JP2002203833A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JP2002203833A JP2002203833A JP2000399549A JP2000399549A JP2002203833A JP 2002203833 A JP2002203833 A JP 2002203833A JP 2000399549 A JP2000399549 A JP 2000399549A JP 2000399549 A JP2000399549 A JP 2000399549A JP 2002203833 A JP2002203833 A JP 2002203833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reaction chamber
- gas
- cleaning
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものであり、さらに詳しくは、製造コスト
を低くすることができるとともに、装置稼働率も高める
ことのできる半導体装置の製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the manufacturing cost and increasing the operation rate of the device. It is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】次世代ＤＲＡＭキャパシタ電極の候補で
あるＲｕまたはＲｕＯ2の成膜についてはスパッタリン
グによる成膜が技術的に確立しており、研究レベルでは
多く使用されている。しかし、この方式では被覆段差性
に劣るため、量産プロセスには被覆段差性の優れた熱Ｃ
ＶＤ法の適用が望まれており、開発が盛んに行われてい
る。熱ＣＶＤ法において、成膜用の原料は、一般的に有
機金属の液体や有機金属の粉末を溶媒に溶解した溶液の
形態であり、これらは気化器やバブリングにより気化さ
れ、基板上に供給される。なお原料としては、ビスエチ
ルシクロペンタジエニルルテニウム（Ｒｕ（Ｃ2Ｈ5Ｃ5
Ｈ4）2）が例示される。 2. Description of the Related Art Sputtering of Ru or RuO 2 , which is a candidate for a next-generation DRAM capacitor electrode, has been technically established and is widely used at the research level. However, since this method is inferior in the coating step property, the thermal C having excellent coating step property is used in the mass production process.
The application of the VD method is desired, and development is being actively carried out. In the thermal CVD method, a raw material for film formation is generally in the form of a solution in which an organic metal liquid or an organic metal powder is dissolved in a solvent, and these are vaporized by a vaporizer or bubbling and supplied onto a substrate. You. As a raw material, bisethylcyclopentadienyl ruthenium (Ru (C 2 H 5 C 5
H 4 ) 2 ) is exemplified.
【０００３】しかしながら、例えばビスエチルシクロペ
ンタジエニルルテニウムを用いて熱ＣＶＤ法により基板
上にＲｕまたはＲｕＯ2膜を成膜した場合、基板周辺の
部材、例えば基板ホルダにもＲｕ又はＲｕＯ2膜が堆積
し、成膜を継続するとこの膜が剥がれ、基板上のパーテ
ィクル形成の原因となり、製造歩留まりの低下を招くと
いう問題点がある。さらに、パーティクルが発生すると
製造装置の稼動を停止し、膜が堆積した部品を新品に交
換したり、ウエット洗浄を行う必要がある。これにより
装置稼働率は低下し、量産性に乏しくなるという問題点
もある。However, when a Ru or RuO 2 film is formed on a substrate by thermal CVD using, for example, bisethylcyclopentadienyl ruthenium, a Ru or RuO 2 film is also formed on a member around the substrate, for example, a substrate holder. When deposition and film formation are continued, this film is peeled off, causing particles to be formed on the substrate, resulting in a problem of lowering the production yield. Further, when particles are generated, it is necessary to stop the operation of the manufacturing apparatus, replace the component on which the film is deposited with a new one, or perform wet cleaning. As a result, there is also a problem that the operation rate of the apparatus is reduced and mass productivity is poor.
【０００４】したがって、上記のような問題点の対応と
しては反応室内をクリーニングし、堆積した膜を除去す
る必要がある。反応室内に堆積したＲｕ膜またはＲｕＯ
2膜のクリーニング法としては、ドライクリーニング法
およびウエットクリーニング法がある。ドライクリーニ
ング法としては、例えば酸素と塩素ガスを用いるプラズ
マエッチング法（特開平８−７８３９６号公報）や、Ｃ
ｌＦ3ガスを用いるプラズマエッチング法（特開２００
０−５８５２９号公報）が挙げられる。しかしながら、
前者の方法はＲｕ膜のエッチングレートが低く、反応室
内に堆積したμｍオーダーの膜を除去するにはエッチン
グ時間が長くなり、製造効率が悪いという欠点がある。
また、前者および後者に共通の欠点として、プラズマ機
能を熱ＣＶＤ装置に付加することによる製造コストの増
大が挙げられる。一方、ウエットクリーニング法は、反
応室内を大気開放する必要があり、ヒータの昇降温に時
間を要し、装置稼働率が低下するという欠点がある。な
お、製造装置の稼動を停止し、膜が堆積した部品を新品
に交換する方法も同様の欠点がある。Therefore, as a solution to the above problems, it is necessary to clean the reaction chamber and remove the deposited film. Ru film or RuO deposited in reaction chamber
The two- layer cleaning method includes a dry cleaning method and a wet cleaning method. Examples of the dry cleaning method include a plasma etching method using oxygen and chlorine gas (Japanese Patent Laid-Open No. 8-78396),
Plasma etching method using IF 3 gas
0-58529). However,
The former method has the disadvantage that the etching rate of the Ru film is low, the etching time is long in order to remove a μm-order film deposited in the reaction chamber, and the manufacturing efficiency is poor.
Further, a drawback common to the former and the latter is that the production cost is increased by adding a plasma function to a thermal CVD apparatus. On the other hand, the wet cleaning method has a drawback that the reaction chamber needs to be opened to the atmosphere, it takes time to raise and lower the temperature of the heater, and the operation rate of the apparatus is reduced. It should be noted that the method of stopping the operation of the manufacturing apparatus and replacing the component on which the film is deposited with a new one has the same disadvantage.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、製造コストを低くすることができるとともに、装
置稼働率も高めることのできる半導体装置の製造方法を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the manufacturing cost and increasing the operation rate of the device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室内で基
板上にＲｕを含む膜を形成する成膜工程と、前記反応室
内にＣｌＦ3ガスを流し、前記成膜工程において反応室
内に付着した前記膜を除去するクリーニング工程と、前
記クリーニング工程後、クリーニング時の圧力よりも低
い圧力で前記反応室内をパージするパージ工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するも
のである。この構成によれば、製造コストを低くするこ
とができるとともに、装置稼働率も高めることができ
る。According to the present invention, there is provided a film forming step of forming a film containing Ru on a substrate in a reaction chamber, and flowing a ClF 3 gas into the reaction chamber and depositing the film in the reaction chamber in the film forming step. And a purging step of purging the reaction chamber at a pressure lower than the pressure at the time of cleaning after the cleaning step. is there. According to this configuration, the manufacturing cost can be reduced, and the operation rate of the apparatus can be increased.
【０００７】また本発明は、前記低い圧力とは１３３Ｐ
ａ（１Ｔｏｒｒ）以下であることを特徴とする前記の製
造方法を提供するものである。この構成によれば、製造
コストを低くすることができるとともに、装置稼働率も
一層高めることができる。In the present invention, the low pressure is 133 P
a (1 Torr) or less. According to this configuration, the manufacturing cost can be reduced, and the device operation rate can be further increased.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１は、本発明で利用可能な熱ＣＶＤ装置の一例を説明
するための図である。図１において、１は基板、２はゲ
ート弁、３は基板ホルダ、４は反応室、５は原料ガス配
管、６は排気配管、７はＣｌＦ3配管である。本発明に
おける成膜工程は、例えば次のようにして行われる。基
板１が搬送ロボット（図示せず）によりゲート弁２を通
ってヒータを備えた基板ホルダ３上に設置される。次
に、基板１をヒータ昇降装置により所定の位置まで上昇
させ、一定時間加熱し、反応室４内の圧力を所望の値に
安定させた後、Ｒｕ液体原料を気化したＲｕ原料ガスお
よび酸素を含む原料ガスを原料ガス配管５から導入し、
排気配管６から排気し、基板に対し、Ｒｕを含む膜（Ｒ
ｕ膜又はＲｕＯ2膜）の成膜を行う。なお、反応室４内
の温度、圧力、酸素流量およびＲｕ原料流量の制御は、
それぞれ図示しない温度制御手段、圧力制御手段、酸素
流量制御手段、Ｒｕ液体原料流量制御手段により制御す
る。成膜工程が完了すると搬送ロボットにより基板１を
反応室４の外部に搬出する。本発明において成膜工程条
件はとくに制限されないが、例えば温度２９０〜３３０
℃、圧力６７〜１３３３Ｐａ、Ｒｕ流量０．０１〜０．
１ｓｃｃｍ、酸素流量５〜２００ｓｃｃｍがよい。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a view for explaining an example of a thermal CVD apparatus that can be used in the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is a gate valve, 3 is a substrate holder, 4 is a reaction chamber, 5 is a source gas pipe, 6 is an exhaust pipe, and 7 is a ClF 3 pipe. The film forming step in the present invention is performed, for example, as follows. The substrate 1 is set on a substrate holder 3 provided with a heater by a transfer robot (not shown) through a gate valve 2. Next, the substrate 1 is raised to a predetermined position by a heater raising and lowering device, heated for a certain period of time, and the pressure in the reaction chamber 4 is stabilized at a desired value. Containing raw material gas is introduced from the raw material gas pipe 5,
The gas is exhausted from the exhaust pipe 6 and the film containing Ru (R
(a u film or a RuO 2 film). The temperature, pressure, oxygen flow rate and Ru raw material flow rate in the reaction chamber 4 are controlled as follows.
These are controlled by temperature control means, pressure control means, oxygen flow rate control means, and Ru liquid raw material flow rate control means (not shown). When the film forming process is completed, the substrate 1 is carried out of the reaction chamber 4 by the transfer robot. In the present invention, the film forming process conditions are not particularly limited.
° C, pressure 67-1333 Pa, Ru flow rate 0.01-0.
1 sccm and an oxygen flow rate of 5 to 200 sccm are preferable.
【０００９】このような成膜工程を継続すると、基板１
周辺の部材、例えば基板ホルダ３や反応室４内壁にもＲ
ｕを含む膜（以下、単にＲｕ膜という）が堆積し、ある
膜厚を超えると膜のストレスにより剥がれが生じ、これ
が原因で発生したパーティクルが基板上に付着し、製造
歩留まりの低下を招く。そこで反応室内をクリーニング
し、堆積したＲｕ膜を除去する必要があるが、本発明の
クリーニング工程においては、反応室内にＣｌＦ3ガス
を流し、ノンプラズマによるＲｕ膜を除去する。熱化学
反応を用いることにより、プラズマ化学反応を用いる場
合に生じる下記の問題点を解消することができ、その効
果は絶大である。 （１）プラズマ化学反応を用いる場合、既存のハード構
成にプラズマ機能を付加する必要があり、このため、電
極部の絶縁や高周波に対するシールドの対策が必要とな
り、製造コストが増大する。 （２）プラズマ発生分布の偏りにより、プラズマの届か
ない部分はエッチングが進行せず、膜残部が生じたり、
プラズマが局所的に集中する箇所ではチャンバに大きな
ダメージを与え、腐食が加速する。 また、本発明でいうＲｕ膜は、温度、圧力、ガス流量な
どの成膜条件により、Ｒｕ膜、ＲｕＯ2膜、Ｒｕ膜とＲ
ｕＯ2膜との混在する膜、あるいはＲｕＯ2膜とＲｕ膜と
の積層膜の形態になることがある（特願２０００−９９
７５４号）。When such a film forming process is continued, the substrate 1
The peripheral members such as the substrate holder 3 and the inner wall of the reaction chamber 4 also
A film containing u (hereinafter simply referred to as a Ru film) is deposited. If the film thickness exceeds a certain thickness, the film is peeled off due to the stress of the film, and particles generated due to the film adhere to the substrate, thereby lowering the production yield. Therefore, it is necessary to clean the reaction chamber to remove the deposited Ru film. In the cleaning step of the present invention, a ClF 3 gas is flowed into the reaction chamber to remove the Ru film by non-plasma. By using a thermochemical reaction, the following problems that occur when using a plasma chemical reaction can be solved, and the effect is enormous. (1) When a plasma chemical reaction is used, it is necessary to add a plasma function to an existing hardware configuration, and therefore, it is necessary to take measures for insulating the electrode portion and shielding against high frequencies, which increases the manufacturing cost. (2) Due to the bias of the distribution of plasma generation, etching does not proceed in a portion where plasma does not reach, resulting in remaining film,
At locations where plasma is locally concentrated, the chamber is greatly damaged, and corrosion is accelerated. Also, Ru film in the present invention, temperature, pressure, the deposition conditions such as gas flow rate, Ru film, RuO 2 film, Ru film and R
It may be in the form of a film mixed with a uO 2 film or a laminated film of a RuO 2 film and a Ru film (Japanese Patent Application No. 2000-99).
754).
【００１０】クリーニング工程において、ＣｌＦ3ガス
は、反応室４内温度３００〜５００℃かつ圧力６６５〜
６６５０Ｐａの条件下で導入するのが好ましい。また、
ＣｌＦ3ガス流量は、５００〜２０００ｓｃｃｍが好ま
しい。また、Ｎ2ガスも同時に供給するのが好ましく、
例えばＮ2ガス流量は、５００〜２０００ｓｃｃｍが好
ましい。In the cleaning step, ClF 3 gas is supplied to the reaction chamber 4 at a temperature of 300 to 500 ° C. and a pressure of 665 to 665.
It is preferably introduced under the condition of 6650 Pa. Also,
The flow rate of the ClF 3 gas is preferably from 500 to 2000 sccm. Also, it is preferable to simultaneously supply N 2 gas,
For example, the N 2 gas flow rate is preferably 500 to 2000 sccm.
【００１１】図２は、Ｒｕ膜またはＲｕＯ2膜に対する
ＣｌＦ3ガスのエッチングレートの温度依存性を示す図
である。図２から、ＣｌＦ3ガスを用いればＲｕ膜およ
びＲｕＯ2膜のいずれもエッチング可能であることが分
かる。また、エッチングレートは温度上昇に伴い増加す
ることも分かる。なお、図２の実験条件は、圧力９３１
Ｐａ（７Ｔｏｒｒ）、ＣｌＦ3ガス流量５００ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2ガス流量１０００ｓｃｃｍである。FIG. 2 is a diagram showing the temperature dependence of the etching rate of the ClF 3 gas with respect to the Ru film or the RuO 2 film. From FIG. 2, it can be seen that both the Ru film and the RuO 2 film can be etched by using the ClF 3 gas. It can also be seen that the etching rate increases with increasing temperature. Note that the experimental conditions in FIG.
Pa (7 Torr), ClF 3 gas flow rate 500scc
m, N 2 gas flow rate is 1000 sccm.
【００１２】なお、クリーニング工程における反応室４
内の圧力を、成膜時よりも高い圧力とすれば、成膜時温
度のままでＲｕ膜のエッチングレートを一層高めること
ができ好ましい。The reaction chamber 4 in the cleaning step
It is preferable that the internal pressure be higher than that at the time of film formation because the etching rate of the Ru film can be further increased while maintaining the film formation temperature.
【００１３】図３は、クリーニング工程およびパージ工
程の実施手順（１１〜１６）をヒータ温度と排気配管温
度（それぞれヒータ温度）との関係において説明するた
めの図である。まず、工程１１において排気配管６に備
えられたヒータをオフにし、反応室４内をＮ2パージ
し、残存する原料ガスを排気する。排気配管６に備えら
れたヒータをオフにする理由は、ＣｌＦ3ガスによる配
管の腐食を防止するためである。この防止効果を得るに
は、配管温度を１００℃以下に下げるのが好ましい。な
お、半導体製造装置における排気ラインに設けられたト
ラップ内に溜まったＲｕ成分、例えばビスエチルシクロ
ペンタジエニルルテニウム（Ｒｕ（Ｃ2Ｈ5Ｃ5Ｈ4）2）
とＣｌＦ3ガスとの反応による強酸物質の生成を避ける
ために、トラップを工程１１において交換するのが好ま
しい。もしくは、トラップを回避するバイパス排気ライ
ンを設けておき、クリーニング時に排気ラインを切り換
えてトラップを回避するようＣｌＦ3ガスを排気しても
よい。もしくは成膜工程用排気ラインとクリーニング工
程用排気ラインとを別々に設けておき、排気ラインを成
膜工程と、クリーニング工程とで切り換えるようにして
もよい。次に工程１２において、基板ホルダ３内のヒー
タ温度を上昇させ、最も膜が付着する基板周辺部の温度
を成膜温度３００℃程度から、クリーニング温度４００
℃程度まで昇温する。次に工程１３において、反応室４
内を所望の圧力まで真空排気およびＮ2パージする。続
いて工程１４において、反応室４内にＣｌＦ3ガスを流
し、成膜工程において反応室内に付着したＲｕ膜を除去
する。FIG. 3 is a diagram for explaining the procedures (11 to 16) of the cleaning step and the purge step in relation to the heater temperature and the exhaust pipe temperature (each heater temperature). First, in step 11, the heater provided in the exhaust pipe 6 is turned off, the inside of the reaction chamber 4 is purged with N 2, and the remaining source gas is exhausted. The reason why the heater provided in the exhaust pipe 6 is turned off is to prevent corrosion of the pipe due to ClF 3 gas. To obtain this prevention effect, it is preferable to lower the pipe temperature to 100 ° C. or less. Incidentally, accumulated Ru component in the trap provided in an exhaust line of a semiconductor manufacturing apparatus, for example bisethylcyclopentadienyl ruthenium (Ru (C 2 H 5 C 5 H 4) 2)
It is preferred that the trap be replaced in step 11 to avoid the formation of a strong acid substance due to the reaction of the gas with ClF 3 gas. Alternatively, a bypass exhaust line may be provided to avoid the trap, and the exhaust line may be switched during cleaning to exhaust the ClF 3 gas so as to avoid the trap. Alternatively, an exhaust line for the film forming step and an exhaust line for the cleaning step may be separately provided, and the exhaust line may be switched between the film forming step and the cleaning step. Next, in step 12, the temperature of the heater in the substrate holder 3 is raised, and the temperature of the peripheral portion of the substrate where the film is most adhered is increased from the film forming temperature of about 300 ° C. to the cleaning temperature 400 ° C.
Raise the temperature to about ° C. Next, in step 13, the reaction chamber 4
The inside is evacuated and purged with N 2 to a desired pressure. Subsequently, in step 14, a ClF 3 gas is flowed into the reaction chamber 4 to remove the Ru film adhered to the reaction chamber in the film formation step.
【００１４】前記のクリーニング工程に続き、本発明で
はパージ工程を実施する。図３におて、工程１５によ
り、排気配管６に備えられたヒータをオンにし（昇温温
度は、例えば１７０℃である）、反応室４内をクリーニ
ング時の圧力よりも低い圧力でパージする。パージ条件
は、反応室４内温度３００〜３５０℃、圧力１３〜１３
３０Ｐａ、好ましくは１３３Ｐａ以下がよい。また、パ
ージは例えばＮ2ガスを用いるのが好ましい。この場
合、Ｎ2ガス流量は、１００〜２０００ｓｃｃｍが好ま
しい。本発明のパージ工程によれば、低圧でパージを行
うので、残存するＣｌＦ3ガスや蒸気圧の低い副生成
物、とくに排気配管６や反応室４内に付着したＲｕＣｌ
3やＲｕＦ5を気相にすることができ、効率的に除去する
ことができる。パージ工程終了後は、反応室４内からパ
ージに使用した例えばＮ2ガスを排気する。排気後は、
工程１６において、基板ホルダ３内のヒータの温度を下
降させ、クリーニング温度４００℃から成膜温度３００
℃程度まで降温する。その後、通常の製造工程と同様
に、例えばダミー基板に対してプリコートを実施し、特
性を確認する。前記プリコートとは、クリーニング工程
およびパージ工程後の反応室４内の環境をクリーニング
前の成膜工程と同じ条件に復帰させるため、例えばダミ
ーの基板に対して成膜を行うことを意味している。Following the above cleaning step, a purging step is performed in the present invention. In FIG. 3, in step 15, the heater provided in the exhaust pipe 6 is turned on (the temperature rise temperature is, for example, 170 ° C.), and the inside of the reaction chamber 4 is purged with a pressure lower than the pressure at the time of cleaning. . The purge conditions are as follows: the temperature in the reaction chamber 4 is 300 to 350 ° C., the pressure is 13 to 13
The pressure is 30 Pa, preferably 133 Pa or less. It is preferable to use, for example, N 2 gas for purging. In this case, N 2 gas flow rate, 100 to 2,000 is preferable. According to the purging process of the present invention, since the purging is performed at a low pressure, residual ClF 3 gas and by-products having a low vapor pressure, especially RuCl adhering to the exhaust pipe 6 and the reaction chamber 4, are removed.
3 and RuF 5 can be made into a gas phase and can be efficiently removed. After completion of the purging step, for example, N 2 gas used for purging is exhausted from the reaction chamber 4. After exhaust,
In step 16, the temperature of the heater in the substrate holder 3 is lowered, and the film forming temperature 300
Cool down to about ° C. After that, as in the normal manufacturing process, for example, pre-coating is performed on the dummy substrate, and the characteristics are confirmed. The pre-coating means, for example, that a film is formed on a dummy substrate in order to return the environment in the reaction chamber 4 after the cleaning step and the purge step to the same condition as the film forming step before the cleaning. .
【００１５】実施の形態２ 上記の実施の形態１においては、Ｒｕ膜を高いエッチン
グレートで除去するために、成膜時温度よりも高い反応
室内温度でクリーニング工程を実施したが、本実施の形
態２は、反応室内の温度を成膜時とほぼ同じ温度に維持
した状態で反応室内にＣｌＦ3ガスを流す例である。こ
のようにすれば、エッチングレートは多少低くなるもの
の、成膜工程からクリーニング工程にかけて、また続い
てクリーニング工程から成膜工程にかけての反応室内の
温度変更を必要とせず、装置稼働率が高まり好ましい。 Second Embodiment In the first embodiment, in order to remove the Ru film at a high etching rate, the cleaning step is performed at a temperature in the reaction chamber higher than the temperature at the time of film formation. 2 is an example in which a ClF 3 gas is flowed into the reaction chamber while maintaining the temperature in the reaction chamber at substantially the same temperature as during film formation. By doing so, although the etching rate is slightly lowered, it is not necessary to change the temperature in the reaction chamber from the film forming step to the cleaning step, and subsequently from the cleaning step to the film forming step, and the operation rate of the apparatus is increased, which is preferable.
【００１６】図４は、本実施の形態２におけるクリーニ
ング工程の実施手順（２１〜２４）をヒータ温度との関
係において説明するための図である。まず、工程２１に
おいて反応室４内をＮ2パージし、残存する原料ガスを
排気する。このときも実施の形態１と同様に、トラップ
を交換することが好ましい。もしくは、トラップを回避
するバイパス排気ラインを設けておき、クリーニング時
に排気ラインを切り換えてトラップを回避するようＣｌ
Ｆ3ガスを排気してもよい。もしくは成膜工程用排気ラ
インとクリーニング工程用排気ラインとを別々に設けて
おき、排気ラインを成膜工程と、クリーニング工程とで
切り換えるようにしてもよい。次に工程２２において、
反応室４内を所望の圧力まで真空排気およびＮ2パージ
するとともに反応室４内にＣｌＦ3ガスを流し、成膜工
程において反応室内に付着したＲｕ膜を除去する。次に
工程２３において、反応室４内をクリーニング時の圧力
よりも低い圧力でＮ2パージし、残存するＣｌＦ3ガスや
副生成物を排気する。排気後は、工程２４において、通
常の製造工程と同様に、例えばダミー基板に対してプリ
コートを実施し、特性を確認する。FIG. 4 is a view for explaining the procedure (21 to 24) of the cleaning step in the second embodiment in relation to the heater temperature. First, in step 21, the inside of the reaction chamber 4 is purged with N 2, and the remaining source gas is exhausted. At this time, it is preferable to replace the trap as in the first embodiment. Alternatively, a bypass exhaust line for avoiding a trap is provided, and the exhaust line is switched during cleaning so as to avoid the trap.
The F 3 gas may be exhausted. Alternatively, an exhaust line for the film forming step and an exhaust line for the cleaning step may be separately provided, and the exhaust line may be switched between the film forming step and the cleaning step. Next, in step 22,
The inside of the reaction chamber 4 is evacuated to a desired pressure and purged with N 2 , and a ClF 3 gas is flown into the reaction chamber 4 to remove the Ru film adhered to the reaction chamber in the film forming process. Next, in step 23, the inside of the reaction chamber 4 is purged with N 2 at a pressure lower than the pressure at the time of cleaning, and the remaining ClF 3 gas and by-products are exhausted. After the evacuation, in step 24, for example, a pre-coating is performed on the dummy substrate in the same manner as in a normal manufacturing process to check the characteristics.
【００１７】なお、クリーニング工程またはパージ工程
における温度、圧力、ＣｌＦ3ガス流量、Ｎ2流量の制御
は、それぞれ図示しない温度制御手段、圧力制御手段、
ＣｌＦ3ガス流量制御手段、Ｎ2流量制御手段により制御
する。The temperature, pressure, ClF 3 gas flow rate, and N 2 flow rate in the cleaning step or the purge step are controlled by temperature control means, pressure control means (not shown), respectively.
It is controlled by ClF 3 gas flow rate control means and N 2 flow rate control means.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、製造コストを低くする
ことができるとともに、装置稼働率も高めることのでき
る半導体装置の製造方法が提供される。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the manufacturing cost and increasing the operation rate of the device.
【図１】本発明で利用可能な熱ＣＶＤ装置の一例を説明
するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an example of a thermal CVD apparatus that can be used in the present invention.
【図２】Ｒｕ膜またはＲｕＯ2膜に対するＣｌＦ3ガスの
エッチングレートの温度依存性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the temperature dependence of the etching rate of a ClF 3 gas with respect to a Ru film or a RuO 2 film.
【図３】実施の形態１におけるクリーニング工程および
パージ工程の実施手順を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining an execution procedure of a cleaning step and a purging step in the first embodiment.
【図４】実施の形態２におけるクリーニング工程および
パージ工程の実施手順を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an execution procedure of a cleaning step and a purging step in a second embodiment.
１ 基板 ２ ゲート弁 ３ 基板ホルダ ４ 反応室 ５ 原料ガス配管 ６ 排気配管 ７ ＣｌＦ3配管DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Gate valve 3 Substrate holder 4 Reaction chamber 5 Raw material gas piping 6 Exhaust piping 7 ClF 3 piping
Claims (2)
する成膜工程と、前記反応室内にＣｌＦ3ガスを流し、
前記成膜工程において反応室内に付着した前記膜を除去
するクリーニング工程と、前記クリーニング工程後、ク
リーニング時の圧力よりも低い圧力で前記反応室内をパ
ージするパージ工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。A film formation step of forming a film containing Ru on a substrate in a reaction chamber; and flowing a ClF 3 gas into the reaction chamber.
A semiconductor, comprising: a cleaning step of removing the film adhering to the reaction chamber in the film forming step; and a purging step of purging the reaction chamber with a pressure lower than a pressure at the time of cleaning after the cleaning step. Device manufacturing method.
ｒｒ）以下であることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の製造方法。2. The low pressure is 133 Pa (1 To
The method according to claim 1, wherein rr) or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000399549A JP2002203833A (en) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000399549A JP2002203833A (en) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203833A true JP2002203833A (en) | 2002-07-19 |
Family
ID=18864313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000399549A Pending JP2002203833A (en) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002203833A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008297605A (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method for producing semiconductor device, and substrate treatment apparatus |
| JP2018166205A (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | セントラル硝子株式会社 | Dry etching method, semiconductor element manufacturing method and chamber cleaning method |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000399549A patent/JP2002203833A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008297605A (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method for producing semiconductor device, and substrate treatment apparatus |
| KR100989028B1 (en) | 2007-05-31 | 2010-10-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JP2018166205A (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | セントラル硝子株式会社 | Dry etching method, semiconductor element manufacturing method and chamber cleaning method |
| JP7053991B2 (en) | 2017-03-28 | 2022-04-13 | セントラル硝子株式会社 | Dry etching method, semiconductor device manufacturing method and chamber cleaning method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100453298B1 (en) | Semiconductor treating apparatus and cleaning method of the same | |
| JP4245012B2 (en) | Processing apparatus and cleaning method thereof | |
| JP7024087B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, program and substrate processing method | |
| JPWO2019229785A1 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs | |
| JP2007531304A5 (en) | ||
| JP2000200779A (en) | Etching method, chemical vapor deposition apparatus, cleaning method thereof and quartz member therefor | |
| KR100755804B1 (en) | Cleaning method of apparatus for depositing Al-containing metal film and Al-containing metal nitride film | |
| US20220251707A1 (en) | Methods of filling recesses on substrate surface, structures formed using the methods, and systems for forming same | |
| US7709276B2 (en) | Manufacturing method of a semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| TW202318535A (en) | Coated substrate support assembly for substrate processing | |
| KR20100031460A (en) | Manufacturing method of ti system film and storage medium | |
| JP4060526B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US7638437B2 (en) | In-situ thin-film deposition method | |
| JP2002203833A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2004047660A (en) | Apparatus and method for forming film | |
| JP4348835B2 (en) | Cleaning method | |
| JP2002285337A (en) | Method for producing semiconductor device | |
| KR20080089902A (en) | Cleaning method of apparatus for depositing carbon containing film | |
| JP4505915B2 (en) | Deposition method | |
| JP2002285336A (en) | Method for producing semiconductor device | |
| KR101416172B1 (en) | Cleaning method for chamber of thin film deposition apparatus | |
| WO2004095555A1 (en) | Method for cleaning heat treatment apparatus | |
| JP4979633B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and cleaning method, and semiconductor device manufacturing apparatus | |
| JP4529261B2 (en) | Removal method, cleaning method and etching method of composite metal oxide film | |
| TW202113933A (en) | Film formation method, film formation apparatus, and method for cleaning treatment vessel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061030 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |