JP2002201029A - 光吸収性透明導電膜およびスパッタリングターゲット - Google Patents
光吸収性透明導電膜およびスパッタリングターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の導電性で光吸収性を備えた反射防止膜
に比べて、光吸収性および抵抗値を目的に応じてコント
ロールでき、反応性ガスを用いる必要がなく、成膜速度
および膜質の再現性が高い直流スパッタリングで製造で
きる光吸収性透明導電膜、および該光吸収性透明導電膜
をスパッタリング法で製造するためのスパッタリングタ
ーゲットを、提供する。 【解決手段】 酸化インジウムを主成分として、ルテニ
ウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範
囲で、ルテニウムを含み、かつスズ／インジウム原子数
比が０．００１〜０．１６３の範囲で、スズを含む。
に比べて、光吸収性および抵抗値を目的に応じてコント
ロールでき、反応性ガスを用いる必要がなく、成膜速度
および膜質の再現性が高い直流スパッタリングで製造で
きる光吸収性透明導電膜、および該光吸収性透明導電膜
をスパッタリング法で製造するためのスパッタリングタ
ーゲットを、提供する。 【解決手段】 酸化インジウムを主成分として、ルテニ
ウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範
囲で、ルテニウムを含み、かつスズ／インジウム原子数
比が０．００１〜０．１６３の範囲で、スズを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面ブラウン管表
面の反射防止フィルムなどに用いられる光吸収性透明導
電膜、および該光吸収性透明導電膜をスパッタリング法
で製造するためのスパッタリングターゲットに関する。
面の反射防止フィルムなどに用いられる光吸収性透明導
電膜、および該光吸収性透明導電膜をスパッタリング法
で製造するためのスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの急速な普及に伴っ
て悪化傾向にある端末オペレータの作業環境を改善する
ために、端末ディスプレイの反射低減や、特にＣＲＴ
（陰極線管）型の端末ディスプレイ表面の帯電防止が要
求されつつある。
て悪化傾向にある端末オペレータの作業環境を改善する
ために、端末ディスプレイの反射低減や、特にＣＲＴ
（陰極線管）型の端末ディスプレイ表面の帯電防止が要
求されつつある。
【０００３】また、最近ではさらに、ＣＲＴディスプレ
イの前面のパネルガラスに対して、コントラスト向上の
ために透過率を低下させることや、人体に悪影響を及ぼ
す極低周波の電磁波を遮蔽することが求められるように
なってきている。
イの前面のパネルガラスに対して、コントラスト向上の
ために透過率を低下させることや、人体に悪影響を及ぼ
す極低周波の電磁波を遮蔽することが求められるように
なってきている。
【０００４】これらの要求に応えるための一つの方法と
して、パネルガラスの表面に導電性の反射防止膜を設け
ている。
して、パネルガラスの表面に導電性の反射防止膜を設け
ている。
【０００５】また、最近では、ＣＲＴディスプレイの平
面化が進み、強度設計上、パネルガラスの中央部と周辺
部には、従来の曲面管の場合と比べて大きな肉厚差が必
須となる。そのため、従来のように透過率の低いガラス
素地を用いてコントラストを稼ぐという手段では、画面
中央部と画面周辺部の輝度が異なってしまう欠点が生ず
るようになってきた。
面化が進み、強度設計上、パネルガラスの中央部と周辺
部には、従来の曲面管の場合と比べて大きな肉厚差が必
須となる。そのため、従来のように透過率の低いガラス
素地を用いてコントラストを稼ぐという手段では、画面
中央部と画面周辺部の輝度が異なってしまう欠点が生ず
るようになってきた。
【０００６】この問題を回避するために、ＣＲＴディス
プレイのパネルガラスには透過率の高い素地が使用さ
れ、その代わりに前記反射防止膜には、光吸収効果によ
るかなり低い透過率が要求されるようになってきた。
プレイのパネルガラスには透過率の高い素地が使用さ
れ、その代わりに前記反射防止膜には、光吸収効果によ
るかなり低い透過率が要求されるようになってきた。
【０００７】導電性で光吸収性を備えた反射防止膜とし
ては、遷移金属の窒化物を用いたものがある。例とし
て、特開平９−１５６９６４号公報に記載されたガラス
／遷移金属窒化膜／透明膜構成を備えたものや、特表平
６−５１０３８２号公報に記載されたガラス／遷移金属
窒化膜／透明膜／遷移金属窒化膜／透明膜構成を備えた
もの等が提案されており、導電性かつ光吸収性の機能を
持った遷移金属窒化膜が使用されている。この遷移金属
窒化膜には、具体的には窒化チタンや窒化ハフニウムが
用いられ、通常、チタンやハフニウムの金属ターゲット
と、窒素及びアルゴンの混合ガスを用いて、反応性スパ
ッタリング法で製造される。
ては、遷移金属の窒化物を用いたものがある。例とし
て、特開平９−１５６９６４号公報に記載されたガラス
／遷移金属窒化膜／透明膜構成を備えたものや、特表平
６−５１０３８２号公報に記載されたガラス／遷移金属
窒化膜／透明膜／遷移金属窒化膜／透明膜構成を備えた
もの等が提案されており、導電性かつ光吸収性の機能を
持った遷移金属窒化膜が使用されている。この遷移金属
窒化膜には、具体的には窒化チタンや窒化ハフニウムが
用いられ、通常、チタンやハフニウムの金属ターゲット
と、窒素及びアルゴンの混合ガスを用いて、反応性スパ
ッタリング法で製造される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、反応性スパッ
タリング法は、窒素反応ガスの混合量や成膜ガス圧、パ
ワー等によって、敏感に成膜速度や膜質が変化するた
め、一定の膜質および一定の膜厚を備えた膜を製造する
ことが容易ではない。
タリング法は、窒素反応ガスの混合量や成膜ガス圧、パ
ワー等によって、敏感に成膜速度や膜質が変化するた
め、一定の膜質および一定の膜厚を備えた膜を製造する
ことが容易ではない。
【０００９】また、ＣＲＴディスプレイ表面の反射防止
膜にチャージアップされた静電気は、反射防止膜を接地
することで放電され、接触による感電を回避できるが、
製造工程不良で十分に接地されていない場合には、前記
反射防止膜が窒化チタン等の窒化物で構成されて抵抗値
の低いことが、接触による感電事故を招きやすくする。
従って、反射防止膜の抵抗値は、目的に応じてコントロ
ールできた方が好ましい。
膜にチャージアップされた静電気は、反射防止膜を接地
することで放電され、接触による感電を回避できるが、
製造工程不良で十分に接地されていない場合には、前記
反射防止膜が窒化チタン等の窒化物で構成されて抵抗値
の低いことが、接触による感電事故を招きやすくする。
従って、反射防止膜の抵抗値は、目的に応じてコントロ
ールできた方が好ましい。
【００１０】本発明は前記事情に基づきなされたもの
で、本発明の目的は、従来の導電性で光吸収性を備えた
反射防止膜に比べて、光吸収性および抵抗値を目的に応
じてコントロールでき、反応性ガスを用いる必要がな
く、成膜速度および膜質の再現性が高い直流スパッタリ
ングで製造できる光吸収性透明導電膜、および該光吸収
性透明導電膜をスパッタリング法で製造するためのスパ
ッタリングターゲットを、提供することを目的とする。
で、本発明の目的は、従来の導電性で光吸収性を備えた
反射防止膜に比べて、光吸収性および抵抗値を目的に応
じてコントロールでき、反応性ガスを用いる必要がな
く、成膜速度および膜質の再現性が高い直流スパッタリ
ングで製造できる光吸収性透明導電膜、および該光吸収
性透明導電膜をスパッタリング法で製造するためのスパ
ッタリングターゲットを、提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光吸収性透明導
電膜は、一態様では、酸化インジウムを主成分として、
ルテニウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１
１の範囲で、ルテニウムを含む。この範囲内において、
５００ｎｍより長い波長の可視光の透過率を大体５０％
以上にすることができると共に、比抵抗を３×１０-3Ω
ｃｍから８１Ωｃｍの範囲で制御できる。
電膜は、一態様では、酸化インジウムを主成分として、
ルテニウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１
１の範囲で、ルテニウムを含む。この範囲内において、
５００ｎｍより長い波長の可視光の透過率を大体５０％
以上にすることができると共に、比抵抗を３×１０-3Ω
ｃｍから８１Ωｃｍの範囲で制御できる。
【００１２】さらに、本発明の光吸収性透明導電膜は、
別の態様では、酸化インジウムを主成分として、ルテニ
ウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範
囲で、ルテニウムを含むと共に、スズ／インジウム原子
数比が０．００１〜０．１６３の範囲で、スズを含むこ
とが望ましい。この範囲内において、スズの添加によ
り、可視光の透過率に影響することなく、比抵抗を１０
-4〜１０-3のオーダに維持できる。
別の態様では、酸化インジウムを主成分として、ルテニ
ウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範
囲で、ルテニウムを含むと共に、スズ／インジウム原子
数比が０．００１〜０．１６３の範囲で、スズを含むこ
とが望ましい。この範囲内において、スズの添加によ
り、可視光の透過率に影響することなく、比抵抗を１０
-4〜１０-3のオーダに維持できる。
【００１３】スパッタリング法で光吸収性透明導電膜を
製造するための本発明のスパッタリングターゲットは、
酸化インジウムを主成分として、ルテニウム／インジウ
ム原子数比が０．００１〜０．１１の範囲で、ルテニウ
ムを含む。さらに、スズ／インジウム原子数比が０．０
０１〜０．１６３の範囲で、スズを含むことが望まし
い。
製造するための本発明のスパッタリングターゲットは、
酸化インジウムを主成分として、ルテニウム／インジウ
ム原子数比が０．００１〜０．１１の範囲で、ルテニウ
ムを含む。さらに、スズ／インジウム原子数比が０．０
０１〜０．１６３の範囲で、スズを含むことが望まし
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に、本発明を実施するための
直流マグネトロンスパッタリング装置の例を示す。
直流マグネトロンスパッタリング装置の例を示す。
【００１５】真空チャンバ１内に、ターゲット２を配置
する。このターゲット２は、直流電源３のマイナス側に
接続され、直流電源３のプラス側およびガラス基板４は
接地する。ターゲット２の対向部には、ガラス基板４が
設置され、ターゲット２とガラス基板４との間の空間部
には、供給管５によってアルゴンガスが供給される。
する。このターゲット２は、直流電源３のマイナス側に
接続され、直流電源３のプラス側およびガラス基板４は
接地する。ターゲット２の対向部には、ガラス基板４が
設置され、ターゲット２とガラス基板４との間の空間部
には、供給管５によってアルゴンガスが供給される。
【００１６】このアルゴンガスには、前記直流電源３が
作動することでプラズマが発生し、アルゴンガスはイオ
ン化される。この際、ガラス基板４に対して反対側のタ
ーゲット２の背後に、磁石６が設置され、このため、タ
ーゲット２の表面に集中的にプラズマが発生し、効率よ
くアルゴンガスのイオン化が行われる。イオン化された
アルゴンガスがターゲット２に衝突することで、前記タ
ーゲット２から飛び出した物質が、前記空間部を介して
ターゲット２に対向して配置されたガラス基板４に析出
する。
作動することでプラズマが発生し、アルゴンガスはイオ
ン化される。この際、ガラス基板４に対して反対側のタ
ーゲット２の背後に、磁石６が設置され、このため、タ
ーゲット２の表面に集中的にプラズマが発生し、効率よ
くアルゴンガスのイオン化が行われる。イオン化された
アルゴンガスがターゲット２に衝突することで、前記タ
ーゲット２から飛び出した物質が、前記空間部を介して
ターゲット２に対向して配置されたガラス基板４に析出
する。
【００１７】本発明の光吸収性透明導電膜は、１態様で
は、酸化インジウムにルテニウムを添加する。また、他
の態様では、酸化インジウムにスズおよびルテニウムを
添加する。光吸収性は主にルテニウム量で調整すること
ができ、抵抗値はスズ量とルテニウム量で調整すること
ができる。
は、酸化インジウムにルテニウムを添加する。また、他
の態様では、酸化インジウムにスズおよびルテニウムを
添加する。光吸収性は主にルテニウム量で調整すること
ができ、抵抗値はスズ量とルテニウム量で調整すること
ができる。
【００１８】本発明のスパッタリングターゲットは、ル
テニウムを含んだ酸化インジウム、もしくはスズとルテ
ニウムを含んだ酸化インジウムの焼結体ターゲットであ
り、反応性ガスを用いず、操作性が容易で、成膜速度の
再現性が良好な直流スパッタリング法で、前記光吸収性
透明導電膜を作製することができる。
テニウムを含んだ酸化インジウム、もしくはスズとルテ
ニウムを含んだ酸化インジウムの焼結体ターゲットであ
り、反応性ガスを用いず、操作性が容易で、成膜速度の
再現性が良好な直流スパッタリング法で、前記光吸収性
透明導電膜を作製することができる。
【００１９】（実施例）以下、本発明の一実施例を図を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００２０】先ず、粉末の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）
および酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、もしくは、粉末の
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）お
よび酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）を、適当な配合比で混
合する。得られる混合粉末をプレス成形して所定の形状
に成形したのち、得られる成形品を焼結することで、タ
ーゲット２を得る。
および酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、もしくは、粉末の
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）お
よび酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）を、適当な配合比で混
合する。得られる混合粉末をプレス成形して所定の形状
に成形したのち、得られる成形品を焼結することで、タ
ーゲット２を得る。
【００２１】次に、図１に概略図を示した直流マグネト
ロンスパッタリング装置の真空チャンバ１内に、前記タ
ーゲット２を配置する。前記直流電源３を作動させるこ
とにより、プラズマを発生させ、導入されたアルゴンガ
スをイオン化する。イオン化されたアルゴンガスがター
ゲット２に衝突して、前記ターゲット２から飛び出した
物質が、前記空間部を介してターゲット２に対向して配
置されたガラス基板４に析出する。
ロンスパッタリング装置の真空チャンバ１内に、前記タ
ーゲット２を配置する。前記直流電源３を作動させるこ
とにより、プラズマを発生させ、導入されたアルゴンガ
スをイオン化する。イオン化されたアルゴンガスがター
ゲット２に衝突して、前記ターゲット２から飛び出した
物質が、前記空間部を介してターゲット２に対向して配
置されたガラス基板４に析出する。
【００２２】該析出によって透明導電膜が形成され、本
発明の光吸収性透明導電膜が得られる。
発明の光吸収性透明導電膜が得られる。
【００２３】（実施例１）以下、本発明の実施例を説明
する。
する。
【００２４】先ず、粉末の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）
および酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、もしくは、粉末の
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）お
よび酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）を、ルテニウム／イン
ジウム原子数比で０．００１〜０．１１の範囲で、スズ
／インジウム原子数比で０．０００〜０．１６３の範囲
で、表１に示したターゲット組成のように、種々混合し
た。酸化インジウム粉末および酸化ルテニウム粉末およ
び酸化スズ粉末は、高純度化学（株）から入手した。
および酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、もしくは、粉末の
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）お
よび酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）を、ルテニウム／イン
ジウム原子数比で０．００１〜０．１１の範囲で、スズ
／インジウム原子数比で０．０００〜０．１６３の範囲
で、表１に示したターゲット組成のように、種々混合し
た。酸化インジウム粉末および酸化ルテニウム粉末およ
び酸化スズ粉末は、高純度化学（株）から入手した。
【００２５】得られる混合粉末をプレス成形して所定の
形状に成形したのち、得られる成形品を焼結すること
で、ターゲット２を得た。プレス成形の条件は、２９４
ＭＰａであった。
形状に成形したのち、得られる成形品を焼結すること
で、ターゲット２を得た。プレス成形の条件は、２９４
ＭＰａであった。
【００２６】次に、図１に概略図を示した直流マグネト
ロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソー
ドに、焼結体の前記ターゲット２を取り付け、ターゲッ
ト２に対向させて、＃７０５９ガラス基板４を、ターゲ
ット２とガラス基板４間の距離を７０ｍｍとして、取り
付けた。
ロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソー
ドに、焼結体の前記ターゲット２を取り付け、ターゲッ
ト２に対向させて、＃７０５９ガラス基板４を、ターゲ
ット２とガラス基板４間の距離を７０ｍｍとして、取り
付けた。
【００２７】真空チャンバ１内の真空度が、１×１０-4
Ｐａ以下に達した時点で、純度９９．９９９９質量％の
アルゴンガスを導入して、ガス圧を０．５Ｐａとした。
さらに、直流電源３により、直流電力３００Ｗをターゲ
ット２およびガラス基板４の間に投入して、直流プラズ
マを発生させることによりスパッタリングを実施して、
加熱していないガラス基板４の上に、約５００ｎｍの膜
厚の膜を形成した。
Ｐａ以下に達した時点で、純度９９．９９９９質量％の
アルゴンガスを導入して、ガス圧を０．５Ｐａとした。
さらに、直流電源３により、直流電力３００Ｗをターゲ
ット２およびガラス基板４の間に投入して、直流プラズ
マを発生させることによりスパッタリングを実施して、
加熱していないガラス基板４の上に、約５００ｎｍの膜
厚の膜を形成した。
【００２８】ガラス基板４の上に形成した膜の組成を、
ＩＣＰ発光分析法で定量分析したところ、ターゲット２
の組成とほぼ等しいことがわかった。膜の比重抵抗を四
探針法で、また可視光領域における光透過特性（波長：
４００ｎｍ、５５０ｎｍ、６２０ｎｍ）を分光光度計で
測定した。
ＩＣＰ発光分析法で定量分析したところ、ターゲット２
の組成とほぼ等しいことがわかった。膜の比重抵抗を四
探針法で、また可視光領域における光透過特性（波長：
４００ｎｍ、５５０ｎｍ、６２０ｎｍ）を分光光度計で
測定した。
【００２９】ターゲット２の組成、膜の比抵抗およびの
透過率を、表１に示す。
透過率を、表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１に示すように、本発明の光吸収性透明
導電膜は、主にルテニウム量をコントロールすることに
より、透過率を変えることができ、また、スズ量とルテ
ニウム量で比抵抗を制御することができる。このよう
に、種々の透過特性および電気特性の組合せを実現する
ことができるので、目的とする光吸収性および抵抗値を
備えた光吸収性透明導電膜を得ることができる。
導電膜は、主にルテニウム量をコントロールすることに
より、透過率を変えることができ、また、スズ量とルテ
ニウム量で比抵抗を制御することができる。このよう
に、種々の透過特性および電気特性の組合せを実現する
ことができるので、目的とする光吸収性および抵抗値を
備えた光吸収性透明導電膜を得ることができる。
【００３２】また、本発明のスパッタリングターゲット
を用いれば、前述の特徴を有する光吸収性透明導電膜
を、安易な成膜法である直流マグネトロンスパッタ法で
得ることができる。
を用いれば、前述の特徴を有する光吸収性透明導電膜
を、安易な成膜法である直流マグネトロンスパッタ法で
得ることができる。
【００３３】本発明の光吸収性透明導電膜の５５０ｎｍ
における屈折率は１．９〜２．３と高いので、ＳｉＯ2
やＭｇＦ2などの低屈折率材料と積層構造にすることに
よって、光吸収性反射防止膜を作製することもできる。
における屈折率は１．９〜２．３と高いので、ＳｉＯ2
やＭｇＦ2などの低屈折率材料と積層構造にすることに
よって、光吸収性反射防止膜を作製することもできる。
【００３４】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
酸化インジウムにルテニウムを添加するか、もしくは酸
化インジウムにスズとルテニウムを添加することで、任
意の光吸収性と比抵抗を有する透明導電膜が得られ、透
過率は主にルテニウム量で調整し、抵抗値はスズ量とル
テニウム量で調整することができる。
酸化インジウムにルテニウムを添加するか、もしくは酸
化インジウムにスズとルテニウムを添加することで、任
意の光吸収性と比抵抗を有する透明導電膜が得られ、透
過率は主にルテニウム量で調整し、抵抗値はスズ量とル
テニウム量で調整することができる。
【００３５】また、ルテニウムを含んだ酸化インジウ
ム、もしくはスズとルテニウムを含んだ酸化インジウム
の本発明のスパッタリングターゲットにより、反応性ガ
スを用いる必要がなく、操作性の容易な直流スパッタリ
ング法で、成膜速度と膜質の再現性が良い光吸収性透明
導電膜を作製することができる。
ム、もしくはスズとルテニウムを含んだ酸化インジウム
の本発明のスパッタリングターゲットにより、反応性ガ
スを用いる必要がなく、操作性の容易な直流スパッタリ
ング法で、成膜速度と膜質の再現性が良い光吸収性透明
導電膜を作製することができる。
【００３６】従って、本発明の光吸収性透明導電膜は、
感電事故を生じにくく、しかもコントラスト効果を持た
せたブラウン管表面の光吸収性反射防止膜を積層構造で
構成するための一つの層として、極めて有用である。ま
た、本発明のスパッタリングターゲットは、該光吸収性
透明導電膜を簡便にかつ安定して製造するための原料と
して、極めて有用である。
感電事故を生じにくく、しかもコントラスト効果を持た
せたブラウン管表面の光吸収性反射防止膜を積層構造で
構成するための一つの層として、極めて有用である。ま
た、本発明のスパッタリングターゲットは、該光吸収性
透明導電膜を簡便にかつ安定して製造するための原料と
して、極めて有用である。
【図１】 本発明の実施例で使用する直流マグネトロン
スパッタリング装置の概略図である。
スパッタリング装置の概略図である。
１ 真空チャンバ ２ ターゲット ３ 直流電源 ４ ガラス基板 ５ 供給管 ６ 磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ Ｆターム(参考） 4G048 AA03 AC04 AD02 4G059 AA08 AC04 AC11 AC12 AC30 EA01 EA03 EA18 EB04 4K029 AA09 BA45 BC08 BC09 BD00 CA05 DC05 DC09 DC34 DC40 5G301 CA02 CA15 CA21 CA23 CD03 CE01 5G307 FA02 FB01 FC09 FC10
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化インジウムを主成分として、ルテニ
ウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範
囲で、ルテニウムを含むことを特徴とする光吸収性透明
導電膜。 - 【請求項２】 スズ／インジウム原子数比が０．００１
〜０．１６３の範囲で、スズを含むことを特徴とする請
求項１に記載の光吸収性透明導電膜。 - 【請求項３】 酸化インジウムを主成分として、ルテニ
ウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範
囲で、ルテニウムを含み、スパッタリング法で光吸収性
透明導電膜を製造するためのスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項４】 スズ／インジウム原子数比が０．００１
〜０．１６３の範囲で、スズを含むことを特徴とする請
求項３に記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401822A JP2002201029A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 光吸収性透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401822A JP2002201029A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 光吸収性透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002201029A true JP2002201029A (ja) | 2002-07-16 |
Family
ID=18866206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401822A Pending JP2002201029A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 光吸収性透明導電膜およびスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002201029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004203941A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜形成用塗料と透明導電膜及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置 |
| JP2005089259A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板 |
| JP2011093730A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000401822A patent/JP2002201029A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004203941A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜形成用塗料と透明導電膜及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置 |
| JP2005089259A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板 |
| JP2011093730A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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