JP2002204072A - 複合積層セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents
複合積層セラミック基板およびその製造方法Info
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Abstract
れた複合積層セラミック基板およびその製造方法を提供
することである。 【解決手段】 複合積層セラミック基板10は、誘電体
セラミックからなる積層セラミック基板11、磁性体セ
ラミックからなる積層セラミック基板13およびポリイ
ミド等の熱硬化型樹脂からなる接着層15から構成され
ている。この複合積層セラミック基板10においては、
誘電体積層セラミック基板11および磁性体積層セラミ
ック基板13が、接着層15を介して接合されている。
Description
ラミック基板を積層した複合積層セラミック基板および
その製造方法に関する。
端末においては、小型化への要求が高いため、内部の構
成要素として用いられる高周波回路基板においても、小
型高性能化が求められている。
は、プリント配線基板に表面実装部品であるコンデンサ
またはインダクタを実装する手法でなく、セラミック基
板の基となるグリーンシートに配線パターンを形成して
キャパシタンスまたはインダクタンスの要素を形成する
積層セラミック基板が用いられるようになっている。積
層セラミック基板によれば、表面実装部品が減少するの
で、高周波回路基板の小型化を図ることができる。
O3 )を主体として形成された複数のグリーンシートに
配線パターンを形成し、複数のグリーンシートを積層
し、800℃〜1600℃の温度で一括焼成して一体化
することにより製造される。
ク基板の製造方法を示す模式的斜視図である。
からなるグリーンシート31A〜31Dに、スクリーン
印刷により所定の配線パターン32A〜32Dをそれぞ
れ形成する。次に、図7(b)に示すように、グリーン
シート31A〜31Dを積層し、800℃〜1600℃
の温度で一括焼成し、積層セラミック基板30を形成す
る。なお、グリーンシートとは、有機バインダおよびセ
ラミック原料粉末等を混合および混練し、シート状に加
工して乾燥させたものである。
ミナからなるグリーンシート31A〜31Dにスクリー
ン印刷により所定の配線パターン32A〜32Dを形成
することにより、積層セラミック基板内部にキャパシタ
ンスまたはインダクタンスを得ることが可能となる。し
たがって、表面実装部品であるコンデンサまたはインダ
クタの部品数量を減少させることができ、高周波回路部
品の小型化が可能となる。また、積層セラミック基板3
0は、絶縁性を示すアルミナを主体として形成されてい
るため、抵抗を形成することに適している。
らなる積層セラミック基板をコンデンサの代用として使
用する場合、積層セラミック基板内に有するキャパシタ
ンスの値に制限があり、キャパシタンスの値を広範囲で
得ることが必要な場合は、表面実装部品であるコンデン
サを用いることが必要となる。また、磁性を有しないア
ルミナからなる積層セラミック基板をインダクタの代用
として使用する場合、積層セラミック基板内に有するイ
ンダクタンスの値に制限があり、インダクタンスの値を
広い範囲で得ることが必要になる場合は、表面実装部品
のインダクタまたはトランスを用いることが必要とな
る。
クタンスの値を広い範囲で得ることが必要になる場合、
絶縁体セラミックからなる積層セラミック基板(以下、
絶縁体積層セラミック基板と略記する)を用いるより
も、誘電体セラミックからなる積層セラミック基板(以
下、誘電体積層セラミック基板と略記する)および磁性
体セラミックからなる積層セラミック基板(以下、磁性
体積層セラミック基板と略記する)を複合させて用いる
方が、表面実装部品をさらに減少させることができる。
以下、誘電体積層セラミック基板および磁性体積層セラ
ミック基板を複合させる方法について後述する。
ク基板および磁性体積層セラミック基板を複合させる製
造方法を示す模式的斜視図である。
ミックからなるグリーンシート41A〜41Cに、スク
リーン印刷により配線パターン42A〜42Cを形成す
る。このグリーンシートは、例えばチタン酸化バリウム
(比誘電率1400)からなる(以下、誘電体グリーン
シートと呼ぶ)。また、磁性体セラミックからなるグリ
ーンシート43A〜43Cに、スクリーン印刷により配
線パターン44A〜44Cを形成する。このグリーンシ
ートは、例えばNiZnフェライト(初透磁率>70、
磁束密度>0.2T)からなる(以下、磁性体グリーン
シートと呼ぶ)。
リーンシート41A〜41Cおよび磁性体グリーンシー
ト43A〜43Cを一体に積層し、800℃〜1600
℃の温度により一括焼成し、複合積層セラミック基板4
0を形成する。
誘電体セラミックからなるグリーンシート41A〜41
Cに形成された配線パターン42A〜42Cが主にキャ
パシタンス成分を主体とする回路を構成する。また、磁
性体セラミックからなるグリーンシート43A〜43C
に形成された配線パターン44A〜44Cが主にインダ
クタンス成分を主体とする回路を構成する。その結果、
キャパシタンスの値およびインダクタンスの値を広い範
囲で得ることが可能となる。したがって、表面実装部品
であるコンデンサおよびインダクタの部品数量を減少さ
せることができ、高周波回路部品の小型化が可能とな
る。
グリーンシート41A〜41Cおよび磁性体グリーンシ
ート43A〜43Cを一体に積層し一括焼成して複合積
層セラミック基板40を形成する方法では、材質の異な
る複数の積層セラミック基板の材料粉末が一括焼成によ
り結晶粒に成長する過程において、内部応力(焼き締ま
り現象)が生じ材料収縮が発生する。材料収縮は、グリ
ーンシートの種類、厚さ、材料、バインダの混合比、材
料粉の粒径および形状または焼成条件等によって異な
る。
ック基板40の焼成状態を示す模式的断面図である。図
9に示すように、複合積層セラミック基板40は、誘電
体積層セラミック基板41および磁性体積層セラミック
基板43から形成されている。この複合積層セラミック
基板40には、異なる収縮率を有する誘電体積層セラミ
ック基板41および磁性体積層セラミック基板43を一
体に積層し一括焼成して形成されるため、材料収縮によ
る撓みRが発生する。
基板41および磁性体積層セラミック基板43の接合部
を拡大した図である。図10(a)に示すように、例え
ば理想的に材料収縮による撓みRが発生しない場合、誘
電体積層セラミック基板41Cに形成されている配線パ
ターン42Cと磁性体積層セラミック基板43Aに形成
されているバイアホール44Aとの間に配線のずれは生
じない。しかしながら、図10(b)に示すように、材
料収縮による撓みRが発生する場合、誘電体積層セラミ
ック基板41Cに形成されている配線パターン42Cと
磁性体積層セラミック基板43Aに形成されているバイ
アホール44Aとの間に配線のずれσが生じる。この配
線のずれσが発生することにより、複合積層セラミック
基板40内の電気的抵抗が増大し回路特性を劣化させる
要因となる。
について後述する。図11(a),(b)は複合積層セ
ラミック基板の配線のずれσの発生を防止する製造方法
を示す模式的斜視図である。
セラミックからなるグリーンシート41A〜41Cに、
スクリーン印刷により配線パターン42A〜42Cをそ
れぞれ形成する。また、磁性体セラミックからなるグリ
ーンシート43A〜43Cに、スクリーン印刷により配
線パターン44A〜44Cをそれぞれ形成する。そし
て、誘電体セラミックからなるグリーンシートおよび磁
性体セラミックからなるグリーンシートを各々一枚ずつ
焼成して単体のセラミック基板45a〜45c,48a
〜48cを個別に形成する。
〜45c,48a〜48cを冷却させた後に、各々の単
体のセラミック基板45b,45c,48a〜48cの
上面にポリイミド等の熱硬化型樹脂からなる接着剤(以
下、接着層と略記する)46B,46Cおよび47A〜
47Cを塗布する。次いで、接着層の一部を各々の単体
のセラミック基板45b,45c,48a〜48cに形
成された配線パターン42B,42C,44A〜44C
が電気的に接合するように除去する。
単体のセラミック基板45a〜45c,48a〜48c
の間に接着層46B,46C,47A〜47Cを介在さ
せ積層し約200℃の温度で接合し、複合積層セラミッ
ク基板50を形成する。
体のセラミック基板45a〜45c,48a〜48cを
1枚毎に接着層46B,46Cおよび47A〜47Cを
用いて接合するため、複合積層セラミック基板の層間の
ずれの発生を抑制させ、配線のずれσを防止することが
できる。しかし、セラミック基板の基となる複数のグリ
ーンシートを一体に積層し一括焼成した場合と比較し
て、形成された複合積層セラミック基板の強度が低下す
る。
つ強度の向上が図られた複合積層セラミック基板および
その製造方法を提供することである。
発明に係る複合積層セラミック基板は、所定の配線パタ
ーンを有しかつ第1の材質からなる複数のグリーンシー
トを焼成して一体的に形成された第1の積層セラミック
基板と、所定の配線パターンを有しかつ第1の材質とは
異なる第2の材質からなる複数のグリーンシートを焼成
して一体的に形成された第2の積層セラミック基板と
が、接着層を介して接合されたものである。
いて、第1の積層セラミック基板は、所定の配線パター
ンを有しかつ第1の材質からなる複数のグリーンシート
が焼成されて一体的に形成されるので、異なる材質から
なる複数のグリーンシートが焼成されて一体的に形成さ
れる積層セラミック基板と比較して、撓みが発生するこ
となくかつ強固に接合される。また、第2の積層セラミ
ック基板は、所定の配線パターンを有しかつ前記第1の
材質とは異なる第2の材質からなる複数のグリーンシー
トが焼成されて一体的に形成されるので、異なる材質か
らなる複数のグリーンシートが焼成されて一体的に形成
される積層セラミック基板と比較して、撓みが発生する
ことなくかつ強固に接合される。さらに、第1の積層セ
ラミック基板と第2の積層セラミック基板とが接着層を
介して接合されているため、撓みの発生が抑制されるこ
とにより配線パターンのずれによる電気的な抵抗が減少
し、電気的な回路特性が向上する。したがって、撓みの
発生が防止されかつ強度の向上が図られた複合積層セラ
ミック基板を得ることが可能となる。
着層の一方の面に接合され、第2の積層セラミック基板
の一方の面が接着層の他方の面に接合されてもよい。こ
の場合、第1の積層セラミック基板と第2の積層セラミ
ック基板とが接着層により直接接合される。
層からなり、第1の接着層と第2の接着層との間に配線
基板が挿入され、第1の積層セラミック基板の一方の面
が第1の接着層の一方の面に接合され、配線基板の一方
の面が第1の接着層の他方の面に接合され、第2の積層
セラミック基板の一方の面が第2の接着層の一方の面に
接合され、配線基板の他方の面が第2の接着層の他方の
面に接合されてもよい。この場合、第1の積層セラミッ
ク基板と第2の積層セラミック基板とが配線基板を介在
させて接着層により接合される。
および第2の積層セラミック基板の配線パターンとの電
気的接合のために接着層の一部領域が除去されてもよ
い。この場合、第1の積層セラミック基板の配線パター
ンと第2の積層セラミック基板の配線パターンとが接着
層の除去される領域を介して電気的に接合される。
び絶縁性材料のうちいずれか1つを含み、第2の材質
は、誘電性材料、磁性材料および絶縁性材料のうちいず
れか1つを含んでもよい。この場合、第1の積層セラミ
ック基板内または第2の積層セラミック基板内に大きな
キャパシタンス成分、インダクタンス成分または抵抗成
分を形成することが可能となり、表面実装部品であるコ
ンデンサ、インダクタまたは抵抗の部品数量を減少する
ことができ、小型化の複合積層セラミック基板を得るこ
とが可能となる。
の製造方法は、所定の配線パターンを有しかつ第1の材
質からなる複数のグリーンシートを積層して焼成し、第
1の積層セラミック基板を一体的に形成する工程と、所
定の配線パターンを有しかつ第1の材質とは異なる第2
の材質からなる複数のグリーンシートを積層して焼成
し、第2の積層セラミック基板を一体的に形成する工程
と、第1の積層セラミック基板と第2の積層セラミック
基板とを接着層を介して接合する工程とを含むものであ
る。
造方法によれば、第1の積層セラミック基板は、所定の
配線パターンを有しかつ第1の材質からなる複数のグリ
ーンシートが焼成されて一体的に形成されるので、異な
る材質からなる複数のグリーンシートが焼成されて一体
的に形成される積層セラミック基板と比較して、撓みが
発生することなくかつ強固に接合される。また、第2の
積層セラミック基板は、所定の配線パターンを有しかつ
前記第1の材質とは異なる第2の材質からなる複数のグ
リーンシートが焼成されて一体的に形成されるので、異
なる材質からなる複数のグリーンシートが焼成されて一
体的に形成される積層セラミック基板と比較して、撓み
が発生することなくかつ強固に接合される。さらに、第
1の積層セラミック基板と第2の積層セラミック基板と
が接着層を介して接合されているため、撓みの発生が抑
制されることにより配線パターンのずれによる電気的な
抵抗が減少し、電気的な回路特性が向上する。したがっ
て、撓みの発生が防止されかつ強度の向上が図られた複
合積層セラミック基板を得ることが可能となる。
の積層セラミック基板の一方の面を接着層の一方の面に
接合し、かつ第2の積層セラミック基板の一方の面を接
着層の他方の面に接合する工程を含んでもよい。この場
合、第1の積層セラミック基板と第2の積層セラミック
基板とが接着層により直接接合される。
層を含み、接着層を介して接合する工程は、第1の接着
層と第2の接着層との間に配線基板を挿入する工程と、
第1の積層セラミック基板の一方の面と第1の接着層の
一方の面とを接合する工程と、配線基板の一方の面と第
1の接着層の他方の面とを接合する工程と、第2の積層
セラミック基板の一方の面と第2の接着層の一方の面と
を接合する工程と、配線基板の他方の面と第2の接着層
の他方の面とを接合する工程とを含んでもよい。この場
合、第1の積層セラミック基板と第2の積層セラミック
基板とが配線基板を介在させて接着層により接合され
る。
および第2の積層セラミック基板の配線パターンとの電
気的接合のために接着層の一部領域を除去する工程を含
んでもよい。この場合、第1の積層セラミック基板の配
線パターンと第2の積層セラミック基板の配線パターン
とが接着層の除去される領域を介して電気的に接合され
る。
および絶縁性材料のうちいずれか1つを用いてもよく、
第2の材質として、誘電性材料、磁性材料および絶縁性
材料のうちいずれか1つを用いてもよい。この場合、第
1の積層セラミック基板内または第2の積層セラミック
基板内に大きなキャパシタンス成分、インダクタンス成
分または抵抗成分を形成することが可能となり、表面実
装部品であるコンデンサ、インダクタまたは抵抗の部品
数量を減少することができ、小型化の複合積層セラミッ
ク基板を得ることが可能となる。
ミック基板およびその製造方法について図面を参照して
説明する。図1は本発明の第1の実施の形態における複
合積層セラミック基板を示す模式的斜視図である。
ラミックからなる積層セラミック基板(以下、誘電体積
層セラミック基板と呼ぶ)11、磁性体セラミックから
なる積層セラミック基板(以下、磁性体積層セラミック
基板と呼ぶ)13およびポリイミド等の熱硬化型樹脂か
らなる接着層15から構成されている。この複合積層セ
ラミック基板10においては、誘電体積層セラミック基
板11および磁性体積層セラミック基板13が、接着層
15を介して接合されている。
誘電体セラミックからなるグリーンシートを複数枚積層
し焼成したものであり、磁性体積層セラミック基板と
は、磁性体セラミックからなるグリーンシートを複数枚
積層し焼成したものである。
セラミック原料粉末等を混合および混練し、シート状に
加工して乾燥させたものである。また、混合および混練
させた状態はスラリーと呼ばれ、スラリーには、例えば
原料粉末が100とすると溶剤が50〜70、バインダ
ーが8〜10、分散剤が0.5〜1.0、可塑剤が3〜
5の割合で配合されている。
合積層セラミック基板10が、誘電体積層セラミック基
板11および磁性体積層セラミック基板13を含む場合
について説明しているが、これに限定されず、誘電体積
層セラミック基板11または磁性体積層セラミック基板
13の代わりに絶縁体セラミックからなる積層セラミッ
ク基板(以下、絶縁体積層セラミック基板と呼ぶ)を用
いてもよい。ここで、絶縁体積層セラミック基板とは、
絶縁体セラミックからなるグリーンシートを複数枚積層
し焼成したものである。
の製造方法について説明する。図2(a),(b),
(c)は本発明の第1の実施の形態における複合積層セ
ラミック基板の製造方法を示す模式的斜視図である。
ラミックからなるグリーンシート11A〜11Cに、ス
クリーン印刷により所定の配線パターン12A〜12C
をそれぞれ形成する。グリーンシート11A〜11C
は、例えばチタン酸バリウム(比誘電率1400)から
なる。また、磁性体セラミックからなるグリーンシート
13A〜13Cに、スクリーン印刷により所定の配線パ
ターン14A〜14Cを形成する。グリーンシート13
A〜13Cは、例えばNiZnフェライト(初透磁率>
70、磁束密度>0.2T)からなる。
シート11A〜11Cを積層し、800℃〜1600℃
の温度で一括焼成し、誘電体積層セラミック基板11を
形成する。またグリーンシート13A〜13Cを積層
し、800℃〜1600℃の温度で一括焼成し、磁性体
積層セラミック基板13を形成する。
層セラミック基板13の上面にポリイミド等の熱硬化型
樹脂からなる接着剤を塗布し、接着層15を形成する。
この接着層15の詳細な形成方法は後述する。ここで、
磁性体積層セラミック基板13の上面に接着剤を塗布し
ているが、誘電体積層セラミック基板11の下面に接着
剤を塗布してもよい。
積層セラミック基板11および磁性体積層セラミック基
板13を接着層15を介して重ね合わせて約200℃の
温度で加熱および加圧し、図1に示した複合積層セラミ
ック基板10を形成する。
10の接着層15の詳細な形成方法を示す模式的断面図
である。
ン印刷により所定の配線パターン14Aが形成された磁
性体積層セラミック基板13の上面に感光性ポリイミド
等の熱硬化型樹脂からなる接着剤15aを塗布する。次
に、図3(b)に示すように、配線パターン14Aに対
向する位置に開口37を有するマスク39を介して、紫
外線38を接着剤15aに向けて照射して露光を行う。
15aを現像することにより、配線パターン14A上の
接着剤15aを除去する。それにより、接着層15が形
成される。次に、図3(d)に示すように、磁性体積層
セラミック基板13上に接着層15を介して誘電体積層
セラミック基板11を重ね合わせる。そして、図3
(e)に示すように、180℃〜200℃の温度で加熱
および加圧することにより、複合積層セラミック基板1
0を形成する。
ミック基板13に対して接着層15を形成する方法につ
いて説明しているが、接着層15を形成するのは磁性体
積層セラミック基板13に限定されず、誘電体積層セラ
ミック基板11または絶縁体積層セラミック基板を用い
る場合はその接合面に接着層15を形成してもよい。
誘電体セラミックからなるグリーンシート11A〜11
Cに形成された配線パターン12A〜12Cが、主にキ
ャパスタンス成分を主体とする回路を構成する。また、
磁性体セラミックからなるグリーンシート13A〜13
Cに形成された配線パターン14A〜14Cが主にイン
ダクタンス成分を主体とする回路を構成する。このよう
にして、キャパシタンスの値およびインダクタンスの値
を広い範囲で得ることが可能となる。したがって、表面
実装部品であるコンデンサまたはインダクタの部品数量
を減少させることができ、高周波回路部品の小型化が可
能となる。
ミック基板10においては、誘電体積層セラミック基板
11および磁性体積層セラミック基板13を200℃の
温度以下で硬化可能な接着層15を用いて接合している
ため、異種材料の一括焼成時に発生する基板の撓みを抑
制することが可能となる。それにより、各グリーンシー
ト11A〜11C,13A〜13Cの層間のずれが抑制
され、配線ずれによる電気的な抵抗の増加が防止され
る。その結果、複合積層セラミック基板10の回路特性
の向上が可能となる。
1A〜11Bおよび13A〜13Cをそれぞれ接合強度
の高い高温焼成により接合しているので、図11に示す
ように各々単体のセラミック基板を重ね合わせる毎に接
着層を介在させる方法と比較して、複合積層セラミック
基板10の強度の向上が可能となる。
3をそれぞれ同時に形成した後、これらの積層セラミッ
ク基板11,13を接着層15を介して接合することに
より、複合積層セラミック基板10が形成されるので工
程数が少なくなる。そのため、複数の積層セラミック基
板および複数の接着層を接合する製造工程と比較して、
製造時間および製造コストが低減される。
複合積層セラミック基板を示す模式的斜視図である。
層セラミック基板11、磁性体積層セラミック基板13
およびプリプレグ基板27から構成されている。ここ
で、プリプレグ基板27とは、ポリイミド等の熱硬化型
樹脂からなるワニス層25を両面に備えたプリント配線
基板17のことである。この複合積層セラミック基板2
0においては、誘電体積層セラミック基板11および磁
性体積層セラミック基板13が、ワニス層25を備えた
プリプレグ基板27を介して接合されている。
合積層セラミック基板20が誘電体積層セラミック基板
11および磁性体積層セラミック基板13を含む場合に
ついて説明しているが、これに限定されず、誘電体積層
セラミック基板11または磁性体積層セラミック基板1
3の代わりに絶縁体積層セラミック基板を用いてもよ
い。
の製造方法について説明する。図5(a),(b),
(c),(d)は本発明の第2の実施の形態における複
合積層セラミック基板の製造方法を示す模式的斜視図で
ある。
ラミックからなるグリーンシート11A〜11Cに、ス
クリーン印刷により所定の配線パターン12A〜12C
をそれぞれ形成する。グリーンシート11A〜11C
は、例えばチタン酸バリウム(比誘電率1400)から
なる。また、磁性体セラミックからなるグリーンシート
13A〜13Cに、スクリーン印刷により所定の配線パ
ターン14A〜14Cを形成する。グリーンシート13
A〜13Cは、例えばNiZnフェライト(初透磁率>
70、磁束密度>0.2T)からなる。
ーンシート11A〜11Cを積層し、800℃〜160
0℃の温度で一括焼成し、誘電体積層セラミック基板1
1を形成する。また、グリーンシート13A〜13Cを
積層し、800℃〜1600℃の温度で一括焼成し、磁
性体積層セラミック基板13を形成する。また、プリン
ト配線基板17の両面に、スクリーン印刷により所定の
配線パターン26を形成する。配線パターン26は、誘
電体積層セラミック基板11の所定の配線パターンと磁
性体積層セラミック基板13の所定の配線パターンとが
電気的に接続されるように形成される。そして、配線パ
ターン26が形成されたプリント配線基板17の両面
に、例えばポリイミド等の熱硬化型樹脂からなるワニス
層25を形成し、プリプレグ基板27を形成する。この
ワニス層25の詳細な形成方法は後述する。
積層セラミック基板11および磁性体積層セラミック基
板13をプリプレグ基板27を介して重ね合わせて約2
00℃の温度で加熱および加圧し、図4に示した複合積
層セラミック基板20を形成する。
20のプリプレグ基板27の詳細な形成方法を示す模式
的断面図である。
ン印刷により所定の配線パターン12A〜12Cが形成
された誘電体グリーンシート11A〜11Cを積層し焼
成して誘電体積層セラミック基板11を形成する。
クリーン印刷により誘電体積層セラミック基板11Cに
形成された配線パターン12Cと磁性体積層セラミック
基板13に形成された配線パターン14Aとを電気的に
接続する配線パターン26を形成する。そして、所定の
配線パターン26が形成されたプリント配線基板17の
両面に感光性ポリイミド等の熱硬化型樹脂からなるワニ
スを塗布し、図3に示した接着層15の形成方法と同様
に、露光および現像を行い、配線パターン26上のワニ
スを除去し、プリント配線基板17の両面にワニス層2
5を形成することによりプリプレグ基板27を形成す
る。
ターン14A〜14Cが形成された磁性体グリーンシー
ト13A〜13Cを積層し焼成して誘電体積層セラミッ
ク基板13を形成する。
層セラミック基板11および磁性体積層セラミック基板
13の間にプリプレグ基板27を介して重ね合わせる。
そして、180〜200℃の温度で加熱および加圧する
ことにより、複合積層セラミック基板20を形成する。
誘電体セラミックからなるグリーンシート11A〜11
Cに形成された配線パターン12A〜12Cが、主にキ
ャパスタンス成分を主体とする回路を構成する。また、
磁性体セラミックからなるグリーンシート13A〜13
Cに形成された配線パターン14A〜14Cが主にイン
ダクタンス成分を主体とする回路を構成する。このよう
にして、キャパシタンスの値およびインダクタンスの値
を広い範囲で得ることが可能となる。したがって、表面
実装部品であるコンデンサまたはインダクタの部品数量
を減少させることができ、高周波回路部品の小型化が可
能となる。
ミック基板20においては、誘電体積層セラミック基板
11および磁性体積層セラミック基板13を、200℃
の温度で硬化可能なプリプレグ基板27に形成されたワ
ニス層25を用いて接合しているため、異種材料の一括
焼成時に発生する基板の撓みを抑制することが可能とな
る。それにより、各グリーンシート11A〜11C,1
3A〜13Cの層間のずれが抑制され、配線ずれによる
電気的な抵抗の増加が防止される。その結果、複合積層
セラミック基板20の回路特性の向上が可能となる。
1A〜11Bおよび13A〜13Cをそれぞれ接合強度
の高い高温焼成により接合しているので、図11に示す
ように各々単一のセラミック基板を重ね合わせる毎に接
着層を介在させる方法と比較して、複合積層セラミック
基板20の強度の向上が可能となる。
3をそれぞれ同時に形成した後、これらの積層セラミッ
ク基板11、13をプリプレグ基板27に形成された接
着層15を介して接合することにより、複合積層セラミ
ック基板20が形成されるので工程数が少なくなる。そ
のため、複数の積層セラミック基板および複数の接着層
を接合する製造工程と比較して、製造時間および製造コ
ストが低減される。
ミック基板11または磁性体積層セラミック基板13の
うちいずれかが第1の積層セラミック基板または第2の
積層セラミック基板に相当する。また、プリプレグ基板
27が配線基板に相当する。
ック基板の積層数を3層として例示しているが、この積
層数に限定されない。
ラミック基板を示す模式的斜視図である。
ラミック基板の製造方法を示す模式的斜視図である。
詳細な形成方法を示す模式的断面図である。
ラミック基板を示す模式的斜視図である。
ラミック基板の製造方法を示す模式的斜視図である。
グ基板の詳細な形成方法を示す模式的断面図である。
式的斜視図である。
ラミック基板を複合させる製造方法を示す模式的斜視図
である。
焼成状態を示す模式的断面図である。
磁性体積層セラミック基板の接合部を拡大した図であ
る。
を防止する製造方法を示す模式的斜視図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 所定の配線パターンを有しかつ第1の材
質からなる複数のグリーンシートを焼成して一体的に形
成された第1の積層セラミック基板と、 所定の配線パターンを有しかつ前記第1の材質とは異な
る第2の材質からなる複数のグリーンシートを焼成して
一体的に形成された第2の積層セラミック基板とが、 接着層を介して接合されたことを特徴とする複合積層セ
ラミック基板。 - 【請求項2】 前記第1の積層セラミック基板の一方の
面が前記接着層の一方の面に接合され、 前記第2の積層セラミック基板の一方の面が前記接着層
の他方の面に接合されたことを特徴とする請求項1記載
の複合積層セラミック基板。 - 【請求項3】 前記接着層は、第1の接着層および第2
の接着層からなり、前記第1の接着層と前記第2の接着
層との間に配線基板が挿入され、 前記第1の積層セラミック基板の一方の面が前記第1の
接着層の一方の面に接合され、前記配線基板の一方の面
が前記第1の接着層の他方の面に接合され、 前記第2の積層セラミック基板の一方の面が前記第2の
接着層の一方の面に接合され、前記配線基板の他方の面
が前記第2の接着層の他方の面に接合されたことを特徴
とする請求項1記載の複合積層セラミック基板。 - 【請求項4】 前記第1の積層セラミック基板の配線パ
ターンおよび前記第2の積層セラミック基板の配線パタ
ーンとの電気的接合のために前記接着層の一部領域が除
去されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記
載の複合積層セラミック基板。 - 【請求項5】 前記第1の材質は、誘電性材料、磁性材
料および絶縁性材料のうちいずれか1つを含み、 前記第2の材質は、誘電性材料、磁性材料および絶縁性
材料のうちいずれか1つを含むことを特徴とする請求項
1〜4に記載する複合積層セラミック基板。 - 【請求項6】 所定の配線パターンを有しかつ第1の材
質からなる複数のグリーンシートを積層して焼成し、第
1の積層セラミック基板を一体的に形成する工程と、 所定の配線パターンを有しかつ前記第1の材質とは異な
る第2の材質からなる複数のグリーンシートを積層して
焼成し、第2の積層セラミック基板を一体的に形成する
工程と、 前記第1の積層セラミック基板と前記第2の積層セラミ
ック基板とを前記接着層を介して接合する工程とを含む
ことを特徴とする複合積層セラミック基板の製造方法。 - 【請求項7】 前記接着層を介して接合する工程は、 前記第1の積層セラミック基板の一方の面を前記接着層
の一方の面に接合し、かつ前記第2の積層セラミック基
板の一方の面を前記接着層の他方の面に接合する工程を
含むことを特徴とする請求項6記載の複合積層セラミッ
ク基板の製造方法。 - 【請求項8】 前記接着層は第1および第2の接着層を
含み、 前記接着層を介して接合する工程は、 前記第1の接着層と前記第2の接着層との間に配線基板
を挿入する工程と、 前記第1の積層セラミック基板の一方の面と前記第1の
接着層の一方の面とを接合する工程と、 前記配線基板の一方の面と前記第1の接着層の他方の面
とを接合する工程と、 前記第2の積層セラミック基板の一方の面と前記第2の
接着層の一方の面とを接合する工程と、 前記配線基板の他方の面と前記第2の接着層の他方の面
とを接合する工程とを含むことを特徴とする請求項6記
載の複合積層セラミック基板の製造方法。 - 【請求項9】 前記第1の積層セラミック基板の配線パ
ターンおよび前記第2の積層セラミック基板の配線パタ
ーンとの電気的接合のために前記接着層の一部領域を除
去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項6〜
8のいずれかに記載の複合積層セラミック基板の製造方
法。 - 【請求項10】 前記第1の材質として誘電性材料、磁
性材料および絶縁性材料のうちいずれか1つを用い、前
記第2の材質として、誘電性材料、磁性材料および絶縁
性材料のうちいずれか1つを用いることを特徴とする請
求項6〜9に記載する複合積層セラミック基板の製造方
法。
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