアルカ
ン等のα−オレフィン重合体;ポリ−1,4−ペンタジ
エン、ポリ−1,4−ヘキサジエン、ポリ−1,5−ヘキ
サジエン、ポリ−1,7−o−クロルアクロレイン等の
α、β−不飽和アルデヒド重合体類;ポリメチルビニル
ケトン、ポリ芳香族ビニルケトン、ポリ環状ビニルケト
ン等のα、β−不飽和ケトン重合体類;ポリ(メタ)ア
クリル酸、ポリ(メタ)アクリル酸の塩類、ポリ(メ
タ)アクリル酸のエステル、ポリ(メタ)アクリル酸の
ハロゲン化物等のα、β−不飽和酸誘導体の重合体類;
ポリ(メタ)アクリル酸無水物、ポリ無水マレイン酸等
のα、β−不飽和酸無水物の重合体類;ポリメチレンマ
ロン酸ジエステル、ポリイタコン酸ジエステル等の不飽
和多塩基酸エステル重合体類;ポリソルビン酸エステ
ル、ムコン酸エステル等のジオレフィン酸エステル重合
体類;ポリアクリル酸チオエステル、メタクリル酸チオ
エステル、α−クロルアクリル酸チオエステル等のα、
β−不飽和酸チオエステル重合体類;ポリアクリロニト
リル、ポリメタクリロニトリル等のアクリロニトリル誘
導体の重合体類;ポリアクリルアミド、ポリメタクリル
アミド等のアクリルアミド誘導体の重合体類;スチリル
金属化合物重合体類;ポリビニルオキシ金属化合物類;
ポリイミン類;ポリフェニレンオキシド、ポリ−1,3
−ジオキソラン、ポリオキシラン、ポリテトラヒドロフ
ラン、ポリテトラヒドロピラン等のポリエーテル類;ポ
リスルフィド類;ポリスルホンアミド類;ポリペプチド
類;ナイロン66、ナイロン1〜ナイロン12等のポリ
アミド類;脂肪族ポリエステル、芳香族ポリエステル、
脂環族ポリエステル、ポリ炭酸エステル、アルキド樹脂
等のポリエステル類;ポリ尿素類;ポリスルホン類;ポ
リアジン類;ポリアミン類;ポリ芳香族ケトン類;ポリ
イミド類;ポリベンゾイミダゾール類;ポリベンゾオキ
サゾール類;ポリベンゾチアゾール類;ポリアミノトリ
アゾール類;ポリオキサジアゾール類;ポリピラゾール
類;ポリテトラゾール類;ポリキノキサリン類;ポリト
リアジン類;ポリベンゾオキサジノン類;ポリキノリン
類;ポリアントラゾリン類等が挙げられる。これらは一
種単独で、あるいは2種類以上を混合して使用できる。
これらバインダー樹脂の配合量は、重合体(A)100
重量部当り、通常20重量部以下、好ましくは10重量
部以下である。
ストとのインターミキシングを防止するために、基板に
塗布後、加熱により硬化して溶剤に不溶となる熱硬化性
樹脂も好ましく用いられる。
ば、熱硬化性アクリル系樹脂、フェノール樹脂、尿素樹
脂、メラミン樹脂、アミノ系樹脂、芳香族炭化水素樹
脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂等が挙げられる。これ
らは一種単独で、あるいは2種類以上を混合して使用で
きる。
例えば、放射線吸収剤、界面活性剤、酸発生剤等を挙げ
ることができる。
性を有する化合物を使用することができ、例えば油溶性
染料、分散染料、塩基性染料、メチン系染料、ピラゾー
ル系染料、イミダゾール系染料、ヒドロキシアゾ系染料
等の染料;ビクシン誘導体、ノルビクシン、スチルベ
ン、4、4’−ジアミノスチルベン誘導体、クマリン誘
導体、ピラゾリン誘導体等の蛍光増白剤;ヒドロキシア
ゾ系染料、チヌビン234(商品名、チバガイギー
製)、チヌビン1130(商品名、チバガイギー製)等
の紫外線吸収剤;アントラセン誘導体、アントラキノン
誘導体等の芳香族化合物等が挙げられる。これらの放射
線吸収剤は一種単独で又は二種以上を組み合わせて使用
することができる。放射線吸収剤の配合量は、反射防止
膜形成組成物の固形分100重量部当たり、通常、10
0重量部以下、好ましくは、50重量部以下である。
ン、ぬれ性、現像性等を改良する作用を有するものであ
る。このような界面活性剤としては、例えばポリオキシ
エチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステア
リルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、
ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレング
リコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステ
アレート等のノニオン系界面活性剤の他、市販品として
は、例えばオルガノシロキサンポリマーであるKP34
1(商品名、信越化学工業製)、(メタ)アクリル酸系
(共)重合体であるポリフローNo.75、同No.95(商品
名、共栄社油脂化学工業製)、エフトップEF101、同EF2
04、同EF303、同EF352(商品名、トーケムプロダクツ
製)、メガファックF171、同F172、同F173(商品名、大
日本インキ化学工業製)、フロラードFC430、同FC431、
同FC135、同FC93(商品名、住友スリーエム製)、アサ
ヒガードAG710、サーフロンS382、同SC101、同SC102、
同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(商品名、旭硝子
製)等が挙げられる。これらは一種単独でも二種以上組
合わせても使用することができる。界面活性剤の配合量
は、反射防止膜組成物の固形分100重量部当たり、通
常、15重量部以下、好ましくは、10重量部以下であ
る。
生剤を使用することができ、これらは併用することがで
きる。
ルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、
ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス
(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースル
ホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウ
ムナフタレンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェ
ニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビ
ス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオ
ロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニル
スルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、
(ヒドロキシフェニル)ベンゼンメチルスルホニウムト
ルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキ
ソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ジシクロヘキシル(2−オキソシクロヘキ
シル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフ
ェニルスルホニウムカンファースルホネート、(4−ヒ
ドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホニウムトルエ
ンスルホネート、1−ナフチルジメチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、1−ナフチルジエチル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シ
アノ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジメチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−
メチル−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、4−シアノ−1−ナフチル−ジ
エチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−ニトロ−1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−ナフチル
ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−
1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、4−メトキシ−1−ナフチルテト
ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、4−エトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシ
メトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、4−エトキシメトキシ
−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、4−(1−メトキシエトキシ)
−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、4−(2−メトキシエトキシ)
−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、4−メトキシカルボニルオキシ
−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、4−エトキシカルボニルオキシ
−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、4−n−プロポキシカルボニル
オキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、
−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、4−n−ブトキカルボニルオキシ−
1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、4−t−ブトキシカルボニルオキ
シ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフル
オロメタンスルホネート、4−(2−テトラヒドロフラ
ニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−テトラ
ヒドロピラニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ベ
ンジルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、1−(ナフチルア
セトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート等のオニウム塩系光酸発生剤類;フ
ェニル-ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、
メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−ト
リアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−s−
トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸発生剤類;
ホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホニルクロリド、2,3,4,4’−テトラベンゾ
フェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル又は1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル等のジアゾケトン化合物系光酸発生
剤類;4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナ
シルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン等の
スルホン酸化合物系光酸発生剤類;ベンゾイントシレー
ト、ピロガロールのトリストリフルオロメタンスルホネ
ート、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアントラ
セン−2−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニ
ルビシクロ[2,2,1]ヘプト−5−エン−2,3−
ジカルボジイミド、N−ヒドロキシスクシンイミドトリ
フルオロメタンスルホネート、1,8−ナフタレンジカ
ルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等のス
ルホン酸化合物系光酸発生剤類等が挙げられる。これら
は一種単独でも二種以上組合わせても使用することがで
きる。
4,6−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイ
ントシレート、2−ニトロベンジルトシレート、アルキ
ルスルホネート等が挙げられる。これらは一種単独でも
二種以上組合わせても使用することができる。
成物の固形分100重量部当たり、通常、5000重量
部以下、好ましくは、0.1重量部以上1000重量部
以下である。
消泡剤、接着助剤等を挙げることもできる。
導体基板上にレジストパターンを形成する際に反射防止
膜を形成するのに用いられる。具体的には、例えば、次
のように使用される。すなわち、通常、レジストパター
ン形成方法は、1)基板上に本発明の反射防止膜形成組
成物を塗布し、得られた塗膜をベークして反射防止膜を
形成する工程、2)該反射防止膜上にレジスト組成物溶
液を塗布し、得られた塗膜をベークしてレジスト膜を形
成する工程、3)該レジスト膜を露光用マスクを介して
放射線にて選択的に露光する工程、4)露光したレジス
ト膜を現像する工程、及び5)反射防止膜をエッチング
する工程を含む。
は、例えば100〜5,000オングストロームであ
り、組成物は例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等
の方法により塗布される。次いで、ベークして反射防止
膜組成物を熱硬化させる。この際のベーク温度は、例え
ば90〜350℃程度である。基板としては、例えばシ
リコンウエハー、アルミニウムで被覆したウエハー等が
挙げられる。
レジスト膜が所定の膜厚となるようにレジスト組成物溶
液を塗布し、プレベークして得られた塗膜中の溶剤を揮
発させてレジスト膜を形成する。この際のプレベークの
温度は、使用されるレジストの種類等に応じて適宜調製
される。通常、30〜200℃程度、好ましくは、50
〜150℃である。
は、レジスト組成物を適当な溶液に固形分濃度が例えば
5〜50重量%となるように溶解したのち、例えば孔径
0.2μm程度のフィルターでろ過して組成物溶液を調
製し、これを回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法
により反射防止膜上に塗布する。なお、この場合、市販
のレジスト溶液をそのまま使用できる。
例えばアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤と
からなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と
感放射線性架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物、感
放射線性酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増
幅型レジスト組成物等を挙げることができる。
は、使用するレジストの種類に応じて、可視光線、紫外
線、遠紫外線、X線、電子線、γ線、分子線、イオンビ
ーム等から適切に選択される。これらの放射線のうち、
好ましいのは、遠赤外線であり、特に、KrFエキシマレ
ーザー(248nm)及びArFエキシマレーザー(19
3nm)が好適に用いられる。
像する。その後洗浄し、乾燥することにより、所望のレ
ジストパターンを得る。この工程中、解像度、パターン
プロファイル、現像性等を向上させるため、露光後、現
像前ににベーキングを行ってもよい。
スクとして、酸素プラズマ等のガスプラズマを用いて反
射防止膜の乾式エッチングを行い、基板加工用のレジス
トパターンを得る。
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニ
ア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチ
ルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロー
ル、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビシクロ
[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシ
クロ−[4.3.0]−5−ノナン等を溶解したアルカ
リ性水溶液を挙げることができる。また、これらの現像
液には、水溶性有機溶剤、例えばメタノール、エタノー
ル等のアルコール類、及び界面活性剤を適量添加するこ
ともできる。
説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に何ら制約
されるものではない。以下の説明において「部」は特記
しない限り「重量部」を意味する。
wは、東ソー社製GPCカラム(G2000HXL:2
本、G3000HXL:1本)を用い、流量:1.0m
l/分、溶出溶剤:テトラヒドロフラン、カラム温度:
40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とする
ゲルパーミエーションクロマトグラフ法(検出器:示差
屈折計)により測定した。
の要領で行った。 ・光学特性測定:8インチのシリコンウエハー上に、反
射防止膜形成組成物をスピンコートしたのち、ホットプ
レート上で345℃で120秒間ベークして膜厚0.1μm
の反射防止膜を形成した。KLA-TENCOR社製分光エリプソ
メータUV-1280Eを用いて、248nmにおける屈折率(n
値)及び吸光度(k値)を測定した。また、SOPRA
社製分光エリプソメーターMOSS−ESVG DEE
P UVを用いて、193nmにおけるn値とk値を測
定した。
成:8インチのシリコンウエハー上に、反射防止膜形成
組成物を膜厚600Åの膜が得られるようにスピンコー
トしたのち、ホットプレート上で345℃120秒間ベ
ークして反射防止膜を形成した。その後、該反射防止膜
上にKrF用レジスト溶液(商品名 KRF M20G,
ジェイエスアール(株)製)を膜厚0.61μmのレジス
ト膜が得られるようにスピンコートしたのち、140℃
のホットプレート上で1分間ベークし、レジスト膜を形
成した。次いで、(株)ニコン製ステッパーNSR2005EX1
2B(波長248nm)を用いて、0.22μm幅のラインア
ンドスペースパターンを1対1の線幅で形成する露光時
間(以下「最適露光時間」という。)だけ露光を行っ
た。次いで、140℃のホットプレート上で、90秒間
ベーキングを行ったのち、2.38重量%テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、23℃で30
秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパター
ンを形成した。
成:8インチのシリコーンウエハー上に、反射防止膜組
成物を膜厚600Åの膜が得られるようにスピンコート
したのち、ホットプレート上で345℃で120秒間ベ
ークして反射防止膜を形成した。その後、該反射防止膜
上に後述する参考例1で得られたArF用レジスト溶液
を膜厚0.5μmのレジスト膜が得られるようにスピン
コートしたのち、ホットプレート上で130℃で90秒
間ベークし、レジスト膜を形成した。次いで、ISI社
製ArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.
60、露光波長193nm)により、マスクパターンを
介して露光を行った。次いで、ホットプレート上にて1
30℃で90秒間ベーキングを行ったのち、2.38重
量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液を用い、25℃で1分間現像し、水洗し、乾燥して、
ポジ型レジストパターンを形成した。
条件に従って、反射防止膜及びレジスト膜の形成、露光
並びに現像を行った。レジスト膜の現像後に残った部分
と反射防止膜との接点におけるレジスト膜の裾引きの程
度を走査型電子顕微鏡を用いて調べた。 ・定在波防止効果:前述した条件に従って、反射防止膜
及びレジスト膜の形成、露光並びに現像を行った。その
後、レジスト膜への定在波の影響の有無を走査型電子顕
微鏡を用いて調べた。
製)]還流管を装着したセパラブルフラスコに、窒素気
流下で、8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルメト
キシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.1
7,10]ドデカ−3−エン29部、8−ヒドロキシテトラ
シクロ[4.4.0.12, 5.17,10]ドデカ−3−エン
10部、無水マレイン酸18部、2,5−ジメチル−
2,5−ヘキサンジオールジアクリレート4部、t−ド
デシルメルカプタン1部、アゾビスイソブチロニトリル
4部及び1,2−ジエトキシエタン60部を仕込み、7
0℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を大量の
n−ヘキサン/i−プロピルアルコール(重量比=1/
1)混合溶液中に注いで、樹脂を凝固させ、凝固した樹
脂を同一混合溶媒で数回洗浄したのち、真空乾燥して、
下記式(a)、(b)及び(c)の各式で表される構成
単位の含有率がそれぞれ64モル%、18モル%及び1
8モル%であり、Mwが27,000の共重合体を、収
率60%で得た。
1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ
−n−ブタンスルホネート1.5部、トリ−n−オクチ
ルアミン0.04部をプロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテート533部に溶解し、ArFレジスト
溶液を調製した。
計を備えたセパラブルフラスコに、アセナフチレン10
0部、トルエン78部、ジオキサン52部、アゾビスイ
ソブチロニトリル(AIBN)3部を窒素下に仕込み、70℃
で5時間攪拌した。次いで、p−トルエンスルホン酸1
水和物5.2部、及びパラホルムアルデヒド40部を添加
し、120℃に昇温し、さらに6時間攪拌した。得られ
た反応溶液を多量のイソプロパノール中に投入し、沈殿
した樹脂をろ過により採取した。40℃で減圧乾燥し、
重合体(A)を得た。得られた樹脂は、Mw:22,0
00(ポリスチレン換算)で、1H−NMRの結果か
ら、下記式(5)で表される構造を有する重合体が確認
された。
100部、トルエン78部、ジオキサン52部、p-ト
ルエンスルホン酸1水和物5.2部、及びパラホルムアル
デヒド40部を添加し、120℃に昇温し、6時間攪拌
した。次いで、70℃まで内温を下げた後、アゾビスイ
ソブチロニトリル(AIBN)3部を窒素下に仕込み、その温
度で更に5時間攪拌した。得られた反応溶液を多量のイ
ソプロパノール中に投入し、沈殿した樹脂をろ過により
採取した。40℃で減圧乾燥し、重合体(A)を得た。得
られた樹脂は、Mw:20,000(ポリスチレン換
算)で、 1H−NMRの結果から、上記した式(5)で
表される構造を有する重合体が確認された。
ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート
0.5部,及び4,4'−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビス
フェノール0.5部を、シクロヘキサノン89部に溶解し、
得られた溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルター
でろ過し、反射防止膜形成組成物を調製した。次いで、
得られた組成物について、前記のようにして性能評価を
行った。評価結果を表1に示す。
1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノー
ルをポリスチレン換算でMwが10,000のノボラック樹脂
とした以外は実施例1と同様にして反射防止膜形成組成
物を調製した。得られた組成物について、前記のように
して性能評価を行った。評価結果を表1に示す。
1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノー
ルをグリコールウリル系硬化剤(商品名:ニカラックN
―2702、(株)三和ケミカル社製)とした以外は実
施例1と同様にして反射防止膜形成組成物を調製した。
得られた組成物について、前記のようにして性能評価を
行った。評価結果を表1に示す。
合体(A')とした以外は実施例1と同様にして下層膜形成
組成物を調製した。得られた組成物について、前記のよ
うにして性能評価を行った。評価結果を表1に示す。
合体(A')とした以外は実施例2と同様にして下層膜形成
組成物を調製した。得られた組成物について、前記のよ
うにして性能評価を行った。評価結果を表1に示す。
合体(A')とした以外は実施例3と同様にして下層膜形成
組成物を調製した。得られた組成物について、前記のよ
うにして性能評価を行った。評価結果を表1に示す。
1〜3と同様に性能評価を行った。評価結果を表1に示
す。
形成した反射防止膜は、反射防止効果が高く、かつレジ
ストとインターミキシングを生じることが無いため、ポ
ジ型及びネガ型レジストと協働して、解像度、精度等に
優れたレジストパターンをもたらすことができる。した
がって、本発明の反射防止膜形成組成物は、特に高集積
度の集積回路の製造に寄与するところが大である。
Claims (6)
- 【請求項1】) 下記式(1): 【化1】 [式中、R1は水素原子以外の一価の原子又は基であ
り、nは0〜4の整数である。ただし、nが2〜4のと
きには複数のR1は同一でも異なっていてもよい。R2及
びR3は独立に一価の原子もしくは基である。Xは二価
の基である。]で示される構造単位を有する重合体及び
溶剤を含有することを特徴とする反射防止膜形成組成
物。 - 【請求項2】請求項1に記載の組成物にして、前記式
(1)で表される構造単位が、式(2): 【化2】 [式中、R1〜R3及びnは、前記のとおりであり、R4
は、水素原子又は1価の有機基を示す。]で表される構
造単位を含むことを特徴とする組成物。 - 【請求項3】請求項2記載の組成物にして、前記式
(2)で表される構造単位が式(1)で表される全構造
単位の50モル%以上である組成物。 - 【請求項4】請求項1記載の組成物にして、前記溶剤
が、該組成物の固形分濃度が0.01〜70重量%であ
るような量存在する組成物。 - 【請求項5】請求項1記載の組成物にして、さらに、架
橋剤を含有する組成物。 - 【請求項6】請求項5記載の組成物にして、前記架橋剤
が該組成物の固形分100重量部当たり5,000重量
部以下の量で存在する組成物。
Priority Applications (1)
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